JP2020061459A

JP2020061459A - Wafer processing method

Info

Publication number: JP2020061459A
Application number: JP2018191707A
Authority: JP
Inventors: 宏行高橋; Hiroyuki Takahashi
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2018-10-10
Filing date: 2018-10-10
Publication date: 2020-04-16

Abstract

To provide a wafer processing method capable of performing plasma etching while holding down costs.SOLUTION: A wafer processing method for dividing a wafer along division schedule lines comprises a protection member arranging step (ST1), a modified layer forming step (ST2), a plasma etching step (ST3), and a function layer cutting step (ST4). The protection member arranging step sticks a base to a functional layer side of a wafer. The modified layer forming step positions a condensing point of a laser beam of a wavelength having permeability to a substrate near the rear surface of the substrate and forms, on the wafer, a modified layer exposed on the rear surface by irradiating the modified layer along the division schedule lines with a laser beam from the rear surface of the wafer. The plasma etching step supplies a plasmatized etching gas to the rear surface side of the wafer holding the base side on a chuck table and removes a region of the substrate including the modified layer and along the division schedule lines by etching the region. The functional layer cutting step divides the functional layer.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、ウェーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。 The present invention relates to a wafer processing method, and more particularly to plasma dicing.

シリコン基板等からなる半導体ウェーハは、個々のデバイスチップに分割するため、切削ブレードやレーザー光線を用いた加工方法が適用されることが知られている。これらの加工方法は、分割予定ライン（ストリート）を１本ずつ加工してウェーハをデバイスチップに分割する。近年の電子機器の小型化からデバイスチップの軽薄短小化、コスト削減が進み、サイズが従来のように１０ｍｍを超えるようなデバイスチップから２ｍｍ以下のようなサイズの小さなデバイスチップが数多く生産されている。サイズの小さなデバイスチップを製造する場合、１枚のウェーハに対する分割予定ラインの数が激増し、１ラインずつの加工では加工時間も長くなってしまう。 It is known that a semiconductor wafer made of a silicon substrate or the like is divided into individual device chips, and thus a processing method using a cutting blade or a laser beam is applied. In these processing methods, the planned dividing lines (streets) are processed one by one to divide the wafer into device chips. Due to the recent miniaturization of electronic devices, lighter, thinner, shorter, and smaller device chips, and cost reductions have progressed, and many device chips with a size of 2 mm or less have been produced from device chips with a size of more than 10 mm as in the past. . When manufacturing a small-sized device chip, the number of lines to be divided into a single wafer is drastically increased, and processing time for each line becomes long.

そこで、ウェーハの分割予定ライン全てを一括で加工するプラズマダイシングという手法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示されたプラズマダイシングは、マスクによって遮蔽された領域以外をプラズマエッチングによって除去し、ウェーハ単位で加工を実施するため、分割予定ラインの本数が多くなっても加工時間が劇的に長くなることがないという効果がある。 Therefore, a technique called plasma dicing has been developed in which all the planned dividing lines of the wafer are collectively processed (for example, refer to Patent Document 1). In the plasma dicing shown in Patent Document 1, the area other than the area shielded by the mask is removed by plasma etching and processing is performed on a wafer-by-wafer basis, so that the processing time is dramatically increased even if the number of planned division lines increases. The effect is that it will not be long.

しかしながら、特許文献１に示されたプラズマダイシングは、エッチングによって除去する領域のみを正確に露出させるために、それぞれのウェーハの分割予定ラインにあった精密なマスクを準備する必要がある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。 However, in the plasma dicing shown in Patent Document 1, it is necessary to prepare a precise mask that matches the planned dividing line of each wafer in order to accurately expose only the region to be removed by etching (for example, Patent Document 1). Reference 2 and Patent Reference 3).

特開２００６−１１４８２５号公報JP, 2006-114825, A 特開２０１３−０５５１２０号公報JP, 2013-055120, A 特開２０１４−１９９８３３号公報JP, 2014-199833, A

しかしながら、特に、特許文献２及び特許文献３に示されたマスクは、製造コスト及び製造工数の抑制、マスクを位置合わせする技術の確立など、切削加工等に比べてコストが高く難易度の高い課題が残されていた。 However, in particular, the masks disclosed in Patent Documents 2 and 3 have a higher cost and a higher degree of difficulty than cutting processes, such as the suppression of manufacturing cost and the number of manufacturing steps, and the establishment of a technique for aligning the mask. Was left.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a wafer processing method capable of performing plasma etching while suppressing costs.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該基板の裏面付近に位置付け、ウェーハの裏面から該分割予定ラインに沿って該レーザー光線を照射し、裏面に表出する改質層又は基板の内部の改質層から延びたクラックをウェーハに形成する改質層形成ステップと、チャックテーブルで該保護部材側を保持したウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該改質層又は基板の内部の改質層から延びたクラックを含む該分割予定ラインに沿った基板の領域をエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップを実施した後に、該機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から露出した該機能層に照射し、分割予定ラインに沿って該機能層を分割する機能層分割ステップと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and to achieve the object, a wafer processing method of the present invention is a wafer in which a functional layer is laminated on a surface of a substrate to divide a wafer into a plurality of devices. A method of processing a wafer which is divided along a predetermined line, comprising a protective member disposing step of disposing a protective member on the functional layer side of the surface of the wafer, and a laser beam having a wavelength transparent to the substrate. The focal point of is located near the back surface of the substrate, the laser beam is irradiated from the back surface of the wafer along the dividing line, and the crack extends from the modified layer exposed on the back surface or the modified layer inside the substrate. Forming a modified layer on the wafer, and supplying an etching gas in a plasma state to the back surface side of the wafer holding the protective member side by a chuck table to form the inside of the modified layer or the substrate. A plasma etching step of etching and removing a region of the substrate along the planned dividing line including a crack extending from the modified layer, and a wavelength having an absorptivity for the functional layer after the plasma etching step is performed. Irradiating the laser beam on the functional layer exposed from the back surface side of the wafer, and dividing the functional layer along the division line, the functional layer dividing step.

