JP2021061362A - Cleaning device, substrate processing device, and abnormality determination method - Google Patents
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Abstract
Description
開示の実施形態は、洗浄装置、基板処理装置および異常判断方法に関する。 The disclosed embodiments relate to a cleaning device, a substrate processing device, and an abnormality determination method.
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板の表面を、処理液ノズルから吐出される超音波が付与された処理液で洗浄する技術が知られている（特許文献１参照）。 Conventionally, there is known a technique for cleaning the surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer) with a processing liquid to which ultrasonic waves are applied, which is discharged from a processing liquid nozzle (see Patent Document 1). ..
本開示は、超音波が付与された処理液による洗浄性能が低下することを抑制することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of suppressing deterioration of cleaning performance due to a treatment liquid to which ultrasonic waves are applied.
本開示の一態様による洗浄装置は、処理液ノズルと、センサ部と、判断部とを備える。処理液ノズルは、超音波を発生させる振動子および前記振動子に接合される振動体を有する超音波付与部と、前記超音波付与部によって超音波が付与された処理液を吐出口に供給する吐出流路とを有する。センサ部は、前記処理液ノズルが前記処理液を吐出する際に発生する事象を検知する。判断部は、前記センサ部で検知された事象に基づいて、前記処理液ノズルの異常を判断する。 The cleaning device according to one aspect of the present disclosure includes a processing liquid nozzle, a sensor unit, and a determination unit. The processing liquid nozzle supplies an ultrasonic wave applying portion having a vibrator for generating ultrasonic waves and a vibrating body joined to the vibrator, and a processing liquid to which ultrasonic waves are applied by the ultrasonic wave applying unit to a discharge port. It has a discharge flow path. The sensor unit detects an event that occurs when the processing liquid nozzle discharges the processing liquid. The determination unit determines an abnormality in the processing liquid nozzle based on the event detected by the sensor unit.
本開示によれば、超音波が付与された処理液による洗浄性能が低下することを抑制することができる。 According to the present disclosure, it is possible to suppress deterioration of the cleaning performance due to the treatment liquid to which ultrasonic waves are applied.
以下、添付図面を参照して、本願の開示する洗浄装置、基板処理装置および異常判断方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。 Hereinafter, embodiments of the cleaning device, the substrate processing device, and the abnormality determination method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present disclosure is not limited by the embodiments shown below. In addition, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the dimensions of each element, the ratio of each element, and the like may differ from the reality. Further, even between the drawings, there may be a portion where the relationship and ratio of the dimensions of the drawings are different from each other.
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板の表面を、処理液ノズルから吐出される超音波が付与された処理液で洗浄する技術が知られている。一方で、かかる処理液に発泡性の液体を用いる場合、付与される超音波によって液体内の泡がはじけることから、泡がはじける際の衝撃力で超音波を付与する振動体などが破損する場合があった。 Conventionally, there is known a technique of cleaning the surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer) with a processing liquid to which ultrasonic waves discharged from a processing liquid nozzle are applied. On the other hand, when an effervescent liquid is used as the treatment liquid, the bubbles in the liquid are repelled by the applied ultrasonic waves, so that the vibrating body or the like to which the ultrasonic waves are applied is damaged by the impact force when the bubbles are repelled. was there.
しかも、振動体などの破損が微少な状態では、かかる微少な破損を検知することが困難である一方、処理液に印加される超音波の出力は低下してしまうことから、異常が認識されないまま基板の洗浄性能が低下する恐れがあった。 Moreover, in a state where the vibrating body or the like is slightly damaged, it is difficult to detect such a minute damage, but the output of the ultrasonic wave applied to the treatment liquid is reduced, so that the abnormality remains unrecognized. There was a risk that the cleaning performance of the substrate would deteriorate.
そこで、上述の問題点を克服し、超音波が付与された処理液による洗浄性能が低下することを抑制することができる技術の実現が期待されている。 Therefore, it is expected to realize a technique capable of overcoming the above-mentioned problems and suppressing deterioration of the cleaning performance due to the treatment liquid to which ultrasonic waves are applied.
＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
<Outline of board processing system>
First, a schematic configuration of the substrate processing system 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to an embodiment. The substrate processing system 1 is an example of a substrate processing apparatus. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is defined as the vertically upward direction.
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading /
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
The loading /
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
The
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。処理ユニット１６は、洗浄装置の一例である。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
The
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
The
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
The
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。制御部１８は、判断部の一例である。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
Further, the substrate processing system 1 includes a
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
The program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the
さらに、基板処理システム１は、発振器５を備える。発振器５は、所与の発振周波数を有する駆動信号Ｓ１（図１１参照）を処理ユニット１６内のノズル４１ａ（図２参照）に供給する。実施形態では、１つの発振器５からすべての処理ユニット１６内のノズル４１ａに個別に駆動信号Ｓ１を供給する。
Further, the substrate processing system 1 includes an
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
The wafer W carried into the
＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
<Processing unit configuration>
Next, the configuration of the
チャンバ２０は、基板処理部３０と、液供給部４０と、回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
The
基板処理部３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、載置されたウェハＷに液処理を施す。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
The
かかる基板処理部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
The
基板処理部３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１ａが設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１ａによって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。なお、ウェハＷは、基板処理が行われる表面を上方に向けた状態で保持部３１に保持される。
A holding
液供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。液供給部４０は、複数（ここでは２つ）のノズル４１ａ、４１ｂと、かかるノズル４１ａ、４１ｂをそれぞれ水平に支持するアーム４２ａ、４２ｂと、アーム４２ａ、４２ｂをそれぞれ旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ａ、４３ｂとを備える。ノズル４１ａは、処理液ノズルの一例である。
The
ノズル４１ａは、バルブ４４ａおよび流量調整器４５ａを介して第１液体供給部４６ａに接続されるとともに、バルブ４４ｂおよび流量調整器４５ｂを介して第２液体供給部４６ｂに接続される。
The
第１液体供給部４６ａから供給される第１の液体は、強酸性または強アルカリ性を有する薬液であり、たとえば、濃硫酸やアンモニアなどである。第２液体供給部４６ｂから供給される第２の液体は、発泡性を有する薬液であり、たとえば、過酸化水素水やＤＩＷ（DeIonized Water：脱イオン水）などである。
The first liquid supplied from the first
なお、本開示において「第２の液体は発泡性を有する」とは、第２の液体が単体で発泡する場合に限られず、第２の液体が他の液体（たとえば、第１の液体）と混ざることにより初めて発泡する場合も含まれる。 In the present disclosure, "the second liquid has effervescence" is not limited to the case where the second liquid foams by itself, and the second liquid is referred to as another liquid (for example, the first liquid). It also includes the case where it foams for the first time when mixed.
