JP2020109725A

JP2020109725A - Holding device

Info

Publication number: JP2020109725A
Application number: JP2019000639A
Authority: JP
Inventors: 尚人中川; Hisato Nakagawa; 晃文土佐; Akibumi Tosa; 貴道小川; Takamichi Ogawa; 元信倉橋; Motonobu Kurahashi
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2019-01-07
Filing date: 2019-01-07
Publication date: 2020-07-16
Anticipated expiration: 2039-01-07
Also published as: JP7184652B2

Abstract

To suppress a decrease in the resistance temperature coefficient of a heating resistor while forming the heating resistor using Re with high carbonization resistance.SOLUTION: A holding device includes a ceramic member which has a substantially planar first surface substantially orthogonal to a first direction, and a heating resistor which is provided in the ceramic member. The holding device holds an object on the first surface of the ceramic member. The heating resistor contains Re as a main component in at least one specific cross section of the heating resistor, the content rate of C dissolved in Re in a solid form being 1.0 wt.% or less.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本明細書に開示される技術は、保持装置に関する。 The technology disclosed in this specification relates to a holding device.

対象物（例えば、半導体ウェハ）を保持しつつ所定の処理温度（例えば、４００〜６５０℃程度）に加熱する加熱装置（「サセプタ」とも呼ばれる）が知られている。加熱装置は、例えば、成膜装置（ＣＶＤ成膜装置やスパッタリング成膜装置等）やエッチング装置（プラズマエッチング装置等）といった半導体製造装置の一部として使用される。 A heating device (also called “susceptor”) for heating an object (for example, a semiconductor wafer) to a predetermined processing temperature (for example, about 400 to 650° C.) is known. The heating device is used as a part of a semiconductor manufacturing device such as a film forming device (CVD film forming device, sputtering film forming device, etc.) or an etching device (plasma etching device, etc.).

一般に、加熱装置は、セラミックス部材と、該セラミックス部材に設けられた発熱用抵抗体と、を備える。発熱用抵抗体に電圧が印加されると、発熱用抵抗体が発熱し、セラミックス部材の近傍に配置された対象物（例えば、半導体ウェハ）が例えば４００〜６５０℃程度に加熱される。 Generally, a heating device includes a ceramic member and a heating resistor provided on the ceramic member. When a voltage is applied to the heating resistor, the heating resistor generates heat, and the object (for example, a semiconductor wafer) arranged in the vicinity of the ceramic member is heated to, for example, about 400 to 650°C.

ここで、Ｒｅ（レニウム）は、高融点金属であり、かつ、比較的に炭化しにくいため、セラミックス部材に設けられた発熱用抵抗体の形成材料として用いられることがある（例えば、特許文献１参照）。 Here, Re (rhenium) is a refractory metal, and is relatively hard to be carbonized, so that it may be used as a material for forming a heating resistor provided in a ceramic member (for example, Patent Document 1). reference).

特開２０００−２７７２４０号公報JP-A-2000-277240

例えば発熱用抵抗体の発熱効率の向上等の観点から、発熱用抵抗体の抵抗温度係数の向上が要求されることがある。発熱用抵抗体がＲｅを含有する材料によって形成された上記従来の技術では、発熱用抵抗体の抵抗温度係数が低い。その結果、例えば、所定の目標温度までセラミックス部材の吸着面を加熱できなくなったり、また、仮に所定の目標温度までセラミックス部材の吸着面を加熱できたとしても発熱用抵抗体の発熱効率が低下したりする、といった問題があった。 For example, from the viewpoint of improving the heat generation efficiency of the heat generating resistor, the resistance temperature coefficient of the heat generating resistor may be required to be improved. In the above conventional technique in which the heating resistor is made of a material containing Re, the heating resistor has a low resistance temperature coefficient. As a result, for example, the suction surface of the ceramic member cannot be heated to a predetermined target temperature, or even if the suction surface of the ceramic member can be heated to a predetermined target temperature, the heating efficiency of the heating resistor decreases. There was a problem such as.

なお、このような課題は、加熱装置に限らず、抵抗体が設けられたセラミックス部材を備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。 It should be noted that such a problem is not limited to the heating device, but is common to general holding devices that include a ceramic member provided with a resistor and hold an object on the surface of the ceramic member.

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。 This specification discloses a technique capable of solving the above-mentioned problems.

本明細書に開示される技術は、以下の形態として実現することが可能である。 The technology disclosed in this specification can be implemented as the following modes.

（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略垂直で略平面状の第１の表面を有するセラミックス部材と、前記セラミックス部材に設けられた発熱用抵抗体と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記発熱用抵抗体の少なくとも１つの特定断面において、前記発熱用抵抗体は、主成分としてＲｅを含み、かつ、Ｒｅに固溶しているＣの含有率が１．０ｗｔ％以下である。 (1) The holding device disclosed in the present specification includes a ceramic member having a substantially planar first surface that is substantially perpendicular to the first direction, and a heating resistor provided on the ceramic member. In a holding device for holding an object on the first surface of the ceramic member, in at least one specific cross section of the heating resistor, the heating resistor contains Re as a main component, and , Re contained C in solid solution is 1.0 wt% or less.

本願の発明者は、Ｒｅを含む発熱用抵抗体では、ＲｅにＣ（炭素）が固溶し、そのＲｅに固溶するＣの含有率が高いほど、発熱用抵抗体の抵抗温度係数が低くなる、ことを新たに見出した。なお、発熱用抵抗体の抵抗温度係数が低いと、発熱用抵抗体に印加する所定の電圧に対する発熱量が小さいため、発熱用抵抗体に所定の電圧を印加しても、十分な発熱量を得られなくなる。そこで、本保持装置では、発熱用抵抗体は、Ｒｅを含み、かつ、Ｒｅに固溶しているＣの含有率が１．０ｗｔ％以下である。これにより、耐炭化性の高いＲｅを用いて発熱用抵抗体を形成しつつ、発熱用抵抗体の抵抗温度係数の低下を抑制することができる。 The inventor of the present application has found that in a heating resistor containing Re, C (carbon) is solid-dissolved in Re, and the higher the content ratio of C dissolved in Re is, the lower the temperature coefficient of resistance of the heating resistor is. I found that If the resistance temperature coefficient of the heat-generating resistor is low, the amount of heat generated for the predetermined voltage applied to the heat-generating resistor is small, so even if a predetermined voltage is applied to the heat-generating resistor, a sufficient amount of heat is generated. You won't get it. Therefore, in the present holding device, the heat-generating resistor contains Re and the content ratio of C dissolved in Re is 1.0 wt% or less. This makes it possible to suppress the decrease in the resistance temperature coefficient of the heat-generating resistor while forming the heat-generating resistor using Re having high carbonization resistance.

