JP2021018135A - Scintillator panel and radiation detector - Google Patents
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Images
Landscapes
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、シンチレータパネル、および放射線検出器に関する。 Embodiments of the present invention relate to scintillator panels and radiation detectors.
入射した放射線(例えば、X線)を蛍光(可視光)に変換するシンチレータパネルがある。シンチレータパネルには、基板と、基板の一方の面に設けられた反射層と、反射層を覆う保護層と、保護層の上に設けられ、入射した放射線を蛍光に変換するシンチレータと、が設けられている。 There is a scintillator panel that converts incident radiation (eg, X-rays) into fluorescence (visible light). The scintillator panel is provided with a substrate, a reflective layer provided on one surface of the substrate, a protective layer covering the reflective layer, and a scintillator provided on the protective layer to convert incident radiation into fluorescence. Has been done.
この様なシンチレータパネルは、放射線検出器に用いることができる。例えば、放射線検出器には、シンチレータパネルと、複数の光電変換部を有するアレイ基板とを設けることができる。この場合、シンチレータパネルの蛍光が出射する側は、アレイ基板の、複数の光電変換部が設けられた領域の上に接合することができる。 Such a scintillator panel can be used for a radiation detector. For example, the radiation detector may be provided with a scintillator panel and an array substrate having a plurality of photoelectric conversion units. In this case, the side of the scintillator panel from which the fluorescence is emitted can be bonded onto the region of the array substrate where a plurality of photoelectric conversion units are provided.
ここで、光電変換部には、光電変換素子や薄膜トランジスタなどが設けられている。そのため、これらの素子の厚みのバラツキなどにより、複数の光電変換部が設けられた領域に段差が発生する場合がある。複数の光電変換部が設けられた領域に段差があると、シンチレータパネルをアレイ基板に接合する際に、部分的に隙間が生じる場合がある。この様な隙間は、感度斑の原因となる。
そのため、シンチレータパネルに可撓性を有する基板を設け、シンチレータパネルをアレイ基板に接合する際に、段差に応じてシンチレータパネルを変形させる技術が提案されている。
Here, the photoelectric conversion unit is provided with a photoelectric conversion element, a thin film transistor, or the like. Therefore, a step may occur in a region where a plurality of photoelectric conversion units are provided due to variations in the thickness of these elements. If there is a step in the region where the plurality of photoelectric conversion units are provided, a gap may be partially generated when the scintillator panel is joined to the array substrate. Such gaps cause sensitivity spots.
Therefore, a technique has been proposed in which a flexible substrate is provided on the scintillator panel, and the scintillator panel is deformed according to a step when the scintillator panel is joined to the array substrate.
ところが、基板の一方の面側にシンチレータを形成する際には基板が加熱される。そのため、可撓性を有する基板を用いると、基板の加熱と冷却に伴い、シンチレータパネルに反りや変形が生じ易くなる。この場合、シンチレータと基板との熱膨張率の差により反りなどが発生するのであれば、反りなどの形状は、単純な二次曲面となる。反りなどの形状が単純な二次曲面であれば、シンチレータパネルをアレイ基板に押し付けた際に略平面状に矯正することができるので、シンチレータパネルとアレイ基板との間に隙間が発生するのを抑制することができる。ところが、熱による材料収縮や熱変形により反りなどが発生する場合には、反りなどの形状は不規則な曲面となるので、シンチレータパネルをアレイ基板に押し付けた際に略平面状に矯正することが難しくなる。 However, when the scintillator is formed on one surface side of the substrate, the substrate is heated. Therefore, when a flexible substrate is used, the scintillator panel is likely to be warped or deformed as the substrate is heated and cooled. In this case, if warpage occurs due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the scintillator and the substrate, the shape of the warp or the like becomes a simple quadric surface. If the shape such as warpage is a simple quadric surface, it can be corrected to a substantially flat shape when the scintillator panel is pressed against the array substrate, so that a gap is generated between the scintillator panel and the array substrate. It can be suppressed. However, when warpage occurs due to material shrinkage or thermal deformation due to heat, the shape of the warp or the like becomes an irregular curved surface, so when the scintillator panel is pressed against the array substrate, it can be corrected to a substantially flat shape. It gets harder.
この場合、樹脂の中でも比較的剛性が高い、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド(PI)、テフロン(登録商標)(PTFE)や、耐熱性が高いポリエーテルエーテルケトン類(PEEK)などを用いて基板を形成しても、前述した材料収縮や熱変形の問題を解決することは困難である。例えば、これらの樹脂から形成された基板の厚みを0.5mm程度としても、前述した材料収縮や熱変形を抑制することは困難である。 In this case, a substrate using polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), Teflon (registered trademark) (PTFE), which has relatively high rigidity among resins, or polyetheretherketone (PEEK), which has high heat resistance, is used. However, it is difficult to solve the above-mentioned problems of material shrinkage and thermal deformation. For example, even if the thickness of the substrate formed from these resins is about 0.5 mm, it is difficult to suppress the above-mentioned material shrinkage and thermal deformation.
すなわち、単に、剛性が高い基板とすれば、前述した段差による隙間が生じるおそれがある。一方、単に、可撓性を有する基板とすれば、シンチレータパネルを製造する際に生じた材料収縮や熱変形による隙間が生じるおそれがある。
そこで、シンチレータパネルとアレイ基板との間に隙間が生じるのを抑制することができる技術の開発が望まれていた。
That is, if the substrate is simply made of high rigidity, there is a possibility that a gap due to the above-mentioned step may occur. On the other hand, if the substrate is simply flexible, there is a possibility that a gap may occur due to material shrinkage or thermal deformation that occurs when the scintillator panel is manufactured.
Therefore, it has been desired to develop a technique capable of suppressing the formation of a gap between the scintillator panel and the array substrate.
