JP2020505901A - 電気機器を保護するためのデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
−過電流は、短絡回路、過電圧または雷によって引き起こされることがある。
−過電流はまた、起動段階中に、または電気機器をグリッドに接続すると発生することがある。
電気機器の劣化のリスクを低減する第1の解決策は、保護対象の機器を直列制限抵抗器に電気接続することである。
この課題を解決するために、電線などの伝導分岐12と並列に電気接続された制限分岐11上に制限抵抗器17が配置されている、図1に示したアセンブリが既に提案されている。同様のアセンブリが、EP2653950に詳細に記載されている。
−電気エネルギー供給源に電気接続されるように意図された入力端子、および
−電気機器に電気接続されるように意図された出力端子
を含み、
当該保護デバイスは、
−所与の電圧範囲について定電流を生成する(すなわち維持する)電流源を含む、第1の電流制限分岐と、
−制限分岐と並列に装着された第2の伝導分岐(22)と、
−当該デバイスの動作モードを、
・電気エネルギー供給源から導き出された電流が、伝導分岐に流入することなく、制限分岐を流れる、第1の動作モードと、
・電気エネルギー供給源から導き出された電流が、前記制限分岐および前記伝導分岐を流れる、第2の動作モードと
で切り替える、制御ユニット(24)と、
を備え、第2の動作モードにおいて、伝導分岐のインピーダンスが、制限分岐のインピーダンスの10%以下である
ことを特徴とするデバイスを提供する。
・トランジスタのドレインは、入力端子に接続されて、また
・トランジスタのゲートおよびソースは、出力端子に接続されている。
・トランジスタのドレイン(またはコレクタ)は入力端子に接続され、
・トランジスタのソース(またはエミッタ)は出力端子に接続され、
・トランジスタのゲート(またはベース)は制御ユニットに接続されている。
・電気機器保護デバイスの出力における電圧変動を検出するための回路および/または
・電気機器保護デバイスの前記出力における電流変動を検出するための回路
を備えていてもよい。
図2を参照すると、電気負荷を保護するためのデバイスは、電気エネルギー供給源に直列で電気接続するように意図された入力端子31と、保護対象の電気負荷23に電気接続するように意図された出力端子32とを備えている。
−第1の分岐21(「電流制限分岐」と呼ばれる)−電気障害(例えば短絡回路)などの動作異常が検出されたときに負荷23を流れる電流を制限することを可能にする
−第2の分岐22(「伝導分岐」と呼ばれる)−電気エネルギー供給源25から導き出された電流が当該伝導分岐22を通過するときに、負荷23の両端間における電圧降下を制限するために弱いインピーダンスを有する
を備えている。
−第1の動作モードに従って、制限分岐21のみを通る、あるいは
−第2の動作モードに従って、制限分岐21と伝導分岐22とを同時に通る、
いずれかの電流の通過を可能にする制御ユニット24も備えている。
電流制限分岐21により、デバイスの第2の動作モードがアクティブ化されているときに、負荷23に流入する電流を目標強度値に制限することが可能になる。この目標値は、負荷23の適切な動作を確保するのに十分であると思われる。
伝導分岐22により、定常状態における電流の循環を確保することが可能になる。負荷23の両端間における電圧降下を制限するために、低インピーダンスを有することが好ましい。例えば、伝導分岐22のインピーダンスは、1オーム未満、優先的には0.1オーム未満、さらにより好ましくは0.01オーム未満であり得る。
−トランジスタのドレイン(またはコレクタ)は入力端子に接続され、
−トランジスタのソース(またはエミッタ)は出力端子に接続され、
−トランジスタのゲート(またはベース)は制御ユニットに接続されている。
制御ユニット24は、伝導分岐22のアクティブ化および非アクティブ化を制御することを可能にする。
−図7の線82によって示される第1の動作モードに従って、制限分岐のみを通る、あるいは
−図7の線83によって示される第2の動作モードに従って、制限分岐と伝導分岐とを同時に通る
いずれかの通過を可能にする。
一つの実施形態では、JFETトランジスタまたはMOSFETトランジスタまたはバイポーラトランジスタなど、シリコンまたは炭化ケイ素(あるいは他の、好ましくはワイドバンドギャップ半導体材料)製の一体的なモノリシック構成要素に、制限分岐21と伝導分岐22とを集積することができる。
−ゲートを形成する第1の電極65aは、ソースを形成する金属層67から電気的に絶縁されている。モノリシック構成要素の層のこの第1のスタックは伝導分岐22を構成し、そのゲート(第1の電極)は、制御ユニット24に電気接続されるように意図されている一方で、ドレイン63およびソース67は、負荷保護デバイスの入力端子31および出力端子32にそれぞれ接続されるように意図されている。
−ゲートを形成する第2の電極65bは、ソースを形成する金属層67と電気的に接触している。モノリシック構成要素の層のこの第2のスタックは、電流制限分岐21を構成し、そのゲート65bおよびソース67は、負荷保護デバイスの出力端子32に接続されるように意図されている一方で、ドレイン63は、デバイスの入力端子31に接続されるように意図されている。
