JP2021071329A - プラズモニックセンサ用の部材およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 71
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 71
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 37
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 35
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 33
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 89
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 48
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 41
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 23
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 241000282341 Mustela putorius furo Species 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 6
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 108010074051 C-Reactive Protein Proteins 0.000 description 5
- 102100032752 C-reactive protein Human genes 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000427 antigen Substances 0.000 description 4
- 102000036639 antigens Human genes 0.000 description 4
- 108091007433 antigens Proteins 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002953 phosphate buffered saline Substances 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003018 immunoassay Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091003079 Bovine Serum Albumin Proteins 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQTADLQHYWFPDB-UHFFFAOYSA-N N-Hydroxysuccinimide Chemical compound ON1C(=O)CCC1=O NQTADLQHYWFPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001363516 Plusia festucae Species 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229940098773 bovine serum albumin Drugs 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- LOKCTEFSRHRXRJ-UHFFFAOYSA-I dipotassium trisodium dihydrogen phosphate hydrogen phosphate dichloride Chemical compound P(=O)(O)(O)[O-].[K+].P(=O)(O)([O-])[O-].[Na+].[Na+].[Cl-].[K+].[Cl-].[Na+] LOKCTEFSRHRXRJ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- DCPMPXBYPZGNDC-UHFFFAOYSA-N hydron;methanediimine;chloride Chemical compound Cl.N=C=N DCPMPXBYPZGNDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- GWOLZNVIRIHJHB-UHFFFAOYSA-N 11-mercaptoundecanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCCCS GWOLZNVIRIHJHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000560 biocompatible material Substances 0.000 description 1
- 239000013060 biological fluid Substances 0.000 description 1
