JP2021036294A - 液晶デバイスの表示色初期化方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】強誘電性液晶を用いた液晶デバイスの表示色を一様に揃える初期化を素早く行う表示色初期化方法を提供する。【解決手段】液晶デバイスは、マトリクス状に配置される複数の画素電極7と画素電極7をそれぞれ駆動するスイッチング素子とが形成される下部電極基板5と、下部電極基板5に対向する透明電極が透光性基板に形成された上部電極基板と、下部電極基板5と上部電極基板との間に封入された強誘電性液晶と、を備える。この液晶デバイスの表示色初期化方法は、すべての画素電極7のうちの一部の予め定められた代表の画素電極17を選択する画素選択ステップと、スイッチング素子の耐電圧値より大きな第1電圧値を上部電極基板に印加しながら、選択された画素電極17に接地電圧を印加することで、選択された画素電極17および当該画素電極17に隣接する画素電極7による表示色を揃える電圧印加ステップと、を行う。【選択図】図7

Description

本発明は、液晶デバイスの表示色初期化方法に係り、特に、強誘電性液晶を用いた液晶デバイスの表示色初期化方法に関する。
従来、液晶表示装置は、テレビやパーソナルコンピュータをはじめとする、様々なディスプレイ装置として実用化されてきた。近年では、4K(画素数3840×2160)や8K(画素数7680×4320)の高精細液晶ディスプレイの開発も行われている。また、VR(virtual reality)やAR(Augmented Reality)など新たな映像サービスの高画質化や、インテグラル方式やホログラフィー方式などの立体映像表示の実用化のためには、液晶表示装置のさらなる高精細化が求められる。なお、液晶パネルに用いられる液晶材料としては例えばネマティック液晶や強誘電性液晶等があり、高速応答が可能な強誘電性液晶(FLC:Ferroelectric Liquid Crystal)を用いた液晶表示装置も知られている(特許文献1〜3参照)。
また、液晶表示装置は、空間光変調器(SLM:Spatial Light Modulator)として利用することもできる。SLMは、光変調素子を2次元のマトリクス上に配列させ、光の位相や振幅などを空間的に変調するものである。従来、SLMには、液晶デバイスやデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)などが用いられてきた。液晶デバイスとしては、シリコンバックプレーンを用いた反射型LCOS(Liquid Crystal on Silicon)が知られている。シリコンバックプレーンは、シリコン(Si)基板上に形成されたそれぞれの画素(画素電極)に、画素選択用のトランジスタ駆動回路を内蔵している。反射型LCOSは、DMDに比べて高精細化に適しているものの、その画素ピッチは3.5μm程度にとどまっているのが現状である。
立体映像方式の1つであるホログラフィー方式は、被写体からの光の波面を記録・再生する方式であり、理想的な空間像を再現することができる利点があるものの、ホログラムパターンを表示するディスプレイであるSLMには多数の画素数を必要としている。そのため、液晶表示装置をホログラフィー方式のSLMに利用する場合(非特許文献1参照)、立体像を視認できる角度、視野角を広くするためには、SLMの画素ピッチを可視光の波長(360〜830nm)程度まで小さくする必要がある。例えば、視野角を30°程度にする場合に、画素ピッチは1μm程度にしなければならない。
特開2008−070485号公報 特開2008−233775号公報 特開2012−208197号公報
液晶表示装置をホログラフィー方式のSLMに利用するために、前記したLCOSに比べて画素ピッチを狭ピッチにした液晶デバイスを想定した場合、画素が小さくなるほど、ディスプレイの画素数は増え、10Kディスプレイでもディスプレイサイズは1〜2cm程度となることが試算される。この膨大な画素を一度に制御することができれば、高速書き込みが可能となり、画素の多いディスプレイでもフレームレートを気にすることなく動画を表示することができる。
動画表示は、高精細なSLMに表示するホログラムパターンを次々に書き換えることで行うことができる。その際、SLMに用いる液晶が、例えばネマティック液晶の場合、先に書き込んだものが書き込み中に消失していく不都合があるが、高速応答が可能な強誘電性液晶ならば、そのような不都合はない。ただし、SLMの表示を次々に書き換えるとは、SLMに表示された1枚目のパターンの書き込み、この1枚目のパターンの消去(初期化)、2枚目のパターンの書き込み、2枚目のパターンの消去、といった連続的な処理を行うことを意味する。SLMに一旦表示したパターンの消去(初期化)とは、SLMの画素の表示色を一様に例えば黒色に揃えることである。この初期化は、マトリクス状に配置された各画素電極の1つ1つに選択的に電圧を印加してすべての画素電極上の強誘電性液晶の液晶分子を同じ向きに回転させることで実現できる。ただし、この方法では初期化に時間がかかるという問題があった。
