JP2020119942A - Vacuum processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板に対してスパッタリング等の真空処理を行う真空処理装置に関するものである。 The present invention relates to a vacuum processing apparatus that performs vacuum processing such as sputtering on a substrate.
従来、基板に対して真空条件下での成膜処理等の真空処理を行うものとして、特許文献１に記載されるような真空処理装置が知られている。この真空処理装置は、装置外部から基板が搬入される予備室と、予備室に対して直列に連結された複数の処理室と、予備室から複数の処理室に基板を搬送するための第１の搬送路（往路）と、複数の処理室から予備室に基板を搬送するための第２の搬送路（復路）とを備えている。予備室に搬入された基板は、第１の搬送路によって各処理室に順番に搬送されて加熱された後、予備室から最も遠い処理室内で第２の搬送路に移載される。そして第２の搬送路によって往路とは逆の順番で各処理室に搬送されて、各処理室で真空処理が行われた後、予備室に戻される。 Conventionally, a vacuum processing apparatus as described in Patent Document 1 is known as one for performing vacuum processing such as film forming processing on a substrate under vacuum conditions. This vacuum processing apparatus includes a preliminary chamber into which a substrate is loaded from the outside of the apparatus, a plurality of processing chambers connected in series to the preliminary chamber, and a first chamber for transferring the substrate from the preliminary chamber to the plurality of processing chambers. And a second transfer path (return path) for transferring the substrate from the plurality of processing chambers to the preparatory chamber. The substrate carried into the preliminary chamber is sequentially transported to each processing chamber by the first transportation path and heated, and then transferred to the second transportation path in the processing chamber farthest from the preliminary chamber. Then, the second transport path transports them to the respective processing chambers in the reverse order of the forward path, performs vacuum processing in the respective processing chambers, and then returns them to the preliminary chamber.
しかしながら上記した特許文献１に記載された真空処理装置は、複数の処理室で基板の往路と復路たる２本の搬送路を共有する仕様であるため、一つの処理室に対してメンテナンスを行う場合には、他の処理室に基板を搬送することができなくなる。そのため他の全ての処理室を使用できなくなり、生産性が低下するという問題がある。また、往路から復路に基板を移載する際に基板の位置や向きがずれてしまい、その後の真空処理において均一な成膜を行えない等の問題が生じることがあった。 However, since the vacuum processing apparatus described in the above-mentioned Patent Document 1 has a specification in which a plurality of processing chambers share two transfer paths, which are a forward path and a return path for a substrate, when performing maintenance on one processing room Therefore, the substrate cannot be transferred to another processing chamber. Therefore, there is a problem that all other processing chambers cannot be used and the productivity is reduced. In addition, when the substrate is transferred from the forward path to the return path, the position and the orientation of the substrate are displaced, which may cause a problem that uniform film formation cannot be performed in the subsequent vacuum processing.
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、複数の処理室を有するものにおいて、生産性の低下を抑制し、また真空処理時における基板のずれを防止できる真空処理装置を提供することを主たる課題とするものである。 The present invention has been made in view of such a problem, and provides a vacuum processing apparatus having a plurality of processing chambers, which can suppress a decrease in productivity and prevent the displacement of a substrate during vacuum processing. This is the main issue.
すなわち本発明は、基板に対して真空処理を行う真空処理装置であって、前記基板に対して真空処理を行う複数の処理部と、前記処理部との間で前記基板が搬入出される予備室と、前記予備室と前記処理部との間で前記基板を搬送する複数の基板搬送機構とを備え、前記複数の処理部が前記予備室に対して直列に設けられており、前記複数の基板搬送機構のそれぞれが、前記複数の処理部のそれぞれに対して個別に設けられていることを特徴とする。 That is, the present invention is a vacuum processing apparatus for performing vacuum processing on a substrate, wherein a plurality of processing units for performing vacuum processing on the substrate and a preliminary chamber in which the substrate is carried in and out between the processing units. And a plurality of substrate transfer mechanisms for transferring the substrate between the preliminary chamber and the processing unit, the plurality of processing units are provided in series with the preliminary chamber, the plurality of substrates Each of the transport mechanisms is individually provided for each of the plurality of processing units.
このようなものであれば、複数の基板搬送機構のそれぞれが複数の処理部のそれぞれに対して個別に設けられているので、一つの処理部に対してメンテナンスを行う場合であっても、他の処理部に個別に設けられた基板搬送機構を用いて基板を搬送して真空処理をすることができるので、生産性の低下を抑制することができる。
また、基板搬送機構が処理部毎に設けられているので、往路と復路とで搬送路を別々にする必要が無い。そのため基板搬送機構を、例えば往路と復路の両方を兼ねる搬送路を含むように構成すれば、真空処理において基板は一つの搬送路上を往復移動すればよいので、従来のように往路から復路に基板を移載する工程がなくなり、真空処理時における基板のずれを防ぐことができる。
With such a configuration, since each of the plurality of substrate transfer mechanisms is individually provided for each of the plurality of processing units, even when performing maintenance for one processing unit, Since it is possible to carry out the vacuum processing by carrying the substrate by using the substrate carrying mechanism individually provided in the processing section, it is possible to suppress the reduction in productivity.
