JP2020088194A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
複数の処理装置を有するコータ/デベロッパ装置が知られている。例えば、特許文献1に記載のコータ/デベロッパ装置では、インデクサ部に載置されたカセットから取り出された複数の基板が順次、洗浄装置に投入され、その後、脱水ベーク装置、レジスト塗布装置、プリベーク装置、露光装置、現像装置、および、ポストベーク装置を順番に経由して、再びカセットに収容される。
Coater/developer devices having a plurality of processing devices are known. For example, in the coater/developer apparatus described in
このコータ/デベロッパ装置には、次の2つのタイプの処理装置が混在する。即ち、平流し処理装置と可変搬送型の処理装置とが混在する。この平流し処理装置には1枚ずつ基板が搬入される。平流し処理装置はこれらの基板を順次に一方向に搬送して基板に対して1枚ずつ処理を行う。この平流し処理装置としては、洗浄装置および現像装置が例示される。 In this coater/developer device, the following two types of processing devices are mixed. That is, the flat-flow processing apparatus and the variable transfer type processing apparatus coexist. Substrates are loaded one by one into this flatbed processing apparatus. The flatbed processing apparatus sequentially conveys these substrates in one direction to process the substrates one by one. Examples of the flat-flow processing device include a cleaning device and a developing device.
可変搬送型の処理装置にも基板が1枚ずつ搬入される。可変搬送型の処理装置は、複数の処理部と、当該複数の処理部に対して基板を搬送する基板搬送手段とを有する。基板搬送手段は、基板を受け取るハンドと、このハンドを各処理部へ移動させる移動機構とを有する。この基板搬送手段は上流側の装置から基板を1枚ずつ受け取って処理部へと基板を渡す。また基板搬送手段は処理部の相互間で基板を搬送することもできる。この可変搬送型の処理装置としては、例えば脱水ベーク装置が例示される。この脱水ベーク装置では複数の処理部として加熱部および冷却部が設けられる。 Substrates are loaded into the variable transfer type processing apparatus one by one. The variable transfer type processing apparatus has a plurality of processing units and a substrate transfer unit that transfers a substrate to the plurality of processing units. The substrate carrying means has a hand for receiving the substrate and a moving mechanism for moving the hand to each processing section. The substrate transfer means receives the substrates one by one from the upstream device and transfers the substrates to the processing section. The substrate transfer means can also transfer the substrate between the processing units. An example of this variable transfer type processing apparatus is a dehydration baking apparatus. In this dehydration baking apparatus, a heating unit and a cooling unit are provided as a plurality of processing units.
しかしながら、このような可変搬送型の処理装置の各処理部には、例えば上流側の平流し装置から基板が1枚ずつ搬送され、各処理部は基板に対して1枚ずつ処理を行う。よって、基板処理のスループットが低い、という問題がある。 However, for example, a substrate is conveyed one by one from an upstream side flattening device to each treatment section of such a variable conveyance type treatment apparatus, and each treatment section processes the substrate one by one. Therefore, there is a problem that the throughput of substrate processing is low.
そこで、可変搬送型の処理装置の各処理部に、複数枚の基板に対して同時に処理を行わせることが考えられる。これにより、基板処理のスループットを向上することができる。 Therefore, it is conceivable to cause each processing unit of the variable transfer type processing apparatus to simultaneously process a plurality of substrates. Thereby, the throughput of substrate processing can be improved.
しかしながら、可変搬送型の処理装置の各処理部が常に複数の基板に対して同時に処理を行うことが望ましいとは限らず、各処理部が1枚の基板に対して処理を行うことが望ましい場合もある。以下に簡単に説明する。 However, it is not always desirable that each processing unit of the variable transfer type processing apparatus simultaneously processes a plurality of substrates, and it is desirable that each processing unit performs a processing on one substrate. There is also. A brief description will be given below.
例えば平流し処理装置においては、先行する基板(以下、先行基板と呼ぶ)の処理が終了した後に、その次に流れる基板(以下、次基板と呼ぶ)が処理される。よって、先行基板は次基板の処理の終了を待つ必要があり、その待機期間において、先行基板の状態が経時的に変化し得る。したがって、次基板の処理が終了した時点での先行基板および次基板の状態は互いに相違し得る。このように先行基板および次基板の状態の差異が大きくなる場合は、平流し処理装置における次基板の処理の終了を待つことは好ましくない。そこで、下流側の可変搬送型の処理装置の各処理部に、先行基板および次基板を順次搬送して、先行基板および次基板に対して1枚ずつ個別に処理を行うことが望ましい。これにより、状態に差異のない基板に対して処理を行うことができる。 For example, in the flatbed processing apparatus, after the processing of the preceding substrate (hereinafter referred to as the preceding substrate) is completed, the substrate flowing next (hereinafter referred to as the next substrate) is processed. Therefore, the preceding substrate needs to wait for the processing of the next substrate to be completed, and the state of the preceding substrate may change over time during the waiting period. Therefore, the states of the preceding substrate and the next substrate at the time when the processing of the next substrate is completed may be different from each other. When the difference between the states of the preceding substrate and the next substrate becomes large as described above, it is not preferable to wait for the completion of the processing of the next substrate in the flatbed processing apparatus. Therefore, it is desirable that the preceding substrate and the next substrate are sequentially carried to each processing unit of the variable carrying type processing apparatus on the downstream side, and the preceding substrate and the next substrate are individually processed one by one. As a result, it is possible to perform processing on a substrate having no difference in state.
その一方で、上記差異が小さければ、下流側の可変搬送型の処理装置の各処理部は先行基板および次基板に対して同時に処理を行うことが望ましい。これにより、スループットを向上できる。 On the other hand, if the difference is small, it is desirable that each processing unit of the variable transfer type processing apparatus on the downstream side simultaneously processes the preceding substrate and the next substrate. Thereby, the throughput can be improved.
しかしながら、従来では、このような処理方法の相違について考慮されておらず、そのような両処理方法に適した基板処理装置は提案されていない。 However, conventionally, such a difference in processing method has not been taken into consideration, and a substrate processing apparatus suitable for both such processing methods has not been proposed.
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の基板の同時処理および複数の基板の個別処理の両方に適した基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method suitable for both simultaneous processing of a plurality of substrates and individual processing of a plurality of substrates. ..
基板処理装置の第1の態様は、複数の基板を1枚ずつ順次に処理する上流処理部と、前記上流処理部によって処理された2枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、前記上流処理部で処理された基板である第1基板を待機させる第1待機部と、前記上流処理部で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第2待機部と、前記第1待機部で待機する前記第1基板と前記第2待機部で待機する前記第2基板との両方、前記第1待機部で待機する前記第1基板のみ、および、前記第2待機部で待機する第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットとを備える。 A first aspect of the substrate processing apparatus is an upstream processing unit that sequentially processes a plurality of substrates one by one, a downstream processing unit that can simultaneously process two substrates processed by the upstream processing unit, and A first standby unit that waits for a first substrate that is a substrate processed by an upstream processing unit, and a second substrate that is a substrate processed by the upstream processing unit and that is the next substrate to the first substrate. A second standby unit, both the first substrate waiting in the first standby unit and the second substrate waiting in the second standby unit, only the first substrate waiting in the first standby unit; Also, a transfer robot is provided which can take out only the second substrate waiting in the second standby unit as a transfer target and can transfer the transfer target to the downstream processing unit.
基板処理装置の第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理装置であって、前記第1待機部は前記第1基板を上昇させる第1上昇機構を有し、前記第2待機部は前記第2基板を上昇させる第2上昇機構を有し、前記第1上昇機構および前記第2上昇機構は互いに独立して駆動される。 A second aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the first standby unit has a first raising mechanism for raising the first substrate, and the second standby unit is There is a second raising mechanism that raises the second substrate, and the first raising mechanism and the second raising mechanism are driven independently of each other.
基板処理装置の第3の態様は、第2の態様にかかる基板処理装置であって、前記上流処理部は、搬送方向に沿って前記複数の基板を1枚ずつ順次に搬送する搬送部を有し、前記第1待機部は、前記搬送方向において前記搬送部の下流側に位置し、前記第2待機部は、前記搬送方向において前記搬送部と前記第1待機部との間に位置しており、前記搬送部からの前記第1基板を前記第1待機部へと搬送する機能も有し、前記第1基板が前記第2待機部から前記第1待機部へ搬送されると、前記第1上昇機構が前記第1基板を上昇させ、前記第2基板は、第1上昇機構が前記第1基板を上昇させた状態で、前記搬送部から前記第2待機部へと搬送される。 A third aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the upstream processing unit has a transport unit that sequentially transports the plurality of substrates one by one along a transport direction. However, the first standby unit is located downstream of the transport unit in the transport direction, and the second standby unit is located between the transport unit and the first standby unit in the transport direction. And has a function of transporting the first substrate from the transport unit to the first standby unit. When the first substrate is transported from the second standby unit to the first standby unit, the first substrate is transferred to the first standby unit. The first raising mechanism raises the first substrate, and the second substrate is conveyed from the conveying unit to the second standby unit in a state where the first raising mechanism raises the first substrate.
