JP2020521179A - セットポイントジェネレータ、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置の操作方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、リソグラフィ装置のパターニングデバイスを移動させるためのセットポイントジェネレータであって、パターニングデバイスは、パターン化された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与でき、セットポイントジェネレータは、パターニングデバイスのための有限数の動作プロフィールを含み、当該セットポイントジェネレータは、所望の動作プロフィールに従って有限数の動作プロフィールのうちの１つを選択し、選択した動作プロフィールをパターニングデバイスのセットポイントとして出力するように構成される、セットポイントジェネレータに関する。【選択図】図２

Description

本発明は、リソグラフィ装置のパターニングデバイスを移動させるためのセットポイントジェネレータ、そのようなセットポイントジェネレータを含むリソグラフィ装置、そのようなリソグラフィ装置を作動させる方法及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。そのような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（シリコンウェーハなど）上のターゲット部分（１つ又は複数のダイの一部など）に転写できる。パターンの転写は、典型的には、基板上に設けられた放射線感受性材料（レジスト）の層への画像化によるものである。一般に、単一の基板には、連続的にパターン化された隣接するターゲット部分のネットワークが含まれる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体を一度にターゲット部分に露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパーと、放射ビームを介してパターンを特定の方向（「スキャン」方向）にスキャンすると同時に基板をこの方向に平行又は反平行に同期スキャンすることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナーを含む。パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。

リソグラフィ装置では、パターニングデバイスは、パターンをターゲット部分に結像するために使用される放射に対して透明な層によって保護されてもよい。層は、パターニングデバイスから短い距離に保たれた膜として実装されてもよい。そのような膜は「ペリクル」とも呼ばれる。透明層は、損傷、汚染などに対するパターニングデバイスの保護を提供しながら、放射ビームがそこを透過できるようにする。一実施形態では、ペリクルは、投影システムに面するパターニングデバイスの側面でパターニングデバイスにフレームによって取り付けられる薄い透明なフィルムである。ペリクルとそのフレームは、ペリクルとパターニングデバイス間のスペースを埃や他の異物から保護する。このようにして、パターニングデバイスの近くにある粒子は物体面から遠ざけられ、結像欠陥を低減又は防止するために焦点がずれて結像される。透明層は、投影システムに面するパターニングデバイスに設けられ、その側面に沿って延びてもよい。

リソグラフィ装置のコンポーネントのいくつかは、リソグラフィ装置の作動中に動きを実行する場合がある。例えば、基板を保持する基板テーブル、及びパターニングデバイスを支持するサポートは、スキャン動作を実行してもよい。それにより、サポートは、パターンのそれぞれの部分をパターニングデバイスから基板上に投影するように、基板テーブルの動きに追従するように動かされてもよい。サポートの動作により、透明層は、加速／減速力、透明層を通過する空気流など、透明層を変形させる可能性のある力にさらされる可能性がある。透明層の変形の結果として、パターニングデバイスから基板へのパターンの投影が影響を受ける可能性があり、その結果、不正確さが生じ、オーバーレイエラーが発生する可能性がある。

参照によりその全体が本明細書に組み込まれる公開された特許公開ＷＯ２０１６／１６９７２７Ａ１は、透明層の変形プロファイルを決定する透明層変形決定デバイスであって、透明層の変形プロファイルがリソグラフィ装置のスキャン移動中の透明層の変形を示す透明層変形決定デバイスと、透明層の変形プロフィールに応じて投影システム、基板テーブル、及び支持体の少なくとも１つを制御する補償デバイスとを備えるリソグラフィ装置を開示する。

実際には、透明層の変形は基板内のターゲット部分ごとに異なるため、補償スキーム及び／又は多くのキャリブレーションでより高い自由度が必要になり、補償が非常に難しくなる。これが実行可能である場合でも、誘導された制御ノイズが増加する。さらに、ターゲット部分の異なるフィールドサイズが使用される場合、補償スキームは考えられる全てのフィールドサイズに対処できる必要がある。

パターンを基板上に正確に投影することが望ましい。

本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ装置のパターニングデバイスを移動させるためのセットポイントジェネレータであって、パターニングデバイスは、パターン化された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与でき、セットポイントジェネレータは、パターニングデバイスのための有限数の動作プロフィールを含み、当該セットポイントジェネレータは、所望の動作プロフィールに従って有限数の動作プロフィールのうちの１つを選択し、選択した動作プロフィールをパターニングデバイスのセットポイントとして出力するように構成される、セットポイントジェネレータが提供される。

本発明の別の実施形態によれば、リソグラフィ装置であって、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、アクチュエータシステムとを備え、アクチュエータシステムは、サポートを動かすように構成されたアクチュエータデバイス、及び本発明のセットポイントジェネレータと動作プロファイル決定器とを備える制御ユニットを備え、動作プロファイル決定器は、ターゲット部分のパターニングデバイスの所望の動作プロファイルを決定し、所望の動作を提供するように構成され、制御ユニットは、セットポイントジェネレータからの出力に基づいてアクチュエータを駆動するように構成されている、リソグラフィ装置が提供される。

本発明のさらに別の実施形態によれば、本発明のリソグラフィ装置を動作させる方法であって、
ａ．有限数の動作プロファイルのいずれかに従って、パターニングデバイスに結合された透明層と共にパターニングデバイスを移動させ、
ｂ．基板を移動させ、
ｃ．パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影し、
ｄ．リソグラフィ装置のスキャン動作中の透明層の変形プロファイルを示す量を決定し、
ｅ．有限数の動作プロファイルのそれぞれに対してステップａ〜ｄを繰り返す、方法が提供される。

