JP2021014990A - 反射型光学式エンコーダのコード板 - Google Patents
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Abstract
【課題】高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保しつつ、耐腐食性にすぐれ、シンプルなプロセスで製造することができる反射型光学式エンコーダのコード板を提供する。【解決手段】高反射領域１０１と低反射領域１０２とが下地層に交互に配置された反射型光学式エンコーダのコード板１００であって、高反射領域１０１における光の反射率は、低反射領域１０２における光の反射率よりも高く、高反射領域１０１における下地層１１０の上に設けられ、ルテニウムを含有する反射層１２０を備える。【選択図】図３
Description
本発明は、反射型光学式エンコーダのコード板に関する。
一般に、反射型光学式エンコーダは、コード板と、ＬＥＤなどの光源と、光検出器とを備え、位置情報を取得する。コード板は、互いに交互に配置された低反射領域と高反射領域とを有する。高反射領域における光の反射率は、低反射領域における光の反射率よりも高い。コード板には光源からの光が照射され、その反射光は光検出器で検出される。
低反射領域及び高反射領域が互いに交互に配置され、高反射領域における光の反射率が低反射領域における光の反射率よりも高いため、コード板において反射した光は、光検出器において縞状の像を生成する。縞状の像の位相は、コード板の位置が測長方向に移動することによって変化する。この縞状の像の位相変化は光検出器によって検出され、検出された縞状の像の位相変化に基づいてコード板の位置の変位情報が処理され、位置情報が取得される。
特許文献１に記載の光学式エンコーダ用反射板は、硝材を用いて形成された基板と、基板の表面の一部に設けられ、光を反射可能な光反射層（光反射部）と、基板に設けられ、基板のうち光反射部から外れた領域に入射する光を吸収する光吸収層（光吸収部）とを備える。光反射層は、アルミニウムやアルミニウム合金などを用いて形成される。これにより、光反射特性の低下を低減することができる光学式エンコーダ用反射板を提供することができるとしている。
しかし、特許文献１の光学式エンコーダ用反射板の光反射層に用いるアルミニウムは、高湿度環境に長時間放置すると腐食されやすく、反射型光学式エンコーダのコード板に用いるには耐湿性が十分とは言えなかった。また、特許文献１に記載の光学式エンコーダ用反射板は、光反射層と光吸収層を基板の表裏両面に設けるなど複雑なプロセスが必要であった。
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保しつつ、耐腐食性にすぐれ、シンプルなプロセスで製造することができる反射型光学式エンコーダのコード板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の反射型光学式エンコーダのコード板は、高反射領域と低反射領域とが下地層に交互に配置された反射型光学式エンコーダのコード板であって、高反射領域における光の反射率は、低反射領域における光の反射率よりも高く、高反射領域における下地層の上に設けられ、ルテニウムを含有する反射層を備えたことを特徴としている。
これにより、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保でき、さらに、耐腐食性にすぐれ、シンプルなプロセスで製造することができる。
これにより、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保でき、さらに、耐腐食性にすぐれ、シンプルなプロセスで製造することができる。
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板において、反射層の膜厚は２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
これにより、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保でき、コード板上で反射した光によって生成された縞状の像を高い精度で検出することが可能となる。
これにより、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保でき、コード板上で反射した光によって生成された縞状の像を高い精度で検出することが可能となる。
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板において、反射層と低反射領域における下地層との上に設けられ、ルテニウムを保護する保護層を備えることが好ましい。この保護層の材料は二酸化ケイ素であることが好ましい。
