JP2021086906A

JP2021086906A - 放熱部材およびパワー半導体モジュール

Info

Publication number: JP2021086906A
Application number: JP2019214397A
Authority: JP
Inventors: 猛宗石; Takeshi Muneishi
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2019-11-27
Filing date: 2019-11-27
Publication date: 2021-06-03

Abstract

【課題】信頼性を向上させることができる放熱部材およびパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】放熱部材は、金属製の放熱体と、放熱体の主面に設けられるセラミックス基板と、セラミックス基板の放熱体とは反対側の面に設けられる金属製の回路層と、セラミックス基板の側面および放熱体の主面に接して設けられ、回路層が接する外部領域よりも比誘電率の高い絶縁部と、を備える。【選択図】図１

Description

開示の実施形態は、放熱部材およびパワー半導体モジュールに関する。

ハイブリッド自動車や電気自動車などのモータを使用する機器では電力変換装置が利用されており、かかる電力変換装置にはパワー半導体モジュールが搭載されている。このパワー半導体モジュールは、大電流を制御する複数のパワー半導体素子を備えている。

また、電力変換装置における出力密度の向上を目的として、液冷式の放熱部材によってパワー半導体素子の冷却性を高めたパワー半導体モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許第４３８５３５８号公報

しかしながら、従来の放熱部材では、パワー半導体モジュールを動作させる際に、セラミックス基板の側部で電界集中が生じ、かかるセラミックス基板の両面に設けられる回路層と放熱体との間で短絡が生じる場合があった。そして、かかる短絡が生じることにより、パワー半導体モジュールの信頼性に悪影響を与える恐れがあった。

実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、信頼性を向上させることができる放熱部材およびパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る放熱部材は、金属製の放熱体と、前記放熱体の主面に設けられるセラミックス基板と、前記セラミックス基板の前記放熱体とは反対側の面に設けられる金属製の回路層と、前記セラミックス基板の側面および前記放熱体の主面に接して設けられ、前記回路層が接する外部領域よりも比誘電率の高い絶縁部と、を備える。

また、実施形態の一態様に係るパワー半導体モジュールは、上記に記載の放熱部材と、前記回路層に搭載されるパワー半導体素子と、を備える。

実施形態の一態様によれば、信頼性を向上させることができる放熱部材およびパワー半導体モジュールが提供可能となる。

図１は、実施形態に係るパワー半導体モジュールの断面図である。図２は、参考例のパワー半導体モジュールのセラミックス基板の側面近傍を拡大した断面図である。図３は、実施形態に係るパワー半導体モジュールのセラミックス基板の側面近傍を拡大した断面図である。図４は、実施形態の変形例１に係るパワー半導体モジュールの断面図である。図５は、実施形態の変形例２に係るパワー半導体モジュールの断面図である。図６は、実施形態の変形例３に係るパワー半導体モジュールの断面図である。図７は、実施形態の変形例４に係るパワー半導体モジュールの断面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する放熱部材およびパワー半導体モジュールの実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

パワー半導体素子は、大電流を制御する際の発熱量が大きい。また、パワー半導体モジュールの小型化や軽量化が要請されており、出力密度は上昇する傾向にあることから、パワー半導体素子を複数備えたパワー半導体モジュールでは、その冷却方法が電力変換効率を左右する。

そこで、電力変換装置における出力密度の向上を目的として、液冷式の放熱部材によってパワー半導体素子の冷却性を高めたパワー半導体モジュールが知られている。

そこで、上述の問題点を克服し、信頼性を向上させることができる放熱部材およびパワー半導体モジュールの実現が期待されている。

＜パワー半導体モジュールの構成＞
最初に、実施形態に係るパワー半導体モジュール１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係るパワー半導体モジュール１の断面図である。図１に示すように、実施形態に係るパワー半導体モジュール１は、放熱部材２と、パワー半導体素子３とを備える。

パワー半導体素子３は、たとえば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、サイリスタ、ＧＴＯ（Gate Turn-Off thyristor）などである。

パワー半導体素子３の裏面は、半田などの導電性接合材によって回路層１０の表面に固定され、パワー半導体素子３の表面には、図示しないボンディングワイヤなどの配線が接続される。

