JP2021072415A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a technique with which it is possible to suppress deterioration of performance of liquid processing after cleaning processing of a substrate processing part.SOLUTION: A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure comprises a substrate processing part, a liquid discharging part, and a control part. The substrate processing part performs liquid processing by supplying a processing liquid from a processing liquid supply part to a placed substrate. The liquid discharging part includes a recovery passage connected to a storage part for storing the processing liquid, and discharges the processing liquid used in the liquid processing. The control part performs a processing recipe of the liquid processing and a cleaning recipe for cleaning the substrate processing part and the liquid discharging part. Also, as the cleaning recipe, after performing a cleaning operation for cleaning the substrate processing part and the liquid discharging part by supplying a cleaning liquid from a cleaning liquid supply part, the control part performs a return operation for replacing the cleaning liquid adhering to the substrate processing part and the liquid discharging part with the processing liquid by supplying the processing liquid from the processing liquid supply part.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The disclosed embodiments relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を、枚葉式の基板処理部においてＢＨＦ（バッファードフッ酸）で液処理する技術が知られている（特許文献１参照）。 Conventionally, there is known a technique for liquid-treating a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer) with BHF (buffered hydrofluoric acid) in a single-wafer type substrate processing unit (see Patent Document 1).

特開２０１４−４１９９４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-41994

本開示は、基板処理部を洗浄処理した後に、液処理の性能が悪化することを抑制することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of suppressing deterioration of liquid treatment performance after cleaning a substrate processing portion.

本開示の一態様による基板処理装置は、基板処理部と、排液部と、制御部とを備える。基板処理部は、載置された基板に処理液供給部から処理液を供給して液処理する。排液部は、前記処理液を貯留する貯留部に接続される回収路を有し、前記液処理に使用された前記処理液を排液する。制御部は、前記液処理の処理レシピと、前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄レシピとを実行する。また、前記制御部は、前記洗浄レシピとして、洗浄液供給部から洗浄液を供給して前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄動作を実行した後、前記処理液供給部から前記処理液を供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液を前記処理液に置換する復帰動作を実行する。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a substrate processing unit, a drainage unit, and a control unit. The substrate processing unit supplies the processing liquid from the processing liquid supply unit to the mounted substrate to perform liquid treatment. The drainage unit has a recovery path connected to a storage unit for storing the treatment liquid, and drains the treatment liquid used for the liquid treatment. The control unit executes the processing recipe for the liquid treatment and the cleaning recipe for cleaning the substrate processing unit and the drainage unit. Further, as the cleaning recipe, the control unit supplies a cleaning liquid from the cleaning liquid supply unit to perform a cleaning operation for cleaning the substrate processing unit and the drainage unit, and then supplies the processing liquid from the processing liquid supply unit. A return operation is executed in which the cleaning liquid that is supplied and adheres to the substrate processing unit and the drainage unit is replaced with the treatment liquid.

本開示によれば、基板処理部を洗浄処理した後に、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。 According to the present disclosure, it is possible to prevent deterioration of the liquid treatment performance after the substrate processing portion is cleaned.

図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment. 図２は、実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing a configuration example of the processing unit according to the embodiment. 図３は、実施形態に係る基板処理システムの配管構成を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a piping configuration of the substrate processing system according to the embodiment. 図４は、実施形態に係る貯留部の配管構成を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a piping configuration of the storage unit according to the embodiment. 図５は、実施形態に係る基板処理システムにおける処理の流れを説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a processing flow in the substrate processing system according to the embodiment. 図６Ａは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その１）である。FIG. 6A is a diagram (No. 1) showing an operation example of the cleaning operation and the return operation according to the embodiment. 図６Ｂは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その２）である。FIG. 6B is a diagram (No. 2) showing an operation example of the cleaning operation and the returning operation according to the embodiment. 図６Ｃは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その３）である。FIG. 6C is a diagram (No. 3) showing an operation example of the cleaning operation and the returning operation according to the embodiment. 図６Ｄは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その４）である。FIG. 6D is a diagram (No. 4) showing an operation example of the cleaning operation and the returning operation according to the embodiment. 図６Ｅは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その５）である。FIG. 6E is a diagram (No. 5) showing an operation example of the cleaning operation and the returning operation according to the embodiment. 図６Ｆは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その６）である。FIG. 6F is a diagram (No. 6) showing an operation example of the cleaning operation and the returning operation according to the embodiment. 図６Ｇは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その７）である。FIG. 6G is a diagram (No. 7) showing an operation example of the cleaning operation and the returning operation according to the embodiment. 図７は、実施形態に係る復帰動作の時間とその後の処理レシピにおけるエッチングレートの変化量との関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the time of the return operation according to the embodiment and the amount of change in the etching rate in the subsequent processing recipe. 図８は、実施形態の変形例１に係る基板処理システムにおける処理の流れを説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining a processing flow in the substrate processing system according to the first modification of the embodiment. 図９は、実施形態の変形例２に係る基板処理システムにおける処理の流れを説明するための図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a processing flow in the substrate processing system according to the second modification of the embodiment. 図１０は、実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart showing a substrate processing procedure executed by the substrate processing system according to the embodiment.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。 Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present disclosure is not limited to each of the following embodiments. In addition, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the dimensions of each element, the ratio of each element, and the like may differ from the reality. Further, even between the drawings, there may be a portion where the relationship and ratio of the dimensions of the drawings are different from each other.

従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板を、枚葉式の基板処理部においてＢＨＦ（バッファードフッ酸）で液処理する技術が知られている。なお、ＢＨＦとは、ＨＦ（フッ酸）とＮＨ４Ｆ（フッ化アンモニウム）との混合液である。 Conventionally, there is known a technique of liquid-treating a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer) with BHF (buffered hydrofluoric acid) in a single-wafer type substrate processing unit. Note that the BHF, a mixed solution of HF (hydrofluoric acid) and NH 4 F (ammonium fluoride).

かかるＢＨＦによる液処理では、液処理の際に飛散して基板処理部に付着したＢＨＦが結晶化し、この結晶がパーティクルとしてウェハに付着するという問題が起こる場合がある。そこで、ＤＩＷ（脱イオン水）などの洗浄液で結晶化したＢＨＦを定期的に洗浄処理することにより、ＢＨＦに起因するパーティクルがウェハに付着することを抑制している。 In such liquid treatment with BHF, there may be a problem that BHF scattered during the liquid treatment and adhering to the substrate processing portion crystallizes and the crystals adhere to the wafer as particles. Therefore, by periodically cleaning the BHF crystallized with a cleaning liquid such as DIW (deionized water), particles caused by BHF are suppressed from adhering to the wafer.

また、ＢＨＦは比較的高価な薬液であることから、一度液処理に使用したＢＨＦを排液部から貯留部に回収し、使用済みのＢＨＦを再度液処理に使用する場合がある。 Further, since BHF is a relatively expensive chemical solution, the BHF once used for the liquid treatment may be collected from the drainage section to the storage section, and the used BHF may be used again for the liquid treatment.

しかしながら、洗浄処理後の基板処理部や排液部には洗浄液（ＤＩＷ）が付着して残っていることから、ＢＨＦをこのＤＩＷと一緒に貯留部に回収した場合、ＢＨＦの濃度が低下する恐れがある。そして、ＢＨＦの濃度が低下した場合、ＢＨＦによる液処理の性能が悪化する恐れがあった。 However, since the cleaning liquid (DIW) remains attached to the substrate processing portion and the drainage portion after the cleaning treatment, if the BHF is collected in the storage portion together with the DIW, the concentration of the BHF may decrease. There is. Then, when the concentration of BHF decreases, the performance of the liquid treatment by BHF may deteriorate.

そこで、上述の問題点を克服し、基板処理部を洗浄処理した後に、液処理の性能が悪化することを抑制することができる技術が期待されている。 Therefore, there is an expectation of a technique capable of overcoming the above-mentioned problems and suppressing deterioration of the liquid treatment performance after cleaning the substrate processing portion.

＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 <Outline of board processing system>
First, a schematic configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to an embodiment. The substrate processing system 1 is an example of a substrate processing apparatus. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12. A plurality of substrates, in the embodiment, a plurality of carriers C for accommodating a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11, and includes a substrate transport device 13 and a delivery section 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and swivel around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 by using the wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transported by the substrate transport device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 19 of the control device 4. Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C mounted on the carrier mounting portion 11, and receives the taken out wafer W. Placed on Watanabe 14. The wafer W placed on the delivery section 14 is taken out from the delivery section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then carried out from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting section 11 by the substrate transfer device 13.

＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板処理部３０と、液供給部４０と、排液部５０とを備える。 <Processing unit configuration>
Next, the configuration of the processing unit 16 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic view showing a specific configuration example of the processing unit 16. As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate processing unit 30, a liquid supply unit 40, and a liquid drainage unit 50.

チャンバ２０は、基板処理部３０と液供給部４０と排液部５０の少なくとも一部とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。 The chamber 20 accommodates the substrate processing unit 30, the liquid supply unit 40, and at least a part of the liquid drainage unit 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20. The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.

ＦＦＵ２１は、バルブ２２を介してダウンフローガス供給源２３に接続される。ＦＦＵ２１は、ダウンフローガス供給源２３から供給されるダウンフローガス（たとえば、ドライエア）をチャンバ２０内に吐出する。 The FFU 21 is connected to the downflow gas supply source 23 via a valve 22. The FFU 21 discharges the downflow gas (for example, dry air) supplied from the downflow gas supply source 23 into the chamber 20.

基板処理部３０は、回転保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、載置されたウェハＷに液処理を施す。回転保持部３１は、チャンバ２０の略中央に設けられる。回転保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１ａが設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１ａによって回転保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。 The substrate processing unit 30 includes a rotation holding unit 31, a support column 32, and a driving unit 33, and liquid-treats the mounted wafer W. The rotation holding portion 31 is provided substantially in the center of the chamber 20. A holding member 31a for holding the wafer W from the side surface is provided on the upper surface of the rotation holding portion 31. The wafer W is horizontally held by the holding member 31a in a state of being slightly separated from the upper surface of the rotation holding portion 31.

支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において回転保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。 The strut portion 32 is a member extending in the vertical direction, the base end portion is rotatably supported by the drive portion 33, and the rotation holding portion 31 is horizontally supported at the tip portion. The drive unit 33 rotates the strut unit 32 around a vertical axis.

かかる基板処理部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された回転保持部３１を回転させ、これにより、回転保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。 The substrate processing unit 30 rotates the rotation holding unit 31 supported by the support column 32 by rotating the support column 32 using the drive unit 33, thereby causing the wafer W held by the rotation holding unit 31 to rotate. Rotate.

液供給部４０は、第１液供給部４０ａと、第２液供給部４０ｂとを含む。第１液供給部４０ａは、基板処理部３０に保持されたウェハＷに対して各種の処理液を供給する。かかる第１液供給部４０ａは、ノズル４１ａ〜４１ｃと、ノズル４１ａ〜４１ｃを水平に支持するアーム４２ａと、アーム４２ａを旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ａとを備える。 The liquid supply unit 40 includes a first liquid supply unit 40a and a second liquid supply unit 40b. The first liquid supply unit 40a supplies various processing liquids to the wafer W held by the substrate processing unit 30. The first liquid supply unit 40a includes nozzles 41a to 41c, an arm 42a that horizontally supports the nozzles 41a to 41c, and a swivel elevating mechanism 43a that swivels and elevates the arm 42a.

ノズル４１ａ〜４１ｃは、処理液供給部の一例である。ノズル４１ａからは、第１のフッ酸濃度を有する第１のＢＨＦがウェハＷのおもて面に吐出される。ノズル４１ｂからは、第２のフッ酸濃度を有する第２のＢＨＦがウェハＷのおもて面に吐出される。 The nozzles 41a to 41c are examples of the processing liquid supply unit. From the nozzle 41a, the first BHF having the first hydrofluoric acid concentration is discharged to the front surface of the wafer W. From the nozzle 41b, a second BHF having a second hydrofluoric acid concentration is discharged to the front surface of the wafer W.

ノズル４１ｃからは、第３のフッ酸濃度を有する第３のＢＨＦがウェハＷのおもて面に吐出される。第１〜第３のＢＨＦは、処理液の一例である。かかるノズル４１ａ〜４１ｃを含めた基板処理システム１の配管構成については後述する。 From the nozzle 41c, a third BHF having a third hydrofluoric acid concentration is discharged to the front surface of the wafer W. The first to third BHF are examples of the treatment liquid. The piping configuration of the substrate processing system 1 including the nozzles 41a to 41c will be described later.

第２液供給部４０ｂは、基板処理部３０に保持されたウェハＷに対してＤＩＷを供給する。かかる第２液供給部４０ｂは、ノズル４１ｄと、ノズル４１ｄを水平に支持するアーム４２ｂと、アーム４２ｂを旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ｂとを備える。 The second liquid supply unit 40b supplies DIW to the wafer W held by the substrate processing unit 30. The second liquid supply unit 40b includes a nozzle 41d, an arm 42b that horizontally supports the nozzle 41d, and a swivel elevating mechanism 43b that swivels and elevates the arm 42b.

ノズル４１ｄからは、図示しないＤＩＷ供給路を介して供給されるＤＩＷがウェハＷのおもて面に吐出される。ＤＩＷは、洗浄液の一例であり、ノズル４１ｄは、洗浄液供給部の一例である。 DIW supplied from the nozzle 41d via a DIW supply path (not shown) is discharged to the front surface of the wafer W. The DIW is an example of the cleaning liquid, and the nozzle 41d is an example of the cleaning liquid supply unit.

回転保持部３１の周縁部には、回転保持部３１とともに一体的に回転する第１、第２回転カップ３４、３５が設けられる。図２に示すように、第２回転カップ３５は、第１回転カップ３４よりも内側に配置される。 On the peripheral edge of the rotation holding portion 31, first and second rotating cups 34 and 35 that rotate integrally with the rotation holding portion 31 are provided. As shown in FIG. 2, the second rotating cup 35 is arranged inside the first rotating cup 34.

これら第１回転カップ３４や第２回転カップ３５は、全体的にはリング状に形成される。第１、第２回転カップ３４、３５は、回転保持部３１とともに回転させられると、回転するウェハＷから飛散した処理液を排液部５０へ案内する。 The first rotating cup 34 and the second rotating cup 35 are formed in a ring shape as a whole. When the first and second rotating cups 34 and 35 are rotated together with the rotation holding unit 31, the processing liquid scattered from the rotating wafer W is guided to the draining unit 50.

排液部５０は、回転保持部３１によって保持され回転するウェハＷの回転中心に近い内側から順に、第１カップ５０ａと、第２カップ５０ｂと、第３カップ５０ｃと、ミストガード５０ｅを備える。また、排液部５０は、底部５３と、内壁部５４ｄと、排液路５９ａ〜５９ｃと、回収路６４ａ〜６４ｃ（図３参照）とをさらに備える。 The drainage unit 50 includes a first cup 50a, a second cup 50b, a third cup 50c, and a mist guard 50e in this order from the inside near the rotation center of the wafer W held and rotated by the rotation holding unit 31. Further, the drainage portion 50 further includes a bottom portion 53, an inner wall portion 54d, a drainage passage 59a to 59c, and a collection passage 64a to 64c (see FIG. 3).

内壁部５４ｄは、第１カップ５０ａの内周側に配置され、ウェハＷの回転中心を中心とする円筒状の部材である。第１〜第３カップ５０ａ〜５０ｃ、ミストガード５０ｅおよび内壁部５４ｄは、排液部５０の底部５３の上に設けられる。 The inner wall portion 54d is a cylindrical member arranged on the inner peripheral side of the first cup 50a and centered on the rotation center of the wafer W. The first to third cups 50a to 50c, the mist guard 50e, and the inner wall portion 54d are provided on the bottom portion 53 of the drainage portion 50.

