JP2020506438A - 画素ユニット構造及びその製造方法 - Google Patents

画素ユニット構造及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020506438A
JP2020506438A JP2019556395A JP2019556395A JP2020506438A JP 2020506438 A JP2020506438 A JP 2020506438A JP 2019556395 A JP2019556395 A JP 2019556395A JP 2019556395 A JP2019556395 A JP 2019556395A JP 2020506438 A JP2020506438 A JP 2020506438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
pixel unit
unit structure
display medium
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019556395A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7032434B2 (ja
Inventor
ツェン,シーシェン
Original Assignee
曾 世憲
曾 世憲
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 曾 世憲, 曾 世憲 filed Critical 曾 世憲
Publication of JP2020506438A publication Critical patent/JP2020506438A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7032434B2 publication Critical patent/JP7032434B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R9/00Transducers of moving-coil, moving-strip, or moving-wire type
    • H04R9/06Loudspeakers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13613Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

画素ユニット構造体(1A)およびその製造方法。画素ユニット構造(1A)は、表示媒体モジュール(15)とアクティブスイッチ構成要素(13)とを備える。表示媒体モジュール(15)は、第1の電極(151)、第2の電極(153)、および表示媒体(155)を含む。第1電極(151)と第2電極(153)とは離間している。表示媒体(155)は、第1の電極(151)と第2の電極(153)との間に配置されている。アクティブスイッチ構成要素(13)は、第1の電極(151)に電気的に接続され、第1の電極(151)および第2の電極(153)が表示媒体(155)の状態を変えることを可能にする。能動スイッチ部品(13)は、チップ部(133)とトランジスタ部(135)とを備える。トランジスタ部135は、チップ部133上に形成されている。能動スイッチ部品(13)は独立して製造され、より高いアニーリング温度下で製造することができ、表示媒体モジュール(15)によって課される制限による影響を受けない。