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004624 perflexane Drugs 0.000 description 1
- ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N perfluorohexane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004416 surface enhanced Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
〔1〕プラズモニックセンサ用の部材であって、
当該部材は、高分子材料製の基板を有し、該基板は一方の主面に微細凹凸を有し、
前記微細凹凸は、所定の波長の光を受けた場合に局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態の凹凸であり、
前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面は、ドライエッチングによって粗面化された面となっており、かつ、
当該部材は、前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面上に形成された金属膜を有する、
前記プラズモニックセンサ用の部材。
〔2〕前記微細凹凸が、前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸を前記高分子材料製のシートの一方の主面に転写することによって形成されたものである、上記〔1〕に記載のプラズモニックセンサ用の部材。
〔3〕前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸が、アルミニウム板の一方の主面に陽極酸化処理を施すことによって形成されたナノポーラス構造である、上記〔2〕に記載のプラズモニックセンサ用の部材。
〔4〕前記高分子材料がシクロオレフィンポリマーである、上記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のプラズモニックセンサ用の部材。
〔5〕前記ドライエッチングが酸素プラズマエッチングである、上記〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のプラズモニックセンサ用の部材。
〔6〕前記金属膜が、スパッタリングによって形成されたAu膜である、上記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のプラズモニックセンサ用の部材。
〔7〕上記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載のプラズモニックセンサ用の部材の製造方法であって、
高分子材料製の基板の一方の主面に微細凹凸を形成する、微細凹凸形成工程を有し、前記微細凹凸は、所定の波長の光を受けた場合に局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態の凹凸であり、
前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面をドライエッチングによって粗面化する、ドライエッチング工程を有し、かつ、
前記ドライエッチング工程の後において、前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面上に金属膜を形成する、金属膜形成工程を有する、
前記製造方法。
〔8〕前記微細凹凸形成工程では、前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸を、前記高分子材料製のシートの一方の主面に転写することによって、前記微細凹凸を形成する、上記〔7〕に記載の製造方法。
〔9〕前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸が、アルミニウム板の一方の主面に陽極酸化処理を施すことによって形成されたナノポーラス構造である、上記〔7〕または〔8〕に記載の製造方法。
〔10〕前記高分子材料がシクロオレフィンポリマーである、上記〔7〕〜〔9〕のいずれかに記載の製造方法。
〔11〕前記ドライエッチングが酸素プラズマエッチングである、上記〔7〕〜〔10〕のいずれかに記載の製造方法。
〔12〕前記金属膜が、スパッタリングによって形成されたAu膜である、上記〔7〕〜〔11〕のいずれかに記載の製造方法。
また、ドライエッチング前の面は、微細凹凸のうち主として凸部の表面であって、けっして平坦な面ではない。図12(a)のSEM写真図に示されるように、ドライエッチング前の凸部は、不定の外周形状を有し、かつ、各凸部の表面は、総じて凸状を呈しながらも、不定の凹凸状態になった面である。
局在表面プラズモン共鳴が発生するための重要な部分は、主として微細凹凸のうちの凸部の表面である。
