JP2021009861A - Light-emitting device - Google Patents

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laminated
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修一 関
Shuichi Seki
修一 関
田中 信介
Shinsuke Tanaka
信介 田中
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Pioneer Corp
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Tohoku Pioneer Corp
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Abstract

To reduce stress applied to a substrate including a resin material when an organic EL element is formed on the substrate.SOLUTION: A substrate 100 includes a resin material. A first laminated film 210 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed on a first surface 102 of the substrate 100. A light emitting unit 140 is formed above the first laminated film 210 and includes an organic layer. A second laminated film 220 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and covers the light emitting unit 140. A third laminated film 310 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed on the second surface 104 of the substrate 100. A fourth laminated film 320 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed on the third laminated film 310. The third laminated film 310 is the same laminated film as the first laminated film 210, and the fourth laminated film 320 is the same laminated film as the second laminated film 220.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

近年は、発光部に有機EL(Organic Electroluminescence)素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、有機層を、第1電極及び第2電極で挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、発光部は封止される必要がある。発光部を封止する方法の一つに、封止層を用いる方法がある。封止層を形成する方法としては、ALD(Atomic Layer Deposition)法、CVD法、又はスパッタリング法などの気相成膜法がある。 In recent years, the development of a light emitting device having an organic EL (Organic Electroluminescence) element in the light emitting unit has been progressing. The organic EL element has a structure in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. Since the organic layer is sensitive to moisture and oxygen, the light emitting part needs to be sealed. One of the methods for sealing the light emitting portion is a method using a sealing layer. Examples of the method for forming the sealing layer include a vapor phase deposition method such as an ALD (Atomic Layer Deposition) method, a CVD method, or a sputtering method.

一方、有機EL素子の基板として樹脂基板を用いることが検討されている。樹脂基板を用いると、発光装置に可撓性を持たせることができる。ただし、樹脂材料は水分を透過する。有機EL素子の有機層に水分が到達すると、この水分に起因して有機層が劣化してしまう。これに対して、樹脂基板にガスバリア膜を形成することが検討されている。例えば特許文献1には、無機膜と応力緩和膜を積層したガスバリア膜が開示されている。応力緩和膜は、大気圧プラズマ法によって形成されている。さらに特許文献1には、有機EL素子を封止する封止膜も、このガスバリア膜と同じ方法で形成することが記載されている。 On the other hand, it is being studied to use a resin substrate as a substrate for an organic EL element. By using a resin substrate, the light emitting device can be made flexible. However, the resin material is permeable to moisture. When moisture reaches the organic layer of the organic EL element, the organic layer deteriorates due to this moisture. On the other hand, forming a gas barrier film on a resin substrate has been studied. For example, Patent Document 1 discloses a gas barrier film in which an inorganic film and a stress relaxation film are laminated. The stress relaxation film is formed by the atmospheric pressure plasma method. Further, Patent Document 1 describes that a sealing film for sealing an organic EL element is also formed by the same method as this gas barrier film.

国際公開第2006/067952号公報International Publication No. 2006/067952

基板を樹脂で形成した場合、上記したように、ガスバリア膜を形成する必要がある。一方、基板には、有機EL素子を封止するための封止膜も形成される。このように、基板のうち有機EL素子が形成される面には複数の膜が形成される。この場合、これら複数の膜に起因した応力が基板に加わり、基板が変形する可能性が出てくる。 When the substrate is made of resin, it is necessary to form a gas barrier film as described above. On the other hand, a sealing film for sealing the organic EL element is also formed on the substrate. In this way, a plurality of films are formed on the surface of the substrate on which the organic EL element is formed. In this case, the stress caused by these plurality of films is applied to the substrate, and the substrate may be deformed.

本発明が解決しようとする課題としては、樹脂材料を含む基板に有機EL素子を形成した場合、この基板に加わる応力を小さくすることが一例として挙げられる。 As an example of the problem to be solved by the present invention, when an organic EL element is formed on a substrate containing a resin material, the stress applied to the substrate is reduced.

請求項1に記載の発明は、樹脂材料を含む基板と、
前記基板の第1面に形成され、複数の層を積層した第1積層膜と、
前記第1積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
前記発光部を覆っており、複数の層を積層した第2積層膜と、
前記基板の第2面に形成され、複数の層を積層した第3積層膜と、
前記第3積層膜に重ねて形成され、複数の層を積層した第4積層膜と、
を備え、
前記第3積層膜の層の数は前記第1積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第3積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第1積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一であり、
前記第4積層膜の層の数は前記第2積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第4積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第4積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一である発光装置である。
The invention according to claim 1 includes a substrate containing a resin material and a substrate.
A first laminated film formed on the first surface of the substrate and laminated with a plurality of layers,
A light emitting portion formed on the first laminated film and containing an organic layer,
A second laminated film that covers the light emitting portion and has a plurality of layers laminated,
A third laminated film formed on the second surface of the substrate and laminated with a plurality of layers,
A fourth laminated film formed by being laminated on the third laminated film and having a plurality of layers laminated,
With
The number of layers of the third laminated film is the same as the number of layers of the first laminated film, and when the layers are counted from the substrate side, the plurality of layers constituting the third laminated film Each material is the same as the material of the layer located in the corresponding lamination order in the first laminated film.
The number of layers of the fourth laminated film is the same as the number of layers of the second laminated film, and when the layers are counted from the substrate side, the plurality of layers constituting the fourth laminated film Each material is a light emitting device that is the same as the material of the layer located in the corresponding stacking order of the fourth laminated film.

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。 The above-mentioned objectives and other objectives, features and advantages will be further clarified by the preferred embodiments described below and the accompanying drawings below.

