JP2020068350A - Holding device - Google Patents

Holding device Download PDF

Info

Publication number
JP2020068350A
JP2020068350A JP2018201766A JP2018201766A JP2020068350A JP 2020068350 A JP2020068350 A JP 2020068350A JP 2018201766 A JP2018201766 A JP 2018201766A JP 2018201766 A JP2018201766 A JP 2018201766A JP 2020068350 A JP2020068350 A JP 2020068350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
ceramic member
segments
heater
holding device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018201766A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7198629B2 (en
Inventor
要 三輪
Kaname Miwa
要 三輪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2018201766A priority Critical patent/JP7198629B2/en
Publication of JP2020068350A publication Critical patent/JP2020068350A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7198629B2 publication Critical patent/JP7198629B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

To improve controllability of a temperature distribution of an object held on a front face of a ceramic member.SOLUTION: A holding device comprises: a plate-like ceramic member having a first front face almost orthogonal to a first direction; and a chuck electrode arranged inside of the ceramic member. A wall-like convex part is formed on the front face of the ceramic member along each border of a plurality of segments for gas set in the ceramic member. The plurality of segments for gas virtually divide at least part of the ceramic member in a first direction view with a plurality of concentric circular division lines around a center of a center point of the first front face, and further set each annular part for gas to a plurality of parts arranged in a peripheral direction. A gas jet passage individually opened to the first front face corresponded to each of the plurality of segments for gas is formed inside of the ceramic member.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。   The technique disclosed in the present specification relates to a holding device that holds an object.

例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、板状のセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極とを備えている。静電チャックは、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の表面（以下、「吸着面」という。）にウェハを吸着して保持する。   For example, an electrostatic chuck is used as a holding device that holds a wafer when manufacturing a semiconductor. The electrostatic chuck includes a plate-shaped ceramic member and a chuck electrode arranged inside the ceramic member. The electrostatic chuck uses an electrostatic attractive force generated by applying a voltage to a chuck electrode to attract and hold a wafer on the surface of a ceramic member (hereinafter referred to as “adsorption surface”).

静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、静電チャックの使用時には、例えば、セラミックス部材に配置されたヒータ電極による加熱によって、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が行われる。   If the temperature of the wafer held on the adsorption surface of the electrostatic chuck does not reach the desired temperature, the accuracy of each process (deposition, etching, etc.) on the wafer may decrease. The ability to control the distribution is required. Therefore, when the electrostatic chuck is used, for example, the temperature distribution of the suction surface of the ceramic member can be controlled (and thus the temperature distribution of the wafer held on the suction surface) by heating with the heater electrode arranged on the ceramic member. Done.

また、セラミックス部材の吸着面とウェハとの間の伝熱性を高めてウェハの温度分布の制御性をさらに高めるため、セラミックス部材の吸着面とウェハとの間の空間にヘリウムガス等の不活性ガスを供給する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この技術では、セラミックス部材の内部に、吸着面に開口するガス噴出流路が形成され、また、セラミックス部材の吸着面における外縁付近に、連続的な壁状の凸部（以下、「壁状凸部」という。）が形成される。壁状凸部は、シールバンドとも呼ばれる。ウェハは、セラミックス部材の吸着面における壁状凸部に支持される。この状態では、セラミックス部材の吸着面とウェハの表面との間に、空間が存在する。セラミックス部材の内部に形成されたガス噴出流路に供給された不活性ガスは、ガス噴出流路がセラミックス部材の吸着面に開口する孔であるガス噴出孔から噴出し、セラミックス部材の吸着面とウェハとの間の上記空間に供給される。これにより、セラミックス部材の吸着面とウェハとの間の伝熱性を高めることができる。   Further, in order to enhance the heat transfer between the adsorption surface of the ceramic member and the wafer to further enhance the controllability of the temperature distribution of the wafer, an inert gas such as helium gas is provided in the space between the adsorption surface of the ceramic member and the wafer. There is known a technique for supplying (see Patent Document 1, for example). In this technique, a gas ejection passage opening to the adsorption surface is formed inside the ceramic member, and a continuous wall-shaped convex portion (hereinafter referred to as “wall-shaped convex portion” is formed near the outer edge of the adsorption surface of the ceramic member. ".") Is formed. The wall-shaped convex portion is also called a seal band. The wafer is supported by the wall-shaped protrusions on the suction surface of the ceramic member. In this state, a space exists between the suction surface of the ceramic member and the surface of the wafer. The inert gas supplied to the gas ejection passage formed inside the ceramic member is ejected from the gas ejection hole, which is a hole opened in the adsorption surface of the ceramic member, and the inert gas is supplied to the adsorption surface of the ceramic member. It is supplied to the space between the wafer and the wafer. As a result, heat transfer between the suction surface of the ceramic member and the wafer can be enhanced.

特開２０１２−２８５３９号公報JP, 2012-28539, A

従来の静電チャックの構成では、セラミックス部材の吸着面とウェハとの間の空間から、壁状凸部の一部の箇所を介して不活性ガスが漏洩した場合に、該空間内の各位置における不活性ガスの濃度のばらつきが発生し、その結果、セラミックス部材の吸着面の各位置におけるウェハとの間の伝熱性のばらつきが発生して、ウェハの温度分布の制御性が低下するおそれがある。さらに、従来の静電チャックの構成では、セラミックス部材の吸着面とウェハとの間の空間内の各位置における不活性ガスの濃度（すなわち、セラミックス部材の吸着面とウェハとの間の伝熱性）を個別に制御することができず、ウェハの温度分布の制御性の点でさらなる向上の余地がある。   In the configuration of the conventional electrostatic chuck, when the inert gas leaks from the space between the attracting surface of the ceramic member and the wafer through a part of the wall-shaped convex portion, each position in the space The concentration of the inert gas in the wafer may fluctuate, and as a result, the heat transfer between the wafer at each position on the suction surface of the ceramic member may fluctuate, and the controllability of the temperature distribution of the wafer may deteriorate. is there. Further, in the configuration of the conventional electrostatic chuck, the concentration of the inert gas at each position in the space between the suction surface of the ceramic member and the wafer (that is, the heat transfer property between the suction surface of the ceramic member and the wafer). Cannot be controlled individually, and there is room for further improvement in terms of controllability of the temperature distribution of the wafer.

なお、このような課題は、静電チャックに限らず、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。   It should be noted that such a problem is not limited to the electrostatic chuck, but is a problem common to general holding devices that hold an object on the surface of the ceramic member.

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。   This specification discloses a technique capable of solving the above-mentioned problems.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。   The technology disclosed in the present specification can be implemented, for example, in the following modes.

（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略直交する略円形の第１の表面を有する板状のセラミックス部材と、前記セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記セラミックス部材の少なくとも一部を、前記第１の方向視で、前記第１の表面の中心点を中心とする同心円状の複数の分割線によって複数のガス用環状部分に仮想的に分割し、さらに、各前記ガス用環状部分を周方向に並ぶ複数の部分に仮想的に分割することにより設定される複数のガス用セグメントのそれぞれの境界に沿って、壁状凸部が前記セラミックス部材の前記第１の表面に形成されており、前記複数のガス用セグメントのそれぞれに対応する前記第１の表面に個別に開口するガス噴出流路が、前記セラミックス部材の内部に形成されている。 (1) A holding device disclosed in the present specification includes a plate-shaped ceramic member having a substantially circular first surface substantially orthogonal to the first direction, and a chuck electrode arranged inside the ceramic member. And a holding device for holding an object on the first surface of the ceramic member, wherein at least a part of the ceramic member has a center point of the first surface when viewed in the first direction. Virtually divided into a plurality of gas annular portions by a plurality of concentric circular dividing lines as the center, and further, by virtually dividing each of the gas annular portions into a plurality of portions arranged in the circumferential direction. Wall-shaped projections are formed on the first surface of the ceramic member along the boundaries of the plurality of gas segments, and the first protrusions corresponding to the plurality of gas segments are formed. Gas ejection passage which opens separately on the surface, are formed inside the ceramic member.

このように、本保持装置では、複数のガス用セグメントのそれぞれの境界に沿って、壁状凸部が、セラミックス部材の第１の表面に形成されている。そのため、セラミックス部材の第１の表面上に対象物が載置された状態では、セラミックス部材の第１の表面と対象物の表面との間の空間が、壁状凸部により、複数のガス用セグメントに対応する複数の互いに独立した小空間に分割される。また、本保持装置では、複数のガス用セグメントのそれぞれに対応する第１の表面に個別に開口するガス噴出流路が、セラミックス部材の内部に形成されている。そのため、ガス噴出流路の各開口を介して、複数のガス用セグメントのそれぞれに対応する小空間に、個別に不活性ガスを供給することができる。従って、本保持装置では、壁状凸部の一部の箇所から不活性ガスが漏洩しても、該不活性ガスの漏洩の影響が、該壁状凸部の位置を境界とするガス用セグメントに留まり、他のガス用セグメントへの影響を回避することができる。そのため、本保持装置によれば、不活性ガスの漏洩に起因してセラミックス部材の第１の表面と対象物との間の空間の各位置における不活性ガスの濃度のばらつきが発生することを抑制することができ、その結果、セラミックス部材の第１の表面の各位置における対象物との間の伝熱性のばらつきが発生することを抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。   As described above, in the present holding device, the wall-shaped convex portion is formed on the first surface of the ceramic member along each boundary of the plurality of gas segments. Therefore, in the state where the object is placed on the first surface of the ceramic member, the space between the first surface of the ceramic member and the surface of the object is formed by the wall-shaped protrusions for a plurality of gases. It is divided into a plurality of independent small spaces corresponding to the segments. Further, in the present holding device, the gas ejection passages that are individually opened on the first surface corresponding to each of the plurality of gas segments are formed inside the ceramic member. Therefore, the inert gas can be individually supplied to the small spaces corresponding to the plurality of gas segments through the openings of the gas ejection passage. Therefore, in the present holding device, even if the inert gas leaks from a part of the wall-shaped convex portion, the influence of the leakage of the inert gas is affected by the gas segment having the position of the wall-shaped convex portion as a boundary. Therefore, the influence on other gas segments can be avoided. Therefore, according to the present holding device, it is possible to prevent the concentration of the inert gas from varying at each position of the space between the first surface of the ceramic member and the object due to the leakage of the inert gas. As a result, it is possible to suppress the occurrence of variations in heat transfer between the target object at each position on the first surface of the ceramic member, and to retain on the first surface of the ceramic member. It is possible to prevent the controllability of the temperature distribution of the target object from decreasing.

また、本保持装置では、ガス噴出流路の各開口を介して、複数のガス用セグメントのそれぞれに対応する小空間に対して、個別に設定された供給量や供給圧力で不活性ガスを供給することができる。そのため、本保持装置では、各ガス用セグメントについて不活性ガスの濃度（すなわち、セラミックス部材の第１の表面と対象物との間の伝熱性）を個別に制御することができる。従って、本保持装置によれば、セラミックス部材の第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性をさらに向上させることができる。   In addition, in this holding device, the inert gas is supplied to the small spaces corresponding to each of the plurality of gas segments through the respective openings of the gas ejection passage at individually set supply amounts and supply pressures. can do. Therefore, in the present holding device, the concentration of the inert gas (that is, the heat conductivity between the first surface of the ceramic member and the object) can be individually controlled for each gas segment. Therefore, according to this holding device, it is possible to further improve the controllability of the temperature distribution of the object held on the first surface of the ceramic member.