Description

本発明は、画素ユニット構造及びその製造方法に関する。更に具体的には、本発明は、表示媒体モジュールを有する画素ユニット構造及びその製造方法に関する。
科学技術の進歩に伴い、人々は、イメージの視角的要求についても益々注目され、軽薄、表示品質が良好で、パネル寸法が大きく、色彩飽和度が高く、コストが低く、消費電量が低い等の利点を有する表示装置が望まれている。
現在の表示装置は、自発光及び非自発光の表示装置であることができ、液晶表示装置は、非自発光平面表示装置の主要製品に属し、それは、液晶媒体の上下電極の電圧を制御することにより、光線が該液晶媒体を通過する量を調整し、その後、カラーフィルタリング層、偏光シート及び光学機能シート等を合わせ、カラー表示の効果を達成する。
発光平面表示装置は、電界放出、プラズマ、エレクトロルミネッセンス及び有機発光ダイオード等のタイプを含み、有機発光ダイオード(OLED)は、高分子発光材料を利用して上層電極及び下層電極の間に沈積し、電子と正孔伝導層等を合わせ、外部から電界を印加し、キャリアを移動させ、電子及び正孔を発生させ、再結合する現象によって光線を発生する。有機発光ダイオードの表示装置は、相対的に広視角を有し、反応速度が速く、パネルの厚さが薄く、バックライト及びカラーフィルタを必要とせず、大きな寸法を製造でき、可撓性を有する等の利点がある。
液晶表示装置及び有機発光ダイオード表示装置の表示パネルは、何れも透明ガラスを基板とするが、該ガラス基板上に薄膜トランジスタ、下電極層、表示媒体層及び上電極層等の部材を直接的に形成する。薄膜トランジスタは、電極層及び/又は下電極層へ加える電圧又は電流を制御し、該表示媒体の状態を制御することができる。
しかしながら、ガラス基板は、高いアニーリング温度(ガラスの変形温度は約650℃)に耐えられず、従って、上記部材のプロセスは、相対的に低温下で行われる。これにより、薄膜トランジスタが有する電子キャリアの遷移率が小さくなり、遷移率が小さいことは、トランジスタが比較的大きな寸法を有してようやく十分な充電能力を有することができることを表す。
また、ガラス基板の寸法が大きいほど、薄膜トランジスタがガラス基板に形成される範囲が大きくなる(即ち、薄膜トランジスタのアレイが比較的大きな面積を有する)。これにより、薄膜トランジスタのプロセス設備が高価になり、プロセスが複雑になり、製造時間が長くなり、量産品質及び歩留まりの制御が不安定になる。従って、大きな面積の薄膜トランジスタのアレイは、比較的製造し難く、且つ製造コストが高い。
上記に鑑み、現有の表示装置は、依然として改善すべき各種欠陥を有する。
本発明の目的は、表示装置に応用でき、現有の表示装置のうちの欠陥を改善し、例えば、トランジスタの歩留まり、製造コスト、生産時間工程又は電子遷移率を改善することができる画素ユニット構造及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明が提供する画素ユニット構造は、表示媒体モジュール及び能動スイッチング素子を含む。該表示媒体モジュールは、第1電極、第2電極及び表示媒体を含み、該第1電極及び該第2電極は、互いに仕切られ、該表示媒体は、該第1電極と第2電極の間に設置される。該能動スイッチング素子は、該第1電極に電気接続し、該第1電極及び該第2電極に該表示媒体の状態を変化させることに用いられ、該能動スイッチング素子は、ウエハ部及びトランジスタ部を含み、該トランジスタ部は、該ウエハ部上に形成される。
上記目的を達成する為、本発明が提供する画素ユニット構造の製造方法は、表示媒体モジュール及び能動スイッチング素子をそれぞれ製造する工程と、該能動スイッチング素子を該表示媒体モジュールに組み付ける工程と、を含み、該表示媒体モジュールは、第1電極、第2電極及び表示媒体を含み、該第1電極及び該第2電極は、互いに仕切られ、該表示媒体は、該第1電極及び該第2電極の間に設置され、該能動スイッチング素子は、ウエハ部及びトランジスタ部を含み、該トランジスタ部は、該ウエハ部上に形成され、且つ該能動スイッチング素子は、該第1電極に電気接続し、該第1電極及び該第2電極に該表示媒体の状態を変化させることに用いられる。
これにより、本発明が開示する画素ユニット構造及びその製造方法は、少なくとも以下の有益効果を提供することができる。能動スイッチング素子は、先に製造を行った後、表示媒体モジュール中に組み付け、言い換えれば、能動スイッチング素子は、表示媒体モジュールの一部分上に直接的に製造されるのではない。従って、能動スイッチング素子のプロセス条件は、表示媒体モジュール自身の特性(例えば、材料の性質)により制限されない。更に、能動スイッチング素子は、ウエハ上に製造され、ウエハ自身は、高いプロセス温度に耐えることができ、且つプロセス技術が比較的成熟しており、故にウエハ上に製造する能動スイッチング素子は、比較的良好な特性(例えば、歩留まりが良好又はトランジスタの電子遷移率が良好等)を有することができる。
一方で、画素ユニット構造は、単独で着脱可能に設置できる。複数の画素ユニット構造が表示パネルを構成する時、某1つの画素ユニット構造が損壊する時、取り外して新たな画素ユニット構造に交換できる。従って、某画素ユニット構造の損壊によって表示パネル全体を交換する必要がない。
上記目的、技術特徴及び利点を分かり易くするため、以下に好適実施例に図面を合わせて詳細に説明する。
本発明の第1好適実施例の画素ユニット構造の俯瞰図である。 図1の画素ユニット構造の断面図である。 図1の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第2好適実施例の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第2好適実施例の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第2好適実施例の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第3好適実施例の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第3好適実施例の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第4好適実施例の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第4好適実施例の画素ユニット構造の断面図である。 本発明の第5好適実施例の画素ユニット構造の製造方法のフロー図である。 本発明の第6好適実施例の表示装置の立体図である。 図7Aの表示装置の部分拡大図である。 図7Aの表示装置の局部断面図である。 図7Aの表示装置の応用表示図である。