本発明が解決しようとする課題は、シンチレータパネルとアレイ基板との間に隙間が生じるのを抑制することができるシンチレータパネル、および放射線検出器を提供することである。 An object to be solved by the present invention is to provide a scintillator panel and a radiation detector capable of suppressing the formation of a gap between the scintillator panel and the array substrate.
実施形態に係るシンチレータパネルは、板状を呈し、複数の炭素繊維を有するプリプレグを少なくとも1つ有し、放射線を透過可能な基部と、前記基部の一方の面側に設けられたシンチレータと、前記基部と、前記シンチレータと、の間に設けられた反射部と、前記反射部と、前記シンチレータと、の間に設けられた保護部と、前記基部の、前記反射部が設けられた側とは反対側に設けられた緩和部と、を備えている。前記反射部は、前記シンチレータ側に設けられ、前記シンチレータにおいて発生した蛍光を反射可能な反射層と、前記基部側に設けられ、樹脂を含む第1の樹脂層と、を有している。前記緩和部は、樹脂を含む第2の樹脂層を有している。前記基部の厚みは、0.4mm以下である。前記第1の樹脂層の厚みと、前記第2の樹脂層の厚みとの合計は、前記基部の厚みよりも大きい。 The scintillator panel according to the embodiment has a plate-like shape, has at least one prepreg having a plurality of carbon fibers, has a base capable of transmitting radiation, a scintillator provided on one surface side of the base, and the scintillator. The reflective portion provided between the base portion and the scintillator, the protective portion provided between the reflective portion and the scintillator, and the side of the base portion provided with the reflective portion It is equipped with a relaxation section provided on the opposite side. The reflecting portion has a reflecting layer provided on the scintillator side and capable of reflecting the fluorescence generated in the scintillator, and a first resin layer provided on the base side and containing a resin. The relaxation portion has a second resin layer containing a resin. The thickness of the base is 0.4 mm or less. The sum of the thickness of the first resin layer and the thickness of the second resin layer is larger than the thickness of the base portion.
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In each drawing, similar components are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
The radiation detector according to the embodiment of the present invention can be applied to various types of radiation such as γ-rays in addition to X-rays. Here, as an example, the case of X-rays as a typical example of radiation will be described as an example. Therefore, by replacing "X-ray" in the following embodiment with "other radiation", it can be applied to other radiation.
また、以下に例示をするX線検出器1は、放射線画像であるX線画像を検出するX線平面センサとすることができる。X線検出器1は、例えば、一般医療などに用いることができる。ただし、X線検出器1の用途は、一般医療に限定されるわけではない。
Further, the
図1は、本実施の形態に係るシンチレータパネル10およびX線検出器1を例示するための模式斜視図である。
図2は、シンチレータパネル10およびX線検出器1の模式断面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図2においては、制御ライン2c1、データライン2c2、回路基板3、画像構成部4などを省いて描いている。
図3は、シンチレータパネル10の模式断面図である。
図1および図2に示すように、X線検出器1には、アレイ基板2、回路基板3、画像構成部4、シンチレータパネル10、および接合部20を設けることができる。
アレイ基板2は、シンチレータパネル10によりX線から変換された蛍光を電荷に変換することができる。
アレイ基板2には、基板2a、光電変換部2b、制御ライン(又はゲートライン)2c1、データライン(又はシグナルライン)2c2、および絶縁層2fなどを設けることができる。なお、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2などの数は例示をしたものに限定されるわけではない。
FIG. 1 is a schematic perspective view for exemplifying the
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the
In addition, in order to avoid complication, in FIG. 2, the control line 2c1, the data line 2c2, the
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the
As shown in FIGS. 1 and 2, the
The
The
基板2aは、板状を呈し、例えば、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。基板2aの平面形状は、例えば、四角形とすることができる。
光電変換部2bは、基板2aの一方の面に複数設けることができる。光電変換部2bは、例えば、矩形状を呈し、制御ライン2c1とデータライン2c2とにより画された領域に設けることができる。複数の光電変換部2bは、マトリクス状に並べて設けることができる。なお、1つの光電変換部2bは、X線画像の1つの画素(pixel)に対応する。
The
A plurality of
複数の光電変換部2bのそれぞれには、光電変換素子2b1と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)2b2を設けることができる。
また、光電変換素子2b1において変換した電荷を蓄積する蓄積キャパシタ2b3を設けることができる。蓄積キャパシタ2b3は、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ2b2の下に設けることができる。ただし、光電変換素子2b1の容量によっては、光電変換素子2b1が蓄積キャパシタ2b3を兼ねることができる。
A photoelectric conversion element 2b1 and a thin film transistor (TFT) 2b2, which is a switching element, can be provided in each of the plurality of
Further, a storage capacitor 2b3 for accumulating the electric charge converted by the photoelectric conversion element 2b1 can be provided. The storage capacitor 2b3 has, for example, a rectangular flat plate shape, and can be provided under each thin film transistor 2b2. However, depending on the capacity of the photoelectric conversion element 2b1, the photoelectric conversion element 2b1 can also serve as the storage capacitor 2b3.
光電変換素子2b1は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ2b2は、蓄積キャパシタ2b3への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行うことができる。薄膜トランジスタ2b2は、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を有することができる。薄膜トランジスタ2b2のゲート電極は、対応する制御ライン2c1と電気的に接続することができる。薄膜トランジスタ2b2のドレイン電極は、対応するデータライン2c2と電気的に接続することができる。薄膜トランジスタ2b2のソース電極は、対応する光電変換素子2b1と蓄積キャパシタ2b3とに電気的に接続することができる。また、光電変換素子2b1のアノード側と蓄積キャパシタ2b3は、グランドに接続することができる。
The photoelectric conversion element 2b1 can be, for example, a photodiode or the like.
The thin film transistor 2b2 can switch the accumulation and emission of electric charges in the storage capacitor 2b3. The thin film transistor 2b2 can have a gate electrode, a drain electrode, and a source electrode. The gate electrode of the thin film transistor 2b2 can be electrically connected to the corresponding control line 2c1. The drain electrode of the thin film transistor 2b2 can be electrically connected to the corresponding data line 2c2. The source electrode of the thin film transistor 2b2 can be electrically connected to the corresponding photoelectric conversion element 2b1 and the storage capacitor 2b3. Further, the anode side of the photoelectric conversion element 2b1 and the storage capacitor 2b3 can be connected to the ground.
