JP2021064606A - オブジェクト位置特定のための機械学習による低keVイオンビーム画像復元 - Google Patents
オブジェクト位置特定のための機械学習による低keVイオンビーム画像復元 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021064606A JP2021064606A JP2020170634A JP2020170634A JP2021064606A JP 2021064606 A JP2021064606 A JP 2021064606A JP 2020170634 A JP2020170634 A JP 2020170634A JP 2020170634 A JP2020170634 A JP 2020170634A JP 2021064606 A JP2021064606 A JP 2021064606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- image
- kev
- ion beam
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 title claims description 28
- 230000004807 localization Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 214
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 91
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 241000446313 Lamella Species 0.000 abstract description 8
- 238000003801 milling Methods 0.000 abstract 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 22
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000013527 convolutional neural network Methods 0.000 description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 2
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T5/00—Image enhancement or restoration
- G06T5/73—Deblurring; Sharpening
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
- G01N23/046—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material using tomography, e.g. computed tomography [CT]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N20/00—Machine learning
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
- G06N3/045—Combinations of networks
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/08—Learning methods
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/30—Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration
- G06T7/33—Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration using feature-based methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
- G06N3/044—Recurrent networks, e.g. Hopfield networks
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
- G06N3/047—Probabilistic or stochastic networks
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/226—Image reconstruction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31735—Direct-write microstructures
- H01J2237/31737—Direct-write microstructures using ions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Computational Linguistics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pulmonology (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
Description
低keV設定でイオンビームをサンプルに照射することと、
イオンビームによる照射から生じる放出に基づいて、サンプルの低keVイオンビーム画像を生成することと、
復元画像を生成するように、サンプルの低keVイオンビーム画像に画像復元モデルを適用することと、
復元画像内でサンプルを位置特定することと、
復元画像内の位置特定サンプルに基づいて、イオンビームでサンプルの低keV平削りを実施することと、を含む、方法。
イオンビームでサンプルを成形するように、サンプル材料の領域上に1回以上の平削りステップを実施することと、
サンプルをサンプル操作プローブに取り付けることと、
イオンビームでサンプル材料からサンプルを分離することと、を含む、段落A1〜A3.1のいずれかに記載の方法。
サンプルを保持するように構成されたサンプルホルダーと、
イオンビームでサンプルを照射するように構成されたイオン源と、
イオンビームでの照射に応答してサンプルによって放出された荷電粒子に基づいて、サンプルの画像をキャプチャするように構成された撮像システムと、
1つ以上の処理ユニットと、
1つ以上の処理ユニットによって実行されるときに、段落A1〜A8のいずれかに記載の方法を、荷電粒子顕微鏡システムに実施させる、コンピュータ可読命令を格納するメモリと、を備える、荷電粒子顕微鏡システム。
Claims (15)
- 低keV設定でイオンビームをサンプルに照射することと、
前記イオンビームによる照射から生じる放出に基づいて、前記サンプルの低keVイオンビーム画像を生成することと、
復元画像を生成するように、前記サンプルの前記低keVイオンビーム画像に画像復元モデルを適用することと、
前記復元画像内で前記サンプルを位置特定することと、
前記復元画像内の前記位置特定したサンプルに基づいて、前記イオンビームで前記サンプルの低keV平削りを実施することと、を含む、方法。 - 前記画像復元モデルを適用することが、少なくとも1つの機械学習モデルを適用することを含み、前記少なくとも1つの機械学習モデルが、1つ以上のニューラルネットワークを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記機械学習モデルが、前記復元画像の特徴を識別するようにトレーニングされ、前記特徴が、前記サンプルの特徴と前記復元画像の背景の特徴とを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記復元画像の前記特徴を識別することが、前記復元画像の前記特徴に基づいて、前記復元画像内の前記サンプルのための位置および方向を決定することを含む、請求項3に記載の方法。
- 1つ以上の顕微鏡設定に基づいて、一連のアルゴリズムの最良アルゴリズムを決定することをさらに含み、
前記画像復元モデルを適用することが、前記復元画像を生成するように、前記サンプルの前記低keVイオンビーム画像に前記最良アルゴリズムを適用することを含む、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。 - 1つ以上の顕微鏡設定に基づいて、一連のアルゴリズムからアルゴリズムの組み合わせを決定することをさらに含み、
