JP2021026233A - 液晶パネルの製造方法および液晶パネルの製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】気泡の残留や表示ムラ等の欠陥が抑制された、品位の高い液晶パネルの製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】一対の基板のうち一方の基板にシール材４０を環状に塗布するシール材塗布工程と、一方の基板のシール材４０の内側および他方の基板のそれぞれに液晶３０を滴下する液晶滴下工程と、滴下された液晶３０を挟むように一対の基板を真空環境下で貼り合わせる真空貼合工程と、を含み、液晶滴下工程において、一対の基板を対向させた状態において液晶３０の滴下位置がずれた状態となるように液晶３０を滴下するとともに、各基板の液晶３０が滴下される面の凹凸に応じて各基板に対する液晶３０の滴下量に差をつける。【選択図】図６

Description

本発明は、液晶パネルの製造方法および液晶パネルの製造装置に関する。

液晶パネルの製造方法としては、従来、大別して真空注入工法と液晶滴下工法（ＯＤＦ工法）が知られている。このうち液晶滴下工法は、例えば、一対の基板のうちの一方に紫外線硬化型のシール材を枠状に塗布すると共にその内側に液晶を滴下し、他方の基板と真空中で貼り合わせ、大気圧プレスした後、紫外線を照射してシール材を硬化させる工法である。この種の液晶滴下工法は、真空注入工法と比較して、生産性に優れている。

特開２００５−６２５０１号公報

しかし上述した方法では、基板上に滴下した液晶（液滴）が貼り合わせ時に広がりきらず、気泡が残ってしまう場合がある。このような現象は、液晶材料自体の物性（粘度等）や、液晶の滴下間隔が広いこと、あるいは基板表面の凹凸形状や膜構成（ＶＡモードでは高接触角）によるものと考えられ、特に大型パネルで多く見られる。そこで、気泡を残さないために、液晶の滴下点数を増やして、液晶の広がり不足を回避する方法が考えられる。しかし、単に液晶の滴下点数を増やした場合には、貼り合せ前の真空引きの際に、基板表面からの水分等の脱ガスが、滴下された液晶により阻害されるという問題を生じる。脱ガスが不十分となると、製品パネルにおける温度変化や圧力変化に伴って気泡が発生し、信頼性の低下につながる。

また、基板上に滴下した液晶（液滴）が広がる際に、互いに隣接する液滴の広がりの境界部で配向が不均一になり、ブロックムラや筋ムラ等の表示ムラが生じるという問題がある。このような現象は、ＰＳＡ機種で多く観察される。これは、液晶が広がる過程で基板表面に不純物が付着している場合、液晶がこれらの不純物を引きずりつつ広がり、隣接する液滴の広がりの境界線上が最も不純物密度が高くなることや、基板の凹凸形状等により液晶の広がり方が不均一になり易いためである。この場合も液晶の滴下点数を増やして不純物密度を低く抑えたり、液晶の広がりの不均一を抑制することが考えられるが、上述した事情により、単に滴下点数を増やすことは好ましくない。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、気泡の残留や表示ムラ等の欠陥が抑制された、品位の高い液晶パネルの製造方法および液晶パネルの製造装置を提供することを目的とする。

（１）本発明の一実施形態は、一対の基板のうち一方の基板にシール材を環状に塗布するシール材塗布工程と、前記一方の基板の前記シール材の内側および前記一対の基板のうち他方の基板のそれぞれに液晶を滴下する液晶滴下工程と、滴下された前記液晶を挟むように前記一対の基板を真空環境下で貼り合わせる真空貼合工程と、を含み、前記液晶滴下工程において、前記一対の基板を対向させた状態で前記液晶の滴下位置がずれた状態となるように前記液晶を滴下するとともに、各前記基板の前記液晶が滴下される面の凹凸に応じて前記各基板に対する前記液晶の滴下量に差をつける液晶パネルの製造方法である。

（２）また本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、前記液晶滴下工程の前に、前記一対の基板の前記液晶が滴下される面の前記凹凸を検査する検査工程と、前記検査工程による検査結果を受けて前記一対の基板の前記凹凸の高さの平均値をそれぞれ計算し、当該平均値から前記一対の基板に対する前記液晶の総滴下量を演算する第１演算工程と、前記検査工程による前記凹凸の検査結果および前記第１演算工程による前記液晶の総滴下量の演算結果に基づき、予め設定された滴下位置毎の前記液晶の滴下量を演算する第２演算工程と、を実行し、その後、前記液晶滴下工程において、前記第２演算工程の演算結果に基づき、前記一対の基板の滴下位置毎に算出された滴下量の前記液晶を、前記一対の基板のそれぞれに滴下する液晶パネルの製造方法である。

