JP2020524406A - ハイブリッド半導体レーザー部品及びそのような部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された活性領域を含む放出モジュールと、
−活性領域に光学的に結合された少なくとも1つの導波路を含む光学層であって、活性領域と共に、所定の波長で共振する光キャビティを形成する、光学層と、
を含む。
−III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、第1の所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された活性領域を含む少なくとも1つの第1の放出モジュールと、
−前記活性領域に光学的に結合された少なくとも1つの第1の導波路を含む光学層であって、前記第1の導波路が、前記活性領域と共に、前記第1の所定の波長で共振する光学キャビティを形成する、光学層と、
を備えるハイブリッド半導体レーザー部品であって、
前記ハイブリッド半導体レーザー部品が、
−放熱性半導体層と呼ばれる半導体層であって、前記放熱性半導体層が、前記光学層と反対側の前記第1の放出モジュールの表面上で前記第1の放出モジュールと熱接触している、半導体層と、
−前記少なくとも1つの第1の放出モジュールを接続するための少なくとも1つの第1の相互接続であって、前記第1の相互接続が、前記光学層を通過する、第1の相互接続と、
をさらに備えることを特徴とする、ハイブリッド半導体レーザー部品に関する。
このようにして、ハイブリッド半導体レーザーを作動させると、放出モジュールによって放出された熱は、放出モジュールの他の表面に対する要件なしに、光学層と反対側の第1の放出モジュールの表面によって除去することができる。従って、光学層の互いに対向する、又は横断する第1の放出モジュールの表面は、その構成に関して要件を持たず、第1の放出モジュールと光学層との間の光結合を提供するためにアクセス可能である。
−第1の導電型の第1の半導体領域と、
−第1の半導体領域と接触している活性領域と、
−第2の導電型で、この活性領域と接触している第3の半導体領域と、
を含むことができ、
放出モジュールは、第1及び第3の半導体領域を介して分極され、
ここで、第3の半導体領域は、第1の相互接続と接触しており、放出モジュールは、第1の半導体領域を用いて放熱性半導体層と熱接触している。
−前記放熱性層に向かって延びる第1の相互接続部分と、
−前記放熱性半導体層と実質的に平行に延びる金属層部分であって、前記部分が、前記第1の相互接続部分と電気的に接触する、金属層部分と、
−前記放熱性層と反対側の方向に延び、前記光学層を通過する第2の相互接続部分であって、前記第2の相互接続部分が、前記金属層部分と電気的に接触する、第2の相互接続部分と、
を含む。
−光学変調器などの少なくとも1つの能動部品であって、前記能動部品が、前記光学層に収容されている、能動部品と、
−前記能動部品を接続するための少なくとも1つの第3の相互接続であって、前記第3の相互接続が、前記能動部品と、前記放熱性半導体層と反対側の前記ハイブリッド半導体レーザー部品の面との間に延びる、第3の相互接続と、
をさらに備えることができる。
前記電気絶縁層は、前記放熱性半導体層と前記第1の放出モジュールとの間の熱接触に関与する。
前記光学層は、前記第2の放出モジュールの前記活性領域に光学的に結合される少なくとも1つの第2の導波路をさらに含み、
前記第1の導波路は、前記活性領域と共に、前記第2の所定の波長で共振する光学キャビティを形成し、
前記放熱性半導体層は、前記光学層と反対側の前記第2の放出モジュールの表面上で前記第2の放出モジュールと熱接触する。
−少なくとも1つの第1の導波路を含む光学層を提供する段階と、
−III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、第1の所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された活性領域を含む少なくとも1つの第1の放出モジュールを提供する段階であって、前記活性領域が、前記第1の導波路と光学的に結合され、第1の導波路と共に、前記所定の波長で共振する光学キャビティを形成する、第1の放出モジュールを提供する段階と、
−放熱性半導体層と呼ばれる半導体層を提供する段階であって、前記放熱性半導体層が、前記光学層と反対側の前記第1の放出モジュールの表面上で、前記第1の放出モジュールと熱接触する、半導体層を提供する段階と、
を含む、ハイブリッド半導体レーザーの製造方法に関する。
−前記光学層と反対側の前記第1の放出モジュールの前記表面上で、前記第1の放出モジュールと熱接触する少なくとも1つの第2の金属層を形成する副段階と、
−前記放熱性半導体層を提供する副段階と、
−前記放熱性半導体層と熱接触する第3の金属層を形成する副段階と、
−前記第2の金属層と前記第3の金属層との金属分子結合を実行して、前記光学層と反対側の前記第1の放射モジュールの前記表面及び前記放熱性半導体層を熱接触させる副段階と、
を含むことができる。
−前記放熱性半導体と熱接触する少なくとも1つの電気絶縁層を形成する副段階が提供され得、
