JP2020136414A - ダミーウェーハ及びダミーウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダミーウェーハを容易に製造する。【解決手段】ダミーウェーハであって、上面に溝を有したウェーハと、該ウェーハ上に密着する樹脂シートと、該溝に対応した位置に該樹脂シートを介して該ウェーハに固定された複数の球体と、を備える。また、ダミーウェーハの製造方法であって、ウェーハの上面に溝を形成する溝形成ステップと、ウェーハの該上面に樹脂シートを載置し該ウェーハを加熱することにより、該樹脂シートの表面に該溝に倣った凹部を形成するとともにシート積層ウェーハを形成するシート積層ウェーハ形成ステップと、該樹脂シートに形成された該凹部に球体を配置する球体配置ステップと、該樹脂シートを介して該球体を該ウェーハに固定する固定ステップと、を備え、該溝形成ステップで該ウェーハの該上面に形成される該溝は、該球体配置ステップで該凹部に該球体が配置されたときに該球体の一部が該凹部よりも上方に突出する形状である。【選択図】図５

Description

本発明は、デバイスウェーハの代用品として使用されるダミーウェーハと、ダミーウェーハの製造方法に関する。

ウェーハの表面に複数のデバイスを形成してデバイスウェーハを得て、該デバイスウェーハをデバイス毎に分割すると、個々のデバイスチップを製造できる。製造された各デバイスチップは所定の実装対象に実装されて使用される。

近年、デバイスチップの実装方法としてフリップチップボンディングと呼ばれる技術が採用されている。該技術では、デバイスチップの表面にバンプと呼ばれる突起状の電極が形成される。そして、バンプを介してデバイスチップのデバイスが所定の実装対象に電気的に接続される。ここで、バンプは分割される前のデバイスウェーハの状態で各デバイスに形成され、その後、該デバイスウェーハを分割することでバンプを備えた個々のデバイスチップを形成できる。

また、近年、デバイスチップが搭載される電子機器等の小型化の傾向が著しく、薄型のデバイスチップが望まれている。そして、薄型のデバイスチップを形成するために、デバイスウェーハを分割する前に裏面側から研削し、予めデバイスウェーハを薄化しておく。この際、デバイスウェーハの表面にはデバイス等を保護するために表面保護テープを貼着しておく。バンプが形成された薄型のデバイスチップを製造する際には、表面に複数のバンプが形成されたデバイスウェーハの裏面側を研削する（例えば、特許文献１参照）。

ただし、表面に複数のバンプが形成されたデバイスウェーハは表面に凹凸形状を有するため、表面保護テープを適切に貼着できていなければ、デバイスウェーハを裏面側から研削したときに表面側の凹凸形状がデバイスウェーハの裏面側に転写されてしまう。また、表面保護テープのデバイスウェーハへの貼着が不十分であると、研削を実施する間に該ウェーハが破損するおそれがある。そこで、バンプが形成されたウェーハへの表面保護テープの貼着条件や、表面にバンプが形成されたウェーハの研削条件を検討する必要がある。

特開２０１２−７９９１１号公報

表面にデバイスが形成されたデバイスウェーハは高価である。そのため、デバイスウェーハを加工する加工装置の状態や動作を確認する際や、加工装置におけるデバイスウェーハの加工条件を検討する際等には、デバイスウェーハの代用品としてダミーウェーハと呼ばれる基板が使用される。ダミーウェーハは、これらの目的のためにデバイスウェーハを模して製造される。

表面に複数のバンプを有するデバイスウェーハの代用品として使用するダミーウェーハを製造する場合、ダミーウェーハの表面には複数のバンプを形成しなければならない。しかし、デバイスウェーハにバンプを形成する工程は煩雑であり、バンプを形成するコストは低くはない。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表面にバンプを備えるデバイスウェーハの代用品として使用される簡素なダミーウェーハと、該ダミーウェーハを容易に製造できる製造方法と、を提供することである。

本発明の一態様によると、上面に溝を有したウェーハと、該ウェーハ上に密着する樹脂シートと、該溝に対応した位置に該樹脂シートを介して該ウェーハに固定された複数の球体と、を備えることを特徴とするダミーウェーハが提供される。

