JP2020088194A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which are suitable for both simultaneous processing of a plurality of substrates and individual processing of the plurality of substrates.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes: an upstream processing part 22; a downstream processing part; a first standby part 231; a second standby part 232; and a transfer robot 4. The upstream processing part 22 sequentially processes a plurality of substrates W one by one.The downstream processing part can simultaneously process two substrates processed by the upstream processing part 22. The first standby part 231 waits for a first substrate W 1 which is a substrate W processed by the upstream processing part 22. The second standby part 232 waits for a second substrate W 2 which is the substrate W processed by the upstream processing part 22 and is a next substrate of the first substrate W 1. The transfer robot 4 can take out both of the first substrate W 1 and the second substrate W 2, and one of only the first substrate W1 and only the second substrate W2 as a transfer target and can convey the transfer target to the downstream processing part.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

複数の処理装置を有するコータ/デベロッパ装置が知られている。例えば、特許文献1に記載のコータ/デベロッパ装置では、インデクサ部に載置されたカセットから取り出された複数の基板が順次、洗浄装置に投入され、その後、脱水ベーク装置、レジスト塗布装置、プリベーク装置、露光装置、現像装置、および、ポストベーク装置を順番に経由して、再びカセットに収容される。 Coater/developer devices having a plurality of processing devices are known. For example, in the coater/developer apparatus described in Patent Document 1, a plurality of substrates taken out from a cassette placed on an indexer section are sequentially put into a cleaning apparatus, and then a dehydration baking apparatus, a resist coating apparatus, a prebaking apparatus. , The exposure device, the developing device, and the post-baking device in this order, and then stored again in the cassette.

このコータ/デベロッパ装置には、次の2つのタイプの処理装置が混在する。即ち、平流し処理装置と可変搬送型の処理装置とが混在する。この平流し処理装置には1枚ずつ基板が搬入される。平流し処理装置はこれらの基板を順次に一方向に搬送して基板に対して1枚ずつ処理を行う。この平流し処理装置としては、洗浄装置および現像装置が例示される。 In this coater/developer device, the following two types of processing devices are mixed. That is, the flat-flow processing apparatus and the variable transfer type processing apparatus coexist. Substrates are loaded one by one into this flatbed processing apparatus. The flatbed processing apparatus sequentially conveys these substrates in one direction to process the substrates one by one. Examples of the flat-flow processing device include a cleaning device and a developing device.

可変搬送型の処理装置にも基板が1枚ずつ搬入される。可変搬送型の処理装置は、複数の処理部と、当該複数の処理部に対して基板を搬送する基板搬送手段とを有する。基板搬送手段は、基板を受け取るハンドと、このハンドを各処理部へ移動させる移動機構とを有する。この基板搬送手段は上流側の装置から基板を1枚ずつ受け取って処理部へと基板を渡す。また基板搬送手段は処理部の相互間で基板を搬送することもできる。この可変搬送型の処理装置としては、例えば脱水ベーク装置が例示される。この脱水ベーク装置では複数の処理部として加熱部および冷却部が設けられる。 Substrates are loaded into the variable transfer type processing apparatus one by one. The variable transfer type processing apparatus has a plurality of processing units and a substrate transfer unit that transfers a substrate to the plurality of processing units. The substrate carrying means has a hand for receiving the substrate and a moving mechanism for moving the hand to each processing section. The substrate transfer means receives the substrates one by one from the upstream device and transfers the substrates to the processing section. The substrate transfer means can also transfer the substrate between the processing units. An example of this variable transfer type processing apparatus is a dehydration baking apparatus. In this dehydration baking apparatus, a heating unit and a cooling unit are provided as a plurality of processing units.

特開2015−156426号公報JP, 2005-156426, A

しかしながら、このような可変搬送型の処理装置の各処理部には、例えば上流側の平流し装置から基板が1枚ずつ搬送され、各処理部は基板に対して1枚ずつ処理を行う。よって、基板処理のスループットが低い、という問題がある。 However, for example, a substrate is conveyed one by one from an upstream side flattening device to each treatment section of such a variable conveyance type treatment apparatus, and each treatment section processes the substrate one by one. Therefore, there is a problem that the throughput of substrate processing is low.

そこで、可変搬送型の処理装置の各処理部に、複数枚の基板に対して同時に処理を行わせることが考えられる。これにより、基板処理のスループットを向上することができる。 Therefore, it is conceivable to cause each processing unit of the variable transfer type processing apparatus to simultaneously process a plurality of substrates. Thereby, the throughput of substrate processing can be improved.

しかしながら、可変搬送型の処理装置の各処理部が常に複数の基板に対して同時に処理を行うことが望ましいとは限らず、各処理部が1枚の基板に対して処理を行うことが望ましい場合もある。以下に簡単に説明する。 However, it is not always desirable that each processing unit of the variable transfer type processing apparatus simultaneously processes a plurality of substrates, and it is desirable that each processing unit performs a processing on one substrate. There is also. A brief description will be given below.

例えば平流し処理装置においては、先行する基板(以下、先行基板と呼ぶ)の処理が終了した後に、その次に流れる基板(以下、次基板と呼ぶ)が処理される。よって、先行基板は次基板の処理の終了を待つ必要があり、その待機期間において、先行基板の状態が経時的に変化し得る。したがって、次基板の処理が終了した時点での先行基板および次基板の状態は互いに相違し得る。このように先行基板および次基板の状態の差異が大きくなる場合は、平流し処理装置における次基板の処理の終了を待つことは好ましくない。そこで、下流側の可変搬送型の処理装置の各処理部に、先行基板および次基板を順次搬送して、先行基板および次基板に対して1枚ずつ個別に処理を行うことが望ましい。これにより、状態に差異のない基板に対して処理を行うことができる。 For example, in the flatbed processing apparatus, after the processing of the preceding substrate (hereinafter referred to as the preceding substrate) is completed, the substrate flowing next (hereinafter referred to as the next substrate) is processed. Therefore, the preceding substrate needs to wait for the processing of the next substrate to be completed, and the state of the preceding substrate may change over time during the waiting period. Therefore, the states of the preceding substrate and the next substrate at the time when the processing of the next substrate is completed may be different from each other. When the difference between the states of the preceding substrate and the next substrate becomes large as described above, it is not preferable to wait for the completion of the processing of the next substrate in the flatbed processing apparatus. Therefore, it is desirable that the preceding substrate and the next substrate are sequentially carried to each processing unit of the variable carrying type processing apparatus on the downstream side, and the preceding substrate and the next substrate are individually processed one by one. As a result, it is possible to perform processing on a substrate having no difference in state.

その一方で、上記差異が小さければ、下流側の可変搬送型の処理装置の各処理部は先行基板および次基板に対して同時に処理を行うことが望ましい。これにより、スループットを向上できる。 On the other hand, if the difference is small, it is desirable that each processing unit of the variable transfer type processing apparatus on the downstream side simultaneously processes the preceding substrate and the next substrate. Thereby, the throughput can be improved.

しかしながら、従来では、このような処理方法の相違について考慮されておらず、そのような両処理方法に適した基板処理装置は提案されていない。 However, conventionally, such a difference in processing method has not been taken into consideration, and a substrate processing apparatus suitable for both such processing methods has not been proposed.

そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の基板の同時処理および複数の基板の個別処理の両方に適した基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method suitable for both simultaneous processing of a plurality of substrates and individual processing of a plurality of substrates. ..

基板処理装置の第1の態様は、複数の基板を1枚ずつ順次に処理する上流処理部と、前記上流処理部によって処理された2枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、前記上流処理部で処理された基板である第1基板を待機させる第1待機部と、前記上流処理部で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第2待機部と、前記第1待機部で待機する前記第1基板と前記第2待機部で待機する前記第2基板との両方、前記第1待機部で待機する前記第1基板のみ、および、前記第2待機部で待機する第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットとを備える。 A first aspect of the substrate processing apparatus is an upstream processing unit that sequentially processes a plurality of substrates one by one, a downstream processing unit that can simultaneously process two substrates processed by the upstream processing unit, and A first standby unit that waits for a first substrate that is a substrate processed by an upstream processing unit, and a second substrate that is a substrate processed by the upstream processing unit and that is the next substrate to the first substrate. A second standby unit, both the first substrate waiting in the first standby unit and the second substrate waiting in the second standby unit, only the first substrate waiting in the first standby unit; Also, a transfer robot is provided which can take out only the second substrate waiting in the second standby unit as a transfer target and can transfer the transfer target to the downstream processing unit.

基板処理装置の第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理装置であって、前記第1待機部は前記第1基板を上昇させる第1上昇機構を有し、前記第2待機部は前記第2基板を上昇させる第2上昇機構を有し、前記第1上昇機構および前記第2上昇機構は互いに独立して駆動される。 A second aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the first standby unit has a first raising mechanism for raising the first substrate, and the second standby unit is There is a second raising mechanism that raises the second substrate, and the first raising mechanism and the second raising mechanism are driven independently of each other.

基板処理装置の第3の態様は、第2の態様にかかる基板処理装置であって、前記上流処理部は、搬送方向に沿って前記複数の基板を1枚ずつ順次に搬送する搬送部を有し、前記第1待機部は、前記搬送方向において前記搬送部の下流側に位置し、前記第2待機部は、前記搬送方向において前記搬送部と前記第1待機部との間に位置しており、前記搬送部からの前記第1基板を前記第1待機部へと搬送する機能も有し、前記第1基板が前記第2待機部から前記第1待機部へ搬送されると、前記第1上昇機構が前記第1基板を上昇させ、前記第2基板は、第1上昇機構が前記第1基板を上昇させた状態で、前記搬送部から前記第2待機部へと搬送される。 A third aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the upstream processing unit has a transport unit that sequentially transports the plurality of substrates one by one along a transport direction. However, the first standby unit is located downstream of the transport unit in the transport direction, and the second standby unit is located between the transport unit and the first standby unit in the transport direction. And has a function of transporting the first substrate from the transport unit to the first standby unit. When the first substrate is transported from the second standby unit to the first standby unit, the first substrate is transferred to the first standby unit. The first raising mechanism raises the first substrate, and the second substrate is conveyed from the conveying unit to the second standby unit in a state where the first raising mechanism raises the first substrate.

基板処理装置の第4の態様は、第1から第3のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記下流処理部は、乾燥処理を行う複数の乾燥部を有し、前記搬送ロボットは、前記第1基板および前記第2基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、前記第1基板を前記複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第2基板を前記複数の乾燥部の他の1つに搬送し、前記必要乾燥時間が、前記第1時間よりも長い第2時間であるときには、前記第1基板および前記第2基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する。 A fourth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the downstream processing unit has a plurality of drying units that perform a drying process, The robot conveys the first substrate to one of the plurality of drying units when the required drying time required for drying each of the first substrate and the second substrate is the first time, and the second substrate Is conveyed to another one of the plurality of drying units, and when the required drying time is a second time longer than the first time, both of the first substrate and the second substrate are received and collectively received. Then, it is conveyed to one of the plurality of drying sections.

基板処理方法の態様は、複数の基板を1枚ずつ順次に処理する第1工程と、前記第1工程で処理された基板である第1基板を待機させる第2工程と、前記第1工程で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第3工程と、前記第1基板と前記第2基板との両方、前記第1基板のみ、および、第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能な搬送ロボットによって前記搬送対象を取り出す第4工程と、2枚の基板を同時に処理可能な下流処理部へと、前記搬送ロボットによって前記搬送対象を搬送する第5工程とを備える。 The aspect of the substrate processing method includes a first step of sequentially processing a plurality of substrates one by one, a second step of waiting the first substrate that is the substrate processed in the first step, and a first step of the first step. A third step of waiting for a second substrate that is a processed substrate, which is a substrate next to the first substrate, both the first substrate and the second substrate, only the first substrate, and A fourth step of taking out the transfer target by a transfer robot capable of taking out only the second substrate as a transfer target, and transferring the transfer target by the transfer robot to a downstream processing unit capable of simultaneously processing two substrates. And a fifth step.

基板処理装置の第1の態様および基板処理方法の態様によれば、搬送ロボットが第1基板および第2基板の両方を一括して下流処理部へと搬送することもでき、また第1基板および第2基板を個別に下流処理部に搬送することもできる。第1基板および第2基板の両方を一括して下流処理部へと搬送すれば、下流処理装置が第1基板および第2基板の両方を同時に処理する。これによれば、スループットを向上することができる。一方で、第1基板および第2基板を個別に下流処理部へと搬送すれば、下流処理部は第1基板および第2基板を個別に処理する。これによれば、下流処理部は第1基板および第2基板のそれぞれに対して適した処理条件で、第1基板および第2基板に対して処理を行うことができる。 According to the first aspect of the substrate processing apparatus and the aspect of the substrate processing method, the transfer robot can also transfer both the first substrate and the second substrate to the downstream processing unit in a lump, and the first substrate and The second substrate can also be individually transported to the downstream processing unit. If both the first substrate and the second substrate are collectively transported to the downstream processing unit, the downstream processing apparatus simultaneously processes both the first substrate and the second substrate. According to this, the throughput can be improved. On the other hand, if the first substrate and the second substrate are individually conveyed to the downstream processing unit, the downstream processing unit individually processes the first substrate and the second substrate. According to this, the downstream processing unit can perform processing on the first substrate and the second substrate under processing conditions suitable for the first substrate and the second substrate, respectively.

基板処理装置の第2の態様によれば、第1上昇機構および第2上昇機構が互いに独立して駆動されるので、第1基板のみを上昇させることも、第2基板のみを上昇させることも、第1基板および第2基板の両方を上昇させることもできる。 According to the second aspect of the substrate processing apparatus, since the first raising mechanism and the second raising mechanism are driven independently of each other, it is possible to raise only the first substrate or only the second substrate. It is also possible to raise both the first substrate and the second substrate.

基板処理装置の第3の態様によれば、第1基板をより早いタイミングで上昇させることができる。これによれば、第1基板を搬送部から離して支持することができる。よって、搬送部と基板との間で移動する熱の量を低減することができる。よって、第1基板と第2基板の温度状態の差を低減することができる。 According to the third aspect of the substrate processing apparatus, the first substrate can be raised at an earlier timing. According to this, the 1st board|substrate can be supported apart from a conveyance part. Therefore, the amount of heat transferred between the transfer unit and the substrate can be reduced. Therefore, the difference between the temperature states of the first substrate and the second substrate can be reduced.