基板処理装置の第4の態様は、第1から第3のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記下流処理部は、乾燥処理を行う複数の乾燥部を有し、前記搬送ロボットは、前記第1基板および前記第2基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、前記第1基板を前記複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第2基板を前記複数の乾燥部の他の1つに搬送し、前記必要乾燥時間が、前記第1時間よりも長い第2時間であるときには、前記第1基板および前記第2基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する。 A fourth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the downstream processing unit has a plurality of drying units that perform a drying process, The robot conveys the first substrate to one of the plurality of drying units when the required drying time required for drying each of the first substrate and the second substrate is the first time, and the second substrate Is conveyed to another one of the plurality of drying units, and when the required drying time is a second time longer than the first time, both of the first substrate and the second substrate are received and collectively received. Then, it is conveyed to one of the plurality of drying sections.
基板処理方法の態様は、複数の基板を1枚ずつ順次に処理する第1工程と、前記第1工程で処理された基板である第1基板を待機させる第2工程と、前記第1工程で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第3工程と、前記第1基板と前記第2基板との両方、前記第1基板のみ、および、第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能な搬送ロボットによって前記搬送対象を取り出す第4工程と、2枚の基板を同時に処理可能な下流処理部へと、前記搬送ロボットによって前記搬送対象を搬送する第5工程とを備える。 The aspect of the substrate processing method includes a first step of sequentially processing a plurality of substrates one by one, a second step of waiting the first substrate that is the substrate processed in the first step, and a first step of the first step. A third step of waiting for a second substrate that is a processed substrate, which is a substrate next to the first substrate, both the first substrate and the second substrate, only the first substrate, and A fourth step of taking out the transfer target by a transfer robot capable of taking out only the second substrate as a transfer target, and transferring the transfer target by the transfer robot to a downstream processing unit capable of simultaneously processing two substrates. And a fifth step.
基板処理装置の第1の態様および基板処理方法の態様によれば、搬送ロボットが第1基板および第2基板の両方を一括して下流処理部へと搬送することもでき、また第1基板および第2基板を個別に下流処理部に搬送することもできる。第1基板および第2基板の両方を一括して下流処理部へと搬送すれば、下流処理装置が第1基板および第2基板の両方を同時に処理する。これによれば、スループットを向上することができる。一方で、第1基板および第2基板を個別に下流処理部へと搬送すれば、下流処理部は第1基板および第2基板を個別に処理する。これによれば、下流処理部は第1基板および第2基板のそれぞれに対して適した処理条件で、第1基板および第2基板に対して処理を行うことができる。 According to the first aspect of the substrate processing apparatus and the aspect of the substrate processing method, the transfer robot can also transfer both the first substrate and the second substrate to the downstream processing unit in a lump, and the first substrate and The second substrate can also be individually transported to the downstream processing unit. If both the first substrate and the second substrate are collectively transported to the downstream processing unit, the downstream processing apparatus simultaneously processes both the first substrate and the second substrate. According to this, the throughput can be improved. On the other hand, if the first substrate and the second substrate are individually conveyed to the downstream processing unit, the downstream processing unit individually processes the first substrate and the second substrate. According to this, the downstream processing unit can perform processing on the first substrate and the second substrate under processing conditions suitable for the first substrate and the second substrate, respectively.
基板処理装置の第2の態様によれば、第1上昇機構および第2上昇機構が互いに独立して駆動されるので、第1基板のみを上昇させることも、第2基板のみを上昇させることも、第1基板および第2基板の両方を上昇させることもできる。 According to the second aspect of the substrate processing apparatus, since the first raising mechanism and the second raising mechanism are driven independently of each other, it is possible to raise only the first substrate or only the second substrate. It is also possible to raise both the first substrate and the second substrate.
基板処理装置の第3の態様によれば、第1基板をより早いタイミングで上昇させることができる。これによれば、第1基板を搬送部から離して支持することができる。よって、搬送部と基板との間で移動する熱の量を低減することができる。よって、第1基板と第2基板の温度状態の差を低減することができる。 According to the third aspect of the substrate processing apparatus, the first substrate can be raised at an earlier timing. According to this, the 1st board|substrate can be supported apart from a conveyance part. Therefore, the amount of heat transferred between the transfer unit and the substrate can be reduced. Therefore, the difference between the temperature states of the first substrate and the second substrate can be reduced.
基板処理装置の第4の態様によれば、上流処理部は第1基板および第2基板を1枚ずつ順次に処理するので、その処理の終了タイミングは第1基板および第2基板の間で相違する。具体的には、第1基板の終了タイミングは第2基板の終了タイミングよりも早いタイミングである。よって、第1基板および第2基板に対する処理が終了した後の第1基板の乾燥状態は第2基板の乾燥状態と相違する。 According to the fourth aspect of the substrate processing apparatus, since the upstream processing unit sequentially processes the first substrate and the second substrate one by one, the end timing of the processing differs between the first substrate and the second substrate. To do. Specifically, the end timing of the first substrate is earlier than the end timing of the second substrate. Therefore, the dry state of the first substrate after the processing on the first substrate and the second substrate is different from the dry state of the second substrate.
必要乾燥時間が短いときには、第1基板および第2基板の各々は乾燥しやすく、処理の終了タイミングの差による乾燥の程度差は比較的に大きくなる。この場合、搬送ロボットは第1基板および第2基板をそれぞれ別の乾燥部に搬送する。よって、第1基板および第2基板のそれぞれに適した乾燥時間で乾燥処理を行うことができる。 When the required drying time is short, each of the first substrate and the second substrate is easily dried, and the difference in the degree of drying due to the difference in the processing end timing is relatively large. In this case, the transfer robot transfers the first substrate and the second substrate to different drying units. Therefore, the drying process can be performed for the drying time suitable for each of the first substrate and the second substrate.
一方で、必要乾燥時間が長いときには、第1基板および第2基板の各々は乾燥しにくく、処理の終了タイミングの差による乾燥の程度差は比較的に小さくなる。この場合、搬送ロボットは第1基板および第2基板を一括して一つの乾燥部に搬送する。これにより、乾燥に要するスループットを向上することができる。 On the other hand, when the required drying time is long, it is difficult to dry each of the first substrate and the second substrate, and the difference in the degree of drying due to the difference in the processing end timing is relatively small. In this case, the transfer robot collectively transfers the first substrate and the second substrate to one drying unit. As a result, the throughput required for drying can be improved.
第1の実施の形態.
<1.基板処理装置の全体構成・全体動作の概要の一例>
図1は、基板処理装置1の構成の一例を概略的に示す平面図である。なお以下で参照する各図では、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また各図において、各構成の位置関係を説明するために、XYZ直交座標系が適宜に示される。ここでは、Z軸が鉛直方向に沿う姿勢で配置され、X軸およびY軸は水平面に沿って配置される。以下では、X軸方向における一方側を+X側とも呼び、他方側を−X側とも呼ぶ。Y軸およびZ軸も同様である。なお以下では、+Z側は鉛直上側を意味する。
First embodiment.
