JP2021088158A - Recording element substrate, liquid discharge head and method for manufacturing them - Google Patents

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Nariyuki Nojo
成幸 能條
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Abstract

To provide a liquid discharge head which can seal an electric connection part between a recording element substrate and an electric wiring board with a sufficient amount of a sealing material, and can improve electric reliability.SOLUTION: In a recording element substrate 2 that has a discharge port for discharging a liquid and an energy generating element for imparting discharge energy to the liquid and has a connection terminal 213 to which a signal is input and is provided on one surface, a recess 215 is formed on the side face of the recording element substrate 2 corresponding to a formation position of the connection terminal 213. The recess 215 is formed on the side face of the recording element substrate 2 so as to be separated from the one surface of the recording element substrate 2 through a projection 216. On an edge 217 of the recess 215, an angle obtained by sandwiching the projection 216 between the side face of the recording element substrate 2 and a ceiling surface 218 that is a connection surface connected to the side face of the recording element substrate 2 in a surface constituting the recess 215 is less than 90°.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、液体吐出ヘッドに関し、特に、液体吐出ヘッドに用いられる記録素子基板及びその製造方法と、記録素子基板を備える液体吐出ヘッドとその製造方法とに関する。 The present invention relates to a liquid discharge head, and more particularly to a recording element substrate used for the liquid discharge head and a method for manufacturing the same, and a liquid discharge head including the recording element substrate and a method for manufacturing the same.

吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドは、液体に吐出エネルギーを与えるエネルギー発生素子と吐出口とが形成された記録素子基板と、記録素子基板に電気信号を供給する電気配線基板とを備えている。電気配線基板と記録素子基板との間は、例えばフライング形状である複数のリードによって電気的に接続されており、リードを含めて電気配線基板と記録素子基板との間の電気接続部は封止材により封止されて被覆保護される。確実な封止のためにリードを挟むように上方からと下方からとの計2回、封止材を塗布するが、これは作業効率がよくない。そこで記録素子基板の側面に凹部を形成し、リードを超えて凹部の縁まで達してそこでメニスカスを形成するように上方から封止材を塗布することが提案されている。記録素子基板の一般的な製造方法は特許文献1に開示され、記録素子基板の側面に凹部を形成することは特許文献2に開示されている。 A liquid discharge head that discharges a liquid from a discharge port includes a recording element substrate in which an energy generating element that gives discharge energy to the liquid and a discharge port are formed, and an electric wiring board that supplies an electric signal to the recording element substrate. There is. The electrical wiring board and the recording element substrate are electrically connected by, for example, a plurality of flying-shaped leads, and the electrical connection portion between the electrical wiring board and the recording element substrate including the leads is sealed. It is sealed with a material to protect the coating. For reliable sealing, the sealing material is applied twice, from above and from below so as to sandwich the lead, but this is not efficient. Therefore, it has been proposed to form a recess on the side surface of the recording element substrate and apply a sealing material from above so as to extend beyond the lead to the edge of the recess and form a meniscus there. A general method for manufacturing a recording element substrate is disclosed in Patent Document 1, and patent document 2 discloses that a recess is formed on a side surface of the recording element substrate.

特開2006−281679号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-281679 特開2017−185677号公報JP-A-2017-185677

側面に凹部が形成されている記録素子基板を用い上方から封止材を塗布して電気接続部を封止する場合、凹部の縁で封止材がメニスカスを形成することにより封止材がさらなる流動を停止するので、電気接続部が十分な量の封止材で封止されることになる。しかしながらメニスカスが決壊して封止材が下方に向けてさらに流動し、その結果、十分な量の封止材で電気接続部を封止できなくなり、電気的信頼性が低下することがある。 When a sealing material is applied from above to seal an electrical connection portion using a recording element substrate having a recess formed on a side surface, the sealing material further forms a meniscus at the edge of the recess. Since the flow is stopped, the electrical connection is sealed with a sufficient amount of encapsulant. However, the meniscus may break and the encapsulant may flow further downwards, resulting in an inability to encapsulate the electrical connection with a sufficient amount of encapsulant, reducing electrical reliability.

本発明の目的は、記録素子基板と電気配線基板との間の電気接続部を十分な量の封止材で封止できて電気的信頼性の向上が可能な記録素子基板及び液体吐出ヘッドと、それらの製造方法とを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a recording element substrate and a liquid discharge head which can seal an electric connection portion between a recording element substrate and an electric wiring board with a sufficient amount of a sealing material and can improve electrical reliability. , And their manufacturing methods.

本発明の記録素子基板は、液体を吐出する吐出口と液体に吐出エネルギーを付与するエネルギー発生素子とを備える記録素子基板において、記録素子基板の一方の表面に、エネルギー発生素子を駆動するための信号が入力する接続端子が設けられ、接続端子が形成された位置に対応して記録素子基板の側面に凹部が形成され、凹部は、側面において一方の表面からは離れて形成され、一方の表面と凹部との間に凸部が形成され、凹部の一方の表面に近い側の縁において、側面と、凹部を構成する面のうちの側面に接続された接続面と、が凸部を挟む角が90°未満であることを特徴とする。 The recording element substrate of the present invention is a recording element substrate including a discharge port for discharging a liquid and an energy generating element for imparting discharge energy to the liquid, for driving the energy generating element on one surface of the recording element substrate. A connection terminal for inputting a signal is provided, a recess is formed on the side surface of the recording element substrate corresponding to the position where the connection terminal is formed, and the recess is formed on the side surface away from one surface and one surface. A convex portion is formed between the concave portion and the concave portion, and at the edge on the side close to one surface of the concave portion, a side surface and a connecting surface connected to the side surface of the surfaces constituting the concave portion sandwich the convex portion. Is less than 90 °.

本発明の液体吐出ヘッドは、本発明に基づく記録素子基板と、接続端子に電気的に接続して信号を記録素子基板に供給する電気配線基板と、を備え、記録素子基板と電気配線基板との電気接続部が封止材で封止されていることを特徴とする。 The liquid discharge head of the present invention includes a recording element substrate based on the present invention, an electrical wiring board that is electrically connected to a connection terminal and supplies a signal to the recording element substrate, and includes a recording element substrate and an electrical wiring board. The electrical connection portion of the above is sealed with a sealing material.

本発明の記録素子基板の製造方法は、複数個の記録素子基板に対応する大きさのシリコン半導体のウエハを使用し、ウエハにおける隣接する記録素子基板の間の境界となる境界領域において、ウエハの第1の表面にV字断面の溝を形成し、境界領域において溝の頂点からずれた位置でダイシングを行うことにより、ウエハから個々の記録素子基板を切り離すとともに記録素子基板の側面に凹部を形成することを特徴とする。 The method for manufacturing a recording element substrate of the present invention uses a wafer of a silicon semiconductor having a size corresponding to a plurality of recording element substrates, and in a boundary region serving as a boundary between adjacent recording element substrates in the wafer, the wafer is formed. By forming a V-shaped groove on the first surface and dying at a position deviated from the apex of the groove in the boundary region, the individual recording element substrates are separated from the wafer and recesses are formed on the side surfaces of the recording element substrate. It is characterized by doing.

本発明の液体吐出ヘッドの製造方法は、電気配線基板と記録素子基板とを電気的に接続する接続工程と、接続工程ののち記録素子基板の側面に沿って一方の表面の位置から縁の位置に向けて流動する方向で、電気接続部に対して液状の封止材を塗布する塗布工程と、を有する。 The method for manufacturing a liquid discharge head of the present invention includes a connection step of electrically connecting an electric wiring board and a recording element substrate, and a position of an edge from the position of one surface along the side surface of the recording element substrate after the connection step. It has a coating step of applying a liquid sealing material to the electrical connection portion in a direction of flowing toward.

本発明によれば、記録素子基板と電気配線基板との間の電気接続部を十分な量の封止材で封止できて電気的信頼性の向上が可能な記録素子基板及び液体吐出ヘッドと、それらの製造方法とが提供される。 According to the present invention, a recording element substrate and a liquid discharge head capable of improving electrical reliability by sealing an electrical connection portion between a recording element substrate and an electrical wiring board with a sufficient amount of a sealing material. , Their manufacturing methods and are provided.

液体吐出ヘッドを説明する図である。It is a figure explaining the liquid discharge head. 記録素子基板と電気配線基板との間の電気接続部を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the electric connection part between a recording element board and an electric wiring board. 電気接続部に対する封止材の塗布を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the application of the sealing material to the electric connection part. 本発明の実施の一形態の液体吐出ヘッドの要部の断面図である。It is sectional drawing of the main part of the liquid discharge head of one Embodiment of this invention. 電気接続部に対する封止材の塗布を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the application of the sealing material to the electric connection part. 記録素子基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of a recording element substrate. ウエハのダイシングを説明する図である。It is a figure explaining the dicing of a wafer. 凹部の縁の位置を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the position of the edge of the recess. 加工工具による凹部の形成を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the formation of the concave part by a processing tool.