放熱部材２は、回路層１０と、セラミックス基板１１と、絶縁部１２と、放熱体１３と、ケース１４とを備える。回路層１０は、銅や銅合金などの金属材料で構成される。回路層１０は、たとえば、かかる回路層１０を構成する全成分１００質量％のうち、銅を８０質量％以上含有するとよい。

このように、高い電気伝導率および熱伝導率を有する銅を主成分として回路層１０を構成することにより、回路層１０に大電流を流した場合でも、回路層１０の温度が過度に上昇することを抑制することができる。なお、回路層１０の主成分は銅に限られず、アルミニウム（Ａｌ）などを回路層１０の主成分としてもよい。

回路層１０の厚みは、たとえば、１００μｍ以上であり、３００μｍ以上であることが好ましい。回路層１０をかかる厚みに設定することにより、回路層１０の放熱性を向上させることができる。実施形態に係る放熱部材２では、回路層１０によってセラミックス基板１１上に所望の回路パターンが形成される。

セラミックス基板１１は、セラミックスの焼結体で構成され、回路層１０を固定して支持するための基体部分である。すなわち、セラミックス基板１１は、回路層１０よりも面積が大きい。

かかるセラミックス基板１１は、複数の回路層１０の間を互いに電気的に絶縁させるための絶縁部材として機能するとともに、パワー半導体素子３で発生した熱を放熱体１３に伝導する伝熱部材としても機能する。

セラミックス基板１１は、たとえば、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を主成分として構成される。なお、セラミックス基板１１の主成分は窒化珪素に限られず、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などをセラミックス基板１１の主成分としてもよい。

セラミックス基板１１は、公知の製造方法によって製造することができ、たとえば、窒化珪素などの原料粉末に焼結助剤を添加し、基板状に成形した後、成形体を焼成することで製造することができる。

セラミックス基板１１は、おもて面１１ａと、裏面１１ｂと、側面１１ｃとを有する。セラミックス基板１１のおもて面１１ａには、回路層１０がろう材などを用いて固定される。

セラミックス基板１１の裏面１１ｂには、放熱体１３が既存の手法を用いて接合される。セラミックス基板１１の側面１１ｃには、絶縁部１２が接して設けられる。セラミックス基板１１の厚みは、パワー半導体モジュール１の用途などに応じて適宜設定されるものであるが、たとえば、０．２５ｍｍ〜１．０ｍｍであるとよい。

絶縁部１２は、絶縁性のガラス（たとえば、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化硼素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）など）を主成分として構成され、セラミックス基板１１の側面１１ｃおよび放熱体１３のおもて面１３ａに接して設けられる。絶縁部１２は、たとえば、ガラスペーストを塗布した後、かかるガラスペーストを焼き付けることにより形成することができる。かかる絶縁部１２の機能については後述する。

放熱体１３は、パワー半導体素子３で発生した熱を放熱する。たとえば、放熱体１３をケース１４に嵌め込むことによって構成される流路部材に冷却用の流体を流すことで、放熱体１３は、パワー半導体素子３で発生した熱をかかる流体に放熱することができる。

放熱体１３は、たとえば、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料で構成される。放熱体１３は、たとえば、かかる放熱体１３を構成する全成分１００質量％のうち、アルミニウムを８０質量％以上含有するとよい。

このように、軽量かつ高い熱伝導率を有するアルミニウムを主成分として放熱体１３を構成することにより、放熱部材２を軽量化することができるとともに、放熱体１３の放熱特性を向上させることができる。なお、放熱体１３の主成分はアルミニウムに限られず、銅などを放熱体１３の主成分としてもよい。

放熱体１３は、おもて面１３ａと、裏面１３ｂとを有する。おもて面１３ａは主面の一例である。放熱体１３のおもて面１３ａには、セラミックス基板１１が固定される。なお、放熱体１３は、セラミックス基板１１よりも面積が大きい。

放熱体１３の裏面１３ｂには、フィン状の凸部１３ｃが設けられる。放熱体１３の裏面１３ｂに凸部１３ｃを設けることにより、放熱体１３の放熱特性をさらに向上させることができる。

