JP2021034423A - Segmented photodiode and method for manufacturing segmented photodiode - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、分割フォトダイオードに関するものである。 The present invention relates to a split photodiode.
分割フォトダイオードは、複数のダイオード領域を備え、各ダイオード領域を分割する分割領域を備えたものである。例えばバイポーラプロセスによって形成された分割フォトダイオードが特許文献１に記載されている。 The divided photodiode has a plurality of diode regions, and includes a divided region that divides each diode region. For example, a split photodiode formed by a bipolar process is described in Patent Document 1.
ところで、分割フォトダイオードには製造コストを低減できるようにＣＭＯＳプロセスによって形成されるものある。例えば図４に示すように、このような分割フォトダイオード１００Ａは、Ｐ型の半導体で形成された基板Ｌ１上にボロン等の第２不純物が拡散及び注入された分割領域ＳＲと、前記基板Ｌ１上にリン等の第１不純物が注入されたダイオード領域ＤＲとを備えている。ここで、ダイオード領域ＤＲでは第１不純物の注入しか行われていないため、前記基板Ｌ１内において第１不純物を含む層の深さは分割領域ＳＲにおける第２不純物を含む層よりも浅く形成される。このため、ＣＭＯＳプロセスで形成された従来の分割フォトダイオードは、あるダイオード領域に発生した光電流が別のダイオード領域に流れるクロストーク電流が大きいという問題がある。 By the way, some split photodiodes are formed by a CMOS process so that the manufacturing cost can be reduced. For example, as shown in FIG. 4, such a split photodiode 100A has a split region SR in which a second impurity such as boron is diffused and injected onto a substrate L1 formed of a P-type semiconductor, and a split region SR on the substrate L1. It is provided with a diode region DR in which a first impurity such as phosphorus is injected. Here, since only the first impurity is injected in the diode region DR, the depth of the layer containing the first impurity in the substrate L1 is formed shallower than the layer containing the second impurity in the divided region SR. .. Therefore, the conventional split photodiode formed by the CMOS process has a problem that the photocurrent generated in one diode region has a large crosstalk current flowing in another diode region.
本発明は上述したような問題に鑑みなされたものであり、ＣＭＯＳプロセスで形成可能でありながら、クロストーク電流を低減できる分割フォトダイオードを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a split photodiode that can be formed by a CMOS process but can reduce a crosstalk current.
すなわち、本発明に係る分割フォトダイオードは、複数のダイオード領域と、各ダイオード領域を分割する分割領域と、を備えた分割フォトダイオードであって、Ｐ型の半導体で形成された基板と、第１不純物を含み、前記基板中において複数の前記ダイオード領域を構成するＮ型の第１半導体部と、第２不純物を含み、前記基板中において前記分割領域を構成するＰ型の第２半導体部と、を具備し、前記第１半導体部が、前記第１不純物を拡散させて形成されたｎ−ウエルと、前記ｎ−ウエル上に前記第１不純物が注入されて形成されたｎ＋部と、からなることを特徴とする。 That is, the divided photodiode according to the present invention is a divided photodiode having a plurality of diode regions and a divided region for dividing each diode region, and is a substrate formed of a P-type semiconductor and a first. An N-type first semiconductor portion containing impurities and forming a plurality of the diode regions in the substrate, and a P-type second semiconductor portion containing impurities and forming the divided region in the substrate. The first semiconductor portion is composed of an n-well formed by diffusing the first impurity and an n + portion formed by injecting the first impurity onto the n-well. It is characterized by that.
このようなものであれば、ＣＭＯＳプロセスによって前記基板上に前記第１不純物及び前記第２不純物を注入して前記ダイオード領域と前記分割領域を形成できる。 In such a case, the diode region and the divided region can be formed by injecting the first impurity and the second impurity onto the substrate by a CMOS process.
