JP2020147776A - 二酸化炭素還元装置及び二酸化炭素還元方法 - Google Patents
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Abstract
Description
電解質を介して隔てられたカソードおよびアノードと、
前記カソードに対し二酸化炭素を含む第1ガスと不活性ガスとを供給し、かつ、第1ガス中の前記二酸化炭素と前記不活性ガスとの濃度比を制御するカソード反応物供給手段と
前記アノードに対しアノード反応物を供給するアノード反応物供給手段と、
前記カソードおよび前記アノードに電気的に接続した電圧制御手段と、
を具備してなることを特徴とする二酸化炭素還元装置。
(態様2)
前記カソード反応物供給手段は、前記濃度比を、二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で0:100〜60:40の範囲内で経時的に変動するように制御する、
ことを特徴とする態様1に記載の二酸化炭素還元装置。
(態様3)
前記電圧制御手段は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加する、
ことを特徴とする態様1又は2に記載の二酸化炭素還元装置。
(態様4)
前記電圧制御手段は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加し、かつ、前記カソード反応物供給手段は、前記濃度比を、二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で一時的に0:100に設定する、
ことを特徴とする態様1又は2に記載の二酸化炭素還元装置。
(態様5)
電解質を介して隔てられたカソードおよびアノードを用意する工程と、
前記カソードに対し二酸化炭素を含第1ガスと不活性ガスとを供給し、かつ、第1ガス中の前記二酸化炭素と前記不活性ガスとの濃度比を制御するカソード反応物供給工程と、
前記アノードに対しアノード反応物を供給するアノード反応物供給工程と、
前記カソードおよび前記アノードに電気的に接続する電圧制御工程工程と、
を具備してなることを特徴とする二酸化炭素還元方法。
(態様6)
前記カソード反応物供給工程は、前記濃度比を、二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で0:100〜60:40の範囲内で経時的に変動するよう制御する工程を含む、
ことを特徴とする態様5に記載の二酸化炭素還元方法。
(態様7)
前記電圧制御工程は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加する工程を含む、
ことを特徴とする態様5又は6に記載の二酸化炭素還元方法。
(態様8)
前記電圧制御工程は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加し、かつ、前記カソード反応物供給工程は、前記濃度比を二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で一時的に0:100に設定する工程を含む、
ことを特徴とする態様5又は6に記載の二酸化炭素還元方法。
図1は,本発明の二酸化炭素還元装置の一形態を表す概念図である。二酸化炭素還元装置は,少なくとも,電解質を介して隔てられたカソードおよびアノードを有する電解部1と,カソードに対し二酸化炭素を含むガスと不活性ガスを供給しかつ,それぞれのガスの流量比率を制御するカソード反応物供給手段40と,アノードに反応物を供給するアノード反応物供給手段50,そしてカソードおよびアノードに電気的に接続した電圧制御手段80を有してなる。
図1において,電解部1は少なくとも電解質11,カソード12,アノード13を有してなる。電解質11には,適切なイオン伝導性を持つことが求められる。具体的には,電解質を含んだ寒天やガラスフィルター,ポリオレフィン系樹脂の不織布や多孔性フィルムなどが挙げられ用いられる。しかしこの場合,電解液の混合を十分に防止することが難しく,また,隔膜の寿命が短いなどの問題点を有する。この問題を解決するため,電解質11としてイオン交換膜が好適に使用される。イオン交換膜はカチオン交換膜とアニオン交換膜とがあり,各々単独で用いることができるが,カソード反応物とアノード生成物が混入しないようなものを用いることが望まれる。具体的には,ナフィオン膜,ダウ膜,フレミオン膜,セレミオン膜,アシプレックス膜,ゴアセレクト膜(全て登録商標)などが有用である。また,電解質11のカソード側をこれらのイオン交換膜として,かつアノード側をイオン伝導機能を有する液体とすることも本発明の範疇に属するものである。カソード12とアノード13との間に効率的に電圧を印加できるよう電解質11の材質は電子電導性が少ないものが望ましい。
