JP2020112600A - Display - Google Patents

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inorganic insulating
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一秀 望月
Kazuhide Mochizuki
一秀 望月
真 内田
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真 内田
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    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Abstract

To provide a display that can prevent a deterioration in display quality.SOLUTION: A display comprises: an insulating substrate; a first inorganic insulating film; a second inorganic insulating film; a color filter that is provided between the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film; a first switching element that is provided in a display area for displaying an image; a pixel electrode that is provided on the color filter and is electrically connected to the first switching element; and a second switching element that is provided in a peripheral area around the display area. The first switching element includes a first semiconductor layer formed of an oxide semiconductor. The second switching element includes a second semiconductor layer formed of a polycrystalline silicon semiconductor. The first semiconductor layer is provided between the color filter and the second inorganic insulating film. The second semiconductor layer is provided between the insulating substrate and the first inorganic insulating film.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to a display device.

液晶表示装置などの表示装置において、酸化物半導体層を備えた第1スイッチング素子と、多結晶シリコン半導体層を備えた第2スイッチング素子とを組み合わせる技術が提案されている。例えば、第1スイッチング素子は各画素に設けられ、第2スイッチング素子は周辺回路に設けられている。
近年の表示装置においては、さらなる高精細化の要望が高まり、一画素のサイズが縮小する傾向にある。このため、画素電極を備えた第1基板と、カラーフィルタ層を備えた第2基板とを貼り合わせる際に、許容されるマージンが小さくなりつつある。すなわち、第1基板と第2基板との間にズレが生じた場合、隣り合う画素の色が混ざって視認される混色や、所望の色度とは異なる色度の色が視認される色ずれなどが生じ、表示品位の劣化を招くおそれがある。
In a display device such as a liquid crystal display device, a technique of combining a first switching element including an oxide semiconductor layer and a second switching element including a polycrystalline silicon semiconductor layer has been proposed. For example, the first switching element is provided in each pixel, and the second switching element is provided in the peripheral circuit.
In display devices in recent years, there is a growing demand for higher definition, and the size of one pixel tends to decrease. Therefore, when the first substrate having the pixel electrode and the second substrate having the color filter layer are bonded together, the allowable margin is becoming smaller. That is, when a deviation occurs between the first substrate and the second substrate, a color mixture in which colors of adjacent pixels are visually recognized as a mixture or a color shift in which a color having a chromaticity different from a desired chromaticity is visually recognized. And the like, which may cause deterioration in display quality.

特開2010−39810号公報JP, 2010-39810, A

本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。 An object of the present embodiment is to provide a display device capable of suppressing deterioration of display quality.

本実施形態によれば、
絶縁基板と、第1無機絶縁膜と、第2無機絶縁膜と、前記第1無機絶縁膜と前記第2無機絶縁膜との間に設けられたカラーフィルタと、画像を表示する表示領域に設けられた第1スイッチング素子と、前記カラーフィルタの上に設けられ、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、前記表示領域の周囲の周辺領域に設けられた第2スイッチング素子と、を備え、前記第1スイッチング素子は、酸化物半導体からなる第1半導体層を備え、前記第2スイッチング素子は、多結晶シリコン半導体からなる第2半導体層を備え、前記第1半導体層は、前記カラーフィルタと前記第2無機絶縁膜との間に設けられ、前記第2半導体層は、前記絶縁基板と前記第1無機絶縁膜との間に設けられている、表示装置が提供される。
According to this embodiment,
An insulating substrate, a first inorganic insulating film, a second inorganic insulating film, a color filter provided between the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film, and a display area for displaying an image. A first switching element, a pixel electrode provided on the color filter and electrically connected to the first switching element, and a second switching element provided in a peripheral region around the display region. , The first switching element comprises a first semiconductor layer made of an oxide semiconductor, the second switching element comprises a second semiconductor layer made of a polycrystalline silicon semiconductor, and the first semiconductor layer comprises: A display device is provided, which is provided between the color filter and the second inorganic insulating film, and the second semiconductor layer is provided between the insulating substrate and the first inorganic insulating film.

図1は、本実施形態に係る表示装置DSPの構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the display device DSP according to this embodiment. 図2は、第1基板SUB1の副画素SP(R)、SP(G)、SP(B)を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the sub-pixels SP(R), SP(G) and SP(B) of the first substrate SUB1. 図3は、第1基板SUB1の副画素SP(R)、SP(G)、SP(B)を示す他の平面図である。FIG. 3 is another plan view showing the sub-pixels SP(R), SP(G) and SP(B) of the first substrate SUB1. 図4は、図3に示したA−B線に沿った表示パネルPNLの断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the display panel PNL taken along the line AB shown in FIG. 図5は、図3に示したC−D線に沿った表示パネルPNLの断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the display panel PNL taken along line CD shown in FIG. 図6は、図3に示したE−F線に沿った表示パネルPNLの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the display panel PNL taken along the line EF shown in FIG. 図7は、図1に示した第2スイッチング素子SW2を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing the second switching element SW2 shown in FIG. 図8は、表示パネルPNLの変形例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a modified example of the display panel PNL. 図9は、変形例における第2スイッチング素子SW2を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the second switching element SW2 in the modified example. 図10は、変形例における他の周辺領域SAを示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing another peripheral area SA in the modified example.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and a person having ordinary skill in the art can easily think of appropriate modifications while keeping the gist of the invention, and are naturally included in the scope of the invention. Further, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual mode, but this is merely an example, and It does not limit the interpretation. Further, in the present specification and the drawings, constituent elements that exhibit the same or similar functions as those described above with respect to the already-existing drawings are designated by the same reference numerals, and redundant detailed description may be appropriately omitted. ..

本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。 In the present embodiment, a liquid crystal display device will be described as an example of the display device. The main configuration disclosed in the present embodiment includes a self-luminous display device having an organic electroluminescence display element and the like, an electronic paper type display device having an electrophoretic element and the like, and a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). The present invention can also be applied to a display device to which it is applied or a display device to which electrochromism is applied.

図1は、本実施形態に係る表示装置DSPの構成を示す平面図である。表示装置DSPは、表示パネルPNLと、照明装置ILと、を備えている。表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、液晶層LCと、を備えている。液晶層LCは、表示機能層の一例であり、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に封入されている。 FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the display device DSP according to this embodiment. The display device DSP includes a display panel PNL and an illumination device IL. The display panel PNL includes a first substrate SUB1, a second substrate SUB2, and a liquid crystal layer LC. The liquid crystal layer LC is an example of a display function layer, and is enclosed between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2.

表示パネルPNLは、第1基板SUB1と第2基板SUB2とが重なる領域において、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAの周囲の周辺領域SAと、を備えている。表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。複数の画素PXは、マトリクス状に配置されている。 The display panel PNL includes a display area DA for displaying an image and a peripheral area SA around the display area DA in an area where the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 overlap each other. The display panel PNL includes a plurality of pixels PX in the display area DA. The plurality of pixels PX are arranged in a matrix.

第1基板SUB1は、表示領域DAにおいて、複数本の走査線Gと、複数本の信号線Sと、を備えている。走査線Gは、各々第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。信号線Sは、各々第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。図1に示した例では、走査線G及び信号線Sを直線で示しているが、走査線G及び信号線Sは屈曲或いは蛇行していてもよい。また、第1基板SUB1は、周辺領域SAにおいて、走査線駆動回路GDと、信号線駆動回路SDと、を備えている。走査線Gは、走査線駆動回路GDと電気的に接続されている。信号線Sは、信号線駆動回路SDと電気的に接続されている。 The first substrate SUB1 includes a plurality of scanning lines G and a plurality of signal lines S in the display area DA. The scanning lines G extend in the first direction X and are arranged in the second direction Y. The signal lines S extend in the second direction Y and are arranged in the first direction X. In the example shown in FIG. 1, the scanning lines G and the signal lines S are shown by straight lines, but the scanning lines G and the signal lines S may be bent or meandered. Further, the first substrate SUB1 includes a scanning line drive circuit GD and a signal line drive circuit SD in the peripheral area SA. The scanning line G is electrically connected to the scanning line driving circuit GD. The signal line S is electrically connected to the signal line drive circuit SD.