図1(c)に構造の一例を示すように、当該部材10は、高分子材料製の基板1を有する。該基板1は、その両主面(1a、1b)のうち、少なくとも一方の主面1aに微細凹凸2を有する。図の例では、好ましい態様として、一方の主面1aだけに微細凹凸2が設けられている。微細凹凸2は、多数の微小な凸部2aが多数集合して構成されたものであり、隣合った凸部2a同士の間の部分が微小な凹部2bとなっている。図1の例では、微小な凹部は、各凸部の周囲を取り巻きながらネットワークのように互いに1つにつながっている。微細凹凸2は、所定の波長の光(以下、照射光ともいう)を受けた場合に局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態を有する凹凸である(局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態については後述する)。図1(b)に示すように、微細凹凸2のうちの少なくとも凸部2aの表面は、ドライエッチングを受けたことによって粗面化された面となっている。即ち、少なくとも凸部2aの表面には、ドライエッチングによって多数の極微小な凹部3が形成されている。そして、図1(c)に示すように、微細凹凸2のうちの少なくとも凸部2aの表面(前記の粗面化された面)上に金属膜4が設けられて、当該部材10となっている。
基板に用いられる高分子材料は、特に限定はされないが、後述の型を用いた転写を行う点からは、熱可塑性樹脂が好ましく、シクロオレフィンポリマー、ポリエステル(ポリエチレンテレフタレート)、アクリル(ポリメタクリル酸メチル樹脂)、ポリスチレン、ポリエチレンなどが挙げられる。低吸水性、高透明性、精密成形性、耐薬品性、低不純物などの点からは、前記シクロオレフィンポリマーが好ましい材料として挙げられる。
微細凹凸を含んだ基板全体の厚さは、特に限定はされないが、後述のセンサを構成するためのチップ(センサチップ)として用いる点や、取扱い上の点からは、13μm〜5000μm程度が挙げられ、当該部材を用いて構成される種々のプラズモニックセンサに応じた厚さが適宜決定され得る。微細凹凸の凸部の高さは一定ではないので、前記基板全体の厚さは、基板の裏面から各凸部の頂部までの距離の平均値であってよい(測定すべき凸部の数は適宜決定してよい)。
基板の外周形状は、当該部材の外周形状でもある。基板の外周形状は、特に限定はされず、円形、正方形、長方形などが挙げられ、当該部材を用いて構成される種々のプラズモニックセンサに応じた形状が適宜決定され得る。
基板の外周形状の寸法は、センサチップが1以上得られる寸法が好ましい。該センサチップの外周形状とその寸法は、構成すべきプラズモニックセンサによっても異なるが、円形(直径20μm〜1000μm程度)、正方形(一辺の長さ20μm〜1000μm程度)などが例示される。
局在表面プラズモン共鳴が発生するためには、微細凹凸の表面の少なくとも凸部の表面上にさらに金属膜が設けられることが必要である。よって、本発明において「局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態の凹凸」とは、金属膜がさらに設けられた状態で照射光を受けた場合に、局在表面プラズモン共鳴が発生するような形態(形状、寸法、分布(配置パターンや隣合った凸部同士の中心間距離など))となっている凹凸である。そのような「局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態の凹凸」は、従来公知のプラズモニックセンサに用いられる微細凹凸を参照することができる。
基板面を見たときの微細凹凸の凸部の配置パターン(分散配置の形態)は、特に限定はされず、ドット状、ストライプ状、格子状、網状などであってよい。ドット状の配置パターンとは、多数のスポット状(単発的な島状)の凸部が、正方行列状、最密状またはランダム状に配置されたパターンである。後述のナノピラー構造は、スポット状の凸部が最密状に近い状態(整列が乱れてランダム状となっている部分を含む)に配置されたパターンであり、局在表面プラズモン共鳴を発生させるためには特に好ましいパターンである。
微細凹凸の形成方法は、特に限定はされず、従来公知のリソグラフィー、レーザー加工、電子ビーム加工、エッチング処理、ナノインプリント(転写)などを用いて、局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要なサイズの凹凸を形成することができる。
これらの微細凹凸の形成方法のなかでも、本発明では、安価に微細凹凸が得られるナノインプリントを推奨する。ナノインプリントでは、微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸が、上記した高分子材料製のシートの一方の主面に転写されて、該微細凹凸が形成される。そして、本発明では、ナノインプリントの型として用いる反転微細凹凸として、アルミニウム板の一方の主面に陽極酸化処理を施すことによって形成されたナノポーラス構造を用いることを推奨する。このナノポーラス構造およびその製造方法については、上記特許文献3など従来技術を参照することができる。特許文献3では、ナノポーラス構造を「陽極酸化ポーラスアルミナ」と呼んでいる。
ナノポーラス構造を形成するための、アルミニウム板の主面に対する陽極酸化処理では、図2に例示するように、処理槽100内の電解液(リン酸、硫酸、シュウ酸、クロム酸など)110に、陽極130としてアルミニウム板を浸漬し、陰極120として例えばチタンを浸漬する。アルミニウム板の両面のうち陽極酸化処理を行わない面は、必要に応じて適宜保護してもよい。