Further, since the substrate transfer mechanism is provided for each processing unit, there is no need to separate the transfer path for the forward path and the return path. Therefore, if the substrate transfer mechanism is configured to include, for example, a transfer path that also serves as both a forward path and a return path, the substrate may move back and forth on one transfer path in vacuum processing, and thus the substrate can be moved from the forward path to the return path as in the conventional case. Since the step of transferring the substrate is eliminated, it is possible to prevent the displacement of the substrate during the vacuum processing.
前記基板搬送機構の具体的態様として、前記予備室から前記処理部に亘って設けられた基板搬送路と、基板が載置され、前記基板搬送路に沿って往復移動可能な基板キャリアとを備えるものを挙げることができる。
ここで、基板キャリアは、基板が直接載置されるものであってもよいし、基板を保持するホルダ等を介して基板が間接的に載置されるものであってもよい。
As a specific mode of the substrate transfer mechanism, a substrate transfer path provided from the preliminary chamber to the processing section and a substrate carrier on which a substrate is placed and which can reciprocate along the substrate transfer path are provided. I can list things.
Here, the substrate carrier may be one in which the substrate is directly placed, or one in which the substrate is indirectly placed via a holder or the like that holds the substrate.
前記真空処理装置の具体的な態様として、前記複数の処理部がそれぞれ、基板に真空処理を行う処理室を備えており、前記基板搬送機構による基板の搬送方向に垂直な方向を幅方向として、前記処理部の前記処理室の幅方向の長さは、前記予備室から相対的に遠い位置にある前記処理部の前記処理室の幅方向の長さよりも長いものを挙げることができる。 As a specific aspect of the vacuum processing apparatus, each of the plurality of processing units is provided with a processing chamber for performing vacuum processing on a substrate, and a direction perpendicular to a substrate transfer direction by the substrate transfer mechanism is a width direction, The length in the width direction of the processing chamber of the processing unit may be longer than the length in the width direction of the processing chamber of the processing unit located relatively far from the preliminary chamber.
前記処理室には、プラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記生成されたプラズマ中のイオンによりスパッタリングされるターゲットとが設けられており、前記各処理部における、前記ターゲットと、個別に設けられた前記搬送機構が備える搬送路との間の距離が等しくなるように構成されていることが好ましい。
このようなものであれば、各処理部におけるスパッタリングターゲットと、真空処理を施す基板との間の距離が等しいので、各処理部におけるスパッタリングによる成膜速度を同程度にすることができる。
The processing chamber is provided with a plasma generation mechanism that generates plasma and a target that is sputtered by the ions in the generated plasma, and the target in each processing unit is provided separately. It is preferable that the distance to the transport path of the transport mechanism is the same.
With such a configuration, since the distance between the sputtering target in each processing unit and the substrate to be vacuum-processed is equal, the film formation rate by sputtering in each processing unit can be made approximately the same.
処理部の数を増やして生産性をより向上するには、予備室に対して直列に設けられた前記複数の処理部を複数列備えるように構成すればよい。 In order to increase the number of processing units and further improve the productivity, the plurality of processing units provided in series with the preliminary chamber may be provided in a plurality of rows.
このようにした本発明によれば、複数の処理室を有するものにおいて、生産性の低下を抑制し、かつ真空処理時における基板のずれを防止できる真空処理装置を提供することができる。 According to the present invention thus configured, it is possible to provide a vacuum processing apparatus having a plurality of processing chambers, which can suppress a decrease in productivity and prevent the displacement of the substrate during vacuum processing.
以下に、本発明の一実施形態に係る真空処理装置１００を図面に基づいて説明する。なお、以下に説明する真空処理装置１００は本発明の技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施形態において説明する内容は、他の実施形態にも適用可能である。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。 A vacuum processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The vacuum processing apparatus 100 described below is for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless specified otherwise. The contents described in one embodiment can be applied to other embodiments. In addition, the sizes and positional relationships of members shown in the drawings may be exaggerated for clarity of explanation.
本実施形態に係る真空処理装置１００は、例えば誘導結合プラズマを用いて基板Ｐに真空処理を施すものである。ここで基板Ｐに施す真空処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリングなどである。その他、真空処理装置１００としては、イオンビームを用いて基板Ｐに真空処理を施すものであってもよい。 The vacuum processing apparatus 100 according to this embodiment performs vacuum processing on the substrate P using, for example, inductively coupled plasma. The vacuum treatment performed on the substrate P is, for example, film formation by plasma CVD, etching, ashing, sputtering, or the like. Alternatively, the vacuum processing apparatus 100 may be one that performs vacuum processing on the substrate P using an ion beam.
