JP2020115105A - 磁気検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】外乱磁界の影響を抑制することの可能な磁気検出装置を提供する。【解決手段】磁気検出装置1は、測定対象物70により生じる磁界変化を検出する。磁気検出装置1は、交番磁界を発生するコイル5と、コイル5の発生する磁界が印加される磁気抵抗効果素子を含むセンサ部30と、コイル5の内周側に設けられてセンサ部30を内側に囲む磁性体7と、を有する。コイル5は、自身の周回軸と平行に延びる筒状である。センサ部30は、コイル5の内側かつコイル5の長さ範囲内に存在する。磁性体7は、コイル5の周回軸と略平行な筒形状である。磁性体7は、コイル5の周回軸方向においてコイル5よりも長い。コイル5と磁性体7は、コイル5の周回軸方向における測定対象物70側の一端が、前記周回軸方向において互いに同じ位置にある。センサ部30は、コイル5の測定対象物70に近い一端寄りに設けられる。【選択図】図1
Description
本発明は、測定対象物により生じる磁界変化を検出する磁気検出装置に関する。
下記特許文献1は、磁気検知装置を開示する。この磁気検知装置は、交番磁界を発生する印加コイルと、測定対象物による前記交番磁界の変化を検知する磁気センサと、を備える。
測定対象物による交番磁界の変化は小さいため、従来の磁気検知装置では、外乱磁界の影響を受けやすいという問題があった。
本発明はこうした状況を認識してなされたものであり、その目的は、外乱磁界の影響を抑制することの可能な磁気検出装置を提供することにある。
本発明のある態様は、磁気検出装置である。この磁気検出装置は、
測定対象物により生じる磁界変化を検出する磁気検出装置であって、
コイルと、
前記コイルに交番磁界を発生させるための信号を印加する信号印加部と、
前記コイルの発生する磁界が印加される少なくとも1つの磁気感応素子を含むセンサ部と、
前記コイルの内周側に設けられ、前記センサ部を内側に囲む磁性体と、を有する。
測定対象物により生じる磁界変化を検出する磁気検出装置であって、
コイルと、
前記コイルに交番磁界を発生させるための信号を印加する信号印加部と、
前記コイルの発生する磁界が印加される少なくとも1つの磁気感応素子を含むセンサ部と、
前記コイルの内周側に設けられ、前記センサ部を内側に囲む磁性体と、を有する。
前記コイルの周回軸は第1方向と平行であり、
前記磁性体は、前記第1方向の両側が開放であってもよい。
前記磁性体は、前記第1方向の両側が開放であってもよい。
前記コイルは、自身の周回軸と平行に延びる筒状であり、
前記センサ部は、前記コイルの内側かつ前記コイルの長さ範囲内に存在し、
前記磁性体は、前記コイルの周回軸と略平行な筒形状であってもよい。
前記センサ部は、前記コイルの内側かつ前記コイルの長さ範囲内に存在し、
前記磁性体は、前記コイルの周回軸と略平行な筒形状であってもよい。
前記コイルの周回軸方向における前記磁性体の長さが、同方向における前記コイルの長さ以上であってもよい。
前記コイルと前記磁性体は、前記コイルの周回軸方向における測定対象物側の一端が、前記周回軸方向において互いに同じ位置にあってもよい。
前記センサ部は、前記コイルの内側かつ前記コイルの測定対象物に近い一端寄りに設けられてもよい。
前記センサ部の出力信号を同期検波する信号処理部を有してもよい。
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法やシステムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明によれば、外乱磁界の影響を抑制することの可能な磁気検出装置を提供することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を詳述する。なお、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材等には同一の符号を付し、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は発明を限定するものではなく例示であり、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本実施の形態は、測定対象物70により生じる磁界変化を検出する磁気検出装置1に関する。図1及び図2により、磁気検出装置1の互いに直行するXYZ軸を定義する。磁気検出装置1は、本実施の形態の例では、自身と測定対象物70との距離を測定する近接センサである。測定対象物70は、非導電性の軟磁性体、非磁性の導体、又は導体かつ軟磁性体である。磁気検出装置1の+Z方向側に測定対象物70が位置する。磁気検出装置1は、回転センサや移動体検出装置等としても好適に利用できる。磁気検出装置1は、コイル(印加コイル)5と、磁性体(磁気シールド体)7と、基板10と、磁気感応素子チップ20と、集磁体(スプリッタ)25と、を備える。