（２）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記周方向に隣り合う２つの前記ガス用セグメントの境界の位置には、前記境界に略平行に延びる溝を挟んで隣り合う２つの前記壁状凸部が形成されており、前記溝は、前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記セラミックス部材の外周側の空間に連通している構成としてもよい。本保持装置では、各ガス用セグメントに対応する小空間から壁状凸部を越えて漏れた不活性ガスは、溝を介して外周側の空間に排出される。従って、本保持装置によれば、あるガス用セグメントに対応する小空間から漏れた不活性ガスが、他のガス用セグメントに対応する小空間に進入して該他のガス用セグメントの第１の表面と対象物との間の伝熱性が影響を受けることを抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性をさらに向上させることができる。 (2) In the above holding device, in the first direction view, at the position of the boundary between the two gas segments adjacent to each other in the circumferential direction, two adjacent gas segments sandwiching a groove extending substantially parallel to the boundary are provided. The wall-shaped convex portion may be formed, and the groove may be in communication with a space on the outer peripheral side of the ceramic member in a second direction orthogonal to the first direction. In this holding device, the inert gas leaking from the small space corresponding to each gas segment beyond the wall-shaped convex portion is discharged to the space on the outer peripheral side through the groove. Therefore, according to the present holding device, the inert gas leaked from the small space corresponding to a certain gas segment enters the small space corresponding to the other gas segment and enters the first space of the other gas segment. It is possible to prevent the heat transfer between the surface and the object from being affected, and to further improve the controllability of the temperature distribution of the object held on the first surface of the ceramic member.

（３）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記周方向に隣り合う２つの前記ガス用セグメントの境界の位置には、前記境界に略平行に延びる溝を挟んで隣り合う２つの前記壁状凸部が形成されており、前記セラミックス部材の内部には、前記溝に開口する溝用ガス噴出流路が形成されており、前記複数のガス用環状部分のうちの最外周側の前記ガス用環状部分を構成し、かつ、前記周方向に隣り合う２つの前記ガス用セグメントの境界に位置する前記溝に対して外周側に、前記溝内から外周側へのガスの排出を抑止する第２の壁状凸部が前記セラミックス部材の前記第１の表面に形成されている構成としてもよい。本保持装置では、溝用ガス噴出流路の開口を介して、溝内の空間に対して、個別に設定された供給量や供給圧力で不活性ガスを供給することができる。そのため、本保持装置によれば、溝が形成された位置においてもセラミックス部材の第１の表面と対象物との間の伝熱性を制御することができ、セラミックス部材の第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。また、本保持装置によれば、例えば、溝内の空間の圧力を各ガス用セグメントに対応する小空間の圧力より僅かに高くする等して、各小空間における不活性ガスの状態（圧力や流量）を容易に制御することができるため、各ガス用セグメントについて対象物との間の伝熱性を容易に制御することができ、セラミックス部材の第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。 (3) In the holding device, when viewed from the first direction, at the position of the boundary between the two gas segments adjacent to each other in the circumferential direction, the two adjacent gas segments are sandwiched with a groove extending substantially parallel to the boundary therebetween. The wall-shaped convex portion is formed, a groove gas ejection passage opening to the groove is formed inside the ceramic member, and the groove outer peripheral side of the plurality of gas annular portions is formed. Suppressing the discharge of gas from the inside of the groove to the outer side with respect to the groove that forms the gas annular portion and is located at the boundary between two adjacent gas segments in the circumferential direction. The second wall-shaped convex portion may be formed on the first surface of the ceramic member. In the present holding device, the inert gas can be supplied to the space in the groove through the opening of the groove gas ejection flow path with a supply amount and supply pressure set individually. Therefore, according to the present holding device, the heat transfer between the first surface of the ceramic member and the object can be controlled even at the position where the groove is formed, and the holding device can hold the heat on the first surface of the ceramic member. The controllability of the temperature distribution of the target object can be effectively improved. Further, according to the present holding device, for example, by making the pressure of the space in the groove slightly higher than the pressure of the small space corresponding to each gas segment, the state of the inert gas in each small space (pressure or pressure Since the flow rate) can be easily controlled, the heat transfer between each gas segment and the target can be easily controlled, and the temperature distribution of the target held on the first surface of the ceramic member can be easily controlled. The controllability of can be effectively improved.

（４）上記保持装置において、前記複数のガス用環状部分のうち、一の前記ガス用環状部分を構成する前記ガス用セグメントの個数は、前記一のガス用環状部分より前記第１の表面の前記中心点に近い他の前記ガス用環状部分を構成する前記ガス用セグメントの個数より多い構成としてもよい。セラミックス部材の第１の表面のうち、第１の表面の外周に近い部分は、第１の表面の中心点に近い部分と比較して、温度分布の制御性が低下しやすい。本保持装置では、第１の表面の外周に比較的近い部分において、ガス用セグメントの個数が比較的多くなっているため、不活性ガスの濃度を細かく制御することができ、その結果、セラミックス部材の第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。 (4) In the holding device, the number of the gas segments constituting the one gas annular portion among the plurality of gas annular portions is greater than that of the one gas annular portion from the first surface. The number of gas segments may be greater than the number of gas segments forming the other gas annular portion near the center point. Of the first surface of the ceramic member, a portion near the outer periphery of the first surface is likely to have lower controllability of the temperature distribution than a portion near the center point of the first surface. In this holding device, since the number of the gas segments is relatively large in the portion relatively close to the outer periphery of the first surface, the concentration of the inert gas can be finely controlled, and as a result, the ceramic member It is possible to effectively improve the controllability of the temperature distribution of the object held on the first surface of the.

（５）上記保持装置において、さらに、前記セラミックス部材の少なくとも一部を、前記第１の方向視で、前記第１の表面の中心点を中心とする同心円状の複数の分割線によって複数のヒータ用環状部分に仮想的に分割し、さらに、各前記ヒータ用環状部分を前記周方向に並ぶ複数の部分に仮想的に分割することにより設定される複数のヒータ用セグメントのそれぞれに配置され、抵抗発熱体により構成されたヒータライン部を有するヒータ電極を備え、各前記ガス用セグメントの境界は、１つまたは複数の連続した前記ヒータ用セグメントにより構成される部分の境界に一致する構成としてもよい。本保持装置によれば、各ガス用セグメントについて個別に対象物との間の伝熱性を制御しつつ、各ヒータ用セグメントについて個別にヒータ電極の発熱量を制御することにより、セラミックス部材の第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性を極めて効果的に向上させることができる。 (5) In the holding device, further, at least a part of the ceramic member is provided with a plurality of heaters by a plurality of concentric dividing lines having a center point of the first surface as a center in the first direction. Are virtually divided into a plurality of heater segments, and each heater annular portion is virtually divided into a plurality of circumferentially-arranged portions. A heater electrode having a heater line portion configured by a heating element may be provided, and a boundary of each gas segment may coincide with a boundary of a portion configured by one or a plurality of continuous heater segments. . According to this holding device, while controlling the heat transfer between the gas segment and the object individually, the heat generation amount of the heater electrode is individually controlled for each heater segment. The controllability of the temperature distribution of the object held on the surface of the can be improved very effectively.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。   The technology disclosed in the present specification can be realized in various forms, for example, a holding device, an electrostatic chuck, a method for manufacturing them, and the like.

第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly the external appearance structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. 第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows roughly the XZ cross-section structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. 第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows roughly the XY plane (upper surface) structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. セラミックス部材１０の各ヒータ用セグメントＳＥｈに配置されたヒータ電極５００のＸＹ断面構成を模式的に示す説明図である。5 is an explanatory diagram schematically showing an XY cross-sectional structure of a heater electrode 500 arranged in each heater segment SEh of the ceramic member 10. FIG. 第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows roughly the XY plane (upper surface) structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. セラミックス部材１０の一部分（図５のＸ１部）のＸＹ平面（上面）構成を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the XY plane (upper surface) structure of a part (X1 part of FIG. 5) of the ceramic member 10. セラミックス部材１０の一部分の断面（Ｚ軸に平行な断面）構成を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the one part cross section (cross section parallel to Z-axis) structure of the ceramic member 10. 第２実施形態における静電チャック１００を構成するセラミックス部材１０の一部分のＸＹ平面（上面）構成を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the XY plane (upper surface) structure of a part of ceramic member 10 which comprises the electrostatic chuck 100 in 2nd Embodiment. 第２実施形態における静電チャック１００を構成するセラミックス部材１０の一部分の断面（Ｚ軸に平行な断面）構成を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the one part cross section (cross section parallel to Z-axis) structure of the ceramic member 10 which comprises the electrostatic chuck 100 in 2nd Embodiment.

Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。 A. First embodiment:
A-1. Structure of the electrostatic chuck 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, and FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an XZ sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment. FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing the XY plane (upper surface) configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment. In each drawing, XYZ axes which are orthogonal to each other for specifying the directions are shown. In this specification, for convenience, the Z-axis positive direction is referred to as the upward direction and the Z-axis negative direction is referred to as the downward direction, but the electrostatic chuck 100 is actually installed in a direction different from such an orientation. May be done.

静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが、後述する接合部３０を挟んで上記配列方向に対向するように配置される。すなわち、ベース部材２０は、ベース部材２０の上面Ｓ３がセラミックス部材１０の下面Ｓ２側に位置するように配置される。   The electrostatic chuck 100 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used to fix the wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, for example. The electrostatic chuck 100 includes a ceramic member 10 and a base member 20 that are arranged side by side in a predetermined array direction (the vertical direction (Z-axis direction in this embodiment)). The ceramic member 10 and the base member 20 are arranged so that the lower surface S2 (see FIG. 2) of the ceramic member 10 and the upper surface S3 of the base member 20 face each other in the above-mentioned arrangement direction with a joint 30 described later interposed therebetween. . That is, the base member 20 is arranged such that the upper surface S3 of the base member 20 is located on the lower surface S2 side of the ceramic member 10.

セラミックス部材１０は、Ｚ軸方向視で略円形の板状の部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。より詳細には、セラミックス部材１０は、外周に沿って上側に切り欠きが形成された部分である外周部ＯＰと、外周部ＯＰの内側に位置する内側部ＩＰとから構成されている。セラミックス部材１０における内側部ＩＰの厚さ（Ｚ軸方向における厚さであり、以下同様。）は、外周部ＯＰに形成された切り欠きの分だけ、外周部ＯＰの厚さより厚くなっている。すなわち、セラミックス部材１０の外周部ＯＰと内側部ＩＰとの境界の位置で、セラミックス部材１０の厚さが変化している。   The ceramic member 10 is a plate-shaped member having a substantially circular shape when viewed in the Z-axis direction, and is made of ceramics (for example, alumina or aluminum nitride). More specifically, the ceramic member 10 is composed of an outer peripheral portion OP, which is a portion having a notch formed on the upper side along the outer periphery, and an inner portion IP located inside the outer peripheral portion OP. The thickness of the inner portion IP of the ceramic member 10 (thickness in the Z-axis direction; the same applies hereinafter) is larger than the thickness of the outer peripheral portion OP by the notch formed in the outer peripheral portion OP. That is, the thickness of the ceramic member 10 changes at the position of the boundary between the outer peripheral portion OP and the inner portion IP of the ceramic member 10.

セラミックス部材１０の内側部ＩＰの直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１０の外周部ＯＰの直径は例えば６０ｍｍ〜５１０ｍｍ程度（通常は２１０ｍｍ〜３６０ｍｍ程度）である（ただし、外周部ＯＰの直径は内側部ＩＰの直径より大きい）。また、セラミックス部材１０の内側部ＩＰの厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度であり、セラミックス部材１０の外周部ＯＰの厚さは例えば０．５ｍｍ〜９．５ｍｍ程度である（ただし、外周部ＯＰの厚さは内側部ＩＰの厚さより薄い）。   The diameter of the inner part IP of the ceramic member 10 is, for example, about 50 mm to 500 mm (usually about 200 mm to 350 mm), and the diameter of the outer peripheral part OP of the ceramic member 10 is, for example, about 60 mm to 510 mm (usually about 210 mm to 360 mm). (However, the diameter of the outer peripheral portion OP is larger than the diameter of the inner portion IP). The thickness of the inner portion IP of the ceramic member 10 is, for example, about 1 mm to 10 mm, and the thickness of the outer peripheral portion OP of the ceramic member 10 is, for example, about 0.5 mm to 9.5 mm (however, the outer peripheral portion OP The thickness is thinner than the thickness of the inner part IP).