具体的にこの真空処理装置１００は、図１に示すように、被処理物である基板Ｐに対して真空状態で処理する真空処理ユニット１と、真空処理ユニット１との間で基板Ｐが搬入出される基板搬入出ユニット２と、真空処理ユニット１と基板搬入出ユニット２との間で基板Ｐを搬送する基板搬送ユニット３とを備えている。 Specifically, in the vacuum processing apparatus 100, as shown in FIG. 1, a substrate P is loaded between a vacuum processing unit 1 that processes a substrate P that is an object to be processed in a vacuum state, and the vacuum processing unit 1. A substrate loading/unloading unit 2 for loading/unloading and a substrate transport unit 3 for transporting a substrate P between the vacuum processing unit 1 and the substrate loading/unloading unit 2 are provided.
真空処理ユニット１は、第１処理部１１と第２処理部１２とを備えている。第１処理部１１と第２処理部１２は互いに隣接して設けられており、基板搬入出ユニット２（具体的には、後述する予備室２２）に対して直列に並ぶようにライン状（ここでは直線状）に設けられている。第１処理部１１と第２処理部１２は真空状態に保持されるものであり、例えば真空チャンバ等の第１処理室１１１と第２処理室１２１をそれぞれ具備して構成されている。各処理室１１１、１２１にはそれぞれ、室内を真空引きするための真空ポンプ（不図示）と、基板Ｐを加熱するための基板ヒータ１１２、１２２と、プラズマを生成するプラズマ生成機構（不図示）と、当該プラズマからのイオンによってスパッタリングされるターゲット１１３、１２３等が設けられている。なおここでは、基板ヒータ１１２、１２２及びターゲット１１３、１２３は、各処理室１１１、１２１に搬入された基板の処理面に対向するように設けられている。 The vacuum processing unit 1 includes a first processing section 11 and a second processing section 12. The first processing unit 11 and the second processing unit 12 are provided adjacent to each other, and are line-shaped (here, in line with the substrate loading/unloading unit 2 (specifically, a preliminary chamber 22 described later)). It is provided in a straight line). The first processing unit 11 and the second processing unit 12 are held in a vacuum state, and are configured to include a first processing chamber 111 and a second processing chamber 121, such as a vacuum chamber, respectively. A vacuum pump (not shown) for evacuating the inside of each processing chamber 111, 121, substrate heaters 112, 122 for heating the substrate P, and a plasma generation mechanism (not shown) for generating plasma. And targets 113 and 123 that are sputtered by ions from the plasma are provided. Here, the substrate heaters 112 and 122 and the targets 113 and 123 are provided so as to face the processing surfaces of the substrates carried into the processing chambers 111 and 121.
第１処理室１１１と第２処理室１２１には互いに連通する開口がそれぞれ設けられており、第１処理室１１１と第２処理室１２１は当該開口を開閉するゲートバルブＶ１を介して連結されている。なお、本実施形態の真空処理装置１００は、基板搬入出ユニット２（具体的には予備室２２）に対して直列に設けられた第１処理室１１１と第２処理室１２１を複数列（ここでは２列）並列に備えている。複数列の第１処理室１１１及び第２処理室１２１は、互いに同様の構成を有するので、以下の説明では一つの列についてのみ代表的に説明する。 The first processing chamber 111 and the second processing chamber 121 are provided with openings that communicate with each other, and the first processing chamber 111 and the second processing chamber 121 are connected via a gate valve V 1 that opens and closes the opening. ing. In the vacuum processing apparatus 100 of the present embodiment, the first processing chamber 111 and the second processing chamber 121 that are provided in series with the substrate loading/unloading unit 2 (specifically, the preliminary chamber 22) are provided in a plurality of rows (here 2 columns are prepared in parallel. Since the plurality of rows of the first processing chamber 111 and the second processing chamber 121 have the same configuration as each other, only one row will be representatively described in the following description.