ノズル４１ｂは、バルブ４４ｃおよび流量調整器４５ｃを介してＤＩＷ供給源４６ｃに接続される。ＤＩＷは、たとえばリンス処理に用いられる。なお、リンス処理に用いる処理液はＤＩＷに限られない。
The
ノズル４１ａからは、第１液体供給部４６ａから供給される第１の液体と、第２液体供給部４６ｂから供給される第２の液体とが混ざった処理液Ｌ（図３参照）が吐出される。かかるノズル４１ａの詳細については後述する。ノズル４１ｂからは、ＤＩＷ供給源４６ｃより供給されるＤＩＷが吐出される。
From the
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液ＬやＤＩＷを捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液ＬやＤＩＷは、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
The
なお、実施形態の処理ユニット１６では、ノズルが２つ設けられる例について示したが、処理ユニット１６に設けられるノズルの数は２つに限られない。
Although the
＜処理液ノズルの詳細＞
次に、実施形態に係る処理液ノズルの一例であるノズル４１ａの詳細について、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る処理液ノズルの構成を示す図である。
<Details of processing liquid nozzle>
Next, the details of the
図３に示すように、ノズル４１ａは、超音波付与部６０と、処理液供給流路７１と、吐出流路７２とを備える。ノズル４１ａは、第１液体供給部４６ａ（図２参照）から供給される第１の液体と、第２液体供給部４６ｂ（図２参照）から供給される第２の液体とが混合して生成された処理液Ｌに超音波Ｓを付与して、吐出口７３からウェハＷに吐出する。
As shown in FIG. 3, the
ここで、図３に示すように、吐出口７３から吐出される処理液ＬがウェハＷまで途切れることなく吐出されることにより、超音波付与部６０で付与された超音波ＳをウェハＷ上に着液した処理液Ｌまで伝達することができる。
Here, as shown in FIG. 3, the processing liquid L discharged from the
すなわち、実施形態に係るノズル４１ａは、ウェハＷを処理液Ｌで洗浄する際に、超音波Ｓによる物理力を利用して洗浄することができる。したがって、実施形態によれば、化学的安定性の高い膜（たとえば、犠牲膜など）がウェハＷに形成されている場合であっても、高い洗浄力でこの化学的安定性の高い膜を除去することができる。
That is, the
次に、ノズル４１ａにおける各部の詳細について説明する。超音波付与部６０は、振動子６１と、振動体６２とを有する。
Next, the details of each part of the
振動子６１は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などの圧電セラミックスで形成される。振動子６１は、発振器５から所与の発振周波数を有する駆動信号Ｓ１（図１１参照）が入力されることにより、かかる所与の発信周波数を有する超音波Ｓを発生させる。振動子６１は、たとえば、２００ｋＨｚ以上の比較的高い周波数の超音波Ｓを発生させることができる。
The
振動体６２は、振動子６１に強固に接合される。すなわち、超音波付与部６０では、振動体６２と振動子６１とが一体で振動するように構成されることから、振動体６２は、振動時における負荷としての機能を有する。
The vibrating
したがって、実施形態によれば、振動体６２を第１の液体に直接接触させて超音波Ｓを付与することにより、振動子６１を第１の液体に直接接触させて超音波Ｓを付与する場合に比べて、インピーダンスの変動を小さくすることができる。
Therefore, according to the embodiment, when the vibrating
振動体６２は、耐薬品性および耐熱性を有する無機材料で形成される。振動体６２は、たとえば、石英、サファイアなどの鉱物系材料や、アルミナ、チタニア、シリカ、炭化珪素などのセラミック材料などで形成される。
The vibrating
処理液供給流路７１は、超音波付与部６０の振動体６２に接する位置に処理液Ｌを供給する。処理液供給流路７１は、振動体６２が設けられる吐出流路７２の上流側に接続される。
The treatment liquid
そして、処理液供給流路７１には、第１液体供給部４６ａ（図２参照）から第１の液体が供給されるとともに、第２液体供給部４６ｂ（図２参照）から第２の液体が供給される。これにより、処理液供給流路７１は、超音波付与部６０の振動体６２に接する位置に処理液Ｌを供給することができる。なお、実施形態では、第２の液体が発泡性を有することから、処理液Ｌには図示しない泡が含まれる。
Then, the first liquid is supplied to the processing liquid
吐出流路７２は、下方に直線状に延びるようにノズル４１ａの内部に形成される。吐出流路７２は、上流側に超音波付与部６０の振動体６２が設けられ、下流側にノズル４１ａの吐出口７３が形成される。そして、吐出流路７２は、超音波付与部６０によって超音波Ｓが付与された処理液Ｌを吐出口７３に供給する。
The
実施形態では、吐出流路７２が直線状に形成されることから、超音波付与部６０で付与された超音波ＳをウェハＷの表面まで円滑に伝達することができる。
In the embodiment, since the
ここで、実施形態では、処理ユニット１６が各種のセンサ部を有する。かかるセンサ部は、ノズル４１ａが処理液Ｌを吐出する際に発生する事象を検知する。かかるセンサ部の具体例については後述する。
Here, in the embodiment, the
そして、制御部１８（図１参照）は、かかるセンサ部で検知された事象に基づいて、ノズル４１ａの異常を判断する。すなわち、制御部１８は、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、かかる微少な破損で変化した事象に基づいて、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Then, the control unit 18 (see FIG. 1) determines the abnormality of the
これにより、ノズル４１ａの異常が認識されないままウェハＷの洗浄性能が低下することを抑制することができる。したがって、実施形態によれば、超音波Ｓが付与された処理液Ｌによる洗浄性能が低下することを抑制することができる。
As a result, it is possible to suppress deterioration of the cleaning performance of the wafer W without recognizing the abnormality of the
また、実施形態では、複数の処理ユニット１６のうち１つの処理ユニット１６でノズル４１ａに異常があると判断された場合、制御部１８は、ノズル４１ａに異常があると判断された処理ユニット１６にウェハＷを搬送しないよう、搬送部１５を制御するとよい。すなわち、実施形態では、ノズル４１ａに異常があると判断された処理ユニット１６を、ウェハＷの搬送対象から除外するとよい。
Further, in the embodiment, when it is determined that one of the plurality of
これにより、ノズル４１ａに異常があると判断された処理ユニット１６でウェハＷの洗浄処理が継続して実施されることを防止することができる。したがって、実施形態によれば、洗浄性能が低下したノズル４１ａでウェハＷが処理されることを防止することができる。
As a result, it is possible to prevent the wafer W from being continuously cleaned by the
また、実施形態では、１つの処理ユニット１６でウェハＷの処理中にノズル４１ａに異常があると判断された場合、制御部１８は、処理中のウェハＷの処理を完了させた後に、この処理ユニット１６をウェハＷの搬送対象から除外するとよい。
Further, in the embodiment, when it is determined that there is an abnormality in the
これにより、処理中のウェハＷが不良品となることを抑制することができることから、ウェハＷの不良率が増大してしまうことを抑制することができる。 As a result, it is possible to prevent the wafer W being processed from becoming a defective product, and thus it is possible to prevent the defective rate of the wafer W from increasing.