基板処理装置の第4の態様によれば、上流処理部は第1基板および第2基板を1枚ずつ順次に処理するので、その処理の終了タイミングは第1基板および第2基板の間で相違する。具体的には、第1基板の終了タイミングは第2基板の終了タイミングよりも早いタイミングである。よって、第1基板および第2基板に対する処理が終了した後の第1基板の乾燥状態は第2基板の乾燥状態と相違する。 According to the fourth aspect of the substrate processing apparatus, since the upstream processing unit sequentially processes the first substrate and the second substrate one by one, the end timing of the processing differs between the first substrate and the second substrate. To do. Specifically, the end timing of the first substrate is earlier than the end timing of the second substrate. Therefore, the dry state of the first substrate after the processing on the first substrate and the second substrate is different from the dry state of the second substrate.

必要乾燥時間が短いときには、第1基板および第2基板の各々は乾燥しやすく、処理の終了タイミングの差による乾燥の程度差は比較的に大きくなる。この場合、搬送ロボットは第1基板および第2基板をそれぞれ別の乾燥部に搬送する。よって、第1基板および第2基板のそれぞれに適した乾燥時間で乾燥処理を行うことができる。 When the required drying time is short, each of the first substrate and the second substrate is easily dried, and the difference in the degree of drying due to the difference in the processing end timing is relatively large. In this case, the transfer robot transfers the first substrate and the second substrate to different drying units. Therefore, the drying process can be performed for the drying time suitable for each of the first substrate and the second substrate.

一方で、必要乾燥時間が長いときには、第1基板および第2基板の各々は乾燥しにくく、処理の終了タイミングの差による乾燥の程度差は比較的に小さくなる。この場合、搬送ロボットは第1基板および第2基板を一括して一つの乾燥部に搬送する。これにより、乾燥に要するスループットを向上することができる。 On the other hand, when the required drying time is long, it is difficult to dry each of the first substrate and the second substrate, and the difference in the degree of drying due to the difference in the processing end timing is relatively small. In this case, the transfer robot collectively transfers the first substrate and the second substrate to one drying unit. As a result, the throughput required for drying can be improved.

基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly an example of a structure of a substrate processing apparatus. 制御部の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。It is a functional block diagram which shows roughly an example of a structure of a control part. 塗布装置および搬送ロボットの構成の一例を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows roughly an example of a structure of a coating device and a conveyance robot. 制御部の動作の一例を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows an example of operation of a control part. 塗布装置および搬送ロボットの構成の一例を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows roughly an example of a structure of a coating device and a conveyance robot.

第1の実施の形態.
<1.基板処理装置の全体構成・全体動作の概要の一例>
図1は、基板処理装置1の構成の一例を概略的に示す平面図である。なお以下で参照する各図では、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また各図において、各構成の位置関係を説明するために、XYZ直交座標系が適宜に示される。ここでは、Z軸が鉛直方向に沿う姿勢で配置され、X軸およびY軸は水平面に沿って配置される。以下では、X軸方向における一方側を+X側とも呼び、他方側を−X側とも呼ぶ。Y軸およびZ軸も同様である。なお以下では、+Z側は鉛直上側を意味する。
First embodiment.
<1. An example of an overview of the overall configuration and overall operation of the substrate processing apparatus>
FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 1. In each of the drawings referred to below, the dimensions and the number of each part are exaggerated or simplified as necessary for the purpose of easy understanding. Further, in each drawing, an XYZ orthogonal coordinate system is appropriately shown in order to explain the positional relationship of each configuration. Here, the Z axis is arranged in a posture along the vertical direction, and the X axis and the Y axis are arranged along the horizontal plane. Below, one side in the X-axis direction is also called +X side, and the other side is also called −X side. The same applies to the Y axis and the Z axis. In the following, the +Z side means the vertically upper side.

基板処理装置1は塗布装置2と減圧乾燥装置3と搬送ロボット4と制御部6とを備えている。塗布装置2には、上流側から基板Wが搬入される。なお基板Wは塗布装置2の搬入前に適宜に洗浄処理などの処理が行われるとよい。塗布装置2は複数の基板Wを1枚ずつ順次に搬送方向に沿って搬送しつつ、基板Wに対して1枚ずつ塗布処理を行う。これにより、基板Wの上面には、塗膜が形成される。基板Wに塗布する塗布液としては、例えばフォトレジスト用の塗布液または絶縁膜用の塗布液を採用することができる。 The substrate processing apparatus 1 includes a coating device 2, a reduced pressure drying device 3, a transfer robot 4, and a control unit 6. The substrate W is loaded into the coating device 2 from the upstream side. It is preferable that the substrate W be appropriately subjected to a treatment such as a cleaning treatment before the coating device 2 is carried in. The coating device 2 performs the coating process on the substrates W one by one while sequentially transporting the plurality of substrates W one by one along the transport direction. As a result, a coating film is formed on the upper surface of the substrate W. As the coating liquid for coating the substrate W, for example, a coating liquid for photoresist or a coating liquid for insulating film can be adopted.

減圧乾燥装置3は塗布装置2の下流側に設けられ、複数の乾燥部31を含んでいる。複数の乾燥部31の各々は、塗布装置2によって処理されたN(Nは2以上の整数)枚の基板Wを受け入れることが可能である。以下では、一例として、N枚の基板Wとして2枚の基板を採用した場合について述べる。乾燥部31は、搬入された基板Wに対して減圧乾燥処理を行う。つまり、乾燥部31に2枚の基板Wが搬入されると、乾燥部31は2枚の基板Wに対して同時に減圧乾燥処理を行う。また、乾燥部31に1枚の基板Wが搬入されると、乾燥部31はその1枚の基板Wに対して減圧乾燥処理を行う。この減圧乾燥処理によって、基板Wの塗膜はある程度乾燥する。なお、乾燥部31における2枚の基板の処理期間は完全に一致する必要はなく、各処理期間の少なくとも一部が重なっていればよい。要するに、ここでいう同時とは、各処理期間が全く重ならない状態と対比した意味で用いられる。 The reduced-pressure drying device 3 is provided on the downstream side of the coating device 2 and includes a plurality of drying units 31. Each of the plurality of drying units 31 is capable of receiving N (N is an integer of 2 or more) substrates W processed by the coating device 2. Hereinafter, as an example, a case where two substrates are used as the N substrates W will be described. The drying unit 31 performs a reduced pressure drying process on the loaded substrate W. That is, when the two substrates W are loaded into the drying unit 31, the drying unit 31 simultaneously performs the reduced-pressure drying process on the two substrates W. Further, when one substrate W is carried into the drying unit 31, the drying unit 31 performs reduced pressure drying processing on the one substrate W. By this reduced-pressure drying treatment, the coating film on the substrate W is dried to some extent. Note that the processing periods of the two substrates in the drying unit 31 do not have to completely match, and it is sufficient that at least some of the processing periods overlap. In short, the term "simultaneous" is used in the sense of being in contrast to a state in which the processing periods do not overlap at all.

搬送ロボット4は、塗布装置2によって処理された2枚の基板Wを搬送対象として一括して取り出し、その搬送対象を一括して乾燥部31へ搬送することができる。以下では、一例として、N枚の基板Wとして2枚の基板を採用した場合について述べる。 The transfer robot 4 can collectively take out the two substrates W processed by the coating device 2 as transfer targets, and transfer the transfer targets to the drying unit 31 in a batch. Hereinafter, as an example, a case where two substrates are used as the N substrates W will be described.

また搬送ロボット4は、塗布装置2によって処理された基板Wを搬送対象として1枚ずつ取り出し、各基板Wを互いに異なる乾燥部31に順次に搬送することもできる。搬送ロボット4が搬送する基板Wの枚数は、後に詳述するように、塗布装置2の処理内容(具体的には、塗布液の種類)に応じて変更される。 The transfer robot 4 can also take out the substrates W processed by the coating device 2 one by one as a transfer target and sequentially transfer the respective substrates W to different drying units 31. The number of substrates W transported by the transport robot 4 is changed according to the processing content of the coating apparatus 2 (specifically, the type of coating liquid), as described later in detail.

搬送ロボット4は、減圧乾燥装置3によって処理された基板Wを受け渡しユニット5へと搬送する。受け渡しユニット5は乾燥部31の上方に設けられ、2枚の基板Wを受け入れることができる。乾燥部31において2枚の基板Wが同時に処理されると、搬送ロボット4はその2枚の基板Wを乾燥部31から取り出して、当該2枚の基板Wを一括して受け渡しユニット5へと搬送する。一方で、乾燥部31において1枚の基板Wが処理されると、搬送ロボット4はその1枚の基板Wを取り出して、当該1枚の基板Wを受け渡しユニット5へと搬送する。さらに搬送ロボット4は他の乾燥部31によって処理された1枚の基板Wを取り出して、その1枚の基板Wを受け渡しユニット5へと搬送する。これにより、受け渡しユニット5には、2枚の基板Wが搬入されることとなる。 The transfer robot 4 transfers the substrate W processed by the reduced-pressure drying device 3 to the transfer unit 5. The delivery unit 5 is provided above the drying unit 31 and can receive two substrates W. When the two substrates W are simultaneously processed in the drying unit 31, the transfer robot 4 takes out the two substrates W from the drying unit 31 and transfers the two substrates W to the delivery unit 5 all at once. To do. On the other hand, when one substrate W is processed in the drying unit 31, the transfer robot 4 takes out the one substrate W and transfers the one substrate W to the transfer unit 5. Further, the transfer robot 4 takes out one substrate W processed by the other drying unit 31 and transfers the one substrate W to the transfer unit 5. As a result, the two substrates W are loaded into the delivery unit 5.

受け渡しユニット5内に搬入された2枚の基板Wは、その下流側に設けられた搬送ロボット72によって一括して取り出され、下流側にある加熱装置7の加熱ユニット71へと搬送される。加熱ユニット71は2枚の基板Wに対して同時に加熱処理を行う。これにより、2枚の基板Wの塗膜が略完全に乾燥する。 The two substrates W loaded into the delivery unit 5 are collectively taken out by the transfer robot 72 provided on the downstream side thereof and transferred to the heating unit 71 of the heating device 7 on the downstream side. The heating unit 71 simultaneously heats the two substrates W. As a result, the coating films on the two substrates W are almost completely dried.

制御部6は各処理装置での処理および基板Wの搬送を制御する。図2は、制御部6の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。制御部6は制御回路であって、図2に示されるように、例えば、CPU(Central Processing Unit)61、ROM(Read Only Memory)62、RAM(Random Access Memory)63および記憶装置64等が、バスライン65を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ROM62は基本プログラム等を格納しており、RAM63はCPU61が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置64は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。 The controller 6 controls the processing in each processing apparatus and the transfer of the substrate W. FIG. 2 is a functional block diagram schematically showing an example of the configuration of the control unit 6. The control unit 6 is a control circuit, and as shown in FIG. 2, for example, a CPU (Central Processing Unit) 61, a ROM (Read Only Memory) 62, a RAM (Random Access Memory) 63, a storage device 64, etc. It is composed of general computers interconnected via a bus line 65. The ROM 62 stores basic programs and the like, and the RAM 63 serves as a work area when the CPU 61 performs a predetermined process. The storage device 64 is composed of a flash memory or a non-volatile storage device such as a hard disk device.

また制御部6においては、入力部66、表示部67、通信部68もバスライン65に接続されている。入力部66は、各種スイッチ、あるいは、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部67は、液晶表示装置およびランプ等により構成されており、CPU61による制御のもと各種の情報を表示する。通信部68は、LAN(Local Area Network)等を介したデータ通信機能を有する。 Further, in the control unit 6, the input unit 66, the display unit 67, and the communication unit 68 are also connected to the bus line 65. The input unit 66 includes various switches, a touch panel, or the like, and receives various input setting instructions such as a processing recipe from an operator. The display unit 67 includes a liquid crystal display device, a lamp, and the like, and displays various information under the control of the CPU 61. The communication unit 68 has a data communication function via a LAN (Local Area Network) or the like.

また、制御部6には、各ロボット(搬送ロボット4,72など)および上述の各処理装置が制御対象として接続されている。つまり制御部6は基板Wの搬送を制御する搬送制御部として機能できる。 Further, each robot (transport robots 4, 72, etc.) and each processing device described above are connected to the control unit 6 as control targets. That is, the control unit 6 can function as a transfer control unit that controls the transfer of the substrate W.

制御部6の機能は、CPU61が、ROM62または記憶装置64に格納されたプログラムを実行することにより、実現されてもよい。つまり、制御部6の機能はソフトウェアによって実現されてもよい。あるいは、制御部6の機能の全部または一部は、専用の論理回路等を含むハードウェアによって実現されてもよい。 The function of the control unit 6 may be realized by the CPU 61 executing a program stored in the ROM 62 or the storage device 64. That is, the function of the control unit 6 may be realized by software. Alternatively, all or some of the functions of the control unit 6 may be realized by hardware including a dedicated logic circuit or the like.

<1−1.塗布装置>
塗布装置2は基板導入部21と処理装置本体22と基板待機部23とを含んでいる。基板導入部21は基板Wを受け取る。例えば基板導入部21には、2枚の基板Wが一括して搬入される。処理装置本体22は、基板導入部21から搬送される基板Wを順次に受け取り、この基板Wを搬送方向に沿って搬送させる。ここでは、処理装置本体22における搬送方向はX軸方向であり、その搬送方向の上流側は−X側であり、搬送方向の下流側は+X側である。なお、塗布装置2は減圧乾燥装置3の上流側(−X側)に位置する上流処理部である。
<1-1. Coating device>
The coating apparatus 2 includes a substrate introducing section 21, a processing apparatus main body 22, and a substrate standby section 23. The substrate introducing unit 21 receives the substrate W. For example, the two substrates W are collectively loaded into the substrate introducing section 21. The processing apparatus main body 22 sequentially receives the substrates W transferred from the substrate introducing unit 21, and transfers the substrates W along the transfer direction. Here, the transport direction in the processing apparatus main body 22 is the X-axis direction, the upstream side in the transport direction is the −X side, and the downstream side in the transport direction is the +X side. The coating device 2 is an upstream processing unit located on the upstream side (−X side) of the reduced pressure drying device 3.