カソード12は,触媒材料により構成される。触媒材料としては,二酸化炭素,又は二酸化炭素の還元によって生じる一酸化炭素への親和性が高い材料を含有することが好ましい。このような触媒材料を用いることにより,カソード12における還元反応を効率的に進行させることができる。このような触媒は必要に応じて選択でき,例えば,白金,金,パラジウム,ルテニウム,オスミウム,イリジウム,ロジウム,ニッケル,銀,鉄,銅,コバルトからなる群より選ばれる,1種又は2種以上が挙げられる。この中でも,とりわけ白金を有効成分として含むものが好適に使用される。特に,2種以上よりなる場合は,合金あるいはコアシェル構造よりなる材料が好ましく用いられる。また,これらを微粒子の形態で使用する場合はカーボンや酸化チタンなどの粒子に代表される担体上に触媒材料を固定して使用する方法が有用であり好ましい。
アノード13は,触媒材料により構成される。触媒材料としては,特に限定されない。しかしながら,アノード反応として選択した反応に対して活性が高い材料を選択すれば,反応効率を高めることができるため好ましい。アノード反応として,本実施形態の説明のように,水素,水,及び水酸化物イオンの酸化を反応として選択した場合を例にとれば,触媒材料としては,白金,金,パラジウム,ルテニウム,オスミウム,イリジウム,ロジウム,ニッケル,銀,鉄,銅,コバルトからなる群より選ばれる,少なくとも1種が好適に用いられる。上記の触媒材料は単結晶,多結晶ないし非晶質のいずれを用いてもよい。
カソードガス拡散層14,アノードガス拡散層15は,導電性を有しており,かつ,カソード12及びアノード13のそれぞれに対してガスを供給できるものであれば,特に限定されない。反応効率を高めるため,カソード反応物供給手段40,アノード反応物供給手段50から供給される反応物を,カソードガス拡散層14,アノードガス拡散層15 を通じてカソード12,アノード13に均一に拡散させることができるものが好ましい。このようなものとしては例えば,カーボンペーパーやステンレスメッシュ等に代表される公知の材料を用いることができる。
図2に二酸化炭素還元装置における電解セルを示すが,ここで流路形成部材21,22は,二酸化炭素を含むガスと不活性ガスを供給しかつ,それぞれのガスの流量比率を制御するカソード反応物供給手段40,アノードに反応物を供給するアノード反応物供給手段50を介して供給される反応物質を含む流体を,それぞれカソード反応性流体導入部25から流路23を通じてカソードガス拡散層14へ,アノード反応性流体導入部27から同様にアノードガス拡散層15へ供給する機能とともに,カソード12,アノード13で発生する反応生成物等を流体排出部26,28を介して外部に排出する機能を有する。流路形成部材21,22は集電材料により形成されており,カソードガス拡散層14,アノードガス拡散層15と外部電源80とを電気的に接続する機能を有している。集電材料の例としては,例えばステンレスやチタン,カーボンなどあるいはそれらに表面処理したものなど公知のものが挙げられる。
電解部1を流路形成部材21,22に組み込んで電解セル70を構成するためには,系全体を密閉した構成とすることが好ましい。ただし,流路形成部材21,22が電解部1の外側で直接密着した場合,カソード12又はアノード13で生成されるイオンが,電解質11ではなく,流路形成部材21,22を通じて移動することがある。このようなイオンの移動が生じると,生成したイオンが電極反応に寄与せず,生成ガスの反応効率が悪くなるため好ましくない。そこで,図2に示すように,流路形成部材21の開口端と流路形成部材22の開口端とを,絶縁材60を間に介して突き合わせ,密着させるのが好ましい。
電圧制御手段80は,二酸化炭素を還元するために必要な電圧を印加させることができる電源装置であれば特に限定されない。電圧制御手段80には,電圧制御型電源(例えばポテンショスタット)や電流制御型電源(例えばガルバノスタット)が好ましく用いられる。カソードの電極電位を可逆水素電極(以下,RHEと略記することがある)に対して制御するには,電解質11上または内部であってカソード12又はアノード13が設けられていない部位に設置することができる(図1および図2には図示せず)。具体的には,次の参考文献1,2に記載される公知の方法で可逆水素電極,銀塩化銀電極,銀硫酸銀電極などを設置することができる。(参考文献1:Journal of The Electrochemical Society,166,F208-F213,2019,参考文献2:Journal of Power Sources,195,5986-5989,2010)また,アノードに反応物として水素を供給して擬似的な可逆水素電極と見立てて,電極電位の制御に利用することも有効である。