以下に1つ又は複数の実施例により本発明の実施方式を更に説明するが、以下に記載する1つ又は複数の実施例は、本発明が前記の環境、応用、構造、フロー又は工程においてのみ実施できることに制限するものではない。図面において、本発明と直接関連しない部材は、何れも省略している。図面において、各部材の間の寸法の関係は、ただ本発明を説明し易くするためのものであり、本発明の実際の割合を制限することに用いるのではない。特別に説明する場合以外、以下の内容において、同一(又は近似)の部材符号は、同一(又は近似)の部材に対応する。
図1を参照し、本発明の第1好適実施例の画素ユニット構造1Aの俯瞰図である。該画素ユニット構造1Aは、表示パネル(図示せず)の一部分であり、イメージの画素部分を表示することができる。言い換えれば、表示パネルは、1つ又は複数の本実施例の画素ユニット構造1Aを含むことができる。該画素ユニット構造1Aは、能動スイッチング素子13及び表示媒体モジュール15等の部材を含むことができ、該能動スイッチング素子13は、表示媒体モジュール15の状態を制御することに用いられ、更に、光線が表示媒体モジュール15を通過する量を制御する(又は光線の性質を調整する)。更に具体的な技術内容を以下に説明する。
図2A及び図2Bを合わせて参照し、それは、図1の画素ユニット構造1Aの断面図である。該能動スイッチング素子13は、ウエハ部133及びトランジスタ部135を含み、該トランジスタ部135は、ウエハ部133上に形成される。即ち、ウエハ部133は、ウエハ(図示せず)の一部分であり、該ウエハは、シリコンウエハ、ガリウム砒素ウエハ、サファイヤウエハ、リン化インジウムウエハ又は窒化ガリウムウエハ等であることができ(本実施例は、シリコンウエハを例とする)、トランジスタ部135は、半導体プロセス(露光、現像、エッチング、拡散、沈積等のプロセス)を経た後、該ウエハ上に形成される。該ウエハ上は、複数のトランジスタ部135を同時に形成することができ、その後、切断プロセスを経てウエハをそれぞれ複数の部分に分け(各部分は、1つ以上のトランジスタ部135を含むことができる)、各部分は、上記能動スイッチング素子13である。能動スイッチング素子13は、チップ又は結晶粒であるとみなすこともできる。
また、説明すべきこととして、該トランジスタ部135は、以下のうち1種の半導体材料により形成することができる。シリコン、絶縁体シリコン(SOI)、ゲルマニウム、セレン、ガリウム砒素、窒化ガリウム、III−V族化合物、II−VI族化合物、IV−IV族化合物、IV−IV族合金、アモルファスシリコン及びその組み合わせ。また、該能動スイッチング素子13は、複数の電極137を更に含むことができ、ウエハ部133及び/又はトランジスタ部135上に形成され、トランジスタ部135のソース、ゲート及びドレインにそれぞれ電気接続される。
表示媒体モジュール15は、第1電極151、第2電極153及び表示媒体155を含み、第1電極151及び第2電極153は、互いに仕切られ、且つ互いに向き合うことができ、その後、表示媒体155は、第1電極151及び第2電極153の間に設置される。第1電極151及び第2電極153は、画素電極及び共通電極と称することもでき、且つ透明電極であることができる(例えば、酸化インジウム錫を材料として形成される)。第1電極151及び第2電極153は、電気エネルギーを加えることによって第1電極151及び第2電極153の間の電圧、電流、インダクタンス、容量、電界、磁界及びその組み合わせのうちの何れかの大きさ及び/又は方向を変化させることができる。
第1電極151は、更に、能動スイッチング素子13(例えば、能動スイッチング素子13の電極137)と電気接続することができ、能動スイッチング素子13によって可控制電能是否被施予至第1電極151及び/又は第2電極153に電気エネルギーを施与するかを制御することができる。
表示媒体155は、また、光変調媒体と称することもでき、それ自身の状態は、第1電極151及び第2電極153によって変化させることができ、更に、光線が通過する量を制御する(又は光線の性質を調整する)。具体的には、能動スイッチング素子13は、電気エネルギーを第1電極151及び/又は第2電極153に施与するよう制御し、第1電極151及び第2電極153の間の電圧等に変化を発生させ、表示媒体155の状態を変化させる。非自発媒体材料の液晶を表示媒体155とすることを例とし、表示媒体155の状態の変化は、液晶のねじれを表す。自発光媒体材料の有機発光ダイオードを表示媒体155とすることを例とし、表示媒体155の状態の変化は、有機発光ダイオードが光線を発生することを表す。表示媒体155の種類は、第1電極151及び第2電極153の配置と関連し、例えば、表示媒体155が平面転換式液晶(In−Plane−Switching Liquid Crystal)である時、第1電極151及び第2電極153は、同一平面上に配列することができる。
非自発光媒体材料又は自発光媒体材料以外に、その他の実施例において、表示媒体155は、更に、光学フィルタリング材料、導電材料、絶縁材料、光吸収材料、光反射材料、光屈折材料、偏光材料、光拡散材料のうちの少なくとも1つを含むことができる(上記材料は、後述の第1基板157A及び/又は第2基板157B上に形成するか、板体に構成した後、第1基板157A及び/又は第2基板157Bに設置することができる)。そのうち、非自発光媒体材料は、電気泳動式、電動流体、液晶、微小電気機械反射体(microelectromechanical reflective material)、エレクトロウェッティング、電子インク、磁性流体、エレクトロクロミック、電気的相変化、熱誘起変色のうちの少なくとも1つを含むことができる。自発光媒体材料は、エレクトロルミネセント材料、フォトルミネッセンス材料、陰極発光材料、電界放出発光物質、真空蛍光材料、発光ダイオードのうち少なくとも1つを含むことができ、白、赤、緑、青、橙、黄色またはその組み合わせ等の色を発生する。
表示媒体モジュール15は、更に、第1基板157A及び第2基板157Bを含むことができ、第1基板157A及び第2基板157Bは、互いに向き合って仕切られ、且つ第1電極151、第2電極153及び/又は表示媒体155を支持することに用いられる。第1電極151は、第1基板157A上に設置されることができ、第2電極153は、第1基板157A及び/又は第2基板157B上に設置されることができ(表示媒体155のタイプによって決定する)、表示媒体155は、第1基板157A及び第2基板157Bの間に設置されることができる(又は、表示媒体モジュール15が第1基板157A及び第2基板157Bのうち1つのみを含む時、表示媒体155は、於第1基板157A又は第2基板157B上に設置されることができる)。能動スイッチング素子13は、第1基板157A及び/又は第2基板157Bに取り付けられることができるが、第1基板157A及び/又は第2基板157B上に直接的に製造されるものではない。即ち、能動スイッチング素子13が先に製作され、第1基板157A及び/又は第2基板157B上に組み付けられる。また、能動スイッチング素子13は、第1基板157A及び/又は第2基板157Bの表面上に設置されることができる。
