JP2020122207A - Treatment device, and operation method of treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、処理装置及び処理装置の動作方法に関する。 The present disclosure relates to a processing device and a method of operating the processing device.
基板に対してプラズマ処理等の処理を行う処理領域と該処理領域を減圧する真空ポンプとの間に、ポペット型のスロットルバルブを設けた基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。 There is known a substrate processing apparatus in which a poppet type throttle valve is provided between a processing region for performing a process such as plasma processing on a substrate and a vacuum pump for depressurizing the processing region (for example, Patent Document 1, 2).
本開示は、処理圧力の調整範囲を拡大できる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of expanding the adjustment range of the processing pressure.
本開示の一態様による処理装置は、排気口を有し、内部を減圧できる処理容器と、前記排気口の全体を覆うことができる弁体と、前記弁体を移動させて前記排気口と前記弁体との距離を調整する弁体駆動機構と、を備え、前記弁体駆動機構は、前記弁体を昇降させる昇降部と、前記昇降部に接触して前記昇降部の動作を制限する制限部と、を有する。 A processing apparatus according to an aspect of the present disclosure has a processing container that has an exhaust port and can decompress the inside, a valve body that can cover the entire exhaust port, and the exhaust port and the exhaust port by moving the valve body. A valve body drive mechanism for adjusting the distance to the valve body, the valve body drive mechanism raising and lowering the valve body, and a limit for contacting the raising and lowering section and limiting the operation of the elevating and lowering section. And a section.
本開示によれば、処理圧力の調整範囲を拡大できる。 According to the present disclosure, the adjustment range of the processing pressure can be expanded.
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, non-limiting exemplary embodiments of the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings. In all the accompanying drawings, the same or corresponding reference numerals are given to the same or corresponding members or parts, and duplicate explanations are omitted.
〔処理装置〕
処理装置の構成例について説明する。図1は、処理装置の構成例を示す図である。
[Processing device]
A configuration example of the processing device will be described. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a processing device.
図1に示されるように、処理装置1は、処理室10,20と、真空搬送室30と、ロードロック室40と、大気搬送室50と、ロードポート60と、制御部70と、を備える。
As shown in FIG. 1, the processing apparatus 1 includes
処理室10は、ゲートバルブG1を介して真空搬送室30と接続されている。処理室10内は所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にてウエハWに処理を施す。処理室10は、例えばスパッタ法により膜を形成するスパッタ装置である。ただし、処理室10は、別の処理を行う装置、例えば化学気相堆積(CVD:Chemical Vapor Deposition)法により膜を形成するCVD装置であってもよい。