セラミックス部材１０の上面Ｓ１のうち、内側部ＩＰにおける上面（以下、「吸着面」ともいう。）Ｓ１１は、Ｚ軸方向に略直交する略円形の表面である。吸着面Ｓ１１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を「面方向」といい、図３に示すように、面方向のうち、吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰを中心とする周方向を「周方向ＣＤ」といい、面方向のうち、周方向ＣＤに直交する方向（すなわち、吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰを通る方向）を「径方向ＲＤ」という。   Of the upper surface S1 of the ceramic member 10, the upper surface (hereinafter, also referred to as “adsorption surface”) S11 in the inner portion IP is a substantially circular surface that is substantially orthogonal to the Z-axis direction. The suction surface S11 corresponds to the first surface in the claims, and the Z-axis direction corresponds to the first direction in the claims. Further, in the present specification, a direction orthogonal to the Z-axis direction is referred to as a “plane direction”, and as shown in FIG. 3, a circumferential direction around the center point CP of the suction surface S11 is a “circumference” among the plane directions. Of the surface directions, the direction orthogonal to the circumferential direction CD (that is, the direction passing through the center point CP of the suction surface S11) among the surface directions is referred to as the “radial direction RD”.

セラミックス部材１０の上面Ｓ１のうち、外周部ＯＰにおける上面（以下、「外周上面」ともいう。）Ｓ１２は、Ｚ軸方向に略直交する略円環状の表面である。セラミックス部材１０の外周上面Ｓ１２には、例えば、静電チャック１００を固定するための治具（不図示）が係合する。   Of the upper surface S1 of the ceramic member 10, the upper surface (hereinafter, also referred to as “outer peripheral upper surface”) S12 in the outer peripheral portion OP is a substantially annular surface that is substantially orthogonal to the Z axis direction. A jig (not shown) for fixing the electrostatic chuck 100 is engaged with the outer peripheral upper surface S12 of the ceramic member 10.

図２に示すように、セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０にチャック用電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に吸着固定される。   As shown in FIG. 2, inside the ceramic member 10, a chuck electrode 40 made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum or the like) is arranged. The shape of the chuck electrode 40 as viewed in the Z-axis direction is, for example, a substantially circular shape. When a voltage is applied to the chuck electrode 40 from a chuck power source (not shown), an electrostatic attractive force is generated, and the electrostatic attraction causes the wafer W to be attracted and fixed to the attracting surface S11 of the ceramic member 10.

セラミックス部材１０の内部には、また、それぞれ導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成された、ヒータ電極層５０と、ヒータ電極層５０への給電のためのドライバ５１および各種ビア５３，５４とが配置されている。本実施形態では、ヒータ電極層５０はチャック電極４０より下側に配置され、ドライバ５１はヒータ電極層５０より下側に配置されている。これらの構成については、後に詳述する。   Inside the ceramic member 10, a heater electrode layer 50 formed of a conductive material (e.g., tungsten, molybdenum, platinum, etc.), a driver 51 for supplying power to the heater electrode layer 50, and various vias. 53 and 54 are arranged. In the present embodiment, the heater electrode layer 50 is arranged below the chuck electrode 40, and the driver 51 is arranged below the heater electrode layer 50. These configurations will be described later in detail.

ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０の外周部ＯＰと同径の、または、セラミックス部材１０の外周部ＯＰより径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。   The base member 20 is, for example, a circular flat plate member having the same diameter as the outer peripheral portion OP of the ceramic member 10 or a larger diameter than the outer peripheral portion OP of the ceramic member 10, and is made of, for example, metal (aluminum, aluminum alloy, or the like). Has been formed. The diameter of the base member 20 is, for example, about 220 mm to 550 mm (normally 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base member 20 is, for example, about 20 mm to 40 mm.

ベース部材２０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接合部３０によって、セラミックス部材１０に接合されている。接合部３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接合部３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。   The base member 20 is joined to the ceramic member 10 by the joint portion 30 arranged between the lower surface S2 of the ceramic member 10 and the upper surface S3 of the base member 20. The joint portion 30 is made of, for example, an adhesive material such as silicone resin, acrylic resin, or epoxy resin. The thickness of the joint portion 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接合部３０を介したベース部材２０とセラミックス部材１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス部材１０が冷却され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。   A coolant passage 21 is formed inside the base member 20. When a coolant (for example, a fluorine-based inert liquid or water) is flown through the coolant channel 21, the base member 20 is cooled, and heat transfer between the base member 20 and the ceramic member 10 via the joint 30 ( The ceramic member 10 is cooled by heat extraction), and the wafer W held on the suction surface S11 of the ceramic member 10 is cooled. Thereby, control of the temperature distribution of the wafer W is realized.

また、図２に示すように、静電チャック１００には、ベース部材２０の下面Ｓ４からセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１にわたって上下方向に延びるピン挿通孔１４０が形成されている。ピン挿通孔１４０は、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１上に保持されたウェハＷを押し上げて吸着面Ｓ１１から離間させるためのリフトピン（不図示）を挿通するための孔である。   Further, as shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 100 is provided with a pin insertion hole 140 extending in the vertical direction from the lower surface S4 of the base member 20 to the suction surface S11 of the ceramic member 10. The pin insertion hole 140 is a hole for inserting a lift pin (not shown) for pushing up the wafer W held on the suction surface S11 of the ceramic member 10 and separating it from the suction surface S11.

Ａ−２．ヒータ電極層５０およびヒータ電極層５０への給電のための構成：
次に、ヒータ電極層５０の構成およびヒータ電極層５０への給電のための構成について詳述する。上述したように、セラミックス部材１０には、ヒータ電極層５０と、ヒータ電極層５０への給電のためのドライバ５１および各種ビア５３，５４とが配置されている。また、静電チャック１００には、ヒータ電極層５０への給電のための他の構成（後述する端子用孔１１０に収容された給電端子７２等）が設けられている。 A-2. Heater electrode layer 50 and configuration for supplying power to heater electrode layer 50:
Next, the configuration of the heater electrode layer 50 and the configuration for supplying power to the heater electrode layer 50 will be described in detail. As described above, on the ceramic member 10, the heater electrode layer 50, the driver 51 for supplying power to the heater electrode layer 50, and the various vias 53 and 54 are arranged. Further, the electrostatic chuck 100 is provided with another configuration for supplying power to the heater electrode layer 50 (such as a power supply terminal 72 housed in a terminal hole 110 described later).

ここで、図３に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の少なくとも一部に、面方向（Ｚ軸方向に直交する方向）に並ぶ複数の仮想的な部分であるヒータ用セグメントＳＥｈ（図３において一点鎖線で示す）が設定されている。より詳細には、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の内側部ＩＰが、吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰを中心とする同心円状の複数の第１の分割線ＤＬ１によって複数の仮想的なヒータ用環状部分ＣＰｈ（ただし、中心点ＣＰを含む部分のみは円状部分）に分割され、さらに各ヒータ用環状部分ＣＰｈが、径方向ＲＤに延びる複数の第２の分割線ＤＬ２によって周方向ＣＤに並ぶ複数の仮想的な部分であるヒータ用セグメントＳＥｈに分割されている。   Here, as shown in FIG. 3, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, at least a part of the ceramic member 10 is a plurality of virtual parts arranged in the plane direction (direction orthogonal to the Z-axis direction). A heater segment SEh (indicated by a dashed line in FIG. 3) is set. More specifically, when viewed in the Z-axis direction, the inner portion IP of the ceramic member 10 is used for a plurality of virtual heaters by a plurality of first concentric division lines DL1 centered on the center point CP of the suction surface S11. It is divided into annular portions CPh (however, only the portion including the center point CP is a circular portion), and each heater annular portion CPh is arranged in the circumferential direction CD by a plurality of second dividing lines DL2 extending in the radial direction RD. It is divided into a plurality of heater segments SEh that are virtual portions.

また、ヒータ電極層５０は、複数のヒータ電極５００を含んでいる（図４参照）。ヒータ電極層５０に含まれる複数のヒータ電極５００のそれぞれは、セラミックス部材１０に設定された複数のヒータ用セグメントＳＥｈの１つに配置されている。すなわち、本実施形態の静電チャック１００では、複数のヒータ用セグメントＳＥｈのそれぞれに、１つのヒータ電極５００が配置されている。換言すれば、セラミックス部材１０において、１つのヒータ電極５００が配置された部分（主として該ヒータ電極５００により加熱される部分）が、１つのヒータ用セグメントＳＥｈとなる。   Further, the heater electrode layer 50 includes a plurality of heater electrodes 500 (see FIG. 4). Each of the plurality of heater electrodes 500 included in the heater electrode layer 50 is arranged in one of the plurality of heater segments SEh set in the ceramic member 10. That is, in the electrostatic chuck 100 of this embodiment, one heater electrode 500 is arranged in each of the plurality of heater segments SEh. In other words, in the ceramic member 10, the portion in which one heater electrode 500 is arranged (mainly the portion heated by the heater electrode 500) becomes one heater segment SEh.

図４は、セラミックス部材１０の各ヒータ用セグメントＳＥｈに配置されたヒータ電極５００のＸＹ断面構成を模式的に示す説明図である。図４に示すように、ヒータ電極５００は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５０２と、ヒータライン部５０２の両端部に接続されたヒータパッド部５０４とを有する。本実施形態では、ヒータライン部５０２は、Ｚ軸方向視で、ヒータ用セグメントＳＥｈ内の各位置をできるだけ偏り無く通るような形状とされている。他のヒータ用セグメントＳＥｈに配置されたヒータ電極５００の構成も同様である。   FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing the XY cross-sectional structure of the heater electrode 500 arranged in each heater segment SEh of the ceramic member 10. As shown in FIG. 4, the heater electrode 500 has a heater line portion 502 which is a linear resistance heating element when viewed in the Z-axis direction, and a heater pad portion 504 connected to both ends of the heater line portion 502. In the present embodiment, the heater line portion 502 is shaped so as to pass through each position in the heater segment SEh as evenly as possible when viewed in the Z-axis direction. The same applies to the configuration of the heater electrode 500 arranged in the other heater segment SEh.

なお、上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、複数のヒータ用セグメントＳＥｈのそれぞれに１つのヒータ電極５００が配置されているが、ここで言う１つのヒータ電極５００とは、独立して制御可能なヒータ電極５００の単位を意味しており、必ずしも単一のヒータ電極５００に限定されるものではない。例えば、１つのヒータ用セグメントＳＥｈに、互いに共通に制御される複数のヒータ電極５００が配置されているとしてもよい。また、１つのヒータ用セグメントＳＥｈに配置されたヒータ電極５００のヒータライン部５０２の構成が、Ｚ軸方向における位置が互いに異なる複数層のヒータライン部５０２の部分が互いに直列に接続された構成であるとしてもよい。   As described above, in the electrostatic chuck 100 of this embodiment, one heater electrode 500 is arranged in each of the plurality of heater segments SEh, but one heater electrode 500 here is independent. It means a unit of the heater electrode 500 that can be controlled in this way, and is not necessarily limited to a single heater electrode 500. For example, one heater segment SEh may have a plurality of heater electrodes 500 commonly controlled. In addition, the heater line portion 502 of the heater electrode 500 arranged in one heater segment SEh is configured such that a plurality of layers of the heater line portion 502 whose positions in the Z-axis direction are different from each other are connected in series. You may have it.

また、図２および図４に示すように、各ヒータ電極５００の一端は、ビア５３を介して、１つのドライバ５１に電気的に接続されており、該ヒータ電極５００の他端は、ビア５３を介して、他のドライバ５１に電気的に接続されている。   Further, as shown in FIGS. 2 and 4, one end of each heater electrode 500 is electrically connected to one driver 51 via a via 53, and the other end of the heater electrode 500 has a via 53. Is electrically connected to another driver 51 via.

