JP2020096054A - 接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法、セラミックス基板、接合体、及び、絶縁回路基板 - Google Patents
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例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時の発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、例えば窒化アルミニウムからなるセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。なお、絶縁回路基板としては、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して金属層を形成したものも提供されている。
ここで、セラミックス基板と回路層及び金属層となる銅板は、Cu−P系ろう材等を用いて接合されている。
ここで、セラミックス基板と回路層及び金属層となるアルミニウム板は、Al−Si系ろう材を用いたろう付け法や、TLP法等によって接合されている。
ここで、セラミックス基板と金属板とを強固に接合するためには、接合条件を高温・長時間で実施して、界面反応を十分に進行させることが好ましい。
しかしながら、最近では、回路層の薄肉化が図られていることから、回路層となる金属板(銅板及びアルミニウム板)を接合する際に高温で長時間保持した際に、薄肉の金属板が溶融してしまうおそれがある。このため、低温・短時間の接合条件でも、セラミックス基板と金属板とを確実に接合することが求められている。
また、前記表面酸素濃度調整工程は、前記セラミックス部材の表面を酸化させる酸化処理工程と、処理液によって前記セラミックス部材の表面を溶解するエッチング処理工程と、を備えているので、これらの工程によって、形成される非晶質酸化物層の厚さを調整でき、前記セラミックス部材の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とすることができる。
なお、上述したセラミックス部材の表面酸素濃度は、XPS分析によって測定することができる。
また、前記表面酸素濃度調整工程は、前記セラミックス基板の表面を酸化させる酸化処理工程と、処理液によって前記セラミックス基板の表面を溶解するエッチング処理工程と、を備えているので、これらの工程によって、形成される非晶質酸化物層の厚さを調整でき、記セラミックス基板の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とすることができる。
なお、上述したセラミックス基板の表面酸素濃度は、XPS分析によって測定することができる。
本発明の第一の実施形態に係る接合体は、セラミックス部材であるセラミックス基板11と、金属部材である金属板22(回路層12)及び金属板23(金属層13)とが接合されることにより構成された絶縁回路基板10とされている。
図1に、本実施形態である絶縁回路基板10及びこの絶縁回路基板10を用いたパワーモジュール1を示す。
本実施形態では、金属板22は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されたものとされている。なお、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板22としては、純度99mass%以上のアルミニウム(2Nアルミニウム)、純度99.99mass%以上のアルミニウム(4Nアルミニウム)、A1050、A1085、A1100、A3003等の圧延板を用いることができる。
ここで、回路層12(金属板22)の厚さは、0.05mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されている。
ここで、金属層13(金属板23)の厚さは 0.05mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されている。
また、ヒートシンク31としては、A1050、A1100、A3003、A6061等のアルミニウムを用いることもできる。
なお、セラミックス基板11の表面酸素濃度は、XPS分析によって測定することが好ましい。
まず、図3に示すように、窒化アルミニウムからなるセラミックス基板11の表面に非晶質酸化物層11aを形成し、セラミックス基板11の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とする。
この表面酸素濃度調整工程S01においては、セラミックス基板11の表面を酸化させる酸化処理工程S11と、処理液によってセラミックス基板11の表面を溶解するエッチング処理工程S12と、を備えている。
雰囲気:酸素含有量が30vol%以上60vol%以下、残部が窒素
処理温度:50℃以上100℃以下
処理時間:5時間以上20時間以下
フッ酸を用いる場合には、HFの濃度を0.1mass%以上0.3mass%以下、処理温度を28℃以上35℃以下、処理時間を0.25分以上1分以下とする。
塩酸を用いる場合には、HClの濃度を13mass%以上25mass%以下、処理温度を28℃以上40℃以下、処理時間を5分以上15分以下とする。