また、本発明の他の一態様によると、上面に複数の球体を備えたダミーウェーハの製造方法であって、ウェーハの上面に溝を形成する溝形成ステップと、該溝が形成されたウェーハの該上面に樹脂シートを載置し該ウェーハを加熱することにより、該樹脂シートの表面に該溝に倣った凹部を形成するとともに該ウェーハの該上面に該樹脂シートが密着したシート積層ウェーハを形成するシート積層ウェーハ形成ステップと、該シート積層ウェーハ形成ステップを実施した後、該樹脂シートに形成された該凹部に球体を配置する球体配置ステップと、該球体配置ステップを実施した後、該球体が配置された該シート積層ウェーハを加熱して、該樹脂シートを介して該球体を該ウェーハに固定する固定ステップと、を備え、該溝形成ステップで該ウェーハの該上面に形成される該溝は、該球体配置ステップで該凹部に該球体が配置されたときに該球体の一部が該凹部よりも上方に突出する形状であることを特徴とするダミーウェーハの製造方法が提供される。

好ましくは、該溝形成ステップで形成される該溝は、第１の幅を有した第１の溝と、該第１の溝の底に形成された該第１の幅より狭い第２の幅を有した第２の溝と、を含み、該第１の幅は該球体の直径よりも大きく、該第２の幅は該球体の直径よりも狭い。

または、好ましくは、該溝形成ステップでは、Ｖ字状の断面形状を有する該溝を形成する。

本発明の一態様に係るダミーウェーハは、上面に溝を有したウェーハと、該ウェーハ上に密着する樹脂シートと、該溝に対応した位置に該樹脂シートを介して該ウェーハに固定された複数の球体と、を備えるダミーウェーハである。また、本発明の一態様に係るダミーウェーハの製造方法では、樹脂シートを介して該球体を該ウェーハに固定する。

樹脂シートを介してウェーハの表面に固定される球体は、デバイスウェーハに形成されるバンプの代用品として機能する。そして、樹脂シートを介して固定された複数の球体を備えるウェーハは表面に凹凸形状を備えており、バンプを備えデバイスウェーハの代用品であるダミーウェーハとして使用可能である。

ここで、バンプを備えるデバイスチップを製造する際に実施されるウェーハの表面に複数の該バンプを形成する工程と比較して、ウェーハの表面に樹脂シートを介して球体を固定するのは容易であり、バンプの形成に使用される装置を使用する必要がない。また、電極としてデバイスウェーハの表面に精密に形成されるバンプと異なり、球体の材質の選択の幅は広く、該球体に安価な材料を使用できる。

特に、上面に溝が形成されたウェーハの該上面に樹脂シートを密着させ、該溝に対応した位置に該樹脂シートを介して該ウェーハに球体を配置すると、該球体の固定位置を制御できる。その上、該溝に対応した位置に球体が配置されていると、該球体が該ウェーハに保持されやすくなる。

したがって、本発明の一態様によると、表面にバンプを備えるデバイスウェーハの代用品として使用される簡素なダミーウェーハと、該ダミーウェーハを容易に製造できる製造方法と、が提供される。

溝形成ステップを模式的に示す断面図である。 図２（Ａ）は、溝形成ステップにより形成される溝の一例を模式的に示す上面図であり、図２（Ｂ）は、溝形成ステップにより形成される溝の他の一例を模式的に示す上面図であり、図２（Ｃ）は、溝形成ステップにより形成される溝の断面形状の一例を模式的に示す断面図であり、図２（Ｄ）は、溝形成ステップにより形成される溝の断面形状の他の一例を模式的に示す断面図である。 図３（Ａ）は、ウェーハの上面に樹脂シートを載置した状態を模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、ウェーハの上面に樹脂シートが密着した状態を模式的に示す断面図である。 図４（Ａ）は、球体配置ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、固定ステップを実施する様子を模式的に示す断面図である。 図５（Ａ）は、固定ステップが実施された後のウェーハを拡大して模式的に示す断面図であり、図５（Ｂ）は、ダミーウェーハを模式的に示す断面図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係るダミーウェーハについて説明する。図５（Ｂ）には、本実施形態に係るダミーウェーハ１９を模式的に示す断面図が示されている。図５（Ｂ）に示すダミーウェーハ１９は、上面に溝１１を有したウェーハ１と、ウェーハ１の上に密着する樹脂シート１５と、溝１１に対応した位置に樹脂シート１５を介してウェーハ１に固定された複数の球体１７と、を備える。