本発明のさらなる実施形態によれば、本発明によるリソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法が提供される。

ここで、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、本発明の実施形態を、ほんの一例として説明する。

本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 図１のリソグラフィ装置の一部を概略的に示す。 スキャン動作及び変形プロファイルのグラフ表示を示す。 スキャン動作及び変形プロファイルのグラフ表示を示す。 変形プロファイルを測定するセンサを示す。 透明層変形決定装置の非常に概略的なブロック概略図を示す。 透明層変形決定装置の別の非常に概略的なブロック概略図を示す。 リソグラフィ装置のスキャン動作中に投影される基板上の一連のパターンを示す図である。 透明層変形決定デバイスのさらに別の非常に概略的なブロック概略図を示す。 複数のターゲット部分を備えた基板の一部を示す。 従来技術のリソグラフィ装置により図９の基板上で実行される非露光操作及び露光操作の従来技術のシーケンスを示す。 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置によって図９の基板上で実行される一連の非露光操作及び露光操作を示す。

図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は：
放射ビームＢ（ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（照明器）ＩＬ；
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ；
基板（例えば、レジスト被覆ウエハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウエハテーブル）ＷＴａ又はＷＴｂ；
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。

照明システムは、放射の方向付け、成形、及び／又は制御のために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電、又は他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、すなわちその重量を支える。パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境に保持されているかどうかなどの他の条件に依存する方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルとすることができる。サポート構造ＭＴは、例えば投影システムＰＳに対してパターニングデバイスＭＡが所望の位置にあることを保証することができる。本明細書における「レチクル」又は「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義と見なすことがでる。

本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分にパターンを作成するなど、断面にパターンを放射ビームに付与するために使用できるデバイスを指すと広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば、パターンが位相シフト機能又はいわゆるアシスト機能を含む場合、基板Ｗのターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスＭＡは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリ、レベンソン型位相シフト、減衰位相シフトなどのマスクタイプ、及びさまざまなハイブリッドマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの例では、小さなミラーのマトリックス配列を使用する。各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾けることができる。傾斜ミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを与える。

本明細書で使用する「放射線」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外線（ＥＵＶ）放射線、（例えば、５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）、及びイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を含む。

本明細書で使用される「投影システム」という用語は、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、及び静電光学システム、若しくは使用される露光放射線に適切なそれらの組み合わせ、又は液浸液の使用や真空の使用など、その他の要因の場合を含むあらゆるタイプの投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

本明細書に示されているように、装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。代替として、装置は、反射型のもの（例えば、上記で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するもの、又は反射型マスクを使用するもの）であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。このような「多段階」機械では、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用しながら１つ以上のテーブルで準備手順を実行することができる。図１の例の２つの基板テーブルＷＴａとＷＴｂは、これの図である。本明細書で開示される本発明は、スタンドアロン方式で使用することができるが、特に、単段又は多段装置のいずれかの前露光測定段階で追加の機能を提供することができる。

リソグラフィ装置は、基板Ｗの少なくとも一部が、比較的高い屈折率を有する液体、例えば厚さによって覆われるタイプのものであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他の空間、例えば、パターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間に適用することもできる。投影システムの開口数を増加させるための液浸技術は、当技術分野で周知である。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板Ｗなどの構造を液体に沈めなければならないことを意味するのではなく、露光中に液体が投影システムＰＳと基板Ｗの間に位置することを意味するだけである。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は別個の実体であってもよい。そのような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダーを含むビーム送達システムＢＤを用いて放射ビームが放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合、例えば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼ばれることがある。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなど、さまざまな他のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータを使用して、放射ビームを調整し、その断面に所望の均一性及び強度分布を持たせてもよい。

放射ビームＢは、サポート構造ＭＴ（例えば、マスクテーブル）上に保持されているパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ又は静電容量センサ）のおかげで、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路上に位置決めするように、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂを正確に移動できる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後、又はスキャン中にパターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に関して正確に位置決めできる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現できる。（スキャナーとは対照的に）ステッパーの場合、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせできる。図示の基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイが設けられている状況では、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２はダイ間に配置されてもよい。

図示の装置は、少なくともスキャンモードで使用でき、このモードでは、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂが同期的にスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、１回の動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び画像反転特性によって決定され得る。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の動的露光でのターゲット部分の幅（非スキャン方向）が制限されるが、スキャン動作の長さにより、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さが決まる。

スキャンモードに加えて、図示の装置は、以下のモードの少なくとも１つを使用できる：
１．ステップモードでは、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは本質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、１回の静的露光）。次に、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂはＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようにする。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の静的露光で撮像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．別のモードでは、サポート構造ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを支持したまま実質的に動かないように保持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは移動させられ、又はスキャンされる。この動作モードでは、一般的にパルス放射源が採用され、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの各動作の後又はスキャン中の連続的な放射パルスの間にプログラマブルパターニングデバイスは要求に応じて更新される。このモードは、上述したプログラマブルミラーアレイのようなプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィ装置に容易に適用できる。