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light emitting device which concerns on embodiment. 第1積層膜の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the 1st laminated film. 第2積層膜の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the 2nd laminated film. 第1積層膜の構成の第1の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of the structure of the 1st laminated film. 第2積層膜の構成の第1の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of the structure of the 2nd laminated film. 第1積層膜の第2の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd modification of the 1st laminated film. 第2積層膜の第2の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd modification of the 2nd laminated film. 実施例1に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light emitting device which concerns on Example 1. FIG. 図8から第2電極及び第2積層膜を取り除いた図である。It is the figure which removed the 2nd electrode and the 2nd laminated film from FIG. 図9から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the organic layer and the insulating layer from FIG. 図8のA−A断面図である。8 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 実施例2に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on Example 2. FIG. 図12から隔壁、第2電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。FIG. 12 is a diagram in which the partition wall, the second electrode, the organic layer, and the insulating layer are removed from FIG. 図12のB−B断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 図12のC−C断面図である。12 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 図12のD−D断面図である。FIG. 12 is a sectional view taken along line DD of FIG. 発光装置の等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a light emitting device.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置10は、基板100、発光部140、第1積層膜210、第2積層膜220、第3積層膜310、及び第4積層膜320を備えている。基板100は樹脂材料を含んでいる。第1積層膜210は複数の層を積層した構造を有しており、基板100の第1面102に形成されている。発光部140は第1積層膜210より上に形成されており、有機層を含んでいる。第2積層膜220は複数の層を積層した構造を有しており、発光部140を覆っている。第3積層膜310は複数の層を積層した構造を有しており、基板100の第2面104に形成されている。第4積層膜320は複数の層を積層した構造を有しており、第3積層膜310に重ねて形成されている。言い換えると、第2面104には、第3積層膜310及び第4積層膜320がこの順に形成されている。そして、第3積層膜310の層の数は第1積層膜210の層の数と同一であり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第3積層膜310を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第1積層膜210のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。また、第4積層膜320の層の数は第2積層膜220の層の数と同一であり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第4積層膜320を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第2積層膜220のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。以下、詳細に説明する。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device 10 according to the embodiment. The light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a light emitting unit 140, a first laminated film 210, a second laminated film 220, a third laminated film 310, and a fourth laminated film 320. The substrate 100 contains a resin material. The first laminated film 210 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed on the first surface 102 of the substrate 100. The light emitting portion 140 is formed above the first laminated film 210 and includes an organic layer. The second laminated film 220 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and covers the light emitting portion 140. The third laminated film 310 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed on the second surface 104 of the substrate 100. The fourth laminated film 320 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed so as to be superimposed on the third laminated film 310. In other words, the third laminated film 310 and the fourth laminated film 320 are formed on the second surface 104 in this order. The number of layers of the third laminated film 310 is the same as the number of layers of the first laminated film 210, and when the layers are counted from the substrate 100 side, a plurality of layers constituting the third laminated film 310. Each material of the first laminated film 210 is the same as the material of the layer located in the corresponding laminated order. Further, the number of layers of the fourth laminated film 320 is the same as the number of layers of the second laminated film 220, and when the layers are counted from the substrate 100 side, a plurality of layers constituting the fourth laminated film 320. Each material of the second laminated film 220 is the same as the material of the layer located in the corresponding laminated order. The details will be described below.

基板100は、樹脂材料を含んでおり、可視光を透過する。基板100は、例えば樹脂基板であり、その厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。基板100に用いられる樹脂は、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタラート)、又はポリイミドである。 The substrate 100 contains a resin material and transmits visible light. The substrate 100 is, for example, a resin substrate, and its thickness is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. The resin used for the substrate 100 is, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyether sulphon), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.

基板100の第1面102には、発光部140が形成されている。発光部140は、第1電極、有機層、及び第2電極をこの順に積層させた構成を有している。 A light emitting portion 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. The light emitting unit 140 has a configuration in which the first electrode, the organic layer, and the second electrode are laminated in this order.

第1電極は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物である。第1電極の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。第1電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第1電極は、カーボンナノチューブ、PEDOT/PSSなどの導電性有機材料を用いて形成されていてもよい。 The first electrode is a transparent electrode having light transmission. The material of the transparent electrode is a material containing a metal, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide) and the like. The thickness of the first electrode is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. The first electrode is formed by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode may be formed by using a conductive organic material such as carbon nanotubes or PEDOT / PSS.

有機層は発光層を有している。有機層は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層のうち少なくとも一つの層、例えば第1電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。 The organic layer has a light emitting layer. The organic layer has, for example, a structure in which a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are laminated in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. Further, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer may be formed by a vapor deposition method. Further, at least one of the organic layers, for example, a layer in contact with the first electrode may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining organic layer is formed by the vapor deposition method. Further, all the layers of the organic layer may be formed by using a coating method.

第2電極は、例えば、Al、Au、Ag(AgインクやAgナノワイヤの場合もある)、Pt、Mg、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第2電極は遮光性を有している。第2電極の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。ただし、第2電極は、第1電極の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第2電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。 The second electrode is, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag (which may be Ag ink or Ag nanowire), Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or a metal thereof. It contains a metal layer made of an alloy of metals selected from one group. In this case, the second electrode has a light-shielding property. The thickness of the second electrode is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. However, the second electrode may be formed by using the material exemplified as the material of the first electrode. The second electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

また、発光部140は第2積層膜220を用いて封止されている。第2積層膜220は、複数の層を積層した構成を有している。第2積層膜220を構成する層は、いずれも無機膜であり、ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて形成されている。 Further, the light emitting portion 140 is sealed by using the second laminated film 220. The second laminated film 220 has a structure in which a plurality of layers are laminated. The layers constituting the second laminated film 220 are all inorganic films, and are formed by using the ALD (Atomic Layer Deposition) method.