基板搬入出ユニット２は、装置外部との間で基板Ｐが搬入出されるロードロック室２１と、ロードロック室２１と第１処理室１１１との間に設けられ、各処理室１１１、１２１との間で基板Ｐが搬入出される予備室２２と、ロードロック室２１と予備室２２との間で基板Ｐの受渡しを行う基板受渡機構２３とを備える。ロードロック室２１及び予備室２２はいずれも真空チャンバにより構成されており、各室には室内を真空引きするための真空ポンプ（不図示）が設けられている。なお、ロードロック室２１には装置外部と連通する開口が形成されており、当該開口を開閉するドアバルブＶ４が設けられている。また、ロードロック室２１と予備室２２には互いに連通するための開口がそれぞれ設けられており、ロードロック室２１と予備室２２は当該開口を開閉するゲートバルブＶ２を介して連結されている。同様に、予備室２２と第１処理室１１１も、それらに設けられた互いに連通する開口を開閉するゲートバルブＶ３を介して連結されている。 The substrate loading/unloading unit 2 is provided between the load lock chamber 21 and the first processing chamber 111 for loading/unloading the substrate P to/from the outside of the apparatus, and includes the processing chambers 111 and 121. A spare chamber 22 for loading and unloading the substrate P between them and a substrate transfer mechanism 23 for transferring the substrate P between the load lock chamber 21 and the spare chamber 22 are provided. The load lock chamber 21 and the auxiliary chamber 22 are both configured by vacuum chambers, and each chamber is provided with a vacuum pump (not shown) for evacuating the chamber. An opening communicating with the outside of the device is formed in the load lock chamber 21, and a door valve V 4 that opens and closes the opening is provided. The load lock chamber 21 and the auxiliary chamber 22 are provided with openings for communicating with each other, and the load lock chamber 21 and the auxiliary chamber 22 are connected via a gate valve V 2 that opens and closes the opening. .. Similarly, the preliminary chamber 22 and the first processing chamber 111 are also connected to each other via a gate valve V 3 that opens and closes the openings provided in the preliminary chamber 22 and the first processing chamber 111, which communicate with each other.
基板受渡機構２３は、ロードロック室２１と予備室２２との間で基板Ｐを搬送する搬送ロボット２３１と、予備室２２内に設けられて、搬送ロボット２３１によって搬送された基板Ｐを受け取って保持する複数の基板保持機構２３２とを備えている。搬送ロボット２３１は、ロードロック室２１内に搬入された複数（ここでは２枚）の基板Ｐを上下複数段で水平に保持し、これを水平な姿勢を保ったまま基板保持機構２３２に受け渡すように構成されている。また逆に、基板保持機構２３２に水平に保持されている複数の基板Ｐを受け取って、これを水平な姿勢を保ったままロードロック室２１まで搬送できるように構成されている。 The substrate transfer mechanism 23 is provided in the transfer chamber 231 for transferring the substrate P between the load lock chamber 21 and the auxiliary chamber 22, and is provided in the auxiliary chamber 22 to receive and hold the substrate P transferred by the transfer robot 231. A plurality of substrate holding mechanisms 232. The transfer robot 231 horizontally holds a plurality (here, two) of substrates P carried into the load lock chamber 21 in a plurality of upper and lower stages, and transfers them to the substrate holding mechanism 232 while maintaining a horizontal posture. Is configured. On the contrary, the substrate holding mechanism 232 can be configured to receive a plurality of substrates P held horizontally and convey them to the load lock chamber 21 while maintaining a horizontal posture.
図２に示すように、基板保持機構２３２は、基板Ｐを保持する複数（ここでは２つ）のホルダ２３２ａと、ホルダ２３２ａを着脱可能に保持するとともに、これを起立させるホルダ起立機構２３２ｂとを備えている。複数のホルダ２３２ａは、いずれも基板Ｐの外周部を挟んで保持するように構成されている。複数のホルダ２３２ａは、互いに間隔を空けて複数段に配置されている。ここでは、ホルダ２３２ａは２つであり、二段に配置されている。ホルダ起立機構２３２ｂは、ホルダ２３２ａを一方向に旋回させることにより、水平状態にある複数のホルダ２３２ａを起立させて垂直状態にするものである。またホルダ起立機構２３２ｂは、ホルダ２３２ａを前記一方向とは反対方向に旋回させることにより、垂直状態にある複数のホルダ２３２ａを水平状態にするものである。なお各ホルダ２３２ａは、垂直に起立した状態で基板保持機構２３２から取り外されて、後述する基板搬送機構３１、３２が備えるキャリア上に載置できるように構成されている。 As shown in FIG. 2, the substrate holding mechanism 232 includes a plurality of (here, two) holders 232a for holding the substrates P and a holder erection mechanism 232b for detachably holding the holders 232a and raising them. I have it. Each of the plurality of holders 232a is configured to hold the outer peripheral portion of the substrate P while sandwiching it. The plurality of holders 232a are arranged in a plurality of stages with a space therebetween. Here, there are two holders 232a, and they are arranged in two stages. The holder erection mechanism 232b is configured to rotate the holder 232a in one direction so that the plurality of holders 232a in the horizontal state are erected to the vertical state. In addition, the holder erection mechanism 232b makes the plurality of holders 232a in the vertical state horizontal by rotating the holder 232a in the direction opposite to the one direction. Note that each holder 232a is configured to be detached from the substrate holding mechanism 232 in a vertically standing state and can be placed on a carrier included in substrate transfer mechanisms 31 and 32 described later.
