JP2021061330A - 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021061330A JP2021061330A JP2019184847A JP2019184847A JP2021061330A JP 2021061330 A JP2021061330 A JP 2021061330A JP 2019184847 A JP2019184847 A JP 2019184847A JP 2019184847 A JP2019184847 A JP 2019184847A JP 2021061330 A JP2021061330 A JP 2021061330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- solid
- image sensor
- state image
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1809—Diffraction gratings with pitch less than or comparable to the wavelength
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1814—Diffraction gratings structurally combined with one or more further optical elements, e.g. lenses, mirrors, prisms or other diffraction gratings
- G02B5/1819—Plural gratings positioned on the same surface, e.g. array of gratings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本開示によれば、固体撮像装置が提供される。固体撮像装置は、撮像画素の受光面に、第１領域と、第２領域とを備える。第１領域は、凹凸が設けられる。第２領域は、第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる。【選択図】図１
Description
本開示は、固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法に関する。
撮像画素の受光面に凹凸を設け、凹凸によって入射光の進行方向を屈折させることにより、光電変換素子内における入射光の光路長を長くして量子効率を向上させる固体撮像装置がある（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、固体撮像装置は、受光面に設けられる凹凸のピッチが大きいと、受光面で屈折した入射光が隣接する撮像画素へ進入して混色が発生することがあり、凹凸のピッチが小さいと、量子効率が向上しない。
そこで、本開示では、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提案する。
本開示によれば、固体撮像装置が提供される。固体撮像装置は、撮像画素の受光面に、第１領域と、第２領域とを備える。第１領域は、凹凸が設けられる。第２領域は、前記第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる。
以下に、本開示の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態において、同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
［１．固体撮像装置の構造］
まず、図１および図２を参照し、本開示に係る固体撮像装置の構造について説明する。図１は、本開示に係る固体撮像装置の撮像画素１の断面説明図である。図２は、本開示に係る固体撮像装置の撮像画素１の平面図である。
まず、図１および図２を参照し、本開示に係る固体撮像装置の構造について説明する。図１は、本開示に係る固体撮像装置の撮像画素１の断面説明図である。図２は、本開示に係る固体撮像装置の撮像画素１の平面図である。
なお、図１および図２には、固体撮像装置が備える２次元に配列された複数の撮像画素のうちの１画素部分を選択的に示している。また、図１では、撮像画素１の受光面上に設けられるカラーフィルタおよびマイクロレンズの図示を省略している。
図１に示すように、本開示に係る撮像画素１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）基板等の半導体基板２内に設けられる光電変換素子ＰＤを備える。光電変換素子ＰＤは、入射光を受光量に応じた信号電荷に変換する。
また、撮像画素１は、隣接する撮像画素との間に遮光性を有するＤＴＩ（Deep Trench Isolation）３を備える。ＤＴＩ３は、隣接する撮像画素の間に形成されるトレンチの内面に成膜される酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜が成膜されたトレンチに埋め込まれる絶縁物と、絶縁物に埋め込まれる遮光性を備えた金属により形成される遮光膜とを備える。これにより、撮像画素１は、入射光が隣接する撮像画素へ進入することによる混色の発生を抑制することができる。
また、ＤＴＩ３の側壁に、負の固定電荷膜（ピニング膜）が設けられてもよい。ピニング膜は、例えば、酸化ハフニウム（Ｈｆ２）を用いて形成される。ピニング膜は、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）などを用いて形成されてもよい。