制御ライン2c1は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けることができる。制御ライン2c1は、例えば、行方向に延びるものとすることができる。1つの制御ライン2c1は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッドのうちの1つと電気的に接続することができる。1つの配線パッドには、フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線のうちの1つを電気的に接続することができる。フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線の他端は、回路基板3に設けられた読み出し回路とそれぞれ電気的に接続することができる。
A plurality of control lines 2c1 may be provided in parallel with each other at predetermined intervals. The control line 2c1 may extend in the row direction, for example. One control line 2c1 can be electrically connected to one of a plurality of wiring pads provided near the peripheral edge of the
データライン2c2は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けることができる。データライン2c2は、例えば、行方向に直交する列方向に延びるものとすることができる。1つのデータライン2c2は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッドのうちの1つと電気的に接続することができる。1つの配線パッドには、フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線のうちの1つを電気的に接続することができる。フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線の他端は、回路基板3に設けられた信号検出回路とそれぞれ電気的に接続することができる。
制御ライン2c1、およびデータライン2c2は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。
A plurality of data lines 2c2 may be provided in parallel with each other at predetermined intervals. The data line 2c2 can, for example, extend in the column direction orthogonal to the row direction. One data line 2c2 can be electrically connected to one of a plurality of wiring pads provided near the periphery of the
The control line 2c1 and the data line 2c2 can be formed by using a low resistance metal such as aluminum or chromium.
絶縁層2fは、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2などを覆うことができる。絶縁層2fは、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂の少なくとも1種を含むことができる。
The insulating
回路基板3は、アレイ基板2の、シンチレータパネル10が設けられる側とは反対側に設けることができる。回路基板3には、読み出し回路、および信号検出回路を設けることができる。なお、これらの回路を1つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。
The
読み出し回路は、薄膜トランジスタ2b2のオン状態とオフ状態を切り替えることができる。例えば、読み出し回路は、フレキシブルプリント基板2e1を介して、制御信号S1を各制御ライン2c1毎に順次入力することができる。制御ライン2c1に入力された制御信号S1により薄膜トランジスタ2b2がオン状態となり、蓄積キャパシタ2b3からの電荷(画像データ信号S2)が読み出せるようになる。 The readout circuit can switch between the on state and the off state of the thin film transistor 2b2. For example, the readout circuit can sequentially input the control signal S1 for each control line 2c1 via the flexible printed circuit board 2e1. The thin film transistor 2b2 is turned on by the control signal S1 input to the control line 2c1, and the electric charge (image data signal S2) from the storage capacitor 2b3 can be read out.
信号検出回路は、複数の積分アンプ、複数の選択回路、および複数のADコンバータを有することができる。
1つの積分アンプは、1つのデータライン2c2と電気的に接続することができる。積分アンプは、光電変換部2bからの画像データ信号S2を順次受信することができる。そして、積分アンプは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路へ出力することができる。この様にすれば、所定の時間内にデータライン2c2を流れる電流の値(電荷量)を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプは、シンチレータパネル10(シンチレータ16)において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換することができる。
The signal detection circuit can have a plurality of integrating amplifiers, a plurality of selection circuits, and a plurality of AD converters.
One integrating amplifier can be electrically connected to one data line 2c2. The integrating amplifier can sequentially receive the image data signal S2 from the
選択回路は、読み出しを行う積分アンプを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号S2を順次読み出すことができる。
ADコンバータは、読み出された画像データ信号S2をデジタル信号に順次変換することができる。デジタル信号に変換された画像データ信号S2は、画像構成部4に入力することができる。
The selection circuit can select an integrating amplifier to be read out and sequentially read out the image data signal S2 converted into potential information.
The AD converter can sequentially convert the read image data signal S2 into a digital signal. The image data signal S2 converted into a digital signal can be input to the
画像構成部4は、配線4aを介して、回路基板3の読み出し回路(ADコンバータ)と電気的に接続することができる。なお、画像構成部4と回路基板3との間のデータ通信は、無線により行うこともできる。また、画像構成部4と回路基板3とを一体化してもよい。画像構成部4は、複数のADコンバータによりデジタル信号に変換された画像データ信号S2に基づいて、X線画像を構成することができる。構成されたX線画像のデータは、画像構成部4から外部の機器に向けて出力することができる。
The
図2および図3に示すように、シンチレータパネル10には、基板11、保護部15、シンチレータ16、および防湿部17を設けることができる。
基板11は、板状を呈し、X線を透過させることができる。基板11は、基部12、反射部13、および緩和部14を有することができる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
The
基部12は、例えば、板状を呈し、炭素繊維強化プラスチック(CFRP;Carbon-Fiber-Reinforced Plastic)を含むものとすることができる。後述するように、基部12は、例えば、複数の炭素繊維を有するプリプレグを少なくとも1つ有することができる。この場合、基部12は、複数の炭素繊維121が伸びる方向が異なる複数種類のプリプレグを有することもできる(図5を参照)。複数種類のプリプレグは、厚み方向に積層することができる。プリプレグの平面形状、ひいては、基部12の平面形状は、例えば、四角形とすることができる。プリプレグは、板状を呈し、例えば、複数の炭素繊維121を所望の方向に並べたものに熱硬化性樹脂を含浸させたものとすることができる。プリプレグの厚みは、例えば、0.1mm〜0.12mm程度とすることができる。基部12は、例えば、プリプレグを複数積層し、これを加圧加熱処理することにより形成することができる。
The base 12 may be, for example, plate-shaped and may contain carbon-Fiber-Reinforced Plastic (CFRP). As will be described later, the
ここで、プリプレグにおける炭素繊維121が伸びる方向により、プリプレグの剛性が変化する。すなわち、プリプレグにおける炭素繊維121が伸びる方向により、プリプレグの剛性に異方性が生じる。
Here, the rigidity of the prepreg changes depending on the direction in which the
図4は、炭素繊維121が伸びる方向と剛性との関係を例示するための模式斜視図である。
プリプレグの平面形状を考慮せずに炭素繊維121が伸びる方向のみを考慮すると、炭素繊維121が伸びる方向Aに直交する方向における曲げ強度Bは、炭素繊維121が伸びる方向Aに平行な方向における曲げ強度Cよりも小さくなる。
FIG. 4 is a schematic perspective view for exemplifying the relationship between the extending direction of the
Considering only the direction in which the
一方、プリプレグの平面形状のみを考慮すると、短辺側における曲げ強度Bは、長辺側における曲げ強度Cよりも大きくなる。
そのため、剛性の異方性を小さくするためには、プリプレグの平面形状を考慮して、炭素繊維121が伸びる方向Aを設定することが好ましい。例えば、図4に示すように、プリプレグの平面形状が矩形の場合には、炭素繊維121が伸びる方向Aは、長辺に平行な方向(長手方向)とすることが好ましい。
On the other hand, considering only the planar shape of the prepreg, the bending strength B on the short side is larger than the bending strength C on the long side.