上述の使用モードの組合せ及び／若しくは変形、又は全く異なる使用モードを使用してもよい。

リソグラフィ装置ＬＡは、基板テーブルを交換することができる２つの基板テーブルＷＴａ及びＷＴｂと２つのステーション（露光ステーション及び測定ステーション）を有する、いわゆるデュアルステージタイプのものである。１つの基板テーブル上の１つの基板が露光ステーションで露光されている間に、別の基板を測定ステーションで他の基板テーブルにロードして、さまざまな準備ステップを実行できる。準備ステップには、レベルセンサーＬＳを使用して基板の表面をマッピングし、アライメントセンサＡＳを使用して基板上のアライメントマーカーの位置を測定することが含まれる。これにより、装置のスループットを大幅に向上させられる。位置センサＩＦが測定ステーション及び露光ステーションにある間、基板テーブルの位置を測定できない場合、基板テーブルの位置を追跡できるようにするために、両方のステーションに第２の位置センサが提供されてもよい。

装置はさらに、説明した様々なアクチュエータ及びセンサのすべての動き及び測定値を制御するリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵを含む。制御ユニットＬＡＣＵはまた、装置の動作に関連する所望の計算を実施するための信号処理及びデータ処理能力を含む。実際には、制御ユニットＬＡＣＵは多くのサブユニットのシステムとして実現され、各サブユニットは、装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムのデータ取得、処理、及び制御を処理する。例えば、１つの処理サブシステムは、基板ポジショナＰＷのサーボ制御専用にすることができる。別々のユニットで、粗動アクチュエータと微動アクチュエータ、又は異なる軸を扱うこともできる。別のユニットが位置センサＩＦの読み出し専用になっていることもある。装置の全体的な制御は、中央処理装置によって制御され、これらのサブシステム処理装置、オペレータ、及びリソグラフィ製造プロセスに関与する他の装置と通信する場合がある。

図２は、図１のリソグラフィ装置の一部を概略的に示す。パターニングデバイスＭＡを保持するサポートＭＴが示されている。サポートＭＴには、パターニングデバイスＭＡを保護するために透明層ＴＬが設けられるか、又は透明層は別の方法でパターニングデバイスＭＡに結合される。透明層ＴＬは、例えばペリクルであってもよい。投影システムＰＳ、基板Ｗを保持する基板テーブルＷＴａ又はＷＴｂの１つ、基板ポジショナＰＷ、第１ポジショナＰＭ、及び制御ユニットＬＡＣＵも示されている。

制御ユニットＬＡＣＵは、セットポイントジェネレータＳＧ及び動作プロファイル決定器ＭＰＤを含む。動作プロファイル決定部は、露光されるターゲット部分のパターニングデバイスの所望の動作プロファイルを決定するように構成される。所望の動作プロファイルは、多くの変数、パラメータ、及びリソグラフィ装置の他のコンポーネント及び制御システムからの入力に基づいて決定できる。望ましい動作プロファイルは、可能な限り正確かつ／又は迅速にターゲット部分にパターンを投影することを目的としている。所望の動作プロファイルは、セットポイントジェネレータＳＧに提供される。

セットポイントジェネレータは、パターニングデバイスの有限数の動作プロファイルを備え、セットポイントジェネレータは、受信した所望の動作プロファイルに基づいて有限数の動作プロファイルの１つを選択するように構成される。選択された動作プロファイルは、選択された動作プロファイルに従ってパターニングデバイスを移動するためのセットポイントとして第１ポジショナＰＭに提供される。

制御ユニットＬＡＣＵは、本明細書全体を通して「プロファイリングシステム」とも呼ばれる透明層変形決定デバイスＴＬＤをさらに備え、透明層の変形プロファイルを決定するように構成され、透明層の変形プロファイルは、リソグラフィ装置のスキャン動作中の透明層の（動的に変化する）変形を示す。本発明によるリソグラフィ装置の一実施形態では、本明細書全体を通して「制御システム」とも呼ばれる補償デバイスＣＤが、リソグラフィ装置のスキャン中の透明層の変形を少なくとも部分的に補償するようにリソグラフィ装置を制御するように構成される。それに加えて、補償装置ＣＤ（又は制御システム）は、透明層の変形プロファイルの制御下で、投影システムＰＳ及び基板Ｗを保持する基板テーブルＷＴの少なくとも一方を駆動する。

したがって、透明層変形決定デバイスＴＬＤは、セットポイントジェネレータの有限動作プロファイルのそれぞれの変形プロファイルを決定できるため、セットポイントジェネレータが有限動作プロファイルの１つを選択してパターニングデバイスの動作を制御するとき、補償装置ＣＤは、関連する変形プロファイルに基づいて、パターニングデバイスのこの移動中に透明層の変形を部分的に補償できる。

透明層変形決定デバイスＴＬＤは、リソグラフィ装置の使用中のリソグラフィ装置の動作中に生じる透明層の変形プロファイルに関する情報を取得できる。透明層変形決定デバイスＴＬＤは、使用中のリソグラフィ装置の動作中に生じる透明層の変形プロファイルに関する情報を、透明層の変形の測定から、数学的モデルから、変形から生じる誤差の測定から、又はそれらの任意の組み合わせから取得できる。

基板テーブルＷＴは、投影システムＰＳに対して基板Ｗを正しく位置決めするために使用される１つ又は複数のセンサＡＳを含むことができる。典型的に、そのようなセンサＡＳは、典型的には、透過画像センサー（ＴＩＳ）を含む。ＴＩＳは、パターニングデバイスＭＡでのマークパターンの投影された空中像の基板レベルでの位置を測定するために使用されるセンサである。通常、基板レベルでの投影画像は、投影ビームの波長に近いライン幅の線パターンである。ＴＩＳは、放射パターンとその下の透過パターンを使用して、これらのマスクパターンを測定する。センサデータは、基板テーブルＷＴの位置に対するパターニングデバイスＭＡの位置を６自由度で測定するために使用される。本発明の文脈内でのセンサＡＳの使用は、図６を参照して簡単に対処される。