これにより、例えばコード板の製造工程での、ガラス基板からの切り出し加工や、洗浄時の薬品による腐食変色を防止できる。また、コード板の洗浄残渣を拭き取る工程やその後の取扱い時において表面に触れてしまうことで、キズ、剥がれが生じることを防止することができる。
これにより、例えばコード板の製造工程での、ガラス基板からの切り出し加工や、洗浄時の薬品による腐食変色を防止できる。また、コード板の洗浄残渣を拭き取る工程やその後の取扱い時において表面に触れてしまうことで、キズ、剥がれが生じることを防止することができる。
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板において、保護層の膜厚は、０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、又は、２００ｎｍ以上３４０ｎｍ以下であることが好ましい。
保護層の膜厚を最適な範囲にすることで、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を所望の範囲にすることができ、これにより、コード板上で反射した光によって生成された縞状の像を高い精度で検出することが可能となる。
保護層の膜厚を最適な範囲にすることで、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を所望の範囲にすることができ、これにより、コード板上で反射した光によって生成された縞状の像を高い精度で検出することが可能となる。
本発明によると、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保しつつ、耐腐食性にすぐれ、シンプルなプロセスで製造することができる反射型光学式エンコーダのコード板を提供することができる。
以下、本発明の実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板について図面を参照しつつ詳しく説明する。図１及び図２は、本実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板が用いられた反射型光学式エンコーダを示す模式図である。図２は、図１に示す矢印Ａ１の方向に反射型光学式エンコーダを眺めたときの模式図である。
図１及び図２に示す反射型光学式エンコーダ１０は、コード板１００と、検出ヘッド２００とを備える。反射型光学式エンコーダ１０では、コード板１００が下に配置され、検出ヘッド２００が上に配置されており、コード板１００と検出ヘッド２００は、上下方向において互いに対向している。
図１及び図２に示すように、検出ヘッド２００は、光源２１０と、光検出器２２０と、検出基板２３０とを有する。光源２１０と光検出器２２０は、検出基板２３０の下面に設けられている。
光源２１０は、例えば、発光面が小さく単一波長λの光を照射する点光源ＬＥＤである。本実施形態においては、光源２１０が約８５０ナノメートル（ｎｍ）程度の波長の赤外光を照射する場合を考える。光源２１０は、放出された光を平行光とするコリメータレンズを含んでいてもよい。
光検出器２２０は、例えば、所定の間隔でマトリックス状に並べられた複数のフォトダイオードで構成される。光検出器２２０は、上記複数のフォトダイオードが出力する信号を変換する周辺回路、及び、増幅回路の少なくともいずれかを含んでもよい。
図３は、本実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板１００の構成を示す模式的断面図である。図３に示すように、コード板１００は、下地層１１０と、反射層１２０と、保護層１３０とを有する。
下地層１１０には、例えばガラスが用いられる。具体的には、下地層１１０には、例えば、石英ガラス及びホウケイ酸ガラスなどが用いられる。下地層１１０の厚さｔ１（図３）は、特には限定されず、例えば０．５ミリメートル（ｍｍ）以上、１ｍｍ以下程度である。
反射層１２０は、下地層１１０の上に設けられ、光源２１０から照射された光を反射する性質を有するルテニウム（Ｒｕ）を含有する。なお、本願明細書において、単に「反射層１２０がルテニウムを含有する」という場合には、反射層１２０がルテニウム又はルテニウムの合金を含有する場合が含まれる。また、反射層１２０の材料としては、ルテニウムのほか、白金族元素である、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、又はこれらの合金を用いることもできる。これらの白金族元素の中でも、ルテニウム（Ｒｕ）が入手の安定性および容易性に優れ、好ましい。
