JP2021027397A

JP2021027397A - Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer

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Publication number: JP2021027397A
Application number: JP2019141337A
Authority: JP
Inventors: 坂下　武; Takeshi Sakashita; 武坂下
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2019-07-31
Filing date: 2019-07-31
Publication date: 2021-02-22
Anticipated expiration: 2039-07-31
Also published as: JP7456737B2

Abstract

To suppress deformation of a resonance region vicinity.SOLUTION: A piezoelectric thin film resonator comprises: a substrate; a lower electrode provided onto the substrate via a gap; a piezoelectric film provided onto the lower electrode; an upper electrode that is provided onto the piezoelectric film, forms a resonance region regulated in a region overlapped in a plan view with the lower electrode while nipping at least one part of the piezoelectric film, and in which the resonance region is overlapped with the gap in the plan view and is provided so as to be smaller than the gap; and a projection part in which a tip is positioned at the outside of the resonance region, and is provided onto the substrate in the gap.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば空隙内に突起部を有する圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。 The present invention relates to piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers, for example, piezoelectric thin film resonators, filters and multiplexers having protrusions in voids.

携帯電話等の無線端末の高周波回路用に圧電薄膜共振器を有するフィルタやマルチプレクサが用いられている。圧電薄膜共振器は、下部電極、圧電膜および上部電極が積層された積層膜を有している。圧電膜の少なくとも一部を挟み下部電極と上部電極とが対向する領域は弾性波が振動する共振領域である。共振領域内の下部電極の下には弾性波を反射するための空隙が設けられる。空隙は共振領域より大きく設けられている（例えば特許文献１から３）。空隙内の基板上に突起部を設けることが知られている（例えば特許文献２および３）。 Filters and multiplexers having piezoelectric thin film resonators are used for high frequency circuits of wireless terminals such as mobile phones. The piezoelectric thin film resonator has a laminated film in which a lower electrode, a piezoelectric film, and an upper electrode are laminated. The region where the lower electrode and the upper electrode face each other with at least a part of the piezoelectric film sandwiched is a resonance region in which elastic waves vibrate. A gap for reflecting elastic waves is provided under the lower electrode in the resonance region. The gap is provided larger than the resonance region (for example, Patent Documents 1 to 3). It is known that a protrusion is provided on a substrate in a gap (for example, Patent Documents 2 and 3).

特開２０１８−１８２４６３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-182463 特開２００７−２２１５８８号公報JP-A-2007-221588 特開２００９−１２４６４０号公報JP-A-2009-124640

特許文献１では、圧電薄膜共振器の特性の向上のため空隙を共振領域より大きく設けている。また、共振領域と空隙とが同じ大きさの場合、合わせずれが生じ共振領域内に空隙と重ならない部分が形成されると、弾性波が基板に漏れる。これにより、圧電薄膜共振器の特性が劣化する。このような理由により、空隙を共振領域より大きく形成する。しかし、空隙の外周と共振領域の外周の間の領域には応力が集中しやすく、圧電膜等の積層膜が変形することがある。 In Patent Document 1, a gap is provided larger than the resonance region in order to improve the characteristics of the piezoelectric thin film resonator. Further, when the resonance region and the void have the same size, elastic waves leak to the substrate when a misalignment occurs and a portion that does not overlap with the void is formed in the resonance region. As a result, the characteristics of the piezoelectric thin film resonator deteriorate. For this reason, the void is formed larger than the resonance region. However, stress tends to concentrate in the region between the outer circumference of the gap and the outer circumference of the resonance region, and the laminated film such as the piezoelectric film may be deformed.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、共振領域近傍の変形を抑制することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to suppress deformation in the vicinity of the resonance region.

本発明は、基板と、前記基板上に空隙を介し設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み前記下部電極と平面視において重なる領域で規定される共振領域を形成し、前記共振領域は平面視において前記空隙と重なり前記空隙より小さくなるように設けられた上部電極と、先端が前記共振領域外に位置し、前記空隙内における前記基板上に設けられた突起部と、を備える圧電薄膜共振器である。 The present invention comprises a substrate, a lower electrode provided on the substrate via a gap, a piezoelectric film provided on the lower electrode, and a piezoelectric film provided on the piezoelectric film, sandwiching at least a part of the piezoelectric film. A resonance region defined by a region that overlaps the lower electrode in a plan view is formed, and the resonance region overlaps the gap in a plan view and is provided so as to be smaller than the gap, and the tip thereof is outside the resonance region. It is a piezoelectric thin film resonator provided with a protrusion provided on the substrate in the void.

上記構成において、前記空隙内における前記基板上に設けられた突起部の先端は、全て前記共振領域外に位置する構成とすることができる。 In the above configuration, all the tips of the protrusions provided on the substrate in the gap can be located outside the resonance region.

上記構成において、前記突起部における前記先端の面積は前記基板側の断面積より小さい構成とすることができる。 In the above configuration, the area of the tip of the protrusion may be smaller than the cross-sectional area of the substrate.

上記構成において、前記突起部は、前記共振領域を囲む少なくとも一部の領域に設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the protrusions may be provided in at least a part of the region surrounding the resonance region.

上記構成において、前記突起部の少なくとも一部は前記下部電極または前記圧電膜と接触している構成とすることができる。 In the above configuration, at least a part of the protrusion may be in contact with the lower electrode or the piezoelectric film.

上記構成において、前記突起部は、前記上部電極が前記共振領域から引き出される領域に設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the protrusion may be provided in a region where the upper electrode is drawn out from the resonance region.

上記構成において、前記空隙は前記基板の表面に設けられた凹部により形成され、
前記突起部の先端は前記基板の表面と略同一平面に位置する構成とすることができる。 In the above configuration, the voids are formed by recesses provided on the surface of the substrate.
The tip of the protrusion can be configured to be located substantially in the same plane as the surface of the substrate.

上記構成において、前記基板の表面は略平面であり、前記下部電極は、前記基板から前記空隙を介し上方に膨らむ構成とすることができる。 In the above configuration, the surface of the substrate is substantially flat, and the lower electrode may be configured to bulge upward from the substrate through the gap.

上記構成において、前記突起部は前記基板の一部である構成とすることができる。 In the above configuration, the protrusion may be a part of the substrate.

本発明は、上記圧電薄膜共振器を含むフィルタである。 The present invention is a filter including the piezoelectric thin film resonator.

上記構成において、複数の前記圧電薄膜共振器を含み、前記複数の圧電薄膜共振器の空隙を接続する空隙と、前記接続する空隙上に前記下部電極、前記圧電膜および前記上部電極の少なくとも１つの層が設けられ、前記接続する空隙内に前記突起部の少なくとも一部が設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, a plurality of the piezoelectric thin film resonators are included, a gap connecting the gaps of the plurality of piezoelectric thin film resonators, and at least one of the lower electrode, the piezoelectric film, and the upper electrode on the connecting gap. A layer may be provided, and at least a part of the protrusion may be provided in the connecting gap.

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。 The present invention is a multiplexer including the above filter.

本発明によれば、共振領域近傍の変形を抑制することを目的とする。 According to the present invention, it is an object of the present invention to suppress deformation in the vicinity of the resonance region.

