JP2020088177A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスク層がデバイスを覆っているか否かを簡易的に検出できるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、デバイスを覆い分割予定ラインの領域を露出させる所定の色の樹脂膜からなるマスク層をウエーハの表面に被覆させるマスク層被覆ステップＳＴ２と、マスク層被覆ステップＳＴ２を実施した後、ウエーハの表面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該マスク層から露出した分割予定ラインをエッチングするプラズマ加工ステップＳＴ３と、を備え、プラズマ加工ステップＳＴ３の後に、ウエーハの表面のマスク層の有無をウエーハの表面に所定の色が検出されるか否かに基づいて判定するマスク層検出ステップＳＴ４を更に備える。【選択図】図２

Description

本発明は、ウエーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。

一般に、半導体デバイスが形成されるシリコンやガリウムヒ素、ＳｉＣ、サファイアなどからなるウエーハを個々のデバイスチップに分割するために、切削ブレードによるダイシングやレーザー光線によるレーザー加工が用いられる。切削ブレードは破砕加工のため、チップのエッジに欠けが発生してチップの抗折強度に限界（上限）が発生する。また、ウエーハ内部にレーザー光線で形成した改質層を破断起点としてデバイスチップに分割した場合でも、僅かながらもチップの側面に亀裂が発生するため、チップの抗折強度に限界（上限）が発生する。

とくに、半導体デバイスチップは技術革新にともない年々小さく薄く加工される。そのため、チップのエッジの欠けや側面の亀裂に起因する抗折強度低下の影響は大きい。そこで、プラズマ加工によってウエーハをダイシング（プラズマダイシング）する技術が開発されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。

特許第４４４７３２５号公報 特許第６１８８５８９号公報

この種の技術では、ウエーハをプラズマ加工する際に、デバイスがエッチングされることを防ぐため、デバイスの表面をマスクで覆う必要がある。しかし、マスクもプラズマ加工により低いレートながらも除去されるため、プラズマ加工中にマスクが無くなってしまいデバイスが損傷する恐れがある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、マスク層がデバイスを覆っているか否かを簡易的に検出できるウエーハの加工方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、該デバイスを覆い該分割予定ラインの領域を露出させる所定の色のマスク層をウエーハの表面に被覆させるマスク層被覆ステップと、該マスク層被覆ステップを実施した後、該ウエーハの表面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該マスク層から露出した該分割予定ラインをエッチングするプラズマ加工ステップと、を備え、該プラズマ加工ステップの前又は後に、該ウエーハの表面の該マスク層の有無を該ウエーハ表面に該所定の色が検出されるか否かに基づいて判定するマスク層検出ステップを更に備えるものである。

この構成において、該マスク層被覆ステップでは、異なる色を有するマスク層を２層以上積層し、該マスク層検出ステップでは、検出した色から該ウエーハの表面にある該マスク層の層数を推定し、該層数が予め設定した数未満で有る場合は、以降の工程の継続を中止してもよい。

本発明によれば、ウエーハ表面に少なくとも該表面と異なる所定の色のマスク層を設けることにより、所定の色の検出の有無に基づいてマスク層がデバイスを覆っているか否かを簡易的に検出することができる。このため、誤ってデバイスをエッチングして損傷させる事態を防止できるという効果を奏する。また、所定の色を検出することにより、プラズマ加工で必要なマスク層の厚さなどのマスク層の被覆条件を選定する際の目安として用いることができる。

図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハの一例を示す斜視図である。 図２は、ウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。 図３は、フレーム支持ステップを示す斜視図である。 図４は、樹脂被覆ステップを示す側断面図である。 図５は、レーザー加工ステップを示す側断面図である。 図６は、レーザー加工ステップ後のウエーハを模式的に示す斜視図である。 図７は、レーザー加工ステップ後のウエーハの要部の断面図である。 図８は、プラズマ加工ステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。 図９は、プラズマ加工ステップ後のウエーハの要部の断面図である。 図１０は、マスク層検出ステップを示す側断面図である。 図１１は、マスク層除去ステップを示す側断面図である。 図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の樹脂膜被覆ステップを示す側断面図である。 図１３は、レーザー加工ステップ後のウエーハの要部の断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

［実施形態１］
実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハの一例を示す斜視図である。図２は、ウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。