反射層１２０は、光源２１０から照射された光を反射することができる程度の厚さｔ２（図３）を有している。この厚さｔ２については図４を用いて後述する。
反射層１２０は、スパッタや蒸着などにより下地層１１０の表面上に形成される。反射層１２０をスパッタにより下地層１１０の表面上に形成する場合には、例えばルテニウムを含有する層をスパッタにより下地層１１０の表面上に形成し、ルテニウムを含有する層の上にレジストを形成する。つづいて、レジストを露光及び現像してパターニングした後、ルテニウムを含有する層をエッチングする。その後、レジストを剥離すると、パターニングされたルテニウムを含有する反射層１２０が下地層１１０の表面上に形成される。
保護層１３０は、下地層１１０及び反射層１２０の上に設けられ、反射層１２０が含有するルテニウムを保護する。保護層１３０の材料としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が挙げられる。保護層１３０は、反射層１２０が含有するルテニウムを保護することができる程度の厚さｔ３（図３）を有している。また、保護層１３０は、反射層１２０が有する反射性よりも低い反射性を有することが望ましい。保護層１３０は、スパッタや蒸着などにより下地層１１０及び反射層１２０の表面上に形成される。
図３に示すように、コード板１００は、高反射領域１０１と、低反射領域１０２とを有する。高反射領域１０１には、反射層１２０と、保護層１３０とが設けられている。低反射領域１０２には、保護層１３０のみが設けられており、反射層１２０が設けられていない。光源２１０から照射された光に対する反射層１２０の反射率は、光源２１０から照射された光に対する保護層１３０の反射率よりも高い。そのため、高反射領域１０１における光の反射率は、低反射領域１０２における光の反射率よりも高くなる。
図１〜図３に示すように、コード板１００において、高反射領域１０１と低反射領域１０２とは、互いに交互に配置されている。前述したように、高反射領域１０１における光の反射率は、低反射領域１０２における光の反射率よりも高い。そのため、光源２１０から照射された光は、コード板１００と対向して設けられた検出ヘッド２００の光検出器２２０において縞状の像を生成する。
コード板１００が検出ヘッド２００に対して図１に示すＸ１−Ｘ２方向（測長方向）に移動すると、縞状の像は、光検出器２２０において移動する。これにより、コード板１００において反射された光（反射光）の像の光量が光検出器２２０によって検出される。そして、反射型光学式エンコーダ１０は、位置情報を取得することができる。
次に、各層の膜厚と反射率に関して実施例を用いて説明する。図４は、（１）下地層１１０にガラスを用い、反射層１２０をルテニウムで形成するとともに、保護層１３０を二酸化ケイ素で形成した構成Ａ（高反射領域１０１に対応する構成）（実施例１、２）、及び、（２）ガラスからなる下地層１１０上に二酸化ケイ素からなる保護層のみを形成した構成Ｂ（低反射領域１０２に対応する構成）（実施例３）についてのシミュレーションにおける反射率の変化を示すグラフである。グラフ中の線Ｌ１、Ｌ２は上記構成Ａの反射率変化を示し、線Ｌ３は上記構成Ｂの反射率変化を示している。さらに、線Ｌ１は反射層１２０の膜厚が５０ｎｍの場合（実施例１）、線Ｌ２は反射層１２０の膜厚が１００ｎｍの場合（実施例２）を示している。このグラフの横軸は二酸化ケイ素からなる層の膜厚（単位ｎｍ）を示し、左側の縦軸「Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ［Ｒｕ］［％］」は線Ｌ１、Ｌ２の構成Ａについての反射率（単位％）を示し、右側の縦軸「Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ［ＳｉＯ２］［％］」は線Ｌ３の構成Ｂについての反射率（単位％）を示している。
図４に示すシミュレーションの条件は次の通りである。
光源２１０からの照射光の波長：８５０ｎｍ
ここで、ｎ、ｋは、次式（１）で示す複素屈折率ｍにおける屈折率ｎと消衰係数ｋである。
ｍ＝ｎ−ｉｋ （１）（ｉは虚数）
光源２１０からの照射光の波長：８５０ｎｍ
ここで、ｎ、ｋは、次式（１）で示す複素屈折率ｍにおける屈折率ｎと消衰係数ｋである。
ｍ＝ｎ−ｉｋ （１）（ｉは虚数）
（１）実施例１（線Ｌ１に対応する構成）：下地層／反射層（Ｒｕ５０ｎｍ）／保護層
（２）実施例２（線Ｌ２に対応する構成）：下地層／反射層（Ｒｕ１００ｎｍ）／保護層
（３）実施例３（線Ｌ３に対応する構成）：下地層／保護層
下地層（実施例１〜３共通）：ガラス（ＳＣＨＯＴＴ社製のＤ２６３ Ｔ ｅｃｏ（商標））、厚さ０．５５ｍｍ、ｎ＝１．５２２４６、ｋ＝４．４５×１０−１３