さらに前記ダイオード領域を形成するＮ型の前記第１半導体部には、前記第１不純物を拡散させた前記ｎ−ウエルが存在するので、前記基板の表面から前記第１半導体部を深く形成し、前記ｎ−ウエルと前記分割領域を構成する前記第２半導体部との境界近傍に形成される空乏層の位置を従来よりも深い位置に設定できる。この結果、ダイオード領域内で発生した光電流が分割領域を超えて隣接する別のダイオード領域に届きにくくすることができる。したがって、ダイオード領域において深い部分の光電流が、別のダイオード領域に流れ込んでクロストーク電流が発生するのを低減できる。 Further, since the n-well in which the first impurity is diffused exists in the N-type first semiconductor portion forming the diode region, the first semiconductor portion is formed deeply from the surface of the substrate. The position of the depletion layer formed in the vicinity of the boundary between the n-well and the second semiconductor portion forming the divided region can be set to a position deeper than before. As a result, it is possible to make it difficult for the photocurrent generated in the diode region to reach another adjacent diode region beyond the divided region. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of crosstalk current when the photocurrent in the deep portion in the diode region flows into another diode region.
クロストーク電流の発生を低減しつつ、各ダイオード領域の絶縁性を十分に保てるようにするには、前記第２半導体部が、前記第２不純物を拡散させて形成されたｐ−ウエルと、前記ｐ−ウエル上に第２不純物が注入されて形成されたｐ＋部と、からなるものであればよい。 In order to reduce the generation of crosstalk current and maintain sufficient insulation in each diode region, the second semiconductor portion includes a p-well formed by diffusing the second impurity and the above. It may be composed of a p + portion formed by injecting a second impurity onto the p-well.
分割フォトダイオードとしての好ましい実施の態様としては、平面視において、前記各ダイオード領域が前記分割領域によって囲われているものが挙げられる。 A preferred embodiment of the divided photodiode is one in which each diode region is surrounded by the divided region in a plan view.
複数のダイオード領域と、各ダイオード領域を分割する分割領域と、を備えた分割フォトダイオードであって、Ｎ型の半導体で形成された基板と、第１不純物を含み、前記基板中において前記分割領域を構成するＮ型の第１半導体部と、第２不純物を含み、前記基板中において複数の前記ダイオード領域を構成するＰ型の第２半導体部と、を具備し、前記第２半導体部が、前記第２不純物を拡散させたｐ−ウエルと、前記ｐ−ウエル上に前記第２不純物が注入されて形成されたｐ＋部と、からなることを特徴とする分割フォトダイオードであれば、Ｎ型の半導体で形成された基板を用いて本発明に係る分割フォトダイオードを構成できる。 A divided photodiode having a plurality of diode regions and a divided region for dividing each diode region, which contains a substrate formed of an N-type semiconductor and a first impurity, and the divided region in the substrate. The N-type first semiconductor portion comprising the second semiconductor portion and the P-type second semiconductor portion containing the second impurity and forming a plurality of the diode regions in the substrate are provided, and the second semiconductor portion comprises. An N-type divided photodiode is characterized by comprising a p-well in which the second impurity is diffused and a p + portion formed by injecting the second impurity onto the p-well. The split photodiode according to the present invention can be constructed by using a substrate made of the above semiconductor.