Therefore, in order to reduce the anisotropy of rigidity, it is preferable to set the direction A in which the
図5は、基部12の構成を例示するための模式分解図である。
基部12の厚み方向の中心を通る線120(中心部)から最も離れた位置、すなわち、基部12の表面(厚み方向の両端)に設けられているプリプレグ12aの剛性が、基部12の剛性に最も寄与する。そのため、プリプレグ12aの平面形状を考慮して、炭素繊維121が伸びる方向Aを設定することが好ましい。
FIG. 5 is a schematic exploded view for exemplifying the configuration of the
The rigidity of the
また、基部12に設けられるプリプレグの種類(炭素繊維121が伸びる方向の種類)を多くすれば、基部12における剛性の異方性を小さくすることができる。しかしながら、プリプレグの種類を多くしすぎると、プリプレグの数が多くなりすぎて、基部12の製造コストが増大したり、基部12の剛性が大きくなりすぎてアレイ基板2とシンチレータパネル10との間に隙間が発生したりするおそれがある。
Further, by increasing the types of prepregs provided on the base portion 12 (types in the direction in which the
例えば、図5に示すように、厚みが0.1mm〜0.12mm程度のプリプレグを3つ積層させることができる。この場合、基部12の厚み方向の中心を通る線120(中心部)に対して、線対称となる位置(厚み方向に対称となる位置)に設けられたプリプレグは、複数の炭素繊維121が伸びる方向が略同じとなるようにすることが好ましい。
For example, as shown in FIG. 5, three prepregs having a thickness of about 0.1 mm to 0.12 mm can be laminated. In this case, a plurality of
例えば、図5に示すように、プリプレグ12aは、基部12の厚み方向の中心を通る線120から最も離れた位置、すなわち、基部12の表面側と裏面側に設けることができる。基部12の剛性に最も寄与するプリプレグ12aにおける炭素繊維121が伸びる方向は、プリプレグ12a(基部12)の長辺に略平行な方向とすることができる。
For example, as shown in FIG. 5, the
プリプレグ12bは、表面側に設けられたプリプレグ12aと、裏面側に設けられたプリプレグ12aとの間に設けることができる。プリプレグ12bにおける炭素繊維121が伸びる方向は、プリプレグ12b(基部12)の長辺に対して略90°の角度の方向とすることができる。なお、プリプレグ12bにおける炭素繊維121が伸びる方向は、プリプレグ12b(基部12)の長辺に対して0°を超え、90°以下の角度の方向とすることもできる。ただし、プリプレグ12bにおける炭素繊維121が伸びる方向が、プリプレグ12aにおける炭素繊維121が伸びる方向と略直交していれば、基部12の剛性に異方性が生じるのを効果的に抑制することができる。
The
以上においては、基部12(プリプレグ12a、12b)の平面形状が矩形の場合を例示したが、基部12の一部を面取りして多角形としたり、基部12の角部にR部やC面取りを施したりすることもできる。
In the above, the case where the plane shape of the base 12 (
ここで、炭素繊維強化プラスチックから形成された基部12(プリプレグ)は、一般的な耐熱樹脂と比較して、熱による変形が少ない。そのため、基板11に基部12が設けられていれば、基板11の一方の面側にシンチレータ16を形成する際に基板11が加熱されたとしてもシンチレータパネル10に反りや変形が生じるのを抑制することができる。
Here, the base 12 (prepreg) formed of the carbon fiber reinforced plastic is less deformed by heat as compared with a general heat-resistant resin. Therefore, if the
また、一般的な耐熱樹脂の場合には、熱による材料収縮や変形が生じ易いので、反りや変形の形状は不規則な曲面となる。これに対して、炭素繊維強化プラスチックから形成された基部12(プリプレグ)の場合には、反りや変形の形状は、単純な二次曲面となりやすい。そのため、シンチレータパネル10に反りや変形が生じたとしても、シンチレータパネル10をアレイ基板2に押し付けた際に略平面状となるように矯正することが容易となる。
Further, in the case of a general heat-resistant resin, the material shrinks or deforms easily due to heat, so that the shape of the warp or deformation becomes an irregular curved surface. On the other hand, in the case of the base portion 12 (prepreg) formed of carbon fiber reinforced plastic, the shape of the warp or deformation tends to be a simple quadric surface. Therefore, even if the
すなわち、炭素繊維強化プラスチックから形成された基部12とすれば、シンチレータ16を形成する際に反りや変形が生じるのを抑制することができる。また、反りや変形が生じた場合であっても、シンチレータパネル10に生じる反りや変形の形状を矯正が容易な単純な形状とすることができる。
That is, if the
この場合、例えば、シンチレータ16の形成条件などにより発生する反りや変形の程度が変化する場合がある。そのため、基部12に設けられるプリプレグの数や、プリプレグの種類(炭素繊維121が伸びる方向の種類)は、発生する反りや変形の程度に応じて適宜決定することもできる。
In this case, for example, the degree of warpage or deformation that occurs may change depending on the formation conditions of the
例えば、反りや変形がある程度大きくなるのであれば、プリプレグの数やプリプレグの種類を増やすことができる。この様にすれば、基部12の剛性を大きくすることができるので、シンチレータ16を形成する際に反りや変形が生じるのを抑制することができる。
For example, if the warp or deformation becomes large to some extent, the number of prepregs and the types of prepregs can be increased. By doing so, the rigidity of the