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、強誘電性液晶を用いた液晶デバイスの表示色を一様に揃える初期化を素早く行う表示色初期化方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するために、本願発明者らは、バックプレーンと透明な上部電極基板との間に強誘電性液晶を封入した液晶デバイスの表示色初期化方法において種々検討を行った。その結果、バックプレーンの対象の画素を接地しながら上部電極基板全体に高電圧を印加したときに、対象の画素だけでなく複数画素を含む広い領域を一度に初期化できることを見出した。
そこで、本発明に係る液晶デバイスの表示色初期化方法は、マトリクス状に配置される複数の画素電極と前記画素電極をそれぞれ駆動するスイッチング素子とが形成される下部電極基板と、前記下部電極基板に対向する透明電極が透光性基板に形成された上部電極基板と、前記下部電極基板と前記上部電極基板との間に封入された強誘電性液晶とを備える液晶デバイスの表示色を一様に揃える初期化を行う液晶デバイスの表示色初期化方法であって、前記マトリクス状に配置されるすべての画素電極のうちの一部の予め定められた代表の画素電極を選択する画素選択ステップと、前記スイッチング素子の耐電圧値より大きな第1電圧値を前記上部電極基板に印加しながら選択された画素電極に接地電圧を印加することで、前記選択された画素電極および当該画素電極に隣接する画素電極による表示色を白黒2値のうちの予め定められた一方の色に揃える電圧印加ステップと、を行うこととした。
本発明は、以下に示す優れた効果を奏するものである。
液晶デバイスの表示色初期化方法によれば、今後ホログラフィー用液晶ディスプレイなど10000×10000を超える多数の画素を持つディスプレイの表示色を初期化する際、動作させる画素電極を少なくしても、隣接画素電極を含めた広い領域上に配置された広域の強誘電性液晶を一方向に揃え、液晶ディスプレイの表示色を初期化することが可能となる。
本実施形態に係る液晶デバイスの表示色の初期化方法を模式的に示す概念図である。 図1の液晶デバイスを模式的に示す上面図である。 図2の液晶デバイスにおける下部電極基板を模式的に示す上面図である。 図3の下部電極基板に形成されている画素群領域の模式図である。 図2のV−V線断面における液晶デバイスを示す模式図である。 シミュレーションの結果を示す説明図であって、(a)は5μm画素ピッチの場合、(b)は1μm画素ピッチの場合をそれぞれ示している。 液晶デバイスの表示色が初期化された領域の一例を模式的に示す上面図である。 液晶デバイスの表示色が初期化された領域の一例を模式的に示す断面図である。 アクティブマトリクス駆動方式の液晶デバイスの一例を模式的に示す回路構成図である。 液晶デバイスの表示色が初期化された領域の他の例を模式的に示す断面図である。 アクティブマトリクス駆動方式の液晶デバイスの他の例を模式的に示す回路構成図である。
[液晶デバイスの構成]
まず、液晶デバイスの構成について図1〜図5を参照して説明する。なお、各図面に示される部材のサイズや位置関係は、説明を明確にするため誇張していることがある。
図1に示す液晶デバイス12は、例えば駆動装置14からの制御信号にしたがって動作するように構成されている。また、液晶デバイス12には、駆動装置14から電源を供給する電源ケーブル1が接続されている。
図2に示すように、液晶デバイス12は、主として、上部電極基板3と、強誘電性液晶4と、下部電極基板5と、を備えている。
上部電極基板3は、下部電極基板5に対向する透明電極が透光性基板に形成されてなる。透明電極は上部電極として機能する。透明電極材料としては、酸化インジウム・酸化亜鉛(IZO)、インジウムスズ酸化物(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)等が挙げられ、また、これらの膜を2種類以上積層してもよい。
透光性基板の材料としては、例えばSiO2(酸化ケイ素、ガラス)、MgO(酸化マグネシウム)、サファイア、GGG(ガドリニウムガリウムガーネット)等が挙げられる。上部電極基板3には、例えば駆動装置14から電源ケーブル1を介して電圧が面全体に印加される。