また、本発明に係る分割フォトダイオードの製造方法は、複数のダイオード領域と、各ダイオード領域を分割する分割領域と、を備えた分割フォトダイオードの製造方法であって、Ｐ型の半導体で形成された基板上に複数の前記ダイオード領域を構成するＮ型の第１半導体部を形成する第１半導体部形成ステップと、前記基板上に前記分割領域を構成するＰ型の第２半導体部を形成する第２半導体部形成ステップと、を具備し、前記第１半導体部形成ステップが、前記第１不純物を拡散させてｎ−ウエルを形成する第１不純物拡散ステップと、前記ｎ−ウエル上に前記第１不純物を注入してｎ＋部を形成する第１不純物注入ステップと、からなることを特徴とする。このような製造方法であれば、前記ｎ−ウエルを形成して前記第１半導体部の深さを大きくし、クロストーク電流を低減することが可能となる。 Further, the method for manufacturing a split photodiode according to the present invention is a method for manufacturing a split photodiode including a plurality of diode regions and a split region for dividing each diode region, and is formed of a P-type semiconductor. A first semiconductor portion forming step for forming an N-type first semiconductor portion constituting the plurality of the diode regions and a P-type second semiconductor portion forming the divided region are formed on the substrate. A second semiconductor portion forming step is provided, and the first semiconductor portion forming step diffuses the first impurity to form an n-well, and the first impurity diffusion step is provided on the n-well. It is characterized by comprising a first impurity injection step of injecting one impurity to form an n + portion. With such a manufacturing method, it is possible to form the n-well, increase the depth of the first semiconductor portion, and reduce the crosstalk current.
加えて、Ｎ型の半導体で形成された基板上に本発明に係る分割フォトダイオードを製造するには、複数のダイオード領域と、各ダイオード領域を分割する分割領域と、を備えた分割フォトダイオードの製造方法であって、Ｎ型の半導体で形成された基板上に前記基板中において前記分割領域を構成するＮ型の第１半導体部を形成する第１半導体部形成ステップと、前記基板上に複数の前記ダイオード領域を構成するＰ型の第２半導体部を形成する第２半導体部形成ステップと、前記第２半導体部形成ステップが、前記第２不純物を拡散させてｐ−ウエルを形成する第２不純物拡散ステップと、前記ｐ−ウエル上に前記第２不純物を注入してｐ＋部を形成する第２不純物注入ステップと、からなることを特徴とする分割フォトダイオードの製造方法を用いればよい。 In addition, in order to manufacture the divided photodiode according to the present invention on a substrate formed of an N-type semiconductor, a divided photodiode having a plurality of diode regions and a divided region for dividing each diode region is provided. In the manufacturing method, a first semiconductor portion forming step of forming an N-type first semiconductor portion forming the divided region in the substrate on a substrate formed of an N-type semiconductor, and a plurality of steps on the substrate. The second semiconductor portion forming step for forming the P-type second semiconductor portion constituting the diode region and the second semiconductor portion forming step diffuse the second impurity to form a p-well. A method for manufacturing a split semiconductor characterized by comprising an impurity diffusion step and a second impurity injection step of injecting the second impurity onto the p-well to form a p + portion may be used.
このように本発明に係る分割フォトダイオードであれば、前記ｎ−ウエルが形成されていることにより、前記第１半導体部の表面からの深さを大きくできる。この結果、前記ｎ−ウエルと前記分割領域を構成する前記第２半導体部との境界近傍に形成される空乏層の位置を従来よりも深い位置に設定できる。この結果、ダイオード領域において深い部分の光電流が、別のダイオード領域に流れ込んでクロストーク電流が発生するのを抑制できる。 As described above, in the divided photodiode according to the present invention, the depth from the surface of the first semiconductor portion can be increased by forming the n-well. As a result, the position of the depletion layer formed in the vicinity of the boundary between the n-well and the second semiconductor portion forming the divided region can be set to a position deeper than before. As a result, it is possible to suppress that the photocurrent in the deep portion in the diode region flows into another diode region and the crosstalk current is generated.
本発明の一実施形態に係る分割フォトダイオード１００について図１及び図２を参照しながら説明する。 The divided photodiode 100 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
図１に示すようにこの分割フォトダイオード１００は、１つのチップ上に２つのダイオード領域ＤＲが形成された２分割の分割ダイオードである。平面視において各ダイオード領域ＤＲは概略長方形状であり、各ダイオード領域ＤＲの間にはそれぞれを絶縁するように仕切る半導体層である分割領域ＳＲが形成されている。 As shown in FIG. 1, the divided photodiode 100 is a two-divided divided diode in which two diode region DRs are formed on one chip. In a plan view, each diode region DR has a substantially rectangular shape, and a divided region SR, which is a semiconductor layer that partitions each diode region DR, is formed between the diode region DRs.
