JP2021064674A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置では、電圧および電流において、発振およびノイズの発生を抑制できることが好ましい。【解決手段】複数の回路部と、板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続された第１接続部および第２接続部とを備え、第１接続部および第２接続部は、それぞれの主面が向かい合って配置され、第１接続部および第２接続部のそれぞれは、回路部に接続される回路接続端部と、主面における電流経路を規制する経路規制部とを有し、経路規制部と回路接続端部との間の電流経路を流れる電流の向きが、第１接続部および第２接続部で異なる半導体装置を提供する。経路規制部と回路接続端部との間の電流経路を流れる電流の向きが、第１接続部および第２接続部で逆向きであることが好ましい。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置に関する。

従来、複数の半導体チップを有し、複数の半導体チップのそれぞれに電流が流れる半導体装置が知られている（例えば、特許文献１および２参照）。
特許文献１ ＷＯ２０１４／１２２８７７号
特許文献２ ＷＯ２０１４／１９２１１８号

半導体装置では、電圧および電流において、発振およびノイズの発生を抑制できることが好ましい。

本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、複数の回路部を備えてよい。半導体装置は、板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続された第１接続部および第２接続部を備えてよい。第１接続部および第２接続部は、それぞれの主面が向かい合って配置されてよい。第１接続部および第２接続部のそれぞれは、回路部に接続される回路接続端部と、主面における電流経路を規制する経路規制部とを有してよい。経路規制部と回路接続端部との間の電流経路を流れる電流の向きが、第１接続部および第２接続部で異なってよい。

経路規制部と回路接続端部との間の電流経路を流れる電流の向きが、第１接続部および第２接続部で逆向きであってよい。

第１接続部および第２接続部のそれぞれは、少なくとも一部の電流が、経路規制部の周囲を回るように回路接続端部および経路規制部が配置されてよい。経路規制部の周囲を電流が回る向きが、第１接続部および第２接続部で逆向きであってよい。

第１接続部および第２接続部は、それぞれの主面が平行に配置されていてよい。

第１接続部および第２接続部は、主面と直交する方向において重なる重複領域を有してよい。第１接続部および第２接続部の経路規制部は、第１方向に伸びる１本以上の第１スリットを有してよい。重複領域において、第１接続部に設けられた第１スリットの本数と、第２接続部に設けられた第１スリットの本数とが同一であってよい。

第１接続部および第２接続部の経路規制部は、第１方向とは異なる第２方向に伸びる１本以上の第２スリットを有してよい。重複領域において、第１接続部に設けられた第２スリットの本数と、第２接続部に設けられた第２スリットの本数とが同一であってよい。

第１接続部の上端と第２接続部の上端は同一の高さに配置されてよい。重複領域において、第１接続部に設けられた第１スリットと、第２接続部に設けられた第１スリットは同一の高さに配置されていてよい。

第１接続部の上端は第２接続部の上端よりも高い位置に配置されてよい。重複領域において、第１接続部に設けられた第１スリットは、第２接続部に設けられた第１スリットよりも高い位置に配置されていてよい。

第１接続部の第１スリットの幅と、第２接続部の第１スリットの幅とが異なってよい。

第１接続部の厚みが、第２接続部の厚みよりも大きくてよい。第１接続部の第１スリットの幅が、第２接続部の第１スリットの幅よりも大きくてよい。

第１接続部に流れる電流は、第２接続部に流れる電流よりも大きく、第１接続部の第１スリットの幅が、第２接続部の第１スリットの幅よりも大きくてよい。

半導体装置は、板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続された第３接続部を備えてよい。第１接続部は、第２接続部の第１主面と向かい合って配置されてよい。第３接続部は、第２接続部の第１主面と向かい合って配置されてよい。第３接続部は、回路接続端部および経路規制部を有してよい。経路規制部と回路接続端部との間の電流経路を流れる電流の向きが、第３接続部および第２接続部で異なってよい。

第２接続部は、回路接続端部が設けられた回路側端辺から第２接続部の内部に向かって設けられた端辺スリットを有してよい。第２接続部は、端辺スリットに接続して設けられ、回路側端辺に沿って延伸する第１内部スリットを有してよい。第２接続部は、端辺スリットに接続して設けられ、回路側端辺に沿って、且つ、第１内部スリットとは逆側に延伸する第２内部スリットを有してよい。第１接続部および第３接続部は、第２接続部の主面と平行な方向に並んで配置されてよい。第１接続部は、第３接続部と向かい合う端辺から、第１内部スリットと平行な方向に延伸する第１平行スリットを有してよい。第３接続部は、第１接続部と向かい合う端辺から、第２内部スリットと平行な方向に延伸する第２平行スリットを有してよい。

半導体装置は、板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続された第４接続部を備えてよい。第１接続部は、第２接続部の第１主面と向かい合って配置されてよい。第４接続部は、第２接続部の第２主面と向かい合って配置されてよい。第４接続部は、回路接続端部および経路規制部を有してよい。経路規制部と回路接続端部との間の電流経路を流れる電流の向きが、第４接続部および第２接続部で異なってよい。

第１接続部、第２接続部および第４接続部の経路規制部は、第１方向に伸びる１本以上の第１スリットを有してよい。第１接続部に流れる電流、および、第４接続部に流れる電流は、第２接続部に流れてよい。第２接続部の第１スリットの幅が、第１接続部の第１スリットの幅、および、第４接続部の第１スリットの幅、のいずれよりも大きくてよい。

なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

本発明の一つの実施例に係る半導体装置１００の斜視図の一例を示す。 半導体装置１００の平面図の一例である。 半導体装置１００の内部回路における回路構成の一例を示す図である。 それぞれの回路ブロックＣＢの概要を説明する図である。 第１方向に沿って並んだ第１回路部２１１の一例を示す図である。 第１方向に沿って並んだ第１回路部２１１の他の例を示す図である。 第１方向に沿って並んだ第１回路部２１１の他の例を示す図である。 ブロック間接続部２０２、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６の形状例を示す図である。 各接続部におけるスリットの位置を説明する図である。 各接続部におけるスリットの他の配置例を示す図である。 第４ブロック内接続部２０９の形状例を示す図である。 第３ブロック内接続部２０８の形状例を示す図である。 それぞれの回路部間における、ブロック間接続部２０２およびブロック内接続部の抵抗を模式的に示す図である。 ブロック間接続部２０２の他の例を示す図である。 半導体装置１００において対向して設けられる接続部３７１および接続部４７１の一例を示す図である。 接続部５７１の一例を示す図である。 複数の接続部の他の配置例を示す図である。 図１４に示した各接続部におけるスリットの配置例を示す図である。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

本明細書においては、半導体チップが有する半導体基板の深さ方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、層またはその他の部材の２つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」、「おもて」、「裏」の方向は重力方向、または、半導体装置の実装時における基板等への取り付け方向に限定されない。

本明細書では、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の直交座標軸を用いて技術的事項を説明する場合がある。本明細書では、半導体チップの上面と平行な面をＸＹ面とし、ＸＹ面と垂直な軸をＺ軸とする。

また、本明細書において、距離、抵抗値、電流の大きさ等について、等しいと説明する場合がある。これらが等しい場合とは、完全に同一である場合に限られず、本明細書に記載の発明を逸脱しない範囲で異なっていてもよい。例えば等しいとは、１０％以内の誤差を許容する。

図１は、本発明の一つの実施例に係る半導体装置１００の斜視図の一例を示す。半導体装置１００は、ケース部１１０と、ベース部１２０と、複数の端子とを備える。一例において、半導体装置１００は、パワーコンディショナー（ＰＣＳ：Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｕｂｓｙｓｔｅｍ）に用いられる。

ケース部１１０は、半導体チップおよび配線等の内部回路を収容する。ケース部１１０は、絶縁性の樹脂で成型されている。ケース部１１０は、ベース部１２０上に設けられる。ケース部１１０には、沿面距離を増大させて絶縁性を高めるための切込部１１２が設けられてよい。

ベース部１２０は、上面側において、接着剤等によりケース部１１０に固定されている。ベース部１２０は、接地電位に設定されてよい。ベース部は、下面側において、ねじ等によりフィン等の放熱部材に固定されてよい。ベース部１２０は、ＸＹ平面に主面を有する。ベース部１２０およびケース部１１０は、Ｚ軸方向から見た上面視において、２組の対向する辺を有してよい。本例のベース部１２０およびケース部１１０は、Ｙ軸に沿って長辺を有し、Ｘ軸に沿って短辺を有する。

端子配置面１１４は、ケース部１１０の上面側において、複数の端子が露出する面である。それぞれの端子は、ケース部１１０が収容した内部回路と、外部の装置とを電気的に接続する。端子配置面１１４には、第１の補助端子ｔｓ１〜第１１の補助端子ｔｓ１１が設けられている。端子配置面１１４は、Ｚ軸方向に突出する凸部１１６を有する。

凸部１１６は、上面視において端子配置面１１４の中央付近に設けられる。本例の凸部１１６は、端子配置面１１４のＸ軸方向における中央において、Ｙ軸方向に沿って延伸して配置されている。凸部１１６上には、第１の外部接続端子ｔｍ１〜第５の外部接続端子ｔｍ５が設けられている。第１の外部接続端子ｔｍ１〜第５の外部接続端子ｔｍ５は、凸部１１６において、Ｙ軸方向に沿って順番に配列されているが、外部接続端子の配置はこれに限られない。

第１の外部接続端子ｔｍ１（Ｐ）は、半導体装置１００の外部に設けられる直流電源の正側端子が接続される端子である。第４の外部接続端子ｔｍ４（Ｎ）は、外部の直流電源の負側端子が接続される端子である。第１の外部接続端子ｔｍ１（Ｐ）および第４の外部接続端子ｔｍ４（Ｎ）は、半導体装置１００の内部回路における電源端子Ｐ、Ｎとして機能する。

第５の外部接続端子ｔｍ５（Ｕ）は、半導体装置１００の内部回路における交流出力端子Ｕとして機能する。第２の外部接続端子ｔｍ２（Ｍ１）および第３の外部接続端子ｔｍ３（Ｍ２）は、半導体装置１００の内部回路における所定の接続点に接続されている。例えば第２の外部接続端子ｔｍ２（Ｍ１）および第３の外部接続端子ｔｍ３（Ｍ２）は、半導体装置１００の内部回路における所定の接続点の電圧をクランプする中間端子Ｍ１、Ｍ２として機能する。

第１の補助端子ｔｓ１〜第５の補助端子ｔｓ５は、端子配置面１１４のＹ軸に沿った一方の端辺（本例では長辺）に沿って配置されている。第６の補助端子ｔｓ６〜第１１の補助端子ｔｓ１１は、端子配置面１１４のＹ軸方向に沿った他方の端辺に沿って配置されている。

第１の補助端子ｔｓ１（Ｔ４Ｐ）は、後述するトランジスタＴ４のコレクタ電圧を出力する。第２の補助端子ｔｓ２（Ｔ４Ｇ）は、トランジスタＴ４のゲート電圧を供給するゲート端子である。第３の補助端子ｔｓ３（Ｔ４Ｅ）は、トランジスタＴ４のエミッタ電圧を出力する。