次に本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明が適用可能な液体吐出ヘッドの全体的な構成を示している。図1(a)は、液体吐出ヘッド10の底面図であり、図1(b)は、図1(a)のB−B線での断面図である。液体吐出ヘッド10は、記録液やインクなどの液体を吐出口から記録媒体に吐出して記録媒体の表面に記録を行うために、インクジェット記録装置などの液体吐出装置に搭載されるものである。吐出口は、液体に対して吐出エネルギーを付与するエネルギー発生素子とともに、記録素子基板2に形成される。記録素子基板2は、シリコン半導体基板などの基板の表面にエネルギー発生素子を設けるとともに、吐出口が形成されている吐出口形成部材を基板に接合したものである。図1に示される液体吐出ヘッド10は、記録媒体に対してカラーでの記録を可能とするものであり、黒色の記録液(インク)を吐出する複数の吐出口が1列に配置した略長方形の記録素子基板2と、カラー記録用の略正方形の記録素子基板2とを備えている。カラー記録用の記録素子基板2では、シアン、マゼンタ及びイエローの各色の記録液を吐出する吐出口がそれぞれ1列に配列していることにより、吐出口列が3列形成されている。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows the overall configuration of a liquid discharge head to which the present invention is applicable. 1 (a) is a bottom view of the liquid discharge head 10, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1 (a). The liquid discharge head 10 is mounted on a liquid discharge device such as an inkjet recording device in order to discharge a liquid such as a recording liquid or ink to a recording medium from a discharge port and record on the surface of the recording medium. The discharge port is formed on the recording element substrate 2 together with an energy generating element that applies discharge energy to the liquid. The recording element substrate 2 is formed by providing an energy generating element on the surface of a substrate such as a silicon semiconductor substrate and joining a discharge port forming member having a discharge port formed to the substrate. The liquid discharge head 10 shown in FIG. 1 enables color recording on a recording medium, and is a substantially rectangular shape in which a plurality of discharge ports for discharging black recording liquid (ink) are arranged in a row. The recording element substrate 2 of the above and a substantially square recording element substrate 2 for color recording are provided. In the recording element substrate 2 for color recording, three rows of discharge ports are formed by arranging the discharge ports for discharging the recording liquids of each color of cyan, magenta, and yellow in one row.

記録素子基板2はベース板1の表面に支持されている。エネルギー発生素子を駆動する信号を液体吐出装置の本体から記録素子基板2に供給するために、電気配線基板3が設けられている。電気配線基板3は、ベース板1の表面に対して支持板4を介して取り付けられており、記録素子基板2においてベース板1とは反対側となる表面の端部に形成された複数の接続端子を介して記録素子基板2と電気的に接続している。支持板4は、記録素子基板2に対応する開口部を有してベース板1の表面に設けられており、記録素子基板2は、支持板4の開口部内に収まるように配置されている。電気配線基板3は、可撓性を有する配線基板によって、例えばTAB(Tape Automated Bonding)テープによって構成されている。電気配線基板3がTABテープである場合には、このTABテープには記録素子基板2に対応する開口が設けられ、この開口の位置で記録素子基板2が露出する。 The recording element substrate 2 is supported on the surface of the base plate 1. An electric wiring board 3 is provided in order to supply a signal for driving the energy generating element from the main body of the liquid discharge device to the recording element board 2. The electrical wiring board 3 is attached to the surface of the base plate 1 via a support plate 4, and a plurality of connections formed at the end of the surface of the recording element substrate 2 opposite to the base plate 1. It is electrically connected to the recording element substrate 2 via a terminal. The support plate 4 has an opening corresponding to the recording element substrate 2 and is provided on the surface of the base plate 1, and the recording element substrate 2 is arranged so as to fit in the opening of the support plate 4. The electrical wiring board 3 is composed of a flexible wiring board, for example, a TAB (Tape Automated Bonding) tape. When the electrical wiring board 3 is a TAB tape, the TAB tape is provided with an opening corresponding to the recording element board 2, and the recording element board 2 is exposed at the position of this opening.

電気配線基板3と記録素子基板2との電気的接続は、例えばワイヤボンディングなどによって行ってもよいが、電気配線基板3から延びるリードを記録素子基板2の接続端子に接合することによって行うことが好ましい。電気配線基板3としてTABテープを用いるとき、このTABテープから延びるリードは、インナーリードあるいはフライングリードとも呼ばれる。このインナーリードは、導体パターンを絶縁フィルムで挟持した構成のTABテープにおいて、導体パターンだけが絶縁フィルムに挟持されずに飛び出している部分のことである。リードあるいはボンディングワイヤは微細な導体であり、記録媒体が当たったり、液体吐出装置に液体吐出ヘッドを取り付けるときに手で触れたりすることで破断するおそれがある。さらに、隣接するリードの相互の間隔は狭く、ここに記録液などの液体が付着すると電気的な短絡が生じ、液体吐出ヘッドが正常に動作しなくなるおそれがある。このため、リードやボンディングワイヤの部分も含めて電気配線基板3と記録素子基板2との電気接続部は封止材5により封止され、被覆保護されている。 The electrical connection between the electrical wiring board 3 and the recording element substrate 2 may be performed by, for example, wire bonding, but it may be performed by joining the leads extending from the electrical wiring board 3 to the connection terminals of the recording element substrate 2. preferable. When a TAB tape is used as the electrical wiring board 3, the lead extending from the TAB tape is also called an inner lead or a flying lead. This inner lead is a portion of a TAB tape having a structure in which a conductor pattern is sandwiched between insulating films, in which only the conductor pattern protrudes without being sandwiched by the insulating film. The lead or bonding wire is a fine conductor and may be broken by being hit by a recording medium or being touched by hand when the liquid discharge head is attached to the liquid discharge device. Further, the distance between adjacent reeds is narrow, and if a liquid such as a recording liquid adheres to the reeds, an electrical short circuit may occur and the liquid discharge head may not operate normally. Therefore, the electrical connection portion between the electrical wiring board 3 and the recording element substrate 2, including the lead and bonding wire portions, is sealed with the sealing material 5 to protect the coating.

記録素子基板2の側面は、ベース板1の表面に対して垂直になるように加工されているが、後述するように、記録素子基板2の側面のうち少なくとも電気接続部に対応する側面において、ベース板1の表面に近い側に凹部が形成されている。そして、リードあるいはボンディングワイヤを記録素子基板2の接続端子に接続した後、上方からすなわちベース板1とは反対側から液状の封止材5を電気接続部に塗布して硬化させる。これにより、電気接続部の封止が完了する。以下、本発明に基づく液体吐出ヘッドを説明する前に、図2を用いて、側面に凹部が形成された記録素子基板2と電気配線基板3との電気的接続をリードで行う場合における封止材5による一般的な封止方法を説明する。図2は、図1(a)のB−B線での断面における電気接続部の近傍を拡大して示している。 The side surface of the recording element substrate 2 is processed so as to be perpendicular to the surface of the base plate 1, but as will be described later, at least on the side surface of the recording element substrate 2 corresponding to the electrical connection portion, A recess is formed on the side close to the surface of the base plate 1. Then, after connecting the lead or the bonding wire to the connection terminal of the recording element substrate 2, a liquid sealing material 5 is applied to the electrical connection portion from above, that is, from the side opposite to the base plate 1 and cured. This completes the sealing of the electrical connection. Hereinafter, before explaining the liquid discharge head based on the present invention, the sealing in the case where the recording element substrate 2 having the recess formed on the side surface and the electrical wiring substrate 3 are electrically connected by a lead, using FIG. A general sealing method using the material 5 will be described. FIG. 2 shows an enlarged view of the vicinity of the electrical connection portion in the cross section taken along the line BB of FIG. 1 (a).

まず図2(a)に示すように、ベース板1の表面に支持板4を接合し、図2(b)に示すように、支持板4の開口部内に記録素子基板2を収めるようにして、ベース板1に記録素子基板2を接合する。このとき、支持板4と記録素子基板2との間に、液状の封止材5を注入できるだけの隙間が形成されるようにする。記録素子基板2には上述のように凹部215が形成されている。この凹部215は、例えば、一般的に半導体ウエハの外周加工用に用いられているべべリングホイールの形状を凸型に変更し、切り出された記録素子基板2の側面の加工を行うことによって形成される。あるいは、ステルスダイシング技術を使用し、応力により亀裂が成長する改質層を基板端部にレーザーにより形成し、基板に応力がかかる際に改質層が崩落するようにして凹部215を形成してもよい。記録素子基板2において凹部215よりも図示上方の部分を凸部216と呼ぶ。記録素子基板2の側面における凹部215の縁217に接続して凹部215の内部に向かう面を凹部215の天井面218と呼ぶ。この天井面218は、凹部215を構成する面のうちの側面に接続された接続面でもある。図示したものでは、凹部215の天井面218は、記録素子基板2の側面に対して垂直となっており、したがって記録素子基板2の表面に対して平行となっている。なお、図2(b)(及び後述の図4)に示すように、記録素子基板2の接続端子213が設けられる面が記録素子基板2の表面2aであり、表面2aに接続された面2bが記録素子基板の側面である。 First, as shown in FIG. 2A, the support plate 4 is joined to the surface of the base plate 1, and as shown in FIG. 2B, the recording element substrate 2 is housed in the opening of the support plate 4. , The recording element substrate 2 is joined to the base plate 1. At this time, a gap is formed between the support plate 4 and the recording element substrate 2 so that the liquid sealing material 5 can be injected. As described above, the recess 215 is formed on the recording element substrate 2. The recess 215 is formed by, for example, changing the shape of the beveling wheel generally used for processing the outer periphery of a semiconductor wafer into a convex shape and processing the side surface of the cut-out recording element substrate 2. Wheel. Alternatively, using stealth dicing technology, a modified layer in which cracks grow due to stress is formed at the edge of the substrate by a laser, and a recess 215 is formed so that the modified layer collapses when stress is applied to the substrate. May be good. The portion of the recording element substrate 2 above the concave portion 215 in the drawing is referred to as a convex portion 216. The surface of the side surface of the recording element substrate 2 that is connected to the edge 217 of the recess 215 and faces the inside of the recess 215 is called the ceiling surface 218 of the recess 215. The ceiling surface 218 is also a connecting surface connected to a side surface of the surfaces forming the recess 215. In the figure, the ceiling surface 218 of the recess 215 is perpendicular to the side surface of the recording element substrate 2, and is therefore parallel to the surface of the recording element substrate 2. As shown in FIG. 2B (and FIG. 4 described later), the surface on which the connection terminal 213 of the recording element substrate 2 is provided is the surface 2a of the recording element substrate 2, and the surface 2b connected to the surface 2a. Is the side surface of the recording element substrate.