第1基板157A又は第2基板157Bは、以下の材料に製作されることができる(これに制限するものではない)。光透過材料、非光透過材料、剛性材料、金属材料、セラミック材料、絶縁材料、金属化合物、金属合金、有機材料、無機材料、複合材料、半導体材料及びその組み合わせの何れかである。本実施例において、第1基板157A及び第2基板157Bは、光透過材料(ガラス等)で製造される。
上記の可撓性材料は、ポリエチレンナフタレートプラスチック(PEN)、ポリ塩化ビニルプラスチック、ポリエーテルスルホンプラスチック(PES)、ポリエチレンテレフタレートプラスチック(PET)、ポリアリレートプラスチック(PAR)、ポリスチレンプラスチック、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリアクリロニトリルプラスチック、ポリアミドプラスチック及びその組み合わせの何れかである。
該画素ユニット構造1Aは、制御信号線17及びデータ信号線19を含むことができ、制御信号線17及びデータ信号線19は、第1基板157A及び/又は第2基板157B上に形成されることができ、能動スイッチング素子13に電気接続する(例えば、能動スイッチング素子13の電極137による)。制御信号線17は、能動スイッチング素子13のオン又はオフを制御することができ、データ信号線19によって、選択的に電気エネルギーを(即ち、画素の内容は、電圧又は電流の形式で表示される)能動スイッチング素子13に伝送し、第1電極151に印加する。制御信号線17、データ信号線19、第1電極151及び/又は第2電極153は、第1基板157A及び/又は第2基板157Bの同一の水平層又は異なる水平層中に位置することができる。
また、制御信号線17、データ信号線19、第1電極151及び/又は第2電極153は、下記材料で製造できる(これに制限するものではない)。光透過導電材料、非光透過導電材料、可撓性導電材料、剛性導電材料、金属導電材料、金属化合物、金属合金、有機導電材料、無機導電材料、及び複合導電材料及びその組み合わせの何れかである。
上記説明から分かるように、能動スイッチング素子13は、ウエハから製造され、表示媒体モジュール15の某部分上に直接製造されるのではなく、故に能動スイッチング素子13の製造は、表示媒体モジュール15自身の特性の制限を受けることがない。また、能動スイッチング素子13がウエハ上に製作される時、ウエハ自身が比較的高いプロセス温度に耐えることができ、且つプロセス技術は比較的成熟しているので、製造される能動スイッチング素子13は、比較的良好な特性を有することができる(例えば、寸法が小さい、歩留まりが良好又はトランジスタの電子遷移率が良好である等)。
また、説明すべきこととして、上記した表示パネル(図示せず)は、複数の画素ユニット構造1Aを含むことができ、この種の態様である時、該画素ユニット構造1Aの表示媒体モジュール15の第1基板157Aは、一体に連なったものであることができ、第2基板157Bも一体に連なったものであることができる。第1電極151及び第2電極153の何れかが一体に連なったものであり、共同電極とすることもできる。
以上は、本実施例の画素ユニット構造1Aの技術内容を説明しており、続いて、本発明のその他の実施例の画素ユニット構造の技術内容を説明し、各実施例の画素ユニット構造の技術内容は、互いに参考することができ、故に同一の部分は、省略又は簡易化する。
図3Aを参照し、それは、本発明の第2好適実施例の画素ユニット構造1Bの断面図である。画素ユニット構造1Bは、画素ユニット構造1Aと相似し、何れも能動スイッチング素子13及び表示媒体モジュール15を含み、画素ユニット構造1Bは、1つ又は複数の能動素子21を更に含む(本実施例において、複数を冷とする)。
該機能素子21は、それぞれ特定機能を有する電子素子であり、例えば、以下である(これに制限するものではない)。タッチセンシング機能素子、変位センシング機能素子、温度湿度センシング機能素子、音波センシング機能素子、電磁波センシング機能素子、イメージ取得機能素子、メモリ機能素子、制御機能素子、無線通信機能素子、自発光機能素子、受動素子(コイル、抵抗、コンデンサ又はその組み合わせ)及び太陽光発電素子のうちの何れかである。
そのうち、タッチセンシング機能素子は、光センシング素子、圧電センシング素子、容量センシング素子、抵抗センシング素子、インダクタンスセンシング素子、電磁センシング素子、電荷センシング素子、電圧センシング素子、電流センシング素子及び音波センシング素子のうちの何れかである。
該機能素子21は、表示媒体モジュール15の第1基板(図示せず)及び/又は第2基板157B上に取り付けられることができるが、表示媒体モジュール15の某一部分から直接的に形成されるのではない。言い換えれば、機能素子21は、先ず製造した後、表示媒体モジュール15に組み付けられる。従って、機能素子21の製造は、表示媒体モジュール15自身の特性の制限を受けることがない。機能素子21は、能動スイッチング素子13、制御信号線17又はデータ信号線19と電気接続でき(又は画素ユニット構造1Bがその他の信号線又は電極を含み、機能素子21に電気接続する)、これにより、機能素子21を制御し、機能素子21により制御され、信号を機能素子21に伝送するか、機能素子21から信号を受信する等の機能を達成する。
機能素子21により、画素ユニット構造1Bは、イメージ表示以外のその他の機能を提供することができ(表示、タッチ、センシング、撮影、伝送データ、発電等)、例えば、イメージ取得機能素子は、画素ユニット構造1Bにイメージの一部分を取得させ、メモリ機能素子は、画素媒体155の状態を記録するか、機能素子21自身のデータを記録することができ、制御機能素子は、能動スイッチング素子13を制御することができ、無線通信機能素子は、表示装置の制御モジュールにデータを無線伝送でき(後述の実施例において更に説明する)、太陽光発電機能素子は、環境光線を電気エネルギー等に変換することができる。