（３）また本発明のある実施形態は、上記（１）または上記（２）の構成に加え、前記一方の基板における前記液晶の滴下位置のピッチＰ１と前記他方の基板における前記液晶の滴下位置のピッチＰ２とは同ピッチとされている液晶パネルの製造方法である。

（４）また本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（３）のいずれかひとつの構成に加え、前記一対の基板の少なくとも一方において前記液晶の広がり易さが偏向性を有する場合に、前記液晶滴下工程において、対向させた状態の前記一対の基板における滴下された前記液晶のピッチを、前記液晶が広がり易い方向のピッチＰｅが比較的に大きくなるように、かつ、前記液晶が広がり難い方向のピッチＰｄが比較的に小さくなるように各前記基板に前記液晶を滴下する液晶パネルの製造方法である。

（５）また本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（４）のいずれかひとつの構成に加え、前記一対の基板の少なくとも一方において、前記基板の端部側の前記液晶の滴下量が前記基板の中央側と比較して少なくなるように、前記滴下位置毎の前記液晶の滴下量を調整する液晶パネルの製造方法である。

（６）また本発明の他の実施形態は、一対の基板のうち一方の基板にシール材を環状に塗布するシール材塗布装置と、前記一方の基板の前記シール材の内側および前記一対の基板のうち他方の基板のそれぞれに液晶を滴下する液晶滴下装置と、滴下された前記液晶を挟むように前記一対の基板を真空環境下で貼り合わせる真空貼合装置と、を含み、前記一対の基板を対向させた状態で前記液晶の滴下位置がずれた状態となるように前記液晶の滴下位置を制御するとともに、各前記基板の前記液晶が滴下される面の凹凸に応じて前記各基板に対する前記液晶の滴下量に差をつけるように制御する制御部を備える液晶パネルの製造装置である。

（７）また本発明のある実施形態は、上記（６）の構成に加え、前記一対の基板の前記液晶が滴下される面の前記凹凸を検査する検査装置と、前記検査装置による検査結果を受けて前記一対の基板の前記凹凸の高さの平均値をそれぞれ計算し、当該平均値から前記一対の基板に対する前記液晶の総滴下量を演算するとともに、前記検査装置による前記凹凸の検査結果および演算された前記液晶の総滴下量に基づき、予め設定された滴下位置毎の前記液晶の滴下量を演算する演算部と、を更に含み、前記制御部は、前記演算部の演算結果に基づき、前記一対の基板の前記滴下位置毎に算出された滴下量の前記液晶を、前記一対の基板のそれぞれに滴下するように制御する液晶パネルの製造装置である。

本発明によれば、気泡の残留や表示ムラ等の欠陥が抑制された、品位の高い液晶パネルが得られる。

液晶パネルの一般的な構成を示す概略断面図 液晶パネルの製造工程を示す説明図 液晶パネルの製造装置を示す説明図 実施形態１の一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す斜視図 一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す平面図 一対の基板を対向させた状態の各基板の液晶の配置関係を示す説明図 実施形態２の一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す斜視図 一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す平面図 一対の基板を対向させた状態の各基板の液晶の配置関係を示す説明図 実施形態３の一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す斜視図 一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す平面図 一対の基板を対向させた状態の各基板の液晶の配置関係を示す説明図 実施形態４の一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す斜視図 一対の基板にシール材および液晶を滴下した状態を示す平面図 一対の基板を対向させた状態の各基板の液晶の配置関係を示す説明図 図１５のＡ−Ａ断面図

液晶パネル１の製造方法を図１および図２を参照して説明する。液晶パネル１は、携帯型情報端末（例えば、携帯電話、スマートフォン、タブレット型パーソナルコンピュータ）、車載型情報端末（例えば、据え置き型カーナビゲーションシステム、携帯型カーナビゲーションシステム）、携帯型ゲーム機等の各種電子機器に用いられる。