図１（ａ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。1 (a) is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment, and FIG. 1 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1 (a). 図２（ａ）から図２（ｅ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。2 (a) to 2 (e) are cross-sectional views (No. 1) showing a method of manufacturing the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment. 図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の製造方法を示す断面図（その２）である。3 (a) to 3 (d) are cross-sectional views (No. 2) showing a method of manufacturing the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment. 図４は、比較例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the piezoelectric thin film resonator according to Comparative Example 1. 図５（ａ）から図５（ｆ）は、実施例１における突起部の例を示す斜視図である。5 (a) to 5 (f) are perspective views showing an example of a protrusion in the first embodiment. 図６（ａ）および図６（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係る圧電薄膜共振器の平面図である。6 (a) and 6 (b) are plan views of the piezoelectric thin film resonator according to the first and second modifications of the first embodiment, respectively. 図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例３および４に係る圧電薄膜共振器の平面図である。7 (a) and 7 (b) are plan views of the piezoelectric thin film resonator according to the modified examples 3 and 4, respectively, of the first embodiment. 図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例５および６に係る圧電薄膜共振器の平面図である。8 (a) and 8 (b) are plan views of the piezoelectric thin film resonator according to the modified examples 5 and 6, respectively, of the first embodiment. 図９は、シミュレーションした比較例２に係る圧電薄膜共振器の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the piezoelectric thin film resonator according to the simulated Comparative Example 2. 図１０は、比較例２における位置に対する高さを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the height with respect to the position in Comparative Example 2. 図１１は、実施例２に係るフィルタの回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram of the filter according to the second embodiment. 図１２（ａ）は、実施例２に係るフィルタの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。12 (a) is a plan view of the filter according to the second embodiment, and FIG. 12 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 12 (a). 図１３（ａ）は、実施例２の変形例１に係るフィルタの平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。13 (a) is a plan view of the filter according to the first modification of the second embodiment, and FIG. 13 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 13 (a). 図１４は、実施例２の変形例１における接続部付近の平面図である。FIG. 14 is a plan view of the vicinity of the connection portion in the first modification of the second embodiment. 図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、それぞれ図１４のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図およびＣ−Ｃ断面図である。15 (a) to 15 (c) are a sectional view taken along the line AA, a sectional view taken along the line BB, and a sectional view taken along the line CC of FIG. 14, respectively. 図１６は、実施例２の変形例２に係るデュプレクサの回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram of a duplexer according to a modification 2 of the second embodiment.

以下、図面を参照し実施例について説明する。 Hereinafter, examples will be described with reference to the drawings.

図１（ａ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）は、主に下部電極１２、圧電膜１４、上部電極１６、突起部２０および空隙３０を図示している。 1 (a) is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment, and FIG. 1 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1 (a). FIG. 1A mainly illustrates the lower electrode 12, the piezoelectric film 14, the upper electrode 16, the protrusion 20, and the gap 30.

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、例えばサファイア基板である基板１０上に、下部電極１２が設けられている。基板１０の上面に凹部からなる空隙３０が形成されている。基板１０および空隙３０上に下部電極１２が設けられている。下部電極１２は例えば基板１０側からクロム（Ｃｒ）膜およびルテニウム（Ｒｕ）膜である。 As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the lower electrode 12 is provided on, for example, the substrate 10 which is a sapphire substrate. A void 30 formed of a recess is formed on the upper surface of the substrate 10. The lower electrode 12 is provided on the substrate 10 and the gap 30. The lower electrode 12 is, for example, a chromium (Cr) film and a ruthenium (Ru) film from the substrate 10 side.

下部電極１２上に、圧電膜１４が設けられている。圧電膜１４は、例えばＣ軸配向性を有する窒化アルミニウムを主成分とする。圧電膜１４を挟み下部電極１２と対向するように圧電膜１４上に上部電極１６が設けられている。上部電極１６は例えば圧電膜１４側からルテニウム膜およびクロム膜である。積層膜１８は、下部電極１２、圧電膜１４および上部電極１６を含む。 A piezoelectric film 14 is provided on the lower electrode 12. The piezoelectric film 14 contains, for example, aluminum nitride having C-axis orientation as a main component. The upper electrode 16 is provided on the piezoelectric film 14 so as to sandwich the piezoelectric film 14 and face the lower electrode 12. The upper electrode 16 is, for example, a ruthenium film and a chromium film from the piezoelectric film 14 side. The laminated film 18 includes a lower electrode 12, a piezoelectric film 14, and an upper electrode 16.

共振領域５０は、圧電膜１４の少なくとも一部を挟み下部電極１２と上部電極１６とが平面視において重なる領域で規定される。共振領域５０の平面形状は例えば楕円形状である。共振領域５０内の積層膜１８には厚み縦振動モードの弾性波が共振する。平面視において共振領域５０は空隙３０に重なり、空隙３０は共振領域５０より大きい。共振領域５０の外周と空隙３０の外周との間は外周領域５２である。空隙３０内に突起部２０が設けられている。突起部２０の先端（上端）は外周領域５２に位置する。先端が共振領域５０内に位置する突起部２０は設けられていない。突起部２０は例えば円錐状であり、共振領域５０を囲むように設けられている。 The resonance region 50 is defined as a region in which at least a part of the piezoelectric film 14 is sandwiched between the lower electrode 12 and the upper electrode 16 in a plan view. The planar shape of the resonance region 50 is, for example, an elliptical shape. Elastic waves in the thickness longitudinal vibration mode resonate with the laminated film 18 in the resonance region 50. In a plan view, the resonance region 50 overlaps the void 30 and the void 30 is larger than the resonance region 50. The outer peripheral region 52 is between the outer circumference of the resonance region 50 and the outer circumference of the gap 30. A protrusion 20 is provided in the gap 30. The tip (upper end) of the protrusion 20 is located in the outer peripheral region 52. The protrusion 20 whose tip is located in the resonance region 50 is not provided. The protrusion 20 has a conical shape, for example, and is provided so as to surround the resonance region 50.

下部電極１２には平面方向に伸びる凸部３４が設けられている。凸部３４の先端に孔３５が設けられている。孔３５は基板１０と凸部３４の間に設けられた導入路３３に通じている。導入路３３は空隙３０と通じている。孔３５および導入路３３は犠牲層をエッチングするときにエッチング液を導入する。 The lower electrode 12 is provided with a convex portion 34 extending in the plane direction. A hole 35 is provided at the tip of the convex portion 34. The hole 35 leads to an introduction path 33 provided between the substrate 10 and the convex portion 34. The introduction path 33 communicates with the void 30. The holes 35 and the introduction path 33 introduce an etching solution when etching the sacrificial layer.

圧電膜１４には挿入膜が挿入されていてもよい。挿入膜は、例えば酸化シリコン膜のように圧電膜１４よりヤング率の小さい材料および／または弾性定数の温度係数の符号が圧電膜１４の弾性定数の温度係数の符号と反対の材料である。共振領域５０内の上部電極１６上に周波数調整膜および／または保護膜が設けられていてもよい。周波数調整膜および／または保護膜は、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の絶縁膜である。 An insertion film may be inserted into the piezoelectric film 14. The insertion film is a material having a Young's modulus smaller than that of the piezoelectric film 14, such as a silicon oxide film, and / or a material having a temperature coefficient sign of an elastic constant opposite to that of the piezoelectric film 14. A frequency adjusting film and / or a protective film may be provided on the upper electrode 16 in the resonance region 50. The frequency adjusting film and / or the protective film is an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.

基板１０としては、サファイア基板以外にシリコン基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、ガラス基板、セラミック基板またはＧａＡｓ基板等を用いることができる。下部電極１２および上部電極１６としては、ルテニウムおよびクロム以外にもアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）またはイリジウム（Ｉｒ）等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。例えば、上部電極１６の下層をルテニウム、上層を、モリブデンとしてもよい。 As the substrate 10, a silicon substrate, an alumina substrate, a spinel substrate, a quartz substrate, a crystal substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, a GaAs substrate, or the like can be used in addition to the sapphire substrate. In addition to ruthenium and chromium, the lower electrode 12 and the upper electrode 16 include aluminum (Al), titanium (Ti), copper (Cu), molybdenum (Mo), tungsten (W), tantalum (Ta), and platinum (Pt). , A monolayer film such as rhodium (Rh) or iridium (Ir), or a laminated film thereof can be used. For example, the lower layer of the upper electrode 16 may be ruthenium and the upper layer may be molybdenum.