図3Bを参照し、それは、本発明の第2好適実施例の画素ユニット構造1Bのもう1つの断面図である。画素ユニット構造1Bは、パッケージキャリア23を選択的に更に含むことができ、能動スイッチング素子13及び/又は機能素子21は、パッケージキャリア23にパッケージングし、それから表示媒体モジュール15に組み付けることができる。即ち、能動スイッチング素子13又は機能素子21は、ウエハ上に製造完成後、パッケージキャリア23により覆われた後に表示媒体モジュール15に組み付けることができる。能動スイッチング素子13及び機能素子21は、同一のウエハ(又は異なるウエハ)上に製造後、共にパッケージキャリア23により覆われることができる。パッケージキャリア23は、能動スイッチング素子13及び機能素子21を保護することができ、且つ表示媒体モジュール15に組み付ける作業を更に容易にすることができる。
パッケージキャリア23の製造材料は、以下を含むことができる(これに制限するものではない)。半導体材料、導電材料、絶縁材料、有機材料、無機材料、金属材料、金属合金材料、セラミック材料、複合材料、光透過材料、非光透過材料、可撓性材料、剛性材料、非金属材料及びその組み合わせの何れかである。パッケージキャリア23は、基板、導電回路、導電接続パッド、導電接続柱、導電接続凸ブロック、導電接続点、絶縁媒体層、絶縁媒体、接着媒体、接続導線又はその組み合わせを含むことができる。
図3Cを参照し、それは、本発明の第2好適実施例に基づく画素ユニット構造1Bのもう1つの断面図である能動スイッチング素子13及び機能素子21は、パッケージキャリア23にパッケージング後、更に、パッケージキャリア23上にその他の機能素子21’を取り付けることができる(例えば、太陽光発電機能素子であり、それは、環境光線を電気エネルギーに変換してパッケージキャリア23中に提供することができる)。画素ユニット構造1C又は1つ又は複数の光学素子25を含むことができ、それは、パッケージキャリア23上に取り付け又は形成され、位置上、光学関連の機能素子21(例えば、イメージ取得機能素子)と対応する。該光学素子25は、凸レンズ、凹レンズ及び光学プリズムのうちの少なくとも1つを含み、環境光線の方向を変化させて機能素子21により受けさせることができる。
図4A及び図4Bを参照し、それは、本発明の第3好適実施例の画素ユニット構造1Cの断面図である。画素ユニット構造1Cは、画素ユニット構造1Aと相似し、何れも能動スイッチング素子13及び表示媒体モジュール15を含み、画素ユニット構造1Cは、更にキャリアボード27を含む。
具体的には、キャリアボード27は、表示媒体モジュール15をその上に設置させることができ、且つ能動スイッチング素子13は、キャリアボード27上に取り付けられることができる。キャリアボード27は、更に、導線、電極等の部材を含むことができ、表示媒体モジュール15及び能動スイッチング素子13を相互に電気接続させる。制御信号線17及びデータ信号線19もキャリアボード27に形成されることができ、能動スイッチング素子13に接続される。
一方で、キャリアボード27は、凹溝271(又は貫通孔)を含むことができ、それから、能動スイッチング素子13は、凹溝271中に取り付けることができる。表示媒体モジュール15の第1基板157A及び/又は第2基板157Bも貫通孔159Aを含むことができ、能動スイッチング素子13は、該貫通孔159Aを通過して凹溝271に取り付けられることができる。キャリアボード27は、側壁絶縁縁、導電柱、導電パッド、絶縁媒体又はその組み合わせを含むことができ、それは、凹溝271中に設置でき、能動スイッチング素子13をその他の部材と電気接続又は隔離することができる。
キャリアボード27の設置により、画素ユニット構造1Cの各部材の間の電気接続のレイアウトは、比較的容易であり、特に、画素ユニット構造1Cは、複数の機能素子を含む時は、容易である(図示せず)。
図5A及び図5Bを参照し、それは、本発明の第4好適実施例の画素ユニット構造1Dの断面図である。画素ユニット構造1Dは、画素ユニット構造1Aと相似し、画素ユニット構造1Dの第1基板157A及び/又は第2基板157Bのみが、貫通孔159A又は凹溝159Bを含む。
図5Aに示すように、能動スイッチング素子13が貫通孔159Aに取り付ける時、その電極137は、第1基板157A及び/又は第2基板157B外に露出でき、それから電極137上にはんだ、ボンディングワイヤ、凸ブロック等を設置し、電極137をその他の部材に接続可能にさせる。図5Bに示すように、能動スイッチング素子13は、凹溝159Bに取り付けられる時、能動スイッチング素子13は、一部部のみが第1基板157A及び/又は第2基板157B外に突出し、且つ能動スイッチング素子13は、凹溝159Bにおいて制御信号線17及びデータ信号線19に電気接続することができる。
画素ユニット構造1Dは、更に光学素子25’を含むことができ、それは、表示媒体モジュール15に形成でき、例えば、第1電極151又は第2電極153を形成し(又は第1電極151又は第2電極153を光学素子25’に構成する)、且つ表示媒体155と光学的に結合できる。このように、光学素子25’は、環境光線が表示媒体モジュール15中に進入するよう誘導することができ、それから、表示媒体155は、該環境光線が表示媒体モジュール15から離れる量又は特性を制御することができる。環境光線が十分である時、画素ユニット構造1Dは、環境光線を直接利用してイメージ画素の表示又は光線調整の機能を達成することができる。該光学素子25’は、凸レンズ、凹レンズ及び光学プリズムの少なくとも1つを含むことができる。
続いて、本発明に基づく画素ユニット構造の製造方法及び表示装置の応用を説明する。
図6を参照し、それは、本発明に基づく第5好適実施例の画素ユニット構造の製造方法の工程フロー図である。該製造方法は、上記実施例と同一又は類似する1つ又は複数の画素ユニット構造1A〜1Dを製造でき、故に製造方法の技術内容及び画素ユニット構造1A〜1Dの技術内容は、相互に参考することができる。
先ず、工程S101では、先に、能動スイッチング素子13を製造し、即ち、画素ユニット構造の表示媒体モジュールについて述べれば、該能動スイッチング素子は、独立して製造され、表示媒体モジュール上に直接製造されるものではない。機能素子は、先に製造され、且つ能動スイッチング素子と共に同一のウエハ(又は異なるウエハ)上に製造でき、且つ機能素子及び能動スイッチング素子は、同一結晶粒又はチップ(又は異なる結晶粒又はチップ)であることができる。
その後、工程S105では、製造が完成した該能動スイッチング素子を表示媒体モジュール中に組み付ける。この時、該表示媒体モジュールは、製造過程にあり、例えば、能動スイッチング素子が表示媒体モジュールの第2基板に取り付けられた後、表示媒体及び第1基材は、順に第2基板上に設置される。また、工程S105において、機能素子を表示媒体モジュール中に共に組み付けることができる。