そして、撮像画素１は、受光面に凹凸が設けられる第１領域４と、第１領域４の凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる第２領域５とを備える。第１領域４内の凹凸は、ピッチが１００ｎｍ、好ましくは、３５０〜６５０ｎｍと比較的大きい。また、第１領域４内の凹凸における凹部の深さは、２５０〜２６０ｎｍである。
そして、第１領域４内の凹凸における凹部は、深い位置ほど幅狭となる断面視Ｖ字状である。これにより、図１に太実線矢印で示すように、撮像画素に入射する光は、第１領域４の凹部側面において大きく屈折し、光電変換素子ＰＤに斜め方向から入射する。
これにより、撮像画素１は、例えば、受光面に凹凸がない場合に、受光面に対して垂直に入射する点線矢印で示す入射光に比べて、光電変換素子ＰＤにおける入射光の光路長を長くすることができるため、光電変換素子ＰＤの量子効率を向上させることができる。
また、第１領域４の凹凸部分は、凹部の浅い部分では空気の占める領域が半導体基板２のＳｉの占める領域よりも大きく、凹部の深さ位置が深くなるほどＳｉの占める領域が大きくなり、屈折率が無段階に変化するので、疑似的な反射防止膜となる。これにより、撮像画素１は、受光感度を向上させることができる。
ただし、第１領域４の凹凸は、撮像画素１の受光面全体に設けられる場合、受光領域の周縁部から入射して屈折した光が隣接する撮像画素へ進入して混色を発生させることがある。このため、図２に示すように、第１領域４は、撮像画素１における受光面の中央に設けられ、受光面の周縁部には設けられない。
これにより、撮像画素１は、受光面の周縁部から入射する光が大きく屈折して隣接する撮像画素に進入することによる混色の発生を抑制することができる。しかし、撮像画素１は、受光面の周縁部に凹凸が設けられない場合、周縁部における反射防止性能が低下するので、量子効率が低下する。
そこで、撮像画素１は、受光面における第１領域４の周りを囲むように、第１領域４における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる第２領域５を備える。第２領域５内の凹凸は、ピッチおよび深さが１０〜３０ｎｍである。
このように、第２領域５における凹凸は、第１領域４における凹凸に比べてピッチが非常に狭い（小さい）ので、入射光を大きく屈折させることがない。これにより、撮像画素１は、受光面の周縁部から入射する光が大きく屈折して隣接する撮像画素に進入することによる混色の発生を抑制することができる。
また、第２領域５における凹凸は、第１領域４における凹凸と同様に、疑似的な反射防止膜となる。第２領域５における凹凸は、上記のようにピッチおよび深さが１０〜３０ｎｍである場合、疑似屈折率が２．５となり、ＳｉＯ２（酸化シリコン）等の積層反射防止膜の屈折率（１．４）よりも高く、Ｓｉの屈折率（３．９）に近い屈折率を実現することができる。
つまり、第２領域５における凹凸は、可視光領域においては、ＳｉＯ２等の積層反射防止膜よりも反射防止性能が高い。これにより、撮像画素１は、受光面の周縁部から入射する光についても、量子効率を向上させることができる。
このように、撮像画素１は、受光面に凹凸が設けられる第１領域４と、第１領域４の凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる第２領域５とを備える。これにより、撮像画素１を備える固体撮像装置は、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
［２．固体撮像装置の製造方法］
次に、図３Ａ〜図６Ｂを参照して、本開示に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図３Ａ〜図６Ｂは、本開示に係る固体撮像装置の製造工程を示す説明図である。ここでは、撮像画素１の形成工程について説明する。なお、ＤＴＩ３の形成工程は、公知の技術であるため、ここでは説明を省略する。
次に、図３Ａ〜図６Ｂを参照して、本開示に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図３Ａ〜図６Ｂは、本開示に係る固体撮像装置の製造工程を示す説明図である。ここでは、撮像画素１の形成工程について説明する。なお、ＤＴＩ３の形成工程は、公知の技術であるため、ここでは説明を省略する。
撮像画素１を形成する場合、まず、図３Ａに示すように、例えば、Ｂ（ボロン）等のＰ型不純物がドープされた半導体基板２を用意する。そして、半導体基板２の表面（ここでは、上面）側から半導体基板２の内部における所定領域に、Ｐ（リン）等のＮ型の不純物をイオン注入してアニール処理を行うことによって、光電変換素子ＰＤと、フローティングディフュージョンＦＤを形成する。
続いて、半導体基板２の上面における光電変換素子ＰＤとフローティングディフュージョンＦＤとの間の領域に、例えば、ＳｉＯ２によってゲート絶縁膜６を形成し、ゲート絶縁膜６上に、例えば、ポリシリコンによって転送ゲートＴＧを形成する。
これにより、光電変換素子ＰＤによって光電変換された信号電荷をフローティングディフュージョンＦＤへ転送する転送トランジスタが形成される。このとき、同様の製造方法によって、各撮像画素１のリセットトランジスタ、アンプトランジスタ、および垂直選択トランジスタを形成する。