また、図２に示すように、静電チャック１００には、複数の端子用孔１１０が形成されている。各端子用孔１１０は、ベース部材２０を上面Ｓ３から下面Ｓ４まで貫通する貫通孔２２と、接合部３０を上下方向に貫通する貫通孔３２と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２側に形成された凹部１１とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。端子用孔１１０の延伸方向に直交する断面形状は任意に設定できるが、例えば、円形や四角形、扇形等である。また、セラミックス部材１０の下面Ｓ２における各端子用孔１１０に対応する位置（Ｚ軸方向において端子用孔１１０と重なる位置）には、導電性材料により構成された給電パッド７０が形成されている。給電パッド７０は、ビア５４を介して、ドライバ５１に電気的に接続されている。   Further, as shown in FIG. 2, a plurality of terminal holes 110 are formed in the electrostatic chuck 100. Each terminal hole 110 has a through hole 22 that penetrates the base member 20 from the upper surface S3 to the lower surface S4, a through hole 32 that vertically penetrates the bonding portion 30, and a recess formed on the lower surface S2 side of the ceramic member 10. 11 is an integral hole formed by communicating with each other. The cross-sectional shape of the terminal hole 110 orthogonal to the extending direction can be set arbitrarily, and is, for example, a circle, a quadrangle, or a fan shape. A power supply pad 70 made of a conductive material is formed on the lower surface S2 of the ceramic member 10 at a position corresponding to each terminal hole 110 (a position overlapping the terminal hole 110 in the Z-axis direction). The power supply pad 70 is electrically connected to the driver 51 via the via 54.

各端子用孔１１０には、導電性材料により構成された給電端子７２が収容されている。給電端子７２は、例えばろう付けにより給電パッド７０に接合されている。各給電端子７２は、ヒータ用電源（図示しない）に電気的に接続されている。   Each terminal hole 110 accommodates a power supply terminal 72 made of a conductive material. The power supply terminal 72 is joined to the power supply pad 70 by brazing, for example. Each power supply terminal 72 is electrically connected to a heater power source (not shown).

このような構成において、各ヒータ電極５００は、ヒータ用電源に対して互いに並列に接続されている。ヒータ用電源から給電端子７２、給電パッド７０、ビア５４、ドライバ５１およびビア５３を介して、ヒータ電極５００に電圧が印加されると、ヒータ電極５００が発熱する。これにより、ヒータ電極５００が配置されたヒータ用セグメントＳＥｈが加熱され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１の温度分布の制御（ひいては、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）が実現される。本実施形態では、各ヒータ電極５００がヒータ用電源に対して互いに並列に接続されているため、各ヒータ電極５００単位で（すなわち、各ヒータ用セグメントＳＥｈ単位で）ヒータ電極５００の発熱量を制御することができ、ヒータ用セグメントＳＥｈ単位でのセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１の温度分布の制御（すなわち、よりきめ細かい単位での温度分布制御）を実現することができる。   In such a configuration, the heater electrodes 500 are connected to the heater power source in parallel with each other. When a voltage is applied to the heater electrode 500 from the heater power supply via the power supply terminal 72, the power supply pad 70, the via 54, the driver 51 and the via 53, the heater electrode 500 generates heat. As a result, the heater segment SEh on which the heater electrode 500 is arranged is heated, and the temperature distribution of the suction surface S11 of the ceramic member 10 is controlled (and thus the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11 of the ceramic member 10 is controlled). Control) is realized. In the present embodiment, since the heater electrodes 500 are connected to the heater power source in parallel with each other, the heat generation amount of the heater electrodes 500 is controlled in units of each heater electrode 500 (that is, in units of each heater segment SEh). Therefore, it is possible to realize the control of the temperature distribution of the adsorption surface S11 of the ceramic member 10 in units of the heater segment SEh (that is, the temperature distribution control in a finer unit).

Ａ−３．セラミックス部材１０とウェハＷとの間の空間に不活性ガスを供給するための構成：
本実施形態の静電チャック１００は、セラミックス部材１０とウェハＷとの間の空間（以下、「中間空間ＳＰｉ」という。）に不活性ガスを供給するための構成を備えている。以下、該構成について詳述する。なお、本実施形態では、不活性ガスとして、ヘリウムガスが用いられる。図５は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図であり、図６は、セラミックス部材１０の一部分（図５のＸ１部）のＸＹ平面（上面）構成を拡大して示す説明図であり、図７は、セラミックス部材１０の一部分の断面（Ｚ軸に平行な断面）構成を拡大して示す説明図である。図７には、図６のＶＩＩ−ＶＩＩの位置でのセラミックス部材１０の一部分の断面構成が示されている。 A-3. Configuration for supplying an inert gas to the space between the ceramic member 10 and the wafer W:
The electrostatic chuck 100 according to the present embodiment has a configuration for supplying an inert gas into a space (hereinafter, referred to as “intermediate space SPi”) between the ceramic member 10 and the wafer W. Hereinafter, the configuration will be described in detail. In the present embodiment, helium gas is used as the inert gas. FIG. 5 is an explanatory view schematically showing an XY plane (upper surface) configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment, and FIG. 6 is an XY plane (a portion X1 of FIG. 5) of the ceramic member 10 ( FIG. 7 is an explanatory diagram showing an enlarged configuration of the upper surface), and FIG. 7 is an explanatory diagram showing an enlarged configuration of a cross section (cross section parallel to the Z axis) of a part of the ceramic member 10. FIG. 7 shows a partial cross-sectional structure of the ceramic member 10 at the position of VII-VII in FIG.

図５に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の少なくとも一部に、面方向（Ｚ軸方向に直交する方向）に並ぶ複数の仮想的な部分であるガス用セグメントＳＥｇ（図５において太い一点鎖線で示す）が設定されている。より詳細には、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の内側部ＩＰが、吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰを中心とする同心円状の複数の第３の分割線ＤＬ３によって複数の仮想的なガス用環状部分ＣＰｇ（ただし、中心点ＣＰを含む部分のみは円状部分）に分割され、さらに各ガス用環状部分ＣＰｇが、径方向ＲＤに延びる複数の第４の分割線ＤＬ４によって周方向ＣＤに並ぶ複数の仮想的な部分であるガス用セグメントＳＥｇに分割されている。   As shown in FIG. 5, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, at least a part of the ceramic member 10 is a plurality of gas segments that are virtual portions arranged in the surface direction (direction orthogonal to the Z-axis direction). SEg (indicated by a thick dashed line in FIG. 5) is set. More specifically, when viewed in the Z-axis direction, the inner portion IP of the ceramic member 10 is divided into a plurality of imaginary gases by a plurality of concentric third dividing lines DL3 centered on the center point CP of the suction surface S11. It is divided into annular portions CPg (however, only the portion including the center point CP is a circular portion), and each gas annular portion CPg is arranged in the circumferential direction CD by a plurality of fourth dividing lines DL4 extending in the radial direction RD. It is divided into a plurality of virtual segments SEg for gas.

本実施形態の静電チャック１００では、各ガス用セグメントＳＥｇは、１つまたは複数の連続したヒータ用セグメントＳＥｈにより構成されている。図５の下部には、ガス用セグメントＳＥｇとヒータ用セグメントＳＥｈとの関係が示されている。例えば、図５に示された１つのガス用セグメントＳＥｇ１は、３個の連続したヒータ用セグメントＳＥｈにより構成されており、他の１つのガス用セグメントＳＥｇ２は、１２個の連続したヒータ用セグメントＳＥｈにより構成されている。すなわち、本実施形態の静電チャック１００では、各ガス用セグメントＳＥｇの境界は、１つまたは複数の連続したヒータ用セグメントＳＥｈにより構成される部分の境界に一致している。   In the electrostatic chuck 100 of this embodiment, each gas segment SEg is composed of one or a plurality of continuous heater segments SEh. The lower part of FIG. 5 shows the relationship between the gas segment SEg and the heater segment SEh. For example, one gas segment SEg1 shown in FIG. 5 is composed of three continuous heater segments SEh, and another gas segment SEg2 is composed of twelve continuous heater segments SEh. It is composed by. That is, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the boundary of each gas segment SEg coincides with the boundary of the portion formed by one or more continuous heater segments SEh.

また、本実施形態の静電チャック１００では、複数のガス用環状部分ＣＰｇのうち、一のガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数は、該一のガス用環状部分ＣＰｇより吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰに近い他のガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数より多い。例えば、図５に示された２つのガス用環状部分ＣＰｇのうち、外周側に位置するガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数は１０個であり、該ガス用環状部分ＣＰｇに対して吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰ側に隣接する他のガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数は５個である。   In addition, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the number of gas segments SEg forming one gas annular portion CPg among the plurality of gas annular portions CPg is larger than that of the one gas annular portion CPg. The number is greater than the number of gas segments SEg that form another gas annular portion CPg near the center point CP of the surface S11. For example, among the two gas annular portions CPg shown in FIG. 5, the number of the gas segments SEg forming the gas annular portion CPg located on the outer peripheral side is 10, and the gas annular portion CPg includes On the other hand, the number of gas segments SEg forming the other gas annular portion CPg adjacent to the center point CP side of the suction surface S11 is five.

また、図６および図７に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０に設定された複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれの境界に沿って、吸着面Ｓ１１に、連続的な壁状の凸部（以下、「壁状凸部」という。）１２が形成されている。すなわち、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１には、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれの外周を環状に取り囲むように、壁状凸部１２が形成されている。壁状凸部１２は、シールバンドとも呼ばれる。図７に示すように、壁状凸部１２の断面（Ｚ軸に平行で、かつ、壁状凸部１２の延伸方向に略直交する断面）の形状は、略矩形である。壁状凸部１２の高さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度である。また、壁状凸部１２の幅（Ｚ軸方向視での壁状凸部１２の延伸方向に直交する方向の大きさ）は、例えば、０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度である。   Further, as shown in FIGS. 6 and 7, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the adsorption surface S11 is continuously formed along the boundaries of the plurality of gas segments SEg set in the ceramic member 10. A wall-shaped convex portion (hereinafter, referred to as “wall-shaped convex portion”) 12 is formed. That is, on the suction surface S11 of the ceramic member 10, the wall-shaped convex portion 12 is formed so as to surround each of the plurality of gas segments SEg in an annular shape. The wall-shaped convex portion 12 is also called a seal band. As shown in FIG. 7, the shape of the cross section of the wall-shaped convex portion 12 (the cross section parallel to the Z-axis and substantially orthogonal to the extending direction of the wall-shaped convex portion 12) is substantially rectangular. The height of the wall-shaped convex portion 12 is, for example, about 10 μm to 20 μm. The width of the wall-shaped protrusion 12 (the size in the direction orthogonal to the extending direction of the wall-shaped protrusion 12 when viewed in the Z-axis direction) is, for example, about 0.5 mm to 5.0 mm.

また、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、周方向ＣＤおよび径方向ＲＤに隣り合う２つのガス用セグメントＳＥｇの境界の位置に、該境界に略平行に延びる溝１７を挟んで隣り合う２つの壁状凸部１２が形成されている。なお、この構成は、ガス用セグメントＳＥｇの境界に形成された１つの壁状凸部１２に、該壁状凸部１２の上面に開口する１つの溝１７が形成された構成と捉えることもできる。溝１７は、面方向において、セラミックス部材１０の外周側の空間（以下、「外周空間ＳＰｏ」という。）に連通している。   Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the groove 17 extending substantially parallel to the boundary between the two gas segments SEg adjacent to each other in the circumferential direction CD and the radial direction RD in the Z-axis direction is provided. Two wall-shaped protrusions 12 that are adjacent to each other with the wall interposed are formed. Note that this configuration can also be regarded as a configuration in which one wall-shaped protrusion 12 formed at the boundary of the gas segment SEg is provided with one groove 17 opening on the upper surface of the wall-shaped protrusion 12. . The groove 17 communicates with a space on the outer peripheral side of the ceramic member 10 (hereinafter, referred to as “outer peripheral space SPo”) in the surface direction.