例えば、反りや変形をある程度小さくすることができるのであれば、プリプレグの数やプリプレグの種類を減らすことができる。この様にすれば、基部12の剛性を小さくすることができるので、シンチレータパネル10をアレイ基板2に押し付けた際に略平面状となるように矯正することが容易となる。
For example, if the warp and deformation can be reduced to some extent, the number of prepregs and the types of prepregs can be reduced. By doing so, since the rigidity of the
本発明者の得た知見によれば、X線検出器1が一般医療などに用いられるものの場合には、プリプレグの数を3つ以下にすることが好ましい。例えば、プリプレグの数が3つであれば、図5に例示をしたように、表面側に設けられたプリプレグ12aと、裏面側に設けられたプリプレグ12aとの間にプリプレグ12bを設けることができる。プリプレグの数が2つであれば、例えば、プリプレグ12aとプリプレグ12bを1つずつ設けることができる。プリプレグの数が1つであれば、プリプレグ12aまたはプリプレグ12bを設けることができる。なお、プリプレグの数が1つであれば、プリプレグ12bよりも剛性の大きいプリプレグ12aを設けることが好ましい。
According to the knowledge obtained by the present inventor, when the
図2および図3に示すように、反射部13は、基部12の一方の面に設けることができる。反射部13は、例えば、基部12の一方の面の全域を覆うように設けることができる。反射部13は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けることができる。例えば、反射部13は、シンチレータ16において生じた蛍光のうち、光電変換部2bが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部2bに向かうようにする。すなわち、反射部13は、基部12と、シンチレータ16と、の間に設けられ、シンチレータ16において発生した蛍光を反射可能とすることができる。
As shown in FIGS. 2 and 3, the reflecting
また、図2に示すように、X線は、反射部13を介してシンチレータ16に入射する。そのため、反射部13は、X線を透過し、且つ、蛍光に対する反射率が高いものとすることができる。前述したように、基部12は炭素繊維強化プラスチックから形成されている。そのため、アルミニウムや銀などを含む膜を基部12の表面に直接形成したり、基部12の表面に直接貼り付けたりすることが難しい。そこで、反射部13は、少なくとも、樹脂層13a(第1の樹脂層の一例に相当する)と反射層13cとを含む積層構造体とすることができる。樹脂層13aは、基部12側に設けられ、樹脂を含むものとすることができる。反射層13cは、シンチレータ16側に設けられ、シンチレータ16において発生した蛍光を反射可能なものとすることができる。
例えば、反射部13は、板状を呈し、樹脂層13a、接合層13b、および反射層13cを有するものとすることができる。
Further, as shown in FIG. 2, X-rays are incident on the
For example, the
樹脂層13aは、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)などの樹脂から形成することができる。樹脂層13aが樹脂から形成されていれば、樹脂層13aと、炭素繊維強化プラスチックから形成された基部12とを接合することが容易となる。そのため、反射部13の樹脂層13a側を基部12の表面に接合することが容易となる。反射部13の樹脂層13a側は、例えば、基部12に接着することができる。
The
接合層13bは、樹脂層13aと反射層13cの間に設けることができる。接合層13bは、例えば、樹脂層13aと反射層13cを接合することができる。接合層13bは、例えば、ポリエステル系樹脂を含む粘着層とすることができる。なお、樹脂層13aと反射層13cとを直接接合することもできる。例えば、オートクレーブ成形法により、板状の樹脂層13aと、板状の反射層13cを一体化することもできる。
The
反射層13cは、アルミニウムや銀などの金属を含むものとすることができる。反射層13cは、例えば、アルミニウム箔や銀箔などから形成することができる。
The
ここで、反射層13cの厚みを薄くし過ぎるとピンホールが発生したり、反射率が低下したりするおそれがある。一方、反射層13cの厚みを厚くし過ぎると、シンチレータ16を形成する際の熱により発生する熱応力が大きくなり、基部12に反りなどが発生し易くなる。そのため、反射層13cの厚みは、例えば、25μm以上、50μm以下とすることが好ましい。
Here, if the thickness of the
緩和部14は、基部12の、反射部13が設けられた側とは反対側の面に設けることができる。ここで、シンチレータ16を形成する際には、基部12および反射部13が加熱されることになる。
図6(a)、(b)は、緩和部14が設けられていない場合を例示するための模式図である。
図6(a)は、シンチレータ16の形成前の状態を表している。
図6(b)は、シンチレータ16の形成後の状態を表している。
基部12および反射部13は熱膨張係数が異なるため、それぞれの熱膨張量が異なるものとなる。そのため、シンチレータ16を形成する際に歪みなどが生じて、図6(b)に示すように、基部12および反射部13に反りなどが発生する場合がある。
The
6 (a) and 6 (b) are schematic views for exemplifying a case where the
FIG. 6A shows the state before the formation of the
FIG. 6B shows the state after the formation of the
Since the
基部12の、反射部13側とは反対側の面に緩和部14が設けられていれば、基部12の一方の面側に発生する熱応力を他方の面側に発生する熱応力で相殺することができる。そのため、シンチレータ16を形成する際にシンチレータパネル10に反りや変形などが発生するのを抑制することができる。
If the
緩和部14は、例えば、基部12の他方の面の全域に設けることもできるし、基部12の面の所定の領域に設けることもできる。この場合、緩和部14の熱膨張率と剛性は、反射部13の熱膨張率と剛性になるべく近くなるようにすることが好ましい。例えば、図3に示すように、緩和部14の構成は、反射部13の構成と同じとすることができる。
The
