JP2021040453A - 制御基板 - Google Patents

Abstract

【課題】基板本体部の大型化やコストの増加を抑制しつつ、制御基板の耐振動性の向上を図ることが可能な技術を実現する。【解決手段】絶縁領域Ｂを跨ぐように配置されて第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２とを接続する接続部材６が、複数の第１回路領域Ａ１のそれぞれに対して設けられる。接続部材６は、第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間を電気的に絶縁しつつ第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間で信号を伝達する絶縁素子７１，７２と、第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間を電気的に絶縁しつつ第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間で電力を伝達するトランス８１，８２と、を備える。複数の接続部材６の全てにおいて、トランス８１，８２が、絶縁素子７１，７２よりも基板本体部４０の外縁４０ａ側に配置されている。【選択図】図３

Description

本発明は、インバータを制御する制御基板に関する。

インバータを制御する制御基板の一例が、特開２００９−１３０９６７号公報（特許文献１）に開示されている。以下、背景技術の説明において括弧内に示す符号は特許文献１のものである。特許文献１の制御基板（２）には、スイッチング素子（１０）を駆動する駆動回路（２０）がそれぞれ設けられた複数の第１回路領域（５）と、第２回路領域（７）とが形成されている。第２回路領域（７）は、複数の第１回路領域（５）の全てに対して絶縁領域（６）を挟んで隣接するように設けられている。そして、絶縁領域（６）を跨ぐように配置されて第１回路領域（５）と第２回路領域（７）との間で信号を伝達する絶縁素子（Ｐ）と、絶縁領域（６）を跨ぐように配置されて第１回路領域（５）と第２回路領域（７）との間で電力を伝達するトランス（Ｌ）とが、複数の第１回路領域（５）のそれぞれに対して設けられている。

特開２００９−１３０９６７号公報

ところで、特許文献１の段落００２１，００６７に記載されているように、特許文献１の制御基板では、制御基板を固定するための固定部材（ボルト等）が貫通する貫通孔を、基板本体部の四隅に加えて中央部にも設けることで、車載用途に要求される高い耐振動性を確保している。そして、特許文献１の段落００２１，００６８に記載されているように、特許文献１の制御基板では、基板本体部の中央部に配置される貫通孔を、第２回路領域内に設けることで、基板本体部の面積の増大を抑制している。しかしながら、このように基板本体部の中央部に貫通孔を設けた場合、基板本体部の中央部の貫通孔を避けて回路（素子や配線等）を配置する必要があり、基板本体部の中央部に貫通孔が設けられない場合に比べて基板本体部が大型化する場合があり得る。また、基板本体部の中央部に貫通孔が設けられない場合に比べて、コストが増加しやすい。

そこで、基板本体部の大型化やコストの増加を抑制しつつ、制御基板の耐振動性の向上を図ることが可能な技術の実現が望まれる。

本開示に係る制御基板は、複数のスイッチング素子を備えたインバータを制御する制御基板であって、複数の前記スイッチング素子のうちの対応する前記スイッチング素子をそれぞれ駆動する複数の駆動回路と、複数の前記駆動回路のそれぞれに供給される信号及び電力を伝達する伝達回路と、板状の基板本体部に形成された領域であって、前記駆動回路がそれぞれ設けられた複数の第１回路領域と、前記伝達回路が設けられた第２回路領域と、複数の前記第１回路領域のそれぞれと前記第２回路領域との間を電気的に絶縁する絶縁領域と、を備え、前記絶縁領域を跨ぐように配置されて前記第１回路領域と前記第２回路領域とを接続する接続部材が、複数の前記第１回路領域のそれぞれに対して設けられ、前記接続部材は、前記第１回路領域と前記第２回路領域との間を電気的に絶縁しつつ前記第１回路領域と前記第２回路領域との間で前記信号を伝達する絶縁素子と、前記第１回路領域と前記第２回路領域との間を電気的に絶縁しつつ前記第１回路領域と前記第２回路領域との間で前記電力を伝達するトランスと、を備え、複数の前記接続部材の全てにおいて、前記トランスが、前記絶縁素子よりも前記基板本体部の外縁側に配置されている。

基板本体部の中央部に、支持部材に支持される被支持部が設けられない場合、基板本体部の撓みによる変位は中央部において大きくなりやすい。本構成では、複数の接続部材の全てにおいて、トランスが絶縁素子よりも基板本体部の外縁側に配置されるため、絶縁素子に比べて一般に重い部品とされるトランスの全てを、基板本体部における撓みによる変位が大きくなりやすい中央部から離して配置することが可能となっている。この結果、振動が生じる環境下で制御基板が用いられる場合であっても、変位の大きな撓みを伴う振動（例えば、共振）が基板本体部に発生し難いようにして、制御基板の耐振動性の向上を図ることができる。なお、本構成では、支持部材に支持される被支持部を基板本体部の中央部に設ける必要はないため、基板本体部の大型化やコストの増加を抑制しつつ、制御基板の耐振動性の向上を図ることが可能となっている。

制御基板の更なる特徴と利点は、図面を参照して説明する実施形態についての以下の記載から明確となる。

制御基板の制御対象となるインバータの構成例を示す図 電源回路の構成例を示す図 実施形態に係る制御基板の平面図 実施形態に係る制御基板とインバータと支持部材とを分解して示す斜視図

制御基板の実施形態について、図面を参照して説明する。制御基板１は、複数のスイッチング素子３を備えたインバータ１００を制御する基板である。インバータ１００は、直流と交流との間で電力を変換して交流機１６に交流電力を供給する。制御基板１は、インバータ１００を介して交流機１６を制御する。交流機１６は、交流電力の供給を受けて動作する機器である。図１に示すように、本実施形態では、交流機１６は回転電機である。具体的には、交流機１６は、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相からなる３相（複数相の一例）の交流電力で駆動される回転電機であり、インバータ１００は、３相の交流電力を交流機１６（ここでは、ステータコイル１６ａ）に供給する。交流機１６は、例えば、車両の車輪を駆動するための回転電機とされ、或いは、車両に設けられた補機を駆動するための回転電機とされる。補機は、車両に搭載される機器（付属機器、車載機器）であり、例えば、電動オイルポンプや、エアコンディショナ用のコンプレッサ等とされる。本明細書では、「回転電機」は、モータ（電動機）、ジェネレータ（発電機）、及び必要に応じてモータ及びジェネレータの双方の機能を果たすモータ・ジェネレータのいずれをも含む概念として用いている。

図１に示すように、インバータ１００は、第１直流電源１１に接続されると共に交流機１６に接続されている。第１直流電源１１は、インバータ１００の直流側に直流電力を供給する。第１直流電源１１の電源電圧は、例えば２００〜４００［Ｖ］とされる。交流機１６がモータとして機能する場合には、インバータ１００は、第１直流電源１１から供給される直流電力を交流電力に変換して交流機１６に供給する。また、交流機１６がジェネレータとして機能する場合には、インバータ１００は、交流機１６から供給される交流電力を直流電力に変換して第１直流電源１１に供給する。第１直流電源１１とインバータ１００との間には、インバータ１００の直流側の電圧（直流リンク電圧Ｖｄｃ）を平滑化する平滑コンデンサＣが設けられている。第１直流電源１１とインバータ１００との間に昇圧回路が設けられ、第１直流電源１１の電圧が昇圧されてインバータ１００の直流側に供給される構成とすることもできる。

インバータ１００は、第１スイッチング素子３１と第２スイッチング素子３２とが直列接続されたアーム３３を複数備えている。すなわち、インバータ１００は、複数の第１スイッチング素子３１と複数の第２スイッチング素子３２とを備えている。第１スイッチング素子３１は、直流の正極側（ここでは、第１直流電源１１の正極側）に接続されるスイッチング素子３（上段側スイッチング素子）であり、第２スイッチング素子３２は、直流の負極側（ここでは、第１直流電源１１の負極側）に接続されるスイッチング素子３（下段側スイッチング素子）である。