まず、完成形態の液晶パネル１について簡単に説明する。液晶パネル１は、図１に示すように、一対の矩形の基板１１，２１が所定のギャップを隔てた状態で貼り合わせられるとともに、両基板１１，２１間に液晶３０が配された周知の構成とされる。一方の基板（ＴＦＴ基板２１）には、互いに直交するソース配線とゲート配線とに接続されたスイッチング素子（例えばＴＦＴ）２２と、そのスイッチング素子２２に接続された画素電極２３、さらには配向膜２４等が設けられている。他方の基板（ＣＦ基板１１）には、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）等の各着色部が所定配列で配置されたカラーフィルタ１２や対向電極１３、さらにはフォトスペーサ１４や配向膜１５等が設けられている。このうち、ソース配線、ゲート配線および対向電極１３などには、駆動回路基板から画像を表示するのに必要な画像データや各種制御信号が供給されるようになっている。このように両基板１１，２１には複数の層が形成されており、基板１１，２１の対向面（液晶滴下面）はそれぞれ凹凸形状をなしている。

このような液晶パネル１を製造する際は、図２に示すように、まず、一対の基板１１，２１のうちＣＦ基板１１のＣＦ層を囲むように、紫外線硬化成分が含まれるシール材４０を環状に塗布する（シール材塗布工程）。紫外線硬化成分としては公知の光硬化性樹脂を用いることができ、例えば、（メタ）アクリレート系光硬化樹脂、イミド系光硬化樹脂、シリコーン系光硬化樹脂等が挙げられる。

次に、液晶３０の滴下に先立って、一対の基板１１，２１の液晶滴下面の凹凸を検査する（検査工程）。この検査は、基板１１，２１における液晶３０の滴下面全体の凹凸の高さ（高い位置と低い位置の差）や形状等を検査することが最も好ましいが、設定された複数箇所の凹凸を検査する方法でもよい。例えば具体的には、スペーサ測定装置により、ＣＦ基板１１の所定の複数箇所におけるフォトスペーサ１４の分布、高さ、太さの３点を測定する方法が挙げられる。

次に、上記検査工程により検出された検査結果を受けて、一対の基板１１，２１の凹凸の高さの平均値をそれぞれ計算し、当該平均値から一対の基板１１，２１に対する液晶３０の総滴下量を演算する（第１演算工程）。この総滴下量は、一対の基板１１，２１間のギャップの設定値と、上記凹凸の高さの平均値に基づいて算出される。

さらに第１演算工程によって算出された液晶３０の総滴下量と、上記検査工程の検査結果（基板１１，２１の凹凸の高さや形状等）に基づき、各基板１１，２１の所定の滴下位置毎に滴下する液晶３０の量（滴下量）を演算する（第２演算工程）。なお、所定の滴下位置とは、予め設定された複数の滴下位置のことを指す。

上述した第２演算工程においては、上記検査工程の検査結果（基板１１，２１の凹凸の高さや形状等）に基づいてまず液晶３０の広がり易さが演算され、この液晶３０の広がり易さに応じて、上記第１演算工程により算出された液晶３０の総滴下量が各滴下位置に振り分けられるようになっている。例えば、凹凸高さが大きい位置では液晶３０が広がり難いため比較的に滴下量が多く設定され、逆に、凹凸高さが小さい位置では液晶３０が広がり易いため、比較的に滴下量が少なく設定される。また、凹凸形状が複雑な位置では液晶３０が広がり難いため比較的に滴下量が多く設定され、逆に、凹凸形状が比較的に単純な位置では液晶３０が広がり易いため、比較的に滴下量が少なく設定される。この各滴下位置における液晶３０の滴下量は、各基板１１，２１の検査結果に基づいて基板１１，２１毎に決定される。

このような第２演算工程の結果に基づき、一対の基板１１，２１のそれぞれの滴下位置毎に算出された滴下量の液晶３０を、後述する液晶滴下装置１０４により各基板１１，２１に滴下する（液晶滴下工程）。滴下された液晶３０（液滴）は、概ね球状の状態で各基板１１，２１上に配される。

次に、一対の基板１１，２１を真空貼合装置１０７の真空チャンバ内に配置し、真空引きを行う。この段階では、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板２１とは位置合わせされた状態で対向配置されているものの、両基板１１，２１のうち液晶３０が滴下された滴下面は互いに離れた状態とされている。したがって、各基板１１，２１の滴下面のうち、液晶３０（液滴）に覆われていない領域は、真空環境に直接的に晒されることとなり、この領域から各基板１１，２１に含まれる水分等が脱ガスされる。なお、真空とは、真空に近い減圧雰囲気を含むものとする。

