JP2020532126A - 共通のウェーハレベル集積光学デバイスを有するvcselアレイ - Google Patents
共通のウェーハレベル集積光学デバイスを有するvcselアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020532126A JP2020532126A JP2020511234A JP2020511234A JP2020532126A JP 2020532126 A JP2020532126 A JP 2020532126A JP 2020511234 A JP2020511234 A JP 2020511234A JP 2020511234 A JP2020511234 A JP 2020511234A JP 2020532126 A JP2020532126 A JP 2020532126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vcsel
- optical structure
- common optical
- array
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0267—Integrated focusing lens
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
- G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
- G01S7/4815—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone using multiple transmitters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
- G02B19/0047—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
- G02B19/0052—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode
- G02B19/0057—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode in the form of a laser diode array, e.g. laser diode bar
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0062—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/02—Simple or compound lenses with non-spherical faces
- G02B3/08—Simple or compound lenses with non-spherical faces with discontinuous faces, e.g. Fresnel lens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18388—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
Description
スマートフォン)、自動車および消費者をサポートするための高出力の産業用用途、スマートフォン、ラップトップ、タブレットなどでのジェスチャインタフェースまたは3Dスキャナーのようなポータブルアプリケーション、
ロボット工学、スポーツ、産業、照明などのためのユーザインタフェースまたはインドアナビゲーション、
自動車のミッドレンジ検出のためのハイエンド製品(パークアシスト、安全な市街地走行)、および高出力の産業用用途で使用される可能性がある。
多数の半導体基板を含む半導体ウェーハを提供するステップと、
それぞれの半導体基板上に少なくとも2個のVCSELを提供するステップと、
ウェーハレベルに共通光学構造を集積するステップと、
被変換レーザ光を基準面で提供するように共通光学構造を構成するステップと
を含み、共通光学構造は、レーザ光を被変換レーザ光に変換して基準面で連続照明パターンを提供することができるように構成され、照明パターンを、共通光学構造なしで提供することができる変換されていない照明パターンと比較して、拡大または拡散するように構成され、各VCSELが照明パターンのセクタを提供するように配置されていて、各セクタが照明パターンよりも小さいようにさらに構成される。
20 照明パターン
21 照明パターンのセクタ
51 強度
53 角度
61 従来技術の強度分布
63 改善された強度分布
100 VCSELアレイ
101 半導体基板
130 VCSEL
135 分離したボリュームレンズ
140 共通光学構造
143 マイクロレンズアレイ
145 接合層
150 被変換レーザ光
200 TOFカメラ
202 反射レーザ光
221 光検出器
230 電力ドライバ
235 インタフェース
240 光学デバイス
250 コントローラ
300 対象物
410 半導体基板を提供するステップ
420 少なくとも2個のVCSELを提供するステップ
430 共通光学構造を集積するステップ
440 共通光学構造を構成するステップ
Claims (10)
- 共通の半導体基板(101)上に配置された2個、3個、4個またはそれ以上のVCSEL(130)を備えるVCSELアレイ(100)であって、
前記VCSELアレイ(100)が、ウェーハレベルに集積された1つの共通光学構造(140)をさらに備え、
前記共通光学構造(140)が、レーザ光(10)を被変換レーザ光(150)に変換して基準面で連続照明パターン(20)を提供することができるように構成され、
前記共通光学構造(140)が、前記照明パターン(20)のサイズを、前記共通光学構造(140)なしで提供することができる変換されていない照明パターンと比較して、前記基準面で拡大するように構成され、
前記共通光学構造(140)が、各VCSEL(130)が前記照明パターン(20)のセクタ(21)を照明するように配置されていて、各セクタ(21)が前記照明パターン(20)よりも小さいように、さらに構成され、
前記共通光学構造(140)が、前記半導体基板(101)より上の高さが異なる共通光学構造(140)のサブ表面が互いに隣接して配置されるような段差を備え、
前記共通光学構造(140)が、プリズム構造またはフレネル構造であり、
各VCSEL(130)が前記共通光学構造(140)のサブ表面に関連付けられ、
各VCSEL(130)が前記段差のうちの1つを照明することなく前記共通光学構造(140)の前記それぞれのサブ表面の一部のみを照明するように、各VCSEL(130)間の距離および前記共通光学構造(140)の前記それぞれのサブ表面のサイズが構成され、
前記VCSELアレイ(100)が、マイクロレンズアレイ(143)を備え、且つ、
各VCSEL(130)がマイクロレンズに関連付けられていて、前記マイクロレンズが前記レーザ光(10)を前記共通光学構造(140)通過後にコリメートするように構成されている、VCSELアレイ(100)。 - 前記共通光学構造(140)が、前記VCSEL(130)の発光面の上方に構成された連続構造である、請求項1に記載のVCSCLアレイ(100)。
- 各VCSEL(130)が、前記半導体基板(101)を通して前記レーザ光(10)を放出するように構成された底面発光型であり、前記共通光学構造が、前記VCSEL(130)に対して反対側に配置される前記半導体基板(101)の表面上に設けられる、請求項1または2のいずれか一項に記載のVCSELアレイ(100)。
- 前記共通光学構造が前記VCSELアレイ(100)の前記半導体構造に集積される、請求項3に記載のVCSELアレイ(100)。