（２）上記保持装置において、さらに、前記発熱用抵抗体は、前記セラミックス部材の内部に配置されており、前記第１の方向におけるセラミックス部材の厚さは、５ｍｍ以上である構成としてもよい。本保持装置では、第１の方向におけるセラミックス部材の厚さは、５ｍｍ以上であるため、第１の方向におけるセラミックス部材の厚さは、５ｍｍ未満である構成に比べて、特に、発熱用抵抗体において、ＲｅにＣが固溶しやすい。本発明は、このようなＲｅにＣが固溶しやすい構成に対して、発熱用抵抗体の抵抗温度係数の低下を抑制できるため、特に有効である。 (2) In the holding device, the heating resistor may be arranged inside the ceramic member, and the thickness of the ceramic member in the first direction may be 5 mm or more. In the present holding device, since the thickness of the ceramic member in the first direction is 5 mm or more, the thickness of the ceramic member in the first direction is less than 5 mm. In C, C is likely to form a solid solution in Re. The present invention is particularly effective for such a structure in which C is likely to form a solid solution in Re because it can suppress a decrease in the temperature coefficient of resistance of the heating resistor.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば静電チャック、真空チャック等の保持装置、サセプタ等の加熱装置、さらには、発熱用抵抗体が設けられたセラミックス部材、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。 The technology disclosed in the present specification can be realized in various forms. For example, a holding device such as an electrostatic chuck or a vacuum chuck, a heating device such as a susceptor, or a heating resistor is used. It can be realized in the form of the provided ceramic members, their manufacturing method and the like.

実施形態における加熱装置１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly the external appearance structure of the heating device 100 in embodiment. 実施形態における加熱装置１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。It is an explanatory view showing roughly the XZ section composition of heating device 100 in an embodiment. 各サンプルにおけるヒータ電極の材料比抵抗と抵抗温度係数とに関する評価結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the evaluation result regarding the material specific resistance and resistance temperature coefficient of the heater electrode in each sample. サンプル１におけるヒータ電極付近のＸＺ断面構成を模式的に示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing the XZ cross-sectional structure in the vicinity of a heater electrode in Sample 1. サンプル１のＸ線回折パターンを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the X-ray-diffraction pattern of sample 1.

Ａ．本実施形態：
Ａ−１．加熱装置１００の構成：
図１は、本実施形態における加熱装置１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における加熱装置１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、加熱装置１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。 A. This embodiment:
A-1. Configuration of heating device 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of a heating device 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an XZ sectional configuration of the heating device 100 according to the present embodiment. In each drawing, XYZ axes that are orthogonal to each other for specifying directions are shown. In this specification, for convenience, the Z-axis positive direction is referred to as the upward direction and the Z-axis negative direction is referred to as the downward direction, but the heating device 100 is actually installed in a direction different from such an orientation. May be.

加熱装置１００は、対象物（例えば、半導体ウェハＷ）を保持しつつ所定の処理温度（例えば、４００〜６５０℃程度）に加熱する装置であり、サセプタとも呼ばれる。加熱装置１００は、例えば、成膜装置（ＣＶＤ成膜装置やスパッタリング成膜装置等）やエッチング装置（プラズマエッチング装置等）といった半導体製造装置の一部として使用される。 The heating device 100 is a device that holds an object (for example, a semiconductor wafer W) and heats it to a predetermined processing temperature (for example, about 400 to 650° C.), and is also called a susceptor. The heating device 100 is used as a part of a semiconductor manufacturing apparatus such as a film forming apparatus (CVD film forming apparatus, sputtering film forming apparatus, etc.) or an etching apparatus (plasma etching apparatus, etc.).

図１および図２に示すように、加熱装置１００は、保持体１０と柱状支持体２０とを備える。 As shown in FIGS. 1 and 2, the heating device 100 includes a holder 10 and a columnar support 20.

（保持体１０）
保持体１０は、所定の方向（本実施形態では上下方向）に略直交する保持面Ｓ１および裏面Ｓ２を有する略円板状の部材である。保持体１０は、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）を主成分とするセラミックスにより形成されている。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。保持体１０のセラミックス部分におけるＡｌＮの含有率は、９０体積％以上、９９．５体積％以下であることが好ましい。保持体１０の直径は、例えば１００ｍｍ以上、５００ｍｍ以下程度であり、保持体１０の厚さ（上下方向における長さ）は、例えば３ｍｍ以上、２０ｍｍ以下程度である。 (Holder 10)
The holding body 10 is a substantially disc-shaped member having a holding surface S1 and a back surface S2 that are substantially orthogonal to a predetermined direction (the vertical direction in this embodiment). The holder 10 is made of, for example, ceramics containing AlN (aluminum nitride) as a main component. In addition, the main component here means a component with the largest content ratio (weight ratio). The content of AlN in the ceramic portion of the holder 10 is preferably 90% by volume or more and 99.5% by volume or less. The diameter of the holding body 10 is, for example, about 100 mm or more and 500 mm or less, and the thickness (length in the vertical direction) of the holding body 10 is, for example, about 3 mm or more and 20 mm or less.