前記ウェーハの加工方法おいて、該プラズマエッチングステップでは、該ウェーハを収容する真空チャンバーの外部でプラズマ状態にしたエッチングガスを供給管路を経由して該真空チャンバーに供給しても良い。 In the wafer processing method, in the plasma etching step, an etching gas in a plasma state outside the vacuum chamber accommodating the wafer may be supplied to the vacuum chamber via a supply pipeline.

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備えても良い。 The wafer processing method may further include a preliminary grinding step of previously grinding the back surface of the wafer before the plasma etching step.

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を仕上げ厚さまで研削する仕上げ研削ステップと、を備えても良い。 The wafer processing method may further include a finish grinding step of grinding the back surface of the wafer to a finish thickness after the plasma etching step.

本願発明のウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるという効果を奏する。 The wafer processing method of the present invention has an effect that plasma etching can be performed while suppressing cost.

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment. 図３は、図２に示すウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、ウェーハの機能層側と基台上の接着材とを対向させた状態を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the functional layer side of the wafer and the adhesive on the base are opposed to each other in the protective member disposing step of the wafer processing method shown in FIG. 図４は、図２に示すウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、ウェーハの機能層に基台を貼着した状態を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a state in which the base is attached to the functional layer of the wafer in the protective member disposing step of the wafer processing method shown in FIG. 図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a modified layer forming step of the wafer processing method shown in FIG. 2 in a partial cross section. 図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the modified layer forming step of the wafer processing method shown in FIG. 図７は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of an etching apparatus used in the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. 図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ中のウェーハの要部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer during the plasma etching step of the method for processing a wafer shown in FIG. 図９は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer after the plasma etching step of the method for processing a wafer shown in FIG. 図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a functional layer cutting step of the wafer processing method shown in FIG. 図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the step of cutting the functional layer of the method for processing a wafer shown in FIG. 図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。FIG. 12 is a side sectional view showing a finish grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of the wafer after the die attach film attaching step of the wafer processing method shown in FIG. 図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer after the die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１６は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 16 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the second embodiment. 図１７は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。FIG. 17 is a side sectional view showing a preliminary grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１８は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the pre-grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１９は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の改質層形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of the main part of the wafer after the modified layer forming step of the wafer processing method according to the third embodiment.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 Modes (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the embodiments below. Further, the constituent elements described below include those that can be easily conceived by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be appropriately combined. Further, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 [Embodiment 1]
A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の表面３に機能層４が積層されて複数のデバイス５が形成されている。機能層４は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を含む。機能層４は、基板２の表面３に積層されている。 The wafer processing method according to the first embodiment is the wafer 1 processing method shown in FIG. In the first embodiment, the wafer 1 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having the substrate 2 made of silicon, sapphire, gallium arsenide, or the like. As shown in FIG. 1, the wafer 1 has a plurality of devices 5 formed by laminating a functional layer 4 on a surface 3 of a substrate 2. The functional layer 4 includes a low dielectric constant insulating film (Low-k film) made of an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB) or an organic film such as a polyimide or parylene polymer film. The functional layer 4 is laminated on the surface 3 of the substrate 2.

デバイス５は、表面３の交差する複数の分割予定ライン６で区画された各領域にそれぞれ形成されている。即ち、分割予定ライン６は、複数のデバイス５を区画するものである。デバイス５を構成する回路は、機能層４により形成されている。なお、実施形態１において、デバイス５は、切削加工によりウェーハ１から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさであり、プラズマエッチング（プラズマダイシングともいう）により個々に分割されるのに好適なものである。また、ウェーハ１は、分割予定ライン６の少なくとも一部において、機能層４側に図示しない金属膜とＴＥＧ（Test Element Group）とのうち少なくとも一方が形成されてもいい。ＴＥＧは、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。 The device 5 is formed in each area of the surface 3 which is divided by a plurality of planned dividing lines 6. That is, the planned dividing line 6 divides the plurality of devices 5. The circuit forming the device 5 is formed by the functional layer 4. In the first embodiment, the device 5 is smaller than the device divided from the wafer 1 by cutting, and has a size of, for example, about 1 mm × 1 mm, and is individually processed by plasma etching (also referred to as plasma dicing). It is suitable for being divided. In addition, at least one of a metal film (not shown) and a TEG (Test Element Group) may be formed on the functional layer 4 side in at least a part of the planned dividing line 6 of the wafer 1. The TEG is an evaluation element for finding a design or manufacturing problem that occurs in the device 5.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１を分割予定ライン６に沿って個々のデバイス５に分割するとともに、デバイス５を仕上げ厚さ１００まで薄化する方法である。ウェーハの加工方法は、図２に示すように、保護部材配設ステップＳＴ１と、改質層形成ステップＳＴ２と、プラズマエッチングステップＳＴ３と、機能層切断ステップＳＴ４と、仕上げ研削ステップＳＴ５と、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７とを備える。 The wafer processing method according to the first embodiment is a method of dividing the wafer 1 into individual devices 5 along a dividing line 6 and thinning the devices 5 to a finished thickness of 100. As shown in FIG. 2, the wafer processing method includes a protective member disposing step ST1, a modified layer forming step ST2, a plasma etching step ST3, a functional layer cutting step ST4, a finish grinding step ST5, and a die attach step. A film attaching step ST6 and a die attach film dividing step ST7 are provided.