続いて図2(c)に示すように、TABテープである電気配線基板3を支持板4に接合する。この場合、電気配線基板3から延びるリード301が記録素子基板2に形成されているパッド状の接続端子の上方に位置するように位置合わせを行う。そして図2(d)に示すように、1リードごと(接続端子ごと)または複数存在するリード301に対して同時に、リード301と接続端子213との電気的な接合が行われる。具体的には、ベース板1を加熱することで記録素子基板2に熱を加え、その状態で記録素子基板2の接続端子213の上にシングルポイントキャピラリーで適度な荷重をかけてリード301を抑え込む。そして超音波振動を加え、リード301と接続端子213を接合させる。あるいは、高温に加熱された治具をリード301に直接接触させて接続端子213に押し付け、荷重制御によって複数のリード301についての電気的な接合を同時に行う。リード301としては、一般的に厚さ20〜30μmの銅箔にニッケルや金のめっき処理が薄く施されたものが用いられる。 Subsequently, as shown in FIG. 2C, the electrical wiring board 3 which is a TAB tape is joined to the support plate 4. In this case, the leads 301 extending from the electrical wiring board 3 are aligned so as to be located above the pad-shaped connection terminals formed on the recording element board 2. Then, as shown in FIG. 2D, the lead 301 and the connection terminal 213 are electrically joined to each lead (for each connection terminal) or to the plurality of leads 301 existing at the same time. Specifically, heat is applied to the recording element substrate 2 by heating the base plate 1, and in that state, an appropriate load is applied on the connection terminal 213 of the recording element substrate 2 with a single point capillary to suppress the lead 301. .. Then, ultrasonic vibration is applied to join the lead 301 and the connection terminal 213. Alternatively, a jig heated to a high temperature is brought into direct contact with the leads 301 and pressed against the connection terminal 213, and electrical joining of the plurality of leads 301 is performed at the same time by load control. As the lead 301, a copper foil having a thickness of 20 to 30 μm and thinly plated with nickel or gold is generally used.

最後に、硬化可能な液状の封止材5を上方から塗布して、図2(e)に示すようにリード301を含めて電気接続部を封止材5で被覆保護する。封止材5は、リード301を十分な厚さで内包して被覆するとともに、電気配線基板3においてリード301の根元側となる部分をその両面側から被覆し、記録素子基板2の表面の接続端子213も覆うように塗布される。封止材5が常温で硬化するものである場合には塗布後、硬化するまで放置し、熱硬化型の封止材5を用いる場合には、封止材5を塗布したのちに熱キュア炉を用いて封止材5を硬化させる。封止材5としては、例えばエポキシ樹脂などが使用される。 Finally, a curable liquid encapsulant 5 is applied from above, and as shown in FIG. 2E, the electrical connection portion including the lead 301 is covered and protected by the encapsulant 5. The sealing material 5 encloses and covers the lead 301 with a sufficient thickness, and also covers the portion of the electrical wiring board 3 that is the root side of the lead 301 from both sides thereof, and connects the surface of the recording element substrate 2. The terminal 213 is also applied so as to cover it. When the sealing material 5 is cured at room temperature, it is applied and then left to be cured. When the heat-curing type sealing material 5 is used, the sealing material 5 is applied and then the thermosetting furnace is used. Is used to cure the sealing material 5. As the sealing material 5, for example, an epoxy resin or the like is used.

図3は、図2(e)に示した封止材5の塗布工程を詳しく示している。まず、図3(a)に示すように、塗布ニードル403をリード301及び接続端子213を含む領域の上方に位置付け、塗布ニードル403から液状の封止材5を下方に向けて流出させる。これにより、リード301及び接続端子213の上面に封止材5が塗布されることになる。塗布ニードル403から封止材5をさらに流出させると、図3(b)に示すように、封止材5は隣接するリード301の間の隙間を通って下方に流れ、リード301の下面も覆うようになる。封止材5は粘度の高い液体であり、塗布ニードル403から封止材5を流出させるときには、封止材5に圧力を加える必要がある。圧力を加えられた封止材5は、圧力の方向すなわち下方には流動しやすいが、圧力の方向とは直交する方向、すなわち図示左右方向には流動しにくい。 FIG. 3 shows in detail the coating process of the sealing material 5 shown in FIG. 2 (e). First, as shown in FIG. 3A, the coating needle 403 is positioned above the region including the lead 301 and the connection terminal 213, and the liquid sealing material 5 is discharged downward from the coating needle 403. As a result, the sealing material 5 is applied to the upper surfaces of the lead 301 and the connection terminal 213. When the sealing material 5 is further discharged from the coating needle 403, as shown in FIG. 3B, the sealing material 5 flows downward through the gap between the adjacent leads 301 and also covers the lower surface of the leads 301. Will be. The sealing material 5 is a highly viscous liquid, and when the sealing material 5 is discharged from the coating needle 403, it is necessary to apply pressure to the sealing material 5. The pressure-applied encapsulant 5 tends to flow in the direction of pressure, that is, downward, but does not easily flow in the direction orthogonal to the direction of pressure, that is, in the left-right direction shown in the drawing.

塗布ニードル403からさらに封止材5を流出させると、封止材5は凸部216における記録素子基板2の側面を伝わって下方に流動し、記録素子基板2の側面に形成された凹部215の縁217の位置に到達する。上述したように封止材5は図示左右方向には流動しにくいので、縁217の位置で封止材5のメニスカスを形成する力が強くなり、図3(c)に示すように、記録素子基板2の側面に沿った封止材5の下方への流動はこの位置でいったん停止する。この時点では、封止材5は凹部215の天井面218に沿っては流動しない。塗布ニードル403からの封止材5の流出を継続すると、封止材5はメニスカスのために下方へは流動しなくなっているので、図3(d)に示すように、電気配線基板3におけるリード301の根元部302へ流動する。リード301への根元部302への封止材の流動は、電気配線基板3の両方の表面で同時に起こる。この状態において、封止材5による電気接続部の被覆は良好なものとなっている。 When the sealing material 5 is further discharged from the coating needle 403, the sealing material 5 flows downward along the side surface of the recording element substrate 2 in the convex portion 216, and the concave portion 215 formed on the side surface of the recording element substrate 2 Reach the position of edge 217. As described above, since the sealing material 5 does not easily flow in the left-right direction shown in the drawing, the force for forming the meniscus of the sealing material 5 becomes stronger at the position of the edge 217, and as shown in FIG. 3C, the recording element The downward flow of the sealing material 5 along the side surface of the substrate 2 is temporarily stopped at this position. At this point, the sealing material 5 does not flow along the ceiling surface 218 of the recess 215. When the outflow of the sealing material 5 from the coating needle 403 is continued, the sealing material 5 does not flow downward due to the meniscus. Therefore, as shown in FIG. 3D, the lead in the electrical wiring board 3 It flows to the root portion 302 of 301. The flow of the encapsulant to the root 302 to the leads 301 occurs simultaneously on both surfaces of the electrical wiring board 3. In this state, the covering of the electrical connection portion with the sealing material 5 is good.

図3(d)に示す状態では封止材5は、凹部215の縁217の位置に形成されるメニスカスによって、下方への流動や凹部215の内部への流動が抑制されている。しかしながらメニスカスが決壊することがあり、その場合、図3(e)に示すように、凹部215の天井面218を伝わって若干量の封止材5が凹部215の内部に入り込む。凹部215の内部に入り込む封止材の量が図3(e)に示す程度であれば、封止材5による電気接続部の被覆はなお良好なものといえる。しかしながら、図3(f)に示すように凹部215に入り込む封止材5の量が多くなると、その分、電気配線基板3においてリード301の根元部302となる位置への封止材5の供給量が低下し、根元部302での被覆が不十分なものとなる。特に、凹部215の最奥部にある図示垂直方向の壁219まで封止材5が達するようになると、壁219を伝わって封止材5が下方に流動するようになって、電気配線基板3におけるリード301の根元部302での封止材5の被覆量を確保することが困難になる。そのような場合には、この根元部302を安定して保護することができなくなるとともに、リード301そのものの封止材5による被覆保護も不十分なものとなる。 In the state shown in FIG. 3D, the sealing material 5 is suppressed from flowing downward and flowing into the recess 215 by the meniscus formed at the position of the edge 217 of the recess 215. However, the meniscus may break, and in that case, as shown in FIG. 3 (e), a small amount of the sealing material 5 enters the inside of the recess 215 along the ceiling surface 218 of the recess 215. If the amount of the sealing material that enters the inside of the recess 215 is as shown in FIG. 3 (e), it can be said that the coating of the electrical connection portion by the sealing material 5 is still good. However, as shown in FIG. 3 (f), when the amount of the sealing material 5 that enters the recess 215 increases, the sealing material 5 is supplied to the position that becomes the root portion 302 of the lead 301 in the electrical wiring board 3. The amount is reduced, and the coating at the root portion 302 becomes insufficient. In particular, when the sealing material 5 reaches the wall 219 in the vertical direction shown in the drawing at the innermost part of the recess 215, the sealing material 5 flows downward along the wall 219, and the electrical wiring board 3 It becomes difficult to secure the coating amount of the sealing material 5 at the root portion 302 of the lead 301 in the above. In such a case, the root portion 302 cannot be stably protected, and the coating protection of the lead 301 itself by the sealing material 5 becomes insufficient.

