JP2020148484A - 電流検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電力検出装置のダイナミックレンジを広げる技術を提供する。【解決手段】電力検出装置は、バスバ800u,v,wと、第1磁電変換素子110と、第2磁電変換素子120と、コントローラを備える。バスバは、第1断面積の第1部位810と、第1断面積よりも大きい第2断面積の第2部位820を有する。第1磁電変換素子は、第1部位に対向して配置され、第2磁電変換素子は、第2部位に対向して配置される。コントローラは、いずれかの磁電変換素子からの出力電圧に基づいて、バスバに流れる電流の推定値を得る。コントローラは、推定値が所定値を下回る場合、第1磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、バスバに流れる電流値として検出信号を出力する。コントローラは、推定値が所定値を超える場合、第2磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、バスバに流れる電流値として検出信号を出力する。【選択図】図2
Description
本明細書が開示する技術は電流検出装置に関する。
電流検出装置としては、コアを必要としないコアレス型の電流検出装置が知られている。特許文献1には、バスバ(電流路)に対して2個の磁電変換素子を配置したコアレス型の電流検出装置が開示されている。この電流検出装置における2個の磁電変換素子は、バスバから発生する磁界を同等に受けるように配置されている。特許文献1の電流検出装置は、2個の磁電変換素子からの出力電圧の差に基づいて、2個の磁電変換素子における故障の有無を判別する。
磁電変換素子には、高い精度で検知することのできる磁束量の許容範囲が存在する。許容範囲を外れた量の磁束を検知する場合には精度が低下する。高い精度で検知することのできる磁束量の許容範囲は磁電変換素子のダイナミックレンジと呼ばれる。ダイナミックレンジの広い素子はコストが嵩む。本明細書は、磁電変換素子のダイナミックレンジに関わらずに、電流計測装置としてのダイナミックレンジを広くする技術を提供する。
本明細書が開示する電力検出装置は、バスバと、第1磁電変換素子と、第2磁電変換素子と、コントローラを備えている。バスバは、計測対象の電流(被計測電流)が流れる細長の導電部材である。バスバは、第1断面積の第1部位と前記第1断面積よりも大きい第2断面積の第2部位を有している。第1部位と第2部位は、バスバの長手方向に沿って隣り合うように設けられている。第1磁電変換素子は、バスバの第1部位に対向するように配置されている。第2磁電変換素子は、バスバの第2部位に対向するように配置されている。コントローラは、第1磁電変換素子または第2磁電変換素子の出力電圧に基づいて、バスバに流れる電流値を示す検出信号を出力する。コントローラは、第1磁電変換素子と第2磁電変換素子の一方の出力電圧に基づいて、バスバに流れる電流の推定値を取得する。コントローラは、推定値が所定の閾値を下回っている場合、第1磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、バスバに流れる電流値として検出信号を出力する。コントローラは、推定値が閾値を超えている場合、第2磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、バスバに流れる電流値として検出信号を出力する。なお、推定値が閾値に等しい場合に第1磁電変換素子の出力電圧を用いるか、第2磁電変換素子の出力電圧を用いるかは、任意に選定してよい。
第1断面積は第2断面積よりも狭い。それゆえ、バスバに電流が流れるときにバスバに生じる磁束密度は第1断面積の第1部位の方が第2断面積の第2部位よりも大きくなる。コントローラは、バスバに流れる電流が小さいときには、電流に対して比較的に高い磁束密度が生じる第1部位に対向している第1磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、バスバを流れる電流値として出力する。コントローラは、バスバに流れる電流が大きいときには、電流に対して比較的に低い磁束密度が生じる第2部位に対向している第2磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、バスバを流れる電流値として出力する。コントローラは、バスバに流れる電流が大きいか小さいかは、第1磁電変換素子と第2磁電変換素子の一方の出力電圧に基づいて判断する。本明細書が開示する電流検出装置は、流れる電流に対して比較的に大きい磁束密度が発生する第1部位と比較的に小さい磁束密度が発生する第2部位を有するバスバと、それぞれの部位に対向配置された2個の磁電変換素子を備えることで、電流計測装置としてのダイナミックレンジを磁電変換素子のダイナミックよりも広くすることができる。
本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
図面を参照して実施例の電流検出装置100を説明する。図1は、電流検出装置100の構成を示す説明図である。電流検出装置100は、バスバ(電流路)に流れる電流を検出する。電流検出装置100は、三相交流モータの各相に流れる電流を検出する。
電流検出装置100は、バスバ800u、800v、800wと、第1磁電変換素子110と、第2磁電変換素子120と、コントローラ130を備えている。計測対象の電流(被計測電流)は、バスバ800uとバスバ800wを流れる電流である。しかし、三相交流を通すために、電流検出装置100は、計測対象でない電流が流れるバスバ800vも備えている。三相交流の各相の電流の合計はゼロであるので、2本のバスバを流れる電流値から、残りのバスバを流れる電流を推定することができる。