コイル5は、銅等の導線(絶縁被覆線)を多数回巻いて、第1方向としてのZ方向と平行でZ方向の両端が開放の筒状(ここでは円筒状)に成形したものである。図示は省略したが、コイル5の内側に、巻枠となるボビンを設けてもよい。磁性体7は、例えばフェライトやパーマロイである。磁性体7は、Z方向と平行でZ方向の両端が開放の筒状(ここでは円筒状)である。Z方向から見た磁性体7の外寸は、Z方向から見たコイル5の内寸よりも小さい。磁性体7は、コイル5の内周側にコイル5と同軸に設けられ、後述のセンサ部30を内側に囲む。磁性体7のZ方向における長さは、コイル5のZ方向における長さ以上である。コイル5と磁性体7は、+Z方向側(測定対象物70側)の端部がZ方向において互いに同じ位置にある。
基板10は、Y方向と垂直であって、磁性体7の内周側に設けられ又は延在する。基板10の+Y方向側の面に、磁気感応素子チップ20及び集磁体25が設けられる。基板10の電極11と磁気感応素子チップ20は、基板10の配線パターン13によって互いに電気的に接続される。基板10及び集磁体25の+Z方向側の端部は、Z方向において磁性体7の+Z方向側の端部と同じ位置にある。磁気感応素子チップ20は、磁気感応素子としての磁気抵抗効果素子21〜24を有する。集磁体25は、磁気感応素子チップ20の+Z方向側の面に設けられる。磁気抵抗効果素子21〜24及び集磁体25は、センサ部30を構成する。センサ部30は、コイル5の内側かつコイル5の長さ範囲内においてコイル5の+Z方向側の端部寄りとなる位置に設けられる。磁気抵抗効果素子21〜24は、磁気感応素子チップ20内の+Z方向側の端部近傍に位置する。磁気抵抗効果素子21〜24の感磁面は、Z方向と垂直である。図2に示すように、磁気抵抗効果素子21〜24のピン層(固定層)磁化方向は、ここではいずれも+X方向である。
磁気抵抗効果素子21、22は、集磁体25の−X方向側に配置される。磁気抵抗効果素子23、24は、集磁体25の+X方向側に配置される。集磁体25は、直方体の例えばフェライトである。集磁体25は、コイル5の発生するZ方向と平行な磁界を、磁気抵抗効果素子21〜24の位置においてX方向の成分を有するように曲げる役割を持つ。磁気抵抗効果素子21〜24の感磁面はいずれもZ方向と垂直であるが、集磁体25があることで、センサ部30全体としてはZ方向の磁界強度を検出可能となっている。すなわち、センサ部30の検知方向はZ方向である。集磁体25のXY方向における中心位置は、磁性体7の中心軸の位置と略一致する。磁気抵抗効果素子21、22と、磁気抵抗効果素子23、24は、磁性体7のX方向の中央を含みX方向と垂直な平面(図示せず)を挟んで対称となる配置である。磁気抵抗効果素子21〜24は、Y方向において、集磁体25の長さ範囲内に存在する。
図6は、磁気検出装置1の概略回路図である。センサ部30において、磁気抵抗効果素子21〜24はフルブリッジ接続される。図6において磁気抵抗効果素子21〜24にそれぞれ付された斜め方向の矢印は、コイル5が−Z方向の磁界を発生しているときの、無磁界時と比較した抵抗値変化を示す。すなわち、コイル5が−Z方向の磁界を発生しているとき、集磁体25の作用により、磁気抵抗効果素子21、22の位置では磁界が−X方向の成分(ピン層磁化方向と逆向きの成分)を持ち、磁気抵抗効果素子23、24の位置では磁界が+X方向の成分(ピン層磁化方向と同じ向きの成分)を持つため、磁気抵抗効果素子21、22の抵抗値は無磁界時と比較して高くなり、磁気抵抗効果素子23、24の抵抗値は無磁界時と比較して低くなる。コイル5が+Z方向の磁界を発生しているとき磁気抵抗効果素子21〜24の抵抗値変化は、コイル5が−Z方向の磁界を発生しているときと逆になる。
磁気抵抗効果素子21、23の一端は、電源電圧V+が供給される正側電源ラインに接続される。磁気抵抗効果素子21の他端は、磁気抵抗効果素子24の一端に接続される。磁気抵抗効果素子23の他端は、磁気抵抗効果素子22の一端に接続される。磁気抵抗効果素子22、24の他端は、電源電圧V−が供給される負側電源ラインに接続される。磁気抵抗効果素子21、24の相互接続点は、第1演算増幅器51の非反転入力端子に接続される。磁気抵抗効果素子22、23の相互接続点は、第1演算増幅器51の反転入力端子に接続される。
検出部・増幅回路50において、第1演算増幅器51の出力端子は、コイル等の磁界発生導体52の一端に接続される。磁界発生導体52は、磁気平衡用であって、第1演算増幅器51の出力電流が流れることにより、センサ部30を磁気平衡状態にする負帰還磁界を発生する。磁気平衡状態は、センサ部30に印加されるトータルの磁界が、センサ部30の出力電圧(第1演算増幅器51への入力電圧)を所定値(例えばゼロ)にする状態である。センサ部30に印加される測定対象磁界と、センサ部30を磁気平衡状態にするために必要な負帰還磁界と、が比例関係にあるため、負帰還磁界を発生させるために磁界発生導体52に流れる負帰還電流により、測定対象磁界を検出できる。