本実施形態の真空処理装置１００は、基板保持機構２３２を左右対称に２つ備えている。各基板保持機構２３２は、複数列（具体的には２列）設けられた第１処理室１１１及び第２処理室１２１のそれぞれに対応している。２つの基板保持機構２３２は、それぞれが備えるホルダ２３２ａの姿勢（水平状態又は垂直状態）が互いに異なるように構成されている。すなわち、２つの基板保持機構２３２のそれぞれが備えるホルダ２３２ａの姿勢が交互に切り替わるように構成されている。具体的には、図３に示すように、ある状態（図３の（ａ））では一方の基板保持機構２３２のホルダ２３２ａが垂直状態であって且つ他方の基板保持機構２３２のホルダ２３２ａが水平状態であり、次の状態（図３の（ｂ））では、一方の基板保持機構２３２のホルダ２３２ａが水平状態であって且つ他方の基板保持機構２３２のホルダ２３２ａが垂直状態となるように、それぞれのホルダ起立機構２３２ｂが動作する。 The vacuum processing apparatus 100 of the present embodiment includes two substrate holding mechanisms 232 which are bilaterally symmetrical. Each substrate holding mechanism 232 corresponds to each of the first processing chamber 111 and the second processing chamber 121 provided in a plurality of rows (specifically, two rows). The two substrate holding mechanisms 232 are configured such that the holders 232a included therein have different postures (horizontal state or vertical state). That is, the posture of the holder 232a included in each of the two substrate holding mechanisms 232 is configured to be switched alternately. Specifically, as shown in FIG. 3, in a certain state ((a) of FIG. 3), the holder 232a of one substrate holding mechanism 232 is in a vertical state and the holder 232a of the other substrate holding mechanism 232 is horizontal. In the next state ((b) of FIG. 3), the holder 232a of the one substrate holding mechanism 232 is in the horizontal state and the holder 232a of the other substrate holding mechanism 232 is in the vertical state. Each holder raising mechanism 232b operates.
しかして本実施形態の真空処理装置１００では、基板搬送ユニット３が複数の基板搬送機構を備えており、各基板搬送機構が第１処理部１１及び第２処理部１２のそれぞれに対して個別に設けられている。具体的にこの基板搬送ユニット３は、予備室２２と第１処理室１１１との間で基板Ｐを搬送する第１基板搬送機構３１と、予備室２２と第２処理室１２１との間で基板Ｐを搬送する第２基板搬送機構３２とを備えている。すなわち、第１処理室１１１で真空処理される基板Ｐは第１基板搬送機構３１によって搬送され、第２処理室１２１で真空処理される基板Ｐは第２基板搬送機構３２によって搬送される。 However, in the vacuum processing apparatus 100 of the present embodiment, the substrate transfer unit 3 includes a plurality of substrate transfer mechanisms, and each substrate transfer mechanism is individually provided for each of the first processing unit 11 and the second processing unit 12. It is provided. Specifically, the substrate transfer unit 3 includes a first substrate transfer mechanism 31 that transfers a substrate P between the preliminary chamber 22 and the first processing chamber 111, and a substrate between the preliminary chamber 22 and the second processing chamber 121. And a second substrate transfer mechanism 32 that transfers P. That is, the substrate P vacuum-processed in the first processing chamber 111 is transferred by the first substrate transfer mechanism 31, and the substrate P vacuum-processed in the second processing chamber 121 is transferred by the second substrate transfer mechanism 32.
第１基板搬送機構３１は、予備室２２と第１処理室１１１との間で、１枚の基板Ｐを保持するホルダ２３２ａを垂直に起立させた状態で往復移動させるものである。具体的に第１基板搬送機構３１は、予備室２２から第１処理室１１１にわたって設けられた第１基板搬送路３１１と、基板Ｐを保持するホルダ２３２ａが載せられて、第１基板搬送路３１１に沿って進退移動可能な図示しない第１基板キャリアとを備える。 The first substrate transfer mechanism 31 reciprocates between the preliminary chamber 22 and the first processing chamber 111 with the holder 232a holding one substrate P standing vertically. Specifically, in the first substrate transfer mechanism 31, a first substrate transfer path 311 provided from the preliminary chamber 22 to the first processing chamber 111 and a holder 232a for holding the substrate P are placed, and the first substrate transfer path 311 is provided. And a first substrate carrier (not shown) that can move back and forth along.
第１基板搬送路３１１は、その一端が予備室２２内に設けられ、他端が第１処理室１１１内に設けられたものであり、具体的には直線状のレール部材から構成されている。 The first substrate transfer path 311 has one end provided in the preliminary chamber 22 and the other end provided in the first processing chamber 111, and is specifically configured by a linear rail member. ..