インバータ１００が備えるスイッチング素子３は、後述するスイッチング制御信号ＳＷにより個別にスイッチング制御される。スイッチング素子３として、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ（Silicon Carbide - Metal Oxide Semiconductor FET）、ＳｉＣ−ＳＩＴ（SiC - Static Induction Transistor）、ＧａＮ−ＭＯＳＦＥＴ（Gallium Nitride - MOSFET）等のパワー半導体素子を用いると好適である。図１には、スイッチング素子３としてＩＧＢＴを用いる場合を例示している。スイッチング素子３は、例えば、矩形平板状のチップ型素子とされる。図示は省略するが、スイッチング素子３のそれぞれにはフリーホイールダイオードが並列接続されている。フリーホイールダイオードは、例えば、スイッチング素子３を構成するチップ型素子に内蔵される。

インバータ１００は、交流機１６に供給する交流電力の相数に対応する数のアーム３３を備えている。本実施形態では、インバータ１００は、交流機１６に供給する交流電力の相数に等しい数のアーム３３を備えており、具体的には、Ｕ相アーム３３Ｕ、Ｖ相アーム３３Ｖ、及びＷ相アーム３３Ｗの、３つのアーム３３を備えている。複数のアーム３３は、互いに並列接続されてブリッジ回路を構成している。各アーム３３の中間点（第１スイッチング素子３１と第２スイッチング素子３２との接続点）は、交流機１６の交流端子（ここでは、対応する相のステータコイル１６ａ）に接続されている。

第１スイッチング素子３１及び第２スイッチング素子３２の制御信号（スイッチング制御信号ＳＷ）は、制御回路５により生成される。制御回路５は、第１スイッチング素子３１をスイッチング制御する第１スイッチング制御信号ＳＷ１、及び、第２スイッチング素子３２をスイッチング制御する第２スイッチング制御信号ＳＷ２を生成する。すなわち、制御回路５は、スイッチング制御信号ＳＷとして、第１スイッチング制御信号ＳＷ１及び第２スイッチング制御信号ＳＷ２を生成する。制御回路５は、マイクロコンピュータ等の論理回路を中核として構成される。制御回路５の各機能は、例えば、マイクロコンピュータ等のハードウェアとソフトウェア（プログラム）との協働により実現される。

制御回路５は、スイッチング制御信号ＳＷを生成することで、インバータ１００を制御する。制御回路５は、例えば、他の制御装置（例えば、車両の全体を統合して制御する車両制御装置）からの指令に基づき、インバータ１００を制御する。制御回路５は、例えばベクトル制御法を用いた電流フィードバック制御を行って、他の制御装置から指令されたトルクを交流機１６が出力するようにインバータ１００を制御する。図１に示す例では、交流機１６の各相のステータコイル１６ａを流れる電流は電流センサ１４により検出され、交流機１６のロータの磁極位置は回転センサ１５により検出される。制御回路５は、これらの電流センサ１４及び回転センサ１５の検出結果を用いて、インバータ１００を制御する。

制御回路５の動作電圧（例えば、５［Ｖ］，３．３［Ｖ］，２．５［Ｖ］等）は、第２直流電源１２から供給される直流電力に基づき生成される。第２直流電源１２は、第１直流電源１１よりも電源電圧の低い直流電源である。第２直流電源１２の電源電圧は、例えば１２〜２４［Ｖ］とされる。第１直流電源１１と第２直流電源１２とは、互いに絶縁されており、互いにフローティングの関係にある。図示は省略するが、制御回路５に電力（動作電力）を供給する電源回路は、例えば、第２直流電源１２に接続される電源入力回路と、第２直流電源１２から電源入力回路に入力される電圧を調整する電圧調整回路と、を備える。電源入力回路は、例えば、ノイズフィルタ、平滑コンデンサ、及びレギュレータ回路を用いて構成され、電圧調整回路は、例えば、レギュレータ素子を用いて構成される。

制御回路５が生成したスイッチング制御信号ＳＷは、駆動回路２を介して、制御対象となるスイッチング素子３の制御端子（図１に示す例では、ＩＧＢＴのゲート端子）に入力される。すなわち、駆動回路２は、スイッチング制御信号ＳＷに基づきスイッチング素子３を駆動する。図１に示す例では、駆動回路２は、スイッチング素子３（ＩＧＢＴ）のゲート端子とエミッタ端子との２端子間の電位差を制御することで、スイッチング素子３を駆動する。図１に示すように、駆動回路２は、複数のスイッチング素子３のそれぞれに対応して設けられている。すなわち、複数の駆動回路２は、複数のスイッチング素子３のうちの対応するスイッチング素子３をそれぞれ駆動する。複数の駆動回路２には、第１スイッチング素子３１を駆動する第１駆動回路２１と、第２スイッチング素子３２を駆動する第２駆動回路２２とが含まれる。第１駆動回路２１は、第１スイッチング制御信号ＳＷ１に基づき第１スイッチング素子３１を駆動する。また、第２駆動回路２２は、第２スイッチング制御信号ＳＷ２に基づき第２スイッチング素子３２を駆動する。

駆動回路２は、制御回路５が生成したスイッチング制御信号ＳＷの駆動能力（例えば電圧振幅又は出力電流等、後段の回路を動作させる能力）を高めて、スイッチング素子３の制御端子に供給する。駆動回路２は、例えば、２つのトランジスタが直列接続されたプッシュプル回路を用いて構成される。ここで、制御基板１に形成される回路には、動作電圧が相対的に高い高圧系回路と、動作電圧が相対的に低い低圧系回路とが含まれる。高圧系回路と低圧系回路とは、互いに絶縁されている。スイッチング制御信号ＳＷを生成する制御回路５に接続される回路（後述する伝達回路２０等）は、低圧系回路である。一方、駆動回路２は、高圧系回路である。そのため、制御基板１は、フォトカプラ又は磁気カプラ等の絶縁素子７（信号伝達用の絶縁素子）を備えており、この絶縁素子７が、制御回路５が生成したスイッチング制御信号ＳＷを、駆動回路２に絶縁状態（電気的に絶縁された状態）で伝達する。具体的には、制御基板１は、制御回路５が生成した第１スイッチング制御信号ＳＷ１を第１駆動回路２１に絶縁状態で伝達するための絶縁素子７である第１絶縁素子７１と、制御回路５が生成した第２スイッチング制御信号ＳＷ２を第２駆動回路２２に絶縁状態で伝達するための絶縁素子７である第２絶縁素子７２と、を備えている。

駆動回路２のそれぞれには、電源回路４から電力（動作電力）が供給される。図２に電源回路４の一例を示すように、電源回路４は、トランス８を用いて駆動回路２に電力を供給する。具体的には、電源回路４は、第１トランス８１を用いて第１駆動回路２１に電力を供給すると共に、第２トランス８２を用いて第２駆動回路２２に電力を供給する。電源回路４は、第１駆動回路２１に供給する上段用駆動電圧ＶＨと、第２駆動回路２２に供給する下段用駆動電圧ＶＬとを出力する。上段用駆動電圧ＶＨ及び下段用駆動電圧ＶＬのそれぞれの電位差は、例えば１５〜２０［Ｖ］とされる。

本実施形態では、電源回路４は、Ｕ相上段用駆動電圧ＶＨＵ、Ｖ相上段用駆動電圧ＶＨＶ、及びＷ相上段用駆動電圧ＶＨＷの３つの上段用駆動電圧ＶＨを出力し、Ｕ相下段用駆動電圧ＶＬＵ、Ｖ相下段用駆動電圧ＶＬＶ、及びＷ相下段用駆動電圧ＶＬＷの３つの下段用駆動電圧ＶＬを出力する。Ｕ相上段用駆動電圧ＶＨＵは、Ｕ相アーム３３Ｕが備える第１スイッチング素子３１（Ｕ相の第１スイッチング素子３１）を駆動する第１駆動回路２１に供給され、Ｕ相下段用駆動電圧ＶＬＵは、Ｕ相アーム３３Ｕが備える第２スイッチング素子３２（Ｕ相の第２スイッチング素子３２）を駆動する第２駆動回路２２に供給される。Ｖ相上段用駆動電圧ＶＨＶは、Ｖ相アーム３３Ｖが備える第１スイッチング素子３１（Ｖ相の第１スイッチング素子３１）を駆動する第１駆動回路２１に供給され、Ｖ相下段用駆動電圧ＶＬＶは、Ｖ相アーム３３Ｖが備える第２スイッチング素子３２（Ｖ相の第２スイッチング素子３２）を駆動する第２駆動回路２２に供給される。Ｗ相上段用駆動電圧ＶＨＷは、Ｗ相アーム３３Ｗが備える第１スイッチング素子３１（Ｗ相の第１スイッチング素子３１）を駆動する第１駆動回路２１に供給され、Ｗ相下段用駆動電圧ＶＬＷは、Ｗ相アーム３３Ｗが備える第２スイッチング素子３２（Ｗ相の第２スイッチング素子３２）を駆動する第２駆動回路２２に供給される。