硝酸を用いる場合には、HNO3の濃度を10mass%以上40mass%以下、処理温度を28℃以上40℃以下、処理時間を5分以上15分以下とする。
硫酸を用いる場合には、H2SO4の濃度を10mass%以上40mass%以下、処理温度を28℃以上40℃以下、処理時間を5分以上15分以下とする。
塩化鉄水溶液を用いる場合には、FeCl3の濃度を35mass%以上50mass%以下、処理温度を40℃以上55℃以下、処理時間を1分以上15分以下とする。
塩化銅水溶液を用いる場合には、CuCl2の濃度を13mass%以上25mass%以下、処理温度を40℃以上55℃以下、処理時間を1分以上15分以下とする。
水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合には、NaOHの濃度を2mass%以上6mass%以下、処理温度を28℃以上40℃以下、処理時間を1分以上8分以下とする。
炭酸水素ナトリウム水溶液を用いる場合には、NaHCO3の濃度を2mass%以上6mass%以下、処理温度を28℃以上40℃以下、処理時間を1分以上8分以下とする。
このように、セラミックス基板11の表面に非晶質酸化物層11aが形成され、セラミックス基板11の表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされることにより、セラミックス基板11の表面反応が促進され、後述する接合工程S03において、金属板22,23とセラミックス基板11とが強固に接合されることになる。
このため、本実施形態では、セラミックス基板11の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内としている。
なお、セラミックス基板11の表面酸素濃度の下限は28原子%以上とすることが好ましく、32原子%以上とすることがさらに好ましい。また、セラミックス基板11の表面酸素濃度の上限は45原子%以下とすることが好ましく、40原子%以下とすることがさらに好ましい。
次に、図4に示すように、非晶質酸化物層11aを形成したセラミックス基板11の一方の面に回路層12となる金属板22を積層し、非晶質酸化物層11aを形成したセラミックス基板11の他方の面に金属層13となる金属板23を積層する。
本実施形態では、金属板22とセラミックス基板11との間、及び、セラミックス基板11と金属板23との間に、Al−Si系のろう材26を介在させている。ここで、Al−Si系のろう材26としては、Si濃度が1mass%以上12mass%以下の範囲内のものを用いることが好ましい。また、Al−Si系のろう材26の厚さは5μm以上15μm以下の範囲内とすることが好ましい。
次いで、積層した金属板22、セラミックス基板11、金属板23を、その積層方向に1kgf/cm2以上10kgf/cm2以下(0.098MPa以上0.98MPa以下)の範囲で加圧した状態で真空加熱炉に装入し、金属板22とセラミックス基板11とを接合して回路層12を形成し、セラミックス基板11と金属板23とを接合して金属層13を形成する。
接合工程S03における接合条件は、真空条件は10−6Pa以上10−3Pa以下の範囲内、加熱温度は580℃以上650℃以下の範囲内、上記加熱温度での保持時間は10分以上45分以下の範囲内とすることが好ましい。
また、加熱温度の下限は、585℃以上とすることが好ましく、590℃以上とすることがさらに好ましい。一方、加熱温度の上限は、640℃以下とすることが好ましく、620℃以下とすることがさらに好ましい。
さらに、加熱温度での保持時間の下限は、15分以上とすることが好ましく、20分以上とすることがさらに好ましい。一方、加熱温度での保持時間の上限は、40分以下とすることが好ましく、30分以下とすることがさらに好ましい。
次に、絶縁回路基板10の金属層13の他方の面側にヒートシンク31を接合する。
絶縁回路基板10とヒートシンク31とを、Al−Si系ろう材を介して積層して加熱炉に装入し、絶縁回路基板10とヒートシンク31とを接合する。
次に、絶縁回路基板10の回路層12の一方の面に、半導体素子3をはんだ付けにより接合する。
以上の工程により、図1に示すパワーモジュール1が製出される。
さらに、本実施形態では、酸化処理工程S11の条件、エッチング処理工程S12の条件を、上述のように規定しているので、形成される非晶質酸化物層11aの厚さを精度良く調整することができる。
本発明の第二の実施形態に係る接合体は、セラミックス部材であるセラミックス基板111と、金属部材である金属板122(回路層112)及び金属板123(金属層113)とが接合されることにより構成された絶縁回路基板110とされている。
図5に、本実施形態である絶縁回路基板110及びこの絶縁回路基板110を用いたパワーモジュール101を示す。
本実施形態では、金属板122は、銅又は銅合金で構成されたものとされている。なお、銅又は銅合金からなる金属板122としては、無酸素銅、タフピッチ銅、Sn入り銅等の圧延板を用いることができる。
ここで、回路層112(金属板122)の厚さは0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されている。
ここで、金属層113(金属板123)の厚さは 0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されている。
