JP2021057356A - Substrate cleaning device, substrate processing apparatus and recording medium - Google Patents

Substrate cleaning device, substrate processing apparatus and recording medium Download PDF

Info

Publication number
JP2021057356A
JP2021057356A JP2018049149A JP2018049149A JP2021057356A JP 2021057356 A JP2021057356 A JP 2021057356A JP 2018049149 A JP2018049149 A JP 2018049149A JP 2018049149 A JP2018049149 A JP 2018049149A JP 2021057356 A JP2021057356 A JP 2021057356A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
nozzle
cleaning liquid
ultrasonic cleaning
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018049149A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
知淳 石橋
Tomoatsu Ishibashi
知淳 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2018049149A priority Critical patent/JP2021057356A/en
Priority to PCT/JP2018/041115 priority patent/WO2019150683A1/en
Priority to TW107147588A priority patent/TW201934212A/en
Publication of JP2021057356A publication Critical patent/JP2021057356A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

To provide a substrate cleaning device with high cleaning power.SOLUTION: The substrate cleaning device includes a substrate rotation mechanism retaining a substrate for rotation and a nozzle jetting ultrasonic cleaning liquid toward the rotated substrate. The nozzle is rotatable within a plane vertical to the substrate and within a plane parallel to the substrate, respectively.SELECTED DRAWING: Figure 2C

Description

本発明は、基板洗浄装置、基板処理装置および記録媒体に関する。 The present invention relates to a substrate cleaning apparatus, a substrate processing apparatus and a recording medium.

従来から超音波を利用して半導体基板を洗浄する装置が知られている(例えば、特許文献1)。 Conventionally, an apparatus for cleaning a semiconductor substrate using ultrasonic waves has been known (for example, Patent Document 1).

特開2001−53047号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-53047

特許文献1の洗浄装置では、半導体基板における洗浄液が到達する領域が限られており、洗浄力が十分ではないという問題がある。 The cleaning apparatus of Patent Document 1 has a problem that the area where the cleaning liquid reaches the semiconductor substrate is limited and the cleaning power is not sufficient.

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、洗浄力が高い基板洗浄装置、および、そのような基板洗浄装置を備えた基板処理装置、ならびに、そのような基板洗浄を行うためのプログラムを記録した記録媒体を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and the subject of the present invention is a substrate cleaning apparatus having a high cleaning power, a substrate processing apparatus provided with such a substrate cleaning apparatus, and such a substrate cleaning apparatus. It is an object of the present invention to provide a recording medium on which a program for cleaning a substrate is recorded.

本発明の一態様によれば、基板を保持し、回転させる基板回転機構と、回転される前記基板に向かって超音波洗浄液を噴射するノズルと、を備え、前記ノズルは、前記基板と垂直な面内で旋回可能であり、かつ、前記基板と平行な面内で旋回可能である、基板洗浄装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a substrate rotation mechanism for holding and rotating a substrate and a nozzle for injecting an ultrasonic cleaning liquid toward the rotated substrate are provided, and the nozzle is perpendicular to the substrate. Provided is a substrate cleaning device that is rotatable in a plane and is rotatable in a plane parallel to the substrate.

前記ノズルは、前記基板のエッジおよび/またはベベルに超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。 It is desirable that the nozzle sprays an ultrasonic cleaning solution onto the edge and / or bevel of the substrate.

前記ノズルは、上下動可能であるのが望ましい。 It is desirable that the nozzle can move up and down.

前記ノズルは、前記基板の上面に超音波洗浄液が噴射される位置まで上昇可能であり、かつ、前記基板の下面に超音波洗浄液が噴射される位置まで下降可能であるのが望ましい。 It is desirable that the nozzle can be raised to a position where the ultrasonic cleaning liquid is sprayed on the upper surface of the substrate and can be lowered to a position where the ultrasonic cleaning liquid is sprayed on the lower surface of the substrate.

前記ノズルは、前記基板と垂直な面内で旋回可能であることによって、前記基板の内側から外周に向かって超音波洗浄液を噴射できるのが望ましい。 It is desirable that the nozzle can swivel in a plane perpendicular to the substrate so that the ultrasonic cleaning liquid can be ejected from the inside to the outer periphery of the substrate.

前記ノズルは、前記基板回転機構に超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。 It is desirable that the nozzle injects an ultrasonic cleaning liquid onto the substrate rotation mechanism.

回転しながら前記基板に接触して前記基板の表面を洗浄する洗浄具を備え、前記ノズルは前記洗浄具に超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。 It is desirable to include a cleaning tool that comes into contact with the substrate while rotating to clean the surface of the substrate, and the nozzle sprays the ultrasonic cleaning liquid onto the cleaning tool.

前記ノズルからの超音波洗浄液の噴射方向と、前記洗浄具の長手方向とのなす角は、0度より大きく90度未満であるのが望ましい。 It is desirable that the angle formed by the injection direction of the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle and the longitudinal direction of the cleaning tool is larger than 0 degrees and less than 90 degrees.

前記ノズルは、霧状の超音波洗浄液を噴射するのが望ましい。 It is desirable that the nozzle sprays a mist-like ultrasonic cleaning liquid.

前記基板回転機構は、前記基板を非水平方向に保持するのが望ましい。 It is desirable that the substrate rotation mechanism holds the substrate in a non-horizontal direction.

前記基板回転機構は、前記基板を水平方向に保持して回転させ、前記ノズルは、鉛直方向に延びる第1軸に固定され、前記第1軸がその軸心を中心として回転することにより、前記ノズルは前記基板と水平な面内で旋回するのが望ましい。 The substrate rotation mechanism holds and rotates the substrate in the horizontal direction, the nozzle is fixed to a first axis extending in the vertical direction, and the first axis rotates about the axis thereof, thereby causing the substrate rotation mechanism. It is desirable for the nozzle to rotate in a plane horizontal to the substrate.

前記基板回転機構は、前記基板を水平方向に保持して回転させ、前記ノズルは、水平方向に延びる第2軸に固定され、前記第2軸がその軸心を中心として回転することにより、前記ノズルは前記基板と垂直な面内で旋回するのが望ましい。 The substrate rotation mechanism holds and rotates the substrate in the horizontal direction, the nozzle is fixed to a second axis extending in the horizontal direction, and the second axis rotates about its axis, thereby causing the substrate to rotate. It is desirable for the nozzle to swivel in a plane perpendicular to the substrate.

また、本発明の別の態様によれば、基板を研磨する基板研磨装置と、研磨後の基板を洗浄する、上記の基板洗浄装置と、を備えた基板処理装置が提供される。 Further, according to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a substrate polishing apparatus for polishing a substrate and the above-mentioned substrate cleaning apparatus for cleaning a polished substrate.

また、本発明の別の態様によれば、基板を基板回転機構に保持して回転させるステップと、超音波洗浄液源に連通したノズルを前記基板の上面よりも高い位置に上昇させるとともに、前記基板の水平方向内側に前記ノズルを移動させ、さらに、前記基板上面のエッジに対して鋭角の入射角を有する向きに前記ノズルの噴射口が向くように前記ノズルを旋回させるステップと、前記ノズルから前記基板の上面に向けて超音波洗浄液を噴射するステップと、前記ノズルを前記基板の水平方向外側へと移動させるステップと、前記ノズルを前記基板の下面より低い位置まで下降させるとともに、前記基板の水平方向内側に前記ノズルを移動させ、さらに、前記基板下面のエッジに対して鋭角の入射角を有する向きに前記ノズルの噴射口が向くように前記ノズルを旋回させるステップと、前記ノズルから前記基板の下面に向けて超音波洗浄液を噴射するステップと、前記ノズルを前記基板の水平方向外側へと移動させるステップと、前記ノズルを前記基板のベベルと略同じ高さとするとともに、前記基板のベベルに向けて前記ノズルの噴射口が向くように前記ノズルを旋回させるステップと、前記ノズルから前記基板のベベルに向けて超音波洗浄液を噴射するステップと、を含む基板洗浄方法を実行する為に、基板洗浄装置に指令を与えて、前記基板回転機構及び前記ノズルを移動させるための機構の動作をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。 Further, according to another aspect of the present invention, the step of holding the substrate in the substrate rotation mechanism and rotating the substrate, and raising the nozzle communicating with the ultrasonic cleaning liquid source to a position higher than the upper surface of the substrate, and the substrate. The step of moving the nozzle inward in the horizontal direction and turning the nozzle so that the injection port of the nozzle faces in a direction having a sharp incident angle with respect to the edge of the upper surface of the substrate, and the step of turning the nozzle from the nozzle. A step of injecting an ultrasonic cleaning liquid toward the upper surface of the substrate, a step of moving the nozzle to the outside in the horizontal direction of the substrate, a step of lowering the nozzle to a position lower than the lower surface of the substrate, and horizontal of the substrate. A step of moving the nozzle inward in the direction and further turning the nozzle so that the injection port of the nozzle faces in a direction having a sharp incident angle with respect to the edge of the lower surface of the substrate, and a step of turning the nozzle from the nozzle to the substrate. A step of injecting an ultrasonic cleaning liquid toward the lower surface, a step of moving the nozzle to the outside in the horizontal direction of the substrate, a step of making the nozzle substantially the same height as the bevel of the substrate, and aiming at the bevel of the substrate. In order to execute a substrate cleaning method including a step of swirling the nozzle so that the injection port of the nozzle faces, and a step of injecting an ultrasonic cleaning liquid from the nozzle toward the bevel of the substrate. A non-temporary computer-readable recording medium is provided in which a command is given to the device to record a program for causing the computer to perform the operation of the substrate rotation mechanism and the mechanism for moving the nozzle.

