JP2021026283A - 流量制御装置および気化供給装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 新たに電源を設けることなく圧電素子を適切に冷却可能な流量制御装置および気化供給装置を提供する。【解決手段】 流量制御装置２０は、流体通路が形成された弁ブロック体２１と、複数の通気口２２ｃが形成されたケース２２と、ケース２２内に設けられ、流体通路を開閉するダイヤフラム６０と、ダイヤフラム６０を作動させる圧電素子５８とを有する開閉部５０と、弁ブロック体２１を加熱する加熱装置３０と、ケース２２の内部を冷却する冷却装置４０と、を備える。冷却装置４０は、加熱装置３０からの熱によって起電力を発生するペルチェ素子４１と、ペルチェ素子４１の起電力によって回転し、通気口２２ｃを介してケース２２内に空気を送出するファン４３とを備える。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体製造装置等に使用される流量制御装置および気化供給装置に関する。

流路と積層圧電アクチュエータとの間に、第１〜第３熱シールドを設けて、積層圧電アクチュエータの温度が高温になるのを抑制した質量流量制御装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

国際公開第２０１５／０４５９８７号

しかし、特許文献１の質量流量制御装置では、積層圧電アクチュエータの昇温抑制が十分ではなく、例えばファンを設けてさらに冷却する必要がある。しかし、ファンを回転させるためには、新たに電源を設ける必要がある。

そこで本開示は、新たに電源を設けることなく圧電素子を適切に冷却可能な流量制御装置および気化供給装置を提供することを目的とする。

上記目的を解決するために、本開示の一態様である流量制御装置は、流体通路が形成されたボディと、複数の通気口が形成されたケースと、前記ケース内に設けられ、前記流体通路を開閉する弁体と、前記弁体を作動させる圧電素子とを有する開閉部と、前記ボディを加熱する加熱装置と、前記ケースの内部を冷却する冷却装置と、を備え、前記冷却装置は、前記加熱装置からの熱によって起電力を発生するペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の起電力によって回転し、前記通気口を介して前記ケース内に空気を送出するファンと、を備える。

前記冷却装置は、前記ペルチェ素子に当接して固定されたヒートシンクを備えてもよい。

前記ヒートシンクは、前記ファンに対して、前記ファンの回転によって発生する空気の流れの上流側に位置していてもよい。

前記ヒートシンクは、前記ファンの回転軸に直交する方向に沿って所定間隔を開けて並設された複数の放熱フィンを有してもよい。

前記ファンは、上下方向において、前記圧電素子の下端部の高さに位置してもよい。

本開示の一態様である気化供給装置は、プロセスガスの原料となる液体を気化させる気化器と、前記気化器から送出されるガスの流量を制御する流量制御装置と、前記流量制御装置の一部および前記気化器を加熱する加熱装置と、前記流量制御装置の内部を冷却する冷却装置と、を備え、前記流量制御装置は、流体通路が形成されたボディと、複数の通気口が形成されたケースと、前記ケース内に設けられ、前記流体通路を開閉する弁体と、前記弁体を作動させる圧電素子とを有する開閉部と、を備え、前記冷却装置は、前記加熱装置からの熱によって起電力を発生するペルチェ素子と、前記ペルチェ素子の起電力によって回転し、前記通気口を介して前記ケース内に空気を送出するファンと、を備える。

前記冷却装置は、前記ペルチェ素子に当接して固定されたヒートシンクと、前記気化器へ固定され、前記気化器への液体の供給路の一部を構成し、流体通路を有するボディを備えた第１バルブと、をさらに備え、前記加熱装置は、前記気化器を加熱するヒータと、前記第１バルブと前記ケースとの間において前記気化器の直上に設けられ、前記第１バルブのボディの外周に当接する半円筒状の半円筒部と、前記半円筒部の前記ケース側に位置する板状の板状部とを有する伝熱用ブロック体と、を備え、前記ペルチェ素子は、前記板状部に設けられ、前記ヒートシンクは、前記半円筒部と前記ファンとの間に位置してもよい。

本開示によれば、新たに電源を設けることなく圧電素子を適切に冷却可能な流量制御装置および気化供給装置を提供することができる。

本開示の実施形態に係る気化供給装置の斜視図である。 加熱装置のプレートヒータを外した状態における気化供給装置１の正面図である。 加熱装置を外した状態における気化供給装置１の部分断面正面図である。 流量制御装置のケースの側面図である。