（保護部材配設ステップ）
図３は、図２に示すウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、ウェーハの機能層側と基台上の接着材とを対向させた状態を示す斜視図である。図４は、図２に示すウェーハの加工方法の保護部材配設ステップにおいて、ウェーハの機能層に基台を貼着した状態を示す斜視図である。 (Protection member installation step)
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the functional layer side of the wafer and the adhesive on the base are opposed to each other in the protective member disposing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 4 is a perspective view showing a state in which the base is attached to the functional layer of the wafer in the protective member disposing step of the wafer processing method shown in FIG.

保護部材配設ステップＳＴ１は、ウェーハ１の基板２の表面３の機能層４側に保護部材である基台２００を貼着するステップである。なお、実施形態１において、基台２００は、伸縮量が所定以下であり、好ましくは、基台２００の外縁の一部等を支持した際に、基台２００上に貼着されたウェーハ１を合わせた自重などにより、基台２００が所定以上変形することなく、平坦な面上に載置された時と類似の形状を維持できる程度の剛性を有するものであるが、本発明では、保護部材は、基台２００に限定されない。実施形態１において、基台２００は、外径がウェーハ１の外径以上の円板状に形成され、ガラスからなるガラス基板、セラミックスからなるセラミックス基板、樹脂からなる樹脂プレートのいずれかである。また、実施形態１において、基台２００の表面は、図３に示すように、ＵＶ（紫外）線、熱、電界及び化学剤の少なくとも一つの外的刺激によって硬化して粘着力が減少する接着材２０１が全体に塗布される。なお、接着材２０１が、外的刺激である紫外線が照射されて硬化するものである場合には、基台２００は、透光性を有するように透明又は半透明な材料で構成されるのが望ましい。 The protective member disposing step ST1 is a step of adhering a base 200 which is a protective member to the surface 3 of the substrate 2 of the wafer 1 on the functional layer 4 side. In the first embodiment, the base 200 has an amount of expansion and contraction of not more than a predetermined value, and preferably, when supporting a part of the outer edge of the base 200 or the like, the wafer 1 attached to the base 200 is Although the base 200 is rigid enough to maintain a shape similar to that when it is placed on a flat surface without being deformed more than a predetermined amount due to its own weight or the like, the protection member is used in the present invention. Is not limited to the base 200. In the first embodiment, the base 200 is formed in a disk shape having an outer diameter equal to or larger than the outer diameter of the wafer 1, and is either a glass substrate made of glass, a ceramic substrate made of ceramics, or a resin plate made of resin. Also, in the first embodiment, as shown in FIG. 3, the surface of the base 200 is cured by an external stimulus of at least one of UV (ultraviolet) rays, heat, an electric field, and a chemical agent to reduce the adhesive strength. The material 201 is applied to the entire surface. When the adhesive material 201 is one that is cured by being irradiated with an ultraviolet ray that is an external stimulus, the base 200 is made of a transparent or semitransparent material so as to have a light transmitting property. desirable.

実施形態１において、保護部材配設ステップＳＴ１では、図３に示すように、ウェーハ１の基板２の表面３に積層された機能層４と、基板２に塗布された接着材２０１とを対向させる。実施形態１において、保護部材配設ステップＳＴ１では、図４に示すように、接着材２０１に機能層４を貼着して、基台２００は、接着材２０１でウェーハ１に貼着される。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の機能層４側に基台２００を貼着すると、改質層形成ステップＳＴ２に進む。なお、実施形態１において、保護部材配設ステップＳＴ１では、ウェーハ１の機能層４側に基台２００を貼着したが、本発明は、環状フレームの開口にテープでウェーハ１が支持されるフレームユニットを構成しても良い。 In the first embodiment, in the protective member disposing step ST1, as shown in FIG. 3, the functional layer 4 laminated on the surface 3 of the substrate 2 of the wafer 1 and the adhesive 201 applied to the substrate 2 are opposed to each other. . In the first embodiment, in the protection member disposing step ST1, as shown in FIG. 4, the functional layer 4 is attached to the adhesive 201, and the base 200 is attached to the wafer 1 with the adhesive 201. In the wafer processing method, when the base 200 is attached to the functional layer 4 side of the wafer 1, the process proceeds to a modified layer forming step ST2. In the first embodiment, in the protection member disposing step ST1, the base 200 is attached to the functional layer 4 side of the wafer 1, but the present invention is a frame in which the wafer 1 is supported by the tape in the opening of the annular frame. You may comprise a unit.

（改質層形成ステップ）
図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 (Reforming layer forming step)
FIG. 5 is a side view showing a modified layer forming step of the wafer processing method shown in FIG. 2 in a partial cross section. FIG. 6 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the modified layer forming step of the wafer processing method shown in FIG.