超音波洗浄液を噴射するノズルが旋回可能であるため、基板の広い領域を洗浄でき、洗浄力が向上する。 Since the nozzle that injects the ultrasonic cleaning liquid can be swiveled, it is possible to clean a wide area of the substrate and the cleaning power is improved.

基板処理装置の概略上面図。Schematic top view of the substrate processing apparatus. 基板Wの側面拡大図。Enlarged view of the side surface of the substrate W. 第1の実施形態に係る基板洗浄装置4の概略構成を示す斜視図。The perspective view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4 which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板洗浄装置4の概略構成を示す上面図。The top view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4 which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板洗浄装置4の概略構成を示す側面図。The side view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4 which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る基板洗浄装置4の概略構成を示す側面図。The side view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4 which concerns on 1st Embodiment. ノズル435から基板Wの下面に超音波洗浄液を噴射する様子を示す図。It is a figure which shows the state of injecting an ultrasonic cleaning liquid from a nozzle 435 to the lower surface of a substrate W. ノズル435から基板Wの上面エッジに超音波洗浄液を噴射する様子を示す図。It is a figure which shows the state of injecting an ultrasonic cleaning liquid from a nozzle 435 to the upper surface edge of a substrate W. ノズル435から基板Wの下面エッジに超音波洗浄液を噴射する様子を示す図。It is a figure which shows the state of injecting an ultrasonic cleaning liquid from a nozzle 435 to the lower surface edge of a substrate W. ノズル435から基板Wのベベルに超音波洗浄液を噴射する様子を示す図。It is a figure which shows the state of injecting an ultrasonic cleaning liquid from a nozzle 435 to a bevel of a substrate W. 超音波洗浄液供給装置42の具体的な構成例を示す図。The figure which shows the specific configuration example of the ultrasonic cleaning liquid supply device 42. 超音波洗浄液を基板Wの内側から外周に向かって噴射する様子を示す図。It is a figure which shows the state which sprays an ultrasonic cleaning liquid from the inside of a substrate W toward the outer circumference. 基板洗浄装置4の処理動作の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of the processing operation of the substrate cleaning apparatus 4. 第2の実施形態に係る基板洗浄装置4’の概略構成を示す斜視図。The perspective view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4'according to 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る基板洗浄装置4’の概略構成を示す上面図。The top view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4'according to 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る基板洗浄装置4’の概略構成を示す側面図。The side view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4'according to 2nd Embodiment. ノズル435から基板Wの下面に超音波洗浄液を噴射する様子を示す図。It is a figure which shows the state of injecting an ultrasonic cleaning liquid from a nozzle 435 to the lower surface of a substrate W. 第3の実施形態に係る基板洗浄装置4’’の概略構成を示す正面図。The front view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4 ″ which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る基板洗浄装置4’’の概略構成を示す側面図。The side view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4 ″ which concerns on 3rd Embodiment. 基板洗浄装置4’’の変形例の概略構成を示す正面図。The front view which shows the schematic structure of the modification of the substrate cleaning apparatus 4 ″. 基板洗浄装置4’’の変形例の概略構成を示す側面図。The side view which shows the schematic structure of the modification of the substrate cleaning apparatus 4 ″. 基板洗浄装置4’’の変形例の概略構成を示す側面図。The side view which shows the schematic structure of the modification of the substrate cleaning apparatus 4 ″. ノズル435から超音波洗浄液を噴霧する様子を示す図。The figure which shows the state of spraying an ultrasonic cleaning liquid from a nozzle 435. 基板洗浄装置4’’’の概略構成を示す斜視図。The perspective view which shows the schematic structure of the substrate cleaning apparatus 4 ″.

以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、一実施形態に係る基板処理装置の概略上面図である。本基板処理装置は、直径300mmあるいは450mmの半導体ウエハ、フラットパネル、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)やCCD(Charge Coupled Device)などのイメージセンサ、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)における磁性膜の製造工程において、種々の基板を処理するものである。また、基板の形状は円形に限られず、矩形形状(角形状)や、多角形形状のものであってもよい。
(First Embodiment)
FIG. 1 is a schematic top view of the substrate processing apparatus according to the embodiment. This substrate processing device is used in the manufacturing process of semiconductor wafers with a diameter of 300 mm or 450 mm, flat panels, image sensors such as CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) and CCD (Charge Coupled Device), and magnetic films in MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). , Various substrates are processed. Further, the shape of the substrate is not limited to a circular shape, and may be a rectangular shape (square shape) or a polygonal shape.

ここで、基板Wの「エッジ」および「ベベル」について説明する。図1Aは、基板Wの側面拡大図である。図示のように、本明細書において、基板Wの「エッジ」とは基板表面の外周付近の平坦部Waを指し、より詳細には、基板Wの縁から所定距離内の平坦部Waと考えることができる。また、本明細書において、基板Wの「ベベル」とはエッジより外側の基板表面から角度を有する曲面部Wb(図2(b))あるいは面取り部Wcおよび側面部Wd(図2(a))のことを指す。 Here, the "edge" and "bevel" of the substrate W will be described. FIG. 1A is an enlarged side view of the substrate W. As shown in the figure, in the present specification, the “edge” of the substrate W refers to a flat portion Wa near the outer periphery of the substrate surface, and more specifically, it is considered to be a flat portion Wa within a predetermined distance from the edge of the substrate W. Can be done. Further, in the present specification, the “bevel” of the substrate W is a curved surface portion Wb (FIG. 2 (b)) or a chamfered portion Wc and a side surface portion Wd (FIG. 2 (a)) having an angle from the substrate surface outside the edge. Refers to.

本実施形態の基板処理装置は、略矩形状のハウジング1と、多数の基板をストックする基板カセットが載置されるロードポート2と、1または複数(図1に示す態様では4つ)の基板研磨装置3と、1または複数(図1に示す態様では2つ)の基板洗浄装置4と、基板乾燥装置5と、搬送機構6a〜6dと、制御部7とを備えている。 The substrate processing apparatus of the present embodiment includes a substantially rectangular housing 1, a load port 2 on which a substrate cassette for stocking a large number of substrates is placed, and one or more (four in the embodiment shown in FIG. 1) substrates. It includes a polishing device 3, one or more (two in the embodiment shown in FIG. 1) substrate cleaning device 4, a substrate drying device 5, transfer mechanisms 6a to 6d, and a control unit 7.

ロードポート2は、ハウジング1に隣接して配置されている。ロードポート2には、オープンカセット、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、又はFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができる。SMIFポッド、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。基板としては、例えば半導体ウエハ等を挙げることができる。 The load port 2 is arranged adjacent to the housing 1. An open cassette, a SMIF (Standard Mechanical Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod) can be mounted on the load port 2. The SMIF pod and FOUP are closed containers that can maintain an environment independent of the external space by storing the substrate cassette inside and covering it with a partition wall. Examples of the substrate include semiconductor wafers and the like.

基板を研磨する基板研磨装置3、研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置4、洗浄後の基板を乾燥させる基板乾燥装置5は、ハウジング1内に収容されている。基板研磨装置3は、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、基板洗浄装置4および基板乾燥装置5も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。 The substrate polishing device 3 for polishing the substrate, the substrate cleaning device 4 for cleaning the polished substrate, and the substrate drying device 5 for drying the cleaned substrate are housed in the housing 1. The substrate polishing apparatus 3 is arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus, and the substrate cleaning apparatus 4 and the substrate drying apparatus 5 are also arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus.

また、基板洗浄装置4および基板乾燥装置5は、それぞれ、図示しない略矩形状の筐体であって、シャッター機構により開閉自在とされ筐体部に設けられた開閉部から被処理対象の基板を出し入れするように構成されていてもよい。あるいは、変形実施例としては、基板洗浄装置4および基板乾燥装置5を一体化し、基板洗浄処理と基板乾燥処理とを連続的に1つのユニット内で行うようにしてもよい。 Further, each of the substrate cleaning device 4 and the substrate drying device 5 is a substantially rectangular housing (not shown), and the substrate to be processed is removed from the opening / closing portion provided in the housing portion so as to be openable / closable by a shutter mechanism. It may be configured to be taken in and out. Alternatively, as a modification example, the substrate cleaning device 4 and the substrate drying device 5 may be integrated, and the substrate cleaning process and the substrate drying process may be continuously performed in one unit.

本実施形態では、基板洗浄装置4が、ペン型洗浄具を用いた接触洗浄と、超音波洗浄水を用いた非接触洗浄とを行う。詳細は後述するが、ペン型洗浄具を用いた接触洗浄とは、洗浄液の存在下で、鉛直方向に延びる円柱状のペン型洗浄具の下端接触面を基板に接触させ、洗浄具を自転させながら一方向に向けて移動させて、基板の表面をスクラブ洗浄するものである。 In the present embodiment, the substrate cleaning device 4 performs contact cleaning using a pen-type cleaning tool and non-contact cleaning using ultrasonic cleaning water. Although details will be described later, contact cleaning using a pen-type cleaning tool means that in the presence of a cleaning liquid, the lower end contact surface of a columnar pen-type cleaning tool extending in the vertical direction is brought into contact with a substrate to rotate the cleaning tool. However, it is moved in one direction to scrub the surface of the substrate.