圧電膜１４は、窒化アルミニウム以外にも、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃）等を用いることができる。また、例えば、圧電膜１４は、窒化アルミニウムを主成分とし、共振特性の向上または圧電性の向上のため他の元素を含んでもよい。例えば、添加元素として、スカンジウム（Ｓｃ）、２族元素もしくは１２族元素と４族元素との２つの元素、または２族元素もしくは１２族元素と５族元素との２つの元素を用いることにより、圧電膜１４の圧電性が向上する。このため、圧電薄膜共振器の実効的電気機械結合係数を向上できる。２族元素は、例えばカルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ストロンチウム（Ｓｒ）であり、１２族元素は例えば亜鉛（Ｚｎ）である。４族元素は、例えばチタン、ジルコニウム（Ｚｒ）またはハフニウム（Ｈｆ）である。５族元素は、例えばタンタル、ニオブ（Ｎｂ）またはバナジウム（Ｖ）である。さらに、圧電膜１４は、窒化アルミニウムを主成分とし、ボロン（Ｂ）を含んでもよい。 In addition to aluminum nitride, zinc oxide (ZnO), gallium nitride (GaN), lead zirconate titanate (PZT), lead titanate (PbTIO ₃ ), and the like can be used as the piezoelectric film 14. Further, for example, the piezoelectric film 14 may contain aluminum nitride as a main component and may contain other elements in order to improve the resonance characteristics or the piezoelectricity. For example, by using scandium (Sc), two elements of Group 2 or Group 12 and Group 4 elements, or two elements of Group 2 or Group 12 and Group 5 elements as additive elements, The piezoelectricity of the piezoelectric film 14 is improved. Therefore, the effective electromechanical coupling coefficient of the piezoelectric thin film resonator can be improved. Group 2 elements are, for example, calcium (Ca), magnesium (Mg), and strontium (Sr), and Group 12 elements are, for example, zinc (Zn). Group 4 elements are, for example, titanium, zirconium (Zr) or hafnium (Hf). Group 5 elements are, for example, tantalum, niobium (Nb) or vanadium (V). Further, the piezoelectric film 14 contains aluminum nitride as a main component and may contain boron (B).

［実施例１の製造方法］
図２（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る圧電薄膜共振器の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、基板１０を準備する。図２（ｂ）に示すように、基板１０の上面に凹部３１を形成する。凹部３１内に突起部２０を設ける。凹部３１の形成には、例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いる。突起部２０の立体形状は、フォトリソグラフィ法におけるマスクの形状およびエッチング法におけるエッチング条件より適宜選択できる。 [Manufacturing method of Example 1]
2 (a) to 3 (d) are cross-sectional views showing a method of manufacturing the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment. As shown in FIG. 2A, the substrate 10 is prepared. As shown in FIG. 2B, a recess 31 is formed on the upper surface of the substrate 10. A protrusion 20 is provided in the recess 31. For the formation of the recess 31, for example, a photolithography method and an etching method are used. The three-dimensional shape of the protrusion 20 can be appropriately selected from the shape of the mask in the photolithography method and the etching conditions in the etching method.

図２（ｃ）に示すように、基板１０上に犠牲層３８を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い成膜する。犠牲層３８は、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）またはリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ：phosphosilicate glass）等である。 As shown in FIG. 2C, the sacrificial layer 38 is formed on the substrate 10 by, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. The sacrificial layer 38 is, for example, magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), germanium (Ge), silicon oxide (SiO ₂ ), phosphosilicate glass (PSG), or the like.

図２（ｄ）に示すように、犠牲層３８の上面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い研磨または研削する。これにより、基板１０の上面が露出する。基板１０の上面と犠牲層３８の上面とは略平坦となる。 As shown in FIG. 2D, the upper surface of the sacrificial layer 38 is polished or ground by, for example, a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method. As a result, the upper surface of the substrate 10 is exposed. The upper surface of the substrate 10 and the upper surface of the sacrificial layer 38 are substantially flat.

図２（ｅ）に示すように、犠牲層３８および基板１０上に下部電極１２を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。その後、下部電極１２を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。下部電極１２は、リフトオフ法により形成してもよい。 As shown in FIG. 2E, the lower electrode 12 is formed on the sacrificial layer 38 and the substrate 10 by using, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or a CVD method. After that, the lower electrode 12 is patterned into a desired shape by using a photolithography method and an etching method. The lower electrode 12 may be formed by a lift-off method.

図３（ａ）に示すように、基板１０および下部電極１２上に圧電膜１４を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。 As shown in FIG. 3A, a piezoelectric film 14 is formed on the substrate 10 and the lower electrode 12 by using, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or a CVD method.

図３（ｂ）に示すように、圧電膜１４上に上部電極１６を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い成膜する。その後、上部電極１６をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。上部電極１６は、リフトオフ法により形成してもよい。圧電膜１４をフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。 As shown in FIG. 3B, the upper electrode 16 is formed on the piezoelectric film 14 by using, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or a CVD method. Then, the upper electrode 16 is patterned into a desired shape by using a photolithography method and an etching method. The upper electrode 16 may be formed by a lift-off method. The piezoelectric film 14 is patterned into a desired shape by using a photolithography method and an etching method.

図３（ｃ）に示すように、下部電極１２および上部電極１６上に金属層２２を例えば真空蒸着法およびリフトオフ法を用い形成する。金属層２２はパッドおよび／または配線として機能する。金属層２２は例えば下部電極１２および上部電極１６側からチタン層および金層である。 As shown in FIG. 3C, a metal layer 22 is formed on the lower electrode 12 and the upper electrode 16 by using, for example, a vacuum deposition method and a lift-off method. The metal layer 22 functions as a pad and / or wiring. The metal layer 22 is, for example, a titanium layer and a gold layer from the lower electrode 12 and the upper electrode 16 side.

図３（ｄ）に示すように、孔３５および導入路３３（図１（ａ）参照）を介し、犠牲層３８のエッチング液を下部電極１２の下の犠牲層３８に導入する。これにより、犠牲層３８が除去される。これにより、凹部３１に空隙３０が形成される。 As shown in FIG. 3D, the etching solution of the sacrificial layer 38 is introduced into the sacrificial layer 38 under the lower electrode 12 through the hole 35 and the introduction path 33 (see FIG. 1A). As a result, the sacrificial layer 38 is removed. As a result, the void 30 is formed in the recess 31.

［比較例１］
図４は、比較例１に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図４に示すように、比較例１では突起部２０が設けられていない。その他の構成は実施例１と同じである。外周領域５２における積層膜１８は共振領域５０における積層膜１８より層数が少ない。このため、積層膜１８に応力が加わると、外周領域５２における積層膜１８は変形しやすく、例えば空隙３０側に座屈変形する。圧電膜１４はスパッタリング法または真空蒸着法を用い形成されており、結晶が厚さ方向に配向する。下部電極１２の先端付近の領域６０では、圧電膜１４の結晶の配向方向が厚さ方向と異なり例えば斜め方向となる。周波数帯を高周波に設計する場合、積層膜１８の膜厚は薄くなり、構造的な強度が低下する。空隙３０を維持するために積層膜１８は圧縮応力を有して成膜される。しかし、強度を考慮して成膜した積層膜１８の圧縮応力が低い場合、領域６０において積層膜１８が矢印６２のように下方に座屈変形しやすくなる。この座屈変形によって圧電薄膜共振器に構造的な劣化が生じる課題、および／または、積層膜１８が基板１０に触れるスティッキングで圧電薄膜共振器の特性が劣化する課題がある。 [Comparative Example 1]
FIG. 4 is a cross-sectional view of the piezoelectric thin film resonator according to Comparative Example 1. As shown in FIG. 4, the protrusion 20 is not provided in Comparative Example 1. Other configurations are the same as in the first embodiment. The number of layers of the laminated film 18 in the outer peripheral region 52 is smaller than that of the laminated film 18 in the resonance region 50. Therefore, when stress is applied to the laminated film 18, the laminated film 18 in the outer peripheral region 52 is easily deformed, for example, buckling and deforming toward the void 30 side. The piezoelectric film 14 is formed by a sputtering method or a vacuum vapor deposition method, and the crystals are oriented in the thickness direction. In the region 60 near the tip of the lower electrode 12, the orientation direction of the crystals of the piezoelectric film 14 is different from the thickness direction and is, for example, an oblique direction. When the frequency band is designed to have a high frequency, the film thickness of the laminated film 18 becomes thin, and the structural strength decreases. The laminated film 18 is formed with compressive stress in order to maintain the voids 30. However, when the compressive stress of the laminated film 18 formed in consideration of strength is low, the laminated film 18 tends to buckle and deform downward in the region 60 as shown by the arrow 62. There is a problem that structural deterioration occurs in the piezoelectric thin film resonator due to this buckling deformation, and / or there is a problem that the characteristics of the piezoelectric thin film resonator deteriorate due to sticking when the laminated film 18 touches the substrate 10.