改質層形成ステップＳＴ２は、ウェーハ１の基板２に対して透過性を有する波長のレーザー光線１１の集光点１１−１を基板２の内部の裏面７付近に位置付け、ウェーハ１の裏面７から分割予定ライン６に沿ってレーザー光線１１を照射するステップである。また、実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ２は、裏面７に表出する改質層３００をウェーハ１の基板２の内部に形成するステップである。なお、改質層３００とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態１では、改質層３００の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。 In the modified layer forming step ST2, the condensing point 11-1 of the laser beam 11 having a wavelength that is transparent to the substrate 2 of the wafer 1 is positioned in the vicinity of the back surface 7 inside the substrate 2 and divided from the back surface 7 of the wafer 1. This is a step of irradiating the laser beam 11 along the scheduled line 6. In the first embodiment, the modified layer forming step ST2 is a step of forming the modified layer 300 exposed on the back surface 7 inside the substrate 2 of the wafer 1. The modified layer 300 means a region in which the density, the refractive index, the mechanical strength, and other physical properties are different from those in the surroundings, and includes a melt-processed region, a crack region, and a dielectric breakdown region. , A refractive index changing region, and a region in which these regions are mixed can be exemplified. In the first embodiment, the mechanical strength of the modified layer 300 is lower than the surrounding mechanical strength.

実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ２では、図５に示すように、レーザー加工装置１０のチャックテーブル１３の保持面１４に基台２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。改質層形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０の図示しない赤外線カメラがウェーハ１の裏面７を撮像して分割予定ライン６を検出し、ウェーハ１とレーザー光線１１を照射するレーザー光線照射ユニット１２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。 In Embodiment 1, in the modified layer forming step ST2, as shown in FIG. 5, the functional layer 4 side of the wafer 1 is suction-held on the holding surface 14 of the chuck table 13 of the laser processing apparatus 10 via the base 200. . In the modified layer forming step ST2, an infrared camera (not shown) of the laser processing apparatus 10 images the back surface 7 of the wafer 1 to detect the planned dividing line 6, and the position of the wafer 1 and the laser beam irradiation unit 12 which irradiates the laser beam 11. Carry out alignment.

改質層形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、図５に示すように、ウェーハ１とレーザー光線照射ユニット１２とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット１２から基板２に対して透過性を有する波長のレーザー光線１１の集光点１１−１を基板２の内部の裏面７付近に設定して、レーザー光線５１をウェーハ１の裏面７側から照射する。改質層形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、図６に示すように、分割予定ライン６に沿って基板２の内部に改質層３００を形成する。 In the modified layer forming step ST2, as shown in FIG. 5, the laser processing apparatus 10 moves the wafer 1 and the laser beam irradiation unit 12 relative to each other along the dividing line 6 while moving the laser beam irradiation unit 12 to the substrate 2. The condensing point 11-1 of the laser beam 11 having a wavelength having a transmissive property is set near the back surface 7 inside the substrate 2, and the laser beam 51 is irradiated from the back surface 7 side of the wafer 1. In the modified layer forming step ST2, the laser processing apparatus 10 forms the modified layer 300 inside the substrate 2 along the planned dividing line 6 as shown in FIG.

実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、例えば、図５に示す点線で示す位置から実線で示す位置に向かってチャックテーブル１３に対してレーザー光線照射ユニット１２を各分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線１１をウェーハ１の分割予定ライン６に照射する。また、実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、レーザー光線１１の集光点１１−１を、改質層３００が裏面７側に表出する位置に設定する。実施形態１では、改質層３００が裏面７側に表出する位置は、裏面７付近の位置である。なお、実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、各分割予定ライン６において、ウェーハ１とレーザー光線照射ユニット１２とを分割予定ライン６に沿って相対的に複数回移動させながらレーザー光線１１を照射するが、本発明では、各分割予定ライン６においてウェーハ１とレーザー光線照射ユニット１２とを相対的に移動させる回数は、実施形態１の回数に限定されない。ウェーハ１とレーザー光線照射ユニット１２とを相対的に複数回移動させる場合、集光点１１−１の位置を回数を重ねるにつれ高い位置（裏面７に近い位置）に設定し複数層の改質層３００を形成するのが好ましい。ウェーハの加工方法は、図６に示すように、全ての分割予定ライン６において裏面７側に表出した改質層３００を形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ３に進む。 In the modified layer forming step ST2 in the first embodiment, the laser processing apparatus 10 divides the laser beam irradiation unit 12 into the chuck table 13 from the position indicated by the dotted line to the position indicated by the solid line in FIG. 5, for example. The dividing line 6 of the wafer 1 is irradiated with the laser beam 11 while moving relatively along the planned line 6. Further, in the first embodiment, in the modified layer forming step ST2, the laser processing device 10 sets the converging point 11-1 of the laser beam 11 at a position where the modified layer 300 is exposed on the back surface 7 side. In the first embodiment, the position where the modified layer 300 is exposed on the back surface 7 side is a position near the back surface 7. In the modified layer forming step ST2 in the first embodiment, the laser processing apparatus 10 moves the wafer 1 and the laser beam irradiation unit 12 relative to each other on the planned dividing line 6 a plurality of times along the planned dividing line 6. Although the laser beam 11 is emitted while the laser beam 11 is being moved, the number of times of relatively moving the wafer 1 and the laser beam irradiation unit 12 in each planned dividing line 6 is not limited to the number of times of the first embodiment. When the wafer 1 and the laser beam irradiation unit 12 are moved a plurality of times relative to each other, the position of the condensing point 11-1 is set to a higher position (a position closer to the back surface 7) as the number of times increases, and a plurality of modified layers 300 are formed. Are preferably formed. As shown in FIG. 6, the wafer processing method proceeds to plasma etching step ST3 after forming the modified layer 300 exposed on the back surface 7 side in all the planned dividing lines 6.