反射層（実施例１）：ルテニウム（Ｒｕ）、膜厚５０ｎｍ、ｎ＝５．２２６６６７、ｋ＝４．９０７６７２（実測値）
反射層（実施例２）：ルテニウム（Ｒｕ）、膜厚１００ｎｍ、ｎ＝５．２１７９９７、ｋ＝４．８４３３７１（実測値）
保護層（実施例１〜３共通）：二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、膜厚０〜３００ｎｍ（２０ｎｍ毎）、ｎ＝１．５０９１２２、ｋ＝０（実測値）
（２）実施例２（線Ｌ２に対応する構成）：下地層／反射層（Ｒｕ１００ｎｍ）／保護層
（３）実施例３（線Ｌ３に対応する構成）：下地層／保護層
下地層（実施例１〜３共通）：ガラス（ＳＣＨＯＴＴ社製のＤ２６３ Ｔ ｅｃｏ（商標））、厚さ０．５５ｍｍ、ｎ＝１．５２２４６、ｋ＝４．４５×１０−１３
反射層（実施例１）：ルテニウム（Ｒｕ）、膜厚５０ｎｍ、ｎ＝５．２２６６６７、ｋ＝４．９０７６７２（実測値）
反射層（実施例２）：ルテニウム（Ｒｕ）、膜厚１００ｎｍ、ｎ＝５．２１７９９７、ｋ＝４．８４３３７１（実測値）
保護層（実施例１〜３共通）：二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、膜厚０〜３００ｎｍ（２０ｎｍ毎）、ｎ＝１．５０９１２２、ｋ＝０（実測値）
図４の線Ｌ３に示すように、低反射領域１０２に対応する上記構成Ｂ（実施例３）における反射率は、ＳｉＯ２の膜厚１５０ｎｍ付近でやや小さくなっているが、全体的にはＳｉＯ２の膜厚の変化に対する変化は比較的小さく、約７．８〜８．３％の範囲内の変化にとどまっている。
これに対して、線Ｌ１、Ｌ２に示すように、高反射領域１０１に対応する上記構成Ａにおける反射率は、ＳｉＯ２の膜厚の変化にしたがって変化している。線Ｌ１（実施例１）においては、ＳｉＯ２の膜厚が０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、及び、２００ｎｍ以上３４０ｎｍ以下の範囲において、線Ｌ３（実施例３）に示す反射率との差が５０以上となっている。また、線Ｌ２（実施例２）においては、ＳｉＯ２の膜厚が０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、及び、２２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲において、線Ｌ３（実施例３）に示す反射率との差が５０以上となっている。
これに対して、線Ｌ１、Ｌ２に示すように、高反射領域１０１に対応する上記構成Ａにおける反射率は、ＳｉＯ２の膜厚の変化にしたがって変化している。線Ｌ１（実施例１）においては、ＳｉＯ２の膜厚が０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、及び、２００ｎｍ以上３４０ｎｍ以下の範囲において、線Ｌ３（実施例３）に示す反射率との差が５０以上となっている。また、線Ｌ２（実施例２）においては、ＳｉＯ２の膜厚が０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、及び、２２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲において、線Ｌ３（実施例３）に示す反射率との差が５０以上となっている。
一般的に、反射型光学式エンコーダのコード板において、反射した光によって生成された縞状の像を比較的高い精度で検出するためには、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差が５０以上必要とされている。
これにより、図４に示すように、所定の範囲において、高反射領域１０１における光の反射率と、低反射領域１０２における光の反射率との差を５０以上にすることが可能となる。
反射層１２０の膜厚は、上記構成Ａとした場合、膜の均一性、密着性、応力が生じたときのクラックの発生のしづらさなどを考慮すると、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とするとより好ましく、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするとさらに好ましい。
ここで、図５は、ルテニウム膜に対して波長８５０ｎｍの光を照射したときのシミュレーションにおける反射率（％）の変化を示すグラフである。図５の横軸はルテニウムの膜厚（単位ｎｍ）であり、ルテニウムをガラス基板上に形成した構成である。図５に示すように、ルテニウム膜の反射率は、膜厚２０ｎｍのときに６０％を超えており、４０ｎｍでピークとなり、４０ｎｍを超えた後は６５％を超える高い反射率を維持する。したがって、ルテニウムを用いた上記反射層１２０の膜厚は、２０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、４０ｎｍ以上とするとさらに好ましいことが分かる。