基板乾燥装置5は、水平に回転する基板に向けて、移動する噴射ノズルからIPA蒸気を噴出して基板を乾燥させ、さらに基板を高速で回転させて遠心力によって基板を乾燥させるスピン乾燥ユニットが使用され得る。 The substrate drying device 5 is a spin drying unit that ejects IPA steam from a moving injection nozzle toward a horizontally rotating substrate to dry the substrate, and further rotates the substrate at a high speed to dry the substrate by centrifugal force. Can be used.

ロードポート2、ロードポート2側に位置する基板研磨装置3および基板乾燥装置5に囲まれた領域には、搬送機構6aが配置されている。また、基板研磨装置3ならびに基板洗浄装置4および基板乾燥装置5と平行に、搬送機構6bが配置されている。搬送機構6aは、研磨前の基板をロードポート2から受け取って搬送機構6bに受け渡したり、基板乾燥装置5から取り出された乾燥後の基板を搬送機構6bから受け取ったりする。 The transport mechanism 6a is arranged in the area surrounded by the load port 2, the substrate polishing device 3 and the substrate drying device 5 located on the load port 2 side. Further, the transfer mechanism 6b is arranged in parallel with the substrate polishing device 3, the substrate cleaning device 4, and the substrate drying device 5. The transport mechanism 6a receives the substrate before polishing from the load port 2 and delivers it to the transport mechanism 6b, or receives the dried substrate taken out from the substrate drying device 5 from the transport mechanism 6b.

2つの基板洗浄装置4間に、これら基板洗浄装置4間で基板の受け渡しを行う搬送機構6cが配置され、基板洗浄装置4と基板乾燥装置5との間に、これら基板洗浄装置4と基板乾燥装置5間で基板の受け渡しを行う搬送機構6cが配置されている。 A transport mechanism 6c for transferring the substrate between the two substrate cleaning devices 4 is arranged between the two substrate cleaning devices 4, and the substrate cleaning device 4 and the substrate drying device 5 are located between the substrate cleaning device 4 and the substrate drying device 5. A transport mechanism 6c for transferring the substrate between the devices 5 is arranged.

さらに、ハウジング1の内部には、基板処理装置の各機器の動きを制御する制御部7が配置されている。本実施形態では、ハウジング1の内部に制御部7が配置されている態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、ハウジング1の外部に制御部7が配置されてもよい。例えば、この制御部7により、後述する実施形態のように、基板の保持及び回転を行うスピンドル41の動作や、基板に向かって超音波洗浄液を噴射するノズルの吐出開始及び終了タイミング、あるいは、ノズルの上下動および垂直面水平面内での旋回動を制御するように構成することもできる。なお、制御部は、所定のプログラムを格納したメモリと、メモリのプログラムを実行するCPU(Central Processing Unit)と、CPUがプログラムを実行することで実現される制御モジュールとを有してもよい。制御モジュールは、また、制御部は、基板処理装置及びその他の関連装置を統括制御する図示しない上位コントローラと通信可能に構成され、上位コントローラが有するデータベースとの間でデータのやり取りをすることができる。ここで、メモリを構成する記憶媒体は、各種の設定データや処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体としては、コンピュータで読み取り可能なROMやRAMなどのメモリや、ハードディスク、CD−ROM、DVD−ROMやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。 Further, inside the housing 1, a control unit 7 that controls the movement of each device of the substrate processing device is arranged. In the present embodiment, the mode in which the control unit 7 is arranged inside the housing 1 will be described, but the present invention is not limited to this, and the control unit 7 may be arranged outside the housing 1. For example, the control unit 7 operates the spindle 41 that holds and rotates the substrate, the ejection start and end timing of the nozzle that injects the ultrasonic cleaning liquid toward the substrate, or the nozzle, as in the embodiment described later. It can also be configured to control the vertical movement of the vertical plane and the swirling movement in the horizontal plane of the vertical plane. The control unit may have a memory in which a predetermined program is stored, a CPU (Central Processing Unit) that executes the program of the memory, and a control module realized by the CPU executing the program. The control module and the control unit are configured to be able to communicate with a higher-level controller (not shown) that controls the board processing device and other related devices in an integrated manner, and can exchange data with the database of the higher-level controller. .. Here, the storage medium constituting the memory stores various programs such as various setting data and processing programs. As the storage medium, a known computer-readable memory such as ROM or RAM, or a disc-shaped storage medium such as a hard disk, CD-ROM, DVD-ROM or flexible disk can be used.

図2A〜図2Dは、それぞれ、第1の実施形態に係る基板洗浄装置4の概略構成を示す斜視図、上面図および側面図である。基板洗浄装置4は、スピンドル41と、超音波洗浄液供給装置42とを備え、これらがシャッタを有する筐体(不図示)に収納されている。基板洗浄装置4内の各部は図1の制御部7により制御される。 2A to 2D are a perspective view, a top view, and a side view showing a schematic configuration of the substrate cleaning device 4 according to the first embodiment, respectively. The substrate cleaning device 4 includes a spindle 41 and an ultrasonic cleaning liquid supply device 42, which are housed in a housing (not shown) having a shutter. Each part in the substrate cleaning device 4 is controlled by the control unit 7 of FIG.

スピンドル41は、表面を上にして基板Wの周縁部を支持し、水平面内で回転させる。より具体的には、スピンドル41の上部に設けたコマ41aの外周側面に形成した把持溝内に基板Wの周縁部を位置させて内方に押し付け、コマ41aを回転(自転)させることにより基板Wが回転する。ここで、「コマ」は基板を把持するための「把持部」と言い換えられる。また、「スピンドル」は「ローラー」と言い換えることもできる。スピンドル41の回転方向や回転数は図1の制御部7が制御する。回転数は一定でもよいし、可変でもよい。 The spindle 41 supports the peripheral edge of the substrate W with its surface facing up, and is rotated in a horizontal plane. More specifically, the peripheral portion of the substrate W is positioned in the gripping groove formed on the outer peripheral side surface of the top 41a provided on the upper part of the spindle 41 and pressed inward to rotate (rotate) the substrate 41a. W rotates. Here, the "top" is paraphrased as a "grip portion" for gripping the substrate. Also, "spindle" can be paraphrased as "roller". The rotation direction and rotation speed of the spindle 41 are controlled by the control unit 7 of FIG. The rotation speed may be constant or variable.

なお、後述する超音波洗浄液が飛散するのを防止するために、スピンドル41の外側にあって基板Wの周囲を覆うカップ(不図示)を設けてもよい。このカップは、図示しない洗浄ユニット上部のFFUからユニット内に供給されるダウンフローの気流がカップに設けられた孔を通過して下方に逃げるように構成されていてもよい。このように構成することで、洗浄液や超音波洗浄液が飛散するのをより確実に防止できる。 In addition, in order to prevent the ultrasonic cleaning liquid described later from scattering, a cup (not shown) that is outside the spindle 41 and covers the periphery of the substrate W may be provided. The cup may be configured such that the downflow airflow supplied into the unit from the FFU at the top of the cleaning unit (not shown) passes through a hole provided in the cup and escapes downward. With such a configuration, it is possible to more reliably prevent the cleaning liquid and the ultrasonic cleaning liquid from scattering.

以下、図2Cおよび図2Dを参照して、超音波洗浄液供給装置42について詳しく説明する。超音波洗浄液供給装置42は、支持軸431、可動軸432、ヘッド433、旋回軸434およびノズル435を有する。
支持軸431は鉛直方向に延びており、固定されている。
Hereinafter, the ultrasonic cleaning liquid supply device 42 will be described in detail with reference to FIGS. 2C and 2D. The ultrasonic cleaning liquid supply device 42 has a support shaft 431, a movable shaft 432, a head 433, a swivel shaft 434, and a nozzle 435.
The support shaft 431 extends in the vertical direction and is fixed.

可動軸432は支持軸431の上部から上方に延びており、上昇および下降可能であるとともに、自転(軸心を中心とした回転、以下同じ)が可能である。なお、ノズル435の上下動が不要な場合、支持軸431と可動軸432とが一体であってもよい。 The movable shaft 432 extends upward from the upper part of the support shaft 431 and can be raised and lowered, and can rotate (rotate around the axis, the same applies hereinafter). When the vertical movement of the nozzle 435 is not required, the support shaft 431 and the movable shaft 432 may be integrated.

ヘッド433は可動軸432の上端に固定されている。また、水平方向に延びる旋回軸434がヘッド433を貫通している。 The head 433 is fixed to the upper end of the movable shaft 432. Further, a swivel shaft 434 extending in the horizontal direction penetrates the head 433.

ノズル435はヘッド433の先端に取り付けられている。ノズル435は、ヘッド433を介して可動軸432に取り付けられているとも言えるし、ヘッド433を介して旋回軸434に取り付けられているとも言える。 The nozzle 435 is attached to the tip of the head 433. It can be said that the nozzle 435 is attached to the movable shaft 432 via the head 433, and it can be said that the nozzle 435 is attached to the swivel shaft 434 via the head 433.

そして、ノズル435は回転される基板Wに向かって洗浄液を噴射する。洗浄液の種類に制限はなく、例えば純水であってもよいし、薬液であってもよい。また、洗浄液の温度にも制限はなく、また、温度調整可能(例えば、0度〜80度程度まで)であってもよい。 Then, the nozzle 435 injects the cleaning liquid toward the rotated substrate W. The type of cleaning solution is not limited, and may be, for example, pure water or a chemical solution. Further, the temperature of the cleaning liquid is not limited, and the temperature may be adjustable (for example, from 0 ° C to 80 ° C).