The
処理室20は、ゲートバルブG2を介して真空搬送室30と接続されている。処理室20内は所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にてウエハWに処理を施す。処理室20は、例えば処理室10と同様の処理を行う装置であってよい。ただし、処理室20は、処理室10とは異なる処理を行う装置であってもよい。
The
真空搬送室30は、処理室10、処理室20及びロードロック室40と接続されている。真空搬送室30内は、所定の真空雰囲気に減圧されている。真空搬送室30には、減圧状態でウエハWを搬送可能な搬送機構31が設けられている。搬送機構31は、処理室10、処理室20及びロードロック室40の間でウエハWを搬送する。
The
ロードロック室40は、ゲートバルブG3を介して真空搬送室30と接続されている。ロードロック室40内は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替え可能である。
The
大気搬送室50は、ゲートバルブG4を介してロードロック室40と接続されている。大気搬送室50内は、大気雰囲気となっており、例えば清浄空気のダウンフローが形成されている。大気搬送室50には、搬送機構51が設けられている。搬送機構51は、ロードロック室40及びロードポート60のキャリアCとの間でウエハWを搬送する。
The
ロードポート60は、大気搬送室50の長辺の壁面に設けられている。ロードポート60は、ウエハWが収容されたキャリアC又は空のキャリアCが取り付けられる。キャリアCとしては、例えばFOUP(Front Opening Unified Pod)を利用できる。
The
制御部70は、処理装置1の各部を制御する。例えば、制御部70は、処理室10,20の動作、搬送機構31,51の動作、ゲートバルブG1〜G4の開閉、ロードロック室40内の雰囲気の切り替え等を実行する。制御部70は、例えばコンピュータであってよい。
The
〔処理室〕
次に、処理室10について説明する。なお、処理室20については説明を省略するが、処理室10と同様の構成であってよい。図2は、図1の処理装置1の処理室10の構成例を示す図である。図2に示されるように、処理室10は、処理容器110を備えている。
[Processing room]
Next, the
処理容器110は、例えばアルミニウムにより形成されている。処理容器110は、接地されている。処理容器110の側壁にはウエハWを搬入又は搬出するための搬送口112が設けられている。搬送口112は、ゲートバルブG1により開閉される。処理容器110内には、ウエハWを載置する載置台120が設けられている。
The
載置台120は、ベース部122と、静電チャック124と、を有する。
The mounting table 120 includes a
ベース部122は、例えばアルミニウムにより形成されている。ベース部122は、例えば略円盤形状を有する。
The
静電チャック124は、ベース部122の上面に設けられており、ウエハWを静電吸着力で保持する。静電チャック124は、例えばベース部122と同様に略円盤形状を有する。静電チャック124は、導電膜により形成される電極124aと、該電極124aを挟み込む誘電体膜124bと、を含む。電極124aには、直流電源(図示せず)が接続されている。静電チャック124は、直流電源から印加される電圧により、静電気力でウエハWを静電チャック124上に吸着保持する。
The
また、静電チャック124内には、ヒータ124cが埋め込まれている。これにより、載置台120を加熱できる。なお、ヒータ124cは、ベース部122内に埋め込まれていてもよく、載置台120に貼り付け可能なシート型ヒータであってもよい。また、ヒータ124cは複数に分割されていてもよい。ヒータ124cが複数に分割されている場合、分割された領域ごとに載置台120の温度を調整できる。ヒータ124cには、交流電源(図示せず)が接続されている。交流電源からヒータ124cに電力が供給されることにより、載置台120(ウエハW)を所定の温度に調整できる。
A
載置台120は、駆動機構126に接続されている。駆動機構126は、回転軸128と、駆動装置130と、を有する。回転軸128は、略柱状の部材である。回転軸128は、載置台120の直下から処理容器110の底部を通って処理容器110の外部まで延在している。処理容器110の底部と回転軸128との間には、磁性流体シール等の封止部材132が設けられている。封止部材132は、回転軸128が回転及び上下動が可能であるように、処理容器110の底部と回転軸128との間の空間を封止する。
The mounting table 120 is connected to the drive mechanism 126. The drive mechanism 126 has a
回転軸128の上端には載置台120が取り付けられており、回転軸128の下端には駆動装置130が取り付けられている。駆動装置130は、回転軸128を回転及び上下動させるための動力を発生する。載置台120は、駆動装置130の動力によって回転軸128が回転することにより回転する。また、載置台120は、駆動装置130の動力によって回転軸128が上下動することにより上下動する。なお、回転軸128は、載置台120と一体的に形成されていてもよい。載置台120の回転速度は、例えば60rpm〜120rpmであってよい。