真空チャンバ内が真空環境とされ、基板１１，２１の脱ガスが充分に行われたら、一対の基板１１，２１を真空チャンバ内の貼合装置によりシール材４０を介して貼り合わせた状態とする（真空貼合工程）。この時、それぞれの基板１１，２１の複数の滴下位置に滴下された液晶３０（液滴）は、互いにずれた位置関係とされている。すなわち、液滴の間隔が短いものとされている。これらの複数の液滴は、一対の基板１１，２１間に挟まれることにより、環状のシール材４０の内側において、滴下された位置から周辺領域に押し広げられる。この時、各液滴の量は、上記第２演算工程により、基板１１，２１の凹凸高さや形状等に応じた過不足のない最適な量となるように制御されているとともに、液滴の間隔（ピッチ）が短くなっているから、液晶３０は均等に近い状態で良好に広がり、液晶３０の量が不足して気泡が生じたり、液晶３０の量が過剰で広がる液滴が隣接する液滴の液晶３０と勢いよくぶつかって境界部に表示ムラが生じることが抑制される。

次に、真空環境を開放し、貼り合わせた状態の両基板１１，２１を大気圧中でプレスする（大気圧プレス工程）。大気圧中でプレスすることにより、両基板１１，２１全体を均等な圧力（大気圧）でプレスすることができる。この時、一対の基板１１，２１の間は、ＣＦ基板１１に設けたフォトスペーサ１４により一定の距離に保持される。この状態において液晶３０は、環状のシール材４０の内側の領域全体を充填した状態とされる。

そして、この状態で紫外線照射装置１０８によりシール材４０に対して紫外線を照射して、シール材４０を硬化させる（硬化工程）。これにより、両基板１１，２１の間が、シール材４０を介して一定の距離で固定された液晶パネル１が完成する。

このような液晶パネル１を製造するための製造装置１００は、シール材塗布装置１０１、検査装置１０２、液晶滴下装置１０４、真空貼合装置１０７、紫外線照射装置１０８を含んで構成されている（図３参照）。上述した第１演算工程における一対の基板１１，２１の凹凸の高さの平均値や液晶３０の総滴下量の演算や、第２演算工程における所定の滴下位置毎の液晶３０の滴下量の演算は、検査装置１０２に接続された演算部１０３において、検査装置１０２からの出力信号に基づいて実行される。また、演算部１０３において演算された第２演算工程における演算結果は、演算部１０３から液晶滴下装置１０４の制御部１０６に出力され、この制御部１０６からの出力信号に基づいて、塗布ノズル１０５における液晶３０の滴下量が制御されるようになっている。

このように、本実施形態の液晶パネル１の製造方法は、一対の基板，２１のうちＣＦ基板１１にシール材４０を環状に塗布するシール材塗布工程と、ＣＦ基板１１のシール材４０の内側およびＴＦＴ基板２１のそれぞれに液晶３０を滴下する液晶滴下工程と、滴下された液晶３０を挟むようにＣＦ基板１１とＴＦＴ基板２１とを真空環境下で貼り合わせる真空貼合工程と、シール材４０を硬化させる硬化工程とを含み、液晶滴下工程において、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１を対向させた状態で液晶３０の滴下位置がずれた状態となるように液晶３０を滴下するとともに、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の液晶３０が滴下される面の凹凸に応じて各基板１１，２１に対する液晶３０の滴下量に差をつける液晶パネル１の製造方法である。

また、液晶滴下工程の前に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の液晶３０が滴下される面の凹凸を検査する検査工程と、検査工程による検査結果を受けてＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の凹凸の高さの平均値をそれぞれ計算し、当該平均値からＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１に対する液晶３０の総滴下量を演算する第１演算工程と、検査工程による凹凸の検査結果および第１演算工程による総滴下量の演算結果に基づき、予め設定された滴下位置毎の液晶３０の滴下量を演算する第２演算工程と、を実行し、その後、液晶滴下工程において、第２演算工程の演算結果に基づき、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の滴下位置毎に算出された滴下量の液晶３０を、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１のそれぞれに滴下するようになっている液晶パネル１の製造方法である。

さらに、ＣＦ基板１１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ１とＴＦＴ基板２１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ２とを同ピッチ（Ｐ１＝Ｐ２）とし、かつ、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１を対向させた状態において各滴下位置がずれた状態となるように液晶３０を滴下するようになっている液晶パネルの製造方法である。