（プラズマエッチングステップ）
図７は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ中のウェーハの要部の断面図である。図９は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。 (Plasma etching step)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of an etching apparatus used in the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer during the plasma etching step of the method for processing a wafer shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer after the plasma etching step of the method for processing a wafer shown in FIG.

プラズマエッチングステップＳＴ３は、図７に示すエッチング装置２０の真空チャンバー２５内のチャックテーブル２１で基台２００側を保持したウェーハ１の裏面７側にプラズマ状態のエッチングガス４００（図８に示す）を供給して、裏面７に表出した改質層３００を含む分割予定ライン６に沿った基板２の領域をエッチングして除去し、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するステップである。プラズマエッチングステップＳＴ３で用いられるエッチング装置２０は、電極に高周波電力を印加してウェーハ１を収容した密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマ状態にするものではなく、プラズマ状態のエッチングガス４００を真空チャンバー２５内のウェーハ１を収容した密閉空間２７に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置である。 In the plasma etching step ST3, a plasma state etching gas 400 (shown in FIG. 8) is applied to the back surface 7 side of the wafer 1 holding the base 200 side by the chuck table 21 in the vacuum chamber 25 of the etching apparatus 20 shown in FIG. This is a step of supplying and etching to remove the region of the substrate 2 along the planned dividing line 6 including the modified layer 300 exposed on the back surface 7 and dividing the substrate 2 along the planned dividing line 6. The etching apparatus 20 used in the plasma etching step ST3 does not apply the high frequency power to the electrodes to bring the etching gas and the like into the plasma state in the closed space in which the wafer 1 is housed, but the etching gas 400 in the plasma state is used in the vacuum chamber. 25 is a remote plasma type plasma etching apparatus for introducing a wafer 1 in a closed space 27 into a closed space 27.

プラズマエッチングステップＳＴ３では、エッチング装置２０の制御ユニット２２が、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を図７中の下方に移動させ、真空チャンバー２５の開口２６を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって改質層形成ステップＳＴ２が実施されたウェーハ１を開口２６を通して真空チャンバー２５内の密閉空間２７に搬送し、下部電極２８を構成する被加工物保持部２９のチャックテーブル２１（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic chuck）上に基台２００を介してウェーハ１の機能層４側を載置する。制御ユニット２２は、被加工物保持部２９内に設けられた電極３２，３３に電力を印加してチャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持する。 In the plasma etching step ST3, the control unit 22 of the etching apparatus 20 operates the gate operating unit 23 to move the gate 24 downward in FIG. 7, and opens the opening 26 of the vacuum chamber 25. Next, the wafer 1 on which the modified layer forming step ST2 has been carried out by a carry-in / out means (not shown) is transferred to the closed space 27 in the vacuum chamber 25 through the opening 26, and the workpiece holder 29 constituting the lower electrode 28 is processed. The functional layer 4 side of the wafer 1 is placed on the chuck table 21 (electrostatic chuck, ESC: Electrostatic chuck) via the base 200. The control unit 22 applies electric power to the electrodes 32 and 33 provided in the workpiece holder 29 to suck and hold the wafer 1 on the chuck table 21.

制御ユニット２２は、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を上方に移動させ、真空チャンバー２５の開口２６を閉じる。 The control unit 22 operates the gate operating unit 23 to move the gate 24 upward, and closes the opening 26 of the vacuum chamber 25.

制御ユニット２２は、ガス排出ユニット３５を作動して真空チャンバー２５内の密閉空間２７を真空排気して、図示しない不活性ガス供給ユニットを作動して配管４５を通して密閉空間２７内に不活性ガスを供給し、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させて下部電極２８内に設けられた冷媒導入通路３７、冷却通路３８及び冷媒排出通路３９に冷媒であるヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。なお、不活性ガス供給ユニットが供給する不活性ガスは、アルゴンガス（Ａｒ）、ヘリウムガス（Ｈｅ）等の希ガスや、希ガスに窒素ガス（Ｎ_２）、又は水素ガス（Ｈ_２）等を混合した混合ガス等で構成することができる。 The control unit 22 operates the gas discharge unit 35 to evacuate the closed space 27 in the vacuum chamber 25, and operates an inert gas supply unit (not shown) to supply the inert gas into the closed space 27 through the pipe 45. The refrigerant is supplied to maintain the pressure of the closed space 27 at a predetermined pressure and operate the refrigerant supply unit 36 to supply the refrigerant to the refrigerant introduction passage 37, the cooling passage 38, and the refrigerant discharge passage 39 provided in the lower electrode 28. Circulating helium gas suppresses abnormal temperature rise of the lower electrode 28. The inert gas supplied by the inert gas supply unit is a rare gas such as argon gas (Ar) or helium gas (He), or nitrogen gas (N ₂ ) or hydrogen gas (H ₂ ) in the rare gas. Can be composed of a mixed gas or the like.

次に、制御ユニット２２は、真空チャンバー２５の上壁に貫通した供給管路４６に接続したエッチングガス供給ユニット４０を作動するとともに、供給管路４６内を流れるエッチングガスに高周波電力を加えるための電極４７に高周波電源４２からプラズマ状態のエッチングガス４００を生成する高周波電力を印加する。すると、プラズマ状態のエッチングガス４００が、供給管路４６内で発生し、このプラズマ状態のエッチングガス４００は、供給管路４６から密閉空間２７に供給されるとともに真空チャンバー２５の上壁に取り付けられた分散部材４８により分散される。 Next, the control unit 22 operates the etching gas supply unit 40 connected to the supply pipe line 46 penetrating the upper wall of the vacuum chamber 25, and at the same time, applies high frequency power to the etching gas flowing in the supply pipe line 46. High frequency power for generating the etching gas 400 in the plasma state is applied to the electrode 47 from the high frequency power supply 42. Then, the etching gas 400 in the plasma state is generated in the supply pipe line 46, and the etching gas 400 in the plasma state is supplied from the supply pipe line 46 to the closed space 27 and attached to the upper wall of the vacuum chamber 25. It is dispersed by the dispersion member 48.