- 各VCSEL(130)が前記半導体基板(101)から離れる方向に前記レーザ光(10)を放出するように構成される上面発光型であり、前記共通光学構造(140)がVCSELアレイの半導体層構造の上面に設けられた材料を含み、前記材料が前記レーザ光(10)の波長範囲で透明である、請求項1または2のいずれか一項に記載のVCSELアレイ(100)。
- 各VCSEL(130)が底面発光型であり、前記共通光学構造(140)が前記半導体基板(101)にエッチングされ、前記共通光学構造(140)が段差を備えて、前記半導体基板(101)より上の高さが異なる前記共通光学構造(140)のサブ表面が互いに隣接して配置され、各VCSEL(130)が前記共通光学構造(140)のサブ表面に関連付けられ、各VCSEL(130)が前記段差のうちの1つを照明することなく前記共通光学構造(140)の前記それぞれのサブ表面の一部のみを照明するように、各VCSEL(130)間の距離および前記共通光学構造(140)の前記それぞれのサブ表面のサイズが構成され、前記マイクロレンズアレイ(143)が透明キャリアに集積され、前記透明キャリアが前記半導体基板(101)に機械的に結合される、請求項1に記載のVCSELアレイ(100)。
- 前記VCSEL(130)の少なくとも一部が、個別に制御されてレーザ光(10)を放出するように構成される、請求項1から6のいずれか一項に記載のVCSELアレイ(100)。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の少なくとも1つのVCSEL(100)アレイと、前記VCSEL(130)に駆動電流を供給する電力ドライバ(230)とを備える発光デバイス。
- 請求項8に記載の前記発光デバイスと、対象物(300)によって反射される被変換レーザ光(150)を検出する光検出器(221)とを備え、評価器が、前記光検出器(221)によって検出される前記被変換レーザ光(150)を用いて前記対象物(300)までの距離を決定するように構成される、TOFカメラ。
- 半導体基板(101)を提供するステップと、
前記半導体基板(101)上に少なくとも2個のVCSEL(130)を設けるステップと、
ウェーハレベルに共通光学構造(140)を集積するステップと、
前記レーザ光(10)を被変換レーザ光(150)に変換して前記基準面で前記照明パターン(20)を提供することができるように構成するステップであって、前記共通光学構造(140)が、連続照明パターン(20)を、基準面で前記共通光学構造(140)なしで提供することができる変換されていない照明パターンと比較して、拡大するように構成され、前記共通光学構造(140)が、各VCSEL(130)が前記照明パターン(20)のセクタ(21)を提供するように配置されていて、各セクタ(21)が前記照明パターン(20)よりも小さいようにさらに構成され、前記共通光学構造(140)が、前記半導体基板(101)より上の高さが異なる前記共通光学構造(140)のサブ表面が互いに隣接して配置されるような段差を備え、且つ、前記共通光学構造(140)が、プリズム構造またはフレネル構造である、ステップと、
各VCSEL(130)を前記共通光学構造(140)のサブ表面に関連付けるステップと、
各VCSEL(130)が前記段差のうちの1つを照明することなく前記共通光学構造(140)の前記それぞれのサブ表面の一部のみを照明するように、各VCSEL(130)間の距離および前記共通光学構造(140)の前記それぞれのサブ表面のサイズを構成するステップと、
マイクロレンズアレイ(143)を提供するステップと、
各VCSEL(130)をマイクロレンズに関連付けるステップと、
前記レーザ光(10)を前記共通光学構造(140)通過後にコリメートするように前記マイクロレンズを構成するステップと、
を含む、VCSELアレイの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17187428.2 | 2017-08-23 | ||
EP17187428.2A EP3447862A1 (en) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | Vcsel array with common wafer level integrated optical device |
PCT/EP2018/072747 WO2019038365A1 (en) | 2017-08-23 | 2018-08-23 | VCSEL NETWORK WITH OPTICAL DEVICE INTEGRATED ON COMMON WAFER |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020532126A true JP2020532126A (ja) | 2020-11-05 |
Family
ID=59686846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020511234A Pending JP2020532126A (ja) | 2017-08-23 | 2018-08-23 | 共通のウェーハレベル集積光学デバイスを有するvcselアレイ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10855055B2 (ja) |
EP (2) | EP3447862A1 (ja) |
JP (1) | JP2020532126A (ja) |
KR (1) | KR20200040298A (ja) |
CN (1) | CN111095696B (ja) |
WO (1) | WO2019038365A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022145186A1 (ja) * | 2021-01-04 | 2022-07-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112019004773T5 (de) * | 2018-09-24 | 2021-08-12 | Ams Sensors Asia Pte. Ltd. | Erzeugung von beleuchtungsstrahlen mit mikrolinsen-arrays |
CN118117450A (zh) * | 2019-02-04 | 2024-05-31 | 苹果公司 | 具有一体式微透镜的竖直发射器 |
US11581698B2 (en) * | 2019-03-18 | 2023-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Optical device, lighting apparatus, measuring apparatus, part-inspecting apparatus, robot, electronic device, and movable object |
EP3956680A4 (en) * | 2019-05-23 | 2022-12-28 | Sense Photonics, Inc. | OPTICAL APERTURE DIVISION FOR FAR FIELD PATTERN CUSTOMIZATION |
WO2020246280A1 (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | ソニー株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ及び発光素子アレイの製造方法 |
DE102019218864A1 (de) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einzeln ansteuerbaren kontaktelementen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements |
US11619828B2 (en) * | 2020-01-17 | 2023-04-04 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Transmission beam splitter |
JP2021114556A (ja) * | 2020-01-20 | 2021-08-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP7505193B2 (ja) | 2020-02-05 | 2024-06-25 | 株式会社リコー | 検出装置及び電子機器 |
KR102129703B1 (ko) * | 2020-02-06 | 2020-07-03 | 주식회사 옵토전자 | 회절 방식을 이용한 마이크로 광학소자 시스템 |
US20210336424A1 (en) * | 2020-04-23 | 2021-10-28 | Lumentum Operations Llc | Bottom-emitting vertical cavity surface emitting laser array with integrated directed beam diffuser |
CN111884048B (zh) * | 2020-07-31 | 2021-11-30 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种激光器及其制造方法与应用 |
EP3982165A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-13 | TRUMPF Photonic Components GmbH | Diffusor lens, light source, method of fabricating a light source and method of illuminating a scene |
DE102020133504A1 (de) | 2020-12-15 | 2022-06-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische vorrichtung |
US11994694B2 (en) | 2021-01-17 | 2024-05-28 | Apple Inc. | Microlens array with tailored sag profile |
GB202107061D0 (en) * | 2021-05-18 | 2021-06-30 | Ams Sensors Singapore Pte Ltd | Optical device and method of manufacture |
EP4099050A1 (de) * | 2021-05-31 | 2022-12-07 | Ibeo Automotive Systems GmbH | Lidar-sensor und verfahren zur optischen distanzmessung |
CN114296298A (zh) * | 2021-06-22 | 2022-04-08 | 东莞市美光达光学科技有限公司 | 一种用于辅助照明、测距的配光结构及其配光方法 |
DE102021133748A1 (de) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Ifm Electronic Gmbh | Laservorrichtung |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090097522A1 (en) * | 2006-02-03 | 2009-04-16 | John Justice | Vertical cavity surface emitting laser device |
JP2013502716A (ja) * | 2009-08-20 | 2013-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 角度選択的なフィードバックを有する縦キャビティ面発光レーザー装置 |
US20150097947A1 (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-09 | Microsoft Corporation | Illumination modules that emit structured light |
US20160164261A1 (en) * | 2009-02-17 | 2016-06-09 | Trilumina Corp. | Compact multi-zone infrared laser illuminator |
US20160254638A1 (en) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Princeton Optronics Inc. | Miniature Structured Light Illuminator |
WO2016162236A1 (en) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | Koninklijke Philips N.V. | Safe laser device for optical sensing applications |
US20170033535A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Optipulse Inc. | Rigid High Power and High Speed Lasing Grid Structures |
US20170115497A1 (en) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Princeton Optronics, Inc. | Coded Pattern Projector |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7058246B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-06-06 | Infinera Corporation | Transmitter photonic integrated circuit (TxPIC) chip with enhanced power and yield without on-chip amplification |
GB2403810B (en) * | 2003-07-10 | 2005-06-08 | Schlumberger Holdings | Method and apparatus for imaging earth formation |
JP5137432B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 密着2層型の回折光学素子とそれを用いた光学系及び光学機器 |
EP2478602B1 (en) * | 2009-08-20 | 2014-12-10 | Koninklijke Philips N.V. | Laser device with configurable intensity distribution |
JP5717485B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-05-13 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ及び画像形成装置 |