図２に示すように、保持体１０の内部には、保持体１０を加熱する抵抗発熱体により構成されたヒータ電極５０が配置されている。ヒータ電極５０の詳細構成については後述する。ヒータ電極５０の一対の端部は、保持体１０の周縁側に配置されている。また、保持体１０の内部には、一対の周縁側ビア導体５１と、一対の導電路５３と、ビア群５２とが設けられている。各周縁側ビア導体５１は、上下方向に延びる線状の導電体であり、保持体１０の周縁側に位置している。各周縁側ビア導体５１の上端は、ヒータ電極５０の各端部に接続されている。各導電路５３は、保持体１０の径方向に延びる線状の導電体であり、各導電路５３の上記径方向外側の端部に、各周縁側ビア導体５１の下端が接続されている。ビア群５２は、上下方向に延びる線状の導電体である複数（本実施形態では、２つ）のビア５２Ａを含む。各ビア５２Ａの上端は、各導電路５３の上記径方向内側の端部に接続されている。また、保持体１０の裏面Ｓ２の中央部付近には、一対の凹部１２が形成されており、各凹部１２内には受電電極（電極パッド）５４が配置されている。各受電電極５４は、保持体１０の裏面Ｓ２に露出するように配置されており、受電電極５４の露出部分はろう付け部５６に覆われている。各ビア５２Ａの下端は各受電電極５４に接続されている。これにより、ヒータ電極５０と各受電電極５４とが電気的に接続されている。 As shown in FIG. 2, a heater electrode 50 formed of a resistance heating element that heats the holding body 10 is arranged inside the holding body 10. The detailed configuration of the heater electrode 50 will be described later. The pair of end portions of the heater electrode 50 are arranged on the peripheral side of the holding body 10. Further, inside the holding body 10, a pair of peripheral side via conductors 51, a pair of conductive paths 53, and a via group 52 are provided. Each peripheral edge side via conductor 51 is a linear conductor extending in the vertical direction, and is located on the peripheral edge side of the holder 10. The upper end of each peripheral side via conductor 51 is connected to each end of the heater electrode 50. Each conductive path 53 is a linear conductor extending in the radial direction of the holding body 10, and the lower end of each peripheral side via conductor 51 is connected to the radially outer end of each conductive path 53. The via group 52 includes a plurality of (two in the present embodiment) vias 52A which are linear conductors extending in the vertical direction. The upper end of each via 52A is connected to the end of each conductive path 53 on the radially inner side. A pair of recesses 12 are formed in the vicinity of the center of the back surface S2 of the holder 10, and a power receiving electrode (electrode pad) 54 is arranged in each recess 12. Each power receiving electrode 54 is disposed so as to be exposed on the back surface S2 of the holding body 10, and the exposed portion of the power receiving electrode 54 is covered with the brazing portion 56. The lower end of each via 52A is connected to each power receiving electrode 54. As a result, the heater electrode 50 and each power receiving electrode 54 are electrically connected.

（柱状支持体２０）
柱状支持体２０は、上記所定の方向（上下方向）に延びる略円柱状部材である。柱状支持体２０は、保持体１０と同様に、例えばＡｌＮを主成分とするセラミックスにより形成されている。柱状支持体２０の外径は、例えば３０ｍｍ以上、９０ｍｍ以下程度であり、柱状支持体２０の高さ（上下方向における長さ）は、例えば１００ｍｍ以上、３００ｍｍ以下程度である。 (Columnar support 20)
The columnar support 20 is a substantially columnar member extending in the predetermined direction (vertical direction). The columnar support 20 is formed of, for example, a ceramic containing AlN as a main component, like the support 10. The outer diameter of the columnar support 20 is, for example, 30 mm or more and 90 mm or less, and the height (the length in the vertical direction) of the columnar support 20 is, for example, 100 mm or more and 300 mm or less.

（接合部３０）
保持体１０と柱状支持体２０とは、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ３とが上下方向に対向するように配置されている。柱状支持体２０は、保持体１０の裏面Ｓ２の中心部付近に、後述の接合材料により形成された接合部３０を介して接合されている。 (Joint part 30)
The holder 10 and the columnar support 20 are arranged such that the back surface S2 of the holder 10 and the upper surface S3 of the columnar support 20 face each other in the vertical direction. The columnar support 20 is bonded to the vicinity of the central portion of the back surface S2 of the holding body 10 via a bonding portion 30 made of a bonding material described later.

図２に示すように、柱状支持体２０には、保持体１０の裏面Ｓ２側に開口する貫通孔２２が形成されている。貫通孔２２は、上下方向と略同一方向に延び、延伸方向にわたって略一定の内径を有する断面略円形の孔である。貫通孔２２には、複数（本実施形態では２つ）の電極端子７０が収容されている。各電極端子７０の上端部は、金属ろう材（例えば金ろう材）を含む、ろう付け部５６を介して受電電極５４に接合されている。図示しない電源から各電極端子７０、各受電電極５４、ビア群５２（ビア５２Ａ）を介してヒータ電極５０に電圧が印加されると、ヒータ電極５０が発熱し、保持体１０の保持面Ｓ１上に保持された対象物（例えば、半導体ウェハＷ）が所定の温度（例えば、４００〜６５０℃程度）に加熱される。 As shown in FIG. 2, the columnar support 20 is formed with a through hole 22 that opens to the back surface S2 side of the holder 10. The through hole 22 is a hole having a substantially circular cross section that extends substantially in the same direction as the vertical direction and has a substantially constant inner diameter in the extending direction. A plurality of (two in the present embodiment) electrode terminals 70 are housed in the through holes 22. The upper end portion of each electrode terminal 70 is joined to the power receiving electrode 54 via a brazing portion 56 including a metal brazing material (eg, gold brazing material). When a voltage is applied to the heater electrode 50 from a power source (not shown) through the electrode terminals 70, the power receiving electrodes 54, and the via group 52 (via 52A), the heater electrode 50 generates heat, and on the holding surface S1 of the holding body 10. The object (for example, the semiconductor wafer W) held by is heated to a predetermined temperature (for example, about 400 to 650° C.).

Ａ−２．ヒータ電極５０の詳細構成：
ヒータ電極５０の詳細構成について説明する。ヒータ電極５０は、導電性材料として（レニウム）を含む材料により形成されている。なお、ヒータ電極５０は、Ｒｅ以外に、Ｗ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）などの他の導電性材料を含んでいてもよい。また、ヒータ電極５０は、導電性材料以外の成分を含んでいてもよい。例えば、保持体１０とヒータ電極５０との熱膨張差の低減のため、ヒータ電極５０は、保持体１０の主成分であるセラミックスと同じセラミックスを含んでいることが好ましい。 A-2. Detailed configuration of the heater electrode 50:
The detailed configuration of the heater electrode 50 will be described. The heater electrode 50 is formed of a material containing (rhenium) as a conductive material. In addition to Re, the heater electrode 50 may include another conductive material such as W (tungsten) or Mo (molybdenum). In addition, the heater electrode 50 may include a component other than the conductive material. For example, in order to reduce the difference in thermal expansion between the holder 10 and the heater electrode 50, the heater electrode 50 preferably contains the same ceramic as the main component of the holder 10.