また、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１における各壁状凸部１２により囲まれた領域には、複数の独立した柱状の凸部（以下、「柱状凸部」という。）１４が形成されている。図６に示すように、Ｚ軸方向視での各柱状凸部１４の形状は、略円形である。また、図７に示すように、各柱状凸部１４の断面（Ｚ軸に平行な断面）の形状は、略矩形である。柱状凸部１４の高さは、壁状凸部１２の高さと略同一であり、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度である。また、柱状凸部１４の幅（Ｚ軸方向視での柱状凸部１４の最大径）は、例えば、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度である。なお、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１における壁状凸部１２により囲まれた領域の内、柱状凸部１４が形成されていない部分は、凹部１６となっている。   Further, a plurality of independent columnar protrusions (hereinafter, referred to as “columnar protrusions”) 14 are formed in a region surrounded by each wall-shaped protrusion 12 on the suction surface S11 of the ceramic member 10. As shown in FIG. 6, the shape of each columnar protrusion 14 as viewed in the Z-axis direction is substantially circular. Further, as shown in FIG. 7, the shape of the cross section (cross section parallel to the Z axis) of each columnar convex portion 14 is substantially rectangular. The height of the column-shaped convex portion 14 is substantially the same as the height of the wall-shaped convex portion 12, and is, for example, about 10 μm to 20 μm. The width of the columnar protrusion 14 (the maximum diameter of the columnar protrusion 14 when viewed in the Z-axis direction) is, for example, about 0.5 mm to 1.5 mm. A portion of the suction surface S11 of the ceramic member 10 surrounded by the wall-shaped protrusions 12 where the columnar protrusions 14 are not formed is a recess 16.

図７に示すように、ウェハＷは、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１における各壁状凸部１２および各柱状凸部１４に支持される。ウェハＷが各壁状凸部１２および各柱状凸部１４に支持された状態では、ウェハＷの表面（下面）と、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１（より詳細には吸着面Ｓ１１の凹部１６）との間に、中間空間ＳＰｉが存在することとなる。また、中間空間ＳＰｉは、各ガス用セグメントＳＥｇの境界に沿って形成された壁状凸部１２により、複数のガス用セグメントＳＥｇに対応する複数の小空間ＳＰｓに分割される。   As shown in FIG. 7, the wafer W is supported by the wall-shaped protrusions 12 and the column-shaped protrusions 14 on the suction surface S11 of the ceramic member 10. When the wafer W is supported by the wall-shaped projections 12 and the column-shaped projections 14, the front surface (lower surface) of the wafer W and the suction surface S11 of the ceramic member 10 (more specifically, the recess 16 of the suction surface S11). An intermediate space SPi exists between and. Further, the intermediate space SPi is divided into a plurality of small spaces SPs corresponding to the plurality of gas segments SEg by the wall-shaped convex portion 12 formed along the boundary of each gas segment SEg.

また、図２、図６および図７に示すように、本実施形態の静電チャック１００には、ベース部材２０の下面Ｓ４から接合部３０の上面にわたって上下方向に延びるガス供給流路１３１と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２におけるＺ軸方向視でガス供給流路１３１と重なる位置に形成された凹部１３４と、凹部１３４の底面に連通すると共に上方に延びる縦流路１３８と、縦流路１３８と連通すると共に面方向に延びる横流路１３３と、横流路１３３から吸着面Ｓ１１まで上方に延びるガス噴出流路１３２とが形成されている。図６および図７に示すように、セラミックス部材１０の内部に形成されたガス噴出流路１３２は、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれに対応する吸着面Ｓ１１に個別に開口している。凹部１３４には、通気性を有する充填部材（通気性プラグ）１６０が充填されている。   In addition, as shown in FIGS. 2, 6 and 7, the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment includes a gas supply passage 131 that extends in the vertical direction from the lower surface S4 of the base member 20 to the upper surface of the bonding portion 30, A recess 134 formed in the lower surface S2 of the ceramic member 10 at a position overlapping the gas supply flow path 131 when viewed in the Z-axis direction, a vertical flow path 138 communicating with the bottom surface of the recess 134 and extending upward, and a vertical flow path 138. A lateral flow path 133 that communicates with and extends in the surface direction and a gas ejection flow path 132 that extends upward from the lateral flow path 133 to the adsorption surface S11 are formed. As shown in FIGS. 6 and 7, the gas ejection passages 132 formed inside the ceramic member 10 are individually opened on the suction surfaces S11 corresponding to the plurality of gas segments SEg. The recess 134 is filled with a filling member (breathable plug) 160 having air permeability.

ヘリウムガス源（不図示）から供給されたヘリウムガスが、ガス供給流路１３１内に流入すると、流入したヘリウムガスは、ガス供給流路１３１から凹部１３４内に充填された通気性を有する充填部材１６０の内部を通過してセラミックス部材１０の内部の縦流路１３８を介して横流路１３３内に流入し、横流路１３３を介して面方向に流れつつガス噴出流路１３２内に流入し、ガス噴出流路１３２の吸着面Ｓ１１における各開口から噴出する。このようにして、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１とウェハＷの表面との間に存在する中間空間ＳＰｉに、ヘリウムガスが供給される。   When the helium gas supplied from the helium gas source (not shown) flows into the gas supply flow path 131, the inflowing helium gas is filled in the recess 134 from the gas supply flow path 131 and has a gas permeable filling member. After passing through the inside of the ceramic member 10, it flows into the lateral flow path 133 through the vertical flow path 138 inside the ceramic member 10, flows into the gas ejection flow path 132 while flowing in the plane direction through the horizontal flow path 133, and It is jetted from each opening in the suction surface S11 of the jet passage 132. In this way, the helium gas is supplied to the intermediate space SPi existing between the suction surface S11 of the ceramic member 10 and the surface of the wafer W.

上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の内部に形成されたガス噴出流路１３２は、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれに対応する吸着面Ｓ１１に個別に開口している。そのため、ヘリウムガスは、複数のガス用セグメントＳＥｇに対応する複数の小空間ＳＰｓに個別に供給される。本実施形態の静電チャック１００では、ヘリウムガスの供給経路が、ガス用セグメントＳＥｇの個数と同数の系統だけ形成されており、複数のガス用セグメントＳＥｇに対応する複数の小空間ＳＰｓに、各小空間ＳＰｓのヘリウムガスの分圧や流量のモニタリング結果に基づき個別に設定された供給量や供給圧力で、ヘリウムガスを供給することができる。これにより、各ガス用セグメントＳＥｇについて、個別に、ウェハＷとの間の伝熱性を制御することができ、その結果、吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの各位置での温度分布の制御性を向上させることができる。なお、各小空間ＳＰｓに供給されたヘリウムガスは、壁状凸部１２を越えて溝１７内に排出され、溝１７内を主として外周側に向かって進行し、外周空間ＳＰｏに排出される。   As described above, in the electrostatic chuck 100 of this embodiment, the gas ejection passages 132 formed inside the ceramic member 10 are individually opened on the adsorption surface S11 corresponding to each of the plurality of gas segments SEg. ing. Therefore, the helium gas is individually supplied to the plurality of small spaces SPs corresponding to the plurality of gas segments SEg. In the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the supply paths of the helium gas are formed by the same number of systems as the number of the gas segments SEg, and each of the plurality of small spaces SPs corresponding to the plurality of gas segments SEg is provided. The helium gas can be supplied at a supply amount and a supply pressure individually set based on the monitoring result of the partial pressure and the flow rate of the helium gas in the small space SPs. Thereby, for each gas segment SEg, it is possible to individually control the heat transfer property between the gas segment SEg and the wafer W, and as a result, the controllability of the temperature distribution at each position of the wafer W held on the adsorption surface S11. Can be improved. The helium gas supplied to each small space SPs is discharged into the groove 17 beyond the wall-shaped convex portion 12, travels mainly in the groove 17 toward the outer peripheral side, and is discharged to the outer peripheral space SPo.

Ａ−４．静電チャック１００の製造方法：
本実施形態の静電チャック１００の製造方法は、例えば以下の通りである。まず、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、ヒータ電極層５０やドライバ５１、給電パッド７０等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビア５３，５４の形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填、ガス噴出流路１３２等の形成のための孔空け等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。作製されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、セラミックス部材１０を作製する。 A-4. Manufacturing method of the electrostatic chuck 100:
The method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of this embodiment is as follows, for example. First, a plurality of ceramic green sheets are produced, and a predetermined ceramic green sheet is subjected to predetermined processing. The predetermined processing includes, for example, printing a metallizing paste for forming the heater electrode layer 50, the driver 51, the power supply pad 70, etc., forming holes for forming the various vias 53 and 54, filling the metallizing paste, and ejecting gas. Examples thereof include perforation for forming the flow path 132 and the like. By laminating these ceramic green sheets, thermocompression bonding, and performing processing such as cutting, a laminated body of ceramic green sheets is produced. The ceramic member 10 is produced by firing the produced ceramic green sheet laminate.

次に、作製されたセラミックス部材１０の平面状の表面（吸着面Ｓ１１）に、壁状凸部１２および柱状凸部１４に対応する部分を遮蔽するマスクを配置し、例えばセラミックス等の粒体を投射するショットブラストを行うことにより、壁状凸部１２および柱状凸部１４を形成する。次に、セラミックス部材１０に形成された給電パッド７０に給電端子７２を例えばろう付けにより接合する。次に、例えばシート状の接合部３０を用いて、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合する。主として以上の工程により、本実施形態の静電チャック１００が製造される。   Next, a mask that shields portions corresponding to the wall-shaped protrusions 12 and the columnar protrusions 14 is arranged on the planar surface (adsorption surface S11) of the produced ceramic member 10, and, for example, particles such as ceramics are provided. By performing shot blasting for projection, the wall-shaped convex portions 12 and the columnar convex portions 14 are formed. Next, the power supply terminal 72 is joined to the power supply pad 70 formed on the ceramic member 10 by brazing, for example. Next, the ceramic member 10 and the base member 20 are joined using the sheet-like joining portion 30, for example. The electrostatic chuck 100 of the present embodiment is manufactured mainly by the above steps.

Ａ−５．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の静電チャック１００は、Ｚ軸方向に略直交する略円形の吸着面Ｓ１１を有する板状のセラミックス部材１０と、セラミックス部材１０の内部に配置されたチャック電極４０とを備え、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１上にウェハＷを保持する装置である。本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０に複数のガス用セグメントＳＥｇが設定されており、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれの境界に沿って、壁状凸部１２が、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に形成されている。なお、ガス用セグメントＳＥｇは、セラミックス部材１０の少なくとも一部（具体的には内側部ＩＰ）を、Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰを中心とする同心円状の複数の分割線（第３の分割線ＤＬ３）によって複数のガス用環状部分ＣＰｇに仮想的に分割し、さらに、各ガス用環状部分ＣＰｇを周方向ＣＤに並ぶ複数の部分に仮想的に分割することにより設定される。また、本実施形態の静電チャック１００では、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれに対応する吸着面Ｓ１１に個別に開口するガス噴出流路１３２が、セラミックス部材１０の内部に形成されている。 A-5. Effects of this embodiment:
As described above, the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment includes the plate-shaped ceramic member 10 having the substantially circular attraction surface S11 that is substantially orthogonal to the Z-axis direction, and the chuck electrode arranged inside the ceramic member 10. 40, and holds the wafer W on the suction surface S11 of the ceramic member 10. In the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, a plurality of gas segments SEg are set in the ceramic member 10, and the wall-shaped convex portion 12 and the ceramic member 10 are provided along the respective boundaries of the plurality of gas segments SEg. Is formed on the suction surface S11. In addition, the gas segment SEg includes a plurality of concentric dividing lines having at least a portion (specifically, the inner portion IP) of the ceramic member 10 as viewed in the Z-axis direction and having the center point CP of the suction surface S11 as the center. It is set by virtually dividing into a plurality of gas annular portions CPg by (the third dividing line DL3), and further by virtually dividing each gas annular portion CPg into a plurality of portions arranged in the circumferential direction CD. It Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the gas ejection passages 132 that are individually opened to the adsorption surface S11 corresponding to each of the plurality of gas segments SEg are formed inside the ceramic member 10.