以下では、ノズル435またはヘッド433の内部に振動子(不図示)が設けられており、超音波が与えられた洗浄液(以下、超音波洗浄液ともいう)が噴射されるものする。超音波の振動数にも制限はなく、例えば高周波数(800kHz程度)〜超高周波数(5MHz程度)であってもよい。一般には周波数が高いほど小さな異物(パーティクル)を除去できる。 In the following, an oscillator (not shown) is provided inside the nozzle 435 or the head 433, and a cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied (hereinafter, also referred to as an ultrasonic cleaning liquid) is ejected. The frequency of the ultrasonic wave is also not limited, and may be, for example, a high frequency (about 800 kHz) to an ultra-high frequency (about 5 MHz). Generally, the higher the frequency, the smaller foreign matter (particles) can be removed.

本実施形態では、旋回軸434が自転することにより、ヘッド433に保持されたノズル435が鉛直面内(言い換えると、基板Wと垂直な面内)で旋回可能となっている(図2Cの破線矢印参照、以下、この旋回を縦方向旋回ともいう)。このような旋回軸434を軸とした縦方向旋回により、図2Bに示すように、基板Wのノズル435に近い側から遠い側にかけて、超音波洗浄液を噴射できる。具体的には、可動軸432が固定位置(ノズル435の高さが一定)であっても、縦方向旋回によって基板Wの端から端まで超音波洗浄液を噴射できるのが望ましい。 In the present embodiment, the swivel shaft 434 rotates so that the nozzle 435 held by the head 433 can swivel in the vertical plane (in other words, in the plane perpendicular to the substrate W) (broken line in FIG. 2C). Refer to the arrow, hereinafter, this turn is also called a vertical turn). By such vertical rotation around the rotation shaft 434, as shown in FIG. 2B, the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed from the side near the nozzle 435 of the substrate W to the side far from the nozzle 435. Specifically, even if the movable shaft 432 is in a fixed position (the height of the nozzle 435 is constant), it is desirable that the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed from one end of the substrate W to the other by turning in the vertical direction.

また、可動軸432が自転することにより、ヘッド433に保持されたノズル435が水平面内(言い換えると、基板Wと平行な面内)で旋回可能となっている(図2Bの破線参照、以下、この旋回を横方向旋回ともいう)。このような可動軸432を軸とした横方向旋回により、図2Bに示すように、基板Wにおける旋回軸434の左側から右側にかけて、円弧状に超音波洗浄液を噴射できる。 Further, by rotating the movable shaft 432, the nozzle 435 held by the head 433 can rotate in a horizontal plane (in other words, in a plane parallel to the substrate W) (see the broken line in FIG. 2B, hereinafter, This turn is also called a lateral turn). By such lateral rotation around the movable shaft 432, as shown in FIG. 2B, the ultrasonic cleaning liquid can be ejected in an arc shape from the left side to the right side of the rotation shaft 434 on the substrate W.

可動軸432は支持軸431に対して上昇および下降可能であるので、図2Cに示すように、ノズル435の鉛直面内の角度(噴射方向と可動軸432とがなす角度)を一定の状態で、ノズル435の高さをかえることによっても、基板Wの表面で超音波洗浄液を着液させる位置を変えることができる。
また、ノズル435の高さと縦方向旋回の角度を任意に調整することにより、様々な超音波洗浄液の噴射圧力に応じて、所望の位置に超音波洗浄液を供給することが可能になる。また、洗浄中にノズル435の高さおよび/または縦方向旋回の角度を変化させることにより、基板上の超音波洗浄液の着液位置を走査してもよい。
Since the movable shaft 432 can be raised and lowered with respect to the support shaft 431, as shown in FIG. 2C, the angle within the vertical plane of the nozzle 435 (the angle formed by the injection direction and the movable shaft 432) is kept constant. By changing the height of the nozzle 435, the position where the ultrasonic cleaning liquid is applied can be changed on the surface of the substrate W.
Further, by arbitrarily adjusting the height of the nozzle 435 and the angle of vertical rotation, it becomes possible to supply the ultrasonic cleaning liquid to a desired position according to the injection pressure of various ultrasonic cleaning liquids. Further, the landing position of the ultrasonic cleaning liquid on the substrate may be scanned by changing the height of the nozzle 435 and / or the angle of vertical rotation during cleaning.

さらに、可動軸432が上下動することにより、ヘッド433に保持されたノズル435は、基板Wの上面より高い位置から低い位置まで移動可能である。ノズル435が基板Wの上面より高い位置まで上昇することにより、超音波洗浄液は基板Wの上面に噴射される(図2D)。すなわち、図2Dに示すように、可動軸432が上下動し、かつ、縦方向旋回が可能である。一方、ノズル435が基板Wの下面より低い位置まで下降することにより、超音波洗浄液は基板Wの下面に噴射される(図3)。超音波洗浄液を基板Wの上面に噴射する場合と同様に、基板Wの下面の端から端までの超音波洗浄液の噴射を、ノズル435の縦方向旋回のみによって実現してもよく、ノズル435の上下動のみによって実現してもよく、あるいは縦方向旋回と上下動を組み合わせて実現してもよい。 Further, by moving the movable shaft 432 up and down, the nozzle 435 held by the head 433 can move from a position higher to a position lower than the upper surface of the substrate W. When the nozzle 435 rises to a position higher than the upper surface of the substrate W, the ultrasonic cleaning liquid is sprayed onto the upper surface of the substrate W (FIG. 2D). That is, as shown in FIG. 2D, the movable shaft 432 can move up and down and can turn in the vertical direction. On the other hand, when the nozzle 435 descends to a position lower than the lower surface of the substrate W, the ultrasonic cleaning liquid is sprayed onto the lower surface of the substrate W (FIG. 3). Similar to the case where the ultrasonic cleaning liquid is sprayed on the upper surface of the substrate W, the injection of the ultrasonic cleaning liquid from one end to the other of the lower surface of the substrate W may be realized only by the vertical rotation of the nozzle 435, and the nozzle 435 may be sprayed. It may be realized only by vertical movement, or it may be realized by combining vertical rotation and vertical movement.

なお、超音波洗浄液供給装置42の各部材は不図示のノズル移動機構によって制御され、ノズル435が移動する。なお、一実施態様においては、ノズル移動機構は、例えば、シリンダーやモーターといった駆動力を発生させる駆動機構と、当該駆動機構からの駆動力を可動軸432の上昇、下降、自転、および旋回軸434の回転へと変換する変換機構(例えば、リンク機構や遊星歯車機構など)を含む機構とすることができる。 Each member of the ultrasonic cleaning liquid supply device 42 is controlled by a nozzle moving mechanism (not shown), and the nozzle 435 moves. In one embodiment, the nozzle moving mechanism includes, for example, a driving mechanism that generates a driving force such as a cylinder or a motor, and the driving force from the driving mechanism is used to raise, lower, rotate, and rotate the movable shaft 432, and the swivel shaft 434. It can be a mechanism including a conversion mechanism (for example, a link mechanism, a planetary gear mechanism, etc.) that converts the rotation into.

以上の機構により、超音波洗浄液を基板Wの広い領域に噴射できる。例えば、図4A〜図4Cに示すように、可動軸432の上下動および縦方向旋回により、基板Wのエッジやベベルも洗浄できる。具体的には、ノズル435を基板Wの上面より高い位置まで上昇させ、ノズル435がやや下向きとなるよう縦方向旋回させることで、基板Wの上面のエッジに超音波洗浄液を噴射できる(図4A)。逆に、ノズル435を基板Wの上面より低い位置まで下降させ、ノズル435がやや上向きとなるよう縦方向旋回させることで、基板Wの下面のエッジに超音波洗浄液を噴射できる(図4B)。さらに、ノズル435を基板Wと同じ高さとし、ノズル435が水平向きとなるよう縦方向旋回させることで、基板Wのベベルに超音波洗浄液を噴射できる(図4C)。 With the above mechanism, the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed onto a wide area of the substrate W. For example, as shown in FIGS. 4A to 4C, the edges and bevels of the substrate W can also be cleaned by moving the movable shaft 432 up and down and turning it in the vertical direction. Specifically, by raising the nozzle 435 to a position higher than the upper surface of the substrate W and rotating the nozzle 435 in the vertical direction so that the nozzle 435 faces slightly downward, the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed on the edge of the upper surface of the substrate W (FIG. 4A). ). On the contrary, by lowering the nozzle 435 to a position lower than the upper surface of the substrate W and rotating the nozzle 435 in the vertical direction so that the nozzle 435 faces slightly upward, the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed on the edge of the lower surface of the substrate W (FIG. 4B). Further, by setting the nozzle 435 at the same height as the substrate W and rotating the nozzle 435 in the vertical direction so that the nozzle 435 is oriented horizontally, the ultrasonic cleaning liquid can be injected onto the bevel of the substrate W (FIG. 4C).

なお、ノズル435を縦方向旋回、横方向旋回および上下動させる機構は上述したものには限られない。 The mechanism for rotating the nozzle 435 in the vertical direction, the horizontal direction, and the vertical movement is not limited to the above.