本発明による二酸化炭素の還元装置及び二酸化炭素の還元方法において,電圧(電力)を取り出すこともある。具体的には,カソードにおいて水素発生電位よりも正電位で二酸化炭素の還元を生じ,かつアノードの反応が該二酸化炭素の還元電位より負電位である場合は,電池の原理上燃料電池発電を引き起こす。さらに具体的には,アノードで水素酸化反応を生ずる場合などである。この条件下での電圧制御手段80は,電子負荷装置などの使用により電圧制御すると共に発電した電力を利用するデバイスであることが好ましい。
カソードに対し二酸化炭素を含むガス(以下、「第1ガス」とも呼ぶ。)と不活性ガスを供給しかつ,それぞれのガスの流量比率を制御するカソード反応物供給手段40は,カソード12に対して主に二酸化炭素を供給する手段であり,二酸化炭素を含むガス供与体41と,その流量を制御するガス流量制御手段45,不活性ガス供与体42と,その流量を制御するガス流量制御手段46とからなる。二酸化炭素を含むガスと不活性ガスの流量比率は,それぞれの供給速度,圧力,流路抵抗などで調整することができる。流量比率の制御は,カソードに対して供給する二酸化炭素濃度を制御することが目的である。二酸化炭素濃度は、第1ガスと不活性ガスが混合されたガス中の二酸化炭素分圧と同じである。
不活性ガス供与体42に有効な成分としては,窒素,ヘリウム,アルゴン等のガスが上げられ使用される。
二酸化炭素を含むガス供与体41には,二酸化炭素と他成分のガスが任意の割合で含まれている。ここに言う他成分のガスとは何れのガスでも構わないが,二酸化炭素の還元反応を阻害する反応を起こす物質を含まないかことが望ましい。
ガス流量制御手段45,46には,マスフロー制御装置やガス流量計をはじめとする既知の装置を使用できる。この使用により,二酸化炭素を含むガス供与体41と,不活性ガス供与体42から導出される各々のガスは,二酸化炭素と不活性ガスが任意の流量比率でカソード12に供給される。
アノードに反応物を供給するアノード反応物供給手段50は,アノード13に対してアノード反応物を供給する手段である。これは,アノード反応物供与体51と,その流量を制御する流量制御手段55からなる。アノード反応物は酸化反応を生じかつ反応生成物をアノードより容易に取り除けるものであることが望まれる。さらにその反応は,アノード構成要素を破壊ないし溶解しないことが好ましい。この要件を満たすアノード反応物としては,水素および水が好適に使用される。水素酸化反応は,水素イオンを生成するが,これは電解質11を介してカソード反応に消費される。水の酸化反応は,酸素ガスと水素イオンを生成するが,酸素ガスは流体排出部28より外部に排出され,水素イオンは前述の通りに消費される。
流量制御手段55は,アノード反応物供与体51から導出される反応物が気体の場合はマスフロー制御装置やガス流量計をはじめとする既知の装置を使用できるし,該反応物が液体の場合は送液ポンプや液体流量計をはじめとする既知の装置を使用できる。この使用により,アノード反応物供与体51は任意の流速でアノード13に供給される。
電解セル70の電解部1には,温度を制御する温度制御機構を設けてもよい。このような温度制御機構としては,カソード12及びアノード13の反応場を−70℃以上200℃以下の範囲に温度制御できるものであれば特に限定されず,従来公知の加熱冷却装置を用いることができる。上記の温度範囲は,電解部1において典型的に用いられる電解質11がイオン導電性を有する温度範囲であり,電解質11の種類に応じて制御範囲を適宜変更することが好ましい。電解セル70の電解部1は,0℃以上100℃以下で実施させるのが好ましく,10℃以上かつ90℃以下で実施させるのがより好ましい。
本発明による二酸化炭素の還元装置及び二酸化炭素の還元方法において,電圧(電力)を取り出すこともできる。詳しくは,カソードにおいて水素発生電位よりも正電位で二酸化炭素の還元を生じ,かつアノードの反応が該二酸化炭素の還元電位より負電位である場合,電池の原理により燃料電池発電を引き起こす。最も端的な例としては,アノードで水素酸化反応を生ずる場合である。カソードの二酸化炭素還元反応が適切にターンオーバーを繰り返せば,燃料電池発電条件が満たされる。このことは,水素の持つ化学エネルギーを使用して二酸化炭素の還元を行うと該水素の化学エネルギーを使い切ることなくその一部が残存する。余った化学エネルギーは,通常の化学反応ないし触媒反応では熱に変換されて捨てられるが,燃料電池発電においては電気エネルギーに変換される。このことは,本発明によりなる二酸化炭素還元装置及び二酸化炭素還元方法は,余剰エネルギーを生じた場合でも熱エネルギーとして廃棄することなく,電気エネルギーとして有効に回収し利用することが可能である。
(カーボンペーパーの前処理)
撥水加工処理済みカーボンペーパー(ガス拡散層)を3×3 cm角に切断し,よく洗浄した。