実施例１のように、突起部２０の先端が外周領域５２に位置する。これにより、外周領域５２において積層膜１８の下方への変形を抑制できる。突起部２０の先端が共振領域５０内に位置すると、共振領域５０において共振する弾性波が基板１０に漏洩する。これにより、損失が大きくなる。よって、突起部２０の先端は共振領域５０内に位置しないことで、損失を抑制できる。 As in the first embodiment, the tip of the protrusion 20 is located in the outer peripheral region 52. As a result, downward deformation of the laminated film 18 can be suppressed in the outer peripheral region 52. When the tip of the protrusion 20 is located in the resonance region 50, elastic waves resonating in the resonance region 50 leak to the substrate 10. This increases the loss. Therefore, the tip of the protrusion 20 is not located in the resonance region 50, so that the loss can be suppressed.

図５（ａ）から図５（ｆ）は、実施例１における突起部の例を示す斜視図である。図５（ａ）に示すように、突起部２０は頂点２０ａと底面２０ｃを有する円錐体状である。図５（ｂ）に示すように、突起部２０は、上面２０ｂと底面２０ｃを有する円錐台状である。図５（ｃ）に示すように、突起部２０は、頂点２０ａと底面２０ｃを有する多角錐体状である。図５（ｄ）に示すように、突起部２０は、上面２０ｂと底面２０ｃを有する多角錐台状である。図５（ａ）から図５（ｄ）のように、突起部２０は、錐体状または錘台状とすることができる。これにより、突起部２０の頂点２０ａおよび上面２０ｂが積層膜１８の下面に接触する面積を小さくできる。よって、積層膜１８が突起部２０に張り付いてしまうスティッキングを抑制できる。突起部２０の下部電極１２または圧電膜１４側の先端は頂点２０ａまたは上面２０ｂに対応する。突起部２０は円柱または多角柱等の柱体状でもよい。 5 (a) to 5 (f) are perspective views showing an example of a protrusion in the first embodiment. As shown in FIG. 5A, the protrusion 20 has a conical shape having an apex 20a and a bottom surface 20c. As shown in FIG. 5B, the protrusion 20 has a truncated cone shape having a top surface 20b and a bottom surface 20c. As shown in FIG. 5C, the protrusion 20 has a polygonal pyramid shape having an apex 20a and a bottom surface 20c. As shown in FIG. 5D, the protrusion 20 has a polygonal pyramid shape having an upper surface 20b and a lower surface 20c. As shown in FIGS. 5 (a) to 5 (d), the protrusion 20 may have a cone shape or a weight stand shape. As a result, the area where the apex 20a and the upper surface 20b of the protrusion 20 contact the lower surface of the laminated film 18 can be reduced. Therefore, sticking that the laminated film 18 sticks to the protrusion 20 can be suppressed. The lower electrode 12 or the tip on the piezoelectric film 14 side of the protrusion 20 corresponds to the apex 20a or the upper surface 20b. The protrusion 20 may have a columnar shape such as a cylinder or a polygonal prism.

図５（ｅ）に示すように、突起部２０は、断面形状が三角形状の線状であり、三角形状の頂点をつなぐ線２０ｄと底面２０ｃを有する。図５（ｆ）に示すように、突起部２０は断面形状が台形状の線状であり、台形状の上辺をつなぐ上面２０ｅと底面２０ｃを有する。図５（ｅ）および図５（ｆ）のように、突起部２０の頂部は線２０ｄまたは底面２０ｃより小さい上面２０ｅでもよい。これにより、積層膜１８が突起部２０に張り付いてしまうことを抑制できる。突起部２０の下部電極１２または圧電膜１４側の先端は線２０ｄまたは上面２０ｅに対応する。 As shown in FIG. 5E, the protrusion 20 has a triangular cross-sectional shape, and has a line 20d connecting the triangular vertices and a bottom surface 20c. As shown in FIG. 5 (f), the protrusion 20 has a trapezoidal linear cross section, and has an upper surface 20e and a bottom surface 20c connecting the upper side of the trapezoidal shape. As shown in FIGS. 5 (e) and 5 (f), the top of the protrusion 20 may be the upper surface 20e smaller than the line 20d or the bottom surface 20c. As a result, it is possible to prevent the laminated film 18 from sticking to the protrusion 20. The lower electrode 12 of the protrusion 20 or the tip of the piezoelectric film 14 on the side corresponds to the line 20d or the upper surface 20e.

［実施例１の変形例１］
図６（ａ）は、実施例１の変形例１に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図６（ａ）に示すように、突起部２０は外周領域５２のうち下部電極１２が共振領域５０から引き出される領域に設けられ、上部電極１６が共振領域５０から引き出される領域に設けられていなくてもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。 [Modification 1 of Example 1]
FIG. 6A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the first modification of the first embodiment. As shown in FIG. 6A, the protrusion 20 is provided in the outer peripheral region 52 where the lower electrode 12 is drawn out from the resonance region 50, and the upper electrode 16 is not provided in the region drawn out from the resonance region 50. You may. Other configurations are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

［実施例１の変形例２］
図６（ｂ）は、実施例１の変形例２に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図６（ｂ）に示すように、突起部２０は外周領域５２のうち上部電極１６が共振領域５０から引き出される領域に設けられ、下部電極１２が共振領域５０から引き出される領域に設けられていなくてもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。 [Modification 2 of Example 1]
FIG. 6B is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the second modification of the first embodiment. As shown in FIG. 6B, the protrusion 20 is not provided in the outer peripheral region 52 where the upper electrode 16 is pulled out from the resonance region 50 and the lower electrode 12 is not drawn out from the resonance region 50. You may. Other configurations are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

実施例１の変形例１および２のように、突起部２０は、外周領域５２のうち積層膜１８が変形しやすい領域に設ければよい。このように、突起部２０は、共振領域５０を囲む少なくとも一部の領域に設ければよい。 As in the first and second modifications of the first embodiment, the protrusion 20 may be provided in the outer peripheral region 52 where the laminated film 18 is easily deformed. In this way, the protrusion 20 may be provided in at least a part of the region surrounding the resonance region 50.