ウェーハ１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板等である。

本実施形態に係るダミーウェーハ１９は、表面１ａ（上面）にバンプを備えるデバイスウェーハを模して形成されるものであり、バンプを備えるデバイスウェーハと同様の凹凸形状を備え、デバイスウェーハよりも安価に製造される。また、ダミーウェーハ１９は、バンプの代わりにウェーハ１の表面１ａに固定された複数の球体１７を備える。ここで、ダミーウェーハ１９に使用されるウェーハ１には、デバイスが形成されていてもよい。

球体１７は、例えば、ガラス、石英、セラミックス、サファイア等の材料により形成される。該ガラスは、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等である。ここで、球体１７は、完全な球でなくてもよく、例えば、楕円体や円柱状でもよい。球体１７は、ウェーハ１の表面１ａ上に配置されたときに所定の高さの凹凸形状をウェーハ１の表面１ａに与えることのできる立体物であり、本機能を発揮できる形状とされる。

ダミーウェーハ１９が備えるウェーハ１の表面１ａには樹脂シート１５が密着しており、球体１７は該樹脂シート１５を介してウェーハ１の表面１ａに固定される。樹脂シート１５は、例えば、ウェーハ１の表面１ａの外径よりも大きい径を有する円状に形成される。

樹脂シート１５は樹脂で形成されたシートであり、例えば、ポリ塩化ビニル系シート、ポリオレフィン系シート、ポリエチレン系シート、または、ポリエチレンテレフタレートシートに代表されるポリエステル系シート等である。樹脂シート１５は、糊層を備えている必要はない。

ウェーハ１に樹脂シート１５を密着させる前に、予めウェーハ１の表面１ａには溝が形成される。本実施形態に係るダミーウェーハ１９のウェーハ１が備える溝の形状については、後述する。

そして、溝が形成されたウェーハ１上に樹脂シート１５を密着させる際には、ウェーハ１の上に樹脂シート１５を載せた後にウェーハ１ごと樹脂シート１５を加熱する。このとき、樹脂シート１５が軟化する程度の温度及び時間で加熱を実施し、樹脂シート１５が融解する程には樹脂シート１５を加熱しない。この場合、樹脂シート１５が溝１１に落ち込むように変形してウェーハ１に密着する。

その後、樹脂シート１５の上に複数の球体１７を配置する。ウェーハ１に密着した樹脂シート１５の表面には溝１１に倣った凹部が現れるため、樹脂シート１５の上に供給された球体１７は該凹部に留まりやすい。その後、樹脂シート１５の表面を刷毛で払う等して凹部の外部に位置した球体１７を除去し、再びウェーハ１ごと樹脂シート１５を加熱する。

このとき、樹脂シート１５をウェーハ１に密着させるときよりも強く樹脂シート１５を加熱する。その後、樹脂シート１５を放冷すると、溝１１に対応した位置に樹脂シート１５を介して複数の球体１７がウェーハ１に固定される。このように、ウェーハ１の上面に溝１１が形成されており、溝１１の形成位置に従って球体１７が配置されるため、固定位置が制御された球体１７を備えるダミーウェーハ１９を容易に製造できる。

次に、本実施形態に係るダミーウェーハの製造方法として、図５（Ｂ）に示すダミーウェーハ１９を製造する方法について詳述する。ダミーウェーハ１９の製造方法は、溝形成ステップと、ウェーハ１の上面に樹脂シート１５を密着させるシート積層ウェーハ形成ステップと、を備える。さらに、該樹脂シート１５上に球体１７を配置する球体配置ステップと、該球体１７を該ウェーハ１に固定する固定ステップと、を備える。

まず、ウェーハ１の表面１ａ（上面）に溝を形成する溝形成ステップについて説明する。図１は、溝形成ステップを模式的に示す断面図である。溝形成ステップは、例えば、円環状の切削ブレード１４を備える切削装置２において実施される。