強誘電性液晶4は、下部電極基板5と上部電極基板3との間に封入されている。強誘電性液晶4は、ある閾値以上の電圧が印加された場合に高速応答するという特徴がある。強誘電性液晶4は、下部電極基板5と上部電極基板3との間に設置されたスペーサー10によって密封されている。
下部電極基板5は、マトリクス状に配置される複数の画素電極7と、画素電極7をそれぞれ駆動するスイッチング素子11と、が形成されている。
下部電極基板5は、例えばシリコンウェハを基台としてその上に、スイッチング素子11、画素電極7、配線、およびそれらを絶縁する図示しない絶縁層を備えている。
各画素電極7は、下部電極として機能する。画素電極7および配線の材料としては、例えば、Al、Cu、Au、Wなどの金属を用いることができる。図示しない絶縁層としては例えばSiOやAl23等の酸化膜や、Si34やMgF2等を用いることができる。
上面視において、下部電極基板5の水平方向の両端部には、それぞれ複数のボンディングパッド2が形成されている。ボンディングパッド2は、電極パッドであって、駆動装置14のプローブ13が接合される。ボンディングパッド2の材料としては、例えば、Al、Cu、Au、Wなどの金属を用いることができる。
また、図3に示すように、下部電極基板5の中央の広い領域には画素群領域6が形成されている。ここで、画素群領域6とは、複数の画素電極7が配置された領域であって、スイッチング素子11、配線、およびそれらを絶縁する図示しない絶縁層と共に配置された領域全体を意味する。
スイッチング素子11は、画素選択用のスイッチング素子であり、例えば電界効果型トランジスタである。以下では、スイッチング素子11のことをトランジスタ11と表記する。
液晶デバイス12は、アクティブマトリクス(AM:Active-Matrix)駆動方式で動作する。駆動装置14は、液晶デバイス12の特定の画素を選択するためにトランジスタ11を駆動させる機能を有している。駆動装置14は、液晶デバイス12に表示する画像に対して、動作させたい画素電極7を駆動させるような制御信号を生成し、プローブ13を通じてボンディングパッド2に出力する。
以下では、液晶デバイス12の下部電極基板5は、一例として、1画素1μm×2μmピッチで10000×10000画素数を有するAM駆動バックプレーンで構成されるものとして説明する。なお、説明の都合上、各図面に一部の画素のみ図示している。
図4は、AM駆動バックプレーンの回路構成の模式図であって、図3に上面視で示す画素群領域6に相当する模式図である。この図4では、AM駆動バックプレーンの回路構成を分かり易く示すために、トランジスタ11を画素電極7の横に配置したが、実際にはトランジスタ11は画素電極7の下に配置される(図5参照)。
図4に示すように、AM駆動バックプレーンは、マトリクス状に配置された画素電極7およびトランジスタ11に加えて、列選択駆動部8と、行選択駆動部9と、複数のゲート接続電極15cと、複数のソース接続電極15dと、を備えている。
列選択駆動部8は、垂直方向(列方向)に伸びた形状のゲートドライバ回路であって、水平方向(行方向)に伸びたゲート接続電極15cに対してゲート駆動信号を出力することで、トランジスタ11をオン状態にする。
行選択駆動部9は、水平方向(行方向)に伸びた形状のソースドライバ回路であって、垂直方向(列方向)に伸びたソース接続電極15dに電源を供給する。
列選択駆動部8がゲート接続電極15cのいずれかにゲート駆動信号を出力し、かつ、行選択駆動部9がソース接続電極15dのいずれかに電源を供給することで、当該ゲート接続電極15cとソース接続電極15dとの交点に配置されるトランジスタ11がオン状態になる。このとき、オン状態のトランジスタ11のドレインに接続された画素電極7のみ、ソース接続電極15dからの電源が供給される。一方、トランジスタ11がオフ状態のとき、オフ状態のトランジスタ11のドレインに接続された画素電極7と、ソース接続電極15dとの間は、電気的に切断され、当該画素電極7は浮遊電位となる。
このようにAM駆動バックプレーンは、動作させたい特定の画素に設けられたトランジスタ11をオンにすることで、選択した画素電極7へソース接続電極15dから電圧を印加し、それ以外の画素電極7を浮遊電位状態にする機能を持つ。例えば、特定の場所の100画素を2.0Vで駆動させる場合、選択した画素電極7の電位は2.0Vとなり、他の画素電極7の電位は浮遊電位となる。この画素選択は、同時に1画素〜1000画素まで選択可能である。
ただし、トランジスタ11には耐電圧があり、それ以上の電圧を印加するとトランジスタ11が損傷するおそれがある。そのため、必然的に、AM駆動バックプレーンへ印加できる電圧は、トランジスタ11の耐電圧以下に制限される。