［実施例１の変形例３］
図７（ａ）は、実施例１の変形例３に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図７（ａ）に示すように、突起部２０は線状であり、共振領域５０を囲むように設けられている。突起部２０は導入路３３付近に開口部３２を有する。これにより、犠牲層をエッチングするときに、エッチング液が共振領域５０内の犠牲層３８に導入される。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例３のように、突起部２０は線状でもよい。 [Modification 3 of Example 1]
FIG. 7A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the third modification of the first embodiment. As shown in FIG. 7A, the protrusion 20 is linear and is provided so as to surround the resonance region 50. The protrusion 20 has an opening 32 near the introduction path 33. As a result, when the sacrificial layer is etched, the etching solution is introduced into the sacrificial layer 38 in the resonance region 50. Other configurations are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted. As in the modified example 3 of the first embodiment, the protrusion 20 may be linear.

［実施例１の変形例４］
図７（ｂ）は、実施例１の変形例４に係る圧電薄膜共振器の平面図である。図７（ｂ）に示すように、共振領域５０の平面形状は四角形である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例４のように、共振領域５０の平面形状は多角形状でもよい。多角形が互いに平行な辺を含まないことで、スプリアスを抑制できる。 [Modification 4 of Example 1]
FIG. 7B is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the fourth modification of the first embodiment. As shown in FIG. 7B, the planar shape of the resonance region 50 is a quadrangle. Other configurations are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted. As in the modified example 4 of the first embodiment, the planar shape of the resonance region 50 may be a polygonal shape. Spurious can be suppressed because the polygons do not include sides parallel to each other.

[実施例１の変形例５]
図８（ａ）は、実施例１の変形例５に係る圧電薄膜共振器の平面図である、図８（ａ）に示すように、基板１０の上面は略平面である。積層膜１８は上方に膨れ、空隙３０はドーム状に設けられている。ドーム状とは中心が高く周辺に向かうにしたがい高さが低くなる立体形状である。外周領域５２の基板１０の上面に突起部２０が設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。 [Modification 5 of Example 1]
FIG. 8A is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the modified example 5 of the first embodiment. As shown in FIG. 8A, the upper surface of the substrate 10 is a substantially flat surface. The laminated film 18 swells upward, and the void 30 is provided in a dome shape. The dome shape is a three-dimensional shape with a high center and a low height toward the periphery. A protrusion 20 is provided on the upper surface of the substrate 10 in the outer peripheral region 52. Other configurations are the same as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

[実施例１の変形例６]
図８（ｂ）は、実施例１の変形例６に係る圧電薄膜共振器の平面図である、図８（ｂ）に示すように、圧電膜１４は下部電極１２上に設けられた下部圧電膜１４ａと下部圧電膜１４ａ上に設けられた上部圧電膜１４ｂとを備えている。下部圧電膜１４ａと上部圧電膜１４ｂとの間に挿入膜２８が設けられている。挿入膜２８は、共振領域５０の中央領域に設けられておらず、中央領域を囲む少なくとも一部の領域に設けられている。 [Modified Example 6 of Example 1]
FIG. 8 (b) is a plan view of the piezoelectric thin film resonator according to the modified example 6 of the first embodiment. As shown in FIG. 8 (b), the piezoelectric film 14 is a lower piezoelectric film provided on the lower electrode 12. It includes a film 14a and an upper piezoelectric film 14b provided on the lower piezoelectric film 14a. An insertion film 28 is provided between the lower piezoelectric film 14a and the upper piezoelectric film 14b. The insertion film 28 is not provided in the central region of the resonance region 50, but is provided in at least a part of the region surrounding the central region.

上部電極１６が共振領域５０から引き出される領域では、空隙３０の外周と共振領域５０の外周（すなわち下部電極１２の外周）とは略一致する。これにより、外周領域５２は形成されない。下部電極１２が共振領域５０から引き出される領域では、空隙３０の外周は共振領域５０の外周（すなわち上部電極１６の外周）より外側に位置している。これにより、外周領域５２が形成される。突起部２０は外周領域５２に設けられている。上部圧電膜１４ｂの端面は上部電極１６の外周と略一致する。下部圧電膜１４ａの端面は上部圧電膜１４ｂの端面より外側に位置している。空隙３０はドーム状に設けられている。 In the region where the upper electrode 16 is drawn out from the resonance region 50, the outer circumference of the gap 30 and the outer circumference of the resonance region 50 (that is, the outer circumference of the lower electrode 12) substantially coincide with each other. As a result, the outer peripheral region 52 is not formed. In the region where the lower electrode 12 is pulled out from the resonance region 50, the outer circumference of the gap 30 is located outside the outer circumference of the resonance region 50 (that is, the outer circumference of the upper electrode 16). As a result, the outer peripheral region 52 is formed. The protrusion 20 is provided in the outer peripheral region 52. The end face of the upper piezoelectric film 14b substantially coincides with the outer circumference of the upper electrode 16. The end face of the lower piezoelectric film 14a is located outside the end face of the upper piezoelectric film 14b. The gap 30 is provided in a dome shape.

実施例１の変形例５および６のように、基板１０の上面は略平坦であり、積層膜１８が上方に膨らむことにより空隙３０が設けられていてもよい。実施例１の変形例６のように、外周領域５２は共振領域５０を囲む領域の一部にのみ設けられていてもよい。下部電極１２と上部電極１６との間に挿入膜２８が設けられていてもよい。挿入膜２８は共振領域５０全体に設けられていてもよい。圧電膜１４の端面は階段状でもよい。 As in the modified examples 5 and 6 of the first embodiment, the upper surface of the substrate 10 may be substantially flat, and the gap 30 may be provided by the laminated film 18 swelling upward. As in the modified example 6 of the first embodiment, the outer peripheral region 52 may be provided only in a part of the region surrounding the resonance region 50. An insertion membrane 28 may be provided between the lower electrode 12 and the upper electrode 16. The insertion film 28 may be provided over the entire resonance region 50. The end face of the piezoelectric film 14 may be stepped.

実施例１およびその変形例１から６において、突起部２０の材料は基板１０と同じ材料（すなわち突起部２０は基板１０の一部）でもよく、基板１０と異なる材料でもよい。突起部２０の材料が基板１０と異なる場合、突起部２０は例えば酸化シリコンまたは窒化シリコン等の絶縁体で形成する。 In the first embodiment and the first to sixth modifications thereof, the material of the protrusion 20 may be the same material as the substrate 10 (that is, the protrusion 20 is a part of the substrate 10), or may be a material different from the substrate 10. When the material of the protrusion 20 is different from that of the substrate 10, the protrusion 20 is formed of an insulator such as silicon oxide or silicon nitride.

［比較例２］
比較例２として、実施例１の変形例６と比較し突起部２０を有さない圧電薄膜共振器について、積層膜１８の下面の高さを２次元にてシミュレーションした。図９は、シミュレーションした比較例２に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図９では、図１から図８（ｂ）と異なり、下部電極１２は共振領域５０から右方向に引き出されており、上部電極１６は共振領域５０から左方向に引き出されている。下部電極１２および上部電極１６上に金属層２２が設けられている。 [Comparative Example 2]
As Comparative Example 2, the height of the lower surface of the laminated film 18 was simulated two-dimensionally for the piezoelectric thin film resonator having no protrusion 20 as compared with the modified example 6 of Example 1. FIG. 9 is a cross-sectional view of the piezoelectric thin film resonator according to the simulated Comparative Example 2. In FIG. 9, unlike FIGS. 1 to 8 (b), the lower electrode 12 is pulled out from the resonance region 50 to the right, and the upper electrode 16 is pulled out from the resonance region 50 to the left. A metal layer 22 is provided on the lower electrode 12 and the upper electrode 16.