<1. An example of an overview of the overall configuration and overall operation of the substrate processing apparatus>
FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of the
基板処理装置1は塗布装置2と減圧乾燥装置3と搬送ロボット4と制御部6とを備えている。塗布装置2には、上流側から基板Wが搬入される。なお基板Wは塗布装置2の搬入前に適宜に洗浄処理などの処理が行われるとよい。塗布装置2は複数の基板Wを1枚ずつ順次に搬送方向に沿って搬送しつつ、基板Wに対して1枚ずつ塗布処理を行う。これにより、基板Wの上面には、塗膜が形成される。基板Wに塗布する塗布液としては、例えばフォトレジスト用の塗布液または絶縁膜用の塗布液を採用することができる。
The
減圧乾燥装置3は塗布装置2の下流側に設けられ、複数の乾燥部31を含んでいる。複数の乾燥部31の各々は、塗布装置2によって処理されたN(Nは2以上の整数)枚の基板Wを受け入れることが可能である。以下では、一例として、N枚の基板Wとして2枚の基板を採用した場合について述べる。乾燥部31は、搬入された基板Wに対して減圧乾燥処理を行う。つまり、乾燥部31に2枚の基板Wが搬入されると、乾燥部31は2枚の基板Wに対して同時に減圧乾燥処理を行う。また、乾燥部31に1枚の基板Wが搬入されると、乾燥部31はその1枚の基板Wに対して減圧乾燥処理を行う。この減圧乾燥処理によって、基板Wの塗膜はある程度乾燥する。なお、乾燥部31における2枚の基板の処理期間は完全に一致する必要はなく、各処理期間の少なくとも一部が重なっていればよい。要するに、ここでいう同時とは、各処理期間が全く重ならない状態と対比した意味で用いられる。
The reduced-pressure drying device 3 is provided on the downstream side of the
搬送ロボット4は、塗布装置2によって処理された2枚の基板Wを搬送対象として一括して取り出し、その搬送対象を一括して乾燥部31へ搬送することができる。以下では、一例として、N枚の基板Wとして2枚の基板を採用した場合について述べる。
The
また搬送ロボット4は、塗布装置2によって処理された基板Wを搬送対象として1枚ずつ取り出し、各基板Wを互いに異なる乾燥部31に順次に搬送することもできる。搬送ロボット4が搬送する基板Wの枚数は、後に詳述するように、塗布装置2の処理内容(具体的には、塗布液の種類)に応じて変更される。
The
搬送ロボット4は、減圧乾燥装置3によって処理された基板Wを受け渡しユニット5へと搬送する。受け渡しユニット5は乾燥部31の上方に設けられ、2枚の基板Wを受け入れることができる。乾燥部31において2枚の基板Wが同時に処理されると、搬送ロボット4はその2枚の基板Wを乾燥部31から取り出して、当該2枚の基板Wを一括して受け渡しユニット5へと搬送する。一方で、乾燥部31において1枚の基板Wが処理されると、搬送ロボット4はその1枚の基板Wを取り出して、当該1枚の基板Wを受け渡しユニット5へと搬送する。さらに搬送ロボット4は他の乾燥部31によって処理された1枚の基板Wを取り出して、その1枚の基板Wを受け渡しユニット5へと搬送する。これにより、受け渡しユニット5には、2枚の基板Wが搬入されることとなる。
The
受け渡しユニット5内に搬入された2枚の基板Wは、その下流側に設けられた搬送ロボット72によって一括して取り出され、下流側にある加熱装置7の加熱ユニット71へと搬送される。加熱ユニット71は2枚の基板Wに対して同時に加熱処理を行う。これにより、2枚の基板Wの塗膜が略完全に乾燥する。
The two substrates W loaded into the
制御部6は各処理装置での処理および基板Wの搬送を制御する。図2は、制御部6の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。制御部6は制御回路であって、図2に示されるように、例えば、CPU(Central Processing Unit)61、ROM(Read Only Memory)62、RAM(Random Access Memory)63および記憶装置64等が、バスライン65を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ROM62は基本プログラム等を格納しており、RAM63はCPU61が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置64は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。
The
また制御部6においては、入力部66、表示部67、通信部68もバスライン65に接続されている。入力部66は、各種スイッチ、あるいは、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部67は、液晶表示装置およびランプ等により構成されており、CPU61による制御のもと各種の情報を表示する。通信部68は、LAN(Local Area Network)等を介したデータ通信機能を有する。
Further, in the
また、制御部6には、各ロボット(搬送ロボット4,72など)および上述の各処理装置が制御対象として接続されている。つまり制御部6は基板Wの搬送を制御する搬送制御部として機能できる。
Further, each robot (
制御部6の機能は、CPU61が、ROM62または記憶装置64に格納されたプログラムを実行することにより、実現されてもよい。つまり、制御部6の機能はソフトウェアによって実現されてもよい。あるいは、制御部6の機能の全部または一部は、専用の論理回路等を含むハードウェアによって実現されてもよい。
The function of the
<1−1.塗布装置>
塗布装置2は基板導入部21と処理装置本体22と基板待機部23とを含んでいる。基板導入部21は基板Wを受け取る。例えば基板導入部21には、2枚の基板Wが一括して搬入される。処理装置本体22は、基板導入部21から搬送される基板Wを順次に受け取り、この基板Wを搬送方向に沿って搬送させる。ここでは、処理装置本体22における搬送方向はX軸方向であり、その搬送方向の上流側は−X側であり、搬送方向の下流側は+X側である。なお、塗布装置2は減圧乾燥装置3の上流側(−X側)に位置する上流処理部である。
<1-1. Coating device>
The
処理装置本体22は基板Wを+X側に順次に搬送しつつ、その基板Wに対して1枚ずつ順次に塗布処理を行う。塗布処理後の基板Wは処理装置本体22から基板待機部23へと順次に搬送される。基板待機部23は、処理装置本体22から搬送された基板Wを順次に受け取る。基板待機部23は、順次に受け取った2枚の基板Wを待機させることができる。なおここでいう「待機」とは、その待機時間の長短に依らず、その位置において停止することをいう。基板待機部23で待機した基板Wは、搬送ロボット4によって取り出されて、下流側の減圧乾燥装置3へと搬送される。
The processing apparatus
<1−1−1.基板導入部>
図3は、塗布装置2および搬送ロボット4の構成の一例を概略的に示す側面図である。図3の例では、基板導入部21は例えばコロコンベアを含んでいる。このコロコンベアは複数の回転軸211Aと複数の回転軸211Bと複数のコロ212Aと複数のコロ212Bとを含んでいる。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々はその中心軸がY軸に沿う姿勢で設けられる。複数の回転軸211AはX軸方向において間隔を隔てて並んでおり、複数の回転軸211Bは、複数の回転軸211Aよりも下流側において、X軸方向において間隔を隔てて並んでいる。また回転軸211Aおよび回転軸211Bは互いに略同じ高さ位置に設けられている。回転軸211Aおよび回転軸211Bの各々は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。
<1-1-1. Substrate introduction part>
FIG. 3 is a side view schematically showing an example of the configurations of the
各回転軸211Aの外周面には、複数のコロ212Aが設けられており、各回転軸211Bの外周面には、複数のコロ212Bが設けられている。コロ212Aおよびコロ212Bは円環状の形状を有しており、その中心軸がY軸に沿う姿勢で設けられる。
A plurality of
基板Wは、複数のコロ212Aおよび複数のコロ212Bの上に載置される。つまり、複数のコロ212Aの外周面の最上部が基板Wの下面に接触し、複数のコロ212Bの外周面の最上部が基板Wの下面に接触する。
The substrate W is placed on the plurality of
複数の回転軸211Aは駆動部(不図示)によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転(同期回転)する。この回転により、複数のコロ212Aも同じ方向に略等しい回転速度で回転する。駆動部はモータを有しており、制御部6によって制御される。コロ212Aの回転により、コロ212A上に載置された基板Wが+X側に搬送される。複数の回転軸211Bも駆動部(不図示)によって駆動されて同期回転する。これにより、コロ212B上に載置された基板Wが+X側に搬送される。回転軸211Aおよび回転軸211Bは互いに独立して制御される。
The plurality of
コロ212Aおよびコロ212Bの上には、それぞれ1枚ずつ基板Wが載置されてもよい。例えば上流側の装置から2枚の基板Wがそれぞれコロ212Aおよびコロ212Bの上に載置されてもよい。この状態で、制御部6は回転軸211Bのみを同期回転させる。これにより、コロ212B上の基板Wを処理装置本体22へと搬送できる。次に制御部6は回転軸211Aおよび回転軸211Bの両方を同期回転させる。これにより、コロ212A上の基板Wを処理装置本体22へと搬送できる。
One substrate W may be placed on each of the
<1−1−2.処理装置本体の概要>
処理装置本体22は、順次に基板Wを搬送しつつ、その基板Wに対して順次に塗布処理を行う。図1および図3の例では、この処理装置本体22は移載ユニット221と浮上ステージ222と基板搬送部223とノズル224とを含んでいる。
<1-1-2. Overview of processing unit>
The processing apparatus
移載ユニット221は、基板導入部21から搬送された基板Wを浮上ステージ222へと搬送するユニットであり、搬送方式を変換するユニットである。つまり、基板導入部21では、コロ搬送方式で基板Wを搬送しているのに対して、後述の浮上ステージ222は浮上搬送方式で基板Wを搬送するので、移載ユニット221はこれらの間で搬送方式を変換する。
The
浮上ステージ222の上面には、複数の噴出口が設けられており、この噴出口から気体が噴出される。よって、浮上ステージ222において基板Wはこの気体によって浮力を与えられる。
A plurality of jet ports are provided on the upper surface of the floating
基板搬送部223は基板WのY軸方向の両端部分を保持しつつ、その基板Wを、移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へ搬送する。基板搬送部223は基板Wの両端部分のみを保持しているので、基板Wはその中央付近で撓み得る。しかるに、浮上ステージ222は噴出口から基板Wの下面へと気体を噴出して、基板Wへと浮力を与える。これにより、基板Wの撓みを抑制することができる。よって、基板Wは水平姿勢で浮上ステージ222を通過することができる。
The
ノズル224は浮上ステージ222の上方空間に設けられている。基板搬送部223が浮上ステージ222の上方において基板Wを+X側に移動させることにより、基板Wはノズル224の直下を横切る。ノズル224は、その直下の基板Wに対して塗布液を塗布する。これにより、基板Wに対して塗膜を形成することができる。なおノズル224は処理位置と待機位置との間で移動可能に構成されてもよい。処理位置は、ノズル224が基板Wに対して塗布液を吐出する位置であり、待機位置は、ノズル224を待機させる位置である。待機位置では、ノズル224の吐出口を洗浄する機構等が設けられてもよい。
The
塗膜が形成された基板Wは基板搬送部223によって基板待機部23へと搬送される。基板搬送部223は基板待機部23において基板Wの保持を解除する。その後、基板搬送部223は再び移載ユニット221へと戻り、次の基板Wを保持する。
The substrate W on which the coating film is formed is transported by the
<1−1−2−1.移載ユニット>
図3の例では、移載ユニット221は複数のコロ2211と入口浮上ステージ2212と複数のリフトピン2213とを含んでいる。複数のコロ2211は、基板導入部21のコロと同様の構成を有しており、X軸方向において間隔を空けて並んでいる。コロ2211の回転は制御部6によって制御される。コロ2211は、自身の回転により、基板導入部21から搬送された基板Wを受け取って+X側へと搬送する。