また、アルミニウムで構成される放熱体１３に凸部１３ｃを設けることにより、放熱体１３の熱膨張を抑制することができる。これにより、銅で構成される回路層１０やセラミックスで構成されるセラミックス基板１１との熱膨張率差を小さくすることができることから、放熱体１３の面積を広くすることができる。

ケース１４は、上部が開口する箱状である。実施形態に係る放熱部材２では、ケース１４の開口に放熱体１３を嵌め込むことにより、冷却用の流体を流す流路部材が構成される。ケース１４の内側の側面には、放熱体１３を支持する凸状の支持部１４ａが形成される。

ケース１４は、たとえば、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料で構成される。ケース１４は、たとえば、かかるケース１４を構成する全成分１００質量％のうち、アルミニウムを８０質量％以上含有するとよい。

このように、軽量かつ高い熱伝導率を有するアルミニウムを主成分としてケース１４を構成することにより、流路部材を軽量化することができるとともに、ケース１４からも熱を放熱することができる。なお、ケース１４の主成分はアルミニウムに限られず、銅などをケース１４の主成分としてもよい。

なお、放熱体１３とケース１４との間は、超音波接合やレーザ溶接、摩擦攪拌接合などの手法を用いて接合することができる。また、放熱体１３のおもて面１３ａとケース１４の上面１４ｂとが略面一になるように放熱体１３およびケース１４を構成することにより、上記の各種手法で放熱体１３およびケース１４を容易に接合することができる。

また、実施形態に係るパワー半導体モジュール１では、パワー半導体素子３や回路層１０などが封止樹脂によって封止されず、パワー半導体素子３や回路層１０などの外部領域は、大気雰囲気である（すなわち、外部領域には大気Ａが存在する）。

なお、本開示における「外部領域」とは、パワー半導体モジュール１における上述の構成要素（パワー半導体素子３、回路層１０、セラミックス基板１１、絶縁部１２、放熱体１３、ケース１４）、これらの構成要素同士を接合する接合部材、およびボンディングワイヤなどの配線部材が配置されない領域のことである。

＜絶縁部の機能＞
つづいて、実施形態に係る絶縁部１２の詳細な機能について、図２および図３を参照しながら説明する。図２は、参考例のパワー半導体モジュール１のセラミックス基板１１の側面１１ｃ近傍を拡大した断面図である。

図２に示す参考例は、絶縁部１２が設けられないこと以外は図１に示したパワー半導体モジュール１と同様の構成である。また、図２には、パワー半導体モジュール１が動作する際に、パワー半導体素子３や回路層１０に高電圧が印加された場合の等電位線Ｅを示している。

かかる等電位線Ｅの分布は、空間の比誘電率によって左右される。ここで、図２に示す参考例では、セラミックス基板１１の比誘電率が１０程度であり、回路層１０および放熱体１３の比誘電率がほぼゼロであり、大気Ａの比誘電率が１程度である。

このような比誘電率の材料が分布する参考例のパワー半導体モジュール１では、図２に示すように、セラミックス基板１１の内部に分布する等電位線Ｅが、大気Ａに露出するおもて面１１ａおよび側面１１ｃから外部では、高電位の回路層１０に急激に引き寄せられるように分布する。

これにより、参考例では、回路層１０における底面側の角部１０ａにおいて電界集中が生じる。したがって、参考例では、かかる電界集中により、回路層１０と放熱体１３との間で部分放電が生じる場合があることから、信頼性が低下する恐れがある。

そこで、実施形態では、パワー半導体モジュール１の放熱部材２に絶縁部１２を設けることにより、このような課題を解決することとした。図３は、実施形態に係るパワー半導体モジュール１のセラミックス基板１１の側面１１ｃ近傍を拡大した断面図である。

実施形態に係る絶縁部１２は、ガラスを主成分として構成されることから、回路層１０が接する外部領域（ここでは大気Ａ）よりも比誘電率を高くすることができる。実施形態に係る絶縁部１２の比誘電率は、たとえば、２〜６程度である。

