JP2020534696A - コヒーレント送信システムのためのチューナブル・レーザー - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2017年9月20日に出願された米国仮出願第62/560,960号明細書の利益を主張し、その内容全体は、参照により本明細書に組み込まれている。
したがって、チューナブル・レーザー10は、1つまたは複数の回路シミュレーター、半導体デバイス・モデリング、半導体プロセス・シミュレーション、または、関連技術コンピューター支援設計(TCAD)ソフトウェア・ツールを使用してシミュレートされ得る。図1に示されているチューナブル・レーザー10および/または図6に示されているチューナブル・レーザー100の評価のためのプロセスは、1つまたは複数の適切なTCADシミュレーション・プログラムを使用して、チューナブル・レーザー10および/またはチューナブル・レーザー100のエレメントをシミュレートすることを含むことが可能である。
Claims (15)
- チューナブル・レーザー・デバイスであって、前記チューナブル・レーザー・デバイスは、
アダプティブ・リング・ミラーと、
前記アダプティブ・リング・ミラーに光学的に連結されているゲイン導波路と、
前記ゲイン導波路に光学的に連結されているループ・ミラーと、
ブースター増幅器であって、前記ブースター増幅器は、1つの端部において前記ループ・ミラーに光学的に連結されており、別の端部において前記チューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を提供するように適合されている、ブースター増幅器と
を含み、
前記ゲイン導波路および前記ブースト増幅器は、前記チューナブル・レーザー・デバイスの半導体光増幅器(SOA)領域の中に形成されており、
前記アダプティブ・リング・ミラーおよび前記ループ・ミラーは、前記チューナブル・レーザー・デバイスのシリコン・フォトニクス領域の中に形成されている、チューナブル・レーザー・デバイス。 - 前記アダプティブ・リング・ミラーは、
シングル入力−ダブル出力−MMIカップラーをそれぞれ含む複数のマルチモード干渉(MMI)カップラーを含み、
前記MMIカップラーのうちの第1のMMIカップラーの第1の出力は、前記MMIカップラーのうちの第2のMMIカップラーの入力に光学的に連結されており、
前記第1のMMIカップラーの第2の出力は、前記MMIカップラーのうちの第3のMMIカップラーの入力に光学的に連結されている、請求項1に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。 - 前記アダプティブ・リング・ミラーは、
前記第2のMMIカップラーおよび前記第3のMMIカップラーの出力に光学的に連結されている複数の線形導波路と、
第1の対の前記線形導波路の間で前記アダプティブ・リング・ミラーの中に位置決めされている第1のリング導波路と、
第2の対の前記線形導波路の間で前記アダプティブ・リング・ミラーの中に位置決めされている第2のリング導波路と
をさらに含む、請求項2に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。 - 前記アダプティブ・リング・ミラーは、前記第1のMMIカップラーと前記第2のMMIカップラーおよび前記第3のMMIカップラーのうちの少なくとも1つとの間に光学的に連結されている位相シフターをさらに含む、請求項2に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。
- 前記アダプティブ・リング・ミラーは、第1のリング導波路と、前記第1のリング導波路の第1のヒーターと、第2のリング導波路と、前記第2のリング導波路の第2のヒーターとを含み、
前記チューナブル・レーザー・デバイスは、制御ドライバーをさらに含み、前記制御ドライバーは、前記第1のリング導波路および前記第2のリング導波路のうちの少なくとも1つの温度を制御し、前記アダプティブ・リング・ミラーの少なくとも1つの反射特性を調節するように構成されている、請求項1に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。 - 前記制御ドライバーは、前記第1のヒーターまたは前記第2のヒーターのうちの少なくとも1つを使用して、前記第1のリング導波路および前記第2のリング導波路のうちの少なくとも1つの温度を制御し、光ファイバー通信のための前記チューナブル・レーザー・デバイスの前記レーザー出力の波長を調節するように構成されている、請求項5に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。
- 前記アダプティブ・リング・ミラーは、位相シフターを含み、
前記チューナブル・レーザー・デバイスは、制御ドライバーをさらに含み、前記制御ドライバーは、前記アダプティブ・リング・ミラーの少なくとも1つの反射特性を調節するように前記位相シフターを制御するように構成されている、請求項1に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。 - 前記チューナブル・レーザー・デバイスの前記SOA領域と前記チューナブル・レーザー・デバイスの前記シリコン・フォトニクス領域との間のインターフェースをさらに含む、請求項1に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。
- 前記SOA領域と前記シリコン・フォトニクス領域との間の前記インターフェースは、前記SOA領域および前記シリコン・フォトニクス領域の縁部に沿って、自己整合ファセットを使用して整合させられる、請求項8に記載のチューナブル・レーザー・デバイス。
- チューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を変調させる方法であって、
前記チューナブル・レーザー・デバイスは、
アダプティブ・リング・ミラーと、
ゲイン導波路であって、前記ゲイン導波路は、1つの端部において前記アダプティブ・リング・ミラーに光学的に連結されており、別の端部において前記チューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を提供するように適合されている、ゲイン導波路と、
制御ドライバーと
を含み、
前記方法は、
前記ゲイン導波路をバイアスし、前記レーザー出力を発生させるステップと、
通信のための入力データを受信するステップと、
前記アダプティブ・リング・ミラーの少なくとも1つの反射特性を調節し、前記入力データに基づいて前記レーザー出力を変調させるステップと
を含む、方法。 - 前記アダプティブ・リング・ミラーの前記少なくとも1つの反射特性を調節するステップは、前記アダプティブ・リング・ミラーの温度を調節し、前記チューナブル・レーザー・デバイスの前記レーザー出力の波長を適合させるステップを含む、請求項10に記載のチューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を変調させる方法。
- 前記ゲイン導波路は、前記チューナブル・レーザー・デバイスの半導体光増幅器(SOA)領域の中に形成されており、
前記アダプティブ・リング・ミラーは、前記チューナブル・レーザー・デバイスのシリコン・フォトニクス領域の中に形成されている、請求項10に記載のチューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を変調させる方法。 - 前記チューナブル・レーザーは、前記チューナブル・レーザー・デバイスの前記SOA領域と前記チューナブル・レーザー・デバイスの前記シリコン・フォトニクス領域との間のインターフェースをさらに含み、
前記SOA領域と前記シリコン・フォトニクス領域との間の前記インターフェースは、前記SOA領域および前記シリコン・フォトニクス領域の縁部に沿って、自己整合ファセットを使用して整合させられる、請求項12に記載のチューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を変調させる方法。 - 前記アダプティブ・リング・ミラーは、第1のリング導波路と、前記第1のリング導波路の第1のヒーターと、第2のリング導波路と、前記第2のリング導波路の第2のヒーターとを含み、
前記アダプティブ・リング・ミラーの前記少なくとも1つの反射特性を調節するステップは、前記第1のリング導波路および前記第2のリング導波路のうちの少なくとも1つの温度を制御するステップを含む、請求項10に記載のチューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を変調させる方法。 - 前記アダプティブ・リング・ミラーの前記少なくとも1つの反射特性を調節するステップは、前記第1のヒーターまたは前記第2のヒーターのうちの少なくとも1つを使用して、前記第1のリング導波路および前記第2のリング導波路のうちの少なくとも1つの温度を制御し、光ファイバー通信のための前記チューナブル・レーザー・デバイスの前記レーザー出力の波長を調節するステップを含む、請求項14に記載のチューナブル・レーザー・デバイスのレーザー出力を変調させる方法。
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