シミュレーション条件は以下である。
基板１０：シリコン基板
下部電極１２：基板１０側から厚さが３９ｎｍのクロム膜および厚さが７７ｎｍのルテニウム膜
下部圧電膜１４ａ：厚さが２４３ｎｍの窒化アルミニウム膜
挿入膜２８：厚さが５３ｎｍの酸化シリコン膜
上部圧電膜１４ｂ：厚さが２４３ｎｍの窒化アルミニウム膜
上部電極１６：圧電膜１４側から厚さが９３ｎｍのルテニウム膜および厚さが１２ｎｍクロム膜
金属層２２：基板１０側から厚さが１００ｎｍのチタン膜および厚さが５００ｎｍの金膜
上部電極１６上の周波数調整膜：厚さが１９ｎｍの酸化シリコン膜
圧電薄膜共振器の共振周波数：約５ＧＨｚ
下部電極１２の内部応力：−１０００ＭＰａ（圧縮応力）
圧電膜１４の内部応力：０ＭＰａ
上部電極１６の内部応力：０ＭＰａ
外周領域５２の幅Ｗ２：５μｍ
共振領域５０の幅Ｗ１：共振領域５０の平面形状を長軸と短軸の比が７：５の楕円形とし、５ＧＨｚにおけるインピーダンスが５０Ω、６１Ω、６８Ωおよび１００Ωとなる短軸の長さ The simulation conditions are as follows.
Substrate 10: Silicon substrate Lower electrode 12: Chrome film with a thickness of 39 nm and ruthenium film with a thickness of 77 nm from the substrate 10 side Lower piezoelectric film 14a: Aluminum nitride film with a thickness of 243 nm Insert film 28: Thickness of 53 nm Silicon oxide film Upper piezoelectric film 14b: Aluminum nitride film with a thickness of 243 nm Upper electrode 16: Luthenium film with a thickness of 93 nm from the piezoelectric film 14 side and chromium film with a thickness of 12 nm Metal layer 22: Thickness from the substrate 10 side 100 nm titanium film and 500 nm thick gold film Frequency control film on top electrode 16: Silicon oxide film 19 nm thick Resonance frequency of piezoelectric thin film resonator: Approximately 5 GHz
Internal stress of lower electrode 12: -1000 MPa (compressive stress)
Internal stress of piezoelectric membrane 14: 0 MPa
Internal stress of upper electrode 16: 0 MPa
Width W2 of outer peripheral region 52: 5 μm
Width of resonance region 50 W1: The plane shape of resonance region 50 is an ellipse with a ratio of major axis to minor axis of 7: 5, and the length of minor axis with impedances of 50Ω, 61Ω, 68Ω and 100Ω at 5GHz.

図１０は、比較例２における位置に対する高さを示す図である。位置は図９における横方向の位置を示し、高さは積層膜１８の下面の高さを示し、応力が加わらないときの積層膜１８の下面の高さを０とする。共振領域５０、外周領域５２および空隙３０は、インピーダンスが６８Ωのときを示している。 FIG. 10 is a diagram showing the height with respect to the position in Comparative Example 2. The position indicates the position in the horizontal direction in FIG. 9, the height indicates the height of the lower surface of the laminated film 18, and the height of the lower surface of the laminated film 18 when no stress is applied is set to 0. The resonance region 50, the outer peripheral region 52, and the gap 30 indicate when the impedance is 68Ω.

図１０に示すように、積層膜１８の下面はドーム状となる。インピーダンスが６８Ωのとき、積層膜１８の下面の高さは外周領域５２で負となり、共振領域５０で正となる。インピーダンスが１００Ωのとき、外周領域５２における積層膜１８の下面の高さはより負となる。このように、インピーダンスが大きくなると（すなわち共振領域５０が小さくなると）、外周領域５２における積層膜１８は下方に変形する。これにより、共振領域５０と外周領域５２との境界付近において、積層膜１８が破損しやすくなる。 As shown in FIG. 10, the lower surface of the laminated film 18 has a dome shape. When the impedance is 68Ω, the height of the lower surface of the laminated film 18 becomes negative in the outer peripheral region 52 and positive in the resonance region 50. When the impedance is 100Ω, the height of the lower surface of the laminated film 18 in the outer peripheral region 52 becomes more negative. As described above, when the impedance becomes large (that is, when the resonance region 50 becomes small), the laminated film 18 in the outer peripheral region 52 is deformed downward. As a result, the laminated film 18 is liable to be damaged near the boundary between the resonance region 50 and the outer peripheral region 52.

上記シミュレーションのように、実施例１およびその変形例において、積層膜１８の内部応力を圧縮応力とすると、外周領域５２において積層膜１８が下方に変形しやすくなる。そこで、外周領域５２に突起部２０を設けることで、積層膜１８が下方に変形することを抑制できる。よって、積層膜１８の破損等を抑制できる。 As in the above simulation, if the internal stress of the laminated film 18 is a compressive stress in Example 1 and its modified examples, the laminated film 18 is likely to be deformed downward in the outer peripheral region 52. Therefore, by providing the protrusion 20 in the outer peripheral region 52, it is possible to prevent the laminated film 18 from being deformed downward. Therefore, damage to the laminated film 18 can be suppressed.

実施例１およびその変形例によれば、共振領域５０は平面視において空隙３０と重なり空隙３０より小さくなるように設けられている。これにより、特許文献１のように、圧電薄膜共振器の特性を向上できる。また、共振領域５０と空隙３０との合わせずれが生じても、共振領域５０は空隙３０と重なる。これにより、弾性波が基板１０に漏れ圧電薄膜共振器の特性が劣化することを抑制できる。 According to the first embodiment and its modification, the resonance region 50 is provided so as to overlap the gap 30 and be smaller than the gap 30 in a plan view. Thereby, as in Patent Document 1, the characteristics of the piezoelectric thin film resonator can be improved. Further, even if the resonance region 50 and the gap 30 are misaligned, the resonance region 50 overlaps with the gap 30. As a result, it is possible to prevent the elastic wave from leaking to the substrate 10 and deteriorating the characteristics of the piezoelectric thin film resonator.

１または複数の突起部２０は空隙３０と面する基板１０上に設けられ、突起部２０の先端は共振領域５０の外側に位置する。これにより、外周領域５２における積層膜１８の変形を抑制できる。突起部２０の下部電極１２または圧電膜１４側の先端は共振領域５０内に位置しない。これにより、突起部２０を介して共振領域５０内の弾性波が基板１０に漏洩することを抑制できる。よって、圧電薄膜共振器の損失等の特性を向上できる。 One or a plurality of protrusions 20 are provided on the substrate 10 facing the gap 30, and the tip of the protrusions 20 is located outside the resonance region 50. As a result, deformation of the laminated film 18 in the outer peripheral region 52 can be suppressed. The lower electrode 12 of the protrusion 20 or the tip of the piezoelectric film 14 on the side is not located in the resonance region 50. As a result, it is possible to prevent the elastic wave in the resonance region 50 from leaking to the substrate 10 through the protrusion 20. Therefore, characteristics such as loss of the piezoelectric thin film resonator can be improved.

空隙３０内における基板１０上に設けられた突起部２０の下部電極１２または圧電膜１４側の先端は、全て共振領域５０外に位置する。すなわち、先端が共振領域５０内に位置する突起部２０は設けられていない。これにより、突起部２０を介して共振領域５０内の弾性波が基板１０に漏洩することをより抑制できる。よって、圧電薄膜共振器の損失等の特性をより向上できる。 The lower electrode 12 of the protrusion 20 provided on the substrate 10 or the tip on the piezoelectric film 14 side in the gap 30 are all located outside the resonance region 50. That is, the protrusion 20 whose tip is located in the resonance region 50 is not provided. As a result, it is possible to further suppress the leakage of elastic waves in the resonance region 50 to the substrate 10 via the protrusions 20. Therefore, characteristics such as loss of the piezoelectric thin film resonator can be further improved.

共振領域５０と空隙３０との合わせずれが生じた場合にも、突起部２０が位置するのは共振領域５０の周縁の一部であり、弾性波の基板１０への漏洩を非常に小さくできる。 Even when the resonance region 50 and the gap 30 are misaligned, the protrusion 20 is located only in a part of the peripheral edge of the resonance region 50, and the leakage of elastic waves to the substrate 10 can be made very small.