変形プロファイルの例については、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。図３Ａは、時間ｔにわたるリソグラフィ装置のスキャン動作ＳＣＭの非常に概略的な例を示している。ある基準に対するサポートＭＴの位置ＳＣＤが垂直軸に沿って描かれ、時間「ｔ」が水平軸に沿って描かれている。スキャン動作の一部の間に、サポートＭＴが例えば一定の速度で動作する。サポートＭＴのスキャン動作中に生じる透明層の変形プロファイルＤＥＰＲは、図３Ｂに概略的に示されており、水平軸に沿った時間「ｔ」に対して垂直軸に沿って示されている。「変形プロファイル」という表現は、リソグラフィ装置の動作（スキャン動作など）中の経時的な透明層の変形として理解されるべきである。変形は、例えば、時間、位置、又はその両方の関数として表されてもよい。変形プロファイルは、凹度又は凸度などの単一のスカラー値で表せる。代替として、変形プロファイルは、透明層の表面の異なる位置での変形の一次元配列又は二次元配列の観点から表現されてもよい。

パターニングデバイスのさまざまな動作プロファイルに対して、さまざまな変形プロファイルが提供される。異なる動作プロファイルは、例えば、異なるスキャン方向（上、下）又は異なるスキャンプロファイル（異なる一定のスキャン速度又は異なる加速度）によって特徴付けられる。通常、透明層の変形はスキャン方向に依存し、スキャン速度によって異なる。

透明層の変形は、パターン付き放射ビームの経路に影響を与える可能性があり、したがって、「レジスト」とも呼ばれる感光性材料で覆われた基板上のパターンの結像の品質に影響を与える可能性がある。リソグラフィ装置の使用中の透明層の変形を十分に近似的に知っている場合、透明層を出るパターン付き放射ビームの経路への影響と、パターンの最終的な基板上への結像の影響を決定できる。

基板において、透明層の変形の影響は、基板上の所望の位置からのパターン付き放射ビームの変位となる。その望ましくない変位を少なくとも部分的に補償するために、発明者は、変形の制御下で投影システム及び基板テーブルの１つ又は複数の要素の少なくとも１つの位置及び／又は方向を制御することを提案する。したがって、パターン付き放射ビームの経路上の透明層の変形の影響を決定し、投影システム及び基板テーブルの少なくとも一方を駆動して投影システムの特性（たとえば、焦点）を変更し、及び／又は、基板テーブルの位置を変更することにより、（リソグラフィ装置のスキャン動作中に生じる）基板へのパターンの投影に対する透明層の変形の影響を少なくとも部分的に補償できる。決定は、リアルタイムで、又は事前に決定された数学的モデルを介して達成されてもよい。

図４は、パターニングデバイスＭＡ及びパターニングデバイスＭＡを保護する透明層ＴＬを備えた支持体ＭＴの概略図を示す。センサＰＳは、透明層上の特定の位置における透明層の位置、又は特定の位置における後の透明の位置を示す別の量を感知する。任意の適切なセンサＰＳを適用できる。したがって、一実施形態では、透明層変形決定デバイスは、リソグラフィ装置のスキャン動作中に透明層の位置のプロファイルを測定するように構成されたセンサＰＳを含む。透明層の位置は、支持体ＭＴに対する透明層ＴＬの位置として理解することができる。したがって、支持体ＭＴが動作すると、センサＰＳは、支持体に対する透明層の位置を感知し得る。透明層の位置測定により、リソグラフィ装置のスキャン動作中の透明層の変形を検出することが可能になる。

変形は、１つ以上の原因の結果として発生する場合がある。例えば、変形は、透明層の近くのガス流（例えば、リソグラフィ装置内の空気又は窒素ガス）によって引き起こされ得る。ガス流は、ガス環境内のコンポーネントの相対的な動きによって誘発される場合がある。例えば、ガス流は、サポートの動作によって、及び／又はサポートのリソグラフィ装置の他の部分に対する動作、例えば投影システムに対するサポートの動作又はリソグラフィ装置のあらゆる他の部分に対するサポートの動作によって誘導される。他のガス流が存在し、リソグラフィ装置の特定のコンポーネント、例えばパターニングデバイスを熱的に調整、例えば冷却するために積極的に供給されてもよい。

また、透明層の変形は、サポート自体の動き、例えば、透明層の慣性及びサポートの加速による透明層の変形によって引き起こされることもあり、その間、透明層の中央が潜伏、弾性等によって加速中に変形する間、透明層のエッジがサポートに（直接的又は間接的に）接続されていることにより透明層のエッジが加速に従う傾向にある。透明層の位置は、面内位置、すなわち透明層の平面内、面外位置、すなわち静止時の透明層の平面に垂直な位置などとして測定されてもよい。

一実施形態では、図４に示すように、センサＰＳは、かすめ入射角ＧＡＯＩでスキャンビームＰＳＳＢを透明層ＴＬに照射するように構成されたレーザ光源ＰＳＬＳと、透明層から反射された反射ビームＰＳＲＢを検出する検出器ＰＳＤＥＴとを備える。かすめ入射角のため、センサーレーザ光源と検出器は、パターン付き放射ビームの光伝搬経路の外側に配置されるのがよい。さらに、かすめ入射角では、スキャンビームのほとんどの光が検出器ＰＳＤＥＴに反射される。さらに、それにより、スキャンビームと、基板上に投影されるパターン付き放射ビームとの相互作用を防げる。