インクジェット記録装置に代表される液体吐出装置では、近年、長寿命の装置が求められており、液体吐出ヘッド10にも高い耐久性が要求されている。液体吐出ヘッド10を高い耐久性を有するものとするためには、記録素子基板2と電気配線基板3との電気接続部を被覆する封止材5として、電気信頼性がより高い材料からなるものを用いることが求められる。より具体的には、体積抵抗率が高い材料を選定して封止材5として用いることが求められる。そして、このような封止材5を使用して、電気配線基板3におけるリード301の根元部302からリード301及び接続端子213を被覆することが必要である。そこで本実施形態の液体吐出ヘッド10では、特に体積抵抗率が高い材料からなる封止材5を使用する場合であっても、封止材5による電気接続部の被覆保護を十分に行えるように、記録素子基板2の側面に形成される凹部215の形状を工夫している。封止材5に用いる材料は、封止材5として硬化したときの体積抵抗率が1×1014Ω・cm以上であるものが好ましい。以下、本発明の実施の一形態の液体吐出ヘッド10について説明する。 In recent years, a liquid discharge device typified by an inkjet recording device has been required to have a long life, and the liquid discharge head 10 is also required to have high durability. In order to make the liquid discharge head 10 have high durability, the sealing material 5 for covering the electrical connection portion between the recording element substrate 2 and the electrical wiring substrate 3 is made of a material having higher electrical reliability. Is required to be used. More specifically, it is required to select a material having a high volume resistivity and use it as the sealing material 5. Then, it is necessary to cover the lead 301 and the connection terminal 213 from the root portion 302 of the lead 301 in the electric wiring board 3 by using such a sealing material 5. Therefore, in the liquid discharge head 10 of the present embodiment, even when a sealing material 5 made of a material having a particularly high volume resistivity is used, the sealing material 5 can sufficiently protect the coating of the electrical connection portion. The shape of the recess 215 formed on the side surface of the recording element substrate 2 is devised. The material used for the sealing material 5 is preferably one having a volume resistivity of 1 × 10 14 Ω · cm or more when cured as the sealing material 5. Hereinafter, the liquid discharge head 10 according to the embodiment of the present invention will be described.

図4は、本発明の実施の一形態の液体吐出ヘッド10の要部の断面構成を示す図であり、一般的な封止方法を示す図2(e)に対応する図である。本実施形態の液体吐出ヘッド10においても、記録素子基板2の一方の表面に接続端子213が設けられ、記録素子基板2と電気配線基板3との電気接続部に対応する位置において記録素子基板2の側面に凹部215が形成されている。凹部215は、記録素子基板2の側面において、ベース板1に近い側に、すなわち記録素子基板2の一方の表面から離れて形成されており、記録素子基板2の一方の表面と凹部215との間は、凸部216ということになる。図4では、電気配線基板3においてリード301の延長部分である導体パターン311と、導体パターン311を挟む絶縁フィルム312,313も描かれている。本実施形態の液体吐出ヘッド10では、図2に示すものとは凹部215の形状を異ならせることにより、凸部216の領域で記録素子基板2の側面に沿って流動してきた封止材5が凹部215の中に入りにくくしている。具体的には、記録素子基板2において凹部215の縁217の位置において、凸部216を挟むこととなる記録素子基板2の側面と凹部215の天井面とがなす角が鋭角すなわち90°未満となるようにしている。その結果、以下に説明するように、記録素子基板2の側面に沿って流動して縁217においてメニスカスを形成した封止材5が凹部215の中に入りにくくなる。封止材5が凹部215の中に入りにくくなるので、その分、電気配線基板3におけるリード301の根元部302が封止材5により確実に被覆されるようになり、封止材5による電気接続部の被覆保護が十分に行えることになる。本実施形態では、液状の封止材5の塗布工程において、少なくとも、記録素子基板2の側面を沿って封止材5が縁217に到達して縁217の位置においてメニスカスを形成するまで封止材5を塗布する。 FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a main part of the liquid discharge head 10 according to the embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 2 (e) showing a general sealing method. Also in the liquid discharge head 10 of the present embodiment, the connection terminal 213 is provided on one surface of the recording element substrate 2, and the recording element substrate 2 is provided at a position corresponding to the electrical connection portion between the recording element substrate 2 and the electrical wiring substrate 3. A recess 215 is formed on the side surface of the above. The recess 215 is formed on the side surface of the recording element substrate 2 on the side closer to the base plate 1, that is, away from one surface of the recording element substrate 2, and is formed between one surface of the recording element substrate 2 and the recess 215. The space is the convex portion 216. In FIG. 4, a conductor pattern 311 which is an extension portion of the lead 301 in the electric wiring board 3 and insulating films 312 and 313 sandwiching the conductor pattern 311 are also drawn. In the liquid discharge head 10 of the present embodiment, the sealing material 5 that has flowed along the side surface of the recording element substrate 2 in the region of the convex portion 216 is formed by making the shape of the concave portion 215 different from that shown in FIG. It is difficult to enter the recess 215. Specifically, at the position of the edge 217 of the recess 215 in the recording element substrate 2, the angle formed by the side surface of the recording element substrate 2 that sandwiches the convex portion 216 and the ceiling surface of the recess 215 is an acute angle, that is, less than 90 °. I am trying to be. As a result, as will be described below, the sealing material 5 that flows along the side surface of the recording element substrate 2 and forms the meniscus at the edge 217 is less likely to enter the recess 215. Since the sealing material 5 is less likely to enter the recess 215, the root portion 302 of the lead 301 in the electric wiring board 3 is surely covered by the sealing material 5, and the electricity generated by the sealing material 5 is increased. The coating protection of the connection portion can be sufficiently performed. In the present embodiment, in the coating step of the liquid sealing material 5, the sealing material 5 is sealed at least until the sealing material 5 reaches the edge 217 along the side surface of the recording element substrate 2 and forms a meniscus at the position of the edge 217. Apply material 5.

図5は、図4に示した液体吐出ヘッド10の電気接続部に対して封止材5を塗布する工程を詳しく示している。図2に示した場合と同様に、図5(a)に示すように、塗布ニードル403をリード301及び接続端子213を含む領域の上方に位置付け、塗布ニードル403から液状の封止材5を下方に流出させる。これにより、リード301及び接続端子213の上面に封止材5が塗布される。さらに封止材5を流出させることにより、封止材5は、図5(b)に示すようにリード301の間も隙間を通って下方に流れ、続いて図5(c)に示すように、凹部215の縁217の位置でメニスカスを形成する。この時点で下方への封止材5の流れは一旦停止する。塗布ニードル403からの封止材5の流出を継続すると、封止材5はメニスカスのために下方へは流動しなくなっているので、図5(d)に示すように、電気配線基板3におけるリード301の根元部302へ流動する。この状態においては、図2(d)に示す場合と同様に、封止材5による電気接続部の被覆は良好なものとなっている。 FIG. 5 shows in detail the step of applying the sealing material 5 to the electrical connection portion of the liquid discharge head 10 shown in FIG. Similar to the case shown in FIG. 2, as shown in FIG. 5A, the coating needle 403 is positioned above the region including the lead 301 and the connection terminal 213, and the liquid sealing material 5 is lowered from the coating needle 403. To leak to. As a result, the sealing material 5 is applied to the upper surfaces of the lead 301 and the connection terminal 213. Further, by letting the sealing material 5 flow out, the sealing material 5 flows downward through the gap between the leads 301 as shown in FIG. 5 (b), and subsequently as shown in FIG. 5 (c). , A meniscus is formed at the position of the edge 217 of the recess 215. At this point, the downward flow of the sealing material 5 is temporarily stopped. When the outflow of the sealing material 5 from the coating needle 403 is continued, the sealing material 5 does not flow downward due to the meniscus. Therefore, as shown in FIG. 5 (d), the lead in the electrical wiring board 3 It flows to the root portion 302 of 301. In this state, as in the case shown in FIG. 2D, the covering of the electrical connection portion with the sealing material 5 is good.