画素PXは、複数の副画素SPを備えている。各副画素SPは、例えば、隣り合う2本の走査線Gと隣り合う2本の信号線Sとによって区画された領域に相当する。なお、本開示においては、副画素を単に画素と呼ぶことがある。図1に示した例では、1つの画素PXは、3つの副画素SP(R)、SP(G)、SP(B)を備えている。副画素SP(R)は赤を表示し、副画素SP(G)は緑を表示し、副画素SP(B)は青を表示する。但し、画素PXは、より多くの副画素SPを備えてもよい。また、副画素SPが表示する色は、赤、緑、青に限られず、白や黄などの他の色であってもよい。 The pixel PX includes a plurality of subpixels SP. Each sub-pixel SP corresponds to, for example, a region partitioned by two adjacent scanning lines G and two adjacent signal lines S. Note that in the present disclosure, the subpixel may be simply referred to as a pixel. In the example shown in FIG. 1, one pixel PX includes three sub-pixels SP(R), SP(G) and SP(B). The sub-pixel SP(R) displays red, the sub-pixel SP(G) displays green, and the sub-pixel SP(B) displays blue. However, the pixel PX may include more sub-pixels SP. The colors displayed by the sub-pixels SP are not limited to red, green, and blue, and may be other colors such as white and yellow.

各副画素SPにおいて、第1基板SUB1は、第1スイッチング素子SW1と、画素電極PEと、を備えている。第1スイッチング素子SW1は、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。画素電極PEは、第1スイッチング素子SW1と電気的に接続されている。また、第1基板SUB1は、共通電極CEを備えている。共通電極CEは、複数の副画素SPに対して共通に設けられている。なお、共通電極CEは、第2基板SUB2に設けられていてもよい。 In each subpixel SP, the first substrate SUB1 includes a first switching element SW1 and a pixel electrode PE. The first switching element SW1 is electrically connected to the scanning line G and the signal line S. The pixel electrode PE is electrically connected to the first switching element SW1. The first substrate SUB1 also includes a common electrode CE. The common electrode CE is provided commonly to the plurality of sub-pixels SP. The common electrode CE may be provided on the second substrate SUB2.

第1基板SUB1は、第2基板SUB2と重ならない端子領域TAを備えている。図1に示した例において、ICチップ1及びフレキシブルプリント回路基板2は、端子領域TAに実装されている。なお、ICチップ1は、フレキシブルプリント回路基板2に実装されていてもよい。例えば、ICチップ1は、共通電極CE、走査線駆動回路GD及び信号線駆動回路SDと電気的に接続されている。ICチップ1は、共通電極CEに対して、コモン電圧Vcomを供給する。ICチップ1は、走査線駆動回路GD及び信号線駆動回路SDに対して、各種信号を供給する。信号線駆動回路SDは、各信号線Sに映像信号を供給する。走査線駆動回路GDは、複数の垂直回路40を備えている。例えば、各垂直回路40は、シフトレジスタやバッファを備えている。垂直回路40は、走査線Gに走査信号を供給する。垂直回路40は、後述する第2スイッチング素子SW2を備えている。なお、信号線駆動回路SDなどの周辺領域SAに設けられた他の回路が第2スイッチング素子SW2を備えてもよい。このように、第1基板SUB1は、表示領域DAに設けられた第1スイッチング素子SW1と、周辺領域SAに設けられた第2スイッチング素子SW2と、を備えている。後述するが、第1スイッチング素子SW1は透明な酸化物半導体からなる第1半導体層を備え、第2スイッチング素子SW2は多結晶シリコン半導体からなる第2半導体層を備えている。 The first substrate SUB1 includes a terminal area TA that does not overlap the second substrate SUB2. In the example shown in FIG. 1, the IC chip 1 and the flexible printed circuit board 2 are mounted in the terminal area TA. The IC chip 1 may be mounted on the flexible printed circuit board 2. For example, the IC chip 1 is electrically connected to the common electrode CE, the scanning line driving circuit GD, and the signal line driving circuit SD. The IC chip 1 supplies the common voltage Vcom to the common electrode CE. The IC chip 1 supplies various signals to the scanning line drive circuit GD and the signal line drive circuit SD. The signal line drive circuit SD supplies a video signal to each signal line S. The scanning line drive circuit GD includes a plurality of vertical circuits 40. For example, each vertical circuit 40 includes a shift register and a buffer. The vertical circuit 40 supplies a scanning signal to the scanning line G. The vertical circuit 40 includes a second switching element SW2 described later. Other circuits provided in the peripheral area SA such as the signal line drive circuit SD may include the second switching element SW2. Thus, the first substrate SUB1 includes the first switching element SW1 provided in the display area DA and the second switching element SW2 provided in the peripheral area SA. As will be described later, the first switching element SW1 has a first semiconductor layer made of a transparent oxide semiconductor, and the second switching element SW2 has a second semiconductor layer made of a polycrystalline silicon semiconductor.

照明装置ILは、表示パネルPNLの背面側に設けられ、表示領域DAを照明する。照明装置ILの詳細は省略するが、照明装置ILは、平板状の導光板と、導光板の端面に沿って配列された複数の光源と、を備えている。 The illumination device IL is provided on the back side of the display panel PNL and illuminates the display area DA. Although details of the illuminator IL are omitted, the illuminator IL includes a flat light guide plate and a plurality of light sources arranged along the end surface of the light guide plate.

図2は、第1基板SUB1の副画素SP(R)、SP(G)、SP(B)を示す平面図である。第1基板SUB1は、カラーフィルタ層CFと、第1遮光層BM1と、信号線S1乃至S4と、走査線G1と、第1スイッチング素子SW11乃至SW13と、を備えている。 FIG. 2 is a plan view showing the sub-pixels SP(R), SP(G) and SP(B) of the first substrate SUB1. The first substrate SUB1 includes a color filter layer CF, a first light shielding layer BM1, signal lines S1 to S4, a scanning line G1, and first switching elements SW11 to SW13.

カラーフィルタ層CFは、副画素SP(R)に設けられた赤カラーフィルタCFRと、副画素SP(G)に設けられた緑カラーフィルタCFGと、副画素SP(B)に設けられた青カラーフィルタCFBと、を備えている。各カラーフィルタCFR、CFG、CGBは、第1方向Xに並び、第2方向Yに沿って延出している。第1遮光層BM1は、第2方向Yに沿って延出している。第1遮光層BM1は、第1方向Xに隣接するカラーフィルタCFR、CFG、CGBの境界に重畳するように設けられている。このような第1遮光層BM1は、第1方向Xに並ぶ副画素SP(R)、SP(G)、SP(B)を区画している。 The color filter layer CF includes a red color filter CFR provided in the sub pixel SP(R), a green color filter CFG provided in the sub pixel SP(G), and a blue color provided in the sub pixel SP(B). And a filter CFB. The color filters CFR, CFG, CGB are arranged in the first direction X and extend in the second direction Y. The first light shielding layer BM1 extends along the second direction Y. The first light shielding layer BM1 is provided so as to overlap with the boundary between the color filters CFR, CFG, and CGB that are adjacent to each other in the first direction X. Such a first light-shielding layer BM1 partitions the sub-pixels SP(R), SP(G), and SP(B) arranged in the first direction X.

信号線S1乃至S4は、第1方向Xに並び、第2方向Yに沿って延出している。信号線S1乃至S4は、それぞれ第1遮光層BM1に重畳するように設けられている。
走査線G1は、第1走査線G11と、第2走査線G12と、第3走査線G13と、を備えている。第2走査線G12は、第1走査線G11に重畳するように設けられている。第3走査線G13は、第2走査線G12に重畳するように設けられている。第1乃至第3走査線G11乃至G13は、第1方向Xに沿って延出し、信号線S1乃至S4と交差している。
The signal lines S1 to S4 are arranged in the first direction X and extend along the second direction Y. The signal lines S1 to S4 are provided so as to overlap with the first light shielding layer BM1.
The scanning line G1 includes a first scanning line G11, a second scanning line G12, and a third scanning line G13. The second scanning line G12 is provided so as to overlap the first scanning line G11. The third scanning line G13 is provided so as to overlap the second scanning line G12. The first to third scanning lines G11 to G13 extend along the first direction X and intersect the signal lines S1 to S4.

第1スイッチング素子SW11は、副画素SP(R)に設けられ、走査線G1と信号線S1と電気的に接続されている。第1スイッチング素子SW12は、副画素SP(G)に設けられ、走査線G1と信号線S2と電気的に接続されている。第1スイッチング素子SW13は、副画素SP(B)に設けられ、走査線G1と信号線S3と電気的に接続されている。第1スイッチング素子SW11乃至SW13は、それぞれ第1半導体層SC11乃至SC13を備えている。第1半導体層SC11乃至SC13は、上記の通り、透明な酸化物半導体である。第1スイッチング素子SW11乃至SW13は、同一のシングルゲート構造を有している。以下、第1スイッチング素子SW11に着目してその構造について説明する。 The first switching element SW11 is provided in the sub-pixel SP(R) and is electrically connected to the scanning line G1 and the signal line S1. The first switching element SW12 is provided in the sub-pixel SP(G) and is electrically connected to the scanning line G1 and the signal line S2. The first switching element SW13 is provided in the sub-pixel SP(B) and is electrically connected to the scanning line G1 and the signal line S3. The first switching elements SW11 to SW13 include first semiconductor layers SC11 to SC13, respectively. As described above, the first semiconductor layers SC11 to SC13 are transparent oxide semiconductors. The first switching elements SW11 to SW13 have the same single gate structure. The structure of the first switching element SW11 will be described below, focusing on the first switching element SW11.