スキャンビームは、透明層の表面上の様々な位置で透明層の位置を測定するように透明層の表面をスキャンでき、それにより、透明層内での共鳴、進行波などの発生に関する情報を得られる。

さらに、例えばパターニングデバイスの一部がいわゆるスリット（図示せず）を介して基板に繰り返し投影されるスキャン動作を実行する場合、センサＰＳは、その瞬間にパターン付き放射ビームが透過する透過層の一部にスキャンレーザービームを向けることができ、したがって、パターン付き放射ビームが透明層を透過している位置で透明層の位置を正確に検出できるようにし、したがって、透明層の関連部分の正確な位置測定を可能にする。さらに、レーザによる位置測定は高速であり、したがって、透明層の動作を追跡することができ、それを考慮に入れることができる。

センサＰＳの他の実施形態が想定さる。例えば、センサＰＳは、パターニングデバイスと透明層との間の空間に配置され、その中の圧力を測定する空気圧又は空気圧センサのアレイを備えてもよい。透明層の変形により、透明層とパターニングデバイスとの間の空間に圧力変化が生じる可能性がある。例えば空気圧センサの例えば透明層に沿って延びるアレイの場合、変形の空間プロファイルを記録してもよい。

図５は、透明層変形決定デバイスＴＬＤ（「プロファイリングシステム」とも呼ばれる）の非常に概略的な図を示す。この実施形態では、上述のセンサＰＳの代替として、又はそれに加えて、透明層変形決定デバイスは、透明層ＴＬの数学モデルＭＯＤを備え、リソグラフィ装置のスキャン動作ＭＰＳＭの動作プロファイル及び数学モデルから透明層の変形プロファイルＤＥＰＲを計算するように構成される。

数学的モデルＭＯＤは、剛性、共鳴挙動、弾性などの透明層の特性を考慮できるようにするために、有限要素モデル（ＦＥＭ）であるのがよい。数値モデルなど、任意の適切な数学モデルを適用できる。

数学的モデルＭＯＤは、リソグラフィ装置の外部で事前に決定されていてもよいし、例えば、リソグラフィ装置の動作使用前にキャリブレーションモードで操作されるか、又は連続してイメージ化される多くの基板の先行基板で実行される先行イメージ操作を操作される前にリソグラフィ装置のプロファイリングシステムを使用して事前に決定されていてもよい。

さらに、数学的モデルＭＯＤは、透明層でのガス流の影響を考慮して、サポートとガス流の加速の複合影響下での透明層の変形プロファイルを計算又は推定するように構成できる。透明層に対するガス流の影響は大きいことがある。すなわち、ガス流の結果としての透明層への圧力の空間分布は、透明層の全体的な変形に関連する又は主要な寄与を提供し得る。変形に対するガス流の影響のモデリングは、透明層の変形のモデリングの精度を大幅に向上させられる。

図６は、本発明の一実施形態による透明層変形決定デバイスＴＬＤの非常に概略的な図を示す。この実施形態では、透明層変形決定デバイスＴＬＤは、透明層変形プロファイルデータＴＬＤＰＤが格納されるメモリＭＥＭを備え、透明層変形プロファイルデータは、リソグラフィ装置のスキャン動作中の透明層変形のプロファイルを表し、事前に測定されている。したがって、測定を実行することができ、それにより、リソグラフィ装置は、操作中、すなわちイメージング中に行われる動きと同様のスキャン動き又は他の動きを実行する。透明層の変形又は透明層の変形の効果は、透明層変形決定デバイスＭＥＡＳに提供された測定及び測定結果である。例えば、透明装置の変形は、リソグラフィ装置の動作中に、上述のセンサＰＳ（かすめ入射レーザースキャナーなど）を使用して測定されてもよい。代替として、変形の効果が測定されてもよく、その例を以下に説明する。

それに対応して、テスト動作中に測定が実行され、透明層の変形のプロファイルがそこから導き出される。複数のそのような（例えば、異なる又は部分的に異なる）動作を実行でき、対応する変形プロファイルをそこから導き出して保存できる。リソグラフィ装置の操作上の使用において、特定の動作が実行されているとき、対応する保存された変形プロファイルが適用され得る。

測定はさまざまな方法で実行できる。例えば、リソグラフィ装置のアライメントセンサ（図２に示すアライメントセンサＡＳなど）を使用することができ、これは、例えば基板テーブルＷＴ上に設けられ、アライメントテーブルのアライメントを測定するために使用される。リソグラフィ装置では、照射源からのビームがパターニングデバイス及び投影システムを介して基板テーブル内のアライメントセンサに向けられる。そのようなアライメントセンサの例は、透過型イメージセンサー（ＴＩＳセンサー）である。それに対応して、一実施形態では、リソグラフィ装置は、アライメントセンサＡＳをさらに備え、透明層変形決定デバイスは、リソグラフィのスキャン動作中のアライメントプロファイルのアライメントセンサによる測定から透明層変形プロファイルデータを導き出し、導き出した透明層変形プロファイルデータをメモリに保存するように構成される。アライメントセンサに到達した放射ビームが透明層を通過すると、アライメントセンサ上の画像が透明層の変形の存在を示す。

アライメントセンサを使用した測定は、静止して、又は動作中、例えば、動作がリソグラフィ装置の操作中の動作に大きく似ており（通常の操作では、ビームがアライメントセンサではなく基板のターゲット部分に向けられることだけが異なる）、擾乱に対する変形が通常の操作で引き起こされる擾乱及び変形に密接に関連するような透明層への擾乱を引き起こすリソグラフィ装置のスキャン動作中に行える。パターニングデバイスの複数の動作プロファイルのために決定された複数の変形プロファイルを決定でき、メモリに格納してもよい。リソグラフィ装置の動作中、実行されるようにセットポイントジェネレータＳＧによって選択された動作プロファイルに対応する、格納された変形プロファイルが選択される。