第４の補助端子ｔｓ４（Ｔ３Ｇ）は、後述するトランジスタＴ３のゲート電圧を供給するゲート端子である。第５の補助端子ｔｓ５（Ｔ３Ｅ）は、トランジスタＴ３のエミッタ電圧を出力する。

第６の補助端子ｔｓ６（Ｔ１Ｅ）は、後述するトランジスタＴ１のエミッタ電圧を出力する。第７の補助端子ｔｓ７（Ｔ１Ｇ）は、トランジスタＴ１のゲート電圧を供給するゲート端子である。

第８の補助端子ｔｓ８（Ｔ２Ｅ）は、後述するトランジスタＴ２のエミッタ電圧を出力する。第９の補助端子ｔｓ９（Ｔ２Ｇ）は、トランジスタＴ２のゲート電圧を供給するゲート端子である。

第１０補助端子ｔｓ１０（ＴＨ２）および第１１の補助端子ｔｓ１１（ＴＨ１）は、ケース部１１０の内部温度を検出するサーミスタに接続されたサーミスタ用の端子である。例えばサーミスタは、第１０補助端子ｔｓ１０（ＴＨ２）および第１１の補助端子ｔｓ１１（ＴＨ１）の下方においてケース部１１０内に埋設されている。

図２は、半導体装置１００の平面図の一例である。同図は、ケース部１１０の内部において、ベース部１２０上に設けられた内部回路の配置例を示す。本例の内部回路は、３レベル電力変換装置（インバータ）回路であるが、内部回路はこれに限定されない。

本例の半導体装置１００は、ベース部１２０上に、６枚の絶縁基板５０ａ〜絶縁基板５０ｆを備える。本例の６枚の絶縁基板５０ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは、Ｙ軸方向に沿ってこの順番で並んでいる。絶縁基板５０は、ベース部１２０に接合されている。絶縁基板５０は、伝熱性の良いセラミックス（例えばアルミナ）基板の両面に導体性のパターンを有する。例えば、絶縁基板５０は、セラミックス基板上に銅回路板を直接接合したＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板である。

それぞれの絶縁基板５０には、１つ以上のトランジスタＴが配置されていてよい。それぞれのトランジスタＴは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）や電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であってよい。図２では、トランジスタＴが設けられた半導体チップを示している。本例の半導体装置１００は、互いに並列に接続された複数のトランジスタを備える。図２の例では、３つのトランジスタＴ１が並列に接続されている。同様に、３つのトランジスタＴ２が並列に接続され、３つのトランジスタＴ３が並列に接続され、３つのトランジスタＴ４が並列に接続されている。本明細書では、並列に接続された複数のトランジスタＴｋ（ｋは整数）を、まとめてトランジスタＴｋと称する場合がある。

並列に接続された複数のトランジスタＴｋは、所定の第１方向（図２ではＹ軸方向）に沿って並んで配置されていてよい。本例では、複数のトランジスタＴ１および複数のトランジスタＴ２が、ベース部１２０の一方の長辺に沿って並んで配置されており、複数のトランジスタＴ３および複数のトランジスタＴ４が、ベース部１２０の他方の長辺に沿って並んで配置されている。

また、トランジスタＴ１およびＴ４が同一の絶縁基板５０に実装されてよい。トランジスタＴ２およびＴ３が同一の絶縁基板５０に実装されてよい。絶縁基板５０ａ〜５０ｃは、それぞれ、トランジスタＴ４およびＴ１を実装した絶縁基板である。絶縁基板５０ｄ〜５０ｆは、それぞれ、トランジスタＴ３およびＴ２を実装した絶縁基板である。

また、それぞれの絶縁基板５０には、ダイオードＤｋが設けられてよい。ダイオードＤｋは、トランジスタＴｋと逆並列に接続された還流ダイオード（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌ Ｄｉｏｄｅ）であってよい。本例では、それぞれのトランジスタＴｋに対して、ダイオードＤｋが設けられているが、他の例では一部のトランジスタＴｋに対してダイオードＤｋが設けられていてもよい。また、本例のトランジスタおよびダイオードは、それぞれ別の半導体チップに設けられているが、同一の半導体チップに設けられた逆導通型ＩＧＢＴ（ＲＣ−ＩＢＧＴ）等でもよい。

本例では、上面視において絶縁基板５０が設けられた領域を、４つの回路ブロックＣＢ１〜４に分割する。第１回路ブロックＣＢ１は、並列に設けられた複数のトランジスタＴ１が設けられた領域であり、第２回路ブロックＣＢ２は、並列に設けられた複数のトランジスタＴ２が設けられた領域であり、第３回路ブロックＣＢ３は、並列に設けられた複数のトランジスタＴ３が設けられた領域であり、第４回路ブロックＣＢ４は、並列に設けられた複数のトランジスタＴ４が設けられた領域である。回路ブロックＣＢｋには、それぞれダイオードＤｋが設けられてもよい。

本例の回路ブロックＣＢ１〜４は、仮想的な中央線Ｌ１および中央線Ｌ２によって分割されている。中央線Ｌ２は、絶縁基板５０ａ、ｂ、ｃが設けられた領域と、絶縁基板５０ｄ、ｅ、ｆが設けられた領域とを分割する。本例の中央線Ｌ２は、絶縁基板５０ｃと、絶縁基板５０ｄとの間を通るＸ軸に平行な直線である。

中央線Ｌ１は、絶縁基板５０ａ、ｂ、ｃを、複数のトランジスタＴ１が設けられた領域と、複数のトランジスタＴ４が設けられた領域とに分割する。また、中央線Ｌ１は、絶縁基板５０ｄ、ｅ、ｆを、複数のトランジスタＴ２が設けられた領域と、複数のトランジスタＴ３が設けられた領域とに分割する。本例の中央線Ｌ１は、絶縁基板５０が設けられた領域のＸ軸方向における中央を通る、Ｙ軸に平行な直線である。

半導体装置１００は、絶縁基板５０の上に設けられた複数の導電性パターン３６を有する。導電性パターン３６は、銅等の導電材料で形成されている。また、半導体装置１００は、内部回路における各部材を電気的に接続する複数の接続部材９０を有する。接続部材９０は、例えばワイヤーまたはリードフレーム等の、絶縁基板５０の上方に設けられた配線である。図２においては、接続部材９０を実線で示している。また、接続部材９０と、他の部材との接続点を黒丸で示している。接続部材９０は、接続点において、直接接合または、はんだ等により他の部材に接続されている。

導電性パターン３６ａは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ａは、対応するトランジスタＴ４のエミッタパッドおよびダイオードＤ４のアノードパッドと、第３の補助端子ｔｓ３（Ｔ４Ｅ）とを電気的に接続する。

導電性パターン３６ｂは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ｂは、対応するトランジスタＴ４のゲートパッドと、第２の補助端子ｔｓ２（Ｔ４Ｇ）とを電気的に接続する。本例の導電性パターン３６ａおよび３６ｂは、第４回路ブロックＣＢ４に配置され、Ｙ軸方向に長手を有する配線である。

導電性パターン３６ｃは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｃの上には、トランジスタＴ４およびダイオードＤ４が設けられている。導電性パターン３６ｃは、トランジスタＴ４のコレクタ電極およびダイオードＤ４のカソード電極と、はんだ等を介して接続されている。また、それぞれの導電性パターン３６ｃは、第１の補助端子ｔｓ１（Ｔ４Ｐ）と電気的に接続されている。

導電性パターン３６ｄは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｄは、トランジスタＴ４のエミッタパッドおよびダイオードＤ４のアノードパッドと、導電性パターン３６ｂを電気的に接続する。導電性パターン３６ｃおよび３６ｄは、第４回路ブロックＣＢ４に配置されている。

導電性パターン３６ｈは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ｈは、対応するトランジスタＴ１のエミッタパッドおよびダイオードＤ１のアノードパッドと、第６の補助端子ｔｓ６（Ｔ１Ｅ）とを電気的に接続する。

導電性パターン３６ｇは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ｇは、対応するトランジスタＴ１のゲートパッドと、第７の補助端子ｔｓ７（Ｔ１Ｇ）とを電気的に接続する。本例の導電性パターン３６ｈおよび３６ｇは、第１回路ブロックＣＢ１に配置され、Ｙ軸方向に長手を有する配線である。

導電性パターン３６ｆは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｆの上には、トランジスタＴ１およびダイオードＤ１が設けられている。導電性パターン３６ｆは、トランジスタＴ１のコレクタ電極およびダイオードＤ１のカソード電極と、はんだ等を介して接続されている。本例の導電性パターン３６ｆは、導電性パターン３６ｄと連続して設けられている。これにより、トランジスタＴ１のコレクタパッドと、トランジスタＴ４のエミッタパッドとが互いに電気的に接続されている。

導電性パターン３６ｅは、絶縁基板５０ａ〜５０ｃの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｅは、トランジスタＴ１のエミッタパッドおよびダイオードＤ１のアノードパッドと、導電性パターン３６ｈを電気的に接続する。導電性パターン３６ｆおよび３６ｅは、第１回路ブロックＣＢ１に配置されている。

導電性パターン３６ｉは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ｉは、対応するトランジスタＴ３のエミッタパッドおよびダイオードＤ３のアノードパッドと、第５の補助端子ｔｓ５（Ｔ３Ｅ）とを電気的に接続する。

導電性パターン３６ｊは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ｊは、対応するトランジスタＴ３のゲートパッドと、第４の補助端子ｔｓ４（Ｔ３Ｇ）とを電気的に接続する。本例の導電性パターン３６ｉおよび３６ｊは、第３回路ブロックＣＢ３に配置され、Ｙ軸方向に長手を有する配線である。

導電性パターン３６ｋは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｋの上には、トランジスタＴ３およびダイオードＤ３が設けられている。導電性パターン３６ｋは、トランジスタＴ３のコレクタ電極およびダイオードＤ３のカソード電極と、はんだ等を介して接続されている。

導電性パターン３６ｌは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｌは、トランジスタＴ３のエミッタパッドおよびダイオードＤ３のアノードパッドと、導電性パターン３６ｉを電気的に接続する。導電性パターン３６ｋおよび３６ｌは、第３回路ブロックＣＢ３に配置されている。

導電性パターン３６ｏは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ｏは、対応するトランジスタＴ２のエミッタパッドおよびダイオードＤ２のアノードパッドと、第８の補助端子ｔｓ８（Ｔ２Ｅ）とを電気的に接続する。

導電性パターン３６ｎは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々において、Ｘ軸方向の一端に設けられる。導電性パターン３６ｎは、対応するトランジスタＴ２のゲートパッドと、第９の補助端子ｔｓ９（Ｔ２Ｇ）とを電気的に接続する。本例の導電性パターン３６ｏおよび３６ｎは、第２回路ブロックＣＢ２に配置され、Ｙ軸方向に長手を有する配線である。

導電性パターン３６ｍは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｍの上には、トランジスタＴ２およびダイオードＤ２が設けられている。導電性パターン３６ｍは、トランジスタＴ２のコレクタ電極およびダイオードＤ２のカソード電極と、はんだ等を介して接続されている。