また、基板100の第1面102には第1積層膜210が形成されており、基板100の第2面104には第3積層膜310及び第4積層膜320がこの順に形成されている。第1積層膜210、第3積層膜310、及び第4積層膜320は、水分が基板100を透過することを抑制するために形成されており、いずれも複数の層を積層した構成を有している。そして、これらのいずれの層も、ALD法を用いて形成されている。第1積層膜210、第2積層膜220、第3積層膜310、及び第4積層膜320は、例えば無機膜で形成されている。 A first laminated film 210 is formed on the first surface 102 of the substrate 100, and a third laminated film 310 and a fourth laminated film 320 are formed on the second surface 104 of the substrate 100 in this order. The first laminated film 210, the third laminated film 310, and the fourth laminated film 320 are formed in order to prevent moisture from permeating through the substrate 100, and all have a structure in which a plurality of layers are laminated. ing. Then, each of these layers is formed by using the ALD method. The first laminated film 210, the second laminated film 220, the third laminated film 310, and the fourth laminated film 320 are formed of, for example, an inorganic film.

なお、第3積層膜310は第1積層膜210と同一の工程で形成されている。このため、第3積層膜310の層数は第1積層膜210の層数と同じであり、かつ、基板100側から数えた場合において、第3積層膜310を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第1積層膜210のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。さらに、製造条件によっては、第3積層膜310は、各層の厚さも含めて第1積層膜210と同一の構造を有していることもある。 The third laminated film 310 is formed in the same process as the first laminated film 210. Therefore, the number of layers of the third laminated film 310 is the same as the number of layers of the first laminated film 210, and when counted from the substrate 100 side, each of the plurality of layers constituting the third laminated film 310 The material is the same as the material of the layers of the first laminated film 210 located in the corresponding laminated order. Further, depending on the manufacturing conditions, the third laminated film 310 may have the same structure as the first laminated film 210, including the thickness of each layer.

また、第4積層膜320は第2積層膜220と同一の工程で形成されている。このため、第4積層膜320の層数は第2積層膜220の層数と同じであり、かつ、基板100側から数えた場合において、第4積層膜320を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第2積層膜220のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。さらに、製造条件によっては、第4積層膜320は、各層の厚さも含めて第2積層膜220と同一の構造を有していることもある。 Further, the fourth laminated film 320 is formed in the same process as the second laminated film 220. Therefore, the number of layers of the fourth laminated film 320 is the same as the number of layers of the second laminated film 220, and when counted from the substrate 100 side, each of the plurality of layers constituting the fourth laminated film 320. The material is the same as the material of the layer of the second laminated film 220 located in the corresponding laminated order. Further, depending on the manufacturing conditions, the fourth laminated film 320 may have the same structure as the second laminated film 220 including the thickness of each layer.

なお、基板100の第1面102と第1積層膜210の間には、平坦化層(例えば有機層)が設けられていてもよい。また、基板100の第2面104と第3積層膜310の間にも平坦化層が形成されていてもよい。 A flattening layer (for example, an organic layer) may be provided between the first surface 102 of the substrate 100 and the first laminated film 210. Further, a flattening layer may be formed between the second surface 104 of the substrate 100 and the third laminated film 310.

図2は、第1積層膜210の構成を示す断面図である。第1積層膜210は、第1層212及び第2層214を有している。第1層212及び第2層214は、例えば酸化金属膜である。具体的には、第1層212は酸化アルミニウム(Al)を用いて形成されており、第2層214は酸化チタン(TiO)を用いて形成されている。第1層212及び第2層214の厚さは、いずれも3nm以上10nm以下である。ただし、これら各層の厚さはこの範囲に限定されない。また、第1積層膜210は、第1層212及び第2層214をこの順に繰り返し積層した構成を有していてもよい。また、第1積層膜210は、互いに異なる材料を有する3つの層を1回または複数回積層した積層膜であってもよい。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure of the first laminated film 210. The first laminated film 210 has a first layer 212 and a second layer 214. The first layer 212 and the second layer 214 are, for example, metal oxide films. Specifically, the first layer 212 is formed by using aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and the second layer 214 is formed by using titanium oxide (TIO 2 ). The thickness of the first layer 212 and the second layer 214 are both 3 nm or more and 10 nm or less. However, the thickness of each of these layers is not limited to this range. Further, the first laminated film 210 may have a structure in which the first layer 212 and the second layer 214 are repeatedly laminated in this order. Further, the first laminated film 210 may be a laminated film in which three layers having different materials are laminated once or a plurality of times.

なお、上記したように、第3積層膜310も本図に示した構成を有している。 As described above, the third laminated film 310 also has the configuration shown in this figure.

図3は、第2積層膜220の構成を示す断面図である。第2積層膜220は、第1層222及び第2層224を複数回繰り返し積層した構成を有している。このため、第2積層膜220は、第1積層膜210よりも厚くなっている。第2積層膜220を第1積層膜210よりも厚くすることにより、第2積層膜220の封止能力は向上する。なお、第1層222は酸化アルミニウム(Al)を用いて形成されており、第2層224は酸化チタン(TiO)を用いて形成されている。酸化チタンは室温の状態で絶縁性を有するが、例えば薄膜にすると、導電性を有する。第1層222及び第2層224の厚さは、いずれも3nm以上10nm以下である。ただし、これら各層の厚さはこの範囲に限定されない。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the second laminated film 220. The second laminated film 220 has a structure in which the first layer 222 and the second layer 224 are repeatedly laminated a plurality of times. Therefore, the second laminated film 220 is thicker than the first laminated film 210. By making the second laminated film 220 thicker than the first laminated film 210, the sealing ability of the second laminated film 220 is improved. The first layer 222 is formed by using aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and the second layer 224 is formed by using titanium oxide (TIO 2 ). Titanium oxide has insulating properties at room temperature, but when made into a thin film, for example, it has conductivity. The thickness of the first layer 222 and the second layer 224 are both 3 nm or more and 10 nm or less. However, the thickness of each of these layers is not limited to this range.

なお、上記したように、第4積層膜320も本図に示した構成を有している。 As described above, the fourth laminated film 320 also has the configuration shown in this figure.