The mounting table 120 is attached to the upper end of the
載置台120の上方には、成膜材料であるターゲット140が設けられている。ターゲット140は、載置台120に対向して配置されている。ただし、ターゲット140は載置台120に対して傾斜して配置されていてもよい。また、ターゲット140の数は、1つであってもよく、複数であってもよい。
A
ターゲット140は、金属製のホルダ142により保持されている。ホルダ142は、絶縁部材(図示せず)を介して処理容器110の天部に支持されている。ターゲット140には、ホルダ142を介して電源144が接続されている。電源144は、ターゲット140に負の直流電圧を印加する。また、処理容器110の外部には、ホルダ142を介してターゲット140と対向するようにマグネット146が設けられている。マグネット146は、励磁電源148から供給される電流により励磁する。
The
また、処理容器110には、処理容器110内にガスを導入するポート150が設けられており、ガス供給部152からのガスがポート150を介して処理容器110内に導入される。ガス供給部152は、ガス供給源、流量制御器等を含む。
Further, the
ガス供給部152から処理容器110内にガスが供給され、電源144によりターゲット140に電圧が印加されると、処理容器110内に供給されたガスが励起される。また、マグネット146によりターゲット140の近傍に磁界が発生する。これにより、ターゲット140の近傍にプラズマが集中し、ターゲット140にプラズマ中の正イオンが衝突することにより、露出したターゲット140からターゲット材料が放出される。放出されたターゲット材料は、ウエハWに堆積することにより薄膜を形成する。
When the gas is supplied from the
また、処理容器110の底部には、排気口114が形成されている。排気口114には、排気装置160が接続されている。排気装置160は、クライオポンプ、ウォーターポンプ等の真空ポンプを含み、処理容器110内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。
An
また、処理容器110の底部には、弁体210と、弁体駆動機構220と、が設けられている。弁体210は、排気口114の全体を覆うことができる大きさに形成されている。弁体210は、処理容器110の底部から離間した位置(図2に示される位置)と、シール部材212を介して処理容器110の底部と接触する位置と、の間で移動する。弁体210が処理容器110の底部から離間した位置に移動した状態では、処理容器110内と排気装置160とが排気口114を介して連通し、処理容器110内が排気される。一方、弁体210がシール部材212を介して処理容器110の底部と接触する位置に移動した状態では、排気口114が閉じられるため、処理容器110内と排気装置160との連通が遮断され、処理容器110内は排気されない。弁体駆動機構220は、弁体210を昇降させて排気口114と弁体210との距離を調整する。なお、弁体駆動機構220の詳細について後述する。
Further, a
〔弁体駆動機構〕
第1構成例の弁体駆動機構について説明する。図3は、第1構成例の弁体駆動機構を示す図である。
[Valve drive mechanism]
The valve body drive mechanism of the first configuration example will be described. FIG. 3 is a diagram showing a valve body drive mechanism of the first configuration example.
図3に示されるように、弁体駆動機構220は、第1のシリンダ221と、第2のシリンダ222と、を有する。
As shown in FIG. 3, the valve
第1のシリンダ221は、弁体210を昇降させる流体シリンダである。流体シリンダとしては、例えばエアシリンダを利用できる。第1のシリンダ221は、シリンダチューブ221aと、ピストン221bと、ピストンロッド221cと、ブロック部材221dと、を有する。
The
シリンダチューブ221aは、軸方向に沿って延在した筒体により形成されている。
The
ピストン221bは、シリンダチューブ221a内に軸方向に摺動可能に収容され、シリンダチューブ221a内を第1圧力室R11と第2圧力室R12とに仕切っている。ピストン221bは、シリンダチューブ221a内の第1圧力室R11内に空気が供給されると上方に移動して上端位置(図3中の二点鎖線で示す位置)で停止する。一方、ピストン221bは、シリンダチューブ221a内の第2圧力室R12内に空気が供給されると下方に移動して下端位置で停止する。
The
ピストンロッド221cは、ピストン221bに取り付けられており、ピストン221bと共に上下に移動する。ピストンロッド221cの上端には弁体210が固定されており、ピストンロッド221cが上下に移動することにより弁体210が昇降する。例えば、ピストンロッド221cが上方に移動すると、弁体210が処理容器110の底部から離間した位置に移動するので、処理容器110内と排気装置160とが排気口114を介して連通し、処理容器110内が排気される。一方、ピストンロッド221cが下方に移動すると、弁体210がシール部材212を介して処理容器110の底部と接触する位置に移動するので、排気口114が閉じられる。これにより、処理容器110内と排気装置160との連通が遮断され、処理容器110内は排気されない。