<1-1-2-1. Transfer unit>
In the example of FIG. 3, the
入口浮上ステージ2212は複数のコロ2211よりも下流側(+X側)に設けられている。入口浮上ステージ2212の上面には、複数の噴出口(不図示)が形成される。この噴出口は平面視において(つまり、Z軸方向に沿って見て)、例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、入口浮上ステージ2212の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源(不図示)に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。これにより、入口浮上ステージ2212上の基板Wに対して浮力を与えることができる。
The
複数のリフトピン2213は、Z軸方向に沿って延在する棒状の形状を有しており、昇降可能に設けられている。複数のリフトピン2213のうちいくつかはコロ2211に対応して設けられており、残りは入口浮上ステージ2212に対応して設けられている。コロ2211に対応したリフトピン2213は、複数のコロ2211の間の隙間に設けられている。入口浮上ステージ2212には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように複数の貫通孔が形成されている。この貫通孔は入口浮上ステージ2212をZ軸方向に貫通する。残りのリフトピン2213は当該貫通孔にそれぞれ貫通配置されている。図3に例示するように、複数のリフトピン2213は−Z側の基端部において互いに連結されていてもよい。
The plurality of
リフトピン2213は昇降機構2214によって昇降される。昇降機構2214は例えばエアシリンダであり、制御部6によって制御される。
The
リフトピン2213が下降している状態では、リフトピン2213の+Z側の先端部はコロ2211の外周面の最上部および入口浮上ステージ2212の上面のいずれに対しても−Z側に位置している。リフトピン2213が上昇している状態では、その先端部はコロ2211の最上部および入口浮上ステージ2212の上面のいずれよりも+Z側に位置し、基板Wの下面に接触して基板Wを持ち上げることができる。基板Wは、リフトピン2213によって持ち上げられた状態で、基板搬送部223によって保持される。
When the
<1−1−2−2.浮上ステージ>
浮上ステージ222は、入口浮上ステージ2212よりも+X側に設けられている。浮上ステージ222の上面にも、複数の噴出口(不図示)が形成される。この噴出口は平面視において例えばマトリックス状に配列される。各噴出口は、浮上ステージ222の内部に形成された気体供給経路を介して気体供給源に接続される。気体供給源からの気体がこの噴出口から噴出される。
<1-1-2-2. Levitation stage>
The
なお浮上ステージ222の上面には、複数の吸引口が形成されてもよい。この吸引口は噴出口とは異なる位置に形成され、例えばマトリックス状に配列される。各吸引口は、浮上ステージ222の内部に形成された気体吸引経路を介して吸引装置(例えばポンプ)に接続される。浮上ステージ222の噴出口から噴出された気体の一部は吸引口から吸引される。これによれば、基板Wに付与する浮力をより精密に制御することができる。ひいては、基板Wの撓みをさらに低減することができる。
A plurality of suction ports may be formed on the upper surface of the floating
<1−1−2−3.基板搬送部>
図1の例では、基板搬送部223は基板チャック部2231と進退機構2232とを含んでいる。基板チャック部2231は、基板WのY軸方向の両側の端面を保持する。図1の例では、基板Wに対してY軸方向の両側において、それぞれ一対の基板チャック部2231が設けられている。一対の基板チャック部2231はX軸方向において間隔を隔てて設けられている。各基板チャック部2231は、基板Wの下面のうちY軸方向における端部を支持する支持部を有している。この支持部の上面には、例えば吸着口が形成されており、その吸着口は支持部の内部の吸引経路を介して吸引装置(例えばポンプ)に接続される。吸着口から気体が吸引されることにより、基板チャック部2231は基板Wを吸着して保持することができる。
<1-1-2-3. Substrate transfer unit>
In the example of FIG. 1, the
進退機構2232は基板チャック部2231をX軸方向に沿って移動させる。基板Wの例えば進退機構2232はリニアモータなどである。進退機構2232は制御部6によって制御される。進退機構2232は基板チャック部2231を移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へと移動させる。これにより、基板チャック部2231に保持された基板Wも移載ユニット221から浮上ステージ222を経由して基板待機部23へと移動する。
The advancing/retreating
<1−1−2−4.ノズル>
ノズル224は浮上ステージ222の上方空間に設けられている。ノズル224の下端には、基板Wの塗布領域R1に対応した吐出口が形成されている。このノズル224はその吐出口がY軸方向に長い長尺ノズルである。吐出口の長さ(Y軸方向に沿う長さ)は塗布領域R1の長さ(Y軸方向に沿う長さ)と略一致する。
<1-1-2-4. Nozzle>
The
ノズル224はいずれも不図示の塗布液供給管を介して塗布液供給源に接続される。塗布液供給管の途中には、不図示のポンプが設けられており、このポンプを駆動制御することにより、ノズル224からの塗布液の吐出/停止が切り替えられる。ポンプは制御部6によって制御される。
Each of the
基板搬送部223が基板Wを+X側に移動させることにより、基板Wはノズル224の直下を横切る。ノズル224は基板Wが横切る際に塗布液を吐出する。具体的にはノズル224は、基板Wの塗布領域R1の+X側の端がノズル224の直下に位置するときに塗布液の吐出を開始し、塗布領域R1の−X側の端がノズル224の直下に位置するときに塗布液の吐出を終了する。これにより、塗布領域R1には塗布液が塗布され、塗布領域R1の上に塗膜が形成される。
The
なお、ノズル224は複数種の塗布液を基板Wに対して吐出可能であってもよい。より具体的には、複数種の塗布液にそれぞれ対応した複数のノズル224が設けられていてもよい。複数種の塗布液としては、例えばフォトレジスト用の塗布液および絶縁膜用の塗布液を採用することができる。
The
<1−1−3.基板待機部>
基板待機部23は、処理装置本体22によって処理された基板Wを順次に受け入れる。基板待機部23は2枚の基板Wを待機させることができる。この基板待機部23は第1待機部231と第2待機部232とを含んでいる。第1待機部231は1枚の基板Wを待機させることができ、第2待機部232は1枚の基板Wを待機させることができる。
<1-1-3. Substrate waiting section>
The
図1および図3の例では、第1待機部231および第2待機部232は処理装置本体22の搬送方向(つまりX軸方向)に沿って並んでいる。より具体的には、第1待機部231は処理装置本体22よりも+X側に設けられ、第2待機部232は処理装置本体22と第1待機部231との間に設けられている。第2待機部232は、処理装置本体22から搬送された基板Wを第1待機部231へと搬送する機能も有している。
In the example of FIGS. 1 and 3, the
処理装置本体22において処理された一つの基板W(以下、第1基板W1と呼ぶ)は、基板搬送部223によって第2待機部232を経由して第1待機部231に搬送される。第1待機部231はこの第1基板W1を待機させることができる。処理装置本体22において第1基板W1の次に処理された第2基板W2は、基板搬送部223によって第2待機部232に搬送される。第2待機部232は第2基板W2を待機させることができる。
One substrate W processed in the processing apparatus main body 22 (hereinafter, referred to as a first substrate W1) is transported by the
より具体的な一例として、基板待機部23は出口浮上ステージ233と第1上昇機構234と第2上昇機構235とを含んでいる。出口浮上ステージ233は浮上ステージ222よりも+X側に設けられている。出口浮上ステージ233の上面にも、入口浮上ステージ2212と同様に、気体を噴出するための複数の噴出口が形成されている。出口浮上ステージ233の長さ(X軸方向に沿う長さ)は、2枚の基板Wの長さ(X軸方向に沿う長さ)の総和よりも長く設定される。
As a more specific example, the
第1基板W1は出口浮上ステージ233の下流部分へと搬送される。第1上昇機構234は、当該下流部分に位置する第1基板W1を上昇させる。第1上昇機構234は制御部6によって制御される。図3の例では、第1上昇機構234は複数のリフトピン2341と昇降機構2342とを含んでいる。各リフトピン2341は棒状の形状を有しており、その長手方向がZ軸に沿う姿勢で設けられる。図3に例示するように、リフトピン2341の−Z側の基端部は相互に連結されていてもよい。出口浮上ステージ233には、複数の噴出口のいずれとも干渉しないように、Z軸方向に延在する複数の貫通孔が形成されている。リフトピン2341は出口浮上ステージ233の貫通孔にそれぞれ貫通配置される。
The first substrate W1 is transported to the downstream portion of the
昇降機構2342は例えばエアシリンダであって、複数のリフトピン2341を昇降させる。この昇降機構2342は制御部6によって制御される。リフトピン2341が下降した状態では、リフトピン2341の先端部は出口浮上ステージ233の上面に対して−Z側に位置する。一方で、リフトピン2341が上昇した状態では、リフトピン2341の先端部は出口浮上ステージ233の上面に対して+Z側に位置する。昇降機構2342は、基板チャック部2231による第1基板W1の吸着が解除された状態で、リフトピン2341を上昇させる。この上昇により、リフトピン2341の先端部が第1基板W1の下面に接触して、第1基板W1を持ち上げることができる。リフトピン2341は、出口浮上ステージ233から噴出された気体が実質的に及ばない高さ位置まで第1基板W1を上昇させてもよい。これにより、第1基板W1はリフトピン2341によって支持される。
The elevating
図3の例では、第1基板W1を待機させる第1待機部231は、出口浮上ステージ233の下流部分と第1上昇機構234とによって構成される。
In the example of FIG. 3, the
第1基板W1の次に処理される第2基板W2は、出口浮上ステージ233の上流部分へと搬送される。出口浮上ステージ233の上流部分は下流部分に対して−X側に位置している。第2上昇機構235は、当該上流部分に位置する第2基板W2を上昇させる。第2上昇機構235は制御部6によって第1上昇機構234とは独立して制御される。図3の例では、第2上昇機構235は複数のリフトピン2351と昇降機構2352とを含んでいる。リフトピン2351および昇降機構2352はそれぞれリフトピン2341および昇降機構2342と同様であるので、詳細な説明を避ける。
The second substrate W2 to be processed after the first substrate W1 is transported to the upstream portion of the
昇降機構2352は、昇降機構2342と同様に、基板チャック部2231による第2基板W2の吸着が解除された状態で、リフトピン2351を上昇させる。この上昇により、リフトピン2351の先端部が第2基板W2の下面に接触して、第2基板W2を持ち上げることができる。第2基板W2はリフトピン2351によって支持される。
The elevating
図3の例では、第2基板W2を待機させる第2待機部232は、出口浮上ステージ233の上流部分と第2上昇機構235とによって構成される。
In the example of FIG. 3, the
以上のように、第1上昇機構234および第2上昇機構235が互いに独立して駆動されるので、第1基板W1のみを上昇させることも、第2基板W2のみを上昇させることも、第1基板W1および第2基板W2の両方を上昇させることもできる。
As described above, since the
第1基板W1および第2基板W2はそれぞれリフトピン2341およびリフトピン2351によって支持された状態で、搬送ロボット4によって取り出される。
The first substrate W1 and the second substrate W2 are taken out by the
<1−2.搬送ロボット>
図3の例では、搬送ロボット4は基板待機部23よりも+X側に位置している。この搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して基板待機部23から取り出すことができる。また搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2を個別に基板待機部23から取り出すこともできる。
<1-2. Transfer robot>