電解質膜であるNafion(登録商標)117を6×6 cmに切断し,定法により純水,過酸化水素水,希硫酸水溶液で処理した。
ボールミルを用い,46.2 wt% 白金担持カーボン(Pt/C),超純水,2-プロパノール,メタノール,Nafion(登録商標)117溶液を混合し,Pt/C電極触媒散布液とした。
上で準備した電極触媒散布液を金属量が1.0 mg・cm-2となるようにスプレーコート法で上記したカーボンペーパー上に塗布した。
上で準備したPt/C触媒塗布済みのカーボンペーパー2枚を用いて,上記したNafion(登録商標)117膜を挟み込み,ホットプレス成形しMEAを作製した。
上で作製したMEAを電解部1として図2のセルに組み込んで実装の電解セル70に装着し固体高分子形セル(単セル)とした。これに図1に示すカソードに対し二酸化炭素と不活性ガスを供給しかつそれぞれのガスの流量比率を制御するカソード反応物供給手段40と,アノードに反応物を供給するアノード反応物供給手段50,そしてカソードおよびアノードに接続した電圧制御手段80を装着した。このとき,二酸化炭素を含むガス供与体41には高純度の二酸化炭素ガスボンベ,不活性ガス供与体42として高純度アルゴンガスボンベ,アノード反応物供与体51に高純度水素ボンベを用いた。ガス流量制御手段45,46および流量制御手段55には,各々マスフローコントローラを用いた。
上で準備した単セルの一方の電極(カソード)に加湿アルゴンガス,もう一方の電極(アノード)に加湿水素ガスを供給し,電位が安定するまでポテンショスタットを用いて電位走査を繰り返し行った。
上で準備した単セルのアノードに加湿水素ガス,カソードにCO2とArの加湿ガスを任意の比(CO2分圧0, 4, 7, 10, 50, 100%)で供給し,単セルとポテンショスタットと電位走査装置(ポテンシャルスキャナー)を接続した。単セルのCO2排ガスは直接質量分析装置(図示せず)に接続した。カソード電位を1.0 V vs. RHEから0.05 V vs. RHEへ掃引速度10 mV/sで掃引した際に観測されるm/z 15 (メタンのフラグメント)のピークの頂点の電位を表1に示す。メタン生成が最も起こる電位はCO2分圧に依らず0.1 V vs. RHEであることがわかる。また,カソード電位を0.4 V vs. RHEから0.2 V vs. RHEにステップさせ5分保持した後,0.1 V vs. RHEにさらに電位をステップさせた際の単位電荷量当たりのメタン生成量とメタン生成継続時間の結果をまとめて表1に示す。CO2分圧が0%もしくは100%のとき(比較例1もしくは2)はメタン生成が起こらないが,CO2分圧が4〜50%のとき(実施例1〜4)はメタンが生成していることがわかる。また,メタン生成は失活してしまうものの,その継続時間はCO2分圧4%のとき(実施例1)に最も長かった。
実施例1で用いたものと同じ装置を使用し,CO2分圧4%にてカソード電位を0.4 V vs. RHEから0.2 V vs. RHEにステップし5分保持した後,カソードに供給するガスのCO2分圧を0%に変動させ1時間保持し,その後0.1 V vs. RHEに電位をステップさせた。時間とm/z 15の検出強度の関係の結果を図3に示す。カソード電位を0.1 V vs. RHEにステップした時点を0sとしている。図3より,電位をステップした直後からm/z 15が検出され,0.1 V vs. RHEにてCO2還元に基づくメタン生成が起こっていることがわかる。これを実施例5とする。また,図3のピーク面積は,メタン生成量に相当する量を示している。図3から算出される単位電荷量当たりのメタン生成量とメタン生成継続時間を表2に示す。
実施例1で用いたものと同じ装置を使用し,CO2分圧4%でガス供給した。カソード電位を0.25 V vs. RHEから0.10 V vs. RHEの範囲で2 分ごとに卑側に8段階ステップさせた。そのときの電位の変動とm/z 15の挙動を図4に示す。図4から明らかなように,0.25 V vs. RHEから0.10 V vs. RHEの間で電位を変動している期間で連続的にメタン生成が起こっていることがわかる。以上から,実施例5,6,7,8,9ではメタン生成が失活していたが,実施例10〜17のように0.25 V vs. RHEから0.10 V vs. RHEの間で電位を変動することでメタンの連続生成を達成したといえる。
実施例1で用いたものと同じ装置を使用し,CO2分圧4%でガス供給した。カソード電位を0.4 V vs. RHEから0.15 V vs. RHEにステップさせ5分間固定した。これを実施例18とする。そのときのm/z 15の挙動を図5に示す。電位を0.15 V vs. RHEにステップした時点を0sとしている。図5から明らかなように,0.15 V vs. RHEに固定している期間で連続的にメタン生成が起こった。