図5(d)に示す状態では封止材5は、凹部215の縁217の位置に形成されるメニスカスによって、下方への流動や凹部215の内部への流動が抑制されている。本実施形態の液体吐出ヘッド10においてもメニスカスが決壊することがあるが、縁217において記録素子基板2の側面と凹部215の天井面218とが凸部216を挟む角が鋭角なので、図2に示すものに比べてメニスカスが決壊しにくい。さらに本実施形態では、ベース板1から離れる方向に縁217から天井面218は登る方向に傾斜しているので、メニスカスが決壊しても封止材5は天井面218に沿って流動しにくくなっている。その結果、図2に示したもの比べ、メニスカスが決壊したときに凹部215に入り込む封止材5の量が小さくなり、その分、電気配線基板3におけるリード301の根元部302への封止材5の供給量が増加する。根元部302は十分な量の封止材5により被覆保護されることになる。本実施形態では、封止材5により電気接続部が確実に被覆保護され、電気信頼性の高い液体吐出ヘッド10を得ることができる。 In the state shown in FIG. 5D, the sealing material 5 is suppressed from flowing downward and flowing into the recess 215 by the meniscus formed at the position of the edge 217 of the recess 215. The meniscus may also break in the liquid discharge head 10 of the present embodiment, but since the angle between the side surface of the recording element substrate 2 and the ceiling surface 218 of the concave portion 215 at the edge 217 sandwiching the convex portion 216 is an acute angle, FIG. The meniscus is less likely to break than the one shown. Further, in the present embodiment, since the ceiling surface 218 is inclined in the climbing direction from the edge 217 in the direction away from the base plate 1, the sealing material 5 is difficult to flow along the ceiling surface 218 even if the meniscus breaks. ing. As a result, the amount of the sealing material 5 that enters the recess 215 when the meniscus breaks is smaller than that shown in FIG. 2, and the sealing material to the root portion 302 of the lead 301 in the electrical wiring board 3 is correspondingly smaller. The supply of 5 increases. The root portion 302 is covered and protected by a sufficient amount of the sealing material 5. In the present embodiment, the sealing material 5 reliably covers and protects the electrical connection portion, and the liquid discharge head 10 having high electrical reliability can be obtained.

封止材5は、塗布ニードル403から流出してリード301の間の隙間を通り、さらに、メニスカスを形成しつつ電気配線基板3の方向にも流動する必要がある。このような流動を行わなければならない封止材5としては、比較的流動性の高い材料、例えば未硬化の状態での粘度が70Pa・s以下であり、チクソ比が1.5以下であるものを用いることが好ましい。 The sealing material 5 needs to flow out of the coating needle 403, pass through the gap between the leads 301, and further flow in the direction of the electrical wiring board 3 while forming a meniscus. The encapsulant 5 that must undergo such flow is a material having relatively high fluidity, for example, a material having a viscosity of 70 Pa · s or less in an uncured state and a thixo ratio of 1.5 or less. Is preferably used.

次に、本実施形態の液体吐出ヘッド10で用いる記録素子基板2の製造方法について、図6を用いて説明する。記録素子基板2の製造には、特許文献1に記載されたものと同様に、結晶面方位が〈100〉であるシリコン半導体のウエハ201を使用することが好ましい。記録素子基板2の製造では、1枚のウエハ201を使用して複数個の記録素子基板2を一括して形成し、その後、ウエハ201から個々の記録素子基板2を切り出すことが一般的である。図6に示す断面は、ウエハ201において1個分の記録素子基板2とその近傍の領域を示している。ウエハ201の一方の表面、ここでは図示上側の面には、図6(a)に示すように、酸化シリコンまたは窒化シリコンによって形成された表層202が積層している。表層202は、後述の異方性エッチングを行う際にストップ層としても機能する。 Next, a method of manufacturing the recording element substrate 2 used in the liquid discharge head 10 of the present embodiment will be described with reference to FIG. For the production of the recording element substrate 2, it is preferable to use a silicon semiconductor wafer 201 having a crystal plane orientation of <100>, similar to that described in Patent Document 1. In the manufacture of the recording element substrate 2, it is common that a plurality of recording element substrates 2 are collectively formed by using one wafer 201, and then individual recording element substrates 2 are cut out from the wafer 201. .. The cross section shown in FIG. 6 shows a region of one recording element substrate 2 and its vicinity in the wafer 201. As shown in FIG. 6A, a surface layer 202 formed of silicon oxide or silicon nitride is laminated on one surface of the wafer 201, here, the upper surface in the drawing. The surface layer 202 also functions as a stop layer when performing anisotropic etching, which will be described later.

表層202の表面には、吐出のためのエネルギーを液体に付与するエネルギー発生素子203が所望の位置に複数配置される。エネルギー発生素子203は、例えば電気熱変換素子または圧電素子などによって構成されている。エネルギー発生素子203が電気熱変換素子である場合、この素子の近傍の液体を加熱することよって液体が発泡し、液体が吐出口から吐出されることになる。この場合、表層202は蓄熱槽としても機能してよい。エネルギー発生素子203として圧電素子が用いられるときは、この素子の機械的振動によって吐出エネルギーが液体に与えられ、吐出口から液体が吐出する。エネルギー発生素子203には、その素子を動作させるための信号が入力する電極(不図示)が設けられている。接続端子213を介して記録素子基板2に信号が供給されると、記録素子基板2に設けられた駆動回路(不図示)を介して各電極に信号が供給されてエネルギー発生素子203が駆動される。図6では示していないが、エネルギー発生素子203の形成と同時かそれ以前に、接続端子213もウエハ201の一方の面に形成される。エネルギー発生素子203には、その耐用性の向上を目的として、保護層などの各種の機能層が設けられてもよい。表層203を保護層として用いることもできる。 On the surface of the surface layer 202, a plurality of energy generating elements 203 for imparting energy for discharge to the liquid are arranged at desired positions. The energy generating element 203 is composed of, for example, an electric heat conversion element or a piezoelectric element. When the energy generating element 203 is an electric heat conversion element, the liquid is foamed by heating the liquid in the vicinity of this element, and the liquid is discharged from the discharge port. In this case, the surface layer 202 may also function as a heat storage tank. When a piezoelectric element is used as the energy generating element 203, discharge energy is given to the liquid by the mechanical vibration of this element, and the liquid is discharged from the discharge port. The energy generating element 203 is provided with an electrode (not shown) into which a signal for operating the element is input. When a signal is supplied to the recording element substrate 2 via the connection terminal 213, a signal is supplied to each electrode via a drive circuit (not shown) provided on the recording element substrate 2 to drive the energy generating element 203. To. Although not shown in FIG. 6, the connection terminal 213 is also formed on one surface of the wafer 201 at the same time as or before the formation of the energy generating element 203. The energy generating element 203 may be provided with various functional layers such as a protective layer for the purpose of improving its durability. The surface layer 203 can also be used as a protective layer.

次に、図6(b)に示すように、液体供給路204などをシリコン異方性エッチングで形成するときのマスクとなる被覆層214をウエハ201の他方の表面に形成する。液体供給路204は、エネルギー発生素子203の位置にまで液体を供給するために記録素子基板2を貫通する流路である。被覆層214には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などが好適に用いられる。被覆層214は、必要に応じてウエハ201の一方の表面にも設置することも可能であって、前述の保護層などを被覆層214として兼用しても構わない。被覆層214は、CVD(化学気相成長)装置などの膜形成装置を用いて、例えば数十μmの膜厚で形成される。続いて、図6(c)に示すように、液体供給路204の形成されるべき領域と、隣接する記録素子基板2との境界となる領域であって凹部215が形成される位置を含む領域とにおいて被覆層214を除去する。その結果、被覆層214には、凹部215に対応する開口210と液体供給路204に対応した開口211とが形成される。開口210は記録素子基板2の相互間の境界領域も対応し、ウエハ201の利用効率を考えればこの境界領域は狭い方が好ましいから、一般に、開口211の方が開口210よりも大きく形成される。被覆層214の除去には、通常のフォトレジストをマスクとして用いる、CF4ガスによるドライエッチングが用いられる。ここでは両面マスクアライナーなどを用いることによって、液体供給路204に対応する開口211の位置は、ウエハ201の一方の表面に形成されているエネルギー発生素子203の位置に基づいて正確に決定される。 Next, as shown in FIG. 6B, a coating layer 214 serving as a mask when the liquid supply path 204 or the like is formed by silicon anisotropic etching is formed on the other surface of the wafer 201. The liquid supply path 204 is a flow path that penetrates the recording element substrate 2 in order to supply the liquid to the position of the energy generating element 203. A silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like is preferably used for the coating layer 214. The coating layer 214 can be installed on one surface of the wafer 201 as needed, and the above-mentioned protective layer or the like may also be used as the coating layer 214. The coating layer 214 is formed with a film thickness of, for example, several tens of μm by using a film forming apparatus such as a CVD (chemical vapor deposition) apparatus. Subsequently, as shown in FIG. 6C, a region that is a boundary between the region where the liquid supply path 204 should be formed and the adjacent recording element substrate 2 and includes a position where the recess 215 is formed. And removes the coating layer 214. As a result, the coating layer 214 is formed with an opening 210 corresponding to the recess 215 and an opening 211 corresponding to the liquid supply path 204. Since the opening 210 also corresponds to the boundary region between the recording element substrates 2 and the boundary region is preferably narrow in consideration of the utilization efficiency of the wafer 201, the opening 211 is generally formed larger than the opening 210. .. To remove the coating layer 214, dry etching with CF 4 gas using a normal photoresist as a mask is used. Here, by using a double-sided mask aligner or the like, the position of the opening 211 corresponding to the liquid supply path 204 is accurately determined based on the position of the energy generating element 203 formed on one surface of the wafer 201.