処理装置本体22は基板Wを+X側に順次に搬送しつつ、その基板Wに対して1枚ずつ順次に塗布処理を行う。塗布処理後の基板Wは処理装置本体22から基板待機部23へと順次に搬送される。基板待機部23は、処理装置本体22から搬送された基板Wを順次に受け取る。基板待機部23は、順次に受け取った2枚の基板Wを待機させることができる。なおここでいう「待機」とは、その待機時間の長短に依らず、その位置において停止することをいう。基板待機部23で待機した基板Wは、搬送ロボット4によって取り出されて、下流側の減圧乾燥装置3へと搬送される。 The processing apparatus main body 22 sequentially conveys the substrates W to the +X side, and sequentially applies the substrates W one by one. The substrate W after the coating process is sequentially transported from the processing apparatus main body 22 to the substrate standby unit 23. The substrate standby unit 23 sequentially receives the substrates W transferred from the processing apparatus main body 22. The substrate waiting section 23 can put the two substrates W received sequentially in a standby state. The term "standby" as used herein means to stop at that position regardless of the length of the waiting time. The substrate W waiting in the substrate standby unit 23 is taken out by the transfer robot 4 and transferred to the reduced pressure drying device 3 on the downstream side.

<1−1−1.基板導入部>
図3は、塗布装置2および搬送ロボット4の構成の一例を概略的に示す側面図である。図3の例では、基板導入部21は例えばコロコンベアを含んでいる。このコロコンベアは複数の回転軸211Aと複数の回転軸211Bと複数のコロ212Aと複数のコロ212Bとを含んでいる。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々はその中心軸がY軸に沿う姿勢で設けられる。複数の回転軸211AはX軸方向において間隔を隔てて並んでおり、複数の回転軸211Bは、複数の回転軸211Aよりも下流側において、X軸方向において間隔を隔てて並んでいる。また回転軸211Aおよび回転軸211Bは互いに略同じ高さ位置に設けられている。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。
<1-1-1. Substrate introduction part>
FIG. 3 is a side view schematically showing an example of the configurations of the coating device 2 and the transfer robot 4. In the example of FIG. 3, the substrate introducing unit 21 includes, for example, a roller conveyor. This roller conveyor includes a plurality of rotating shafts 211A, a plurality of rotating shafts 211B, a plurality of rollers 212A and a plurality of rollers 212B. Each of the rotating shaft 211A and the rotating shaft 211B is provided such that its central axis is along the Y axis. The plurality of rotating shafts 211A are arranged at intervals in the X-axis direction, and the plurality of rotating shafts 211B are arranged at intervals in the X-axis direction on the downstream side of the plurality of rotating shafts 211A. The rotary shaft 211A and the rotary shaft 211B are provided at substantially the same height position. Each of the rotating shaft 211A and the rotating shaft 211B can rotate about its own central axis.

各回転軸211Aの外周面には、複数のコロ212Aが設けられており、各回転軸211Bの外周面には、複数のコロ212Bが設けられている。コロ212Aおよびコロ212Bは円環状の形状を有しており、その中心軸がY軸に沿う姿勢で設けられる。 A plurality of rollers 212A are provided on the outer peripheral surface of each rotating shaft 211A, and a plurality of rollers 212B are provided on the outer peripheral surface of each rotating shaft 211B. The rollers 212A and 212B have an annular shape, and are provided with their central axes aligned with the Y axis.

基板Wは、複数のコロ212Aおよび複数のコロ212Bの上に載置される。つまり、複数のコロ212Aの外周面の最上部が基板Wの下面に接触し、複数のコロ212Bの外周面の最上部が基板Wの下面に接触する。 The substrate W is placed on the plurality of rollers 212A and the plurality of rollers 212B. That is, the uppermost part of the outer peripheral surface of the plurality of rollers 212A contacts the lower surface of the substrate W, and the uppermost part of the outer peripheral surface of the plurality of rollers 212B contacts the lower surface of the substrate W.

複数の回転軸211Aは駆動部(不図示)によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転(同期回転)する。この回転により、複数のコロ212Aも同じ方向に略等しい回転速度で回転する。駆動部はモータを有しており、制御部6によって制御される。コロ212Aの回転により、コロ212A上に載置された基板Wが+X側に搬送される。複数の回転軸211Bも駆動部(不図示)によって駆動されて同期回転する。これにより、コロ212B上に載置された基板Wが+X側に搬送される。回転軸211Aおよび回転軸211Bは互いに独立して制御される。 The plurality of rotation shafts 211A are driven by a drive unit (not shown) and rotate in the same predetermined direction at substantially equal rotation speeds (synchronous rotation). By this rotation, the plurality of rollers 212A also rotate in the same direction at substantially the same rotation speed. The drive unit has a motor and is controlled by the control unit 6. Due to the rotation of the roller 212A, the substrate W placed on the roller 212A is transported to the +X side. The plurality of rotary shafts 211B are also driven by a drive unit (not shown) to rotate synchronously. As a result, the substrate W placed on the roller 212B is transported to the +X side. The rotary shaft 211A and the rotary shaft 211B are controlled independently of each other.

コロ212Aおよびコロ212Bの上には、それぞれ1枚ずつ基板Wが載置されてもよい。例えば上流側の装置から2枚の基板Wがそれぞれコロ212Aおよびコロ212Bの上に載置されてもよい。この状態で、制御部6は回転軸211Bのみを同期回転させる。これにより、コロ212B上の基板Wを処理装置本体22へと搬送できる。次に制御部6は回転軸211Aおよび回転軸211Bの両方を同期回転させる。これにより、コロ212A上の基板Wを処理装置本体22へと搬送できる。 One substrate W may be placed on each of the rollers 212A and 212B. For example, two substrates W may be placed on the rollers 212A and 212B, respectively, from the upstream device. In this state, the controller 6 synchronously rotates only the rotary shaft 211B. As a result, the substrate W on the roller 212B can be transported to the processing apparatus main body 22. Next, the control unit 6 synchronously rotates both the rotary shaft 211A and the rotary shaft 211B. As a result, the substrate W on the roller 212A can be transported to the processing apparatus main body 22.

<1−1−2.処理装置本体の概要>
処理装置本体22は、順次に基板Wを搬送しつつ、その基板Wに対して順次に塗布処理を行う。図1および図3の例では、この処理装置本体22は移載ユニット221と浮上ステージ222と基板搬送部223とノズル224とを含んでいる。
<1-1-2. Overview of processing unit>
The processing apparatus main body 22 sequentially transports the substrates W and sequentially performs coating processing on the substrates W. In the example of FIGS. 1 and 3, the processing apparatus main body 22 includes a transfer unit 221, a floating stage 222, a substrate transfer unit 223, and a nozzle 224.

移載ユニット221は、基板導入部21から搬送された基板Wを浮上ステージ222へと搬送するユニットであり、搬送方式を変換するユニットである。つまり、基板導入部21では、コロ搬送方式で基板Wを搬送しているのに対して、後述の浮上ステージ222は浮上搬送方式で基板Wを搬送するので、移載ユニット221はこれらの間で搬送方式を変換する。 The transfer unit 221 is a unit that transfers the substrate W transferred from the substrate introducing unit 21 to the levitation stage 222, and is a unit that changes the transfer method. That is, while the substrate W is transported by the roller transport system in the substrate introduction unit 21, the levitation stage 222, which will be described later, transports the substrate W by the levitation transport system, so the transfer unit 221 transfers between them. Change the transport method.

浮上ステージ222の上面には、複数の噴出口が設けられており、この噴出口から気体が噴出される。よって、浮上ステージ222において基板Wはこの気体によって浮力を与えられる。 A plurality of jet ports are provided on the upper surface of the floating stage 222, and gas is jetted from the jet ports. Therefore, the substrate W is given a buoyancy by the gas on the floating stage 222.

基板搬送部223は基板WのY軸方向の両端部分を保持しつつ、その基板Wを、移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へ搬送する。基板搬送部223は基板Wの両端部分のみを保持しているので、基板Wはその中央付近で撓み得る。しかるに、浮上ステージ222は噴出口から基板Wの下面へと気体を噴出して、基板Wへと浮力を与える。これにより、基板Wの撓みを抑制することができる。よって、基板Wは水平姿勢で浮上ステージ222を通過することができる。 The substrate transport unit 223 transports the substrate W from the transfer unit 221 via the floating stage 222 to the substrate standby unit 23 while holding both end portions of the substrate W in the Y-axis direction. Since the substrate transport unit 223 holds only both end portions of the substrate W, the substrate W can bend near the center thereof. However, the levitation stage 222 ejects gas from the ejection port to the lower surface of the substrate W to give buoyancy to the substrate W. Thereby, the bending of the substrate W can be suppressed. Therefore, the substrate W can pass through the levitation stage 222 in a horizontal posture.

ノズル224は浮上ステージ222の上方空間に設けられている。基板搬送部223が浮上ステージ222の上方において基板Wを+X側に移動させることにより、基板Wはノズル224の直下を横切る。ノズル224は、その直下の基板Wに対して塗布液を塗布する。これにより、基板Wに対して塗膜を形成することができる。なおノズル224は処理位置と待機位置との間で移動可能に構成されてもよい。処理位置は、ノズル224が基板Wに対して塗布液を吐出する位置であり、待機位置は、ノズル224を待機させる位置である。待機位置では、ノズル224の吐出口を洗浄する機構等が設けられてもよい。 The nozzle 224 is provided in the space above the floating stage 222. The substrate transport unit 223 moves the substrate W to the +X side above the floating stage 222, so that the substrate W crosses directly under the nozzle 224. The nozzle 224 applies the coating liquid to the substrate W immediately below. Thereby, a coating film can be formed on the substrate W. The nozzle 224 may be configured to be movable between the processing position and the standby position. The processing position is a position where the nozzle 224 discharges the coating liquid onto the substrate W, and the standby position is a position where the nozzle 224 is on standby. At the standby position, a mechanism or the like for cleaning the discharge port of the nozzle 224 may be provided.

塗膜が形成された基板Wは基板搬送部223によって基板待機部23へと搬送される。基板搬送部223は基板待機部23において基板Wの保持を解除する。その後、基板搬送部223は再び移載ユニット221へと戻り、次の基板Wを保持する。 The substrate W on which the coating film is formed is transported by the substrate transport unit 223 to the substrate standby unit 23. The substrate transport unit 223 releases the holding of the substrate W in the substrate standby unit 23. After that, the substrate transport unit 223 returns to the transfer unit 221 again and holds the next substrate W.

<1−1−2−1.移載ユニット>
図3の例では、移載ユニット221は複数のコロ2211と入口浮上ステージ2212と複数のリフトピン2213とを含んでいる。複数のコロ2211は、基板導入部21のコロと同様の構成を有しており、X軸方向において間隔を空けて並んでいる。コロ2211の回転は制御部6によって制御される。コロ2211は、自身の回転により、基板導入部21から搬送された基板Wを受け取って+X側へと搬送する。
<1-1-2-1. Transfer unit>
In the example of FIG. 3, the transfer unit 221 includes a plurality of rollers 2211, an entrance floating stage 2212, and a plurality of lift pins 2213. The plurality of rollers 2211 have the same configuration as the rollers of the substrate introducing unit 21, and are arranged at intervals in the X-axis direction. The rotation of the roller 2211 is controlled by the control unit 6. The roller 2211 receives the substrate W transported from the substrate introducing unit 21 by its rotation and transports it to the +X side.

入口浮上ステージ2212は複数のコロ2211よりも下流側(+X側)に設けられている。入口浮上ステージ2212の上面には、複数の噴出口(不図示)が形成される。この噴出口は平面視において(つまり、Z軸方向に沿って見て)、例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、入口浮上ステージ2212の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源(不図示)に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。これにより、入口浮上ステージ2212上の基板Wに対して浮力を与えることができる。 The entrance floating stage 2212 is provided on the downstream side (+X side) of the plurality of rollers 2211. A plurality of ejection ports (not shown) are formed on the upper surface of the inlet floating stage 2212. The jet outlets are arranged, for example, in a matrix in a plan view (that is, when viewed along the Z-axis direction). Each ejection port is connected to a gas supply source (not shown) via a gas supply path formed inside the inlet levitation stage 2212. The gas from the gas supply source is ejected from this ejection port. Accordingly, buoyancy can be applied to the substrate W on the entrance levitation stage 2212.

複数のリフトピン2213は、Z軸方向に沿って延在する棒状の形状を有しており、昇降可能に設けられている。複数のリフトピン2213のうちいくつかはコロ2211に対応して設けられており、残りは入口浮上ステージ2212に対応して設けられている。コロ2211に対応したリフトピン2213は、複数のコロ2211の間の隙間に設けられている。入口浮上ステージ2212には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように複数の貫通孔が形成されている。この貫通孔は入口浮上ステージ2212をZ軸方向に貫通する。残りのリフトピン2213は当該貫通孔にそれぞれ貫通配置されている。図3に例示するように、複数のリフトピン2213は−Z側の基端部において互いに連結されていてもよい。 The plurality of lift pins 2213 have a rod shape extending along the Z-axis direction, and are provided so as to be able to move up and down. Some of the plurality of lift pins 2213 are provided corresponding to the rollers 2211, and the rest are provided corresponding to the entrance levitation stage 2212. The lift pins 2213 corresponding to the rollers 2211 are provided in the gaps between the plurality of rollers 2211. A plurality of through holes are formed in the inlet floating stage 2212 so as not to interfere with any of the plurality of ejection ports. This through hole penetrates the entrance levitation stage 2212 in the Z-axis direction. The remaining lift pins 2213 are arranged to pass through the through holes. As illustrated in FIG. 3, the plurality of lift pins 2213 may be connected to each other at the base end on the −Z side.

リフトピン2213は昇降機構2214によって昇降される。昇降機構2214は例えばエアシリンダであり、制御部6によって制御される。 The lift pin 2213 is moved up and down by the lifting mechanism 2214. The lifting mechanism 2214 is, for example, an air cylinder, and is controlled by the control unit 6.