プラズマエッチングステップＳＴ３では、プラズマ状態のエッチングガス４００がウェーハ１の裏面７に供給されるとともに改質層３００のように狭い隙間にも入り込む。プラズマエッチングステップＳＴ３では、プラズマ状態のエッチングガス４００がウェーハ１の裏面７、及び改質層３００の内部をエッチングして、改質層３００を含む領域が除去され図９に示す溝３０１を形成するとともに、溝３０１の幅を広げ、溝３０１を基板２の表面３に向かって進行させる。このように、プラズマエッチングステップＳＴ３では、エッチング装置２０によって、ウェーハ１を収容する真空チャンバー２５の外部でプラズマ状態にしたエッチングガス４００を、供給管路４６を経由して真空チャンバー２５に供給して、ウェーハ１をプラズマエッチングする。 In the plasma etching step ST3, the etching gas 400 in the plasma state is supplied to the back surface 7 of the wafer 1 and also enters a narrow gap such as the modified layer 300. In the plasma etching step ST3, the etching gas 400 in the plasma state etches the back surface 7 of the wafer 1 and the inside of the modified layer 300, and the region including the modified layer 300 is removed to form the groove 301 shown in FIG. At the same time, the width of the groove 301 is increased and the groove 301 is advanced toward the surface 3 of the substrate 2. As described above, in the plasma etching step ST3, the etching apparatus 20 supplies the etching gas 400, which is in a plasma state outside the vacuum chamber 25 housing the wafer 1, to the vacuum chamber 25 via the supply pipeline 46. , The wafer 1 is plasma-etched.

プラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２は、溝３０１の深さやウェーハ１の厚さに応じて、ウェーハ１をプラズマエッチングする所定時間が予め設定されている。プラズマエッチングステップＳＴ３において、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ１は、図９に示すように、裏面７全体がエッチングされて、厚さ１０１分薄化されている。また、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ１は、図９に示すように、溝３０１の底に残存する基板２がエッチングされ除去され、溝３０１が機能層４に到達している。ウェーハ１は、基板２が溝３０１により分割され、溝３０１内に機能層４が露出して、溝３０１の底に機能層４が残っている。また、実施形態１において、プラズマエッチングステップＳＴ３において形成される溝３０１は、裏面７から表面３に向かうにしたがって幅が徐々に狭く形成されている。ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３を終了すると、基台２００に保持された状態のままウェーハ１を真空チャンバー２５から搬出し、機能層切断ステップＳＴ４に進む。なお、図９は、プラズマエッチングステップＳＴ３後のウェーハ１が溝３０１の底の基板２を除去している例を示しているが、本発明では、溝３０１の底に僅かに基板２が残っていても良い。 In the plasma etching step ST3, the control unit 22 presets a predetermined time for plasma etching the wafer 1 according to the depth of the groove 301 and the thickness of the wafer 1. In the plasma etching step ST3, the wafer 1 that has been plasma-etched for a predetermined time has the entire back surface 7 etched to be thinned by a thickness of 101 as shown in FIG. In the wafer 1 plasma-etched for a predetermined time, as shown in FIG. 9, the substrate 2 remaining on the bottom of the groove 301 is etched and removed, and the groove 301 reaches the functional layer 4. In the wafer 1, the substrate 2 is divided by the groove 301, the functional layer 4 is exposed in the groove 301, and the functional layer 4 remains at the bottom of the groove 301. Further, in the first embodiment, the width of the groove 301 formed in the plasma etching step ST3 is gradually narrowed from the back surface 7 toward the front surface 3. In the wafer processing method, when the plasma etching step ST3 is completed, the wafer 1 is unloaded from the vacuum chamber 25 while being held on the base 200, and proceeds to the functional layer cutting step ST4. Although FIG. 9 shows an example in which the wafer 1 after the plasma etching step ST3 has removed the substrate 2 at the bottom of the groove 301, in the present invention, the substrate 2 is slightly left at the bottom of the groove 301. May be.

（機能層切断ステップ）
図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 (Functional layer cutting step)
FIG. 10 is a sectional view showing a functional layer cutting step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the step of cutting the functional layer of the method for processing a wafer shown in FIG.

機能層切断ステップＳＴ４は、プラズマエッチングステップＳＴ３を実施した後に、図１０に示すレーザー加工装置５０のチャックテーブル５３の保持面５４でウェーハ１の基台２００側を保持し、機能層４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線５１の集光点５１−１をエッチングした溝３０１の底に位置づけて、レーザー光線１１をウェーハ１の裏面７側から露出した機能層４に照射し、分割予定ライン６に沿って機能層４を溝３０１に沿って切断するステップである。 In the functional layer cutting step ST4, after performing the plasma etching step ST3, the base surface 200 side of the wafer 1 is held by the holding surface 54 of the chuck table 53 of the laser processing apparatus 50 shown in FIG. The condensing point 51-1 of the laser beam 51 having an absorptive wavelength is positioned at the bottom of the etched groove 301, and the functional layer 4 exposed from the back surface 7 side of the wafer 1 is irradiated with the laser beam 11 to form the dividing line 6. A step of cutting the functional layer 4 along the groove 301.