本開示の一実施形態に係る流量制御装置および気化供給装置について、図面を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係る気化供給装置１の斜視図である。
図２は、加熱装置３０のプレートヒータ３１を外した状態における気化供給装置１の正面図である。
図３は、加熱装置３０を外した状態における気化供給装置１の部分断面正面図である。

図１〜図３に示すように、気化供給装置１は、ベースプレート２と、気化器１０と、第１バルブ３と、流量制御装置２０と、圧力検出器４と、第２バルブ５と、加熱装置３０と、冷却装置４０と、断熱プレート６〜８を主に備える。気化器１０は、液体原料Ｌを加熱して気化させる。流量制御装置３は、気化器２から送出されるガスＧの流量を制御する。圧力検出器４は、気化器２で気化され流量制御装置３に送られるガスＧの圧力を検出する。金属製のベースプレート２上に、樹脂製の断熱プレート８が固定され、断熱プレート８上に残りの部材が設けられている。

図２、３に示すように、気化器１０は、予備ブロック体１１と、本体１２と、を備える。予備ブロック体１１は、ステンレス鋼等からなり、内部に液貯留室１１ａが形成され、上面に液流出口１１ｂが形成されている。予備ブロック体１１の側面には、液流入ポート１１Ｃが接続されている。液貯留室１１ａには、図示せぬ貯液タンクから所定圧で圧送されてくる液体原料Ｌが貯留される。

本体１２は、第１ブロック体１３、第２ブロック体１４、および第３ブロック体１５を備え、それらは連結されている。第１ブロック体１３、第２ブロック体１４、および第３ブロック体１５は、例えばステンレス鋼等により構成されている。第１ブロック体１３は、上部に液供給口１３ａが形成され、内部に気化室１３ｂが形成されている。第１ブロック体１３と予備ブロック体１１との間に樹脂製または金属製の断熱プレート６が介在している。第２ブロック体１４には、第１ブロック体１３の気化室１３ｂの上部と連通する円柱状の第１ガス加熱室１４ａが内部に形成されている。第３ブロック体１５は、第１ガス加熱室１４ａと連通する円柱状の第２ガス加熱室１５ａが内部に形成され、ガス排出口１５ｂが上部に形成されている。

第１ガス加熱室１４ａおよび第２ガス加熱室１５ａには、円柱状の加熱促進体１６、１７が設置され、加熱促進体１６、１７の外周の空間がガス流路となっている。第１ブロック体１３と第２ブロック体１４の間、および第２ブロック体１４と第３ブロック体１５の間の、それぞれのガス連通部には、通孔付きガスケット１８、１９が介在され、これらの通孔付きガスケット１８、１９の通孔をガスが通過することにより、ガスの脈動が防止される。

第１ブロック体１３と予備ブロック体１１の上面を跨ぐようにして第１バルブ３が固定されている。第１バルブ３は、予備ブロック体１１の液流出口１１ｂと第１ブロック体１３の液供給口１３ａとを連通する図示せぬ供給路を開閉又は開度調整することにより、気化器２への液体原料Ｌの供給量を制御する。本実施形態の第１バルブ３は、空気圧を利用して弁体の開閉を制御するエア駆動弁が用いられている。図示せぬ供給路は、第１バルブ３の略円柱状のボディ３Ａに形成されている。

本実施形態の流量制御装置２０は、高温対応型の圧力式流量制御装置と呼ばれる公知の流量制御装置である。流量制御装置２０は、弁ブロック体２１と、ケース２２と、開閉部５０と、を備える。

図３に示すように、ボディである弁ブロック体２１は、例えばステンレス鋼等により構成されている。弁ブロック体２１には、弁室２１ａと、弁室２１ａに連通する流入路２１ｂおよび流出路２１ｃとが形成されている。弁ブロック体２１の流入路２１ｂと弁室２１ａとが連通する箇所の周縁（流入路２１ｂの開口部）には、開閉部５０に向かって突出する円環状の弁座２１Ｄが設けられている。ケース２２は、略直方体状をなし、弁ブロック体２１上に設置されている。図４に示すように、ケース２２の側面２２Ａ、２２Ｂには、上下方向に沿って複数の通気口２２ｃが形成されている。