図７を参照して測定の別の可能性を説明する。図７は、連続するアップスキャン及びダウンスキャンの投影パターンを備えた基板Ｗを示す。「アップスキャン」及び「ダウンスキャン」という用語は、それぞれ「スキャンアップ」（ＳＵ）及び「スキャンダウン」（ＳＤ）とも呼ばれる反対（逆平行）のスキャン方向を示す。より一般的には、パターンは、例えば、基板上に一連のテストパターンを照射して提供される。パターニングデバイスの変形に関する情報は、投影されたパターンから導き出せる。したがって、一実施形態では、メモリに格納された透明層変形プロファイルデータは、リソグラフィ装置によるスキャン動作中の基板上への一連のパターンのリソグラフィ装置による投影、及びリソグラフィ装置のスキャン動作中に得られた投影パターンにおける誤差の測定から導き出せる。情報は、投影されたパターン自体（パターンの変形など）から、及びパターン同士の比較から取得できる。例えば、図７を参照すると、リソグラフィ装置のスキャン動作がアップスキャン動作とダウンスキャン動作を含む場合、透明層変形プロファイルデータは、アップスキャン動作中の投影パターンとダウンスキャン動作中の投影パターン（図７のパターンＵＳＤＳ）の比較から導き出せる。アップスキャンとダウンスキャンの間、透明層への擾乱（例えば、加速度プロファイル、ガス流の効果）は互いに反対になる場合があり、アップスキャンとダウンスキャンの比較から変形関連の効果を導き出せる。

図８は、本発明の別の実施形態による透明層変形決定デバイスＴＬＤの非常に概略的な図を示す。透明層変形決定デバイスは、上述したように、メモリＭＥＭとモデルＭＯＤの両方を含む。メモリには、上述した測定データＭＥＡＳが提供されている。上述したように、モデルには動作プロファイルＭＰＳＭが提供されている。上述した数学的モデルとメモリに保存されている変形プロファイルデータの両方を利用すると、透明層変形決定デバイスがメモリに保存されている透明層の変形プロファイルデータから数学的モデルをキャリブレーションするように構成されているため、推定精度のさらなる向上が得られる。

透明層の物理的特性のゆっくりした変動（例えば弾性、経年変化、若しくは例えばリソグラフィ装置の作動中に生じる熱による透明層の加熱の熱作用による屈折率）を補償するために、補償装置ＣＤは、次の基板のスキャン中に投影システム及び基板テーブルの少なくとも一方を制御し、現在の基板のスキャン中に測定された透明層の変形プロファイルを生成するように構成されている。したがって、検出され、かつ透明層の変形に起因する可能性のあるずれは、後のスキャンで処理され、考慮される場合がある。また、これにより繰り返しの勝者による透明層の経年変化と、それによる弾性特性の変化も考慮され得る。測定データが各パターニングデバイスについて一度だけ決定され、特定のパターニングデバイスがシステムにロードされる度にデータが再利用される場合に上記が関連する。代替として、測定の実行速度に応じてシステムの生産性を犠牲にして、レチクルがシステムにロードされるたびに測定データを繰り返せる。

補償装置は、リソグラフィ装置内の任意の適切なパラメータを制御できる。具体的には、透明層の変形の結果としてのパターン付き放射ビームへの影響の少なくとも一部を効果的に補償するために、補償装置は、投影システムを駆動するか、又は投影システムの投影要素の位置を修正し、及び／又は基板テーブルを駆動して、基板テーブルの位置を修正する。

図９は、基板ＷのエッジＥＷに近いターゲット部分ＴＡ、ＴＢ、ＴＣ、ＴＤ、ＴＥ、ＴＦ及びＴＧを含む基板Ｗの一部を示す。ターゲット部分を露光するとき、いくつかのターゲット部分は上向きのターゲット部分の矢印で示されるアップスキャンを使用して露光され、他のターゲット部分は、下向きのターゲット部分の矢印で示されるダウンスキャンを使用して露光される。

図１０Ａは、一連の非露光操作又は動作ＮＥＸＰ、及び参照符号ＥＸＰで示される露光操作又は動作、並びにそれに続いて露光されるターゲット部分を示す。図１０Ａは、従来技術のリソグラフィ装置によって実行されるシーケンスを示す。時間「ｔ」は、下方向に向けて進む。

ターゲット部分ＴＡ、ＴＢ、ＴＥ、ＴＦ、及びＴＧが完全なターゲット部分であるため、ターゲット部分ＴＡ、ＴＢ、ＴＥ−ＴＧの対応する露光の持続時間は、ブロックＥＸＰＴＡ、ＥＸＰＴＢ、ＥＸＰＴＥ、ＥＸＰＴＦ、及びＥＸＰＴＧの高さに近似する。ターゲット部分ＴＣ及びＴＤは小さいのでターゲット部分ＴＣ、ＴＤの対応する露光の持続時間は、全領域ターゲット部分よりも少なくより低い高さブロックＥＸＰＴＣ及びＥＸＰＤＴで示される。

