JP2020106361A5 - - Google Patents

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Claims (30)

  1. 半導体デバイスの検査において用いられる冷却ユニットであって、
    前記半導体デバイスの熱を放熱するためのジャケットを備え、
    前記ジャケットには、前記半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられており、
    前記ジャケットは、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合う状態において、前記半導体デバイスと向かい合って前記半導体デバイスとの間に空間を画定する空間画定面を有し、
    前記ジャケットには、前記空間に供給される流体が流れる供給流路と、前記空間から排出される前記流体が流れる排出流路と、が設けられている、冷却ユニット。
  2. 前記ジャケットには、前記ジャケットを冷却するための冷媒が流れる冷媒流路が更に設けられている、請求項に記載の冷却ユニット。
  3. 前記空間画定面は、前記光通過部を囲むように延在している、請求項1又は2に記載の冷却ユニット。
  4. 前記空間画定面は、平面状に延在している、請求項1〜のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  5. 前記空間画定面は、前記光通過部に連なっている、請求項1〜のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  6. 前記空間画定面は、前記ジャケットに形成された凹部の底面である、請求項1〜のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  7. 前記空間の厚さは、0.05mm以上0.5mm以下である、請求項1〜のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  8. 前記空間の厚さは、0mmよりも大きく0.05mm以下である、請求項1〜のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  9. 前記ジャケットと、前記半導体デバイスが配置されるステージとの間で挟まれて前記空間を封止する弾性部材を更に備える、請求項1〜のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  10. 前記ジャケットには、前記供給流路が少なくとも2つ設けられている、請求項1〜のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  11. 前記空間画定面に垂直な方向から見た場合に、前記供給流路から前記空間に前記流体が供給される位置は、前記空間から前記排出流路に前記流体が排出される位置よりも内側に位置している、請求項1〜10のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  12. 前記供給流路は、前記光通過部に向けて前記流体を排出するように構成されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  13. 前記空間画定面には、凹部及び凸部の少なくとも一方が形成されている、請求項1〜12のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  14. 半導体デバイスの検査において用いられる冷却ユニットであって、
    前記半導体デバイスの熱を放熱するためのジャケットを備え、
    前記ジャケットには、前記半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられており、
    前記ジャケットは、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合う状態において、前記半導体デバイスと向かい合って前記半導体デバイスとの間に空間を画定する空間画定面を有し、
    前記ジャケットには、前記空間に供給される流体が流れる供給流路と、前記ジャケットを冷却するための冷媒が流れる冷媒流路と、が設けられている、冷却ユニット。
  15. 半導体デバイスの検査において用いられる冷却ユニットであって、
    前記半導体デバイスの熱を放熱するためのジャケットを備え、
    前記ジャケットには、前記半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられており、
    前記ジャケットは、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合う状態において、前記半導体デバイスと向かい合って前記半導体デバイスとの間に空間を画定する空間画定面を有し、
    前記ジャケットには、前記空間に供給される流体が流れる少なくとも2つの供給流路が設けられている、冷却ユニット。
  16. 半導体デバイスの検査において用いられる冷却ユニットであって、
    前記半導体デバイスの熱を放熱するためのジャケットを備え、
    前記ジャケットには、前記半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられており、
    前記ジャケットは、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合う状態において、前記半導体デバイスと向かい合って前記半導体デバイスとの間に空間を画定する空間画定面を有し、