以下では、トランジスタ11の耐電圧が例えば2.5Vであるものとして説明する。
この場合、AM駆動バックプレーンへ印加できる最大印加電圧は2.5Vとなる。
[液晶デバイスの動作]
液晶デバイス12は、駆動装置14から制御信号を受信すると、列選択駆動部8と行選択駆動部9のスイッチを入れ、トランジスタ11をオンにする。これにより、オン状態のトランジスタ11のドレインに接続された画素電極7のみに電圧が印加されるようになる。また、液晶の表示には白と黒の2値が存在する。白または黒の表示は、液晶に印加する電位差の符号を反転させることで制御ができる。液晶デバイス12において、強誘電性液晶4は、図5に示すように、上部電極基板3と画素電極7とに挟まれている。上部電極基板3に印加する電圧と画素電極7に印加する電圧をそれぞれ調整することで、強誘電性液晶4は、白を表示する状態と、黒を表示する状態とのいずれかの状態を取るようになる。
詳細には、液晶デバイス12において選択した画素(選択画素)を白表示するためには、上部電極基板3に印加する電圧を例えば0Vにすると共に、選択画素に対応した画素電極7に印加する電圧を例えば2.3Vにする。これによって、選択画素において、例えば上部電極基板3を基準にして画素電極7との間に+2.3Vの電位差を受けた強誘電性液晶4の液晶分子は、白表示となる位置まで回転する。ただし、電源を切ると、強誘電性液晶4の液晶分子は、元の位置に戻る。
一方、選択画素を黒表示するためには、上部電極基板3に印加する電圧を例えば2.3Vにすると共に、選択画素に対応した画素電極7に印加する電圧を例えば0Vにする。これによって、選択画素において、例えば上部電極基板3を基準にして画素電極7との間に−2.3Vの電位差を受けた強誘電性液晶4の液晶分子は、黒表示となる位置まで回転する。ただし、電源を切ると、強誘電性液晶4の液晶分子は、元の位置に戻る。
液晶デバイス12は、駆動装置14から制御信号を受けて、所定の画像を表示する。
液晶デバイス12は、表示するホログラムパターンを次々に書き換えることで動画表示も行うことができる。液晶デバイス12は、最初の1枚目の画像を表示する前や、1枚目以降の画像を表示した後に、液晶デバイス12の表示色を一様に揃える初期化を行う。以下では、表示色を白黒2値のうちの黒色に揃えることとして説明する。
[実験]
本願発明者らは、以下の実験を行うことで、液晶デバイス12の表示色を黒色に揃える初期化を素早く行う表示色初期化方法に想到した。
デバイスを使用した実験を行う前に、予備的に2つのシミュレーションを行って、画素ピッチを従来よりも小さくすることによる電位分布の影響を確認した。
<第1シミュレーション>
図6(a)は、下部電極として配置される複数の画素電極と上部電極を含む一断面において、複数の画素電極が10μmの長さに亘って並ぶ微小領域のシミュレーション結果を示している。この微小領域には、下部電極として配置される複数の画素電極54,55,56から、0.7μm離間させて上部電極70が配置されている。そして、上部電極70の全体に0Vの電圧を印加しつつ、AM駆動バックプレーンへ印加できる最大印加電圧以下の所定電圧を1つの選択画素(例えば画素電極55)にだけ印加し、各画素電極と上部電極との間の電位分布を計算した。ここでは、電位分布を等電位線および濃淡で示している。このときの計算条件は、画素ピッチP1が5μmであり、画素電極55に印加する電圧が2.3Vであり、画素電極54,56は浮遊電位であるものとした。
<第2シミュレーション>
図6(b)は、図6(a)と同様に複数の画素電極が10μmの長さに亘って並ぶ微小領域のシミュレーション結果を示している。第2シミュレーションは、計算条件が第1シミュレーションと異なっている。このときの計算条件は、画素ピッチP2が1μmであり、画素電極55に印加する電圧が2.3Vであり、画素電極51〜54,56〜60は浮遊電位であるものとした。
<シミュレーション結果>
第1シミュレーションの結果、2.3Vの電圧が印加された画素電極55の両隣にある画素電極54,56の電位は、ほぼ0Vであった。つまり、画素電極54,56には、隣の画素電極55による電界の影響がほとんど見られなかった。
第2シミュレーションの結果、2.3Vの電圧が印加された画素電極55の両隣にある画素電極54,56の電位は、ほぼ1.5Vであった。つまり、画素電極54,56には、隣の画素電極55からの漏れ電界の影響が見られた。
2つのシミュレーションの結果は対照的であり、従来の画素ピッチに相当する5μm画素ピッチの場合、選択画素に隣接する画素に漏れる電界の影響は無視できることを確認した。一方、従来よりも小さくホログラフィー方式に好適な1μm画素ピッチの場合、選択画素に隣接する画素に漏れる電界の影響が従来よりも顕著になり、選択画素だけでなく隣接画素においても液晶分子の反転動作が起こる可能性が高いことが強く示唆されることを確認した。