その後、半導体基板２上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）によって層間絶縁膜７を形成し、層間絶縁膜７の上面からフローティングディフュージョンＦＤまで達するコンタクトホールを形成する。そして、コンタクトホールにメタルを充填してコンタクトビア８を形成する。
次に、図３Ｂに示すように、層間絶縁膜７上に、例えば、Ｃｕ（銅）によって所定の回路パターンが形成された配線層９と、層間絶縁膜７と、コンタクトビア８とを形成する工程を繰り返して多層配線層１０を形成する。
次に、図３Ｃに示すように、多層配線層１０上に、例えば、Ｓｉ基板等の支持基板１１を貼り合わせる。そして、図４Ａに示すように、図３Ｃに示す構造体の天地を反転させ、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）、ドライエッチング、およびウェットエッチングによって、半導体基板２を裏面側から研削および研磨して所望の厚さにする。
次に、図４Ｂに示すように、半導体基板２の裏面上に、例えば、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４（窒化シリコン）等によって保護膜１２を形成する。そして、保護膜１２上にフォトレジスト（図示略）を塗布し、フォトリソグラフィーによってパターニングを施し、フォトレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、保護膜１２における光電変換素子ＰＤの中央上となる位置に複数の開口を形成する。
次に、図４Ｃに示すように、等方性エッチングまたは所定の傾斜面が得られる異方性エッチングを行うことにより、半導体基板２の裏面における受光領域の中央に、凹凸を形成して第１領域４を形成する。
次に、図５Ａに示すように、保護膜１２を剥離し、その後、図５Ｂに示すように、半導体基板２の裏面上に、例えば、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４等によって保護膜１３を形成する。そして、保護膜１３上にフォトレジスト（図示略）を塗布し、フォトリソグラフィーによってパターニングを施す。
次に、図５Ｃに示すように、フォトレジストをマスクとしてエッチングを行うことにより、保護膜１３における第１領域４を囲む領域に複数の開口を形成する。次に、図６Ａに示すように、等方性エッチングまたは所定の傾斜面が得られる異方性エッチングを行うことにより、半導体基板２の裏面における第１領域４を囲む領域に、第１領域４の凹凸よりも狭ピッチの凹凸を形成して第２領域５を形成する。
次に、図６Ｂに示すように、保護膜１３を除去することにより、撮像画素１の受光面に、凹凸が設けられる第１領域４と、第１領域４の凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる第２領域５とが形成される。その後、半導体基板２の受光面上に、導光層、カラーフィルタ、およびマイクロレンズを順次形成して撮像画素１が完成する。
なお、ここでは、図示を省略したが、撮像画素１は、半導体基板２の受光面上に、負の固定電荷膜（ピニング膜）が設けられてもよい。ピニング膜は、例えば、酸化ハフニウム（Ｈｆ２）を用いて形成される。ピニング膜は、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）などを用いて形成されてもよい。
これにより、撮像画素１は、光電変換素子ＰＤに入射光とは無関係に存在する電子を負の固定電荷膜に含まれる正孔と結合させることによって、撮像画像に白キズが発生することを抑制することができる。
［３．変形例］
次に、図７〜図９を参照して本開示に係る撮像画素の変形例について説明する。図７は、本開示の第１変形例に係る固体撮像装置の撮像画素の断面説明図である。図８は、本開示の第２変形例に係る固体撮像装置の撮像画素の断面説明図である。図９は、本開示の第３変形例に係る固体撮像装置の撮像画素の断面説明図である。
次に、図７〜図９を参照して本開示に係る撮像画素の変形例について説明する。図７は、本開示の第１変形例に係る固体撮像装置の撮像画素の断面説明図である。図８は、本開示の第２変形例に係る固体撮像装置の撮像画素の断面説明図である。図９は、本開示の第３変形例に係る固体撮像装置の撮像画素の断面説明図である。
以下では、図６Ｂに示す構成要素と同一の構成要素については、図６Ｂに示す符号と同一の符号を付することにより、重複する説明を省略する。図７に示すように、第１変形例に係る撮像画素１ａは、第２領域５ａにおける凹凸の凹部の深さが、第１領域４における凹凸の凹部の深さよりも深い。
これにより、撮像画素１ａは、半導体基板２の深さ方向の深さが深くなるほど屈折率が無段階に変化する疑似的な反射防止膜として機能する第２領域５ａの厚さが、より厚くなるので、第２領域５ａの屈折率が、半導体基板２の屈折率に近付く。したがって、撮像画素１ａは、第２領域５ａの反射防止性能が向上するので、受光感度をさらに向上させることができる。
また、図８に示すように、第２変形例に係る撮像画素１ｂの第１領域４ａにおける凹凸は、第１領域４ａの中心から外周へ向かうにつれてピッチが狭くなる。これにより、撮像画素１ｂは、第１領域４ａの中心から外周へ向かうにつれて凹凸が小さくなるので、入射光が第１領域４ａの凹凸によって屈折する入射光が隣接する撮像画素に進入することによる混色の発生をより確実に抑制することができる。
また、図９に示すように、第３変形例に係る撮像画素１ｃの第１領域４ｂにおける凹凸は、凹凸の斜面に、凹凸のピッチよりも狭ピッチの凹凸がさらに設けられる。これにより、撮像画素１ｃは、第２領域５の反射防止機能が向上する原理と同様の原理によって、第１領域４ｂの反射防止性能がさらに向上するので、入射光の受光感度をより一層高めることができる。