前記電気絶縁層は、前記放熱性半導体層の前記第2の金属層を電気的に絶縁するように成形されており、前記電気絶縁層は、前記放熱性半導体層と前記第1の放出モジュールとの間の熱接触に関与する。
前記少なくとも1つの第1の放出モジュールを提供する段階中、第2の放出モジュールも提供され、前記第2の放出モジュールは、III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、前記第1の所定の波長と異なる又は同一の第2の所定の波長で電磁放射線を放出するように成形される活性領域を含み、
前記放熱性半導体層を提供する段階中、前記放熱性半導体層は、前記光学層と反対側の前記第2の放出モジュールの表面上で、前記第2の放出モジュールとも熱的に接触する。
−III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された活性領域111、121をそれぞれ含む第1及び第2の放出モジュール110、120と、
−第1及び第2の放出モジュール110、120のそれぞれの活性領域111、121に光学的に結合された第1及び第2の導波路210、220を含む光学層200であって、各々の導波路210、220が、対応する活性領域と共に、所定の波長で共振する光学キャビティを形成する、光学層200と、
−光学層200と反対側の第1及び第2の放出モジュール110、120の表面上で、第1及び第2の放出モジュール110、120と熱接触する放熱性半導体層310と、
を含む。
−PドープインジウムリンInPで作られる第1の領域112、122であって、前記第1の領域111、121が、第4の金属層324と接触するカプセル化層100と同一平面にある、第1の領域112、122。
−活性領域111、121は、所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された複数の量子井戸を含み、前記量子井戸は、インジウムガリウム砒素リンInGaAsP層及びガリウムインジウムアルミニウム砒素InGaAlAs層のスタック等の直接ギャップ半導体材料の半導体層のスタック、又は、インジウムガリウムヒ素リンInGaAsP及びインジウムガリウムアルミニウム砒素InGaAlAsの1つから作られる複数の量子ドットによって形成される。
−NドープインジウムリンInPからなる第3の領域113、123であって、前記第3の活性領域113、123が、活性領域111、121と対応する導波路210、220との間に光学的結合を提供することにより、光学層200と接触するカプセル化層100と同一平面である、第3の領域113、123。
−第1及び第2の導波路210、220と、
−有効な屈折率の変更を可能にするために、半導体接合PNを含む導波路からなる変調器230と、
−「サイドスルー」タイプの光結合を可能にするための側面光出力部240と、
−第1及び第2の相互接続251、252については、第1及び第2の放出モジュール110、120を接続するための第1、第2、第3及び第4の相互接続251、252、253、254、第4の相互接続253、254については、変調器230の半導体接合PNの第1及び第2の半導体領域231、232と、
−第1及び第2の導波路210、220、変調器230、光出力部240及び相互接続251、252、253を囲む充填材料205であって、相互接続251、252、253が、充填材料205と同一平面にある、充填材料205と、
を含む。
−図2Aに示すように、二酸化シリコン層402が上部に設けられ、その上部にシリコン層403が設けられる第1のシリコン支持体401を含む、シリコンオンインシュレータ型半導体基板を提供する段階と:
−図2Bに示すように、シリコン層403に、エッチング及び注入により、変調器230及び光出力部240の第1及び第2及び第3の導波路210、220を形成し、シリコン層の残りが、エッチングにより除去される段階と;
−図2Cに示すように、変調器230の第1、第2の導波路210、220、並びに、光出力部240を、例えば二酸化シリコンの絶縁充填材料205でカプセル化し、その後、その充填材料を平坦化して、ガイド副層201を含む光学層200の第1の部分405を形成する段階であって、第1及び第2の導波路210、220が、エバネセント又は断熱タイプの光結合と互換性のあるシリコン支持体401に対向する前記第1の部分405の面から距離d1にある段階と;
−図2Dに示すように、シリコン支持体401と反対側の第1の部分405の面に接触して、第1のNドープインジウムリン層413、複数の量子井戸又は量子ドットを含む活性層411、及び、第2のPドープインジウムリン層412からなる層のスタックを形成する段階と;
−図2Eに示すように、第2のインジウムリン層412及び活性層411をエッチングして、第1及び第2の放出モジュール110、120の第1の領域112、122及び活性領域111、121をそれぞれ形成する段階であって、残りの第2のインジウムリン層412及び活性層411が、このエッチング中に除去される段階と;
−図2Fに示すように、第1及び第2の放出モジュール110、120の第2の領域113、123をそれぞれ形成し、それによって、第1及び第2の放出モジュール110、120を形成するために、第1のインジウムリン層413をエッチングする段階と;