導電性パターン３６ｐは、絶縁基板５０ｄ〜５０ｆの各々に設けられる。本例の導電性パターン３６ｐは、トランジスタＴ２のエミッタパッドおよびダイオードＤ２のアノードパッドと、導電性パターン３６ｏを電気的に接続する。導電性パターン３６ｍおよび３６ｐは、第２回路ブロックＣＢ２に配置されている。本例の導電性パターン３６ｐは、導電性パターン３６ｋと連続して設けられている。これにより、トランジスタＴ３のコレクタパッドと、トランジスタＴ２のエミッタパッドとが互いに電気的に接続されている。

本例の半導体装置１００は、ブロック間接続部２０２、第１ブロック内接続部２０４、第２ブロック内接続部２０６、第３ブロック内接続部２０８および第４ブロック内接続部２０９を備える。ブロック間接続部２０２は、２つの回路ブロックＣＢを電気的に接続する。本例のブロック間接続部２０２は、第１回路ブロックＣＢ１と、第２回路ブロックＣＢ２とを電気的に接続する。

ブロック間接続部２０２は、それぞれの回路ブロックＣＢにおける、いずれかの回路要素と電気的に接続されている。本例のブロック間接続部２０２は、第１回路ブロックＣＢ１の複数の導電性パターン３６ｅと、第２回路ブロックＣＢ２の複数の導電性パターン３６ｍと接続されている。

それぞれのブロック内接続部は、一つの回路ブロックＣＢ内の複数の回路要素と電気的に接続されている。本例の第１ブロック内接続部２０４は、第３回路ブロックＣＢ３の複数の導電性パターン３６ｌと接続されている。本例の第２ブロック内接続部２０６は、第４回路ブロックＣＢ４の複数の導電性パターン３６ｃと接続されている。本例の第３ブロック内接続部２０８は、第１回路ブロックＣＢ１の複数の導電性パターン３６ｆと接続されている。本例の第４ブロック内接続部２０９は、第２回路ブロックＣＢ２の複数の導電性パターン３６ｐと接続されている。

ブロック間接続部２０２およびブロック内接続部は、絶縁基板５０の上方に配置された板状の導電部材であってよい。ブロック間接続部２０２およびブロック内接続部の少なくとも一部の板状部分は、絶縁基板５０に対して垂直に配置されていてよい。ブロック間接続部２０２およびブロック内接続部は、銅、アルミニウム等の導電材料で形成されてよい。図２では、それぞれの導電性パターン３６においてブロック間接続部２０２またはブロック内接続部と接続される領域を、接続領域２１０として示している。

図３は、半導体装置１００の内部回路における回路構成の一例を示す図である。本例の内部回路は、３レベル電力変換（インバータ）回路の３相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）のうちの、１相分（Ｕ相）の回路である。

第１の外部接続端子ｔｍ１（Ｐ）と、第４の外部接続端子ｔｍ４（Ｎ）との間に、トランジスタＴ４、トランジスタＴ１、トランジスタＴ２およびトランジスタＴ３がこの順番で直列に接続されている。それぞれのトランジスタＴｋは、図２において説明したように並列に複数接続されているが、図３の回路では一つのトランジスタとして示している。例えば、複数のトランジスタＴ４が互いに並列に接続されており、複数のトランジスタＴ１が互いに並列に接続されており、且つ、複数のトランジスタＴ４と複数のトランジスタＴ１とが直列に接続されている。それぞれのトランジスタＴｋには、ダイオードＤｋが逆並列に接続されている。

トランジスタＴ１のエミッタ端子と、トランジスタＴ２のコレクタ端子との接続点を、接続点Ｃ１とする。接続点Ｃ１は、交流出力端子としての第５の外部接続端子ｔｍ５（Ｕ）に接続されている。

トランジスタＴ１のコレクタ端子と、トランジスタＴ２のエミッタ端子とは、直列に設けられた２つのダイオードＤ５、Ｄ６を介して接続されている。ダイオードＤ５およびＤ６は、トランジスタＴ２のエミッタ端子から、トランジスタＴ１のコレクタ端子に向かう方向が順方向となるように配置されている。なおダイオードＤ５、Ｄ６は、図２においては省略している。ダイオードＤ５、Ｄ６は、導電性パターン３６上に設けられていてよく、第１ブロック内接続部２０４または第２ブロック内接続部２０６に設けられていてよく、他の場所に設けられていてもよい。

ダイオードＤ５およびＤ６の間の接続点を接続点Ｃ２とする。接続点Ｃ２は、第２の外部接続端子ｔｍ２（Ｍ１）と、第３の外部接続端子ｔｍ３（Ｍ２）に接続されている。このような構成により、内部回路は、４つのトランジスタＴが直列に接続されたＩ型の３レベル電力変換回路として動作する。

図４Ａは、それぞれの回路ブロックＣＢの概要を説明する図である。第１回路ブロックＣＢ１は、並列に接続された複数の第１回路部２１１を有する。本例の各第１回路部２１１は、導電性パターン３６−ｅおよび導電性パターン３６−ｆと、これらの導電性パターン上に配置されたトランジスタＴ１およびダイオードＤ１を含む。

第２回路ブロックＣＢ２は、並列に接続された複数の第２回路部２１２を有する。本例の各第２回路部２１２は、導電性パターン３６−ｍおよび導電性パターン３６−ｐと、これらの導電性パターン上に配置されたトランジスタＴ２およびダイオードＤ２を含む。

第３回路ブロックＣＢ３は、並列に接続された複数の第３回路部２１３を有する。本例の各第３回路部２１３は、導電性パターン３６−ｋおよび導電性パターン３６−ｌと、これらの導電性パターン上に配置されたトランジスタＴ３およびダイオードＤ３を含む。

第４回路ブロックＣＢ４は、並列に接続された複数の第４回路部２１４を有する。本例の各第４回路部２１４は、導電性パターン３６−ｃおよび導電性パターン３６−ｄと、これらの導電性パターン上に配置されたトランジスタＴ４およびダイオードＤ４を含む。

本例の第１回路ブロックＣＢ１および第２回路ブロックＣＢ２は、第１方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで配置されている。同様に、第３回路ブロックＣＢ３および第４回路ブロックＣＢ４は、第１方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで配置されている。また、第１回路ブロックＣＢ１および第４回路ブロックＣＢ４は、第２方向（Ｘ軸方向）に沿って並んで配置されている。同様に、第２回路ブロックＣＢ２および第３回路ブロックＣＢ３は、第２方向（Ｘ軸方向）に沿って並んで配置されている。なお、図２のように、本例において、第１方向（Ｙ軸方向）は、ベース部１２０の長辺と平行な方向である。また、本例において、第２方向（Ｘ軸方向）は、ベース部１２０の短辺と平行な方向である。

また、それぞれの回路ブロックＣＢにおける複数の回路部は、第１方向（Ｙ軸方向）に沿って並んで配置されている。例えば第１回路部２１１−１、２１１−２、２１１−３は、第１方向に沿って並んで配置されている。なお、回路部が、第１方向に沿って並んで配置されているとは、それぞれの回路部の第１方向における位置が異なっていることを指す。第１方向と垂直な方向（本例ではＸ軸方向）においては、各回路部は、同一の位置に配置されていてよく、ずれて配置されていてもよい。各回路部は、第１方向と平行な直線と重なる部分を有していてよい。

上述したように、ブロック間接続部２０２は、第１回路ブロックＣＢ１と、第２回路ブロックＣＢ２とを接続している。つまり、ブロック間接続部２０２は、複数の第１回路部２１１と、複数の第２回路部２１２のそれぞれと接続している。

図４Ｂは、第１方向に沿って並んだ第１回路部２１１の一例を示す図である。それぞれの第１回路部２１１の第１方向（Ｙ軸）における位置が異なっている。なお、それぞれの第１回路部２１１の位置として、接続領域２１０が設けられた導電性パターンの、ＸＹ面における形状の重心位置を用いてよい。本例では、それぞれの第１回路部２１１のＸ軸における位置は同一である。

図４Ｃは、第１方向に沿って並んだ第１回路部２１１の他の例を示す図である。本例においても、それぞれの第１回路部２１１の第１方向（Ｙ軸）における位置が異なっている。本例では、それぞれの第１回路部２１１は、Ｘ軸方向における位置が異なって配置されている。このような形態も、本明細書では第１方向に沿って並んでいるものに含める。なお、本例の各第１回路部２１１は、それぞれの第１回路部２１１の導電性パターン３６を通過する第１方向と平行な直線２０１が存在するように配置されている。他の例では、少なくとも一つの第１回路部２１１は、導電性パターン３６が直線２０１と重ならないように配置されていてもよい。

図４Ｄは、第１方向に沿って並んだ第１回路部２１１の他の例を示す図である。本例においても、それぞれの第１回路部２１１の第１方向（Ｙ軸）における位置が異なっている。本例では、少なくとも一つの第１回路部２１１は、他の第１回路部２１１に対して、Ｘ軸方向において重なる部分を有している。このような形態も、本明細書では第１方向に沿って並んでいるものに含める。

図４Ｂから図４Ｄにおいては、第１回路部２１１を用いて説明したが、他の回路部についても同様である。また、回路ブロックＣＢについても同様である。図４Ｂから図４Ｄにおいては、第１方向に沿って並んだ場合を説明しているが、他の方向に並んでいる場合も同様である。

図５は、ブロック間接続部２０２、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６の形状例を示す図である。図５においては、ブロック間接続部２０２、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６のＹＺ面における形状を示している。なお図５においては、ブロック間接続部２０２と、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６を、模式的に同一のＹＺ面上に示している。図２に示すように、ブロック間接続部２０２と、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６とが設けられるＸ軸上の位置は異なる。本例の第１ブロック内接続部２０４は第１接続部の一例であり、ブロック間接続部２０２は第２接続部の一例であり、第２ブロック内接続部２０６は第３接続部の一例である。

それぞれの接続部は、板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続される。本例では、ブロック間接続部２０２は、複数の第１回路部２１１および複数の第２回路部２１２に接続され、第１ブロック内接続部２０４は複数の第３回路部２１３に接続され、第２ブロック内接続部２０６は複数の第４回路部２１４に接続されている。

本明細書において板状とは、対向して配置された２つの主面の各面積が、他のいずれの面の面積よりも大きい形状を指す。主面の各面積は、他の面の面積のうちの最大面積の５倍以上であってよい。図５においては、板状部分２２０の主面３０５は、ＹＺ面と平行である。

ブロック間接続部２０２および第１ブロック内接続部２０４は、それぞれの主面が向かいあって配置されている。それぞれの主面が向かい合うとは、一方の主面のいずれかの箇所における法線が、他方の主面を通過する状態を指す。本例では、ブロック間接続部２０２の主面３０５と、第１ブロック内接続部２０４の主面３０７とが平行に配置されている。なお、図５に示した例では、第１ブロック内接続部２０４の主面３０７とは逆側の主面が、ブロック間接続部２０２の主面３０５と向かいあって配置されている。