図２は図１のＡ−Ａ線断面において両端部分を省略して拡大したものである。図２に示すように、この分割ダイオードはＰ型半導体の基板Ｌ１上の表面側をデバイス形成層としたものである。すなわち、基板Ｌ１の表面側には各ダイオード領域ＤＲ及び分割領域ＳＲが形成されている。基板Ｌ１の表面には絶縁膜３と、各ダイオード領域ＤＲで発生した光電流を外部に取り出すためのアルミニウム電極４が形成されている。 FIG. 2 is an enlarged view of the cross section taken along line AA of FIG. 1 with both end portions omitted. As shown in FIG. 2, this dividing diode has a device forming layer on the surface side of the P-type semiconductor substrate L1. That is, each diode region DR and division region SR are formed on the surface side of the substrate L1. An insulating film 3 and an aluminum electrode 4 for extracting the photocurrent generated in each diode region DR to the outside are formed on the surface of the substrate L1.
基板Ｌ１は、第１不純物を含み、前述した複数のダイオード領域ＤＲを構成するＮ型の第１半導体部１と、第２不純物を含み、分割領域ＳＲを構成するＰ型の第２半導体部２と、を具備する。 The substrate L1 contains an N-type first semiconductor unit 1 containing a first impurity and forming a plurality of diode region DRs described above, and a P-type second semiconductor unit 2 containing a second impurity and forming a divided region SR. And.
第１半導体部１、及び、第２半導体部２は、それぞれ面板方向に対して隣接しており、基板Ｌ１の表面側に形成されている。 The first semiconductor portion 1 and the second semiconductor portion 2 are adjacent to each other with respect to the face plate direction, and are formed on the surface side of the substrate L1.
第１半導体部１は、基板Ｌ１の表面側から第１不純物としてリンを熱拡散により拡散させたｎ−ウエル１２と、ｎ−ウエル１２上に第１不純物が注入されたｎ＋部１１と、からなる。すなわち、ｎ＋部１１はｎ−ウエル１２が熱拡散により形成された後で別途行われるイオン注入によって形成される。ｎ＋部１１とｎ−ウエル１２を比較した場合、第１不純物の濃度はｎ−ウエル１２のほうが小さいが、ｎ−ウエル１２のほうがｎ＋部１１よりもその厚みが大きくなるようにしている。このｎ−ウエル１２の厚みについては、ｎ＋部１１を形成する前の段階において、ｎ−ウエル１２を形成するためのイオン注入時の注入エネルギーや、イオン注入後の熱拡散時の温度、時間によって調整される。 The first semiconductor portion 1 is composed of an n-well 12 in which phosphorus is diffused as a first impurity from the surface side of the substrate L1 by thermal diffusion, and an n + portion 11 in which the first impurity is injected onto the n-well 12. Become. That is, the n + part 11 is formed by ion implantation performed separately after the n-well 12 is formed by thermal diffusion. When the n + part 11 and the n-well 12 are compared, the concentration of the first impurity is smaller in the n-well 12, but the thickness of the n-well 12 is larger than that in the n + part 11. The thickness of the n-well 12 depends on the injection energy at the time of ion implantation for forming the n-well 12 and the temperature and time at the time of heat diffusion after the ion implantation in the stage before forming the n + portion 11. It will be adjusted.
第２半導体部２は、基板Ｌ１の表面側から第２不純物としてボロンを熱拡散により拡散させたｐ−ウエル２２と、ｐ−ウエル２２上に第２不純物が注入されたｐ＋部２１と、からなる。すなわち、ｐ＋部２１は、ｐ−ウエル１２が熱拡散により形成された後で別途行われるイオン注入により形成される。 The second semiconductor portion 2 is composed of a p-well 22 in which boron is diffused as a second impurity from the surface side of the substrate L1 by thermal diffusion, and a p + portion 21 in which the second impurity is injected onto the p-well 22. Become. That is, the p + portion 21 is formed by ion implantation performed separately after the p-well 12 is formed by thermal diffusion.