第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120は、ホール素子とも呼ばれ、ホール効果を用いて磁束密度に応じた電圧信号を出力する。コントローラ130は、第1磁電変換素子110の出力電圧V1と、第2磁電変換素子120の出力電圧V2のいずれかに基づいて、バスバに流れる電流値を示す検出信号Sdを出力する。コントローラ130の機能は、コンピュータプログラムに基づいてソフトウェア的に実現される。コントローラ130の各部による機能の少なくとも一部は、回路構成に基づいてハードウェア的に実現されてもよい。
図2は、第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120の配置を示す図である。図2(a)は、第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120の配置を示す平面図である。図2(b)は、図2(a)におけるF2b−F2b断面を示す断面図である。図2(c)は、図2(a)におけるF2c−F2c断面を示す断面図である。理解を助けるため、図2(a)では、センサ基板105(後述)を仮想線で描いてある。
図2には、三相交流を通す3本のバスバ800u、800v、800wに対する第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120の配置が図示されている。3本のバスバは、バスバ800u、バスバ800v、バスバ800wの順に、同一平面上に幅方向に並んで配置されている。別言すれば、3本の細長のバスバ800u、800v、800wは、幅広面が同一平面に並ぶように平行に配置されている。
バスバ800uは、一定の厚みを有する帯状を成す導体である。バスバ800uは、帯状の一部を切り欠いた切欠部805を有する。バスバ800uの切り欠いた部位を第1部位810と称し、バスバ800uの長手方向で第1部位810に隣り合う部位を第2部位820と称する。第2部位820は、切欠部805が形成されていない部分である。
第1部位810における幅W1は、切欠部805によって第2部位820における幅W2よりも狭くなっている。言い換えると、第2部位820における幅W2は、第1部位810における幅W1よりも広くなっている。
バスバ800uの厚みは一定であることから、第1部位810におけるバスバの断面積(第1断面積S1)は、第2部位820におけるバスバの断面積(第2断面積S2)よりも小さい。言い換えると、バスバ800uの第2部位820の断面積(第2断面積S2)は、第1部位810の断面積(第1断面積S1)よりも大きい。
バスバに電流が流れると、バスバを囲むように磁界が発生する。第1部位810の断面積(第1断面積S1)は、第2部位820の断面積(第2断面積S2)よりも小さい。そのため、バスバ800uに電流が流れた場合、第1部位810における磁束密度は、第2部位820における磁束密度よりも高くなる。言い換えると、バスバ800uに電流が流れた場合、第2部位820における磁束密度は、第1部位810における磁束密度よりも低くなる。
バスバ800vは、切欠部805を有していない点を除き、バスバ800uと同様である。言い換えると、バスバ800vは、一定の厚みおよび一定の幅W2を有する帯状を成す導体である。
バスバ800wは、バスバ800uと同様である。バスバ800wにおける第1部位810は、バスバ800uにおける第1部位810と同様に、F2b−F2b断面に位置する。バスバ800wにおける第2部位820は、バスバ800uにおける第2部位820と同様に、F2c−F2c断面に位置する。
図2の例では、バスバ800uに対して1組目の第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120が配置されており、バスバ800wに対して2組目の第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120が配置されている。それぞれの第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120の組は、センサ基板105に実装されている。センサ基板105は、3本のバスバ800u、800v、800wから一定の距離を置いて固定されている。
バスバ800uおよびバスバ800wの各バスバにおいて、第1磁電変換素子110は、第1部位810に対向するように配置されている。図2の例では、第1磁電変換素子110は、第1部位810の上方に配置されている。
バスバ800uおよびバスバ800wの各バスバにおいて、第2磁電変換素子120は、第2部位820に対向するように配置されている。図2の例では、第2磁電変換素子120は、第2部位820の上方に配置されている。
コントローラ130は、バスバ800uに対応する第1磁電変換素子110の出力電圧V1と第2磁電変換素子120の出力電圧V2の少なくとも一方に基づいて、バスバ800uに流れる電流の推定値を得る。コントローラ130は、出力電圧V1、V2の一方を単純に電流値に換算した値を推定値とする。出力電圧と電流値の間には線形関係があるので、コントローラ130は、単に出力電圧V1、V2の一方を推定値としてもよい。あるいは、コントローラ130は、出力電圧V1、V2のそれぞれを電流値に換算し、2個の電流値の平均を推定値としてもよい。