本明細書で２つの面が平行とは、厳密に平行に配置された状態の他に、所定の微小角度を有して配置された場合を含む。当該微小角度は、５度以内であってよい。本例においては、ブロック間接続部２０２の主面３０５と、第１ブロック内接続部２０４の主面３０７とは、ともにＹＺ面と平行である。

ブロック間接続部２０２および第２ブロック内接続部２０６は、それぞれの主面が向かいあって配置されている。本例では、ブロック間接続部２０２の主面３０５と、第２ブロック内接続部２０６の主面３０３とが平行に配置されている。

本例において、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６は、両方とも、ブロック間接続部２０２の同一の主面３０５と向かい合って配置されている。つまり、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６は、ブロック間接続部２０２に対して、同じ側に配置されている。本例の第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６は、Ｙ軸方向に並んで配置されている。

また、ブロック間接続部２０２および第１ブロック内接続部２０４は、主面３０５または主面３０７と垂直な方向（本例ではＸ軸方向）から見た場合に重なる重複領域３５１を有する。本例では、ブロック間接続部２０２は、第１ブロック内接続部２０４と重なる重複領域３５１と、第２ブロック内接続部２０６と重なる重複領域３５２とを有する。本例の重複領域３５１および重複領域３５２は、Ｙ軸方向に並んで配置されている。

それぞれの接続部は、主面における電流経路を規制する経路規制部を有する。経路規制部は、少なくとも一つの回路部に流れる電流の電流経路の抵抗値を増大させることで、接続部の主面における電流経路を規制する。図５の例において、経路規制部は、各接続部の板状部分に設けられたスリットである。スリットは、板状部分をＸ軸方向に貫通した溝であり、少なくとも一つの回路部に流れる電流を迂回させて、電流経路長を増大させる。これにより、スリットを入れない場合に対して、電流経路の抵抗値を増大する。ただし経路規制部は、電流経路の抵抗値を増大させればよく、スリットに限定されない。一例として、板状部分および各接続端部の一部において、他の部分よりも抵抗率の高い材料を用いた経路規制部を設けてよく、他の部分よりもＸ軸方向の厚みを小さくした経路規制部を設けてもよく、複数の貫通孔で網目領域とした経路規制部を設けてもよい。例えば図５に示したスリットが設けられた位置に、スリットに代えて高抵抗材料を用いた部材を設けてよく、スリットに代えて厚みの小さい領域を設けてもよく、複数の貫通孔で網目領域を設けてもよい。

それぞれの接続部は、板状部分を有する。本例のブロック間接続部２０２は板状部分２２０を有し、第１ブロック内接続部２０４は板状部分３２０を有し、第２ブロック内接続部２０６は板状部分３２１を有する。

それぞれの接続部は、回路部に接続される回路接続端部を有する。回路接続端部は、板状部分の回路部に最も近い端辺から、回路部側に突出して設けられてよい。本例のブロック間接続部２０２は、端辺２２４において、第１回路部２１１に接続される複数の第１接続端部２３１と、第２回路部２１２に接続される複数の第２接続端部２３２とを有する。本例の第１ブロック内接続部２０４は、端辺２５２において、第３回路部２１３に接続される複数の第３接続端部２５４を有する。本例の第２ブロック内接続部２０６は、端辺２６２において、第４回路部２１４に接続される複数の第４接続端部２６４を有する。

第１接続端部２３１の第１回路部２１１側の端部は、Ｚ軸における位置３５４に配置されている。第２接続端部２３２の第２回路部２１２側の端部は、Ｚ軸において位置３５４に配置されてよい。第３接続端部２５４の第３回路部２１３側の端部は、Ｚ軸において位置３５４に配置されてよい。第４接続端部２６４の第４回路部２１４側の端部は、Ｚ軸において位置３５４に配置されてよい。ただし、それぞれの接続端部のＺ軸方向における位置は、異なっていてもよい。

それぞれの接続部は、回路接続端部が設けられた端辺からＺ軸方向に離れた位置に、スリットを有する。当該スリットは、Ｙ軸方向に延伸して設けられていてよい（つまり、Ｙ軸方向に長手を有してよい）。本例のブロック間接続部２０２は、端辺２２４から離れた位置に、Ｙ軸方向に延伸する第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２を有する。本例の第１ブロック内接続部２０４は、端辺２５２から離れた位置に、Ｙ軸方向に延伸する第１平行スリット２５６を有する。第１平行スリット２５６は、第１内部スリット２４４−１と平行に配置されてよい。

本例の第２ブロック内接続部２０６は、端辺２６２から離れた位置に、Ｙ軸方向に延伸する第２平行スリット３１０を有する。第２平行スリット３１０は、第２内部スリット２４４−２と平行に配置されてよい。第１内部スリット２４４−１および第１平行スリット２５６は、重複領域３５１に配置されている。第２内部スリット２４４−２および第２平行スリット３１０は、重複領域３５２に配置されている。

それぞれの接続部は、Ｙ軸方向に延伸するスリットと、回路接続端部との間に電流経路を有する。当該電流経路は、Ｙ軸方向に延伸して設けられてよい（つまり、Ｙ軸方向に長手を有してよい）。本例のブロック間接続部２０２は、端辺２２４と第１内部スリット２４４−１との間に電流経路３００−１を有し、端辺２２４と第２内部スリット２４４−２との間に電流経路３００−２を有する。本例の電流経路３００−１および電流経路３００−２は、Ｙ軸方向に離れて配置されている。本例の第１ブロック内接続部２０４は、端辺２５２と第１平行スリット２５６との間に電流経路３０１を有する。本例の第２ブロック内接続部２０６は、端辺２６２と第２平行スリット３１０との間に電流経路３０２を有する。電流経路３００−１および電流経路３０１は、重複領域３５１に配置されている。電流経路３００−２および電流経路３０２は、重複領域３５２に配置されている。

電流経路３００−１および電流経路３０１は、Ｘ軸方向から見た場合に、少なくとも一部が重なっていてよい。電流経路３００−１および電流経路３０１は、Ｘ軸方向から見た場合に、重なっている領域の面積が、当該電流経路の面積の半分以上であってよい。電流経路３００−２および電流経路３０２は、Ｘ軸方向から見た場合に、少なくとも一部が重なっていてよい。電流経路３００−２および電流経路３０２は、Ｘ軸方向から見た場合に、重なっている領域の面積が、当該電流経路の面積の半分以上であってよい。

本例の第２ブロック内接続部２０６は、図３等において説明した第１の外部接続端子ｔｍ１（Ｐ）として機能する外部接続端部２６１を有する。また、第１ブロック内接続部２０４は、図３等において説明した第４の外部接続端子ｔｍ４（Ｎ）として機能する外部接続端部２５１を有する。図３等において説明したように、本例の半導体装置１００においては、第２ブロック内接続部２０６の外部接続端部２６１から、第４接続端部２６４、ブロック間接続部２０２の第１接続端部２３１、ブロック間接続部２０２の第２接続端部２３２、第１ブロック内接続部２０４の第３接続端部２５４、第１ブロック内接続部２０４の外部接続端部２５１の順番で電流が流れる。各図において、各接続部の主面における電流の向きを破線の矢印で示している。

本例では、ブロック間接続部２０２の電流経路３００−１に流れる電流の向きが、第１ブロック内接続部２０４の電流経路３０１に流れる電流の向きと異なっている。例えば電流経路３００−１において、第２接続端部２３２−３に流れる電流は、Ｙ軸の負方向に向かって流れている。これに対して、電流経路３０１において、第３接続端部２５４−３に流れる電流は、Ｙ軸の正方向に向かって流れている。同様に、電流経路３００−２において、第１接続端部２３１−１に流れる電流は、Ｙ軸の負方向に向かって流れている。これに対して、電流経路３０２において、第４接続端部２６４−１に流れる電流は、Ｙ軸の正方向に向かって流れている。

このように、Ｘ軸方向に対向して配置された電流経路における電流の向きを異ならせることで、Ｘ軸方向に対向して配置された２つの接続部の間の電磁相互誘導を抑制できる。Ｘ軸方向に対向して配置された電流経路における電流の向きは、逆向きであることが好ましい。逆向きとは、電流の向きが厳密に１８０度異なる場合の他に、所定の角度誤差を有する場合を含む。当該角度誤差は、例えば４５度以下である。このような構成により、電圧および電流における、発振またはノイズの発生を抑制できる。なお、接続部の間の電磁相互誘導は、接続部の間の距離が近いほど顕著になる。ブロック間接続部２０２と、第１ブロック内接続部２０４とのＸ軸方向における距離は、１ｃｍ以下であってよく、０．５ｍｍ以下であってもよい。ブロック間接続部２０２と、第２ブロック内接続部２０６とのＸ軸方向における距離は、１ｃｍ以下であってよく、０．５ｍｍ以下であってもよい。

ブロック間接続部２０２と、第１ブロック内接続部２０４のそれぞれは、少なくとも一部の電流が、スリットの周囲を回るように回路接続端部およびスリットが配置されている。電流がスリットの周囲を回るとは、スリットに隣接する領域において、電流の向きが逆向きとなる領域が存在することを指す。本例では、第１内部スリット２４４−１と端辺２２４との間の領域と、第１内部スリット２４４−１と端辺２２６との間の領域とで、電流の向きが逆向きになっている。

例えばブロック間接続部２０２において、第２接続端部２３２−３に流れる電流は、第１内部スリット２４４−１の周囲を反時計回りに回っている。これに対して、第１ブロック内接続部２０４において、第３接続端部２５４−３に流れる電流は、第１平行スリット２５６の周囲を時計回りに回っている。このように、スリットの周囲を電流が回る向きが、対向する２つの接続部で逆向きになることで、２つの接続部の間の電磁総合誘導を更に抑制できる。

ブロック間接続部２０２と、第２ブロック内接続部２０６とにおいても、スリットの周囲を電流が回る向きが逆向きであってよい。例えばブロック間接続部２０２において、第１接続端部２３１−１に流れる電流は、第２内部スリット２４４−２の周囲を反時計回りに回っている。これに対して、第２ブロック内接続部２０６において、第４接続端部２６４−１に流れる電流は、第２平行スリット３１０の周囲を時計回りに回っていてよい。

（第１実施例）
本実施例のブロック間接続部２０２は、板状部分２２０、複数の第１接続端部２３１、および、複数の第２接続端部２３２を有する。板状部分２２０は、Ｙ軸方向に並んで配置された第１回路部２１１および第２回路部２１２のうち、一端に配置された第１回路部２１１−３の上方から、他端に配置された第２回路部２１２−１の上方まで延伸する板状部材であってよい。板状部分２２０は、ＸＹ面に垂直に設けられてよい。板状部分２２０は、回路ブロックＣＢと対向する端辺２２４と、端辺２２４とは逆側の端辺２２６とを有する。