図4は、第1積層膜210の構成の第1の変形例を示す図である。本図に示す例において、第1積層膜210は、第1層212及び第2層214をこの順に繰り返し積層した構成を有している。そして、第1積層膜210のいずれかの層は、第1積層膜210を構成する他の層と比較して厚くなっている。本図に示す例では、第1積層膜210のうち最も上の層(すなわち発光部140に面する層)が、第1積層膜210を構成する他の層と比較して厚くなっている。例えば最も上の第1層212の厚さは、それ以外の層のうち最も厚い層の厚さの4倍以上である。また、この第1層212の厚さは、例えば、第1積層膜210の厚さの20%以上80%以下である。 FIG. 4 is a diagram showing a first modification of the configuration of the first laminated film 210. In the example shown in this figure, the first laminated film 210 has a structure in which the first layer 212 and the second layer 214 are repeatedly laminated in this order. Then, any layer of the first laminated film 210 is thicker than the other layers constituting the first laminated film 210. In the example shown in this figure, the uppermost layer of the first laminated film 210 (that is, the layer facing the light emitting portion 140) is thicker than the other layers constituting the first laminated film 210. For example, the thickness of the top first layer 212 is four times or more the thickness of the thickest layer among the other layers. The thickness of the first layer 212 is, for example, 20% or more and 80% or less of the thickness of the first laminated film 210.

なお、第1積層膜210が図4に示した構成を有している場合、第3積層膜310も図4に示した構成を有している。この場合、第3積層膜310のうち最も基板100の第2面104から遠い層は、第3積層膜310の他の層と比較して厚くなっている。 When the first laminated film 210 has the structure shown in FIG. 4, the third laminated film 310 also has the structure shown in FIG. In this case, the layer of the third laminated film 310 farthest from the second surface 104 of the substrate 100 is thicker than the other layers of the third laminated film 310.

図5は、第2積層膜220の構成の第1の変形例を示す図である。本図に示す例において、第2積層膜220は、第1層222及び第2層224をこの順に繰り返し積層した構成を有している。ただし、第2積層膜220が有する層の数は第1積層膜210が有する層の数よりも多いため、第2積層膜220は第1積層膜210よりも厚くなっている。そして、第2積層膜220のいずれかの層は、第2積層膜220を構成する他の層と比較して厚くなっている。本図に示す例では、最も下の第1層222(すなわち発光部140に面する層)が、第2積層膜220を構成する他の層と比較して厚くなっている。例えば最も下の第1層222の厚さは、それ以外の層のうち最も厚い層の厚さの4倍以上である。また、この第1層222の厚さは、例えば、第2積層膜220の厚さの20%以上80%以下である。 FIG. 5 is a diagram showing a first modification of the configuration of the second laminated film 220. In the example shown in this figure, the second laminated film 220 has a structure in which the first layer 222 and the second layer 224 are repeatedly laminated in this order. However, since the number of layers of the second laminated film 220 is larger than the number of layers of the first laminated film 210, the second laminated film 220 is thicker than the first laminated film 210. Then, any layer of the second laminated film 220 is thicker than the other layers constituting the second laminated film 220. In the example shown in this figure, the lowermost first layer 222 (that is, the layer facing the light emitting portion 140) is thicker than the other layers constituting the second laminated film 220. For example, the thickness of the first layer 222 at the bottom is four times or more the thickness of the thickest layer among the other layers. The thickness of the first layer 222 is, for example, 20% or more and 80% or less of the thickness of the second laminated film 220.

なお、第2積層膜220が図5に示した構成を有している場合、第4積層膜320も図5に示した構成を有している。この場合、第4積層膜320のうち最も基板100に近い層は、第4積層膜320の他の層と比較して厚くなっている。 When the second laminated film 220 has the structure shown in FIG. 5, the fourth laminated film 320 also has the structure shown in FIG. In this case, the layer of the fourth laminated film 320 closest to the substrate 100 is thicker than the other layers of the fourth laminated film 320.

図6は、第1積層膜210の第2の変形例を示す断面図である。本変形例に係る第1積層膜210は、発光部140側から数えて2層目以上に位置する層が、第1積層膜210の他の層と比較して厚くなっている点を除いて、図4に示した第1積層膜210と同様の構成である。なお、第1積層膜210が図6に示した構成を有している場合、第3積層膜310も図6に示した構成を有している。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing a second modification of the first laminated film 210. The first laminated film 210 according to this modification is thicker than the other layers of the first laminated film 210, except that the second and higher layers counted from the light emitting portion 140 side are thicker. , The same configuration as the first laminated film 210 shown in FIG. When the first laminated film 210 has the structure shown in FIG. 6, the third laminated film 310 also has the structure shown in FIG.

図7は、第2積層膜220の第2の変形例を示す断面図である。本変形例に係る第2積層膜220は、基板100側から数えて2層目以上に位置する層が、第2積層膜220の他の層と比較して厚くなっている点を除いて、図5に示した第2積層膜220と同様の構成である。なお、第2積層膜220が図7に示した構成を有している場合、第4積層膜320も図7に示した構成を有している。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing a second modification of the second laminated film 220. The second laminated film 220 according to this modification is thicker than the other layers of the second laminated film 220, except that the layer located at the second or higher layer counting from the substrate 100 side is thicker. It has the same configuration as the second laminated film 220 shown in FIG. When the second laminated film 220 has the structure shown in FIG. 7, the fourth laminated film 320 also has the structure shown in FIG. 7.