    前記ジャケットには、前記空間に供給される流体が流れる供給流路が設けられており、
    前記空間画定面には、凹部及び凸部の少なくとも一方が形成されている、冷却ユニット。
  17. 前記光通過部は、前記ジャケットに設けられた開口に光透過部材が配置されることによって構成されている、請求項1〜16のいずれか一項に記載の冷却ユニット。
  18. 前記光透過部材は、前記開口を水密に塞いでいる、請求項17に記載の冷却ユニット。
  19. 請求項1〜16のいずれか一項に記載の冷却ユニットと、
    前記光通過部と向かい合う対物レンズと、
    前記対物レンズの光軸上に位置するように保持された固浸レンズと、を備え、
    前記光通過部は、前記ジャケットに設けられた開口によって構成されており、
    前記固浸レンズは、前記開口に配置されている、対物レンズモジュール。
  20. 前記冷却ユニットを前記対物レンズとは反対側に向けて付勢する付勢部材を更に備える、請求項19に記載の対物レンズモジュール。
  21. 前記対物レンズに取り付けられ、前記固浸レンズを保持するホルダを更に備え、
    前記ホルダは、前記固浸レンズの周縁部に接触して、前記固浸レンズを水密に且つ揺動可能に保持する可撓性部材を有する、請求項19又は20に記載の対物レンズモジュール。
  22. 前記対物レンズに取り付けられ、前記固浸レンズを保持するホルダと、
    前記ホルダと前記ジャケットとの間で挟まれて前記ホルダと前記ジャケットとの間を封止する封止部材と、を更に備える、請求項1921のいずれか一項に記載の対物レンズモジュール。
  23. 請求項1〜18のいずれか一項に記載の冷却ユニットと、
    前記半導体デバイスが配置されるステージと、
    前記光通過部を介して前記半導体デバイスと向かい合う対物レンズと、
    前記半導体デバイスからの光を前記光通過部及び前記対物レンズを介して検出する光検出器と、を備える、半導体検査装置。
  24. 前記空間を流れる前記流体の圧力を変化させる圧力調整部と、
    前記圧力調整部を制御する制御部と、を更に備える、請求項23に記載の半導体検査装置。
  25. 前記制御部は、前記空間を流れる前記流体の圧力が前記冷却ユニットの外部の圧力よりも低くなるように、前記圧力調整部を制御する、請求項24に記載の半導体検査装置。
  26. 前記冷却ユニットを前記ステージに向けて付勢する付勢装置を更に備える、請求項2325のいずれか一項に記載の半導体検査装置。
  27. 半導体デバイスをステージに配置するステップと、
    半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられたジャケットを有する冷却ユニットを、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合い、且つ、前記ジャケットと前記半導体デバイスとの間に空間が画定されるように配置するステップと、
    前記半導体デバイスを駆動させるステップと、
    前記空間に流体を流すと共に、前記ジャケットに設けられた排出流路を介して前記空間から前記流体を排出しながら、駆動中の前記半導体デバイスから到来して前記光通過部を通過した光を光検出器により検出するステップと、を備える、半導体検査方法。
  28. 半導体デバイスをステージに配置するステップと、
    半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられたジャケットを有する冷却ユニットを、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合い、且つ、前記ジャケットと前記半導体デバイスとの間に空間が画定されるように配置するステップと、
    前記半導体デバイスを駆動させるステップと、
    前記空間に流体を流すと共に、前記ジャケットに設けられた冷媒流路に冷媒を流しながら、駆動中の前記半導体デバイスから到来して前記光通過部を通過した光を光検出器により検出するステップと、を備える、半導体検査方法。
  29. 半導体デバイスをステージに配置するステップと、
    半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられたジャケットを有する冷却ユニットを、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合い、且つ、前記ジャケットと前記半導体デバイスとの間に空間が画定されるように配置するステップと、
    前記半導体デバイスを駆動させるステップと、
    前記ジャケットに設けられた少なくとも2つの供給流路を介して前記空間に流体を流しながら、駆動中の前記半導体デバイスから到来して前記光通過部を通過した光を光検出器により検出するステップと、を備える、半導体検査方法。
  30. 半導体デバイスをステージに配置するステップと、
    半導体デバイスからの光を通過させる光通過部が設けられたジャケットを有する冷却ユニットを、前記光通過部が前記半導体デバイスと向かい合い、且つ、前記ジャケットの空間画定面と前記半導体デバイスとの間に空間が画定されるように配置するステップと、
    前記半導体デバイスを駆動させるステップと、
    前記空間に流体を流しながら、駆動中の前記半導体デバイスから到来して前記光通過部を通過した光を光検出器により検出するステップと、を備え、
    前記空間画定面には、凹部及び凸部の少なくとも一方が形成されている、半導体検査方法。
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