第1半導体層SC11は、その一部分が信号線S1と重なるように設けられ、他の部分が信号線S1及びS2の間に延出している。第1半導体層SC11は、信号線S1及びS2の間において走査線G1と交差する交差部(チャネル領域)SCCを有している。交差部SCCは、図中に斜線で示した領域に相当する。走査線G1において、第1半導体層SC11(あるいは交差部SCC)と重畳する領域がゲート電極GEとして機能する。第1半導体層SC11は、一端部SCAと、他端部SCBと、を有している。交差部SCCは、一端部SCAと他端部SCBとの間に位置している。なお、第1半導体層SC11の形状は、図2に示すものに限られない。一端部SCAは、開口部OP1において後述する画素電極と電気的に接続される。他端部SCBは、開口部OP2において信号線S1に接している。 The first semiconductor layer SC11 is provided so that a part thereof overlaps the signal line S1, and the other part extends between the signal lines S1 and S2. The first semiconductor layer SC11 has an intersection (channel region) SCC that intersects the scanning line G1 between the signal lines S1 and S2. The intersecting portion SCC corresponds to a shaded area in the drawing. In the scan line G1, a region overlapping with the first semiconductor layer SC11 (or the intersection SCC) functions as the gate electrode GE. The first semiconductor layer SC11 has one end SCA and the other end SCB. The intersection SCC is located between the one end SCA and the other end SCB. The shape of the first semiconductor layer SC11 is not limited to that shown in FIG. The one end SCA is electrically connected to a pixel electrode described later in the opening OP1. The other end SCB is in contact with the signal line S1 at the opening OP2.

第1走査線G11は、第2走査線G12及び第3走査線G13の下方に設けられている。第1走査線G11は、第2走査線G12及び第3走査線G13と電気的に接続されている。第1走査線G11の第2方向Yにおける幅W11は、第2走査線G12及び第3走査線G13の各々の第2方向Yにおける幅W12及びW13よりも大きい。平面視において、第1走査線G11は、第2走査線G12及び第3走査線G13の全体と重畳している。なお、第1走査線G11、第2走査線G12、及び、第3走査線G13の各々の幅は、図示したように一定である必要はない。 The first scanning line G11 is provided below the second scanning line G12 and the third scanning line G13. The first scanning line G11 is electrically connected to the second scanning line G12 and the third scanning line G13. The width W11 of the first scanning line G11 in the second direction Y is larger than the widths W12 and W13 of the second scanning line G12 and the third scanning line G13 in the second direction Y, respectively. In a plan view, the first scanning line G11 overlaps the entire second scanning line G12 and the third scanning line G13. The width of each of the first scanning line G11, the second scanning line G12, and the third scanning line G13 does not have to be constant as illustrated.

第1半導体層SC11は、第1走査線G11と第2走査線G12との間に設けられている。すなわち、第1半導体層SC11の交差部SCCは、平面視において、第1走査線G11と重畳している。つまり、第1走査線G11は、照明装置ILから交差部SCCに向かう光を遮光する遮光膜としての機能を有している。このため、光が交差部SCCに照射されることに起因した第1スイッチング素子SW11の電流リークを抑制することができる。 The first semiconductor layer SC11 is provided between the first scanning line G11 and the second scanning line G12. That is, the intersecting portion SCC of the first semiconductor layer SC11 overlaps the first scanning line G11 in plan view. That is, the first scanning line G11 has a function as a light blocking film that blocks the light traveling from the illumination device IL toward the intersection SCC. Therefore, it is possible to suppress the current leakage of the first switching element SW11 due to the irradiation of the intersection SCC with light.

第1遮光層BM1は、信号線S1の下方に設けられている。第1遮光層BM1の第1方向Xにおける幅W21は、信号線S1の第1方向Xにおける幅W22よりも大きい。平面視において、第1遮光層BM1は、信号線S1の全体と重畳している。なお、第1遮光層BM1、及び、信号線S1の各々の幅は、図示したように一定である必要はない。 The first light shielding layer BM1 is provided below the signal line S1. The width W21 of the first light shielding layer BM1 in the first direction X is larger than the width W22 of the signal line S1 in the first direction X. The first light-shielding layer BM1 overlaps the entire signal line S1 in a plan view. The width of each of the first light-shielding layer BM1 and the signal line S1 need not be constant as illustrated.

図3は、第1基板SUB1の副画素SP(R)、SP(G)、SP(B)を示す他の平面図である。第1基板SUB1は、金属配線M1乃至M4と、画素電極PE11乃至PE13と、第1共通電極CE1と、第2共通電極CE2と、を備えている。なお、図2に示したカラーフィルタ層CF及び第1遮光層BM1の図示を省略している。 FIG. 3 is another plan view showing the sub-pixels SP(R), SP(G) and SP(B) of the first substrate SUB1. The first substrate SUB1 includes metal wirings M1 to M4, pixel electrodes PE11 to PE13, a first common electrode CE1, and a second common electrode CE2. The color filter layer CF and the first light shielding layer BM1 shown in FIG. 2 are omitted.

画素電極PE11は、副画素SP(R)に設けられ、開口部OP1において第1半導体層SC11に接している。これにより、画素電極PE11は、第1スイッチング素子SW11と電気的に接続される。画素電極PE12も同様に、副画素SP(G)に設けられ、第1スイッチング素子SW12と電気的に接続されている。画素電極PE13も同様に、副画素SP(B)に設けられ、第1スイッチング素子SW13と電気的に接続されている。図示した例では、画素電極PE11乃至PE13は、いずれもスリット有していない平板電極である。 The pixel electrode PE11 is provided in the sub-pixel SP(R) and is in contact with the first semiconductor layer SC11 in the opening OP1. As a result, the pixel electrode PE11 is electrically connected to the first switching element SW11. Similarly, the pixel electrode PE12 is provided in the sub-pixel SP(G) and is electrically connected to the first switching element SW12. Similarly, the pixel electrode PE13 is also provided in the sub-pixel SP(B) and is electrically connected to the first switching element SW13. In the illustrated example, the pixel electrodes PE11 to PE13 are all flat plate electrodes having no slits.

第1共通電極CE1は、信号線S1乃至S4と、画素電極PE11乃至PE13とに重畳するように設けられている。第1共通電極CE1は、信号線S1乃至S4の上方に設けられ、画素電極PE11乃至PE13の下方に設けられている。なお、第1共通電極CE1は、走査線G1、第1スイッチング素子SW11乃至SW13、第1半導体層SC11乃至SC13とは重畳していない。図示した例では、第1共通電極CE1は、副画素SP(R)、SP(G)、SP(B)において、スリット有していない平板電極である。 The first common electrode CE1 is provided so as to overlap the signal lines S1 to S4 and the pixel electrodes PE11 to PE13. The first common electrode CE1 is provided above the signal lines S1 to S4 and below the pixel electrodes PE11 to PE13. The first common electrode CE1 does not overlap the scanning line G1, the first switching elements SW11 to SW13, and the first semiconductor layers SC11 to SC13. In the illustrated example, the first common electrode CE1 is a flat plate electrode having no slit in the sub-pixels SP(R), SP(G) and SP(B).