このような製造方法によれば、必要な量の液晶３０を、片方の基板だけでなく一対の基板１１，２１に分けて滴下することにより、一対の基板１１，２１を貼り合せる際に全体として液滴点数を増やすことができる。すなわち、一対の基板１１，２１を貼り合わせる際に、液晶３０（液滴）のピッチを小さくすることができる。しかも、貼り合わせ前の真空引きの際には、各基板１１，２１の表面の液滴以外の部分、すなわち、液滴のピッチが広く設定されることにより広く外部に露出した領域を真空環境に晒すことができるから、各基板１１，２１の脱ガス効果を損なうことが回避される。

またこの時、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の液晶滴下位置のピッチを同ピッチ（Ｐ１＝Ｐ２）とし、一対の基板１１，２１を対向させた状態における滴下位置をずれた状態とすることにより、一対の基板１１，２１を貼り合せる際の液滴の間隔を狭く設定することができる。つまり、液晶３０の広がり不足を改善することができる。また、液晶３０は基板１１，２１の凹凸の高さや形状等に応じてその各滴下位置における滴下量が最適な量に調整されているから、基板１１，２１の凹凸によらず液晶３０を均等に広げることが可能となる。特に昨今、パネル応答速度の高速化が求められており、高い屈折率異方性を有する高Δｎ液晶を使用して、従来よりも狭い基板間隔で応答速度を高める技術が採用される場合があるが、液晶パネル１全体の液晶３０の使用量の減少は、液晶滴下点数の減少につながる傾向があり、気泡の残留がより生じ易くなっているという事情がある。本実施形態は、こういった狭基板間隔化においても、気泡の発生を抑制する効果が期待される。すなわち本実施形態は、パネル品質の向上および製造プロセスの安定性の双方に貢献することができる。

また本実施形態の液晶パネル１の製造装置１００は、一対の基板１１，２１のうちＣＦ基板１１にシール材４０を環状に塗布するシール材塗布装置１０１と、ＣＦ基板１１のシール材４０の内側およびＴＦＴ基板２１のそれぞれに液晶３０を滴下する液晶滴下装置１０４と、滴下された液晶３０を挟むようにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１を真空環境下で貼り合わせる真空貼合装置１０７と、を含んでおり、液晶滴下装置１０４は、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１を対向させた状態で液晶３０の滴下位置がずれた状態となるように液晶の滴下位置を制御するとともに、各基板１１、２１の液晶３０が滴下される面の凹凸に応じて各基板１１，２１に対する液晶３０の滴下量に差をつけるように制御する制御部１０６を備えている。

また、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の液晶３０が滴下される面の凹凸を検査する検査装置１０２と、検査装置１０２による検査の結果を受けてＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の凹凸の高さの平均値をそれぞれ計算し、当該平均値からＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１に対する液晶３０の総滴下量を演算するとともに、検査装置１０２による凹凸の検査の結果および演算された液晶３０の総滴下量に基づき、予め設定された滴下位置毎の液晶３０の滴下量を演算する演算部１０３と、を更に含み、液晶滴下装置１０４の制御部１０６は、演算部１０３の演算結果に基づき、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１の滴下位置毎に算出された滴下量の液晶３０を、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１のそれぞれに滴下するようになっている。

このような製造装置１００により、上述した液晶パネル１の製造方法を具体的に実施することが可能となる。

以上が液晶パネル１の製造方法および製造装置１００であって、次に、液晶３０の滴下パターンについて具体的な実施の形態を説明する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については図１を基準とし、且つ、一対の基板１１，２１のうちそれぞれ液晶３０が滴下される面を滴下面とする。

＜実施形態１＞
本実施形態では、図４から図６に示すように、第２演算工程の結果により、全体として基板の凹凸が比較的に小さいＣＦ基板１１に対する液晶３０の滴下量が比較的に少なく、凹凸が比較的に大きいＴＦＴ基板２１に対する液晶３０の滴下量が比較的に多くなっている。液晶３０は、両基板１１，２１とも、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って等間隔かつマトリクス状に滴下されるように設定されている。また、ＣＦ基板１１の滴下位置のピッチＰ１と、ＴＦＴ基板２１の滴下位置のピッチＰ２とは同等とされる（Ｐ１＝Ｐ２）ものの、これらの滴下位置は、一対の基板１１，２１を対向させた状態において、例えばＸ軸方向およびＹ軸方向についてそれぞれ１／２ピッチずつずれる位置に設定されている（図６参照）。すなわち、対向する液滴の間隔は短いものとされている。滴下された液晶３０（液滴）は、概ね球状の状態で各基板１１，２１上に配される。また、各滴下位置に滴下された液晶３０は、それぞれ、第２演算工程により算出された異なる量とされている。すなわち、各基板１１，２１の滴下位置の凹凸に応じて互いに異なる量とされている。