前記画像復元モデルを適用することが、前記復元画像を生成するように、前記サンプルの前記低keVイオンビーム画像に前記アルゴリズムの組み合わせを適用することを含む、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。 - 透過型電子顕微鏡で前記サンプルを検査することをさらに含み、前記サンプルが、TEM薄板である、請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記TEM薄板が基準を含み、前記サンプルが、前記基準に少なくとも部分的に基づいて、前記復元画像内に配置されている、請求項7に記載の方法。
- 前記イオンビームを使用してサンプル材料から前記サンプルを生成することをさらに含み、前記サンプルを生成することが、
前記イオンビームで前記サンプルを成形するように、前記サンプル材料の領域上に1回以上の平削りステップを実施することと、
前記サンプルをサンプル操作プローブに取り付けることと、
前記イオンビームで前記サンプル材料から前記サンプルを分離することと、を含む、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。 - 前記1回以上の平削りステップが、高keV設定で前記イオンビームで前記サンプル材料の部分に照射することを含み、
前記低keV設定が、200eV、500eV、1keV、2keV、5keV、8keV、および/または16keV以下で第1の動作値で動作するように設定されている前記イオンビームを含み、
前記高keV設定が、16keV、30keV、および/または50keV以上で第2の動作値で動作するように設定されている前記イオンビームを含む、請求項9に記載の方法。 - 前記サンプルが低keV設定で前記イオンビームで平削りされるときに、前記サンプルの生成中に前記イオンビームによって引き起こされた損傷を含む、前記サンプルの表面が除去される、請求項9〜10のいずれかに記載の方法。
- 前記復元画像内で前記サンプルを位置特定することは、前記サンプルの少なくとも一部分を含む、前記復元画像の領域を低エネルギー平削りマッピングと関連付けることを含む、請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- 前記低エネルギー平削りマッピングが、前記復元画像上に配置されるグラフィックを含み、前記サンプルの前記低keV平削りを実施することは、前記グラフィックによって覆われている、前記復元画像の一部分に対応する、前記サンプルの領域を、前記イオンビームで低keV平削りに供することを含む、請求項12に記載の方法。
- グラフィックユーザーインターフェース上に、システムによって自動的に配置された前記グラフィック、および承認のための要求で前記復元画像を提示することをさらに含み、前記サンプルの前記低keV平削りが、承認の了承に少なくとも部分的に基づいて実施される、請求項13に記載の方法。
- サンプルを保持するように構成されたサンプルホルダーと、
イオンビームで前記サンプルを照射するように構成されたイオン源と、
前記イオンビームでの照射に応答して前記サンプルによって放出された荷電粒子に基づいて、前記サンプルの画像をキャプチャするように構成された撮像システムと、
1つ以上の処理ユニットと、
前記1つ以上の処理ユニットによって実行されるときに、請求項1〜14のいずれかに記載の方法を、前記荷電粒子顕微鏡システムに実施させる、コンピュータ可読命令を格納するメモリと、を備える、荷電粒子顕微鏡システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/596,538 | 2019-10-08 | ||
US16/596,538 US11355305B2 (en) | 2019-10-08 | 2019-10-08 | Low keV ion beam image restoration by machine learning for object localization |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021064606A true JP2021064606A (ja) | 2021-04-22 |
JP2021064606A5 JP2021064606A5 (ja) | 2023-10-18 |
JP7544320B2 JP7544320B2 (ja) | 2024-09-03 |
Family
ID=72811636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020170634A Active JP7544320B2 (ja) | 2019-10-08 | 2020-10-08 | オブジェクト位置特定のための機械学習による低keVイオンビーム画像復元 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11355305B2 (ja) |
EP (1) | EP3806131A3 (ja) |
JP (1) | JP7544320B2 (ja) |
CN (1) | CN112712473A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024142280A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 株式会社日立ハイテク | 試料加工方法、及び荷電粒子ビーム装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11462385B2 (en) * | 2019-03-25 | 2022-10-04 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam irradiation apparatus and program therefor |
US11955311B2 (en) | 2019-03-25 | 2024-04-09 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam irradiation apparatus and program therefor |
DE102020211900A1 (de) * | 2019-09-25 | 2021-03-25 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Ladungsträgerstrahlvorrichtung |
EP3961670A1 (en) * | 2020-08-31 | 2022-03-02 | FEI Company | Method of examining a sample using a charged particle beam apparatus |
US11703468B2 (en) * | 2021-07-01 | 2023-07-18 | Fei Company | Method and system for determining sample composition from spectral data |
CN115575364B (zh) * | 2022-09-30 | 2023-08-04 | 中国科学院生物物理研究所 | 基于光学显微成像的离子束加工方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7809155B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-10-05 | Intel Corporation | Computing a higher resolution image from multiple lower resolution images using model-base, robust Bayesian estimation |
US8912490B2 (en) * | 2011-06-03 | 2014-12-16 | Fei Company | Method for preparing samples for imaging |
US8704176B2 (en) * | 2011-08-10 | 2014-04-22 | Fei Company | Charged particle microscope providing depth-resolved imagery |
US8740209B2 (en) * | 2012-02-22 | 2014-06-03 | Expresslo Llc | Method and apparatus for ex-situ lift-out specimen preparation |