図２に示すように、トランス８の１次巻線Ｌ１（具体的には、第１トランス８１の１次巻線Ｌ１及び第２トランス８２の１次巻線Ｌ１）には、１次巻線Ｌ１への電力の供給を制御する駆動用スイッチング素子９が接続されている。駆動用スイッチング素子９は、電源制御回路９５によってスイッチング制御される。図２に示す例では、電源回路４は、プッシュプル方式のスイッチング電源回路であり、１次巻線Ｌ１には、第１駆動用スイッチング素子９１及び第２駆動用スイッチング素子９２の２つの駆動用スイッチング素子９が接続されている。第１駆動用スイッチング素子９１及び第２駆動用スイッチング素子９２は、電源制御回路９５によって相補的にスイッチング制御される。

図２には、６つのトランス８（３つの第１トランス８１及び３つの第２トランス８２）に対して共通の駆動用スイッチング素子９（ここでは、第１駆動用スイッチング素子９１及び第２駆動用スイッチング素子９２の組）が設けられる構成を例示しているが、トランス８が複数のグループ（例えば、２つのトランスからなるグループ）に分けられ、複数のグループに対して駆動用スイッチング素子９（例えば、第１駆動用スイッチング素子９１及び第２駆動用スイッチング素子９２の組）が各別に設けられる構成としてもよい。また、ここでは、一例として、電源回路４を、プッシュプル方式のスイッチング電源回路としているが、電源回路４は、ハーフブリッジ方式、フルブリッジ方式、シングルフォワード方式、フライバック方式等の、プッシュプル方式以外の方式のスイッチング電源回路であってもよい。

第１トランス８１の１次巻線Ｌ１及び第２トランス８２の１次巻線Ｌ１に入力される入力電圧Ｖ１（１次側電圧）は、第２直流電源１２の電源電圧から電源回路（電圧レギュレータ等）によって生成される。そのため、入力電圧Ｖ１は安定しており、この電源回路４では、フィードバック制御を行うことなく、第１トランス８１の変圧比によって第１トランス８１の２次巻線Ｌ２から出力される出力電圧（２次側電圧）が決定され、第２トランス８２の変圧比によって第２トランス８２の２次巻線Ｌ２から出力される出力電圧（２次側電圧）が決定される。第１トランス８１の２次側電圧（上段用駆動電圧ＶＨ）は、第１駆動回路２１に供給され、第２トランス８２の２次側電圧（下段用駆動電圧ＶＬ）は、第２駆動回路２２に供給される。図２に示す例では、２次巻線Ｌ２に生じる交流電圧が、整流用のダイオード９４と平滑用のコンデンサ９３とを備えた整流回路９６によって直流電圧に変換されることで、２次側電圧が生成される。

次に、制御基板１の構成について説明する。制御基板１は、複数の駆動回路２と、複数の駆動回路２のそれぞれに供給される信号及び電力を伝達する伝達回路２０と、を備えている。上述したように、複数の駆動回路２には、第１駆動回路２１及び第２駆動回路２２が含まれ、本実施形態では、複数の第１駆動回路２１及び複数の第２駆動回路２２（具体的には、３つの第１駆動回路２１及び３つの第２駆動回路２２）が含まれる。

図３に示すように、制御基板１は、板状の基板本体部４０を備えている。本実施形態では、基板本体部４０は、平面視（基板本体部４０の厚さ方向Ｚに沿う方向視）で４つの辺部４１を備える矩形状（正方形状や、角部が面取りされた矩形状を含む）に形成されている。具体的には、本実施形態では、基板本体部４０は、平面視で長方形状に形成されており、４つの辺部４１には、互いに平行な２つの長辺部４２と、互いに平行な２つの短辺部４３（長辺部４２よりも短い辺部４１）とが含まれる。ここで、２つの長辺部４２に沿う方向を長辺方向Ｘとし、２つの短辺部４３に沿う方向を短辺方向Ｙとする。長辺方向Ｘ及び短辺方向Ｙは、いずれも基板本体部４０の板面に沿う方向（すなわち、厚さ方向Ｚに直交する方向）である。また、長辺方向Ｘ及び短辺方向Ｙは、互いに直交する方向である。そして、短辺方向Ｙの一方側を第１側Ｙ１とし、短辺方向Ｙの他方側（すなわち、短辺方向Ｙにおける第１側Ｙ１とは反対側）を第２側Ｙ２とする。また、長辺方向Ｘの一方側を第３側Ｘ１とし、長辺方向Ｘの他方側（すなわち、長辺方向Ｘにおける第３側Ｘ１とは反対側）を第４側Ｘ２とする。

制御基板１は、基板本体部４０に形成された領域であって、複数の第１回路領域Ａ１と、第２回路領域Ａ２と、絶縁領域Ｂと、を備えている。すなわち、基板本体部４０に形成される領域には、複数の第１回路領域Ａ１と、第２回路領域Ａ２と、絶縁領域Ｂとが含まれる。図３に簡略化して示すように、複数の第１回路領域Ａ１には駆動回路２（第１駆動回路２１又は第２駆動回路２２）がそれぞれ設けられている。すなわち、第１回路領域Ａ１は、高圧系回路（具体的には、駆動回路２）が配置される高圧領域である。なお、駆動回路２は、２つのトランジスタが直列接続されたプッシュプル回路等の主回路と、主回路と後述する接続部２４との間で信号を伝達する信号伝達回路とを備える。例えば、絶縁素子７として、駆動回路２の主回路と絶縁素子７とが１つのパッケージに内蔵された素子を用いる場合には、駆動回路２の信号伝達回路が第１回路領域Ａ１に設けられる。図示は省略するが、第１回路領域Ａ１には、更に、トランス８の２次巻線Ｌ２から出力される２次側電圧を駆動回路２に供給するための回路が設けられている。また、図３に簡略化して示すように、第２回路領域Ａ２には伝達回路２０が設けられている。すなわち、第２回路領域Ａ２は、低圧系回路（具体的には、伝達回路２０）が配置される低圧領域である。また、絶縁領域Ｂは、複数の第１回路領域Ａ１のそれぞれと第２回路領域Ａ２との間を電気的に絶縁するように設けられている。

本実施形態では、制御回路５は、制御基板１とは異なる基板（図示せず）に設けられており、制御基板１と、制御回路５が設けられた基板とは、信号線（ハーネス）を介して接続される。図３に示すように、制御基板１には、当該信号線が接続されるコネクタ２３が設けられている。制御回路５が生成したスイッチング制御信号ＳＷは、コネクタ２３を介して制御基板１（具体的には、第２回路領域Ａ２）に入力され、伝達回路２０は、制御基板１に入力されたスイッチング制御信号ＳＷを絶縁素子７に伝達する。すなわち、伝達回路２０は、複数の駆動回路２のそれぞれに供給される信号（具体的には、スイッチング制御信号ＳＷ）を、コネクタ２３から絶縁素子７に伝達する。本実施形態では、伝達回路２０は、更に、スイッチング素子３に設けられた検出回路（電流検出回路や温度検出回路等）の検出結果を表す信号を、絶縁素子７からコネクタ２３に伝達する。なお、制御回路５が第２回路領域Ａ２に設けられ、伝達回路２０が、制御回路５と絶縁素子７との間で信号を伝達する構成とすることもできる。

また、本実施形態では、駆動用スイッチング素子９、電源制御回路９５、及び、トランス８の１次側電圧を生成する上述した電源回路は、制御基板１とは異なる基板（例えば、制御回路５が設けられた基板）に設けられている。トランス８の１次側電圧は、コネクタ２３を介して制御基板１（具体的には、第２回路領域Ａ２）に入力され、伝達回路２０は、制御基板１に入力された当該１次側電圧をトランス８に伝達する（図２参照）。すなわち、伝達回路２０は、複数の駆動回路２のそれぞれに供給される電力を、コネクタ２３からトランス８に伝達する。なお、駆動用スイッチング素子９、電源制御回路９５、及び、トランス８の１次側電圧を生成する電源回路の少なくともいずれかが、第２回路領域Ａ２に設けられる構成とすることもできる。