第2共通電極CE2は、走査線G1と、信号線S1乃至S4と、第1スイッチング素子SW11乃至SW13と、第1半導体層SC11乃至SC13とに重畳するように設けられている。また、第2共通電極CE2は、画素電極PE11乃至PE13の一部に重畳し、画素電極PE11乃至PE13の上方に設けられている。第2共通電極CE2は、画素電極PE11乃至PE13にそれぞれ重畳する開口部AP11乃至AP13を有している。図示した例では、開口部AP11乃至AP13は、走査線G1に近接するにしたがって第1方向Xにおける幅が拡張する、略台形状に形成されている。なお、開口部AP11乃至AP13の形状は、図示した例に限らない。例えば、開口部AP11乃至AP13は、第1方向Xに延びた形状であってもよい。あるいは、第2共通電極CE2は、第1方向Xまたは第2方向Yに延びた帯電極を有していてもよい。 The second common electrode CE2 is provided so as to overlap the scanning line G1, the signal lines S1 to S4, the first switching elements SW11 to SW13, and the first semiconductor layers SC11 to SC13. Further, the second common electrode CE2 is provided above the pixel electrodes PE11 to PE13, overlapping the pixel electrodes PE11 to PE13. The second common electrode CE2 has openings AP11 to AP13 that overlap the pixel electrodes PE11 to PE13, respectively. In the illustrated example, the openings AP11 to AP13 are formed in a substantially trapezoidal shape in which the width in the first direction X expands as they approach the scanning line G1. The shapes of the openings AP11 to AP13 are not limited to the illustrated example. For example, the openings AP11 to AP13 may have a shape extending in the first direction X. Alternatively, the second common electrode CE2 may have a strip electrode extending in the first direction X or the second direction Y.

金属配線M1乃至M4は、第1方向Xに並び、第2方向Yに沿って延出している。金属配線M1乃至M4は、それぞれ信号線S1乃至S4に重畳するように設けられている。金属配線M1乃至M4は、第1共通電極CE1の上方に設けられ、第2共通電極CE2の下方に設けられている。金属配線M1の第1方向Xにおける幅W23は、信号線S1の幅W22と同等である。 The metal wirings M1 to M4 are arranged in the first direction X and extend along the second direction Y. The metal wirings M1 to M4 are provided so as to overlap the signal lines S1 to S4, respectively. The metal wirings M1 to M4 are provided above the first common electrode CE1 and below the second common electrode CE2. The width W23 of the metal wiring M1 in the first direction X is equal to the width W22 of the signal line S1.

図4は、図3に示したA−B線に沿った表示パネルPNLの断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された例に相当する。図4は、図3に示した副画素SP(R)における表示パネルPNLの断面図に相当する。 FIG. 4 is a cross-sectional view of the display panel PNL taken along the line AB shown in FIG. The illustrated example corresponds to an example in which an FFS (Fringe Field Switching) mode, which is one of the display modes using a lateral electric field, is applied. FIG. 4 corresponds to a cross-sectional view of the display panel PNL in the sub-pixel SP(R) shown in FIG.

第1基板SUB1は、絶縁基板10、絶縁膜11乃至21、カラーフィルタ層CF、第1遮光層BM1、信号線S1、走査線G1、金属配線M1、第1スイッチング素子SW11、第1共通電極CE1、画素電極PE11、第2共通電極CE2、配向膜AL1などを備えている。 The first substrate SUB1 includes an insulating substrate 10, insulating films 11 to 21, a color filter layer CF, a first light shielding layer BM1, a signal line S1, a scanning line G1, a metal wiring M1, a first switching element SW11, and a first common electrode CE1. , A pixel electrode PE11, a second common electrode CE2, an alignment film AL1 and the like.

第1基板SUB1において、カラーフィルタCFRは、第1無機絶縁膜に相当する絶縁膜13と第2無機絶縁膜に相当する絶縁膜15との間に設けられている。画素電極PE11は、カラーフィルタCFRの直上に設けられ、第1スイッチング素子SW11と電気的に接続されている。第1スイッチング素子SW11は、透明な酸化物半導体からなる第1半導体層SC11を備え、第1半導体層SC11はカラーフィルタCFRと絶縁膜15との間に設けられている。 In the first substrate SUB1, the color filter CFR is provided between the insulating film 13 corresponding to the first inorganic insulating film and the insulating film 15 corresponding to the second inorganic insulating film. The pixel electrode PE11 is provided immediately above the color filter CFR and is electrically connected to the first switching element SW11. The first switching element SW11 includes a first semiconductor layer SC11 made of a transparent oxide semiconductor, and the first semiconductor layer SC11 is provided between the color filter CFR and the insulating film 15.

透明な第1有機絶縁膜に相当する絶縁膜14は、カラーフィルタCFRの少なくとも一部を覆っている。第1半導体層SC11は、絶縁膜14の上に設けられている。 The insulating film 14 corresponding to the transparent first organic insulating film covers at least a part of the color filter CFR. The first semiconductor layer SC11 is provided on the insulating film 14.

信号線S1は、第1半導体層SC11と電気的に接続されている。金属配線M1は、信号線S1の直上に設けられている。第1遮光層BM1は、信号線S1の直下に設けられている。絶縁膜14は、第1遮光層BM1及びカラーフィルタCFRを覆っている。 The signal line S1 is electrically connected to the first semiconductor layer SC11. The metal wiring M1 is provided immediately above the signal line S1. The first light shielding layer BM1 is provided immediately below the signal line S1. The insulating film 14 covers the first light shielding layer BM1 and the color filter CFR.

第2有機絶縁膜に相当する絶縁膜19は、信号線S1を覆っている。第1共通電極CE1は、絶縁膜19の上に設けられ、画素電極PE11に重畳している。第2共通電極CE2は、第1共通電極CE1と電気的に接続され、画素電極PE11に重畳している。第3無機絶縁膜に相当する絶縁膜20は、第1共通電極CE1と画素電極PE11との間に設けられている。第4無機絶縁膜に相当する絶縁膜21は、画素電極PE11と第2共通電極CE2との間に設けられている。金属配線M1は、第1共通電極CE1に接している。 The insulating film 19 corresponding to the second organic insulating film covers the signal line S1. The first common electrode CE1 is provided on the insulating film 19 and overlaps the pixel electrode PE11. The second common electrode CE2 is electrically connected to the first common electrode CE1 and overlaps the pixel electrode PE11. The insulating film 20 corresponding to the third inorganic insulating film is provided between the first common electrode CE1 and the pixel electrode PE11. The insulating film 21 corresponding to the fourth inorganic insulating film is provided between the pixel electrode PE11 and the second common electrode CE2. The metal wiring M1 is in contact with the first common electrode CE1.

以下、具体的に説明する。
絶縁膜11は、絶縁基板10の上に設けられている。絶縁膜12は、絶縁膜11の上に設けられている。第1走査線G11は、絶縁膜12の上に設けられている。絶縁膜13は、絶縁膜12の上に設けられ、第1走査線G11を覆っている。カラーフィルタCFB及びCFRを含むカラーフィルタ層CFは、絶縁膜13の上に設けられている。第1遮光層BM1は、カラーフィルタCFB及びCFRの境界の上に設けられている。絶縁膜14は、カラーフィルタCFB及びCFR、及び、第1遮光層BM1を覆っている。第1半導体層SC11は、絶縁膜14の上に設けられている。絶縁膜15は、絶縁膜14の上に設けられ、第1半導体層SC11を覆っている。つまり、第1半導体層SC11は、カラーフィルタ層CFよりも上方に設けられている。
The details will be described below.
The insulating film 11 is provided on the insulating substrate 10. The insulating film 12 is provided on the insulating film 11. The first scanning line G11 is provided on the insulating film 12. The insulating film 13 is provided on the insulating film 12 and covers the first scanning line G11. The color filter layer CF including the color filters CFB and CFR is provided on the insulating film 13. The first light shielding layer BM1 is provided on the boundary between the color filters CFB and CFR. The insulating film 14 covers the color filters CFB and CFR and the first light shielding layer BM1. The first semiconductor layer SC11 is provided on the insulating film 14. The insulating film 15 is provided on the insulating film 14 and covers the first semiconductor layer SC11. That is, the first semiconductor layer SC11 is provided above the color filter layer CF.

第2走査線G12(あるいはゲート電極GE)は、絶縁膜15の上に設けられている。つまり、第1半導体層SC11は、第1走査線G11と第2走査線G12との間に設けられている。絶縁膜16は、絶縁膜15の上に設けられ、第2走査線G12を覆っている。絶縁膜17は、絶縁膜16の上に設けられている。第3走査線G13は、絶縁膜17の上に設けられている。絶縁膜18は、絶縁膜17の上に設けられ、第3走査線G13を覆っている。 The second scanning line G12 (or the gate electrode GE) is provided on the insulating film 15. That is, the first semiconductor layer SC11 is provided between the first scanning line G11 and the second scanning line G12. The insulating film 16 is provided on the insulating film 15 and covers the second scanning line G12. The insulating film 17 is provided on the insulating film 16. The third scanning line G13 is provided on the insulating film 17. The insulating film 18 is provided on the insulating film 17 and covers the third scanning line G13.