−図2Gに示すように、カプセル化層100を形成するために、例えば窒化ケイ素SiN又は二酸化ケイ素SiO2などの絶縁材料で第1及び第2の放出モジュールをカプセル化し、前記絶縁材料を平坦化する段階であって、第1及び第2の放出モジュール110、120の各々の第1の領域112、122がそれらと同一平面である段階と;
−図2Hに示すように、カプセル化層100及び第4の金属層324とそれぞれ接触する第4及び第3の金属層324、323を順次堆積する段階であって、第4の金属層324が、第1及び第2の放出モジュール110、120の第1の領域112、122と電気的及び熱的に接触する段階と;
−図2Iに示すように、第2及び第3の金属層322、323が事前に堆積された第2のシリコン支持体420を提供する段階と;
−図2Jに示すように、第2及び第3の金属層322、323の金属分子結合を実行する段階と;
−シリコン支持体401を除去する段階と;
−図2Kに示すように、第1の相互接続層431を形成する段階であって、第1、第2及び第3及び第4の相互接続251、252、253、254の第1の部分が、それによって、変調器230の第1及び第2の半導体領域231、232の各々の、第1及び第2の放出モジュール110、120にそれぞれ接触する段階と;
−図2Lに示すように、第2の配線層432、第1、第2、第3及び第4の相互接続251、252、253、254の第2の部分を形成して、第1、第2、第3及び第4の相互接続251、252、253、254及び光学層200を形成する段階と;
−図2Mに示すように、光出力部240への側面アクセスを提供し、従って「サイドスルー」光結合を可能にするために、光学層200の側面部分及びカプセル化層100をエッチングする段階と;
−第2の基板を薄くして放熱性半導体層310を形成する段階と;
−図1に示すように、光学層200と反対側の放熱性半導体層310の面に第1の金属層321を形成して、それによりハイブリッドレーザー部品を形成する段階と、
含む製造方法によって製造することができる。
−図3Aに示すように、相互接続領域を形成するために第3及び第4の金属層324、323を局所的にエッチングし、絶縁障壁341、342の第1の部分341を堆積する段階、
−図3Bに示すように、放熱性半導体層310を提供する段階であって、これが、その表面の1つに、相互接続領域が絶縁障壁341、342の第2の部分342を用いて形成された第2の金属層322を有する段階、
−図3Cに示すように、第2の金属層322及び第3の金属層323を銅/絶縁体ハイブリッド結合する段階、
−図3Dに示すように、光学層200及びカプセル化層100の側部をエッチングして、光出力部240への側面アクセスを提供し、それにより「サイドスルー」光結合を可能にする段階であって、ハイブリッド半導体レーザー部品1が形成される段階。
−第1及び第2の導波路210、220と、
−変調器230と、
−第1及び第2の相互接続251、252、253、254に対して、第1及び第2の放出ジュール110、120を、第3及び第4の相互接続253、254に対して、変調器の第1及び第2の半導体領域231、232を接続する、第1、第2、第3及び第4の相互接続251、252、253、254と、
−光学層によって形成されたフォトニックシステムを外部要素又は別の導波路と結合できるようにするために、光ネットワークの形をとる表面による光出力部241と、
−第1及び第2の導波路210、220、変調器230、及び、第1から第4の相互接続251、252、253、254を囲む充填材料205と、
を含む。
−第1の支持体401、絶縁体層402及びシリコン層を含む絶縁体半導体型基板を提供する段階と;
−図4Aに示すように、局所エッチング及び注入によって、シリコン層に、第1及び第2の導波路210、220、変調器230及び光出力部241を形成する段階と、
−図4Bに示すように、光学層200の第1の部分405を形成するために、第1の導波路210、変調器230及び光出力部241を充填材料205、すなわち二酸化ケイ素でカプセル化する段階であって、第1及び第2の導波路210、220が、シリコン支持体401に対向する前記第1の部分405の面から距離d2にある段階と、
−図4Cに示すように、第1の相互接続層431を形成する段階であって、第3及び第4の相互接続253、254の第1の部分が、変調器230の第1及び第2の半導体領域231、232と接触して形成される段階と、
−第3及び第4の相互接続253、254の第1の部分を充填材料205でカプセル化する段階と、
−図4Dに示すように、第2の相互接続層432を形成する段階であって、第3及び第4の相互接続253、254並びに光学層200を形成するように、第3及び第4の相互接続253、254の第2の部分を形成する段階と、
−図4Eに示すように、第3及び第4の相互接続253、254の第2の部分を充填材料205でカプセル化し、平坦化して結合層355を形成する段階と、
−搬送基板と呼ばれる基板350上で結合層の分子結合を実行する段階と、
−図4Fに示すように、シリコン支持体401を取り外す段階と、
−各放出モジュール110、120と対応する導波路210、220との間の距離d2を定義するために、絶縁体層402を任意に薄くする段階と、
−面の1つに第2のインジウムリン層412を含むインジウムリンInPの第3の半導体支持体414を提供する段階であって、第2のインジウムリン層412が、それ自体が第1のインジウムリン層413で覆われた複数の量子井戸を含む活性層411で覆われている段階と、