第１回路領域Ａ１のそれぞれには、スイッチング素子３の接続端子１０にそれぞれ接続される複数の接続部２４が設けられている。図３及び図４に示すように、本実施形態では、接続部２４は、基板本体部４０を貫通する孔部とされ、接続端子１０が当該孔部を貫通するように配置された状態で、接続部２４と接続端子１０とが電気的に接続される。スイッチング素子３のそれぞれは、複数の接続端子１０を備えている。１つのスイッチング素子３が備える複数の接続端子１０には、当該スイッチング素子３の制御端子に接続される接続端子１０に加えて、例えば、当該スイッチング素子３の他の端子（制御端子以外の端子）に接続される接続端子１０や、当該スイッチング素子に設けられた検出回路の検出結果を取り出すための接続端子１０が含まれる。

図３に示すように、本実施形態では、基板本体部４０には６つの第１回路領域Ａ１が配置されている。ここで、６つの第１回路領域Ａ１のうちの３つを第１対象領域Ａ１１とし、残りの３つを第２対象領域Ａ１２とする。第１対象領域Ａ１１は、第１駆動回路２１が設けられる第１回路領域Ａ１であり、第２対象領域Ａ１２は、第２駆動回路２２が設けられる第１回路領域Ａ１である。すなわち、第１対象領域Ａ１１には、第１スイッチング素子３１の接続端子１０にそれぞれ接続される複数の接続部２４が設けられ、第２対象領域Ａ１２には、第２スイッチング素子３２の接続端子１０にそれぞれ接続される複数の接続部２４が設けられる。

そして、本実施形態では、３つの第１対象領域Ａ１１が、長辺方向Ｘに並んで配置されていると共に、３つの第２対象領域Ａ１２に対して第１側Ｙ１に配置されている。また、３つの第２対象領域Ａ１２が、長辺方向Ｘに並んで配置されていると共に、３つの第１対象領域Ａ１１に対して第２側Ｙ２に配置されている。図３に示す例では、３つの第１対象領域Ａ１１は、長辺方向Ｘに等間隔で並んで配置され、３つの第２対象領域Ａ１２は、長辺方向Ｘに等間隔で並んで配置されている。また、図３に示す例では、第１対象領域Ａ１１の長辺方向Ｘに沿った配置間隔は、第２対象領域Ａ１２の長辺方向Ｘに沿った配置間隔と等しくされている。また、図３に示す例では、３つの第１対象領域Ａ１１は、全体として、基板本体部４０における長辺方向Ｘの中心に対して第４側Ｘ２にずらして配置され、３つの第２対象領域Ａ１２は、全体として、基板本体部４０における長辺方向Ｘの中心に対して第３側Ｘ１にずらして配置されている。よって、第４側Ｘ２から第３側Ｘ１に向かって、第１対象領域Ａ１１における長辺方向Ｘの中心位置から順に、第１対象領域Ａ１１における長辺方向Ｘの中心位置と、第２対象領域Ａ１２における長辺方向Ｘの中心位置とが、１つずつ交互に配置されている。

図３に示すように、本実施形態では、３つの第１対象領域Ａ１１は、基板本体部４０における短辺方向Ｙの中心に対して第１側Ｙ１に配置され、３つの第２対象領域Ａ１２は、基板本体部４０における短辺方向Ｙの中心に対して第２側Ｙ２に配置されている。すなわち、第１対象領域Ａ１１は、第２側Ｙ２の長辺部４２からの離間距離よりも第１側Ｙ１の長辺部４２からの離間距離が短くなるように配置され、第２対象領域Ａ１２は、第１側Ｙ１の長辺部４２からの離間距離よりも第２側Ｙ２の長辺部４２からの離間距離が短くなるように配置されている。そして、第２回路領域Ａ２は、複数の第１回路領域Ａ１の全てに対して絶縁領域Ｂを挟んで隣接するように、基板本体部４０の中央部Ｍを含む領域に形成されている。ここで、基板本体部４０の中央部Ｍは、基板本体部４０における各方向（具体的には、長辺方向Ｘ及び短辺方向Ｙの各方向）での中心を含む部分である。

具体的には、第２回路領域Ａ２は、図４に示すように、第１部分Ａ２１、第２部分Ａ２２、第３部分Ａ２３、第４部分Ａ２４、第５部分Ａ２５、第６部分Ａ２６、及び第７部分Ａ２７を備えている。第１部分Ａ２１は、３つの第１対象領域Ａ１１と３つの第２対象領域Ａ１２との間を、長辺方向Ｘに沿って延びるように形成されている。すなわち、第１部分Ａ２１は、基板本体部４０の中央部Ｍを含む領域に形成されている。また、第２部分Ａ２２、第３部分Ａ２３、及び第４部分Ａ２４は、第１部分Ａ２１から第１側Ｙ１に向かって延びるように形成され、第５部分Ａ２５、第６部分Ａ２６、及び第７部分Ａ２７は、第１部分Ａ２１から第２側Ｙ２に向かって延びるように形成されている。

第２部分Ａ２２は、最も第３側Ｘ１に配置された第１対象領域Ａ１１に対して絶縁領域Ｂを挟んで第３側Ｘ１に隣接するように配置されている。第３部分Ａ２３は、最も第３側Ｘ１に配置された第１対象領域Ａ１１と当該第１対象領域Ａ１１に対して第４側Ｘ２に隣接する第１対象領域Ａ１１との間に、これら２つの第１対象領域Ａ１１の双方に対して絶縁領域Ｂを挟んで隣接するように配置されている。第４部分Ａ２４は、最も第４側Ｘ２に配置された第１対象領域Ａ１１と当該第１対象領域Ａ１１に対して第３側Ｘ１に隣接する第１対象領域Ａ１１との間に、これら２つの第１対象領域Ａ１１の双方に対して絶縁領域Ｂを挟んで隣接するように配置されている。

また、第５部分Ａ２５は、最も第３側Ｘ１に配置された第２対象領域Ａ１２と当該第２対象領域Ａ１２に対して第４側Ｘ２に隣接する第２対象領域Ａ１２との間に、これら２つの第２対象領域Ａ１２の双方に対して絶縁領域Ｂを挟んで隣接するように配置されている。第６部分Ａ２６は、最も第４側Ｘ２に配置された第２対象領域Ａ１２と当該第２対象領域Ａ１２に対して第３側Ｘ１に隣接する第２対象領域Ａ１２との間に、これら２つの第２対象領域Ａ１２の双方に対して絶縁領域Ｂを挟んで隣接するように配置されている。第７部分Ａ２７は、最も第４側Ｘ２に配置された第２対象領域Ａ１２に対して絶縁領域Ｂを挟んで第４側Ｘ２に隣接するように配置されている。

図３に示すように、本実施形態では、基板本体部４０の外縁部Ｅに、支持部材１０１（図４参照）に支持される被支持部５０が設けられている。すなわち、被支持部５０は、基板本体部４０における中央部Ｍを避けた位置に設けられている。ここで、基板本体部４０の外縁部Ｅは、基板本体部４０の外縁４０ａを含む部分である。基板本体部４０の外縁部Ｅには、基板本体部４０の第１側Ｙ１の外縁部Ｅである第１外縁部Ｅ１と、基板本体部４０の第２側Ｙ２の外縁部Ｅである第２外縁部Ｅ２とが含まれる。基板本体部４０（具体的には、被支持部５０）は、支持部材１０１に直接的に支持され、或いは、支持部材１０１に間接的に（すなわち、他の部材を介して）支持される。

本実施形態では、インバータ１００が、締結部材２６（図４に示す例では、ボルト）によって支持部材１０１（具体的には、支持部材１０１に設けられた支持部１０２）に固定される。そして、基板本体部４０は、締結部材２５（図４に示す例では、ボルト）によってインバータ１００に固定され、被支持部５０は、支持部材１０１に間接的に（具体的には、インバータ１００を介して）支持される。図４に示す例では、支持部材１０１は、制御基板１及びインバータ１００を収容するケースとされている。また、図４に示す例では、インバータ１００は、複数のスイッチング素子３が一体化（例えば、樹脂モールドにより一体化）された本体部と、本体部から突出する接続端子１０と、を備えている。なお、基板本体部４０（具体的には、被支持部５０）が、支持部材１０１にブラケットを介して支持される構成や、基板本体部４０（具体的には、被支持部５０）が、支持部材１０１に直接的に支持される構成等としてもよい。