また、実施形態では、第１の液体が強酸性または強アルカリ性を有し、第２の液体が発泡性を有するとよい。これにより、犠牲膜などの化学的安定性が高い膜がウェハＷに形成されている場合であっても、高い洗浄力でこの化学的安定性が高い膜を除去することができる。 Further, in the embodiment, it is preferable that the first liquid has a strong acidity or a strong alkalinity, and the second liquid has an effervescent property. As a result, even when a film having high chemical stability such as a sacrificial film is formed on the wafer W, the film having high chemical stability can be removed with high detergency.
さらに、実施形態では、発泡性を有するため超音波付与部６０が破損するリスクのある処理液Ｌを使用する場合でも、かかる超音波付与部６０の異常を早期に判断することができる。したがって、実施形態によれば、高い洗浄力を維持したまま安定した基板処理を実施することができる。
Further, in the embodiment, even when the treatment liquid L having a foaming property and has a risk of damaging the ultrasonic
＜センサ部の具体例＞
次に、実施形態に係るセンサ部の具体例について、図４〜図１１を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係るセンサ部の一例を示す図である。図４では、センサ部の一例である音圧計８２が、ダミーディスペンスバス８１に設けられる例について示す。
<Specific example of sensor unit>
Next, a specific example of the sensor unit according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 11. FIG. 4 is a diagram showing an example of the sensor unit according to the embodiment. FIG. 4 shows an example in which a
ダミーディスペンスバス８１は、処理ユニット１６（図２参照）におけるチャンバ２０（図２）の内部に設けられ、ノズル４１ａの待機位置の下方に配置される。ダミーディスペンスバス８１は、ノズル４１ａに接続される各流路内の気泡や異物などの排除を目的としたダミーディスペンス処理の際に、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌを受け入れ、受け入れた処理液Ｌをドレイン部ＤＲに排出する。
The dummy dispense
音圧計８２は、たとえば、処理液Ｌを受け入れるダミーディスペンスバス８１の受入口内に設けられる。音圧計８２は、ダミーディスペンス処理の際に吐出される処理液Ｌ内の音圧を測定することができる。
The
図４の例において、制御部１８（図１参照）は、ノズル４１ａにおけるダミーディスペンス処理の際に、液処理の場合と同様の超音波Ｓ（図３参照）を処理液Ｌに付与する。そして、制御部１８は、音圧計８２を制御して、ダミーディスペンス処理の際に吐出される処理液Ｌ内の音圧を測定する。
In the example of FIG. 4, the control unit 18 (see FIG. 1) applies ultrasonic waves S (see FIG. 3) to the processing liquid L at the time of the dummy dispense treatment in the
次に、制御部１８は、記憶部１９（図１参照）に予め記憶されている音圧データと、ダミーディスペンス処理の際に測定された処理液Ｌ内の音圧とを比較する。そして、処理液Ｌ内の音圧が所与のしきい値ＳＰ１以上である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが正常であると判断する。
Next, the
一方で、処理液Ｌ内の音圧が所与のしきい値ＳＰ１よりも小さい場合、制御部１８は、ノズル４１ａに異常があると判断する。
On the other hand, when the sound pressure in the processing liquid L is smaller than the given threshold value SP1, the
ここまで説明したように、図４の例では、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、かかる微少な破損で変化した事象を音圧計８２で検知することにより、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
As described above, in the example of FIG. 4, even if the vibrating
また、図４の例では、制御部１８が、上述のしきい値ＳＰ１よりも大きい値である所与のしきい値ＳＰ２と、処理液Ｌ内の音圧とを比較することにより、ノズル４１ａが異常傾向にあるか否かを判断することもできる。
Further, in the example of FIG. 4, the
たとえば、処理液Ｌ内の音圧がしきい値ＳＰ２より小さく、かつしきい値ＳＰ１以上である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが異常傾向にあると判断する。そして、ノズル４１ａが異常傾向にあると判断された場合、制御部１８は、発振器５（図３参照）から供給される駆動信号Ｓ１（図１１参照）の出力を上げる。
For example, when the sound pressure in the processing liquid L is smaller than the threshold value SP2 and equal to or higher than the threshold value SP1, the
これにより、異常傾向にあると判断されたノズル４１ａであっても、ウェハＷの液処理の仕上げを正常な場合の仕上げに揃えることができる。なおこの場合、処理液Ｌ内の音圧がしきい値ＳＰ２以上であれば、制御部１８はノズル４１ａが正常であると判断し、処理液Ｌ内の音圧がしきい値ＳＰ１より小さければ、制御部１８はノズル４１ａに異常があると判断する。
As a result, even if the
図５は、実施形態に係るセンサ部の一例を示す図である。図５では、センサ部の別の一例であるパーティクルカウンタ８３が、ダミーディスペンスバス８１に設けられる例について示す。
FIG. 5 is a diagram showing an example of the sensor unit according to the embodiment. FIG. 5 shows an example in which the
パーティクルカウンタ８３は、たとえば、処理液Ｌを排出するダミーディスペンスバス８１の排出流路内に設けられる。パーティクルカウンタ８３は、ダミーディスペンス処理の際に吐出される処理液Ｌ内のパーティクルの数を測定することができる。
The
図５の例において、制御部１８（図１参照）は、パーティクルカウンタ８３を制御して、ダミーディスペンス処理の際に吐出される処理液Ｌ内のパーティクルの数を測定する。
In the example of FIG. 5, the control unit 18 (see FIG. 1) controls the
次に、制御部１８は、記憶部１９（図１参照）に予め記憶されているパーティクル数データと、ダミーディスペンス処理の際に測定された処理液Ｌ内のパーティクルの数とを比較する。そして、単位時間当たりに計測される処理液Ｌ内のパーティクルの数が所与のしきい値以下である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが正常であると判断する。
Next, the
一方で、単位時間当たりに計測される処理液Ｌ内のパーティクルの数が所与のしきい値よりも大きい場合、制御部１８は、数多く計測されたパーティクルが欠けた振動体６２の破片であると見なし、ノズル４１ａに異常があると判断する。
On the other hand, when the number of particles in the processing liquid L measured per unit time is larger than a given threshold value, the
ノズル４１ａの超音波付与部６０が正常である場合、石英の単結晶などで形成される振動体６２には欠損がなく、安定して使用できる状態である。しかしながら、かかる振動体６２が一度欠損してしまうと、かかる欠損箇所からさらに欠損が進行することから、単位時間当たりのパーティクルの数が加速度的に増えることになる。
When the ultrasonic
したがって、図５の例では、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、かかる微少な破損で変化した事象をパーティクルカウンタ８３で検知することにより、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Therefore, in the example of FIG. 5, even if the vibrating
なお、図５の例では、ダミーディスペンス処理の際に、液処理の場合と同様の超音波Ｓ（図３参照）を処理液Ｌに付与してもよいし、超音波Ｓを処理液Ｌに付与せずに吐出のみを行ってもよい。 In the example of FIG. 5, during the dummy dispense treatment, the same ultrasonic waves S (see FIG. 3) as in the liquid treatment may be applied to the treatment liquid L, or the ultrasonic waves S may be applied to the treatment liquid L. Only discharge may be performed without giving.