第１カップ５０ａは、第１周壁部５４ａと、第１液受部５５ａとを備える。第１周壁部５４ａは、底部５３から立設されるとともに、筒状（たとえば円筒状）に形成される。第１周壁部５４ａと内壁部５４ｄとの間には空間が形成され、かかる空間は、処理液などを回収して排出するための第１排液溝５８ａとされる。第１液受部５５ａは、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１の上方に設けられる。 The first cup 50a includes a first peripheral wall portion 54a and a first liquid receiving portion 55a. The first peripheral wall portion 54a is erected from the bottom portion 53 and is formed in a cylindrical shape (for example, a cylindrical shape). A space is formed between the first peripheral wall portion 54a and the inner wall portion 54d, and the space is used as a first drainage groove 58a for collecting and discharging the treatment liquid and the like. The first liquid receiving portion 55a is provided above the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a.

また、第１カップ５０ａは、第１昇降機構５６を備え、かかる第１昇降機構５６によって第１液受部５５ａが昇降可能に構成される。詳しくは、第１昇降機構５６は、第１支持部材５６ａと、第１昇降駆動部５６ｂとを備える。 Further, the first cup 50a includes a first elevating mechanism 56, and the first elevating mechanism 56 allows the first liquid receiving portion 55a to be elevated and lowered. Specifically, the first elevating mechanism 56 includes a first support member 56a and a first elevating drive unit 56b.

第１支持部材５６ａは、複数（たとえば３本。図２では１本のみ図示）の長尺状の部材である。第１支持部材５６ａは、第１周壁部５４ａ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第１支持部材５６ａとしては、たとえば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限定されるものではない。 The first support member 56a is a plurality of (for example, three; only one is shown in FIG. 2) elongated members. The first support member 56a is movably inserted into an insertion hole formed in the first peripheral wall portion 54a. As the first support member 56a, for example, a columnar rod can be used, but the method is not limited thereto.

第１支持部材５６ａは、上端が第１周壁部５４ａの上面５４ａ１から露出するように位置されるとともに、第１液受部５５ａの下面に接続されて第１液受部５５ａを下方から支持する。一方、第１支持部材５６ａの下端には、第１昇降駆動部５６ｂが接続される。 The first support member 56a is positioned so that the upper end is exposed from the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a, and is connected to the lower surface of the first liquid receiving portion 55a to support the first liquid receiving portion 55a from below. .. On the other hand, the first elevating drive unit 56b is connected to the lower end of the first support member 56a.

第１昇降駆動部５６ｂは、第１支持部材５６ａをたとえばＺ軸方向に昇降させ、これにより第１支持部材５６ａは、第１液受部５５ａを第１周壁部５４ａに対して昇降させる。なお、第１昇降駆動部５６ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第１昇降駆動部５６ｂは、制御装置４によって制御される。 The first elevating drive unit 56b raises and lowers the first support member 56a, for example, in the Z-axis direction, whereby the first support member 56a raises and lowers the first liquid receiving portion 55a with respect to the first peripheral wall portion 54a. An air cylinder can be used as the first elevating drive unit 56b. Further, the first elevating drive unit 56b is controlled by the control device 4.

第１昇降駆動部５６ｂによって駆動される第１液受部５５ａは、回転するウェハＷから飛散した処理液を受ける処理位置と、処理位置から下方側に退避した退避位置との間で移動させられることとなる。 The first liquid receiving unit 55a driven by the first elevating drive unit 56b is moved between a processing position for receiving the processing liquid scattered from the rotating wafer W and a retracting position retracted downward from the processing position. It will be.

詳しくは、第１液受部５５ａが処理位置にある場合、第１液受部５５ａの上端の内側に開口が形成され、開口から第１排液溝５８ａへと通じる流路が形成される。 Specifically, when the first liquid receiving portion 55a is in the processing position, an opening is formed inside the upper end of the first liquid receiving portion 55a, and a flow path leading from the opening to the first drainage groove 58a is formed.

他方、図２に示すように、内壁部５４ｄは、回転保持部３１の周縁部へ向けて傾斜するようにして延設される延設部５４ｄ１を備える。第１液受部５５ａは、退避位置にあるとき、内壁部５４ｄの延設部５４ｄ１に当接し、上端内側の開口が閉じて第１排液溝５８ａへと通じる流路が閉塞される。 On the other hand, as shown in FIG. 2, the inner wall portion 54d includes an extension portion 54d1 extending so as to incline toward the peripheral edge portion of the rotation holding portion 31. When the first liquid receiving portion 55a is in the retracted position, the first liquid receiving portion 55a comes into contact with the extending portion 54d1 of the inner wall portion 54d, the opening inside the upper end is closed, and the flow path leading to the first drainage groove 58a is closed.

第２カップ５０ｂは、第１カップ５０ａと同様な構成とされる。具体的には、第２カップ５０ｂは、第２周壁部５４ｂと、第２液受部５５ｂと、第２昇降機構５７とを備え、第１カップ５０ａの第１周壁部５４ａ側に隣接して配置される。 The second cup 50b has the same configuration as the first cup 50a. Specifically, the second cup 50b includes a second peripheral wall portion 54b, a second liquid receiving portion 55b, and a second elevating mechanism 57, and is adjacent to the first peripheral wall portion 54a side of the first cup 50a. Be placed.

第２周壁部５４ｂは、底部５３において第１周壁部５４ａの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第２周壁部５４ｂと第１周壁部５４ａとの間に形成される空間が、処理液などを回収して排出するための第２排液溝５８ｂとされる。 The second peripheral wall portion 54b is erected on the outer peripheral side of the first peripheral wall portion 54a at the bottom portion 53, and is formed in a tubular shape. The space formed between the second peripheral wall portion 54b and the first peripheral wall portion 54a is a second drainage groove 58b for collecting and discharging the treatment liquid and the like.

第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａの外周側に位置されるとともに、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１の上方に設けられる。 The second liquid receiving portion 55b is located on the outer peripheral side of the first liquid receiving portion 55a and is provided above the upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b.

第２昇降機構５７は、第２支持部材５７ａと、第２昇降駆動部５７ｂとを備える。第２支持部材５７ａは、複数（たとえば３本。図２では１本のみ図示）の長尺状の部材であり、第２周壁部５４ｂ内に形成される挿通孔に移動可能に挿通される。なお、第２支持部材５７ａとしては、たとえば円柱状のロッドを用いることができるが、これに限られない。 The second elevating mechanism 57 includes a second support member 57a and a second elevating drive unit 57b. The second support member 57a is a plurality of (for example, three, only one is shown in FIG. 2) elongated members, and is movably inserted into an insertion hole formed in the second peripheral wall portion 54b. As the second support member 57a, for example, a columnar rod can be used, but the method is not limited to this.

第２支持部材５７ａは、上端が第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１から露出するように位置されるとともに、第２液受部５５ｂの下面に接続されて第２液受部５５ｂを下方から支持する。なお、第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１は、第１周壁部５４ａの上面５４ａ１に対して鉛直方向において下方となるように位置される。 The second support member 57a is positioned so that the upper end is exposed from the upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b, and is connected to the lower surface of the second liquid receiving portion 55b to support the second liquid receiving portion 55b from below. .. The upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b is positioned so as to be downward in the vertical direction with respect to the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a.

第２支持部材５７ａの下端には、第２昇降駆動部５７ｂが接続される。第２昇降駆動部５７ｂは、第２支持部材５７ａをたとえばＺ軸方向に昇降させる。これにより、第２支持部材５７ａは、第２液受部５５ｂを第２周壁部５４ｂに対して昇降させる。 A second elevating drive unit 57b is connected to the lower end of the second support member 57a. The second elevating drive unit 57b raises and lowers the second support member 57a, for example, in the Z-axis direction. As a result, the second support member 57a raises and lowers the second liquid receiving portion 55b with respect to the second peripheral wall portion 54b.

なお、第２昇降駆動部５７ｂとしては、エアシリンダを用いることができる。また、第２昇降駆動部５７ｂも、制御装置４によって制御される。 An air cylinder can be used as the second elevating drive unit 57b. The second elevating drive unit 57b is also controlled by the control device 4.

そして、第２液受部５５ｂも処理位置と退避位置との間で移動させられることとなる。詳しくは、第２液受部５５ｂが処理位置にあり、かつ、第１液受部５５ａが退避位置にあるとき、第２液受部５５ｂの上端の内側に開口が形成され、開口から第２排液溝５８ｂへと通じる流路が形成される。 Then, the second liquid receiving portion 55b is also moved between the processing position and the retracting position. Specifically, when the second liquid receiving portion 55b is in the processing position and the first liquid receiving portion 55a is in the retracted position, an opening is formed inside the upper end of the second liquid receiving portion 55b, and the second liquid receiving portion 55b is formed from the opening. A flow path leading to the drainage groove 58b is formed.

他方、図２に示すように、第２液受部５５ｂは、退避位置にあるとき、第１液受部５５ａに当接し、上端内側の開口が閉じて第２排液溝５８ｂへと通じる流路が閉塞される。なお、上記では、退避位置の第２液受部５５ｂは、第１液受部５５ａに当接するようにしたが、これに限られず、たとえば内壁部５４ｄに当接して上端内側の開口を閉じるようにしてもよい。 On the other hand, as shown in FIG. 2, when the second liquid receiving portion 55b is in the retracted position, the second liquid receiving portion 55b comes into contact with the first liquid receiving portion 55a, the opening inside the upper end is closed, and the flow leads to the second drainage groove 58b. The road is blocked. In the above, the second liquid receiving portion 55b in the retracted position is brought into contact with the first liquid receiving portion 55a, but the present invention is not limited to this, and for example, the second liquid receiving portion 55b is brought into contact with the inner wall portion 54d to close the opening inside the upper end. You may do it.

第３カップ５０ｃは、第３周壁部５４ｃと、第３液受部５５ｃとを備え、第２カップ５０ｂに対して第１カップ５０ａとは反対側に隣接して配置される。第３周壁部５４ｃは、底部５３において第２周壁部５４ｂの外周側に立設され、筒状に形成される。そして、第３周壁部５４ｃと第２周壁部５４ｂとの間の空間が、処理液などを回収して排出するための第３排液溝５８ｃとされる。 The third cup 50c includes a third peripheral wall portion 54c and a third liquid receiving portion 55c, and is arranged adjacent to the second cup 50b on the side opposite to the first cup 50a. The third peripheral wall portion 54c is erected on the outer peripheral side of the second peripheral wall portion 54b at the bottom portion 53, and is formed in a tubular shape. The space between the third peripheral wall portion 54c and the second peripheral wall portion 54b is a third drainage groove 58c for collecting and discharging the treatment liquid and the like.

第３液受部５５ｃは、第３周壁部５４ｃの上端から連続するように形成される。第３液受部５５ｃは、回転保持部３１に保持されたウェハＷの周囲を囲むとともに、第１液受部５５ａや第２液受部５５ｂの上方まで延びるように形成される。 The third liquid receiving portion 55c is formed so as to be continuous from the upper end of the third peripheral wall portion 54c. The third liquid receiving portion 55c is formed so as to surround the wafer W held by the rotation holding portion 31 and extend above the first liquid receiving portion 55a and the second liquid receiving portion 55b.

第３液受部５５ｃは、図２に示すように、第１、第２液受部５５ａ、５５ｂがともに退避位置にあるとき、第３液受部５５ｃの上端の内側に開口が形成され、開口から第３排液溝５８ｃへと通じる流路が形成される。 As shown in FIG. 2, the third liquid receiving portion 55c has an opening formed inside the upper end of the third liquid receiving portion 55c when both the first and second liquid receiving portions 55a and 55b are in the retracted position. A flow path leading from the opening to the third drainage groove 58c is formed.

一方、第３液受部５５ｃは、第２液受部５５ｂを上昇させた位置にある場合、または第１液受部５５ａおよび第２液受部５５ｂの両方を上昇させた位置にある場合、第２液受部５５ｂが当接し、上端内側の開口が閉じて第３排液溝５８ｃへと通じる流路が閉塞される。 On the other hand, when the third liquid receiving portion 55c is in the position where the second liquid receiving portion 55b is raised, or when both the first liquid receiving portion 55a and the second liquid receiving portion 55b are in the raised position, the third liquid receiving portion 55c is in the raised position. The second liquid receiving portion 55b comes into contact with the liquid, the opening inside the upper end is closed, and the flow path leading to the third liquid draining groove 58c is blocked.

上記した第１〜第３カップ５０ａ〜５０ｃに対応する底部５３、正確には第１〜第３排液溝５８ａ〜５８ｃに対応する底部５３にはそれぞれ、排液口５１ａ〜５１ｃが、排液部５０の円周方向に沿って間隔をあけつつ形成される。 The bottom 53 corresponding to the first to third cups 50a to 50c, to be exact, the bottom 53 corresponding to the first to third drainage grooves 58a to 58c have drainage ports 51a to 51c, respectively. The portions 50 are formed at intervals along the circumferential direction.

排液口５１ａは、排液路５９ａに接続され、排液口５１ｂは、排液路５９ｂに接続され、排液口５１ｃは、排液路５９ｃに接続される。かかる排液路５９ａ〜５９ｃを含めた基板処理システム１の配管構成については後述する。 The drainage port 51a is connected to the drainage passage 59a, the drainage port 51b is connected to the drainage passage 59b, and the drainage port 51c is connected to the drainage passage 59c. The piping configuration of the substrate processing system 1 including the drainage passages 59a to 59c will be described later.

そして、基板処理システム１は、基板処理を行う際、基板処理中の各処理にて使用する処理液の種類などに応じて、第１カップ５０ａの第１液受部５５ａや第２カップ５０ｂの第２液受部５５ｂを昇降させ、排液口５１ａ〜５１ｃの切り替えを実行する。 Then, when the substrate processing system 1 performs the substrate processing, the first liquid receiving portion 55a and the second cup 50b of the first cup 50a depend on the type of the processing liquid used in each processing during the substrate processing. The second liquid receiving portion 55b is moved up and down to switch the drainage ports 51a to 51c.

たとえば、第１のＢＨＦをウェハＷに吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第１カップ５０ａおよび第２カップ５０ｂを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ、５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ、５７ａを上昇させ、第１液受部５５ａを処理位置まで上昇させることで、第１液受部５５ａの上端内側の開口から第１排液溝５８ａへと通じる流路を形成しておく。 For example, when the first BHF is discharged to the wafer W to process the wafer W, the control device 4 raises the first cup 50a and the second cup 50b. That is, the control device 4 raises the first and second support members 56a and 57a via the first and second elevating drive units 56b and 57b, and raises the first liquid receiving unit 55a to the processing position. A flow path leading from the opening inside the upper end of the first liquid receiving portion 55a to the first drainage groove 58a is formed.

これにより、ウェハＷに供給された第１のＢＨＦは、第１排液溝５８ａに流れ込むこととなる。 As a result, the first BHF supplied to the wafer W flows into the first drainage groove 58a.

また、たとえば第２のＢＨＦをウェハＷに吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第２カップ５０ｂのみを上昇させておく。すなわち、制御装置４は、第２昇降駆動部５７ｂを介して第２支持部材５７ａを上昇させ、第２液受部５５ｂを処理位置まで上昇させることで、第２液受部５５ｂの上端内側の開口から第２排液溝５８ｂへと通じる流路を形成しておく。 Further, for example, when the second BHF is discharged to the wafer W to process the wafer W, the control device 4 raises only the second cup 50b. That is, the control device 4 raises the second support member 57a via the second elevating drive unit 57b and raises the second liquid receiving portion 55b to the processing position, thereby raising the inside of the upper end of the second liquid receiving portion 55b. A flow path leading from the opening to the second drainage groove 58b is formed.