磁界発生導体52の他端は、ボルテージフォロワ(バッファ)である第2演算増幅器54の非反転入力端子に接続される。磁界発生導体52の他端とグランドとの間に、抵抗53が接続される。抵抗53は、磁界発生導体52に流れる負帰還電流を電圧に変換する電流電圧変換抵抗である。第2演算増幅器54の反転入力端子は、第2演算増幅器54の出力端子に接続される。第2演算増幅器54の出力端子は、抵抗55の一端に接続される。抵抗55の他端は、第3演算増幅器56の反転入力端子に接続される。第3演算増幅器56の非反転入力端子は、グランドに接続される。第3演算増幅器56の反転入力端子と出力端子との間に、抵抗57が設けられる。抵抗55、第3演算増幅器56、及び抵抗57は、抵抗55と抵抗57との抵抗比で増幅率が決まる反転増幅器を構成する。反転増幅器は一例であり、非反転増幅器や、ハイパスフィルタあるいはローパスフィルタと増幅器を組み合わせた構成であってもよい。第3演算増幅器56の出力信号は、検波回路61に入力される。
発振回路62は、単一周波数の正弦波信号を検波回路61及びコイル駆動回路63に印加する。コイル駆動回路63は、発振回路62の出力信号をコイル5の駆動に適した電流に変換してコイル5に供給する増幅回路である。発振回路62とコイル駆動回路63は、信号印加部を構成する。信号処理部を構成する検波回路61は、第3演算増幅器56の出力信号を発振回路62の出力信号により同期検波する。検波回路61は、具体的には例えば、第3演算増幅器56の出力信号と発振回路62の出力信号とを乗算する乗算回路と、この乗算回路の出力信号を通すローパスフィルタと、を有する。検波回路61の出力信号が、磁気検出装置1のセンサ出力となる。
測定対象物70が非磁性の導体(例えばアルミ)の場合、測定対象物70と磁気検出装置1との距離D(図1)が小さいほど、コイル5の発生する交番磁界によって測定対象物70に発生する渦電流が大きくなる。渦電流が発生する磁界は、磁気抵抗効果素子21〜24の位置において、コイル5の発生する交番磁界と反対向きである。このため、渦電流が大きいほど、すなわち測定対象物70と磁気検出装置1との距離Dが小さいほど、磁気検出装置1のセンサ出力は小さくなる。
測定対象物70が非導電性の軟磁性体の場合、測定対象物70と磁気検出装置1との距離D(図1)が小さいほど、測定対象物70の集磁作用が強くなり、磁気抵抗効果素子21〜24の位置における磁界が大きくなる。このため、測定対象物70と磁気検出装置1との距離Dが小さいほど、磁気検出装置1のセンサ出力は大きくなる。
測定対象物70が導体かつ軟磁性体である場合、導体である測定対象物70に発生する渦電流が磁気抵抗効果素子21〜24の位置における磁界を弱める作用と、軟磁性体である測定対象物70の存在により磁気抵抗効果素子21〜24の位置における磁界が強められる作用と、が併存し、相対的に強い作用の影響がセンサ出力に残ることになる。
図7は、コイル5に交番磁界を発生させた場合に測定対象物70に発生する渦電流のシミュレーション結果を、実施の形態の磁気検出装置1と、磁気検出装置1から磁性体7を無くした比較例の磁気検出装置と、の間で比較したグラフである。測定対象物70は、非磁性の導体とした。図7より、磁性体7を設けることで、コイル5に交番磁界を発生させた場合に測定対象物70に発生する渦電流を大きくすることができ、測定対象物70が存在する場合と存在しない場合との間におけるセンサ出力の差を大きくできることが明らかとなった。
図8は、磁気検出装置1のコイル5に信号を印加した場合における、測定対象物70が存在しない場合の磁界強度の分布を示すシミュレーション図である。図9は、磁気検出装置1から磁性体7を無くした比較例の磁気検出装置のコイル5に信号を印加した場合における、測定対象物70が存在しない場合の磁界強度の分布を示すシミュレーション図である。図8及び図9の比較より、磁性体7を設けることで、コイル5から+Z方向のより遠くに強い磁界を到達させられること、すなわち測定対象物70の位置が同じであればより強い磁界を測定対象物70に印加できることが明らかとなった。
本実施の形態によれば、下記の効果を奏することができる。
(1) 磁性体7はセンサ部30の検知方向(Z方向)の両側を除いてセンサ部30を囲むため、センサ部30における外乱磁界を低減できる。特に、検知方向以外の方向から磁気検出装置1に向かう外乱磁界がセンサ部30に及ぼす影響を低減できる。一方、磁性体7はセンサ部30の検知方向(Z方向)の両側が開放のため、センサ部30に印加される検知方向の磁界が磁性体7により弱まって感度が低下することを抑制できる。すなわち、外乱磁界の影響低減と感度低下の抑制とをバランス良く実現できる。