信号線S1は、第1遮光層BM1の直上において、絶縁膜18の上に設けられている。信号線S1は、絶縁膜15乃至18を貫通した開口部OP2において第1半導体層SC11に接している。これにより、信号線S1は、第1半導体層SC11と電気的に接続される。絶縁膜19は、絶縁膜18の上に設けられ、信号線S1を覆っている。金属配線M1は、信号線S1の直上において、絶縁膜19の上に設けられている。第1共通電極CE1は、絶縁膜19の上に設けられている。但し、金属配線M1及び共通電極CEは、互いに異なる導電材料によって形成されている。絶縁膜20は、絶縁膜19の上に設けられ、金属配線M1及び第1共通電極CE1を覆っている。 The signal line S1 is provided on the insulating film 18 immediately above the first light shielding layer BM1. The signal line S1 is in contact with the first semiconductor layer SC11 at the opening OP2 penetrating the insulating films 15 to 18. As a result, the signal line S1 is electrically connected to the first semiconductor layer SC11. The insulating film 19 is provided on the insulating film 18 and covers the signal line S1. The metal wiring M1 is provided on the insulating film 19 immediately above the signal line S1. The first common electrode CE1 is provided on the insulating film 19. However, the metal wiring M1 and the common electrode CE are formed of conductive materials different from each other. The insulating film 20 is provided on the insulating film 19 and covers the metal wiring M1 and the first common electrode CE1.

画素電極PE11は、絶縁膜20の上に設けられ、絶縁膜15乃至20を貫通した開口部OP1において第1半導体層SC1に接している。図示した例では、画素電極PE11は、第1半導体層SC11に直接接しているが、これに限定されるものではない。例えば、信号線S1と同一材料によって形成された接続電極、第1共通電極CE1と同一材料によって形成された接続電極、あるいは、金属配線M1と同一材料によって形成された接続電極が、第1半導体層SC11と画素電極PE11との間に介在していてもよい。画素電極PE11は、絶縁膜20を介して第1共通電極CE1に重畳し、副画素SP(R)における容量を形成している。 The pixel electrode PE11 is provided on the insulating film 20 and is in contact with the first semiconductor layer SC1 at the opening OP1 penetrating the insulating films 15 to 20. In the illustrated example, the pixel electrode PE11 is in direct contact with the first semiconductor layer SC11, but is not limited to this. For example, the connection electrode formed of the same material as the signal line S1, the connection electrode formed of the same material as the first common electrode CE1, or the connection electrode formed of the same material as the metal wiring M1 is the first semiconductor layer. It may be interposed between SC11 and the pixel electrode PE11. The pixel electrode PE11 overlaps the first common electrode CE1 via the insulating film 20 and forms a capacitance in the sub-pixel SP(R).

絶縁膜21は、絶縁膜20の上に設けられ、画素電極PE11を覆っている。第2共通電極CE2は、絶縁膜21の上に設けられている。配向膜AL1は、絶縁膜21及び第2共通電極CE2を覆っている。第2共通電極CE2は、第1共通電極CE1と同電位である。第2共通電極CE2の一部は、絶縁膜21を介して画素電極PE11に重畳し、副画素SP(R)における容量を形成している。 The insulating film 21 is provided on the insulating film 20 and covers the pixel electrode PE11. The second common electrode CE2 is provided on the insulating film 21. The alignment film AL1 covers the insulating film 21 and the second common electrode CE2. The second common electrode CE2 has the same potential as the first common electrode CE1. A part of the second common electrode CE2 overlaps the pixel electrode PE11 via the insulating film 21 to form a capacitance in the sub-pixel SP(R).

絶縁基板10は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁膜11乃至13、絶縁膜15乃至18、絶縁膜20及び21は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの絶縁材料によって形成された透明な無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜14及び19は、例えば、アクリル樹脂などの絶縁材料によって形成された透明な有機絶縁膜である。カラーフィルタCFR、CFG、CFBの各々は、対応する色に着色された有機絶縁膜である。第1遮光層BM1は、例えば、黒色の有機絶縁膜である。 The insulating substrate 10 is a light transmissive substrate such as a glass substrate or a flexible resin substrate. The insulating films 11 to 13, the insulating films 15 to 18, and the insulating films 20 and 21 are transparent inorganic insulating films formed of an insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride, and have a single-layer structure. Or may have a multilayer structure. The insulating films 14 and 19 are transparent organic insulating films formed of an insulating material such as acrylic resin, for example. Each of the color filters CFR, CFG, CFB is an organic insulating film colored with a corresponding color. The first light shielding layer BM1 is, for example, a black organic insulating film.

第1走査線G11、第2走査線G12、及び、第3走査線G13は、例えば、モリブデン−タングステン合金によって形成されている。信号線S1及び金属配線は、たとえば、複数の金属層が積層された積層体によって構成されている。積層体は、例えば、チタン(Ti)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及び、チタン(Ti)を含む層がこの順に積層されたものである。また、積層体は、モリブデン(Mo)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及び、モリブデン(Mo)を含む層がこの順に積層されたものであってもよい。第1共通電極CE1、画素電極PE11、及び、第2共通電極CE2は、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。 The first scanning line G11, the second scanning line G12, and the third scanning line G13 are formed of, for example, molybdenum-tungsten alloy. The signal line S1 and the metal wiring are, for example, configured by a laminated body in which a plurality of metal layers are laminated. The laminated body is, for example, a layer including titanium (Ti), a layer including aluminum (Al), and a layer including titanium (Ti), which are laminated in this order. Further, the stacked body may be one in which a layer containing molybdenum (Mo), a layer containing aluminum (Al), and a layer containing molybdenum (Mo) are stacked in this order. The first common electrode CE1, the pixel electrode PE11, and the second common electrode CE2 are transparent electrodes formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). ..

第2基板SUB2は、絶縁基板30及び配向膜AL2を備えている。絶縁基板30は、絶縁基板10と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。配向膜AL2は、絶縁基板30の下面30Aに設けられている。図示した例において、絶縁基板30と配向膜AL2との間には遮光層やカラーフィルタ層などの絶縁層が設けられていない。このため、配向膜AL2は、下面30Aに接している。配向膜AL1及び配向膜AL2は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。 The second substrate SUB2 includes an insulating substrate 30 and an alignment film AL2. The insulating substrate 30, like the insulating substrate 10, is a substrate having optical transparency such as a glass substrate or a resin substrate. The alignment film AL2 is provided on the lower surface 30A of the insulating substrate 30. In the illustrated example, an insulating layer such as a light shielding layer or a color filter layer is not provided between the insulating substrate 30 and the alignment film AL2. Therefore, the alignment film AL2 is in contact with the lower surface 30A. The alignment films AL1 and AL2 are formed of, for example, a material exhibiting horizontal alignment.

液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、配向膜AL1と配向膜AL2との間に設けられている。 The liquid crystal layer LC is located between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and is provided between the alignment films AL1 and AL2.

図1に示した照明装置ILは、絶縁基板10の下方に設けられるが、図示を省略している。また、通常の透過型の液晶表示装置においては、絶縁基板10及び20にそれぞれ偏光板が接着されているが、図示を省略している。 The illumination device IL shown in FIG. 1 is provided below the insulating substrate 10, but is not shown. Further, in a normal transmissive liquid crystal display device, polarizing plates are adhered to the insulating substrates 10 and 20, respectively, but not shown.

図5は、図3に示したC−D線に沿った表示パネルPNLの断面図である。図5は、図3に示した副画素SP(G)における表示パネルPNLの断面図に相当する。ここでは、図4に示した断面との相違点を中心に説明する。第1基板SUB1は、カラーフィルタ層CFにおいてカラーフィルタCFGを備えている。第1スイッチング素子SW12の第1半導体層SC12は、絶縁膜16の上に設けられている。つまり、第1半導体層SC12は、第2走査線G12と第3走査線G13との間に設けられている。隣接する副画素SP(R)の第1半導体層SC11は、絶縁膜14の上に設けられており、図示した第1半導体層SC12とは異なる層に位置している。信号線S2は、第1遮光層BM1の直上に設けられ、絶縁膜17及び18を貫通した開口部OP4において第1半導体層SC12に接している。画素電極PE12は、絶縁膜17乃至20を貫通した開口部OP3において第1半導体層SC12に接している。金属配線M2は、信号線S2の直上に設けられている。 FIG. 5 is a cross-sectional view of the display panel PNL taken along line CD shown in FIG. FIG. 5 corresponds to a cross-sectional view of the display panel PNL in the sub-pixel SP(G) shown in FIG. Here, the difference from the cross section shown in FIG. 4 will be mainly described. The first substrate SUB1 includes a color filter CFG in the color filter layer CF. The first semiconductor layer SC12 of the first switching element SW12 is provided on the insulating film 16. That is, the first semiconductor layer SC12 is provided between the second scanning line G12 and the third scanning line G13. The first semiconductor layer SC11 of the adjacent sub-pixel SP(R) is provided on the insulating film 14 and is located in a layer different from the illustrated first semiconductor layer SC12. The signal line S2 is provided immediately above the first light shielding layer BM1 and is in contact with the first semiconductor layer SC12 at the opening OP4 penetrating the insulating films 17 and 18. The pixel electrode PE12 is in contact with the first semiconductor layer SC12 at the opening OP3 penetrating the insulating films 17 to 20. The metal wiring M2 is provided immediately above the signal line S2.