第１接続端部２３１は、第１回路部２１１毎に設けられる。第１接続端部２３１は、板状部分２２０の端辺２２４から第１回路部２１１側に突出して設けられ、第１回路部２１１と接続領域２１０で接続する。第２接続端部２３２は、第２回路部２１２毎に設けられる。第２接続端部２３２は、板状部分２２０の端辺２２４から第２回路部２１２側に突出して設けられ、第２回路部２１２と接続領域２１０で接続する。図５においては、第１接続端部２３１および第２接続端部２３２を模式的に示している。各接続端部は、ＸＹ面と平行に延伸する部分を有してよく、湾曲する部分を有してもよい。

半導体装置１００においては、第１回路ブロックＣＢ１と、第２回路ブロックＣＢ２との間で、ブロック間接続部２０２を介して電流が流れる場合がある。例えば図３に示した回路において、トランジスタＴ１およびＴ２が同時にオンになる短絡状態になると、トランジスタＴ１およびＴ２の間で電流が流れてしまう場合がある。

第２回路ブロックＣＢ２の複数の第２回路部２１２は、Ｙ軸方向に沿って並んでいる。このため、それぞれの第２回路部２１２と、第１回路ブロックＣＢ２１の間の電流経路の長さは異なる。電気抵抗は、電流経路の長さに応じて定まるので、それぞれの第２回路部２１２に流れる電流の大きさにバラツキが生じてしまう場合がある。並列に設けられた複数の回路部の間で電流にバラツキが生じると、半導体装置１００の耐圧が低下してしまう。例えば、半導体装置１００に流れる短絡電流のピーク値が大きくなってしまう場合がある。

本例のブロック間接続部２０２は、少なくとも、第１回路ブロックＣＢ１から第２回路部２１２−３までの電流経路２３０における抵抗値を増大させる経路規制部を有する。第２回路部２１２−３は、第２回路ブロックＣＢ２において最も第１回路ブロックＣＢ１の近くに配置された第２回路部２１２である。第１回路部ブロックＣＢ１に最も近い第２回路部２１２−３に電流が最も集中しやすいので、第２回路部２１２−３に対する電流経路２３０を長くすることで、半導体装置１００の耐圧を効率よく向上できる。

また、経路規制部は、第２回路ブロックＣＢ２から第１回路部２１１−１までの電流経路における抵抗値を増大させてもよい。第１回路部２１１−１は、第１回路ブロックＣＢ１において最も第２回路ブロックＣＢ２の近くに配置された第１回路部２１１である。第１回路部２１１−１に電流が最も集中しやすいので、第１回路部２１１−１に対する電流経路を長くすることで、半導体装置１００の耐圧を効率よく向上できる。

本例の経路規制部は、図５のようにＴ字形状のスリットであってよい。ブロック間接続部２０２は、端辺スリット２４２、第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２を有する。端辺スリット２４２は、板状部分２２０の端辺２２４において、第１接続端部２３１−１と、第２接続端部２３２−３との間に設けられ、端辺２２４から板状部分２２０の内部まで延伸して設けられている。第１接続端部２３１−１は、複数の第１接続端部２３１のうち、最も第２接続端部２３２側に配置された第１接続端部２３１である。第２接続端部２３２−３は、複数の第２接続端部２３２のうち、最も第１接続端部２３１側に配置された第２接続端部２３２である。端辺スリット２４２は、第１接続端部２３１−１と、第２接続端部２３２−３との間の中央に配置されていてよい。端辺スリット２４２は、端辺２２４から、Ｚ軸方向と平行に延伸して設けられてよい。

第１内部スリット２４４−１は、板状部分２２０において端辺スリット２４２に接続して設けられ、端辺２２４に沿って第１接続端部２３１側に延伸して設けられている。第１内部スリット２４４−１は、端辺２２４と平行に設けられていてよく、端辺２２４に対して傾きを有して設けられていてもよい。第１内部スリット２４４−１は、少なくとも第１接続端部２３１−１よりも外側まで延伸して設けられてよい。外側とは、Ｙ軸において端辺スリット２４２から離れる側を指す。本例の第１内部スリット２４４−１は、複数の第１接続端部２３１のうち、Ｙ軸方向において中央に配置された第１接続端部２３１−２まで延伸してよく、第１接続端部２３１−２よりも外側まで延伸していてもよい。このような配置により、それぞれの第１接続端部２３１に対応する電流経路の長さを平均化できる。第１内部スリット２４４−１は、複数の第１接続端部２３１のうち最も外側に配置された第１接続端部２３１−３と、Ｚ軸方向において対向する位置までは延伸していなくてよい。

第２内部スリット２４４−２は、板状部分２２０において端辺スリット２４２に接続して設けられ、端辺２２４に沿って第２接続端部２３２側に延伸して設けられている。第２内部スリット２４４−２は、端辺２２４と平行に設けられていてよく、端辺２２４に対して傾きを有して設けられていてもよい。第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２は、端辺２２４からはＺ軸方向に離れて配置されている。一例として第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２は、端辺スリット２４２のＺ軸方向の上端と接続されており、それぞれＹ軸方向に延伸して設けられていてよい。

第２内部スリット２４４−２は、少なくとも第２接続端部２３２−３よりも外側まで延伸して設けられてよい。本例の第２内部スリット２４４−２は、複数の第２接続端部２３２のうち、Ｙ軸方向において中央に配置された第２接続端部２３２−２まで延伸してよく、第２接続端部２３２−２よりも外側まで延伸していてもよい。このような配置により、それぞれの第２接続端部２３２に対応する電流経路の長さを平均化できる。第２内部スリット２４４−２は、複数の第２接続端部２３２のうち最も外側に配置された第２接続端部２３２−１と、Ｚ軸方向において対向する位置までは延伸していなくてよい。

このような構造により、内側に配置された第１回路部２１１−１および第２回路部２１２−３等に対する電流経路の長さを増大させることができる。このため、これらの電流経路の電気抵抗値を増大させることができる。

本例のブロック間接続部２０２には、外部接続端部２２２が設けられている。外部接続端部２２２は、端辺２２６から上方に突出していてよい。本例の外部接続端部２２２は、第５の外部接続端子ｔｍ５（Ｕ）として機能する。

本例の板状部分２２０は、Ｚ軸方向の幅が、他の領域よりも小さい幅狭領域２２８を有してよい。例えば幅狭領域２２８は、図１における凸部１１６が設けられていない領域に配置されており、幅狭領域２２８以外の板状部分２２０は、凸部１１６の下方に配置されている。つまり板状部分２２０には、ケース部１１０の形状等に応じて、幅狭領域２２８を設ける場合がある。内部スリット２４４と、端辺２２４との間の板状部分２２０の幅は、幅狭領域２２８の幅と同一であってよく、幅より小さくてもよい。各部分の幅をこのように設定することで、幅狭領域２２８が電流経路に含まれる第２回路部２１２−１の電流経路と、他の第２回路部２１２の電流経路との抵抗値のバラツキを抑制できる。

また、半導体装置１００においては、複数の回路ブロックＣＢの間で、Ｕ字またはＣ字状に電流が流れる場合がある。例えば、第１の外部接続端子ｔｍ１（Ｐ）と、第４の外部接続端子ｔｍ４（Ｎ）との間が短絡すると、第４回路ブロックＣＢ４、第１の回路ブロックＣＢ１、第２の回路ブロックＣＢ２、第３の回路ブロックＣＢ３の順番に電流がＵ字状に流れる。また、第２の外部接続端子ｔｍ２（Ｍ１）と、第４の外部接続端子ｔｍ４（Ｎ）との間が短絡すると、第１回路ブロックＣＢ１、第２回路ブロックＣＢ２、第３回路ブロックＣＢ３の順番に電流がＣ字状に流れる。また、第３の外部接続端子ｔｍ３（Ｍ２）と、第１の外部接続端子ｔｍ１（Ｐ）との間が短絡すると、第２回路ブロックＣＢ２、第１回路ブロックＣＢ１、第４回路ブロックＣＢ４の順番に電流がＣ字状に流れる。

電流が、Ｕ字またはＣ字のように内部回路を回って流れると、電流の周回中心側に配置された回路部に対する電流経路が、周回中心から離れて配置された回路部に対する電流経路よりも短くなりやすい。本例のブロック間接続部２０２によれば、周回中心の近くに配置された回路部の電流経路を増大させることができるので、全体的な電流経路の長さのバランスも改善できる。

なお、図５のブロック間接続部２０２は、第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２を有していたが、他の例では、第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２のいずれか一方を有していてもよい。この場合においても、内部スリット２４４は、端辺スリット２４２に接続されている。

本実施例の第１ブロック内接続部２０４は、板状部分２５０、複数の第３接続端部２５４、および、外部接続端部２５１を有する。板状部分２５０は、Ｙ軸方向に並んで配置された複数の第３回路部２１３のうち、一端に配置された第３回路部２１３−１の上方から、他端に配置された第３回路部２１３−３の上方まで延伸する板状部材であってよい。板状部分２５０は、ＸＹ面に垂直に設けられてよい。板状部分２５０は、第３回路ブロックＣＢ３と対向する端辺２５２と、端辺２５２とは逆側の端辺２５３とを有する。

第３接続端部２５４は、第３回路部２１３毎に設けられる。第３接続端部２５４は、板状部分２５０の端辺２５２から第３回路部２１３側に突出して設けられ、第３回路部２１３と接続する。図５においては、第３接続端部２５４を模式的に示している。第３接続端部２５４は、ＸＹ面と平行に延伸する部分を有してよく、湾曲する部分を有してもよい。外部接続端部２５１は、端辺２５３から上方に突出していてよい。

本例の板状部分２５０には、第１平行スリット２５６が設けられている。第１平行スリット２５６は、第３接続端部２５４のうち最も第４回路ブロックＣＢ４側に配置された第３接続端部２５４−３と、外部接続端部２５１とを結ぶ最短の直線を横切るように設けられている。これにより第１平行スリット２５６は、外部接続端部２５１と第３接続端部２５４−３との間の電流経路を長くして、第３接続端部２５４−３に対する電流経路の抵抗値を増大させることができる。このため、電流の周回中心側に配置された第３回路部２１３−３への電流を抑制できる。本例の第１平行スリット２５６は、第３接続端部２５４−２と、外部接続端部２５１とを結ぶ最短の直線も横切るように設けられている。

第１平行スリット２５６は、一例として、直線形状のスリットである。第１平行スリット２５６の端部は、板状部分２５０のいずれかの端辺から、板状部分２５０の内部に延伸して設けられている。本例の第１平行スリット２５６は、板状部分２５０のＺ軸と平行な端辺のうち、第３接続端部２５４−３と最も近い端辺２５５に設けられている。端辺２５５は、第１ブロック内接続部２０４において、第２ブロック内接続部２０６と向かい合う端辺である。

本例では、外部接続端部２５１は、板状部分２５０における第１方向（Ｙ軸方向）の中央Ｙｃよりも第４回路ブロックＣＢ４側に配置されている。外部接続端部２５１は、板状部分２５０の端辺２５３において、端辺２５５側の端部に設けられていてよい。