そして、実施形態では、回路層１０が接する外部領域よりも比誘電率の高い絶縁部１２を、セラミックス基板１１の側面１１ｃに接するように配置する。これにより、図３に示すように、セラミックス基板１１の内部に分布する等電位線Ｅを、セラミックス基板１１の側面１１ｃから絶縁部１２のほうに引っ張ることができる。

したがって、実施形態によれば、回路層１０の角部１０ａにおける電界集中を抑制することができることから、回路層１０と放熱体１３との間で部分放電が生じることを抑制することができる。すなわち、実施形態では、パワー半導体モジュール１の信頼性を向上させることができる。

また、セラミックス基板１１の側面１１ｃには、製法上、破断面が多く存在する。そして、セラミックス基板１１の側面１１ｃは、かかる破断面に起因して、沿面放電が生じやすい部位となっている。

しかしながら、実施形態に係るパワー半導体モジュール１では、セラミックス基板１１の側面１１ｃに接するように絶縁部１２を設けることにより、側面１１ｃに存在する破断面の影響を緩和することができる。したがって、実施形態によれば、セラミックス基板１１の側面１１ｃから生じる沿面放電を抑制することができる。

また、実施形態では、絶縁部１２が断面視で先細り形状であるとよい。これにより、先細った先端部に向かって応力が緩和されることから、パワー半導体モジュール１を動作させる際に発生するヒートサイクルの際に、絶縁部１２が剥離することを抑制することができる。

したがって、実施形態によれば、パワー半導体モジュール１の信頼性をさらに向上させることができる。

また、実施形態では、絶縁部１２が断面視で先細り形状であることにより、横に広がった裾部分の厚みを薄くすることができることから、絶縁部１２を変形しやすくすることができる。これにより、放熱体１３の熱膨張および熱収縮に絶縁部１２が追随しやすくなることから、絶縁部１２の接合性を維持しやすくすることができる。

また、実施形態では、絶縁部１２が断面視で先細り形状であることにより、応力集中が分散されることから、絶縁部１２の剥離を抑制することができる。

また、実施形態では、絶縁部１２が断面視でメニスカス形状であるとよい。これにより、先細った先端部に向かって応力がさらに緩和されることから、パワー半導体モジュール１を動作させる際に発生するヒートサイクルの際に、絶縁部１２が剥離することをさらに抑制することができる。

また、実施形態では、ガラスを主成分とする材料で絶縁部１２を構成するとよい。これにより、外部領域（ここでは大気Ａ）との比誘電率の差を大きくすることができることから、回路層１０と放熱体１３との間で部分放電が生じることをさらに抑制することができる。

また、実施形態では、回路層１０の外部領域が大気雰囲気であるとよい。これにより、回路層１０の外部領域を封止樹脂などで封止する工程を省くことができることから、パワー半導体モジュール１の製造コストを低減することができる。

＜各種変形例＞
つづいて、実施形態に係るパワー半導体モジュール１および放熱部材２の各種変形例について、図４〜図７を参照しながら説明する。図４は、実施形態の変形例１に係るパワー半導体モジュール１の断面図である。なお、以下の各種変形例では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。

図４に示すように、変形例１に係るパワー半導体モジュール１では、パワー半導体素子３や回路層１０などの外部領域に封止樹脂２０が設けられる。かかる封止樹脂２０は、たとえば、エポキシ樹脂などで形成されたモールド樹脂であり、比誘電率が絶縁部１２よりも小さい樹脂材料で構成される。

かかる変形例１では、外部領域（ここでは、封止樹脂２０）よりも比誘電率の高い絶縁部１２を、セラミックス基板１１の側面１１ｃに接するように配置することにより、セラミックス基板１１の内部に分布する等電位線Ｅ（図３参照）を、セラミックス基板１１の側面１１ｃから絶縁部１２のほうに引っ張ることができる。

したがって、変形例１によれば、回路層１０の角部１０ａ（図３参照）における電界集中を抑制することができることから、回路層１０と放熱体１３との間で部分放電が生じることを抑制することができる。すなわち、変形例１では、パワー半導体モジュール１の信頼性を向上させることができる。