第１基板キャリアの底部には車輪が設けられており、当該車輪が第１基板搬送路３１１上に載せられている。また第１基板キャリアには、ラックやピニオンギア（不図示）が設けられており、モータ（不図示）の回転力によりピニオンギアが回転することで、第１基板搬送路３１１に沿って進退移動できるように構成されている。第１基板キャリアは、１枚の基板Ｐを保持する垂直に起立した状態にあるホルダ２３２ａを受け取るとともに、その状態でその上に載置できるように構成されている。 Wheels are provided at the bottom of the first substrate carrier, and the wheels are placed on the first substrate transfer path 311. Further, the first substrate carrier is provided with a rack and a pinion gear (not shown), and the pinion gear is rotated by the rotational force of a motor (not shown) to move back and forth along the first substrate transfer path 311. It is configured to be able to. The first substrate carrier is configured so as to receive the holder 232a that holds one substrate P in an upright state and can be placed on the holder 232a in that state.
第２基板搬送機構３２は、予備室２２と第２処理室１２１との間で、１枚の基板Ｐを保持するホルダ２３２ａを垂直に起立させた状態で往復移動させるものである。第２基板搬送機構３２は、予備室２２から第２処理室１２１に亘って設けられた第２基板搬送路３２１と、基板Ｐを保持するホルダ２３２ａが載せられて、第２基板搬送路３２１に沿って進退移動可能な図示しない第２基板キャリアとを備える。第２基板搬送路３２１は、その一端が予備室２２内に設けられ、他端が第２処理室１２１内に設けられたものであり、具体的な構成は、第１基板搬送路３１１と同様である。また第２基板キャリアの構成は、第１基板キャリアの構成と同様である。 The second substrate transfer mechanism 32 reciprocates between the preliminary chamber 22 and the second processing chamber 121 with the holder 232a holding one substrate P standing vertically. In the second substrate transfer mechanism 32, a second substrate transfer path 321 provided from the preliminary chamber 22 to the second processing chamber 121 and a holder 232a holding the substrate P are placed, and the second substrate transfer path 321 is provided. And a second substrate carrier (not shown) that can move back and forth along. The second substrate transfer path 321 has one end provided in the preliminary chamber 22 and the other end provided in the second processing chamber 121. The specific configuration is similar to that of the first substrate transfer path 311. Is. The configuration of the second substrate carrier is similar to that of the first substrate carrier.
各基板搬送機構３１、３２の基板搬送路３１１、３２１は搬送方向に垂直な方向（ここでは水平方向）に並んで設けられている。予備室２２に近い処理室ほどその室内を通る基板搬送路の数が多く、予備室２２から遠い処理室ほどその室内を通る基板搬送路の数が少なくなるように構成されている。ここでは、第１処理室１１１内には、２本の基板搬送路（具体的には第１基板搬送路３１１と第２基板搬送路３２１）が通っており、第２処理室１２１内には、１本の基板搬送路（具体的には第２基板搬送路３２１）が通っている。 The substrate transfer paths 311 and 321 of the substrate transfer mechanisms 31 and 32 are arranged side by side in a direction (horizontal direction here) perpendicular to the transfer direction. The processing chamber closer to the preliminary chamber 22 has a larger number of substrate transfer paths passing through the chamber, and the processing chamber farther from the preliminary chamber 22 has a smaller number of substrate transfer paths passing through the chamber. Here, two substrate transfer paths (specifically, the first substrate transfer path 311 and the second substrate transfer path 321) pass through the first processing chamber 111, and the inside of the second processing chamber 121. One substrate transport path (specifically, the second substrate transport path 321) passes through.
そして、各処理室１１１、１２１におけるターゲット１１３、１２３と、各処理室１１１、１２１に対して個別に設けられる基板搬送路３１１、３２１との間の距離は、等しくなるように構成されている。すなわち、ここでは第１ターゲット１１３と第１基板搬送路３１１との間の距離は、第２ターゲット１２３と第２基板搬送路３２１との間の距離と等しくなるように構成されている。このような構成を実現するため、各処理室１１１、１２１におけるホルダ２３２ａの搬送方向に垂直な方向（幅方向）の長さは、予備室２２に近い処理室ほど長くなるように構成されている。具体的には、第１処理室１１１の幅方向の長さは、第２処理室１２１の幅方向の長さよりも各基板搬送路３１１、３２１間の距離分だけ長くなるように構成されている。 Then, the distances between the targets 113 and 123 in the processing chambers 111 and 121 and the substrate transfer paths 311 and 321 provided individually for the processing chambers 111 and 121 are configured to be equal. That is, here, the distance between the first target 113 and the first substrate transport path 311 is configured to be equal to the distance between the second target 123 and the second substrate transport path 321. In order to realize such a configuration, the length of each processing chamber 111, 121 in the direction (width direction) perpendicular to the carrying direction of the holder 232a is configured such that the processing chamber closer to the preliminary chamber 22 has a longer length. .. Specifically, the length in the width direction of the first processing chamber 111 is configured to be longer than the length in the width direction of the second processing chamber 121 by the distance between the substrate transfer paths 311 and 321. ..