図３に示すように、開閉部５０は、弁ブロック体２１およびケース２２内に設けられている。開閉部５０は、ガイド部材５１と、スペーサケース５２と、素子ケース５３と、ブリッジ５４と、鍔部５５と、コイルバネ５６と、スペーサ５７と、圧電素子５８と、押圧部５９と、ダイヤフラム６０と、圧力検出器６１と、オリフィス部６２と、を備える。

ガイド部材５１は、円筒状をなし、上下方向に沿って延び、弁ブロック体２１に固定されている。ガイド部材５１の上端部には、フランジ５１Ａが設けられている。スペーサケース５２は、円筒状をなし、上下方向に沿って延び、上下方向に摺動可能にガイド部材５１内に設けられている。素子ケース５３は、円筒状をなし、上下方向に沿って延び、その下端部は、スペーサケース５２の上端部に固定されている。素子ケース５３の上端にはカバー５３Ａが装着されている。ブリッジ５４は、スペーサケース５２の下端部に形成されたスリット５２ａに挿入されている。ブリッジ５４は、ガイド部材５１により上側から押圧されて、弁ブロック体２１に固定されている。

鍔部５５は、鍔受け５５Ａと、鍔体５５Ｂとを備える。鍔受け５５Ａは、スペーサケース５２の外周に設けられ、ガイド部材５１に形成された貫通孔５１ｂを貫通している。鍔体５５Ｂは、鍔受５５Ａ上に設けられている。コイルバネ５６は、フランジ５１Ａと鍔体５５Ｂとの間に圧縮状態で設けられている。コイルバネ５６は、鍔部５５を介して、スペーサケース５２および素子ケース５３を常に下側に押圧している。

スペーサ５７は、金属（例えばインバー材）または樹脂等の材料により構成され、円柱状をなし、スペーサケース５２内に設けられている。スペーサ５７の下端は、ブリッジ５４の上端に当接している。圧電素子５８は、積層圧電素子であり、全体として略円柱状をなしている。圧電素子５８は、スペーサ５７の上側に位置し、素子ケース５３内に設けられている。スペーサ５７によって、圧電素子５８が弁ブロック体２１から離間しているので、弁ブロック体２１の流入路２１ｂおよび流出路２１ｃに高温のガスＧが流れても、圧電素子５８が所定の温度以上になるのが抑制される。

押圧部５９は、スペーサケース５２の下側に位置している。スペーサケース５２の下端は、押圧部５９に当接している。ダイヤフラム６０は、例えばニッケル−コバルト合金からなり、弁室２１ａ内に設けられ、弁ブロック体２１に対し外周縁が保持されている。ダイヤフラム６０は、略球殻状をなし、上に凸の略球殻状が自然状態となっている。ダイヤフラム６０が弁座２１Ｄに対し当接および離間することによって、流入路２１ｂと流出路２１ｃとの間の連通または遮断が行われる。圧力検出器６１は、流出路２１ｃ内のガスＧの圧力を検出する。オリフィス部６２には、微細孔（オリフィス）が形成され、流出路２１ｃの下流側の端部に位置している。

圧電素子５８の非通電時には、コイルバネ５６によりスペーサケース５２および素子ケース５３が図の下方に押され、ダイヤフラム６０が弁座２１Ｄに当接し、流入路２１ｂと流出路２１ｃが遮断されている。圧電素子５８に通電することによって、圧電素子５８が伸張し、コイルバネ５６の弾性力に抗してスペーサケース５２および素子ケース５３を図３の上方へ持ち上げるとダイヤフラム６０が自己弾性力により上に凸の略球殻状に復帰して流入路２１ｂと流出路２１ｃとが連通する。