このように液晶３０が滴下された一対の基板１１，２１を、真空貼合装置１０７の真空チャンバ内に対向配置して真空引きを行うと、各基板１１，２１の滴下面のうち液晶３０（液滴）に覆われていない領域から、各基板１１，２１に含まれる水分等が脱ガスされる。そして、一対の基板１１，２１の脱ガスが充分に行われた後に、一対の基板１１，２１をシール材４０を介して貼り合わせると、互い違いに配されたＣＦ基板１１上の液晶３０（液滴）とＴＦＴ基板２１上の液晶３０（液滴）とは、一対の基板１１，２１間に挟まれて、周辺領域に均等に近い状態で良好に押し広げられる。

その後、大気圧プレスして環状のシール材４０の内側の領域全体を液晶３０で充填した状態とし、シール材４０を硬化させる。これにより、両基板１１，２１の間が、シール材４０を介して一定の距離で固定された液晶パネル１が完成する。このような製造方法で製造された液晶パネル１は、気泡の残留や表示ムラ等の欠陥が抑制された、品位の高いものとすることができる。

＜実施形態２＞
実施形態２を図７から図９によって説明する。なお、以下においては実施形態１と異なる構成についてのみ説明するものとし、実施形態１と同様の構成には同一符号を付すこととし、重複する説明を省略する。

本実施形態では、液晶滴下工程において、液晶３０の滴下位置は上記実施形態１と同様とされている。すなわち、ＣＦ基板１１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ１とＴＦＴ基板２１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ２とは同ピッチ（Ｐ１＝Ｐ２）とされ、かつ、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１を対向させた状態において、各滴下位置は１／２ピッチずれた状態とされている。また、一対の基板１１，２１のうち液晶３０が滴下される面の凹凸の高さが比較的に大きいＴＦＴ基板２１に比較的に多く液晶３０を滴下し、凹凸の高さが比較的に小さいＣＦ基板１１に比較的に少なく液晶３０を滴下するところも、上記実施形態１と同様である。

一方、ＴＦＴ基板２１において、ＴＦＴ基板２１の最も端部側に滴下され、一対のＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１を対向させた状態において最もシール材４０に近い位置に配される液晶３０の滴下量が比較的に少なくなるように、かつ、それよりも内側に位置するＴＦＴ基板２１の中央側の液晶３０の滴下量が比較的に多くなるように、液晶３０の滴下量が調整されているところが、上記実施形態１と相違している。その他の構成は、上記実施形態１と同様である。

このように、本実施形態では、ＴＦＴ基板２１において、基板２１の端部側の液晶３０の滴下量が基板２１の中央側と比較して少なくなるように、滴下位置毎の液晶３０の滴下量が調整されている。

このような構成によれば、上記実施形態１と同様に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１が単独な状態で脱ガスを十分に行い、その後、貼り合わせる際に液晶３０（液滴）のピッチを小さくして液晶３０の広がり不足を改善することができる。また、基板１１，２１の端部側に滴下される液晶３０が少ないから、貼り合わせの際に広がった液晶３０がシール材４０へ差し込んだり、シール材４０を突き破ったりすることが抑制される。

＜実施形態３＞
次に、実施形態３を図１０から図１２によって説明する。なお、以下においても実施形態１と異なる構成についてのみ説明するものとし、実施形態１と同様の構成は、重複する説明を省略する。

本実施形態では、ＴＦＴ基板２１において液晶３０の広がり易さが偏向性を有している。具体的には、ＴＦＴ基板２１は、ＴＦＴ基板２１上の液晶３０がＹ軸方向について比較的に広がり易く、Ｘ軸方向については比較的に広がり難い偏向性を有している。