［４．第１領域および第２領域の配置例］
次に、図１０〜図１３を参照して、本開示に係る第１領域４および第２領域５の配置例について説明する。図１０は、本開示に係る第１領域４および第２領域５の第１配置例を示す平面図である。図１１は、本開示に係る第１領域４および第２領域５の第２配置例を示す平面図である。
次に、図１０〜図１３を参照して、本開示に係る第１領域４および第２領域５の配置例について説明する。図１０は、本開示に係る第１領域４および第２領域５の第１配置例を示す平面図である。図１１は、本開示に係る第１領域４および第２領域５の第２配置例を示す平面図である。
図１２は、本開示に係る第１領域４および第２領域５の第３配置例を示す平面図である。図１３は、本開示に係る第１領域４および第２領域５の第４配置例を示す平面図である。なお、図１０〜図１３には、固体撮像装置が備える複数の撮像画素のうち、４画素の部分を選択的に示している。
図１０に示すように、固体撮像装置１００は、全ての撮像画素１に第１領域４および第２領域５が設けられる。第１領域４は、各撮像画素１の中央に設けられる。第２領域５は、第１領域４の周りを囲んで設けられる。これにより、固体撮像装置１００は、全ての撮像画素１について、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
また、図１１に示すように、固体撮像装置１００ａは、赤色光を検出する撮像画素Ｒと、緑色光を検出する撮像画素Ｇと、青色光を検出する撮像画素Ｂと、赤外光を検知する撮像画素ＩＲとを備える。
赤外光は、赤色光、緑色光、および青色光に比べて輝度が低い。このため、赤外光を検出する撮像画素ＩＲは、他の撮像画素Ｒ，Ｇ，Ｂよりも量子効率を向上させる必要がある。そこで、固体撮像装置１００ａは、赤外光を検出する撮像画素ＩＲに、第１領域４および第２領域５が設けられ、他の撮像画素Ｒ，Ｇ，Ｂには、第１領域４および第２領域５が設けられない。
このように、第１領域４および第２領域５は、２次元に配列される複数の撮像画素ＩＲ，Ｒ，Ｇ，Ｂのうち、少なくとも１以上の撮像画素（例えば、撮像画素ＩＲ）における受光面に設けられる。
これにより、固体撮像装置１００ａは、例えば、赤外光を検出する撮像画素ＩＲに第１領域４および第２領域５が設けられることで、赤外光を検出する撮像画素ＩＲの量子効率を向上させることができる。
また、図１２に示すように、固体撮像装置１００ｂは、赤色光を検出する撮像画素Ｒと、緑色光を検出する撮像画素Ｇと、青色光を検出する撮像画素Ｂとを備える。赤色光は、緑色光および青色光に比べて輝度が低い。
そこで、固体撮像装置１００ｂは、全ての撮像画素Ｒ，Ｇ，Ｂに要求される反射防止性能を向上させるために、全ての撮像画素Ｒ，Ｇ，Ｂに第２領域５が設けられ、特に量子効率の向上が要求される撮像画素Ｒに第１領域４が設けられる。
このように、第１領域４および第２領域５は、赤色光の波長以上の長波の光を検出する撮像画素Ｒ，ＩＲにおける受光面に設けられる。これにより、赤色光の波長以上の長波の光を検出する撮像画素Ｒ，ＩＲの量子効率を向上させて、他の撮像画素Ｒ，Ｇ，Ｂの量子効率に近付けることができる。
なお、図１４に示す固体撮像装置１００ｃのように、第１領域４は、撮像画素１の受光面における周縁部に沿って平面視環状に設けられてもよい。かかる構成の場合、第２領域５は、撮像画素１の受光面における第１領域４が設けられていない領域に設けられる。
固体撮像装置１００ｃによれば、第１領域４によって光電変換素子ＰＤ内における光路長を長くすることによって、量子効率を向上させることができ、受光面全体に第１領域４が設けられる場合に比べて、混色の発生を抑制することができる。
なお、図１０〜図１３に示す固体撮像装置１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃは、第１領域４に代えて、図８に示す第１領域４ａまたは図９に示す第１領域４ｂが設けられてもよい。また、固体撮像装置１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃは、第２領域５に代えて、図７に示す第２領域５ａが設けられてもよい。かかる構成によっても、固体撮像装置１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃは、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
また、上述した実施形態では、第１領域４および第２領域５が半導体基板２の受光面に設けられる場合について説明したが、第１領域４および第２領域５は、半導体基板２の受光面上に絶縁膜が積層される場合、絶縁層の受光面に設けられてもよい。
つまり、撮像画素１は、半導体基板２に積層される絶縁膜の受光面の中央に比較的大ピッチの凹凸が形成された第１領域４と、第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が形成された第２領域５とを備えてもよい。かかる構成によっても、撮像画素１は、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
［５．効果］
固体撮像装置１００は、撮像画素１における受光面に、第１領域４と、第２領域５とを備える。第１領域４は、凹凸が設けられる。第２領域５は、第１領域４における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる。これにより、固体撮像装置１００は、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