例えば、緩和部14は、板状を呈し、樹脂層14a(第2の樹脂層の一例に相当する)、接合層14b、および反射層14cを有するものとすることができる。樹脂層14aの厚みおよび材料は、樹脂層13aの厚みおよび材料と同じとすることができる。接合層14bの厚みおよび材料は、接合層13bの厚みおよび材料と同じとすることができる。反射層14cの厚みおよび材料は、反射層13cの厚みおよび材料と同じとすることができる。なお、接合層14bおよび反射層14cの剛性は小さいため、接合層14bおよび反射層14cを省くこともできる。すなわち、緩和部14として接合層14bが設けられていてもよい。ただし、緩和部14の構成が、反射部13の構成と同じであれば、製造工程の簡略化、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
For example, the
ここで、前述したように、光電変換部2bには、光電変換素子2b1や薄膜トランジスタ2b2などが設けられている。そのため、これらの素子の厚みのバラツキなどにより、複数の光電変換部2bが設けられた領域に段差が発生する場合がある。複数の光電変換部2bが設けられた領域に段差があると、シンチレータパネル10をアレイ基板2に接合する際に、部分的に隙間が生じる場合がある。この様な隙間は、感度斑の原因となる。
Here, as described above, the
そのため、基部12の厚みを厚くし過ぎると、基板11の変形、ひいてはシンチレータパネル10の変形がし難くなるので、シンチレータパネル10をアレイ基板2に隙間なく接合するのが困難となる。一方、基部12の厚みを薄くし過ぎると、シンチレータ16を形成する際に、シンチレータパネル10に反りや変形が発生するのを抑制する効果が小さくなる。
Therefore, if the thickness of the
また、反射部13と緩和部14も基板11の剛性に寄与する。この場合、厚みの薄い接合層13b、反射層13c、接合層14b、および反射層14cは、樹脂層13aおよび樹脂層14aに比べて剛性が低くなる。そのため、基板11の剛性は、基部12の剛性、樹脂層13aの剛性、および樹脂層14aの剛性の影響が大きくなる。
The reflecting
この場合、基部12の剛性、樹脂層13aの剛性、および樹脂層14aの剛性のバランスを取れば、シンチレータパネル10をアレイ基板2に隙間なく接合するのが容易となり、且つ、シンチレータ16を形成する際に、シンチレータパネル10に反りや変形が発生するのを抑制することができる。
In this case, if the rigidity of the
本発明者の得た知見によれば、基部12の厚みは、0.4mm以下とすることが好ましい。例えば、プリプレグの厚みが、0.1mm〜0.12mm程度で有れば、プリプレグの積層数は3以下とすれば良い。
また、樹脂層13aの厚みと樹脂層14aの厚みの合計は、基部12の厚みよりも大きくすることが好ましい。
According to the knowledge obtained by the present inventor, the thickness of the
Further, the total thickness of the
反射部13の、基部12側とは反対側の面には、反射層13cが露出している。また、シンチレータ16は、反射部13の、基部12側とは反対側に設けられる。この場合、反射層13cとシンチレータ16とが直接接触すると、例えば、反射層13cに含まれている還元性の高い金属と、シンチレータ16に含まれている酸化力の強いヨウ素と、空気中に含まれている僅かな水蒸気とにより酸化還元反応が生じて、反射層13cに腐食が発生するおそれがある。反射層13cに腐食が発生すると、反射層13cの光沢が減少し反射性能の低下、ひいては感度特性の低下、および解像度特性の低下が生じるおそれがある。
The
そこで、本実施の形態に係るシンチレータパネル10には、保護部15が設けられている。保護部15は、反射部13の、基部12側とは反対側の面に設けることができる。すなわち、保護部15は、反射部13(反射層13c)と、シンチレータ16との間に設けることができる。保護部15は、例えば。ポリイミド樹脂などの樹脂を含むことができる。保護部15の厚みは、例えば、5μm以上、20μm以下とすることができる。
Therefore, the
保護部15は、例えば、膜状を呈し、熱CVD(thermal chemical vapor deposition)法などにより形成することができる。この場合、図3に示すように、保護部15は、基板11(基部12、反射部13、緩和部14)を覆う様に設けることもできる。
The
シンチレータ16は、保護部15を介して、反射部13の上に設けることができる。シンチレータ16は、入射したX線を蛍光(可視光)に変換することができる。シンチレータ16は、例えば、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、あるいはヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)などを用いて形成することができる。シンチレータ16の厚みは、例えば、100μm〜1500μm程度とすることができる。シンチレータ16は、例えば、真空蒸着法などを用いて形成することができる。真空蒸着法などを用いて、シンチレータ16を形成すれば、柱状結晶の集合体からなるシンチレータ16が形成される。この場合、柱状結晶同士の間には隙間が存在している。
The
ここで、シンチレータ16の剛性が大きくなり過ぎると、シンチレータパネル10を変形させた際に、シンチレータ16が基板11から剥離するおそれがある。
本発明者の得た知見によれば、シンチレータ16の理論密度(柱状結晶同士の間に隙間が無いとした場合の密度)をρ(g/cm3)、平面視におけるシンチレータ16の投影面積をS(cm2)、シンチレータ16の平均厚みをd(cm)、シンチレータ16の重量をW(g)とした場合に、「{W/(ρSd)}≦0.811」となるようにすることが好ましい。この様にすれば、柱状結晶同士の間の隙間が大きくなるので、シンチレータパネル10を変形させた際に、シンチレータ16が基板11から剥離するのを抑制することができる。なお、平面視は、シンチレータ16をX線の入射方向に沿って見た場合である。
Here, if the rigidity of the
According to the findings obtained by the present inventor, the theoretical density of the scintillator 16 (the density when there is no gap between columnar crystals) is ρ (g / cm 3 ), and the projected area of the
防湿部17は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ16の特性が劣化するのを抑制するために設けることができる。防湿部17は、膜状を呈し、基部12、反射部13、保護部15、シンチレータ16、および緩和部14の露出部分を覆うように設けることができる。防湿部17は、透光性を有し、透湿係数の小さい材料から形成することができる。防湿部17は、例えば、ポリパラキシリレン、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレンなどから形成することができる。防湿部17は、例えば、熱CVD法などを用いて形成することができる。
The moisture-