このように、本実施形態の静電チャック１００では、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれの境界に沿って、壁状凸部１２が、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に形成されている。そのため、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１上にウェハＷが載置された状態では、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１とウェハＷの表面との間の中間空間ＳＰｉが、壁状凸部１２により、複数のガス用セグメントＳＥｇに対応する複数の互いに独立した小空間ＳＰｓに分割される。また、本実施形態の静電チャック１００では、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれに対応する吸着面Ｓ１１に個別に開口するガス噴出流路１３２が、セラミックス部材１０の内部に形成されている。そのため、ガス噴出流路１３２の各開口を介して、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれに対応する小空間ＳＰｓに、個別に不活性ガスを供給することができる。   As described above, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the wall-shaped convex portion 12 is formed on the suction surface S11 of the ceramic member 10 along each boundary of the plurality of gas segments SEg. Therefore, in the state where the wafer W is placed on the suction surface S11 of the ceramic member 10, the intermediate space SPi between the suction surface S11 of the ceramic member 10 and the surface of the wafer W is divided by the wall-shaped convex portion 12 into a plurality of spaces. Is divided into a plurality of small spaces SPs independent of each other corresponding to the gas segment SEg. Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the gas ejection passages 132 that are individually opened to the adsorption surface S11 corresponding to each of the plurality of gas segments SEg are formed inside the ceramic member 10. Therefore, the inert gas can be individually supplied to the small spaces SPs corresponding to the plurality of gas segments SEg through the respective openings of the gas ejection passage 132.

従って、本実施形態の静電チャック１００では、壁状凸部１２の一部の箇所から不活性ガスが漏洩しても、該不活性ガスの漏洩の影響が、該壁状凸部１２の位置を境界とするガス用セグメントＳＥｇに留まり、他のガス用セグメントＳＥｇへの影響を回避することができる。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、不活性ガスの漏洩に起因してセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１とウェハＷとの間の中間空間ＳＰｉの各位置における不活性ガスの濃度のばらつきが発生することを抑制することができ、その結果、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１の各位置におけるウェハＷとの間の伝熱性のばらつきが発生することを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。   Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, even if the inert gas leaks from a part of the wall-shaped convex portion 12, the influence of the leakage of the inert gas is affected by the position of the wall-shaped convex portion 12. It is possible to avoid the influence on other gas segments SEg by staying in the gas segment SEg bounded by. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the concentration of the inert gas at each position of the intermediate space SPi between the suction surface S11 of the ceramic member 10 and the wafer W is increased due to the leakage of the inert gas. It is possible to suppress the occurrence of variations, and as a result, it is possible to suppress the occurrence of variations in heat transfer between the wafer W at each position of the suction surface S11 of the ceramic member 10, and thus the ceramic member 10 is suppressed. It is possible to prevent the controllability of the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11 from being lowered.

また、本実施形態の静電チャック１００では、ガス噴出流路１３２の各開口を介して、複数のガス用セグメントＳＥｇのそれぞれに対応する小空間ＳＰｓに対して、個別に設定された供給量や供給圧力で不活性ガスを供給することができる。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、各ガス用セグメントＳＥｇについて不活性ガスの濃度（すなわち、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１とウェハＷとの間の伝熱性）を個別に制御することができる。例えば、すべてのガス用セグメントＳＥｇに対応する小空間ＳＰｓ内の不活性ガスの濃度が互いに略均一になるように制御することもできるし、一のガス用セグメントＳＥｇに対応する小空間ＳＰｓ内の不活性ガスの濃度が他のガス用セグメントＳＥｇに対応する小空間ＳＰｓ内の不活性ガスの濃度と異なるように制御することもできる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性をさらに向上させることができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the amount of supply individually set to the small space SPs corresponding to each of the plurality of gas segments SEg via each opening of the gas ejection passage 132 and The inert gas can be supplied at the supply pressure. Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the concentration of the inert gas (that is, the heat conductivity between the adsorption surface S11 of the ceramic member 10 and the wafer W) for each gas segment SEg can be individually controlled. it can. For example, the inert gas concentrations in the small spaces SPs corresponding to all the gas segments SEg can be controlled so as to be substantially uniform, or in the small spaces SPs corresponding to one gas segment SEg. It is also possible to control the concentration of the inert gas to be different from the concentration of the inert gas in the small space SPs corresponding to the other gas segment SEg. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the controllability of the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11 of the ceramic member 10 can be further improved.

また、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、周方向ＣＤに隣り合う２つのガス用セグメントＳＥｇの境界の位置に、該境界に略平行に延びる溝１７を挟んで隣り合う２つの壁状凸部１２が形成されており、該溝１７は、Ｚ軸方向に直交する方向（面方向）において、セラミックス部材１０の外周側の外周空間ＳＰｏに連通している。そのため、各ガス用セグメントＳＥｇに対応する小空間ＳＰｓから壁状凸部１２を越えて漏れた不活性ガスは、溝１７を介して外周空間ＳＰｏに排出される。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、あるガス用セグメントＳＥｇに対応する小空間ＳＰｓから漏れた不活性ガスが、他のガス用セグメントＳＥｇに対応する小空間ＳＰｓに進入して該他のガス用セグメントＳＥｇの吸着面Ｓ１１とウェハＷとの間の伝熱性が影響を受けることを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性をさらに向上させることができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, when viewed in the Z-axis direction, the two gas segments SEg adjacent to each other in the circumferential direction CD are adjacent to each other with a groove 17 extending substantially parallel to the boundary therebetween. Two wall-shaped convex portions 12 are formed, and the groove 17 communicates with the outer peripheral space SPo on the outer peripheral side of the ceramic member 10 in the direction (plane direction) orthogonal to the Z-axis direction. Therefore, the inert gas leaking from the small space SPs corresponding to each gas segment SEg beyond the wall-shaped convex portion 12 is discharged to the outer peripheral space SPo through the groove 17. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the inert gas leaked from the small space SPs corresponding to a certain gas segment SEg enters the small space SPs corresponding to another gas segment SEg, and It is possible to prevent the heat transfer between the suction surface S11 of the other gas segment SEg and the wafer W from being affected, and to control the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11 of the ceramic member 10. Can be further improved.

また、本実施形態の静電チャック１００では、複数のガス用環状部分ＣＰｇのうち、一のガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数は、該一のガス用環状部分ＣＰｇより吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰに近い他のガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数より多い。セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１のうち、吸着面Ｓ１１の外周に近い部分は、吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰに近い部分と比較して、温度分布の制御性が低下しやすい。本実施形態の静電チャック１００では、吸着面Ｓ１１の外周に比較的近い部分において、ガス用セグメントＳＥｇの個数が比較的多くなっているため、不活性ガスの濃度を細かく制御することができ、その結果、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。   In addition, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the number of gas segments SEg forming one gas annular portion CPg among the plurality of gas annular portions CPg is larger than that of the one gas annular portion CPg. The number is greater than the number of gas segments SEg that form another gas annular portion CPg near the center point CP of the surface S11. Of the suction surface S11 of the ceramic member 10, a portion near the outer periphery of the suction surface S11 is likely to have lower controllability of temperature distribution than a portion near the center point CP of the suction surface S11. In the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, since the number of gas segments SEg is relatively large in the portion relatively close to the outer periphery of the adsorption surface S11, the concentration of the inert gas can be finely controlled, As a result, the controllability of the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11 of the ceramic member 10 can be effectively improved.

また、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０に複数のヒータ用セグメントＳＥｈが設定されており、複数のヒータ用セグメントＳＥｈのそれぞれに、抵抗発熱体により構成されたヒータライン部５０２を有するヒータ電極５００が配置されている。なお、ヒータ用セグメントＳＥｈは、セラミックス部材１０の少なくとも一部を、Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰを中心とする同心円状の複数の分割線（第１の分割線ＤＬ１）によって複数のヒータ用環状部分ＣＰｈに仮想的に分割し、さらに、各ヒータ用環状部分ＣＰｈを周方向ＣＤに並ぶ複数の部分に仮想的に分割することにより設定される。また、本実施形態の静電チャック１００では、各ガス用セグメントＳＥｇは、１つまたは複数の連続したヒータ用セグメントＳＥｈにより構成される部分の境界に一致する。このような構成の本実施形態の静電チャック１００によれば、各ガス用セグメントＳＥｇについて個別にウェハＷとの間の伝熱性を制御しつつ、各ヒータ用セグメントＳＥｈについて個別にヒータ電極５００の発熱量を制御することにより、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性を極めて効果的に向上させることができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, a plurality of heater segments SEh are set in the ceramic member 10, and a heater line portion 502 composed of a resistance heating element is provided in each of the plurality of heater segments SEh. The heater electrode 500 has is arranged. In the heater segment SEh, at least a part of the ceramic member 10 is formed by a plurality of concentric dividing lines (first dividing lines DL1) centering on the center point CP of the suction surface S11 when viewed in the Z-axis direction. It is set by virtually dividing the heater annular portion CPh into a plurality of heater annular portions CPh and further virtually dividing the heater annular portions CPh into a plurality of portions arranged in the circumferential direction CD. Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, each gas segment SEg coincides with the boundary of the portion formed by one or more continuous heater segments SEh. According to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment having such a configuration, the heat transfer property between each gas segment SEg and the wafer W is controlled individually, and the heater electrode 500 of each heater segment SEh is individually controlled. By controlling the heat generation amount, the controllability of the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11 of the ceramic member 10 can be improved very effectively.

Ｂ．第２実施形態：
図８は、第２実施形態における静電チャック１００を構成するセラミックス部材１０の一部分のＸＹ平面（上面）構成を拡大して示す説明図であり、図９は、第２実施形態における静電チャック１００を構成するセラミックス部材１０の一部分の断面（Ｚ軸に平行な断面）構成を拡大して示す説明図である。図９には、図８のＩＸ−ＩＸの位置でのセラミックス部材１０の一部分の断面構成が示されている。以下では、第２実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。 B. Second embodiment:
FIG. 8 is an explanatory view showing an enlarged XY plane (upper surface) configuration of a part of the ceramic member 10 constituting the electrostatic chuck 100 in the second embodiment, and FIG. 9 is an electrostatic chuck in the second embodiment. FIG. 3 is an explanatory view showing an enlarged cross-section (cross-section parallel to the Z axis) of a part of the ceramic member 10 constituting 100. FIG. 9 shows a sectional configuration of a part of the ceramic member 10 at the position IX-IX in FIG. In the following, of the configurations of the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, the same configurations as the configurations of the electrostatic chuck 100 of the first embodiment described above will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be appropriately omitted. .

図８および図９に示すように、第２実施形態の静電チャック１００を構成するセラミックス部材１０では、第１実施形態の静電チャック１００を構成するセラミックス部材１０と同様に、Ｚ軸方向視で、周方向ＣＤおよび径方向ＲＤに隣り合う２つのガス用セグメントＳＥｇの境界の位置に、該境界に略平行に延びる溝１７を挟んで隣り合う２つの壁状凸部１２が形成されている。   As shown in FIGS. 8 and 9, in the ceramic member 10 configuring the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, the ceramic member 10 configuring the electrostatic chuck 100 of the first embodiment is viewed in the Z-axis direction as in the ceramic member 10 configuring the electrostatic chuck 100 of the first embodiment. At the boundary between the two gas segments SEg adjacent to each other in the circumferential direction CD and the radial direction RD, two adjacent wall-shaped projections 12 are formed with a groove 17 extending substantially parallel to the boundary therebetween. .

第２実施形態のセラミックス部材１０では、セラミックス部材１０の内部に、溝１７に開口する溝用ガス噴出流路１３５と、溝用ガス噴出流路１３５と連通すると共に面方向に環状に延びる横流路１３６とが形成されている点が、第１実施形態のセラミックス部材１０と異なる。横流路１３６は、図示しない溝用ガス供給流路に連通している。なお、溝用ガス供給流路は、ガス供給流路１３１とは別に設けられてもよいし、１つのガス供給流路が、溝用ガス供給流路およびガス供給流路１３１として機能するとしてもよい。また、Ｚ軸方向の位置について、溝用ガス噴出流路１３５に連通する横流路１３６の位置は、ガス噴出流路１３２に連通する横流路１３３の位置と異なっている（横流路１３３の位置より下側である）。ヘリウムガス源（不図示）から供給されたヘリウムガスが、溝用ガス供給流路内に流入すると、流入したヘリウムガスはセラミックス部材１０の内部の横流路１３６を介して面方向に流れつつ溝用ガス噴出流路１３５内に流入し、溝用ガス噴出流路１３５の吸着面Ｓ１１における各開口から噴出する。このようにして、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１とウェハＷの表面との間に存在する溝１７内の空間に、ヘリウムガスが供給される。   In the ceramic member 10 of the second embodiment, inside the ceramic member 10, the groove gas ejection passage 135 that opens to the groove 17 and the lateral passage that communicates with the groove gas ejection passage 135 and extends annularly in the surface direction. 136 is different from the ceramic member 10 of the first embodiment. The lateral flow path 136 communicates with a groove gas supply flow path (not shown). The groove gas supply passage may be provided separately from the gas supply passage 131, or one gas supply passage may function as the groove gas supply passage and the gas supply passage 131. Good. Regarding the position in the Z-axis direction, the position of the lateral flow passage 136 communicating with the groove gas ejection flow passage 135 is different from the position of the lateral flow passage 133 communicating with the gas ejection flow passage 132 (from the position of the lateral flow passage 133). It is the lower side). When the helium gas supplied from the helium gas source (not shown) flows into the groove gas supply flow path, the inflowing helium gas flows in the surface direction through the lateral flow path 136 inside the ceramic member 10 and is used for the groove. The gas flows into the gas ejection channel 135 and ejects from each opening in the adsorption surface S11 of the groove gas ejection channel 135. In this way, the helium gas is supplied to the space in the groove 17 existing between the suction surface S11 of the ceramic member 10 and the surface of the wafer W.