固体撮像装置１００は、撮像画素１における受光面に、第１領域４と、第２領域５とを備える。第１領域４は、凹凸が設けられる。第２領域５は、第１領域４における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる。これにより、固体撮像装置１００は、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
また、第１領域４および第２領域５は、光電変換素子ＰＤを含む半導体基板２に積層される絶縁膜の受光面に設けられる。これにより、固体撮像装置１００は、半導体基板２に絶縁膜が積層される場合に、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
また、第１領域４および第２領域５は、光電変換素子ＰＤを含む半導体基板２における受光面に設けられる。これにより、固体撮像装置１００は、撮像画素の受光面に反射防止膜を設けなくても、反射防止性能を向上させることができると共に、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる。
また、固体撮像装置１００は、半導体基板２における受光面上に負の固定電荷膜を備える。これにより、固体撮像装置１００は、光電変換素子ＰＤに入射光とは無関係に存在する電子を負の固定電荷膜に含まれる正孔と結合させることによって、撮像画像に白キズが発生することを抑制することができる。
また、固体撮像装置１００は、隣接する撮像画素の間に、遮光性を有するＤＴＩを備える。これにより、固体撮像装置１００は、入射光が隣接する撮像画素へ進入することによる混色の発生を抑制することができる。
また、第１領域４および第２領域５は、２次元に配列される複数の撮像画素のうち、少なくとも１以上の撮像画素における受光面に設けられる。これにより、固体撮像装置１００ａは、比較的に輝度が低い色の光を検出する撮像画素に第１領域４および第２領域５が設けられることで、低輝度の色の光を検出する撮像画素の量子効率を、他の色の光を検出する撮像画素の量子効率に近付けることができる。
第１領域４および第２領域５は、赤色光の波長よりも長波長の光を検出する撮像画素１における受光面に設けられる。これにより、固体撮像装置１００ａ，１００ｂは、例えば、赤色光または赤外光を検出する撮像画素ＩＲに第１領域４および第２領域５が設けられることで、赤色光または赤外光を検出する撮像画素Ｒ，ＩＲの量子効率を向上させることができる。
また、第１領域４における凹凸の凹部は、深い位置ほど幅狭となる。これにより、固体撮像装置１００は、入射光を効率的に屈折させて光電変換素子ＰＤ内における光路長を長くし、量子効率を向上させることができる。
また、第１領域４は、撮像画素１における受光面の中央に設けられる。第２領域５は、第１領域４の回りを囲んで設けられる。これにより、固体撮像装置１００は、第１領域４における凹凸によって屈折および回折する入射光による混色の発生を抑制しつつ、撮像画素１の反射防止性能を向上させることができる。
また、第１領域４における凹凸は、第１領域の中心から外周へ向かうにつれてピッチが狭くなる。これにより、固体撮像装置１００は、より確実に混色の発生を抑制することができる。
また、第１領域４における凹凸は、凹凸の斜面に、凹凸のピッチよりも狭ピッチの凹凸を備える。これにより、撮像画素１ｃは、第１領域４ｂにおける反射防止性能をさらに向上させることができる。
また、第２領域５における凹凸の凹部は、深さが第１領域４における凹凸の凹部の深さより浅い。これにより、第２領域５における凹凸の凹部は、比較的短時間での形成が可能である。
また、第２領域５ａにおける凹凸の凹部は、深さが第１領域４における凹凸の凹部の深さより深い。これにより、撮像画素１ａは、半導体基板２の深さ方向の深さが深くなるほど屈折率が無段階に変化する疑似的な反射防止膜として機能する第２領域５ａの厚さが、より厚くなるので、第２領域５ａの屈折率が、半導体基板２の屈折率に近付く。したがって、撮像画素１ａは、第２領域５ａの反射防止性能が向上するので、受光感度をさらに向上させることができる。
固体撮像装置の製造方法は、撮像画素の受光面における第１領域に凹凸を形成することと、受光面における第２領域に、第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸を形成することとを含む。これにより、混色の発生を抑制しつつ、量子効率を向上させることができる固体撮像装置を製造することができる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
撮像画素における受光面に、
凹凸が設けられる第１領域と、
前記第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる第２領域と
を備える固体撮像装置。
（２）
前記第１領域および前記第２領域は、
光電変換素子を含む半導体基板に積層される絶縁膜の受光面に設けられる
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記第１領域および前記第２領域は、
光電変換素子を含む半導体基板における受光面に設けられる
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記半導体基板における受光面上に負の固定電荷膜
を備える前記（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