In the example of FIG. 3, the
図1および図3の例では、搬送ロボット4はハンド41と移動機構42と回転機構43と昇降機構44とを備えている。ハンド41は、2枚の基板WがX軸方向において並んだ状態で載置可能な程度のサイズを有している。例えばハンド41は複数本の指状部材411と、指状部材411の基端を連結する基端部材412を有している。指状部材411は長尺状の形状を有しており、その上面において基板Wが載置される。2枚の基板Wは指状部材411の長手方向に沿って並んで載置される。よって、指状部材411の長手方向の長さは、基板Wの2枚分の長さと、基板Wの間の間隔とに応じて設定される。
In the example of FIGS. 1 and 3, the
移動機構42はハンド41を水平方向に移動させることができる。例えば移動機構42は一対のアーム(不図示)を有している。各アームは長尺状の複数の連結部材を有しており、その連結部材の端部同士が回転可能に連結される。各アームの一端はハンド41(具体的には基端部材412)に連結され、他端は回転機構43に連結される。連結部材の連結角度が制御されることで、ハンド41を水平方向に移動させることができる。回転機構43は、Z軸方向に沿う回転軸を中心として移動機構42のアームの他端を回転させることができる。これにより、ハンド41は円弧に沿って移動する。この移動により、ハンド41の向きを変えることができる。回転機構43は例えばモータを有している。昇降機構44は回転機構43をZ軸方向に沿って昇降させることで、ハンド41を昇降させる。昇降機構44は例えばボールねじ機構を有している。移動機構42、回転機構43および昇降機構44は制御部6によって制御される。
The moving
搬送ロボット4はハンド41を適宜に移動および回転させることで、ハンド41を基板待機部23、乾燥部31および受け渡しユニット5の各々へと移動させることができる。
By appropriately moving and rotating the
例えば搬送ロボット4は回転機構43の駆動により、ハンド41を基板待機部23と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を第1基板W1および第2基板W2に対して−Z側に位置させる。次に搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を−X側へと移動させ、Z軸方向においてハンド41を第1基板W1および第2基板W2の両方と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を上昇させる。これにより、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を基板待機部23から受け取ることができる。
For example, the
搬送ロボット4は適宜にハンド41を回転および移動させることにより、第1基板W1および第2基板W2を一括で乾燥部31へと搬送する。具体的には、搬送ロボット4は回転機構43の駆動により、ハンド41を乾燥部31と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を乾燥部31のシャッタと対向させる。次に搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、シャッタを介してハンド41を乾燥部31の内部に進入させ、Z軸方向において第1基板W1および第2基板W2を基板保持部と対向させる。次に搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を下降させて、第1基板W1および第2基板W2を基板保持部に受け渡す。次に搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を乾燥部31の内部から退避させる。
The
また搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2を個別に取り出すこともできる。ところで、第1基板W1および第2基板W2を一括して取り出すには、第1基板W1および第2基板W2の両方が基板待機部23で待機している必要がある。つまり、第1基板W1が基板待機部23に搬送された後に、次の第2基板W2が基板待機部23に搬送されるのを待つ必要がある。これに対して、第1基板W1および第2基板W2を個別に取り出す場合には、第2基板W2が基板待機部23に未だ搬送されていない状態でも、第1基板W1を基板待機部23から取り出すことができる。そこで、搬送ロボット4は個別搬送においては、第2基板W2を待つことなく、第1基板W1を基板搬送部23から取り出すとよい。
The
搬送ロボット4は、第1基板W1のみを基板待機部23から取り出すことができる。具体的な一例として、搬送ロボット4は、第2基板W2が基板待機部23に搬送されていない状態(つまり、第2基板W2が処理装置本体22で処理されている状態)で、取り出し動作を行う。すなわち、搬送ロボット4は回転機構43の回転により、ハンド41を基板待機部23に対向させた上で、昇降機構44の昇降により、ハンド41を第1基板W1に対して−Z側に位置させる。そして、搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を−X側に移動させて、ハンド41の先端側の部分を第1基板W1のみと対向させる。そして、搬送ロボット4がハンド41を上昇させる。これにより、搬送ロボット4は第1基板W1のみを基板待機部23から受け取ることができる。搬送ロボット4はこの第1基板W1のみを乾燥部31へと搬送する。
The
また第1基板W1が取り出された状態で、搬送ロボット4は次のようにして第2基板W2のみを基板待機部23から取り出すことができる。すなわち、搬送ロボット4は回転機構43の回転により、ハンド41を基板待機部23に対向させた上で、昇降機構44の昇降により、ハンド41を第2基板W2に対して−Z側に位置させる。そして、搬送ロボット4は移動機構42の駆動により、ハンド41を第2基板W2と対向させる。そして、搬送ロボット4は昇降機構44の駆動により、ハンド41を上昇させる。これにより、搬送ロボット4は第2基板のみを受け取ることができる。搬送ロボット4はこの第2基板W2のみを乾燥部31へと搬送する。
Further, with the first substrate W1 taken out, the
以上のように、搬送ロボット4は、基板待機部23に順次に搬送される基板Wを1枚ずつ順次に取り出して、乾燥部31へ順次に搬送することができる。なお、このような個別搬送において、第2基板W2が基板待機部23に搬送されたときには、第1基板W1が既に取り出されているので、第2基板W2は第1待機部231まで搬送されてもよい。
As described above, the
搬送ロボット4が基板待機部23から取り出す基板Wの枚数の決定方法については後に詳述する。
A method of determining the number of substrates W taken out from the
<1−3.減圧乾燥装置>
減圧乾燥装置3の乾燥部31は2枚の基板Wに対して一括して減圧乾燥処理を行うことができる。なお、減圧乾燥装置3は塗布装置2の下流側(+X側)に位置する下流処理部である。
<1-3. Vacuum dryer>
The drying
複数の乾燥部31として、例えば3つの乾燥部31aから乾燥部31cが設けられる。図1の例では、平面視において、2つの乾燥部31が搬送ロボット4の周りに設けられている。例えば乾燥部31aは搬送ロボット4に対して+Y側に設けられ、乾燥部31cは搬送ロボット4に対して+X側に設けられている。乾燥部31bは乾燥部31aに対して+Z側に設けられている。つまり、乾燥部31aの+Z側に、乾燥部31bが積層されている。
As the plurality of drying
乾燥部31は、いずれも不図示のチャンバと基板保持部と減圧機構とを含む。チャンバは密閉空間を形成する。ただし、搬送ロボット4と向かい合うチャンバの側面には、基板Wの搬出入に用いられるシャッタ(不図示)が設けられる。このシャッタが閉じることにより、チャンバは密閉空間を形成する。シャッタが開くことにより、搬送ロボット4はチャンバ内の基板保持部と基板Wの受け渡しを行うことができる。基板保持部は、2枚の基板Wを水平に並べた状態で保持することができる。搬送ロボット4は2枚の基板Wを一括して基板保持部に渡すこともでき、1枚の基板Wを基板保持部に渡すこともできる。減圧機構はチャンバ内の気体を吸引して、チャンバ内の圧力を低下させる。具体的には例えばチャンバ内の圧力を塗布液の溶剤の蒸気圧まで低減させる。これにより、基板W上の塗膜の溶剤が蒸発し、基板W上の塗膜を適度に乾燥させることができる。つまり減圧乾燥処理が行われる。
The drying
<1−4.受け渡しユニット>
受け渡しユニット5は、減圧乾燥装置3と加熱処理装置7との間での基板Wの受け渡しを中継するユニットである。例えば受け渡しユニット5は、搬送ロボット4と加熱処理装置7との間に位置している。より具体的な一例として、受け渡しユニット5は乾燥部31cの+Z側に設けられていてもよい。つまり、乾燥部31cの+Z側に、受け渡しユニット5が積層されていてもよい。
<1-4. Delivery unit>
The
受け渡しユニット5は、2枚の基板Wを水平に並べた状態で保持する基板保持部を有している。搬送ロボット4は2枚の基板Wを一括して基板保持部に渡すことができ、また、基板Wを1枚ずつ基板保持部に渡すことで、2枚の基板Wを基板保持部に保持させることもできる。例えば搬送ロボット4は、基板保持部のうち搬送ロボット4から見て奥側の部分に第1基板W1を渡し、基板保持部のうち手前側の部分に第2基板W2を渡す。これにより、基板保持部には第1基板W1および第2基板W2が載置されることとなる。
The
<2.加熱処理装置>
図1の例では、加熱処理装置7も示されている。加熱処理装置7は加熱ユニット71と搬送ロボット72とを含んでいる。搬送ロボット72は搬送ロボット4と同様の構成を有しており、受け渡しユニット5から第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して取り出す。搬送ロボット72は第1基板W1および第2基板W2を一括して加熱ユニット71へと搬送する。
<2. Heat treatment equipment>
In the example of FIG. 1, the heat treatment apparatus 7 is also shown. The heat treatment device 7 includes a
加熱ユニット71はいずれも不図示の基板保持部とヒータとを含んでいる。基板保持部は第1基板W1および第2基板W2の両方を水平に並べた状態で保持することができる。ヒータは第1基板W1および第2基板W2に対して熱を与える。これにより、第1基板W1および第2基板W2の塗膜は略完全に乾燥する。
Each of the
処理装置本体22で塗布される塗布液として、フォトレジスト用の塗布液が採用される場合には、この加熱ユニット71による加熱により、露光処理前のいわゆるプリベーク処理を行うことができる。
When a photoresist coating solution is used as the coating solution applied in the processing apparatus
<3.搬送ロボットの動作>
上述のように、処理装置本体22(上流処理部)は基板Wを搬送しつつ、基板Wに対して1枚ずつ順次に塗布処理を行う。つまり、第1基板W1に対する塗布処理が終了した後に、その次の第2基板W2に対して塗布処理が行われる。塗布処理が終了した基板Wは時間の経過と共に自然乾燥するので、先に塗布処理が終了する第1基板W1の乾燥状態は、後に塗布処理が処理する第2基板W2の乾燥状態と相違し得る。この乾燥状態の差異の程度は例えば、基板上に形成された塗膜の厚さ(膜厚)に依存する。
<3. Transfer robot operation>
As described above, the processing apparatus main body 22 (upstream processing unit) transports the substrates W and sequentially performs coating processing on the substrates W one by one. That is, after the coating process on the first substrate W1 is completed, the coating process is performed on the next second substrate W2. Since the substrate W after the coating process is naturally dried over time, the dry state of the first substrate W1 to which the coating process is first completed may be different from the dry state of the second substrate W2 to be subsequently processed by the coating process. .. The degree of the difference in the dry state depends on, for example, the thickness (film thickness) of the coating film formed on the substrate.