図6は、図3に示したE−F線に沿った表示パネルPNLの断面図である。図6は、図3に示した副画素SP(R)、SP(G)における表示パネルPNLの断面図に相当する。第1遮光層BM1は、カラーフィルタCFRとカラーフィルタCFGとの境界、カラーフィルタCFGとカラーフィルタCFBとの境界、及び、カラーフィルタCFRとカラーフィルタCFBとの境界にそれぞれ設けられている。信号線S1乃至S3の各々は、第1遮光層の直上に設けられている。第1共通電極CE1は、画素電極PE11及びPE12の直下に設けられるとともに、信号線S1乃至S3の直上に設けられている。金属配線M1乃至M3は、それぞれ信号線S1乃至S3の直上に設けられ、第1共通電極CE1に接している。図示した例では、金属配線M1乃至M3は、第1共通電極CE1と絶縁膜20との間に設けられているが、絶縁膜19と第1共通電極CE1との間に設けられてもよい。なお、金属配線M1乃至M3は、第2共通電極CE2に接するように設けられてもよい。
第2共通電極CE2は、金属配線M1乃至M3の直上に設けられている。つまり、金属配線M1乃至M3は、隣接するカラーフィルタの境界の直上に設けられている。開口部AP11及びAP12は、それぞれ画素電極PE11及びPE12の直上に形成されている。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the display panel PNL taken along the line EF shown in FIG. FIG. 6 corresponds to a cross-sectional view of the display panel PNL in the sub-pixels SP(R) and SP(G) shown in FIG. The first light-shielding layer BM1 is provided on the boundary between the color filter CFR and the color filter CFG, the boundary between the color filter CFG and the color filter CFB, and the boundary between the color filter CFR and the color filter CFB, respectively. Each of the signal lines S1 to S3 is provided immediately above the first light shielding layer. The first common electrode CE1 is provided immediately below the pixel electrodes PE11 and PE12 and is provided directly above the signal lines S1 to S3. The metal wirings M1 to M3 are provided directly above the signal lines S1 to S3, respectively, and are in contact with the first common electrode CE1. In the illustrated example, the metal wirings M1 to M3 are provided between the first common electrode CE1 and the insulating film 20, but may be provided between the insulating film 19 and the first common electrode CE1. The metal wirings M1 to M3 may be provided so as to be in contact with the second common electrode CE2.
The second common electrode CE2 is provided immediately above the metal wirings M1 to M3. That is, the metal wirings M1 to M3 are provided immediately above the boundary between the adjacent color filters. The openings AP11 and AP12 are formed directly above the pixel electrodes PE11 and PE12, respectively.

図7は、図1に示した第2スイッチング素子SW2を示す断面図である。図7は、図1に示した周辺領域SAにおける第1基板SUB1の断面図に相当する。
第1基板SUB1において、第2スイッチング素子SW2は、周辺領域SAに設けられている。第2スイッチング素子SW2は、多結晶シリコン半導体からなる第2半導体層SC2を備えている。第2半導体層SC2は、絶縁基板10と第1無機絶縁膜に相当する絶縁膜13との間に設けられている。
FIG. 7 is a sectional view showing the second switching element SW2 shown in FIG. FIG. 7 corresponds to a cross-sectional view of the first substrate SUB1 in the peripheral area SA shown in FIG.
In the first substrate SUB1, the second switching element SW2 is provided in the peripheral area SA. The second switching element SW2 includes a second semiconductor layer SC2 made of a polycrystalline silicon semiconductor. The second semiconductor layer SC2 is provided between the insulating substrate 10 and the insulating film 13 corresponding to the first inorganic insulating film.

第2遮光層は、第2半導体層SC2に重畳し、第1有機絶縁膜に相当する絶縁悪14によって覆われている。 The second light-shielding layer overlaps the second semiconductor layer SC2 and is covered with the insulation defect 14 corresponding to the first organic insulating film.

以下、より具体的に説明する。
第2スイッチング素子SW2は、第2半導体層SC2と、ゲート電極GE2と、ソース電極SE2と、ドレイン電極DE2と、を備えている。第2半導体層SC2は、絶縁膜11の上に設けられ、絶縁膜12によって覆われている。つまり、第2半導体層SC2は、図4に示した第1半導体層SC11、及び、図5に示した第1半導体層SC12とは異なる層に位置している。第2半導体層SC2は、第1半導体層SC11及びSC12よりも下方(絶縁基板10に近接する側)に設けられている。
Hereinafter, it will be described more specifically.
The second switching element SW2 includes a second semiconductor layer SC2, a gate electrode GE2, a source electrode SE2, and a drain electrode DE2. The second semiconductor layer SC2 is provided on the insulating film 11 and covered with the insulating film 12. That is, the second semiconductor layer SC2 is located in a layer different from the first semiconductor layer SC11 shown in FIG. 4 and the first semiconductor layer SC12 shown in FIG. The second semiconductor layer SC2 is provided below the first semiconductor layers SC11 and SC12 (on the side close to the insulating substrate 10).

ゲート電極GE2は、絶縁膜12の上に設けられ、絶縁膜13によって覆われている。ゲート電極GE2は、図4に示した第1走査線G11と同一層に位置し、第1走査線G11と同一材料によって形成されている。 The gate electrode GE2 is provided on the insulating film 12 and covered with the insulating film 13. The gate electrode GE2 is located in the same layer as the first scanning line G11 shown in FIG. 4 and is made of the same material as the first scanning line G11.

カラーフィルタ層CFは、図4に示した表示領域DAでは、絶縁膜13及び14の間に設けられていたが、周辺領域SAには設けられていない。一方で、第1基板SUB1は、周辺領域SAにおいて、第2遮光層BM2を備えている。第2遮光層BM2は、絶縁膜13の上に設けられ、絶縁膜14によって覆われている。つまり、第2遮光層BM2は、第2半導体層SC2に重畳し、第2スイッチング素子SW2を遮光している。また、第2遮光層BM2は、図4に示した第1遮光層BM1と同一層に位置し、第1遮光層BM1と同一材料によって形成されている。 The color filter layer CF was provided between the insulating films 13 and 14 in the display area DA shown in FIG. 4, but not provided in the peripheral area SA. On the other hand, the first substrate SUB1 includes the second light shielding layer BM2 in the peripheral area SA. The second light shielding layer BM2 is provided on the insulating film 13 and covered with the insulating film 14. That is, the second light shielding layer BM2 overlaps the second semiconductor layer SC2 and shields the second switching element SW2. The second light-shielding layer BM2 is located in the same layer as the first light-shielding layer BM1 shown in FIG. 4 and is made of the same material as the first light-shielding layer BM1.

ソース電極SE2及びドレイン電極DE2は、絶縁膜15の上に設けられ、絶縁膜16によって覆われている。ソース電極SE2は、絶縁膜12乃至15、及び、第2遮光層BM2を貫通した開口部OP11において、第2半導体層SC2に接している。ドレイン電極DE2は、絶縁膜12乃至15、及び、第2遮光層BM2を貫通した開口部OP12において、第2半導体層SC2に接している。ソース電極SE2及びドレイン電極DE2は、図4に示した第2走査線G12と同一層に位置し、第2走査線G12と同一材料によって形成されている。 The source electrode SE2 and the drain electrode DE2 are provided on the insulating film 15 and covered with the insulating film 16. The source electrode SE2 is in contact with the second semiconductor layer SC2 in the opening OP11 penetrating the insulating films 12 to 15 and the second light shielding layer BM2. The drain electrode DE2 is in contact with the second semiconductor layer SC2 in the opening OP12 penetrating the insulating films 12 to 15 and the second light shielding layer BM2. The source electrode SE2 and the drain electrode DE2 are located in the same layer as the second scanning line G12 shown in FIG. 4 and are made of the same material as the second scanning line G12.