一方で、工程S105を行う前、製造完成した該能動スイッチング素子を選択的にパッケージキャリアにパッケージングすることができる(工程S103)。機能素子は、該パッケージキャリア中に併せてパッケージングすることもできる。従って、パッケージキャリアを必要としない時、工程S103を省略することができる。
図7A及び図7Bを参照し、それは、本発明の第6好適実施例の表示装置2の立体説明図及び部分拡大図である。表示装置2は、複数の画素ユニット構造1E及び外殻構造31を含むことができ、該画素ユニット構造1Eは、上記画素ユニット構造1A〜1Dのうち何れか又はその技術上の組み合わせであることができ、且つ該画素ユニット構造1Eは、外殻構造31中に設置される。外殻構造31は、光透過基板を含むことができ(例えば、ガラス又はプラスチック基板等)、該画素ユニット1Eを、光透過基板を通じて観察させることができる。
また、画素ユニット構造1Eの表示媒体155は、非自発光媒体材料である時、表示装置2は、光源モジュール33を更に含むことができ、それは、画素ユニット構造1Eの表示媒体モジュール15の任意の一側(例えば、後ろ側、上下側、前側、左右側)に位置し、光線を表示媒体モジュール15に提供する。画素ユニット構造1Eの表示媒体155は、自発光媒体材料であるか、環境光線を光源とする時、光源モジュール33の設置を省略するかそれをオフにすることを選択することができる(即ち、光源モジュール33が光線を提供しない)。或いは、自発光媒体材料の表示場体155が提供する光線又は環境光線が不足する時、光源モジュール33が別途光線を提供するように動作させることもできる。
一方で、画素ユニット構造1Eは、無線通信機能を備える機能素子21を含むことができ、該機能素子21は、表示装置2の制御モジュール35の制御信号及びデータ信号を無線で受信することができ、該信号を能動スイッチング素子13に伝送する。言い換えれば、制御モジュール35は、実体導線によって(例えば、図1に示す制御信号線17及びデータ信号線19)能動スイッチング素子13と電気接続する。制御モジュール35は、能動スイッチング素子13を無線制御でき、更に、表示媒体155の状態を制御する。また、1つの無線通信を有する機能素子21は、複数の画素ユニット構造1Eの能動スイッチング素子13に同時に電気接続することができ、故に機能素子21の全体の数を能動スイッチング素子13の数より少なくすることができる。
上記の無線通信機能を有する機能素子21は、以下の類型であることができる(これに制限するものではない):RF無線伝送、Zigbee無線伝送、ブルートゥース(登録商標)通信(Blue−Tooth)、赤外線、WiFi無線伝送、プライベートエリアネットワーク(PAN)、ローカルエリアネットワーク(LAN)、近距離無線通信(NFC)、無線周波数タグ(RFID)、グローバル無線通信システム(GSM(登録商標))及びワイマックス(WiMAX)、ロングラームエボリューション技術(LTE)、第5世代無線通信及びその組み合わせのうちの何れかである。
一方で、画素ユニット構造1Eの表示媒体モジュール15の形状の組み合わせは、以下であることができる(これに制限するものではない)。方形、矩形、扇形、三角形、台形、円形、多辺形、不規則形又はその組み合わせの何れかである。本実施例において、表示媒体モジュール15は、多辺形の六辺形を例とする。
また一方で、図7Cに示すように、画素ユニット構造1Eは、独立着脱型式に配置でき、即ち、各1つの画素ユニット構造1E及びもう1つの画素ユニット構造1Eの両者は、何れの部材も一体に連ならず、故に各画素ユニット構造1Eは、単独で外殻構造31中から取り外すことができる。従って、某1つの画素ユニット構造1Eが損壊する時、それを取り外すことができ、それから、正常な画素ユニット1Eに交換することができる。
図8を参照し、それは、図7Aが示すような表示装置2の応用説明図である。表示装置2は、パソコン、携帯電話等の電子製品に応用することができる以外、交通手段、装着物、建築物、広告看板等の表示機能を付加できる任意の物品上に応用することができる。自動車100を例とし、表示装置2は、自動車100の後部車両灯101とすることができ、各種運転情報(例えば、カーブ、車線変更、減速、加速、警告等)のイメージ100Aを表示し、その他の車両又は運転者に観察させる。また、画素ユニット構造1Eの機能素子21により、表示装置2は、変位センシング機能、温度湿度センシング機能、音波センシング機能、電磁波センシング機能、イメージ取得機能素子等を有し、各種車外環境の情報をセンシングすることができる。
自動車100の後部車両灯101とする以外に、表示装置2は、自動車100の前部車両灯(図示せず)とすることでもき、計器盤(図示せず)等又は自動車100のガラス上に取り付けられる。また、表示装置2の該画素ユニット構造1Eの表示媒体モジュール15は、可撓性材料で製造されることができ、又は、該画素ユニット構造1Eは、独立着脱型式であることができ、表示装置2は、自動車100の曲面外殻102に沿って設置されることができ、曲面外殻102の塗料又は塗装パターンとすることができる。このように、使用者自身が曲面外殻102の塗料又は塗装パターンを容易に変化させることができ、且つ曲面外殻102は、運転情報のイメージ100Aを表示することができる。
表示装置2は、更に、交通掲示板200上に応用でき、目的地、経路等の情報のイメージ200Aを表示する。表示装置2は、道路警告器300に応用でき、イメージ300Aを表示し、運転者へ前方の道路の状況を注意する。表示装置2は、道路標示又は道路標識(road marker)等をとすることもできる。
以上に本発明に基づく各好適実施例の画素ユニット構造、画素ユニット構造の製造方法及び表示装置の技術内容を説明したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない均等の範囲内で各種の変動や潤色を加えることができることは勿論である。
1A〜1E 画素ユニット構造
2 表示装置
13 能動スイッチング素子
133 ウエハ部
135 トランジスタ部
137 電極
15 表示媒体モジュール
151 第1電極
153 第2電極
155 表示媒体
157A 第1基板
157B 第2基板
159A 貫通孔
159B 凹溝
17 制御信号線
19 データ信号線
21、21’ 機能素子
23 パッケージキャリア
25、25’ 光学素子
27 キャリアボード
271 凹溝
31 外殻構造
33 光源モジュール
35 制御モジュール
100 自動車
101 車両後部ライト
102 曲面外殻
200 交通掲示板
300 道路警報器
100A、200A、300A イメージ