例えば耐エッチング性被膜とすべきフォトレジスト液を塗布液(以下、第1塗布液と呼ぶ)として塗布する場合は、塗膜の膜厚は比較的薄くする。膜厚が薄い場合は、塗膜中に含まれる溶剤量が少なくなる。この結果、乾燥に要する必要乾燥時間は比較的に短くなる。つまり、第1塗布液が乾燥する速度が比較的に速くなる。この場合には、上記自然乾燥時間の差に起因する両基板Wの乾燥状態の差は比較的に大きくなる。よって、第1基板W1および第2基板W2に対して個別の乾燥時間で減圧乾燥処理を行うことが望ましい。 For example, when a photoresist liquid that is to be an etching resistant film is applied as a coating liquid (hereinafter referred to as a first coating liquid), the film thickness of the coating film is made relatively thin. When the film thickness is thin, the amount of solvent contained in the coating film is small. As a result, the required drying time required for drying is relatively short. That is, the drying speed of the first coating liquid is relatively high. In this case, the difference in the dry state of both substrates W due to the difference in the natural drying time becomes relatively large. Therefore, it is desirable to perform the reduced pressure drying process on the first substrate W1 and the second substrate W2 for individual drying times.
一方で、例えば絶縁膜とすべきポリイミド系またはアクリル系の塗布液(以下、第2塗布液と呼ぶ)を塗布する場合は、塗膜の膜厚は比較的厚くする(例えば、フォトレジスト液の膜厚の倍程度の膜厚とする)。膜厚が厚い場合は、塗膜中に含まれる溶剤量が多くなる。この結果、第2塗布液が乾燥する速度が比較的に遅くなる。この場合には、上記自然乾燥時間の差に起因する両基板Wの乾燥状態の差は比較的に小さくなる。 On the other hand, for example, when a polyimide-based or acrylic-based coating liquid (hereinafter referred to as a second coating liquid) to be an insulating film is applied, the film thickness of the coating film is relatively large (for example, a photoresist liquid The film thickness is about twice the film thickness). When the film thickness is large, the amount of solvent contained in the coating film increases. As a result, the speed at which the second coating liquid dries becomes relatively slow. In this case, the difference in the dry state of both substrates W due to the difference in the natural drying time is relatively small.
そこで、搬送ロボット4は、基板Wの乾燥に要する必要乾燥時間に応じて搬送方法を切り替える。具体的には、基板Wの乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、搬送ロボット4は第1基板W1を複数の乾燥部31の一つに搬送し、第2基板W2を複数の乾燥部31の他の1つに搬送する。これにより、第1基板W1および第2基板W2に対してそれぞれ適した乾燥時間で減圧乾燥処理を行うことができる。
Therefore, the
その一方で、必要乾燥時間が第1時間よりも長い第2時間であるときには、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を受け取って一括して複数の乾燥部31の一つに搬送する。これにより、スループットを向上することができる。
On the other hand, when the required drying time is the second time, which is longer than the first time, the
必要乾燥時間は例えば、塗膜の膜厚に依存するので、搬送ロボット4は塗膜の膜厚に応じて搬送方法を切り替える、ともいえる。すなわち、処理装置本体22のノズル224が第1塗布液を基板Wに吐出して比較的薄い塗膜を形成するときには、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2を個別に基板待機部23から取り出す。より具体的には、搬送ロボット4は、第2基板W2の基板待機部23への搬送を待つことなく、第1基板W1のみを基板待機部23から取り出し、その第1基板W1を例えば乾燥部31aへと搬送する。この乾燥部31aは第1基板W1に対して所定の第1乾燥時間に亘って減圧乾燥処理を行う。第2基板W2が基板待機部23に搬送されると、搬送ロボット4は第2基板W2のみを基板待機部23から取り出し、その第2基板W2を、第1基板W1とは別の乾燥部31bへと搬送する。この乾燥部31bは第2基板W2に対して所定の第2乾燥時間に亘って減圧乾燥処理を行う。
Since the required drying time depends, for example, on the film thickness of the coating film, it can be said that the
搬送ロボット4は乾燥部31aによる減圧乾燥処理が終了したときに、第1基板W1を乾燥部31aから取り出して受け渡しユニット5へと搬送し、乾燥部31bによる減圧乾燥処理が終了したときに、第2基板W2を乾燥部31bから取り出して受け渡しユニット5へと搬送する。
The
以上のように、自然乾燥に起因する乾燥状態の差が大きくなることが危惧される第1基板W1および第2基板W2に対しては、同時搬送ではなく個別搬送を行う。この個別搬送においては、次の第2基板W2を待つことなく第1基板W1を取り出すので、各取り出し時点における第1基板W1および第2基板W2の乾燥状態の差は小さい。そして、乾燥部31a,31bは第1基板W1および第2基板W2に対して、互いに略等しい第1乾燥時間および第2乾燥時間で、それぞれ減圧乾燥処理を行う。第1乾燥時間および第2乾燥時間は例えば予め設定され、例えば40秒である。乾燥部31aに搬送される直前の第1基板W1の乾燥状態と、乾燥部31bに搬送される直前の第2基板W2の乾燥状態との差は小さいので、減圧乾燥処理後の第1基板W1および第2基板W2の乾燥状態の差も小さい。
As described above, for the first substrate W1 and the second substrate W2 that are likely to have a large difference in dry state due to natural drying, individual transport is performed instead of simultaneous transport. In this individual transfer, since the first substrate W1 is taken out without waiting for the next second substrate W2, the difference in the dry state between the first substrate W1 and the second substrate W2 at each taking-out point is small. Then, the drying
一方で、処理装置本体22のノズル224が第2塗布液を吐出して比較的厚い塗膜を形成するときには、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して取り出す。搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して乾燥部31(例えば乾燥部31a)へと搬送する。乾燥部31aは第1基板W1および第2基板W2の両方に対して一括して所定の乾燥時間(例えば80秒)で減圧乾燥処理を行う。この乾燥時間も例えば予め設定される。このように、自然乾燥に起因する乾燥状態の差が大きくなることを危惧する必要の無い場合は、搬送ロボット4は第1基板W1および第2基板W2の両方を一括して乾燥部31へと搬送してもよい。
On the other hand, when the
より具体的には、第1基板W1と第2基板W2の待機時間の差、すなわち、自然乾燥状態の差が5秒である場合を想定する。第1塗布液を基板Wに吐出して比較的薄い塗膜を形成する場合、上述のように第1基板W1と第2基板W2に対して、それぞれ40秒間、減圧乾燥処理される。このとき、第1基板W1と第2基板W2とを一括して同時に減圧乾燥する場合は、自然乾燥状態の差が5秒ある2枚の基板を同時に減圧乾燥することとなる。減圧乾燥時間(40秒)に対する自然乾燥の時間差(5秒)が比較的大きいため、減圧乾燥処理後の第1基板W1上の塗膜状態と第2基板W2上の塗膜状態とが異なることが危惧される。そこで、上述のように第1基板W1と第2基板W2の待機時間の差(自然乾燥状態の時間差)が生じないように、第1基板W1と第2基板W2とを1枚ずつ乾燥部31a,31bにそれぞれ搬送して減圧乾燥処理を実行する。 More specifically, it is assumed that the difference between the standby times of the first substrate W1 and the second substrate W2, that is, the difference between the naturally dried states is 5 seconds. When the first coating liquid is discharged onto the substrate W to form a relatively thin coating film, the first substrate W1 and the second substrate W2 are each subjected to reduced pressure drying treatment for 40 seconds as described above. At this time, when the first substrate W1 and the second substrate W2 are simultaneously dried under reduced pressure, two substrates having a difference in natural drying state of 5 seconds are simultaneously dried under reduced pressure. Since the time difference of natural drying (5 seconds) with respect to the reduced pressure drying time (40 seconds) is relatively large, the coating state on the first substrate W1 and the coating state on the second substrate W2 after the reduced pressure drying process are different. Is afraid. Therefore, as described above, the first substrate W1 and the second substrate W2 are dried one by one so that the difference in the waiting time between the first substrate W1 and the second substrate W2 (the time difference in the natural drying state) does not occur. , 31b to carry out the reduced pressure drying process.