隣接する前記撮像画素の間に、遮光性を有するＤＴＩ（Deep Trench Isolation）
を備える前記（１）から（４）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（６）
前記第１領域および前記第２領域は、
２次元に配列される複数の前記撮像画素のうち、少なくとも１以上の前記撮像画素における受光面に設けられる
前記（１）から（５）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（７）
前記第１領域および前記第２領域は、
赤色光の波長よりも長波長の光を検出する前記撮像画素における受光面に設けられる
前記（１）から（６）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（８）
前記第１領域における凹凸の凹部は、
深い位置ほど幅狭となる
前記（１）から（７）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（９）
前記第１領域は、
前記撮像画素における受光面の中央に設けられ、
前記第２領域は、
前記第１領域の回りを囲んで設けられる
前記（１）から（８）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１０）
前記第１領域における凹凸は、
前記第１領域の中心から外周へ向かうにつれてピッチが狭くなる
前記（９）に記載の固体撮像装置。
（１１）
前記第１領域における凹凸は、
当該凹凸の斜面に、当該凹凸のピッチよりも狭ピッチの凹凸
を備える前記（９）から（１０）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１２）
前記第２領域における凹凸の凹部は、
深さが前記第１領域における凹凸の凹部の深さより浅い
前記（１）から（１１）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１３）
前記第２領域における凹凸の凹部は、
深さが前記第１領域における凹凸の凹部の深さより深い
前記（１）から（１１）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１４）
撮像画素の受光面における第１領域に凹凸を形成することと、
前記受光面における第２領域に、前記第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸を形成することと
を含む固体撮像装置の製造方法。
（１）
撮像画素における受光面に、
凹凸が設けられる第１領域と、
前記第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる第２領域と
を備える固体撮像装置。
（２）
前記第１領域および前記第２領域は、
光電変換素子を含む半導体基板に積層される絶縁膜の受光面に設けられる
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
前記第１領域および前記第２領域は、
光電変換素子を含む半導体基板における受光面に設けられる
前記（１）に記載の固体撮像装置。
（４）
前記半導体基板における受光面上に負の固定電荷膜
を備える前記（３）に記載の固体撮像装置。
（５）
隣接する前記撮像画素の間に、遮光性を有するＤＴＩ（Deep Trench Isolation）
を備える前記（１）から（４）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（６）
前記第１領域および前記第２領域は、
２次元に配列される複数の前記撮像画素のうち、少なくとも１以上の前記撮像画素における受光面に設けられる
前記（１）から（５）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（７）
前記第１領域および前記第２領域は、
赤色光の波長よりも長波長の光を検出する前記撮像画素における受光面に設けられる
前記（１）から（６）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（８）
前記第１領域における凹凸の凹部は、
深い位置ほど幅狭となる
前記（１）から（７）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（９）
前記第１領域は、
前記撮像画素における受光面の中央に設けられ、
前記第２領域は、
前記第１領域の回りを囲んで設けられる
前記（１）から（８）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１０）
前記第１領域における凹凸は、
前記第１領域の中心から外周へ向かうにつれてピッチが狭くなる
前記（９）に記載の固体撮像装置。
（１１）
前記第１領域における凹凸は、
当該凹凸の斜面に、当該凹凸のピッチよりも狭ピッチの凹凸
を備える前記（９）から（１０）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１２）
前記第２領域における凹凸の凹部は、
深さが前記第１領域における凹凸の凹部の深さより浅い
前記（１）から（１１）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１３）
前記第２領域における凹凸の凹部は、
深さが前記第１領域における凹凸の凹部の深さより深い
前記（１）から（１１）のいずれか一つに記載の固体撮像装置。
（１４）
撮像画素の受光面における第１領域に凹凸を形成することと、