本実施例の第２ブロック内接続部２０６は、板状部分２６０、複数の第４接続端部２６４、および、外部接続端部２６１を有する。板状部分２６０は、Ｙ軸方向に並んで配置された複数の第４回路部２１４のうち、一端に配置された第４回路部２１４−１の上方から、他端に配置された第４回路部２１４−３の上方まで延伸する板状部材であってよい。板状部分２６０は、ＸＹ面に垂直に設けられてよい。板状部分２６０は、第４回路ブロックＣＢ４と対向する端辺２６２と、端辺２６２とは逆側の端辺２６３とを有する。

第４接続端部２６４は、第４回路部２１４毎に設けられる。第４接続端部２６４は、板状部分２６０の端辺２６２から第４回路部２１４側に突出して設けられ、第４回路部２１４と接続する。図５においては、第４接続端部２６４を模式的に示している。第４接続端部２６４は、ＸＹ面と平行に延伸する部分を有してよく、湾曲する部分を有してもよい。外部接続端部２６１は、端辺２６３から上方に突出していてよい。

本例の板状部分２６０には、第２平行スリット３１０が設けられている。第２平行スリット３１０は、第４接続端部２６４のうち最も第３回路ブロックＣＢ３側に配置された第４接続端部２６４−１と、外部接続端部２６１とを結ぶ最短の直線を横切るように設けられている。これにより第２平行スリット３１０は、外部接続端部２６１と第４接続端部２６４−１との間の電流経路を長くして、第４接続端部２６４−１に対する電流経路の抵抗値を増大させることができる。このため、電流の周回中心側に配置された第４回路部２１４−１への電流を抑制できる。

第２平行スリット３１０は、一例として、直線形状のスリットである。第２平行スリット３１０の端部は、板状部分２６０のいずれかの端辺から、板状部分２６０の内部に延伸して設けられている。本例の第２平行スリット３１０は、板状部分２６０のＺ軸と平行な端辺のうち、第４接続端部２６４−１と最も近い端辺３１１に設けられている。端辺３１１は、第２ブロック内接続部２０６において、第１ブロック内接続部２０４と向かい合う端辺である。

本例では、外部接続端部２６１は、板状部分２５０における第１方向（Ｙ軸方向）の中央Ｙｃよりも、第３回路ブロックＣＢ３とは逆側に配置されている。外部接続端部２６１は、板状部分２６０の端辺２６３において、第３回路ブロックＣＢ３とは逆側の端部に設けられていてよい。

図５に示したブロック内接続部の外部接続端子の位置は、ケース部１１０の形状、および、外部装置の配置等によって制限される。これに対して、図５に示したように、外部接続端子の位置に応じて、ブロック内接続部にスリットを設けるか否かを調整することで、回路全体における電流経路の抵抗値のバラツキを抑制できる。

図６は、各接続部におけるスリットの位置を説明する図である。ブロック間接続部２０２の高さをｈ１、第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２の高さ位置をｈ２、第１ブロック内接続部２０４の高さをｈ３、第１平行スリット２５６の高さ位置をｈ４、第２ブロック内接続部２０６の高さをｈ５、第２平行スリット３１０の高さ位置をｈ６とする。各接続部の高さは、位置３５４から各接続部の上端までのＺ軸方向の長さである。各接続部の上端は、外部接続端子の上端を用いてよく、板状部分の上端を用いてもよい。各スリットの高さ位置は、位置３５４を基準とした、各スリットの上端のＺ軸方向の位置である。また、第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２のＺ軸方向の幅をＷ１、第１平行スリット２５６のＺ軸方向の幅をＷ２、第２平行スリット３１０のＺ軸方向の幅をＷ３とする。

第１平行スリット２５６の高さ位置ｈ４は、第１内部スリット２４４−１の高さ位置ｈ２と同一であってよい。高さ位置が同一とは、厳密に同一である場合の他に、所定の誤差を有する場合も含む。当該誤差は、第１内部スリット２４４−１の幅Ｗ１より小さくてよく、第１平行スリット２５６の幅Ｗ２より小さくてもよい。第１内部スリット２４４−１と、第１平行スリット２５６とを同一の高さ位置に設けることで、ブロック間接続部２０２と、第１ブロック内接続部２０４との間の電磁相互誘導を抑制しやすくなる。

第２平行スリット３１０の高さ位置ｈ６は、第２内部スリット２４４−２の高さ位置ｈ２と同一であってよい。高さ位置が同一とは、厳密に同一である場合の他に、所定の誤差を有する場合も含む。当該誤差は、第２内部スリット２４４−２の幅Ｗ１より小さくてよく、第２平行スリット３１０の幅Ｗ３より小さくてもよい。第２内部スリット２４４−２と、第２平行スリット３１０とを同一の高さ位置に設けることで、ブロック間接続部２０２と、第２ブロック内接続部２０６との間の電磁相互誘導を抑制しやすくなる。

なお、ブロック間接続部２０２の高さｈ１と、第１ブロック内接続部２０４の高さｈ３が異なる場合、第１平行スリット２５６の高さ位置ｈ４は、第１内部スリット２４４−１の高さ位置ｈ２と異なっていてもよい。例えば、高さｈ１が高さｈ３よりも高い場合、高さ位置ｈ２は、高さ位置ｈ４よりも高い。同様に、高さｈ１が高さｈ３よりも低い場合、高さ位置ｈ２は、高さ位置ｈ４よりも低い。これにより、ブロック間接続部２０２と、第１ブロック内接続部２０４との間の電磁相互誘導を抑制しやすくなる。同様に、ブロック間接続部２０２の高さｈ１と、第２ブロック内接続部２０６の高さｈ５が異なる場合、第２平行スリット３１０の高さ位置ｈ６は、第２内部スリット２４４−２の高さ位置ｈ２と異なっていてもよい。

（第２実施例）
図７は、各接続部におけるスリットの他の配置例を示す図である。本例のブロック間接続部２０２は、図５に示した構成に加えて、第３内部スリット２４４−３、第４内部スリット２４４−４および端辺スリット３１７を有する。

端辺スリット３１７および第３内部スリット２４４−３は、重複領域３５１に設けられる。端辺スリット３１７および第３内部スリット２４４−３は、第１内部スリット２４４−１よりも、端辺２２４側に配置されている。端辺スリット３１７は、端辺２２４から、Ｚ軸方向に延伸するスリットである。本例の端辺スリット３１７は、第２接続端部２３２−２と、第２接続端部２３２−３との間の端辺２２４に設けられている。第３内部スリット２４４−３は、端辺スリット３１７に接続して設けられ、Ｙ軸方向に延伸している。本例の第３内部スリット２４４−３は、端辺スリット３１７から、第２接続端部２３２−３よりも内側まで設けられている。内側とは、端辺スリット２４２に近い側を指す。このような構成により、第２接続端部２３２−３に接続される電流経路の抵抗値を更に調整できる。

本例の第１ブロック内接続部２０４は、図５に示した構成に加えて、第３平行スリット２５７およびスリット２５９を有する。第３平行スリット２５７およびスリット２５９は、重複領域３５１に設けられる。スリット２５９および第３平行スリット２５７は、第１平行スリット２５６よりも、端辺２５２側に配置されている。スリット２５９は、端辺２５２から、Ｚ軸方向に延伸するスリットである。本例のスリット２５９は、第３接続端部２５４−２と、第３接続端部２５４−３との間の端辺２５２に設けられている。第３平行スリット２５７は、スリット２５９に接続して設けられ、Ｙ軸方向に延伸している。本例の第３平行スリット２５７は、スリット２５９から、第３接続端部２５４−３よりも内側まで設けられている。内側とは、端辺２５５に近い側を指す。このような構成により、第３接続端部２５４−３に接続される電流経路の抵抗値を更に調整できる。

重複領域３５１において、ブロック間接続部２０２のスリットと、第１ブロック内接続部２０４のスリットは、同様に配置されていることが好ましい。同様に配置とは、各スリットが、Ｘ軸方向から見て重なるように配置されていることを指してよい。また、重複領域３５１のブロック間接続部２０２および第１ブロック内接続部２０４において、第１方向（例えばＹ軸方向）に延伸するスリットの本数は同一であることが好ましい。本例では、ブロック間接続部２０２においてＹ軸方向に延伸するスリットは２本（第１内部スリット２４４−１、第３内部スリット２４４−３）であり、第１ブロック内接続部２０４においてＹ軸方向に延伸するスリットは２本（第１平行スリット２５６、第３平行スリット２５７）である。同様に、重複領域３５１のブロック間接続部２０２および第１ブロック内接続部２０４において、第１方向とは異なる第２方向（例えばＺ軸方向）に延伸するスリットの本数も同一であることが好ましい。本例では、ブロック間接続部２０２においてＺ軸方向に延伸するスリットは１本（端辺スリット３１７）であり、第１ブロック内接続部２０４においてＺ軸方向に延伸するスリットは１本（スリット２５９）である。対向する２つの接続部においてスリットを同様に配置することで、２つの接続部間の電磁相互誘導を抑制しやすくなる。

なお、重複領域３５２において、ブロック間接続部２０２のスリットと、第２ブロック内接続部２０６のスリットも、同様に配置されていることが好ましい。本例の第２ブロック内接続部２０６は、図５に示した構成に加えて、第４平行スリット３０９を有する。第４平行スリット３０９は、端辺３１１とは逆側の端辺から、Ｙ軸方向に延伸するスリットである。第４平行スリット３０９の高さ位置は、第２平行スリット３１０と位置３５４との間である。第４平行スリット３０９は、第４接続端部２６４−３よりも内側まで延伸してよく、第４接続端部２６４−２よりも内側まで延伸してよい。内側とは、端辺３１１に近い側を指す。本例の第４平行スリット３０９は、第４接続端部２６４−３と、第４接続端部２６４−２の間まで延伸している。

また、ブロック間接続部２０２の第４内部スリット２４４−４は、重複領域３５２において、端辺スリット２４２とは逆側の端辺から、Ｙ軸方向に延伸するスリットである。第４内部スリット２４４−４の高さ位置は、第２内部スリット２４４−２と位置３５４との間である。第４内部スリット２４４−４は、第１接続端部２３１−３よりも内側まで延伸してよく、第１接続端部２３１−２よりも内側まで延伸してよい。内側とは、端辺スリット２４２に近い側を指す。本例の第４内部スリット２４４−４は、第１接続端部２３１−３と、第１接続端部２３１−２の間まで延伸している。

重複領域３５２のブロック間接続部２０２および第２ブロック内接続部２０６において、第１方向（例えばＹ軸方向）に延伸するスリットの本数は同一であることが好ましい。本例では、ブロック間接続部２０２においてＹ軸方向に延伸するスリットは２本（第２内部スリット２４４−２、第４内部スリット２４４−４）であり、第２ブロック内接続部２０６においてＹ軸方向に延伸するスリットは２本（第２平行スリット３１０、第４平行スリット３０９）である。また、重複領域３５２のブロック間接続部２０２および第２ブロック内接続部２０６において、第２方向（例えばＺ軸方向）に延伸するスリットの本数は同一であることが好ましい。本例では、ブロック間接続部２０２および第２ブロック内接続部２０６において、第２方向（例えばＺ軸方向）に延伸するスリットの本数はともに０である。