突起部２０における先端の面積は基板１０側（例えば底面）の平面断面積より小さい。これにより、突起部２０の先端に積層膜１８の下面が張り付くことを抑制できる。また、共振領域５０と空隙３０との合わせずれが生じることで突起部２０の一部の先端が共振領域５０内に位置した場合にも、弾性波の基板１０への漏洩を非常に小さくできる。 The area of the tip of the protrusion 20 is smaller than the plane cross-sectional area of the substrate 10 side (for example, the bottom surface). As a result, it is possible to prevent the lower surface of the laminated film 18 from sticking to the tip of the protrusion 20. Further, even when a part of the tip of the protrusion 20 is located in the resonance region 50 due to the misalignment between the resonance region 50 and the gap 30, the leakage of elastic waves to the substrate 10 can be made very small.

突起部２０は、共振領域５０を囲む少なくとも一部の領域に設けられている。これにより、共振領域５０を囲む少なくとも一部に設けられた外周領域５２における積層膜１８の変形を抑制できる。 The protrusion 20 is provided in at least a part of the region surrounding the resonance region 50. As a result, deformation of the laminated film 18 in the outer peripheral region 52 provided in at least a part surrounding the resonance region 50 can be suppressed.

突起部２０の少なくとも一部は積層膜１８（すなわち下部電極１２または圧電膜１４）と接触している。これにより、積層膜１８の下方への変形を抑制できる。 At least a part of the protrusion 20 is in contact with the laminated film 18 (that is, the lower electrode 12 or the piezoelectric film 14). As a result, the downward deformation of the laminated film 18 can be suppressed.

図４の比較例１のように、上部電極１６が共振領域５０から引き出される領域では、下部電極１２の外周が共振領域５０の外周を規定している。このため、矢印６２のように積層膜１８が下方に座屈変形しやすい。そこで、実施例１の図１（ｂ）のように、突起部２０を上部電極１６が共振領域５０から引き出される領域に設ける。これにより、積層膜１８の変形を抑制できる。 In the region where the upper electrode 16 is pulled out from the resonance region 50 as in Comparative Example 1 of FIG. 4, the outer circumference of the lower electrode 12 defines the outer circumference of the resonance region 50. Therefore, as shown by the arrow 62, the laminated film 18 is likely to buckle and deform downward. Therefore, as shown in FIG. 1B of the first embodiment, the protrusion 20 is provided in the region where the upper electrode 16 is pulled out from the resonance region 50. As a result, the deformation of the laminated film 18 can be suppressed.

実施例１およびその変形例１から４のように、空隙３０は基板１０の表面に設けられた凹部３１により形成されていてもよい。このとき、突起部２０の先端は基板１０の表面と略同一平面に位置する。これにより、積層膜１８が基板１０の表面から下方に変形することを抑制できる。 As in the first embodiment and the first to fourth modifications thereof, the gap 30 may be formed by the recess 31 provided on the surface of the substrate 10. At this time, the tip of the protrusion 20 is located substantially on the same plane as the surface of the substrate 10. As a result, it is possible to prevent the laminated film 18 from being deformed downward from the surface of the substrate 10.

実施例１の変形例５および６のように、基板１０の表面は略平面であり、下部電極１２は、基板１０から空隙３０を介し上方に膨らんでいてもよい。 As in the modified examples 5 and 6 of the first embodiment, the surface of the substrate 10 is substantially flat, and the lower electrode 12 may bulge upward from the substrate 10 through the gap 30.

実施例２は、実施例１およびその変形例の圧電薄膜共振器を用いたフィルタの例である。図１１は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１１に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。 Example 2 is an example of a filter using a piezoelectric thin film resonator of Example 1 and its modifications. FIG. 11 is a circuit diagram of the filter according to the second embodiment. As shown in FIG. 11, one or a plurality of series resonators S1 to S4 are connected in series between the input terminal Tin and the output terminal Tout. One or more parallel resonators P1 to P3 are connected in parallel between the input terminal Tin and the output terminal Tout.

図１２（ａ）は、実施例２に係るフィルタの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ａ）では、突起部２０の図示を省略している。図１２（ｂ）における横方向の長さは図１２（ａ）と対応していない。 12 (a) is a plan view of the filter according to the second embodiment, and FIG. 12 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 12 (a). In FIG. 12A, the protrusion 20 is not shown. The lateral length in FIG. 12 (b) does not correspond to that in FIG. 12 (a).

図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、基板１０上に直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３が設けられている。直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３では、共振領域５０の外の空隙３０内に突起部２０が設けられている。各共振器に犠牲層をエッチングするための導入路３３が設けられている。実施例２のように、実施例１およびその変形例に係る圧電薄膜共振器を同一基板１０に形成し、ラダー型フィルタとすることができる。直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３の個数は適宜設定できる。直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３の共振領域５０の大きさおよび形状は、適宜変更可能である。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３の少なくとも１つの共振器に実施例１およびその変形例の圧電薄膜共振器を用いればよい。 As shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b), series resonators S1 to S4 and parallel resonators P1 to P3 are provided on the substrate 10. In the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 to P3, the protrusion 20 is provided in the gap 30 outside the resonance region 50. Each resonator is provided with an introduction path 33 for etching the sacrificial layer. As in the second embodiment, the piezoelectric thin film resonator according to the first embodiment and its modified examples can be formed on the same substrate 10 to form a ladder type filter. The number of series resonators S1 to S4 and parallel resonators P1 to P3 can be appropriately set. The size and shape of the resonance region 50 of the series resonators S1 to S4 and the parallel resonators P1 to P3 can be changed as appropriate. The piezoelectric thin film resonator of Example 1 and its modifications may be used for at least one resonator of one or more series resonators S1 to S4 and one or a plurality of parallel resonators P1 to P3.

［実施例２の変形例１］
図１３（ａ）は、実施例２の変形例１に係るフィルタの平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１３（ａ）では、突起部２０の図示を省略している。図１３（ｂ）における横方向の長さは図１３（ａ）と対応していない。図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、基板１０上に直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３が設けられている。並列共振器Ｐ１およびＰ３には導入路３３が設けられている。その他の共振器には導入路３３は設けられておらず、隣接する圧電薄膜共振器間を接続する接続部３６が設けられている。 [Modification 1 of Example 2]
13 (a) is a plan view of the filter according to the first modification of the second embodiment, and FIG. 13 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 13 (a). In FIG. 13A, the protrusion 20 is not shown. The lateral length in FIG. 13 (b) does not correspond to that in FIG. 13 (a). As shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b), series resonators S1 to S4 and parallel resonators P1 to P3 are provided on the substrate 10. An introduction path 33 is provided in the parallel resonators P1 and P3. The other resonators are not provided with an introduction path 33, but are provided with a connecting portion 36 for connecting adjacent piezoelectric thin film resonators.

図１４は、実施例２の変形例１における接続部付近の平面図、図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、それぞれ図１４のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図およびＣ−Ｃ断面図である。図１４から図１５（ｃ）に示すように、接続部３６は隣接する共振器（例えば直列共振器Ｓ１とＳ２）の空隙３０を接続する空隙３０ａが設けられている。空隙３０ａ内には突起部２０ｆが設けられている。接続部３６の空隙３０ａ上には圧電膜１４および上部電極１６（または下部電極１２）が設けられている。突起部２０の先端は圧電膜１４（または下部電極１２）の下面に接触している。図１５（ａ）および図１５（ｂ）では共振領域５０の外側において上部電極１６が繋がり、下部電極１２が離れた構造となっているが、共振領域５０の外側において上部電極１６が離れており、下部電極１２が繋がっている構造であってもよい。 14 is a plan view of the vicinity of the connection portion in the first modification of the second embodiment, and FIGS. 15 (a) to 15 (c) are a sectional view taken along the line AA, a sectional view taken along the line BB and a sectional view taken along the line C- It is a C sectional view. As shown in FIGS. 14 to 15 (c), the connecting portion 36 is provided with a gap 30a for connecting the gaps 30 of adjacent resonators (for example, series resonators S1 and S2). A protrusion 20f is provided in the gap 30a. A piezoelectric film 14 and an upper electrode 16 (or a lower electrode 12) are provided on the gap 30a of the connecting portion 36. The tip of the protrusion 20 is in contact with the lower surface of the piezoelectric film 14 (or the lower electrode 12). In FIGS. 15A and 15B, the upper electrode 16 is connected outside the resonance region 50 and the lower electrode 12 is separated, but the upper electrode 16 is separated outside the resonance region 50. , The structure may be such that the lower electrode 12 is connected.