実施形態１では、ウエーハ１は、シリコン、サファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ１は、図１に示すように、基板２の表面３に格子状に設けられた分割予定ライン６を備え、これら分割予定ライン６によって区画された複数の領域には、それぞれＩＣ、ＬＳＩ等を含むデバイス５が形成されている。デバイス５を構成する回路は、例えば、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）により構成された機能層に支持されている。また、デバイス５が形成された表面３と反対側に位置する基板２の面を裏面４とする。

実施形態１に係るウエーハの加工方法は、ウエーハ１を分割予定ライン６に沿って個々のデバイス５に分割する方法である。ウエーハの加工方法は、図２に示すように、フレーム支持ステップＳＴ１と、マスク層被覆ステップＳＴ２と、プラズマ加工ステップＳＴ３と、マスク層検出ステップＳＴ４と、マスク層除去ステップＳＴ５とを備える。

（フレーム支持ステップ）
図３は、フレーム支持ステップを示す斜視図である。フレーム支持ステップＳＴ１は、上記したウエーハ１を、粘着テープ２００を介して環状フレーム２０１に支持させるステップである。実施形態１では、図３に示すように、環状フレーム２０１はウエーハ１よりも大径な開口２０１Ａを有し、この開口２０１Ａを覆うように粘着テープ２００の外周部２００Ａを環状フレーム２０１の下面に貼着（装着）する。そして、環状フレーム２０１の開口２０１Ａに露出する粘着テープ２００にウエーハ１の裏面４側を貼着する。このフレーム支持ステップＳＴ１では、ウエーハ１は基板２の表面３（デバイス５）側が露出して環状フレーム２０１に粘着テープ２００を介して支持される。

（マスク層被覆ステップ）
マスク層被覆ステップＳＴ２は、デバイス５を覆うとともに分割予定ライン６の領域を露出させるマスク層１０をウエーハ１の表面３に被覆するステップである。本実施形態では、マスク層被覆ステップＳＴ２は、基板２の表面３全体に樹脂膜１１を被覆するステップ（樹脂膜被覆ステップという）と、分割予定ライン６に沿ってレーザー光線を照射することで分割予定ライン６の領域の樹脂膜１１を除去してマスク層１０を形成するステップ（レーザー加工ステップという）との二段階で実施される。図４は、樹脂膜被覆ステップを示す側断面図である。図５は、レーザー加工ステップを示す側断面図である。図６は、マスク層被覆ステップ後のウエーハを模式的に示す斜視図である。図７は、マスク層被覆ステップ後のウエーハの要部の断面図である。

樹脂膜被覆ステップは、レーザー加工ステップを実施する前に、ウエーハ１の表面３にプラズマエッチングに対して耐性を有する樹脂膜１１を被覆するステップである。樹脂膜被覆ステップは、図４に示すように、粘着テープ２００を介してウエーハ１の裏面４側をスピンコータ２０のスピンナーテーブル２１に吸引保持し、環状フレーム２０１をクランパ２２によりクランプする。この状態で、スピンナーテーブル２１を軸心回りに回転させつつ塗布ノズル２３から液状樹脂２４をウエーハ１の表面３（デバイス５）に滴下する。この際、塗布ノズル２３はウエーハ１の直径方向に往復移動する。滴下された液状樹脂２４は、スピンナーテーブル２１の回転により発生する遠心力によって、ウエーハ１の表面３上を中心側から外周側に向けて流れていき、ウエーハ１の表面３の全面に塗布されてデバイス５を覆う。

液状樹脂２４は、例えば、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等のプラズマエッチングに対して耐性を有しかつ水溶性の液状樹脂が用いられる。この種の液状樹脂は、一般に無色透明であるため、ウエーハ１の表面３に塗布した場合であっても、表面３の全面に一様に塗付されているか否かを判定することが難しい。このため、実施形態１では、液状樹脂２４には、水溶性の顔料（炭素、色素、インクなどを含む）が混入されて所定の色（例えば、白色）に着色されている。この所定の色は、少なくともウエーハ１の基板２（デバイス５を含む）の色と異なる色が選択され、基板２上に液状樹脂２４が塗布されているか否かを色彩の差異で判定できるようになっている。

ウエーハ１の表面３に液状樹脂２４を塗布した後、この液状樹脂２４を硬化させることにより、ウエーハ１の表面３全体に液状樹脂２４が硬化した樹脂膜１１を被覆することができる。樹脂膜１１は、硬化した後も着色された色味を保持する。また、液状樹脂２４（樹脂膜１１）は、塗布量（厚み）によって色の濃淡が変化し、例えば塗布量が増加するに従って色が濃くなるようになっている。この構成では、予め樹脂膜１１の色の濃度と樹脂膜１１の厚みとを複数登録しておき、検出された濃度から樹脂膜１１の厚みを推測することができる。