−深さ75で埋め込まれた第2の、より軽度にPドープされた領域と、
−第3の、重度にドープされたN型表面的埋込領域76と
を備えている。
−ゲートを形成する第1の電極79は、ソースを形成する金属層81から電気的に絶縁されている。モノリシック構成要素の層のこの第1のスタックは伝導分岐22を構成し、そのゲート(第1の電極)は、制御ユニット24に電気接続されるように意図されている一方で、ドレイン71およびソース81は、負荷保護デバイスの入力端子31および出力端子32にそれぞれ接続されるように意図されている。
−層81は、ソースを形成する金属層77と電気的に接触しているゲートを形成する区域78bを覆っている。モノリシック構成要素の層のこの第2のスタックは、電流制限分岐21を構成し、そのソース81は、負荷保護デバイスの出力端子32に接続されるように意図されている一方で、ドレイン71は、デバイスの入力端子31に接続されるように意図されている。
上述した回路は、直流電流または交流電流の電力グリッドにおいて使用するのに適している。上述した回路により、保護対象の機器の起動段階の場合、蓄積コンデンサのプリチャージの場合、または雷の衝撃を受けた場合に電力グリッドに出現し得る電流過負荷から、電気機器を保護することが可能になる。
Claims (10)
- 電気機器(23)を保護するための保護デバイスであって、
−電気エネルギー供給源(25)に電気接続されるように意図された入力端子(31)、および
−前記電気機器(23)に電気接続されるように意図された出力端子(32)
を含み、
前記保護デバイスが、
−所与の電圧範囲について定電流を生成する電流源を含む、第1の電流制限分岐(21)と、
−前記制限分岐(21)と並列に装着された第2の伝導分岐(22)と、
−前記デバイスの動作モードを、
・前記電気エネルギー供給源(25)から導き出された電流が、前記伝導分岐(22)に流入することなく、前記制限分岐(21)を流れる、第1の動作モードと、
・前記電気エネルギー供給源(25)から導き出された前記電流が、前記制限分岐および前記伝導分岐(21、22)を流れる、第2の動作モードと
で切り替える、制御ユニット(24)と、
を備え、前記第2の動作モードにおいて、前記伝導分岐(22)のインピーダンスが、前記制限分岐(21)のインピーダンスの10%以下である
ことを特徴とする、保護デバイス。 - 前記制御ユニット(24)が、前記デバイスを前記第1の動作モードと前記第2の動作モードとで切り替えるように、前記伝導分岐(22)の前記アクティブ化および非アクティブ化を監視するために前記伝導分岐(22)に電気接続されており、前記制限分岐(21)は、前記制御ユニット(24)により監視されない、請求項1に記載の保護デバイス。
- 前記電流源が、JFETトランジスタまたはMOSFETトランジスタのようなトランジスタを備え、
−前記トランジスタのドレインは、前記入力端子(31)に接続されており、
−前記トランジスタのゲートおよびソースは、前記出力端子(32)に接続されている、
請求項1または2に記載の保護デバイス。 - 前記電流源が、例えばシリコンまたは炭化ケイ素製の、または任意の他の半導体材料製の電流制限ダイオードを備える、請求項1または2に記載の保護デバイス。
- 前記電流制限分岐(21)が、前記電流源と直列に装着された電気抵抗をさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の保護デバイス。
- 前記伝導分岐(22)が、JFETトランジスタまたはMOSFETトランジスタのようなトランジスタを備え、
−前記トランジスタの前記ドレインは、前記入力端子(31)に接続されており、
−前記トランジスタの前記ソースは、前記出力端子(32)に接続されており、
−前記トランジスタの前記ゲートは、前記制御ユニット(24)に接続されている
請求項1〜5のいずれか一項に記載の保護デバイス。 - 前記制御ユニット(24)が、
−前記電気機器保護デバイスの出力における電圧変動を検出するための回路(242)、および/または
−前記電気機器保護デバイスの前記出力における電流変動を検出するための回路
を備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の保護デバイス。 - 前記制御ユニット(24)が、前記伝導分岐(22)の前記アクティブ化を遅延させる自己バイアス回路(241)を備える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の保護デバイス。
- 前記制御ユニット(24)は、前記保護デバイスの前記出力における電圧および/または強度が閾値よりも大きいときに前記伝導分岐(22)を閉塞させるための信号を発生させる制御回路(243)を備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の保護デバイス。
- 前記制限分岐(21)および前記伝導分岐(22)が、JFETトランジスタまたはMOSFETトランジスタのようなモノリシック構成要素に集積されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の保護デバイス。
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