−図4Gに示すように、絶縁体層402上で第1のインジウムリン層413の分子結合を実行する段階と、
−第3の半導体支持体414を除去する段階と、
−図4Hに示すように、第2のインジウムリン層412及び活性層411をエッチングして、第1及び第2の放出モジュール110、120の第1の領域112、122及び活性領域111、121を形成する段階であって、第2のインジウムリン層の残りの部分及び活性層411が、このエッチング中に除去される段階と、
−図4Iに示すように、第1及び第2の放出モジュール110、120の第2の領域113、123を形成し、それによって第1及び第2の放出モジュール110を形成するために、第1のインジウムリン層413をエッチングする段階と、
−図4Jに示すように、カプセル化層100を形成するために、第1の放出モジュール110を窒化ケイ素SiN又は二酸化ケイ素SiO2にカプセル化する段階と、
−図4Kに示すように、カプセル化層100と接触する第3及び第4の金属層323、324を堆積する段階であって、第4の金属層324が、第1の放出モジュール110の第1の領域112と接触する段階と、
−放熱性半導体層310を形成する第2のシリコン支持体を提供する段階であって、第2の金属層322が、この第2の支持体の面の1つに事前に堆積されている段階と、
−図4Lに示すように、第2及び第3の金属層322、323を用いて第2のシリコン支持体420の金属分子結合を実行する段階と、
−搬送基板350を除去する段階と、
−結合層355を除去する段階と、
−図4Mに示すように、第1及び第2の放出モジュール110、120の第2の領域113、223を接続するために、光学層200を通る第1及び第2の相互接続251、252を形成する段階と、
を含む。
−共通接地を含まないが、第3の実施形態による放出モジュール110、120の各々に対して独立した接地接点を有し、第3及び第4の金属層323、324が、絶縁障壁を用いて幾つかの相互接続領域に分割され、
−第3の実施形態によれば、モード変換により各放出モジュール110、120と対応する導波路210、220との間の断熱光結合を提供するように適合された構成を有する。
−放熱性半導体層310に向かって延びる第1の相互接続部と、
−放散層と接触している第2及び第3の金属層322、323のそれぞれの部分と、
−制御電子機器との接続を可能にするために、それを通過し、充填材料205を通して面一になるように開口することによって、光学層に向かって延びる第2の相互接続部分と、
を有する。
−光学層を提供する段階中に、能動部品260の相互接続256が形成される、
−第1のモジュールを絶縁材料でカプセル化する段階の後、第1及び第5の相互接続251、255の一部、及び第2の金属層322の一部が形成される、
−金属分子結合の段階中に、第3の金属層323が、第2の金属層322の部分に対応する部分を有する。
−充填材料205、光学層200及びカプセル化層100を貫通する第1の相互接続部分257、258であって、前記第1の相互接続部分257、258が、充填材料205の外面にそれぞれの接触バンプを備える、第1の相互接続部分257、258と、
−第2及び第3の金属層322、323のそれぞれの部分であって、前記金属層が、放熱性半導体層310と接触している、第2及び第3の金属層322、323のそれぞれの部分と、
−放熱性半導体層310を通って延び、接触バンプとして放熱性半導体層310の外面に開口する第2の相互接続部分357、358と、
を含む。
100 カプセル化層
110 放出モジュール
111 活性領域
120 放出モジュール
121 活性領域
200 光学層
210 導波路
220 導波路
251 相互接続
252 相互接続
255 相互接続
256 相互接続
257 相互接続
258 相互接続
260 能動部品
310 半導体層
321 金属層
322 金属層
323 金属層
324 金属層
343 電気絶縁層
344 電気絶縁層
357 相互接続
358 相互接続
Claims (16)
- −III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、第1の所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された活性領域(111、121)を含む少なくとも1つの第1の放出モジュール(110、120)と、
−前記少なくとも1つの第1の放出モジュール(110、120)の活性領域(111、121)に光学的に結合された少なくとも1つの第1の導波路(210、220)を含む光学層(200)であって、前記第1の導波路(210、220)が、前記活性領域(111、121)と共に、前記第1の所定の波長で共振する光学キャビティを形成する、光学層(200)と、
を備えるハイブリッド半導体レーザー部品(1)であって、
前記ハイブリッド半導体レーザー部品(1)が、
−放熱性半導体層と呼ばれる半導体層(310)であって、前記放熱性半導体層(310)が、前記光学層(200)と反対側の前記第1の放出モジュール(110、120)の表面上で前記第1の放出モジュール(110、120)と熱接触する、半導体層(310)と、