微細凹凸構造の転写工程では、図5(a)に示すように、上記したナノポーラス板133を型として用い(即ち、ナノポーラス構造を反転微細凹凸として用い)、反転微細凹凸を高分子材料140に転写する。その後、型を除去することで、図5(b)に示すように、微細な多数の凸部(ナノピラー)141が集合した微細凹凸を有してなる高分子材料製の基板が得られる。この基板が、図1(a)に示す基板1である。
型に対して離型処理(オプツールなどの離型剤を塗布する処理)を施すことによって、転写工程後に、高分子材料製の基板を型から容易に剥がすことができる。
当該部材を用いて構成されたプラズモニックセンサに照射される所定の波長の光(照射光)の波長は、360nm〜2000nm程度である。照射光は、該波長360nm〜2000nmの成分の光を必ずしも全て含んでいる必要はなく、用途や光源に応じて、400nm〜800nmの波長を含む光など、適宜選択してよい。
本発明では、上記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面が、ドライエッチングを受けたことによって粗面化された面となっていることが重要である。該粗面化された面は、凹部にも広がっていてもよい。
ドライエッチングは、反応性の気体(エッチングガス)、イオン、ラジカルによって材料をエッチングする方法である。基板の材料や求める粗面に応じて、プラズマエッチングなど、適切なドライエッチングを選択することができる。本発明において、好ましいプラズマエッチングとしては、酸素プラズマエッチングやアルゴンプラズマエッチングなどが例示される。
上記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面が、ドライエッチングによって粗面化された面か、ドライエッチング前の面かは、該凸部の表面のSEM写真を撮像し、ドライエッチングを行う前の該凸部の表面のSEM写真と比較することによって判別することができる。図13(a)、(b)の写真図の比較からも明らかなとおり、ドライエッチングによって粗面化された面は、ドライエッチング前の面に比べて、独特の極微細な凹凸状態を呈し、また、各凸部(各ナノピラー)の外径がより小さくなることで、凸部同士の間の隙間も大きくなっている。図13(a)に示す例のとおり、ドライエッチングを行う前の凸部の表面は、決して滑らかな面ではなく、最初から、ある程度の凹凸状態となっており、これがドライエッチングによって浸食を受け、本発明における効果を示すような極微細な凹凸状態へと変化する。このような最初から存在する凹凸状態における極微小な凸部の外形やサイズは不定である。例えば、図13(a)に示すドライエッチング前のSEM画像では、凸部(ここでは、区別のために「ベース凸部」と呼ぶ)の表面に最初から存在する極微小な凸部のフェレー径は、ベース凸部のフェレー径の30〜50%程度である。そして、図13(b)に示すドライエッチング後のSEM画像では、ベース凸部の表面が粗面化された結果、前記の極微小な凸部のフェレー径は、元のフェレー径よりも小さくなり、ベース凸部のフェレー径の10〜30%程度まで減少している。
シクロオレフィンポリマー製の基板に形成された微細凹凸に対する好ましい酸素プラズマエッチングの条件は次のとおりである。
圧力:0.15〜0.25MPa
高周波出力:15〜500W、好ましい一例としては75W
プロセスガス:酸素
ガス流量:10〜200cc/mm、好ましい一例としては100cc/mm
処理時間:15〜300秒
前記の条件下で酸素プラズマエッチングを行うと、凸部の表面(ナノピラーの上面)は好ましく粗面化される。また、凸部の外径は、酸素プラズマエッチングを行う前の外径に比べて30秒ごとに7%〜15%程度減少する傾向を示す。
前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面上には、局在表面プラズモン共鳴を生じさせための金属膜が形成される。該金属膜の材料は、局在表面プラズモン共鳴に利用可能な金属であり、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)などが挙げられ、これらを単独にまたは組み合わせて使用することができる。これらの金属の中でも、Auは、可視領域で強い局在電場の発現が見込め、かつ、大気中で比較的高い化学的安定性を有する点から好ましい金属である。
金属膜の形成方法は、特に限定はされず、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、電気めっき、無電解めっき等が挙げられ、均一な金属膜の形成が可能である点からは、スパッタリングおよび蒸着が好ましい形成方法として挙げられる。スパッタリングは、蒸着に比べて、成膜すべき領域が大面積であっても均一に成膜できるので、より好ましい成膜法である。上記非特許文献3のFig.3には、真空蒸着によって形成されたAu膜の表面と、スパッタリングによって形成されたAu膜の表面の拡大画像が掲載されている。これら2つの拡大画像からも明らかなとおり、スパッタリングによって形成された金属膜の表面は、真空蒸着によって形成された金属膜の表面に比べて、明らかに凹凸が細かく、よって、膜厚も均一であるということができる。また、スパッタリングによって形成された金属膜は、蒸着などの他の堆積法によって形成された金属膜とは異なり、基板への付着力が大きいという特徴がある。また、スパッタリングは、成膜時間(スパッタリングを行う時間)だけによって膜厚を高精度に制御できるという特徴がある。以上の点から、スパッタリングによって形成されたAu膜は、より好ましい金属膜である。