図８は、第４ブロック内接続部２０９の形状例を示す図である。第４ブロック内接続部２０９は、板状部分２７０、複数の第５接続端部２７４、および、外部接続端部２７１を有する。板状部分２７０は、Ｙ軸方向に並んで配置された複数の第２回路部２１２のうち、一端に配置された第２回路部２１２−１の上方から、他端に配置された第２回路部２１２−３の上方まで延伸する板状部材であってよい。板状部分２７０は、ＸＹ面に垂直に設けられてよい。板状部分２７０は、第２回路ブロックＣＢ２と対向する端辺２７２と、端辺２７２とは逆側の端辺２７３とを有する。

第５接続端部２７４は、第２回路部２１２毎に設けられる。第５接続端部２７４は、板状部分２７０の端辺２７２から第２回路部２１２側に突出して設けられ、第２回路部２１２と接続する。図８においては、第５接続端部２７４を模式的に示している。第５接続端部２７４は、ＸＹ面と平行に延伸する部分を有してよく、湾曲する部分を有してもよい。

外部接続端部２７１は、端辺２７３から上方に突出していてよい。本例の外部接続端部２７１は、第３の外部接続端子ｔｍ３（Ｍ２）として機能する。

第４ブロック内接続部２０９の板状部分２７０にはスリットが設けられていてよく、設けられていなくてもよい。スリットを設ける場合、板状部分２７０には、図５に示した板状部分２５０と同様のスリットを設けてよい。本例の第４ブロック内接続部２０９は、他の接続部からのＸ軸方向における距離が、１ｃｍより大きい。当該距離は２ｃｍ以上であってよい。このため、第４ブロック内接続部２０９と他の接続部との間の電磁相互誘導は比較的に小さい。このため、電流経路を規制するスリットを設けて電流を逆向きに流さなくとも、発振およびノイズを抑制できる。

図９は、第３ブロック内接続部２０８の形状例を示す図である。第３ブロック内接続部２０８は、板状部分２８０、複数の第６接続端部２８４、および、外部接続端部２８１を有する。板状部分２８０は、Ｙ軸方向に並んで配置された複数の第１回路部２１１のうち、一端に配置された第１回路部２１１−１の上方から、他端に配置された第１回路部２１１−３の上方まで延伸する板状部材であってよい。板状部分２８０は、ＸＹ面に垂直に設けられてよい。板状部分２８０は、第１回路ブロックＣＢ１と対向する端辺２８２と、端辺２８２とは逆側の端辺２８３とを有する。

第６接続端部２８４は、第１回路部２１１毎に設けられる。第６接続端部２８４は、板状部分２８０の端辺２８２から第１回路部２１１側に突出して設けられ、第１回路部２１１と接続する。図９においては、第６接続端部２８４を模式的に示している。第６接続端部２８４は、ＸＹ面と平行に延伸する部分を有してよく、湾曲する部分を有してもよい。

外部接続端部２８１は、端辺２８３から上方に突出していてよい。本例の外部接続端部２８１は、第２の外部接続端子ｔｍ２（Ｍ１）として機能する。

第３ブロック内接続部２０８の板状部分２８０にはスリットが設けられていてよく、設けられていなくてもよい。スリットを設ける場合、板状部分２８０には、図５に示した板状部分２５０と同様のスリットを設けてよい。図９に示した例においては、外部接続端部２８１と、第６の接続端部２８４−２との間の電流経路が最短となる。当該スリットは、外部接続端部２８１と、第６の接続端部２８４−２とを結ぶ直線を横切って設けられてよい。本例の第３ブロック内接続部２０８は、他の接続部からのＸ軸方向における距離が、１ｃｍより大きい。当該距離は２ｃｍ以上であってよい。このため、第３ブロック内接続部２０８と他の接続部との間の電磁相互誘導は比較的に小さい。このため、電流経路を規制するスリットを設けて電流を逆向きに流さなくとも、発振およびノイズを抑制できる。

図１０は、それぞれの回路部間における、ブロック間接続部２０２およびブロック内接続部の抵抗を模式的に示す図である。図１０においては、ブロック間接続部２０２および第１ブロック内接続部２０４においてスリットを設けたことにより増大した抵抗をＲｓで示している。また、幅狭領域を設けたことにより増大した抵抗をＲｔで示している。

図１０に示すように、ブロック間接続部２０２にスリットを設けたことで、第１回路部２１１−１および第２回路部２１２−３に対して抵抗Ｒｓを追加できる。これにより、複数の第１回路部２１１と、複数の第２回路部２１２との間の電流経路の抵抗値を均一化できる。また、第１ブロック内接続部２０４にスリットを設けたことで、第３回路部２１３−３に対して抵抗Ｒｓを追加できる。これにより、第４の外部接続端子ｔｍ４（Ｎ）と、それぞれの第３回路部２１３との間の電流経路の抵抗値を均一化できる。また、抵抗Ｒｓを追加することで、電流がＵ字またはＣ字状に流れる場合に、内側の回路部と外側の回路部とで、電流を均一化できる。また、図５に示したように、第２ブロック内接続部２０６にスリットを設けることにより、抵抗の調整が更に容易になる。図１０においては、第２ブロック内接続部２０６にスリットを設けたことによる追加の抵抗を省略している。

（第３実施例）
図１１は、ブロック間接続部２０２の他の例を示す図である。本例のブロック間接続部２０２は、第１実施例または第２実施例におけるブロック間接続部２０２に対して、幅狭領域４１０を有する点で相違する。他の構造は、第１実施例または第２実施例と同一である。

幅狭領域４１０は、Ｙ軸方向において、幅狭領域２２８とは逆側の端部に設けられている。幅狭領域４１０は、Ｚ軸方向の幅が、他の領域よりも小さい。幅狭領域４１０のＺ軸方向の幅およびＹ軸方向の長さは、幅狭領域２２８と同一であってよい。幅狭領域２２８を設けることで、ブロック間接続部２０２における電流経路の配置バランスを改善できる。

（第４実施例）
図１２は、半導体装置１００において対向して設けられる接続部３７１および接続部４７１の一例を示す図である。第１実施例から第３実施例においては、１つの接続部に対して、２つの接続部が対向して配置されていた。本例では、１つの接続部３７１に対して、１つの接続部４７１が対向して配置されている。接続部３７１と、接続部４７１のＹ軸方向の長さは同一であってよい。本実施例の半導体装置は、図１から図４Ｄにおいて説明した例とは回路配置が異なる。

本例においても、第１実施例から第３実施例と同様に、対向する２つの接続部は、スリットが同様に配置されていることが好ましい。これにより、対向する２つの接続部において電流を逆向きに流すことが容易になり、発振およびノイズを抑制しやすくなる。

図１２の例では、接続部３７１および接続部４７１のそれぞれは、第１実施例から第３実施例のいずれかのブロック間接続部２０２と同一の構成を有している。ただし、２つの接続部の構成はこれに限定されない。

（第５実施例）
図１３は、接続部５７１の一例を示す図である。接続部５７１は、図１から図１２において説明したいずれかの接続部として用いることができる。接続部５７１は、スリット以外の構造は、図１から図１２において説明したいずれかの接続部と同一である。

接続部５７１は、図１から図１２において説明したいずれかの接続部におけるスリットに加えて、１つ以上の枝スリット５０１を有する。枝スリット５０１は、Ｚ軸方向に延伸するスリットである。枝スリット５０１は、Ｙ軸方向に延伸するスリット５７５から、Ｚ軸方向に延伸して設けられてよい。スリット５７５は、図１から図１２において説明したいずれかの内部スリット、若しくは、第１平行スリット２５６、第３平行スリット２５７、第２平行スリット３１０、第４平行スリット３１１に対応している。接続部５７１は、スリット５７５からＺ軸の正側に延伸する枝スリット５０１と、負側に延伸する枝スリット５０１とを有してよい。

また、接続部５７１は、回路部側の端辺５７２からＺ軸方向に延伸する枝スリット５０２を更に有してよい。スリット５７５と端辺５７２との間において、枝スリット５０１と枝スリット５０２とが、Ｙ軸方向に沿って交互に配置されてよい。

また、接続部５７１は、端辺５７２とは逆側の端辺５７３からＺ軸方向に延伸する枝スリット５０３を更に有してよい。スリット５７５と端辺５７３との間において、枝スリット５０１と枝スリット５０３とが、Ｙ軸方向に沿って交互に配置されてよい。このような構成により、それぞれの電流経路の長さを更に調整しやすくなる。

（第６実施例）
図１４は、複数の接続部の他の配置例を示す図である。本実施例では、Ｘ軸方向において３つ以上の接続部が並んで配置される。本実施例の半導体装置は、図１から図４Ｄにおいて説明した例とは回路配置が異なる。図１４の例では、第１実施例または第２実施例において説明したブロック間接続部２０２、第１ブロック内接続部２０４、第２ブロック内接続部２０６に加えて、接続部６０４および接続部６０６が設けられている。接続部６０４および接続部６０６は、板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続されている。本例では、第１ブロック内接続部２０４が第１接続部の一例であり、ブロック間接続部２０２が第２接続部の一例であり、接続部６０４が第４接続部の一例である。

ブロック間接続部２０２は、第１主面３０５−１および第２主面３０５−２を有する。第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６は、第１主面３０５−１と向かい合って配置されている。接続部６０４および接続部６０６は、第２主面３０５−２に向かい合って配置されている。第１ブロック内接続部２０４と、接続部６０４は、ブロック間接続部２０２を挟んで配置されている。第２ブロック内接続部２０６と、接続部６０６は、ブロック間接続部２０２を挟んで配置されている。接続部６０４および接続部６０６は、Ｙ軸に沿って並んで配置されてよい。

第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６のＸ軸方向の厚みをＴ３、ブロック間接続部２０２の厚みをＴ２、接続部６０４および接続部６０６の厚みをＴ１とする。また、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６と、ブロック間接続部２０２とのＸ軸方向の距離をＤ２とし、接続部６０４および接続部６０６と、ブロック間接続部２０２とのＸ軸方向の距離をＤ１とする。距離Ｄ１および距離Ｄ２は、例えば１ｃｍ以下である。距離Ｄ１および距離Ｄ２は、０．５ｍｍ以下であってよい。

第１実施例または第２実施例において説明したように、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６における電流経路の電流の向きと、ブロック間接続部２０２において対向する電流経路の電流の向きとは逆向きである。同様に、接続部６０４および接続部６０６における電流経路の電流の向きと、ブロック間接続部２０２において対向する電流経路の電流の向きとは逆向きであることが好ましい。つまり、Ｘ軸方向に並んだ接続部において、対向する電流経路における電流の向きは交互に反転していてよい。また、ブロック間接続部２０２を挟む２つの接続部（例えば、第１ブロック内接続部２０４と接続部６０４）においては、対向する電流経路における電流の向きは同一である。これにより、それぞれの接続部の間における電磁相互誘導を抑制できる。

図１５は、図１４に示した各接続部におけるスリットの配置例を示す図である。ブロック間接続部２０２、第１ブロック内接続部２０４および第２ブロック内接続部２０６は、第１実施例または第２実施例と同一の構造を有してよい。接続部６０４は、第１ブロック内接続部２０４と同一のスリットおよび端子配置を有してよい。接続部６０６は、第２ブロック内接続部２０６と同一のスリットおよび端子配置を有してよい。