また、第２実施形態のセラミックス部材１０では、複数のガス用環状部分ＣＰｇのうちの最外周側のガス用環状部分ＣＰｇを構成し、かつ、周方向ＣＤに隣り合う２つのガス用セグメントＳＥｇの境界に位置する溝１７に対して外周側に、溝１７内から外周側の外周空間ＳＰｏへの不活性ガスの排出を抑止する第２の壁状凸部１８が、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に形成されている。すなわち、第２実施形態のセラミックス部材１０では、ガス用セグメントＳＥｇの境界に形成された壁状凸部１２により囲まれた小空間ＳＰｓに加えて、溝１７内の空間にも、不活性ガスが滞留する構成となっている。なお、本実施形態では、第２の壁状凸部１８は、上述した最外周側のガス用環状部分ＣＰｇを構成する各ガス用セグメントＳＥｇにおける外周側の境界に位置する壁状凸部１２と連続的に形成されている。   Further, in the ceramic member 10 of the second embodiment, the outermost gas annular portion CPg of the plurality of gas annular portions CPg is formed, and the two gas segments SEg adjacent to each other in the circumferential direction CD are formed. The second wall-shaped convex portion 18 that suppresses the discharge of the inert gas from the inside of the groove 17 to the outer peripheral space SPo on the outer peripheral side is provided on the outer peripheral side with respect to the groove 17 located at the boundary, and the adsorption surface S11 of the ceramic member 10. Is formed in. That is, in the ceramic member 10 of the second embodiment, in addition to the small space SPs surrounded by the wall-shaped convex portion 12 formed at the boundary of the gas segment SEg, the space inside the groove 17 is filled with the inert gas. It is configured to stay. In addition, in the present embodiment, the second wall-shaped convex portion 18 and the wall-shaped convex portion 12 located at the boundary on the outer peripheral side in each of the gas segments SEg forming the above-mentioned outermost peripheral gas annular portion CPg. It is formed continuously.

このような構成の第２実施形態の静電チャック１００では、溝用ガス噴出流路１３５の開口を介して、溝１７内の空間に対して、個別に設定された供給量や供給圧力で不活性ガスを供給することができる。そのため、第２実施形態の静電チャック１００によれば、溝１７が形成された位置においてもセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１とウェハＷとの間の伝熱性を制御することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。   In the electrostatic chuck 100 of the second embodiment having such a configuration, the supply amount and the supply pressure individually set to the space in the groove 17 are not provided via the opening of the groove gas ejection passage 135. An active gas can be supplied. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, it is possible to control the heat transfer property between the suction surface S11 of the ceramic member 10 and the wafer W even at the position where the groove 17 is formed, and the ceramic member 10 can be controlled. It is possible to effectively improve the controllability of the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11.

また、第２実施形態の静電チャック１００によれば、例えば、溝１７内の空間の圧力を各ガス用セグメントＳＥｇに対応する小空間ＳＰｓの圧力より僅かに高くする等して、複数のガス用セグメントＳＥｇに対応する複数の小空間ＳＰｓのそれぞれについて、ヘリウムガスの流量と流れ方向を測定し、流量がゼロになるように、ヘリウムガスの供給量や供給圧力を制御することにより、各小空間ＳＰｓにおける不活性ガスの状態（圧力や流量）を容易に制御することができるため、各ガス用セグメントＳＥｇについてウェハＷとの間の伝熱性を容易に制御することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。   In addition, according to the electrostatic chuck 100 of the second embodiment, for example, the pressure of the space in the groove 17 is set to be slightly higher than the pressure of the small space SPs corresponding to each gas segment SEg, and the plurality of gases can be obtained. For each of the plurality of small spaces SPs corresponding to the application segment SEg, the flow rate and flow direction of the helium gas are measured, and the supply amount and the supply pressure of the helium gas are controlled so that the flow rate becomes zero. Since the state (pressure and flow rate) of the inert gas in the space SPs can be easily controlled, the heat transfer between the gas segment SEg and the wafer W can be easily controlled, and the ceramic member 10 can be easily controlled. The controllability of the temperature distribution of the wafer W held on the suction surface S11 can be effectively improved.

Ｃ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。 C. Modification:
The technique disclosed in this specification is not limited to the above-described embodiment, and can be modified into various forms without departing from the gist thereof, for example, the following modifications are also possible.

上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、セラミックス部材１０が、外周に沿って上側に切り欠きが形成された部分である外周部ＯＰと、外周部ＯＰの内側に位置する内側部ＩＰとから構成されているが、セラミックス部材１０に切り欠きが形成されておらず、セラミックス部材１０のＺ軸方向の厚さが全体にわたって一様であるとしてもよい。   The configuration of the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example, and can be variously modified. For example, in the above-described embodiment, the ceramic member 10 is composed of the outer peripheral portion OP, which is a portion in which the notch is formed on the upper side along the outer periphery, and the inner portion IP located inside the outer peripheral portion OP. The ceramic member 10 may have no notch and the thickness of the ceramic member 10 in the Z-axis direction may be uniform throughout.

また、上記実施形態では、ドライバ５１のＺ軸方向における位置に関し、ドライバ５１の全体が同一位置にある（すなわち、ドライバ５１が単層構成である）としているが、ドライバ５１の一部が異なる位置にある（すなわち、ドライバ５１が複数層構成である）としてもよい。また、上記実施形態では、各ヒータ電極５００はドライバ５１を介して給電端子７２に電気的に接続されているが、各ヒータ電極５００がドライバ５１を介さずに給電端子７２に電気的に接続されるとしてもよい。   Further, in the above embodiment, with respect to the position of the driver 51 in the Z-axis direction, it is assumed that the entire driver 51 is at the same position (that is, the driver 51 has a single-layer structure), but a part of the driver 51 is at a different position. (That is, the driver 51 has a multi-layered structure). In addition, in the above embodiment, each heater electrode 500 is electrically connected to the power supply terminal 72 via the driver 51, but each heater electrode 500 is electrically connected to the power supply terminal 72 without the driver 51. You may say.

また、上記実施形態におけるヒータ用セグメントＳＥｈおよびガス用セグメントＳＥｇの設定態様（セグメントの個数や、個々のセグメントの形状等）は、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、静電チャック１００の内側部ＩＰの全体が複数のヒータ用セグメントＳＥｈおよびガス用セグメントＳＥｇに仮想的に分割されているが、静電チャック１００の内側部ＩＰの一部分のみが複数のヒータ用セグメントＳＥｈおよびガス用セグメントＳＥｇに仮想的に分割されていてもよい。   Further, the setting mode of the heater segment SEh and the gas segment SEg (the number of segments, the shape of each segment, etc.) in the above-described embodiment can be variously modified. For example, in the above embodiment, the entire inner part IP of the electrostatic chuck 100 is virtually divided into a plurality of heater segments SEh and gas segments SEg, but only a part of the inner part IP of the electrostatic chuck 100. May be virtually divided into a plurality of heater segments SEh and gas segments SEg.

また、上記実施形態では、Ｚ軸方向視で、周方向ＣＤおよび径方向ＲＤに隣り合う２つのガス用セグメントＳＥｇの境界の位置に、該境界に略平行に延びる溝１７を挟んで隣り合う２つの壁状凸部１２が形成されているが、該境界の内の少なくとも一部において、１つのみの壁状凸部１２が形成されているとしてもよい。   Further, in the above embodiment, when viewed in the Z-axis direction, two gas segments SEg adjacent to each other in the circumferential direction CD and the radial direction RD are adjacent to each other with a groove 17 extending substantially parallel to the boundary therebetween. Although one wall-shaped protrusion 12 is formed, only one wall-shaped protrusion 12 may be formed in at least a part of the boundary.

また、上記実施形態では、複数のガス用環状部分ＣＰｇのうち、一のガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数は、該一のガス用環状部分ＣＰｇより吸着面Ｓ１１の中心点ＣＰに近い他のガス用環状部分ＣＰｇを構成するガス用セグメントＳＥｇの個数より多いとしてるが、両者の個数の関係が反対であったり、両者の個数が互いに同一であったりしてもよい。   Further, in the above embodiment, the number of gas segments SEg forming one gas annular portion CPg among the plurality of gas annular portions CPg is determined by the center point of the adsorption surface S11 from the one gas annular portion CPg. Although it is assumed that the number is greater than the number of gas segments SEg forming the other gas annular portion CPg close to CP, the relationship between the numbers may be opposite or the numbers may be the same.

また、上記実施形態では、各ガス用セグメントＳＥｇの境界は、１つまたは複数の連続したヒータ用セグメントＳＥｈにより構成される部分の境界に一致しているが、必ずしも各ガス用セグメントＳＥｇの境界が１つまたは複数の連続したヒータ用セグメントＳＥｈにより構成される部分の境界に一致している必要はない。   Further, in the above embodiment, the boundary of each gas segment SEg coincides with the boundary of the portion constituted by one or a plurality of continuous heater segments SEh, but the boundary of each gas segment SEg is not necessarily the same. It does not have to coincide with the boundary of the portion formed by one or more continuous heater segments SEh.

また、上記第２実施形態では、第２の壁状凸部１８が、最外周側のガス用環状部分ＣＰｇを構成する各ガス用セグメントＳＥｇにおける外周側の境界に位置する壁状凸部１２と連続的に形成されているが、第２の壁状凸部１８が、該壁状凸部１２よりもさらに外周側に独立して形成されていてもよい。   Further, in the second embodiment described above, the second wall-shaped convex portion 18 and the wall-shaped convex portion 12 located at the boundary on the outer peripheral side of each gas segment SEg forming the outermost peripheral gas annular portion CPg. Although formed continuously, the second wall-shaped convex portion 18 may be independently formed further on the outer peripheral side than the wall-shaped convex portion 12.

また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成（例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成）であってもよい。   Further, in the above-described embodiment, each via may be composed of a single via or a group of a plurality of vias. In addition, in the above-described embodiment, each via may have a single-layer structure composed of only a via part, or a multi-layer structure (for example, a structure in which a via part, a pad part, and a via part are stacked). Good.

また、上記実施形態では、セラミックス部材１０の内部に１つのチャック電極４０が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス部材１０の内部に一対のチャック電極４０が設けられた双極方式が採用されてもよい。   Further, in the above-described embodiment, the monopolar method in which one chuck electrode 40 is provided inside the ceramic member 10 is adopted, but the bipolar method in which the pair of chuck electrodes 40 is provided inside the ceramic member 10 is adopted. It may be adopted.

また、上記実施形態の静電チャック１００の各部材（セラミックス部材１０、ベース部材２０、接合部３０、ヒータ電極５００等）の形成材料は、あくまで一例であり、種々変更可能である。   Further, the forming material of each member (ceramic member 10, base member 20, bonding portion 30, heater electrode 500, etc.) of the electrostatic chuck 100 of the above embodiment is merely an example, and can be variously changed.