本実施形態では、被支持部５０は、締結部材２５が挿通される挿通孔を備えており、締結部材２５は、当該挿通孔に挿通された状態で、インバータ１００に設けられた締結孔に締結される。具体的には、図３及び図４に示すように、被支持部５０は、第１外縁部Ｅ１において長辺方向Ｘに並んで配置された複数の第１被支持部５１（本例では、４つの第１被支持部５１）と、第２外縁部Ｅ２において長辺方向Ｘに並んで配置された複数の第２被支持部５２（本例では、４つの第２被支持部５２）と、を備えている。複数の第１被支持部５１のそれぞれ、及び、複数の第２被支持部５２のそれぞれは、締結部材２５が挿通される挿通孔である。本例では、複数の第１被支持部５１は、長辺方向Ｘに沿って等間隔で配置され、複数の第２被支持部５２は、長辺方向Ｘに沿って等間隔で配置されている。また、１つの第１被支持部５１と１つの第２被支持部５２とが、長辺方向Ｘの同じ位置に配置されている。ここでは、複数の第１被支持部５１のそれぞれが、いずれかの第２被支持部５２と長辺方向Ｘの同じ位置に配置されている。

図３に示すように、絶縁領域Ｂを跨ぐように配置されて第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２とを接続する接続部材６が、複数の第１回路領域Ａ１のそれぞれに対して設けられている。本実施形態では、基板本体部４０には６つの第１回路領域Ａ１が配置されており、６つの第１回路領域Ａ１のそれぞれに対して接続部材６が設けられている。また、本実施形態では、接続部材６のそれぞれは、絶縁領域Ｂを長辺方向Ｘに跨ぐように配置されている。接続部材６は、第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間を電気的に絶縁しつつ第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間で信号を伝達する絶縁素子７と、第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間を電気的に絶縁しつつ第１回路領域Ａ１と第２回路領域Ａ２との間で電力を伝達するトランス８と、を備えている。具体的には、第１対象領域Ａ１１に対して設けられた接続部材６を第１接続部材６１とし、第２対象領域Ａ１２に対して設けられた接続部材６を第２接続部材６２として、第１接続部材６１は、第１絶縁素子７１と第１トランス８１とを備え、第２接続部材６２は、第２絶縁素子７２と第２トランス８２とを備えている。本実施形態では、トランス８は、絶縁素子７よりも重い部品とされている。また、本実施形態では、トランス８は、絶縁素子７よりも大型の部品とされている。

図３に示す例では、１つの接続部材６が、２つの絶縁素子７と１つのトランス８とを備えている。すなわち、１つの第１接続部材６１が、２つの第１絶縁素子７１と１つの第１トランス８１とを備え、１つの第２接続部材６２が、２つの第２絶縁素子７２と１つの第２トランス８２とを備えている。そして、１つのトランス８は、２つの絶縁素子７の総重量よりも重い部品とされている。例えば、１つの接続部材６が備える２つの絶縁素子７の一方は、第２回路領域Ａ２から第１回路領域Ａ１に信号（具体的には、スイッチング制御信号ＳＷ）を伝達する絶縁素子７とされ、他方は、第１回路領域Ａ１から第２回路領域Ａ２に信号（具体的には、スイッチング素子３に設けられた検出回路の検出結果を表す信号）を伝達する絶縁素子７とされる。なお、１つの接続部材６が、１つの絶縁素子７と１つのトランス８とを備える構成としてもよい。

図３に示すように、複数の接続部材６の全てにおいて、トランス８（本例では、トランス８の全体）が、絶縁素子７（本例では、２つの絶縁素子７、以下同様）よりも基板本体部４０の外縁４０ａ側に配置されている。本実施形態では、複数の接続部材６の全てにおいて、トランス８と絶縁素子７とが、いずれかの辺部４１に沿う方向に並んで配置されている。

具体的には、３つの第１対象領域Ａ１１のそれぞれに対して設けられた接続部材６（第１接続部材６１）においては、トランス８が絶縁素子７よりも第１側Ｙ１に位置するように、トランス８と絶縁素子７とが短辺方向Ｙに並んで配置されている。すなわち、第１接続部材６１が備える絶縁素子７を第１絶縁素子７１とし、第１接続部材６１が備えるトランス８を第１トランス８１として、複数の第１接続部材６１の全てにおいて、第１トランス８１が第１絶縁素子７１よりも第１側Ｙ１に位置するように、第１トランス８１と第１絶縁素子７１とが短辺方向Ｙに並んで配置されている。図３に示すように（図４も参照）、３つの第１接続部材６１には、第２部分Ａ２２と第１対象領域Ａ１１（具体的には、第２部分Ａ２２に対して絶縁領域Ｂを挟んで第４側Ｘ２に隣接する第１対象領域Ａ１１）とを接続する第１接続部材６１と、第３部分Ａ２３と第１対象領域Ａ１１（具体的には、第３部分Ａ２３に対して絶縁領域Ｂを挟んで第４側Ｘ２に隣接する第１対象領域Ａ１１）とを接続する第１接続部材６１と、第４部分Ａ２４と第１対象領域Ａ１１（具体的には、第４部分Ａ２４に対して絶縁領域Ｂを挟んで第４側Ｘ２に隣接する第１対象領域Ａ１１）とを接続する第１接続部材６１と、が含まれる。

また、３つの第２対象領域Ａ１２のそれぞれに対して設けられた接続部材６（第２接続部材６２）においては、トランス８が絶縁素子７よりも第２側Ｙ２に位置するように、トランス８と絶縁素子７とが短辺方向Ｙに並んで配置されている。すなわち、第２接続部材６２が備える絶縁素子７を第２絶縁素子７２とし、第２接続部材６２が備えるトランス８を第２トランス８２として、複数の第２接続部材６２の全てにおいて、第２トランス８２が第２絶縁素子７２よりも第２側Ｙ２に位置するように、第２トランス８２と第２絶縁素子７２とが短辺方向Ｙに並んで配置されている。図３に示すように（図４も参照）、３つの第２接続部材６２には、第５部分Ａ２５と第２対象領域Ａ１２（具体的には、第５部分Ａ２５に対して絶縁領域Ｂを挟んで第３側Ｘ１に隣接する第２対象領域Ａ１２）とを接続する第２接続部材６２と、第６部分Ａ２６と第２対象領域Ａ１２（具体的には、第６部分Ａ２６に対して絶縁領域Ｂを挟んで第３側Ｘ１に隣接する第２対象領域Ａ１２）とを接続する第２接続部材６２と、第７部分Ａ２７と第２対象領域Ａ１２（具体的には、第７部分Ａ２７に対して絶縁領域Ｂを挟んで第３側Ｘ１に隣接する第２対象領域Ａ１２）とを接続する第２接続部材６２と、が含まれる。

図３に示すように、本実施形態では、３つの第１トランス８１が、長辺方向Ｘにおいて、４つの第１被支持部５１によって区画された３つの領域（第１領域５１ａ）に分かれて配置され、３つの第２トランス８２が、長辺方向Ｘにおいて、４つの第２被支持部５２によって区画された３つの領域（第２領域５２ａ）に分かれて配置されている。図３に示す例では、第１トランス８１のそれぞれは、第１領域５１ａにおける長辺方向Ｘの中央部（ここでは、長辺方向Ｘの中心位置）に配置され、第２トランス８２のそれぞれは、第２領域５２ａにおける長辺方向Ｘの中央部（ここでは、長辺方向Ｘの中心位置）に配置されている。