レーザー加工ステップは、表面３の全面に樹脂膜１１が形成されたウエーハ１に表面３側からレーザー光線を分割予定ライン６に沿って照射することで分割予定ライン６に沿った領域の樹脂膜１１を除去するステップである。レーザー加工ステップでは、図５に示すように、粘着テープ２００を介して、ウエーハ１の裏面４側をレーザー加工装置３０のチャックテーブル３１に吸引保持し、環状フレーム２０１をクランパ３２によりクランプする。この状態で、レーザー加工装置３０の図示しない赤外線カメラにより樹脂膜１１を介してウエーハ１を撮像して、分割予定ライン６の位置を割り出した後、レーザー光線照射手段３３とチャックテーブル３１とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射手段３３からレーザー光線３３Ａを分割予定ライン６に沿って照射する（アブレーション加工）。

レーザー加工ステップは、例えば下記の加工条件でアブレーション加工を実施する。レーザー光線３３Ａの波長は、ウエーハ１と液状樹脂２４（樹脂膜１１）とに対して吸収性を有する波長が採用される。この加工条件は、一例であり、これに限るものではない。
[加工条件]
レーザー光線 ：ＹＡＧ／ＹＶＯ４
波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：２Ｗ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
照射スポット径 ：φ３０μｍ
チャックテーブルの送り速度：１００ｍｍ／ｓ

このような加工条件に基づき、アブレーション加工を実施すると、図６に示すように、分割予定ライン６に相当する領域の樹脂膜１１が除去されて加工溝（分割溝）１２が形成される。これにより、ウエーハ１の表面３にはプラズマエッチング用のマスク層１０が形成される。加工溝１２は、図７に示すように、樹脂膜１１及び基板２の表面３の表層部分（例えば低誘電率絶縁体被膜などの機能層）を除去して該基板２の表面３を露出させている。

（プラズマ加工ステップ）
図８は、プラズマ加工ステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図９は、プラズマ加工ステップ後のウエーハの要部の断面図である。プラズマ加工ステップＳＴ３は、図８に示すエッチング装置４０のチャックテーブル４４で粘着テープ２００側を保持したウエーハ１を表面３側からプラズマエッチングして、加工溝１２をウエーハ１の基板２の裏面４に向かって進行させ、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するステップである。

プラズマ加工ステップＳＴ３は、図８に示すエッチング装置４０のシャッター４１を下降させて開口部４２を開口させた状態で、開口部４２から環状フレーム２０１に支持されたウエーハ１をチャンバ４３の内部に進入し、表面３が図８中の上を向いて露出した状態でチャックテーブル４４に静電吸着される。この状態で、シャッター４１により開口部４２を閉め、ガス排出部４５の作動によりチャンバ４３の内部を減圧排気する。

次に、エッチングガス供給手段４６を下降させ、ガス供給部４７からガス流通孔４８にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス供給手段４６の下面の噴出部４９からエッチングガスを噴出させる。そして、高周波電源５０からエッチングガス供給手段４６とチャックテーブル４４との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。また、ウエーハ１にバイアス電圧を印加して、プラズマ中のイオンをウエーハ１の表面３に引き込んで加工溝１２の溝底をエッチングする。これにより、図９に示すように、加工溝１２の溝底が表面３から裏面４に向けてウエーハ１厚み分だけエッチングされて該加工溝１２が粘着テープ２００に到達する。ウエーハ１は加工溝１２により個々のデバイス５に分割される。

実施形態１では、エッチングガスとして、六フッ化硫黄（ＳＦ６）または四フッ化炭素（ＣＦ４）のフッ素系安定ガスが用いられる。ただし、これ以外にも、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、テトラフルオロエチレン（Ｃ２Ｆ４）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）等のうち少なくとも一つのフッ素系安定ガスを用いてもよい。また、エッチング装置として、チャンバの外でエッチングガスをプラズマ化し、このプラズマ化したエッチングガスをチャンバ内に供給する、いわゆるリモートプラズマ方式のエッチング装置を用いてもよい。