各シミュレーションでは、0Vの電圧を上部電極70に印加した。これに対し、本実施形態およびデバイスを用いた実験では、0Vの電圧を画素電極(下部電極)に印加する。
以下、実験について説明する。
(実験条件)
実験で用いた液晶デバイス12において、下部電極基板5は、1画素1μm×2μmピッチで10000×10000画素数を有し、トランジスタ11の耐電圧は2.5Vであった。また、強誘電性液晶4の厚み(スペーサー10の高さ)は1μmであった。
(実験方法)
例えば選択画素を黒表示するためには、上部電極基板3に印加する電圧を2.3Vにすると共に、選択画素に対応した画素電極7に印加する電圧を0Vにすればよい。このときに、実験では、選択画素に対応した画素電極7に印加する電圧を0Vに保ったまま、上部電極基板3に印加する電圧を、トランジスタ11の耐電圧よりも大きな高電圧(3V以上)とした。
(実験結果)
実験において、選択画素に対応した画素電極7に印加する電圧を0Vとして、上部電極基板3に3V以上の高電圧を印加すると、選択画素を中心に周囲の画素を含む広い領域で、強誘電性液晶4の液晶分子は、黒表示となる位置まで回転した。つまり、選択画素を中心に周囲の画素を含む広い領域が黒表示の状態となる現象が起きた。
選択画素以外の画素においては画素電極7が浮遊電位となっているにもかかわらず、このような現象が起きるのは、選択画素に隣接する画素に漏れる電界の影響が顕著になるためであると考えられる。すなわち、選択画素において、画素電極7上の液晶分子が反転すると、選択画素からの電界の影響が及ぶ周辺画素においても、選択画素につられて液晶分子が反転し、広い領域で黒表示の状態になると考えられる。なお、黒表示の状態となる広い領域の大きさは、選択画素に対応した画素電極7に印加する電圧と、上部電極基板3に印加する電圧と、の差に応じて変化したり、強誘電性液晶4の厚みに応じて変化したりすると考えられる。
このように選択画素を中心に周囲の画素を含む広い領域が黒表示になった後、電圧を切ると、選択画素を中心に周囲の画素を含む領域において、強誘電性液晶4の液晶分子は、元の位置に戻らずに、黒表示の状態を保持した。このように、上部電極基板3に高電圧を印加すると選択画素を中心とした領域が黒く反転し、その状態を保持する現象を、デバイスの表示初期化と呼ぶ。また、上部電極基板3に印加する電圧値を第1電圧値という。
この後、選択画素を白表示にする目的で、上部電極基板3に印加する電圧を0Vにすると共に、選択画素に対応した画素電極7に印加する電圧を2.3Vにした。これにより、選択画素において、+2.3Vの電位差を受けた強誘電性液晶4の液晶分子は、白表示となる位置まで回転した。さらに、電源を切っても、選択画素は、白を表示する状態を保持した。なお、選択画素を除く広い領域が黒表示の状態を保持していた。
[液晶デバイスの表示色初期化方法]
そこで、本実施形態に係る液晶デバイスの表示色初期化方法は、液晶デバイス12の表示色を一様に揃える初期化を行うために、画素選択ステップと、電圧印加ステップと、を行うこととした。
画素選択ステップは、マトリクス状に配置されるすべての画素電極7のうちの一部の予め定められた代表の画素電極7を選択する工程である。液晶デバイス12は、例えば駆動装置14から制御信号を受けて画素選択ステップを実行する。
電圧印加ステップは、所定の第1電圧値を上部電極基板3に印加しながら、選択された画素電極7に接地電圧を印加する工程である。ここで、第1電圧値は、トランジスタ11の耐電圧値より大きな値である。第1電圧値は、選択された画素電極7および当該画素電極7に隣接する画素電極7による表示色を黒色に揃えることができるように、予め実験を行って決定するようにしてもよい。第1電圧値は、例えばトランジスタ11の耐電圧や強誘電性液晶4の厚み(スペーサー10の高さ)に応じて適宜設定してもよい。例えばトランジスタ11の耐電圧が2.5Vで、強誘電性液晶4の厚みが1μmであれば、第1電圧値はトランジスタ11の耐電圧値の2倍以上、すなわち5V以上でも構わない。
なお、液晶デバイス12の上部電極基板3には、駆動装置14から電源を供給する電源ケーブルが接続されており、駆動装置14は、電圧印加ステップを実行する。
[初期化が行われる領域の具体例]
初期化が行われる領域の一例を図7に示す。図7では、選択された画素電極7のことを画素電極17と表記する。中央の画素電極17に高電圧を印加することで、選択画素に隣接する周囲の画素を含む初期化領域16において、強誘電性液晶4の液晶分子は、黒表示となる位置まで回転した。