金属膜の厚さは、微細凹凸の形態や金属膜の材料などに応じて異なるが、上記したナノポーラス構造から転写された微細凹凸にAu膜を形成する場合には、厚さは30nm〜90nmが好ましく、40nm〜60nmがより好ましい。金属膜の厚さは、成膜時間によって調節することができる。
金属膜の厚さは、均一であることが好ましい。金属膜は、離散的に形成されていてもよいし、1つの膜として微細凹凸の凸部の上面(粗面)全体を覆っていてもよい。ただし、粗面化した凸部の上面を平坦化するような過度の厚さや、微細凹凸全体を平坦化するような過度の厚さは好ましくない。
当該部材の製造方法は、図1(a)に示す微細凹凸形成工程と、図1(b)に示すドライエッチング工程と、図1(c)に示す金属膜形成工程とを少なくとも有する。
微細凹凸形成工程は、図1(a)に示すように、上記した高分子材料製の基板1の一方の主面1aに、上記した微細凹凸2を形成する工程である。微細凹凸2は、上記したとおり、所定の波長の光を受けた場合に局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要なサイズの凹凸である。
ドライエッチング工程は、図1(b)に示すように、微細凹凸2のうちの少なくとも凸部2aの表面を、ドライエッチングによって粗面とする工程である。図1(b)に示す微細な多数の凹部3は、ドライエッチングによって形成されたものである。
金属膜形成工程は、図1(c)に示すように、前記ドライエッチング工程の後に、微細凹凸2のうちの少なくとも凸部2a(ドライエッチングによって粗面となっている)の表面上に金属膜4を形成する工程である。
これらの工程の詳細な説明は、上記した当該部材についての詳細な説明で述べたとおりである。
(ステップ1)
アルミニウム板の板面に陽極酸化処理を施すことによって、ナノポーラス構造を形成する。
(ステップ2)
前記のナノポーラス構造を、微細凹凸を形成するための型(反転微細凹凸)として用い、シクロオレフィンポリマー)製のシート面に、ナノインプリント(転写し)、ナノピラー構造(微細凹凸)を形成する。
(ステップ3)
ナノピラーの表面(とりわけ、凸部の表面)を、酸素プラズマエッチングによって粗面化する。
(ステップ4)
図7に示すように、センサ領域(センサとして利用する領域)の周囲をレジスト(SU−8)で覆う。該レジストについては下記でさらに詳述する。図7の例では、各センサ領域は、直径40μmの円形であって、中心間距離(ピッチ)40μmの正方行列状(14行×14列)に配置されている。レジスト膜などによって基板上の1つの微細凹凸を複数のセンサ領域へと分割することによって、マルチプレックス検出用のセンサ(同一反応における2種類以上の抗原を特異的に検出するセンサ)などとして利用することが可能になる。
(ステップ5)
センサ領域に露出している微細凹凸の表面(とりわけ、凸部の表面)に対して、スパッタリングによってAu膜を形成し、本発明の部材を得る。
塗布のプロセスでは、ナノピラー構造が形成された基板をスピナのステージに配置し、回転数500rpm程度で5〜15秒程度回転させる。この状態から200rpm/秒の割合で、回転数を3000rpmまで上げ、3000rpmで30秒回転させる。これによって、微細凹凸全体を覆う、厚さ10μmのSU−8膜が得られる。95℃のホットプレートで約3分間加熱し、SU−8膜の表面および内部を充分乾燥させる。乾燥したSU−8膜のセンサ領域以外の領域にUV光(波長350〜400nm)を照射して露光を行う。この例では、厚さ10μmのSU−8膜に対する露光量は200mJ/cm2である。一般に用いられるレジストでは、露光した部分は架橋反応を起こし、現像液に溶ける(ポジティブ型)か、現像液に溶けずに残り(ネガティブ型)、これによってパターンが形成される。SU−8は、ネガティブ型であるが、露光しただけでは充分架橋反応を起こさず、架橋反応を促進させるために熱を加える必要がある。露光後のべ一クは、ホットプレート上で65℃、1分行った後、さらに、95℃、5分行う。その後、自然冷却し、SU−8膜が室温になった時点で現像液に入れ現像する。現像は20分行う。センサ領域内のナノピラー同士の間(凹部)間に入ったSU−8は、現像液によって完全には除去されず、残留する可能性があるが、酸素プラズマ処理による屈折率感度の向上への影響は無視することができる。
本実施例では、(i)アルミニウム板に対する二次陽極酸化処理によってナノポーラス板を作製し、(ii)該ナノポーラス板を型として用いてCOPシートに微細凹凸を転写し、(iii)該微細凹凸に酸素プラズマエッチング(RF:75w、O2:100cc)を行って少なくとも凸部の表面を粗面とし、(iv)少なくとも凸部上にAu膜(厚さ90nm)をスパッタリングによって形成し、(v)チップ形状に分割して、センサチップを実際に製造し、エッチングの時間を変えてその影響を調べた。
純度99.5%のアルミニウム板(株式会社ニラコ製)に対して、一次陽極酸化処理および二次陽極酸化処理を行ない、微細孔がハニカム構造の如く規則的に並んだナノポーラス構造を持ったナノポーラス板を作成した。本実施例で用いたアルミニウム板は、縦26mm、横76mmの長方形の板であり、陽極酸化処理すべき片面は、鏡面研磨され、厚さは5mmである。