なお、ここで第１カップ５０ａは、下降しているものとする。これにより、ウェハＷに供給された第２のＢＨＦは、第２排液溝５８ｂに流れ込むこととなる。 Here, it is assumed that the first cup 50a is descending. As a result, the second BHF supplied to the wafer W flows into the second drainage groove 58b.

また、たとえば第３のＢＨＦをウェハＷに吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、第１、第２カップ５０ａ、５０ｂを下降させておく（図２参照）。すなわち、制御装置４は、第１、第２昇降駆動部５６ｂ、５７ｂを介して第１、第２支持部材５６ａ、５７ａを下降させ、第１、第２液受部５５ａ、５５ｂを退避位置まで下降させる。 Further, for example, when the third BHF is discharged to the wafer W to process the wafer W, the control device 4 lowers the first and second cups 50a and 50b (see FIG. 2). That is, the control device 4 lowers the first and second support members 56a and 57a via the first and second elevating drive units 56b and 57b, and moves the first and second liquid receiving units 55a and 55b to the retracted position. Lower.

このようにすることで、第３液受部５５ｃの上端内側の開口から第３排液溝５８ｃへと通じる流路を形成しておく。これにより、ウェハＷに供給された第３のＢＨＦは、第３排液溝５８ｃに流れ込むこととなる。 By doing so, a flow path leading from the opening inside the upper end of the third liquid receiving portion 55c to the third drainage groove 58c is formed. As a result, the third BHF supplied to the wafer W flows into the third drainage groove 58c.

ミストガード５０ｅは、外周筒部５０ｅ１と、この外周筒部５０ｅ１の上端部から外周筒部５４ｅの（半径方向）内側に向かって延びて第３カップ５０ｃの上方に張り出す張出部５０ｅ２とを有する。ミストガード５０ｅは、図示しない昇降機構により昇降可能に構成される。 The mist guard 50e includes an outer peripheral cylinder portion 50e1 and an overhanging portion 50e2 extending from the upper end portion of the outer peripheral cylinder portion 50e1 toward the inside (radial direction) of the outer peripheral cylinder portion 54e and projecting upward of the third cup 50c. Have. The mist guard 50e is configured to be able to move up and down by an elevating mechanism (not shown).

制御部１８（図１参照）は、ミストガード５０ｅを高い位置に配置することにより、回転するウェハＷから飛散する処理液のミストがチャンバ２０の側壁に到達することを抑制することができる。 By arranging the mist guard 50e at a high position, the control unit 18 (see FIG. 1) can prevent the mist of the processing liquid scattered from the rotating wafer W from reaching the side wall of the chamber 20.

排液部５０の底部５３、第１周壁部５４ａおよび第２周壁部５４ｂにはそれぞれ、排気口５２ａ、５２ｂ、５２ｃが形成される。また、排気口５２ａ、５２ｂ、５２ｃは、１本の排気管６０に接続され、かかる排気管６０にはバルブ６１が介挿される。そして、排気口５２ａ、５２ｂ、５２ｃおよび排気管６０を介してチャンバ２０内の雰囲気が排気される。 Exhaust ports 52a, 52b, and 52c are formed at the bottom 53, the first peripheral wall portion 54a, and the second peripheral wall portion 54b of the drainage portion 50, respectively. Further, the exhaust ports 52a, 52b and 52c are connected to one exhaust pipe 60, and a valve 61 is inserted into the exhaust pipe 60. Then, the atmosphere in the chamber 20 is exhausted through the exhaust ports 52a, 52b, 52c and the exhaust pipe 60.

＜基板処理システムの配管構成＞
次に、基板処理システム１の配管構成について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る基板処理システム１の配管構成を示す模式図である。 <Piping configuration of board processing system>
Next, the piping configuration of the substrate processing system 1 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a schematic view showing a piping configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment.

図３に示すように、処理ユニット１６の排液口５１ａ（図２参照）に接続される排液路５９ａは、濃度センサ６２ａを介して切替バルブ６３ａに接続される。濃度センサ６２ａは、排液路５９ａを流れる排液中のフッ酸濃度を検出することができる。 As shown in FIG. 3, the drainage passage 59a connected to the drainage port 51a (see FIG. 2) of the processing unit 16 is connected to the switching valve 63a via the concentration sensor 62a. The concentration sensor 62a can detect the concentration of hydrofluoric acid in the drainage flowing through the drainage passage 59a.

切替バルブ６３ａには、ドレイン部ＤＲおよび回収路６４ａが接続される。かかる切替バルブ６３ａは、排液路５９ａに接続される配管をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ａに切替可能に構成される。そして、制御部１８（図１参照）は、切替バルブ６３ａを制御することにより、排液路５９ａを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ａに切り替えることができる。 The drain portion DR and the recovery path 64a are connected to the switching valve 63a. The switching valve 63a is configured so that the pipe connected to the drainage passage 59a can be switched to the drain portion DR or the recovery passage 64a. Then, the control unit 18 (see FIG. 1) can switch the drainage path of the drainage flowing through the drainage path 59a to the drainage section DR or the recovery path 64a by controlling the switching valve 63a.

また、回収路６４ａは、第１のＢＨＦを貯留する貯留部７０ａに接続される。すなわち、制御部１８は、切替バルブ６３ａを制御して排液路５９ａと回収路６４ａとを通流させることにより、処理ユニット１６で使用された第１のＢＨＦを貯留部７０ａに回収することができる。 Further, the recovery path 64a is connected to a storage unit 70a for storing the first BHF. That is, the control unit 18 can collect the first BHF used in the processing unit 16 into the storage unit 70a by controlling the switching valve 63a to allow the drainage passage 59a and the collection passage 64a to pass through. it can.

そして、貯留部７０ａには供給路４４ａが接続され、かかる供給路４４ａは、バルブ４５ａおよび流量調整器４６ａを介してノズル４１ａに接続される。これにより、制御部１８は、貯留部７０ａに貯留された第１のＢＨＦをノズル４１ａからウェハＷに吐出することができる。なお、貯留部７０ａの詳細については後述する。 Then, a supply path 44a is connected to the storage unit 70a, and the supply path 44a is connected to the nozzle 41a via the valve 45a and the flow rate regulator 46a. As a result, the control unit 18 can discharge the first BHF stored in the storage unit 70a from the nozzle 41a to the wafer W. The details of the storage unit 70a will be described later.

また、チャンバ２０内におけるノズル４１ａの待機位置の下方には、待機部６５ａが設けられる。待機部６５ａは、ノズル４１ａに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ａから吐出される第１のＢＨＦを受け入れ、受け入れた第１のＢＨＦを排液路５９ａにおける濃度センサ６２ａの上流側に排液する。すなわち、待機部６５ａの排液路は、排液路５９ａに接続される。 Further, a standby portion 65a is provided below the standby position of the nozzle 41a in the chamber 20. The standby unit 65a receives and receives the first BHF discharged from the nozzle 41a during the dummy discharge process for the purpose of removing air bubbles and foreign substances in each flow path connected to the nozzle 41a. BHF is drained to the upstream side of the concentration sensor 62a in the drainage passage 59a. That is, the drainage passage of the standby portion 65a is connected to the drainage passage 59a.

また、処理ユニット１６の排液口５１ｂ（図２参照）に接続される排液路５９ｂは、濃度センサ６２ｂを介して切替バルブ６３ｂに接続される。濃度センサ６２ｂは、排液路５９ｂを流れる排液中のフッ酸濃度を検出することができる。 Further, the drainage passage 59b connected to the drainage port 51b (see FIG. 2) of the processing unit 16 is connected to the switching valve 63b via the concentration sensor 62b. The concentration sensor 62b can detect the concentration of hydrofluoric acid in the drainage flowing through the drainage passage 59b.

切替バルブ６３ｂには、ドレイン部ＤＲおよび回収路６４ｂが接続される。かかる切替バルブ６３ｂは、排液路５９ｂに接続される配管をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｂに切替可能に構成される。そして、制御部１８は、切替バルブ６３ｂを制御することにより、排液路５９ｂを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｂに切り替えることができる。 The drain portion DR and the recovery path 64b are connected to the switching valve 63b. The switching valve 63b is configured so that the pipe connected to the drainage passage 59b can be switched to the drain portion DR or the recovery passage 64b. Then, the control unit 18 can switch the drainage path of the drainage flowing through the drainage path 59b to the drainage section DR or the recovery path 64b by controlling the switching valve 63b.

また、回収路６４ｂは、第２のＢＨＦを貯留する貯留部７０ｂに接続される。すなわち、制御部１８は、切替バルブ６３ｂを制御して排液路５９ｂと回収路６４ｂとを通流させることにより、処理ユニット１６で使用された第２のＢＨＦを貯留部７０ｂに回収することができる。 Further, the recovery path 64b is connected to a storage unit 70b for storing the second BHF. That is, the control unit 18 can collect the second BHF used in the processing unit 16 into the storage unit 70b by controlling the switching valve 63b to allow the drainage passage 59b and the collection passage 64b to pass through. it can.

そして、貯留部７０ｂには供給路４４ｂが接続され、かかる供給路４４ｂは、バルブ４５ｂおよび流量調整器４６ｂを介してノズル４１ｂに接続される。これにより、制御部１８は、貯留部７０ｂに貯留された第２のＢＨＦをノズル４１ｂからウェハＷに吐出することができる。 Then, a supply path 44b is connected to the storage unit 70b, and the supply path 44b is connected to the nozzle 41b via the valve 45b and the flow rate regulator 46b. As a result, the control unit 18 can discharge the second BHF stored in the storage unit 70b from the nozzle 41b to the wafer W.

また、チャンバ２０内におけるノズル４１ｂの待機位置の下方には、待機部６５ｂが設けられる。待機部６５ｂは、ノズル４１ｂに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ｂから吐出される第２のＢＨＦを受け入れ、受け入れた第２のＢＨＦを排液路５９ｂにおける濃度センサ６２ｂの上流側に排液する。すなわち、待機部６５ｂの排液路は、排液路５９ｂに接続される。 Further, a standby portion 65b is provided below the standby position of the nozzle 41b in the chamber 20. The standby unit 65b receives and receives the second BHF discharged from the nozzle 41b during the dummy discharge process for the purpose of removing air bubbles and foreign substances in each flow path connected to the nozzle 41b. BHF is drained to the upstream side of the concentration sensor 62b in the drainage passage 59b. That is, the drainage passage of the standby portion 65b is connected to the drainage passage 59b.

さらに、処理ユニット１６の排液口５１ｃ（図２参照）に接続される排液路５９ｃは、濃度センサ６２ｃを介して切替バルブ６３ｃに接続される。濃度センサ６２ｃは、排液路５９ｃを流れる排液中のフッ酸濃度を検出することができる。 Further, the drainage passage 59c connected to the drainage port 51c (see FIG. 2) of the processing unit 16 is connected to the switching valve 63c via the concentration sensor 62c. The concentration sensor 62c can detect the concentration of hydrofluoric acid in the drainage flowing through the drainage passage 59c.

切替バルブ６３ｃには、ドレイン部ＤＲおよび回収路６４ｃが接続される。かかる切替バルブ６３ｃは、排液路５９ｃに接続される配管をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｃに切替可能に構成される。そして、制御部１８は、切替バルブ６３ｃを制御することにより、排液路５９ｃを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲまたは回収路６４ｃに切り替えることができる。 The drain portion DR and the recovery path 64c are connected to the switching valve 63c. The switching valve 63c is configured so that the pipe connected to the drainage passage 59c can be switched to the drain portion DR or the recovery passage 64c. Then, the control unit 18 can switch the drainage path of the drainage flowing through the drainage path 59c to the drainage section DR or the recovery path 64c by controlling the switching valve 63c.

また、回収路６４ｃは、第３のＢＨＦを貯留する貯留部７０ｃに接続される。すなわち、制御部１８は、切替バルブ６３ｃを制御して排液路５９ｃと回収路６４ｃとを通流させることにより、処理ユニット１６で使用された第３のＢＨＦを貯留部７０ｃに回収することができる。 Further, the recovery path 64c is connected to a storage unit 70c for storing the third BHF. That is, the control unit 18 can collect the third BHF used in the processing unit 16 into the storage unit 70c by controlling the switching valve 63c to allow the drainage passage 59c and the collection passage 64c to pass through. it can.

そして、貯留部７０ｃには供給路４４ｃが接続され、かかる供給路４４ｃは、バルブ４５ｃおよび流量調整器４６ｃを介してノズル４１ｃに接続される。これにより、制御部１８は、貯留部７０ｃに貯留された第３のＢＨＦをノズル４１ｃからウェハＷに吐出することができる。 Then, a supply path 44c is connected to the storage unit 70c, and the supply path 44c is connected to the nozzle 41c via the valve 45c and the flow rate regulator 46c. As a result, the control unit 18 can discharge the third BHF stored in the storage unit 70c from the nozzle 41c to the wafer W.

また、チャンバ２０内におけるノズル４１ｃの待機位置の下方には、待機部６５ｃが設けられる。待機部６５ｃは、ノズル４１ｃに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ｃから吐出される第３のＢＨＦを受け入れ、受け入れた第３のＢＨＦを排液路５９ｃにおける濃度センサ６２ｃの上流側に排液する。すなわち、待機部６５ｃの排液路は、排液路５９ｃに接続される。 Further, a standby portion 65c is provided below the standby position of the nozzle 41c in the chamber 20. The standby unit 65c receives and receives the third BHF discharged from the nozzle 41c during the dummy discharge process for the purpose of removing air bubbles and foreign substances in each flow path connected to the nozzle 41c. BHF is drained to the upstream side of the concentration sensor 62c in the drainage passage 59c. That is, the drainage passage of the standby portion 65c is connected to the drainage passage 59c.

図４は、実施形態に係る貯留部７０ａの配管構成を示す模式図である。なお、貯留部７０ｂおよび貯留部７０ｃの配管構成は、以下に説明する貯留部７０ａの配管構成と同様であることから、貯留部７０ｂおよび貯留部７０ｃの配管構成については説明を省略する。 FIG. 4 is a schematic view showing a piping configuration of the storage unit 70a according to the embodiment. Since the piping configuration of the storage unit 70b and the storage unit 70c is the same as the piping configuration of the storage unit 70a described below, the description of the piping configuration of the storage unit 70b and the storage unit 70c will be omitted.

貯留部７０ａは、ＢＨＦ供給路７１ａと、タンク７４ａと、循環路７５ａとを有する。ＢＨＦ供給路７１ａは、未使用の第１のＢＨＦをタンク７４ａに供給する。 The storage unit 70a has a BHF supply path 71a, a tank 74a, and a circulation path 75a. The BHF supply path 71a supplies an unused first BHF to the tank 74a.

ＢＨＦ供給路７１ａは、上流側から順にＢＨＦ供給源７２ａと、バルブ７３ａとを有する。ＢＨＦ供給源７２ａは、たとえば、未使用の第１のＢＨＦを貯留するタンクである。 The BHF supply path 71a has a BHF supply source 72a and a valve 73a in this order from the upstream side. The BHF supply source 72a is, for example, a tank for storing an unused first BHF.

タンク７４ａは、ＢＨＦ供給路７１ａから供給される第１のＢＨＦを貯留する。また、タンク７４ａは、排液路５９ａおよび回収路６４ａを介して回収された使用済みの第１のＢＨＦを貯留する。 The tank 74a stores the first BHF supplied from the BHF supply path 71a. In addition, the tank 74a stores the used first BHF recovered through the drainage passage 59a and the recovery passage 64a.