前記実験条件では、直径100μmの円形領域において、強誘電性液晶4の液晶分子は、黒表示となる位置まで回転した。1画素1μm×2μmピッチであったことから、概ね100×50個の画素において同時に黒表示の状態とすることができた。
したがって、10000×10000画素数の画素群領域6において、比較的広い範囲を初期化したい場合、画素1つ1つに初期化用の動作を行う必要はない。この場合、選択画素17を数十μmおきに選択する画素選択ステップと電圧印加ステップとを実行することで、選択画素17ごとに、直径100μmの円形領域の初期化を行うことができる。
図8は、図7の初期化領域16の模式的な断面図であり、図7のVIII−VIII線に対応する断面図である。図8に示すように、下部電極基板5は、接地電圧(0V)を印加する配線と画素電極7とを接続すること、および、接地電圧(0V)を印加する配線と画素電極7との接続を解除することを、画素電極7ごとに切り替えられるように設けられている。なお、図8では、トランジスタ11のオン状態とオフ状態とが直感的に分かるように、トランジスタ11をスイッチで表した。
ここでは、電圧印加ステップにおいて、上部電極基板3に第1電圧値V1の電圧を印加しながら、選択された代表の画素電極17を駆動するトランジスタ11aを、接地電圧(0V)を印加する配線と画素電極7とを接続するように切り替え、かつ、代表以外の画素電極7を駆動する他のトランジスタ11を、接地電圧(0V)を印加する配線と画素電極7との接続を解除するように切り替えている。第1電圧値V1は、例えば3.0V以上とする。
図示するように、選択画素において、画素電極17をトランジスタ11aおよびソース接続電極15dを介して接地させている。また、選択画素以外において、画素電極7の電位を浮遊電位としている。このとき、選択画素において、画素電極17上の液晶分子は、例えば3.0Vの電位差を受け、初期化される。そして、選択画素の周辺に配置された周辺画素において、画素電極7上の液晶分子も、つられて初期化され、広域で初期化が起こる。
図8に示す下部電極基板5の各トランジスタ11の接続例を図9に示す。図9は、図8に示す下部電極基板5の画素電極17の近傍を上面視した模式図である。ここでは、トランジスタ11は、一例としてNチャネル型のトランジスタであるものとしている。列選択駆動部8は、駆動装置14(図1参照)からの制御信号に応じて、ゲート電圧Vgを印加するためのゲート入力端子G1〜G3が、ゲート接続電極15cを介して各行のトランジスタ11のゲートに接続可能に構成されている。行選択駆動部9は、駆動装置14(図1参照)からの制御信号に応じて、ソース入力端子S1〜S3が、ソース接続電極15dを介して各列のトランジスタ11のソースに接続可能に構成されている。
図9に示すように、トランジスタ11のドレインは、画素電極7に接続されている。説明上、オン状態のトランジスタ11aのドレインが、ハッチングで示す画素電極17に接続されており、また、オフ状態のトランジスタ11bのドレインが、画素電極18に接続されていることとした。図示するように、列選択駆動部8は、ゲート入力端子G1〜G3のいずれか(例えばG2)がゲート接続電極15cと接続(ON)するようにスイッチを切り替え、また、行選択駆動部9は、ソース入力端子S1〜S3のいずれか(例えばS2)がソース接続電極15dと接続(ON)するようにスイッチを切り替える。このとき、ON状態のゲート接続電極15cとON状態のソース接続電極15dとの交点の画素30に配置された画素電極17にのみ接地電圧を印加することができる。したがって、下部電極基板5の各トランジスタ11を上記のように接続することで、図7および図8に示すような、初期化領域16を実現できる。
初期化が行われる領域は、より狭い領域であってもよい。そのような初期化が行われる他の例を図10に示す。図10は、図8に対応した模式的な断面図である。図10に示すように、下部電極基板5は、第2電圧値V2を印加する配線と画素電極7とを接続すること、および、接地電圧(0V)を印加する配線と画素電極7とを接続することを、画素電極7ごとに切り替えられるように設けられている。ここで、第2電圧値V2は、トランジスタの耐電圧値より小さくかつ第1電圧値V1との差がトランジスタの耐電圧値より小さな電圧値のことである。図10に示すスイッチング素子21は、第2電圧値V2を印加する配線である第2ソース接続電極15f、および、接地電圧(0V)を印加する配線であるソース接続電極15dのいずれか一方に対して、画素電極7を接続できるスイッチである。