流量制御装置２０は、オリフィス部６２の少なくとも上流側のガス圧力を圧力検出器６１によって検出し、検出した圧力信号に基づいて圧電素子５８によりダイヤフラム６０を動作させてガスＧの流量を制御する。オリフィス部６２より上流側のガスＧの絶対圧力がオリフィス部６２より下流側のガスＧの絶対圧力の約２倍以上（臨界膨張条件）になるとオリフィス部６２の微細孔を通過するガスＧの速度が音速となり、それ以上の流速にならない。このため、ガスＧの流量は微細孔の上流側のガスＧの圧力のみに依存しオリフィス部６２の微細孔を通過するガスの流量は、ガスＧの圧力に比例するという原理を利用している。なお、図示しないが、オリフィス部６２の微細孔より下流側のガスＧの圧力も検出して、微細孔の上流側と下流側のガスＧの差圧に基づいてガスＧの流量制御することも可能である。なお、オリフィス部６２の孔はオリフィスに限らず流体を絞る構造のものであればよい。

第３ブロック体１３と弁ブロック体２１との間に、スペーサブロック体７０が設けられている。スペーサブロック体７０は、第３ブロック体１３および弁ブロック体２１のそれぞれに連結されている。、流路ブロック７１が、第３ブロック体１３とスペーサブロック体７０とに跨るようにして固定されている。流路ブロック７１内の図示せぬガス流路を介して、第３ブロック体１３のガス流路である第２ガス加熱室１５ａとスペーサブロック体７０のガス流路７２とが連通される。スペーサブロック体７０のガス流路７２は、弁ブロック体２１の流入路２１ｂに連通している。

圧力検出器４は、弁ブロック体２１の流入路２１ｂに設けられ、気化器１０で気化され流量制御装置２０に送られるガスＧの圧力を検出する。

圧力検出器４の検出した圧力値の信号（Ｐ０）は常に図示せぬ制御装置に送られ、モニターされている。気化室１３ｂ内の液体原料Ｌが気化によって少なくなると気化器１０の内部圧力が減少する。気化室１３ｂ内の液体原料Ｌが減少して気化器１０内の内部圧力が減少し、圧力検出器４の検出圧力が予め設定された設定値に達すると、図示せぬ制御装置は、第１バルブ３を所定時間だけ開けることにより、所定量の液体原料Ｌを気化室１３ｂに供給する。気化室１３ｂ内に所定量の液体原料Ｌが供給されると液体原料Ｌが気化することにより気化器１０内のガス圧力が再び上昇し、その後、液体原料Ｌが少なくなることにより再び気化器１０の内部圧力が減少する。そして気化器１０の内部圧力が設定値に達すると前記したように再び第１バルブ２を所定時間だけ開ける。このような制御シーケンスにより、気化室１３ｂに所定量の液体原料が逐次補充される。

気化室１３ｂに供給される液体原料Ｌの最大水位が予め設定され、その最大水位に応じて、気化室１３ｂに供給される液体原料Ｌの前記所定量が設定される。図３に示す気化室１３ｂの液体原料Ｌの水位は設定最大水位を示している。

図２、３に示すように、流量制御装置２０の下流側には、２つの下流側ブロック体７３、７４が設けられている。下流側ブロック体７３は、弁ブロック体２１に連結されている。各下流側ブロック体７３、７４には、ガス流路７５、７６が形成されている。第２バルブ５は、下流側ブロック体７３、７４に跨るようにして固定されている。第２バルブ５の図示せぬガス流路は、各下流側ブロック体７３、７４のガス流路７５、７６に連通している。第２バルブ５の図示せぬ供給路は、第２バルブ５の略円柱状のボディ５Ａに形成されている。下流側ブロック体７４の側面には、ガスＧを送出するための液送出ポート７７が接続されている。下流側ブロック体７３、７４の間には、樹脂製または金属製の断熱プレート７が介在している。

図１、２に示すように、加熱装置３０は、複数のプレートヒータ３１と、複数の伝熱用ブロック体３２とを備える。複数のプレートヒータ３１は、複数のプレート３３と、複数の電熱線３４とを備える。複数のプレート３３は、第１ブロック体１３、第２ブロック体１４、第３ブロック体１５、スペーサブロック体７０、弁ブロック体２１、および下流側ブロック体７３、７４の上流から下流に向かう方向に沿った両面および底面に当接して設けられている。弁ブロック体２１を加熱するためのプレート３３は、流量制御装置２０のうち弁ブロック体２１に対応する部分にのみ当接し、残り部分には当接していない。各電熱線３４は、各プレート３１に形成された図示せぬ挿入孔に挿入されている。なお、各プレートヒータ３１は、予備ブロック体１１と、気化器２と、スペーサブロック体７０、流量制御装置２０、および下流側ブロック体とを、例えばそれぞれ１８５℃、２００℃、および２１０℃に加熱する。