リフトピン2213が下降している状態では、リフトピン2213の+Z側の先端部はコロ2211の外周面の最上部および入口浮上ステージ2212の上面のいずれに対しても−Z側に位置している。リフトピン2213が上昇している状態では、その先端部はコロ2211の最上部および入口浮上ステージ2212の上面のいずれよりも+Z側に位置し、基板Wの下面に接触して基板Wを持ち上げることができる。基板Wは、リフトピン2213によって持ち上げられた状態で、基板搬送部223によって保持される。 When the lift pin 2213 is in the lowered state, the +Z side tip of the lift pin 2213 is located on the −Z side with respect to both the uppermost part of the outer peripheral surface of the roller 2211 and the upper surface of the entrance floating stage 2212. When the lift pin 2213 is in the raised state, its tip is located on the +Z side with respect to both the uppermost part of the roller 2211 and the upper surface of the entrance levitation stage 2212, and may contact the lower surface of the substrate W to lift the substrate W. it can. The substrate W is held by the substrate transport unit 223 while being lifted by the lift pins 2213.

<1−1−2−2.浮上ステージ>
浮上ステージ222は、入口浮上ステージ2212よりも+X側に設けられている。浮上ステージ222の上面にも、複数の噴出口(不図示)が形成される。この噴出口は平面視において例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、浮上ステージ222の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。
<1-1-2-2. Levitation stage>
The levitation stage 222 is provided on the +X side of the entrance levitation stage 2212. A plurality of ejection ports (not shown) are also formed on the upper surface of the floating stage 222. The jet outlets are arranged, for example, in a matrix in a plan view. Each ejection port is connected to a gas supply source via a gas supply path formed inside the floating stage 222. The gas from the gas supply source is ejected from this ejection port.

なお浮上ステージ222の上面には、複数の吸引口が形成されてもよい。この吸引口は噴出口とは異なる位置に形成され、例えばマトリックス状に配列される。各吸引口は、浮上ステージ222の内部に形成された気体吸引経路を介して吸引装置(例えばポンプ)に接続される。浮上ステージ222の噴出口から噴出された気体の一部は吸引口から吸引される。これによれば、基板Wに付与する浮力をより精密に制御することができる。ひいては、基板Wの撓みをさらに低減することができる。 A plurality of suction ports may be formed on the upper surface of the floating stage 222. The suction port is formed at a position different from the ejection port, and is arranged in a matrix, for example. Each suction port is connected to a suction device (for example, a pump) via a gas suction path formed inside the levitation stage 222. A part of the gas ejected from the ejection port of the floating stage 222 is sucked from the suction port. According to this, the buoyancy applied to the substrate W can be controlled more precisely. As a result, the bending of the substrate W can be further reduced.

<1−1−2−3.基板搬送部>
図1の例では、基板搬送部223は基板チャック部2231と進退機構2232とを含んでいる。基板チャック部2231は、基板WのY軸方向の両側の端面を保持する。図1の例では、基板Wに対してY軸方向の両側において、それぞれ一対の基板チャック部2231が設けられている。一対の基板チャック部2231はX軸方向において間隔を隔てて設けられている。各基板チャック部2231は、基板Wの下面のうちY軸方向における端部を支持する支持部を有している。この支持部の上面には、例えば吸着口が形成されており、その吸着口は支持部の内部の吸引経路を介して吸引装置(例えばポンプ)に接続される。吸着口から気体が吸引されることにより、基板チャック部2231は基板Wを吸着して保持することができる。
<1-1-2-3. Substrate transfer unit>
In the example of FIG. 1, the substrate transfer unit 223 includes a substrate chuck unit 2231 and an advancing/retreating mechanism 2232. The substrate chuck portion 2231 holds the end faces on both sides of the substrate W in the Y-axis direction. In the example of FIG. 1, a pair of substrate chuck portions 2231 are provided on both sides of the substrate W in the Y-axis direction. The pair of substrate chuck portions 2231 are provided at intervals in the X-axis direction. Each substrate chuck portion 2231 has a support portion that supports an end portion of the lower surface of the substrate W in the Y-axis direction. For example, a suction port is formed on the upper surface of the support portion, and the suction port is connected to a suction device (for example, a pump) via a suction path inside the support portion. By sucking the gas from the suction port, the substrate chuck portion 2231 can suck and hold the substrate W.

進退機構2232は基板チャック部2231をX軸方向に沿って移動させる。基板Wの例えば進退機構2232はリニアモータなどである。進退機構2232は制御部6によって制御される。進退機構2232は基板チャック部2231を移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へと移動させる。これにより、基板チャック部2231に保持された基板Wも移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へと移動する。 The advancing/retreating mechanism 2232 moves the substrate chuck portion 2231 along the X-axis direction. The advancing/retreating mechanism 2232 of the substrate W is, for example, a linear motor. The advancing/retreating mechanism 2232 is controlled by the control unit 6. The advancing/retreating mechanism 2232 moves the substrate chuck portion 2231 from the transfer unit 221 to the substrate standby portion 23 via the floating stage 222. As a result, the substrate W held by the substrate chuck section 2231 also moves from the transfer unit 221 to the substrate standby section 23 via the levitation stage 222.

<1−1−2−4.ノズル>
ノズル224は浮上ステージ222の上方空間に設けられている。ノズル224の下端には、基板Wの塗布領域R1に対応した吐出口が形成されている。このノズル224はその吐出口がY軸方向に長い長尺ノズルである。吐出口の長さ(Y軸方向に沿う長さ)は塗布領域R1の長さ(Y軸方向に沿う長さ)と略一致する。
<1-1-2-4. Nozzle>
The nozzle 224 is provided in the space above the floating stage 222. At the lower end of the nozzle 224, a discharge port corresponding to the coating region R1 of the substrate W is formed. The nozzle 224 is a long nozzle whose discharge port is long in the Y-axis direction. The length of the ejection port (the length along the Y-axis direction) is substantially equal to the length of the application region R1 (the length along the Y-axis direction).

ノズル224はいずれも不図示の塗布液供給管を介して塗布液供給源に接続される。塗布液供給管の途中には、不図示のポンプが設けられており、このポンプを駆動制御することにより、ノズル224からの塗布液の吐出/停止が切り替えられる。ポンプは制御部6によって制御される。 Each of the nozzles 224 is connected to a coating liquid supply source via a coating liquid supply pipe (not shown). A pump (not shown) is provided in the middle of the coating liquid supply pipe, and by controlling the drive of this pump, discharge/stop of the coating liquid from the nozzle 224 can be switched. The pump is controlled by the control unit 6.

基板搬送部223が基板Wを+X側に移動させることにより、基板Wはノズル224の直下を横切る。ノズル224は基板Wが横切る際に塗布液を吐出する。具体的にはノズル224は、基板Wの塗布領域R1の+X側の端がノズル224の直下に位置するときに塗布液の吐出を開始し、塗布領域R1の−X側の端がノズル224の直下に位置するときに塗布液の吐出を終了する。これにより、塗布領域R1には塗布液が塗布され、塗布領域R1の上に塗膜が形成される。 The substrate transport unit 223 moves the substrate W to the +X side, so that the substrate W crosses directly under the nozzle 224. The nozzle 224 discharges the coating liquid when the substrate W crosses. Specifically, the nozzle 224 starts discharging the coating liquid when the +X side end of the coating region R1 of the substrate W is located directly below the nozzle 224, and the −X side end of the coating region R1 is the nozzle 224. When it is located directly below, the discharge of the coating liquid is completed. As a result, the application liquid is applied to the application region R1 and a coating film is formed on the application region R1.

なお、ノズル224は複数種の塗布液を基板Wに対して吐出可能であってもよい。より具体的には、複数種の塗布液にそれぞれ対応した複数のノズル224が設けられていてもよい。複数種の塗布液としては、例えばフォトレジスト用の塗布液および絶縁膜用の塗布液を採用することができる。 The nozzle 224 may be capable of ejecting a plurality of types of coating liquid onto the substrate W. More specifically, a plurality of nozzles 224 corresponding to a plurality of types of coating liquids may be provided. As the plurality of types of coating liquid, for example, a coating liquid for photoresist and a coating liquid for insulating film can be adopted.

<1−1−3.基板待機部>
基板待機部23は、処理装置本体22によって処理された基板Wを順次に受け入れる。基板待機部23は2枚の基板Wを待機させることができる。この基板待機部23は第1待機部231と第2待機部232とを含んでいる。第1待機部231は1枚の基板Wを待機させることができ、第2待機部232は1枚の基板Wを待機させることができる。
<1-1-3. Substrate waiting section>
The substrate standby unit 23 sequentially receives the substrates W processed by the processing apparatus main body 22. The substrate waiting section 23 can make two substrates W stand by. The substrate waiting section 23 includes a first waiting section 231 and a second waiting section 232. The first standby unit 231 can make one substrate W stand by, and the second standby unit 232 can make one substrate W stand by.

図1および図3の例では、第1待機部231および第2待機部232は処理装置本体22の搬送方向(つまりX軸方向)に沿って並んでいる。より具体的には、第1待機部231は処理装置本体22よりも+X側に設けられ、第2待機部232は処理装置本体22と第1待機部231との間に設けられている。第2待機部232は、処理装置本体22から搬送された基板Wを第1待機部231へと搬送する機能も有している。 In the example of FIGS. 1 and 3, the first standby unit 231 and the second standby unit 232 are arranged side by side in the transport direction of the processing apparatus main body 22 (that is, the X-axis direction). More specifically, the first standby unit 231 is provided on the +X side of the processing device main body 22, and the second standby unit 232 is provided between the processing device main body 22 and the first standby unit 231. The second standby unit 232 also has a function of transporting the substrate W transported from the processing apparatus main body 22 to the first standby unit 231.

処理装置本体22において処理された一つの基板W(以下、第1基板W1と呼ぶ)は、基板搬送部223によって第2待機部232を経由して第1待機部231に搬送される。第1待機部231はこの第1基板W1を待機させることができる。処理装置本体22において第1基板W1の次に処理された第2基板W2は、基板搬送部223によって第2待機部232に搬送される。第2待機部232は第2基板W2を待機させることができる。 One substrate W processed in the processing apparatus main body 22 (hereinafter, referred to as a first substrate W1) is transported by the substrate transport unit 223 to the first standby unit 231 via the second standby unit 232. The first standby unit 231 can make the first substrate W1 stand by. The second substrate W2 processed after the first substrate W1 in the processing apparatus main body 22 is transferred to the second standby unit 232 by the substrate transfer unit 223. The second standby unit 232 can make the second substrate W2 stand by.

より具体的な一例として、基板待機部23は出口浮上ステージ233と第1上昇機構234と第2上昇機構235とを含んでいる。出口浮上ステージ233は浮上ステージ222よりも+X側に設けられている。出口浮上ステージ233の上面にも、入口浮上ステージ2212と同様に、気体を噴出するための複数の噴出口が形成されている。出口浮上ステージ233の長さ(X軸方向に沿う長さ)は、2枚の基板Wの長さ(X軸方向に沿う長さ)の総和よりも長く設定される。 As a more specific example, the substrate standby unit 23 includes an exit levitation stage 233, a first raising mechanism 234, and a second raising mechanism 235. The exit levitation stage 233 is provided on the +X side of the levitation stage 222. On the upper surface of the outlet levitation stage 233, as in the inlet levitation stage 2212, a plurality of ejection ports for ejecting gas are formed. The length of the exit levitation stage 233 (length along the X-axis direction) is set to be longer than the sum of the lengths of the two substrates W (length along the X-axis direction).

第1基板W1は出口浮上ステージ233の下流部分へと搬送される。第1上昇機構234は、当該下流部分に位置する第1基板W1を上昇させる。第1上昇機構234は制御部6によって制御される。図3の例では、第1上昇機構234は複数のリフトピン2341と昇降機構2342とを含んでいる。各リフトピン2341は棒状の形状を有しており、その長手方向がZ軸に沿う姿勢で設けられる。図3に例示するように、リフトピン2341の−Z側の基端部は相互に連結されていてもよい。出口浮上ステージ233には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように、Z軸方向に延在する複数の貫通孔が形成されている。リフトピン2341は出口浮上ステージ233の貫通孔にそれぞれ貫通配置される。 The first substrate W1 is transported to the downstream portion of the exit levitation stage 233. The first raising mechanism 234 raises the first substrate W1 located in the downstream portion. The first raising mechanism 234 is controlled by the controller 6. In the example of FIG. 3, the first lifting mechanism 234 includes a plurality of lift pins 2341 and a lifting mechanism 2342. Each lift pin 2341 has a rod shape, and is provided with its longitudinal direction along the Z axis. As illustrated in FIG. 3, the −Z side proximal ends of the lift pins 2341 may be connected to each other. The outlet levitation stage 233 is formed with a plurality of through holes extending in the Z-axis direction so as not to interfere with any of the plurality of jet outlets. The lift pins 2341 are arranged to pass through the through holes of the exit levitation stage 233.

昇降機構2342は例えばエアシリンダであって、複数のリフトピン2341を昇降させる。この昇降機構2342は制御部6によって制御される。リフトピン2341が下降した状態では、リフトピン2341の先端部は出口浮上ステージ233の上面に対して−Z側に位置する。一方で、リフトピン2341が上昇した状態では、リフトピン2341の先端部は出口浮上ステージ233の上面に対して+Z側に位置する。昇降機構2342は、基板チャック部2231による第1基板W1の吸着が解除された状態で、リフトピン2341を上昇させる。この上昇により、リフトピン2341の先端部が第1基板W1の下面に接触して、第1基板W1を持ち上げることができる。リフトピン2341は、出口浮上ステージ233から噴出された気体が実質的に及ばない高さ位置まで第1基板W1を上昇させてもよい。これにより、第1基板W1はリフトピン2341によって支持される。 The elevating mechanism 2342 is, for example, an air cylinder, and moves up and down the plurality of lift pins 2341. The elevating mechanism 2342 is controlled by the controller 6. In the state where the lift pin 2341 is lowered, the tip end portion of the lift pin 2341 is located on the −Z side with respect to the upper surface of the exit levitation stage 233. On the other hand, when the lift pin 2341 is raised, the tip of the lift pin 2341 is located on the +Z side with respect to the upper surface of the exit levitation stage 233. The elevating mechanism 2342 raises the lift pins 2341 in a state where the suction of the first substrate W1 by the substrate chuck portion 2231 is released. Due to this rise, the tips of the lift pins 2341 come into contact with the lower surface of the first substrate W1, and the first substrate W1 can be lifted. The lift pins 2341 may raise the first substrate W1 to a height position where the gas ejected from the exit levitation stage 233 does not substantially reach. As a result, the first substrate W1 is supported by the lift pins 2341.