次に、図6(d)に示すように、強アルカリ溶液に代表されるシリコン異方性エッチング液にウエハ201を浸漬し、液体供給路204を形成する。ウエハ201の表面は、必要に応じて保護される。被覆層214には開口210が設けられているので、隣接する記録素子基板2との境界となる位置もエッチングされるが、開口210は開口211より狭いのでこの位置ではウエハ201には貫通孔は形成されず、断面がV字形状の溝212が形成される。シリコンの異方性エッチングは、強アルカリ性のエッチング液に対する結晶方位間での溶解度の差を利用したものであり、ほとんど溶解度を示さない〈111〉面ではエッチングは停止する。したがって、使用するウエハ201の結晶面方位によって液体供給路204の形状が異なることになる。ウエハ201の面方位〈100〉である場合には、ウエハ201の表面に対する液体供給路204の側面の傾斜角は54.7°となり、面方位が〈110〉である場合には傾斜角は90°となる。図4に示す形状の凹部215を形成する場合には、ウエハ201として面方位が〈100〉であるものを使用する。 Next, as shown in FIG. 6D, the wafer 201 is immersed in a silicon anisotropic etching solution typified by a strong alkaline solution to form a liquid supply path 204. The surface of the wafer 201 is protected as needed. Since the coating layer 214 is provided with the opening 210, the position serving as the boundary with the adjacent recording element substrate 2 is also etched, but since the opening 210 is narrower than the opening 211, the wafer 201 has a through hole at this position. A groove 212 having a V-shaped cross section is formed without being formed. Anisotropic etching of silicon utilizes the difference in solubility between crystal orientations with respect to a strongly alkaline etching solution, and etching is stopped on the <111> plane, which shows almost no solubility. Therefore, the shape of the liquid supply path 204 differs depending on the crystal plane orientation of the wafer 201 used. When the surface orientation of the wafer 201 is <100>, the inclination angle of the side surface of the liquid supply path 204 with respect to the surface of the wafer 201 is 54.7 °, and when the surface orientation is <110>, the inclination angle is 90. It becomes °. When forming the recess 215 having the shape shown in FIG. 4, a wafer 201 having a plane orientation of <100> is used.

次に、吐出口207が設けられた吐出口形成部材221をウエハ201の一方の表面に形成する工程を開始する。シリコン異方性エッチングを行った時点において、液体供給路204の位置も含めてウエハ201の一方の表面は表層202で覆われている。表層202の上に、後工程で溶解除去することが可能な層をスピンコートまたはロールコートで成膜し、この層をパターニングして、図6(e)に示すように流路パターン205を形成する。その後、図6(f)に示すように、流路パターン205も含めて表層202の全面に樹脂層206を形成する。樹脂層206は、吐出口形成部材221として液体吐出ヘッド10の構造材料となるものであるので、高い機械的強度、耐熱性、ウエハ201や表層202に対する密着性、及び吐出用の液体に対する耐性やこの液体を変質させない等の特性が要求される。樹脂層206を形成するための樹脂として、光または熱エネルギーの付与により重合、硬化しウエハ201や表層202に対して強く密着するものが好適に用いられる。 Next, the step of forming the discharge port forming member 221 provided with the discharge port 207 on one surface of the wafer 201 is started. At the time of performing the silicon anisotropic etching, one surface of the wafer 201 including the position of the liquid supply path 204 is covered with the surface layer 202. A layer that can be dissolved and removed in a later step is formed on the surface layer 202 by spin coating or roll coating, and this layer is patterned to form a flow path pattern 205 as shown in FIG. 6 (e). To do. After that, as shown in FIG. 6 (f), the resin layer 206 is formed on the entire surface of the surface layer 202 including the flow path pattern 205. Since the resin layer 206 is a structural material of the liquid discharge head 10 as a discharge port forming member 221, it has high mechanical strength, heat resistance, adhesion to the wafer 201 and the surface layer 202, and resistance to the liquid for discharge. Properties such as not altering the quality of this liquid are required. As the resin for forming the resin layer 206, a resin that is polymerized and cured by applying light or heat energy and strongly adheres to the wafer 201 and the surface layer 202 is preferably used.

樹脂層206を硬化させたのち、ウエハ201の他方の表面からCF4ガスなどを用いるプラズマドライエッチングを行うことにより、図6(g)に示すように液体供給路204を塞いでいる表層202を除去し、液体供給路204を貫通させる。液体供給路204に対応する位置の表層202の除去は、次工程での吐出口207の形成後に行っても構わないが、流路パターン205を除去する前に行うことが好ましい。次に、図6(h)に示すように、樹脂層206に吐出口207を形成するとともに、隣接する記録素子基板2との境界領域の樹脂層206を除去する。吐出口207の形成と境界領域の樹脂層206の除去には、感光性の材料による樹脂層206を用いる場合には、フォトリソグラフィー技術によるパターニングを用いてもよい。吐出口207を形成し境界領域の樹脂層206を除去することにより、吐出口形成部材221が完成したことになる。なお、接続端子213は、境界領域の樹脂層206を除去したときに露出するようにウエハ201の一方の面に形成されている。図6(i)に示すように適切な溶剤にウエハ201を浸漬することにより、吐出口形成部材221内に残存している流路パターン205を溶解除去する。 After curing the resin layer 206, plasma dry etching using CF 4 gas or the like is performed from the other surface of the wafer 201 to form a surface layer 202 that blocks the liquid supply path 204 as shown in FIG. 6 (g). Remove and penetrate the liquid supply path 204. The surface layer 202 at the position corresponding to the liquid supply path 204 may be removed after the discharge port 207 is formed in the next step, but it is preferably performed before the flow path pattern 205 is removed. Next, as shown in FIG. 6H, the discharge port 207 is formed in the resin layer 206, and the resin layer 206 in the boundary region with the adjacent recording element substrate 2 is removed. When the resin layer 206 made of a photosensitive material is used for forming the discharge port 207 and removing the resin layer 206 in the boundary region, patterning by a photolithography technique may be used. By forming the discharge port 207 and removing the resin layer 206 in the boundary region, the discharge port forming member 221 is completed. The connection terminal 213 is formed on one surface of the wafer 201 so as to be exposed when the resin layer 206 in the boundary region is removed. By immersing the wafer 201 in an appropriate solvent as shown in FIG. 6 (i), the flow path pattern 205 remaining in the discharge port forming member 221 is dissolved and removed.

以上の工程を経ることにより、複数の記録素子基板2が連結している状態のウエハ201が得られたことになる。ウエハ201において、吐出口形成部材221は記録素子基板2ごとに分離して設けられている。そこで次に、ウエハ201を切断して個々の記録素子基板2に分離する。図7は個々の記録素子基板2へ分離を説明する図である。まず、図7(a)及び図7(b)に示すように、切断時にウエハ201がばらばらにならないように、ウエハ201の他方の面側をダイシングテープ401に貼り付ける。ダイシングテープ401としては、ポリプロピレンの基材の上に粘着性を有するアクリル系の材質の接着層が形成されたものが一般的であり、アクリル系の材質の接着層を介してウエハ201が保持固定される。符号208は、ウエハ201を切断するときの切断ラインを示している。 Through the above steps, the wafer 201 in which a plurality of recording element substrates 2 are connected is obtained. In the wafer 201, the discharge port forming member 221 is provided separately for each recording element substrate 2. Therefore, next, the wafer 201 is cut and separated into individual recording element substrates 2. FIG. 7 is a diagram illustrating separation into individual recording element substrates 2. First, as shown in FIGS. 7A and 7B, the other surface side of the wafer 201 is attached to the dicing tape 401 so that the wafer 201 does not fall apart during cutting. The dicing tape 401 is generally one in which an adhesive layer made of an acrylic material having adhesiveness is formed on a polypropylene base material, and the wafer 201 is held and fixed via the adhesive layer made of an acrylic material. Will be done. Reference numeral 208 indicates a cutting line when cutting the wafer 201.

続いて図7(c)に示すように、ダイサー装置の厚さ50μm〜100μmのダイシングブレード402を回転させながら、ダイシングテープ401に固定されたウエハ201を切断ラインに沿って移動させる。これにより、ウエハ201から個々の記録素子基板2が分離される。このとき、ウエハ201に形成されているV字断面の溝212の中心に対してダイシングブレード402の切断中心の位置とをずらし、溝212の頂点が切り残される形状となるように切断を行う。切断後のウエハ201の断面形状が図7(d)に示されている。このように切断を行うことによって得られる記録素子基板2は、その側面に凹部215が形成され、凹部215の縁217の位置において、記録素子基板2の側面と凹部215の天井面218とが凸部216を挟んでなす角が90°未満となる。ウエハ201として面方位が〈100〉であるシリコン基板を使用することよって、記録素子基板2の側面と凹部215の天井面218とがなす角が54.7°となる。最後に、ダイシング前にウエハ201に貼り付けたダイシングテープ401から個々の記録素子基板2をピックアップする。図6及び図7に示した製造方法によれば、液体供給路204の製造工程において溝212を同時に形成できるので、特許文献1などに示される従来の記録素子基板の製造方法に対して工程を付加することなく、本発明に基づく液体吐出ヘッド10を製造できる。 Subsequently, as shown in FIG. 7 (c), the wafer 201 fixed to the dicing tape 401 is moved along the cutting line while rotating the dicing blade 402 having a thickness of 50 μm to 100 μm of the dicing device. As a result, the individual recording element substrates 2 are separated from the wafer 201. At this time, the position of the cutting center of the dicing blade 402 is shifted from the center of the groove 212 having a V-shaped cross section formed on the wafer 201, and cutting is performed so that the apex of the groove 212 is left uncut. The cross-sectional shape of the wafer 201 after cutting is shown in FIG. 7 (d). The recording element substrate 2 obtained by cutting in this way has a recess 215 formed on the side surface thereof, and the side surface of the recording element substrate 2 and the ceiling surface 218 of the recess 215 are convex at the position of the edge 217 of the recess 215. The angle formed by sandwiching the portion 216 is less than 90 °. By using a silicon substrate having a surface orientation of <100> as the wafer 201, the angle formed by the side surface of the recording element substrate 2 and the ceiling surface 218 of the recess 215 is 54.7 °. Finally, the individual recording element substrate 2 is picked up from the dicing tape 401 attached to the wafer 201 before dicing. According to the manufacturing method shown in FIGS. 6 and 7, the groove 212 can be formed at the same time in the manufacturing process of the liquid supply path 204. Therefore, the process is different from the conventional manufacturing method of the recording element substrate shown in Patent Document 1 and the like. The liquid discharge head 10 based on the present invention can be manufactured without addition.