前記受光面における第２領域に、前記第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸を形成することと
を含む固体撮像装置の製造方法。
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ 固体撮像装置
１，１ａ，１ｂ，１ｃ 撮像画素
２ 半導体基板
３ ＤＴＩ
４，４ａ，４ｂ 第１領域
５，５ａ 第２領域
６ ゲート絶縁膜
７ 層間絶縁膜
８ コンタクトビア
９ 配線層
１０ 多層配線層
１１ 支持基板
１２，１３ 保護膜
ＰＤ 光電変換素子
ＦＤ フローティングディフュージョン
ＴＧ 転送ゲート
１，１ａ，１ｂ，１ｃ 撮像画素
２ 半導体基板
３ ＤＴＩ
４，４ａ，４ｂ 第１領域
５，５ａ 第２領域
６ ゲート絶縁膜
７ 層間絶縁膜
８ コンタクトビア
９ 配線層
１０ 多層配線層
１１ 支持基板
１２，１３ 保護膜
ＰＤ 光電変換素子
ＦＤ フローティングディフュージョン
ＴＧ 転送ゲート
Claims (14)
- 撮像画素における受光面に、
凹凸が設けられる第１領域と、
前記第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸が設けられる第２領域と
を備える固体撮像装置。 - 前記第１領域および前記第２領域は、
光電変換素子を含む半導体基板に積層される絶縁膜の受光面に設けられる
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１領域および前記第２領域は、
光電変換素子を含む半導体基板における受光面に設けられる
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板における受光面上に負の固定電荷膜
を備える請求項３に記載の固体撮像装置。 - 隣接する前記撮像画素の間に、遮光性を有するＤＴＩ（Deep Trench Isolation）
を備える請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１領域および前記第２領域は、
２次元に配列される複数の前記撮像画素のうち、少なくとも１以上の前記撮像画素における受光面に設けられる
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１領域および前記第２領域は、
赤色光の波長以上の長波の光を検出する前記撮像画素における受光面に設けられる
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１領域における凹凸の凹部は、
深い位置ほど幅狭となる
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１領域は、
前記撮像画素における受光面の中央に設けられ、
前記第２領域は、
前記第１領域の回りを囲んで設けられる
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第１領域における凹凸は、
前記第１領域の中心から外周へ向かうにつれてピッチが狭くなる
請求項９に記載の固体撮像装置。 - 前記第１領域における凹凸は、
当該凹凸の斜面に、当該凹凸のピッチよりも狭ピッチの凹凸
を備える請求項９に記載の固体撮像装置。 - 前記第２領域における凹凸の凹部は、
深さが前記第１領域における凹凸の凹部の深さより浅い
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記第２領域における凹凸の凹部は、
深さが前記第１領域における凹凸の凹部の深さより深い
請求項１に記載の固体撮像装置。 - 撮像画素の受光面における第１領域に凹凸を形成することと、
前記受光面における第２領域に、前記第１領域における凹凸よりも狭ピッチの凹凸を形成することと
を含む固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019184847A JP2021061330A (ja) | 2019-10-07 | 2019-10-07 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| PCT/JP2020/035933 WO2021070615A1 (ja) | 2019-10-07 | 2020-09-24 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| US17/764,317 US20220377266A1 (en) | 2019-10-07 | 2020-09-24 | Solid-state imaging device and method of manufacturing solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019184847A JP2021061330A (ja) | 2019-10-07 | 2019-10-07 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021061330A true JP2021061330A (ja) | 2021-04-15 |
Family
ID=75380472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019184847A Pending JP2021061330A (ja) | 2019-10-07 | 2019-10-07 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220377266A1 (ja) |