図3の例では、第1基板W1を待機させる第1待機部231は、出口浮上ステージ233の下流部分と第1上昇機構234とによって構成される。 In the example of FIG. 3, the first standby unit 231 for waiting the first substrate W1 is configured by the downstream portion of the exit levitation stage 233 and the first lifting mechanism 234.

第1基板W1の次に処理される第2基板W2は、出口浮上ステージ233の上流部分へと搬送される。出口浮上ステージ233の上流部分は下流部分に対して−X側に位置している。第2上昇機構235は、当該上流部分に位置する第2基板W2を上昇させる。第2上昇機構235は制御部6によって第1上昇機構234とは独立して制御される。図3の例では、第2上昇機構235は複数のリフトピン2351と昇降機構2352とを含んでいる。リフトピン2351および昇降機構2352はそれぞれリフトピン2341および昇降機構2342と同様であるので、詳細な説明を避ける。 The second substrate W2 to be processed after the first substrate W1 is transported to the upstream portion of the exit levitation stage 233. The upstream part of the exit levitation stage 233 is located on the −X side with respect to the downstream part. The second raising mechanism 235 raises the second substrate W2 located in the upstream portion. The second raising mechanism 235 is controlled by the control unit 6 independently of the first raising mechanism 234. In the example of FIG. 3, the second lifting mechanism 235 includes a plurality of lift pins 2351 and a lifting mechanism 2352. Since the lift pin 2351 and the lifting mechanism 2352 are similar to the lift pin 2341 and the lifting mechanism 2342, respectively, detailed description thereof will be omitted.

昇降機構2352は、昇降機構2342と同様に、基板チャック部2231による第2基板W2の吸着が解除された状態で、リフトピン2351を上昇させる。この上昇により、リフトピン2351の先端部が第2基板W2の下面に接触して、第2基板W2を持ち上げることができる。第2基板W2はリフトピン2351によって支持される。 The elevating mechanism 2352, like the elevating mechanism 2342, raises the lift pins 2351 in a state where the suction of the second substrate W2 by the substrate chuck portion 2231 is released. By this rise, the tip end portion of the lift pin 2351 comes into contact with the lower surface of the second substrate W2, and the second substrate W2 can be lifted. The second substrate W2 is supported by the lift pins 2351.

図3の例では、第2基板W2を待機させる第2待機部232は、出口浮上ステージ233の上流部分と第2上昇機構235とによって構成される。 In the example of FIG. 3, the second standby part 232 for waiting the second substrate W2 is configured by the upstream part of the exit levitation stage 233 and the second lifting mechanism 235.

以上のように、第1上昇機構234および第2上昇機構235が互いに独立して駆動されるので、第1基板W1のみを上昇させることも、第2基板W2のみを上昇させることも、第1基板W1および第2基板W2の両方を上昇させることもできる。 As described above, since the first raising mechanism 234 and the second raising mechanism 235 are driven independently of each other, it is possible to raise only the first substrate W1 or only the second substrate W2. It is also possible to raise both the substrate W1 and the second substrate W2.

第1基板W1および第2基板W2はそれぞれリフトピン2341およびリフトピン2351によって支持された状態で、搬送ロボット4によって取り出される。 The first substrate W1 and the second substrate W2 are taken out by the transfer robot 4 while being supported by the lift pins 2341 and the lift pins 2351, respectively.

<1−2.搬送ロボット>
図3の例では、搬送ロボット4は基板待機部23よりも+X側に位置している。この搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して基板待機部23から取り出すことができる。また搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2を個別に基板待機部23から取り出すこともできる。
<1-2. Transfer robot>
In the example of FIG. 3, the transfer robot 4 is located on the +X side of the substrate standby unit 23. The transfer robot 4 can take out both the first substrate W1 and the second substrate W2 from the substrate standby unit 23 at a time. The transfer robot 4 can also take out the first substrate W1 and the second substrate W2 individually from the substrate standby unit 23.

図1および図3の例では、搬送ロボット4はハンド41と移動機構42と回転機構43と昇降機構44とを備えている。ハンド41は、2枚の基板WがX軸方向において並んだ状態で載置可能な程度のサイズを有している。例えばハンド41は複数本の指状部材411と、指状部材411の基端を連結する基端部材412を有している。指状部材411は長尺状の形状を有しており、その上面において基板Wが載置される。2枚の基板Wは指状部材411の長手方向に沿って並んで載置される。よって、指状部材411の長手方向の長さは、基板Wの2枚分の長さと、基板Wの間の間隔とに応じて設定される。 In the example of FIGS. 1 and 3, the transfer robot 4 includes a hand 41, a moving mechanism 42, a rotating mechanism 43, and an elevating mechanism 44. The hand 41 has a size such that two substrates W can be placed in a state of being aligned in the X-axis direction. For example, the hand 41 has a plurality of finger-shaped members 411 and a base end member 412 that connects the base ends of the finger-shaped members 411. The finger member 411 has an elongated shape, and the substrate W is placed on the upper surface thereof. The two substrates W are placed side by side along the longitudinal direction of the finger member 411. Therefore, the length of the finger member 411 in the longitudinal direction is set according to the length of two substrates W and the distance between the substrates W.

移動機構42はハンド41を水平方向に移動させることができる。例えば移動機構42は一対のアーム(不図示)を有している。各アームは長尺状の複数の連結部材を有しており、その連結部材の端部同士が回転可能に連結される。各アームの一端はハンド41(具体的には基端部材412)に連結され、他端は回転機構43に連結される。連結部材の連結角度が制御されることで、ハンド41を水平方向に移動させることができる。回転機構43は、Z軸方向に沿う回転軸を中心として移動機構42のアームの他端を回転させることができる。これにより、ハンド41は円弧に沿って移動する。この移動により、ハンド41の向きを変えることができる。回転機構43は例えばモータを有している。昇降機構44は回転機構43をZ軸方向に沿って昇降させることで、ハンド41を昇降させる。昇降機構44は例えばボールねじ機構を有している。移動機構42、回転機構43および昇降機構44は制御部6によって制御される。 The moving mechanism 42 can move the hand 41 in the horizontal direction. For example, the moving mechanism 42 has a pair of arms (not shown). Each arm has a plurality of elongated connecting members, and the ends of the connecting members are rotatably connected to each other. One end of each arm is connected to the hand 41 (specifically, the base end member 412), and the other end is connected to the rotation mechanism 43. The hand 41 can be moved in the horizontal direction by controlling the connection angle of the connection member. The rotation mechanism 43 can rotate the other end of the arm of the movement mechanism 42 about a rotation axis along the Z-axis direction. As a result, the hand 41 moves along the arc. By this movement, the direction of the hand 41 can be changed. The rotation mechanism 43 has, for example, a motor. The elevating mechanism 44 raises and lowers the hand 41 by raising and lowering the rotating mechanism 43 along the Z-axis direction. The elevating mechanism 44 has, for example, a ball screw mechanism. The moving mechanism 42, the rotating mechanism 43, and the elevating mechanism 44 are controlled by the control unit 6.

搬送ロボット4はハンド41を適宜に移動および回転させることで、ハンド41を基板待機部23、乾燥部31および受け渡しユニット5の各々へと移動させることができる。 By appropriately moving and rotating the hand 41, the transfer robot 4 can move the hand 41 to each of the substrate standby unit 23, the drying unit 31, and the delivery unit 5.

例えば搬送ロボット4は回転機構43の駆動により、ハンド41を基板待機部23と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を第1基板W1および第2基板W2に対して−Z側に位置させる。次に搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を−X側へと移動させ、Z軸方向においてハンド41を第1基板W1および第2基板W2の両方と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を上昇させる。これにより、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を基板待機部23から受け取ることができる。 For example, the transport robot 4 drives the rotating mechanism 43 to make the hand 41 face the substrate standby unit 23. Next, the transfer robot 4 drives the lifting mechanism 44 to position the hand 41 on the −Z side with respect to the first substrate W1 and the second substrate W2. Next, the transfer robot 4 drives the moving mechanism 42 to move the hand 41 to the −X side, and causes the hand 41 to face both the first substrate W1 and the second substrate W2 in the Z-axis direction. Next, the transfer robot 4 drives the lifting mechanism 44 to raise the hand 41. Thereby, the transfer robot 4 can receive both the first substrate W1 and the second substrate W2 from the substrate standby unit 23.

搬送ロボット4は適宜にハンド41を回転および移動させることにより、第1基板W1および第2基板W2を一括で乾燥部31へと搬送する。具体的には、搬送ロボット4は回転機構43の駆動により、ハンド41を乾燥部31と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を乾燥部31のシャッタと対向させる。次に搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、シャッタを介してハンド41を乾燥部31の内部に進入させ、Z軸方向において第1基板W1および第2基板W2を基板保持部と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を下降させて、第1基板W1および第2基板W2を基板保持部に受け渡す。次に搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を乾燥部31の内部から退避させる。 The transport robot 4 transports the first substrate W1 and the second substrate W2 collectively to the drying unit 31 by rotating and moving the hand 41 as appropriate. Specifically, the transport robot 4 drives the rotating mechanism 43 to make the hand 41 face the drying unit 31. Next, the transport robot 4 drives the lifting mechanism 44 to make the hand 41 face the shutter of the drying unit 31. Next, the transfer robot 4 drives the moving mechanism 42 to cause the hand 41 to enter the inside of the drying unit 31 via the shutter, and to make the first substrate W1 and the second substrate W2 face the substrate holding unit in the Z-axis direction. Next, the transport robot 4 drives the elevating mechanism 44 to lower the hand 41 to transfer the first substrate W1 and the second substrate W2 to the substrate holding unit. Next, the transport robot 4 drives the moving mechanism 42 to retract the hand 41 from the inside of the drying unit 31.

また搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2を個別に取り出すこともできる。ところで、第1基板W1および第2基板W2を一括して取り出すには、第1基板W1および第2基板W2の両方が基板待機部23で待機している必要がある。つまり、第1基板W1が基板待機部23に搬送された後に、次の第2基板W2が基板待機部23に搬送されるのを待つ必要がある。これに対して、第1基板W1および第2基板W2を個別に取り出す場合には、第2基板W2が基板待機部23に未だ搬送されていない状態でも、第1基板W1を基板待機部23から取り出すことができる。そこで、搬送ロボット4は個別搬送においては、第2基板W2を待つことなく、第1基板W1を基板搬送部23から取り出すとよい。 The transfer robot 4 can also take out the first substrate W1 and the second substrate W2 individually. By the way, in order to take out the first substrate W1 and the second substrate W2 collectively, it is necessary that both the first substrate W1 and the second substrate W2 stand by in the substrate waiting section 23. That is, it is necessary to wait for the next second substrate W2 to be transported to the substrate standby unit 23 after the first substrate W1 is transported to the substrate standby unit 23. On the other hand, when the first substrate W1 and the second substrate W2 are individually taken out, the first substrate W1 is removed from the substrate standby unit 23 even when the second substrate W2 is not yet transported to the substrate standby unit 23. You can take it out. Therefore, in the individual transfer, the transfer robot 4 may take out the first substrate W1 from the substrate transfer unit 23 without waiting for the second substrate W2.

搬送ロボット4は、第1基板W1のみを基板待機部23から取り出すことができる。具体的な一例として、搬送ロボット4は、第2基板W2が基板待機部23に搬送されていない状態(つまり、第2基板W2が処理装置本体22で処理されている状態)で、取り出し動作を行う。すなわち、搬送ロボット4は回転機構43の回転により、ハンド41を基板待機部23に対向させた上で、昇降機構44の昇降により、ハンド41を第1基板W1に対して−Z側に位置させる。そして、搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を−X側に移動させて、ハンド41の先端側の部分を第1基板W1のみと対向させる。そして、搬送ロボット4がハンド41を上昇させる。これにより、搬送ロボット4は第1基板W1のみを基板待機部23から受け取ることができる。搬送ロボット4はこの第1基板W1のみを乾燥部31へと搬送する。 The transfer robot 4 can take out only the first substrate W1 from the substrate standby unit 23. As a specific example, the transfer robot 4 performs a take-out operation in a state where the second substrate W2 is not transferred to the substrate standby unit 23 (that is, a state in which the second substrate W2 is processed by the processing apparatus main body 22). To do. That is, the transport robot 4 causes the hand 41 to face the substrate standby unit 23 by the rotation of the rotation mechanism 43, and then moves the lifting mechanism 44 up and down to position the hand 41 on the −Z side with respect to the first substrate W1. .. Then, the transport robot 4 drives the moving mechanism 42 to move the hand 41 to the −X side so that the tip side portion of the hand 41 faces only the first substrate W1. Then, the transfer robot 4 raises the hand 41. As a result, the transfer robot 4 can receive only the first substrate W1 from the substrate standby unit 23. The transfer robot 4 transfers only the first substrate W1 to the drying unit 31.

また第1基板W1が取り出された状態で、搬送ロボット4は次のようにして第2基板W2のみを基板待機部23から取り出すことができる。すなわち、搬送ロボット4は回転機構43の回転により、ハンド41を基板待機部23に対向させた上で、昇降機構44の昇降により、ハンド41を第2基板W2に対して−Z側に位置させる。そして、搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を第2基板W2と対向させる。そして、搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を上昇させる。これにより、搬送ロボット4は第2基板のみを受け取ることができる。搬送ロボット4はこの第2基板W2のみを乾燥部31へと搬送する。 Further, with the first substrate W1 taken out, the transfer robot 4 can take out only the second substrate W2 from the substrate waiting section 23 as follows. That is, the transport robot 4 causes the hand 41 to face the substrate standby portion 23 by the rotation of the rotation mechanism 43, and then moves the lifting mechanism 44 up and down to position the hand 41 on the −Z side with respect to the second substrate W2. .. Then, the transport robot 4 drives the moving mechanism 42 to make the hand 41 face the second substrate W2. Then, the transfer robot 4 drives the lifting mechanism 44 to raise the hand 41. Thereby, the transfer robot 4 can receive only the second substrate. The transfer robot 4 transfers only the second substrate W2 to the drying unit 31.