アルミニウム板を図2のように直流電源(PQ−120、MATSUSADA)の陽極に接続し、チタン板を該直流電源の陰極に接続し、アルミニウム板の鏡面研磨された板面とチタン板の板面とが平行になるよう両板を保持して、低温恒温水槽(NCB-1200、EYELA)中の0.3Mシュウ酸溶液中に固定した。シュウ酸溶液を0℃に保ち、前記直流電源によってアルミニウム板とチタン板との間に電圧80Vを1時間印加し、アルミニウム板の鏡面研磨された板面に陽極酸化処理(一次陽極酸化処理)を行った。
陽極酸化処理中は、シュウ酸溶液の温度および濃度を一定に保つため、撹拌子によって該シュウ酸溶液を常時撹拌した。
一次陽極酸化によるナノポーラス構造の形成後、リン酸(1.16%、w/v)とクロム酸(5%、w/v)の混合水溶液(温度:70℃)に30分間浸漬し、撹拌子によって該リン酸溶液を常時撹拌し、ナノポーラス構造を除去した。その結果、残ったアルミニウム板の表面には、図3(b)に示すように、ナノポーラス構造の微細孔h1の下方に対応した位置に凹部h2が残った。
前記凹部h2が形成されたアルミニウム板の表面に対して、さらに、陽極酸化処理(二次)を行った(0.3Mシュウ酸水溶液、80V、30秒)。その結果、アルミニウム板の表面には、規則的なパターンにて孔が配列されたナノポーラス構造が形成された。
最後に、70℃のリン酸溶液(1.6%、w/v)で、12.5分間エッチングを行ない、ナノポーラス構造の各微細孔の口径を大きくした。
得られたナノポーラス構造の微細孔の開口形状は円形であり、口径は平均150nm程度であり、隣り合った微細孔同士の間の中心間距離は、平均200nm程度であり、微細孔の深さは平均200nm程度であった。
得られた各微細孔の口径、セル壁の厚さ(互いに隣接する孔同士の間の壁部の厚さ)、微細孔同士の間の中心間距離は、陽極酸化の電圧と温度に依存し、容易に制御することができる。当該実施例で用いたアルミニウム板中の不純物に起因して、微細孔の孔径は完全には均一ではなく、不規則な配列が含まれている。
転写工程では、上記で得られたナノポーラス板のナノポーラス構造を型として用い、これをガラス転移温度以上に加熱したCOPシートに押し付けて転写し、微細凹凸を形成した。冷却後に型(ナノポーラス板)からCOPシートを剥離することにより、微細凹凸を持ったCOP基板を得た。この転写工程は、型を用いる複製プロセスであるため、安定した条件下で行うことができ、製品(転写された形状)は繰り返し精度に優れ、ナノスケール構造の大量生産も可能となる。
シリコンウェハーとナノポーラス板には、転写後の離型を容易にするため離型剤処理を施した。該離型剤として、ハーベス社製のフッ素系離型剤(DURASURF)を、ダイキン工業製の溶剤(Perfluorohexane」で希釈したものを用いた。離型剤全体(100質量%)に対するフッ素系離型剤が占める割合は、0.1質量%である。
ナノインプリント時に空気が入り込むことを防ぐため、ナノインプリント装置内を減圧し、−80kPa程度の真空とした。減圧後、温度をCOP樹脂のガラス転移温度(136℃)を超える温度(160℃)まで上昇させた。
ナノポーラス板に対する加圧力が2MPaとなるように圧力を調節し、本型押しを10分間行った。
圧力一定のまま80℃まで冷却を行った。
型押しの荷重を150Nまで減少させた後、ナノインプリント装置内の真空を大気圧にもどし、該ナノインプリント装置からナノポーラス板とCOP樹脂製のシートを取り出し、微細凹凸が形成されたCOP樹脂製のシートを引っ張ってナノポーラス板から剥離した。
プラズマを用いた微細加工(プラズマエッチング)は、MEMS(micro-electro mechanical system)デバイス作製など先端技術分野で不可欠のトップダウン微細加工プロセスである。エッチング時のプラズマと基板表面との相互作用により、微細凹凸の凸部(ナノピラー)の表面は粗面化され、極微細な凹凸を持った面となった。本実施例では、上記で作製されたCOPシートの微細凹凸に、酸素プラズマエッチングを行ない、ナノピラーの表面を粗面化した。
酸素プラズマエッチングの条件は、放電出力75W、酸素ガスの流量100cc、常温(25℃)である。
図8〜図13は、酸素プラズマエッチング処理の時間を変えた場合の、ナノピラーの状態を示すSEM写真図である。図13(a)と図13(b)との比較からも明らかなとおり、各ナノピラーの表面が酸素プラズマエッチング処理を受けて、より細かい極微細な凹凸状態となっていることがわかった。また、図8〜図11の比較、および、図12(a)と図12(b)との比較からも明らかなとおり、酸素プラズマエッチング処理の時間をより長くすることによって、ナノピラーの外径がより小さくなる傾向がみられた。
上記で酸素プラズマエッチング処理によって粗面化したナノピラーの表面に、スパッタリングによってAu膜を形成した。Au膜の厚さ30nm、40nm、50nm、60nmの実施品を作製した。
また、比較のために、酸素プラズマエッチング処理を行わないナノピラーの表面に、スパッタリングによってAu膜を形成した(Au膜の厚さ60nm)。図14(a)は、酸素プラズマエッチング処理を行わず、スパッタリングでAu膜(厚さ60nm)を形成した場合のSEM写真図であり、図14(b)は、酸素プラズマエッチング処理を150秒行った後でパッタリングでAu膜(厚さ60nm)を形成した場合のナノピラーの状態を示すSEM写真図である。
本実施例で用いたスパッタ装置は、アルバック株式会社のACS−4000である。図14(a)、(b)の比較から明らかなとおり、酸素プラズマエッチング処理によって粗面化された面上に形成されたAu膜の表面もまた、極微細な凹凸状となっていることがわかった。