| JP (1) | JP2021061330A (ja) |
| WO (1) | WO2021070615A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013033864A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および電子機器 |
| JP6303803B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2018-04-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| KR20180119969A (ko) * | 2017-04-26 | 2018-11-05 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| JP2019113604A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電磁波処理装置 |
-
2019
- 2019-10-07 JP JP2019184847A patent/JP2021061330A/ja active Pending
-
2020
- 2020-09-24 WO PCT/JP2020/035933 patent/WO2021070615A1/ja active Application Filing
- 2020-09-24 US US17/764,317 patent/US20220377266A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220377266A1 (en) | 2022-11-24 |
| WO2021070615A1 (ja) | 2021-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11177302B2 (en) | CMOS image sensor structure with microstructures formed on semiconductor layer | |
| TWI608600B (zh) | 影像感測器及其製作方法 | |
| TWI805980B (zh) | 改良影像感測器串擾之方法及結構 | |
| US8790954B2 (en) | Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor | |
| TWI581414B (zh) | 影像感測器及其形成方法 | |
| TW201926573A (zh) | 互補式金屬－氧化物－半導體影像感測器及其形成方法 | |
| TWI525804B (zh) | 影像感測器裝置及其製造方法 | |
| KR101352433B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| TW201917876A (zh) | 影像感測器 | |
| JP6021439B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2005322888A (ja) | プリズムを備えたｃｍｏｓイメージセンサおよびその製造方法 | |
| KR102489325B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| JP6061544B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
| US20180358397A1 (en) | Methods of fabricating solid-state imaging devices having flat microlenses | |
| KR101023074B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20110091372A (ko) | 빛을 수신하는 면에 곡률이 있는 포토다이오드를 구비하는 백사이드 일루미네이션 ｃｍｏｓ 이미지센서 및 상기 이미지센서의 형성방법 | |
| KR20090034429A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP6039294B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20120261731A1 (en) | Image sensor | |
| WO2021070615A1 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
| KR20110031582A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| TWI622165B (zh) | 影像感測器及其製作方法 | |
| KR20150089650A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20100045239A (ko) | 굴절률이 다른 혼색 방지 절연막 구조를 갖는 이미지 센서및 그 제조 방법 | |
| KR20140083748A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 |