以上のように、搬送ロボット4は、基板待機部23に順次に搬送される基板Wを1枚ずつ順次に取り出して、乾燥部31へ順次に搬送することができる。なお、このような個別搬送において、第2基板W2が基板待機部23に搬送されたときには、第1基板W1が既に取り出されているので、第2基板W2は第1待機部231まで搬送されてもよい。 As described above, the transport robot 4 can sequentially take out the substrates W sequentially transported to the substrate standby unit 23 one by one and sequentially transport the substrates W to the drying unit 31. In such an individual transfer, when the second substrate W2 is transferred to the substrate standby unit 23, the first substrate W1 has already been taken out, so the second substrate W2 is transferred to the first standby unit 231. Good.

搬送ロボット4が基板待機部23から取り出す基板Wの枚数の決定方法については後に詳述する。 A method of determining the number of substrates W taken out from the substrate standby unit 23 by the transfer robot 4 will be described later in detail.

<1−3.減圧乾燥装置>
減圧乾燥装置3の乾燥部31は2枚の基板Wに対して一括して減圧乾燥処理を行うことができる。なお、減圧乾燥装置3は塗布装置2の下流側(+X側)に位置する下流処理部である。
<1-3. Vacuum dryer>
The drying unit 31 of the reduced pressure drying apparatus 3 can collectively perform the reduced pressure drying process on the two substrates W. The reduced-pressure drying device 3 is a downstream processing unit located on the downstream side (+X side) of the coating device 2.

複数の乾燥部31として、例えば3つの乾燥部31aから乾燥部31cが設けられる。図1の例では、平面視において、2つの乾燥部31が搬送ロボット4の周りに設けられている。例えば乾燥部31aは搬送ロボット4に対して+Y側に設けられ、乾燥部31cは搬送ロボット4に対して+X側に設けられている。乾燥部31bは乾燥部31aに対して+Z側に設けられている。つまり、乾燥部31aの+Z側に、乾燥部31bが積層されている。 As the plurality of drying units 31, for example, three drying units 31a to 31c are provided. In the example of FIG. 1, two drying units 31 are provided around the transport robot 4 in a plan view. For example, the drying unit 31a is provided on the +Y side of the transport robot 4, and the drying unit 31c is provided on the +X side of the transport robot 4. The drying unit 31b is provided on the +Z side with respect to the drying unit 31a. That is, the drying unit 31b is laminated on the +Z side of the drying unit 31a.

乾燥部31は、いずれも不図示のチャンバと基板保持部と減圧機構とを含む。チャンバは密閉空間を形成する。ただし、搬送ロボット4と向かい合うチャンバの側面には、基板Wの搬出入に用いられるシャッタ(不図示)が設けられる。このシャッタが閉じることにより、チャンバは密閉空間を形成する。シャッタが開くことにより、搬送ロボット4はチャンバ内の基板保持部と基板Wの受け渡しを行うことができる。基板保持部は、2枚の基板Wを水平に並べた状態で保持することができる。搬送ロボット4は2枚の基板Wを一括して基板保持部に渡すこともでき、1枚の基板Wを基板保持部に渡すこともできる。減圧機構はチャンバ内の気体を吸引して、チャンバ内の圧力を低下させる。具体的には例えばチャンバ内の圧力を塗布液の溶剤の蒸気圧まで低減させる。これにより、基板W上の塗膜の溶剤が蒸発し、基板W上の塗膜を適度に乾燥させることができる。つまり減圧乾燥処理が行われる。 The drying unit 31 includes a chamber, a substrate holding unit, and a decompression mechanism, all not shown. The chamber forms an enclosed space. However, a shutter (not shown) used for loading and unloading the substrate W is provided on the side surface of the chamber facing the transfer robot 4. By closing this shutter, the chamber forms a closed space. By opening the shutter, the transfer robot 4 can transfer the substrate W to and from the substrate holding unit in the chamber. The substrate holding part can hold two substrates W in a state where they are horizontally arranged. The transfer robot 4 can transfer the two substrates W to the substrate holding unit at once, or can transfer the single substrate W to the substrate holding unit. The decompression mechanism sucks the gas in the chamber to reduce the pressure in the chamber. Specifically, for example, the pressure in the chamber is reduced to the vapor pressure of the solvent of the coating liquid. Thereby, the solvent of the coating film on the substrate W is evaporated, and the coating film on the substrate W can be appropriately dried. That is, the reduced pressure drying process is performed.

<1−4.受け渡しユニット>
受け渡しユニット5は、減圧乾燥装置3と加熱処理装置7との間での基板Wの受け渡しを中継するユニットである。例えば受け渡しユニット5は、搬送ロボット4と加熱処理装置7との間に位置している。より具体的な一例として、受け渡しユニット5は乾燥部31cの+Z側に設けられていてもよい。つまり、乾燥部31cの+Z側に、受け渡しユニット5が積層されていてもよい。
<1-4. Delivery unit>
The delivery unit 5 is a unit that relays delivery of the substrate W between the reduced pressure drying apparatus 3 and the heat treatment apparatus 7. For example, the delivery unit 5 is located between the transfer robot 4 and the heat treatment device 7. As a more specific example, the delivery unit 5 may be provided on the +Z side of the drying unit 31c. That is, the delivery unit 5 may be laminated on the +Z side of the drying unit 31c.

受け渡しユニット5は、2枚の基板Wを水平に並べた状態で保持する基板保持部を有している。搬送ロボット4は2枚の基板Wを一括して基板保持部に渡すことができ、また、基板Wを1枚ずつ基板保持部に渡すことで、2枚の基板Wを基板保持部に保持させることもできる。例えば搬送ロボット4は、基板保持部のうち搬送ロボット4から見て奥側の部分に第1基板W1を渡し、基板保持部のうち手前側の部分に第2基板W2を渡す。これにより、基板保持部には第1基板W1および第2基板W2が載置されることとなる。 The delivery unit 5 has a substrate holding portion that holds two substrates W in a horizontally arranged state. The transfer robot 4 can collectively transfer the two substrates W to the substrate holding unit, and also transfers the substrates W one by one to the substrate holding unit to hold the two substrates W in the substrate holding unit. You can also For example, the transfer robot 4 transfers the first substrate W1 to a portion on the back side of the substrate holding unit when viewed from the transfer robot 4, and transfers the second substrate W2 to a portion on the front side of the substrate holding unit. As a result, the first substrate W1 and the second substrate W2 are placed on the substrate holder.

<2.加熱処理装置>
図1の例では、加熱処理装置7も示されている。加熱処理装置7は加熱ユニット71と搬送ロボット72とを含んでいる。搬送ロボット72は搬送ロボット4と同様の構成を有しており、受け渡しユニット5から第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して取り出す。搬送ロボット72は第1基板W1および第2基板W2を一括して加熱ユニット71へと搬送する。
<2. Heat treatment equipment>
In the example of FIG. 1, the heat treatment apparatus 7 is also shown. The heat treatment device 7 includes a heating unit 71 and a transfer robot 72. The transfer robot 72 has the same configuration as the transfer robot 4, and takes out both the first substrate W1 and the second substrate W2 from the transfer unit 5 at once. The transfer robot 72 collectively transfers the first substrate W1 and the second substrate W2 to the heating unit 71.

加熱ユニット71はいずれも不図示の基板保持部とヒータとを含んでいる。基板保持部は第1基板W1および第2基板W2の両方を水平に並べた状態で保持することができる。ヒータは第1基板W1および第2基板W2に対して熱を与える。これにより、第1基板W1および第2基板W2の塗膜は略完全に乾燥する。 Each of the heating units 71 includes a substrate holder and a heater (not shown). The substrate holding unit can hold both the first substrate W1 and the second substrate W2 in a state where they are horizontally arranged. The heater gives heat to the first substrate W1 and the second substrate W2. As a result, the coating films on the first substrate W1 and the second substrate W2 are almost completely dried.

処理装置本体22で塗布される塗布液として、フォトレジスト用の塗布液が採用される場合には、この加熱ユニット71による加熱により、露光処理前のいわゆるプリベーク処理を行うことができる。 When a photoresist coating solution is used as the coating solution applied in the processing apparatus main body 22, the heating by the heating unit 71 enables the so-called pre-baking process before the exposure process.

<3.搬送ロボットの動作>
上述のように、処理装置本体22(上流処理部)は基板Wを搬送しつつ、基板Wに対して1枚ずつ順次に塗布処理を行う。つまり、第1基板W1に対する塗布処理が終了した後に、その次の第2基板W2に対して塗布処理が行われる。塗布処理が終了した基板Wは時間の経過と共に自然乾燥するので、先に塗布処理が終了する第1基板W1の乾燥状態は、後に塗布処理が処理する第2基板W2の乾燥状態と相違し得る。この乾燥状態の差異の程度は例えば、基板上に形成された塗膜の厚さ(膜厚)に依存する。
<3. Transfer robot operation>
As described above, the processing apparatus main body 22 (upstream processing unit) transports the substrates W and sequentially performs coating processing on the substrates W one by one. That is, after the coating process on the first substrate W1 is completed, the coating process is performed on the next second substrate W2. Since the substrate W after the coating process is naturally dried over time, the dry state of the first substrate W1 to which the coating process is first completed may be different from the dry state of the second substrate W2 to be subsequently processed by the coating process. .. The degree of the difference in the dry state depends on, for example, the thickness (film thickness) of the coating film formed on the substrate.

例えば耐エッチング性被膜とすべきフォトレジスト液を塗布液(以下、第1塗布液と呼ぶ)として塗布する場合は、塗膜の膜厚は比較的薄くする。膜厚が薄い場合は、塗膜中に含まれる溶剤量が少なくなる。この結果、乾燥に要する必要乾燥時間は比較的に短くなる。つまり、第1塗布液が乾燥する速度が比較的に速くなる。この場合には、上記自然乾燥時間の差に起因する両基板Wの乾燥状態の差は比較的に大きくなる。よって、第1基板W1および第2基板W2に対して個別の乾燥時間で減圧乾燥処理を行うことが望ましい。 For example, when a photoresist liquid that is to be an etching resistant film is applied as a coating liquid (hereinafter referred to as a first coating liquid), the film thickness of the coating film is made relatively thin. When the film thickness is thin, the amount of solvent contained in the coating film is small. As a result, the required drying time required for drying is relatively short. That is, the drying speed of the first coating liquid is relatively high. In this case, the difference in the dry state of both substrates W due to the difference in the natural drying time becomes relatively large. Therefore, it is desirable to perform the reduced pressure drying process on the first substrate W1 and the second substrate W2 for individual drying times.

一方で、例えば絶縁膜とすべきポリイミド系またはアクリル系の塗布液(以下、第2塗布液と呼ぶ)を塗布する場合は、塗膜の膜厚は比較的厚くする(例えば、フォトレジスト液の膜厚の倍程度の膜厚とする)。膜厚が厚い場合は、塗膜中に含まれる溶剤量が多くなる。この結果、第2塗布液が乾燥する速度が比較的に遅くなる。この場合には、上記自然乾燥時間の差に起因する両基板Wの乾燥状態の差は比較的に小さくなる。 On the other hand, for example, when a polyimide-based or acrylic-based coating liquid (hereinafter referred to as a second coating liquid) to be an insulating film is applied, the film thickness of the coating film is relatively large (for example, a photoresist liquid The film thickness is about twice the film thickness). When the film thickness is large, the amount of solvent contained in the coating film increases. As a result, the speed at which the second coating liquid dries becomes relatively slow. In this case, the difference in the dry state of both substrates W due to the difference in the natural drying time is relatively small.

そこで、搬送ロボット4は、基板Wの乾燥に要する必要乾燥時間に応じて搬送方法を切り替える。具体的には、基板Wの乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、搬送ロボット4は第1基板W1を複数の乾燥部31の一つに搬送し、第2基板W2を複数の乾燥部31の他の1つに搬送する。これにより、第1基板W1および第2基板W2に対してそれぞれ適した乾燥時間で減圧乾燥処理を行うことができる。 Therefore, the transfer robot 4 switches the transfer method according to the required drying time required for drying the substrate W. Specifically, when the required drying time required to dry the substrate W is the first time, the transfer robot 4 transfers the first substrate W1 to one of the plurality of drying units 31, and the second substrate W2 to the plurality of drying units 31. It is transported to another one of the drying units 31. Accordingly, the reduced pressure drying process can be performed on the first substrate W1 and the second substrate W2 in a drying time suitable for each.

その一方で、必要乾燥時間が第1時間よりも長い第2時間であるときには、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を受け取って一括して複数の乾燥部31の一つに搬送する。これにより、スループットを向上することができる。 On the other hand, when the required drying time is the second time, which is longer than the first time, the transfer robot 4 receives both the first substrate W1 and the second substrate W2 and collectively selects one of the plurality of drying units 31. Transport to. Thereby, the throughput can be improved.

必要乾燥時間は例えば、塗膜の膜厚に依存するので、搬送ロボット4は塗膜の膜厚に応じて搬送方法を切り替える、ともいえる。すなわち、処理装置本体22のノズル224が第1塗布液を基板Wに吐出して比較的薄い塗膜を形成するときには、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2を個別に基板待機部23から取り出す。より具体的には、搬送ロボット4は、第2基板W2の基板待機部23への搬送を待つことなく、第1基板W1のみを基板待機部23から取り出し、その第1基板W1を例えば乾燥部31aへと搬送する。この乾燥部31aは第1基板W1に対して所定の第1乾燥時間に亘って減圧乾燥処理を行う。第2基板W2が基板待機部23に搬送されると、搬送ロボット4は第2基板W2のみを基板待機部23から取り出し、その第2基板W2を、第1基板W1とは別の乾燥部31bへと搬送する。この乾燥部31bは第2基板W2に対して所定の第2乾燥時間に亘って減圧乾燥処理を行う。 Since the required drying time depends, for example, on the film thickness of the coating film, it can be said that the transfer robot 4 switches the transfer method according to the film thickness of the coating film. That is, when the nozzle 224 of the processing apparatus main body 22 discharges the first coating liquid onto the substrate W to form a relatively thin coating film, the transfer robot 4 individually transfers the first substrate W1 and the second substrate W2 to the substrate standby unit. Take out from 23. More specifically, the transfer robot 4 takes out only the first substrate W1 from the substrate standby unit 23 without waiting for the transfer of the second substrate W2 to the substrate standby unit 23, and extracts the first substrate W1 from the drying unit, for example. It is transported to 31a. The drying unit 31a performs a reduced pressure drying process on the first substrate W1 for a predetermined first drying time. When the second substrate W2 is transported to the substrate standby unit 23, the transport robot 4 takes out only the second substrate W2 from the substrate standby unit 23, and removes the second substrate W2 from the drying unit 31b different from the first substrate W1. Transport to. The drying unit 31b performs a reduced pressure drying process on the second substrate W2 for a predetermined second drying time.