ここでは、電圧印加ステップにおいて、上部電極基板3に第1電圧値V1の電圧を印加しながら、選択された代表の画素電極17を駆動するスイッチング素子21を、接地電圧(0V)を印加する配線であるソース接続電極15dと画素電極17とを接続するように切り替えることで、画素電極17を接地させる。また、他のスイッチング素子21を、第2電圧値V2を印加する配線である第2ソース接続電極15fと画素電極7とを接続するように切り替えている。第1電圧値V1は、例えば3.0V以上とする。第1電圧値V1が3Vで、トランジスタの耐電圧が2.5Vならば、第2電圧値V2は、1.0V〜2.0V程度とする。このとき、選択画素において、画素電極17上の液晶分子は、例えば3.0Vの電位差を受け、黒表示となる位置まで回転する。一方、選択画素の周辺に配置された周辺画素において、画素電極7上の液晶分子が受ける電位差(V1−V2)は、1.0〜2.0V程度である。この電圧値は、強誘電性液晶4の液晶分子が、黒表示となる位置まで回転するときに必要な閾値電圧(例えば2.3V)より小さいので、周辺の画素においては、画素電極7上の液晶分子は、反転しない。したがって、選択された画素電極17を含む初期化領域16が狭くなる。この方法は、数画素など狭域の初期化に好適である。
図10に示す下部電極基板5の各スイッチング素子21の接続例を図11に示す。図11は、図10に示す下部電極基板5の画素電極17の近傍を上面視した模式図である。ここでは、図10に示すスイッチング素子21が、一例としてNチャネル型のトランジスタ21a,21bで構成されるものとしている。
列選択駆動部8は、駆動装置14(図1参照)からの制御信号に応じて、ゲート電圧Vgを印加するためのゲート入力端子G1〜G3が、ゲート接続電極15cを介して各行のトランジスタ11のゲートに接続可能に構成されている。また、列選択駆動部8は、駆動装置14(図1参照)からの制御信号に応じて、ゲート電圧Vgを印加するための第2ゲート入力端子G1b〜G3bが、第2ゲート接続電極15eを介して各行のトランジスタ21bのゲートに接続可能に構成されている。
行選択駆動部9は、駆動装置14(図1参照)からの制御信号に応じて、ソース入力端子S1〜S3が、ソース接続電極15dを介して各列のトランジスタ11のソースに接続可能に構成されている。また、行選択駆動部9は、駆動装置14(図1参照)からの制御信号に応じて、第2電圧値V2の電圧を印加するための第2ソース入力端子S1b〜S3bが、第2ソース接続電極15fを介して各列のトランジスタ21bのソースに接続可能に構成されている。
図11に示すように、画素40において、トランジスタ21a,21bのドレインは、画素電極7に接続されている。なお、選択された画素電極17をハッチングで示す。図示するように、列選択駆動部8は、ゲート入力端子G1〜G3がゲート接続電極15cと接続(ON)するようにスイッチを切り替え、また、第2ゲート入力端子G1b〜G3bが第2ゲート接続電極15eと接続(ON)するようにスイッチを切り替える。
また、行選択駆動部9は、ソース入力端子S1〜S3のいずれか(例えばS2)がソース接続電極15dと接続(ON)するようにスイッチを切り替え、第2ソース入力端子S1b〜S3bのいずれか(例えばS2b)が第2ソース接続電極15fと切断(OFF)するようにスイッチを切り替える。
このとき、ON状態のソース接続電極15dに接続された画素電極17に接地電圧を印加し、かつ、ON状態の第2ソース接続電極15fに接続された画素電極7に第2電圧値(V2)の電圧を印加することができる。したがって、下部電極基板5の各トランジスタ21a,21bを上記のように接続することで、図10に示すような、初期化領域16を実現できる。なお、図11では、2つのトランジスタ21a,21bを同じ平面内に配置したが、上下に配置、すなわち下部電極基板5の厚み方向に配置してもよい。
[変形例]
前記実施形態に係る液晶デバイスの表示色初期化方法において、図8に示す初期化領域と図10に示す初期化領域とを別々に説明したが、画素群領域6の広域を初期化する場合は図8の初期化を用い、数画素の初期化など狭域での初期化は図10を用いるなど併用することもできる。その場合、効率的に短時間で画素群領域6の全体を初期化することも可能である。
また、前記実施形態では、液晶デバイスを黒色に初期化するものとして説明したが、初期化によって揃える液晶デバイスの表示色は、白黒2値のうちの予め定められた一方の色であればよく、白色であっても構わない。
また、スイッチング素子がNチャネル型のトランジスタで構成されるものとして説明したが、Pチャネル型のトランジスタであっても構わない。
また、図1では、実験に用いた試作機の形態で液晶デバイス12を図示したが、本発明は、この構造に限定されるものではない。例えば駆動装置14は、爪状のプローブ13が、液晶デバイス12のボンディングパッド2に接合される形態に限るものではない。例えばプリント配線基板上に、液晶デバイス12や、駆動装置14を設置して、駆動装置14からのフレキシブルケーブルを異方性導電膜等で、液晶デバイス12の端子部に圧着するようにしてもよい。さらに、駆動装置の各機能を組み込んだ液晶デバイスを用いてもよい。