本例では、第２ブロック内接続部２０６の外部接続端部２６１−１から、第２ブロック内接続部２０６の第４接続端部２６４に電流が流れる。同様に、接続部６０６の外部接続端部２６１−２から、接続部６０６の第４接続端部２６４に電流が流れる。外部接続端部２６１−１および外部接続端部２６１−２は、例えば外部電源に接続されてよい。第２ブロック内接続部２０６の第４接続端部２６４に流れた電流と、接続部６０６の第４接続端部２６４に流れた電流はともに、ブロック間接続部２０２の第１接続端部２３１に流れる。ブロック間接続部２０２においては、第１接続端部２３１から第２接続端部２３２に電流が流れる。第２接続端部２３２に流れた電流は、第１ブロック内接続部２０４の第３接続端部２５４と、接続部６０４の第３接続端部２５４とに分岐して流れる。第１ブロック内接続部２０４においては、第３接続端部２５４から外部接続端子２５１−１に電流が流れる。接続部６０４においては、第３接続端部２５４から外部接続端子２５１−２に電流が流れる。外部接続端子２５１−１および外部接続端子２５１−２は、外部電源に接続されてよい。

図１５に示す構成によれば、対向する電流経路の電流の向きを逆向きにできる。例えば、ブロック間接続部２０２の電流経路３００−１の電流の向きは、第１ブロック内接続部２０４の電流経路３０１−１の電流の向きと、接続部６０４の電流経路３０２−１の電流の向きの両方に対して逆向きである。また、ブロック間接続部２０２の電流経路３００−２の電流の向きは、第２ブロック内接続部２０６の電流経路３０２−１の電流の向きと、接続部６０６の電流経路３０２−２の電流の向きの両方に対して逆向きである。

それぞれの接続部においてＹ軸方向に延伸するスリットのＺ軸方向の幅Ｗは、同一であってよく、異なっていてもよい。本例では、第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２の幅をＷ２１とする。また、第１ブロック内接続部２０４における第１平行スリット２５６−１の幅をＷ３１、接続部６０４における第１平行スリット２５６−２の幅をＷ１１とする。また、第２ブロック内接続部２０６における第２平行スリット３１０−１の幅をＷ３２、接続部６０６における第２平行スリット３１０−２の幅をＷ１２とする。幅Ｗ１１、幅２１、幅３１、幅１２、幅３２は、それぞれ同一であってよい。

他の例では、それぞれの接続部に流れる電流量（Ａ）に応じて、スリットの幅Ｗが異なっていてもよい。本例では上述したように、第１ブロック内接続部２０４および接続部６０４に流れる電流は、ブロック間接続部２０２に流れる。また、第２ブロック内接続部２０６および接続部６０６に流れる電流は、ブロック間接続部２０２に流れる。このため、ブロック間接続部２０２に流れる電流は、他の接続部に流れる電流よりも大きい。

ブロック間接続部２０２における第１内部スリット２４４−１および第２内部スリット２４４−２の幅Ｗ２１は、他の接続部におけるスリットの幅Ｗ１１、幅３１、幅１２、幅３２のいずれよりも大きくてよい。これによりブロック間接続部２０２における電流経路３００のＺ軸方向の幅を小さくでき、接続部間の電磁相互誘導を抑制しやすくなる。

また、他の例では、それぞれの接続部の厚みＴに応じて、それぞれの接続部のスリットの幅Ｗを調整してもよい。接続部の厚みＴが大きいほど、スリットの幅Ｗを大きくしてよい。これにより、それぞれの接続部の間で、電流経路の断面積のばらつきを抑制し、抵抗値のばらつきを抑制できる。このため、対向する電流経路間で、逆方向に流れる電流の大きさを調整して、電磁相互誘導を抑制できる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

３６・・・導電性パターン、５０・・・絶縁基板、９０・・・接続部材、１００・・・半導体装置、１１０・・・ケース部、１１２・・・切込部、１１４・・・端子配置面、１１６・・・凸部、１２０・・・ベース部、２０１・・・直線、２０２・・・ブロック間接続部、２０４・・・第１ブロック内接続部、２０６・・・第２ブロック内接続部、２０８・・・第３ブロック内接続部、２０９・・・第４ブロック内接続部、２１０・・・接続領域、２１１・・・第１回路部、２１２・・・第２回路部、２１３・・・第３回路部、２１４・・・第４回路部、２２０・・・板状部分、２２２・・・外部接続端部、２２４・・・端辺、２２６・・・端辺、２２８・・・幅狭領域、２３０・・・電流経路、２３１・・・第１接続端部、２３２・・・第２接続端部、２４２・・・端辺スリット、２４４・・・内部スリット、２５０・・・板状部分、２５１・・・外部接続端部、２５２・・・端辺、２５３・・・端辺、２５４・・・第３接続端部、２５５・・・端辺、２５６・・・第１平行スリット、２５７・・・第３平行スリット、２５９・・・スリット、２６０・・・板状部分、２６１・・・外部接続端部、２６２・・・端辺、２６３・・・端辺、２６４・・・第４接続端部、２７０・・・板状部分、２７１・・・外部接続端部、２７２・・・端辺、２７３・・・端辺、２７４・・・第５接続端部、２８０・・・板状部分、２８１・・・外部接続端部、２８２・・・端辺、２８３・・・端辺、２８４・・・第６接続端部、３００、３０１、３０２・・・電流経路、３０３、３０５、３０７・・・主面、３０９・・・第４平行スリット、３１０・・・第２平行スリット、３１１・・・端辺、３１７・・・端辺スリット、３２０、３２１・・・板状部分、３５１、３５２・・・重複領域、３５４・・・位置、３７１・・・接続部、４１０・・・幅狭領域、４７１・・・接続部、５０１、５０２、５０３・・・枝スリット、５７１・・・接続部、５７２、５７３・・・端辺、５７５・・・スリット、６０４、６０６・・・接続部

Claims (15)

1. 複数の回路部と、
   板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続された第１接続部および第２接続部と、
   を備え、
   前記第１接続部および前記第２接続部は、それぞれの主面が向かい合って配置され、
   前記第１接続部および前記第２接続部のそれぞれは、
   前記回路部に接続される回路接続端部と、
   前記主面における電流経路を規制する経路規制部と
   を有し、
   前記経路規制部と前記回路接続端部との間の前記電流経路を流れる電流の向きが、前記第１接続部および前記第２接続部で異なる半導体装置。
2. 前記経路規制部と前記回路接続端部との間の前記電流経路を流れる電流の向きが、前記第１接続部および前記第２接続部で逆向きである
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１接続部および前記第２接続部のそれぞれは、少なくとも一部の電流が、前記経路規制部の周囲を回るように前記回路接続端部および前記経路規制部が配置されており、
   前記経路規制部の周囲を電流が回る向きが、前記第１接続部および前記第２接続部で逆向きである
   請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第１接続部および前記第２接続部は、それぞれの主面が平行に配置されている
   請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記第１接続部および前記第２接続部は、前記主面と直交する方向において重なる重複領域を有し、
   前記第１接続部および前記第２接続部の前記経路規制部は、第１方向に伸びる１本以上の第１スリットを有し、
   前記重複領域において、前記第１接続部に設けられた前記第１スリットの本数と、前記第２接続部に設けられた前記第１スリットの本数とが同一である
   請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記第１接続部および前記第２接続部の前記経路規制部は、前記第１方向とは異なる第２方向に伸びる１本以上の第２スリットを有し、
   前記重複領域において、前記第１接続部に設けられた前記第２スリットの本数と、前記第２接続部に設けられた前記第２スリットの本数とが同一である
   請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記第１接続部の上端と前記第２接続部の上端は同一の高さに配置され、
   前記重複領域において、前記第１接続部に設けられた前記第１スリットと、前記第２接続部に設けられた前記第１スリットは同一の高さに配置されている
   請求項５または６に記載の半導体装置。
8. 前記第１接続部の上端は前記第２接続部の上端よりも高い位置に配置され、
   前記重複領域において、前記第１接続部に設けられた前記第１スリットは、前記第２接続部に設けられた前記第１スリットよりも高い位置に配置されている
   請求項５または６に記載の半導体装置。
9. 前記第１接続部の前記第１スリットの幅と、前記第２接続部の前記第１スリットの幅とが異なる
   請求項５から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
10. 前記第１接続部の厚みが、前記第２接続部の厚みよりも大きく、
    前記第１接続部の前記第１スリットの幅が、前記第２接続部の前記第１スリットの幅よりも大きい
    請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記第１接続部に流れる電流は、前記第２接続部に流れる電流よりも大きく、
    前記第１接続部の前記第１スリットの幅が、前記第２接続部の前記第１スリットの幅よりも大きい
    請求項９に記載の半導体装置。
12. 板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続された第３接続部を更に備え、
    前記第１接続部は、前記第２接続部の第１主面と向かい合って配置され、
    前記第３接続部は、前記第２接続部の前記第１主面と向かい合って配置され、
    前記第３接続部は、前記回路接続端部および前記経路規制部を有し、
    前記経路規制部と前記回路接続端部との間の前記電流経路を流れる電流の向きが、前記第３接続部および前記第２接続部で異なる
    請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
13. 前記第２接続部は、
    前記回路接続端部が設けられた回路側端辺から前記第２接続部の内部に向かって設けられた端辺スリットと、
    前記端辺スリットに接続して設けられ、前記回路側端辺に沿って延伸する第１内部スリットと、
    前記端辺スリットに接続して設けられ、前記回路側端辺に沿って、且つ、前記第１内部スリットとは逆側に延伸する第２内部スリットと
    を有し、
    前記第１接続部および前記第３接続部は、前記第２接続部の主面と平行な方向に並んで配置され、
    前記第１接続部は、前記第３接続部と向かい合う端辺から、前記第１内部スリットと平行な方向に延伸する第１平行スリットを有し、
    前記第３接続部は、前記第１接続部と向かい合う端辺から、前記第２内部スリットと平行な方向に延伸する第２平行スリットを有する
    請求項１２に記載の半導体装置。
14. 板状の導電材料で形成され、いずれかの回路部に接続された第４接続部を更に備え、
    前記第１接続部は、前記第２接続部の第１主面と向かい合って配置され、前記第４接続部は、前記第２接続部の第２主面と向かい合って配置され、
    前記第４接続部は、前記回路接続端部および前記経路規制部を有し、
    前記経路規制部と前記回路接続端部との間の前記電流経路を流れる電流の向きが、前記第４接続部および前記第２接続部で異なる
    請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
15. 前記第１接続部、前記第２接続部および前記第４接続部の前記経路規制部は、第１方向に伸びる１本以上の第１スリットを有し、
    前記第１接続部に流れる電流、および、前記第４接続部に流れる電流は、前記第２接続部に流れ、
    前記第２接続部の前記第１スリットの幅が、前記第１接続部の前記第１スリットの幅、および、前記第４接続部の前記第１スリットの幅、のいずれよりも大きい
    請求項１４に記載の半導体装置。

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