まず、窒化ケイ素からなるセラミックス基板111の表面に非晶質酸化物層111aを形成し、セラミックス基板111の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とする。
この表面酸素濃度調整工程S101においては、処理液によってセラミックス基板111の表面を溶解するエッチング処理工程S111と、セラミックス基板111の表面を酸化させる酸化処理工程S112と、を備えている。
また、酸化処理工程S112においては、上述した第一の実施形態における酸化処理工程S11と同様の条件によって、実施することが好ましい。
次に、図8に示すように、非晶質酸化物層111aを形成したセラミックス基板111の一方の面に回路層112となる金属板122を積層し、非晶質酸化物層111aを形成したセラミックス基板111の他方の面に金属層113となる金属板123を積層する。
本実施形態では、セラミックス基板111と金属板122との間にCu−P系ろう材126と活性金属材127を介在させるとともに、セラミックス基板111と金属板123との間にCu−P系ろう材126と活性金属材127を介在させている。
また、本実施形態では、活性金属材127として、チタン箔(厚さ1μm以上5μm以下)を用いている。
次いで、積層した金属板122、セラミックス基板111、金属板123を、その積層方向に加圧(圧力1〜35kgf/cm2(0.098MPa以上3.43MPa以下))した状態で、真空加熱炉内に装入して加熱し、金属板122とセラミックス基板111とを接合して回路層112を形成し、セラミックス基板111と金属板123とを接合して金属層113を形成する。
接合工程S103における接合条件は、真空条件は10−6Pa以上10−3Pa以下の範囲内、加熱温度は770℃以上980℃以下の範囲内、上記加熱温度での保持時間は5分以上120分以下の範囲内とすることが好ましい。
また、加熱温度の下限は、810℃以上とすることが好ましく、830℃以上とすることがさらに好ましい。一方、加熱温度の上限は、950℃以下とすることが好ましく、930℃以下とすることがさらに好ましい。
さらに、加熱温度での保持時間の下限は、15分以上とすることが好ましく、30分以上とすることがさらに好ましい。一方、加熱温度での保持時間の上限は、100分以下とすることが好ましく、70分以下とすることがさらに好ましい。
次に、絶縁回路基板110の金属層113の他方の面側にヒートシンク131を接合する。絶縁回路基板110とヒートシンク131とを、はんだ材を介して積層して加熱炉に装入し、第2はんだ層8を介して絶縁回路基板110とヒートシンク131とをはんだ接合する。
次に、絶縁回路基板110の回路層112の一方の面に、半導体素子3をはんだ付けにより接合する。
以上の工程により、図5に示すパワーモジュール101が製出される。
さらに、本実施形態では、エッチング処理工程S111の条件、酸化処理工程S112の条件を、上述のように規定しているので、形成される非晶質酸化物層111aの厚さを精度良く調整することができる。
例えば、本実施形態においては、回路層及び金属層をアルミニウム板あるいは銅板で構成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、回路層及び金属層の一方が銅板で構成され、他方がアルミニウム板で構成されたものであってもよい。
さらに、ヒートシンクの天板部や放熱板と金属層との間に、アルミニウム又はアルミニウム合金若しくはアルミニウムを含む複合材(例えばAlSiC等)からなる緩衝層を設けてもよい。
まず、表1に示すセラミックス基板(50mm×60mm、厚さは表1に記載)を準備した。
このセラミックス基板に対して、表1に示す条件で、表面酸素濃度調整工程を実施した。そして、セラミックス基板の表面に非晶質酸化物層を形成し、セラミックス基板の表面酸素濃度を調整した。
X線源:Monochromated AlKa(50W)
パスエネルギー:187.85eV
測定間隔:0.8eV/step
試料面に対する光電子取り出し角:45°
分析エリア:φ200μm
まず、透過型電子顕微鏡(FEI社製Titan ChemiSTEM)を用いて、加速電圧200kVで、倍率320000倍で観察を実施した。エネルギー分散型X線分析装置(サーモサイエンティフィック社製NSS7)により、O及びAl又はSiの元素マッピングを取得し、酸化物層を確認した。
そして、酸化物層の高分解能像を取得し、この高分解能像を高速フーリエ変換することで得られる回折像に回折斑点が確認されない場合を、非晶質であると判断した。
そして、上述のセラミックス基板と金属板とを、表2に示す条件で接合し、回路層及び金属層を形成した。これにより、絶縁回路基板を製造した。なお、接合時の雰囲気は、真空雰囲気(5×10−3Pa)とした。
ここで、表2の「方式」の欄においては、上述の第一の実施形態のように、セラミックス基板とアルミニウム板とをAl−Siろう材を用いて接合したものを「A」と表記した。また、上述の第二の実施形態のように、セラミックス基板と銅板とをCu−P系ろう材とTiとを用いて接合したものを「B」と表記した。
回路層とセラミックス基板との接合率を評価した。具体的には、絶縁回路基板において、回路層とセラミックス基板との界面の接合率について超音波探傷装置(株式会社日立パワーソリューションズ製FineSAT200)を用いて評価し、以下の式から算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積、すなわち回路層の面積とした。超音波探傷像を二値化処理した画像において剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