以上、本発明の実施形態に係る液晶デバイスの表示色初期化方法について説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
1 導線
2 ボンディングパッド
3 上部電極基板
4 強誘電性液晶
5 下部電極基板
6 画素群領域
7,17,18 画素電極
8 列選択駆動部
9 行選択駆動部
10 スペーサー
11,11a,11b トランジスタ(スイッチング素子)
12 液晶デバイス
13 プローブ
14 駆動装置
15c ゲート接続電極
15d ソース接続電極
15e 第2ゲート接続電極
15f 第2ソース接続電極
16 初期化領域
21 スイッチング素子
21a,21b トランジスタ
30,40 画素
V1 第1電圧値
V2 第2電圧値

Claims (8)

  1. マトリクス状に配置される複数の画素電極と前記画素電極をそれぞれ駆動するスイッチング素子とが形成される下部電極基板と、前記下部電極基板に対向する透明電極が透光性基板に形成された上部電極基板と、前記下部電極基板と前記上部電極基板との間に封入された強誘電性液晶とを備える液晶デバイスの表示色を一様に揃える初期化を行う液晶デバイスの表示色初期化方法であって、
    前記マトリクス状に配置されるすべての画素電極のうちの一部の予め定められた代表の画素電極を選択する画素選択ステップと、
    前記スイッチング素子の耐電圧値より大きな第1電圧値を前記上部電極基板に印加しながら選択された画素電極に接地電圧を印加することで、前記選択された画素電極および当該画素電極に隣接する画素電極による表示色を白黒2値のうちの予め定められた一方の色に揃える電圧印加ステップと、を行う液晶デバイスの表示色初期化方法。
  2. 前記下部電極基板は、接地電圧を印加する配線と前記画素電極とを接続すること、および、前記接地電圧を印加する配線と前記画素電極との接続を解除することを、前記画素電極ごとに切り替えられるように設けられており、
    前記電圧印加ステップにおいて、前記代表の画素電極を駆動するスイッチング素子を、前記接地電圧を印加する配線と前記画素電極とを接続するように切り替え、かつ、他のスイッチング素子を、前記接地電圧を印加する配線と前記画素電極との接続を解除するように切り替える、請求項1に記載の液晶デバイスの表示色初期化方法。
  3. 前記下部電極基板は、前記スイッチング素子の耐電圧値より小さくかつ前記第1電圧値との差が前記スイッチング素子の耐電圧値より小さな第2電圧値を印加する配線と前記画素電極とを接続すること、および、接地電圧を印加する配線と前記画素電極とを接続することを、前記画素電極ごとに切り替えられるように設けられており、
    前記電圧印加ステップにおいて、前記代表の画素電極を駆動するスイッチング素子を、前記接地電圧を印加する配線と前記画素電極とを接続するように切り替え、かつ、他のスイッチング素子を、前記第2電圧値を印加する配線と前記画素電極とを接続するように切り替える、請求項1に記載の液晶デバイスの表示色初期化方法。
  4. 前記液晶デバイスの前記下部電極基板には、前記画素電極が1μm以下のピッチで配置される請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の液晶デバイスの表示色初期化方法。
  5. 前記下部電極基板と前記上部電極基板との間に封入された前記強誘電性液晶の厚みは1μm以下である請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の液晶デバイスの表示色初期化方法。
  6. 前記第1電圧値は、前記スイッチング素子の耐電圧値の2倍以上である請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の液晶デバイスの表示色初期化方法。
  7. 前記液晶デバイスは、駆動装置から制御信号を受けて前記画素選択ステップを実行する請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の液晶デバイスの表示色初期化方法。
  8. 前記液晶デバイスの前記上部電極基板には、前記駆動装置から電源を供給する電源ケーブルが接続されており、前記駆動装置は、前記電圧印加ステップを実行する請求項7に記載の液晶デバイスの表示色初期化方法。
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