＜本実施形態の効果＞
このように構成された本実施形態の真空処理装置１００によれば、各基板搬送機構３１、３２が各処理部１１、１２のそれぞれに個別に設けられているので、一つの処理部（例えば第２処理部１２）に対してメンテナンスを行う場合であっても、他の処理部（例えば第１処理部１１）に基板Ｐを搬送して真空処理をすることができるので、生産性の低下を抑制することができる。
<Effect of this embodiment>
According to the vacuum processing apparatus 100 of the present embodiment configured as described above, since the substrate transfer mechanisms 31 and 32 are individually provided to the processing units 11 and 12, respectively, one processing unit (for example, Even when maintenance is performed on the second processing unit 12), the substrate P can be transferred to another processing unit (for example, the first processing unit 11) and vacuum processed, which reduces productivity. Can be suppressed.
また、各基板搬送機構３１、３２が有する基板搬送路３１１、３２１は、往路と復路の両方を兼ねるので、真空処理において基板Ｐは一つの基板搬送路３１１、３２１上を往復移動すればよいので、従来のような往路から復路に基板Ｐを移載することにより生じる基板Ｐのずれを防ぐことができる。これにより真空処理時における基板Ｐのずれを防ぐことができる。 Further, since the substrate transfer paths 311 and 321 included in the substrate transfer mechanisms 31 and 32 serve as both the forward path and the return path, the substrate P only needs to reciprocate on the single substrate transfer paths 311 and 321 in vacuum processing. It is possible to prevent the displacement of the substrate P caused by the transfer of the substrate P from the forward path to the return path as in the related art. Thereby, the displacement of the substrate P during the vacuum processing can be prevented.
さらに、各処理部１１、１２におけるスパッタリングターゲット１１３、１２３と、真空処理を施す基板Ｐとの間の距離が等しくなるように構成されているので、各処理部１１、１２におけるスパッタリングによる成膜速度を同程度にすることができる。 Further, since the sputtering targets 113 and 123 in the processing units 11 and 12 and the substrate P to be subjected to the vacuum processing are configured to have the same distance, the film forming rate by sputtering in the processing units 11 and 12 is set. Can be about the same.
＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
<Other modified embodiments>
The present invention is not limited to the above embodiment.
前記実施形態の真空処理装置１００では、真空処理ユニット１が予備室２２に対して直列に連結された２つの処理部１１、１２を備えていたがこれに限定されない。他の実施形態では、真空処理ユニット１は、予備室２２に対して直列に連結された３つ以上の処理部を備えていてもよい。 In the vacuum processing apparatus 100 of the above-described embodiment, the vacuum processing unit 1 includes the two processing units 11 and 12 that are connected in series to the preliminary chamber 22, but the present invention is not limited to this. In another embodiment, the vacuum processing unit 1 may include three or more processing units connected in series to the preliminary chamber 22.
前記実施形態では、真空処理ユニット１は予備室２２に対して直列に連結された複数の処理部１１、１２を２列備えていたがこれに限定されない。他の実施形態では、真空処理ユニット１は予備室２２に対して直列に連結された複数の処理部１１、１２を３列以上備えていてもよく、１列のみ備えていてもよい。 In the above-described embodiment, the vacuum processing unit 1 includes the plurality of processing units 11 and 12 connected in series to the preparatory chamber 22 in two rows, but is not limited thereto. In another embodiment, the vacuum processing unit 1 may include a plurality of processing units 11 and 12 connected in series to the preliminary chamber 22 in three or more rows, or may include only one row.
前記実施形態では、１つの処理部１１（１２）は１つの処理室１１１（１２１）から構成されていたがこれに限定されない。他の実施形態では、図４に示すように、１つの第１処理部１１が互いに直列に連結された複数（ここでは２つ）の第１処理室１１１から構成され、１つの第２処理部１２が互いに直列に連結された複数（ここでは２つ）の第２処理室１２１から構成されていてもよい。複数の第１処理室１１１の各々は、互いに異なる構成であってよく、同じ構成であってもよい。同様に、複数の第２処理室１２１の各々は、互いに異なる構成であってよく、同じ構成であってもよい。 In the above embodiment, one processing unit 11 (12) is composed of one processing chamber 111 (121), but the present invention is not limited to this. In another embodiment, as shown in FIG. 4, one first processing unit 11 is composed of a plurality (here, two) of first processing chambers 111 connected in series with each other, and one second processing unit. 12 may be composed of a plurality (here, two) of second processing chambers 121 connected in series to each other. Each of the plurality of first processing chambers 111 may have a different configuration or the same configuration. Similarly, each of the plurality of second processing chambers 121 may have a different configuration or the same configuration.