CN104303257B (zh) * | 2012-05-21 | 2018-03-30 | Fei 公司 | 用于tem观察的薄片的制备 |
EP2873088A4 (en) * | 2012-07-16 | 2015-08-05 | Fei Co | DEFINITION OF END POINT FOR FOCUSED ION BEAM TREATMENT |
US10465293B2 (en) * | 2012-08-31 | 2019-11-05 | Fei Company | Dose-based end-pointing for low-kV FIB milling TEM sample preparation |
EP2787523B1 (en) * | 2013-04-03 | 2016-02-10 | Fei Company | Low energy ion milling or deposition |
US9911573B2 (en) * | 2014-03-09 | 2018-03-06 | Ib Labs, Inc. | Methods, apparatuses, systems and software for treatment of a specimen by ion-milling |
JP6207081B2 (ja) | 2014-03-24 | 2017-10-04 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
JP6552383B2 (ja) | 2014-11-07 | 2019-07-31 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 自動化されたtem試料調製 |
JP6668278B2 (ja) * | 2017-02-20 | 2020-03-18 | 株式会社日立ハイテク | 試料観察装置および試料観察方法 |
JP6964031B2 (ja) | 2018-03-27 | 2021-11-10 | Tasmit株式会社 | パターンエッジ検出方法 |
-
2019
- 2019-10-08 US US16/596,538 patent/US11355305B2/en active Active
-
2020
- 2020-10-08 JP JP2020170634A patent/JP7544320B2/ja active Active
- 2020-10-08 EP EP20200687.0A patent/EP3806131A3/en not_active Withdrawn
- 2020-10-09 CN CN202011071181.9A patent/CN112712473A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024142280A1 (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 株式会社日立ハイテク | 試料加工方法、及び荷電粒子ビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11355305B2 (en) | 2022-06-07 |
CN112712473A (zh) | 2021-04-27 |
JP7544320B2 (ja) | 2024-09-03 |
US20210104375A1 (en) | 2021-04-08 |
EP3806131A2 (en) | 2021-04-14 |
EP3806131A3 (en) | 2021-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7544320B2 (ja) | オブジェクト位置特定のための機械学習による低keVイオンビーム画像復元 | |
JP6505885B2 (ja) | 物体を分析する方法およびこの方法を実行するための荷電粒子ビーム装置 | |
JP6188695B2 (ja) | 表面高さ属性を用いて瑕疵を分類する方法および装置 | |
JP6814733B2 (ja) | 自動化された判定に基づくエネルギー分散型x線測定法及びその装置 | |
WO2014028513A1 (en) | Automated inspection scenario generation | |
EP3702766B1 (en) | Crystal orientation map generation device, charged particle radiation device, crystal orientation map generation method, and program | |
CN103608891B (zh) | 带电粒子束装置及样品制作方法 | |
TW201945982A (zh) | 圖像處理系統及用於進行圖像處理之電腦程式 | |
EP3716215A1 (en) | Artificial intelligence enabled volume reconstruction | |
WO2010106837A1 (ja) | パターン検査装置及びその検査方法 | |
EP4064323A1 (en) | Dual speed acquisition for drift corrected, fast, low dose, adaptive compositional charged particle imaging | |
CN106098518A (zh) | 使用定向波束信号分析的粒子大小的自适应扫描 | |
EP3979297A1 (en) | Depth reconstruction for 3d images of samples in a charged particle system | |
US20210374467A1 (en) | Correlated slice and view image annotation for machine learning | |
JP2014240780A (ja) | 試料構造分析方法、透過電子顕微鏡およびプログラム | |
US11282670B1 (en) | Slice depth reconstruction of charged particle images using model simulation for improved generation of 3D sample images | |
EP3719832A2 (en) | Using images from secondary microscope detectors to automatically generate labeled images from primary microscope detectors | |
US20210088770A1 (en) | Pose estimation using sematic segmentation | |
JP2014106388A (ja) | 自動合焦点検出装置及びそれを備える荷電粒子線顕微鏡 | |
EP4160537A2 (en) | System and method for accelerated convergence of iterative tomographic reconstruction | |
US20230393083A1 (en) | Method and system for indexing electron diffraction patterns | |
US11499926B2 (en) | Method for diffraction pattern acquisition | |
EP4286825A1 (en) | Automatic selection of structures-of-interest for lamella sample preparation | |
US20240281952A1 (en) | 3d volume inspection method and method of configuring of a 3d volume inspection method | |
US20240110880A1 (en) | Dynamic Data Driven Detector Tuning for Improved Investigation of Samples in Charged Particle Systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231010 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7544320 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |