JP2021005630A - 複合センサーモジュール用基板及びこれを備える複合センサーモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】複合センサーモジュールにおいてセンサーチップ間における信号の干渉を防止する。【解決手段】複合センサーモジュール１は、センサーチップＳ１，Ｓ２が搭載された基板１０と、基板１０に埋め込まれ、それぞれセンサーチップＳ１，Ｓ２を制御するコントローラチップＣ１，Ｃ２と、コントローラチップＣ１，Ｃ２にそれぞれ接続された接続配線群２２ｘ，２２ｙとを備える。接続配線群２２ｘは、ｘ方向に延在し、且つ、ｙ方向に配列され、接続配線群２２ｙは、ｙ方向に延在し、且つ、ｘ方向に配列されている。このように、コントローラチップＣ１に接続される接続配線群２２ｘの延在方向と、コントローラチップＣ２に接続される接続配線群２２ｙの延在方向が大きく異なることから、接続配線群２２ｘと接続配線群２２ｙが電磁界結合しにくくなる。このため、信号の干渉による検出感度の低下を防止することが可能となる。【選択図】図１

Description

本発明は複合センサーモジュール用基板及びこれを備える複合センサーモジュールに関し、特に、基板上に複数のセンサーチップを搭載するための複合センサーモジュール用基板及びこれを備える複合センサーモジュールに関する。

近年、スマートフォンなどの携帯端末には、基板上にマイクロフォン、気圧センサー、加速度センサーなどのセンサーチップを搭載し、モジュール化したセンサーモジュールが組み込まれることがある。例えば、特許文献１には、複数の加速度センサーを基板上に搭載したセンサーモジュールが開示されている。

特開２０１３−２１０２１５号公報

しかしながら、互いに異なる種類のセンサーチップを搭載した複合センサーモジュールにおいては、一方のセンサーチップから出力される信号と他方のセンサーチップから出力される信号が干渉し、これによって検出感度が低下することがあった。特に、センサーチップ同士が近接して配置され、且つ、ボンディングワイヤを介して基板に接続される場合には、一方のセンサーチップに接続されたボンディングワイヤと他方のセンサーチップに接続されたボンディングワイヤが電磁界結合し、その結果、検出感度が大きく低下するおそれがある。

したがって、本発明は、互いに異なる種類のセンサーチップを搭載した複合センサーモジュール用基板及びこれを備える複合センサーモジュールにおいて、センサーチップ間における信号の干渉を防止することによって検出感度の低下を防止することを目的とする。

本発明による複合センサーモジュール用基板は、第１及び第２のセンサーチップを搭載するための基板と、基板に埋め込まれ、それぞれ第１及び第２のセンサーチップを制御する第１及び第２のコントローラチップと、第１のコントローラチップに接続された第１の接続配線群と、第２のコントローラチップに接続された第２の接続配線群とを備え、第１の接続配線群は、第１の方向に延在し、且つ、第２の方向に配列され、第２の接続配線群は、第２の方向に延在し、且つ、第１の方向に配列されていることを特徴とする。

また、本発明による複合センサーモジュールは、上記の複合センサーモジュール用基板と、基板に搭載された第１及び第２のセンサーチップとを備えることを特徴とする。

本発明によれば、第１のコントローラチップに接続される第１の接続配線群の延在方向と、第２のコントローラチップに接続される第２の接続配線群の延在方向が大きく異なることから、第１の接続配線群と第２の接続配線群が電磁界結合しにくくなる。このため、信号の干渉による検出感度の低下を防止することが可能となる。

本発明による複合センサーモジュール用基板は、基板の内部に設けられ、平面視で第１のコントローラチップと第２のコントローラチップの間に配列され、固定電位が与えられる複数のビア導体をさらに備えるものであっても構わない。これによれば、複数のビア導体が基板の内部における電磁界シールドとして機能することから、信号の干渉がより生じにくくなる。

本発明による複合センサーモジュールは、基板の表面に設けられ、第１の接続配線群に接続された第１のボンディングパッド群と、基板の表面に設けられ、第２の接続配線群に接続された第２のボンディングパッド群と、それぞれ第１及び第２のセンサーチップに設けられた第３及び第４のボンディングパッド群と、第１のボンディングパッド群と第３のボンディングパッド群を相互に接続する第１のボンディングワイヤ群と、第２のボンディングパッド群と第４のボンディングパッド群を相互に接続する第２のボンディングワイヤ群とさらに備え、第１のセンサーチップは、平面視で、互いに平行な第１及び第２の辺と、互いに平行であり、且つ、第１及び第２の辺と直交する第３及び第４の辺を有し、第２のセンサーチップは、平面視で、互いに平行であり、且つ、第１及び第２の辺と平行な第５及び第６の辺と、互いに平行であり、且つ、第５及び第６の辺と直交する第７及び第８の辺を有し、第１及び第３のボンディングパッド群は、第３及び第４の辺に沿って配列されることなく、少なくとも第１の辺に沿って配列され、第２及び第４のボンディングパッド群は、第５及び第６の辺に沿って配列されることなく、少なくとも第７の辺に沿って配列されていても構わない。これによれば、第１のセンサーチップに接続される第１のボンディングワイヤ群の延在方向と、第２のセンサーチップに接続される第２のボンディングワイヤ群の延在方向が大きく異なることから、ボンディングワイヤ同士が電磁界結合しにくくなる。このため、第１のセンサーチップと第２のセンサーチップを近接して配置した場合であっても、信号の干渉による検出感度の低下を防止することが可能となる。

本発明において、第１及び第３のボンディングパッド群は、第２、第３及び第４の辺に沿って配列されることなく、第１の辺に沿って配列され、第２及び第４のボンディングパッド群は、第５、第６及び第８の辺に沿って配列されることなく、第７の辺に沿って配列され、第３の辺と第８の辺は、互いに向かい合っていても構わない。これによれば、第１のボンディングワイヤ群と第２のボンディングワイヤ群の距離も離れることから、ボンディングワイヤ同士の電磁界結合をより効果的に抑制することが可能となる。

本発明において、第１及び第３のボンディングパッド群は、さらに第２の辺に沿って配列され、第２及び第４のボンディングパッド群は、さらに第８の辺に沿って配列されていても構わない。これによれば、より多くのボンディングワイヤが必要な場合であっても、ボンディングワイヤ同士の電磁界結合を抑制することが可能となる。

本発明による複合センサーモジュールは、基板の表面に設けられ、第１のセンサーチップと第２のセンサーチップの間に配列され、固定電位が与えられるダミーボンディングパッド群と、ダミーボンディングパッド群に含まれる所定のボンディングパッドと別のボンディングパッドを相互に接続するダミーボンディングワイヤ群とをさらに備えるものであっても構わない。これによれば、ダミーボンディングワイヤ群が基板の表面上における電磁界シールドとして機能することから、信号の干渉がより生じにくくなる。

本発明による複合センサーモジュールは、第１及び第２のセンサーチップを覆うよう基板の表面に設けられ、固定電位が与えられるシールドケースをさらに備え、シールドケースは、第１のセンサーチップと第２のセンサーチップの間に位置するシールド壁を有するものであっても構わない。これによれば、シールド壁が基板の表面上における電磁界シールドとして機能することから、信号の干渉がより生じにくくなる。