循環路７５ａは、タンク７４ａから出て、かかるタンク７４ａに戻る循環路である。循環路７５ａには、タンク７４ａを基準として、上流側から順にポンプ７６ａと、フィルタ７７ａと、ヒータ７８ａと、バルブ７９ａと、切替バルブ８０ａと、濃度センサ８１ａと、切替バルブ８２ａとが設けられる。 The circulation path 75a is a circulation path that exits the tank 74a and returns to the tank 74a. The circulation path 75a is provided with a pump 76a, a filter 77a, a heater 78a, a valve 79a, a switching valve 80a, a concentration sensor 81a, and a switching valve 82a in order from the upstream side with the tank 74a as a reference.

ポンプ７６ａは、タンク７４ａから出て、循環路７５ａを通り、タンク７４ａに戻る第１のＢＨＦの循環流を形成する。フィルタ７７ａは、循環路７５ａ内を循環する第１のＢＨＦに含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。 The pump 76a forms a first BHF circulation flow that exits the tank 74a, passes through the circulation path 75a, and returns to the tank 74a. The filter 77a removes contaminants such as particles contained in the first BHF circulating in the circulation path 75a.

ヒータ７８ａは、循環路７５ａ内を循環する第１のＢＨＦを昇温する。濃度センサ８１ａは、循環路７５ａを流れる第１のＢＨＦ中のフッ酸濃度を検出することができる。 The heater 78a raises the temperature of the first BHF circulating in the circulation path 75a. The concentration sensor 81a can detect the concentration of hydrofluoric acid in the first BHF flowing through the circulation path 75a.

また、切替バルブ８０ａの上流側にはＤＩＷ供給源８３ａが接続されるとともに、切替バルブ８２ａの下流側はドレイン部ＤＲに接続される。そして、制御部１８（図１参照）は、ＤＩＷ供給源８３ａが濃度センサ８１ａを介してドレイン部ＤＲに接続されるように切替バルブ８０ａ、８２ａを制御することにより、ＤＩＷで濃度センサ８１ａの内部を洗浄することができる。 Further, the DIW supply source 83a is connected to the upstream side of the switching valve 80a, and the downstream side of the switching valve 82a is connected to the drain portion DR. Then, the control unit 18 (see FIG. 1) controls the switching valves 80a and 82a so that the DIW supply source 83a is connected to the drain unit DR via the concentration sensor 81a, so that the inside of the concentration sensor 81a is DIW. Can be washed.

したがって、実施形態によれば、ＤＩＷで濃度センサ８１ａの内部を洗浄することにより、濃度センサ８１ａを較正することができる。 Therefore, according to the embodiment, the concentration sensor 81a can be calibrated by cleaning the inside of the concentration sensor 81a with DIW.

また、タンク７４ａは、バルブ８４ａを介してドレイン部ＤＲに接続され、循環路７５ａは、バルブ８５ａを介してドレイン部ＤＲに接続される。これにより、制御部１８は、タンク７４ａ内や循環路７５ａ内の第１のＢＨＦを交換する際などに、バルブ８４ａ、８５ａを制御して、タンク７４ａ内や循環路７５ａ内の第１のＢＨＦをドレイン部ＤＲに排出することができる。 Further, the tank 74a is connected to the drain portion DR via the valve 84a, and the circulation path 75a is connected to the drain portion DR via the valve 85a. As a result, the control unit 18 controls the valves 84a and 85a when exchanging the first BHF in the tank 74a or the circulation path 75a, and the control unit 18 controls the valves 84a and 85a to control the first BHF in the tank 74a and the circulation path 75a. Can be discharged to the drain portion DR.

また、循環路７５ａにおけるヒータ７８ａとバルブ７９ａとの間から、供給路４４ａが分岐する。かかる供給路４４ａは、循環路７５ａとノズル４１ａ（図３参照）との間に介設され、循環路７５ａでフィルトレーション処理および温度調整処理された第１のＢＨＦを処理ユニット１６に供給する。 Further, the supply path 44a branches from between the heater 78a and the valve 79a in the circulation path 75a. The supply path 44a is interposed between the circulation path 75a and the nozzle 41a (see FIG. 3), and supplies the first BHF that has been subjected to the filtration treatment and the temperature adjustment treatment in the circulation path 75a to the processing unit 16. ..

＜基板処理＞
つづいて、実施形態に係る基板処理システム１における各処理の詳細について、図５〜図７を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る基板処理システム１における処理の流れを説明するための図である。 <Board processing>
Subsequently, the details of each process in the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 7. FIG. 5 is a diagram for explaining a processing flow in the substrate processing system 1 according to the embodiment.

図５に示すように、実施形態に係る基板処理システム１では、処理ユニット１６において、ウェハＷに対して第１〜第３のＢＨＦのいずれか一つを用いた液処理が、使用されるＢＨＦに応じた処理レシピＳ１で連続的に実行される。 As shown in FIG. 5, in the substrate processing system 1 according to the embodiment, in the processing unit 16, liquid treatment using any one of the first to third BHFs is used for the wafer W. Is continuously executed in the processing recipe S1 according to the above.

なお、実施形態に係る処理レシピＳ１は、ウェハＷの処理順序および処理液の種類を含み、記憶部１９（図１参照）にあらかじめ記憶されている。すなわち、実施形態に係る処理レシピＳ１は、異なる種類のＢＨＦに応じて複数用意されている。これにより、異なる種類のＢＨＦにそれぞれ最適化された液処理を処理ユニット１６で実施することができる。 The processing recipe S1 according to the embodiment includes the processing order of the wafer W and the type of the processing liquid, and is stored in advance in the storage unit 19 (see FIG. 1). That is, a plurality of processing recipes S1 according to the embodiment are prepared according to different types of BHF. As a result, the liquid treatment optimized for different types of BHF can be carried out in the treatment unit 16.

また、図５の例では、対象となる洗浄レシピＳ２の前に実施される液処理の処理レシピＳ１を処理レシピＳ１ａとし、対象となる洗浄レシピＳ２の後に実施される液処理の処理レシピＳ１を処理レシピＳ１ｂとする。 Further, in the example of FIG. 5, the liquid treatment processing recipe S1 executed before the target cleaning recipe S2 is set as the processing recipe S1a, and the liquid processing processing recipe S1 executed after the target cleaning recipe S2 is used. Let it be processing recipe S1b.

そして、基板処理システム１では、処理ユニット１６において、くり返し行われる処理レシピＳ１の合間に、洗浄レシピＳ２を実行する。かかる洗浄レシピＳ２は、洗浄動作Ｓ３と、復帰動作Ｓ４とを含む。 Then, in the substrate processing system 1, the cleaning recipe S2 is executed in the processing unit 16 between the processing recipes S1 that are repeatedly performed. Such a cleaning recipe S2 includes a cleaning operation S3 and a return operation S4.

洗浄動作Ｓ３は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給して、基板処理部３０および排液部５０を洗浄する。これにより、かかる洗浄動作Ｓ３を実行するまでの処理レシピＳ１ａにおいて基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。 In the cleaning operation S3, DIW, which is a cleaning liquid, is supplied from the cleaning liquid supply unit (for example, the nozzle 41d) to clean the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50. Thereby, crystals caused by BHF adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 can be removed in the processing recipe S1a until the cleaning operation S3 is executed.

復帰動作Ｓ４は、たとえば、次の処理レシピＳ１ｂで使用されるＢＨＦ（以下、「次工程のＢＨＦ」とも呼称する。）を処理液供給部（たとえば、ノズル４１ａ〜４１ｃ）から供給し、基板処理部３０及び排液部５０に付着するＤＩＷを次工程のＢＨＦに置換する。 In the return operation S4, for example, the BHF used in the next processing recipe S1b (hereinafter, also referred to as “BHF of the next step”) is supplied from the processing liquid supply unit (for example, nozzles 41a to 41c) to process the substrate. The DIW adhering to the part 30 and the drainage part 50 is replaced with BHF in the next step.

すなわち、実施形態では、復帰動作Ｓ４において、洗浄動作Ｓ３の後に基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷを次工程のＢＨＦで共洗いする。これにより、洗浄動作Ｓ３の後に基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ〜７０ｃに回収されることを抑制することができる。 That is, in the embodiment, in the return operation S4, the DIW remaining in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 after the cleaning operation S3 is co-washed with the BHF in the next step. As a result, it is possible to prevent the DIW remaining in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 after the cleaning operation S3 from being collected in the storage units 70a to 70c.

したがって、実施形態によれば、その後の処理レシピＳ１ｂにおいて次工程のＢＨＦを回収しながら液処理したとしても、回収されたＢＨＦの濃度低下を抑制することができることから、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。 Therefore, according to the embodiment, even if the liquid treatment is performed while recovering the BHF in the next step in the subsequent treatment recipe S1b, the decrease in the concentration of the recovered BHF can be suppressed, so that the liquid treatment performance deteriorates. Can be suppressed.

また、実施形態では、制御部１８が、処理レシピＳ１に基づいて洗浄レシピＳ２を選択するとよい。たとえば、制御部１８は、処理レシピＳ１で用いられるＢＨＦの種類に基づいて洗浄レシピＳ２を選択するとよい。 Further, in the embodiment, the control unit 18 may select the cleaning recipe S2 based on the processing recipe S1. For example, the control unit 18 may select the cleaning recipe S2 based on the type of BHF used in the processing recipe S1.

つづいては、かかる洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４の詳細について、図６Ａ〜図６Ｇを参照しながら説明する。図６Ａ〜図６Ｇは、実施形態に係る洗浄動作および復帰動作の動作例を示す図（その１〜その７）である。 Subsequently, the details of the cleaning operation S3 and the return operation S4 will be described with reference to FIGS. 6A to 6G. 6A to 6G are diagrams (No. 1 to No. 7) showing operation examples of the cleaning operation and the return operation according to the embodiment.

図６Ａに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、回転保持部３１、保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５を洗浄する処理である。この場合、たとえば、回転保持部３１を回転させた状態で、ノズル４１ｄを回転保持部３１の中心部と外周部との間で往復させながら、ノズル４１ｄからＤＩＷを供給する。 As shown in FIG. 6A, the cleaning operation S3 is, for example, a process of cleaning the rotation holding portion 31, the holding member 31a, the first rotation cup 34, and the second rotation cup 35. In this case, for example, DIW is supplied from the nozzle 41d while the nozzle 41d is reciprocated between the central portion and the outer peripheral portion of the rotation holding portion 31 in a state where the rotation holding portion 31 is rotated.

これにより、回転保持部３１および回転保持部３１の外周部に配置される保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５に付着した結晶を除去することができる。 As a result, the crystals adhering to the holding member 31a, the first rotating cup 34, and the second rotating cup 35 arranged on the outer peripheral portion of the rotation holding portion 31 and the rotation holding portion 31 can be removed.

同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、回転保持部３１、保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５を次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、たとえば、回転保持部３１を回転させた状態で、ノズル４１ａ〜４１ｃ（図２参照）のいずれかを回転保持部３１の中心部と外周部との間で往復させながら、かかるノズルから次工程のＢＨＦを供給する。 Similarly, the return operation S4 is, for example, a process of co-washing the rotation holding portion 31, the holding member 31a, the first rotation cup 34, and the second rotation cup 35 with the BHF in the next step. In this case, for example, with the rotation holding portion 31 rotated, any of the nozzles 41a to 41c (see FIG. 2) is reciprocated between the central portion and the outer peripheral portion of the rotation holding portion 31 from the nozzle. The BHF of the next step is supplied.

これにより、回転保持部３１および回転保持部３１の外周部に配置される保持部材３１ａ、第１回転カップ３４および第２回転カップ３５に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。 As a result, the DIW adhering to the holding member 31a, the first rotating cup 34, and the second rotating cup 35 arranged on the outer peripheral portion of the rotation holding portion 31 and the rotation holding portion 31 can be replaced with the BHF in the next step.

また、図６Ｂに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、第１〜第３排液溝５８ａ〜５８ｃを洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、第１排液溝５８ａに洗浄液であるＤＩＷを供給する洗浄液供給部１００を備える。 Further, as shown in FIG. 6B, the cleaning operation S3 is, for example, a process of cleaning the first to third drainage grooves 58a to 58c. In this case, the processing unit 16 includes a cleaning liquid supply unit 100 that supplies DIW, which is a cleaning liquid, to the first drainage groove 58a.

洗浄液供給部１００は、洗浄液供給路１００ａと、ＤＩＷ供給源１００ｂと、バルブ１００ｃと、流量調整器１００ｄとを備える。洗浄液供給路１００ａは、一端がＤＩＷ供給源１００ｂに接続され、他端が第１カップ５０ａの排液口５１ａに接続される。バルブ１００ｃおよび流量調整器１００ｄは、洗浄液供給路１００ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 The cleaning liquid supply unit 100 includes a cleaning liquid supply path 100a, a DIW supply source 100b, a valve 100c, and a flow rate regulator 100d. One end of the cleaning liquid supply path 100a is connected to the DIW supply source 100b, and the other end is connected to the drainage port 51a of the first cup 50a. The valve 100c and the flow rate regulator 100d are provided in the cleaning liquid supply path 100a and are controlled by the control device 4.

図６Ｂに示す洗浄動作Ｓ３では、バルブ１００ｃを所定時間開放することにより、第１排液溝５８ａにＤＩＷを供給する。これにより、第１排液溝５８ａにＤＩＷが貯留され、第１排液溝５８ａに貯留されたＤＩＷが第１周壁部５４ａの上面５４ａ１を乗り越えて、第２排液溝５８ｂへオーバーフローすることにより、第２排液溝５８ｂにＤＩＷが貯留される。 In the cleaning operation S3 shown in FIG. 6B, the DIW is supplied to the first drainage groove 58a by opening the valve 100c for a predetermined time. As a result, the DIW is stored in the first drainage groove 58a, and the DIW stored in the first drainage groove 58a gets over the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a and overflows to the second drainage groove 58b. , DIW is stored in the second drainage groove 58b.

さらに、第２排液溝５８ｂに貯留されたＤＩＷが第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１を乗り越えて、第３排液溝５８ｃへオーバーフローすることにより、第３排液溝５８ｃにもＤＩＷが貯留される。 Further, the DIW stored in the second drainage groove 58b gets over the upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b and overflows to the third drainage groove 58c, so that the DIW is also stored in the third drainage groove 58c. To.

その後、各排液口５１ａ〜５１ｃからＤＩＷを排出する。これにより、第１〜第３排液溝５８ａ〜５８ｃに付着した結晶を除去することができる。 After that, the DIW is discharged from each of the drainage ports 51a to 51c. As a result, the crystals adhering to the first to third drainage grooves 58a to 58c can be removed.

同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、第１〜第３排液溝５８ａ〜５８ｃを次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、第１排液溝５８ａに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１０１を備える。 Similarly, the return operation S4 is, for example, a process of co-washing the first to third drainage grooves 58a to 58c with the BHF of the next step. In this case, the processing unit 16 includes a processing liquid supply unit 101 that supplies the BHF of the next step to the first drainage groove 58a.

処理液供給部１０１は、処理液供給路１０１ａと、切替バルブ１０１ｂと、流量調整器１０１ｃとを備える。処理液供給路１０１ａは、一端が切替バルブ１０１ｂを介して貯留部７０ａ〜７０ｃにそれぞれ接続され、他端が第１カップ５０ａの排液口５１ａに接続される。切替バルブ１０１ｂおよび流量調整器１０１ｃは、処理液供給路１０１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 The processing liquid supply unit 101 includes a processing liquid supply path 101a, a switching valve 101b, and a flow rate regulator 101c. One end of the treatment liquid supply path 101a is connected to the storage portions 70a to 70c via the switching valve 101b, and the other end is connected to the drainage port 51a of the first cup 50a. The switching valve 101b and the flow rate regulator 101c are provided in the processing liquid supply path 101a and are controlled by the control device 4.