以下ではこのような分割ダイオードのＣＭＯＳプロセスによる製造方法について説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing such a dividing diode by a CMOS process will be described.
まず、基板Ｌ１の表面においてダイオード領域ＤＲを形成する部分の全域に第１不純物をイオン注入する。また、基板Ｌ１において各ダイオード領域ＤＲを分割する分割領域ＳＲを形成する部分の全域に第２不純物をイオン注入する。これらのイオン注入が終わった後、所定時間の間、所定温度で加熱して、各不純物を基板Ｌ１の表面側から内部へと拡散させ、ｎ−ウエル１２及びｐ−ウエル２２が形成される。 First, the first impurity is ion-implanted over the entire area of the surface of the substrate L1 that forms the diode region DR. Further, the second impurity is ion-implanted into the entire region of the substrate L1 that forms the divided region SR that divides each diode region DR. After these ion implantations are completed, they are heated at a predetermined temperature for a predetermined time to diffuse each impurity from the surface side of the substrate L1 to the inside, and n-wells 12 and p-wells 22 are formed.
次に、基板Ｌ１上に形成されたｎ−ウエル１２の表面に対して第１不純物であるリンを再度イオン注入して、層状のｎ＋部１１が形成される。また、基板Ｌ１上に形成されたｐ−ウエル２２の表面に対して第２不純物であるボロンを再度イオン注入して、概略枠状のｐ＋部２１が形成される。 Next, phosphorus, which is the first impurity, is ion-implanted again into the surface of the n-well 12 formed on the substrate L1 to form a layered n + portion 11. Further, boron, which is a second impurity, is ion-implanted again into the surface of the p-well 22 formed on the substrate L1 to form a substantially frame-shaped p + portion 21.
このようにして形成された本実施形態の分割フォトダイオード１００によれば、ダイオード領域ＤＲにおいて熱拡散により第１不純物を拡散させたｎ−ウエル１２が形成されているため、ダイオード領域ＤＲを形成する第１半導体部１と、分割領域ＳＲを形成する第２半導体部２との境界近傍に形成される空乏層の位置を従来よりも基板Ｌ１内において深い位置にできる。この結果、一方のダイオード領域ＤＲで発生した光電流が分割領域ＳＲを超えて他方のダイオード領域ＤＲに届きにくくすることができる。 According to the divided photodiode 100 of the present embodiment formed in this way, since the n-well 12 in which the first impurity is diffused by thermal diffusion is formed in the diode region DR, the diode region DR is formed. The position of the depletion layer formed near the boundary between the first semiconductor portion 1 and the second semiconductor portion 2 forming the divided region SR can be set to a deeper position in the substrate L1 than before. As a result, the photocurrent generated in one diode region DR can be made difficult to reach the other diode region DR beyond the division region SR.
これらのことから、あるダイオード領域ＤＲで発生した電流は、そのダイオード領域ＤＲ側からほとんど取り出されるようにでき、あるダイオード領域ＤＲで発生した光電効果による電子が、別のダイオード領域ＤＲに流れにくくできる。この結果、ＣＭＯＳプロセスで形成された分割フォトダイオードでありながら、クロストーク電流が発生するのを大幅に抑制することができる。 From these facts, the current generated in a certain diode region DR can be almost taken out from the diode region DR side, and the electrons due to the photoelectric effect generated in a certain diode region DR can be made difficult to flow to another diode region DR. .. As a result, it is possible to significantly suppress the generation of crosstalk current even though it is a split photodiode formed by the CMOS process.
その他の実施形態について説明する。なお、図３においては前述した実施形態に対応する部材には一部を除いて同じ符号を付すこととする。例外としてｎ＋部、ｎ−ウエル、ｐ＋部、ｎ−ウエルの符号は前述した実施形態と異ならせている。 Other embodiments will be described. In FIG. 3, the members corresponding to the above-described embodiments are designated by the same reference numerals except for a part. As an exception, the symbols of the n + part, the n-well, the p + part, and the n-well are different from those of the above-described embodiment.