The
ブロック部材221dは、ピストンロッド221cの下端に取り付けられている。ブロック部材221dは、例えば円板形状を有する。ブロック部材221dは、ピストンロッド221cが上下に移動することにより昇降する。
The
第2のシリンダ222は、第1のシリンダ221のブロック部材221dと接触してピストンロッド221cを上端位置と下端位置との間の中間位置(図3中の実線で示す位置)において停止させる流体シリンダである。流体シリンダとしては、例えばエアシリンダを利用できる。第2のシリンダ222は、シリンダチューブ222aと、ピストン222bと、ピストンロッド222cと、を有する。
The
シリンダチューブ222aは、軸方向に沿って延在した筒体により形成されている。
The
ピストン222bは、シリンダチューブ222a内に軸方向に摺動可能に収容され、シリンダチューブ222a内を第1圧力室R21と第2圧力室R22とに仕切っている。ピストン222bは、シリンダチューブ222a内の第1圧力室R21内に空気が供給されると、シリンダチューブ222aに対してピストンロッド222cが伸長する方向に移動して伸長位置(図3中の実線で示す位置)で停止する。一方、ピストン222bは、シリンダチューブ222a内の第2圧力室R22内に空気が供給されると、シリンダチューブ222aに対してピストンロッド222cが収縮する方向に移動して収縮位置(図3中の二点鎖線で示す位置)で停止する。
The piston 222b is slidably accommodated in the
ピストンロッド222cは、ピストン222bに取り付けられており、ピストン222bと共に移動する。ピストンロッド222cは、少なくとも第1のシリンダ221のブロック部材221dと接触可能な接触位置(図3中の実線で示す位置)と、接触しない非接触位置(図3中の二点鎖線で示す位置)との間で移動する。
The
また、第1のシリンダ221に対する第2のシリンダ222の上下方向の位置は可変であることが好ましい。これにより、第2のシリンダ222における伸長位置に移動したピストンロッド222cが、第1のシリンダ221のブロック部材221dに接触する位置が上下に変化する。
Further, it is preferable that the vertical position of the
係る弁体駆動機構220では、ピストンロッド221cが上端位置にある状態で、ピストンロッド222cを伸長位置に移動させた後、ピストンロッド221cを下降させると、ピストンロッド222cが上端位置と下端位置との間の中間位置で停止する。これにより、処理容器110の底部と弁体210との間隔は、ピストンロッド221cが上端位置にあるときの処理容器110の底部と弁体210との間隔よりも狭くなる。そのため、排気コンダクタンスが小さくなり、処理容器110内の圧力(以下「処理圧力」ともいう。)を高圧側へ制御できる。すなわち、処理圧力の調整範囲を高圧側に拡大できる。
In the valve
次に、弁体駆動機構220の動作方法について、処理装置1の処理室10において、通常プロセス、高圧プロセスをこの順序で実行し、アイドリング状態に移行させる場合を例に挙げて説明する。図4は、図3の弁体駆動機構220の動作の一例を示す図である。
Next, the operation method of the valve
ステップS1は、通常プロセスを実行するステップである。通常プロセスは、処理圧力を例えば10−3Pa以下に調整して処理を行うステップである。ステップS1では、制御部70は、第1のシリンダ221のピストンロッド221cを上端位置に移動させる。これにより、弁体210は処理容器110の底部から離間した位置に移動するので、処理容器110内と排気装置160とが排気口114を介して連通し、処理容器110内が排気される。また、ステップS1では、第2のシリンダ222のピストンロッド222cを収縮位置に移動させる。
Step S1 is a step of executing a normal process. The normal process is a step of adjusting the treatment pressure to, for example, 10 −3 Pa or less and performing the treatment. In step S1, the
ステップS2は、通常プロセスから高圧プロセスに移行させるステップである。高圧プロセスとは、通常プロセスよりも処理圧力を高くして処理を行うプロセスであり、処理圧力を例えば10−3Pa以上に調整して処理を行うプロセスである。ステップS2では、制御部70は、第2のシリンダ222のピストンロッド222cを、第1のシリンダ221のブロック部材221dに接触可能な伸長位置に移動させる。
Step S2 is a step of shifting from the normal process to the high pressure process. The high-pressure process is a process in which the treatment pressure is higher than that in the normal process, and the treatment pressure is adjusted to, for example, 10 −3 Pa or more. In step S2, the