導電層CL1及びCL2は、絶縁膜18の上に設けられ、絶縁膜19によって覆われている。導電層CL1は、絶縁膜16乃至18を貫通した開口部OP13において、ソース電極SE2に接している。導電層CL2は、絶縁膜16乃至18を貫通した開口部OP14において、ドレイン電極DE2に接している。導電層CL1及びCL2は、図4に示した信号線S1と同一層に位置し、信号線S1と同一材料によって形成されている。 The conductive layers CL1 and CL2 are provided on the insulating film 18 and covered with the insulating film 19. The conductive layer CL1 is in contact with the source electrode SE2 in the opening OP13 penetrating the insulating films 16 to 18. The conductive layer CL2 is in contact with the drain electrode DE2 in the opening OP14 penetrating the insulating films 16 to 18. The conductive layers CL1 and CL2 are located in the same layer as the signal line S1 shown in FIG. 4 and are made of the same material as the signal line S1.

また、周辺領域SAでは、第2共通電極CE2は、絶縁膜20及び21を貫通した開口部OP15において、第1共通電極CE1に接している。これにより、第1共通電極CE1及び第2共通電極CE2は、互いに電気的に接続される。 In the peripheral area SA, the second common electrode CE2 is in contact with the first common electrode CE1 in the opening OP15 penetrating the insulating films 20 and 21. As a result, the first common electrode CE1 and the second common electrode CE2 are electrically connected to each other.

本実施形態によれば、第1基板SUB1は、画素電極PE及びカラーフィルタ層CFを備えている。このため、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を貼り合わせる際のずれに起因した、画素電極PEとカラーフィルタ層CFとのずれを抑制することができる。
特に、近年では、画素ピッチが数μmオーダの高精細化の要望が高まっている。画素電極が第1基板に設けられ、カラーフィルタ層が第2基板に設けられた場合、第1基板と第2基板とを貼り合わせる際に、わずか数μmのずれが生じた場合であっても、混色や色ずれが生じるおそれがあり、ずれに対するマージンが小さくなりつつある。本実施形態では、第1基板SUB1と第2基板SUB2とが画素ピッチより大きなずれを持って貼り合わされたとしても、混色や色ずれを抑制することができる。したがって、表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
According to this embodiment, the first substrate SUB1 includes the pixel electrode PE and the color filter layer CF. Therefore, it is possible to suppress the displacement between the pixel electrode PE and the color filter layer CF due to the displacement when the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are bonded together.
In particular, in recent years, there is an increasing demand for high definition with a pixel pitch on the order of several μm. In the case where the pixel electrode is provided on the first substrate and the color filter layer is provided on the second substrate, even when a deviation of only a few μm occurs when the first substrate and the second substrate are attached to each other. However, there is a possibility that color mixture or color misregistration may occur, and the margin for the misregistration is becoming smaller. In the present embodiment, even if the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are attached with a deviation larger than the pixel pitch, it is possible to suppress color mixing and color deviation. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of display quality.

また、カラーフィルタ層CFは、表示領域DAにおいて、絶縁基板10と第1スイッチング素子SW1との間に設けられている。つまり、カラーフィルタ層CFは、第1スイッチング素子SW及び画素電極PEの下方に設けられている。このため、カラーフィルタ層CFを貫通する開口部(コンタクトホール)を形成する必要がない。カラーフィルタ層CFにおいては、開口部を形成する場合、異なる色のカラーフィルタ間で加工精度が異なり、開口部の大きさにばらつきが生じやすい。また、カラーフィルタ層CFは、有機絶縁膜であるため、開口部のサイズが拡大する傾向にある。このため、カラーフィルタ層CFに開口部を形成する画素レイアウトの場合、一画素当たりに占める開口部の割合が大きくなり、表示に寄与する面積の低下を招くおそれがある。本実施形態では、カラーフィルタ層CFには開口部が形成されないため、表示に寄与する面積の低下を抑制することができる。 The color filter layer CF is provided between the insulating substrate 10 and the first switching element SW1 in the display area DA. That is, the color filter layer CF is provided below the first switching element SW and the pixel electrode PE. Therefore, it is not necessary to form an opening (contact hole) penetrating the color filter layer CF. When the openings are formed in the color filter layer CF, the processing accuracy is different between the color filters of different colors, and the sizes of the openings are likely to vary. Further, since the color filter layer CF is an organic insulating film, the size of the opening tends to increase. Therefore, in the case of a pixel layout in which an opening is formed in the color filter layer CF, the ratio of the opening occupied in one pixel is large, which may lead to a reduction in the area contributing to display. In this embodiment, since the color filter layer CF has no opening, it is possible to suppress a reduction in the area contributing to display.

また、信号線S1よりも液晶層LCに近接した金属配線M1は、隣接するカラーフィルタの境界の直上に設けられている。このため、斜め方向から観察した場合に、隣接する副画素を透過した光が金属配線M1によって遮光され、混色を抑制することができる。加えて、金属配線M1は、第1共通電極CE1に接しているため、互いに電気的に接続された第1共通電極CE1及び第2共通電極CE2を低抵抗化することができる。 Further, the metal wiring M1 closer to the liquid crystal layer LC than the signal line S1 is provided immediately above the boundary between the adjacent color filters. Therefore, when viewed from an oblique direction, the light transmitted through the adjacent sub-pixels is blocked by the metal wiring M1, and color mixing can be suppressed. In addition, since the metal wiring M1 is in contact with the first common electrode CE1, the resistance of the first common electrode CE1 and the second common electrode CE2 electrically connected to each other can be reduced.

図8は、表示パネルPNLの変形例を示す断面図である。図8は、図3に示した副画素SP(R)、SP(G)におけるE−F線に沿った表示パネルPNLの断面図に相当する。図8に示す変形例は、図6に示した構成例と比較して、第1遮光層BM1が省略され、金属配線M1乃至M3が第2共通電極CE2に接している点で相違している。
第1遮光層BM1が省略されたため、絶縁膜14は、カラーフィルタ層の全体を覆っている。つまり、絶縁膜14は、各カラーフィルタCFR、CFG、CFBのうち、画素電極PE11乃至PE13の直下のみならず、隣接するカラーフィルタの境界も直接覆っている。
信号線S1及び画素電極PE11は、図4に示したように、第1半導体層SC11と電気的に接続されている。信号線S2及び画素電極PE12も同様に第1半導体層SC12に接続され、信号線S3及び画素電極PE13も同様に第1半導体層SC13に接続されている。
金属配線M1乃至M3は、それぞれ信号線S1乃至S3の直上に設けられ、第2共通電極CE2に接している。図示した例では、金属配線M1乃至M3は、第2共通電極CE2と配向膜AL1との間に設けられているが、絶縁膜21と第2共通電極CE2との間に設けられてもよい。
FIG. 8 is a sectional view showing a modified example of the display panel PNL. FIG. 8 corresponds to a cross-sectional view of the display panel PNL taken along line EF in the sub-pixels SP(R) and SP(G) shown in FIG. The modification shown in FIG. 8 is different from the structure shown in FIG. 6 in that the first light shielding layer BM1 is omitted and the metal wirings M1 to M3 are in contact with the second common electrode CE2. ..
Since the first light shielding layer BM1 is omitted, the insulating film 14 covers the entire color filter layer. That is, the insulating film 14 directly covers not only the pixel electrodes PE11 to PE13 of the color filters CFR, CFG, and CFB but also the boundary between the adjacent color filters.
The signal line S1 and the pixel electrode PE11 are electrically connected to the first semiconductor layer SC11, as shown in FIG. The signal line S2 and the pixel electrode PE12 are similarly connected to the first semiconductor layer SC12, and the signal line S3 and the pixel electrode PE13 are also connected to the first semiconductor layer SC13.
The metal wirings M1 to M3 are provided directly above the signal lines S1 to S3, respectively, and are in contact with the second common electrode CE2. In the illustrated example, the metal wirings M1 to M3 are provided between the second common electrode CE2 and the alignment film AL1, but may be provided between the insulating film 21 and the second common electrode CE2.