図６Ｂに示す復帰動作Ｓ４では、切替バルブ１０１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａ〜７０ｃのいずれかと第１排液溝５８ａとを接続し、次工程のＢＨＦを第１排液溝５８ａに供給する。 In the return operation S4 shown in FIG. 6B, the switching valve 101b is controlled to connect any of the storage portions 70a to 70c in which the BHF of the next step is stored to the first drainage groove 58a, and the BHF of the next step is set to the first. 1 Supply to the drainage groove 58a.

これにより、第１排液溝５８ａに次工程のＢＨＦが貯留され、第１排液溝５８ａに貯留された次工程のＢＨＦが第１周壁部５４ａの上面５４ａ１を乗り越えて、第２排液溝５８ｂへオーバーフローすることにより、第２排液溝５８ｂに次工程のＢＨＦが貯留される。 As a result, the BHF of the next step is stored in the first drainage groove 58a, and the BHF of the next step stored in the first drainage groove 58a gets over the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a and gets over the upper surface 54a1 of the first peripheral wall portion 54a, and the second drainage groove By overflowing to 58b, the BHF of the next step is stored in the second drainage groove 58b.

さらに、第２排液溝５８ｂに貯留された次工程のＢＨＦが第２周壁部５４ｂの上面５４ｂ１を乗り越えて、第３排液溝５８ｃへオーバーフローすることにより、第３排液溝５８ｃにも次工程のＢＨＦが貯留される。 Further, the BHF of the next step stored in the second drainage groove 58b gets over the upper surface 54b1 of the second peripheral wall portion 54b and overflows to the third drainage groove 58c, so that the third drainage groove 58c is also next. The BHF of the process is stored.

その後、各排液口５１ａ〜５１ｃから次工程のＢＨＦを排出する。これにより、第１〜第３排液溝５８ａ〜５８ｃに付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。 After that, the BHF in the next step is discharged from each of the drainage ports 51a to 51c. As a result, the DIW adhering to the first to third drainage grooves 58a to 58c can be replaced with the BHF in the next step.

また、図６Ｃに示すように、チャンバ２０の内部には、第３カップ５０ｃ（図２参照）とミストガード５０ｅとの間に排気カップ５０ｄが配置される場合がある。排気カップ５０ｄは、外周筒部５０ｄ１と、外周筒部５０ｄ１の上端部から外周筒部５０ｄ１の径方向内側に張り出す張出部５０ｄ２とを備える。なお、排気カップ５０ｄは不動である。 Further, as shown in FIG. 6C, an exhaust cup 50d may be arranged inside the chamber 20 between the third cup 50c (see FIG. 2) and the mist guard 50e. The exhaust cup 50d includes an outer peripheral cylinder portion 50d1 and an overhanging portion 50d2 protruding inward in the radial direction from the upper end portion of the outer peripheral cylinder portion 50d1. The exhaust cup 50d is immovable.

このような場合、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面とを洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、たとえば、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部１１０を備える。 In such a case, the cleaning operation S3 is, for example, a process of cleaning the lower surface of the overhanging portion 50e2 of the mist guard 50e and the upper surface of the overhanging portion 50d2 of the exhaust cup 50d. In this case, the processing unit 16 includes, for example, a cleaning liquid supply unit 110 that supplies the cleaning liquid to the lower surface of the overhanging portion 50e2 of the mist guard 50e.

洗浄液供給部１１０は、洗浄液供給路１１０ａと、ＤＩＷ供給源１１０ｂと、バルブ１１０ｃと、流量調整器１１０ｄとを備える。洗浄液供給路１１０ａは、一端がＤＩＷ供給源１１０ｂに接続され、他端が排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に設けられるノズル４１ｅに接続される。バルブ１１０ｃおよび流量調整器１１０ｄは、洗浄液供給路１１０ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 The cleaning liquid supply unit 110 includes a cleaning liquid supply path 110a, a DIW supply source 110b, a valve 110c, and a flow rate regulator 110d. One end of the cleaning liquid supply path 110a is connected to the DIW supply source 110b, and the other end is connected to a nozzle 41e provided on the upper surface of the overhanging portion 50d2 of the exhaust cup 50d. The valve 110c and the flow rate regulator 110d are provided in the cleaning liquid supply path 110a and are controlled by the control device 4.

図６Ｃに示す洗浄動作Ｓ３では、ノズル４１ｅからＤＩＷを供給することにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２との間の空間にＤＩＷを貯留する。その後、図示しない排液経路からＤＩＷを排出する。これにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面および排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に付着した結晶を除去することができる。 In the cleaning operation S3 shown in FIG. 6C, the DIW is supplied from the nozzle 41e to store the DIW in the space between the overhanging portion 50e2 of the mist guard 50e and the overhanging portion 50d2 of the exhaust cup 50d. Then, the DIW is discharged from a drainage route (not shown). As a result, crystals adhering to the lower surface of the overhanging portion 50e2 of the mist guard 50e and the upper surface of the overhanging portion 50d2 of the exhaust cup 50d can be removed.

同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面とを次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、ノズル４１ｅに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１１１を備える。 Similarly, the return operation S4 is, for example, a process of co-washing the lower surface of the overhanging portion 50e2 of the mist guard 50e and the upper surface of the overhanging portion 50d2 of the exhaust cup 50d with the BHF in the next step. In this case, the processing unit 16 includes a processing liquid supply unit 111 that supplies the BHF of the next step to the nozzle 41e.

処理液供給部１１１は、処理液供給路１１１ａと、切替バルブ１１１ｂと、流量調整器１１１ｃとを備える。処理液供給路１１１ａは、一端が切替バルブ１１１ｂを介して貯留部７０ａ〜７０ｃにそれぞれ接続され、他端がノズル４１ｅに接続される。切替バルブ１１１ｂおよび流量調整器１１１ｃは、処理液供給路１１１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 The processing liquid supply unit 111 includes a processing liquid supply path 111a, a switching valve 111b, and a flow rate regulator 111c. One end of the processing liquid supply path 111a is connected to the storage portions 70a to 70c via the switching valve 111b, and the other end is connected to the nozzle 41e. The switching valve 111b and the flow rate regulator 111c are provided in the processing liquid supply path 111a and are controlled by the control device 4.

図６Ｃに示す復帰動作Ｓ４では、切替バルブ１１１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａ〜７０ｃのいずれかとノズル４１ｅとを接続し、次工程のＢＨＦをノズル４１ｅに供給する。 In the return operation S4 shown in FIG. 6C, the switching valve 111b is controlled to connect any of the storage units 70a to 70c in which the BHF of the next step is stored to the nozzle 41e, and the BHF of the next step is supplied to the nozzle 41e. ..

これにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２と排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２との間の空間に次工程のＢＨＦを貯留する。その後、図示しない排液経路から次工程のＢＨＦを排出する。これにより、ミストガード５０ｅの張出部５０ｅ２の下面および排気カップ５０ｄの張出部５０ｄ２の上面に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。 As a result, the BHF of the next step is stored in the space between the overhanging portion 50e2 of the mist guard 50e and the overhanging portion 50d2 of the exhaust cup 50d. After that, the BHF in the next step is discharged from a drainage route (not shown). As a result, the DIW adhering to the lower surface of the overhanging portion 50e2 of the mist guard 50e and the upper surface of the overhanging portion 50d2 of the exhaust cup 50d can be replaced with the BHF in the next step.

また、図６Ｄに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、基板処理部３０の回転保持部３１の下面を洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、回転保持部３１の下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給部１２０を備える。 Further, as shown in FIG. 6D, the cleaning operation S3 is, for example, a process of cleaning the lower surface of the rotation holding unit 31 of the substrate processing unit 30. In this case, the processing unit 16 includes a cleaning liquid supply unit 120 that supplies the cleaning liquid to the lower surface of the rotation holding unit 31.

洗浄液供給部１２０は、ノズル４１ｆを備える。ノズル４１ｆは、たとえば、内壁部５４ｄの上端部に設けられる。また、洗浄液供給部１２０は、洗浄液供給路１２０ａと、ＤＩＷ供給源１２０ｂと、バルブ１２０ｃと、流量調整器１２０ｄとを備える。 The cleaning liquid supply unit 120 includes a nozzle 41f. The nozzle 41f is provided, for example, at the upper end of the inner wall portion 54d. Further, the cleaning liquid supply unit 120 includes a cleaning liquid supply path 120a, a DIW supply source 120b, a valve 120c, and a flow rate regulator 120d.

洗浄液供給路１２０ａは、一端がＤＩＷ供給源１２０ｂに接続され、他端がノズル４１ｆに接続される。バルブ１２０ｃおよび流量調整器１２０ｄは、洗浄液供給路１２０ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 One end of the cleaning liquid supply path 120a is connected to the DIW supply source 120b, and the other end is connected to the nozzle 41f. The valve 120c and the flow rate regulator 120d are provided in the cleaning liquid supply path 120a and are controlled by the control device 4.

図６Ｄに示す洗浄動作Ｓ３では、回転する回転保持部３１の下面に対してノズル４１ｆからＤＩＷを供給する。これにより、回転保持部３１の下面に付着した結晶を除去することができる。 In the cleaning operation S3 shown in FIG. 6D, DIW is supplied from the nozzle 41f to the lower surface of the rotating rotation holding portion 31. As a result, the crystals adhering to the lower surface of the rotation holding portion 31 can be removed.

同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、基板処理部３０の回転保持部３１の下面を次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、ノズル４１ｆに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１２１を備える。 Similarly, the return operation S4 is, for example, a process of co-washing the lower surface of the rotation holding unit 31 of the substrate processing unit 30 with the BHF of the next step. In this case, the processing unit 16 includes a processing liquid supply unit 121 that supplies the BHF of the next step to the nozzle 41f.

処理液供給部１２１は、処理液供給路１２１ａと、切替バルブ１２１ｂと、流量調整器１２１ｃとを備える。処理液供給路１２１ａは、一端が切替バルブ１２１ｂを介して貯留部７０ａ〜７０ｃにそれぞれ接続され、他端がノズル４１ｆに接続される。切替バルブ１２１ｂおよび流量調整器１２１ｃは、処理液供給路１２１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 The processing liquid supply unit 121 includes a processing liquid supply path 121a, a switching valve 121b, and a flow rate regulator 121c. One end of the processing liquid supply path 121a is connected to the storage portions 70a to 70c via the switching valve 121b, and the other end is connected to the nozzle 41f. The switching valve 121b and the flow rate regulator 121c are provided in the processing liquid supply path 121a and are controlled by the control device 4.

図６Ｄに示す復帰動作Ｓ４では、切替バルブ１２１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａ〜７０ｃのいずれかとノズル４１ｆとを接続し、次工程のＢＨＦをノズル４１ｆに供給する。そして、回転する回転保持部３１の下面に対してノズル４１ｆから次工程のＢＨＦを供給することより、回転保持部３１の下面に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。 In the return operation S4 shown in FIG. 6D, the switching valve 121b is controlled to connect any of the storage units 70a to 70c in which the BHF of the next step is stored to the nozzle 41f, and the BHF of the next step is supplied to the nozzle 41f. .. Then, by supplying the BHF of the next step from the nozzle 41f to the lower surface of the rotating rotation holding portion 31, the DIW adhering to the lower surface of the rotation holding portion 31 can be replaced with the BHF of the next step.

また、図６Ｅに示すように、洗浄動作Ｓ３は、たとえば、チャンバ２０内に設けられる待機部６５ａ〜６５ｃを洗浄する処理である。この場合、処理ユニット１６は、待機部６５ａ〜６５ｃに対して洗浄液を供給する洗浄液供給部１３０を備える。なお、以降においては、理解の容易のため、図６Ｅで図示する待機部６５ａに対する各動作について説明する。 Further, as shown in FIG. 6E, the cleaning operation S3 is, for example, a process of cleaning the standby portions 65a to 65c provided in the chamber 20. In this case, the processing unit 16 includes a cleaning liquid supply unit 130 that supplies the cleaning liquid to the standby units 65a to 65c. In the following, for the sake of easy understanding, each operation with respect to the standby unit 65a illustrated in FIG. 6E will be described.

洗浄液供給部１３０は、洗浄液供給路１３０ａと、ＤＩＷ供給源１３０ｂと、バルブ１３０ｃと、流量調整器１３０ｄとを備える。洗浄液供給路１３０ａは、一端がＤＩＷ供給源１３０ｂに接続され、他端が待機部６５ａに接続される。バルブ１３０ｃおよび流量調整器１３０ｄは、洗浄液供給路１３０ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 The cleaning liquid supply unit 130 includes a cleaning liquid supply path 130a, a DIW supply source 130b, a valve 130c, and a flow rate regulator 130d. One end of the cleaning liquid supply path 130a is connected to the DIW supply source 130b, and the other end is connected to the standby portion 65a. The valve 130c and the flow rate regulator 130d are provided in the cleaning liquid supply path 130a and are controlled by the control device 4.

図６Ｅに示す洗浄動作Ｓ３では、待機部６５ａにＤＩＷを所定時間貯留した後、待機部６５ａから排液路５９ａ（図３参照）にＤＩＷを排出する。これにより、待機部６５ａに付着した結晶を除去することができる。 In the cleaning operation S3 shown in FIG. 6E, the DIW is stored in the standby unit 65a for a predetermined time, and then the DIW is discharged from the standby unit 65a into the drainage channel 59a (see FIG. 3). As a result, the crystals adhering to the standby portion 65a can be removed.

同様に、復帰動作Ｓ４は、たとえば、チャンバ２０内に設けられる待機部６５ａを次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、処理ユニット１６は、待機部６５ａに次工程のＢＨＦを供給する処理液供給部１３１を備える。 Similarly, the return operation S4 is, for example, a process of co-washing the standby portion 65a provided in the chamber 20 with the BHF of the next step. In this case, the processing unit 16 includes a processing liquid supply unit 131 that supplies the BHF of the next step to the standby unit 65a.

処理液供給部１３１は、処理液供給路１３１ａと、バルブ１３１ｂと、流量調整器１３１ｃとを備える。処理液供給路１３１ａは、一端がバルブ１３１ｂを介して対応する貯留部７０ａに接続され、他端が待機部６５ａに接続される。バルブ１３１ｂおよび流量調整器１３１ｃは、処理液供給路１３１ａに設けられ、制御装置４によって制御される。 The processing liquid supply unit 131 includes a processing liquid supply path 131a, a valve 131b, and a flow rate regulator 131c. One end of the treatment liquid supply path 131a is connected to the corresponding storage unit 70a via a valve 131b, and the other end is connected to the standby unit 65a. The valve 131b and the flow rate regulator 131c are provided in the processing liquid supply path 131a and are controlled by the control device 4.

図６Ｅに示す復帰動作Ｓ４では、バルブ１３１ｂを制御して、次工程のＢＨＦが貯留される貯留部７０ａと待機部６５ａとを接続し、次工程のＢＨＦを待機部６５ａに供給する。 In the return operation S4 shown in FIG. 6E, the valve 131b is controlled to connect the storage unit 70a in which the BHF of the next process is stored and the standby unit 65a, and supply the BHF of the next process to the standby unit 65a.