各伝熱用ブロック体３２は、金属（例えばアルミニウム合金）により構成され、複数のプレート３３に固定されている。複数の伝熱用ブロック体３２は、上流側から下流側に向かって、第１伝熱体３５、第２伝熱体３６、第３伝熱体３７、第４伝熱体３８、および第４伝熱体３９を有する。

第１伝熱体３５は、予備ブロック体１１の上面に当接する当接部３５Ａと、第１バルブ３のボディ３Ａの外周に当接する略半円筒状の半円筒部３５Ｂとを備える。第２伝熱体３６は、第１バルブ３のボディ３Ａの外周に当接する略半円筒状の半円筒部３６Ａと、略板状の板状部３６Ｂとを備える。板状部３６Ｂは、第１ブロック体１３および第２ブロック体１４の直上に位置し、第１ブロック体１３および第２ブロック体１４との間に隙間を有する。第１伝熱体３５の半円筒部３５Ｂおよび第２伝熱体３６の半円筒部３６Ａによって、第１バルブ３のボディ３Ａの全周が囲まれている。第３伝熱体３７は、略板状をなし、流路ブロック７１上に設けられている。第３伝熱体３７と、第２伝熱体３６の板状部３６Ｂとは連結されている。第４伝熱体３８は、略半円筒状をなし、第２バルブ５のボディ５Ａの外周に当接する。第５伝熱体３９は、第２バルブ５のボディ５Ａの外周に当接する略半円筒状の半円筒部３９Ａと、下流側ブロック体７４の上面に当接する当接部３９Ｂとを備える。第４伝熱体３８と第５伝熱体３９の半円筒部３９Ａとによって、第２バルブ５のボディ５Ａの全周が囲まれている。

冷却装置４０は、ペルチェ素子４１と、ヒートシンク４２と、ファン４３と、固定具４４と、配線４５と、を備える。

ペルチェ素子４１は、第２伝熱体３６の板状部３６Ｂおよび第３伝熱体３７上にシリコングリースを介して固定されている。熱伝導率が高い金属で構成されたヒートシンク４２は、ペルチェ素子４１に対し当接して固定され、複数の放熱フィン４２Ａを有している。複数の放熱フィン４２Ａは、上流から下流に向かう方向に直交しかつ第２伝熱体３６の板状部３６Ｂの上面に平行な方向に沿って所定間隔を開けて並設されている。すなわち、複数の放熱フィン４２Ａは、ファン４３の回転軸に直交する方向に沿って所定間隔を開けて並設されている。このため、ヒートシンク４２を冷却する空気は、上流から下流に向かう方向に沿って流れる。ヒートシンク４２は、第２伝熱体３６の半円筒部３６Ａの下流側に位置している。

ファン４３は、ケース２２の上流側の側面２２Ａに、固定具４４により固定されている。ファン４３は、上下方向において、圧電素子５８の下端部付近の高さに設置されている。また、ファン４３は、上下方向において、下流側から見た時に少なくともその一部がヒートシンク４２と重なる高さに設置されている。すなわち、ヒートシンク４２は、ファン４３に対し、その回転により発生する空気の流れの上流側に位置している。配線４５は、ペルチェ素子４１とファン４３とに接続されている。加熱装置３０による熱によって、ペルチェ素子４１に起電力が発生し、当該起電力によってファン４３が回転する。ファン４３の回転により、ファン４３の上流側のヒートシンク４２を通過した空気Ｆが、側面２２Ａの通気口２２ｃを介して、ケース２２内に引き込まれる。ケース２２内に引き込まれた空気Ｆは、圧電素子５８の下端部の周囲を通過して、側面２２Ｂの通気口２２ｃからケース２２の外部に排出される。なお、ヒートシンク４２によって、ペルチェ素子４１の両面の温度差が大きくなるので、起電力を大きくすることができる。