図３に示すように、本実施形態では、第１対象領域Ａ１１のそれぞれは、第１接続部材６１を介して第２回路領域Ａ２と接続される部分から第４側Ｘ２に延びるように形成されている。そして、第１対象領域Ａ１１における第４側Ｘ２の端部に、複数の接続部２４が設けられている。また、本実施形態では、第２対象領域Ａ１２のそれぞれは、第２接続部材６２を介して第２回路領域Ａ２と接続される部分から第３側Ｘ１に延びるように形成されている。そして、第２対象領域Ａ１２における第３側Ｘ１の端部に、複数の接続部２４が設けられている。すなわち、本実施形態では、第１対象領域Ａ１１と第２対象領域Ａ１２とは、接続部材６を介して第２回路領域Ａ２と接続される部分から長辺方向Ｘの互いに反対側に延びるように形成されている。

そして、本実施形態では、１つの第１対象領域Ａ１１に対して設けられた接続部材６（第１接続部材６１）と、１つの第２対象領域Ａ１２（例えば、当該第１対象領域Ａ１１に接続される第１スイッチング素子３１と同じ相の第２スイッチング素子３２に接続される第２対象領域Ａ１２）に対して設けられた接続部材６（第２接続部材６２）とが、長辺方向Ｘの同じ位置に配置されている。すなわち、１つの第１対象領域Ａ１１に対して設けられた第１接続部材６１が、１つの第２対象領域Ａ１２に対して設けられた第２接続部材６２に対して第１側Ｙ１において、当該第２接続部材６２と長辺方向Ｘの同じ位置に配置されている。図３に示す例では、複数の第１接続部材６１のそれぞれが、いずれかの第２接続部材６２と長辺方向Ｘの同じ位置に配置されている。

また、本実施形態では、第１回路領域Ａ１のそれぞれに、複数の接続部２４が短辺方向Ｙに沿って一列に並ぶように設けられている。そして、上述したように、複数の接続部材６の全てにおいて、トランス８と絶縁素子７とが短辺方向Ｙに並んで配置されている。すなわち、本実施形態では、第１回路領域Ａ１のそれぞれに、複数の接続部２４が、規定の配列方向Ｄに沿って一列に並ぶように設けられ、複数の接続部材６の全てにおいて、トランス８と絶縁素子７とが配列方向Ｄに並んで配置されている。これにより、駆動回路２を介して絶縁素子７と接続部２４とを接続するように第１回路領域Ａ１に設けられる信号伝達経路を、直線状に近い経路とすることが容易となっている。具体的には、第１駆動回路２１を介して第１絶縁素子７１と接続部２４とを接続するように第１対象領域Ａ１１に設けられる信号伝達経路や、第２駆動回路２２を介して第２絶縁素子７２と接続部２４とを接続するように第２対象領域Ａ１２に設けられる信号伝達経路を、直線状に近い経路とすることが容易となっている。

〔その他の実施形態〕
次に、制御基板のその他の実施形態について説明する。

（１）上記の実施形態では、第１対象領域Ａ１１と第２対象領域Ａ１２とが、接続部材６を介して第２回路領域Ａ２と接続される部分から長辺方向Ｘの互いに反対側に延びるように形成される構成を例として説明した。しかし、本開示はそのような構成に限定されず、第１対象領域Ａ１１と第２対象領域Ａ１２とが、接続部材６を介して第２回路領域Ａ２と接続される部分から長辺方向Ｘの互いに同じ側に延びるように形成される構成とすることもできる。

（２）上記の実施形態では、１つの第１対象領域Ａ１１に対して設けられた接続部材６と、１つの第２対象領域Ａ１２に対して設けられた接続部材６とが、長辺方向Ｘの同じ位置に配置される構成を例として説明した。しかし、本開示はそのような構成に限定されず、１つの第１対象領域Ａ１１に対して設けられた接続部材６が、いずれの第２対象領域Ａ１２に対して設けられた接続部材６に対しても、長辺方向Ｘの異なる位置に配置される構成とすることもできる。

（３）上記の実施形態では、第１回路領域Ａ１のそれぞれに、複数の接続部２４が、規定の配列方向Ｄに沿って一列に並ぶように設けられ、複数の接続部材６の全てにおいて、トランス８と絶縁素子７とが配列方向Ｄに並んで配置される構成を例として説明した。しかし、本開示はそのような構成に限定されず、複数の接続部材６の少なくとも一部において、トランス８と絶縁素子７とが配列方向Ｄに交差する方向に並んで配置される構成とすることもできる。

（４）上記の実施形態では、基板本体部４０に６つの第１回路領域Ａ１が配置される構成を例として説明した。しかし、本開示はそのような構成に限定されず、基板本体部４０に配置される第１回路領域Ａ１の数は適宜変更することができる。例えば、基板本体部４０に、２つの第１対象領域Ａ１１及び２つの第２対象領域Ａ１２を含む４つの第１回路領域Ａ１が配置される構成とすることができる。

（５）上記の実施形態では、複数の接続部材６の全てにおいて、トランス８と絶縁素子７とが、いずれかの辺部４１に沿う方向に並んで配置される構成を例として説明した。しかし、本開示はそのような構成に限定されず、少なくともいずれかの接続部材６において、トランス８と絶縁素子７とが、いずれの辺部４１にも沿わない方向に並んで配置される構成とすることもできる。

（６）なお、上述した各実施形態で開示された構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示された構成と組み合わせて適用すること（その他の実施形態として説明した実施形態同士の組み合わせを含む）も可能である。その他の構成に関しても、本明細書において開示された実施形態は全ての点で単なる例示に過ぎない。従って、本開示の趣旨を逸脱しない範囲内で、適宜、種々の改変を行うことが可能である。

〔上記実施形態の概要〕
以下、上記において説明した制御基板の概要について説明する。

複数のスイッチング素子（３）を備えたインバータ（１００）を制御する制御基板（１）であって、複数の前記スイッチング素子（３）のうちの対応する前記スイッチング素子（３）をそれぞれ駆動する複数の駆動回路（２）と、複数の前記駆動回路（２）のそれぞれに供給される信号及び電力を伝達する伝達回路（２０）と、板状の基板本体部（４０）に形成された領域であって、前記駆動回路（２）がそれぞれ設けられた複数の第１回路領域（Ａ１）と、前記伝達回路（２０）が設けられた第２回路領域（Ａ２）と、複数の前記第１回路領域（Ａ１）のそれぞれと前記第２回路領域（Ａ２）との間を電気的に絶縁する絶縁領域（Ｂ）と、を備え、前記絶縁領域（Ｂ）を跨ぐように配置されて前記第１回路領域（Ａ１）と前記第２回路領域（Ａ２）とを接続する接続部材（６）が、複数の前記第１回路領域（Ａ１）のそれぞれに対して設けられ、前記接続部材（６）は、前記第１回路領域（Ａ１）と前記第２回路領域（Ａ２）との間を電気的に絶縁しつつ前記第１回路領域（Ａ１）と前記第２回路領域（Ａ２）との間で前記信号を伝達する絶縁素子（７）と、前記第１回路領域（Ａ１）と前記第２回路領域（Ａ２）との間を電気的に絶縁しつつ前記第１回路領域（Ａ１）と前記第２回路領域（Ａ２）との間で前記電力を伝達するトランス（８）と、を備え、複数の前記接続部材（６）の全てにおいて、前記トランス（８）が、前記絶縁素子（７）よりも前記基板本体部（４０）の外縁（４０ａ）側に配置されている。

基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）に、支持部材（１０１）に支持される被支持部（５０）が設けられない場合、基板本体部（４０）の撓みによる変位は中央部（Ｍ）において大きくなりやすい。本構成では、複数の接続部材（６）の全てにおいて、トランス（８）が絶縁素子（７）よりも基板本体部（４０）の外縁（４０ａ）側に配置されるため、絶縁素子（７）に比べて一般に重い部品とされるトランス（８）の全てを、基板本体部（４０）における撓みによる変位が大きくなりやすい中央部（Ｍ）から離して配置することが可能となっている。この結果、振動が生じる環境下で制御基板（１）が用いられる場合であっても、変位の大きな撓みを伴う振動（例えば、共振）が基板本体部（４０）に発生し難いようにして、制御基板（１）の耐振動性の向上を図ることができる。なお、本構成では、支持部材（１０１）に支持される被支持部（５０）を基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）に設ける必要はないため、基板本体部（４０）の大型化やコストの増加を抑制しつつ、制御基板（１）の耐振動性の向上を図ることが可能となっている。