（マスク層検出ステップ）
図１０は、マスク層検出ステップを示す側断面図である。マスク層検出ステップＳＴ４は、ウエーハ１の表面３に上記した所定の色が検出されるか否かに基づき、ウエーハ１の表面３のマスク層１０の有無を判定するステップである。マスク層検出ステップＳＴ４は、図１０に示すように、粘着テープ２００を介してウエーハ１の裏面４側を検査テーブル５２の上に載置し、ウエーハ１の表面３側のマスク層１０を検査用のカメラ５１で撮像する。このカメラは、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの撮像素子を備えている。撮像対象領域は、ウエーハ１の表面３の全面（デバイス５）を網羅する領域でもよいし、所定位置の複数のデバイス５を含む領域であってもよい。

撮像画像において、例えば、一のデバイス５の領域すべてに所定の色が検出された場合は、該デバイス５はマスク層１０で覆われていると判定される。一方、上記した一のデバイス５の領域の少なくとも一部に所定の色と異なる色（デバイス５の色）が検出された場合は、デバイス５の一部がマスク層１０で被覆されていないと判定される。具体的には、一のデバイス５の領域の撮像画像（各画素）のＲＧＢ値を取得し、このＲＧＢ値がすべて所定の色の範囲内であればマスク層１０で被覆され、所定の色の範囲を超えているものがあれば、少なくとも一部がマスク層１０で被覆されていないと判定される。この構成では、所定の色が検出されるか否かでマスク層１０の有無を簡易的に判定できるため、プラズマ加工中にデバイス５がマスク層１０によって保護されていたか否かを検出でき、誤ってエッチング（損傷）されたデバイスが製品化されるのを防止できる。

また、所定の色を単に検出するだけでなく、厚みが増えるに従って色が濃くなるマスク層１０を用いた場合には、撮像画像と記憶装置（不図示）に予め登録してある登録画像との色（ＲＧＢ値）を比較し、最も近い色の登録画像から該撮像画像に対応するマスク層１０の厚みを推定してもよい。この構成では、マスク層１０の有無だけでなく、マスク層１０の厚みを検出できるため、プラズマ加工ステップＳＴ３で必要なマスク層１０の被覆条件を選定する際の目安として用いることができる。

本実施形態では、所定の色の検出をカメラ５１で撮像した撮像画像に基づいて行っているが、マスク層１０を照射した際の反射光を受光する光センサ（不図示）を用いて、反射光の反射率特性に基づいて、マスク層の色または明暗を検出する構成としてもよい。

マスク層検出ステップＳＴ４において、撮像されたデバイス５がすべてマスク層１０で覆われていると判定されると、マスク層除去ステップＳＴ５に移行し、撮像されたデバイス５の少なくとも一部がマスク層１０で被覆されていない判定された場合には、これ以降の作業工程の継続を中止する。これにより、誤ってエッチングされたおそれのあるデバイス５が含まれるウエーハ１の加工が中止されるため、この種のデバイスが製品化されることを確実に防止できる。

（マスク層除去ステップ）
図１１は、マスク層除去ステップを示す側断面図である。マスク層除去ステップＳＴ５は、マスク層１０を洗浄して除去するステップである。マスク層除去ステップＳＴ５は、粘着テープ２００を介してウエーハ１（各デバイス５）の裏面を図１１に示す洗浄装置６０のスピンナーテーブル６１に吸引保持し、環状フレーム２０１をクランパ６２によりクランプする。この状態で、スピンナーテーブル６１を軸心回りに回転させつつ洗浄ノズル６３から洗浄水６４をウエーハ１の表面３のマスク層１０に向けて供給する。この際、洗浄ノズル６３はウエーハ１の直径方向に往復移動する。供給された洗浄水６４は、スピンナーテーブル６１の回転により発生する遠心力によって、各デバイス５の表面上を中心側から外周側に向けて流れていき、各デバイス５の表面を覆ったマスク層１０（着色に用いた顔料を含む）を溶解し、表面が露出した状態のデバイス５（チップ）が残存する。なお、洗浄水６４としては、例えば純水を用いることができる。最後に、残存したデバイス５（チップ）をピックアップして終了する。