上記で得られたプラズモニックセンサ用の部材を、刃物で分断し、プラズモニックセンサチップを得た。得られたセンサチップを用い、所定の波長の光を照射すれば、金スポットの自由電子の振動による局在表面プラズモン共鳴が発生し、プラズモン信号が検出できる。
屈折率(RI)が異なる4種類の液体(溶液超純水(RI=1.33)、1Mグルコース(RI=1.35)、エチレングリコール(RI=1.43)、グリセリン(RI=1.47))を、センサチップの微細凹凸(粗面化+Auキャップ)に接触させる液体として使用した。
測定に用いたセンサチップをスライドガラスの上に固定し、シート状シリコンゴム(アズワン)を用い、チップの周囲を枠のように囲い、該枠の内部に液体を充填した。測定の際、液体の表面を均一な平面にするため、枠と液体をカバーガラスで覆った。
図15のグラフは、センサチップの微細凹凸(粗面化+Auキャップ)に屈折率が異なる媒質を接触させた場合の、各媒質に応じた最大吸収波長から計算した屈折率感度を示すグラフ図である。図15のグラフに示すように、酸素プラズマエッチングの処理時間が長くなるほど、屈折率感度が向上することがわかった。これにより、ドライエッチングによるセンサチップ感度向上が期待できることがわかった。また、Au膜の厚さ(30nm、40nm、50nm、60nm)も屈折率感度に影響を与えることがわかった。
「屈折率感度」は、金属ナノ構造の表面近傍の媒質の屈折率の変化に対して最大吸収波長の変化量により計算される。横軸を媒質の屈折率とし、縦軸を最大吸収波長として、屈折率と最大吸収波長の関係をプロットした時、その近似直線(一次関数)の傾きが「屈折率感度」である。
酸素プラズマエッチングの処理時間を、0秒(処理無し)、90秒、180秒とし、かつ、それぞれにスパッタリングによる厚さ60nmのAu膜を形成して得た3種類のセンサチップのそれぞれの透過スペクトルを、図16〜図18に示す。図16〜図18は、上記した4種類の屈折率の液体について得られた透過スペクトルを示すグラフである(図16;酸素プラズマエッチング処理無し、図17;酸素プラズマエッチング処理90秒、図18;酸素プラズマエッチング処理180秒)。
本実施例では、本発明によって得られた部材からセンサチップを作成し、イムノアッセイへの応用の可能性を調べた。
実施例1と同様にして作成したセンサチップ(酸素プラズマ処理時間60秒、スパッタリングによる厚さ60nmのAu膜)を用いて、イムノアッセイによるIgAの測定を行った。また、比較例として、酸素プラズマ処理無しのセンサチップも作製し、イムノアッセイによるIgAの測定を行った。
センサチップのAu膜に抗体を固定するために、先ず、センサチップ上のAu膜の表面に、−COOH基が付いた自己組織化単分子膜(Self-assembled monolayer, SAM)を形成した。次に、−COOH基を活性化させることによる活性エステルの状態を経て、抗体とアミド結合させることで、Au膜への抗体の固定化を行った。より、具体的な手順を以下に述べる。
センサチップをその溶液に浸漬し、30分間静置した。その後、大量のエタノールで洗浄し、窒素ガスでセンサチップを乾燥させた。
透過スペクトルを測定し、センサチップ上に−COOH基が形成されたことを確認した。
N−ヒドロキシコハク酸イミド(NHS)(Wako)およびカルボジイミド塩酸塩(WSC)(Wako)を、それぞれ0.2M、0.8Mになるように、超純水を500μLずつ加えた。
0.2MのNHS溶液と0.8MのWSC溶液を500μLずつ混合し、2つのセンサチップ上にそれぞれ200μL滴下し、室温で10分間静置した。
その後、大量の超純水で洗浄し、窒素ガスでセンサチップを乾燥させた。更に、透過スペクトルを測定し、センサチップ上に活性エステルが形成されていることを確認した。
測定結果を図19(a)、(b)のグラフに示す。これらのグラフは、ターゲットIgAの抗原抗体反応前後の透過スペクトルの変化を示している。グラフ中の実線の曲線は、抗原抗体反応前の透過スペクトルを示し、グラフ中の破線の曲線は、抗原抗体反応後の透過スペクトルを示している。また、図19(a)のグラフは、酸素プラズマエッチングの処理時間が60秒の場合(本実施例品)の結果を示し、図19(b)は、酸素プラズマエッチング無しの場合(比較例品)の結果を示す。
図19(a)、(b)のグラフから明らかなとおり、酸素プラズマエッチング処理されたセンサチップのプラズモンバンドの波長シフト量は、酸素プラズマエッチング処理無しセンサチップのそれよりも大きいことがわかった。
図20のグラフから明らかなとおり、微細凹凸の凸部に対して酸素プラズマエッチング処理を行うことによって、同じ濃度のサンプルを用いた時、シフト量が大きくなることが分かった。
1a、1b 基板の主面
2 微細凹凸
2a 凸部
2b 凹部
3 ドライエッチングによって形成された粗面の凹部
4 金属膜
10 プラズモニックセンサ用の部材
Claims (12)
- プラズモニックセンサ用の部材であって、
当該部材は、高分子材料製の基板を有し、該基板は一方の主面に微細凹凸を有し、
前記微細凹凸は、所定の波長の光を受けた場合に局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態の凹凸であり、
前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面は、ドライエッチングによって粗面化された面となっており、かつ、