以上説明した記録素子基板2の製造工程では、ウエハ201の異方性エッチングを行ってから吐出口形成部材221を形成し、さらにそののちに液体供給路204の位置でのストップ層である表層202の除去を行っている。しかしながら製造工程はこれに限られるものではなく、吐出口形成部材221を形成してからウエハ201の異方性エッチングを行い、そののち表層202を除去するようにしてもよい。すなわち、ウエハ201の他方の表面にマスク層である被覆層214を形成し、次いで吐出口形成部材221を形成した後に、ウエハ201の異方性エッチングを行ってもよい。ただしこの場合、異方性エッチングのエッチング液に対して吐出口形成部材221などが耐性を持たないことが多いので、吐出口形成部材221が形成されているウエハ201の一方の表面をエッチング液から適宜保護する必要がある。 In the manufacturing process of the recording element substrate 2 described above, the wafer 201 is anisotropically etched to form the discharge port forming member 221 and then the surface layer 202 which is a stop layer at the position of the liquid supply path 204. Is being removed. However, the manufacturing process is not limited to this, and the wafer 201 may be anisotropically etched after the discharge port forming member 221 is formed, and then the surface layer 202 may be removed. That is, the wafer 201 may be anisotropically etched after the coating layer 214, which is a mask layer, is formed on the other surface of the wafer 201, and then the discharge port forming member 221 is formed. However, in this case, since the discharge port forming member 221 or the like often does not have resistance to the etching solution for anisotropic etching, one surface of the wafer 201 on which the discharge port forming member 221 is formed is removed from the etching solution. It is necessary to protect it appropriately.

次に、本実施形態における記録素子基板2における凹部215の縁217の位置について説明する。図8は、記録素子基板2の厚さ方向に対する縁217の位置を説明する図である。図8(a)は、凹部215を含む液体吐出ヘッド10の要部の断面図であるが、図4に示したものに比べ、縁217がベース板1からより離れた位置に存在している。図8(b)は、縁217の位置を説明するための説明図である。図8(b)に示すように、記録素子基板2の厚さをLとして、記録素子基板2におけるベース板1から遠い方の表面から縁217までの距離をaとすると、a/Lが1/2未満とすることが好ましい。言い換えれば、縁217は、記録素子基板2の厚さ方向に関し、記録素子基板2の厚さの半分よりも接続端子213が設けられている方の記録素子基板2の表面に近い位置にあることが好ましい。このような形状の凹部215は、ウエハ201の異方性エッチングを行う際にマスクとして用いられる被覆層214の形状とダイシング時のダイシングブレード402による切り込み位置とを変えることによって形成できる。 Next, the position of the edge 217 of the recess 215 on the recording element substrate 2 in the present embodiment will be described. FIG. 8 is a diagram illustrating the position of the edge 217 with respect to the thickness direction of the recording element substrate 2. FIG. 8A is a cross-sectional view of a main part of the liquid discharge head 10 including the recess 215, but the edge 217 is located at a position farther from the base plate 1 as compared with the one shown in FIG. .. FIG. 8B is an explanatory diagram for explaining the position of the edge 217. As shown in FIG. 8B, where L is the thickness of the recording element substrate 2 and a is the distance from the surface of the recording element substrate 2 far from the base plate 1 to the edge 217, a / L is 1. It is preferably less than / 2. In other words, the edge 217 is located closer to the surface of the recording element substrate 2 on which the connection terminal 213 is provided than half the thickness of the recording element substrate 2 in the thickness direction of the recording element substrate 2. Is preferable. The recess 215 having such a shape can be formed by changing the shape of the coating layer 214 used as a mask when performing anisotropic etching of the wafer 201 and the cutting position by the dicing blade 402 during dicing.

図8(b)に示すようにa/Lが1/2未満であるように凹部215を形成された記録素子基板2を用いた場合における、封止材5の塗布について説明する。このような記録素子基板2では、液状の封止材5はリード301の相互間の隙間を通って下方に流動するが、図4に示した記録素子基板2に比べ、封止材5は凹部215の縁217に早く到達してその位置で早期にメニスカスを形成する。したがって、図8に示す記録素子基板2を用いた場合には、より少ない量の封止材5を用いて、電気接続部に要求される被覆形状が封止材5によって早期に達成されることとなり、電気信頼性の高い液体吐出ヘッド10を提供できるようになる。 The coating of the sealing material 5 when the recording element substrate 2 in which the recess 215 is formed so that the a / L is less than 1/2 as shown in FIG. 8B is used will be described. In such a recording element substrate 2, the liquid encapsulant 5 flows downward through the gap between the leads 301, but the encapsulant 5 is recessed as compared with the recording element substrate 2 shown in FIG. It reaches the edge 217 of 215 early and forms a meniscus early at that position. Therefore, when the recording element substrate 2 shown in FIG. 8 is used, the coating shape required for the electrical connection portion can be achieved early by the sealing material 5 by using a smaller amount of the sealing material 5. Therefore, it becomes possible to provide the liquid discharge head 10 having high electrical reliability.

以上説明した記録素子基板2では、シリコンの異方性エッチングとウエハ201のダイシングとによって凹部215を形成しているが、一般的な機械加工によっても凹部215を形成することができる。一般的な機械加工を用いる場合には、ウエハ201にV字断面の溝212を形成する必要がないので、凹部215の形成のための機械的加工を行う全段階では、例えば特許文献1に記載された記録素子基板2の製造方法を用いることができる。凹部215を形成するための機械的加工は、ダイサー装置によってウエハ201から切り出したのちの、側面に凹部が形成されていない状態の記録素子基板2に対して行われる。具体的には、図9に示すように、一般的にシリコンウエハの外周部の加工用に用いられるべべリングホイールなどの加工治具の形状を変更し、切り出された記録素子基板2の側面の加工を行う。 In the recording element substrate 2 described above, the recess 215 is formed by anisotropic etching of silicon and dicing of the wafer 201, but the recess 215 can also be formed by general machining. When general machining is used, it is not necessary to form a groove 212 having a V-shaped cross section in the wafer 201. Therefore, at all stages of mechanical machining for forming the recess 215, for example, Patent Document 1 is described. The manufacturing method of the recording element substrate 2 described above can be used. The mechanical processing for forming the concave portion 215 is performed on the recording element substrate 2 in a state where the concave portion is not formed on the side surface after being cut out from the wafer 201 by the dicer device. Specifically, as shown in FIG. 9, the shape of a processing jig such as a beveling wheel generally used for processing the outer peripheral portion of a silicon wafer is changed, and the side surface of the recording element substrate 2 cut out is formed. Perform processing.

図9(a)に示したものでは、先端を錐状に加工した加工工具404を使用し、この加工工具404を記録素子基板2の表面に対して垂直に当てながら回転させることにより凹部215を形成している。図示するように、記録素子基板2の端部の位置において加工工具404による切削加工後に残存する部分が凸部216となる。図9(b)に示したものでは、先端を錐状に加工した加工工具404を使用し、この加工工具404を記録素子基板2の表面に対して斜め方向から当てながら回転させることにより凹部215を形成している。図9(c)に示したものでは、細長い円柱状の加工工具404を使用し、この加工工具404を記録素子基板2の表面に対して斜め方向から当てながら回転させることにより凹部215を形成している。図9(d)に示したものでは、細長い円柱状であって先端を凹ませた加工工具404を使用し、この加工工具404を記録素子基板2の表面に対して斜め方向から当てながら回転させることにより凹部215を形成している。このように、本発明においては、加工工具における刃物形状を変化させるだけで、あるいは一般的な加工治具を用いて切り込み角度を変えるだけで、所望の形状の凹部215を形成することができる。 In the one shown in FIG. 9A, a machining tool 404 whose tip is machined into a cone shape is used, and the recess 215 is formed by rotating the machining tool 404 while applying it perpendicularly to the surface of the recording element substrate 2. Is forming. As shown in the figure, at the position of the end portion of the recording element substrate 2, the portion remaining after cutting by the machining tool 404 is the convex portion 216. In the one shown in FIG. 9B, a machining tool 404 whose tip is machined into a cone shape is used, and the recess 215 is rotated by applying the machining tool 404 to the surface of the recording element substrate 2 from an oblique direction. Is forming. In the one shown in FIG. 9C, an elongated columnar machining tool 404 is used, and the recess 215 is formed by rotating the machining tool 404 while applying it to the surface of the recording element substrate 2 from an oblique direction. ing. In the one shown in FIG. 9D, a machining tool 404 having an elongated columnar shape and a concave tip is used, and the machining tool 404 is rotated while being applied to the surface of the recording element substrate 2 from an oblique direction. As a result, the recess 215 is formed. As described above, in the present invention, the recess 215 having a desired shape can be formed only by changing the shape of the cutting tool in the machining tool or by changing the cutting angle using a general machining jig.