なお、図2に示した第1積層膜210は、図3に示した第2積層膜220、図5に示した第2積層膜220、及び図7に示した第2積層膜220のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。また、図4に示した第1積層膜210は、図3に示した第2積層膜220、図5に示した第2積層膜220、及び図7に示した第2積層膜220のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。さらに、図6に示した第1積層膜210は、図3に示した第2積層膜220、図5に示した第2積層膜220、及び図7に示した第2積層膜220のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。 The first laminated film 210 shown in FIG. 2 is any of the second laminated film 220 shown in FIG. 3, the second laminated film 220 shown in FIG. 5, and the second laminated film 220 shown in FIG. 7. It may be used in combination. Further, the first laminated film 210 shown in FIG. 4 is any of the second laminated film 220 shown in FIG. 3, the second laminated film 220 shown in FIG. 5, and the second laminated film 220 shown in FIG. It may be used in combination. Further, the first laminated film 210 shown in FIG. 6 is any of the second laminated film 220 shown in FIG. 3, the second laminated film 220 shown in FIG. 5, and the second laminated film 220 shown in FIG. It may be used in combination.

図17は、発光装置10の等価回路図である。本図に示す例において、発光装置10は、第1端子112及び第2端子132を有している。第1端子112は、引出配線114を介して発光部140の第1電極に接続しており、第2端子132は、引出配線134を介して発光部140の第2電極に接続している。 FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of the light emitting device 10. In the example shown in this figure, the light emitting device 10 has a first terminal 112 and a second terminal 132. The first terminal 112 is connected to the first electrode of the light emitting unit 140 via the lead wire 114, and the second terminal 132 is connected to the second electrode of the light emitting unit 140 via the lead wire 134.

発光装置10の発光部140を発光させるとき、第1引出配線114と第2引出配線134の間には電圧が印加される。また、第1積層膜210は第1引出配線114と第2引出配線134に接している。また、第1積層膜210は複数の層を積層した構成を有している。このため、等価回路で見た場合、第1積層膜210は、第1引出配線114と第2引出配線134の間に、容量と抵抗とを直列に接続した構成となる。このため、第1積層膜210にある程度電流が流れ、その結果、発光部140が発光するときに第1積層膜210に電荷が蓄積されてしまう。この電荷は、第1引出配線114と第2引出配線134の間に電圧が印加されなくなったとき、発光部140に流れる。これにより、発光部140のオフにするときの応答速度は低下してしまう。また、発光部140を点灯させるとき、電流の一部は第1積層膜210に流れてしまう。このため、発光部140を点灯させるときの応答速度も低下してしまう。 When the light emitting unit 140 of the light emitting device 10 emits light, a voltage is applied between the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134. Further, the first laminated film 210 is in contact with the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134. Further, the first laminated film 210 has a structure in which a plurality of layers are laminated. Therefore, when viewed in an equivalent circuit, the first laminated film 210 has a configuration in which a capacitance and a resistor are connected in series between the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134. Therefore, a certain amount of current flows through the first laminated film 210, and as a result, electric charges are accumulated in the first laminated film 210 when the light emitting unit 140 emits light. This charge flows to the light emitting unit 140 when no voltage is applied between the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134. As a result, the response speed when the light emitting unit 140 is turned off is reduced. Further, when the light emitting unit 140 is turned on, a part of the current flows through the first laminated film 210. Therefore, the response speed when the light emitting unit 140 is turned on is also reduced.

これに対して本実施形態によれば、第1引出配線114と第2引出配線134の間において、第1積層膜210の少なくとも一部の層は、他の層よりも厚くなっている。このため、図17の等価回路図における抵抗の大きさは、大きくなる。従って、第1積層膜210に電流は流れにくくなり、その結果、発光部140の応答速度は低下しにくくなる。第1積層膜210のうち発光部140に最も近い層を他の層より厚くすると、特に第1積層膜210に電流は流れにくくなる。 On the other hand, according to the present embodiment, at least a part of the layers of the first laminated film 210 is thicker than the other layers between the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134. Therefore, the magnitude of the resistance in the equivalent circuit diagram of FIG. 17 becomes large. Therefore, it becomes difficult for the current to flow through the first laminated film 210, and as a result, the response speed of the light emitting unit 140 becomes difficult to decrease. If the layer of the first laminated film 210 closest to the light emitting portion 140 is thicker than the other layers, it becomes difficult for current to flow through the first laminated film 210 in particular.

なお、第2積層膜220についても同様である。 The same applies to the second laminated film 220.

次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100を準備する。次いで、例えばALD法を用いて、基板100の第1面102に複数の無機層を形成する。これにより、第1面102には第1積層膜210が形成する。ALD法において、膜となる原子または分子は基板100の第2面104にも到達する。言い換えると、ALD法は被覆性が高い。このため、ALD法を用いて第1積層膜210を形成する際、基板100の第2面104には第3積層膜310が形成される。 Next, a method of manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the substrate 100 is prepared. Then, for example, using the ALD method, a plurality of inorganic layers are formed on the first surface 102 of the substrate 100. As a result, the first laminated film 210 is formed on the first surface 102. In the ALD method, the atoms or molecules that form the film also reach the second surface 104 of the substrate 100. In other words, the ALD method has high coverage. Therefore, when the first laminated film 210 is formed by using the ALD method, the third laminated film 310 is formed on the second surface 104 of the substrate 100.

次いで、基板100の第1積層膜210上に、発光部140の第1電極、有機層、及び第2電極をこの順に形成する。これにより、発光部140が形成される。なお、この工程において、発光部140の端子も形成される。 Next, the first electrode, the organic layer, and the second electrode of the light emitting unit 140 are formed on the first laminated film 210 of the substrate 100 in this order. As a result, the light emitting unit 140 is formed. In this step, the terminals of the light emitting unit 140 are also formed.

次いで、例えばALD法を用いて、基板100の第1積層膜210の上及び発光部140の上に、複数の無機層を形成する。これにより、第1面102の上及び発光部140の上には、封止膜である第2積層膜220が形成される。また、上記したように、ALD法は被覆性が高い。このため、ALD法を用いて第2積層膜220を形成する際、基板100の第2面104には第4積層膜320が形成される。 Then, for example, using the ALD method, a plurality of inorganic layers are formed on the first laminated film 210 of the substrate 100 and on the light emitting portion 140. As a result, a second laminated film 220, which is a sealing film, is formed on the first surface 102 and the light emitting portion 140. Further, as described above, the ALD method has high coverage. Therefore, when the second laminated film 220 is formed by using the ALD method, the fourth laminated film 320 is formed on the second surface 104 of the substrate 100.