次に、本実施形態に係るコード板１００の耐湿性について比較例と比べつつ説明する。図６は、比較例に係る反射型光学式エンコーダのコード板３００の構成を示す模式的断面図である。図７は本実施形態の実施例に係るコード板１００の一部を拡大して示す写真であって、（ａ）は耐久試験前の状態を示し、（ｂ）は耐久試験後の状態を示す写真である。図８は比較例に係るコード板３００の一部を拡大して示す写真であって、（ａ）は耐久試験前の状態を示し、（ｂ）は耐久試験後の状態を示す写真である。
耐久試験は、温度８５°Ｃ、湿度８５％の恒温槽内に２４時間載置することによって行った。
図７（ａ）、（ｂ）に示す実施例においては、高反射領域１０１では実施例１の構成、すなわち反射層１２０の膜厚が５０ｎｍの構成としており、低反射領域１０２では実施例３の構成（下地層上に二酸化ケイ素からなる保護層のみを形成した構成）としている。また、保護層１３０は厚さ２７０ｎｍとしている。
図７（ａ）、（ｂ）に示す実施例においては、高反射領域１０１では実施例１の構成、すなわち反射層１２０の膜厚が５０ｎｍの構成としており、低反射領域１０２では実施例３の構成（下地層上に二酸化ケイ素からなる保護層のみを形成した構成）としている。また、保護層１３０は厚さ２７０ｎｍとしている。
図８（ａ）、（ｂ）に示す比較例におけるコード板３００は、図６に示すように、下地層３１０と、反射層３２０と、保護層３３０と、被覆層３４０とを有する。各層の構成は以下の通りである。
下地層３１０：ガラス（ＳＣＨＯＴＴ社製のＤ２６３ Ｔ ｅｃｏ（商標））、厚さ０．５５ｍｍ、ｎ＝１．５２２４６、ｋ＝４．４５×１０−１３
反射層３２０：銀インジウムスズ（ＡｇＩｎＳｎ）、膜厚１００ｎｍ
保護層３３０：酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、膜厚２０ｎｍ
被覆層３４０：二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、膜厚１００ｎｍ
下地層３１０：ガラス（ＳＣＨＯＴＴ社製のＤ２６３ Ｔ ｅｃｏ（商標））、厚さ０．５５ｍｍ、ｎ＝１．５２２４６、ｋ＝４．４５×１０−１３
反射層３２０：銀インジウムスズ（ＡｇＩｎＳｎ）、膜厚１００ｎｍ
保護層３３０：酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、膜厚２０ｎｍ
被覆層３４０：二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、膜厚１００ｎｍ
図６に示すように、コード板３００は、高反射領域３０１と低反射領域３０２とを有している。高反射領域３０１には、反射層３２０と、保護層３３０と、被覆層３４０とが設けられている。低反射領域３０２には、保護層３３０と、被覆層３４０とが設けられており、反射層３２０が設けられていない。光源２１０から照射された光に対する反射層３２０の反射率は、光源２１０から照射された光に対する保護層３３０の反射率、及び、光源２１０から照射された光に対する被覆層３４０の反射率よりも高い。そのため、高反射領域３０１における光の反射率は、低反射領域３０２における光の反射率よりも高い。
図７（ａ）、（ｂ）を互いに比較すると、耐久試験後においては、黒点状のゴミはわずかに見られるものの、目視において腐食は認められず、良好な状態を維持している。すなわち、高反射領域と低反射領域とでそれぞれ反射された光によって生成される縞状の像が明確に現れており、縞状の像を高い精度で検出可能である。したがって、実施例に係る構成によれば、コード板として十分な耐湿性（耐久性）を備えていることが分かる。
これに対して、図８（ａ）、（ｂ）を互いに比較すると、目視において少なくとも高反射領域１０１に黒い泡状のものが多数現れており、相当程度腐食が進んでいることが分かる。この腐食の程度は、図７（ｂ）と図８（ｂ）とを比較しても明確に認められる。ここで、図８（ｂ）に認められるような腐食による変化がコード板の高反射領域に生ずると、高反射領域における光の反射率が低下してしまうため、低反射領域における光の反射率との差が小さくなってしまう。このため、高反射領域と低反射領域とでそれぞれ反射された光によって生成される縞状の像を高い精度で検出することが困難となる。したがって、比較例に係る構成では耐湿性（耐久性）が十分でないことが分かる。