図６は、実施形態に係るセンサ部の一例を示す図である。図６では、センサ部の別の一例である撮像部８４が、チャンバ２０（図２参照）内に設けられる例について示す。
FIG. 6 is a diagram showing an example of the sensor unit according to the embodiment. FIG. 6 shows an example in which the
撮像部８４は、たとえば、チャンバ２０内においてウェハＷにノズル４１ａから吐出される処理液Ｌを撮像可能な位置に設けられる。撮像部８４は、ウェハＷの液処理際に吐出される処理液Ｌを撮像することができる。
The
図６の例において、制御部１８（図１参照）は、音圧計８２を制御して、ウェハＷの液処理の際に吐出される処理液Ｌを撮像する。そして、制御部１８は、記憶部１９（図１参照）に予め記憶されている処理液Ｌの撮像画像データと、液処理の際に吐出された処理液Ｌの撮像画像とを比較する。
In the example of FIG. 6, the control unit 18 (see FIG. 1) controls the
図７は、処理液ノズルが正常な場合の撮像画像Ｆの一例を示す図である。図７に示すように、撮像部８４で撮像される撮像画像Ｆにおいて、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌが超音波Ｓ（図３参照）によって波打っていたり、処理液Ｌの内部が霧化で白く見えたりした場合、制御部１８は、ノズル４１ａが正常であると判断する。
FIG. 7 is a diagram showing an example of the captured image F when the processing liquid nozzle is normal. As shown in FIG. 7, in the captured image F captured by the
図８は、処理液ノズルが異常な場合の撮像画像Ｆの一例を示す図である。図８に示すように、撮像部８４で撮像される撮像画像Ｆにおいて、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌが波打っていなかったり、霧化が確認できなかったりした場合、制御部１８は、ノズル４１ａに異常があると判断する。
FIG. 8 is a diagram showing an example of the captured image F when the processing liquid nozzle is abnormal. As shown in FIG. 8, in the captured image F captured by the
ここまで説明したように、図６〜図８の例では、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、かかる微少な破損で変化した事象を撮像部８４で検知することにより、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
As described above, in the examples of FIGS. 6 to 8, even if the vibrating
なお、処理液Ｌが波打っていたり、処理液Ｌの内部が霧化で白く見えたりした場合であっても、制御部１８は、記憶部１９に蓄積されている正常時および異常時の撮像画像データに基づいて、ノズル４１ａに異常があると判断することもできる。
Even when the processing liquid L is wavy or the inside of the processing liquid L looks white due to atomization, the
また、図６〜図８の例は、ウェハＷの液処理の際に吐出される処理液Ｌの状態を撮像する場合に限られず、ダミーディスペンス処理の際にダミーディスペンスバス８１（図４参照）に吐出される処理液Ｌの状態を撮像してもよい。この場合、制御部１８は、ダミーディスペンス処理において液処理の場合と同様の超音波Ｓ（図３参照）を処理液Ｌに付与するとよい。
Further, the examples of FIGS. 6 to 8 are not limited to the case where the state of the processing liquid L discharged during the liquid processing of the wafer W is imaged, and the dummy dispense bath 81 (see FIG. 4) is used during the dummy discharge processing. The state of the processing liquid L discharged to may be imaged. In this case, the
図９は、実施形態に係るセンサ部の一例を示す図である。図９では、センサ部の別の一例である加速度センサ８５が、ノズル４１ａの近傍に設けられる例について示す。
FIG. 9 is a diagram showing an example of the sensor unit according to the embodiment. FIG. 9 shows an example in which the
加速度センサ８５は、たとえば、ノズル４１ａを支持するアーム４２ａにおいて、ノズル４１ａの近傍に設けられる。加速度センサ８５は、超音波付与部６０が超音波Ｓ（図３参照）を付与する際に発生する振動Ｖの振動数および振幅を、ノズル４１ａおよびアーム４２ａを介して測定することができる。
The
そして、制御部１８（図１参照）は、記憶部１９（図１参照）に予め記憶されている振動数データおよび振幅データと、ウェハＷの液処理の際に測定された振動Ｖの振動数および振幅とを比較する。 Then, the control unit 18 (see FIG. 1) has the frequency data and the amplitude data stored in advance in the storage unit 19 (see FIG. 1) and the frequency of the vibration V measured at the time of liquid processing of the wafer W. And compare with amplitude.