ここで、前記基板本体部（４０）の外縁部（Ｅ）に、支持部材（１０１）に支持される被支持部（５０）が設けられていると好適である。

上記のように、本開示の制御基板（１）では、トランス（８）が絶縁素子（７）よりも基板本体部（４０）の外縁（４０ａ）側に配置されるため、トランス（８）は、基板本体部（４０）における外縁部（Ｅ）或いはそれに近い部分に配置される。本構成では、基板本体部（４０）の外縁部（Ｅ）に被支持部（５０）が設けられるため、基板本体部（４０）の撓みによる変位は、外縁部（Ｅ）やそれに近い部分において小さくなる。従って、本構成では、トランス（８）を、基板本体部（４０）における撓みによる変位が小さく抑えられた部分に配置することができ、制御基板（１）の耐振動性の向上を図りやすくなっている。

また、前記基板本体部（４０）は、平面視で４つの辺部（４１）を備える矩形状に形成され、複数の前記接続部材（６）の全てにおいて、前記トランス（８）と前記絶縁素子（７）とが、いずれかの前記辺部（４１）に沿う方向に並んで配置されていると好適である。

トランス（８）と絶縁素子（７）との並び方向に沿う辺部（４１）に交差する辺部（４１）を対象辺部として、本構成によれば、接続部材（６）のそれぞれにおいて、トランス（８）を、絶縁素子（７）よりも対象辺部が構成する外縁（４０ａ）側に配置することができる。よって、複数の接続部材（６）の全てにおいて、トランス（８）を、絶縁素子（７）よりも基板本体部（４０）の外縁（４０ａ）側に配置しやすくなる。

上記のように、前記トランス（８）と前記絶縁素子（７）とが、いずれかの前記辺部（４１）に沿う方向に並んで配置されている構成において、４つの前記辺部（４１）には、互いに平行な２つの長辺部（４２）と、互いに平行な２つの短辺部（４３）とが含まれ、２つの前記長辺部（４２）に沿う方向を長辺方向（Ｘ）とし、２つの前記短辺部（４３）に沿う方向を短辺方向（Ｙ）として、前記基板本体部（４０）には６つの前記第１回路領域（Ａ１）が配置され、６つの前記第１回路領域（Ａ１）のうちの３つを第１対象領域（Ａ１１）とし、残りの３つを第２対象領域（Ａ１２）として、３つの前記第１対象領域（Ａ１１）が、前記長辺方向（Ｘ）に並んで配置されていると共に、３つの前記第２対象領域（Ａ１２）に対して前記短辺方向（Ｙ）の一方側である第１側（Ｙ１）に配置され、３つの前記第２対象領域（Ａ１２）が、前記長辺方向（Ｘ）に並んで配置されていると共に、３つの前記第１対象領域（Ａ１１）に対して前記短辺方向（Ｙ）の他方側である第２側（Ｙ２）に配置され、３つの前記第１対象領域（Ａ１１）のそれぞれに対して設けられた前記接続部材（６）においては、前記トランス（８）が前記絶縁素子（７）よりも前記第１側（Ｙ１）に位置するように、前記トランス（８）と前記絶縁素子（７）とが前記短辺方向（Ｙ）に並んで配置され、３つの前記第２対象領域（Ａ１２）のそれぞれに対して設けられた前記接続部材（６）においては、前記トランス（８）が前記絶縁素子（７）よりも前記第２側（Ｙ２）に位置するように、前記トランス（８）と前記絶縁素子（７）とが前記短辺方向（Ｙ）に並んで配置されていると好適である。

３つの第１対象領域（Ａ１１）及び３つの第２対象領域（Ａ１２）を含む６つの第１回路領域（Ａ１）が上記のように配置される場合、通常、第１対象領域（Ａ１１）は、第２側（Ｙ２）の長辺部（４２）からの離間距離よりも第１側（Ｙ１）の長辺部（４２）からの離間距離が短くなるように配置され、第２対象領域（Ａ１２）は、第１側（Ｙ１）の長辺部（４２）からの離間距離よりも第２側（Ｙ２）の長辺部（４２）からの離間距離が短くなるように配置される。本構成では、３つの第１対象領域（Ａ１１）のそれぞれに対して設けられた接続部材（６）においては、トランス（８）が絶縁素子（７）よりも第１側（Ｙ１）に位置するように、トランス（８）と絶縁素子（７）とが短辺方向（Ｙ）に並んで配置されるため、３つの第１対象領域（Ａ１１）に対して設けられた接続部材（６）の全てにおいて、トランス（８）を、絶縁素子（７）よりも基板本体部（４０）の外縁（４０ａ）側に（具体的には、第１側（Ｙ１）の長辺部（４２）が構成する外縁（４０ａ）側に）配置することができる。また、本構成では、３つの第２対象領域（Ａ１２）のそれぞれに対して設けられた接続部材（６）においては、トランス（８）が絶縁素子（７）よりも第２側（Ｙ２）に位置するように、トランス（８）と絶縁素子（７）とが短辺方向（Ｙ）に並んで配置されるため、３つの第２対象領域（Ａ１２）に対して設けられた接続部材（６）の全てにおいて、トランス（８）を、絶縁素子（７）よりも基板本体部（４０）の外縁（４０ａ）側に（具体的には、第２側（Ｙ２）の長辺部（４２）が構成する外縁（４０ａ）側に）配置することができる。

上記のように、３つの前記第１対象領域（Ａ１１）のそれぞれに対して設けられた前記接続部材（６）においては、前記トランス（８）が前記絶縁素子（７）よりも前記第１側（Ｙ１）に位置するように、前記トランス（８）と前記絶縁素子（７）とが前記短辺方向（Ｙ）に並んで配置され、３つの前記第２対象領域（Ａ１２）のそれぞれに対して設けられた前記接続部材（６）においては、前記トランス（８）が前記絶縁素子（７）よりも前記第２側（Ｙ２）に位置するように、前記トランス（８）と前記絶縁素子（７）とが前記短辺方向（Ｙ）に並んで配置されている構成において、前記基板本体部（４０）の外縁部（Ｅ）に、支持部材（１０１）に支持される被支持部（５０）が設けられ、前記被支持部（５０）は、前記基板本体部（４０）の前記第１側（Ｙ１）の外縁部（Ｅ）において前記長辺方向（Ｘ）に並んで配置された４つの第１被支持部（５１）と、前記基板本体部（４０）の前記第２側（Ｙ２）の外縁部（Ｅ）において前記長辺方向（Ｘ）に並んで配置された４つの第２被支持部（５２）と、を備え、前記第１対象領域（Ａ１１）に対して設けられた前記接続部材（６）が備える前記トランス（８）を第１トランス（８１）とし、前記第２対象領域（Ａ１２）に対して設けられた前記接続部材（６）が備える前記トランス（８）を第２トランス（８２）として、３つの前記第１トランス（８１）が、前記長辺方向（Ｘ）において、４つの前記第１被支持部（５１）によって区画された３つの領域（５１ａ）に分かれて配置され、３つの前記第２トランス（８２）が、前記長辺方向（Ｘ）において、４つの前記第２被支持部（５２）によって区画された３つの領域（５２ａ）に分かれて配置されていると好適である。

本構成では、３つの第１トランス（８１）が、長辺方向（Ｘ）において、４つの第１被支持部（５１）によって区画された３つの領域（５１ａ）に分かれて配置されるため、３つの第１トランス（８１）の重量を、４つの第１被支持部（５１）に適切に分散させて支持部材（１０１）に支持させることができる。また、本構成では、３つの第２トランス（８２）が、長辺方向（Ｘ）において、４つの第２被支持部（５２）によって区画された３つの領域（５２ａ）に分かれて配置されるため、３つの第２トランス（８２）の重量を、４つの第２被支持部（５２）に適切に分散させて支持部材（１０１）に支持させることができる。よって、本構成によれば、振動が生じる環境下で制御基板（１）が用いられる場合であっても、制御基板（１）の耐振動性を適切に確保しやすくなる。

また、１つの前記第１対象領域（Ａ１１）に対して設けられた前記接続部材（６）と、１つの前記第２対象領域（Ａ１２）に対して設けられた前記接続部材（６）とが、前記長辺方向（Ｘ）の同じ位置に配置されていると好適である。