シンチレータ16が柱状結晶の集合体となっている場合に、熱CVD法を用いて防湿部17を形成すれば、柱状結晶同士の間の隙間に、防湿部17をある程度侵入させることができる。そのため、シンチレータ16の表面に、柱状結晶による凹凸があったとしても、ほぼ均一な膜厚を有する防湿部17を形成することができる。
When the
接合部20は、アレイ基板2とシンチレータパネル10との間に設けることができる。接合部20は、透光性を有し、アレイ基板2とシンチレータパネル10とを接合することができる。この場合、シンチレータパネル10のシンチレータ16を、アレイ基板2の複数の光電変換部2bが設けられた領域の上に接合することができる。
The
接合部20は、例えば、光学両面テープ(OCAテープ(Optical Clear Adhesive Tape))などとすることができる。また、接合部20は、例えば、光学接着剤や光学ジェルなどを硬化させることで形成されたものとすることもできる。この場合、接合部20は、紫外線の照射により硬化したものとすることができる。
The
次に、他の実施形態に係るシンチレータパネル110およびX線検出器1aについて例示する。
図7は、シンチレータパネル110およびX線検出器1aの模式断面図である。
図8は、シンチレータパネル110の模式断面図である。
図7に示すように、X線検出器1aには、アレイ基板2、シンチレータパネル110、および接合部20を設けることができる。なお、前述したX線検出器1と同様に、X線検出器1aには、回路基板3および画像構成部4を設けることができる。
Next, the
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the
As shown in FIG. 7, the
シンチレータパネル110には、基板111、シンチレータ16、および防湿部17を設けることができる。
基板111は、板状を呈し、X線を透過させることができる。基板111は、基部12、反射部113、および緩和部114を有することができる。
The
The
反射部113は、基部12の一方の面に設けることができる。反射部113は、例えば、基部12の一方の面の全域を覆うように設けることができる。反射部113は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けることができる。例えば、反射部113は、シンチレータ16において生じた蛍光のうち、光電変換部2bが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部2bに向かうようにする。すなわち、反射部113は、基部12と、シンチレータ16と、の間に設けられ、シンチレータ16において発生した蛍光を反射可能とすることができる。
The reflecting
また、図7に示すように、X線は、反射部113を介してシンチレータ16に入射する。そのため、反射部113は、X線を透過し、且つ、蛍光に対する反射率が高いものとすることができる。前述したように、基部12は炭素繊維強化プラスチックから形成されている。そのため、アルミニウムや銀などを含む膜を基部12の表面に直接形成したり、基部12の表面に直接貼り付けたりすることが難しい。そこで、反射部113は、板状の樹脂部113aと、樹脂部113aの内部に設けられた複数の光散乱性粒子113bと、を有するものとすることができる。光散乱性粒子113bは、樹脂部113aの内部に分散させることができる。
Further, as shown in FIG. 7, X-rays enter the
樹脂部113aは、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどから形成することができる。樹脂部113aがポリエチレンテレフタレートを含み、防湿部17が熱CVD法により形成されたポリパラキシリレンなどを含む場合には、反射部113(樹脂部113a)と防湿部17とが接する部分が、水分の侵入に対して高い抑止効果を有するものとなる。そのため、高い防湿性能を有するシンチレータパネル110とすることができる。
The
光散乱性粒子113bは、例えば、TiO2の粒子とすることができる。反射部113が樹脂部113aを有していれば、反射部113と、炭素繊維強化プラスチックから形成された基部12とを接合することが容易となる。反射部113は、例えば、基部12に接着することができる。
The
また、反射部113には金属が含まれていない。そのため、反射部113の上にシンチレータ16を直接形成しても、反射部113が腐食することがない。そのため、前述した保護部15は省くことができる。
Further, the
緩和部114は、基部12の、反射部113が設けられた側とは反対側の面に設けることができる。前述した緩和部14と同様に、緩和部114は、基部12の一方の面側に発生する熱応力を他方の面側に発生する熱応力で相殺させるために設けることができる。
The
緩和部114は、例えば、基部12の他方の面の全域に設けることもできるし、基部12の面の所定の領域に設けることもできる。この場合、緩和部114の熱膨張率と剛性は、反射部113の熱膨張率と剛性になるべく近くなるようにすることが好ましい。例えば、緩和部114は、板状の樹脂部114aの内部に光散乱性粒子113bを分散させたものとすることができる。そして、樹脂部114aの材料と厚みは、樹脂部113aの材料と厚みと同じとすることができる。
The
なお、樹脂部114aに含まれている光散乱性粒子113bが剛性に与える影響は小さいため、緩和部114は光散乱性粒子113bを含んでいなくてもよい。すなわち、緩和部114として樹脂部114aが設けられていてもよい。ただし、緩和部114の構成が、反射部113の構成と同じで有れば、製造工程の簡略化、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
Since the
また、前述したシンチレータパネル10の場合と同様に、基部12の厚みは、0.4mm以下とすることが好ましい。また、樹脂部113aの厚みと樹脂部114aの厚みの合計は、基部12の厚みよりも大きくすることが好ましい。この様にすれば、基部12の剛性、樹脂部113aの剛性、および樹脂部114aの剛性のバランスを取るのが容易となる。そのため、シンチレータパネル110をアレイ基板2に隙間なく接合するのが容易となり、且つ、シンチレータ16を形成する際に、シンチレータパネル110に反りや変形が発生するのを抑制することができる。
Further, as in the case of the
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 Although some embodiments of the present invention have been illustrated above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, changes, etc. can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof. In addition, the above-described embodiments can be implemented in combination with each other.