(2) 磁性体7がコイル5の内周側に設けられるため、磁性体7がコイル5の外周側に設けられる場合、及び磁性体7が設けられない場合と比較して、コイル5の発生する磁界の+Z方向への到達距離を伸ばすことができる。これにより、測定対象物70の位置が同じであればより強い磁界を測定対象物70に印加でき、外乱磁界のシールド性能を確保しながら感度を向上させることができる。
(3) 磁性体7がZ方向においてコイル5と同等以上の長さを有するため、磁性体7がZ方向においてコイル5よりも短い場合と比較して、外乱磁界に対するシールド性能が高められる。
(4) コイル5と磁性体7の+Z方向側(測定対象物70側)の端部をZ方向において互いに同じ位置としているため、コイル5と磁性体7の双方を測定対象物70側に最大限に寄せることができる。このため、コイル5と磁性体7の一方が他方よりも−Z方向側に引っ込んでいる場合と異なり、コイル5から測定対象物70に印加される磁界強度と、磁性体7による外乱磁界のシールド性能と、の双方を高く確保できる。
(5) センサ部30がコイル5の内側かつコイル5の長さ範囲内においてコイル5の+Z方向側(測定対象物70側)の端部寄りに設けられるため、センサ部30がコイル5の−Z方向側の端部寄りに設けられる場合と比較して、測定対象物70による磁界変化を高感度で検出できる。
以上、実施の形態を例に本発明を説明したが、実施の形態の各構成要素や各処理プロセスには請求項に記載の範囲で種々の変形が可能であることは当業者に理解されるところである。以下、変形例について触れる。
磁気抵抗効果素子21〜24をフルブリッジ接続は、2つの磁気抵抗効果素子をハーフブリッジ接続に替えてもよく、また1つの磁気抵抗効果素子と固定抵抗器とのハーフブリッジ接続に替えてもよい。磁気感応素子は、GMR素子等の磁気抵抗効果素子に限定されず、ホール素子等の他の種類のものであってもよい。測定対象物70は、凹凸あるいは貫通孔を有する回転体(移動体)や直線移動体であってもよい。磁気検出装置1は、実施の形態で例示した磁気平衡式に限定されず、磁気比例式であってもよい。この場合、磁界発生導体52及び抵抗53を省略し、第1演算増幅器51の出力信号を第2演算増幅器54の非反転入力端子に入力すればよい。
1 磁気検出装置、5 コイル(印加コイル)、7 磁性体(磁気シールド体)、10 基板、11 電極、13 配線パターン、20 磁気感応素子チップ、21〜24 磁気抵抗効果素子、25 集磁体(スプリッタ)、30 センサ部、51 第1演算増幅器、52 磁界発生導体、53 抵抗、54 第2演算増幅器、55 抵抗、56 第3演算増幅器、57 抵抗、61 検波回路、62 発振回路、63 コイル駆動回路、70 測定対象物
Claims (7)
- 測定対象物により生じる磁界変化を検出する磁気検出装置であって、
コイルと、
前記コイルに交番磁界を発生させるための信号を印加する信号印加部と、
前記コイルの発生する磁界が印加される少なくとも1つの磁気感応素子を含むセンサ部と、
前記コイルの内周側に設けられ、前記センサ部を内側に囲む磁性体と、を有する、磁気検出装置。 - 前記コイルの周回軸は第1方向と平行であり、
前記磁性体は、前記第1方向の両側が開放である、請求項1に記載の磁気検出装置。 - 前記コイルは、自身の周回軸と平行に延びる筒状であり、
前記センサ部は、前記コイルの内側かつ前記コイルの長さ範囲内に存在し、
前記磁性体は、前記コイルの周回軸と略平行な筒形状である、請求項1又は2に記載の磁気検出装置。 - 前記コイルの周回軸方向における前記磁性体の長さが、同方向における前記コイルの長さ以上である、請求項1から3のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
- 前記コイルと前記磁性体は、前記コイルの周回軸方向における測定対象物側の一端が、前記周回軸方向において互いに同じ位置にある、請求項1から4のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
- 前記センサ部は、前記コイルの内側かつ前記コイルの測定対象物に近い一端寄りに設けられる、請求項1から5のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
- 前記センサ部の出力信号を同期検波する信号処理部を有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
Priority Applications (1)
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