−前記少なくとも1つの第1の放出モジュールを接続するための少なくとも1つの第1の相互接続(251、252)であって、前記第1の相互接続(251、252)が、前記光学層(200)を通過する、第1の相互接続(251、252)と、
をさらに備えることを特徴とする、ハイブリッド半導体レーザー部品(1)。 - 前記ハイブリッド半導体レーザー部品(1)が、前記少なくとも1つの第1の放出モジュールを接続するための第2の相互接続(255)をさらに備え、前記第2の相互接続(255)が、前記放熱性半導体層(310)に電気的に接触する、請求項1に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。
- 前記ハイブリッド半導体レーザー部品(1)が、前記少なくとも1つの第1の放出モジュールを接続するための第2の相互接続(255)をさらに備え、前記第5の相互接続(255)が、前記光学層(200)を通過し、
前記第5の相互接続(255)が、優先的に、
−前記放熱性層に向かって延びる第1の相互接続部分と、
−前記放熱性半導体層(310)と実質的に平行に延びる金属層部分であって、前記部分が、前記第1の相互接続部分と電気的に接触する、金属層部分と、
−前記放熱性層とは反対側の方向に延び、前記光学層(200)を通過する第2の相互接続部分であって、前記第2の相互接続部分が、前記金属層部分と電気的に接触する、第2の相互接続部分と、
を含む、
請求項1に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。 - −光学変調器などの少なくとも1つの能動部品(260)であって、前記能動部品(260)が、前記光学層(200)に収容されている、能動部品(260)と、
−前記能動部品を接続するための少なくとも1つの第3の相互接続(256)であって、前記第3の相互接続が、前記能動部品(260)と、前記放熱性半導体層(310)と反対側の前記ハイブリッド半導体レーザー部品(1)の面との間に延びる、第3の相互接続と、
をさらに備える、請求項1から3の何れか一項に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。 - 前記部品が、第4の相互接続と呼ばれる少なくとも1つの第4の相互接続(257、357、258、358)をさらに備え、前記第4の相互接続(257、357、258、358)が、前記放熱性半導体層(310)と反対側の前記ハイブリッド半導体レーザー部品(1)の面と、前記光学層(200)と反対側の前記放熱性半導体層(310)の面との間に延び、
前記第4の相互接続(257、357、258、358)が、前記ハイブリッド半導体レーザー部品(1)の前記面及び前記半導体層(310)の前記面の各々に、それぞれの接触バンプを有する、
請求項1から4の何れか一項に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。 - 前記放熱性半導体層(310)が、シリコン層である、請求項1から5の何れか一項に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。
- 前記第1の放出モジュール(110、120)と反対側の前記放熱性半導体層(310)の面に、前記放熱性半導体層(310)と接触する少なくとも1つの第1の金属層(321)をさらに含む、請求項1から6の何れか一項に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。
- 前記光学層(200)と反対側の前記第1の放出モジュール(110、120)の前記面に、前記第1の放出モジュールに電気的に接触する少なくとも1つの第2の金属層(322、323、324)をさらに備え、
前記第2の金属層(322、323、324)が、前記放熱性半導体層(310)と前記第1の放出モジュール(110、120)との間の熱接触に関与する、請求項1から7の何れか一項に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。 - 前記放熱性半導体層(310)が、前記第2の金属層(322、323、324)と電気的に接触する、請求項8に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。
- 前記第2の金属層(322、323、324)と前記放熱性半導体層(310)との間に、前記第2の金属層を前記放熱性半導体層(310)から電気的に絶縁するように成形される少なくとも1つの電気絶縁層(343、344)が提供され、前記電気絶縁層(343、344)が、前記放熱性半導体層(310)と前記第1の放出モジュール(110、120)との間の熱接触に関与する、請求項8に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。
- 前記第1の放出モジュールが、窒化ケイ素又は二酸化ケイ素などの絶縁体材料で作られるカプセル化層(100)に含まれる、請求項1から10の何れか一項に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。