このように、本発明によれば、互いに異なる種類のセンサーチップを搭載した複合センサーモジュール用基板及びこれを備える複合センサーモジュールにおいて、センサーチップ間における信号の干渉を防止することによって検出感度の低下を防止することが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態による複合センサーモジュール１の構造を説明するための略上面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態による複合センサーモジュール１の構造を説明するための略透視側面図である。 図３は、第１の変形例による複合センサーモジュール１Ａの構造を説明するための略透視側面図である。 図４は、第２の変形例による複合センサーモジュール１Ｂの構造を説明するための略上面図である。 図５は、本発明の第２の実施形態による複合センサーモジュール２の構造を説明するための略上面図である。 図６は、本発明の第３の実施形態による複合センサーモジュール３の構造を説明するための略上面図である。 図７は、本発明の第３の実施形態による複合センサーモジュール３の構造を説明するための略透視側面図である。 図８は、本発明の第４の実施形態による複合センサーモジュール４の構造を説明するための略上面図である。 図９は、図８に示すＡ−Ｂ線に沿った断面を矢印Ｃの方向に見た略透視断面図である。 図１０は、本発明の第５の実施形態による複合センサーモジュール５の構造を説明するための略上面図である。 図１１は、図１０に示すＡ−Ｂ線に沿った断面を矢印Ｃの方向に見た略透視断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

＜第１の実施形態＞
図１及び図２は、本発明の第１の実施形態による複合センサーモジュール１の構造を説明するための模式図であり、図１は略上面図、図２は略透視側面図である。

図１及び図２に示すように、第１の実施形態による複合センサーモジュール１は、基板１０と、基板１０の表面１０ａに搭載されたセンサーチップＳ１，Ｓ２と、基板１０に埋め込まれ、それぞれセンサーチップＳ１，Ｓ２を制御するコントローラチップＣ１，Ｃ２とを備える。センサーチップＳ１，Ｓ２は互いに異なる物理量を検出するセンサーであり、その種類については特に限定されないが、例えば空気の振動、圧力、温度又は組成を検出するセンサー、つまりマイクロフォン、圧力センサー、温度センサー、ガスセンサーなどであっても構わないし、加速度センサーや照度センサーであっても構わない。また、基板１０に未だセンサーチップＳ１，Ｓ２が搭載されていない状態、つまり複合センサーモジュール用基板の状態で出荷することも可能である。

基板１０は、４層の絶縁層１１〜１４が積層された構造を有しており、各絶縁層１１〜１４の表面に配線層Ｌ１〜Ｌ４が設けられている。特に限定されるものではないが、最上層に位置する絶縁層１１及び最下層に位置する絶縁層１４は、ガラス繊維などの芯材にガラスエポキシなどの樹脂材料を含浸させたコア層であっても構わない。これに対し、絶縁層１２，１３は、ガラスクロスなどの芯材を含まない樹脂材料からなるものであっても構わない。特に、絶縁層１１，１４の熱膨張係数は、絶縁層１２，１３の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。

配線層Ｌ１〜Ｌ４には、それぞれ配線パターン２１〜２４が形成されている。このうち、配線パターン２１は基板１０の表面１０ａに位置し、その一部はボンディングパッド群Ｐ１，Ｐ２を構成する。また、配線パターン２４は基板１０の裏面１０ｂに位置し、その一部は図示しないマザーボードへの接続端子を構成する。さらに、配線パターン２２の一部は、接続配線群２２ｘ，２２ｙを構成する。接続配線群２２ｘは、ｘ方向に延在し、且つ、ｙ配列される。一方、接続配線群２２ｙは、ｙ方向に延在し、且つ、ｘ配列される。配線パターン２１，２２は絶縁層１１を貫通するビア導体３１を介して相互に接続され、配線パターン２２，２３は絶縁層１２，１３を貫通するビア導体３２を介して相互に接続され、配線パターン２３，２４は絶縁層１４を貫通するビア導体３３を介して相互に接続される。

センサーチップＳ１，Ｓ２は、平面視でいずれも矩形であり、平面視でそれぞれコントローラチップＣ１，Ｃ２と重なる位置に搭載されている。コントローラチップＣ１の端子電極４１は、接続配線群２２ｘ、ビア導体３１、ボンディングパッド群Ｐ１及びボンディングワイヤ群Ｗ１を介して、センサーチップＳ１のボンディングパッド群Ｐ３に接続される。同様に、コントローラチップＣ２の端子電極４２は、接続配線群２２ｙ、ビア導体３１、ボンディングパッド群Ｐ２及びボンディングワイヤ群Ｗ２を介して、センサーチップＳ２のボンディングパッド群Ｐ４に接続される。このように、センサーチップＳ１，Ｓ２の直下にそれぞれコントローラチップＣ１，Ｃ２を配置することにより、センサーチップＳ１，Ｓ２とコントローラチップＣ１，Ｃ２を接続する接続配線群２２ｘ，２２ｙの配線距離を短くすることができる。