また、第1塗布液を基板Wに吐出して比較的厚い塗膜を形成する場合、上述のように第1基板W1と第2基板W2に対して同時に、それぞれ80秒間、減圧乾燥処理される。このように、第1基板W1と第2基板W2とを一括して同時に減圧乾燥しても、減圧乾燥時間(80秒)に対する自然乾燥の時間差(5秒)が比較的小さいため、減圧乾燥処理後の第1基板W1上の塗膜状態と第2基板W2上の塗膜状態とがプロセス上、問題となるほど異なることがない。 When the first coating liquid is discharged onto the substrate W to form a relatively thick coating film, the first substrate W1 and the second substrate W2 are simultaneously subjected to reduced pressure drying treatment for 80 seconds respectively as described above. .. As described above, even if the first substrate W1 and the second substrate W2 are collectively dried under reduced pressure, the time difference (5 seconds) between the natural drying and the reduced pressure drying time (80 seconds) is relatively small. The subsequent state of the coating film on the first substrate W1 and the state of the coating film on the second substrate W2 will not be so different as to cause a problem in the process.
搬送ロボット4は乾燥部31aによる減圧乾燥処理が終了したときに、第1基板W1および第2基板W2の両方を乾燥部31aから一括して取り出して受け渡しユニット5へと搬送する。
When the reduced-pressure drying process by the drying
これによれば、第1基板W1および第2基板W2に対して、一括して乾燥処理を行うことができる。これによれば、スループットを向上することができる。 According to this, it is possible to collectively perform the drying process on the first substrate W1 and the second substrate W2. According to this, the throughput can be improved.
なお塗布装置2(処理装置本体22)が1種類の塗布液を塗布する場合、搬送ロボット4はその塗布液の種類(膜厚)に応じた1種類の搬送方法を採用することになる。本実施の形態にかかる基板処理装置1によれば、搬送ロボット4は搬送方法を切り替えることができるので、塗布装置2として、第1塗布液を塗布する塗布装置を採用してもよく、第2塗布液を塗布する塗布装置を採用してもよい。言い換えれば、第1塗布液を塗布する塗布装置2が必要なシステムにも、第2塗布液を塗布する塗布装置2が必要なシステムにも、基板処理装置1を適用することができる。つまり、基板処理装置1は複数の基板Wの同時処理および複数の基板Wの個別処理の両方に適している。
When the coating device 2 (processing device main body 22) coats one type of coating liquid, the
その一方で、塗布装置2が基板Wに応じて第1塗布液および第2塗布液を選択的に塗布してもよい。この場合、塗布装置2において塗布される塗布液の種類の情報(膜厚情報)は、例えば基板処理装置1の上流側の装置から制御部6へと通知されてもよく、あるいは、作業者によって入力されてもよい。制御部6は塗布液の種類に応じて、搬送ロボット4による搬送方法を上述のように切り替える。
On the other hand, the
図4は、制御部6の搬送方法を切り替える場合の搬送方法の決定動作の一例を示すフローチャートである。図4のフローチャートは、例えば基板Wが基板処理装置1に搬入されるごとに実行されてもよい。まずステップS1にて、制御部6は、基板Wの乾燥に必要な必要乾燥時間T1が基準時間Tref以下であるか否かを判断する。必要乾燥時間T1を示す情報は、基板処理装置1よりも上流側の装置または作業者によって制御部6に入力される。基準時間Trefは例えば予め設定されており、例えば記憶装置64等に記憶される。
FIG. 4 is a flowchart showing an example of an operation of determining a carrying method when the carrying method of the
必要乾燥時間T1が基準時間Tref以下であると判断したときには、ステップS2にて、制御部6は、第1基板W1および第2基板W2を基板待機部23から個別に取り出して、第1基板W1および第2基板W2を互いに異なる乾燥部31に1枚ずつ搬送する搬送方法(個別搬送)を採用する。
When it is determined that the required drying time T1 is equal to or shorter than the reference time Tref, the
一方で、必要基準時間T1が基準時間Trefよりも大きいと判断したときには、ステップS3にて、制御部6は、第1基板W1および第2基板W2を基板待機部23から一括して取り出して、第1基板W1および第2基板W2を一括して一つの乾燥部31に搬送する搬送方法(同時搬送)を採用する。
On the other hand, when it is determined that the required reference time T1 is longer than the reference time Tref, the
<4.待機>
上述の例では、第1基板W1が第1待機部231へと搬送されると、第1上昇機構234は第1基板W1を上昇させる。よって、同時搬送において、第2基板W2は、第1上昇機構234が第1基板W1を上昇させた状態で、基板搬送部223から第2待機部232へと搬送される。言い換えれば、第1基板W1はリフトピン2341によって支持された状態で、第2基板W2、あるいは、搬送ロボット4を待っている。
<4. Wait>
In the above-mentioned example, when the first substrate W1 is transported to the
比較のために、第1基板W1が出口浮上ステージ233の上で待機する場合について考慮する。例えば、出口浮上ステージ233の下流部分における気体の噴出を停止した状態で、第1基板W1を出口浮上ステージ233の上で待機させてもよい。この場合、第1基板W1の下面は出口浮上ステージ233の上面との接触面積は大きい。よって、第1基板W1とその支持体(出口浮上ステージ233)との間で移動する熱量は比較的に大きい。
For comparison, consider the case where the first substrate W1 stands by on the
あるいは、出口浮上ステージ233の気体の噴出を受けつつ、第1基板W1が所定のチャック機構に保持されて待機してもよい。この場合、第1基板W1の下面には気流が生じているので、第1基板W1と気流との間で移動する熱量は比較的に大きい。
Alternatively, the first substrate W1 may be held by a predetermined chuck mechanism and stand by while the gas is ejected from the
これに対して、第1基板W1がリフトピン2341によって支持される場合、第1基板W1とリフトピン2341との接触面積は小さい。これによれば、第1基板W1と支持体(リフトピン2341)との間で移動する熱量は比較的に小さい。また、第1基板W1は、気体が第1基板W1の下面に及ばない位置で、待機することができる。よって、第1基板W1と気体との間で移動する熱量も小さい。したがって、第1基板W1の温度状態(つまり乾燥状態)に対する支持体および気体の影響を小さくすることができる。言い換えれば、同時搬送における第1基板W1と第2基板W2との乾燥状態の差を低減することができる。 On the other hand, when the first substrate W1 is supported by the lift pins 2341, the contact area between the first substrate W1 and the lift pins 2341 is small. According to this, the amount of heat transferred between the first substrate W1 and the support (lift pin 2341) is relatively small. Further, the first substrate W1 can stand by at a position where the gas does not reach the lower surface of the first substrate W1. Therefore, the amount of heat transferred between the first substrate W1 and the gas is also small. Therefore, the influence of the support and the gas on the temperature state (that is, the dry state) of the first substrate W1 can be reduced. In other words, it is possible to reduce the difference in the dry state between the first substrate W1 and the second substrate W2 during simultaneous conveyance.
第2の実施の形態.
第2の実施の形態にかかる基板処理装置1の構成の一例は第1の実施の形態と同様である。ただし、第2の実施の形態にかかる基板処理装置1は塗布装置2に替えて、塗布装置2Aを含んでいる。
Second embodiment.