実施例18と同様の装置とガス供給条件で,カソード電位を0.4 V vs. RHEから0.10 V vs. RHEにステップさせた実施例19においては,0.10 V vs. RHEにてメタン生成は確認されるもののその生成は約10秒で失活した。
実施例18と同様の装置,カソードガス供給条件,電位条件を使用した。アノードの供給において,アノード反応物供与体51に水のタンク,流量制御手段55に送液ポンプを用いて,5 mL/minでアノードに水を流した。これを実施例20とする。また,実施例18と同様の装置,カソードガス供給条件,電位条件を使用し,アノード反応物供与体51に高純度N2ボンベを用いた。これを実施例21とする。実施例20と実施例21では,実施例18と同様の結果が確認された。
実施例1で用いたものと同じ装置を使用し,アノードに水素ガス,カソードにCO2分圧4%でガス供給した。その条件にてCO2還元が行われるとセル電圧0.15 Vで出力密度0.011 mW/cm-2が得られた。以上から,当系ではCO2還元による連続的なメタン生成と発電が同時に起こることがわかる。
11.電解質
12.カソード
13.アノード
14.カソードガス拡散層
15.アノードガス拡散層
21.流路形成部材
22.流路形成部材
23.流路
25.カソード反応性流体導入部
26.流体排出部
27.アノード反応性流体導入部
28.流体排出部
31.エンドプレート
32.エンドプレート
40.カソード反応物供給手段
41.二酸化炭素を含むガス供与体
42.不活性ガス供与体
45.ガス流量制御手段
46.ガス流量制御手段
50.アノード反応物供給手段
51.アノード反応物供与体
55.流量制御手段
60.絶縁材
70.電解セル
80.電圧制御手段
Claims (8)
- 電解質を介して隔てられたカソードおよびアノードと、
前記カソードに対し二酸化炭素を含む第1ガスと不活性ガスとを供給し、かつ、第1ガス中の前記二酸化炭素と前記不活性ガスとの濃度比を制御するカソード反応物供給手段と
前記アノードに対しアノード反応物を供給するアノード反応物供給手段と、
前記カソードおよび前記アノードに電気的に接続した電圧制御手段と、
を具備してなることを特徴とする二酸化炭素還元装置。 - 前記カソード反応物供給手段は、前記濃度比を、二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で0:100〜60:40の範囲内で経時的に変動するように制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の二酸化炭素還元装置。 - 前記電圧制御手段は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の二酸化炭素還元装置。 - 前記電圧制御手段は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加し、かつ、前記カソード反応物供給手段は、前記濃度比を、二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で一時的に0:100に設定する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の二酸化炭素還元装置。 - 電解質を介して隔てられたカソードおよびアノードを用意する工程と、
前記カソードに対し二酸化炭素を含む第1ガスと不活性ガスとを供給し、かつ、第1ガス中の前記二酸化炭素と前記不活性ガスとの濃度比を制御するカソード反応物供給工程と、
前記アノードに対しアノード反応物を供給するアノード反応物供給工程と、
前記カソードおよび前記アノードに電気的に接続する電圧制御工程と、
を具備してなることを特徴とする二酸化炭素還元方法。 - 前記カソード反応物供給工程は、前記濃度比を、二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で0:100〜60:40の範囲内で経時的に変動するよう制御する工程を含む、
ことを特徴とする請求項5に記載の二酸化炭素還元方法。 - 前記電圧制御工程は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加する工程を含む、
ことを特徴とする請求項5又は6に記載の二酸化炭素還元方法。 - 前記電圧制御工程は、前記カソードの電極電位が可逆水素電極に対して0.11V以上0.19V以下の範囲で電圧を印加し、かつ、前記カソード反応物供給工程は、前記濃度比を二酸化炭素濃度:不活性ガス濃度の割合で一時的に0:100に設定する工程を含む、
ことを特徴とする請求項5又は6に記載の二酸化炭素還元方法。
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