そして、振動Ｖの振動数が所与のしきい値Ｆ１以上であり、かつ振動Ｖの振幅が所与のしきい値Ａ１以上である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが正常であると判断する。
Then, when the frequency of the vibration V is equal to or higher than the given threshold value F1 and the amplitude of the vibration V is equal to or higher than the given threshold value A1, the
一方で、振動Ｖの振動数が所与のしきい値Ｆ１よりも小さいか、あるいは振動Ｖの振幅が所与のしきい値Ａ１よりも小さい場合、制御部１８は、ノズル４１ａに異常があると判断する。
On the other hand, when the frequency of the vibration V is smaller than the given threshold value F1 or the amplitude of the vibration V is smaller than the given threshold value A1, the
ここまで説明したように、図９の例では、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、かかる微少な破損で変化した事象を加速度センサ８５で検知することにより、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
As described above, in the example of FIG. 9, even if the vibrating
また、図９の例では、制御部１８が、上述のしきい値Ｆ１よりも大きい値である所与のしきい値Ｆ２と、振動Ｖの振動数とを比較することにより、ノズル４１ａが異常傾向にあるか否かを判断することもできる。
Further, in the example of FIG. 9, the
たとえば、振動Ｖの振動数がしきい値Ｆ２より小さく、かつしきい値Ｆ１以上である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが異常傾向にあると判断する。そして、ノズル４１ａが異常傾向にあると判断された場合、制御部１８は、発振器５から供給される駆動信号Ｓ１（図１１参照）の出力を上げる。
For example, when the frequency of the vibration V is lower than the threshold value F2 and equal to or higher than the threshold value F1, the
これにより、異常傾向にあると判断されたノズル４１ａであっても、ウェハＷの液処理の仕上げを正常な場合の仕上げに揃えることができる。なおこの場合、振動Ｖの振動数がしきい値Ｆ２以上であれば、制御部１８はノズル４１ａが正常であると判断し、振動Ｖの振動数がしきい値Ｆ１より小さければ、制御部１８はノズル４１ａに異常があると判断する。
As a result, even if the
同様に、図９の例では、制御部１８が、上述のしきい値Ａ１よりも大きい値である所与のしきい値Ａ２と、振動Ｖの振幅とを比較することにより、ノズル４１ａが異常傾向にあるか否かを判断することもできる。
Similarly, in the example of FIG. 9, the
たとえば、振動Ｖの振幅がしきい値Ａ２より小さく、かつしきい値Ａ１以上である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが異常傾向にあると判断する。そして、ノズル４１ａが異常傾向にあると判断された場合、制御部１８は、発振器５から供給される駆動信号Ｓ１の出力を上げる。
For example, when the amplitude of the vibration V is smaller than the threshold value A2 and equal to or higher than the threshold value A1, the
これにより、異常傾向にあると判断されたノズル４１ａであっても、ウェハＷの液処理の仕上げを正常な場合の仕上げに揃えることができる。なおこの場合、振動Ｖの振幅がしきい値Ａ２以上であれば、制御部１８はノズル４１ａが正常であると判断し、振動Ｖの振幅がしきい値Ａ１より小さければ、制御部１８はノズル４１ａに異常があると判断する。
As a result, even if the
また、図９の例は、ウェハＷの液処理の際に伝わる振動Ｖを測定する場合に限られず、ダミーディスペンス処理の際に伝わる振動Ｖを測定してもよい。この場合、制御部１８は、ダミーディスペンス処理において液処理の場合と同様の超音波Ｓ（図３参照）を処理液Ｌに付与するとよい。
Further, the example of FIG. 9 is not limited to the case of measuring the vibration V transmitted during the liquid treatment of the wafer W, and the vibration V transmitted during the dummy dispense treatment may be measured. In this case, the
また、図９の例では、アーム４２ａに加速度センサ８５が搭載される例について示したが、加速度センサ８５が搭載される箇所はアーム４２ａに限られず、振動Ｖを検知可能な箇所であればどこに（たとえば、ノズル４１ａの本体などに）設けられていてもよい。
Further, in the example of FIG. 9, an example in which the
図１０は、実施形態に係るセンサ部の一例を示す図である。図１０では、センサ部の別の一例である温度センサ８６が、ノズル４１ａ内に設けられる例について示す。
FIG. 10 is a diagram showing an example of the sensor unit according to the embodiment. FIG. 10 shows an example in which the
温度センサ８６は、たとえば、ノズル４１ａ内において、超音波付与部６０の近傍に設けられる。温度センサ８６は、ノズル４１ａの本体温度を測定することができる。そして、制御部１８（図１参照）は、記憶部１９（図１参照）に予め記憶されている温度データと、ウェハＷの液処理の際に測定されたノズル４１ａの本体温度とを比較する。
The
そして、ノズル４１ａの本体温度が所与のしきい値以下である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが正常であると判断する。一方で、ノズル４１ａの本体温度が所与のしきい値よりも高い場合、制御部１８は、超音波付与部６０が空だき状態であるなどから超音波付与部６０が過熱状態になっていると見なし、ノズル４１ａに異常があると判断する。
Then, when the main body temperature of the
ここまで説明したように、図１０の例では、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、かかる微少な破損で変化した事象を温度センサ８６で検知することにより、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
As described above, in the example of FIG. 10, even if the vibrating
なお、図１０の例において、制御部１８は、温度センサ８６で測定したノズル４１ａの本体温度に基づいてノズル４１ａの異常を判断するだけでなく、ノズル４１ａの寿命を推定してもよい。たとえば、制御部１８は、ノズル４１ａの本体温度が所与の耐熱温度を超えた場合、ノズル４１ａの寿命が短くなったと推定することができる。
In the example of FIG. 10, the
これにより、ノズル４１ａが寿命に達してノズル４１ａに不具合が生じる前に、この寿命になったノズル４１ａを交換することができることから、処理ユニット１６を安定して運用することができる。
As a result, the
また、図１０の例では、温度センサ８６をノズル４１ａ内に設けた例について示したが、温度センサ８６はノズル４１ａ内に設けられる場合に限られず、ノズル４１ａから離れた位置に非接触型の温度センサ８６を設けてもよい。
Further, in the example of FIG. 10, an example in which the
図１１は、実施形態に係るセンサ部の一例を示す図である。図１１では、発振器５内に設けられる受信部５ａをセンサ部として用いる例について示す。
FIG. 11 is a diagram showing an example of the sensor unit according to the embodiment. FIG. 11 shows an example in which the receiving unit 5a provided in the
上述のように、発振器５は、超音波付与部６０の振動子６１に駆動信号Ｓ１を供給する。かかる駆動信号Ｓ１は、所与の振動数および振幅を有する。そして、駆動信号Ｓ１を受信した振動子６１は、かかる駆動信号Ｓ１に応じた応答信号Ｓ２を発振器５に対して送り返し、発振器５の受信部５ａは、送り返された応答信号Ｓ２を受信する。
As described above, the
次に、制御部１８は、記憶部１９に予め記憶されている信号データと、受信部５ａで受信された応答信号Ｓ２とを比較する。そして、応答信号Ｓ２の振幅が所与のしきい値Ａ３以上かつ所与のしきい値Ａ４以下である場合、制御部１８は、ノズル４１ａが正常であると判断する。
Next, the
一方で、応答信号Ｓ２の振幅が所与のしきい値Ａ３よりも小さい場合、制御部１８は、振動子６１と振動体６２とを接着する接着剤が剥離しているなどから振動体６２が正常状態よりも振動しにくくなったと見なし、ノズル４１ａに異常があると判断する。
On the other hand, when the amplitude of the response signal S2 is smaller than the given threshold value A3, the vibrating
また、応答信号Ｓ２の振幅が所与のしきい値Ａ４よりも大きい場合、制御部１８は、超音波付与部６０が空だき状態であるなどから振動体６２が正常状態よりも振動しやすくなったと見なし、ノズル４１ａに異常があると判断する。
Further, when the amplitude of the response signal S2 is larger than the given threshold value A4, the