また、変形例１では、パワー半導体素子３や回路層１０などの外部領域に封止樹脂２０を設けることにより、パワー半導体素子３や回路層１０などが外部環境に直接曝されることを抑制することができる。したがって、変形例１によれば、外部環境に起因する信頼性の低下を抑制することができる。

なお、図４の例では、固体状の封止樹脂２０でパワー半導体素子３や回路層１０などを封止した例について示したが、回路層１０やパワー半導体素子３などの外部領域を図示しないケースで覆い、かかるケース内にゲル状の封止樹脂２０を注入してもよい。

図５は、実施形態の変形例２に係るパワー半導体モジュール１の断面図である。図５に示すように、変形例２に係るパワー半導体モジュール１では、上述の変形例１と同様に、パワー半導体素子３や回路層１０などの外部領域に封止樹脂２０が設けられる。

一方で、変形例２では、封止樹脂２０とは異なる樹脂で構成される絶縁部１２Ａを、セラミックス基板１１の側面１１ｃに接するように配置する。すなわち、絶縁部１２Ａは、比誘電率が封止樹脂２０よりも大きい樹脂材料で構成される。

かかる変形例２では、外部領域（ここでは、封止樹脂２０）よりも比誘電率の高い絶縁部１２Ａを、セラミックス基板１１の側面１１ｃに接するように配置することにより、セラミックス基板１１の内部に分布する等電位線Ｅ（図３参照）を、セラミックス基板１１の側面１１ｃから絶縁部１２Ａのほうに引っ張ることができる。

したがって、変形例２によれば、回路層１０の角部１０ａ（図３参照）における電界集中を抑制することができることから、回路層１０と放熱体１３との間で部分放電が生じることを抑制することができる。すなわち、変形例２では、パワー半導体モジュール１の信頼性を向上させることができる。

また、変形例２では、パワー半導体素子３や回路層１０などの外部領域に封止樹脂２０を設けることにより、パワー半導体素子３や回路層１０などが外部環境に直接曝されることを抑制することができる。したがって、変形例２によれば、外部環境に起因する信頼性の低下を抑制することができる。

また、変形例２では、封止樹脂２０とは異なる樹脂を絶縁部１２Ａに用いることにより、絶縁部１２Ａのコストを低減することができる。したがって、変形例２によれば、パワー半導体モジュール１の製造コストを低減することができる。

図６は、実施形態の変形例３に係るパワー半導体モジュール１の断面図である。図６に示すように、変形例３に係るパワー半導体モジュール１では、絶縁部１２の配置が実施形態と異なる。

具体的には、変形例３の絶縁部１２は、放熱体１３のおもて面１３ａをわたって、ケース１４の上面１４ｂまで到達している。このように、上述の実施形態よりも絶縁部１２の幅を広く取ることにより、セラミックス基板１１の内部に分布する等電位線Ｅ（図３参照）を、セラミックス基板１１の側面１１ｃから絶縁部１２のほうにさらに引っ張ることができる。

したがって、変形例３によれば、回路層１０の角部１０ａ（図３参照）における電界集中をさらに抑制することができることから、回路層１０と放熱体１３との間で部分放電が生じることをさらに抑制することができる。すなわち、変形例３では、パワー半導体モジュール１の信頼性をさらに向上させることができる。

図７は、実施形態の変形例４に係るパワー半導体モジュール１の断面図である。図７に示すように、変形例４に係るパワー半導体モジュール１では、放熱体１３とケース１４との間の界面に凸部１４ｃが形成されており、絶縁部１２は、かかる凸部１４ｃ上で凸部１４ｃに沿って膨らんでいる。

このように、絶縁部１２に膨らみを設けることにより、絶縁部１２と、放熱体１３およびケース１４との間の接触面積を増やすことができる。したがって、変形例４によれば、絶縁部１２と放熱体１３およびケース１４との界面における剥離を抑制することができることから、パワー半導体モジュール１の信頼性をさらに向上させることができる。

なお、凸部１４ｃは、放熱体１３とケース１４とを接合する手法の各種条件を適宜調整することにより形成することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上述の実施形態では、放熱体１３とケース１４とで流路部材を構成した液冷式の放熱部材２について示したが、放熱体１３の裏面１３ｂを気体に露出させた空冷式の放熱部材２に本開示を適用してもよい。