また、ヒータ電極５０は、少なくとも次の第１の要件を満たす。
＜第１の要件＞
ヒータ電極５０の少なくとも１つの特定断面において、ヒータ電極５０は、主成分としてＲｅを含み、かつ、Ｒｅに固溶しているＣ（炭素）の含有率（以下、「Ｃの固溶率」という）が１．０ｗｔ％以下である。
なお、Ｃの固溶率は、０．８ｗｔ％以下であることが好ましく、０．６ｗｔ％以下であることが、より好ましい。これにより、ヒータ電極５０の材料比抵抗を、効果的に低減することができる。 Further, the heater electrode 50 satisfies at least the following first requirement.
<First requirement>
In at least one specific cross section of the heater electrode 50, the heater electrode 50 contains Re as a main component, and the content rate of C (carbon) solid-dissolved in Re (hereinafter, referred to as “solid solution rate of C”). ) Is 1.0 wt% or less.
The solid solution rate of C is preferably 0.8 wt% or less, and more preferably 0.6 wt% or less. As a result, the material resistivity of the heater electrode 50 can be effectively reduced.

また、保持体１０は、次の第２の要件を満たすことが好ましい。
＜第２の要件＞
保持体１０の厚さ（上下方向の長さ）は、５ｍｍ以上である。
なお、保持体１０の厚さは、１８ｍｍ以上であることが、より好ましい。 Moreover, it is preferable that the holding body 10 satisfies the following second requirement.
<Second requirement>
The thickness (length in the vertical direction) of the holder 10 is 5 mm or more.
The thickness of the holder 10 is more preferably 18 mm or more.

なお、加熱装置１００は、特許請求の範囲における保持装置に相当し、上下方向（Ｚ軸方向）は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。保持体１０は、特許請求の範囲におけるセラミックス部材に相当し、保持面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。ヒータ電極５０は、特許請求の範囲における抵抗体に相当する。 The heating device 100 corresponds to the holding device in the claims, and the vertical direction (Z-axis direction) corresponds to the first direction in the claims. The holding body 10 corresponds to the ceramic member in the claims, and the holding surface S1 corresponds to the first surface in the claims. The heater electrode 50 corresponds to the resistor in the claims.

Ａ−３．加熱装置１００の製造方法：
加熱装置１００の製造方法は、例えば以下の通りである。初めに、保持体１０と柱状支持体２０とを作製する。 A-3. Manufacturing method of the heating device 100:
The manufacturing method of the heating device 100 is as follows, for example. First, the holder 10 and the columnar support 20 are manufactured.

保持体１０の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、ＡｌＮ粉末１００重量部に、Ｙ_２Ｏ_３（酸化イットリウム）粉末１重量部と、アクリル系バインダ２０重量部と、適量の分散剤および可塑剤とを加えた混合物に、トルエン等の有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、グリーンシート用スラリーを作製する。このグリーンシート用スラリーをキャスティング装置でシート状に成形した後に乾燥させ、グリーンシートを複数枚作製する。 The method for producing the holding body 10 is as follows, for example. First, a mixture of 100 parts by weight of AlN powder, 1 part by weight of Y ₂ O ₃ (yttrium oxide) powder, 20 parts by weight of an acrylic binder, and an appropriate amount of a dispersant and a plasticizer is added to an organic solvent such as toluene. Are added and mixed by a ball mill to prepare a slurry for green sheet. This green sheet slurry is formed into a sheet by a casting device and then dried to produce a plurality of green sheets.

また、Ｗ粉末８０およびＲｅ粉末１００重量部と、ＡｌＮ粉末３．５重量部と、バインダ３重量部と、溶剤１３．５重量部とを混合して混練することにより、メタライズペーストを作製する。このメタライズペーストを例えばスクリーン印刷装置を用いて印刷することにより、特定のグリーンシートに、後にヒータ電極５０や受電電極５４等となる未焼結導体層を形成する。また、グリーンシートにあらかじめビア孔を設けた状態で印刷することにより、後にビア群５２（ビア５２Ａ）となる未焼結導体部を形成する。 Further, 100 parts by weight of W powder and Re powder, 3.5 parts by weight of AlN powder, 3 parts by weight of binder, and 13.5 parts by weight of solvent are mixed and kneaded to produce a metallized paste. By printing this metallizing paste using, for example, a screen printing device, a non-sintered conductor layer that will later become the heater electrode 50, the power receiving electrode 54, etc. is formed on the specific green sheet. Further, by printing the green sheet with via holes provided in advance, an unsintered conductor portion that will later become the via group 52 (via 52A) is formed.

次に、これらのグリーンシートを複数枚（例えば３０枚）熱圧着し、必要に応じて外周を切断して、グリーンシート積層体を作製する。このグリーンシート積層体をマシニングによって切削加工して円板状の成形体を作製し、この成形体を、窒素雰囲気において４５０℃で４時間、脱脂して脱脂体を得る。得られた脱脂体を、熱処理用のカーボン炉内においてＡｌＮ製のサヤに入れて、窒素雰囲気、常圧、例えば１８２５℃で４時間焼成して焼成体を作製する。このように、窒素雰囲気で、１８００℃以上、４時間以上、焼成することにより、少なくとも上記第１の要件を満たすヒータ電極５０を生成することができる。その後、この焼成体の表面を研磨加工する。以上の工程により、保持体１０が作製される。なお、脱脂温度、脱脂時間等の脱脂条件を変更することにより、ヒータ電極５０におけるＣの固溶率を調整することができる。 Next, a plurality of these green sheets (for example, 30 sheets) are thermocompression-bonded, and the outer periphery is cut as necessary to produce a green sheet laminate. This green sheet laminate is cut by machining to produce a disk-shaped molded body, and this molded body is degreased at 450° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere to obtain a degreased body. The obtained degreased body is put into a sheath made of AlN in a carbon furnace for heat treatment, and fired at a nitrogen atmosphere and atmospheric pressure, for example, 1825° C. for 4 hours to produce a fired body. In this way, by firing in a nitrogen atmosphere at 1800° C. or higher for 4 hours or longer, the heater electrode 50 that satisfies at least the first requirement can be generated. Then, the surface of this fired body is polished. The holder 10 is manufactured through the above steps. The solid solution rate of C in the heater electrode 50 can be adjusted by changing the degreasing conditions such as the degreasing temperature and the degreasing time.