ステップS3は、高圧プロセスを実行するステップである。ステップS3では、制御部70は、第2のシリンダ222のピストンロッド222cを伸長位置に移動させた状態で、第1のシリンダ221のピストンロッド221cを下降させる。このとき、ピストンロッド221cの下端に取り付けられたブロック部材221dがピストンロッド222cに接触することにより、上端位置と下端位置との間の中間位置で停止する。これにより、処理容器110の底部と弁体210との間隔は、ピストンロッド221cが上端位置にあるときの処理容器110の底部と弁体210との間隔よりも狭くなる。そのため、排気コンダクタンスが小さくなり、処理圧力を高圧側へ制御できる。
Step S3 is a step of executing a high pressure process. In step S3, the
ステップS4及びステップS5は、高圧プロセスからアイドリング状態に移行させるステップである。アイドリング状態とは、処理室10において処理が行われていない状態である。ステップS4では、制御部70は、第1のシリンダ221のピストンロッド221cを上昇させる。ステップS5では、制御部70は、第2のシリンダ222のピストンロッド222cを収縮させる。
Steps S4 and S5 are steps for shifting from the high pressure process to the idling state. The idling state is a state in which processing is not being performed in the
ステップS6は、アイドリングを実行するステップである。ステップS6では、制御部70は、第1のシリンダ221のピストンロッド221cを下降させる。このとき、第2のシリンダ222のピストンロッド222cは収縮位置に移動しているので、ピストンロッド221cは下端位置に移動する。これにより、弁体210がシール部材212を介して処理容器110の底部と接触する位置に移動するので、排気口114が閉じられる。そのため、処理容器110内と排気装置160との連通が遮断され、処理容器110内は排気されない。
Step S6 is a step of executing idling. In step S6, the
〔弁体駆動機構の別の例〕
第2構成例の弁体駆動機構について説明する。図5は、第2構成例の弁体駆動機構を示す図である。図6は、図5の弁体駆動機構のストッパ機構の一例を示す図であり、図5における一点鎖線A−Aにおいて弁体駆動機構を切断した断面を示す。
[Another example of valve body drive mechanism]
The valve body drive mechanism of the second configuration example will be described. FIG. 5 is a diagram showing a valve body drive mechanism of the second configuration example. 6 is a diagram showing an example of a stopper mechanism of the valve body drive mechanism of FIG. 5, and shows a cross section of the valve body drive mechanism taken along the alternate long and short dash line AA in FIG.
図5に示されるように、弁体駆動機構220Aは、カム機構225と、ストッパ機構226と、を有する。
As shown in FIG. 5, the valve
カム機構225は、弁体210を昇降させる円筒カムである。カム機構225は、筐体225aと、カム225bと、カムフォロア225cと、シャフト225dと、回転機構225eと、を有する。
The
筐体225aは、軸方向に沿って延在した筒体により形成されている。
The
カム225bは、筐体225a内に周方向に摺動可能に収容されている。カム225bは、軸方向に沿って延在した略円筒形状を有する。カム225bには、螺旋状のカム溝225fが形成されている。
The
カムフォロア225cは、カム溝225fに沿って摺動する略円筒形状の回転体である。
The
シャフト225dは、カム225bの内部にカム225bに対して軸方向に摺動可能に設けられている。シャフト225dの外周には、カムフォロア225cを回転可能に保持する円柱形状の保持部225gが設けられている。
The
回転機構225eは、回転軸225hを介してカム225bを回転させる。
The
係るカム機構225では、回転機構225eにより回転軸225hを介してカム225bを回転させることにより、カムフォロア225cがカム溝225fに沿って摺動し、シャフト225dがカム225bに対して上下に直動する。例えば、シャフト225dが図5に示される位置にある状態で、カム225bを右回りに回転させると、カムフォロア225cがカム溝225fに沿って摺動し、シャフト225dが上方に移動し、上端位置で停止する。一方、シャフト225dが上端位置にある状態で、カム225bを左回りに回転させると、カムフォロア225cがカム溝225fに沿って摺動し、シャフト225dが下方に直動し、下端位置で停止する。
In the