- III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、前記第1の所定の波長と異なる又は同一の第2の所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された活性領域(121)を含む少なくとも1つの第2の放出モジュールをさらに含み、
前記光学層(200)が、前記第2の放出モジュール(120)の前記活性領域(121)に光学的に結合される少なくとも1つの第2の導波路(220)をさらに含み、前記第1の導波路(220)が、前記活性領域(121)と共に、前記第2の所定の波長で共振する光学キャビティを形成し、
前記放熱性半導体層(310)が、前記光学層(200)と反対側の前記第2の放出モジュール(120)の表面上で前記第2の放出モジュール(120)と熱接触する、
請求項1から11の何れか一項に記載のハイブリッド半導体レーザー部品(1)。 - −少なくとも1つの第1の導波路(210、220)を含む光学層(200)を提供する段階と、
−III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、第1の所定の波長で電磁放射線を放出するように成形された活性領域(111、112)を含む少なくとも1つの第1の放出モジュール(110、120)を提供する段階であって、前記活性領域(111、112)が、前記第1の導波路(210、220)と光学的に結合され、前記第1の導波路(210、220)と共に、前記所定の波長で共振する光学キャビティを形成する、第1の放出モジュール(110、120)を提供する段階と、
を含む、ハイブリッド半導体レーザー(1)の製造方法であって、
前記製造方法が、
−放熱性半導体層と呼ばれる半導体層(310)を提供する段階であって、前記放熱性半導体層(310)が、前記光学層(200)と反対側の前記第1の放出モジュール(110、120)の表面上で、前記第1の放出モジュール(110、120)と熱接触する、半導体層(310)を提供する段階を含み、
前記少なくとも第1の放出モジュールを接続するための少なくとも1つの第1の相互接続(251、252)を形成する段階が設けられ、前記第1の相互接続(251、252)が、前記光学層(200)を通過することによって延びる、
ハイブリッド半導体レーザー(1)の製造方法。 - 前記放熱性半導体層(310)を提供する段階が、
−前記光学層(200)と反対側の前記第1の放出モジュール(110、120)の前記表面上で、前記第1の放出モジュール(110、120)と熱接触する少なくとも1つの第2の金属層(322)を形成する副段階と、
−前記放熱性半導体層(310)を提供する副段階と、
−前記放熱性半導体層(110、120)と熱接触する第3の金属層(323)を形成する副段階と、
−前記第2の金属層(322)と前記第3の金属層(323)との金属分子結合を実行して、前記光学層と反対側の前記第1の放出モジュールの前記表面及び前記放熱性半導体層を熱接触させる副段階と、
を含む、請求項13に記載の製造方法。 - 前記放熱性半導体層(310)を提供する段階中、前記放熱性半導体層(310)を提供する副段階と、前記第3の金属層(323)を形成する副段階との間に、
−前記放熱性半導体(110、120)と熱接触する少なくとも1つの電気絶縁層(343、344)を形成する副段階が提供され、
前記電気絶縁層(343、344)が、前記放熱性半導体層(310)の前記第2の金属層(322)を電気的に絶縁するように成形されており、前記電気絶縁層(343、344)が、前記放熱性半導体層(310)と前記第1の放出モジュール(110、120)との間の熱接触に関与する、
請求項13に記載の製造方法。 - 前記光学層(200)を提供する段階中、前記光学層が、少なくとも1つの第2の導波路(220)を含み、
前記少なくとも1つの第1の放出モジュールを提供する段階中、第2の放出モジュールも提供され、前記第2の放出モジュール(120)が、III−V族半導体等の直接ギャップ半導体材料で作られ、前記第1の所定の波長と異なる又は同一の第2の所定の波長で電磁放射線を放出するように成形される活性領域(121)を含み、
前記放熱性半導体層(310)を提供する段階中、前記放熱性半導体層(310)が、前記光学層(200)と反対側の前記第2の放出モジュール(110、120)の表面上で、前記第2の放出モジュール(120)とも熱的に接触する、請求項13から15の何れか一項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1755575 | 2017-06-19 | ||
FR1755575A FR3067866B1 (fr) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | Composant laser semiconducteur hybride et procede de fabrication d'un tel composant |
PCT/FR2018/051446 WO2018234673A1 (fr) | 2017-06-19 | 2018-06-18 | Composant laser semiconducteur hybride et procédé de fabrication d'un tel composant |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020524406A true JP2020524406A (ja) | 2020-08-13 |