An example of the configuration of the
図5は、塗布装置2Aおよび搬送ロボット4の構成の一例を示す側面図である。塗布装置2Aは処理装置本体22の構成および基板待機部23の構成を除いて、塗布装置2と同様の構成を有している。塗布装置2Aの処理装置本体22は図3の処理装置本体22と比較して、出口浮上ステージ225をさらに含む。この出口浮上ステージ225は出口浮上ステージ233と同様の構成を有している。
FIG. 5 is a side view showing an example of the configurations of the
基板待機部23は例えばコロコンベアであり、複数の回転軸236A、複数の回転軸236B、複数のコロ237Aおよび複数のコロ237Bを有している。基板待機部23の構成は基板導入部21と同様である。ただし、基板Wは搬送ロボット4によって取り出されるので、基板待機部23は搬送ロボット4のハンド41と干渉しないように構成されている。この基板待機部23において、回転軸236Bおよびコロ237Bは第1待機部231を構成し、回転軸236Aおよびコロ237Aは第2待機部232を構成する。
The
処理装置本体22によって処理された第1基板は、出口浮上ステージ225から第2待機部232を経由して、第1待機部231へと搬送される。第1基板W1はコロ237Bの上で待機する。処理装置本体22によって処理された第2基板W2は、出口浮上ステージ225から第2待機部232へと搬送される。第2基板W2はコロ237Aの上で待機する。
The first substrate processed by the processing apparatus
搬送ロボット4は第1の実施の形態と同様に、第1基板W1および第2基板W2の両方を基板待機部23から一括して取り出すことができ、また、第1基板W1および第2基板W2を個別に取り出すことができる。
Similar to the first embodiment, the
なお第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、第1上昇機構234および第2上昇機構235が設けられていてもよい。
In addition, also in the second embodiment, the
以上、基板搬送装置および基板搬送方法の実施の形態について説明したが、この実施の形態はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。上述した各種の実施の形態および変形例は適宜に組み合わせて実施することができる。 Although the embodiments of the substrate transfer apparatus and the substrate transfer method have been described above, various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present embodiment. The various embodiments and modified examples described above can be implemented in an appropriate combination.
例えば、膜厚の違いに応じて搬送方式を変更するのではなく、塗布液の種類に応じて搬送方式を変更してもよい。例えば揮発性の高い溶剤を含む塗布液の場合は減圧乾燥時間が比較的短くなる。この場合は自然乾燥状態の時間差が減圧乾燥に与える影響が大きくなる。そこで、基板を1枚ずつ減圧乾燥装置に搬送する方式が好ましい。逆に、揮発性の低い溶剤を含む塗布液の場合は減圧乾燥時間が比較的長くなる。この場合は自然乾燥状態の時間差が減圧乾燥に与える影響が小さい。そこで、複数の基板を一括して減圧乾燥装置に搬送する方式を採用してスループットを向上させる方が好ましい。 For example, instead of changing the transfer method depending on the difference in film thickness, the transfer method may be changed according to the type of the coating liquid. For example, in the case of a coating liquid containing a highly volatile solvent, the reduced pressure drying time becomes relatively short. In this case, the influence of the time difference in the naturally dried state on the reduced pressure drying becomes large. Therefore, it is preferable to transport the substrates one by one to the reduced pressure drying device. On the contrary, in the case of a coating liquid containing a solvent having low volatility, the drying time under reduced pressure becomes relatively long. In this case, the influence of the time difference in the naturally dried state on the reduced pressure drying is small. Therefore, it is preferable to improve the throughput by adopting a method in which a plurality of substrates are collectively transported to a reduced pressure drying apparatus.
減圧乾燥するために複数の乾燥部を設けるのではなく、1個の乾燥部としてもよい。塗布装置から搬出される複数の基板の時間間隔が長い場合、1個の乾燥部であっても、先の基板の減圧乾燥処理が完了し、空いているので、基板を1枚ずつ搬入することができる。 Instead of providing a plurality of drying units for drying under reduced pressure, one drying unit may be used. When the time intervals of the plurality of substrates carried out from the coating apparatus are long, even if only one drying unit is used, the vacuum drying process for the preceding substrates is completed and is empty, so the substrates should be carried in one by one. You can
例えば、第1基板W1および第2基板W2の位置および姿勢を調整するための整列機構が基板処理装置1に設けられてもよい。この整列機構は例えば基板待機部23、減圧乾燥装置3および受け渡しユニット5の少なくともいずれか一つに設けられ得る。この整列機構としては、例えば特開2018−160586号公報に開示された間隔調整部および整列部を採用できる。
For example, the
1 基板処理装置
3 下流処理部(減圧乾燥装置)
4 搬送ロボット
22 上流処理部(処理装置本体)
31,31a〜31c 乾燥部
223 搬送部(基板搬送部)
231 第1待機部
232 第2待機部
234 第1上昇機構
235 第2上昇機構
1 Substrate processing device 3 Downstream processing unit (vacuum drying device)
4
31, 31a to
231
Claims (5)
前記上流処理部によって処理された2枚の基板を同時に処理可能である下流処理部と、
前記上流処理部で処理された基板である第1基板を待機させる第1待機部と、
前記上流処理部で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第2待機部と、
前記第1待機部で待機する前記第1基板と前記第2待機部で待機する前記第2基板との両方、前記第1待機部で待機する前記第1基板のみ、および、前記第2待機部で待機する第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能であり、前記搬送対象を前記下流処理部に搬送可能である搬送ロボットと
を備える、基板処理装置。 An upstream processing unit that sequentially processes a plurality of substrates one by one;
A downstream processing unit capable of simultaneously processing two substrates processed by the upstream processing unit;
A first standby unit for waiting a first substrate, which is a substrate processed by the upstream processing unit,
A second standby unit that waits for a second substrate that is a substrate processed by the upstream processing unit and that is a substrate next to the first substrate;
Both the first substrate waiting in the first waiting unit and the second substrate waiting in the second waiting unit, only the first substrate waiting in the first waiting unit, and the second waiting unit A substrate processing apparatus comprising: a transfer robot that can take out only the second substrate that is on standby at the transfer target and that can transfer the transfer target to the downstream processing unit.
前記第1待機部は前記第1基板を上昇させる第1上昇機構を有し、
前記第2待機部は前記第2基板を上昇させる第2上昇機構を有し、
前記第1上昇機構および前記第2上昇機構は互いに独立して駆動される、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The first standby unit has a first raising mechanism that raises the first substrate,
The second standby unit has a second raising mechanism that raises the second substrate,
The substrate processing apparatus, wherein the first raising mechanism and the second raising mechanism are driven independently of each other.
前記上流処理部は、搬送方向に沿って前記複数の基板を1枚ずつ順次に搬送する搬送部を有し、
前記第1待機部は、前記搬送方向において前記搬送部の下流側に位置し、
前記第2待機部は、前記搬送方向において前記搬送部と前記第1待機部との間に位置しており、前記搬送部からの前記第1基板を前記第1待機部へと搬送する機能も有し、
前記第1基板が前記第2待機部から前記第1待機部へ搬送されると、前記第1上昇機構が前記第1基板を上昇させ、
前記第2基板は、第1上昇機構が前記第1基板を上昇させた状態で、前記搬送部から前記第2待機部へと搬送される、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein
The upstream processing unit has a transfer unit that sequentially transfers the plurality of substrates one by one along a transfer direction,
The first standby unit is located on the downstream side of the transport unit in the transport direction,
The second standby unit is located between the transport unit and the first standby unit in the transport direction, and also has a function of transporting the first substrate from the transport unit to the first standby unit. Have,
When the first substrate is transported from the second standby unit to the first standby unit, the first raising mechanism raises the first substrate,
The substrate processing apparatus, wherein the second substrate is transported from the transport unit to the second standby unit in a state where the first lifting mechanism lifts the first substrate.
前記下流処理部は、乾燥処理を行う複数の乾燥部を有し、
前記搬送ロボットは、
前記第1基板および前記第2基板の各々の乾燥に要する必要乾燥時間が第1時間であるときには、前記第1基板を前記複数の乾燥部の一つに搬送し、前記第2基板を前記複数の乾燥部の他の1つに搬送し、
前記必要乾燥時間が、前記第1時間よりも長い第2時間であるときには、前記第1基板および前記第2基板の両方を受け取って一括して前記複数の乾燥部の一つに搬送する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
The downstream processing unit has a plurality of drying units for performing a drying process,
The transfer robot is
When the required drying time required for drying each of the first substrate and the second substrate is the first time, the first substrate is transported to one of the plurality of drying units, and the second substrate is transported to the plurality of drying units. Transport to another one of the drying section of
When the required drying time is a second time that is longer than the first time, both the first substrate and the second substrate are received and collectively transported to one of the plurality of drying units. Processing equipment.
前記第1工程で処理された基板である第1基板を待機させる第2工程と、
前記第1工程で処理された基板であって、前記第1基板の次の基板である第2基板を待機させる第3工程と、
前記第1基板と前記第2基板との両方、前記第1基板のみ、および、第2基板のみのいずれも搬送対象として取り出し可能な搬送ロボットによって前記搬送対象を取り出す第4工程と、
2枚の基板を同時に処理可能な下流処理部へと、前記搬送ロボットによって前記搬送対象を搬送する第5工程と
を備える、基板処理方法。 A first step of sequentially processing a plurality of substrates one by one,
A second step of waiting the first substrate, which is the substrate processed in the first step,
A third step of waiting a second substrate, which is the substrate processed in the first step and is the next substrate of the first substrate,
A fourth step of taking out the transfer target by a transfer robot capable of taking out both of the first substrate and the second substrate, only the first substrate, and only the second substrate,
A substrate processing method, comprising: a downstream processing unit capable of simultaneously processing two substrates; and a fifth step of transporting the transport target by the transport robot.
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