そこで本実施形態では、液晶滴下工程において、対向させた状態の一対の基板１１，２１の液晶３０（液滴）のピッチを、液晶３０が広がり易い方向のピッチＰｅが比較的に大きくなるように、かつ、液晶３０が広がり難い方向のピッチＰｄが比較的に小さくなるように、各基板１１，２１に液晶３０を滴下する構成とした。例えば、貼り合わせ前のＣＦ基板１１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ１と、同じくＴＦＴ基板２１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ２とは同等（Ｐ１＝Ｐ２）であるが、これらのピッチは、基板１１，２１を貼り合わせた状態において、Ｘ軸方向について１／２ピッチずつずれているのに対し、Ｙ軸方向においてはずれないで一致するように設定されている。これにより両基板１１，２１を対向させた状態においては、図１２に示すように、液晶３０が広がり易いＹ軸方向のピッチＰｅ（Ｐ１およびＰ２と同等）が比較的に大きく、液晶３０が広がり難いＸ軸方向のピッチＰｄ（１／２Ｐ１および１／２Ｐ２と同等）が比較的に小さくなっている。

このように本実施形態では、一対の基板１１，２１の少なくとも一方において液晶３０の広がり易さが偏向性を有する場合に、液晶滴下工程において、対向させた状態の一対の基板１１，２１における滴下された液晶３０のピッチを、液晶３０が広がり易い方向のピッチＰｅが比較的に大きくなるように、かつ、液晶３０が広がり難い方向のピッチＰｄが比較的に小さくなるように各基板１１，２１に液晶３０を滴下する構成とした。このような構成により、基板１１，２１が液晶３０の広がり易さに偏向性を有する場合でも、一対の基板１１，２１に挟まれた液晶３０が均等に広がる効果が期待できる。

＜実施形態４＞
次に、実施形態４を図１３から図１６によって説明する。なお、以下においても実施形態１と異なる構成についてのみ説明するものとし、実施形態１と同様の構成は重複する説明を省略する。

本実施形態は、ＣＦ基板１１に対してフォトプロセスで形成したフォトスペーサ１４が、ＣＦ基板１１の面内において高さのバラツキを有している形態を示すものである。本実施形態の図においては、上記実施形態では図示を省略したフォトスペーサ１４について図示している。また、シール材４０はＣＦ基板１１ではなく、ＴＦＴ基板２１側に塗布することとする。

具体的には、本実施形態のＣＦ基板１１のフォトスペーサ１４の高さは、Ｘ軸方向における図１６の右側が比較的に高くなるようにバラついている。すなわち、Ｘ軸方向における図１６の右側において液晶３０が広がり難くなっている。このようなＣＦ基板１１の面内の凹凸高さのバラつきは検査工程により検出され、検出された結果は第１演算工程および第２演算工程に反映される。

なお上記実施形態１の第２演算工程においては、各滴下位置毎に算出する液晶３０の滴下量は、各基板１１，２１単体の凹凸形状に基づいて各基板１１，２１毎に決定される構成であったが、本実施形態においては、一対の基板１１，２１が貼り合わされた際に一対の基板１１，２１間にどれだけの量の液晶３０が配されるか、すなわち、ＣＦ基板１１上の液滴とＴＦＴ基板２１上の液滴との合計量が、各基板１１，２１の凹凸に応じた量となるように演算されるようになっている。

このようにして第２演算工程により算出された各滴下位置毎の滴下量の液晶３０が、液晶滴下工程により、各滴下位置に滴下される。例えば図１５には、ＴＦＴ基板２１の同図における右上付近に滴下された液晶３０の滴下量が、他の滴下位置に滴下された液晶３０の滴下量よりも多いことが図示されている。

このような構成によっても、上記実施形態１と同様に、液晶３０が均一に広がった品位の高い液晶パネル４を得ることができる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）上記実施形態では、シール材塗布工程の後に検査工程を設ける構成としたが、検査工程は液晶滴下工程の以前であれば、どの段階で行ってもよい。また一対の基板の凹凸の状態が把握できている場合には、検査工程および第１演算工程、第２演算工程は、省略することもできる。

（２）上記実施形態では、液晶滴下工程において、ＣＦ基板１１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ１とＴＦＴ基板２１における液晶３０の滴下位置のピッチＰ２とを同ピッチとし、かつ、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板２１を対向させた状態において各滴下位置がずれた状態となるように液晶３０を滴下する構成を示したが、単に、例えば基板の構成に合わせてランダムに、かつ、一対の基板１１，２１を対向させた状態において各滴下位置がずれた状態となるように、液晶３０を滴下する構成としてもよい。