ストッパ機構226は、カム機構225に作用してシャフト225dを上端位置と下端位置との間の中間位置において停止させる機構である。ストッパ機構226は、センサアーム226aと、位置調整プレート226bと、中間停止用シリンダ226cと、ストッパ226dと、中間停止用センサ226eと、を有する。
The
センサアーム226aは、カム機構225の回転軸225hの下端に取り付けられており、回転軸225hと共に回転する。
The
位置調整プレート226bは、センサアーム226aの下方に設けられており、円板形状を有する。位置調整プレート226bは、センサアーム226aに対して相対的に回転可能に構成されている。
The
中間停止用シリンダ226cは、位置調整プレート226bの下面に取り付けられた流体シリンダである。流体シリンダとしては、例えばエアシリンダを利用できる。中間停止用シリンダ226cは、位置調整プレート226bに対してストッパ226dを上下に移動させる。
The
ストッパ226dは、接続部材226fを介して中間停止用シリンダ226cに接続されており、中間停止用シリンダ226cと共に上下に移動する。ストッパ226dは、少なくともセンサアーム226aと接触しない下端位置(図5中の実線で示す位置)と、センサアーム226aと接触する上端位置(図5中の二点鎖線で示す位置)との間で移動する。ストッパ226dは、上端位置に移動した状態で、センサアーム226aが所定の回転角度まで回転したときにセンサアーム226aと接触し、センサアーム226aの回転を停止させる。
The
中間停止用センサ226eは、センサアーム226aが中間位置で停止していることを検知するセンサである。中間停止用センサ226eは、例えば反射型の光学センサであってよい。なお、中間停止用センサ226eに加えて、センサアーム226aが下端位置で停止していることを検知するセンサや、センサアーム226aが上端位置で停止していることを検知するセンサが設けられていてもよい。これらのセンサは、中間停止用センサ226eと同様に、例えば反射型の光学センサであってよい。
The
係るストッパ機構226では、ストッパ226dを接触位置に移動させた後、カム225bを回転させると、回転軸225hを介してカム225bと接続されたセンサアーム226aがストッパ226dに接触して停止する。これにより、カム225bの回転が停止され、カム225bの回転に伴って上下に移動するシャフト225dが上端位置と下端位置との間の中間位置で停止する。そのため、処理容器110の底部と弁体210との間隔は、シャフト225dが上端位置にあるときの処理容器110の底部と弁体210との間隔よりも狭くなる。その結果、排気コンダクタンスが小さくなり、処理圧力を高圧側へ制御できる。すなわち、処理圧力の調整範囲を高圧側に拡大できる。
In the
また、係るストッパ機構226では、位置調整プレート226bを回転させることで、センサアーム226aに対するストッパ226dの相対角度が変化する。これにより、回転軸225hを介してセンサアーム226aと接続されたカム225bの回転が制限される角度が変化するため、シャフト225dが停止する中間位置を変更できる。
Further, in the
次に、弁体駆動機構220Aの動作方法について、処理装置1の処理室10において、通常プロセス、高圧プロセスをこの順序で実行し、アイドリング状態に移行させる場合を例に挙げて説明する。
Next, the operation method of the valve
この場合、通常プロセスでは、制御部70は弁体駆動機構220Aを制御し、処理容器110の底部から離間した位置に弁体210を移動させる。これにより、処理容器110内と排気装置160とが排気口114を介して連通し、処理容器110内が排気される。
In this case, in the normal process, the
また、高圧プロセスでは、制御部70は弁体駆動機構220Aを制御し、シャフト225dを中間位置に停止させて、処理容器110の底部と弁体210との間隔が通常プロセスよりも狭い位置に弁体210を移動させる。これにより、排気コンダクタンスが通常プロセスよりも小さくなり、処理圧力を高圧側へ制御できる。
Further, in the high pressure process, the
また、アイドリング状態では、制御部70は弁体駆動機構220Aを制御し、シール部材212を介して処理容器110の底部と接触する位置に弁体210を移動させる。
Further, in the idling state, the
〔実施例〕
次に、処理容器110の底部と弁体210との間隔Lを変更したときの処理圧力の変化を評価した。実施例では、処理容器110内の弁体210をOPEN位置、中間停止位置に設定し、ガス供給部152からポート150を介して処理容器110内にガスを20sccm〜500sccmの流量で導入したときの処理圧力を測定した。なお、OPEN位置は弁体駆動機構220のピストンロッド221cを上端位置に移動させたときの位置であり、中間停止位置は弁体駆動機構220のピストンロッド221cを中間位置に移動させたときの位置である。
〔Example〕
Next, the change in the processing pressure when the distance L between the bottom of the
図7は、ガス流量と処理圧力との関係を示す図である。図7中、ガスの流量[sccm]を横軸に示し、Pressure[%]を縦軸に示す。また、図7において、処理容器110内の弁体210をOPEN位置に設定したときの結果を三角印で示し、処理容器110内の弁体210を中間停止位置に設定したときの結果を四角印で示す。
FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the gas flow rate and the processing pressure. In FIG. 7, the gas flow rate [sccm] is shown on the horizontal axis and the pressure [%] is shown on the vertical axis. Further, in FIG. 7, a triangle mark shows the result when the
図7に示されるように、処理容器110内の弁体210を中間停止位置に設定したときの処理圧力は、処理容器110内の弁体210をOPEN位置に設定したときの処理圧力よりも高いことが分かる。このことから、弁体駆動機構220のピストンロッド221cを中間位置に移動させることにより、処理圧力を高圧側へ制御できると言える。
As shown in FIG. 7, the processing pressure when the
なお、上記の実施形態において、第1のシリンダ221及びカム機構225は昇降部の一例であり、第2のシリンダ222及びストッパ機構226は制限部の一例である。また、カム225b、カムフォロア225c及び回転軸225hは回動部の一例であり、シャフト225dは直動部の一例であり、ストッパ226dは当接部の一例である。また、中間停止用シリンダ226cは駆動部の一例であり、位置調整プレート226bは調整部の一例であり、中間停止用センサ226eは検知部の一例である。
In addition, in the above-described embodiment, the
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 The embodiments disclosed this time are to be considered as illustrative in all points and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, replaced, or modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.
上記の実施形態では、基板として半導体ウエハを例に挙げて説明したが、半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、GaAs、SiC、GaN等の化合物半導体ウエハであってもよい。また、基板は半導体ウエハに限定されず、液晶表示装置等のFPD(フラットパネルディスプレイ)に用いるガラス基板や、セラミック基板等であってもよい。 In the above embodiments, the semiconductor wafer has been described as an example of the substrate, but the semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as GaAs, SiC, or GaN. The substrate is not limited to a semiconductor wafer, and may be a glass substrate used for an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display device or a ceramic substrate.
1 処理装置
10 処理室
110 処理容器
114 排気口
160 排気装置
210 弁体
220、220A 弁体駆動機構
221 第1のシリンダ
222 第2のシリンダ
225 カム機構
225b カム
225c カムフォロア
225d シャフト
225h 回転軸
226 ストッパ機構
226c 中間停止用シリンダ
226d ストッパ
1
Claims (13)
前記排気口の全体を覆うことができる弁体と、
前記弁体を移動させて前記排気口と前記弁体との距離を調整する弁体駆動機構と、
を備え、
前記弁体駆動機構は、
前記弁体を昇降させる昇降部と、
前記昇降部に接触して前記昇降部の動作を制限する制限部と、
を有する、
処理装置。 A processing container that has an exhaust port and can decompress the inside,
A valve body that can cover the entire exhaust port,
A valve body drive mechanism for moving the valve body to adjust the distance between the exhaust port and the valve body,
Equipped with
The valve body drive mechanism,
An elevating part for elevating the valve body,
A limiter that contacts the elevating part and limits the operation of the elevating part;
Has,
Processing equipment.