当該部材は、前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面上に形成された金属膜を有する、
前記プラズモニックセンサ用の部材。 - 前記微細凹凸が、前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸を前記高分子材料製のシートの一方の主面に転写することによって形成されたものである、請求項1に記載のプラズモニックセンサ用の部材。
- 前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸が、アルミニウム板の一方の主面に陽極酸化処理を施すことによって形成されたナノポーラス構造である、請求項2に記載のプラズモニックセンサ用の部材。
- 前記高分子材料がシクロオレフィンポリマーである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズモニックセンサ用の部材。
- 前記ドライエッチングが酸素プラズマエッチングである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズモニックセンサ用の部材。
- 前記金属膜が、スパッタリングによって形成されたAu膜である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のプラズモニックセンサ用の部材。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のプラズモニックセンサ用の部材の製造方法であって、
高分子材料製の基板の一方の主面に微細凹凸を形成する、微細凹凸形成工程を有し、前記微細凹凸は、所定の波長の光を受けた場合に局在表面プラズモン共鳴が発生するために必要な形態の凹凸であり、
前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面をドライエッチングによって粗面化する、ドライエッチング工程を有し、かつ、
前記ドライエッチング工程の後において、前記微細凹凸のうちの少なくとも凸部の表面上に金属膜を形成する、金属膜形成工程を有する、
前記製造方法。 - 前記微細凹凸形成工程では、前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸を、前記高分子材料製のシートの一方の主面に転写することによって、前記微細凹凸を形成する、請求項7に記載の製造方法。
- 前記微細凹凸の原版の型に設けられた反転微細凹凸が、アルミニウム板の一方の主面に陽極酸化処理を施すことによって形成されたナノポーラス構造である、請求項7または8に記載の製造方法。
- 前記高分子材料がシクロオレフィンポリマーである、請求項7〜9のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記ドライエッチングが酸素プラズマエッチングである、請求項7〜10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記金属膜が、スパッタリングによって形成されたAu膜である、請求項7〜11のいずれか1項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP2021071329A true JP2021071329A (ja) | 2021-05-06 |
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JP2019196799A Active JP7442781B2 (ja) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | プラズモニックセンサ用の部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP7442781B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7253008B2 (en) | 2004-12-28 | 2007-08-07 | Sandia Corporation | Reactive ion etched substrates and methods of making and using |
JP5848013B2 (ja) | 2011-03-22 | 2016-01-27 | 富士フイルム株式会社 | 光電場増強デバイスおよび該デバイスを備えた測定装置 |
EP3696536A1 (en) | 2015-04-14 | 2020-08-19 | Illumina, Inc. | A method of manufacturing a substrate and a method of analyzing biomolecules capable of generating light emissions |
JP6780607B2 (ja) | 2017-08-10 | 2020-11-04 | 王子ホールディングス株式会社 | 分析用基板およびその製造方法 |
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JP7442781B2 (ja) | 2024-03-05 |
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