上述した実施形態によれば、封止材5によって電気接続部を封止するときに、電気配線基板3においてリード301の根元部302を含めて所望の被覆量を全体的に確保でき、液体吐出ヘッド10の電気信頼性が向上する。また上述した実施形態では、上方からのみの封止材5の一括塗布が可能であって、2方向から封止材5を塗布する場合に比べて工程と設備コストとを削減でき、電気信頼性を確保しつつ液体吐出ヘッド10を安価に製造できるようになる。 According to the above-described embodiment, when the electrical connection portion is sealed by the sealing material 5, the desired coating amount including the root portion 302 of the lead 301 can be secured as a whole in the electrical wiring board 3, and the liquid is discharged. The electrical reliability of the head 10 is improved. Further, in the above-described embodiment, the encapsulant 5 can be collectively applied only from above, and the process and equipment cost can be reduced as compared with the case where the encapsulant 5 is applied from two directions, and the electrical reliability can be reduced. The liquid discharge head 10 can be manufactured at low cost while ensuring the above.

2 記録素子基板
3 電気配線基板
5 封止材
10 液体吐出ヘッド
13 接続端子
215 凹部
216 凸部
217 縁
218 天井面
301 リード
2 Recording element board 3 Electrical wiring board 5 Encapsulant 10 Liquid discharge head 13 Connection terminal 215 Recess 216 Convex 217 Edge 218 Ceiling surface 301 Lead

Claims (16)

液体を吐出する吐出口と前記液体に吐出エネルギーを付与するエネルギー発生素子とを備える記録素子基板において、
前記記録素子基板の一方の表面に、前記エネルギー発生素子を駆動するための信号が入力する接続端子が設けられ、
前記接続端子が形成された位置に対応して前記記録素子基板の側面に凹部が形成され、
前記凹部は、前記側面において前記一方の表面からは離れて形成され、前記一方の表面と前記凹部との間に凸部が形成され、
前記凹部の前記一方の表面に近い側の縁において、前記側面と、前記凹部を構成する面のうちの前記側面に接続された接続面と、が前記凸部を挟む角が90°未満であることを特徴とする、記録素子基板。
In a recording element substrate including a discharge port for discharging a liquid and an energy generating element for imparting discharge energy to the liquid.
A connection terminal for inputting a signal for driving the energy generating element is provided on one surface of the recording element substrate.
A recess is formed on the side surface of the recording element substrate corresponding to the position where the connection terminal is formed.
The concave portion is formed on the side surface away from the one surface, and a convex portion is formed between the one surface and the concave portion.
At the edge of the concave portion on the side close to the one surface, the angle between the side surface and the connecting surface connected to the side surface of the surfaces constituting the concave portion is less than 90 °. A recording element substrate characterized by this.
前記記録素子基板の厚さ方向に沿って前記縁は、前記記録素子基板の厚さの半分よりも前記一方の表面に近い位置にあることを特徴とする、請求項1に記載の記録素子基板。 The recording element substrate according to claim 1, wherein the edge is located closer to one of the surfaces than half the thickness of the recording element substrate along the thickness direction of the recording element substrate. .. 前記記録素子基板は、結晶面方位が〈100〉であるシリコン半導体基板によって構成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の記録素子基板。 The recording element substrate according to claim 1 or 2, wherein the recording element substrate is made of a silicon semiconductor substrate having a crystal plane orientation of <100>. 前記エネルギー発生素子は前記一方の表面に形成され、
前記記録素子基板の他方の表面と前記一方の表面とを貫通して形成された液体供給路を有することを特徴とする、請求項3に記載の記録素子基板。
The energy generating element is formed on one of the surfaces.
The recording element substrate according to claim 3, further comprising a liquid supply path formed through the other surface of the recording element substrate and the one surface.
前記凹部は、前記記録素子基板の他方の表面に達するように設けられている、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の記録素子基板。 The recording element substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the recess is provided so as to reach the other surface of the recording element substrate. 液体吐出ヘッドにおいて、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の記録素子基板と、
前記接続端子に電気的に接続して前記信号を前記記録素子基板に供給する電気配線基板と、
を備え、前記記録素子基板と前記電気配線基板との電気接続部が封止材で封止されていることを特徴とする、液体吐出ヘッド。
In the liquid discharge head
The recording element substrate according to any one of claims 1 to 4,
An electrical wiring board that is electrically connected to the connection terminal and supplies the signal to the recording element substrate.
A liquid discharge head, wherein the electrical connection portion between the recording element substrate and the electrical wiring substrate is sealed with a sealing material.
前記電気配線基板から前記接続端子に向けて延びて前記接続端子に接続するリードと、前記接続端子と、前記電気配線基板における前記リードの根元部とが前記封止材によって被覆保護されていることを特徴とする、請求項6に記載の液体吐出ヘッド。 The lead extending from the electrical wiring board toward the connection terminal and connecting to the connection terminal, the connection terminal, and the root portion of the lead in the electrical wiring board are covered and protected by the sealing material. The liquid discharge head according to claim 6. 前記記録素子基板の前記側面において前記一方の表面から前記縁の位置まで前記凸部が前記封止材で覆われていることを特徴とする、請求項6または7に記載の液体吐出ヘッド。 The liquid discharge head according to claim 6 or 7, wherein the convex portion is covered with the sealing material from the one surface to the position of the edge on the side surface of the recording element substrate. 前記封止材の体積抵抗率が1×1014Ω・cm以上であることを特徴とする、請求項6乃至8のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。 The liquid discharge head according to any one of claims 6 to 8, wherein the volume resistivity of the sealing material is 1 × 10 14 Ω · cm or more. 請求項3または4に記載された記録素子基板の製造方法において、
複数個の前記記録素子基板に対応する大きさのシリコン半導体のウエハを使用し、
前記ウエハにおける隣接する前記記録素子基板の間の境界となる境界領域において、前記ウエハの第1の表面にV字断面の溝を形成し、
前記境界領域において前記溝の頂点からずれた位置でダイシングを行うことにより、前記ウエハから個々の前記記録素子基板を切り離すとともに前記記録素子基板の前記側面に前記凹部を形成することを特徴とする、記録素子基板の製造方法。
In the method for manufacturing a recording element substrate according to claim 3 or 4.
Using silicon semiconductor wafers of a size corresponding to the plurality of recording element substrates,
A groove having a V-shaped cross section is formed on the first surface of the wafer in a boundary region serving as a boundary between adjacent recording element substrates in the wafer.
By dicing at a position deviated from the apex of the groove in the boundary region, the individual recording element substrate is separated from the wafer and the recess is formed on the side surface of the recording element substrate. A method for manufacturing a recording element substrate.
前記溝の形成に、シリコンの異方性エッチングを使用することを特徴とする、請求項10に記載の記録素子基板の製造方法。 The method for manufacturing a recording element substrate according to claim 10, wherein anisotropic etching of silicon is used for forming the groove. 前記溝の形成と同時に、前記記録素子基板を貫通する液体供給路のための貫通孔を前記ウエハに形成することを特徴とする、請求項11に記載の記録素子基板の製造方法。 The method for manufacturing a recording element substrate according to claim 11, wherein at the same time as forming the groove, a through hole for a liquid supply path penetrating the recording element substrate is formed in the wafer. 請求項6または7に記載された液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記電気配線基板と前記記録素子基板とを電気的に接続する接続工程と、
前記接続工程ののち前記記録素子基板の前記側面に沿って前記一方の表面の位置から前記縁の位置に向けて流動する方向で、前記電気接続部に対して液状の前記封止材を塗布する塗布工程と、
を有することを特徴とする、液体吐出ヘッドの製造方法。
In the method for manufacturing a liquid discharge head according to claim 6 or 7.
A connection process for electrically connecting the electrical wiring board and the recording element substrate, and
After the connection step, the liquid encapsulant is applied to the electrical connection portion in a direction of flowing from the position of the one surface to the position of the edge along the side surface of the recording element substrate. The coating process and
A method for manufacturing a liquid discharge head.
前記封止材を硬化させる工程をさらに有することを特徴とする、請求項13に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a liquid discharge head according to claim 13, further comprising a step of curing the sealing material. 前記塗布工程において、少なくとも、前記側面を沿って前記封止材が前記縁に到達して前記縁の位置においてメニスカスを形成するまで前記封止材を塗布することを特徴とする、請求項13または14に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 13. The coating step is characterized in that the encapsulant is applied at least until the encapsulant reaches the edge along the side surface and forms a meniscus at the position of the edge. 14. The method for manufacturing a liquid discharge head according to 14. 液状の前記封止材は、粘度が70Pa・s以下であり、チクソ比が1.5以下であることを特徴とする、請求項13乃至15のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 The production of the liquid discharge head according to any one of claims 13 to 15, wherein the liquid encapsulant has a viscosity of 70 Pa · s or less and a thixo ratio of 1.5 or less. Method.
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