搬送ロボット4は乾燥部31aによる減圧乾燥処理が終了したときに、第1基板W1を乾燥部31aから取り出して受け渡しユニット5へと搬送し、乾燥部31bによる減圧乾燥処理が終了したときに、第2基板W2を乾燥部31bから取り出して受け渡しユニット5へと搬送する。 The transport robot 4 takes out the first substrate W1 from the drying unit 31a and transports it to the delivery unit 5 when the reduced pressure drying process by the drying unit 31a is completed, and when the reduced pressure drying process by the drying unit 31b is completed, 2 The substrate W2 is taken out of the drying section 31b and conveyed to the delivery unit 5.

以上のように、自然乾燥に起因する乾燥状態の差が大きくなることが危惧される第1基板W1および第2基板W2に対しては、同時搬送ではなく個別搬送を行う。この個別搬送においては、次の第2基板W2を待つことなく第1基板W1を取り出すので、各取り出し時点における第1基板W1および第2基板W2の乾燥状態の差は小さい。そして、乾燥部31a,31bは第1基板W1および第2基板W2に対して、互いに略等しい第1乾燥時間および第2乾燥時間で、それぞれ減圧乾燥処理を行う。第1乾燥時間および第2乾燥時間は例えば予め設定され、例えば40秒である。乾燥部31aに搬送される直前の第1基板W1の乾燥状態と、乾燥部31bに搬送される直前の第2基板W2の乾燥状態との差は小さいので、減圧乾燥処理後の第1基板W1および第2基板W2の乾燥状態の差も小さい。 As described above, for the first substrate W1 and the second substrate W2 that are likely to have a large difference in dry state due to natural drying, individual transport is performed instead of simultaneous transport. In this individual transfer, since the first substrate W1 is taken out without waiting for the next second substrate W2, the difference in the dry state between the first substrate W1 and the second substrate W2 at each taking-out point is small. Then, the drying units 31a and 31b perform the reduced-pressure drying process on the first substrate W1 and the second substrate W2, respectively, for a first drying time and a second drying time that are substantially equal to each other. The first drying time and the second drying time are preset, for example, and are 40 seconds, for example. Since the difference between the dried state of the first substrate W1 immediately before being transported to the drying unit 31a and the dried state of the second substrate W2 immediately before being transported to the drying unit 31b is small, the first substrate W1 after the reduced pressure drying process is performed. Also, the difference in the dry state of the second substrate W2 is small.

一方で、処理装置本体22のノズル224が第2塗布液を吐出して比較的厚い塗膜を形成するときには、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して取り出す。搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して乾燥部31(例えば乾燥部31a)へと搬送する。乾燥部31aは第1基板W1および第2基板W2の両方に対して一括して所定の乾燥時間(例えば80秒)で減圧乾燥処理を行う。この乾燥時間も例えば予め設定される。このように、自然乾燥に起因する乾燥状態の差が大きくなることを危惧する必要の無い場合は、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して乾燥部31へと搬送してもよい。 On the other hand, when the nozzle 224 of the processing apparatus main body 22 discharges the second coating liquid to form a relatively thick coating film, the transfer robot 4 collectively takes out both the first substrate W1 and the second substrate W2. The transport robot 4 collectively transports both the first substrate W1 and the second substrate W2 to the drying unit 31 (for example, the drying unit 31a). The drying unit 31a collectively performs the reduced-pressure drying process on both the first substrate W1 and the second substrate W2 for a predetermined drying time (for example, 80 seconds). This drying time is also set in advance, for example. As described above, when there is no need to worry that the difference in the dry state due to the natural drying becomes large, the transfer robot 4 collectively transfers both the first substrate W1 and the second substrate W2 to the drying unit 31. You may convey.

より具体的には、第1基板W1と第2基板W2の待機時間の差、すなわち、自然乾燥状態の差が5秒である場合を想定する。第1塗布液を基板Wに吐出して比較的薄い塗膜を形成する場合、上述のように第1基板W1と第2基板W2に対して、それぞれ40秒間、減圧乾燥処理される。このとき、第1基板W1と第2基板W2とを一括して同時に減圧乾燥する場合は、自然乾燥状態の差が5秒ある2枚の基板を同時に減圧乾燥することとなる。減圧乾燥時間(40秒)に対する自然乾燥の時間差(5秒)が比較的大きいため、減圧乾燥処理後の第1基板W1上の塗膜状態と第2基板W2上の塗膜状態とが異なることが危惧される。そこで、上述のように第1基板W1と第2基板W2の待機時間の差(自然乾燥状態の時間差)が生じないように、第1基板W1と第2基板W2とを1枚ずつ乾燥部31a,31bにそれぞれ搬送して減圧乾燥処理を実行する。 More specifically, it is assumed that the difference between the standby times of the first substrate W1 and the second substrate W2, that is, the difference between the naturally dried states is 5 seconds. When the first coating liquid is discharged onto the substrate W to form a relatively thin coating film, the first substrate W1 and the second substrate W2 are each subjected to reduced pressure drying treatment for 40 seconds as described above. At this time, when the first substrate W1 and the second substrate W2 are simultaneously dried under reduced pressure, two substrates having a difference in natural drying state of 5 seconds are simultaneously dried under reduced pressure. Since the time difference of natural drying (5 seconds) with respect to the reduced pressure drying time (40 seconds) is relatively large, the coating state on the first substrate W1 and the coating state on the second substrate W2 after the reduced pressure drying process are different. Is afraid. Therefore, as described above, the first substrate W1 and the second substrate W2 are dried one by one so that the difference in the waiting time between the first substrate W1 and the second substrate W2 (the time difference in the natural drying state) does not occur. , 31b to carry out the reduced pressure drying process.

また、第1塗布液を基板Wに吐出して比較的厚い塗膜を形成する場合、上述のように第1基板W1と第2基板W2に対して同時に、それぞれ80秒間、減圧乾燥処理される。このように、第1基板W1と第2基板W2とを一括して同時に減圧乾燥しても、減圧乾燥時間(80秒)に対する自然乾燥の時間差(5秒)が比較的小さいため、減圧乾燥処理後の第1基板W1上の塗膜状態と第2基板W2上の塗膜状態とがプロセス上、問題となるほど異なることがない。 When the first coating liquid is discharged onto the substrate W to form a relatively thick coating film, the first substrate W1 and the second substrate W2 are simultaneously subjected to reduced pressure drying treatment for 80 seconds respectively as described above. .. As described above, even if the first substrate W1 and the second substrate W2 are collectively dried under reduced pressure, the time difference (5 seconds) between the natural drying and the reduced pressure drying time (80 seconds) is relatively small. The subsequent state of the coating film on the first substrate W1 and the state of the coating film on the second substrate W2 will not be so different as to cause a problem in the process.

搬送ロボット4は乾燥部31aによる減圧乾燥処理が終了したときに、第1基板W1および第2基板W2の両方を乾燥部31aから一括して取り出して受け渡しユニット5へと搬送する。 When the reduced-pressure drying process by the drying unit 31a is completed, the transport robot 4 collectively takes out both the first substrate W1 and the second substrate W2 from the drying unit 31a and transports them to the delivery unit 5.

これによれば、第1基板W1および第2基板W2に対して、一括して乾燥処理を行うことができる。これによれば、スループットを向上することができる。 According to this, it is possible to collectively perform the drying process on the first substrate W1 and the second substrate W2. According to this, the throughput can be improved.

なお塗布装置2(処理装置本体22)が1種類の塗布液を塗布する場合、搬送ロボット4はその塗布液の種類(膜厚)に応じた1種類の搬送方法を採用することになる。本実施の形態にかかる基板処理装置1によれば、搬送ロボット4は搬送方法を切り替えることができるので、塗布装置2として、第1塗布液を塗布する塗布装置を採用してもよく、第2塗布液を塗布する塗布装置を採用してもよい。言い換えれば、第1塗布液を塗布する塗布装置2が必要なシステムにも、第2塗布液を塗布する塗布装置2が必要なシステムにも、基板処理装置1を適用することができる。つまり、基板処理装置1は複数の基板Wの同時処理および複数の基板Wの個別処理の両方に適している。 When the coating device 2 (processing device main body 22) coats one type of coating liquid, the transport robot 4 employs one type of transport method according to the type (film thickness) of the coating liquid. According to the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the transfer robot 4 can switch the transfer method. Therefore, as the coating apparatus 2, a coating apparatus that coats the first coating liquid may be adopted. You may employ|adopt the coating device which applies a coating liquid. In other words, the substrate processing apparatus 1 can be applied to a system that requires the coating device 2 that applies the first coating liquid and a system that requires the coating device 2 that applies the second coating liquid. That is, the substrate processing apparatus 1 is suitable for both simultaneous processing of a plurality of substrates W and individual processing of a plurality of substrates W.

その一方で、塗布装置2が基板Wに応じて第1塗布液および第2塗布液を選択的に塗布してもよい。この場合、塗布装置2において塗布される塗布液の種類の情報(膜厚情報)は、例えば基板処理装置1の上流側の装置から制御部6へと通知されてもよく、あるいは、作業者によって入力されてもよい。制御部6は塗布液の種類に応じて、搬送ロボット4による搬送方法を上述のように切り替える。 On the other hand, the coating device 2 may selectively coat the first coating liquid and the second coating liquid according to the substrate W. In this case, the information (film thickness information) on the type of coating liquid applied in the coating device 2 may be notified to the control unit 6 from a device on the upstream side of the substrate processing apparatus 1, or by an operator. It may be entered. The control unit 6 switches the transfer method by the transfer robot 4 as described above according to the type of the coating liquid.

図4は、制御部6の搬送方法を切り替える場合の搬送方法の決定動作の一例を示すフローチャートである。図4のフローチャートは、例えば基板Wが基板処理装置1に搬入されるごとに実行されてもよい。まずステップS1にて、制御部6は、基板Wの乾燥に必要な必要乾燥時間T1が基準時間Tref以下であるか否かを判断する。必要乾燥時間T1を示す情報は、基板処理装置1よりも上流側の装置または作業者によって制御部6に入力される。基準時間Trefは例えば予め設定されており、例えば記憶装置64等に記憶される。 FIG. 4 is a flowchart showing an example of an operation of determining a carrying method when the carrying method of the control unit 6 is switched. The flowchart of FIG. 4 may be executed, for example, each time the substrate W is loaded into the substrate processing apparatus 1. First, in step S1, the control unit 6 determines whether the required drying time T1 required for drying the substrate W is equal to or less than the reference time Tref. Information indicating the required drying time T1 is input to the control unit 6 by an apparatus or an operator on the upstream side of the substrate processing apparatus 1. The reference time Tref is preset, for example, and is stored in, for example, the storage device 64 or the like.

必要乾燥時間T1が基準時間Tref以下であると判断したときには、ステップS2にて、制御部6は、第1基板W1および第2基板W2を基板待機部23から個別に取り出して、第1基板W1および第2基板W2を互いに異なる乾燥部31に1枚ずつ搬送する搬送方法(個別搬送)を採用する。 When it is determined that the required drying time T1 is equal to or shorter than the reference time Tref, the control unit 6 individually takes out the first substrate W1 and the second substrate W2 from the substrate standby unit 23 in step S2, and then the first substrate W1. Further, a transfer method (individual transfer) of transferring the second substrates W2 to the different drying units 31 one by one is adopted.

一方で、必要基準時間T1が基準時間Trefよりも大きいと判断したときには、ステップS3にて、制御部6は、第1基板W1および第2基板W2を基板待機部23から一括して取り出して、第1基板W1および第2基板W2を一括して一つの乾燥部31に搬送する搬送方法(同時搬送)を採用する。 On the other hand, when it is determined that the required reference time T1 is longer than the reference time Tref, the control unit 6 collectively removes the first substrate W1 and the second substrate W2 from the substrate standby unit 23 in step S3, A transfer method (simultaneous transfer) in which the first substrate W1 and the second substrate W2 are collectively transferred to one drying unit 31 is adopted.

<4.待機>
上述の例では、第1基板W1が第1待機部231へと搬送されると、第1上昇機構234は第1基板W1を上昇させる。よって、同時搬送において、第2基板W2は、第1上昇機構234が第1基板W1を上昇させた状態で、基板搬送部223から第2待機部232へと搬送される。言い換えれば、第1基板W1はリフトピン2341によって支持された状態で、第2基板W2、あるいは、搬送ロボット4を待っている。
<4. Wait>
In the above-mentioned example, when the first substrate W1 is transported to the first standby unit 231, the first raising mechanism 234 raises the first substrate W1. Therefore, in the simultaneous transport, the second substrate W2 is transported from the substrate transport unit 223 to the second standby unit 232 in a state where the first lifting mechanism 234 lifts the first substrate W1. In other words, the first substrate W1 is waiting for the second substrate W2 or the transfer robot 4 while being supported by the lift pins 2341.

比較のために、第1基板W1が出口浮上ステージ233の上で待機する場合について考慮する。例えば、出口浮上ステージ233の下流部分における気体の噴出を停止した状態で、第1基板W1を出口浮上ステージ233の上で待機させてもよい。この場合、第1基板W1の下面は出口浮上ステージ233の上面との接触面積は大きい。よって、第1基板W1とその支持体(出口浮上ステージ233)との間で移動する熱量は比較的に大きい。 For comparison, consider the case where the first substrate W1 stands by on the exit floating stage 233. For example, the first substrate W1 may be made to stand by on the exit levitation stage 233 in a state where the ejection of gas in the downstream portion of the exit levitation stage 233 is stopped. In this case, the lower surface of the first substrate W1 has a large contact area with the upper surface of the exit levitation stage 233. Therefore, the amount of heat transferred between the first substrate W1 and its support (exit floating stage 233) is relatively large.