また、柱状支持体２０の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、窒化アルミニウム粉末１００重量部に、酸化イットリウム粉末１重量部と、ＰＶＡバインダ３重量部と、適量の分散剤および可塑剤と、を加えた混合物に、メタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、スラリーを得る。このスラリーをスプレードライヤーにて顆粒化し、原料粉末を作製する。次に、貫通孔２２に対応する中子が配置されたゴム型に原料粉末を充填し、冷間静水圧プレスして成形体を得る。得られた成形体を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成する。以上の工程により、柱状支持体２０が作製される。 The method for producing the columnar support 20 is as follows, for example. First, an organic solvent such as methanol was added to a mixture of 100 parts by weight of aluminum nitride powder, 1 part by weight of yttrium oxide powder, 3 parts by weight of PVA binder, and an appropriate amount of a dispersant and a plasticizer, and the mixture was placed in a ball mill. And mix to obtain a slurry. This slurry is granulated with a spray dryer to prepare a raw material powder. Next, the raw material powder is filled in the rubber mold in which the core corresponding to the through hole 22 is arranged, and cold isostatic pressing is performed to obtain a molded body. The obtained molded body is degreased, and this degreased body is fired. Through the above steps, the columnar support 20 is manufactured.

次に、保持体１０と柱状支持体２０とを接合する。保持体１０の裏面Ｓ２および柱状支持体２０の上面Ｓ３に対して必要によりラッピング加工を行った後、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ３との少なくとも一方に、例えば希土類や有機溶剤等を混合してペースト状にした接合剤を均一に塗布した後、脱脂処理する。次いで、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ３とを重ね合わせ、ホットプレス焼成を行うことにより、保持体１０と柱状支持体２０とを接合する。 Next, the holder 10 and the columnar support 20 are joined. After lapping the back surface S2 of the holder 10 and the top surface S3 of the columnar support 20 as necessary, at least one of the back surface S2 of the holder 10 and the top surface S3 of the columnar support 20 is coated with, for example, a rare earth or organic material. After the solvent and the like are mixed to form a paste-like bonding agent, it is degreased. Next, the back surface S2 of the holder 10 and the upper surface S3 of the columnar support 20 are overlapped with each other, and hot pressing is performed to bond the holder 10 and the columnar support 20.

保持体１０と柱状支持体２０との接合の後、各電極端子７０を各貫通孔２２内に挿入し、各電極端子７０の上端部を各受電電極５４に例えば金ろう材によりろう付けすることにより、ろう付け部５６を形成した。以上の製造方法により、上述した構成の加熱装置１００が製造される。 After joining the holder 10 and the columnar support 20, each electrode terminal 70 is inserted into each through hole 22, and the upper end portion of each electrode terminal 70 is brazed to each power receiving electrode 54 with, for example, a brazing filler metal. Thus, the brazing part 56 was formed. The heating device 100 having the above-described configuration is manufactured by the above manufacturing method.

Ａ−４．本実施形態の効果：
上述したように、Ｒｅは、高融点金属であり、かつ、比較的に炭化しにくいため、セラミックス部材に設けられた発熱用抵抗体の形成材料として用いられることがある。しかし、本願の発明者は、Ｒｅを含有する材料によって形成された発熱用抵抗体が設けられたセラミックス部材について、次の点（１）（２）を新たに見出した。
（１）例えばセラミックス部材の製造段階におけるセラミックス材料内の残炭具合や焼成条件等の要因により、発熱用抵抗体において、ＲｅにＣが固溶する。
（２）発熱用抵抗体におけるＣの固溶率が高いほど、発熱用抵抗体の抵抗温度係数が低くなる。
したがって、上述した従来技術のように、Ｒｅに固溶するＣについて何ら考慮することなく、Ｒｅを含有する材料によって発熱用抵抗体を形成すれば、Ｒｅの炭化は抑制できたとしても、発熱用抵抗体の抵抗温度係数は比較的低いため、抵抗温度係数の向上の要求に応えることはできない。 A-4. Effects of this embodiment:
As described above, Re is a refractory metal and is relatively hard to be carbonized, so Re is sometimes used as a material for forming a heating resistor provided in a ceramic member. However, the inventor of the present application newly found the following points (1) and (2) regarding the ceramic member provided with the heating resistor formed of a material containing Re.
(1) For example, C is solid-dissolved in Re in the heat-generating resistor due to factors such as the degree of residual carbon in the ceramic material and the firing conditions during the manufacturing process of the ceramic member.
(2) The higher the solid solution ratio of C in the heating resistor, the lower the resistance temperature coefficient of the heating resistor.
Therefore, even if carbonization of Re can be suppressed by forming a heating resistor with a material containing Re without considering C solid-dissolved in Re as in the above-mentioned conventional technique, even if carbonization of Re can be suppressed. Since the resistance temperature coefficient of the resistor is relatively low, it is not possible to meet the demand for improvement of the resistance temperature coefficient.

これに対して、本実施形態の加熱装置１００では、ヒータ電極５０の少なくとも１つの特定断面において、保持体１０に設けられたヒータ電極５０は、Ｒｅを含み、かつ、Ｃの固溶率が１．０ｗｔ％以下である（上記第１の要件）。これにより、耐炭化性の高いＲｅを用いてヒータ電極５０を形成しつつ、ヒータ電極５０の抵抗温度係数の低下を抑制することができる。 On the other hand, in the heating device 100 of the present embodiment, the heater electrode 50 provided on the holding body 10 contains Re and the solid solution rate of C is 1 in at least one specific cross section of the heater electrode 50. It is not more than 0.0 wt% (first requirement described above). This makes it possible to suppress the decrease in the resistance temperature coefficient of the heater electrode 50 while forming the heater electrode 50 using Re having high carbonization resistance.