図9は、変形例における第2スイッチング素子SW2を示す断面図である。図9に示す変形例の第2スイッチング素子SW2は、図7に示した第2スイッチング素子SW2と比較して、絶縁膜13と絶縁膜14との間の第2遮光層BM2が省略され、第2遮光層BM2の代わりに、第2スイッチング素子SW2に向かう光を遮光する金属層MLが設けられた点で相違している。絶縁膜14は、絶縁膜13に接している。金属層MLは、図8に示した金属配線M1乃至M3と同一層に位置し、金属配線M1乃至M3と同一材料によって形成されている。つまり、金属層MLは、第2共通電極CE2と配向膜AL1との間に設けられ、第2共通電極CE2に接している。
このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。加えて、信号線及び金属配線より幅広の第1遮光層BM1が省略されたことにより、一画素当たりの表示に寄与する面積を拡大することができる。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the second switching element SW2 in the modified example. The second switching element SW2 of the modified example shown in FIG. 9 is different from the second switching element SW2 shown in FIG. 7 in that the second light shielding layer BM2 between the insulating film 13 and the insulating film 14 is omitted, The difference is that a metal layer ML that blocks light traveling to the second switching element SW2 is provided instead of the two light blocking layer BM2. The insulating film 14 is in contact with the insulating film 13. The metal layer ML is located in the same layer as the metal wirings M1 to M3 shown in FIG. 8 and is made of the same material as the metal wirings M1 to M3. That is, the metal layer ML is provided between the second common electrode CE2 and the alignment film AL1 and is in contact with the second common electrode CE2.
Also in such a modified example, the same effect as described above can be obtained. In addition, since the first light-shielding layer BM1 wider than the signal line and the metal wiring is omitted, the area contributing to the display per pixel can be increased.

図10は、変形例における他の周辺領域SAを示す断面図である。図10に示す変形例は、図9に示した変形例と比較して、金属層MLの代わりに、第2基板SUB2に遮光層31が設けられた点で相違している。遮光層31は、絶縁基板30と配向膜AL2との間に設けられている。遮光層31は、周辺領域SAのほぼ全域に亘って設けられており、第2スイッチング素子SW2に向かう光を遮光している。
このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing another peripheral area SA in the modified example. The modification shown in FIG. 10 is different from the modification shown in FIG. 9 in that a light shielding layer 31 is provided on the second substrate SUB2 instead of the metal layer ML. The light shielding layer 31 is provided between the insulating substrate 30 and the alignment film AL2. The light-shielding layer 31 is provided over almost the entire peripheral area SA and shields light traveling toward the second switching element SW2.
Also in such a modified example, the same effect as described above can be obtained.

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to provide the display device capable of suppressing the deterioration of the display quality.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and the gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

DSP…表示装置 PNL…表示パネル DA…表示領域 SA…周辺領域
LC…液晶層 BM…遮光層 PE…画素電極 CE…共通電極
SW1…第1スイッチング素子 SC1…第1半導体層
SW2…第2スイッチング素子 SC2…第2半導体層
CF…カラーフィルタ層 CFR…赤カラーフィルタ CFG…緑カラーフィルタ CFB…青カラーフィルタ
G…走査線 S…信号線 M…金属配線
G11…第1走査線 G12…第2走査線 G13…第3走査線
CE1…第1共通電極 CE2…第2共通電極
BM1…第1遮光層 BM2…第2遮光層
DSP... Display device PNL... Display panel DA... Display area SA... Peripheral area LC... Liquid crystal layer BM... Light-shielding layer PE... Pixel electrode CE... Common electrode SW1... First switching element SC1... First semiconductor layer SW2... Second switching element SC2... Second semiconductor layer CF... Color filter layer CFR... Red color filter CFG... Green color filter CFB... Blue color filter G... Scan line S... Signal line M... Metal wiring G11... First scan line G12... Second scan line G13... Third scanning line CE1... First common electrode CE2... Second common electrode BM1... First light-shielding layer BM2... Second light-shielding layer

Claims (7)

絶縁基板と、
第1無機絶縁膜と、
第2無機絶縁膜と、
前記第1無機絶縁膜と前記第2無機絶縁膜との間に設けられたカラーフィルタと、
画像を表示する表示領域に設けられた第1スイッチング素子と、
前記カラーフィルタの上に設けられ、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、
前記表示領域の周囲の周辺領域に設けられた第2スイッチング素子と、を備え、
前記第1スイッチング素子は、酸化物半導体からなる第1半導体層を備え、
前記第2スイッチング素子は、多結晶シリコン半導体からなる第2半導体層を備え、
前記第1半導体層は、前記カラーフィルタと前記第2無機絶縁膜との間に設けられ、
前記第2半導体層は、前記絶縁基板と前記第1無機絶縁膜との間に設けられている、表示装置。
An insulating substrate,
A first inorganic insulating film,
A second inorganic insulating film,
A color filter provided between the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film;
A first switching element provided in a display area for displaying an image,
A pixel electrode provided on the color filter and electrically connected to the first switching element;
A second switching element provided in a peripheral region around the display region,
The first switching element includes a first semiconductor layer made of an oxide semiconductor,
The second switching element includes a second semiconductor layer made of a polycrystalline silicon semiconductor,
The first semiconductor layer is provided between the color filter and the second inorganic insulating film,
The display device, wherein the second semiconductor layer is provided between the insulating substrate and the first inorganic insulating film.
さらに、前記カラーフィルタの少なくとも一部を覆う第1有機絶縁膜を備え、
前記第1半導体層は、前記第1有機絶縁膜上に設けられている、請求項1に記載の表示装置。
Furthermore, a first organic insulating film covering at least a part of the color filter is provided,
The display device according to claim 1, wherein the first semiconductor layer is provided on the first organic insulating film.
さらに、前記第1半導体層と電気的に接続された信号線と、
前記信号線の直上に設けられた金属配線と、
前記信号線の直下に設けられた第1遮光層と、を備え、
前記第1有機絶縁膜は、前記第1遮光層及び前記カラーフィルタを覆っている、請求項2に記載の表示装置。
Furthermore, a signal line electrically connected to the first semiconductor layer,
Metal wiring provided directly above the signal line,
A first light-shielding layer provided directly below the signal line,
The display device according to claim 2, wherein the first organic insulating film covers the first light shielding layer and the color filter.
さらに、前記第2半導体層に重畳する第2遮光層を備え、
前記第2遮光層は、前記第1有機絶縁膜によって覆われている、請求項3に記載の表示装置。
Further, a second light shielding layer that overlaps the second semiconductor layer is provided,
The display device according to claim 3, wherein the second light shielding layer is covered with the first organic insulating film.
さらに、前記信号線を覆う第2有機絶縁膜と、
前記第2有機絶縁膜上に設けられ、前記画素電極に重畳する第1共通電極と、
前記第1共通電極と電気的に接続され、前記画素電極に重畳する第2共通電極と、
前記第1共通電極と前記画素電極との間に設けられた第3無機絶縁膜と、
前記画素電極と前記第2共通電極との間に設けられた第4無機絶縁膜と、を備え、
前記金属配線は、前記第1共通電極に接している、請求項3または4に記載の表示装置。
Further, a second organic insulating film covering the signal line,
A first common electrode provided on the second organic insulating film and overlapping the pixel electrode;
A second common electrode electrically connected to the first common electrode and overlapping the pixel electrode;
A third inorganic insulating film provided between the first common electrode and the pixel electrode,
A fourth inorganic insulating film provided between the pixel electrode and the second common electrode,
The display device according to claim 3, wherein the metal wiring is in contact with the first common electrode.
さらに、前記第1半導体層と電気的に接続された信号線と、
前記信号線の直上に設けられた金属配線と、
前記信号線を覆う第2有機絶縁膜と、
前記第2有機絶縁膜上に設けられ、前記画素電極に重畳する第1共通電極と、
前記第1共通電極と電気的に接続され、前記画素電極に重畳する第2共通電極と、
前記第1共通電極と前記画素電極との間に設けられた第3無機絶縁膜と、
前記画素電極と前記第2共通電極との間に設けられた第4無機絶縁膜と、を備え、
前記金属配線は、前記第2共通電極に接している、請求項2に記載の表示装置。
Furthermore, a signal line electrically connected to the first semiconductor layer,
Metal wiring provided directly above the signal line,
A second organic insulating film covering the signal line;
A first common electrode provided on the second organic insulating film and overlapping the pixel electrode;
A second common electrode electrically connected to the first common electrode and overlapping the pixel electrode;
A third inorganic insulating film provided between the first common electrode and the pixel electrode,
A fourth inorganic insulating film provided between the pixel electrode and the second common electrode,
The display device according to claim 2, wherein the metal wiring is in contact with the second common electrode.
さらに、前記第1無機絶縁膜と前記第2無機絶縁膜との間に設けられた第1走査線と、
前記第1走査線の直上に設けられた第2走査線と、
前記第2走査線の直上に設けられた第3走査線と、を備え、
前記第1乃至第3走査線は、前記第1半導体層と交差している、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
Furthermore, a first scanning line provided between the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film,
A second scanning line provided directly above the first scanning line;
A third scanning line provided directly above the second scanning line,
The display device according to claim 1, wherein the first to third scanning lines intersect with the first semiconductor layer.
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