熱電対８０の先端は、第１伝熱体３５の半円筒部３５Ｂに挿入されている。熱電対８１の先端は、第１ブロック体１３および第２ブロック体１４との境界の下側に位置するプレートヒータ３１に挿入されている。熱電対８２の先端は、下流側ブロック体７３に挿入されている。サーモスタッド８３は、第１伝熱体３５の当接部３５Ａに設けられている。サーモスタッド８４は、第１ブロック体１３および第２ブロック体１４に当接するプレートヒータ３１上に設けられている。サーモスタッド８５は、下流側ブロック体７３に当接するプレートヒータ３１上に設けられている。

以上のように、本実施形態の気化供給装置１は、プロセスガスの原料となる液体を気化させる気化器１０と、気化器１０から送出されるガスの流量を制御する流量制御装置２０と、流量制御装置２０の一部および気化器１０を加熱する加熱装置３０と、流量制御装置２０の内部を冷却する冷却装置４０と、を備える。流量制御装置２０は、流体通路が形成された弁ブロック体２１と、複数の通気口２２ｃが形成されたケース２２と、ケース２２内に設けられ、流体通路を開閉するダイヤフラム６０と、ダイヤフラム６０を作動させる圧電素子５８とを有する開閉部５０と、を備える。冷却装置４０は、加熱装置３０からの熱によって起電力を発生するペルチェ素子４１と、ペルチェ素子４１の起電力によって回転し、通気口２２ｃを介してケース２２内に空気を送出するファン４３と、を備える。

かかる構成によれば、気化器１０を加熱するための加熱装置３０の熱を利用して、ペルチェ素子４１によってファン４３を回転させて、流量制御装置２０のケース２２内の圧電素子５８を冷却することができる。よって、新たに電源を設けることなく、圧電素子５８を適切に冷却することができる。ファン４３によってケース２２内に空気を送ることによって、圧電素子５８の破損を抑制することができる。

冷却装置２０は、ペルチェ素子４１に当接して固定されたヒートシンク４２を備えるので、ペルチェ素子４１の両面の温度差が大きくなるので、起電力を大きくすることができる。よって、ファン４３を高速で回転させることができ、圧電素子５８をより冷却することができる。

ヒートシンク４２は、ファン４３に対して、ファン４３の回転によって発生する空気の流れの上流側に位置している。これにより、ファン４３の回転によって発生する空気は、ヒートシンク４２を通過するので、ペルチェ素子４１の両面の温度差をさらに大きくすることができる。この結果、ファン４３をより高速で回転させることができ、圧電素子５８をさらに冷却することができる。

ヒートシンク４２は、ファン４３の回転軸に直交する方向に沿って所定間隔を開けて並設された複数の放熱フィン４２Ａを有するので、ファン４３の回転によって発生する空気は、隣り合う放熱フィン４２Ａの間を通過する。このため、ペルチェ素子４１の両面の温度差をさらに大きくすることができ、ファン４３をより高速で回転させることができ、圧電素子５８をさらに冷却することができる。

ファン４３は、上下方向において、圧電素子５８の下端部の高さに位置してるので、圧電素子５８において最も高温になる下端部を冷却することができ、圧電素子５８の破損を抑制することができる。

加熱装置３０は、気化器１０を加熱するプレートヒータ３１と、第１バルブ３とケース２０との間において気化器１０の直上に設けられ、第１バルブ３のボディ３Ａの外周に当接する半円筒部３６Ａと、半円筒部３６Ａのケース２０側に位置する板状部３６Ｂとを有する第２伝熱体３６と、を備え、ペルチェ素子４１は、板状部３６Ｂに設けられ、ヒートシンク４２は、半円筒部３６Ａとファン４３との間に位置する。

かかる構成によれば、ファン４３の回転によって発生する空気は、半円筒部３６Ａの外周に沿って流れた後、ヒートシンク４２へ流れる。このため、第１バルブ３が、ヒートシンク４２の上流に配置されていたとしても、ヒートシンク４２を冷却することができる。

以上で本開示の一実施形態についての説明を終えるが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更ができるものである。

例えば、ファン４３は、ケース２２の上流側の側面２２Ａに固定されていたが、ケース２２の下流側の側面２２Ｂに固定されていてもよいし、第３伝熱体３７に固定されていてもよい。ペルチェ素子４１およびヒートシンク４２は、第２伝熱体３６の板状部３６Ｂに固定されていたが、複数のプレートヒータ３１および複数の伝熱用ブロック体３２において、ペルチェ素子４１およびヒートシンク４２を固定可能な部分であれば、いずれの部分に固定されていてもよい。