［実施形態２］
実施形態２では、上記したマスク層被覆ステップＳＴ２の前段である樹脂膜被覆ステップが実施形態１と異なっている。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の樹脂膜被覆ステップを示す側断面図である。図１３は、レーザー加工ステップ後のウエーハの要部の断面図である。実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態２では、樹脂膜被覆ステップは、色の異なる複数（２つ）の液状樹脂をウエーハ１の表面３の全面に重ねて塗付し、積層された樹脂膜を形成する。具体的には、上記した液状樹脂に所定の第一の色（例えば白色）と、第一の色と異なる所定の第二の色（例えば灰色）の水溶性の顔料（炭素、色素、インクなどを含む）が混入され、第一の色に着色された第一の液状樹脂と、第二の色に着色された第二の液状樹脂とが用意されている。これら所定の第一の色および第二の色は、相互に異なるとともにウエーハ１の基板２（デバイス５を含む）の色と異なる色が選択される。

図１２に示すように、粘着テープ２００を介してウエーハ１の裏面４側をスピンナーテーブル２１に保持する。この状態で、スピンナーテーブル２１を軸心回りに回転させつつ塗布ノズル２３から第一の液状樹脂をウエーハ１の表面３（デバイス５）に滴下する。滴下された第一の液状樹脂は、スピンナーテーブル２１の回転により発生する遠心力によって、ウエーハ１の表面３上を中心側から外周側に向けて流れていき、ウエーハ１の表面３の全面に塗布されてデバイス５を覆う。第一の液状樹脂を硬化させることにより、ウエーハ１の表面３全体に第一の液状樹脂が硬化した第一の樹脂膜１１Ａを被覆することができる。

次に、スピンナーテーブル２１を軸心回りに回転させつつ塗布ノズル２３から第二の液状樹脂２４Ｂを第一の樹脂膜１１Ａの表面上に滴下する。滴下された第二の液状樹脂２４Ｂは、スピンナーテーブル２１の回転により発生する遠心力によって、第一の樹脂膜１１Ａの表面上をウエーハ１の中心側から外周側に向けて流れていき、第一の樹脂膜１１Ａの表面全面に塗布される。そして、第二の液状樹脂２４Ｂを硬化させることにより、ウエーハ１の表面３全体に第一の樹脂膜１１Ａと第二の樹脂膜１１Ｂとを積層することができる。第一の樹脂膜１１Ａおよび第二の樹脂膜１１Ｂは、硬化した後も着色された第一の色および第二の色の色味を保持し、第１の色と第２の色とが混合して変色することはない。

実施形態１と同様な加工条件でレーザー加工ステップを実施すると、図１３に示すように、分割予定ライン６に相当する領域の第一の樹脂膜１１Ａ及び第二の樹脂膜１１Ｂが除去されて加工溝（分割溝）１２が形成される。これにより、ウエーハ１の表面３には二層に積層されたプラズマエッチング用のマスク層１０Ａが形成される。なお、本実施形態では、第一の樹脂膜１１Ａ及び第二の樹脂膜１１Ｂからなるマスク層１０Ａを形成しているが、各樹脂膜の色が異なれば三層以上積層してもよい。

マスク層検出ステップＳＴ４では、実施形態１と同様に、撮像画像に基づいて、例えば、一のデバイス５の領域にあるマスク層１０Ａの色を検出する。そして、この検出された色からウエーハ１の表面３にあるマスク層１０Ａの層数を推定する。具体的には、第二の色が検出された場合には、一のデバイス５の領域のマスク層１０Ａは第一の樹脂膜１１Ａ及び第二の樹脂膜１１Ｂの二層が積層されていると推定される。一方、第一の色が検出された場合には、一のデバイス５の領域のマスク層１０Ａは、第一の樹脂膜１１Ａのみの一層であると推定される。

そして、推定された層数が予め設定した数未満である場合は、デバイス５が十分に保護されていない可能性があるため、これ以降の作業工程の継続を中止する。これにより、誤ってエッチングされたおそれのあるデバイス５が含まれるウエーハ１の加工が中止されるため、この種のデバイスが製品化されることを確実に防止できる。この実施形態２では、マスク層１０Ａを色の異なる複数の樹脂膜を積層して形成するため、最上層の樹脂膜の色が検出されるか否かでマスク層１０Ａの厚みを簡易的に判定できる。すなわち、第二の色が検出された場合には、マスク層１０Ａは少なくとも第一の樹脂膜１１Ａ及び第二の樹脂膜１１Ｂの二層が積層されていると推定されるため、マスク層１０Ａの厚みがデバイス５を保護するために十分な厚みであると簡易的に判定できる。この構成によっても、マスク層１０Ａの厚みをプラズマ加工ステップＳＴ３で必要なマスク層１０Ａの被覆条件を選定する際の目安として用いることができる。