以上、本実施形態によれば、基板100の第1面102側には第1積層膜210及び第2積層膜220が形成されており、基板100の第2面104側には第3積層膜310及び第4積層膜320が形成されている。第1積層膜210の層数は第3積層膜310の層数と同じであり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第3積層膜310を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第1積層膜210のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。また、第4積層膜320の層の数は第2積層膜220の層の数と同一であり、かつ、基板100側から層を数えた場合において、第4積層膜320を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第2積層膜220のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。このため、第1積層膜210に起因して基板100に加わる応力は、第3積層膜310に起因して基板100に加わる応力によって打ち消される。また、第2積層膜220に起因して基板100に加わる応力は、第4積層膜320に起因して基板100に加わる応力によって打ち消される。従って、基板100に加わる応力は小さくなる。 As described above, according to the present embodiment, the first laminated film 210 and the second laminated film 220 are formed on the first surface 102 side of the substrate 100, and the third laminated film 210 is formed on the second surface 104 side of the substrate 100. 310 and a fourth laminated film 320 are formed. The number of layers of the first laminated film 210 is the same as the number of layers of the third laminated film 310, and when the layers are counted from the substrate 100 side, each material of the plurality of layers constituting the third laminated film 310 Is the same as the material of the layer of the first laminated film 210 located in the corresponding laminated order. Further, the number of layers of the fourth laminated film 320 is the same as the number of layers of the second laminated film 220, and when the layers are counted from the substrate 100 side, a plurality of layers constituting the fourth laminated film 320. Each material of the second laminated film 220 is the same as the material of the layer located in the corresponding laminated order. Therefore, the stress applied to the substrate 100 due to the first laminated film 210 is canceled by the stress applied to the substrate 100 due to the third laminated film 310. Further, the stress applied to the substrate 100 due to the second laminated film 220 is canceled by the stress applied to the substrate 100 due to the fourth laminated film 320. Therefore, the stress applied to the substrate 100 becomes small.

特に本実施形態では、第1積層膜210及び第3積層膜310はALD法を用いて同時に形成されているため、互いに同一の構造になる。また、第2積層膜220及び第4積層膜320はALD法を用いて同時に形成されているため、互いに同一の構造になる。従って、基板100に加わる応力は特に小さくなる。 In particular, in the present embodiment, since the first laminated film 210 and the third laminated film 310 are simultaneously formed by using the ALD method, they have the same structure. Further, since the second laminated film 220 and the fourth laminated film 320 are simultaneously formed by using the ALD method, they have the same structure as each other. Therefore, the stress applied to the substrate 100 is particularly small.

また、第4積層膜320は基板100のバリア膜として機能するため、水分が基板100を透過する可能性はさらに低くなる。 Further, since the fourth laminated film 320 functions as a barrier film of the substrate 100, the possibility that moisture permeates the substrate 100 is further reduced.

(実施例1)
図8は、実施例1に係る発光装置10の構成を示す平面図である。説明のため、図8において第2積層膜220は点線で示されている。図9は、図8から第2電極130及び第2積層膜220を取り除いた図である。図10は図9から有機層120及び絶縁層150を取り除いた図である。図11は図8のA−A断面図である。
(Example 1)
FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 10 according to the first embodiment. For illustration purposes, the second laminated film 220 is shown by the dotted line in FIG. FIG. 9 is a diagram in which the second electrode 130 and the second laminated film 220 are removed from FIG. FIG. 10 is a diagram in which the organic layer 120 and the insulating layer 150 are removed from FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

本実施例において、発光装置10は照明装置であり、基板100、及び発光部140を備えている。発光部140は、第1電極110、有機層120、及び第2電極130を有している。第1電極110、有機層120、及び第2電極130の構成は、実施形態の通りである。 In this embodiment, the light emitting device 10 is a lighting device, and includes a substrate 100 and a light emitting unit 140. The light emitting unit 140 has a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The configurations of the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are as in the embodiment.

第1電極110の縁は、絶縁層150によって覆われている。絶縁層150は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第1電極110のうち発光部140の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層150を設けることにより、第1電極110の縁において第1電極110と第2電極130が短絡することを抑制できる。絶縁層150は、例えば、絶縁層150となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。 The edge of the first electrode 110 is covered with an insulating layer 150. The insulating layer 150 is formed of a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes a light emitting region of the light emitting portion 140. By providing the insulating layer 150, it is possible to prevent the first electrode 110 and the second electrode 130 from being short-circuited at the edge of the first electrode 110. The insulating layer 150 is formed, for example, by applying a resin material to be the insulating layer 150 and then exposing and developing the resin material.

また、発光装置10は、第1端子112及び第2端子132を有している。第1端子112は第1電極110に接続しており、第2端子132は第2電極130に接続している。第1端子112及び第2端子132は、例えば、第1電極110と同一の材料で形成された層を有している。なお、第1端子112と第1電極110の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第2端子132と第2電極130の間にも引出配線が設けられていてもよい。 Further, the light emitting device 10 has a first terminal 112 and a second terminal 132. The first terminal 112 is connected to the first electrode 110, and the second terminal 132 is connected to the second electrode 130. The first terminal 112 and the second terminal 132 have, for example, a layer made of the same material as the first electrode 110. An extraction wiring may be provided between the first terminal 112 and the first electrode 110. Further, an extraction wiring may be provided between the second terminal 132 and the second electrode 130.

また、発光装置10は第1積層膜210、第2積層膜220、第3積層膜310、及び第4積層膜320を有している。これらの積層膜の構成、及び基板100の構成は、実施形態の通りである。 Further, the light emitting device 10 has a first laminated film 210, a second laminated film 220, a third laminated film 310, and a fourth laminated film 320. The configuration of these laminated films and the configuration of the substrate 100 are as in the embodiment.