図３に点線で示すように、弁ブロック体２１の上面に、断熱材２４を設けてもよい。当該断熱材２４により、弁ブロック体２１の熱が、ケース２２内に放熱されるのを抑制することができる。さらに、当該断熱材２４により、ケース２２内に引き込まれた空気Ｆによって、弁ブロック体２１が冷却されるのを抑制することができる。上記の実施形態では、流量制御装置２０と、加熱装置３０と、冷却装置４０とは、別々の構成として記載したが、流量制御装置２０は、加熱装置３０と、冷却装置４０とを備える流量制御装置であってもよい。この場合、冷却装置４０のペルチェ素子４１およびヒートシンク４２は、弁ブロック体２１を加熱するプレートヒータ３１に設ければよい。

１：気化供給装置
３：第１バルブ
３Ａ：ボディ
１０：気化器
２０：流量制御装置
２１：弁ブロック体
２２：ケース
２２ｃ：通気口
３０：加熱装置
３１：プレートヒータ
３６：第２伝熱体
３６Ａ：半円筒部
３６Ｂ：板状部
４０：冷却装置
４１：ペルチェ素子
４２：ヒートシンク
４２Ａ：放熱フィン
４３：ファン
５０：開閉部
５８：圧電素子
６０：ダイヤフラム

Claims (7)

1. 流体通路が形成されたボディと、
   複数の通気口が形成されたケースと、
   前記ケース内に設けられ、前記流体通路を開閉する弁体と、前記弁体を作動させる圧電素子とを有する開閉部と、
   前記ボディを加熱する加熱装置と、
   前記ケースの内部を冷却する冷却装置と、を備え、
   前記冷却装置は、
   前記加熱装置からの熱によって起電力を発生するペルチェ素子と、
   前記ペルチェ素子の起電力によって回転し、前記通気口を介して前記ケース内に空気を送出するファンと、を備える流量制御装置。
2. 前記冷却装置は、前記ペルチェ素子に当接して固定されたヒートシンクを備える、請求項１に記載の流量制御装置。
3. 前記ヒートシンクは、前記ファンに対して、前記ファンの回転によって発生する空気の流れの上流側に位置している、請求項２に記載の流量制御装置。
4. 前記ヒートシンクは、前記ファンの回転軸に直交する方向に沿って所定間隔を開けて並設された複数の放熱フィンを有する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の流量制御装置。
5. 前記ファンは、上下方向において、前記圧電素子の下端部の高さに位置してる、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の流量制御装置。
6. プロセスガスの原料となる液体を気化させる気化器と、
   前記気化器から送出されるガスの流量を制御する流量制御装置と、
   前記流量制御装置の一部および前記気化器を加熱する加熱装置と、
   前記流量制御装置の内部を冷却する冷却装置と、を備え、
   前記流量制御装置は、
   流体通路が形成されたボディと、
   複数の通気口が形成されたケースと、
   前記ケース内に設けられ、前記流体通路を開閉する弁体と、前記弁体を作動させる圧電素子とを有する開閉部と、を備え、
   前記冷却装置は、
   前記加熱装置からの熱によって起電力を発生するペルチェ素子と、
   前記ペルチェ素子の起電力によって回転し、前記通気口を介して前記ケース内に空気を送出するファンと、を備える気化供給装置。
7. 前記冷却装置は、前記ペルチェ素子に当接して固定されたヒートシンクと、
   前記気化器に固定され、前記気化器への液体の供給路の一部を構成し、流体通路を有するボディを備えた第１バルブと、をさらに備え、
   前記加熱装置は、
   前記気化器を加熱するヒータと、
   前記第１バルブと前記ケースとの間において前記気化器の直上に設けられ、前記第１バルブのボディの外周に当接する半円筒状の半円筒部と、前記半円筒部の前記ケース側に位置する板状の板状部とを有する伝熱用ブロック体と、を備え、
   前記ペルチェ素子は、前記板状部に設けられ、前記ヒートシンクは、前記半円筒部と前記ファンとの間に位置する、請求項６に記載の気化供給装置。

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