JP2020502027A - 多結晶シリコンを調製するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 加熱装置によって加熱される流動床中での流動化ガスによるシリコンシード粒子の流動化を含む流動床反応器中で多結晶シリコン粒状物を製造するための方法であって、熱分解による水素及びシラン及び/又はハロシランを含有する反応ガスの添加によって、元素状シリコンが前記シリコンシード粒子上に析出して多結晶シリコン粒状物を形成し、連続工程において、オフガスが前記流動床反応器から放出され、このオフガスから回収される水素が再循環ガスとして前記流動床反応器に送り返され、前記再循環ガスの窒素含有量が1000ppmv未満であることを特徴とする、方法。
- 窒素含有量が、500ppmv未満、好ましくは100ppmv未満、特に好ましくは10ppmv未満、特に0.5ppmv未満であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 元素状シリコンの析出が、1000℃〜1300℃、好ましくは1080℃〜1250℃、特に好ましくは1100℃〜1200℃の析出温度で行われることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 処理中に、再循環ガスの窒素含有量が、測定機器、特にガスクロマトグラフによって決定されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 0.01〜1000ppmvの窒素閾値を超過したときに、流動床反応器の運転が停止されるか、又は再循環ガスの供給が妨げられるかのいずれかであり、及び、前記窒素閾値に達しなくなるまで外部水素で処理が操作されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 0.01〜1000ppmvの窒素閾値を超過すると、前記窒素閾値に達しなくなるまで流動床及び/又は反応器壁の温度を上昇させることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 再循環ガスが、90%未満、好ましくは40%、特に好ましくは10%の外部水素と混合されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- ハロシランが、クロロシラン、特にトリクロロシランであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 処理の開始前に、水素での加圧とそれに続く減圧が流動床反応器の内部で行われ、加圧中の最大圧力が3.1〜15barの範囲、特に約6.5barであり、減圧中の最小圧力が、1.1〜3barの範囲、特に約1.4barであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 加圧及び減圧の持続時間がそれぞれ1〜60分であることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 加圧が、10〜7000m3/hVR、好ましくは300〜1500m3/hVR、特に好ましくは500〜1000m3/hVR、特に約520m3/hVRの反応器容積(VR)あたりの水素体積流量で行われることを特徴とする、請求項9又は10に記載の方法。
- 窒素含有量が2ppba未満である、多結晶シリコン粒状物。
- 表面粗さRa≧400nm、好ましくはRa≧700nmを有する、請求項12に記載の多結晶シリコン粒状物。
- Si3N4フリーである、請求項12又は13のいずれかに記載の多結晶シリコン粒状物。
- 単結晶又は多結晶シリコンを製造するための、請求項12〜14のいずれか一項に記載の多結晶シリコン粒状物の使用。
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