ここまで説明したように、図１１の例では、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、かかる微少な破損で変化した事象を受信部５ａで検知することにより、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
As described above, in the example of FIG. 11, even if the vibrating
なお、図１１の例において、制御部１８は、受信部５ａで受信した応答信号Ｓ２に基づいてノズル４１ａの異常を判断するだけでなく、ノズル４１ａの寿命を推定してもよい。たとえば、制御部１８は、応答信号Ｓ２に基づいてノズル４１ａの累計動作時間（超音波Ｓの発振時間）を算出し、かかる累計動作時間に基づいてノズル４１ａの寿命を推定することができる。
In the example of FIG. 11, the
これにより、ノズル４１ａが寿命に達してノズル４１ａに不具合が生じる前に、この寿命になったノズル４１ａを交換することができることから、処理ユニット１６を安定して運用することができる。
As a result, the
また、制御部１８は、ウェハＷにおける液処理の前半部分では超音波Ｓの出力を１００％で実施するとともに、液処理の後半部分では超音波Ｓの出力を１００％から下げて実施するとよい。
Further, the
これにより、超音波Ｓの出力が１００％で実施される時間を短くすることができることから、ノズル４１ａの寿命を長くすることができる。さらに、液処理の前半部分では化学的安定性が高い膜を効率よく除去することができるとともに、洗浄処理の後半部分では膜が剥離したウェハＷの表面へのダメージを抑制することができる。
As a result, the time during which the output of the ultrasonic wave S is performed at 100% can be shortened, so that the life of the
ここまで説明した各種のセンサ部を用いた判断処理では、１種類のセンサ部からの情報に基づいてノズル４１ａの異常を判断する例について示した。一方で、実施形態に係る制御部１８は、複数種類のセンサ部から得られる情報を組み合わせることによって、ノズル４１ａの異常を判断することもできる。
In the determination process using the various sensor units described so far, an example of determining an abnormality of the
たとえば、図４の例で示した音圧計８２から得られる情報と、図９の例で示した加速度センサ８５から得られる情報とを組み合わせることにより、超音波付与部６０の振動状態をさらに精度よく把握することができる。
For example, by combining the information obtained from the
したがって、実施形態によれば、音圧計８２から得られる情報と加速度センサ８５から得られる情報とを組み合わせることにより、超音波付与部６０に異常があることを精度よく判断することができる。
Therefore, according to the embodiment, by combining the information obtained from the
また、図１０の例で示した温度センサ８６から得られる情報と、図１１の例で示した受信部５ａから得られる情報とを組み合わせることにより、超音波付与部６０が空だき状態であるか否かをさらに精度よく把握することができる。
Further, by combining the information obtained from the
したがって、実施形態によれば、温度センサ８６から得られる情報と受信部５ａから得られる情報とを組み合わせることにより、超音波付与部６０に異常があることを精度よく判断することができる。
Therefore, according to the embodiment, by combining the information obtained from the
実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）と、センサ部と、判断部（制御部１８）とを備える。処理液ノズル（ノズル４１ａ）は、超音波Ｓを発生させる振動子６１および振動子６１に接合される振動体６２を有する超音波付与部６０と、超音波付与部６０によって超音波Ｓが付与された処理液Ｌを吐出口７３に供給する吐出流路７２とを有する。センサ部は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）が処理液Ｌを吐出する際に発生する事象を検知する。判断部（制御部１８）は、センサ部で検知された事象に基づいて、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の異常を判断する。これにより、超音波Ｓが付与された処理液Ｌによる洗浄性能が低下することを抑制することができる。
The cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment includes a processing liquid nozzle (
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、センサ部は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の待機位置に設けられるダミーディスペンスバス８１内に位置する音圧計８２である。これにより、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the sensor unit is a
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、センサ部は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の待機位置に設けられるダミーディスペンスバス８１内に位置するパーティクルカウンタ８３である。これにより、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the sensor unit is a
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、センサ部は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）から吐出される処理液Ｌを撮像する撮像部８４である。これにより、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the sensor unit is an
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、センサ部は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の近傍に位置する加速度センサ８５である。これにより、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the sensor unit is an
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、センサ部は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の温度を測定する温度センサ８６である。これにより、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the sensor unit is a
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、センサ部は、振動子６１を駆動する発振器５に搭載され、振動子６１からの応答信号Ｓ２を受信する受信部５ａである。これにより、振動体６２などの破損が微少である状態であっても、超音波付与部６０に異常があると判断することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the sensor unit is a receiving unit 5a that is mounted on the
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、判断部（制御部１８）は、センサ部で検知された事象に基づいて、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の寿命を推定する。これにより、処理ユニット１６を安定して運用することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the determination unit (control unit 18) estimates the life of the processing liquid nozzle (
また、実施形態に係る洗浄装置（処理ユニット１６）において、判断部（制御部１８）は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の累計動作時間に基づいて、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の寿命を推定する。これにより、処理ユニット１６を安定して運用することができる。
Further, in the cleaning device (processing unit 16) according to the embodiment, the determination unit (control unit 18) estimates the life of the processing liquid nozzle (
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、上記に記載の複数の洗浄装置（処理ユニット１６）と、洗浄装置（処理ユニット１６）に基板（ウェハＷ）を搬送する搬送部１５とを備える。これにより、複数枚のウェハＷを平行して液処理することができる。 Further, the substrate processing device (board processing system 1) according to the embodiment includes a plurality of cleaning devices (processing unit 16) described above and a transport unit for transporting a substrate (wafer W) to the cleaning device (processing unit 16). It is provided with 15. As a result, a plurality of wafers W can be liquid-treated in parallel.