また前記実施形態では各基板搬送機構３１、３２は、基板Ｐを保持するホルダ２３２ａを垂直に立てた状態で移動させるものであったがこれに限定されない。他の実施形態の各基板搬送機構３１、３２は、基板Ｐを保持するホルダ２３２ａを水平状態で移動させるものであってもよい。 Further, in the above-described embodiment, the substrate transfer mechanisms 31 and 32 move the holder 232a holding the substrate P in a vertically standing state, but the present invention is not limited to this. Each of the substrate transfer mechanisms 31 and 32 of the other embodiment may move the holder 232a holding the substrate P in a horizontal state.
また前記実施形態では、各基板搬送機構３１、３２は、基板Ｐをホルダ２３２ａで保持した状態で搬送するように構成されていたがこれに限定されない。他の実施形態の各基板搬送機構３１、３２は、ホルダ２３２ａによって基板Ｐを保持することなく、基板Ｐのみを搬送するように構成されていてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the substrate transfer mechanisms 31 and 32 are configured to transfer the substrate P while being held by the holder 232a, but the present invention is not limited to this. Each of the substrate transfer mechanisms 31 and 32 of the other embodiment may be configured to transfer only the substrate P without holding the substrate P by the holder 232a.
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。 Besides, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
１００ ・・・真空処理装置
１ ・・・真空処理ユニット
１１ ・・・第１処理部
１２ ・・・第２処理部
２ ・・・基板搬入出ユニット
３ ・・・基板搬送ユニット
３１ ・・・第１基板搬送機構
３２ ・・・第２基板搬送機構
Ｐ ・・・基板
100... Vacuum processing apparatus 1... Vacuum processing unit 11... 1st processing part 12... 2nd processing part 2... Substrate loading/unloading unit 3... Substrate transfer unit 31... 1 substrate transport mechanism 32... second substrate transport mechanism P... substrate
Claims (5)
前記基板に対して真空処理を行う複数の処理部と、
前記処理部との間で前記基板が搬入出される予備室と、
前記予備室と前記処理部との間で前記基板を搬送する複数の基板搬送機構と
を備え、
前記複数の処理部が前記予備室に対して直列に設けられており、
前記複数の基板搬送機構のそれぞれが、前記複数の処理部のそれぞれに対して個別に設けられている真空処理装置。 A vacuum processing apparatus for performing vacuum processing on a substrate,
A plurality of processing units that perform vacuum processing on the substrate;
A preliminary chamber in which the substrate is loaded and unloaded from the processing unit;
A plurality of substrate transfer mechanisms for transferring the substrate between the preliminary chamber and the processing unit,
The plurality of processing units are provided in series with the preliminary chamber,
A vacuum processing apparatus in which each of the plurality of substrate transfer mechanisms is individually provided for each of the plurality of processing units.
前記予備室から前記処理部に亘って設けられた基板搬送路と、
基板が載置され、前記基板搬送路に沿って往復移動可能な基板キャリアと
を備える、請求項１に記載の真空処理装置。 Each of the plurality of substrate transfer mechanisms,
A substrate transfer path provided from the preliminary chamber to the processing section,
The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising: a substrate carrier on which a substrate is placed and which can reciprocate along the substrate transport path.
前記基板搬送機構による基板の搬送方向に垂直な方向を幅方向として、前記処理部の前記処理室の幅方向の長さは、前記予備室から相対的に遠い位置にある前記処理部の前記処理室の幅方向の長さよりも長い請求項１又は２に記載の真空処理装置。 Each of the plurality of processing units includes a processing chamber that performs a vacuum process on the substrate,
The width of the processing chamber of the processing unit in the width direction is a direction perpendicular to the substrate transport direction of the substrate transport mechanism, and the length of the processing chamber in the width direction is relatively far from the preliminary chamber. The vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2, which is longer than the length of the chamber in the width direction.
前記各処理部における、前記ターゲットと、個別に設けられた前記搬送機構が備える搬送路との間の距離が等しくなるように構成された請求項２を引用する請求項３に記載の真空処理装置。 The processing chamber is provided with a plasma generation mechanism for generating plasma and a target that is sputtered by ions in the generated plasma,
The vacuum processing apparatus according to claim 3, wherein the target and the transport path provided in the transport mechanism provided separately in each of the processing units are configured to have the same distance. ..
Priority Applications (1)
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