図１に示すように、センサーチップＳ１はｙ方向に延在する辺Ｅ１，Ｅ２とｘ方向に延在する辺Ｅ３，Ｅ４を有し、センサーチップＳ２はｙ方向に延在する辺Ｅ５，Ｅ６とｘ方向に延在する辺Ｅ７，Ｅ８を有する。図１に示す例では、センサーチップＳ１の辺Ｅ３とセンサーチップＳ２の辺Ｅ８が向かい合っている。また、センサーチップＳ１の辺Ｅ１とセンサーチップＳ２のＥ５は同じ方向（＋ｘ方向）を向いており、センサーチップＳ１の辺Ｅ２とセンサーチップＳ２のＥ６は同じ方向（−ｘ方向）を向いている。センサーチップＳ１，Ｓ２の平面サイズについては、同じであっても構わないし、互いに異なっていても構わない。

本実施形態においては、センサーチップＳ１に設けられたボンディングパッド群Ｐ３は、辺Ｅ１に沿ってｙ方向に配列されている。そして、これらのボンディングパッド群Ｐ３は、それぞれ対応するボンディングワイヤ群Ｗ１を介して、同じく辺Ｅ１に沿って配列されたボンディングパッド群Ｐ１に接続されている。したがって、ボンディングワイヤ群Ｗ１の延在方向は、接続配線群２２ｘと同様、ｘ方向である。図１に示す例では、ボンディングパッド群Ｐ３は辺Ｅ１にのみ沿って設けられており、他の辺Ｅ２〜Ｅ４に沿っては設けられていない。これに対し、センサーチップＳ２に設けられたボンディングパッド群Ｐ４は、辺Ｅ７に沿ってｘ方向に配列されている。そして、これらのボンディングパッド群Ｐ４は、それぞれ対応するボンディングワイヤ群Ｗ２を介して、同じく辺Ｅ７に沿って配列されたボンディングパッド群Ｐ２に接続されている。したがって、ボンディングワイヤ群Ｗ２の延在方向は、接続配線群２２ｙと同様、ｙ方向である。図１に示す例では、ボンディングパッド群Ｐ４は辺Ｅ７にのみ沿って設けられており、他の辺Ｅ５，Ｅ６，Ｅ８に沿っては設けられていない。

かかる構成により、センサーチップＳ１に接続される接続配線群２２ｘ及びボンディングワイヤ群Ｗ１の延在方向（ｘ方向）と、センサーチップＳ２に接続される接続配線群２２ｙ及びボンディングワイヤ群Ｗ２の延在方向（ｙ方向）が直交する。これにより、接続配線群２２ｘ及びボンディングワイヤ群Ｗ１のインダクタンス成分によって生じる磁界の方向と、接続配線群２２ｙ及びボンディングワイヤ群Ｗ２のインダクタンス成分によって生じる磁界の方向が直交することから、両者間における電磁界結合が生じにくくなる。その結果、センサーチップＳ１とセンサーチップＳ２が近接して配置される場合であっても、接続配線群２２ｘ及びボンディングワイヤ群Ｗ１を流れる信号と、接続配線群２２ｙ及びボンディングワイヤ群Ｗ２を流れる信号の干渉が生じにくい。しかも、本実施形態においては、センサーチップＳ２に設けられたボンディングパッド群Ｐ４がセンサーチップＳ１から最も離れた辺Ｅ７に沿って設けられていることから、接続配線群２２ｘ及びボンディングワイヤ群Ｗ１と、接続配線群２２ｙ及びボンディングワイヤ群Ｗ２の距離も遠くなり、信号の干渉をよりいっそう小さくすることができる。