JP7225130B2 JP7225130B2 (ja) | 2023-02-20 |
Family
ID=60382275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019570062A Active JP7225130B2 (ja) | 2017-06-19 | 2018-06-18 | ハイブリッド半導体レーザー部品及びそのような部品の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11495938B2 (ja) |
EP (1) | EP3642914B1 (ja) |
JP (1) | JP7225130B2 (ja) |
CN (1) | CN110785900B (ja) |
CA (1) | CA3066432A1 (ja) |
FR (1) | FR3067866B1 (ja) |
WO (1) | WO2018234673A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115036785A (zh) * | 2021-03-05 | 2022-09-09 | 联合微电子中心有限责任公司 | 基于背向集成的空气绝热层的制备方法及半导体器件 |
FR3121783B1 (fr) * | 2021-04-07 | 2023-11-10 | Scintil Photonics | Procéde de fabrication d’un dispositif photonique pourvu d’au moins deux puces photoniques et dispositif photonique |
FR3129031B1 (fr) | 2021-11-09 | 2023-11-03 | Commissariat Energie Atomique | Procédé d’intégration sur silicium d’un composant III-V et composant III-V intégré sur silicium |
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Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN103137801A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 在钻石基板上形成的磊晶层结构及其制造方法 |
US8938134B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-01-20 | Alcatel Lucent | Hybrid optical modulator for photonic integrated circuit devices |
EP2866316A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-29 | Alcatel Lucent | Thermal management of a ridge-type hybrid laser, device, and method |
FR3029651A1 (fr) | 2014-12-08 | 2016-06-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de modulation d'amplitude d'un signal optique |
FR3034875B1 (fr) | 2015-04-08 | 2018-03-02 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede d'ajustement des proprietes d'un circuit photonique par implantation ionique post-fabrication, guide d'ondes et circuit photonique ainsi ajustes |
FR3047811B1 (fr) * | 2016-02-12 | 2018-03-16 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Modulateur des pertes de propagation et de l'indice de propagation d'un signal optique guide |
FR3061961B1 (fr) | 2017-01-19 | 2019-04-19 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif photonique comportant un laser optiquement connecte a un guide d'onde silicium et procede de fabrication d'un tel dispositif photonique |