以上のように、実施形態に係る放熱部材２は、金属製の放熱体１３と、放熱体１３の主面（おもて面１３ａ）に設けられるセラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の放熱体１３とは反対側の面（おもて面１１ａ）に設けられる金属製の回路層１０と、セラミックス基板１１の側面１１ｃおよび放熱体１３の主面（おもて面１３ａ）に接して設けられ、回路層１０が接する外部領域よりも比誘電率の高い絶縁部１２（１２Ａ）と、を備える。これにより、パワー半導体モジュール１の信頼性を向上させることができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、絶縁部１２は、ガラスが主成分である。これにより、回路層１０と放熱体１３との間で部分放電が生じることをさらに抑制することができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、外部領域は、大気雰囲気である。これにより、パワー半導体モジュール１の製造コストを低減することができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、外部領域には、封止樹脂２０が設けられる。これにより、外部環境に起因する信頼性の低下を抑制することができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、外部領域には、封止樹脂２０が設けられ、絶縁部１２Ａは、封止樹脂２０とは異なる樹脂である。これにより、パワー半導体モジュール１の製造コストを低減することができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、絶縁部１２（１２Ａ）は、断面視で先細り形状である。これにより、パワー半導体モジュール１の信頼性をさらに向上させることができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、絶縁部１２（１２Ａ）は、断面視でメニスカス形状である。これにより、パワー半導体モジュール１の信頼性をさらに向上させることができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、放熱体１３は、金属製のケース１４に嵌め込まれて流路部材を構成し、絶縁部１２（１２Ａ）は、放熱体１３の主面（おもて面１３ａ）をわたってケース１４まで到達している。これにより、パワー半導体モジュール１の信頼性をさらに向上させることができる。

また、実施形態に係る放熱部材２において、絶縁部１２（１２Ａ）は、放熱体１３とケース１４との界面の上で膨らんでいる。これにより、パワー半導体モジュール１の信頼性をさらに向上させることができる。

また、実施形態に係るパワー半導体モジュール１は、上記に記載の放熱部材２と、回路層１０に搭載されるパワー半導体素子３と、を備える。これにより、信頼性が向上したパワー半導体モジュール１を提供することができる。

さらなる効果や他の態様は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

１パワー半導体モジュール
２放熱部材
３パワー半導体素子
１０回路層
１１セラミックス基板
１１ｃ側面
１２、１２Ａ絶縁部
１３放熱体
１３ａおもて面（主面の一例）
１４ケース
２０封止樹脂
Ａ大気

Claims

金属製の放熱体と、
前記放熱体の主面に設けられるセラミックス基板と、
前記セラミックス基板の前記放熱体とは反対側の面に設けられる金属製の回路層と、
前記セラミックス基板の側面および前記放熱体の主面に接して設けられ、前記回路層が接する外部領域よりも比誘電率の高い絶縁部と、
を備える放熱部材。
前記絶縁部は、ガラスが主成分である
請求項１に記載の放熱部材。
前記外部領域は、大気雰囲気である
請求項１または２に記載の放熱部材。
前記外部領域には、封止樹脂が設けられる
請求項１または２に記載の放熱部材。
前記外部領域には、封止樹脂が設けられ、
前記絶縁部は、前記封止樹脂とは異なる樹脂である
請求項１に記載の放熱部材。
前記絶縁部は、断面視で先細り形状である
請求項１〜５のいずれか一つに記載の放熱部材。
前記絶縁部は、断面視でメニスカス形状である
請求項６に記載の放熱部材。
前記放熱体は、金属製のケースに嵌め込まれて流路部材を構成し、
前記絶縁部は、前記放熱体の主面をわたって前記ケースまで到達している
請求項１〜７のいずれか一つに記載の放熱部材。
前記絶縁部は、前記放熱体と前記ケースとの界面の上で膨らんでいる
請求項８に記載の放熱部材。
請求項１〜９のいずれか一つに記載の放熱部材と、
前記回路層に搭載されるパワー半導体素子と、
を備えるパワー半導体モジュール。