ここで、ボンディングワイヤ群Ｗ１の高さとボンディングワイヤ群Ｗ２の高さについては、互いに同じである必要はなく、図３に示す第１の変形例による複合センサーモジュール１Ａのように、ボンディングワイヤ群Ｗ１の高さＨ１よりも、ボンディングワイヤ群Ｗ２の高さＨ２の方が高くても構わない。このように、ボンディングワイヤ群Ｗ１，Ｗ２の高さに差を設ければ、両者間における電磁界結合がより生じにくくなる。

さらに、ボンディングワイヤ群Ｗ１，Ｗ２の延在方向が完全に直交する必要はなく、図４に示す第２の変形例による複合センサーモジュール１Ｂのように、ボンディングワイヤ群Ｗ２の延在方向がｙ方向に対して所定の傾きを持っていても構わない。ボンディングワイヤ群Ｗ１，Ｗ２の延在方向は、９０°に近いほど両者間における電磁界結合が小さくなるが、完全に９０°でなくてもこれに近い角度、具体的には７０°以上、好ましくは８０°以上であれば、電磁界結合を効果的に抑制することが可能である。

＜第２の実施形態＞
図５は、本発明の第２の実施形態による複合センサーモジュール２の構造を説明するための略上面図である。

図５に示すように、第２の実施形態による複合センサーモジュール２は、ボンディングパッド群Ｐ１，Ｐ３がセンサーチップＳ１の辺Ｅ２に沿ってさらに設けられ、ボンディングパッド群Ｐ２，Ｐ４がセンサーチップＳ２の辺Ｅ８に沿ってさらに設けられている点において、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

このように、本実施形態においては、センサーチップＳ１，Ｓ２に設けられたボンディングパッド群Ｐ３，Ｐ４がいずれも２辺に沿って設けられている。しかしながら、センサーチップＳ１に設けられたボンディングパッド群Ｐ３の配列方向と、センサーチップＳ２に設けられたボンディングパッド群Ｐ４の配列方向は、第１の実施形態と同様に直交していることから、ボンディングワイヤ群Ｗ１，Ｗ２の延在方向も直交する。これにより、ボンディングワイヤ群Ｗ１，Ｗ２間における電磁界結合が抑えられることから、信号の干渉を防止することができる。しかも、本実施形態においては、センサーチップＳ１，Ｓ２により多くのボンディングパッドが設けられることから、より多端子のセンサーチップを搭載することが可能となる。

＜第３の実施形態＞
図６及び図７は、本発明の第３の実施形態による複合センサーモジュール３の構造を説明するための模式図であり、図６は略上面図、図７は略透視側面図である。

図６及び図７に示すように、第３の実施形態による複合センサーモジュール３は、複数のビア導体３１Ｇが平面視でコントローラチップＣ１，Ｃ２間に設けられている点において、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

ビア導体３１Ｇにはいずれも固定電位、例えばグランド電位が与えられる。これにより、ビア導体３１Ｇは、基板１０の内部における電磁界シールドとして機能することから、信号の干渉がより生じにくくなる。図７に示す例では、ビア導体３１Ｇが絶縁層１１を貫通して設けられているが、絶縁層１１〜１３を貫通して設けられていても構わないし、絶縁層１１〜１４を貫通して設けられていても構わない。

＜第４の実施形態＞
図８及び図９は、本発明の第４の実施形態による複合センサーモジュール４の構造を説明するための模式図であり、図８は略上面図、図９は図８に示すＡ−Ｂ線に沿った断面を矢印Ｃの方向に見た略透視断面図である。

図８及び図９に示すように、第４の実施形態による複合センサーモジュール４は、基板１０の表面１０ａに複数のダミーボンディングパッド群ＤＰが設けられ、ダミーボンディングパッド群ＤＰに含まれる所定のボンディングパッドと別のボンディングパッドがダミーボンディングワイヤ群ＤＷを介して相互に接続されている点において、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