次に、発光装置10の製造方法を説明する。まず、基板100に第1積層膜210及び第3積層膜310を形成する。次いで、第1積層膜210上に第1電極110を形成する。この工程において、第1端子112及び第2端子132も形成される。次いで、絶縁層150、有機層120、及び第2電極130をこの順に形成する。次いで、第2積層膜220及び第4積層膜320を形成する。 Next, a method of manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the first laminated film 210 and the third laminated film 310 are formed on the substrate 100. Next, the first electrode 110 is formed on the first laminated film 210. In this step, the first terminal 112 and the second terminal 132 are also formed. Next, the insulating layer 150, the organic layer 120, and the second electrode 130 are formed in this order. Next, the second laminated film 220 and the fourth laminated film 320 are formed.

本実施例によれば、実施形態と同様に、発光部140を用いた照明装置において、基板100に加わる応力を小さくすることができる。 According to this embodiment, the stress applied to the substrate 100 can be reduced in the lighting device using the light emitting unit 140 as in the embodiment.

(実施例2)
図12は、実施例2に係る発光装置10の平面図である。説明のため、図12において第2積層膜220は点線で示されている。図13は、図12から隔壁170、第2電極130、有機層120、及び絶縁層150を取り除いた図である。図14は図12のB−B断面図であり、図15は図12のC−C断面図であり、図16は図12のD−D断面図である。
(Example 2)
FIG. 12 is a plan view of the light emitting device 10 according to the second embodiment. For illustration purposes, the second laminated film 220 is shown by the dotted line in FIG. FIG. 13 is a diagram in which the partition wall 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 14 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 12, FIG. 15 is a sectional view taken along the line CC of FIG. 12, and FIG. 16 is a sectional view taken along the line DD of FIG.

本実施例に係る発光装置10はディスプレイであり、基板100、第1電極110、発光部140、絶縁層150、複数の開口152、複数の開口154、複数の引出配線114、有機層120、第2電極130、複数の引出配線134、及び複数の隔壁170を有している。 The light emitting device 10 according to this embodiment is a display, and is a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wiring 114, an organic layer 120, and a first. It has two electrodes 130, a plurality of drawer wires 134, and a plurality of partition walls 170.

第1電極110は、第1方向(図12におけるY方向)にライン状に延在している。そして第1電極110の端部は、引出配線114に接続している。 The first electrode 110 extends in a line in the first direction (Y direction in FIG. 12). The end of the first electrode 110 is connected to the lead wire 114.

引出配線114は、第1電極110を第1端子112に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線114の一端側は第1電極110に接続しており、引出配線114の他端側は第1端子112となっている。本図に示す例において、第1電極110及び引出配線114は一体になっている。そして引出配線114の上には、導体層160が形成されている。導体層160は、第1電極110よりも抵抗が低い材料、例えばAlを用いて形成されている。なお、導体層160は、多層構造を有していてもよい。引出配線114の一部は絶縁層150によって覆われている。 The lead-out wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112. In the example shown in this figure, one end side of the lead wire 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wire 114 is the first terminal 112. In the example shown in this figure, the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated. A conductor layer 160 is formed on the leader wiring 114. The conductor layer 160 is formed by using a material having a resistance lower than that of the first electrode 110, for example, Al. The conductor layer 160 may have a multi-layer structure. A part of the lead wiring 114 is covered with the insulating layer 150.

絶縁層150は、図12、及び図14〜図16に示すように、複数の第1電極110上及びその間の領域に形成されている。絶縁層150には、複数の開口152及び複数の開口154が形成されている。複数の第2電極130は、第1電極110と交差する方向(例えば直交する方向:図12におけるX方向)に互いに平行に延在している。そして、複数の第2電極130の間には、詳細を後述する隔壁170が延在している。開口152は、平面視で第1電極110と第2電極130の交点に位置している。具体的には、複数の開口152は、第1電極110が延在する方向(図12におけるY方向)に並んでいる。また、複数の開口152は、第2電極130の延在方向(図12におけるX方向)にも並んでいる。このため、複数の開口152はマトリクスを構成するように配置されていることになる。 As shown in FIGS. 12 and 14 to 16, the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region between them. A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150. The plurality of second electrodes 130 extend parallel to each other in a direction intersecting with the first electrode 110 (for example, an orthogonal direction: the X direction in FIG. 12). A partition wall 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in a plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (Y direction in FIG. 12). Further, the plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction (X direction in FIG. 12) of the second electrode 130. Therefore, the plurality of openings 152 are arranged so as to form a matrix.

開口154は、平面視で複数の第2電極130のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口154は、開口152が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向(例えば図12におけるY方向、すなわち第1電極110に沿う方向)で見た場合、開口154は、所定の間隔で配置されている。開口154からは、引出配線134の一部分が露出している。そして、引出配線134は、開口154を介して第2電極130に接続している。 The opening 154 is located in a region that overlaps one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in a plan view. Further, the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 12, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at predetermined intervals. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154. The lead-out wiring 134 is connected to the second electrode 130 via the opening 154.

引出配線134は、第2電極130を第2端子132に接続する配線であり、第1電極110と同一の材料からなる層を有している。引出配線134の一端側は開口154の下に位置しており、引出配線134の他端側は、絶縁層150の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線134の他端側が第2端子132となっている。そして引出配線134の上には、導体層160が形成されている。引出配線134の一部は絶縁層150によって覆われている。 The lead-out wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out to the outside of the insulating layer 150. In the example shown in this figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 160 is formed on the leader wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with the insulating layer 150.

開口152と重なる領域には、有機層120が形成されている。有機層120の正孔注入層は第1電極110に接しており、有機層120の電子注入層は第2電極130に接している。このため、発光部140は、開口152と重なる領域それぞれに位置していることになる。 An organic layer 120 is formed in a region overlapping the opening 152. The hole injection layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron injection layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. Therefore, the light emitting unit 140 is located in each region overlapping the opening 152.