(接合率)={(初期接合面積)−(非接合部面積)}/(初期接合面積)×100
冷熱衝撃試験機エスペック社製TSB−51を使用し、ヒートシンク付パワーモジュール用基板に対して、液相(フロリナート)で、−40℃×10分←→150℃×10分の冷熱サイクルを、以下に示す所定サイクル数だけ実施した。
ここで、セラミックス基板とアルミニウム板とをAl−Siろう材を用いて接合した「方式A」は、上述の冷熱サイクルを3000サイクル実施した。
また、セラミックス基板と銅板とをCu−P系ろう材とTiとを用いて接合した「方式B」においては、上述の冷熱サイクルを200サイクル実施した。
そして、冷熱サイクル試験後の接合率を、上述した方法によって評価した。
比較例2、4においては、セラミックス基板の表面酸素濃度が本発明の範囲よりも多く、冷熱サイクル試験後の接合率が大きく低下した。
また、図9に示すように、本発明例3及び本発明例9において、セラミックス基板の表面に非晶質酸化物層が形成されていることが確認される。なお、他の本発明例においても、同様に観察した結果、セラミックス基板の表面に非晶質酸化物層が形成されていることを確認している。
11,111 セラミックス基板
12,112 回路層
13,113 金属層
22,23 金属板(アルミニウム板)
122,123 金属板(銅板)
Claims (5)
- 金属部材と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる接合体の製造方法であって、
前記セラミックス部材の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とする表面酸素濃度調整工程と、
表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされた前記セラミックス部材の表面に前記金属部材を接合する接合工程と、を有し、
前記表面酸素濃度調整工程は、前記セラミックス部材の表面を酸化させる酸化処理工程と、処理液によって前記セラミックス部材の表面を溶解するエッチング処理工程と、を備えており、前記セラミックス部材の表面に非晶質酸化物層を形成することを特徴とする接合体の製造方法。 - 金属板と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス基板とが接合されてなる絶縁回路基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とする表面酸素濃度調整工程と、
表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされた前記セラミックス基板の表面に前記金属板を接合する接合工程と、を有し、
前記表面酸素濃度調整工程は、前記セラミックス基板の表面を酸化させる酸化処理工程と、処理液によって前記セラミックス基板の表面を溶解するエッチング処理工程と、を備えており、前記セラミックス基板の表面に非晶質酸化物層を形成することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。 - 窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなり、表面に非晶質酸化物層を有し、表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされていることを特徴とするセラミックス基板。
- 金属部材と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる接合体であって、
前記セラミックス部材の表面に非晶質酸化物層が形成されており、前記セラミックス部材の表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされていることを特徴とする接合体。 - 金属板と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス基板とが接合されてなる絶縁回路基板であって、
前記セラミックス基板の表面に非晶質酸化物層が形成されており、前記セラミックス基板の表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされていることを特徴とする絶縁回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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JP2020096054A true JP2020096054A (ja) | 2020-06-18 |
JP7243165B2 JP7243165B2 (ja) | 2023-03-22 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016154228A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-25 | 出光興産株式会社 | 基板 |
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