JP2021082958A - 駆動回路 - Google Patents
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Abstract
Description
(第1実施形態)
本発明の各実施形態の基本である、本発明の第1実施形態について説明する。
(第2実施形態)
本発明の第1実施形態を基本とする本発明の第2実施形態について説明する。ここで、第1実施形態における電流制御部139は、本実施形態における、後述する、電流調節部130と切替部160とに対応する。
(第3実施形態)
本発明の第2実施形態を基本とする本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の駆動回路では、定電流化部は、演算増幅器と、1つのNMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ(以下、単に「NMOS」とも称す)とによって実現される。
●選択信号Sigが1つの第1電流I1のオンを指示するとき:
I1=Vref/R1(当該第1電流I1について),
I1(当該第1電流I1を除く第1電流I1について)=I2=0、
●選択信号Sigが全ての第1電流I1のオフを指示するとき:
I1=0(全ての第1電流I1について),
I2=Vref/R2
である。
(第4実施形態)
本発明の第3実施形態を基本とする本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の駆動回路では、負荷200、抵抗器140、及び第1帰還路510それぞれの個数は1である。又、切替部160は、2つのインバータと、2つのNMOS(後述するNMOS165及び166)とによって実現される。又、切替部170は、同じ2つのインバータと、別の2つのNMOS(後述するNMOS175及び176)とによって実現される。
(第5実施形態)
次に、本発明の第4実施形態を基本とする、本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態における駆動回路では、定電流化部は、第4実施形態と異なる位置に配置され、帰還路毎に独立したNチャネル型MOSトランジスタを有する。又、本実施形態における駆動回路では、発光素子は第4実施形態と異なる位置に配置される。
110、111 定電流化部
120 負帰還部
130 電流調節部
139 電流制御部
200 負荷
300 直流定電圧源
203 発光素子
121 演算増幅器
160、170 切替部
131、166、165、175、137、176 NMOS
140、150 抵抗器
163、164 インバータ
300 直流定電圧源
510、513 第1帰還路
520、523 第2帰還路
517 帰還路
527 帰還路
I1、I2 電流
S1、S2 信号
V1、V2 電圧
Sig 選択信号
Vref 参照電圧
Voff 反転信号
Von 正転信号
Claims (6)
- 各々対応する負荷と直列接続された少なくとも1つの第1抵抗器と、
第2抵抗器と、
入力される選択信号に応じて、前記少なくとも1つの第1抵抗器及び前記第2抵抗器のうちの1つを選択抵抗として選択し、前記選択抵抗を流れる電流に対応する大きさの信号を帰還信号として出力する第1切替手段と、
前記帰還信号の所定の参照信号に対する差分が大きいほど電流を強く抑制する信号を調節信号として出力する負帰還手段と、
前記調節信号に対応する大きさの電流を前記選択抵抗にのみ供給する電流制御手段と
を備えた駆動回路。 - 前記電流制御手段は、
前記選択抵抗を流れる電流を調節する電流調節手段と、
前記選択信号に応じて、前記選択抵抗を流れる電流をオンにすると共に、前記選択抵抗を除く、前記少なくとも1つの第1抵抗器及び前記第2抵抗器の全てを流れる電流をオフにする第2切替手段と
を備えた請求項1に記載の駆動回路。 - 前記電流調節手段は、前記選択抵抗を流れる電流を調節する第1Nチャネル型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを含み、
前記負帰還手段は、正転入力端子に参照電圧を入力し、反転入力端子に入力された選択抵抗を流れる電流に比例する電圧を、前記第1Nチャネル型MOSトランジスタのゲート電圧の調節のために負帰還する演算増幅器を含む
請求項2に記載の駆動回路。 - 前記第1切替手段は、前記選択抵抗を流れる電流に比例する電圧を前記演算増幅器の反転入力端子へ出力し、
前記第2切替手段は、前記電流調節手段から出力される電流を前記選択抵抗へ出力する
請求項3に記載の駆動回路。 - 前記少なくとも1つの第1抵抗器は1つであり、
前記第1切替手段及び前記第2切替手段は、
前記選択信号のオン及びオフを反転した反転信号を出力する第1インバータと、
前記反転信号のオン及びオフを反転した正転信号を出力する第2インバータと
を含み、
前記第1切替手段は、
ゲートに前記正転信号を入力し、前記第1切替手段のメイク接点として動作する第2Nチャネル型MOSトランジスタと、
ゲートに前記反転信号を入力し、前記第1切替手段のブレーク接点として動作する第4Nチャネル型MOSトランジスタと
を含み、
前記第2切替手段は、
ゲートに前記正転信号を入力し、前記第2切替手段のメイク接点として動作する第3Nチャネル型MOSトランジスタと、
ゲートに前記反転信号を入力し、前記第2切替手段のブレーク接点として動作する第5Nチャネル型MOSトランジスタと、
を含み、
請求項4に記載の駆動回路。 - 前記電流調節手段は、各々が前記少なくとも1つの第1抵抗器の各々を流れる電流を調節する少なくとも1つの第6Nチャネル型MOSトランジスタを更に含み、
前記第1Nチャネル型MOSトランジスタは、前記第2抵抗器を流れる電流を制御し、
前記演算増幅器121は、
前記参照電圧と前記第2抵抗器を流れる電流に比例した電圧とに基づいて、前記第1Nチャネル型MOSトランジスタのゲート電圧を制御すると共に、
前記参照電圧と前記少なくとも1つの第1抵抗器を流れる電流に比例した電圧の何れかとに基づいて、前記第6Nチャネル型MOSトランジスタのゲート電圧を制御する
請求項3乃至5の何れか1項に記載の駆動回路。
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