本発明について上記実施形態を参照しつつ説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、改良の目的又は本発明の思想の範囲内において改良又は変更が可能である。
本発明について上記実施形態を参照しつつ説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、改良の目的又は本発明の思想の範囲内において改良又は変更が可能である。
以上のように、本発明に係る反射型光学式エンコーダのコード板は、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率との差を十分確保でき、かつ、耐腐食性にすぐれ、シンプルなプロセスで製造することができる点で有用である。
１０ 反射型光学式エンコーダ
１００ コード板
１０１ 高反射領域
１０２ 低反射領域
１１０ 下地層
１２０ 反射層
１３０ 保護層
２００ 検出ヘッド
２１０ 光源
２２０ 光検出器
２３０ 検出基板
３００ コード板
３０１ 高反射領域
３０２ 低反射領域
３１０ 下地層
３２０ 反射層
３３０ 保護層
３４０ 被覆層
１００ コード板
１０１ 高反射領域
１０２ 低反射領域
１１０ 下地層
１２０ 反射層
１３０ 保護層
２００ 検出ヘッド
２１０ 光源
２２０ 光検出器
２３０ 検出基板
３００ コード板
３０１ 高反射領域
３０２ 低反射領域
３１０ 下地層
３２０ 反射層
３３０ 保護層
３４０ 被覆層
Claims (5)
- 高反射領域と低反射領域とが下地層に交互に配置された反射型光学式エンコーダのコード板であって、
前記高反射領域における光の反射率は、前記低反射領域における光の反射率よりも高く、
前記高反射領域における前記下地層の上に設けられ、ルテニウムを含有する反射層を備えたことを特徴とする反射型光学式エンコーダのコード板。 - 前記反射層の膜厚は２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項１に記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
- 前記反射層と前記低反射領域における前記下地層との上に設けられ、前記ルテニウムを保護する保護層を備える請求項１又は請求項２に記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
- 前記保護層の材料は、二酸化ケイ素である請求項３に記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
- 前記保護層の膜厚は、０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、又は、２００ｎｍ以上３４０ｎｍ以下である請求項４に記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017215254A JP2021014990A (ja) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | 反射型光学式エンコーダのコード板 |
| PCT/JP2018/041020 WO2019093276A1 (ja) | 2017-11-08 | 2018-11-05 | 反射型光学式エンコーダのコード板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017215254A JP2021014990A (ja) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | 反射型光学式エンコーダのコード板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017215254A Pending JP2021014990A (ja) | 2017-11-08 | 2017-11-08 | 反射型光学式エンコーダのコード板 |
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- 2017-11-08 JP JP2017215254A patent/JP2021014990A/ja active Pending
-
2018
- 2018-11-05 WO PCT/JP2018/041020 patent/WO2019093276A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| WO2019093276A1 (ja) | 2019-05-16 |
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