前述した実施形態ではＰ型の基板Ｌ１上に形成されたＰ型の半導体で形成された基板Ｌ１の表面側にダイオード領域ＤＲ、分割領域ＳＲを形成して分割フォトダイオード１００を構成したが、図３に示すようにＮ型の半導体で形成された基板Ｌ１の表面側をデバイス形成層としてもよい。この場合、リンなどの第１不純物が注入、拡散される第１半導体部１は分割領域ＳＲを構成し、ボロンなどの第２不純物が注入、拡散される第２半導体部２はダイオード領域ＤＲを構成する。 In the above-described embodiment, the diode region DR and the divided region SR are formed on the surface side of the substrate L1 formed of the P-type semiconductor formed on the P-type substrate L1 to form the divided photodiode 100. As shown in 3, the surface side of the substrate L1 formed of the N-type semiconductor may be used as the device forming layer. In this case, the first semiconductor portion 1 in which the first impurity such as phosphorus is injected and diffused constitutes the divided region SR, and the second semiconductor portion 2 in which the second impurity such as boron is injected and diffused constitutes the diode region DR. Configure.
分割ダイオードにおけるダイオード領域の分割数は２つに限られるものではなく、例えば４つ等であっても構わない。 The number of divisions of the diode region in the dividing diode is not limited to two, and may be, for example, four.
第１半導体部と第２半導体部の厚みについては、ほぼ同じでなくてもよい。具体的には、ダイオード領域を形成する半導体部においてイオン注入によって注入された不純物を拡散させたウエルが形成されていればよい。 The thicknesses of the first semiconductor portion and the second semiconductor portion do not have to be substantially the same. Specifically, it is sufficient that a well in which impurities implanted by ion implantation are diffused is formed in the semiconductor portion forming the diode region.
その他、本発明の趣旨に反し無い限りにおいて様々な実施形態の変形や、各実施形態の一部同士の組み合わせを行っても構わない。 In addition, various embodiments may be modified or some of the embodiments may be combined as long as they do not contradict the gist of the present invention.
１００・・・分割ダイオード
ＤＲ ・・・ダイオード領域
ＳＲ ・・・分割領域
Ｌ１ ・・・基板
１ ・・・第１半導体部
１１ ・・・ｎ＋部
１２ ・・・ｎ−ウエル
２ ・・・第２半導体部
２１ ・・・ｐ＋部
２２ ・・・ｐ−ウエル
100 ・ ・ ・ Dividing diode DR ・ ・ ・ Diode region SR ・ ・ ・ Dividing region L1 ・ ・ ・ Substrate 1 ・ ・ ・ First semiconductor part 11 ・ ・ ・ n + part 12 ・ ・ ・ n-well 2 ・ ・ ・ Second Semiconductor part 21 ・ ・ ・ p + part 22 ・ ・ ・ p-well
Claims (6)
Ｐ型の半導体で形成された基板と、
第１不純物を含み、前記基板中において複数の前記ダイオード領域を構成するＮ型の第１半導体部と、
第２不純物を含み、前記基板中において前記分割領域を構成するＰ型の第２半導体部と、を具備し、
前記第１半導体部が、
前記第１不純物を拡散させて形成されたｎ−ウエルと、
前記ｎ−ウエル上に前記第１不純物が注入されて形成されたｎ＋部と、からなることを特徴とする分割フォトダイオード。 A divided photodiode having a plurality of diode regions and a divided region that divides each diode region.
A substrate made of P-type semiconductor and
An N-type first semiconductor portion containing a first impurity and forming a plurality of the diode regions in the substrate,
A P-type second semiconductor portion containing a second impurity and forming the divided region in the substrate is provided.