そして、待機部６５ａに次工程のＢＨＦを所定時間貯留した後、待機部６５ａから次工程のＢＨＦを排液路５９ａに排出する。これにより、待機部６５ａに付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。 Then, after the BHF of the next step is stored in the standby section 65a for a predetermined time, the BHF of the next step is discharged from the standby section 65a to the drainage channel 59a. As a result, the DIW adhering to the standby portion 65a can be replaced with the BHF in the next step.

また、図６Ｆに示すように、チャンバ２０の内部には、ウェハＷの裏面に処理液などを吐出する裏面ノズル４７が配置される場合がある。裏面ノズル４７は、裏面供給部の一例である。裏面ノズル４７は、保持部材３１ａに保持されるウェハＷの裏面に向かい合うように設けられ、上向き方向に処理液などを吐出する。 Further, as shown in FIG. 6F, a back surface nozzle 47 for discharging a processing liquid or the like may be arranged on the back surface of the wafer W inside the chamber 20. The back surface nozzle 47 is an example of the back surface supply unit. The back surface nozzle 47 is provided so as to face the back surface of the wafer W held by the holding member 31a, and discharges the processing liquid or the like in the upward direction.

裏面ノズル４７は、処理液である第１〜第３のＢＨＦを吐出する処理液吐出口４７ａと、洗浄液であるＤＩＷを吐出する洗浄液吐出口４７ｂとを有する。かかる裏面ノズル４７が処理ユニット１６に設けられることにより、ウェハＷのおもて面だけでなくウェハＷの裏面もＢＨＦで液処理することができる。 The back surface nozzle 47 has a processing liquid discharge port 47a for discharging the first to third BHFs as the treatment liquid, and a cleaning liquid discharge port 47b for discharging the DIW which is the cleaning liquid. By providing the back surface nozzle 47 in the processing unit 16, not only the front surface of the wafer W but also the back surface of the wafer W can be liquid-treated with BHF.

図６Ｆの（ａ）に示す洗浄動作Ｓ３は、たとえば、保持部材３１ａにウェハＷが保持されていない状態で、ノズル４１ｄを裏面ノズル４７の中心部と外周部との間で往復させながら、ノズル４１ｄからＤＩＷを供給する。これにより、裏面ノズル４７に付着した結晶を除去することができる。 In the cleaning operation S3 shown in FIG. 6F (a), for example, the nozzle 41d is reciprocated between the central portion and the outer peripheral portion of the back surface nozzle 47 in a state where the wafer W is not held by the holding member 31a. DIW is supplied from 41d. As a result, the crystals adhering to the back surface nozzle 47 can be removed.

同様に、図６Ｆの（ｂ）に示す復帰動作Ｓ４は、たとえば、裏面ノズル４７を次工程のＢＨＦで共洗いする処理である。この場合、たとえば、保持部材３１ａにウェハＷが保持されていない状態で、ノズル４１ａ〜４１ｃのいずれか（図ではノズル４１ａ）を裏面ノズル４７の中心部と外周部との間で往復させながら、かかるノズルから次工程のＢＨＦを供給する。これにより、裏面ノズル４７に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。 Similarly, the return operation S4 shown in FIG. 6F (b) is, for example, a process of co-washing the back surface nozzle 47 with the BHF of the next step. In this case, for example, while the wafer W is not held by the holding member 31a, any of the nozzles 41a to 41c (nozzle 41a in the figure) is reciprocated between the central portion and the outer peripheral portion of the back surface nozzle 47 while reciprocating. The BHF of the next step is supplied from such a nozzle. As a result, the DIW adhering to the back surface nozzle 47 can be replaced with the BHF in the next step.

なお、裏面ノズル４７の洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４は、図６Ｆに示した例に限られない。たとえば、図６Ｇの（ａ）に示すように、洗浄液吐出口４７ｂから洗浄液であるＤＩＷを吐出し、かかるＤＩＷを裏面ノズル４７上でオーバーフローさせることにより、裏面ノズル４７の洗浄動作Ｓ３を行ってもよい。これにより、裏面ノズル４７に付着した結晶を除去することができる。 The cleaning operation S3 and the return operation S4 of the back surface nozzle 47 are not limited to the example shown in FIG. 6F. For example, as shown in FIG. 6G (a), the cleaning operation S3 of the back surface nozzle 47 may be performed by discharging the cleaning liquid DIW from the cleaning liquid discharge port 47b and overflowing the DIW on the back surface nozzle 47. Good. As a result, the crystals adhering to the back surface nozzle 47 can be removed.

そして、図６Ｇの（ｂ）に示すように、処理液吐出口４７ａから次工程のＢＨＦを吐出し、かかる次工程のＢＨＦを裏面ノズル４７上でオーバーフローさせることにより、裏面ノズル４７の復帰動作Ｓ４を行ってもよい。これにより、裏面ノズル４７に付着したＤＩＷを次工程のＢＨＦで置換することができる。 Then, as shown in FIG. 6G (b), the BHF of the next process is discharged from the processing liquid discharge port 47a, and the BHF of the next process overflows on the back surface nozzle 47, so that the back surface nozzle 47 returns. May be done. As a result, the DIW adhering to the back surface nozzle 47 can be replaced with the BHF in the next step.

また、図６Ｆに示した洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４と、図６Ｇに示した洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４とを組み合わせた洗浄レシピＳ２を実行してもよい。たとえば、ノズル４１ｄからＤＩＷを供給して洗浄動作Ｓ３を行った後に、裏面ノズル４７の処理液吐出口４７ａから次工程のＢＨＦを吐出して復帰動作Ｓ４を行ってもよい。 Further, the cleaning recipe S2 in which the cleaning operation S3 and the return operation S4 shown in FIG. 6F and the cleaning operation S3 and the return operation S4 shown in FIG. 6G are combined may be executed. For example, after the DIW is supplied from the nozzle 41d to perform the cleaning operation S3, the BHF of the next step may be discharged from the processing liquid discharge port 47a of the back surface nozzle 47 to perform the return operation S4.

同様に、裏面ノズル４７の洗浄液吐出口４７ｂからＤＩＷを吐出して洗浄動作Ｓ３を行った後に、ノズル４１ａ〜４１ｃのいずれかから次工程のＢＨＦを供給して復帰動作Ｓ４を行ってもよい。 Similarly, after the DIW is discharged from the cleaning liquid discharge port 47b of the back surface nozzle 47 to perform the cleaning operation S3, the BHF of the next step may be supplied from any of the nozzles 41a to 41c to perform the return operation S4.

なお、ここまで説明した各部における洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４において、制御部１８は、切替バルブ６３ａ〜６３ｃ（図３参照）を制御して、排液路５９ａ〜５９ｃに流れる排液をドレイン部ＤＲから外部に排出するとよい。 In the cleaning operation S3 and the return operation S4 in each part described so far, the control unit 18 controls the switching valves 63a to 63c (see FIG. 3) to drain the drainage flowing into the drainage passages 59a to 59c. It is good to discharge from the DR to the outside.

図７は、実施形態に係る復帰動作Ｓ４の時間とその後の処理レシピＳ１ｂにおけるエッチングレートの変化量との関係を示す図である。なお、図７には、待機部６５ａ〜６５ｃ（図６Ｅ参照）に対する復帰動作Ｓ４と、第１〜第３排液溝５８ａ〜５８ｃ（図６Ｂ参照）に対する復帰動作Ｓ４についてそれぞれ示している。 FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the time of the return operation S4 according to the embodiment and the amount of change in the etching rate in the subsequent processing recipe S1b. Note that FIG. 7 shows a return operation S4 for the standby units 65a to 65c (see FIG. 6E) and a return operation S4 for the first to third drainage grooves 58a to 58c (see FIG. 6B).

図７に示すように、復帰動作Ｓ４の時間が比較的短い場合、その後の処理レシピＳ１においてエッチングレートが大きく低下していることがわかる。これは、復帰動作Ｓ４の時間が比較的短い場合、洗浄動作Ｓ３で使用したＤＩＷが基板処理部３０や排液部５０に比較的多く残っていることから、その後の処理レシピＳ１ｂで回収されたＢＨＦにＤＩＷが混入し、再利用するＢＨＦの濃度が低下することが原因である。 As shown in FIG. 7, when the time of the return operation S4 is relatively short, it can be seen that the etching rate is significantly reduced in the subsequent processing recipe S1. This is because when the time of the return operation S4 is relatively short, a relatively large amount of DIW used in the cleaning operation S3 remains in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50, so that the DIW was recovered in the subsequent processing recipe S1b. The cause is that DIW is mixed in BHF and the concentration of BHF to be reused decreases.

一方で、図７に示すように、復帰動作Ｓ４の時間を長くとることにより、その後の処理レシピＳ１におけるエッチングレートを適正範囲に維持することができる。 On the other hand, as shown in FIG. 7, by lengthening the time of the return operation S4, the etching rate in the subsequent processing recipe S1 can be maintained in an appropriate range.

すなわち、洗浄動作Ｓ３および復帰動作Ｓ４において排液路５９ａ〜５９ｃに流れる排液をドレイン部ＤＲから外部に排出することにより、洗浄液であるＤＩＷや、このＤＩＷを含んだＢＨＦが貯留部７０ａ〜７０ｃに回収されることを抑制することができる。 That is, by discharging the drainage liquid flowing through the drainage passages 59a to 59c from the drain portion DR to the outside in the cleaning operation S3 and the return operation S4, the DIW which is the cleaning liquid and the BHF containing the DIW are stored in the storage portions 70a to 70c. It is possible to prevent the waste from being collected.

また、実施形態では、次工程のＢＨＦに応じた時間の復帰動作Ｓ４を実施することにより、再利用したＢＨＦを用いたとしても、その後の処理レシピＳ１ｂにおけるエッチングレートを適正範囲に維持することができる。 Further, in the embodiment, by carrying out the time return operation S4 according to the BHF of the next step, the etching rate in the subsequent processing recipe S1b can be maintained within an appropriate range even if the reused BHF is used. it can.

ここまで説明したように、実施形態によれば、回収されたＢＨＦの濃度低下を抑制することができることから、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。 As described above, according to the embodiment, it is possible to suppress the decrease in the concentration of the recovered BHF, so that the deterioration of the liquid treatment performance can be suppressed.

なお、上述の「次工程のＢＨＦに応じた時間の復帰動作Ｓ４」は、次工程の処理レシピＳ１ｂに含まれるＢＨＦの種類に応じて、この種類のＢＨＦに対応する洗浄レシピＳ２にあらかじめ含まれるとよい。すなわち、実施形態において、洗浄レシピＳ２は、かかる洗浄レシピＳ２の次工程の処理レシピＳ１ｂに基づいて選択されるとよい。 The above-mentioned "time return operation S4 according to the BHF of the next step" is included in advance in the cleaning recipe S2 corresponding to this type of BHF according to the type of BHF included in the processing recipe S1b of the next step. It is good. That is, in the embodiment, the cleaning recipe S2 may be selected based on the processing recipe S1b of the next step of the cleaning recipe S2.

たとえば、次工程の処理レシピＳ１ｂにおいて第１のＢＨＦが用いられる場合、制御部１８は、この第１のＢＨＦが復帰動作Ｓ４で使用される洗浄レシピＳ２を記憶部１９から読み出すとよい。この読み出された洗浄レシピＳ２には、第１のＢＨＦに応じた復帰動作Ｓ４の実行時間が含まれている。 For example, when the first BHF is used in the processing recipe S1b of the next step, the control unit 18 may read the cleaning recipe S2 used by the first BHF in the return operation S4 from the storage unit 19. The read cleaning recipe S2 includes the execution time of the return operation S4 according to the first BHF.

このように、次工程の処理レシピＳ１ｂに基づいて洗浄レシピＳ２を選択することにより、次工程の処理レシピＳ１ｂに用いるＢＨＦで基板処理部３０などが置換された状態で、次工程の液処理を開始することができる。したがって、実施形態によれば、処理レシピＳ１ｂで用いるＢＨＦを回収して再度使用する場合に、ＢＨＦの濃度が変化することを抑制することができることから、次工程の液処理を安定して実施することができる。 In this way, by selecting the cleaning recipe S2 based on the processing recipe S1b of the next step, the liquid treatment of the next step is performed in a state where the substrate processing unit 30 and the like are replaced by the BHF used for the processing recipe S1b of the next step. You can start. Therefore, according to the embodiment, when the BHF used in the treatment recipe S1b is recovered and used again, it is possible to suppress the change in the concentration of the BHF, so that the liquid treatment in the next step is stably carried out. be able to.

また、実施形態では、復帰動作Ｓ４において、ノズル４１ａ〜４１ｃのいずれか１つから共洗いのために次工程のＢＨＦの吐出する際に、吐出される次工程のＢＨＦを用いてウェハＷの液処理を実施してもよい。 Further, in the embodiment, when the BHF of the next step is discharged from any one of the nozzles 41a to 41c for co-washing in the return operation S4, the liquid of the wafer W is used by using the BHF of the next step to be discharged. The process may be carried out.

これにより、復帰動作Ｓ４の最中にウェハＷの液処理を実行することができることから、処理ユニット１６を早期に液処理に復帰させることができる。 As a result, the liquid treatment of the wafer W can be executed during the return operation S4, so that the processing unit 16 can be returned to the liquid treatment at an early stage.

＜各種変形例＞
つづいては、実施形態の各種変形例について、図８および図９を参照しながら説明する。図８は、実施形態の変形例１に係る基板処理システム１における処理の流れを説明するための図である。 <Various deformation examples>
Next, various modifications of the embodiment will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a diagram for explaining a processing flow in the substrate processing system 1 according to the first modification of the embodiment.

図８に示すように、変形例１に係る洗浄レシピＳ２は、洗浄動作Ｓ３と復帰動作Ｓ４との間にガスパージ動作Ｓ５を実行する点が実施形態と異なる。この変形例１において、処理ユニット１６は、基板処理部３０および排液部５０にガスをパージするガス供給部（図示せず）を有する。 As shown in FIG. 8, the cleaning recipe S2 according to the first modification is different from the embodiment in that the gas purging operation S5 is executed between the cleaning operation S3 and the return operation S4. In the first modification, the processing unit 16 has a gas supply unit (not shown) for purging the gas in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50.

そして、変形例１では、制御部１８（図１参照）が洗浄動作Ｓ３を実行した後、このガス供給部からガスを供給して基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをパージするガスパージ動作Ｓ５を実行する。 Then, in the first modification, after the control unit 18 (see FIG. 1) executes the cleaning operation S3, gas is supplied from the gas supply unit to purge the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50. The gas purge operation S5 is executed.

これにより、復帰動作Ｓ４の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷを少なくすることができる。したがって、実施形態によれば、復帰動作Ｓ４に必要となる時間を短くすることができることから、処理ユニット１６を早期に液処理に復帰させることができる。 As a result, the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 can be reduced before the return operation S4. Therefore, according to the embodiment, the time required for the return operation S4 can be shortened, so that the processing unit 16 can be returned to the liquid treatment at an early stage.

かかるガスパージ動作Ｓ５において、制御部１８は、ＤＩＷが滞留する部位にガスを供給するとよい。特に、処理ユニット１６内の可動部（たとえば、第１、第２液受部５５ａ、５５ｂ、第１、第２支持部材５６ａ、５７ａなど）では、狭い隙間にＤＩＷが入りこんで共洗いしても置換されにくいことから、この可動部の近傍にガスパージ動作Ｓ５を実施するとよい。 In the gas purging operation S5, the control unit 18 may supply gas to the portion where the DIW stays. In particular, in the movable parts (for example, the first and second liquid receiving parts 55a and 55b, the first and second support members 56a and 57a, etc.) in the processing unit 16, even if the DIW enters a narrow gap and is washed together. Since it is difficult to be replaced, it is preferable to carry out the gas purge operation S5 in the vicinity of the movable portion.