Claims (20)

  1. 第1電極、第2電極及び表示媒体を含み、該第1電極及び該第2電極は、互いに仕切られ、該表示媒体は、該第1電極及び該第2電極の間に設置される表示媒体モジュールと、
    該第1電極に電気接続され、該第1電極及び該第2電極に該表示媒体の状態を変化させることに用いられる能動スイッチング素子と、
    を含み、該能動スイッチング素子は、ウエハ部とトランジスタ部を含み、該トランジスタ部は、該ウエハ部上に形成される画素ユニット構造。
  2. 前記表示モジュールは、更に、第1基板及び第2基板を含み、該第1基板及び該第2基板は、互いに対をなして互いに仕切られ、
    該第1電極は、該第1基板上に設置され、該第2電極は、該第1基板又は該第2基板上に設置され、
    該能動スイッチング素子は、該第1基板及び/又は該第2基板に取り付けられる請求項1に記載の画素ユニット構造。
  3. 該第1基板又は該第2基板は、光透過材料、非光透過材料、可撓性材料、剛性材料、金属材料、セラミック材料、絶縁材料、金属化合物、金属合金、有機材料、無機材料、複合材料及び半導体材料の少なくとも1つにより製作される請求項2に記載の画素ユニット構造。
  4. パッケージキャリアを更に含み、該能動スイッチング素子は、該パッケージキャリア中にパッケージングされる請求項1に記載の画素ユニット構造。
  5. 機能素子を更に含み、該機能素子は、該パッケージキャリア中にパッケージングされ、該機能素子は、変位センシング素子、温度湿度センシング機能素子、音波センシング機能素子、電磁波センシング機能素子、タッチセンシング機能素子、イメージ取得機能素子、メモリ機能素子、制御機能素子、無線通信機能素子、受動機能素子、自発光機能素子及び太陽光発電機能素子の何れか1つを含む請求項4に記載の画素ユニット構造。
  6. 更に、機能素子を含み、該機能素子は、該第1基板及び/又は該第2基板に取り付けられ、該機能素子は、変位センシング機能素子、温度湿度センシング機能素子、音波センシング機能素子、電磁波センシング機能素子、タッチセンシング機能素子、イメージ取得機能素子、メモリ機能素子、制御機能素子、無線通信機能素子、受動機能素子、自発光機能素子及び太陽光発電機能素子の何れか1つを含む請求項3又は4に記載の画素ユニット構造。
  7. 前記第1基板及び/又は該第2基板は、凹溝又は貫通孔を含み、該能動スイッチング素子は、該凹溝又は該貫通孔中に取り付けられる請求項2に記載の画素ユニット構造。
  8. 更に、キャリアボードを含み、該表示媒体モジュールは、該キャリアボードに設置され、該能動スイッチング素子は、該キャリアボード上に取り付けられる請求項1に記載の画素ユニット構造。
  9. 前記キャリアボードは、凹溝又は貫通孔を含み、該能動スイッチング素子は、該凹溝又は該貫通孔中に取り付けられる請求項8に記載の画素ユニット構造。
  10. 更に、信号線及びデータ信号線を含み、前記制御信号線及び該データ信号線は、該キャリアボード上に形成され、該能動スイッチング素子に電気接続される請求項8に記載の画素ユニット構造。
  11. 更に、制御信号線及びデータ信号線を含み、該制御信号線及び該データ信号線は、該表示媒体モジュールの該第1基板及び/又は該第2基板上に形成され、能動スイッチング素子に電気接続される請求項2に記載の画素ユニット構造。
  12. 前記表示媒体モジュールは、更に、光学素子を含み、該表示媒体と互いに光学的に結合し、該光学素子は、凸レンズ、凹レンズ及び光学プリズムの少なくとも1つを含む請求項1に記載の画素ユニット構造。
  13. 前記表示媒体は、自発光媒体材料、非自発光媒体材料、光学フィルタリング材料、導電材料、絶縁材料、光吸収材料、光反射材料、偏光材料及び光拡散材料の少なくとも1つを含む請求項1に記載の画素ユニット構造。
  14. 前記非自発光媒体材料は、電気泳動式、電動流体、液晶、微小電気機械反射体、エレクトロウェッティング、電子インク、磁性流体、エレクトロクロミック、電気的相変化、熱誘起変色のうちの少なくとも1つを含み、該自発光媒体材料は、エレクトロルミネセント材料、フォトルミネッセンス材料、陰極発光材料、電界放出発光物質、真空蛍光材料、発光ダイオードのうち少なくとも1つを含む請求項13に記載の画素ユニット構造。
  15. 少なくとも1つの請求項1に記載の画素ユニット構造及び外殻構造を含み、該画素ユニット構造が該外殻構造中に設置される表示装置。
  16. 光源モジュールを更に含み、該光源モジュールは、該外殻構造中に設置され、該画素ユニット構造の該表示媒体モジュールの一側に位置する請求項15に記載の表示装置。
  17. 能動スイッチング素子を先に製造することと、
    該能動スイッチング素子を表示媒体モジュールに組み付けることと、
    を含み、
    該表示媒体モジュールは、第1電極、第2電極及び表示媒体を含み、該第1電極及び該第2電極は、互いに仕切られ、該表示媒体は、該第1電極及び該第2電極の間に設置され、該能動スイッチング素子は、ウエハ部及びトランジスタ部を含み、該トランジスタ部は、該ウエハ部上に形成され、
    該能動スイッチング素子は、該第1電極に電気接続し、該第1電極及び該第2電極に該表示媒体の状態を変化させることに用いられる画素ユニット構造の製造方法。
  18. 前記能動スイッチング素子は、ウエハ上に半導体プロセスによって製造される請求項17に記載の画素ユニット構造の製造方法。
  19. 前記能動スイッチング素子は、パッケージキャリアにパッケージングされた後、該表示媒体モジュールに組み付けられる請求項18に記載の画素ユニット構造の製造方法。
  20. 更に、機能素子及び該能動スイッチング素子を共に該パッケージキャリアにパッケージングすることを含む請求項19に記載の画素ユニット構造の製造方法。
JP2019556395A 2017-01-04 2017-01-04 表示装置 Active JP7032434B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2017/070146 WO2018126358A1 (zh) 2017-01-04 2017-01-04 像素单元结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020506438A true JP2020506438A (ja) 2020-02-27
JP7032434B2 JP7032434B2 (ja) 2022-03-08