バスバ800uに流れる電流の推定値を得た後、コントローラ130は、その推定値が所定の閾値Thを下回っている場合、バスバ800uに対応する第1磁電変換素子110の出力電圧V1から算出される電流値を、バスバ800uに流れる電流値として検出信号Sdを出力する。また、その推定値が閾値Th以上である場合、コントローラ130は、バスバ800uに対応する第2磁電変換素子120の出力電圧V2から算出される電流値を、バスバ800uに流れる電流値として検出信号Sdを出力する。
コントローラ130は、バスバ800wに対してもバスバ800uと同様に、バスバ800wに対応する第1磁電変換素子110の出力電圧V1と第2磁電変換素子120の出力電圧V2の少なくとも一方に基づいて、バスバ800wに流れる電流の推定値を得る。その後、コントローラ130は、その推定値が所定の閾値Thを下回っている場合、バスバ800wに対応する第1磁電変換素子110の出力電圧V1から算出される電流値を、バスバ800wに流れる電流値として検出信号Sdを出力する。また、その推定値が閾値Th以上である場合、コントローラ130は、バスバ800wに対応する第2磁電変換素子120の出力電圧V2から算出される電流値を、バスバ800wに流れる電流値として検出信号Sdを出力する。
図2の例では、コントローラ130は、2本のバスバ800u、800wに対応する2系統の検出信号Sdを出力する。検出信号Sdの出力先では、2本のバスバ800u、800wに対応する2系統の検出信号Sdに基づいて、残りのバスバ800vに流れる電流を算出することが可能である。
(変形例)図3は、変形例における第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120の配置を示す図である。図3(a)は、第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120の配置を示す平面図である。図3(b)は、図3(a)におけるF3b−F3b断面を示す断面図である。図3(c)は、図3(a)におけるF3c−F3c断面を示す断面図である。図3(a)におけるF3b−F3b断面は、図2(a)におけるF2b−F2b断面に対応する位置にある。図3(a)におけるF3c−F3c断面は、図2(a)におけるF2c−F2c断面に対応する位置にある。図3(a)でも、理解を助けるためにセンサ基板105を仮想線で描いてある。
図3の変形例では、中央に配置されているバスバ800vの形状が異なる点、ならびに、バスバ800vに対して3組目の第1磁電変換素子110および第2磁電変換素子120が配置されている点を除き、図2の配置と同じである。図3の変形例では、バスバ800vにおける第1部位810は、バスバ800u、800wにおいて第2部位820が位置するF3c−F3c断面に位置し、バスバ800vにおける第2部位820は、バスバ800u、800wにおいて第1部位810が位置するF3b−F3b断面に位置する。これらの点を除き、図3の変形例におけるバスバ800vは、2本のバスバ800u、800wと同様である。図3の変形例では、3本のバスバ800u、800v、800wの各バスバにおいて、第1磁電変換素子110は、第1部位810に対向するように配置されており、第2磁電変換素子120は、第2部位820に対向するように配置されている。
図3の変形例では、コントローラ130は、2本のバスバ800u、800wに流れる電流値と同様に、バスバ800vに流れる電流値を示す検出信号Sdを出力する。したがって、コントローラ130は、3本のバスバ800u、800v、800wに対応する3系統の検出信号Sdを出力する。
以上説明した実施形態の電流検出装置100によれば、所定の閾値Thを下回る電流値の帯域では、比較的に磁束密度が大きくなる第1部位810に対向するように配置された第1磁電変換素子110を用いて電流値を算出し、閾値Th以上の電流値の帯域では、比較的に磁束密度が小さくなる第2部位820に対向するように配置された第2磁電変換素子120を用いて電流値を算出する。すなわち、第1磁電変換素子110による計測電流値のダイナミックレンジと、第2磁電変換素子120による計測電流値のダイナミックレンジが異なっており、それら2個のダイナミックレンジの全体が電流検出装置100のダイナミックレンジとなる。電流検出装置100のダイナミックレンジは、個々の磁電変換素子のダイナミックレンジよりも広くなる。なお、第1磁電変換素子110による計測電流値のダイナミックレンジの一部と、第2磁電変換素子120による計測電流値のダイナミックレンジの一部が重なっていてもよい。
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。実施例の電流検出装置100のコントローラ130は、電流の推定値が閾値Thを下回っている場合、第1磁電変換素子110の出力電圧V1から算出される電流値を検出信号Sdに用い、推定値が閾値Th以上である場合、第2磁電変換素子120の出力電圧V2から算出される電流値を検出信号Sdに用いた。コントローラ130は、電流の推定値が閾値Th以下の場合、第1磁電変換素子110の出力電圧V1から算出される電流値を検出信号Sdに用い、推定値が閾値Thを超えていた場合、第2磁電変換素子120の出力電圧V2から算出される電流値を検出信号Sdに用いてもよい。すなわち、コントローラ130は、電流の推定値が閾値Thに等しい場合は、第1磁電変換素子110と第2磁電変換素子120のどちらの出力電圧を用いてもよい。