ダミーボンディングパッド群ＤＰは、平面視で、センサーチップＳ１とセンサーチップＳ２の間に位置し、ｘ方向に配列されている。また、ダミーボンディングパッド群ＤＰにはいずれも固定電位、例えばグランド電位が与えられる。これにより、ダミーボンディングワイヤ群ＤＷが基板１０の表面１０ａ上における電磁界シールドとして機能することから、信号の干渉がより生じにくくなる。ダミーボンディングパッド群ＤＰの配列ピッチについては、センサーチップＳ１，Ｓ２から出力される信号の周波数帯域に応じ、ダミーボンディングワイヤ群ＤＷが電磁界シールドとして機能するような配列ピッチに設計すればよい。また、シールド効果をより高めるためには、図９に示すように、ダミーボンディングワイヤ群ＤＷの高さをボンディングワイヤ群Ｗ１（又はＷ２）の高さよりも高くすることが好ましい。

＜第５の実施形態＞
図１０及び図１１は、本発明の第５の実施形態による複合センサーモジュール５の構造を説明するための模式図であり、図１０は略上面図、図１１は図１０に示すＡ−Ｂ線に沿った断面を矢印Ｃの方向に見た略透視断面図である。

図１０及び図１１に示すように、第５の実施形態による複合センサーモジュール５は、センサーチップＳ１，Ｓ２を覆うよう、基板１０の表面１０ａに設けられたシールドケース５０をさらに備え点において、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による複合センサーモジュール１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

シールドケース５０は金属などの導電性材料からなり、固定電位、例えばグランド電位が与えられる。このようなシールドケース５０によってセンサーチップＳ１，Ｓ２を覆うことにより、センサーチップＳ１，Ｓ２が保護されるとともに、センサーチップＳ１，Ｓ２の少なくとも一方がマイクロフォンである場合には音響特性が高められる。さらに、シールドケース５０は、センサーチップＳ１とセンサーチップＳ２の間に位置するシールド壁５１を有しており、シールド壁５１によって、センサーチップＳ１が収容される空間とセンサーチップＳ２が収容される空間が分離される。但し、センサーチップＳ１が収容される空間とセンサーチップＳ２が収容される空間を完全に分離する必要はなく、シールド壁５１に設けた穴５２を介して空気の流通が可能であっても構わない。

本実施形態においては、センサーチップＳ１，Ｓ２間に固定電位が与えられるシールド壁５１が存在することから、シールド壁５１が電磁界シールドとして機能し、信号の干渉がより生じにくくなる。シールド壁５１の形状や構造については、センサーチップＳ１，Ｓ２から出力される信号の周波数帯域に応じ、シールド壁５１が電磁界シールドとして機能するような形状や構造に設計すればよい。したがって、シールド壁５１が電磁界シールドとして機能する限り、シールド壁５１が板状体である必要はなく、網目状又は格子状であっても構わない。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記各実施形態による複合センサーモジュール１〜５においては、基板１０とセンサーチップＳ１，Ｓ２の接続にボンディングワイヤ群Ｗ１，Ｗ２を用いているが、本発明がこれに限定されるものではなく、センサーチップＳ１，Ｓ２を基板１０の表面１０ａにフリップチップ実装しても構わないし、ＣＳＰ実装しても構わない。

１〜５，１Ａ，１Ｂ 複合センサーモジュール
１０ 基板
１０ａ 基板の表面
１０ｂ 基板の裏面
１１〜１４ 絶縁層
２１〜２４ 配線パターン
２２ｘ，２２ｙ 接続配線群
３１〜３３，３１Ｇ ビア導体
４１，４２ 端子電極
５０ シールドケース
５１ シールド壁
５２ 穴
Ｃ１，Ｃ２ コントローラチップ
ＤＰ ダミーボンディングパッド群
ＤＷ ダミーボンディングワイヤ群
Ｅ１〜Ｅ８ 辺
Ｌ１〜Ｌ４ 配線層
Ｐ１〜Ｐ４ ボンディングパッド群
Ｓ１，Ｓ２ センサーチップ
Ｗ１，Ｗ２ ボンディングワイヤ群