また、本発明は、静電チャック１００に限らず、セラミックス部材１０とチャック電極４０とを備え、セラミックス部材１０の表面上に対象物を保持する他の保持装置にも適用可能である。   The present invention is not limited to the electrostatic chuck 100, and can be applied to other holding devices that include the ceramic member 10 and the chuck electrode 40 and hold an object on the surface of the ceramic member 10.

１０：セラミックス部材 １１：凹部 １２：壁状凸部 １４：柱状凸部 １６：凹部 １７：溝 １８：第２の壁状凸部 ２０：ベース部材 ２１：冷媒流路 ２２：貫通孔 ３０：接合部 ３２：貫通孔 ４０：チャック電極 ５０：ヒータ電極層 ５１：ドライバ ５３，５４：ビア ７０：給電パッド ７２：給電端子 １００：静電チャック １１０：端子用孔 １３１：ガス供給流路 １３２：ガス噴出流路 １３３：横流路 １３４：凹部 １３５：溝用ガス噴出流路 １３６：横流路 １３８：縦流路 １４０：ピン挿通孔 １６０：充填部材 ５００：ヒータ電極 ５０２：ヒータライン部 ５０４：ヒータパッド部 ＣＤ：周方向 ＣＰ：中心点 ＣＰｇ：ガス用環状部分 ＣＰｈ：ヒータ用環状部分 ＤＬ１：第１の分割線 ＤＬ２：第２の分割線 ＤＬ３：第３の分割線 ＤＬ４：第４の分割線 ＩＰ：内側部 ＯＰ：外周部 ＲＤ：径方向 Ｓ１１：吸着面 Ｓ１２：外周上面 Ｓ１：上面 Ｓ２：下面 Ｓ３：上面 Ｓ４：下面 ＳＥｇ：ガス用セグメント ＳＥｈ：ヒータ用セグメント ＳＰｉ：中間空間 ＳＰｏ：外周空間 ＳＰｓ：小空間 Ｗ：ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: Ceramics member 11: Recessed part 12: Wall-shaped convex part 14: Columnar convex part 16: Recessed part 17: Groove 18: Second wall-shaped convex part 20: Base member 21: Refrigerant flow path 22: Through hole 30: Joined part 32: Through hole 40: Chuck electrode 50: Heater electrode layer 51: Driver 53, 54: Via 70: Power supply pad 72: Power supply terminal 100: Electrostatic chuck 110: Terminal hole 131: Gas supply flow path 132: Gas jet flow Path 133: Horizontal flow path 134: Recess 135: Groove gas ejection flow path 136: Horizontal flow path 138: Vertical flow path 140: Pin insertion hole 160: Filling member 500: Heater electrode 502: Heater line section 504: Heater pad section CD: Circumferential direction CP: center point CPg: annular portion for gas CPh: annular portion for heater DL1: first dividing line DL2: second portion Line DL3: Third dividing line DL4: Fourth dividing line IP: Inner part OP: Outer peripheral part RD: Radial direction S11: Adsorption surface S12: Outer peripheral upper surface S1: Upper surface S2: Lower surface S3: Upper surface S4: Lower surface SEg: Gas Segment SEh: heater segment SPi: intermediate space SPo: outer space SPs: small space W: wafer

Claims (5)

第１の方向に略直交する略円形の第１の表面を有する板状のセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極と、
を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記セラミックス部材の少なくとも一部を、前記第１の方向視で、前記第１の表面の中心点を中心とする同心円状の複数の分割線によって複数のガス用環状部分に仮想的に分割し、さらに、各前記ガス用環状部分を周方向に並ぶ複数の部分に仮想的に分割することにより設定される複数のガス用セグメントのそれぞれの境界に沿って、壁状凸部が前記セラミックス部材の前記第１の表面に形成されており、
前記複数のガス用セグメントのそれぞれに対応する前記第１の表面に個別に開口するガス噴出流路が、前記セラミックス部材の内部に形成されている、
ことを特徴とする保持装置。 A plate-shaped ceramic member having a substantially circular first surface substantially orthogonal to the first direction,
A chuck electrode disposed inside the ceramic member,
And a holding device for holding an object on the first surface of the ceramic member,
At least a part of the ceramic member is virtually divided into a plurality of gas annular portions by a plurality of concentric dividing lines centered on the center point of the first surface in the first direction view, Furthermore, along the respective boundaries of the plurality of gas segments set by virtually dividing each of the gas annular portions into a plurality of portions arranged in the circumferential direction, wall-shaped protrusions are formed on the ceramic member. Is formed on the first surface,
Gas ejection channels that individually open to the first surface corresponding to each of the plurality of gas segments are formed inside the ceramic member.
A holding device characterized by the above. 請求項１に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記周方向に隣り合う２つの前記ガス用セグメントの境界の位置には、前記境界に略平行に延びる溝を挟んで隣り合う２つの前記壁状凸部が形成されており、
前記溝は、前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記セラミックス部材の外周側の空間に連通している、
ことを特徴とする保持装置。 The holding device according to claim 1,
When viewed in the first direction, at the position of the boundary between the two gas segments that are adjacent to each other in the circumferential direction, the two wall-shaped protrusions that are adjacent to each other with a groove extending substantially parallel to the boundary are formed. And
The groove communicates with a space on the outer peripheral side of the ceramic member in a second direction orthogonal to the first direction.
A holding device characterized by the above. 請求項１に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記周方向に隣り合う２つの前記ガス用セグメントの境界の位置には、前記境界に略平行に延びる溝を挟んで隣り合う２つの前記壁状凸部が形成されており、
前記セラミックス部材の内部には、前記溝に開口する溝用ガス噴出流路が形成されており、
前記複数のガス用環状部分のうちの最外周側の前記ガス用環状部分を構成し、かつ、前記周方向に隣り合う２つの前記ガス用セグメントの境界に位置する前記溝に対して外周側に、前記溝内から外周側へのガスの排出を抑止する第２の壁状凸部が前記セラミックス部材の前記第１の表面に形成されている、
ことを特徴とする保持装置。 The holding device according to claim 1,
When viewed in the first direction, at the position of the boundary between the two gas segments that are adjacent to each other in the circumferential direction, the two wall-shaped protrusions that are adjacent to each other with a groove extending substantially parallel to the boundary are formed. And
Inside the ceramic member, a groove gas ejection passage opening to the groove is formed,
Of the plurality of gas annular portions, the outermost circumferential gas annular portion is formed, and on the outer peripheral side with respect to the groove located at the boundary between the two gas segments adjacent in the circumferential direction. A second wall-shaped convex portion that suppresses discharge of gas from the groove to the outer peripheral side is formed on the first surface of the ceramic member,
A holding device characterized by the above. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記複数のガス用環状部分のうち、一の前記ガス用環状部分を構成する前記ガス用セグメントの個数は、前記一のガス用環状部分より前記第１の表面の前記中心点に近い他の前記ガス用環状部分を構成する前記ガス用セグメントの個数より多い、
ことを特徴とする保持装置。 The holding device according to any one of claims 1 to 3,
Of the plurality of gas annular portions, the number of the gas segments constituting one of the gas annular portions is closer to the central point of the first surface than the one gas annular portion. More than the number of the gas segments constituting the gas annular portion,
A holding device characterized by the above. 請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記セラミックス部材の少なくとも一部を、前記第１の方向視で、前記第１の表面の中心点を中心とする同心円状の複数の分割線によって複数のヒータ用環状部分に仮想的に分割し、さらに、各前記ヒータ用環状部分を前記周方向に並ぶ複数の部分に仮想的に分割することにより設定される複数のヒータ用セグメントのそれぞれに配置され、抵抗発熱体により構成されたヒータライン部を有するヒータ電極を備え、
各前記ガス用セグメントの境界は、１つまたは複数の連続した前記ヒータ用セグメントにより構成される部分の境界に一致する、
ことを特徴とする保持装置。 The holding device according to any one of claims 1 to 4, further comprising:
At least a part of the ceramic member is virtually divided into a plurality of heater annular portions by a plurality of concentric dividing lines having a center point of the first surface as a center in the first direction, Further, a heater line portion formed of a resistance heating element is arranged in each of the plurality of heater segments set by virtually dividing each of the heater annular portions into a plurality of portions arranged in the circumferential direction. Equipped with a heater electrode having
The boundary of each gas segment coincides with the boundary of a portion constituted by one or more continuous heater segments,
A holding device characterized by the above.
JP2018201766A 2018-10-26 2018-10-26 holding device Active JP7198629B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018201766A JP7198629B2 (en) 2018-10-26 2018-10-26 holding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018201766A JP7198629B2 (en) 2018-10-26 2018-10-26 holding device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020068350A true JP2020068350A (en) 2020-04-30
JP7198629B2 JP7198629B2 (en) 2023-01-04

Family

ID=70390570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018201766A Active JP7198629B2 (en) 2018-10-26 2018-10-26 holding device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7198629B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021240945A1 (en) * 2020-05-25 2021-12-02 日本碍子株式会社 Electrostatic chuck
WO2022010872A1 (en) * 2020-07-06 2022-01-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved temperature control
WO2022082207A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
WO2023277923A1 (en) * 2021-07-02 2023-01-05 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor for high power rf applications

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7374577B2 (en) 2016-08-15 2023-11-07 株式会社大林組 Concrete measurement method and concrete evaluation method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004282047A (en) * 2003-02-25 2004-10-07 Kyocera Corp Electrostatic chuck
JP2006049468A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Toppan Printing Co Ltd Method and system for dry etching
JP2010521820A (en) * 2007-03-12 2010-06-24 東京エレクトロン株式会社 Dynamic temperature backside gas control to improve process uniformity within the substrate
JP2016014895A (en) * 2004-06-09 2016-01-28 株式会社ニコン Exposure device, exposure method, and device manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004282047A (en) * 2003-02-25 2004-10-07 Kyocera Corp Electrostatic chuck
JP2016014895A (en) * 2004-06-09 2016-01-28 株式会社ニコン Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP2006049468A (en) * 2004-08-03 2006-02-16 Toppan Printing Co Ltd Method and system for dry etching
JP2010521820A (en) * 2007-03-12 2010-06-24 東京エレクトロン株式会社 Dynamic temperature backside gas control to improve process uniformity within the substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021240945A1 (en) * 2020-05-25 2021-12-02 日本碍子株式会社 Electrostatic chuck
WO2022010872A1 (en) * 2020-07-06 2022-01-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved temperature control
WO2022082207A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
US11495483B2 (en) 2020-10-15 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Backside gas leakby for bevel deposition reduction
TWI795030B (en) * 2020-10-15 2023-03-01 美商應用材料股份有限公司 Substrate support assembly and method for bevel deposition reduction
WO2023277923A1 (en) * 2021-07-02 2023-01-05 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor for high power rf applications

Also Published As

Publication number Publication date
JP7198629B2 (en) 2023-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7198629B2 (en) holding device
JP6865145B2 (en) Holding device
JP4929150B2 (en) Electrostatic chuck and substrate temperature control fixing device
KR101929278B1 (en) Electrostatic chuck
KR20160047403A (en) Electrostatic chuck and base member for use in the same
JP2005136104A (en) Electrostatic chuck
JP2023018840A (en) Electrostatic chuck, substrate fixing device, and method for manufacturing electrostatic chuck
JP6650808B2 (en) Holding device
TWI787463B (en) holding device
JP7071130B2 (en) Holding device
JP2020129632A (en) Manufacturing method of holding device
JP5785862B2 (en) Electrostatic chuck and manufacturing method thereof, substrate temperature control fixing device
KR102327461B1 (en) An electrostatic chuck with improved arcing prevention
JP7283872B2 (en) holding device
JP7164979B2 (en) electrostatic chuck
JP7023157B2 (en) Holding device
JP7152926B2 (en) holding device
JP2020102618A (en) Electrostatic chuck
JP2020102619A (en) Electrostatic chuck
JP7240145B2 (en) electrostatic chuck
JP7480876B1 (en) Electrostatic chuck and method of manufacturing same
JP2020009932A (en) Retainer
KR102341865B1 (en) An easily repairable electrostatic chuck
KR102592338B1 (en) Electrostatic chuck with integral porous filter and manufacturing method thereof
JP7409536B1 (en) Electrostatic chuck and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7198629

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150