これにより、復帰動作Ｓ４の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをさらに少なくすることができる。 As a result, the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 can be further reduced before the return operation S4.

図９は、実施形態の変形例２に係る基板処理システム１における処理の流れを説明するための図である。変形例２に係る洗浄レシピＳ２では、復帰動作Ｓ４の際に、排液路５９ａ〜５９ｃ（図３参照）に流れる排液中のフッ酸濃度を濃度センサ６２ａ〜６２ｃ（図３参照）で検出する。 FIG. 9 is a diagram for explaining a processing flow in the substrate processing system 1 according to the second modification of the embodiment. In the cleaning recipe S2 according to the second modification, the concentration sensors 62a to 62c (see FIG. 3) detect the concentration of hydrofluoric acid in the drainage flowing through the drainage passages 59a to 59c (see FIG. 3) during the return operation S4. To do.

そして、制御部１８は、排液路５９ａ〜５９ｃに流れる排液中のフッ酸濃度が適正であるか否かを判定する判定動作Ｓ６を実施する。 Then, the control unit 18 executes a determination operation S6 for determining whether or not the hydrofluoric acid concentration in the drainage flowing in the drainage passages 59a to 59c is appropriate.

ここで、復帰動作Ｓ４によって基板処理部３０および排液部５０内のＤＩＷが次工程のＢＨＦに置換され、排液中のフッ酸濃度が適正である場合、制御部１８は、復帰動作Ｓ４を終了して次の処理レシピＳ１ｂを開始する。 Here, when the DIW in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 is replaced with the BHF in the next step by the return operation S4 and the hydrofluoric acid concentration in the drainage is appropriate, the control unit 18 performs the return operation S4. After finishing, the next processing recipe S1b is started.

この際、制御部１８は、切替バルブ６３ａ〜６３ｃ（図３参照）を制御して、排液路５９ａ〜５９ｃを流れる排液の排出経路を回収路６４ａ〜６４ｃ（図３参照）に切り替える。これにより、次工程のＢＨＦを回収しながら処理レシピＳ１ｂを実行することができる。 At this time, the control unit 18 controls the switching valves 63a to 63c (see FIG. 3) to switch the drainage path of the drainage flowing through the drainage passages 59a to 59c to the collection passages 64a to 64c (see FIG. 3). Thereby, the processing recipe S1b can be executed while collecting the BHF in the next step.

一方で、基板処理部３０および排液部５０内のＤＩＷが十分に置換されず、排液中のフッ酸濃度が適正ではない場合、制御部１８は、復帰動作Ｓ４を継続する。 On the other hand, if the DIW in the substrate processing section 30 and the drainage section 50 is not sufficiently replaced and the hydrofluoric acid concentration in the drainage is not appropriate, the control section 18 continues the return operation S4.

なおこの際、制御部１８は、切替バルブ６３ａ〜６３ｃを制御して、排液路５９ａ〜５９ｃを流れる排液の排出経路をドレイン部ＤＲで維持する。これにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることをさらに抑制することができる。 At this time, the control unit 18 controls the switching valves 63a to 63c to maintain the drainage path of the drainage flowing through the drainage passages 59a to 59c by the drainage unit DR. As a result, it is possible to further suppress the recovery of BHF mixed with DIW.

すなわち、図９に示す変形例２では、排液路５９ａ〜５９ｃに流れる排液中のフッ酸濃度を濃度センサ６２ａ〜６２ｃで検出しながら復帰動作Ｓ４を実行することにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることをさらに抑制することができる。 That is, in the second modification shown in FIG. 9, the BHF mixed with DIW is executed by executing the return operation S4 while detecting the concentration of hydrofluoric acid in the drainage flowing in the drainage passages 59a to 59c with the concentration sensors 62a to 62c. Can be further suppressed from being recovered.

この変形例２は、たとえば、各種のフッ酸濃度を有するＢＨＦのうち、フッ酸濃度の高いＢＨＦが次工程のＢＨＦである場合に適用することが好ましい。かかるフッ酸濃度の高いＢＨＦでは、微量のＤＩＷが混ざった場合にも、エッチングレートが大きく変化する。すなわち、フッ酸濃度の高いＢＨＦは、フッ酸濃度の低いＢＨＦに比べてＤＩＷに対する感度が高い。 This modification 2 is preferably applied, for example, when the BHF having a high hydrofluoric acid concentration is the BHF of the next step among the BHFs having various hydrofluoric acid concentrations. In such a BHF having a high hydrofluoric acid concentration, the etching rate changes significantly even when a small amount of DIW is mixed. That is, BHF having a high hydrofluoric acid concentration has a higher sensitivity to DIW than BHF having a low hydrofluoric acid concentration.

このように、ＤＩＷに対する感度が高いＢＨＦに対して、上記の判定動作Ｓ６を適用することにより、かかるＢＨＦの回収液にＤＩＷが混ざらないようにすることができることから、回収液を用いた液処理を安定して実施することができる。 As described above, by applying the above determination operation S6 to the BHF having high sensitivity to DIW, it is possible to prevent the DIW from being mixed with the recovered liquid of the BHF. Therefore, the liquid treatment using the recovered liquid Can be carried out stably.

さらに、フッ酸濃度の高いＢＨＦが次工程のＢＨＦである場合には、変形例２の判定動作Ｓ６に加えて、変形例１のガスパージ動作Ｓ５を適用することが好ましい。これにより、ＢＨＦに混入する可能性のあるＤＩＷの量自体をガスパージ動作Ｓ５で減らせることから、回収液を用いた液処理をさらに安定して実施することができる。 Further, when the BHF having a high hydrofluoric acid concentration is the BHF of the next step, it is preferable to apply the gas purging operation S5 of the modification 1 in addition to the determination operation S6 of the modification 2. As a result, the amount of DIW that may be mixed in the BHF can be reduced by the gas purging operation S5, so that the liquid treatment using the recovered liquid can be carried out more stably.

実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板処理部３０と、排液部５０と、制御部１８とを備える。基板処理部３０は、載置された基板（ウェハＷ）に処理液供給部から処理液を供給して液処理する。排液部５０は、処理液を貯留する貯留部７０ａ〜７０ｃに接続される回収路６４ａ〜６４ｃを有し、液処理に使用された処理液を排液する。制御部１８は、液処理の処理レシピＳ１と、基板処理部３０および排液部５０を洗浄する洗浄レシピＳ２とを実行する。また、制御部１８は、洗浄レシピＳ２として、洗浄液供給部から洗浄液を供給して基板処理部３０および排液部５０を洗浄する洗浄動作Ｓ３を実行した後、処理液供給部から処理液を供給して基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液を処理液に置換する復帰動作Ｓ４を実行する。これにより、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。 The substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment includes a substrate processing unit 30, a drainage unit 50, and a control unit 18. The substrate processing unit 30 supplies the processing liquid from the processing liquid supply unit to the mounted substrate (wafer W) for liquid treatment. The drainage unit 50 has recovery paths 64a to 64c connected to storage units 70a to 70c for storing the treatment liquid, and drains the treatment liquid used for the liquid treatment. The control unit 18 executes the liquid treatment processing recipe S1 and the cleaning recipe S2 for cleaning the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50. Further, the control unit 18 supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid supply unit as the cleaning recipe S2 after executing the cleaning operation S3 for cleaning the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50. Then, the return operation S4 for replacing the cleaning liquid adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 with the processing liquid is executed. As a result, it is possible to prevent deterioration of the liquid treatment performance.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、処理レシピＳ１は、基板（ウェハＷ）の処理順序および処理液の種類を含む。これにより、異なる種類の処理液にそれぞれ最適化された液処理を処理ユニット１６で実施することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the processing recipe S1 includes the processing order of the substrate (wafer W) and the type of the processing liquid. Thereby, the liquid treatment optimized for each of different types of treatment liquids can be carried out by the treatment unit 16.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、洗浄レシピＳ２は、処理レシピＳ１に含まれる処理液の種類に基づいて選択される。これにより、次工程の液処理を安定して実施することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the cleaning recipe S2 is selected based on the type of the processing liquid contained in the processing recipe S1. As a result, the liquid treatment in the next step can be stably carried out.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、洗浄レシピＳ２は、かかる洗浄レシピＳ２の次工程の処理レシピＳ１ｂに基づいて選択される。これにより、次工程の液処理を安定して実施することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the cleaning recipe S2 is selected based on the processing recipe S1b of the next step of the cleaning recipe S2. As a result, the liquid treatment in the next step can be stably carried out.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、排液部５０は、処理液を外部に排出するドレイン部ＤＲを有する。そして、制御部１８は、洗浄レシピＳ２を実行する間、排液路５９ａ〜５９ｃに流れる排液をドレイン部ＤＲから外部に排出する。これにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることを抑制することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the liquid draining unit 50 has a drain unit DR that discharges the processing liquid to the outside. Then, the control unit 18 discharges the drainage flowing through the drainage passages 59a to 59c from the drainage unit DR to the outside while executing the cleaning recipe S2. As a result, it is possible to suppress the recovery of BHF mixed with DIW.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、排液部５０は、処理液の濃度を検出する濃度センサ６２ａ〜６２ｃを有する。そして、制御部１８は、濃度センサ６２ａ〜６２ｃで検出される処理液の濃度に基づいて、復帰動作Ｓ４を終了する。これにより、ＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることをさらに抑制することができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the drainage unit 50 has concentration sensors 62a to 62c for detecting the concentration of the processing liquid. Then, the control unit 18 ends the return operation S4 based on the concentration of the processing liquid detected by the concentration sensors 62a to 62c. As a result, it is possible to further suppress the recovery of BHF mixed with DIW.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板処理部３０および排液部にガスを供給するガス供給部を備える。そして、制御部１８は、洗浄動作Ｓ３を実行した後、ガスを供給して基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液をパージするガスパージ動作Ｓ５を実行する。これにより、処理ユニット１６を早期に液処理に復帰させることができる。 Further, the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment includes a substrate processing unit 30 and a gas supply unit that supplies gas to the drainage unit. Then, after executing the cleaning operation S3, the control unit 18 executes a gas purging operation S5 that supplies gas to purge the cleaning liquid adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50. As a result, the processing unit 16 can be returned to the liquid treatment at an early stage.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、ガスパージ動作Ｓ５として、洗浄液が滞留する部位にガスを供給する。これにより、復帰動作Ｓ４の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液をさらに少なくすることができる。 Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the control unit 18 supplies gas to a portion where the cleaning liquid stays as the gas purge operation S5. As a result, the amount of cleaning liquid adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 can be further reduced before the return operation S4.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、処理液供給部が待機する待機部６５ａ〜６５ｃを備え、待機部６５ａ〜６５ｃの排液路は、排液部５０の排液路５９ａ〜５９ｃに接続される。そして、制御部１８は、待機部６５ａ〜６５ｃについて、基板処理部３０と同様の洗浄レシピＳ２を実行する。これにより、待機部６５ａ〜６５ｃに付着するＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることを抑制することができる。 Further, the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment includes standby units 65a to 65c on which the processing liquid supply unit stands by, and the drainage passage of the standby units 65a to 65c is the drainage of the drainage unit 50. It is connected to roads 59a to 59c. Then, the control unit 18 executes the same cleaning recipe S2 as the substrate processing unit 30 for the standby units 65a to 65c. As a result, it is possible to suppress the recovery of BHF mixed with DIW adhering to the standby portions 65a to 65c.

また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板（ウェハＷ）の裏面側に処理液を吐出する裏面供給部（裏面ノズル４７）を備える。そして、制御部１８は、裏面供給部（裏面ノズル４７）に洗浄レシピＳ２を実行する。これにより、裏面ノズル４７に付着するＤＩＷが混ざったＢＨＦが回収されることを抑制することができる。 Further, the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment includes a back surface supply unit (back surface nozzle 47) for discharging the processing liquid on the back surface side of the substrate (wafer W). Then, the control unit 18 executes the cleaning recipe S2 on the back surface supply unit (back surface nozzle 47). As a result, it is possible to prevent the BHF mixed with the DIW adhering to the back surface nozzle 47 from being collected.

＜基板処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。 <Procedure for substrate processing>
Subsequently, the procedure of substrate processing according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a flowchart showing a substrate processing procedure executed by the substrate processing system 1 according to the embodiment.

最初に、制御部１８は、次に実行予定の処理レシピＳ１ｂに基づいて、洗浄レシピＳ２を選択する洗浄レシピ選択処理を実施する（ステップＳ１０１）。たとえば、制御部１８は、次に実行予定の処理レシピＳ１ｂに含まれる次工程のＢＨＦと、同じ種類のＢＨＦが含まれる洗浄レシピＳ２を選択する。 First, the control unit 18 executes a cleaning recipe selection process for selecting the cleaning recipe S2 based on the processing recipe S1b scheduled to be executed next (step S101). For example, the control unit 18 selects the BHF of the next step included in the processing recipe S1b to be executed next and the cleaning recipe S2 containing the same type of BHF.

ここで、選択された洗浄レシピＳ２がレシピＡである場合（ステップＳ１０２，レシピＡ）、制御部１８は、選択されたレシピＡに基づいて、洗浄処理を実施する（ステップＳ１０３）。かかるレシピＡは、たとえば、次工程のＢＨＦが第１のＢＨＦである場合の洗浄レシピＳ２である。 Here, when the selected cleaning recipe S2 is the recipe A (step S102, recipe A), the control unit 18 carries out the cleaning process based on the selected recipe A (step S103). Such recipe A is, for example, cleaning recipe S2 when the BHF of the next step is the first BHF.

また、このステップＳ１０３は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給し、基板処理部３０および排液部５０をこのＤＩＷで洗浄する処理である。かかるステップＳ１０３により、基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。 Further, in step S103, DIW, which is a cleaning liquid, is supplied from the cleaning liquid supply unit (for example, the nozzle 41d), and the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 are cleaned with this DIW. By such step S103, crystals caused by BHF adhering to the substrate processing section 30 and the drainage section 50 can be removed.

次に、制御部１８は、選択されたレシピＡに基づいて、次工程のＢＨＦを処理液供給部から供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをＢＨＦに置換する復帰処理を実施する（ステップＳ１０４）。これにより、基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ〜７０ｃに回収されることを抑制することができる。 Next, the control unit 18 supplies the BHF of the next step from the processing liquid supply unit based on the selected recipe A, and replaces the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 with BHF. (Step S104). As a result, it is possible to prevent the DIW remaining in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 from being collected in the storage units 70a to 70c.

そして、ステップＳ１０４の処理が予めレシピＡにおいて定められた時間実施され、かかる処理が終了すると、制御部１８は、一連の処理を終了する。 Then, the process of step S104 is executed for a time predetermined in the recipe A in advance, and when the process is completed, the control unit 18 ends a series of processes.

一方で、ステップＳ１０１において選択された洗浄レシピＳ２がレシピＢである場合（ステップＳ１０２，レシピＢ）、制御部１８は、選択されたレシピＢに基づいて、洗浄処理を実施する（ステップＳ１０５）。かかるレシピＢは、たとえば、次工程のＢＨＦが第２のＢＨＦである場合の洗浄レシピＳ２である。 On the other hand, when the cleaning recipe S2 selected in step S101 is recipe B (step S102, recipe B), the control unit 18 carries out the cleaning process based on the selected recipe B (step S105). Such recipe B is, for example, cleaning recipe S2 when the BHF of the next step is the second BHF.

また、このステップＳ１０５は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給し、基板処理部３０および排液部５０をこのＤＩＷで洗浄する処理である。かかるステップＳ１０５により、基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。 Further, in step S105, DIW, which is a cleaning liquid, is supplied from a cleaning liquid supply unit (for example, nozzle 41d), and the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 are cleaned with this DIW. By step S105, crystals caused by BHF adhering to the substrate processing section 30 and the drainage section 50 can be removed.