前記制限部は、前記流体シリンダに接触することにより前記流体シリンダの動作を制限する、
請求項1に記載の処理装置。 The lifting unit is a fluid cylinder,
The limiting portion limits the operation of the fluid cylinder by contacting the fluid cylinder,
The processing device according to claim 1.
請求項2に記載の処理装置。 The restriction is a fluid cylinder,
The processing device according to claim 2.
回動部と、
前記回動部の回転に伴って直動し、前記弁体を支持する直動部と、
を有し、
前記制限部は、前記回動部に接触することにより前記回動部の回転を制限する、
請求項1に記載の処理装置。 The lifting unit is
A rotating part,
A linear motion section that linearly moves with the rotation of the rotary section and supports the valve body;
Have
The limiting portion limits rotation of the rotating portion by contacting the rotating portion,
The processing device according to claim 1.
請求項4に記載の処理装置。 The limiting section includes an abutting section that can come into contact with the rotating section, and a driving section that moves the abutting section between a position that contacts the rotating section and a position that does not contact the rotating section.
The processing device according to claim 4.
請求項5に記載の処理装置。 The contact portion contacts the rotating portion when the rotating portion is positioned at a predetermined rotation angle,
The processing device according to claim 5.
請求項6に記載の処理装置。 The limiting portion has an adjusting portion that adjusts a rotation angle when the contact portion contacts the rotating portion,
The processing device according to claim 6.
請求項6又は7に記載の処理装置。 The limiting section has a detection section that detects that the rotating section is located at the predetermined rotation angle.
The processing device according to claim 6.
請求項5乃至8のいずれか一項に記載の処理装置。 The drive unit is a fluid cylinder,
The processing device according to claim 5.
前記排気装置は、クライオポンプを含む、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の処理装置。 An exhaust device for exhausting the inside of the processing container through the exhaust port,
The exhaust device includes a cryopump,
The processing device according to any one of claims 1 to 9.
前記排気口の全体を覆うことができる弁体と、
前記弁体を移動させて前記排気口と前記弁体との距離を調整する弁体駆動機構と、
を備え、
前記弁体駆動機構は、
前記弁体を昇降させる昇降部と、
前記昇降部に接触して前記昇降部の動作を制限する制限部と、
を有する処理装置の動作方法であって、
前記制限部により前記昇降部の動作を制限した状態で、前記処理容器内を減圧して処理を実行するステップを含む、
処理装置の動作方法。 A processing container that has an exhaust port and can decompress the inside,
A valve body that can cover the entire exhaust port,
A valve body drive mechanism for moving the valve body to adjust the distance between the exhaust port and the valve body,
Equipped with
The valve body drive mechanism,
An elevating part for elevating the valve body,
A limiter that contacts the elevating part and limits the operation of the elevating part;
A method of operating a processing device having:
In a state where the operation of the elevating part is restricted by the restricting part, the step of depressurizing the inside of the processing container and executing the process
Operating method of processing device.
請求項11に記載の処理装置の動作方法。 Without restricting the operation of the elevating part by the restricting part, depressurizing the inside of the processing container, and performing a process,
A method for operating the processing apparatus according to claim 11.
請求項12に記載の処理装置の動作方法。 In a state in which the operation of the elevating unit is restricted by the limiting unit, the step of depressurizing the inside of the processing container and performing the process is performed without restricting the operation of the elevating unit by the limiting unit. It is a step of increasing the pressure in the processing container and executing the step, rather than performing the step of reducing the pressure.
A method for operating the processing apparatus according to claim 12.
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