基板Wを洗浄する際には、基板Wを回転させつつ、ノズル435を縦方向旋回および/または横方向旋回させながら基板Wに超音波洗浄液を噴射する。この際、噴射位置(超音波洗浄液が基板Wに着液する位置)に応じて、出力、スキャン速度、流量、溶存気体量を変化させるなど種々の制御を行ってもよい。 When cleaning the substrate W, the ultrasonic cleaning liquid is sprayed onto the substrate W while rotating the substrate W and rotating the nozzle 435 in the vertical direction and / or in the horizontal direction. At this time, various controls such as changing the output, the scanning speed, the flow rate, and the amount of dissolved gas may be performed according to the injection position (the position where the ultrasonic cleaning liquid lands on the substrate W).

また、図5Aに示すように、水平方向に延びる旋回軸436によって支持軸431と可動軸432とが接続されていてもよい。これにより、可動軸432は旋回軸436を軸として支持軸431に対して鉛直面内で旋回可能となる。ノズル435の縦方向旋回と組み合わせることで、超音波洗浄液を基板Wの内側(中心に近い側)から外周(縁に近い側)に向かって噴射できる(図5B)。 Further, as shown in FIG. 5A, the support shaft 431 and the movable shaft 432 may be connected by a swivel shaft 436 extending in the horizontal direction. As a result, the movable shaft 432 can swivel in a vertical plane with respect to the support shaft 431 with the swivel shaft 436 as the axis. By combining with the vertical rotation of the nozzle 435, the ultrasonic cleaning liquid can be ejected from the inside (closer to the center) to the outer circumference (closer to the edge) of the substrate W (FIG. 5B).

このように外周に向かって超音波洗浄液を噴射することで、基板Wの洗浄によって汚染された超音波洗浄液が基板Wの内側に向かうことなく素早く排出でき、洗浄力が向上する。 By injecting the ultrasonic cleaning liquid toward the outer periphery in this way, the ultrasonic cleaning liquid contaminated by cleaning the substrate W can be quickly discharged without going to the inside of the substrate W, and the cleaning power is improved.

以上説明した基板洗浄装置4は、例えば以下のように動作する。
図5Cは、基板洗浄装置4の処理動作の一例を示すフローチャートである。本フローチャートの一部または全部を行うよう制御部7あるいは別のコンピュータから基板洗浄装置3(の特にスピンドル41やノズル435を移動させるための機構)に指令を与えるようにしてもよく、そのような指令は所定のプログラムが実行されることによって発令されてもよい。
The substrate cleaning device 4 described above operates as follows, for example.
FIG. 5C is a flowchart showing an example of the processing operation of the substrate cleaning device 4. The control unit 7 or another computer may instruct the substrate cleaning device 3 (particularly the mechanism for moving the spindle 41 and the nozzle 435) to perform a part or all of this flowchart. The command may be issued by executing a predetermined program.

まず、基板回転機構としてのスピンドル41は、基板Wを保持して回転させる(ステップS1)。 First, the spindle 41 as the substrate rotation mechanism holds and rotates the substrate W (step S1).

そして、支持軸431が上昇することにより、超音波洗浄液源に連通したノズル435が基板Wの上面より高い位置まで上昇する。次いで、可動軸432が旋回軸436を軸として鉛直面内で旋回することによってノズル435が基板Wの水平方向内側まで移動する。さらに、ヘッド433が旋回軸434を軸として鉛直面内で旋回することによってノズル435が外向きとなる。以上により、図5Aに示すように、基板Wの上面のエッジに対して鋭角の入射角を有する向きにノズル435の噴射口が向いた状態となる(ステップS2)。 Then, as the support shaft 431 rises, the nozzle 435 communicating with the ultrasonic cleaning liquid source rises to a position higher than the upper surface of the substrate W. Next, the movable shaft 432 swivels in the vertical plane about the swivel shaft 436, so that the nozzle 435 moves to the inside of the substrate W in the horizontal direction. Further, the head 433 swivels in the vertical plane about the swivel shaft 434, so that the nozzle 435 faces outward. As a result, as shown in FIG. 5A, the injection port of the nozzle 435 faces in a direction having an acute angle of incidence with respect to the edge of the upper surface of the substrate W (step S2).

この状態でノズル435から基板Wの上面のエッジに向かって超音波洗浄液を噴射する(ステップS3)。このとき、超音波洗浄液の基板W表面に対する入射角は鋭角となる。 In this state, the ultrasonic cleaning liquid is sprayed from the nozzle 435 toward the edge of the upper surface of the substrate W (step S3). At this time, the incident angle of the ultrasonic cleaning liquid with respect to the substrate W surface becomes an acute angle.

超音波専用液の噴射すなわち基板Wの上面のエッジの洗浄が完了すると、可動軸432が旋回軸436を軸として鉛直面内で旋回することによってノズル435が基板Wの水平方向外側まで移動する(ステップS4)。 When the injection of the ultrasonic liquid, that is, the cleaning of the edge of the upper surface of the substrate W is completed, the movable shaft 432 swivels in the vertical plane about the swivel shaft 436, so that the nozzle 435 moves to the outside in the horizontal direction of the substrate W ( Step S4).

そして、支持軸431が下降することにより、ノズル435が基板Wの下面より低い位置まで下降する。次いで、可動軸432が旋回軸436を軸として鉛直面内で旋回することによってノズル435が基板Wの水平方向内側まで移動する。さらに、ヘッド433が旋回軸434を軸として鉛直面内で旋回することによってノズル435が外向きとなる(ステップS5)。以上により、基板Wの下面のエッジに対して鋭角の入射角を有する向きにノズル435の噴射口が向いた状態となる。 Then, as the support shaft 431 descends, the nozzle 435 descends to a position lower than the lower surface of the substrate W. Next, the movable shaft 432 swivels in the vertical plane about the swivel shaft 436, so that the nozzle 435 moves to the inside of the substrate W in the horizontal direction. Further, the head 433 swivels in the vertical plane about the swivel shaft 434, so that the nozzle 435 faces outward (step S5). As described above, the injection port of the nozzle 435 faces in a direction having an acute angle of incidence with respect to the edge of the lower surface of the substrate W.

この状態でノズル435から基板Wの下面のエッジに向かって超音波洗浄液を噴射する(ステップS6)。このとき、超音波洗浄液の基板W裏面に対する入射角は鋭角となる。 In this state, the ultrasonic cleaning liquid is sprayed from the nozzle 435 toward the edge of the lower surface of the substrate W (step S6). At this time, the incident angle of the ultrasonic cleaning liquid with respect to the back surface of the substrate W becomes an acute angle.

超音波専用液の噴射すなわち基板Wの裏面のエッジの洗浄が完了すると、可動軸432が旋回軸436を軸として鉛直面内で旋回することによってノズル435が基板Wの水平方向外側まで移動する(ステップS7)。 When the injection of the ultrasonic liquid, that is, the cleaning of the edge on the back surface of the substrate W is completed, the movable shaft 432 swivels in the vertical plane around the swivel shaft 436, so that the nozzle 435 moves to the outside in the horizontal direction of the substrate W ( Step S7).

そして、支持軸431が上昇することにより、ノズル435が基板Wと同じ位置まで上昇する。次いで、ヘッド433が旋回軸434を軸として鉛直面内で旋回することによってノズル435は水平向きとなり、図4Cの状態となる(ステップS8)。 Then, as the support shaft 431 rises, the nozzle 435 rises to the same position as the substrate W. Next, the head 433 swivels in the vertical plane about the swivel shaft 434, so that the nozzle 435 is oriented horizontally and is in the state shown in FIG. 4C (step S8).

この状態でノズル435から基板Wのベベルに向かって超音波洗浄液を噴射する(ステップS9)。超音波洗浄液の噴射すなわちベベルの洗浄が完了すると、スピンドル41から基板Wが外される(ステップS10)。 In this state, the ultrasonic cleaning liquid is sprayed from the nozzle 435 toward the bevel of the substrate W (step S9). When the injection of the ultrasonic cleaning liquid, that is, the cleaning of the bevel is completed, the substrate W is removed from the spindle 41 (step S10).

以上説明したように、第1の実施形態では、ノズル435が縦方向旋回および横方向旋回可能である。よって、基板Wの広い領域を洗浄可能となり、洗浄力が向上する。 As described above, in the first embodiment, the nozzle 435 can be swiveled in the vertical direction and swiveled in the horizontal direction. Therefore, a wide area of the substrate W can be cleaned, and the cleaning power is improved.

なお、超音波洗浄液の噴射対象は基板Wに限られない。ノズル435が縦方向旋回や横方向旋回可能であることにより、基板洗浄装置4の一部(例えば、スピンドル41やカップ)に超音波洗浄液を噴射でき、これらの洗浄も可能である。 The target of injection of the ultrasonic cleaning liquid is not limited to the substrate W. Since the nozzle 435 can be swiveled in the vertical direction and the horizontal direction, it is possible to inject an ultrasonic cleaning liquid onto a part of the substrate cleaning device 4 (for example, a spindle 41 or a cup), and cleaning these can also be performed.

(第2の実施形態)
次に説明する第2の実施形態は、ロール型の洗浄部材を備える基板洗浄装置4に関する。
(Second embodiment)
The second embodiment described below relates to a substrate cleaning device 4 including a roll-type cleaning member.

図6A〜図6Cは、それぞれ、第2の実施形態に係る基板洗浄装置4’の概略構成を示す斜視図、上面図および側面図である。以下、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。 6A to 6C are a perspective view, a top view, and a side view showing a schematic configuration of the substrate cleaning device 4'according to the second embodiment, respectively. Hereinafter, the differences from the first embodiment will be mainly described.