1 X線検出器、1a X線検出器、2 アレイ基板、2a 基板、2b 光電変換部、3 回路基板、4 画像構成部、10 シンチレータパネル、11 基板、12 基部、12a、12b プリプレグ、13 反射部、13a 樹脂層、13b 接合層、13c 反射層、14 緩和部、14a 樹脂層、14b 接合層、14c 反射層、15 保護部、16 シンチレータ、17 防湿部、110 シンチレータパネル、111 基板、113 反射部、113a 樹脂層、113b 光散乱性粒子、114 緩和部、114a 樹脂層 1 X-ray detector, 1a X-ray detector, 2 array board, 2a board, 2b photoelectric conversion part, 3 circuit board, 4 image component part, 10 scintillator panel, 11 board, 12 bases, 12a, 12b prepreg, 13 reflection Part, 13a resin layer, 13b bonding layer, 13c reflective layer, 14 relaxation part, 14a resin layer, 14b bonding layer, 14c reflective layer, 15 protective part, 16 scintillator, 17 moisture-proof part, 110 scintillator panel, 111 substrate, 113 reflection Part, 113a resin layer, 113b light scattering particles, 114 relaxation part, 114a resin layer
Claims (5)
前記基部の一方の面側に設けられたシンチレータと、
前記基部と、前記シンチレータと、の間に設けられた反射部と、
前記反射部と、前記シンチレータと、の間に設けられた保護部と、
前記基部の、前記反射部が設けられた側とは反対側に設けられた緩和部と、
を備え、
前記反射部は、
前記シンチレータ側に設けられ、前記シンチレータにおいて発生した蛍光を反射可能な反射層と、
前記基部側に設けられ、樹脂を含む第1の樹脂層と、
を有し、
前記緩和部は、樹脂を含む第2の樹脂層を有し、
前記基部の厚みは、0.4mm以下であり、
前記第1の樹脂層の厚みと、前記第2の樹脂層の厚みとの合計は、前記基部の厚みよりも大きいシンチレータパネル。 A base that is plate-shaped, has at least one prepreg with multiple carbon fibers, and is permeable to radiation,
A scintillator provided on one side of the base and
A reflective portion provided between the base portion and the scintillator,
A protective portion provided between the reflective portion and the scintillator,
A relaxation portion of the base portion provided on the side opposite to the side on which the reflection portion is provided, and a relaxation portion.
With
The reflective part is
A reflective layer provided on the scintillator side and capable of reflecting the fluorescence generated in the scintillator,
A first resin layer provided on the base side and containing a resin,
Have,
The relaxation portion has a second resin layer containing a resin, and has a second resin layer.
The thickness of the base is 0.4 mm or less.
A scintillator panel in which the sum of the thickness of the first resin layer and the thickness of the second resin layer is larger than the thickness of the base portion.
前記基部の一方の面側に設けられたシンチレータと、
前記基部と、前記シンチレータと、の間に設けられ、樹脂部と、前記樹脂部の内部に設けられた複数の光散乱性粒子と、を有する反射部と、
前記基部の、前記反射部が設けられた側とは反対側に設けられ、樹脂部を有する緩和部と、
を備え、
前記基部の厚みは、0.4mm以下であり、
前記反射部の樹脂部の厚みと、前記緩和部の樹脂部の厚みとの合計は、前記基部の厚みよりも大きいシンチレータパネル。 A base that is plate-shaped, has at least one prepreg with multiple carbon fibers, and is permeable to radiation,
A scintillator provided on one side of the base and
A reflective portion provided between the base portion and the scintillator and having a resin portion and a plurality of light-scattering particles provided inside the resin portion.
A relaxation portion of the base portion, which is provided on the side opposite to the side where the reflection portion is provided and has a resin portion,
With
The thickness of the base is 0.4 mm or less.
A scintillator panel in which the sum of the thickness of the resin portion of the reflection portion and the thickness of the resin portion of the relaxation portion is larger than the thickness of the base portion.
{W/(ρSd)}≦0.811 The theoretical density of the scintillator is ρ (g / cm 3 ), the projected area of the scintillator in plan view is S (cm 2 ), the average thickness of the scintillator is d (cm), and the weight of the scintillator is W (g). The scintillator panel according to claim 1 or 2, which satisfies the following equation when
{W / (ρSd)} ≤ 0.811
前記複数種類のプリプレグは積層され、
前記基部の厚み方向の中心部に対して、前記厚み方向に対称となる位置に設けられたプリプレグは、前記複数の炭素繊維が伸びる方向が略同じである請求項1〜3のいずれか1つに記載のシンチレータパネル。 The base has a plurality of types of the prepreg in which the plurality of carbon fibers extend in different directions.
The plurality of types of prepregs are laminated and
The prepreg provided at a position symmetrical with respect to the central portion in the thickness direction of the base portion is any one of claims 1 to 3 in which the directions in which the plurality of carbon fibers extend are substantially the same. The scintillator panel described in.
前記複数の光電変換部の上に設けられた請求項1〜4のいずれか1つに記載のシンチレータパネルと、
を備えた放射線検出器。 An array board with multiple photoelectric conversion units and
The scintillator panel according to any one of claims 1 to 4 provided on the plurality of photoelectric conversion units.
Radiation detector equipped with.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019133707A JP2021018135A (en) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | Scintillator panel and radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2019133707A JP2021018135A (en) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | Scintillator panel and radiation detector |
Publications (1)
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JP2019133707A Pending JP2021018135A (en) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | Scintillator panel and radiation detector |
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2019
- 2019-07-19 JP JP2019133707A patent/JP2021018135A/en active Pending
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