これに対して、最下層の樹脂膜の色（第一の色）が検出されている場合には、マスク層１０Ａの厚みは、デバイス５を保護するために十分な厚みではないと簡易的に判定できる。このため、作業工程の継続を中止した後、緊急状態としてプラズマ加工条件や樹脂膜の塗布条件が適切か否かを確認することができる。

本実施形態に係るウエーハの加工方法は、格子状の分割予定ライン６によって区画された複数の領域にデバイス５が形成されたウエーハ１の加工方法であって、デバイス５を覆い分割予定ライン６の領域を露出させる所定の色の樹脂膜１１からなるマスク層１０をウエーハ１の表面３に被覆させるマスク層被覆ステップＳＴ２と、マスク層被覆ステップＳＴ２を実施した後、ウエーハ１の表面３側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該マスク層１０から露出した分割予定ライン６をエッチングするプラズマ加工ステップＳＴ３と、を備え、プラズマ加工ステップの後に、該ウエーハ１の表面３のマスク層１０の有無をウエーハ１の表面３に所定の色が検出されるか否かに基づいて判定するマスク層検出ステップＳＴ４を更に備えるため、ウエーハ１と異なる所定の色の液状樹脂２４からなるマスク層１０を用いることで、所定の色の検出の有無に基づいてマスク層１０がプラズマ加工ステップＳＴ３中にデバイス５を覆っているか否かを簡易的に検出することができる。このため、プラズマ加工ステップＳＴ３において、誤ってデバイス５をエッチングして損傷させる事態を防止できるという効果を奏する。また、所定の色を検出することにより、プラズマ加工ステップＳＴ３で必要なマスク層１０の厚さなどのマスク層１０の被覆条件を選定する際の目安として用いることができる。

また、本実施形態によれば、マスク層被覆ステップＳＴ２では、異なる色を有する液状樹脂からなるマスク層１０Ａを２層以上積層し、マスク層検出ステップＳＴ４では、検出した色からウエーハ１の表面３側にある該マスク層１０Ａの層数を推定し、該層数が予め設定した数未満で有る場合は、以降の工程の継続を中止するため、誤ってデバイス５をエッチングして損傷させる事態を防止できるという効果を奏する。

また、本実施形態によれば、プラズマ加工ステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス５の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウエーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたデバイス５の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス５を製造できる、という効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では、マスク層検出ステップＳＴ４は、プラズマ加工ステップＳＴ３の後に実施しているが、プラズマ加工ステップＳＴ３の前に実施してもよい。プラズマ加工ステップＳＴ３の前にマスク層検出ステップＳＴ４を実施する場合には、プラズマ加工のエッチングによってマスク層１０、１０Ａの厚みが減少することを考慮する。そして、この減少分を予め加味したマスク層１０、１０Ａの最小限の厚みを規定しておき、マスク層検出ステップＳＴ４において、この最小限の厚み以上残っているか否かを判定すればよい。

１ ウエーハ
３ 表面
４ 裏面
５ デバイス
６ 分割予定ライン
１０、１０Ａ マスク層
１１ 樹脂膜
１１Ａ 第一の樹脂膜
１１Ｂ 第二の樹脂膜
１２ 加工溝
２４ 液状樹脂
３０ レーザー加工装置
４０ エッチング装置
５１ カメラ
６０ 洗浄装置
２００ 粘着テープ
２０１ 環状フレーム

Claims (2)

1. 格子状の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
   該デバイスを覆い該分割予定ラインの領域を露出させる所定の色のマスク層をウエーハの表面に被覆させるマスク層被覆ステップと、
   該マスク層被覆ステップを実施した後、該ウエーハの表面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該マスク層から露出した該分割予定ラインをエッチングするプラズマ加工ステップと、を備え、
   該プラズマ加工ステップの前又は後に、該ウエーハの表面の該マスク層の有無を該ウエーハ表面に該所定の色が検出されるか否かに基づいて判定するマスク層検出ステップを更に備えるウエーハの加工方法。
2. 該マスク層被覆ステップでは、異なる色を有するマスク層を２層以上積層し、該マスク層検出ステップでは、検出した色から該ウエーハの表面にある該マスク層の層数を推定し、該層数が予め設定した数未満で有る場合は、以降の工程の継続を中止する請求項１に記載のウエーハの加工方法。

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