この基板洗浄装置4’は、ロール型洗浄具451と、その直下に配置されたロール型洗浄具452を備えている。ロール型洗浄具451,452は長尺状であり、望ましくは、基板Wの縁から反対側の縁まで延びており、基板Wの中心を通る。ノズル435は縦方向旋回および/または横方向旋回しながら基板W(より詳しくは、ロール型洗浄具451,452よりノズル435に近い側)に超音波洗浄液を噴射しつつ、ロール型洗浄具451,452はそれぞれ基板Wの上面および下面に接触しながら各面を洗浄する。 The substrate cleaning device 4'includes a roll-type cleaning tool 451 and a roll-type cleaning tool 452 arranged immediately below the roll-type cleaning tool 451. The roll-type cleaners 451 and 452 are elongated and preferably extend from the edge of the substrate W to the opposite edge and pass through the center of the substrate W. The nozzle 435 swivels in the vertical direction and / or in the horizontal direction while injecting an ultrasonic cleaning liquid onto the substrate W (more specifically, the side closer to the nozzle 435 than the roll-type cleaning tools 451 and 452), while the roll-type cleaning tool 451 and 452 cleans each surface while contacting the upper surface and the lower surface of the substrate W, respectively.

この場合、ノズル435からの噴射方向は、ロール型洗浄具451,452の長手方向と平行でもよいし、垂直でもよいが、図6Bに示すように、斜め方向(ロール型洗浄具451,452の長手方向と、噴射方向とのなす角が0度より大きく90度未満)であるのが望ましい。 In this case, the injection direction from the nozzle 435 may be parallel to or perpendicular to the longitudinal direction of the roll-type cleaning tools 451 and 452, but as shown in FIG. 6B, the injection direction of the roll-type cleaning tools 451 and 452. It is desirable that the angle between the longitudinal direction and the injection direction is greater than 0 degrees and less than 90 degrees).

また、図6Cに示すように、ロール型洗浄具451が基板Wに接触する近辺において、ロール型洗浄具451の回転方向とノズル435からの噴射方向とが一致していてもよいし、一致していなくてもよい。
ただし、ロール型洗浄具451と基板Wの接触部位への超音波洗浄液の速やかな供給と、接触部位を通過した超音波洗浄液の速やかな排出を考慮すると、ロール型洗浄具451の回転方向とノズル435からの噴射方向とが一致していることが望ましい。
Further, as shown in FIG. 6C, the rotation direction of the roll-type cleaning tool 451 and the injection direction from the nozzle 435 may coincide with each other in the vicinity where the roll-type cleaning tool 451 contacts the substrate W. It does not have to be.
However, considering the rapid supply of the ultrasonic cleaning liquid to the contact portion between the roll type cleaning tool 451 and the substrate W and the rapid discharge of the ultrasonic cleaning liquid that has passed through the contact portion, the rotation direction of the roll type cleaning tool 451 and the nozzle. It is desirable that the injection direction from 435 is the same.

さらに、図7に示すように、ノズル435が基板Wの下面より低い位置まで下降することにより、超音波洗浄液は基板Wの下面に噴射される。基板Wの下面に超音波洗浄液を噴射する場合も、ロール型洗浄具452が基板Wに接触する近辺において、ロール型洗浄具452の回転方向とノズル435からの噴射方向とが一致していてもよいし、一致していなくてもよい。ただし、基板Wの上面と同様、一致しているのが望ましい。 Further, as shown in FIG. 7, the nozzle 435 is lowered to a position lower than the lower surface of the substrate W, so that the ultrasonic cleaning liquid is ejected to the lower surface of the substrate W. Even when the ultrasonic cleaning liquid is sprayed onto the lower surface of the substrate W, even if the rotation direction of the roll-type cleaning tool 452 and the injection direction from the nozzle 435 coincide with each other in the vicinity where the roll-type cleaning tool 452 contacts the substrate W. It may or may not match. However, it is desirable that they match the same as the upper surface of the substrate W.

このように、本実施形態では、超音波洗浄液による洗浄のみならず、ロール型洗浄具451,452でも洗浄を行う。そのため、洗浄力が向上する。また、ノズル435が縦方向旋回や横方向旋回可能であることにより、ロール型洗浄具451,452に超音波洗浄液を噴射できる。 As described above, in the present embodiment, not only the cleaning with the ultrasonic cleaning liquid but also the roll type cleaning tools 451 and 452 are used for cleaning. Therefore, the detergency is improved. Further, since the nozzle 435 can be swiveled in the vertical direction and the horizontal direction, the ultrasonic cleaning liquid can be sprayed onto the roll-type cleaning tools 451 and 452.

(第3の実施形態)
上述した第1および第2の実施形態は、いずれも基板Wを水平方向に保持することを念頭に置いていた。これに対し、次に説明する第3の実施形態は基板Wを非水平方向に保持するものである。
(Third Embodiment)
Both the first and second embodiments described above have in mind that the substrate W is held in the horizontal direction. On the other hand, the third embodiment described below holds the substrate W in the non-horizontal direction.

図8Aおよび図8Bは、それぞれ、第3の実施形態に係る基板洗浄装置4’’の概略構成を示す正面図および側面図である。本基板洗浄装置4’’は、基板Wの下側を保持して回転させる2つのスピンドル41と、上側を保持して回転させる2つのスピンドル41とを備えている。これらのスピンドル41が同一鉛直面内に配置されることで、基板Wは鉛直方向に保持される。 8A and 8B are a front view and a side view showing a schematic configuration of the substrate cleaning device 4 ″ according to the third embodiment, respectively. The substrate cleaning device 4 ″ includes two spindles 41 that hold and rotate the lower side of the substrate W, and two spindles 41 that hold and rotate the upper side. By arranging these spindles 41 in the same vertical plane, the substrate W is held in the vertical direction.

また、基板洗浄装置4’’は4つの超音波洗浄液供給装置42A〜42Dを備え得る。超音波洗浄液供給装置42Aは、基板Wの中心の鉛直方向上方に配置され、そのノズル435Aから下向きに超音波洗浄液を噴射する。超音波洗浄液供給装置42Bは、基板Wの中心の鉛直方向下方に配置され、そのノズル435Bから上向きに超音波洗浄液を噴射する。超音波洗浄液供給装置42Cは、基板Wの中心の斜め上方に配置され、そのノズル435Cから基板Wの中心に向かって斜め下向きに超音波洗浄液を噴射する。超音波洗浄液供給装置42Dは、基板Wの中心の斜め下方に配置され、そのノズル435Dから基板Wの中心に向かって斜め上向きに超音波洗浄液を噴射する。 Further, the substrate cleaning device 4 ″ may include four ultrasonic cleaning liquid supply devices 42A to 42D. The ultrasonic cleaning liquid supply device 42A is arranged vertically above the center of the substrate W, and ejects the ultrasonic cleaning liquid downward from its nozzle 435A. The ultrasonic cleaning liquid supply device 42B is arranged below the center of the substrate W in the vertical direction, and ejects the ultrasonic cleaning liquid upward from its nozzle 435B. The ultrasonic cleaning liquid supply device 42C is arranged diagonally above the center of the substrate W, and ejects the ultrasonic cleaning liquid diagonally downward from the nozzle 435C toward the center of the substrate W. The ultrasonic cleaning liquid supply device 42D is arranged diagonally below the center of the substrate W, and ejects the ultrasonic cleaning liquid diagonally upward from the nozzle 435D toward the center of the substrate W.

図示を省略しているが、超音波洗浄液供給装置42A〜42Dの少なくとも一部は、第1の実施形態で説明した構造となっており、旋回軸434を軸とした基板Wと垂直な面内での旋回、可動軸432を軸とした基板Wと平行な面内での旋回および/または上下動が可能であるのが望ましい。 Although not shown, at least a part of the ultrasonic cleaning liquid supply devices 42A to 42D has the structure described in the first embodiment, and is in the plane perpendicular to the substrate W about the swivel shaft 434. It is desirable to be able to swivel in, swivel in a plane parallel to the substrate W about the movable shaft 432, and / or move up and down.

なお、基板洗浄装置4’’は少なくとも1つの超音波洗浄液供給装置42を備えていればよく、その数や配置に特に制限はない。 The substrate cleaning device 4 ″ may be provided with at least one ultrasonic cleaning liquid supply device 42, and the number and arrangement thereof are not particularly limited.

変形例として、第2の実施形態と同様に、ロール型洗浄具451,452が設けられていてもよい(図9Aおよび図9B)。また、上側のスピンドル41と、下側のスピンドル41とを同一鉛直面内に配置しないことで、基板Wを斜め方向に保持してもよく(図10)、加えてロール型洗浄具が設けられていてもよい(不図示)。
以上説明したように、基板Wを非水平方向に保持して回転させてもよい。
As a modification, roll-type cleaning tools 451 and 452 may be provided as in the second embodiment (FIGS. 9A and 9B). Further, by not arranging the upper spindle 41 and the lower spindle 41 in the same vertical plane, the substrate W may be held in an oblique direction (FIG. 10), and a roll-type washer is provided. May be (not shown).
As described above, the substrate W may be held and rotated in the non-horizontal direction.