Claims (8)

1. 第１及び第２のセンサーチップを搭載するための基板と、
   前記基板に埋め込まれ、それぞれ前記第１及び第２のセンサーチップを制御する第１及び第２のコントローラチップと、
   前記第１のコントローラチップに接続された第１の接続配線群と、
   前記第２のコントローラチップに接続された第２の接続配線群と、を備え、
   前記第１の接続配線群は、第１の方向に延在し、且つ、第２の方向に配列され、
   前記第２の接続配線群は、前記第２の方向に延在し、且つ、前記第１の方向に配列されていることを特徴とする複合センサーモジュール用基板。
2. 前記基板の内部に設けられ、平面視で前記第１のコントローラチップと前記第２のコントローラチップの間に配列され、固定電位が与えられる複数のビア導体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の複合センサーモジュール用基板。
3. 請求項１又は２に記載の複合センサーモジュール用基板と、
   前記基板に搭載された前記第１及び第２のセンサーチップと、を備えることを特徴とする複合センサーモジュール。
4. 前記基板の表面に設けられ、前記第１の接続配線群に接続された第１のボンディングパッド群と、
   前記基板の表面に設けられ、前記第２の接続配線群に接続された第２のボンディングパッド群と、
   それぞれ前記第１及び第２のセンサーチップに設けられた第３及び第４のボンディングパッド群と、
   前記第１のボンディングパッド群と前記第３のボンディングパッド群を相互に接続する第１のボンディングワイヤ群と、
   前記第２のボンディングパッド群と前記第４のボンディングパッド群を相互に接続する第２のボンディングワイヤ群と、さらに備え、
   前記第１のセンサーチップは、平面視で、互いに平行な第１及び第２の辺と、互いに平行であり、且つ、前記第１及び第２の辺と直交する第３及び第４の辺を有し、
   前記第２のセンサーチップは、平面視で、互いに平行であり、且つ、前記第１及び第２の辺と平行な第５及び第６の辺と、互いに平行であり、且つ、前記第５及び第６の辺と直交する第７及び第８の辺を有し、
   前記第１及び第３のボンディングパッド群は、前記第３及び第４の辺に沿って配列されることなく、少なくとも前記第１の辺に沿って配列され、
   前記第２及び第４のボンディングパッド群は、前記第５及び第６の辺に沿って配列されることなく、少なくとも前記第７の辺に沿って配列されていることを特徴とする請求項３に記載の複合センサーモジュール。
5. 前記第１及び第３のボンディングパッド群は、前記第２、第３及び第４の辺に沿って配列されることなく、前記第１の辺に沿って配列され、
   前記第２及び第４のボンディングパッド群は、前記第５、第６及び第８の辺に沿って配列されることなく、前記第７の辺に沿って配列され、
   前記第３の辺と前記第８の辺は、互いに向かい合っていることを特徴とする請求項４に記載の複合センサーモジュール。
6. 前記第１及び第３のボンディングパッド群は、さらに前記第２の辺に沿って配列され、
   前記第２及び第４のボンディングパッド群は、さらに前記第８の辺に沿って配列されていることを特徴とする請求項４に記載の複合センサーモジュール。
7. 前記基板の表面に設けられ、前記第１のセンサーチップと前記第２のセンサーチップの間に配列され、固定電位が与えられるダミーボンディングパッド群と、
   前記ダミーボンディングパッド群に含まれる所定のボンディングパッドと別のボンディングパッドを相互に接続するダミーボンディングワイヤ群と、をさらに備えることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一項に記載の複合センサーモジュール。
8. 前記第１及び第２のセンサーチップを覆うよう前記基板の前記表面に設けられ、固定電位が与えられるシールドケースをさらに備え、
   前記シールドケースは、前記第１のセンサーチップと前記第２のセンサーチップの間に位置するシールド壁を有することを特徴とする請求項３乃至７のいずれか一項に記載の複合センサーモジュール。

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