切削装置２は、被加工物を吸引保持するチャックテーブル４を備える。チャックテーブル４は、上面に露出した多孔質部材６と、一端が該多孔質部材６に通じ、他端が吸引源１０に通じる吸引路８を備える。多孔質部材６及び吸引源１０の間には、切り替え弁１２が設けられている。

上面が平坦な多孔質部材６の上に被加工物を載せて切り替え弁１２を開けると、吸引源１０により生じた負圧が吸引路８及び多孔質部材６を通じて被加工物に作用し、被加工物がチャックテーブル４に吸引保持される。すなわち、多孔質部材６の上面は、被加工物を吸引保持するチャックテーブル４の保持面となる。

切削装置２は、チャックテーブル４の上方に円環状の切削ブレード１４を備える。切削ブレード１４を回転させ、切削ブレード１４及びチャックテーブル４を該保持面に平行な方向に相対的に移動させて該切削ブレード１４の切刃となる該切削ブレード１４の外周部を被加工物に接触させると、被加工物が切削される。

溝形成ステップでは、まず、切削装置２のチャックテーブル４の上にウェーハ１を載せる。このとき、溝の形成が予定される面である表面１ａを上方に向け、裏面１ｂをチャックテーブル４の保持面に向ける。次に、吸引源１０による負圧をウェーハ１に作用させ、チャックテーブル４にウェーハ１を吸引保持させる。

その後、切削ブレード１４の下端が所定の高さに位置付けられるようにチャックテーブル４の保持面の外側で切削ブレード１４を下降させつつ、切削ブレード１４を回転させる。そして、切削ブレード１４と、チャックテーブル４と、を該保持面に平行な方向に相対的に移動させ、切削ブレード１４をウェーハ１に接触させる。すると、ウェーハ１が切削されて、ウェーハ１の表面１ａ（上面）に溝が形成される。

ここで、ウェーハ１の表面１ａ（上面）に形成される溝の平面形状について説明する。図２（Ａ）は、複数の溝３が表面１ａに形成されたウェーハ１を拡大して模式的に示す平面図である。図２（Ａ）には、互いに交差する複数の直線に沿って形成された溝３が示されている。換言すると、図２（Ａ）には、第１の方向に沿った複数の溝３と、該第１の方向に交差する第２の方向に沿った複数の溝３と、が示されている。

図２（Ａ）に示す溝３を形成する場合、溝形成ステップでは、第１の方向に沿ってウェーハ１の表面１ａを切削した後、切削ブレード１４及びチャックテーブル４を第１の方向に垂直な方向に沿って相対的に移動させる。その後、再び第１の方向に沿ってウェーハ１の表面１ａを切削する。このように、ウェーハ１を第１の方向に沿って次々に切削し、第１の方向に沿った複数の溝３を次々に形成する。

次に、チャックテーブル４を保持面に垂直な軸の周りに回転させ、切削ブレード１４及びチャックテーブル４を相対的に移動させて切削ブレード１４によりウェーハ１を切削する。すると、第１の方向に交差する第２の方向に沿った溝３がウェーハ１に形成される。そして、切削ブレード１４及びチャックテーブル４を第２の方向に垂直な方向に相対的に移動させ、再び第２の方向に沿ってウェーハ１の表面１ａを切削する。このように、第２の方向に沿った複数の溝３を次々に形成する。

なお、図２（Ａ）には、該第１の方向及び該第２の方向が互いに直交する場合について示されているが、複数の溝３はこれに限定されない。すなわち、該第１の方向及び該第２の方向は、互いに直交していなくてもよい。

また、図２（Ｂ）は、十字に交差する２つの短い溝５の組が表面１ａに形成されたウェーハ１を拡大して模式的に示す平面図である。図２（Ｂ）には、溝５の複数の組がウェーハ１の表面１ａに形成される場合が示されている。