Family

ID=62788850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019556395A Active JP7032434B2 (ja) 2017-01-04 2017-01-04 表示装置

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP3564741B1 (ja)
JP (1) JP7032434B2 (ja)
KR (1) KR102623233B1 (ja)
CN (1) CN108604032B (ja)
AU (1) AU2017391778B2 (ja)
CA (1) CA3049152C (ja)
RU (1) RU2747443C2 (ja)
SG (1) SG11201906168XA (ja)
WO (2) WO2018126358A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202133133A (zh) * 2019-12-17 2021-09-01 曾世憲 顯示裝置,畫素陣列及其製造方法
CN113126373B (zh) * 2020-01-10 2022-10-11 中国科学院上海光学精密机械研究所 反射式光寻址液晶空间光调制器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242513A (ja) * 1996-07-29 1998-09-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2001007340A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Toshiba Corp アクティブマトリクス基板及びその製造方法、素子形成基板、中間転写基板
JP2003005212A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Seiko Instruments Inc 単結晶シリコントランジスタ素子を有する液晶表示装置およびその製造方法
US6696325B1 (en) * 2003-02-27 2004-02-24 Toppoly Optoelectronics Corp. Method of transferring a thin film device onto a plastic sheet and method of forming a flexible liquid crystal display
JP2004096018A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Seiko Epson Corp 回路基板の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
US20080064129A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Nam-Seok Roh Method of Manufacturing a Display Substrate
JP2014067008A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd アレイ基板、表示パネル及びその製造方法
JP2015156478A (ja) * 2014-01-10 2015-08-27 ザ・ボーイング・カンパニーTheBoeing Company 直接に接着される格子不整合半導体デバイス

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5491571A (en) * 1993-01-19 1996-02-13 Hughes Aircraft Company Liquid crystal display including electrodes and driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer
TW479151B (en) * 1996-10-16 2002-03-11 Seiko Epson Corp Substrate for liquid crystal device, the liquid crystal device and projection-type display
KR20010022036A (ko) * 1997-08-21 2001-03-15 하루타 히로시 반도체장치 및 그 제조방법
JP2001217245A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Sharp Corp 電子部品およびその製造方法
CN1192337C (zh) * 2000-03-16 2005-03-09 葛世潮 大屏幕有源显示装置
JP3668407B2 (ja) * 2000-03-24 2005-07-06 シャープ株式会社 平面機能デバイスおよびその製造方法
US6693384B1 (en) * 2002-02-01 2004-02-17 Alien Technology Corporation Interconnect structure for electronic devices
CN2650277Y (zh) * 2003-10-09 2004-10-20 阮宝崧 拼装式等离子体显示器件
TWI231606B (en) * 2003-11-10 2005-04-21 Shih-Hsien Tseng Image pickup device and a manufacturing method thereof
TWI324703B (en) * 2005-02-01 2010-05-11 Shih Hsien Tseng Modulized display device and fabrication method thereof
KR101187207B1 (ko) * 2005-08-04 2012-10-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이장치
JP5132572B2 (ja) * 2005-11-14 2013-01-30 キリュスシェフ、イリナ フラット・パネル・ディスプレイ装置
KR100777265B1 (ko) * 2006-03-30 2007-11-20 고려대학교 산학협력단 나노 입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101122693A (zh) * 2006-08-07 2008-02-13 启萌科技有限公司 平面显示面板及平面显示装置
CN101122691A (zh) * 2006-08-09 2008-02-13 上海晨兴电子科技有限公司 改善副屏阴影的方法
WO2009089105A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-16 Nanolumens Flexible display
US8183765B2 (en) * 2009-08-24 2012-05-22 Global Oled Technology Llc Controlling an electronic device using chiplets
CN102956500A (zh) * 2011-08-23 2013-03-06 广东中显科技有限公司 多晶硅薄膜晶体管的制备方法
CN103220606B (zh) * 2012-01-20 2015-10-21 中华大学 电声转换器及其制造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242513A (ja) * 1996-07-29 1998-09-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2001007340A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Toshiba Corp アクティブマトリクス基板及びその製造方法、素子形成基板、中間転写基板
JP2003005212A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Seiko Instruments Inc 単結晶シリコントランジスタ素子を有する液晶表示装置およびその製造方法
JP2004096018A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Seiko Epson Corp 回路基板の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
US6696325B1 (en) * 2003-02-27 2004-02-24 Toppoly Optoelectronics Corp. Method of transferring a thin film device onto a plastic sheet and method of forming a flexible liquid crystal display
US20080064129A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Nam-Seok Roh Method of Manufacturing a Display Substrate
JP2014067008A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd アレイ基板、表示パネル及びその製造方法
JP2015156478A (ja) * 2014-01-10 2015-08-27 ザ・ボーイング・カンパニーTheBoeing Company 直接に接着される格子不整合半導体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
CN108604032B (zh) 2021-07-09
JP7032434B2 (ja) 2022-03-08
SG11201906168XA (en) 2019-08-27
CN108604032A (zh) 2018-09-28
CA3049152A1 (en) 2018-07-12
AU2017391778A1 (en) 2019-08-15
KR102623233B1 (ko) 2024-01-09
EP3564741A4 (en) 2020-06-17
RU2747443C2 (ru) 2021-05-05
AU2017391778B2 (en) 2022-09-29
RU2019123607A3 (ja) 2021-02-05
EP3564741A1 (en) 2019-11-06
WO2018126786A1 (zh) 2018-07-12
RU2019123607A (ru) 2021-02-05
WO2018126358A1 (zh) 2018-07-12
CA3049152C (en) 2024-04-02
EP3564741B1 (en) 2023-11-22
KR20190099046A (ko) 2019-08-23
EP3564741C0 (en) 2023-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11676953B2 (en) Display module and system applications
TWI610114B (zh) 畫素單元結構及其製造方法
US20180269266A1 (en) Foveated displays for virtual and augmented reality
US11056469B2 (en) Multimedia device having a pixel array and method for manufacturing the multimedia device
JP7032434B2 (ja) 表示装置
TW201805699A (zh) 畫素單元結構及其製造方法
US10930631B2 (en) Display apparatus, pixel array and manufacturing method thereof
JP2021103297A (ja) 表示装置、画素アレイ、及びその製造方法
KR20240035866A (ko) 디스플레이 장치
WO2023103022A1 (zh) 显示装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191118

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210831

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211011

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20211011

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20211012

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220215

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7032434

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150