非露光操作ＮＥＸＰの間、パターン化された放射ビームは仮想的に１つのターゲット部分から次のターゲット部分に移動する。ターゲット部分ＴＡとＴＢ、ＴＢとＴＣ、ＴＤとＴＥ、ＴＥとＴＦ、ＴＦとＴＧの場合のように行内の次のターゲット部分に移動する場合、対応する非露光ブロックＮＥＸＰの同様の高さで示すように、非露光時間はほぼ同じである。しかしながら、ターゲット部分ＴＣとＴＤの場合のように、ある行のターゲット部分から別の行の次のターゲット部分に移動する場合、対応する非露光ブロックＮＥＸＰの高さの増加によって示されるように、より多くの時間が必要になる場合がある。

その結果として、及び／又はリソグラフィ装置における他のプロセスの結果として、露光中及び非露光中のパターニングデバイスの動作は、基板Ｗ全体にわたって繰り返し可能でない場合がある。

例えば図２に示すように、リソグラフィ装置の制御ユニットＬＡＣＵで本発明によるセットポイントジェネレータＳＧを使用する場合、セットポイントジェネレータは、パターニングデバイスについて、リソグラフィ用の有限数の動作プロファイルを選択することができるに過ぎず、したがって、装置は、限られた数の変形プロファイルとそのための補償スキームを扱うだけでよい。

例えば図９の基板を参照して、基板は通常、複数のターゲット部分を含むため、リソグラフィ装置は、パターン付き放射ビームを複数のターゲット部分に投影するように構成される。このような場合、図２のセットポイントジェネレータＳＧは、基板に使用される動作プロファイルのセットを選択し、複数のターゲット部分のそれぞれのセットから動作プロファイルを選択するように構成される。好ましくは、動作プロファイルのセットは、単一の動作プロファイルのみを含む。その結果、透明層の変形プロファイルは各ターゲット部分で同じになり、補償も同じになる。しかし、より実用的な実施形態では、動作プロファイルのセットは、少なくとも２つの動作プロファイルを含み、少なくとも１つはアップスキャンに関連付けられ、少なくとも１つはダウンスキャンに関連付けられる。

一実施形態では、有限数の動作プロファイルは、標的部分のサイズ、スキャン速度、及びスキャンの方向のパラメータのうちの１つ又は複数によって特徴付けられる異なるセットを有してもよい。有限数の動作プロファイルは、例えば、１０の異なるターゲット部分サイズ、１０の異なるスキャン速度、２つのスキャン方向（たとえば、上下）に適用でき、合計２００の動作プロファイルである。基板がシステムにロードされると、セットポイントジェネレータが選択されたスキャン速度とターゲット部分サイズに対応する上下２つの動作プロファイルを選択するように、例えば動作プロファイル決定器によりスキャン速度を選択でき、ターゲット部分のサイズが入力される。次に、２つの動作プロファイルのいずれかを使用して、各ターゲット部分を露光する。

動作プロファイルは、露光部分と非露光部分を含んでもよい。それらの例を１０Ａ及び図１０Ｂに示し、露光部分はＥＸＰで始まる参照記号を使用して示され、非露光部分は参照記号ＮＥＸＰを使用して示される。露光部分の間、パターニングデバイスは、複数のターゲット部分のうちの１つをパターン付き放射ビームで露光する間に移動する。非露光部分ＮＥＸＰはそれぞれ、露光部分が直後にある前露光部分ＰＥＸＰを含む。

図１０Ｂは、図９のターゲット部分を露光するための図１０Ａと同様の露光部分ＥＸＰ及び非露光部分ＮＥＸＰのシーケンスを示す。ただし、図１０Ｂのシーケンスは、本発明によるセットポイントジェネレータＳＧの結果である。セットポイントジェネレータによって選択された少なくとも１つの動作プロファイルのセットは、セット内の動作プロファイルの露光部分の持続時間が同一である動作プロファイルを含む。これは、ターゲット部分ＴＣ及びＴＤが、フルサイズのターゲット部分ではないが、フルサイズのターゲット部分に対応する動作プロファイルを使用して、スキャンされることを意味する。したがって、露光部分ＥＸＰＴＣ及びＥＸＰＴＤは、図１０Ａの状況と比較して拡張されており、ターゲット部分がパターン付き放射ビームにより実際に露光される第１部分と、パターニングデバイスの動きが、露光がまだ進行中であるがパターン付き放射ビームが基板に投影されていないようになる第２部分を含む。

一実施形態では、セットポイントジェネレータは、セットが少なくとも２つの動作プロファイルを含むように動作プロファイルのセットを選択し、セット内の動作プロファイルの露光部分はパターニングデバイスの移動速度に関して同一である。

さらなる実施形態では、動作プロファイルのセットは少なくとも２つの動作プロファイルを含み、前露光部分は同一である。前露光部分での動作は、露光部分中の透明層の変形に影響を及ぼし得る。したがって、動作プロファイルが前露光部分でも同じである場合、露光部分の変形はより予測可能であり、したがって補償が容易になる。前露光部分の長さは、透明層のタイプと、透明層の動作が減衰する速度に依存する。

動作プロファイルのセットを選択すると、選択した動作プロファイルに関連付けられたターゲット部分のサイズは、基板上の実際のターゲット部分のサイズよりも大きくなる。

本書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及している場合があるが、ここで説明するリソグラフィ装置には、集積光学システムの製造、磁区メモリの誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどのような他の用途がある。当業者は、そのような代替用途の文脈において、本明細書における「ウエハ」又は「ダイ」という用語の使用はそれぞれ、より一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義と見なすことができることが理解できる。本明細書で言及される基板は、露光の前後に、例えばトラック（通常、レジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理されてもよい。適用可能な場合、本明細書の開示は、そのような及び他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作成するために、基板を複数回処理することができ、したがって、本明細書で使用する基板という用語は、すでに複数の処理層を含む基板を指すこともある。

光リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について具体的に言及したが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途に用いることができ、文脈が許す場合には光リソグラフィに限定されないことは理解できよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板上に作成されるパターンを定義する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層に押し込まれ、その後、電磁放射線、熱、圧力、又はそれらの組み合わせを加えることによりレジストが硬化される。レジストが硬化した後、パターニングデバイスをレジストから移動して、パターンを残す。

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実施できることが理解されよう。例えば、本発明は、上記の方法を説明する機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はそのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形をとりそこに保存されてもよい。

上記の説明は、制限ではなく例示を目的としている。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。

Claims (15)

1. リソグラフィ装置のパターニングデバイスを移動させるためのセットポイントジェネレータであって、
   前記パターニングデバイスは、パターン化された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与でき、
   前記セットポイントジェネレータは、前記パターニングデバイスのための有限数の動作プロフィールを含み、当該セットポイントジェネレータは、所望の動作プロフィールに従って前記有限数の動作プロフィールのうちの１つを選択し、前記選択した動作プロフィールを前記パターニングデバイスのセットポイントとして出力するように構成される、セットポイントジェネレータ。
2. 前記リソグラフィ装置は、パターン付き放射ビームを基板上の複数のターゲット部分に投影するように構成され、
   前記セットポイントジェネレータは、少なくとも１つの動きのセットを選択し、前記セットポイントジェネレータは前記複数のターゲット部分の各々について動作プロフィールを選択するように構成される、請求項１に記載のセットポイントジェネレータ。
3. 前記有限数の動作プロファイルがそれぞれ、前記複数のターゲット部分の１つを前記パターン付き放射ビームで露光する間に前記パターニングデバイスを移動させる露光部分を含み、前記少なくとも１つの動作プロファイルのセットが、少なくとも２つの動作プロファイルを含み、前記セット内の前記動作プロファイルの前記露光部分は、前記パターニングデバイスの移動速度に関して同一である、請求項２に記載のセットポイントジェネレータ。
4. 少なくとも１つの動作プロファイルの前記セットが少なくとも２つの動作プロファイルを含み、前記セット内の動作プロファイルの露光部分の持続時間が同一である、請求項２又は３に記載のセットポイントジェネレータ。
5. 前記少なくとも１つの動作プロファイルのセットが少なくとも２つの動作プロファイルを含み、前記動作プロファイルのセットがそれぞれ、露光部分の直後の前露光部分を含み、前記セット内の動作プロファイルの前記前露光部分は同一である、請求項２乃至４のいずれか１項に記載のセットポイントジェネレータ。
6. 前記所望の動作プロファイルは所望の動作持続時間を有し、前記選択された動作プロファイルは動作持続時間を有し、前記動作持続時間は前記所望の動作持続時間よりも長い、請求項１乃至５のいずれかに記載のセットポイントジェネレータ。
7. リソグラフィ装置であって、
   パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるサポートと、
   基板を保持するように構築された基板テーブルと、
   前記パターン化された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
   アクチュエータシステムとを備え、
   前記アクチュエータシステムは、前記サポートを動かすように構成されたアクチュエータデバイス、及び
   請求項１乃至６のいずれか一項に記載のセットポイントジェネレータと動作プロファイル決定器とを備える制御ユニットを備え、
   前記動作プロファイル決定器は、前記ターゲット部分の前記パターニングデバイスの所望の動作プロファイルを決定し、所望の動作を提供するように構成され、
   前記制御ユニットは、前記セットポイントジェネレータからの出力に基づいて前記アクチュエータを駆動するように構成されている、リソグラフィ装置。
8. 前記リソグラフィ装置は、前記パターニングデバイスの動作中に前記パターニングデバイスに結合された透明層の変形プロファイルを示す量を決定するように構成されたプロファイリングシステムを備える、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記パターニングデバイスに結合された透明層をさらに備える、請求項７又は８に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記有限数の動作プロファイルのそれぞれが、前記ターゲット部分を前記パターン付き放射ビームで露光する間に前記パターニングデバイスを移動させる露光部分と、前記露光部分の直後の前露光部分とを含み、前記前露光部分の持続時間は、前記パターニングデバイスに結合された透明層のタイプに基づく、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記ターゲット部分が部分的にのみ前記基板上にある場合、前記セットポイントジェネレータは、完全なターゲット部分に対応する有限数の動作プロファイルのうちの１つを選択するように構成される、請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記所望の動作プロファイルが所望のターゲット部分のサイズに対応し、前記選択された動作プロファイルがターゲット部分のサイズに対応し、前記ターゲット部分のサイズが前記所望のターゲット部分のサイズよりも大きい、請求項７〜１１のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
13. 請求項７〜１２のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を動作させる方法であって、
    ａ．前記有限数の動作プロファイルのいずれかに従って、パターニングデバイスに結合された透明層と共にパターニングデバイスを移動させ、
    ｂ．基板を移動させ、
    ｃ．パターン化された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影し、
    ｄ．前記リソグラフィ装置のスキャン動作中の前記透明層の変形プロファイルを示す量を決定し、
    ｅ．前記有限数の動作プロファイルのそれぞれに対してステップａからｄを繰り返す、方法。
14. 前記パターニングデバイスを移動するために使用される前記動作プロファイルに関連する量の制御下で、前記基板の移動及び投影の少なくとも一方を制御することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
15. 請求項７乃至１２のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法。

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