(その他の実施形態)
図11に示すように、ノズル435から超音波洗浄液を霧状に噴射(噴霧)してもよい。振動エネルギーを得た超音波洗浄液を噴霧供給することで、基板Wに対するダメージを抑えつつ、基板Wの表面のパーティクルを除去できる。特に、大きなパーティクルの除去には超音波の周波数を低く(例えば、数10kHz〜500kHz)する必要があり、その場合は基板Wにダメージを与える可能性もあるが、霧状に噴霧することでダメージを抑えられる。
(Other embodiments)
As shown in FIG. 11, the ultrasonic cleaning liquid may be sprayed (sprayed) in the form of mist from the nozzle 435. By spraying and supplying the ultrasonic cleaning liquid obtained from the vibration energy, it is possible to remove particles on the surface of the substrate W while suppressing damage to the substrate W. In particular, it is necessary to lower the frequency of ultrasonic waves (for example, several tens of kHz to 500 kHz) in order to remove large particles, and in that case, the substrate W may be damaged, but it is damaged by spraying in a mist form. Can be suppressed.

図12は、チャック爪で基板Wを保持して回転させる基板洗浄装置4’’’の概略構成を示す斜視図である。本基板洗浄装置4’’’は、図2A等のスピンドル41に代えて、チャック爪511および回転駆動軸512を備えている。 FIG. 12 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate cleaning device 4 ″ ″ that holds and rotates the substrate W with a chuck claw. The substrate cleaning device 4 ″ is provided with a chuck claw 511 and a rotation drive shaft 512 in place of the spindle 41 shown in FIG. 2A and the like.

チャック爪511は、基板Wの外周端部(エッジ部分)を把持して基板Wを保持するように設けられた保持部材である。隣り合うチャック爪511同士の間には、基板Wを搬送するロボットハンド(不図示)の動きを阻害しない間隔が設けられている。チャック爪511は、基板Wの面を水平にして保持できるように、それぞれ回転駆動軸512に接続されている。 The chuck claw 511 is a holding member provided so as to grip the outer peripheral end portion (edge portion) of the substrate W and hold the substrate W. An interval is provided between the adjacent chuck claws 511 so as not to hinder the movement of the robot hand (not shown) that conveys the substrate W. The chuck claws 511 are each connected to the rotation drive shaft 512 so that the surface of the substrate W can be held horizontally.

回転駆動軸512は、基板Wの面に対して垂直に延びる軸線まわりに回転することができ、回転駆動軸512の軸線まわりの回転により基板Wを水平面内で回転させることができるように構成されている。回転駆動軸512の回転方向や回転数は図1の制御部7が制御する。回転数は一定でもよいし、可変でもよい。また、チャック爪511の外側にあって基板Wの周囲を覆い、回転駆動軸512と同期して回転する回転カップを設けてもよい。 The rotation drive shaft 512 is configured so that it can rotate around an axis extending perpendicular to the surface of the substrate W, and the substrate W can be rotated in a horizontal plane by rotation around the axis of the rotation drive shaft 512. ing. The rotation direction and rotation speed of the rotation drive shaft 512 are controlled by the control unit 7 of FIG. The rotation speed may be constant or variable. Further, a rotary cup that is outside the chuck claw 511 and covers the periphery of the substrate W and rotates in synchronization with the rotary drive shaft 512 may be provided.

このような構成の場合、超音波洗浄液をチャック爪511や回転カップに噴射してもよい。ここで、基板洗浄装置4の筐体の上部に設けられた図示しないFFU部、又は、筐体に設けられた基板を出し入れするためのシャッター機構から、筐体内部に流入するガスの流れが、基板洗浄装置4の筐体の下部の排出部から排出されるようにし、ダウンフローが筐体内に形成されるようにすることができる。さらに、前述の回転カップに、排液を排出するための排出孔を設けてもよく、ダウンフローがこの排出孔から筐体下部の排出部から排出されるとともに、超音波洗浄液を回転カップに噴射して、回転カップの洗浄済み排液を、ダウンフローの気流の流れ沿って、回転カップの下方の排出孔から、回転カップの下方に位置している受液容器に受け入れて、これを排出管から確実に排出するようにすることもできる。こうした構成をとることで、回転カップや基板チャック爪511に付着しがちなパーティクルを確実に除去して、基板の再汚染を防止できるだけでなく、基板の外周端部(エッジ部分)をも確実に洗浄することが期待できる。 In such a configuration, the ultrasonic cleaning liquid may be sprayed onto the chuck claw 511 or the rotary cup. Here, the flow of gas flowing into the housing from the FFU unit (not shown) provided in the upper part of the housing of the substrate cleaning device 4 or the shutter mechanism for taking in and out the substrate provided in the housing is: It is possible to discharge the substrate from the discharge portion at the lower part of the housing of the substrate cleaning device 4 so that the downflow is formed in the housing. Further, the rotary cup described above may be provided with a drain hole for draining the drainage liquid, and the downflow is discharged from the drainage portion at the lower part of the housing through the drainage hole, and the ultrasonic cleaning liquid is injected into the rotary cup. Then, the washed drainage of the rotary cup is received from the drainage hole below the rotary cup into the liquid receiving container located below the rotary cup along the flow of the downflow airflow, and this is received in the drainage pipe. It is also possible to ensure that it is discharged from. With such a configuration, particles that tend to adhere to the rotating cup and the substrate chuck claw 511 can be reliably removed to prevent recontamination of the substrate, and the outer peripheral edge portion (edge portion) of the substrate is also reliably removed. Can be expected to be washed.

その他の基板洗浄装置の構成例として、スピンドル41やチャック爪511で基板Wを回転させるのではなく、基板Wを下方からステージ上に支持してステージを回転させてもよい。また、洗浄具として、図6A等に例示したロール型のものではなく、いわゆるペンシルスポンジ型の洗浄具を用い、基板W上を揺動させながら洗浄してもよい。また、基板Wの一面(例えば上面)をペンシルスポンジ型の洗浄具で、他面(例えば下面)をロール型の洗浄具で洗浄してもよい。また、本明細書で説明した各態様を適宜組み合わせてもよい。 As another configuration example of the substrate cleaning device, instead of rotating the substrate W with the spindle 41 or the chuck claw 511, the substrate W may be supported on the stage from below to rotate the stage. Further, as the cleaning tool, a so-called pencil sponge type cleaning tool may be used instead of the roll type cleaning tool illustrated in FIG. 6A or the like, and cleaning may be performed while swinging on the substrate W. Further, one surface (for example, the upper surface) of the substrate W may be cleaned with a pencil sponge type cleaning tool, and the other surface (for example, the lower surface) may be cleaned with a roll type cleaning tool. Moreover, each aspect described in this specification may be combined appropriately.

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。例えば、基板洗浄装置内において、基板を保持機構に保持した状態で、基板を上記実施形態で説明したノズルと同様に超音波洗浄液にて洗浄した後、連続して、基板をそのまま回転させながら、IPA液をIPAノズルから基板に噴霧させて、基板の乾燥処理を行うように構成してもよい。あるいは、上記実施形態の基板処理装置として、基板の化学的機械的研磨装置(CMP装置)を示したが、これに限られず、例えば、基板のベベル部を研磨処理するベベル研磨装置や、基板のめっき装置、などにも、上記の基板洗浄装置を採用することもできる。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。 The above-described embodiment is described for the purpose of enabling a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to carry out the present invention. For example, in the substrate cleaning apparatus, while the substrate is held by the holding mechanism, the substrate is cleaned with an ultrasonic cleaning liquid in the same manner as the nozzle described in the above embodiment, and then the substrate is continuously rotated as it is. The IPA liquid may be sprayed onto the substrate from the IPA nozzle to dry the substrate. Alternatively, as the substrate processing apparatus of the above embodiment, a chemical mechanical polishing apparatus (CMP apparatus) for the substrate is shown, but the present invention is not limited to this, and for example, a bevel polishing apparatus for polishing the bevel portion of the substrate or a substrate. The above-mentioned substrate cleaning apparatus can also be adopted for a plating apparatus and the like. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Therefore, the present invention is not limited to the described embodiments and should be the broadest scope according to the technical ideas defined by the claims.

3 基板研磨装置
4,4’,4’’,4’’’ 基板洗浄装置
41 スピンドル
42,42A〜42D 超音波洗浄液供給装置
431 支持軸
432 可動軸
433 ヘッド
434 旋回軸
435,435A〜435D ノズル
436 旋回軸
451,452 ロール型洗浄具
511 チャック爪
512 回転駆動軸
3 Substrate polishing device 4, 4', 4'', 4'''Substrate cleaning device 41 Spindle 42, 42A to 42D Ultrasonic cleaning liquid supply device 431 Support shaft 432 Movable shaft 433 Head 434 Swivel shaft 435, 435A to 435D Nozzle 436 Swivel shaft 451,452 Roll type cleaning tool 511 Chuck claw 512 Rotation drive shaft

Claims (14)