The first semiconductor part
The n-well formed by diffusing the first impurity and
A split photodiode comprising an n + portion formed by injecting the first impurity onto the n-well.
前記第２不純物を拡散させて形成されたｐ−ウエルと、
前記ｐ−ウエル上に第２不純物が注入されて形成されたｐ＋部と、からなる請求項１記載の分割フォトダイオード。 The second semiconductor part
The p-well formed by diffusing the second impurity and
The divided photodiode according to claim 1, comprising a p + portion formed by injecting a second impurity onto the p-well.
Ｎ型の半導体で形成された基板と、
第１不純物を含み、前記基板中において前記分割領域を構成するＮ型の第１半導体部と、
第２不純物を含み、前記基板中において複数の前記ダイオード領域を構成するＰ型の第２半導体部と、を具備し、
前記第２半導体部が、
前記第２不純物を拡散させたｐ−ウエルと、
前記ｐ−ウエル上に前記第２不純物が注入されて形成されたｐ＋部と、からなることを特徴とする分割フォトダイオード。 A divided photodiode having a plurality of diode regions and a divided region that divides each diode region.
A substrate made of N-type semiconductor and
An N-type first semiconductor portion containing the first impurity and forming the divided region in the substrate,
A P-type second semiconductor portion containing a second impurity and forming a plurality of the diode regions in the substrate is provided.
The second semiconductor part
The p-well in which the second impurity was diffused and
A split photodiode comprising a p + portion formed by injecting the second impurity onto the p-well.
Ｐ型の半導体で形成された基板上に複数の前記ダイオード領域を構成するＮ型の第１半導体部を形成する第１半導体部形成ステップと、
前記基板上に前記分割領域を構成するＰ型の第２半導体部を形成する第２半導体部形成ステップと、を具備し、
前記第１半導体部形成ステップが、
前記第１不純物を拡散させてｎ−ウエルを形成する第１不純物拡散ステップと、
前記ｎ−ウエル上に前記第１不純物を注入してｎ＋部を形成する第１不純物注入ステップと、からなることを特徴とする分割フォトダイオードの製造方法。 A method for manufacturing a divided photodiode having a plurality of diode regions and a divided region for dividing each diode region.
A first semiconductor portion forming step of forming an N-type first semiconductor portion constituting the plurality of diode regions on a substrate formed of a P-type semiconductor, and a step of forming the first semiconductor portion.
A second semiconductor portion forming step for forming a P-shaped second semiconductor portion forming the divided region on the substrate is provided.
The first semiconductor portion forming step is
The first impurity diffusion step of diffusing the first impurity to form n-wells,
A method for manufacturing a split photodiode, comprising: a first impurity injection step of injecting the first impurity onto the n-well to form an n + portion.
Ｎ型の半導体で形成された基板上に前記基板中において前記分割領域を構成するＮ型の第１半導体部を形成する第１半導体部形成ステップと、
前記基板上に複数の前記ダイオード領域を構成するＰ型の第２半導体部を形成する第２半導体部形成ステップと、
前記第２半導体部形成ステップが、
前記第２不純物を拡散させてｐ−ウエルを形成する第２不純物拡散ステップと、
前記ｐ−ウエル上に前記第２不純物を注入してｐ＋部を形成する第２不純物注入ステップと、からなることを特徴とする分割フォトダイオードの製造方法。 A method for manufacturing a divided photodiode having a plurality of diode regions and a divided region for dividing each diode region.
A first semiconductor portion forming step of forming an N-type first semiconductor portion forming the divided region in the substrate on a substrate formed of an N-type semiconductor, and a step of forming the first semiconductor portion.
A second semiconductor portion forming step for forming a P-shaped second semiconductor portion forming the plurality of diode regions on the substrate, and a second semiconductor portion forming step.
The second semiconductor portion forming step is
A second impurity diffusion step of diffusing the second impurity to form a p-well,
A method for manufacturing a split photodiode, comprising: a second impurity injection step of injecting the second impurity onto the p-well to form a p + portion.
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