図２（Ｂ）に示す溝５を形成する際には、まず、チャックテーブル４及び切削ブレード１４を相対的に移動させ、ウェーハ１の表面１ａの溝５の形成予定位置の上方に切削ブレード１４を位置付ける。次に、切削ブレード１４を回転させ、切削ブレード１４をウェーハ１に向けて所定の高さまで下降させる。すると、ウェーハ１に短い溝５が形成される。その後、切削ブレード１４を上昇させ、チャックテーブル４を保持面に垂直な軸の周りに回転させ、再び切削ブレード１４を所定の高さまで下降させてウェーハ１を切削する。

なお、ウェーハ１の表面１ａに溝５の複数の組を形成する場合、直線上に並ぶ複数の短い溝５を一つのグループとして、グループごとにまとめて溝５を形成してもよい。この場合、切削ブレード１４を下降させてウェーハ１に溝５を形成し、該切削ブレード１４を引き上げた後にチャックテーブル４及び切削ブレード１４を保持面に平行な方向に相対的に移動させ、再び切削ブレード１４を下降させウェーハ１に次の溝５を形成する。

次に、ウェーハ１の表面１ａ（上面）に形成される溝の断面形状について説明する。図２（Ｃ）に示す溝１１は、第１の幅を有した第１の溝７と、該第１の溝７の底に形成された該第１の幅より狭い第２の幅を有した第２の溝９と、を含む。特に、第１の溝７の該第１の幅は球体１７の直径よりも大きく、該第２の溝９の該第２の幅は球体１７の直径よりも狭い。

ここで、第１の溝７の深さは、樹脂シート１５をウェーハ１の表面１ａ（上面）に密着させ球体１７を溝１１に導入したときに、球体１７の一部がウェーハ１の表面１ａから突出する深さとする。また、第２の溝９の深さは、第１の溝７の底面に接続する第２の溝９の縁に該球体１７が接触する深さとする。

図２（Ｃ）に示す断面形状の溝１１をウェーハ１の表面１ａに形成すると、後述の球体配置ステップにおいて、溝１１中に球体１７を導入しやすい。さらに、後述の固定ステップを実施する前の球体１７の溝１１からの脱出が抑制される。

図２（Ｃ）に示す断面形状の溝１１を形成する場合、該第１の幅を有する第１の切削ブレードと、該第２の幅を有する第２の切削ブレードと、を使用してウェーハ１を切削する。すなわち、溝１１の形成予定位置でウェーハ１を該第１の切削ブレードで切削して第１の溝７を形成した後、該形成予定位置でウェーハ１の第１の溝７の底を該第２の切削ブレードで切削して第２の溝９を形成する。なお、第１の溝７と、第２の溝９と、を逆の順番で形成してもよい。

さらに、ウェーハ１の表面１ａ（上面）に形成される溝は、Ｖ字状の断面形状を有してもよい。図２（Ｄ）に、Ｖ字状の断面形状を有する溝１３が形成されたウェーハ１の断面図を模式的に示す。断面形状がＶ字状である溝１３は、上述の溝１１と同様に、球体１７を導入しやすい。かつ、溝１３に導入された球体１７の脱出が抑制される。なお、Ｖ字状の断面形状を有する溝１３を形成する場合、溝１３の断面形状と同様のＶ字状の断面形状である刃先を有する切削ブレード１４を使用してウェーハ１を切削する。

本実施形態に係るダミーウェーハの製造方法では、溝形成ステップを実施してウェーハ１の表面１ａ（上面）に溝を形成する。以下、溝形成ステップにおいて図２（Ｃ）に示す断面形状の溝１１がウェーハ１に形成された場合を例に、本実施形態に係るダミーウェーハの製造方法について説明を続ける。

本実施形態に係るダミーウェーハの製造方法では、溝形成ステップを実施した後、シート積層ウェーハ形成ステップを実施する。次に、シート積層ウェーハ形成ステップについて詳述する。シート積層ウェーハ形成ステップでは、溝１１が形成されたウェーハ１の表面１ａ（上面）に樹脂シート１５を載置する。図３（Ａ）は、表面１ａに樹脂シート１５が載置されたウェーハ１を模式的に示す断面図である。樹脂シート１５については、既に詳述している。