FR3071626B1 (fr) | 2017-09-26 | 2019-11-01 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif de couplage optique pour un circuit photonique. |
FR3074587B1 (fr) | 2017-12-06 | 2020-01-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Puce photonique a repliement de trajet optique et structure de collimation integree |
FR3077652B1 (fr) | 2018-02-05 | 2022-05-27 | Commissariat Energie Atomique | Puce photonique a structure de collimation integree |
FR3078835B1 (fr) | 2018-03-12 | 2020-04-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif photonique comportant un laser optiquement connecte a un guide d'onde silicium et procede de fabrication d'un tel dispositif photonique |
-
2017
- 2017-06-19 FR FR1755575A patent/FR3067866B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-06-18 US US16/622,571 patent/US11495938B2/en active Active
- 2018-06-18 JP JP2019570062A patent/JP7225130B2/ja active Active
- 2018-06-18 WO PCT/FR2018/051446 patent/WO2018234673A1/fr unknown
- 2018-06-18 CN CN201880040293.2A patent/CN110785900B/zh active Active
- 2018-06-18 EP EP18737679.3A patent/EP3642914B1/fr active Active
- 2018-06-18 CA CA3066432A patent/CA3066432A1/fr active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098194A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-24 | Sharp Corp | サブマウント、半導体レーザ装置およびその製造方法、ホログラムレーザ装置、並びに光ピックアップ装置 |
JP2012256869A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-27 | Imec | シリコン・フォトニクスプラットフォーム上でのフォトニックデバイスの共集積化 |
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JP2015184528A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 日本電気株式会社 | 光集積回路とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7225130B2 (ja) | 2023-02-20 |
WO2018234673A1 (fr) | 2018-12-27 |
US11495938B2 (en) | 2022-11-08 |
CN110785900B (zh) | 2021-08-13 |
FR3067866B1 (fr) | 2022-01-14 |
US20210151950A1 (en) | 2021-05-20 |
EP3642914B1 (fr) | 2021-03-31 |
EP3642914A1 (fr) | 2020-04-29 |
FR3067866A1 (fr) | 2018-12-21 |
CA3066432A1 (fr) | 2018-12-27 |
CN110785900A (zh) | 2020-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
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|
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|
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|
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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