なお、図14及び図15に示す例では、有機層120を構成する各層は、いずれも開口152の外側まではみ出している場合を示している。そして図12に示すように、有機層120は、隔壁170が延在する方向において、隣り合う開口152の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図16に示すように、有機層120は、開口154には形成されていない。 In the examples shown in FIGS. 14 and 15, each layer constituting the organic layer 120 shows a case where each layer protrudes to the outside of the opening 152. Then, as shown in FIG. 12, the organic layer 120 may or may not be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition wall 170 extends. Good. However, as shown in FIG. 16, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

第2電極130は、図12、図14〜図16に示すように、第1方向と交わる第2方向(図12におけるX方向)に延在している。そして隣り合う第2電極130の間には、隔壁170が形成されている。隔壁170は、第2電極130と平行すなわち第2方向に延在している。隔壁170の下地は、例えば絶縁層150である。隔壁170は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁170はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 As shown in FIGS. 12 and 14 to 16, the second electrode 130 extends in the second direction (X direction in FIG. 12) intersecting the first direction. A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130. The partition wall 170 extends parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction. The base of the partition wall 170 is, for example, an insulating layer 150. The partition wall 170 is a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed into a desired pattern by exposure and development. The partition wall 170 may be made of a resin other than the polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁170は、断面が台形の上下を逆にした形状(逆台形)になっている。すなわち隔壁170の上面の幅は、隔壁170の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁170を第2電極130より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第2電極130を基板100の一面側に形成することで、複数の第2電極130を一括で形成することができる。また、隔壁170は、有機層120を分断する機能も有している。 The partition wall 170 has a trapezoidal cross section upside down (inverted trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using a vapor deposition method or a sputtering method, so that the plurality of second electrodes 130 Can be formed collectively. The partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

そして本実施例においても、基板100の第1面102には第1積層膜210及び第2積層膜220が形成されており、基板100の第2面104には第3積層膜310及び第4積層膜320が形成されている。第2積層膜220は、発光部140を封止している。なお、本実施例では、第1端子112及び第2端子132は、基板100のうち同一の辺に沿って配置されている。このため、第2積層膜220のうち第1端子112を露出するための開口と、第2端子132を露出するための開口は互いに繋がっている。 Further, also in this embodiment, the first laminated film 210 and the second laminated film 220 are formed on the first surface 102 of the substrate 100, and the third laminated film 310 and the fourth laminated film 310 and the fourth laminated film 310 are formed on the second surface 104 of the substrate 100. The laminated film 320 is formed. The second laminated film 220 seals the light emitting portion 140. In this embodiment, the first terminal 112 and the second terminal 132 are arranged along the same side of the substrate 100. Therefore, the opening for exposing the first terminal 112 and the opening for exposing the second terminal 132 of the second laminated film 220 are connected to each other.

次に、本実施例における発光装置10の製造方法を説明する。まず、基板100に第1積層膜210及び第3積層膜310を形成する。これらの形成方法は、実施形態に示した通りである。 Next, a method of manufacturing the light emitting device 10 in this embodiment will be described. First, the first laminated film 210 and the third laminated film 310 are formed on the substrate 100. These forming methods are as shown in the embodiment.

次いで、基板100の第1面102に第1電極110、引出配線114,134を形成する。次いで、引出配線114上及び引出配線134上に、導体層160を形成する。次いで、絶縁層150を形成し、さらに隔壁170を形成する。次いで、有機層120及び第2電極130を形成する。これらの形成方法は、実施例1と同様である。 Next, the first electrode 110 and the lead wiring 114 and 134 are formed on the first surface 102 of the substrate 100. Next, the conductor layer 160 is formed on the leader wiring 114 and the drawer wiring 134. Next, the insulating layer 150 is formed, and the partition wall 170 is further formed. Next, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed. These forming methods are the same as in Example 1.

次いで、基板100に第2積層膜220及び第4積層膜320を形成する。これらの形成方法は実施形態に示した通りである。 Next, the second laminated film 220 and the fourth laminated film 320 are formed on the substrate 100. These forming methods are as shown in the embodiment.

本実施例によれば、実施形態と同様に、発光部140を用いたディスプレイにおいて、基板100に加わる応力を小さくすることができる。 According to this embodiment, the stress applied to the substrate 100 can be reduced in the display using the light emitting unit 140 as in the embodiment.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the embodiments and examples have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.

Claims (1)

樹脂材料を含む基板と、
前記基板の第1面に形成され、複数の層を積層した第1積層膜と、
前記第1積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
前記発光部を覆っており、複数の層を積層した第2積層膜と、
前記基板の第2面に形成され、複数の層を積層した第3積層膜と、
前記第3積層膜に重ねて形成され、複数の層を積層した第4積層膜と、
を備え、
前記第3積層膜の層の数は前記第1積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第3積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第1積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一であり、
前記第4積層膜の層の数は前記第2積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第4積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第4積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一である発光装置。
A substrate containing a resin material and
A first laminated film formed on the first surface of the substrate and laminated with a plurality of layers,
A light emitting portion formed on the first laminated film and containing an organic layer,
A second laminated film that covers the light emitting portion and has a plurality of layers laminated,
A third laminated film formed on the second surface of the substrate and laminated with a plurality of layers,
A fourth laminated film formed by being laminated on the third laminated film and having a plurality of layers laminated,
With
The number of layers of the third laminated film is the same as the number of layers of the first laminated film, and when the layers are counted from the substrate side, the plurality of layers constituting the third laminated film Each material is the same as the material of the layer located in the corresponding lamination order in the first laminated film.
The number of layers of the fourth laminated film is the same as the number of layers of the second laminated film, and when the layers are counted from the substrate side, the plurality of layers constituting the fourth laminated film A light emitting device in which each material is the same as the material of the layer located in the corresponding stacking order of the fourth laminated film.
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