シート積層ウェーハ形成ステップでは、ウェーハの表面１ａ（上面）に樹脂シート１５を載置した後、ウェーハ１を加熱してウェーハ１の上面に樹脂シート１５を密着させ、シート積層ウェーハを形成する。ウェーハ１の加熱には、例えば、平坦な上面を備えるホットプレート１６が使用される。ホットプレート１６によるウェーハ１の加熱温度及び加熱時間は、樹脂シート１５の材質及び厚さ等を考慮して適宜選択される。

具体的には、樹脂シート１５が融解する程には加熱せず、樹脂シート１５が軟化してウェーハ１の表面１ａ（上面）に密着できる程度の温度及び時間で加熱を実施する。例えば、樹脂シート１５がポリオレフィン系シートやポリ塩化ビニル系シートである場合、樹脂シート１５が載るウェーハ１を８０℃〜９０℃に加熱されたホットプレート１６の上で１分程度加熱するとよい。ウェーハ１の上に樹脂シート１５を載置しウェーハ１を加熱すると、ウェーハ１の該上面に樹脂シート１５が密着したシート積層ウェーハを形成できる。

図３（Ｂ）は、形成されたシート積層ウェーハを模式的に示す断面図である。図３（Ｂ）に示す通り、シート積層ウェーハ形成ステップにおいて樹脂シート１５を加熱して軟化させると、樹脂シート１５が変形してウェーハ１の表面１ａに形成された溝１１に沈み込む。そして、樹脂シート１５が溝１１中においてもウェーハ１の表面１ａに密着するため、該樹脂シート１５の表面には該溝１１に倣った凹部が形成される。

シート積層ウェーハ形成ステップを実施した後、樹脂シート１５に形成された該凹部に球体１７を配置する球体配置ステップを実施する。球体配置ステップでは、例えば、バンプが形成されたデバイスウェーハの凹凸形状に相当する凹凸形状をウェーハ１に形成するために、ウェーハ１の表面１ａに複数の球体１７を供給する。図４（Ａ）は、表面１ａに球体１７が供給されたウェーハ１を模式的に示す断面図である。

樹脂シート１５の表面には該溝１１に倣った凹部が形成されるため、ウェーハ１の表面１ａに複数の球体１７が供給されたとき、球体１７は該凹部に入り込みやすい。その上、該凹部に進入した球体１７は、該凹部から抜け出しにくい。すなわち、ウェーハ１の表面１ａに形成された溝１１により、ウェーハ１の表面１ａにおける球体１７の数や密度、配置等が制御される。

したがって、本実施形態に係るダミーウェーハの製造方法によると、デバイスウェーハを模してダミーウェーハを形成するために、溝１１の形成位置や形状等を選択することでウェーハ１の表面１ａにおける球体１７の配置等を容易に制御できる。そして、溝１１は、球体配置ステップで該凹部に球体１７が配置されたときに該球体１７の一部が該凹部よりも上方に突出する形状とされる。なお、溝１１の形状は、使用される樹脂シート１５の厚さも考慮されて決定される。

ここで、溝１１の形状に対応した位置に現れた樹脂シート１５の該凹部のすべてに必ずしも球体１７が入れられる必要はない。また、ウェーハ１の表面１ａに複数の球体１７を供給した後、ウェーハ１の表面１ａを刷毛で払う等して樹脂シート１５の上に供給された複数の球体１７のうち該凹部に導入されていない球体１７を除去してもよい。

本実施形態に係るダミーウェーハの加工方法では、該球体配置ステップを実施した後、複数の球体１７が配置されたシート積層ウェーハ（ウェーハ１及び樹脂シート１５）を加熱して、樹脂シート１５を介して球体１７をウェーハ１に固定する固定ステップを実施する。図４（Ｂ）は、固定ステップを模式的に示す断面図である。固定ステップでは、例えば、ホットプレート１６を再び作動させて、ウェーハ１を及び樹脂シート１５を加熱する。

ここで、固定ステップで実施されるウェーハ１等の加熱は、シート積層ウェーハ形成ステップで実施されるウェーハ１等の加熱よりも高い強度で実施される。例えば、固定ステップでは、シート積層ウェーハ形成ステップよりも高い温度でウェーハ１等が加熱され、または、長い時間でウェーハ１等が加熱される。例えば、樹脂シート１５がポリオレフィン系シートやポリ塩化ビニル系シートである場合、固定ステップではウェーハ１等は約１００℃の温度で１〜２分間程度加熱される。