基板を保持し、回転させる基板回転機構と、
回転される前記基板に向かって超音波洗浄液を噴射するノズルと、を備え、
前記ノズルは、前記基板と垂直な面内で旋回可能であり、かつ、前記基板と平行な面内で旋回可能である、基板洗浄装置。
A board rotation mechanism that holds and rotates the board,
A nozzle for injecting an ultrasonic cleaning liquid toward the rotated substrate is provided.
A substrate cleaning device in which the nozzle is rotatable in a plane perpendicular to the substrate and is rotatable in a plane parallel to the substrate.
前記ノズルは、前記基板のエッジおよび/またはベベルに超音波洗浄液を噴射する、請求項1に記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the nozzle sprays an ultrasonic cleaning liquid onto the edge and / or bevel of the substrate. 前記ノズルは、上下動可能である、請求項1または2に記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to claim 1 or 2, wherein the nozzle can move up and down. 前記ノズルは、前記基板の上面に超音波洗浄液が噴射される位置まで上昇可能であり、かつ、前記基板の下面に超音波洗浄液が噴射される位置まで下降可能である、請求項3に記載の基板洗浄装置。 The third aspect of claim 3, wherein the nozzle can be raised to a position where the ultrasonic cleaning liquid is sprayed on the upper surface of the substrate, and can be lowered to a position where the ultrasonic cleaning liquid is sprayed on the lower surface of the substrate. Board cleaning device. 前記ノズルは、前記基板と垂直な面内で旋回可能であることによって、前記基板の内側から外周に向かって超音波洗浄液を噴射できる、請求項1乃至4のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the nozzle can swivel in a plane perpendicular to the substrate, so that an ultrasonic cleaning liquid can be ejected from the inside to the outer periphery of the substrate. 前記ノズルは、前記基板回転機構に超音波洗浄液を噴射する、請求項1乃至5のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the nozzle injects an ultrasonic cleaning liquid onto the substrate rotating mechanism. 回転しながら前記基板に接触して前記基板の表面を洗浄する洗浄具を備え、
前記ノズルは前記洗浄具に超音波洗浄液を噴射する、請求項6に記載の基板洗浄装置。
A cleaning tool that comes into contact with the substrate while rotating to clean the surface of the substrate is provided.
The substrate cleaning device according to claim 6, wherein the nozzle injects an ultrasonic cleaning liquid onto the cleaning tool.
前記ノズルからの超音波洗浄液の噴射方向と、前記洗浄具の長手方向とのなす角は、0度より大きく90度未満である、請求項6または7に記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning apparatus according to claim 6 or 7, wherein the angle formed by the injection direction of the ultrasonic cleaning liquid from the nozzle and the longitudinal direction of the cleaning tool is greater than 0 degrees and less than 90 degrees. 前記ノズルは、霧状の超音波洗浄液を噴射する、請求項1乃至8のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to any one of claims 1 to 8, wherein the nozzle ejects a mist-like ultrasonic cleaning liquid. 前記基板回転機構は、前記基板を非水平方向に保持する、請求項1乃至9のいずれかに記載の基板洗浄装置。 The substrate cleaning device according to any one of claims 1 to 9, wherein the substrate rotation mechanism holds the substrate in a non-horizontal direction. 前記基板回転機構は、前記基板を水平方向に保持して回転させ、
前記ノズルは、鉛直方向に延びる第1軸に固定され、前記第1軸がその軸心を中心として回転することにより、前記ノズルは前記基板と水平な面内で旋回する、請求項1乃至10のいずれかに記載の基板洗浄装置。
The substrate rotation mechanism holds and rotates the substrate in the horizontal direction.
Claims 1 to 10 wherein the nozzle is fixed to a first axis extending in the vertical direction, and the first axis rotates about its axis so that the nozzle rotates in a plane horizontal to the substrate. The substrate cleaning apparatus according to any one of.
前記基板回転機構は、前記基板を水平方向に保持して回転させ、
前記ノズルは、水平方向に延びる第2軸に固定され、前記第2軸がその軸心を中心として回転することにより、前記ノズルは前記基板と垂直な面内で旋回する、請求項1乃至11のいずれかに記載の基板洗浄装置。
The substrate rotation mechanism holds and rotates the substrate in the horizontal direction.
Claims 1 to 11 wherein the nozzle is fixed to a second axis extending in a horizontal direction, and the second axis rotates about an axis thereof so that the nozzle rotates in a plane perpendicular to the substrate. The substrate cleaning device according to any one of.
基板を研磨する基板研磨装置と、
研磨後の基板を洗浄する、請求項1乃至12のいずれかに記載の基板洗浄装置と、を備えた基板処理装置。
A substrate polishing device that polishes the substrate and
A substrate processing apparatus comprising the substrate cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 12, which cleans the polished substrate.
基板を基板回転機構に保持して回転させるステップと、
超音波洗浄液源に連通したノズルを前記基板の上面よりも高い位置に上昇させるとともに、前記基板の水平方向内側に前記ノズルを移動させ、さらに、前記基板上面のエッジに対して鋭角の入射角を有する向きに前記ノズルの噴射口が向くように前記ノズルを旋回させるステップと、
前記ノズルから前記基板の上面に向けて超音波洗浄液を噴射するステップと、
前記ノズルを前記基板の水平方向外側へと移動させるステップと、
前記ノズルを前記基板の下面より低い位置まで下降させるとともに、前記基板の水平方向内側に前記ノズルを移動させ、さらに、前記基板下面のエッジに対して鋭角の入射角を有する向きに前記ノズルの噴射口が向くように前記ノズルを旋回させるステップと、
前記ノズルから前記基板の下面に向けて超音波洗浄液を噴射するステップと、
前記ノズルを前記基板の水平方向外側へと移動させるステップと、
前記ノズルを前記基板のベベルと略同じ高さとするとともに、前記基板のベベルに向けて前記ノズルの噴射口が向くように前記ノズルを旋回させるステップと、
前記ノズルから前記基板のベベルに向けて超音波洗浄液を噴射するステップと、を含む基板洗浄方法を実行する為に、基板洗浄装置に指令を与えて、前記基板回転機構及び前記ノズルを移動させるための機構の動作をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

The step of holding the board in the board rotation mechanism and rotating it,
The nozzle communicating with the ultrasonic cleaning liquid source is raised to a position higher than the upper surface of the substrate, the nozzle is moved inward in the horizontal direction of the substrate, and an acute angle of incidence is set with respect to the edge of the upper surface of the substrate. A step of turning the nozzle so that the injection port of the nozzle faces the holding direction, and
A step of injecting an ultrasonic cleaning solution from the nozzle toward the upper surface of the substrate,
A step of moving the nozzle to the outside in the horizontal direction of the substrate,
The nozzle is lowered to a position lower than the lower surface of the substrate, the nozzle is moved inward in the horizontal direction of the substrate, and the nozzle is ejected in a direction having an acute angle of incidence with respect to the edge of the lower surface of the substrate. The step of turning the nozzle so that the mouth faces,
A step of injecting an ultrasonic cleaning solution from the nozzle toward the lower surface of the substrate,
A step of moving the nozzle to the outside in the horizontal direction of the substrate,
A step of making the nozzle substantially the same height as the bevel of the substrate and turning the nozzle so that the injection port of the nozzle faces the bevel of the substrate.
To give a command to the substrate cleaning apparatus to move the substrate rotating mechanism and the nozzle in order to execute a substrate cleaning method including a step of injecting an ultrasonic cleaning liquid from the nozzle toward the bevel of the substrate. A non-temporary computer-readable recording medium that records a program that causes a computer to perform the operations of the mechanism.

JP2018049149A 2018-01-31 2018-03-16 Substrate cleaning device, substrate processing apparatus and recording medium Pending JP2021057356A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018049149A JP2021057356A (en) 2018-03-16 2018-03-16 Substrate cleaning device, substrate processing apparatus and recording medium
PCT/JP2018/041115 WO2019150683A1 (en) 2018-01-31 2018-11-06 Substrate cleaning device, substrate processing device, ultrasonic cleaning fluid supply device, and recording medium
TW107147588A TW201934212A (en) 2018-01-31 2018-12-28 Substrate cleaning device, substrate processing device, ultrasonic cleaning fluid supply device, and recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018049149A JP2021057356A (en) 2018-03-16 2018-03-16 Substrate cleaning device, substrate processing apparatus and recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021057356A true JP2021057356A (en) 2021-04-08

Family

ID=75271099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018049149A Pending JP2021057356A (en) 2018-01-31 2018-03-16 Substrate cleaning device, substrate processing apparatus and recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021057356A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI525686B (en) Substrate cleaning method
TWI724115B (en) Substrate cleaning device, substrate cleaning method, substrate processing device, and substrate drying device
TWI494987B (en) Substrate processing method, recording medium for recording computer program used to implement the substrate processing method, and substrate processing apparatus
KR102033791B1 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
US9646859B2 (en) Disk-brush cleaner module with fluid jet
US11660643B2 (en) Substrate cleaning device and substrate cleaning method
JP2002043267A (en) Substrate cleaning apparatus, method and substrate processing apparatus
TW201308479A (en) Substrate processing method and substrate processing unit
JP6748524B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2017188665A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7290695B2 (en) Cleaning equipment for ultrasonic cleaning equipment and cleaning tools
JP2007036152A (en) Wafer cleaning/drying method and wafer cleaning/drying equipment
JP2008132592A (en) Polishing device and polishing method
JP2021057356A (en) Substrate cleaning device, substrate processing apparatus and recording medium
WO2019150683A1 (en) Substrate cleaning device, substrate processing device, ultrasonic cleaning fluid supply device, and recording medium
JP7149869B2 (en) SUBSTRATE CLEANING METHOD AND SUBSTRATE CLEANING APPARATUS
JP6339351B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate processing apparatus
JP2005072429A (en) Method and apparatus for cleaning both surfaces
JP2017183595A (en) Substrate washing device
JP6934918B2 (en) Substrate cleaning equipment
KR102080682B1 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
JP2023028395A (en) Substrate cleaning device, substrate cleaning method and substrate polishing device
JP2021057355A (en) Substrate cleaning device and ultrasonic cleaning liquid supply device
JP2021106209A (en) Cleaning device and polishing device
JP2021106214A (en) Cleaning device and polishing device