あるいは、出口浮上ステージ233の気体の噴出を受けつつ、第1基板W1が所定のチャック機構に保持されて待機してもよい。この場合、第1基板W1の下面には気流が生じているので、第1基板W1と気流との間で移動する熱量は比較的に大きい。 Alternatively, the first substrate W1 may be held by a predetermined chuck mechanism and stand by while the gas is ejected from the exit levitation stage 233. In this case, since the airflow is generated on the lower surface of the first substrate W1, the amount of heat transferred between the first substrate W1 and the airflow is relatively large.

これに対して、第1基板W1がリフトピン2341によって支持される場合、第1基板W1とリフトピン2341との接触面積は小さい。これによれば、第1基板W1と支持体(リフトピン2341)との間で移動する熱量は比較的に小さい。また、第1基板W1は、気体が第1基板W1の下面に及ばない位置で、待機することができる。よって、第1基板W1と気体との間で移動する熱量も小さい。したがって、第1基板W1の温度状態(つまり乾燥状態)に対する支持体および気体の影響を小さくすることができる。言い換えれば、同時搬送における第1基板W1と第2基板W2との乾燥状態の差を低減することができる。 On the other hand, when the first substrate W1 is supported by the lift pins 2341, the contact area between the first substrate W1 and the lift pins 2341 is small. According to this, the amount of heat transferred between the first substrate W1 and the support (lift pin 2341) is relatively small. Further, the first substrate W1 can stand by at a position where the gas does not reach the lower surface of the first substrate W1. Therefore, the amount of heat transferred between the first substrate W1 and the gas is also small. Therefore, the influence of the support and the gas on the temperature state (that is, the dry state) of the first substrate W1 can be reduced. In other words, it is possible to reduce the difference in the dry state between the first substrate W1 and the second substrate W2 during simultaneous conveyance.

第2の実施の形態.
第2の実施の形態にかかる基板処理装置1の構成の一例は第1の実施の形態と同様である。ただし、第2の実施の形態にかかる基板処理装置1は塗布装置2に替えて、塗布装置2Aを含んでいる。
Second embodiment.
An example of the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment is similar to that of the first embodiment. However, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment includes a coating apparatus 2A instead of the coating apparatus 2.

図5は、塗布装置2Aおよび搬送ロボット4の構成の一例を示す側面図である。塗布装置2Aは処理装置本体22の構成および基板待機部23の構成を除いて、塗布装置2と同様の構成を有している。塗布装置2Aの処理装置本体22は図3の処理装置本体22と比較して、出口浮上ステージ225をさらに含む。この出口浮上ステージ225は出口浮上ステージ233と同様の構成を有している。 FIG. 5 is a side view showing an example of the configurations of the coating device 2A and the transfer robot 4. The coating apparatus 2A has the same configuration as the coating apparatus 2 except for the configuration of the processing apparatus main body 22 and the configuration of the substrate standby unit 23. The processing apparatus main body 22 of the coating apparatus 2A further includes an outlet levitation stage 225 as compared with the processing apparatus main body 22 of FIG. The exit levitation stage 225 has the same structure as the exit levitation stage 233.

基板待機部23は例えばコロコンベアであり、複数の回転軸236A、複数の回転軸236B、複数のコロ237Aおよび複数のコロ237Bを有している。基板待機部23の構成は基板導入部21と同様である。ただし、基板Wは搬送ロボット4によって取り出されるので、基板待機部23は搬送ロボット4のハンド41と干渉しないように構成されている。この基板待機部23において、回転軸236Bおよびコロ237Bは第1待機部231を構成し、回転軸236Aおよびコロ237Aは第2待機部232を構成する。 The substrate standby unit 23 is, for example, a roller conveyor, and has a plurality of rotating shafts 236A, a plurality of rotating shafts 236B, a plurality of rollers 237A, and a plurality of rollers 237B. The structure of the substrate standby unit 23 is the same as that of the substrate introduction unit 21. However, since the substrate W is taken out by the transfer robot 4, the substrate standby unit 23 is configured so as not to interfere with the hand 41 of the transfer robot 4. In the substrate standby unit 23, the rotation shaft 236B and the roller 237B configure a first standby unit 231, and the rotation shaft 236A and the roller 237A configure a second standby unit 232.

処理装置本体22によって処理された第1基板は、出口浮上ステージ225から第2待機部232を経由して、第1待機部231へと搬送される。第1基板W1はコロ237Bの上で待機する。処理装置本体22によって処理された第2基板W2は、出口浮上ステージ225から第2待機部232へと搬送される。第2基板W2はコロ237Aの上で待機する。 The first substrate processed by the processing apparatus main body 22 is transferred from the exit floating stage 225 to the first standby unit 231 via the second standby unit 232. The first substrate W1 stands by on the roller 237B. The second substrate W2 processed by the processing apparatus main body 22 is transported from the exit floating stage 225 to the second standby unit 232. The second substrate W2 stands by on the roller 237A.

搬送ロボット4は第1の実施の形態と同様に、第1基板W1および第2基板W2の両方を基板待機部23から一括して取り出すことができ、また、第1基板W1および第2基板W2を個別に取り出すことができる。 Similar to the first embodiment, the transfer robot 4 can collectively take out both the first substrate W1 and the second substrate W2 from the substrate standby unit 23, and the first substrate W1 and the second substrate W2. Can be taken out individually.

なお第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、第1上昇機構234および第2上昇機構235が設けられていてもよい。 In addition, also in the second embodiment, the first raising mechanism 234 and the second raising mechanism 235 may be provided as in the first embodiment.

以上、基板搬送装置および基板搬送方法の実施の形態について説明したが、この実施の形態はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。上述した各種の実施の形態および変形例は適宜に組み合わせて実施することができる。 Although the embodiments of the substrate transfer apparatus and the substrate transfer method have been described above, various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present embodiment. The various embodiments and modified examples described above can be implemented in an appropriate combination.

例えば、膜厚の違いに応じて搬送方式を変更するのではなく、塗布液の種類に応じて搬送方式を変更してもよい。例えば揮発性の高い溶剤を含む塗布液の場合は減圧乾燥時間が比較的短くなる。この場合は自然乾燥状態の時間差が減圧乾燥に与える影響が大きくなる。そこで、基板を1枚ずつ減圧乾燥装置に搬送する方式が好ましい。逆に、揮発性の低い溶剤を含む塗布液の場合は減圧乾燥時間が比較的長くなる。この場合は自然乾燥状態の時間差が減圧乾燥に与える影響が小さい。そこで、複数の基板を一括して減圧乾燥装置に搬送する方式を採用してスループットを向上させる方が好ましい。 For example, instead of changing the transfer method depending on the difference in film thickness, the transfer method may be changed according to the type of the coating liquid. For example, in the case of a coating liquid containing a highly volatile solvent, the reduced pressure drying time becomes relatively short. In this case, the influence of the time difference in the naturally dried state on the reduced pressure drying becomes large. Therefore, it is preferable to transport the substrates one by one to the reduced pressure drying device. On the contrary, in the case of a coating liquid containing a solvent having low volatility, the drying time under reduced pressure becomes relatively long. In this case, the influence of the time difference in the naturally dried state on the reduced pressure drying is small. Therefore, it is preferable to improve the throughput by adopting a method in which a plurality of substrates are collectively transported to a reduced pressure drying apparatus.

減圧乾燥するために複数の乾燥部を設けるのではなく、1個の乾燥部としてもよい。塗布装置から搬出される複数の基板の時間間隔が長い場合、1個の乾燥部であっても、先の基板の減圧乾燥処理が完了し、空いているので、基板を1枚ずつ搬入することができる。 Instead of providing a plurality of drying units for drying under reduced pressure, one drying unit may be used. When the time intervals of the plurality of substrates carried out from the coating apparatus are long, even if only one drying unit is used, the vacuum drying process for the preceding substrates is completed and is empty, so the substrates should be carried in one by one. You can

例えば、第1基板W1および第2基板W2の位置および姿勢を調整するための整列機構が基板処理装置1に設けられてもよい。この整列機構は例えば基板待機部23、減圧乾燥装置3および受け渡しユニット5の少なくともいずれか一つに設けられ得る。この整列機構としては、例えば特開2018−160586号公報に開示された間隔調整部および整列部を採用できる。 For example, the substrate processing apparatus 1 may be provided with an alignment mechanism for adjusting the positions and orientations of the first substrate W1 and the second substrate W2. This alignment mechanism can be provided, for example, in at least one of the substrate standby unit 23, the reduced-pressure drying device 3, and the delivery unit 5. As the alignment mechanism, for example, a gap adjusting unit and an aligning unit disclosed in JP-A-2018-160586 can be adopted.

1 基板処理装置
3 下流処理部(減圧乾燥装置)
4 搬送ロボット
22 上流処理部(処理装置本体)
31,31a〜31c 乾燥部
223 搬送部(基板搬送部)
231 第1待機部
232 第2待機部
234 第1上昇機構
235 第2上昇機構
1 Substrate processing device 3 Downstream processing unit (vacuum drying device)
4 Transport robot 22 Upstream processing unit (processing device main body)
31, 31a to 31c Drying unit 223 Transport unit (substrate transport unit)
231 1st standby part 232 2nd standby part 234 1st raising mechanism 235 2nd raising mechanism

Claims (5)

複数の基板を1枚ずつ順次に処理する上流処理部と、
前記上流処理部によって処理された2枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、
前記上流処理部で処理された基板である第1基板を待機させる第1待機部と、
前記上流処理部で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第2待機部と、
前記第1待機部で待機する前記第1基板と前記第2待機部で待機する前記第2基板との両方、前記第1待機部で待機する前記第1基板のみ、および、前記第2待機部で待機する第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットと
を備える、基板処理装置。
An upstream processing unit that sequentially processes a plurality of substrates one by one;
A downstream processing unit capable of simultaneously processing two substrates processed by the upstream processing unit;
A first standby unit for waiting a first substrate, which is a substrate processed by the upstream processing unit,
A second standby unit that waits for a second substrate that is a substrate processed by the upstream processing unit and that is a substrate next to the first substrate;
Both the first substrate waiting in the first waiting unit and the second substrate waiting in the second waiting unit, only the first substrate waiting in the first waiting unit, and the second waiting unit A substrate processing apparatus comprising: a transfer robot that can take out only the second substrate that is on standby at the transfer target and that can transfer the transfer target to the downstream processing unit.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記第1待機部は前記第1基板を上昇させる第1上昇機構を有し、
前記第2待機部は前記第2基板を上昇させる第2上昇機構を有し、
前記第1上昇機構および前記第2上昇機構は互いに独立して駆動される、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The first standby unit has a first raising mechanism that raises the first substrate,
The second standby unit has a second raising mechanism that raises the second substrate,
The substrate processing apparatus, wherein the first raising mechanism and the second raising mechanism are driven independently of each other.
請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記上流処理部は、搬送方向に沿って前記複数の基板を1枚ずつ順次に搬送する搬送部を有し、
前記第1待機部は、前記搬送方向において前記搬送部の下流側に位置し、
前記第2待機部は、前記搬送方向において前記搬送部と前記第1待機部との間に位置しており、前記搬送部からの前記第1基板を前記第1待機部へと搬送する機能も有し、
前記第1基板が前記第2待機部から前記第1待機部へ搬送されると、前記第1上昇機構が前記第1基板を上昇させ、
前記第2基板は、第1上昇機構が前記第1基板を上昇させた状態で、前記搬送部から前記第2待機部へと搬送される、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein
The upstream processing unit has a transfer unit that sequentially transfers the plurality of substrates one by one along a transfer direction,
The first standby unit is located on the downstream side of the transport unit in the transport direction,
The second standby unit is located between the transport unit and the first standby unit in the transport direction, and also has a function of transporting the first substrate from the transport unit to the first standby unit. Have,
When the first substrate is transported from the second standby unit to the first standby unit, the first raising mechanism raises the first substrate,
The substrate processing apparatus, wherein the second substrate is transported from the transport unit to the second standby unit in a state where the first lifting mechanism lifts the first substrate.
請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記下流処理部は、乾燥処理を行う複数の乾燥部を有し、
前記搬送ロボットは、
前記第1基板および前記第2基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、前記第1基板を前記複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第2基板を前記複数の乾燥部の他の1つに搬送し、
前記必要乾燥時間が、前記第1時間よりも長い第2時間であるときには、前記第1基板および前記第2基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
The downstream processing unit has a plurality of drying units for performing a drying process,
The transfer robot is
When the required drying time required for drying each of the first substrate and the second substrate is the first time, the first substrate is transported to one of the plurality of drying units, and the second substrate is transported to the plurality of drying units. Transport to another one of the drying section of
When the required drying time is a second time that is longer than the first time, both the first substrate and the second substrate are received and collectively transported to one of the plurality of drying units. Processing equipment.
複数の基板を1枚ずつ順次に処理する第1工程と、
前記第1工程で処理された基板である第1基板を待機させる第2工程と、
前記第1工程で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第3工程と、
前記第1基板と前記第2基板との両方、前記第1基板のみ、および、第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能な搬送ロボットによって前記搬送対象を取り出す第4工程と、
2枚の基板を同時に処理可能な下流処理部へと、前記搬送ロボットによって前記搬送対象を搬送する第5工程と
を備える、基板処理方法。
A first step of sequentially processing a plurality of substrates one by one,
A second step of waiting the first substrate, which is the substrate processed in the first step,
A third step of waiting a second substrate, which is the substrate processed in the first step and is the next substrate of the first substrate,
A fourth step of taking out the transfer target by a transfer robot capable of taking out both of the first substrate and the second substrate, only the first substrate, and only the second substrate,
A substrate processing method, comprising: a downstream processing unit capable of simultaneously processing two substrates; and a fifth step of transporting the transport target by the transport robot.
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