第1磁電変換素子110と第2磁電変換素子120が検出する磁束密度のダイナミックレンジは同じであってもよいし、異なっていてもよい。検出する磁束密度のダイナミックレンジが同じであっても、バスバに電流が流れたとき、第1部位810で発生する磁束密度と第2部位820で発生する磁束密度が異なるので、第1磁電変換素子110の電流計測値のダイナミックレンジと、第2磁電変換素子120の電流計測値のダイナミックレンジは相違することになる。
2個の磁電変換素子のダイナミックが同じであっても相違する場合であっても、いずれの場合も、第1部位810に対向している第1磁電変換素子110の電流計測値のダイナミックレンジと、第2部位820に対向している第2磁電変換素子120の電流計測値のダイナミックレンジが異なっていればよい。第2部位820に対向している第2磁電変換素子120の電流計測値のダイナミックレンジは、第1部位810に対向している第1磁電変換素子110の電流計測値のダイナミックレンジよりも電流値が大きい範囲をカバーするように構成されていればよい。
実施例の電流検出装置100は、3本のバスバを備えている。本明細書が開示する電流検出装置は、少なくとも1本のバスバと、そのバスバに対向するように配置されている第1、第2磁電変換素子を備えていれば良い。
以上、実施形態を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、上述した実施形態を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面において説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載した組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面において説明した技術は、複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
100:電流検出装置
105:センサ基板
110:第1磁電変換素子
120:第2磁電変換素子
130:コントローラ
800u、800v、800w:バスバ
805:欠部
810:第1部位
820:第2部位
105:センサ基板
110:第1磁電変換素子
120:第2磁電変換素子
130:コントローラ
800u、800v、800w:バスバ
805:欠部
810:第1部位
820:第2部位
Claims (1)
- 被計測電流が流れるバスバであって第1断面積の第1部位と前記第1断面積よりも大きい第2断面積の第2部位を有しているバスバと、
前記第1部位に対向するように配置されている第1磁電変換素子と、
前記第2部位に対向するように配置されている第2磁電変換素子と、
前記第1磁電変換素子または前記第2磁電変換素子の出力電圧に基づいて、前記バスバに流れる電流値を示す検出信号を出力するコントローラと、
を備えており、
前記コントローラは、
前記第1磁電変換素子と前記第2磁電変換素子の一方の出力電圧に基づいて、前記バスバに流れる電流の推定値を取得し、
前記推定値が所定の閾値を下回っている場合、前記第1磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、前記バスバに流れる電流値として前記検出信号を出力し、
前記推定値が前記閾値を超えている場合、前記第2磁電変換素子の出力電圧から算出される電流値を、前記バスバに流れる電流値として前記検出信号を出力する、電流検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019043822A JP2020148484A (ja) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 電流検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019043822A JP2020148484A (ja) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 電流検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020148484A true JP2020148484A (ja) | 2020-09-17 |
Family
ID=72430478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019043822A Pending JP2020148484A (ja) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 電流検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2020148484A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023074083A1 (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | アルプスアルパイン株式会社 | 電流センサ |
-
2019
- 2019-03-11 JP JP2019043822A patent/JP2020148484A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023074083A1 (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | アルプスアルパイン株式会社 | 電流センサ |
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