また、本実施形態では、保持体１０の厚さは、５ｍｍ以上であることが好ましい（上記第２の要件）。保持体１０の厚さが５ｍｍ以上である構成では、保持体１０の厚さが５ｍｍ未満である構成に比べて、特に、ヒータ電極５０において、ＲｅにＣが固溶しやすい。しかし、本実施形態では、このようなＲｅにＣが固溶しやすい構成に対して、ヒータ電極５０の抵抗温度係数の低下を抑制できるため、特に有効である。すなわち、本実施形態によれば、保持体１０の厚さを５ｍｍ以上にすることによって保持体１０の強度を確保しつつ、ヒータ電極５０の抵抗温度係数の低下を抑制することができる。 In addition, in the present embodiment, the thickness of the holder 10 is preferably 5 mm or more (the second requirement). In the configuration in which the thickness of the holder 10 is 5 mm or more, C is more likely to form a solid solution with Re in the heater electrode 50 than in the configuration in which the thickness of the holder 10 is less than 5 mm. However, the present embodiment is particularly effective for such a configuration in which C is likely to form a solid solution in Re because the decrease in the temperature coefficient of resistance of the heater electrode 50 can be suppressed. That is, according to the present embodiment, it is possible to suppress the decrease in the resistance temperature coefficient of the heater electrode 50 while ensuring the strength of the holder 10 by setting the thickness of the holder 10 to 5 mm or more.

Ａ−５．性能評価：
複数のセラミックス部材のサンプルを作製し、作製された複数のセラミックス部材のサンプルを用いて性能評価を行った。図３は、各サンプルにおけるヒータ電極の材料比抵抗と抵抗温度係数とに関する評価結果を示す説明図である。図４は、サンプル１におけるヒータ電極付近のＸＺ断面構成を模式的に示す説明図である。図５は、サンプル１のＸ線回折パターンを示す説明図である。 A-5. Performance evaluation:
Samples of a plurality of ceramic members were produced, and performance evaluation was performed using the produced samples of the ceramic members. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the evaluation results regarding the material specific resistance of the heater electrode and the temperature coefficient of resistance in each sample. FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing the XZ sectional configuration in the vicinity of the heater electrode in Sample 1. FIG. 5 is an explanatory diagram showing an X-ray diffraction pattern of Sample 1.

Ａ−５−１．各サンプルについて：
図３に示すように、３つのサンプルについて、ヒータ電極の材料比抵抗と抵抗温度係数とに関する評価を行った。３つのサンプルは、全体として、上述の加熱装置１００における保持体１０と略同一構成である。具体的には、ＡｌＮの含有率が９０〜９９．５体積％の材料により形成されたセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に設けられたヒータ電極と、を備える。ヒータ電極は、導電性材料としてＲｅを含む材料により形成されている。また、ヒータ電極には、ＡｌＮが含まれている。なお、各サンプルは、上述した製造方法と同様の方法により製造できる。 A-5-1. For each sample:
As shown in FIG. 3, three samples were evaluated for the material specific resistance of the heater electrode and the temperature coefficient of resistance. The three samples as a whole have substantially the same configuration as the holder 10 in the heating device 100 described above. Specifically, it includes a ceramic member formed of a material having an AlN content of 90 to 99.5% by volume, and a heater electrode provided inside the ceramic member. The heater electrode is formed of a material containing Re as a conductive material. Also, the heater electrode contains AlN. In addition, each sample can be manufactured by the same method as the above-described manufacturing method.

３つのサンプルは、ヒータ電極が、主成分としてのＲｅを含む点で共通するが、ヒータ電極におけるＣの固溶率（ｗｔ％）が互いに異なる。Ｃの固溶率は、次の方法により特定することができる。まず、各サンプルにおけるヒータ電極付近の特定断面（例えばＸＺ断面）のうち、Ｒｅを含む１０箇所について、Ｃの含有率（ｗｔ％）を特定する。各サンプルにおけるＣの含有率は、ＥＰＭＡ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｒｏｂｅＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｚｅｒ）の定量分析により特定することができる。そして、上記１０箇所のそれぞれのＣの含有率の平均値を、ヒータ電極におけるＣの固溶率とする。なお、ヒータ電極付近の特定断面のうち、Ｃの固溶率を特定するための領域は、メタライズ部分（ヒータ電極すなわち、Ｒｅが存在する部分）の最上端より１μｍだけ下の位置から、メタライズ部分の最下端より１μｍだけ上の位置までの領域である。 The three samples are common in that the heater electrode contains Re as the main component, but the solid solution ratio (wt%) of C in the heater electrode is different from each other. The solid solution rate of C can be specified by the following method. First, the content rate (wt %) of C is specified for 10 locations including Re in a specific cross section (for example, XZ cross section) near the heater electrode in each sample. The content rate of C in each sample can be specified by quantitative analysis of EPMA (Electron Probe Micro Analyzer). Then, the average value of the content ratios of C at each of the 10 locations is set as the solid solution ratio of C in the heater electrode. In the specific cross section near the heater electrode, the region for identifying the solid solution rate of C is the metallized portion from a position 1 μm below the uppermost end of the metallized portion (heater electrode, that is, the portion where Re is present). Is a region up to a position 1 μm above the lowermost end of.

サンプル１では、Ｃの固溶率が０．５５ｗｔ％であり、サンプル２では、Ｃの固溶率が０．７６ｗｔ％であり、サンプル３では、Ｃの固溶率が１．０７ｗｔ％である。したがって、サンプル１，２は、上述の第１の要件を満たしており、サンプル３は、第１の要件を満たしていない。図４に示すように、サンプル１では、ヒータ電極は、主としてＲｅ（図４中、点ハッチング部分）を含んでおり、そのＲｅの領域内にＡｌＮ（図４中、黒色部分）が点在している。また、ヒータ電極には、Ｒｅに固溶した複数のＣ（斜め線ハッチング部分）が点在している。なお、ＲｅにＣが固溶していることは、図５に示すように、Ｘ線結晶構造解析（ＸＲＤ）において、Ｃが固溶していないときのＲｅの強度ピークを示す回折角度（図５中の点線グラフ参照）に対して、Ｃが固溶しているときのＲｅの強度ピークを示す回折角度（図５中の実線グラフおよび白抜き矢印参照）がずれることからも確認することができる。なお、図５中の黒塗り三角は、ＡｌＮの強度ピークを示す。 In Sample 1, the solid solution rate of C is 0.55 wt %, in Sample 2, the solid solution rate of C is 0.76 wt %, and in Sample 3, the solid solution rate of C is 1.07 wt %. .. Therefore, Samples 1 and 2 satisfy the first requirement described above, and Sample 3 does not satisfy the first requirement. As shown in FIG. 4, in Sample 1, the heater electrode mainly contained Re (dotted portion in FIG. 4), and AlN (black portion in FIG. 4) was scattered in the region of Re. ing. Further, the heater electrode is interspersed with a plurality of C (oblique line hatching portions) solid-dissolved in Re. It should be noted that the fact that C is solid-dissolved in Re means that, as shown in FIG. 5, in the X-ray crystal structure analysis (XRD), the diffraction angle showing the intensity peak of Re when C is not solid-dissolved (see FIG. It can also be confirmed from the deviation of the diffraction angle (see the solid line graph and white arrow in FIG. 5) showing the intensity peak of Re when C is in solid solution (see the dotted line graph in FIG. 5). it can. The black triangles in FIG. 5 represent AlN intensity peaks.