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、判断部（制御部１８）は、１つの洗浄装置（処理ユニット１６）の処理液ノズル（ノズル４１ａ）に異常があると判断した場合、搬送部１５を制御して、以下の処理を実行する。この場合、判断部（制御部１８）は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）に異常があると判断された洗浄装置（処理ユニット１６）には基板（ウェハＷ）を搬送せず、別の洗浄装置（処理ユニット１６）に基板（ウェハＷ）を搬送して処理する。これにより、洗浄性能が低下したノズル４１ａでウェハＷが処理されることを防止することができる。
Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the determination unit (control unit 18) determines that the processing liquid nozzle (
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、判断部（制御部１８）は、１つの洗浄装置（処理ユニット１６）で基板（ウェハＷ）の処理中に処理液ノズル（ノズル４１ａ）に異常があると判断した場合、以下の処理を実行する。この場合、判断部（制御部１８）は、かかる基板（ウェハＷ）の処理を完了させた後に、処理液ノズル（ノズル４１ａ）に異常があると判断された洗浄装置（処理ユニット１６）を基板（ウェハＷ）の搬送対象から除外する。これにより、処理中のウェハＷが不良品となることを抑制することができることから、ウェハＷの不良率が増大してしまうことを抑制することができる。
Further, in the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment, the determination unit (control unit 18) is a processing liquid nozzle (nozzle) during processing of the substrate (wafer W) by one cleaning device (processing unit 16). If it is determined that there is an abnormality in 41a), the following processing is executed. In this case, the determination unit (control unit 18) uses the cleaning device (processing unit 16) determined to have an abnormality in the processing liquid nozzle (
＜基板処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図１２を参照しながら説明する。図１２は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
<Procedure for substrate processing>
Subsequently, the procedure of substrate processing according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a flowchart showing a substrate processing procedure executed by the substrate processing system 1 according to the embodiment.
最初に、制御部１８は、ノズル４１ａが処理液Ｌを吐出する際に発生する事象をセンサ部で検知する検知処理を実施する（ステップＳ１０１）。そして、制御部１８は、かかる検知処理で検知された事象に基づいて、ノズル４１ａの異常を判断する判断処理を実施する（ステップＳ１０２）。
First, the
そして、ノズル４１ａに異常があると判断された場合（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、制御部１８は、かかるノズル４１ａが設けられる処理ユニット１６がウェハＷの処理中であるか否かを判定する（ステップＳ１０４）。
Then, when it is determined that the
そして、ノズル４１ａに異常があると判断された処理ユニット１６がウェハＷの処理中である場合（ステップＳ１０４，Ｙｅｓ）、制御部１８は、処理中のウェハＷの処理を完了させる完了処理を実施する（ステップＳ１０５）。
Then, when the
最後に、制御部１８は、ノズル４１ａに異常があると判断された処理ユニット１６を、ウェハＷの搬送対象から除外する搬送除外処理を実施して（ステップＳ１０６）、一連の処理を終了する。
Finally, the
一方で、ノズル４１ａに異常があると判断された処理ユニット１６がウェハＷの処理中でない場合（ステップＳ１０４，Ｎｏ）、制御部１８は、ステップＳ１０６の処理に進む。
On the other hand, when the
また、上述のステップＳ１０３において、ノズル４１ａに異常がないと判断された場合（ステップＳ１０３，Ｎｏ）、制御部１８は、ステップＳ１０１の処理に戻る。
If it is determined in step S103 above that there is no abnormality in the
実施形態に係る異常判断方法は、検知工程（ステップＳ１０１）と、判断工程（ステップＳ１０２）とを含む。検知工程（ステップＳ１０１）は、処理液ノズル（ノズル４１ａ）が処理液Ｌを吐出する際に発生する事象をセンサ部で検知する。判断工程（ステップＳ１０２）は、検知工程（ステップＳ１０１）で検知された事象に基づいて、処理液ノズル（ノズル４１ａ）の異常を判断する。また、処理液ノズル（ノズル４１ａ）は、超音波Ｓを発生させる振動子６１および振動子６１に接合される振動体６２を有する超音波付与部６０と、超音波付与部６０によって超音波Ｓが付与された処理液Ｌを吐出口７３に供給する吐出流路７２とを有する。これにより、超音波Ｓが付与された処理液Ｌによる洗浄性能が低下することを抑制することができる。
The abnormality determination method according to the embodiment includes a detection step (step S101) and a determination step (step S102). In the detection step (step S101), the sensor unit detects an event that occurs when the processing liquid nozzle (
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、強酸性または強アルカリ性を有する第１の液体と、発泡性を有する第２の液体とを混合した処理液Ｌが吐出されるノズル４１ａの異常を判断する例について示したが、ノズル４１ａから吐出される処理液は上述の例に限られない。
Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit of the present disclosure. For example, in the above embodiment, an example of determining an abnormality of the
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Further, the above-described embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims and the purpose thereof.
Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
５ 発振器
５ａ 受信部（センサ部の一例）
１５ 搬送部
１６ 処理ユニット（洗浄装置の一例）
１８ 制御部（判断部の一例）
４１ａ ノズル（処理液ノズルの一例）
６０ 超音波付与部
６１ 振動子
６２ 振動体
７２ 吐出流路
７３ 吐出口
８１ ダミーディスペンスバス
８２ 音圧計（センサ部の一例）
８３ パーティクルカウンタ（センサ部の一例）
８４ 撮像部（センサ部の一例）
８５ 加速度センサ（センサ部の一例）
８６ 温度センサ（センサ部の一例）
Ｌ 処理液
Ｓ２ 応答信号
W Wafer 1 Substrate processing system (an example of substrate processing equipment)
5 Oscillator 5a Receiver (example of sensor)
15
18 Control unit (an example of judgment unit)
41a nozzle (example of processing liquid nozzle)
60 Ultrasonic
83 Particle counter (an example of sensor unit)
84 Imaging unit (example of sensor unit)
85 Accelerometer (an example of sensor unit)
86 Temperature sensor (an example of sensor unit)
L processing liquid S2 response signal
Claims (13)
前記処理液ノズルが前記処理液を吐出する際に発生する事象を検知するセンサ部と、
前記センサ部で検知された事象に基づいて、前記処理液ノズルの異常を判断する判断部と、
を備える洗浄装置。 An ultrasonic wave applying section having a vibrator that generates ultrasonic waves and a vibrating body joined to the vibrator, and a discharge flow path that supplies a processing liquid to which ultrasonic waves are applied by the ultrasonic wave applying section to a discharge port. With a treatment liquid nozzle,
A sensor unit that detects an event that occurs when the treatment liquid nozzle discharges the treatment liquid.
Based on the event detected by the sensor unit, the determination unit that determines the abnormality of the processing liquid nozzle, and the determination unit.
A cleaning device equipped with.
請求項１に記載の洗浄装置。 The cleaning device according to claim 1, wherein the sensor unit is a sound pressure gauge located in a dummy dispense bath provided at a standby position of the processing liquid nozzle.
請求項１または２に記載の洗浄装置。 The cleaning device according to claim 1 or 2, wherein the sensor unit is a particle counter located in a dummy dispense bath provided at a standby position of the processing liquid nozzle.
請求項１〜３のいずれか一つに記載の洗浄装置。 The cleaning device according to any one of claims 1 to 3, wherein the sensor unit is an imaging unit that images the processing liquid discharged from the processing liquid nozzle.
請求項１〜４のいずれか一つに記載の洗浄装置。 The cleaning device according to any one of claims 1 to 4, wherein the sensor unit is an acceleration sensor located in the vicinity of the processing liquid nozzle.
請求項１〜５のいずれか一つに記載の洗浄装置。 The cleaning device according to any one of claims 1 to 5, wherein the sensor unit is a temperature sensor that measures the temperature of the processing liquid nozzle.
請求項１〜６のいずれか一つに記載の洗浄装置。 The cleaning device according to any one of claims 1 to 6, wherein the sensor unit is mounted on an oscillator that drives the oscillator and is a receiving unit that receives a response signal from the oscillator.
請求項１〜７のいずれか一つに記載の洗浄装置。 The cleaning device according to any one of claims 1 to 7, wherein the determination unit estimates the life of the treatment liquid nozzle based on an event detected by the sensor unit.
請求項１〜８のいずれか一つに記載の洗浄装置。 The cleaning device according to any one of claims 1 to 8, wherein the determination unit estimates the life of the treatment liquid nozzle based on the cumulative operating time of the treatment liquid nozzle.
前記洗浄装置に基板を搬送する搬送部と、
を備える基板処理装置。 The plurality of cleaning devices according to any one of claims 1 to 9, and the cleaning device.
A transport unit that transports the substrate to the cleaning device,
Substrate processing device.
請求項１０に記載の基板処理装置。 When the determination unit determines that the processing liquid nozzle of one of the cleaning devices has an abnormality, the determination unit controls the transport unit, and the cleaning device determined to have an abnormality in the processing liquid nozzle has a substrate. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein the substrate is transported to another cleaning device for processing without transporting the substrate.
請求項１１に記載の基板処理装置。 When the determination unit determines that the processing liquid nozzle has an abnormality during the processing of the substrate by one of the cleaning devices, it is determined that the processing liquid nozzle has an abnormality after the processing of the substrate is completed. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the cleaning apparatus is excluded from the transfer target of the substrate.
前記検知工程で検知された事象に基づいて、前記処理液ノズルの異常を判断する判断工程と、
を含む異常判断方法。 An ultrasonic wave applying section having a vibrator that generates ultrasonic waves and a vibrating body joined to the vibrator, and a discharge flow path that supplies a processing liquid to which ultrasonic waves are applied by the ultrasonic wave applying section to a discharge port. A detection step in which the sensor unit detects an event that occurs when the treatment liquid nozzle having the above discharges the treatment liquid.
Based on the event detected in the detection process, the determination step of determining the abnormality of the processing liquid nozzle and the determination step.
Abnormality judgment method including.
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218016A (en) * | 1990-01-24 | 1991-09-25 | Toshiba Corp | Washing method of semiconductor substrate and its equipment |
| JPH07275817A (en) * | 1994-04-13 | 1995-10-24 | Toshiba Corp | Supersonic cleaning device |
| JP2001096243A (en) * | 1999-10-01 | 2001-04-10 | Toshiba Corp | Ultrasonic nozzle unit and device and method for treating with ultrasonic wave using the same |
| JP2001157863A (en) * | 1999-09-21 | 2001-06-12 | Tokyo Electron Ltd | Coater |
| JP2002134459A (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | Cleaning apparatus and method of controlling the same |
| JP2003243350A (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Tokyo Electron Ltd | Brush cleaning method for scrub cleaning device and processing system |
| JP2011044562A (en) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | Cleaning apparatus and cleaning method |
| JP2011077243A (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus, inspection apparatus for substrate processing apparatus, computer program for inspection, and recording medium recorded with the same |
| JP2016042565A (en) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device and substrate processing method |
-
2019
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218016A (en) * | 1990-01-24 | 1991-09-25 | Toshiba Corp | Washing method of semiconductor substrate and its equipment |
| JPH07275817A (en) * | 1994-04-13 | 1995-10-24 | Toshiba Corp | Supersonic cleaning device |
| JP2001157863A (en) * | 1999-09-21 | 2001-06-12 | Tokyo Electron Ltd | Coater |
| JP2001096243A (en) * | 1999-10-01 | 2001-04-10 | Toshiba Corp | Ultrasonic nozzle unit and device and method for treating with ultrasonic wave using the same |
| JP2002134459A (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | Cleaning apparatus and method of controlling the same |
| JP2003243350A (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Tokyo Electron Ltd | Brush cleaning method for scrub cleaning device and processing system |
| JP2011044562A (en) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Fujitsu Ltd | Cleaning apparatus and cleaning method |
| JP2011077243A (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus, inspection apparatus for substrate processing apparatus, computer program for inspection, and recording medium recorded with the same |
| JP2016042565A (en) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing device and substrate processing method |
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