次に、制御部１８は、選択されたレシピＢに基づいて、処理ユニット１６内に設けられるガス供給部からガスを供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをパージするガスパージ処理を実施する（ステップＳ１０６）。これにより、次に実施する復帰処理の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷを少なくすることができる。 Next, the control unit 18 supplies gas from the gas supply unit provided in the processing unit 16 based on the selected recipe B, and purges the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50. Gas purge The process is carried out (step S106). As a result, the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 can be reduced before the return processing to be performed next.

次に、制御部１８は、選択されたレシピＢに基づいて、次工程のＢＨＦを処理液供給部から供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをＢＨＦに置換する復帰処理を実施する（ステップＳ１０７）。これにより、基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ〜７０ｃに回収されることを抑制することができる。 Next, the control unit 18 supplies the BHF of the next step from the processing liquid supply unit based on the selected recipe B, and replaces the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 with BHF. (Step S107). As a result, it is possible to prevent the DIW remaining in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 from being collected in the storage units 70a to 70c.

そして、ステップＳ１０７の処理が予めレシピＢにおいて定められた時間実施され、かかる処理が終了すると、制御部１８は、一連の処理を終了する。 Then, the process of step S107 is executed for a time predetermined in the recipe B in advance, and when the process is completed, the control unit 18 ends a series of processes.

また、ステップＳ１０１において選択された洗浄レシピＳ２がレシピＣである場合（ステップＳ１０２，レシピＣ）、制御部１８は、選択されたレシピＣに基づいて、洗浄処理を実施する（ステップＳ１０８）。かかるレシピＣは、たとえば、次工程のＢＨＦが第３のＢＨＦである場合の洗浄レシピＳ２である。 If the cleaning recipe S2 selected in step S101 is recipe C (step S102, recipe C), the control unit 18 performs a cleaning process based on the selected recipe C (step S108). Such recipe C is, for example, cleaning recipe S2 when the BHF of the next step is the third BHF.

また、このステップＳ１０８は、洗浄液供給部（たとえば、ノズル４１ｄ）から洗浄液であるＤＩＷを供給し、基板処理部３０および排液部５０をこのＤＩＷで洗浄する処理である。かかるステップＳ１０８により、基板処理部３０および排液部５０に付着したＢＨＦに起因する結晶を除去することができる。 Further, in step S108, a DIW which is a cleaning liquid is supplied from a cleaning liquid supply unit (for example, the nozzle 41d), and the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 are cleaned by this DIW. By step S108, crystals caused by BHF adhering to the substrate processing section 30 and the drainage section 50 can be removed.

次に、制御部１８は、選択されたレシピＣに基づいて、処理ユニット１６内に設けられるガス供給部からガスを供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをパージするガスパージ処理を実施する（ステップＳ１０９）。これにより、次に実施する復帰処理の前に、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷを少なくすることができる。 Next, the control unit 18 supplies gas from the gas supply unit provided in the processing unit 16 based on the selected recipe C, and purges the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50. Gas purge The process is carried out (step S109). As a result, the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 can be reduced before the return processing to be performed next.

次に、制御部１８は、選択されたレシピＣに基づいて、次工程のＢＨＦを処理液供給部から供給し、基板処理部３０および排液部５０に付着するＤＩＷをＢＨＦに置換する復帰処理を実施する（ステップＳ１１０）。これにより、基板処理部３０や排液部５０に残るＤＩＷが、貯留部７０ａ〜７０ｃに回収されることを抑制することができる。 Next, the control unit 18 supplies the BHF of the next step from the processing liquid supply unit based on the selected recipe C, and replaces the DIW adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 with the BHF. (Step S110). As a result, it is possible to prevent the DIW remaining in the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 from being collected in the storage units 70a to 70c.

次に、制御部１８は、排液路５９ａ〜５９ｃに流れる排液中のフッ酸濃度が適正であるか否かを判定する（ステップＳ１１１）。 Next, the control unit 18 determines whether or not the concentration of hydrofluoric acid in the drainage flowing in the drainage passages 59a to 59c is appropriate (step S111).

そして、排液中のフッ酸濃度が適正である場合（ステップＳ１１１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、一連の処理を終了する。一方で、排液中のフッ酸濃度が適正ではない場合（ステップＳ１１１，Ｎｏ）、制御部１８は、ステップＳ１１０の処理を継続する。 Then, when the hydrofluoric acid concentration in the drainage is appropriate (steps S111, Yes), the control unit 18 ends a series of processes. On the other hand, if the hydrofluoric acid concentration in the drainage is not appropriate (steps S111, No), the control unit 18 continues the process of step S110.

ここまで説明したように、実施形態に係る基板処理方法では、処理レシピＳ１ｂに応じて洗浄レシピＳ２（レシピＡ〜レシピＣ）を選択することにより、処理レシピＳ１ｂで用いられるＢＨＦの種類に応じた最適な洗浄処理を実施することができる。 As described above, in the substrate processing method according to the embodiment, by selecting the cleaning recipe S2 (recipe A to recipe C) according to the processing recipe S1b, it corresponds to the type of BHF used in the processing recipe S1b. Optimal cleaning treatment can be carried out.

実施形態に係る基板処理方法は、液処理工程と、洗浄工程とを含む。液処理工程は、基板処理部３０に載置された基板（ウェハＷ）に処理液供給部（ノズル４１ａ〜４１ｃ）から処理液を供給するとともに、使用された処理液を排液部５０から貯留部７０ａ〜７０ｃに回収する処理レシピＳ１を実行する。洗浄工程は、液処理工程の際に基板処理部３０および排液部５０に付着した処理液を洗浄する洗浄レシピＳ２を実行する。洗浄工程は、洗浄液を供給して基板処理部３０および排液部を洗浄する洗浄動作Ｓ３と、処理液を供給して基板処理部３０および排液部５０に付着する洗浄液を処理液に置換する復帰動作Ｓ４と、を含む。これにより、液処理の性能が悪化することを抑制することができる。 The substrate treatment method according to the embodiment includes a liquid treatment step and a cleaning step. In the liquid treatment step, the treatment liquid is supplied from the treatment liquid supply unit (nozzles 41a to 41c) to the substrate (wafer W) placed on the substrate processing unit 30, and the used treatment liquid is stored from the drainage unit 50. The processing recipe S1 to be collected in the parts 70a to 70c is executed. In the cleaning step, the cleaning recipe S2 for cleaning the processing liquid adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 during the liquid treatment step is executed. In the cleaning step, the cleaning operation S3 for supplying the cleaning liquid to clean the substrate processing unit 30 and the drainage unit and the cleaning liquid for supplying the treatment liquid and adhering to the substrate processing unit 30 and the drainage unit 50 are replaced with the treatment liquid. The return operation S4 and the like are included. As a result, it is possible to prevent deterioration of the liquid treatment performance.

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、洗浄液にＤＩＷを用い、処理液にＢＨＦを用いた場合について示したが、実施形態に係る洗浄液および処理液はかかる例に限られない。 Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit of the present disclosure. For example, in the above embodiment, the case where DIW is used as the cleaning liquid and BHF is used as the treatment liquid is shown, but the cleaning liquid and the treatment liquid according to the embodiment are not limited to such an example.

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Further, the above-described embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims and the purpose thereof.

Ｗ ウェハ（基板の一例）
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板処理部
４１ａ〜４１ｃ ノズル（処理液供給部の一例）
５０ 排液部
５９ａ〜５９ｃ 排液路
６２ａ〜６２ｃ 濃度センサ
６４ａ〜６４ｃ 回収路
６５ａ〜６５ｃ 待機部
７０ａ〜７０ｃ 貯留部
Ｓ１、Ｓ１ａ、Ｓ１ｂ 処理レシピ
Ｓ２ 洗浄レシピ
Ｓ３ 洗浄動作
Ｓ４ 復帰動作
Ｓ５ ガスパージ動作 W wafer (example of substrate)
1 Substrate processing system (an example of substrate processing equipment)
16 Processing unit 18 Control unit 30 Substrate processing unit 41a to 41c Nozzles (Example of processing liquid supply unit)
50 Drainage section 59a to 59c Drainage path 62a to 62c Concentration sensor 64a to 64c Recovery path 65a to 65c Standby section 70a to 70c Storage section S1, S1a, S1b Processing recipe S2 Cleaning recipe S3 Cleaning operation S4 Return operation S5 Gas purge operation

Claims (11)

載置された基板に処理液供給部から処理液を供給して液処理する基板処理部と、
前記処理液を貯留する貯留部に接続される回収路を有し、前記液処理に使用された前記処理液を排液する排液部と、
前記液処理の処理レシピと、前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄レシピとを実行する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記洗浄レシピとして、洗浄液供給部から洗浄液を供給して前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄動作を実行した後、前記処理液供給部から前記処理液を供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液を前記処理液に置換する復帰動作を実行する
基板処理装置。 A substrate processing unit that supplies a processing liquid from a processing liquid supply unit to the mounted substrate for liquid treatment,
A drainage unit having a collection path connected to a storage unit for storing the treatment liquid and draining the treatment liquid used for the liquid treatment, and a drainage unit.
A control unit that executes a processing recipe for the liquid treatment, a cleaning recipe for cleaning the substrate processing unit and the drainage unit, and a control unit.
With
As the cleaning recipe, the control unit supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid supply unit, executes a cleaning operation for cleaning the substrate processing unit and the drainage unit, and then supplies the treatment liquid from the processing liquid supply unit. A substrate processing apparatus that executes a return operation of replacing the cleaning liquid adhering to the substrate processing unit and the drainage unit with the processing liquid. 前記処理レシピは、前記基板の処理順序および前記処理液の種類を含む
請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing recipe includes a processing sequence of the substrate and a type of the processing liquid. 前記洗浄レシピは、前記処理レシピに含まれる前記処理液の種類に基づいて選択される
請求項２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the cleaning recipe is selected based on the type of the processing liquid contained in the processing recipe. 前記洗浄レシピは、当該洗浄レシピの次工程の前記処理レシピに基づいて選択される
請求項３に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the cleaning recipe is selected based on the processing recipe in the next step of the cleaning recipe. 前記排液部は、前記処理液を外部に排出するドレイン部を有し、
前記制御部は、前記洗浄レシピを実行する間、前記排液部に流れる排液を前記ドレイン部から外部に排出する
請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The drainage unit has a drainage unit for discharging the treatment liquid to the outside.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the control unit discharges the drainage flowing to the drainage unit to the outside while executing the cleaning recipe. 前記排液部は、前記処理液の濃度を検出する濃度センサを有し、
前記制御部は、前記濃度センサで検出される前記処理液の濃度に基づいて、前記復帰動作を終了する
請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The drainage unit has a concentration sensor that detects the concentration of the treatment liquid.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the control unit terminates the return operation based on the concentration of the processing liquid detected by the concentration sensor. 前記基板処理部および前記排液部にガスを供給するガス供給部を備え、
前記制御部は、前記洗浄動作を実行した後、前記ガスを供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液をパージするガスパージ動作を実行する
請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A gas supply unit for supplying gas to the substrate processing unit and the drainage unit is provided.
Any one of claims 1 to 6, wherein the control unit executes the cleaning operation, and then executes the gas purging operation of supplying the gas to purge the cleaning liquid adhering to the substrate processing unit and the drainage unit. The substrate processing apparatus according to 1. 前記制御部は、前記ガスパージ動作として、前記洗浄液が滞留する部位に前記ガスを供給する
請求項７に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the control unit supplies the gas to a portion where the cleaning liquid stays as the gas purging operation. 前記処理液供給部が待機する待機部を備え、
前記待機部の排液路は、前記排液部の排液路に接続され、
前記制御部は、前記待機部について、前記基板処理部と同様の前記洗浄レシピを実行する
請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The processing liquid supply unit is provided with a standby unit on standby.
The drainage passage of the standby portion is connected to the drainage passage of the drainage portion.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the control unit executes the cleaning recipe similar to the substrate processing unit for the standby unit. 前記基板の裏面側に前記処理液を吐出する裏面供給部を備え、
前記制御部は、前記裏面供給部に前記洗浄レシピを実行する
請求項１〜９のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A back surface supply unit for discharging the treatment liquid is provided on the back surface side of the substrate.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the control unit executes the cleaning recipe on the back surface supply unit. 基板処理部に載置された基板に処理液供給部から処理液を供給するとともに、使用された前記処理液を排液部から貯留部に回収する処理レシピを実行する液処理工程と、
前記液処理工程の際に前記基板処理部および前記排液部に付着した前記処理液を洗浄する洗浄レシピを実行する洗浄工程と、
を含み、
前記洗浄工程は、
洗浄液を供給して前記基板処理部および前記排液部を洗浄する洗浄動作と、前記処理液を供給して前記基板処理部および前記排液部に付着する前記洗浄液を前記処理液に置換する復帰動作と、を含む
基板処理方法。 A liquid treatment step of supplying the treatment liquid from the treatment liquid supply unit to the substrate placed on the substrate processing unit and executing a processing recipe for collecting the used treatment liquid from the drainage unit to the storage unit.
A cleaning step of executing a cleaning recipe for cleaning the treatment liquid adhering to the substrate processing portion and the drainage portion during the liquid treatment step, and a cleaning step of executing the cleaning recipe.
Including
The cleaning step is
A cleaning operation in which a cleaning liquid is supplied to clean the substrate processing unit and the drainage unit, and a return in which the treatment liquid is supplied to replace the cleaning liquid adhering to the substrate processing unit and the drainage unit with the treatment liquid. Operation and board processing methods, including.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114914167A (en) * 2022-07-11 2022-08-16 广州粤芯半导体技术有限公司 Cleaning solution monitoring method and system
WO2023058317A1 (en) * 2021-10-08 2023-04-13 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing device and substrate processing method
WO2024048122A1 (en) * 2022-08-29 2024-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate treatment device and substrate treatment method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230050871A (en) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 Apparatus and method of substrate processing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269743A (en) * 2005-03-24 2006-10-05 Seiko Epson Corp Chemicals processor and manufacturing method for semiconductor device
JP2009195835A (en) * 2008-02-22 2009-09-03 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus, washing method, and storage medium
JP2013175552A (en) * 2012-02-24 2013-09-05 Tokyo Electron Ltd Process liquid exchange method and substrate processing apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4982453B2 (en) 2008-09-03 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 Treatment liquid supply mechanism, liquid treatment apparatus, and treatment liquid supply method
JP5913167B2 (en) 2012-07-26 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and cleaning method
JP2015117156A (en) * 2013-12-18 2015-06-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and method for detecting abnormality of ozone gas concentration
JP6359925B2 (en) 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
JP6762184B2 (en) 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Recovery pipe cleaning method and substrate processing equipment
JP7096004B2 (en) 2018-02-07 2022-07-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing method and board processing equipment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269743A (en) * 2005-03-24 2006-10-05 Seiko Epson Corp Chemicals processor and manufacturing method for semiconductor device
JP2009195835A (en) * 2008-02-22 2009-09-03 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus, washing method, and storage medium
JP2013175552A (en) * 2012-02-24 2013-09-05 Tokyo Electron Ltd Process liquid exchange method and substrate processing apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023058317A1 (en) * 2021-10-08 2023-04-13 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing device and substrate processing method
CN114914167A (en) * 2022-07-11 2022-08-16 广州粤芯半导体技术有限公司 Cleaning solution monitoring method and system
WO2024048122A1 (en) * 2022-08-29 2024-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate treatment device and substrate treatment method

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