（３）上記実施形態では、制御部１０６は液晶滴下装置１０４に含まれる構成としたが、制御部は液晶滴下装置とは別に設けてもよい。

１，２，３，４：液晶パネル、１１:ＣＦ基板（第１基板）、１４：フォトスペーサ、２１：ＴＦＴ基板（第２基板）、３０：液晶、４０：シール材、１００：製造装置、１０１：シール材塗布装置、１０２：検査装置、１０３：演算部、１０４：液晶滴下装置、１０６：制御部、１０７：真空貼合装置、１０８：紫外線照射装置、Ｐ１：ＣＦ基板の液晶滴下位置のピッチ、Ｐ２：ＴＦＴ基板の液晶滴下位置のピッチ

Claims (7)

1. 一対の基板のうち一方の基板にシール材を環状に塗布するシール材塗布工程と、
   前記一方の基板の前記シール材の内側および前記一対の基板のうち他方の基板のそれぞれに液晶を滴下する液晶滴下工程と、
   滴下された前記液晶を挟むように前記一対の基板を真空環境下で貼り合わせる真空貼合工程と、を含み、
   前記液晶滴下工程において、前記一対の基板を対向させた状態で前記液晶の滴下位置がずれた状態となるように前記液晶を滴下するとともに、
   各前記基板の前記液晶が滴下される面の凹凸に応じて前記各基板に対する前記液晶の滴下量に差をつける液晶パネルの製造方法。
2. 前記液晶滴下工程の前に、
   前記一対の基板の前記液晶が滴下される面の前記凹凸を検査する検査工程と、
   前記検査工程による検査結果を受けて前記一対の基板の前記凹凸の高さの平均値をそれぞれ計算し、当該平均値から前記一対の基板に対する前記液晶の総滴下量を演算する第１演算工程と、
   前記検査工程による前記凹凸の検査結果および前記第１演算工程による前記液晶の総滴下量の演算結果に基づき、予め設定された滴下位置毎の前記液晶の滴下量を演算する第２演算工程と、を実行し、
   その後、前記液晶滴下工程において、前記第２演算工程の演算結果に基づき、前記一対の基板の滴下位置毎に算出された滴下量の前記液晶を、前記一対の基板のそれぞれに滴下する請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
3. 前記一方の基板における前記液晶の滴下位置のピッチＰ１と前記他方の基板における前記液晶の滴下位置のピッチＰ２とは同ピッチとされている請求項１または請求項２に記載の液晶パネルの製造方法。
4. 前記一対の基板の少なくとも一方において前記液晶の広がり易さが偏向性を有する場合に、前記液晶滴下工程において、対向させた状態の前記一対の基板における滴下された前記液晶のピッチを、前記液晶が広がり易い方向のピッチＰｅが比較的に大きくなるように、かつ、前記液晶が広がり難い方向のピッチＰｄが比較的に小さくなるように各前記基板に前記液晶を滴下する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の液晶パネルの製造方法。
5. 前記一対の基板の少なくとも一方において、前記基板の端部側の前記液晶の滴下量が前記基板の中央側と比較して少なくなるように、前記滴下位置毎の前記液晶の滴下量を調整する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶パネルの製造方法。
6. 一対の基板のうち一方の基板にシール材を環状に塗布するシール材塗布装置と、
   前記一方の基板の前記シール材の内側および前記一対の基板のうち他方の基板のそれぞれに液晶を滴下する液晶滴下装置と、
   滴下された前記液晶を挟むように前記一対の基板を真空環境下で貼り合わせる真空貼合装置と、を含み、
   前記一対の基板を対向させた状態で前記液晶の滴下位置がずれた状態となるように前記液晶の滴下位置を制御するとともに、各前記基板の前記液晶が滴下される面の凹凸に応じて前記各基板に対する前記液晶の滴下量に差をつけるように制御する制御部を備える液晶パネルの製造装置。
7. 前記一対の基板の前記液晶が滴下される面の前記凹凸を検査する検査装置と、
   前記検査装置による検査結果を受けて前記一対の基板の前記凹凸の高さの平均値をそれぞれ計算し、当該平均値から前記一対の基板に対する前記液晶の総滴下量を演算するとともに、前記検査装置による前記凹凸の検査結果および演算された前記液晶の総滴下量に基づき、予め設定された滴下位置毎の前記液晶の滴下量を演算する演算部と、を更に含み、
   前記制御部は、前記演算部の演算結果に基づき、前記一対の基板の前記滴下位置毎に算出された滴下量の前記液晶を、前記一対の基板のそれぞれに滴下するように制御する請求項６に記載の液晶パネルの製造装置。

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