犠牲層３８をエッチングするときに、図１４の矢印６４のように、直列共振器Ｓ１の空隙３０から直列共振器Ｓ２の空隙３０に接続部３６の空隙３０ａを介しエッチング液が流れる。このように、接続部３６はエッチング液の流路として機能する。接続部３６内の突起部２０ｆは、空隙３０ａ上の圧電膜１４および上部電極１６が潰れることを抑制できる。 When the sacrificial layer 38 is etched, the etching solution flows from the gap 30 of the series resonator S1 to the gap 30 of the series resonator S2 through the gap 30a of the connection portion 36 as shown by the arrow 64 in FIG. In this way, the connecting portion 36 functions as a flow path for the etching solution. The protrusion 20f in the connection 36 can prevent the piezoelectric film 14 and the upper electrode 16 on the gap 30a from being crushed.

実施例２の変形例１によれば、空隙３０ａは複数の共振器の空隙３０を接続する。空隙３０ａ上に下部電極１２、圧電膜１４および上部電極１６の少なくとも１つの層が設けられ、空隙３０ａ内に１または複数の突起部２０の少なくとも一部の突起部２０ｆが設けられている。これにより、接続部３６をエッチング液の流路として設けることができ、かつ突起部２０ｆは下部電極１２、圧電膜１４および上部電極１６の少なくとも１つの層が潰れることを抑制できる。 According to the first modification of the second embodiment, the gap 30a connects the gaps 30 of the plurality of resonators. At least one layer of the lower electrode 12, the piezoelectric film 14, and the upper electrode 16 is provided on the gap 30a, and at least a part of the protrusions 20f of one or a plurality of protrusions 20 is provided in the gap 30a. As a result, the connecting portion 36 can be provided as a flow path for the etching solution, and the protruding portion 20f can prevent the lower electrode 12, the piezoelectric film 14, and the upper electrode 16 from being crushed at least one layer.

実施例２のように、各圧電薄膜共振器に導入路３３を設けるとチップ面積が大きくなりフィルタが大型化する。そこで、実施例２の変形例１のように、接続部３６を設け、導入路３３は複数の圧電薄膜共振器のうち一部のみに設ける。これにより、フィルタを小型化できる。また、圧電薄膜共振器同士を近づけることができるため、圧電薄膜共振器間を接続する配線の短縮が可能となる。これにより、オーム損、誘電損を抑制できる。また、配線と他の配線との電磁結合および静電結合を抑制できる。よって、低損失なフィルタを提供できる。 If the introduction path 33 is provided in each piezoelectric thin film resonator as in the second embodiment, the chip area becomes large and the filter becomes large. Therefore, as in the first modification of the second embodiment, the connecting portion 36 is provided, and the introduction path 33 is provided only in a part of the plurality of piezoelectric thin film resonators. As a result, the filter can be miniaturized. Further, since the piezoelectric thin film resonators can be brought close to each other, the wiring for connecting the piezoelectric thin film resonators can be shortened. As a result, ohm loss and dielectric loss can be suppressed. In addition, electromagnetic coupling and electrostatic coupling between the wiring and other wiring can be suppressed. Therefore, a low loss filter can be provided.

［実施例２の変形例２］
図１６は、実施例２の変形例２に係るデュプレクサの回路図である。図１６に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例２およびその変形例１のフィルタとすることができる。マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。 [Modification 2 of Example 2]
FIG. 16 is a circuit diagram of a duplexer according to a modification 2 of the second embodiment. As shown in FIG. 16, a transmission filter 40 is connected between the common terminal Ant and the transmission terminal Tx. A reception filter 42 is connected between the common terminal Ant and the reception terminal Rx. The transmission filter 40 passes a signal in the transmission band among the signals input from the transmission terminal Tx to the common terminal Ant as a transmission signal, and suppresses signals of other frequencies. The reception filter 42 passes a signal in the reception band among the signals input from the common terminal Ant to the reception terminal Rx as a reception signal, and suppresses signals of other frequencies. At least one of the transmission filter 40 and the reception filter 42 can be the filter of the second embodiment and the first modification thereof. Although the duplexer has been described as an example as the multiplexer, a triplexer or a quadplexer may be used.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the examples of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific examples, and various modifications and modifications are made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０基板
１２下部電極
１４圧電膜
１４ａ下部圧電膜
１４ｂ上部圧電膜
１６上部電極
１８積層膜
２０、２０ｆ突起部
２０ａ頂点
２０ｂ、２０ｅ上面
２０ｃ底面
２０ｄ線
２８挿入膜
３６接続部
４０送信フィルタ
４２受信フィルタ
５０共振領域
５２外周領域 10 Substrate 12 Lower electrode 14 Piezoelectric film 14a Lower piezoelectric film 14b Upper piezoelectric film 16 Upper electrode 18 Laminated film 20, 20f Protrusion 20a Top 20b, 20e Top surface 20c Bottom surface 20d line 28 Insert film 36 Connection 40 Transmission filter 42 Reception filter 50 Resonance region 52 Outer peripheral region

Claims

With the board
A lower electrode provided on the substrate via a gap and
With the piezoelectric film provided on the lower electrode,
A resonance region provided on the piezoelectric film, sandwiching at least a part of the piezoelectric film and defined by a region overlapping the lower electrode in a plan view is formed, and the resonance region overlaps the void in a plan view and is formed from the gap. The upper electrode provided to be smaller and
A protrusion whose tip is located outside the resonance region and is provided on the substrate in the gap,
Piezoelectric thin film resonator.

The piezoelectric thin film resonator according to claim 1, wherein the tips of the protrusions provided on the substrate in the gap are all located outside the resonance region.

The piezoelectric thin film resonator according to claim 1 or 2, wherein the area of the tip of the protrusion is smaller than the cross-sectional area of the substrate.

The piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 3, wherein the protrusion is provided in at least a part of the region surrounding the resonance region.

The piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 4, wherein at least a part of the protrusion is in contact with the lower electrode or the piezoelectric film.

The piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 5, wherein the protrusion is provided in a region where the upper electrode is drawn out from the resonance region.

The voids are formed by recesses provided on the surface of the substrate.
The piezoelectric thin film resonator according to claim 6, wherein the tip of the protrusion is located substantially on the same plane as the surface of the substrate.

The surface of the substrate is substantially flat and
The piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 6, wherein the lower electrode swells upward from the substrate through the gap.

The piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 8, wherein the protrusion is a part of the substrate.

A filter including the piezoelectric thin film resonator according to any one of claims 1 to 9.

Including the plurality of the piezoelectric thin film resonators
A gap connecting the gaps of the plurality of piezoelectric thin film resonators, and at least one layer of the lower electrode, the piezoelectric film, and the upper electrode are provided on the connecting gap, and the protrusion is provided in the connecting gap. The filter according to claim 10, wherein at least a part of the above is provided.

A multiplexer containing the filter according to claim 10 or 11.