固定ステップにおいて、シート積層ウェーハ形成ステップよりも高い強度でウェーハ１等を加熱すると、樹脂シート１５がより軟化し、図５（Ａ）に示す通り、樹脂シート１５に球体１７が沈み込むようになる。図５（Ａ）は、固定ステップが実施された後のウェーハ１を拡大して模式的に示す断面図である。そして、ウェーハ１等を加熱した後、数分程度放置することで樹脂シート１５が冷却されて固化する。固定ステップを実施すると、複数の球体１７が樹脂シート１５を介してウェーハ１に固定される。

固定ステップを実施し、樹脂シート１５を介して球体１７をウェーハ１の上に固定させると、図５（Ｂ）に示すダミーウェーハ１９が形成される。図５（Ｂ）は、ダミーウェーハ１９を模式的に示す断面図である。ダミーウェーハ１９は、バンプを備えるデバイスウェーハと同様の凹凸形状を表面に備える。

本実施形態に係るダミーウェーハの製造方法では、ウェーハ１の表面１ａに精密にバンプを形成するのではなく、バンプの代わりとなる球体１７を樹脂シート１５を介して固定する。そして、溝１１をウェーハ１の表面１ａ（上面）に形成することで球体１７の固定位置を制御する。そのため、バンプを形成する稼働コストの高い加工装置を使用する必要がなく、容易かつ安価にダミーウェーハ１９を製造できる。

なお、上記実施形態では、バンプが形成されたデバイスウェーハを模したダミーウェーハ１９の製造方法について説明し、ダミーウェーハ１９がデバイスウェーハの代用品として使用されることについて説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。本発明の一態様に係るダミーウェーハの製造方法により製造されたダミーウェーハ１９は、デバイスウェーハの代用品としての用途以外の用途に使用されてもよく、特定の用途を持たなくてもよい。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ ウェーハ
１ａ 表面
１ｂ 裏面
３，５，１１，１３ 溝
７ 第１の溝
９ 第２の溝
１５ 樹脂シート
１７ 球体
１９ ダミーウェーハ
２ 切削装置
４ チャックテーブル
６ 多孔質部材
８ 吸引路
１０ 吸引源
１２ 切り替え弁
１４ 切削ブレード
１６ ホットプレート

Claims (4)

1. 上面に溝を有したウェーハと、
   該ウェーハ上に密着する樹脂シートと、
   該溝に対応した位置に該樹脂シートを介して該ウェーハに固定された複数の球体と、を備えることを特徴とするダミーウェーハ。
2. 上面に複数の球体を備えたダミーウェーハの製造方法であって、
   ウェーハの上面に溝を形成する溝形成ステップと、
   該溝が形成されたウェーハの該上面に樹脂シートを載置し該ウェーハを加熱することにより、該樹脂シートの表面に該溝に倣った凹部を形成するとともに該ウェーハの該上面に該樹脂シートが密着したシート積層ウェーハを形成するシート積層ウェーハ形成ステップと、
   該シート積層ウェーハ形成ステップを実施した後、該樹脂シートに形成された該凹部に球体を配置する球体配置ステップと、
   該球体配置ステップを実施した後、該球体が配置された該シート積層ウェーハを加熱して、該樹脂シートを介して該球体を該ウェーハに固定する固定ステップと、を備え、
   該溝形成ステップで該ウェーハの該上面に形成される該溝は、該球体配置ステップで該凹部に該球体が配置されたときに該球体の一部が該凹部よりも上方に突出する形状であることを特徴とするダミーウェーハの製造方法。
3. 該溝形成ステップで形成される該溝は、第１の幅を有した第１の溝と、該第１の溝の底に形成された該第１の幅より狭い第２の幅を有した第２の溝と、を含み、
   該第１の幅は該球体の直径よりも大きく、該第２の幅は該球体の直径よりも狭いことを特徴とする請求項２に記載のダミーウェーハの製造方法。
4. 該溝形成ステップでは、Ｖ字状の断面形状を有する該溝を形成することを特徴とする請求項２に記載のダミーウェーハの製造方法。

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