本構成によれば、基板本体部（４０）における３つの第１対象領域（Ａ１１）が配置された部分と、基板本体部（４０）における３つの第２対象領域（Ａ１２）が配置された部分との間で、振動に対する耐性が同程度となるように、第１対象領域（Ａ１１）及び第２対象領域（Ａ１２）のそれぞれに対して接続部材（６）を配置しやすくなる。

上記の各構成の制御基板（１）において、前記第１回路領域（Ａ１）のそれぞれに、前記スイッチング素子（３）の接続端子（１０）にそれぞれ接続される複数の接続部（２４）が、規定の配列方向（Ｄ）に沿って一列に並ぶように設けられ、複数の前記接続部材（６）の全てにおいて、前記トランス（８）と前記絶縁素子（７）とが前記配列方向（Ｄ）に並んで配置されていると好適である。

本構成によれば、トランス（８）と絶縁素子（７）とが、配列方向（Ｄ）に交差する方向（例えば、配列方向（Ｄ）に直交する方向）に並べて配置される場合に比べて、駆動回路（２）を介して絶縁素子（７）と接続部（２４）とを接続するように第１回路領域（Ａ１）に設けられる信号伝達経路を、直線状に近い経路とすることが容易となる。よって、当該信号伝達経路の長さを短く抑えてインダクタンスの低減を図りやすい。

また、前記第２回路領域（Ａ２）は、複数の前記第１回路領域（Ａ１）の全てに対して前記絶縁領域（Ｂ）を挟んで隣接するように、前記基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）を含む領域に形成されていると好適である。

本構成によれば、複数の第１回路領域（Ａ１）が基板本体部（４０）における中央部（Ｍ）の周囲に分散配置される場合に、基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）を利用して、複数の第１回路領域（Ａ１）の全てに対して絶縁領域（Ｂ）を挟んで隣接するように第２回路領域（Ａ２）を形成することができる。上述したように、本開示の制御基板（１）では、支持部材（１０１）に支持される被支持部（５０）を基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）に設ける必要はないため、基板本体部（４０）の大型化を抑制しつつ、基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）を含む領域に第２回路領域（Ａ２）を形成することが可能となっている。

上記のように前記第２回路領域（Ａ２）が前記基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）を含む領域に形成されている構成において、前記基板本体部（４０）における前記中央部（Ｍ）を避けた位置に、支持部材（１０１）に支持される被支持部（５０）が設けられていると好適である。

本構成によれば、支持部材（１０１）に支持される被支持部（５０）が基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）に設けられる場合に比べて基板本体部（４０）の小型化を図りつつ、基板本体部（４０）の中央部（Ｍ）を含む領域に第２回路領域（Ａ２）を形成することができる。

本開示に係る制御基板は、上述した各効果のうち、少なくとも１つを奏することができればよい。

１：制御基板
２：駆動回路
３：スイッチング素子
６：接続部材
７：絶縁素子
８：トランス
１０：接続端子
２０：伝達回路
２４：接続部
４０：基板本体部
４０ａ：外縁
４１：辺部
４２：長辺部
４３：短辺部
５０：被支持部
５１：第１被支持部
５１ａ：第１領域（第１被支持部によって区画された領域）
５２：第２被支持部
５２ａ：第２領域（第２被支持部によって区画された領域）
８１：第１トランス
８２：第２トランス
１００：インバータ
１０１：支持部材
Ａ１：第１回路領域
Ａ２：第２回路領域
Ａ１１：第１対象領域
Ａ１２：第２対象領域
Ｂ：絶縁領域
Ｄ：配列方向
Ｅ：外縁部
Ｍ：中央部
Ｘ：長辺方向
Ｙ：短辺方向
Ｙ１：第１側
Ｙ２：第２側

Claims (9)

1. 複数のスイッチング素子を備えたインバータを制御する制御基板であって、
   複数の前記スイッチング素子のうちの対応する前記スイッチング素子をそれぞれ駆動する複数の駆動回路と、
   複数の前記駆動回路のそれぞれに供給される信号及び電力を伝達する伝達回路と、
   板状の基板本体部に形成された領域であって、前記駆動回路がそれぞれ設けられた複数の第１回路領域と、前記伝達回路が設けられた第２回路領域と、複数の前記第１回路領域のそれぞれと前記第２回路領域との間を電気的に絶縁する絶縁領域と、を備え、
   前記絶縁領域を跨ぐように配置されて前記第１回路領域と前記第２回路領域とを接続する接続部材が、複数の前記第１回路領域のそれぞれに対して設けられ、
   前記接続部材は、前記第１回路領域と前記第２回路領域との間を電気的に絶縁しつつ前記第１回路領域と前記第２回路領域との間で前記信号を伝達する絶縁素子と、前記第１回路領域と前記第２回路領域との間を電気的に絶縁しつつ前記第１回路領域と前記第２回路領域との間で前記電力を伝達するトランスと、を備え、
   複数の前記接続部材の全てにおいて、前記トランスが、前記絶縁素子よりも前記基板本体部の外縁側に配置されている、制御基板。
2. 前記基板本体部の外縁部に、支持部材に支持される被支持部が設けられている、請求項１に記載の制御基板。
3. 前記基板本体部は、平面視で４つの辺部を備える矩形状に形成され、
   複数の前記接続部材の全てにおいて、前記トランスと前記絶縁素子とが、いずれかの前記辺部に沿う方向に並んで配置されている、請求項１又は２に記載の制御基板。
4. ４つの前記辺部には、互いに平行な２つの長辺部と、互いに平行な２つの短辺部とが含まれ、
   ２つの前記長辺部に沿う方向を長辺方向とし、２つの前記短辺部に沿う方向を短辺方向として、
   前記基板本体部には６つの前記第１回路領域が配置され、
   ６つの前記第１回路領域のうちの３つを第１対象領域とし、残りの３つを第２対象領域として、
   ３つの前記第１対象領域が、前記長辺方向に並んで配置されていると共に、３つの前記第２対象領域に対して前記短辺方向の一方側である第１側に配置され、
   ３つの前記第２対象領域が、前記長辺方向に並んで配置されていると共に、３つの前記第１対象領域に対して前記短辺方向の他方側である第２側に配置され、
   ３つの前記第１対象領域のそれぞれに対して設けられた前記接続部材においては、前記トランスが前記絶縁素子よりも前記第１側に位置するように、前記トランスと前記絶縁素子とが前記短辺方向に並んで配置され、
   ３つの前記第２対象領域のそれぞれに対して設けられた前記接続部材においては、前記トランスが前記絶縁素子よりも前記第２側に位置するように、前記トランスと前記絶縁素子とが前記短辺方向に並んで配置されている、請求項３に記載の制御基板。
5. 前記基板本体部の外縁部に、支持部材に支持される被支持部が設けられ、
   前記被支持部は、前記基板本体部の前記第１側の外縁部において前記長辺方向に並んで配置された４つの第１被支持部と、前記基板本体部の前記第２側の外縁部において前記長辺方向に並んで配置された４つの第２被支持部と、を備え、
   前記第１対象領域に対して設けられた前記接続部材が備える前記トランスを第１トランスとし、前記第２対象領域に対して設けられた前記接続部材が備える前記トランスを第２トランスとして、
   ３つの前記第１トランスが、前記長辺方向において、４つの前記第１被支持部によって区画された３つの領域に分かれて配置され、
   ３つの前記第２トランスが、前記長辺方向において、４つの前記第２被支持部によって区画された３つの領域に分かれて配置されている、請求項４に記載の制御基板。
6. １つの前記第１対象領域に対して設けられた前記接続部材と、１つの前記第２対象領域に対して設けられた前記接続部材とが、前記長辺方向の同じ位置に配置されている、請求項４又は５に記載の制御基板。
7. 前記第１回路領域のそれぞれに、前記スイッチング素子の接続端子にそれぞれ接続される複数の接続部が、規定の配列方向に沿って一列に並ぶように設けられ、
   複数の前記接続部材の全てにおいて、前記トランスと前記絶縁素子とが前記配列方向に並んで配置されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の制御基板。
8. 前記第２回路領域は、複数の前記第１回路領域の全てに対して前記絶縁領域を挟んで隣接するように、前記基板本体部の中央部を含む領域に形成されている、請求項１から７のいずれか一項に記載の制御基板。
9. 前記基板本体部における前記中央部を避けた位置に、支持部材に支持される被支持部が設けられている、請求項８に記載の制御基板。

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