Ａ−５−２．評価方法について：
各サンプルにおけるヒータ電極の材料比抵抗（μΩ・ｃｍ）は、次のようにして求めることができる。まず、各サンプルにおけるヒータ電極の抵抗値を、抵抗計を用いて測定する。その測定されたヒータ電極の抵抗値と、ヒータ電極の長手方向に直交する断面の面積と、ヒータ電極の長さとから、ヒータ電極の材料比抵抗を求める。また、各サンプルにおけるヒータ電極の抵抗温度係数（ｐｐｍ／℃）は、次のようにして求めることができる。各サンプルを例えば炉内で加熱し、サンプルの温度上昇過程における各温度でのヒータ電極の抵抗値を、マルチメータを用いて計測する。そして、基準温度から各温度までの温度変化量から、ヒータ電極の抵抗温度係数を求める。
なお、「抵抗温度係数」は、物質の温度変化に対する抵抗値の変化の割合を示すパラメータであり、抵抗温度係数が高いほど、加熱性が高いことを意味し、かつ、温度感受性が高いことを意味する。「抵抗温度係数」は、次の式で示される。
「抵抗温度係数（ｐｐｍ／℃）」＝（Ｒ−Ｒａ）／Ｒａ÷（Ｔ−Ｔａ）×１０^６
Ｒａ：基準温度における抵抗値（Ω）
Ｔａ：基準温度（℃）
Ｒ：任意温度における抵抗値（Ω）
Ｔ：任意温度（℃） A-5-2. About evaluation method:
The material specific resistance (μΩ·cm) of the heater electrode in each sample can be obtained as follows. First, the resistance value of the heater electrode in each sample is measured using a resistance meter. The material specific resistance of the heater electrode is obtained from the measured resistance value of the heater electrode, the area of the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the heater electrode, and the length of the heater electrode. Further, the resistance temperature coefficient (ppm/° C.) of the heater electrode in each sample can be obtained as follows. Each sample is heated in, for example, a furnace, and the resistance value of the heater electrode at each temperature in the temperature rising process of the sample is measured using a multimeter. Then, the temperature coefficient of resistance of the heater electrode is obtained from the amount of temperature change from the reference temperature to each temperature.
The "temperature coefficient of resistance" is a parameter indicating the rate of change in resistance with respect to the temperature change of a substance. The higher the temperature coefficient of resistance, the higher the heating property, and the higher the temperature sensitivity. means. The “temperature coefficient of resistance” is expressed by the following equation.
“Resistance temperature coefficient (ppm/° C.)”=(R−Ra)/Ra÷(T−Ta)×10 ⁶
Ra: Resistance value at standard temperature (Ω)
Ta: reference temperature (°C)
R: Resistance value (Ω) at any temperature
T: arbitrary temperature (°C)

Ａ−５−３．評価結果について：
サンプル１では、ヒータ電極の材料比抵抗は、４９．２μΩ・ｃｍであり、５０μΩ・ｃｍ以下に抑制されている。また、ヒータ電極の抵抗温度係数は、２２９０ｐｐｍ／℃であり、例えば２０００ｐｐｍ／℃より高い。サンプル２では、ヒータ電極の材料比抵抗は、６６．２μΩ・ｃｍであり、７０μΩ・ｃｍ以下に抑制されている。また、ヒータ電極の抵抗温度係数は、１８５０ｐｐｍ／℃であり、例えば１８００ｐｐｍ／℃より高い。これに対して、サンプル３では、ヒータ電極の材料比抵抗は、８２μΩ・ｃｍであり、ヒータ電極の抵抗温度係数は、７４４ｐｐｍ／℃であり、２０００ｐｐｍ／℃を大きく下回っている。以上のことから、ヒータ電極が、Ｒｅを含み、かつ、ヒータ電極におけるＣの固溶率が１．０ｗｔ％以下である、という上記第１の要件を満たすことにより、耐炭化性の高いＲｅを用いてヒータ電極を形成しつつ、ヒータ電極の抵抗温度係数の低下を抑制することができることが分かる。 A-5-3. About evaluation results:
In Sample 1, the material specific resistance of the heater electrode is 49.2 μΩ·cm, which is suppressed to 50 μΩ·cm or less. The resistance temperature coefficient of the heater electrode is 2290 ppm/°C, which is higher than 2000 ppm/°C, for example. In Sample 2, the material specific resistance of the heater electrode is 66.2 μΩ·cm, which is suppressed to 70 μΩ·cm or less. The temperature coefficient of resistance of the heater electrode is 1850 ppm/°C, which is higher than 1800 ppm/°C, for example. On the other hand, in Sample 3, the material specific resistance of the heater electrode is 82 μΩ·cm, and the temperature coefficient of resistance of the heater electrode is 744 ppm/°C, which is much lower than 2000 ppm/°C. From the above, by satisfying the first requirement that the heater electrode contains Re, and the solid solution ratio of C in the heater electrode is 1.0 wt% or less, Re having high carbonization resistance can be obtained. It can be seen that it is possible to suppress the decrease in the temperature coefficient of resistance of the heater electrode while forming the heater electrode using the same.

また、ヒータ電極におけるＣの固溶率が０．８ｗｔ％以下であれば、ヒータ電極の材料比抵抗の増大を抑制しつつ、ヒータ電極の抵抗温度係数の向上を図ることができることが分かる。さらに、ヒータ電極におけるＣの固溶率が０．６ｗｔ％以下であれば、ヒータ電極の材料比抵抗の増大をより効果的に抑制することができることが分かる。 Further, it can be seen that when the solid solution ratio of C in the heater electrode is 0.8 wt% or less, the resistance temperature coefficient of the heater electrode can be improved while suppressing an increase in the material specific resistance of the heater electrode. Furthermore, it can be seen that if the solid solution ratio of C in the heater electrode is 0.6 wt% or less, the increase in the material specific resistance of the heater electrode can be suppressed more effectively.

Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。 B. Modification:
The technology disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be modified into various forms without departing from the gist thereof, for example, the following modifications are also possible.

上記実施形態における加熱装置１００を構成する各部材の形成材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。例えば、上記実施形態における加熱装置１００では、保持体１０と柱状支持体２０との主成分（セラミックス粒子）は、ＡｌＮであったが、例えばＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）など、他のセラミックスであってもよい。また、保持体１０の主成分と柱状支持体２０の主成分とは、互いに異なる材料であってもよい。なお、セラミックス部材のセラミックス部分の主成分がＡｌＮ以外の材料（アルミナ等）であっても、セラミックス部分の残炭により、抵抗体においてＲｅにＣが固溶し、抵抗体の抵抗温度係数が低くなる、という問題が生じることがある。これに対して、本発明を適用することにより、抵抗体の抵抗温度係数を向上させることができる。 The forming material of each member constituting the heating device 100 in the above embodiment is merely an example, and each member may be formed of another material. For example, in the heating device 100 in the above-described embodiment, the main component (ceramic particles) of the holder 10 and the columnar support 20 is AlN, but other ceramics such as Al ₂ O ₃ (alumina) may be used. May be. The main component of the holder 10 and the main component of the columnar support 20 may be different materials. Even if the main component of the ceramic portion of the ceramic member is a material other than AlN (alumina or the like), the residual carbon in the ceramic portion causes C to form a solid solution with Re in the resistor, and the resistance temperature coefficient of the resistor is low. There may be a problem that On the other hand, by applying the present invention, the temperature coefficient of resistance of the resistor can be improved.

上記実施形態では、抵抗体として、ヒータ電極５０を例示したが、抵抗体は、セラミックス部材の内部に配置されたものに限らず、例えば、セラミックス部材の表面側（例えば上記実施形態において保持体１０の裏面Ｓ２側）に配置されている構成であってもよい。 In the above embodiment, the heater electrode 50 is exemplified as the resistor, but the resistor is not limited to the one disposed inside the ceramic member, and for example, the surface side of the ceramic member (for example, the holding body 10 in the above embodiment). May be arranged on the back surface S2 side).

また、上記実施形態において、加熱装置１００は、上述の第２の要件を満たさない構成であってもよい。 In addition, in the above-described embodiment, the heating device 100 may have a configuration that does not satisfy the above second requirement.

また、上記実施形態における加熱装置１００の構成は、あくまで例示であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、保持体１０および柱状支持体２０のＺ軸方向視の外形が略円形であるとしているが、他の形状であってもよい。また、柱状支持体２０に形成された貫通孔２２に収容される電極端子は、ヒータ電極５０に電気的に接続された端子に限らず、例えば、プラズマを発生させる高周波（ＲＦ）電極に電気的に接続された端子や、静電吸着のための吸着電極に電気的に接続された端子でもよい。また、上記実施形態では、受電電極５４は、保持体１０の裏面Ｓ２に形成された凹部１２内に配置されているが、保持体１０の裏面Ｓ２上に配置されているとしてもよい。要するに、受電電極は、保持体の第２の表面側に配置されていればよい。 Further, the configuration of the heating device 100 in the above embodiment is merely an example, and can be variously modified. For example, in the above embodiment, the outer shapes of the holder 10 and the columnar support 20 as viewed in the Z-axis direction are substantially circular, but they may have other shapes. Further, the electrode terminals housed in the through holes 22 formed in the columnar support 20 are not limited to the terminals electrically connected to the heater electrode 50, but are electrically connected to, for example, a radio frequency (RF) electrode that generates plasma. Or a terminal electrically connected to an adsorption electrode for electrostatic adsorption. Further, in the above-described embodiment, the power receiving electrode 54 is arranged in the recess 12 formed on the back surface S2 of the holding body 10, but it may be arranged on the back surface S2 of the holding body 10. In short, the power receiving electrode may be arranged on the second surface side of the holder.

また、上記実施形態において、ビア群５２は、１つのビア５２Ａを含むとしてもよいし、３つ以上のビア５２Ａを含むとしてもよい。 Further, in the above embodiment, the via group 52 may include one via 52A, or may include three or more vias 52A.

上記実施形態における加熱装置１００の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。 The manufacturing method of the heating device 100 in the above embodiment is merely an example, and various modifications can be made.

本発明は、加熱装置に限らず、静電チャック、真空チャック等の保持装置にも適用可能である。要するに、本発明は、抵抗体が設けられたセラミックス部材を備える保持装置に適用可能である。 The present invention is applicable not only to a heating device but also to a holding device such as an electrostatic chuck or a vacuum chuck. In short, the present invention can be applied to a holding device including a ceramic member provided with a resistor.

１０：保持体１２：凹部１３：溶剤２０：柱状支持体２２：貫通孔３０：接合部５０：ヒータ電極５１：周縁側ビア導体５２：ビア群５２Ａ：ビア５３：導電路５４：受電電極５６：ろう付け部７０：電極端子８０：Ｗ粉末１００：加熱装置Ｓ１：保持面Ｓ２：裏面Ｓ３：上面Ｗ：半導体ウェハ 10: Retainer 12: Recessed portion 13: Solvent 20: Columnar support 22: Through hole 30: Joined portion 50: Heater electrode 51: Edge side via conductor 52: Via group 52A: Via 53: Conductive path 54: Power receiving electrode 56: Brazing part 70: Electrode terminal 80: W powder 100: Heating device S1: Holding surface S2: Back surface S3: Upper surface W: Semiconductor wafer

Claims

A ceramic member having a substantially planar first surface that is substantially perpendicular to the first direction;
A heating resistor provided on the ceramic member;
And a holding device for holding an object on the first surface of the ceramic member,
In at least one specific cross section of the heat-generating resistor, the heat-generating resistor contains Re as a main component, and the content rate of C dissolved in Re is 1.0 wt% or less.
A holding device characterized by the above.

The holding device according to claim 1, further comprising:
The heating resistor is disposed inside the ceramic member,
The thickness of the ceramic member in the first direction is 5 mm or more,
A holding device characterized by the above.