US20160025993A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-01-28 | Apple Inc. | Overlapping pattern projector |
US8743923B2 (en) * | 2012-01-31 | 2014-06-03 | Flir Systems Inc. | Multi-wavelength VCSEL array to reduce speckle |
CN103219650B (zh) * | 2013-03-29 | 2014-11-26 | 中国科学院半导体研究所 | 低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列 |
RU2713080C1 (ru) | 2015-10-01 | 2020-02-03 | Конинклейке Филипс Н.В. | Светоизлучающее устройство |
-
2017
- 2017-08-23 EP EP17187428.2A patent/EP3447862A1/en not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-08-23 EP EP18755488.6A patent/EP3673544B1/en active Active
- 2018-08-23 JP JP2020511234A patent/JP2020532126A/ja active Pending
- 2018-08-23 KR KR1020207008208A patent/KR20200040298A/ko active IP Right Grant
- 2018-08-23 WO PCT/EP2018/072747 patent/WO2019038365A1/en unknown
- 2018-08-23 CN CN201880054540.4A patent/CN111095696B/zh active Active
-
2020
- 2020-02-21 US US16/796,959 patent/US10855055B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090097522A1 (en) * | 2006-02-03 | 2009-04-16 | John Justice | Vertical cavity surface emitting laser device |
US20160164261A1 (en) * | 2009-02-17 | 2016-06-09 | Trilumina Corp. | Compact multi-zone infrared laser illuminator |
JP2013502716A (ja) * | 2009-08-20 | 2013-01-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 角度選択的なフィードバックを有する縦キャビティ面発光レーザー装置 |
US20150097947A1 (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-09 | Microsoft Corporation | Illumination modules that emit structured light |
US20160254638A1 (en) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Princeton Optronics Inc. | Miniature Structured Light Illuminator |
WO2016162236A1 (en) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | Koninklijke Philips N.V. | Safe laser device for optical sensing applications |
US20170033535A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Optipulse Inc. | Rigid High Power and High Speed Lasing Grid Structures |
US20170115497A1 (en) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Princeton Optronics, Inc. | Coded Pattern Projector |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022145186A1 (ja) * | 2021-01-04 | 2022-07-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3447862A1 (en) | 2019-02-27 |
CN111095696B (zh) | 2021-08-06 |
US10855055B2 (en) | 2020-12-01 |
US20200194973A1 (en) | 2020-06-18 |
EP3673544B1 (en) | 2021-10-20 |
EP3673544A1 (en) | 2020-07-01 |
CN111095696A (zh) | 2020-05-01 |
WO2019038365A1 (en) | 2019-02-28 |
KR20200040298A (ko) | 2020-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020532126A (ja) | 共通のウェーハレベル集積光学デバイスを有するvcselアレイ | |
US10965103B2 (en) | Laser arrangement comprising a VCSEL array | |
TW202043803A (zh) | 具有用於增加通道的高壓側及低壓側開關的固態電子掃描雷射器陣列 | |
EP3580820B1 (en) | Vcsel illuminator package including an optical structure integrated in the encapsulant | |
JP7198341B2 (ja) | 構造高さを低くしたレーザー装置 | |
US20210066893A1 (en) | Laser emitting unit and lidar device using the same | |
WO2020065391A1 (en) | Improved illumination device | |
EP3561553A1 (en) | Laser arrangement with reduced scattering loss | |
US11204412B2 (en) | LiDAR device | |
KR20210027167A (ko) | 빅셀 어레이 및 이를 이용한 라이다 장치 | |
US11171468B2 (en) | Laser arrangement with irregular emission pattern | |
US20240088629A1 (en) | Micro-optics on vcsel-based flood illuminator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210427 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210629 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211221 |