機能層切断ステップＳＴ４では、レーザー加工装置５０が、チャックテーブル５３の保持面５４に基台２００を介してウェーハ１の機能層４側を保持し、図１０に示すように、レーザー光線照射ユニット５２とチャックテーブル５３とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット５２から機能層４に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線５１の集光点５１−１を溝３０１の底に露出した機能層４に設定して、レーザー光線５１を機能層４に照射する。機能層切断ステップＳＴ４では、各分割予定ライン６において、溝３０１の底で露出した機能層４にアブレーション加工を施して、溝３０１の底で露出した機能層４を切断して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する。なお、機能層切断ステップＳＴ４では、図示しない分割予定ライン６に形成された金属膜やＴＥＧも分割する。ウェーハの加工方法は、図１１に示すように、全ての分割予定ライン６において溝３０１の底で露出した機能層４を分割すると、仕上げ研削ステップＳＴ５に進む。 In the functional layer cutting step ST4, the laser processing apparatus 50 holds the functional layer 4 side of the wafer 1 on the holding surface 54 of the chuck table 53 via the base 200, and as shown in FIG. While moving the chuck table 53 relatively along the planned dividing line 6, the condensing point 51-1 of the laser beam 51 having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity for the functional layer 4 from the laser beam irradiation unit 52 is set. The functional layer 4 exposed at the bottom of the groove 301 is set, and the functional layer 4 is irradiated with the laser beam 51. In the functional layer cutting step ST4, the ablation process is performed on the functional layer 4 exposed at the bottom of the groove 301 in each planned dividing line 6, and the functional layer 4 exposed at the bottom of the groove 301 is cut, so that the wafer 1 is individually cut. The device 5 is divided. In the functional layer cutting step ST4, the metal film and TEG formed on the planned dividing line 6 (not shown) are also divided. As shown in FIG. 11, the wafer processing method proceeds to finish grinding step ST5 when the functional layer 4 exposed at the bottom of the groove 301 is divided on all the planned dividing lines 6.

（仕上げ研削ステップ）
図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法の仕上げ研削ステップを示す側断面図である。仕上げ研削ステップＳＴ５は、プラズマエッチングステップＳＴ３及び機能層切断ステップＳＴ４の後に、研削ユニットである仕上げ研削装置６０のチャックテーブル６１の保持面６２で基台２００側を保持したウェーハ１の裏面７を研削し、ウェーハ１を仕上げ厚さ１００にするステップである。 (Finishing grinding step)
FIG. 12 is a side sectional view showing a finish grinding step of the wafer processing method shown in FIG. In the finishing grinding step ST5, after the plasma etching step ST3 and the functional layer cutting step ST4, the back surface 7 of the wafer 1 holding the base 200 side is ground by the holding surface 62 of the chuck table 61 of the finishing grinding device 60 which is a grinding unit. Then, the step of making the wafer 1 have a finished thickness of 100.

仕上げ研削ステップＳＴ５では、仕上げ研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２に基台２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。仕上げ研削ステップＳＴ５では、図１２に示すように、仕上げ研削装置６０が、スピンドル６３により仕上げ研削用の研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、仕上げ研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１即ちデバイス５の裏面７を仕上げ研削する。仕上げ研削ステップＳＴ５では、仕上げ厚さ１００になるまでウェーハ１即ちデバイス５を研削する。ウェーハの加工方法は、仕上げ研削装置６０が、仕上げ厚さ１００までウェーハ１即ちデバイス５を薄化するとダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６に進む。 In the finish grinding step ST5, the finish grinding device 60 sucks and holds the functional layer 4 side of the wafer 1 on the holding surface 62 of the chuck table 61 via the base 200. In the finish grinding step ST5, as shown in FIG. 12, the finish grinding device 60 supplies the grinding water while rotating the grinding wheel 64 for finish grinding by the spindle 63 and rotating the chuck table 61 around the axis. By bringing the grindstone 65 for finish grinding close to the chuck table 61 at a predetermined feed speed, the grindstone 65 for finish grind finishes the back surface 7 of the wafer 1, that is, the device 5. In the finish grinding step ST5, the wafer 1 or the device 5 is ground until the finish thickness becomes 100. In the wafer processing method, when the finish grinding device 60 thins the wafer 1, that is, the device 5 to the finish thickness 100, the process proceeds to the die attach film attaching step ST6.

（ダイアタッチフィルム貼着ステップ）
図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６は、プラズマエッチングステップＳＴ３、機能層切断ステップＳＴ４及び仕上げ研削ステップＳＴ５の後に、ウェーハ１の裏面７にダイアタッチフィルム２１０を貼着するステップである。 (Step of attaching die attach film)
FIG. 13 is a cross-sectional view of the wafer after the die attach film attaching step of the wafer processing method shown in FIG. The die attach film attaching step ST6 is a step of attaching the die attach film 210 to the back surface 7 of the wafer 1 after the plasma etching step ST3, the functional layer cutting step ST4 and the finish grinding step ST5.

ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６では、仕上げ研削ステップＳＴ５において仕上げ研削されたウェーハ１即ちデバイス５の裏面７にデバイス５を接着するためのダイアタッチフィルム２１０を貼着する。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６では、図１３に示すように、外周縁に環状フレーム２０４が貼着するとともにダイシングテープ２０３に積層されたダイアタッチフィルム２１０をウェーハ１の裏面７に貼着し、機能層４から基台２００を接着材２０１とともに剥がす。ウェーハの加工方法は、基台２００を機能層４から剥がすと、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７に進む。 In the die attach film attaching step ST6, the die attach film 210 for attaching the device 5 is attached to the back surface 7 of the wafer 1 that is the finish grinding in the finish grinding step ST5, that is, the device 5. In the die attach film attaching step ST6, as shown in FIG. 13, the annular frame 204 is attached to the outer peripheral edge and the die attach film 210 laminated on the dicing tape 203 is attached to the back surface 7 of the wafer 1, and the function is obtained. The base 200 is peeled off from the layer 4 together with the adhesive 201. In the wafer processing method, when the base 200 is peeled from the functional layer 4, the process proceeds to a die attach film dividing step ST7.

（ダイアタッチフィルム分割ステップ）
図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図１５は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７は、溝３０１に沿ってダイアタッチフィルム２１０に図１４に示すレーザー加工装置７０がレーザー光線７４を照射してダイアタッチフィルム２１０を分割するステップである。 (Die attach film dividing step)
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 15 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer after the die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. The die attach film dividing step ST7 is a step of dividing the die attach film 210 by irradiating the die attach film 210 with the laser beam 74 along the groove 301 by the laser processing apparatus 70 shown in FIG.

ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７では、図１４に示すように、レーザー加工装置７０がレーザー光線照射ユニット７３と図示しないチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット７３からダイアタッチフィルム２１０に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線７４を溝３０１内で露出したダイアタッチフィルム２１０に照射する。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７では、各分割予定ライン６において、溝３０１内で露出したダイアタッチフィルム２１０にアブレーション加工を施して、溝３０１内で露出したダイアタッチフィルム２１０を分割する。ウェーハの加工方法は、図１５に示すように、全ての分割予定ライン６において溝３０１内で露出したダイアタッチフィルム２１０を分割すると、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７を終了する。なお、その後、デバイス５は、ダイアタッチフィルム２１０毎、図示しないピックアップによりダイシングテープ２１１からピックアップされる。 In the die attach film dividing step ST7, as shown in FIG. 14, the laser processing device 70 relatively moves the laser beam irradiation unit 73 and a chuck table (not shown) along the dividing line 6 from the laser beam irradiation unit 73. The die attach film 210 exposed in the groove 301 is irradiated with a laser beam 74 having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity for the touch film 210. In the die attach film dividing step ST7, the die attach film 210 exposed in the groove 301 is subjected to ablation processing in each planned dividing line 6 to divide the die attach film 210 exposed in the groove 301. As shown in FIG. 15, the wafer processing method terminates the die attach film dividing step ST7 when the die attach film 210 exposed in the groove 301 is divided in all the expected dividing lines 6. After that, the device 5 is picked up from the dicing tape 211 by the pick-up (not shown) for each die attach film 210.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って裏面７に表出する改質層３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングすることで、裏面７側に改質層３００をエッチングして溝３０１を形成するとともに、溝３０１を基板２の表面３に向かって進行させて、ウェーハ１を分割する。ウェーハの加工方法は、改質層３００が先だって深くエッチングされるので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス５を備えるウェーハ１の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。 In the method for processing a wafer according to the first embodiment, in the modified layer forming step ST2, the modified layer 300 exposed from the rear surface 7 along the planned dividing line 6 to the rear surface 7 is formed, and then in the plasma etching step ST3, the rear surface 7 is formed. By performing plasma etching from the side, the modified layer 300 is etched on the back surface 7 side to form the groove 301, and the groove 301 is advanced toward the front surface 3 of the substrate 2 to divide the wafer 1. In the wafer processing method, since the modified layer 300 is deeply etched in advance, plasma dicing without a mask can be realized. For this reason, since the wafer processing method is smaller than the device divided by the cutting process, the wafer 1 provided with the device 5 suitable for the plasma etching does not require an expensive mask. . As a result, the wafer processing method can divide the wafer 1 into individual devices 5 by performing plasma etching on the wafer 1 while suppressing costs.

また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４において、個々のデバイス５に分割されたウェーハ１が剛性を有する基台２００に固定されているため、機能層切断ステップＳＴ４後の工程へのウェーハ１の搬送時及び機能層切断ステップＳＴ４後の工程の実施時にデバイス同士が擦れることなく、容易に実施することができる。 Further, in the wafer processing method, in the functional layer cutting step ST4, since the wafer 1 divided into the individual devices 5 is fixed to the base 200 having rigidity, the wafer for the process after the functional layer cutting step ST4 is It can be easily carried out without rubbing the devices with each other at the time of carrying 1 and at the time of carrying out the step after the functional layer cutting step ST4.

また、ウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２及び仕上げ研削ステップＳＴ５前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に基台２００が貼着されている。このために、仕上げ研削ステップＳＴ５時に生じるコンタミがデバイス５に付着することを抑制することができる。 Further, in the wafer processing method, the base 200 is attached to the functional layer 4 side in the protective member disposing step ST1 before the modified layer forming step ST2 and the finish grinding step ST5. For this reason, it is possible to prevent the contamination that occurs at the finish grinding step ST5 from adhering to the device 5.

また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４において、溝３０１の底に残った機能層４にレーザー光線５１を照射して分割するので、Ｌｏｗ−ｋ膜等のデバイス５を形成する機能層４がプラズマエッチングステップＳＴ３をした後の溝３０１の底に残ったとしても、溝３０１に沿ってレーザーアブレーションする。このために、ウェーハの加工方法は、Ｌｏｗ−ｋ膜等の機能層４が積層されたウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に基台２００が貼着され、機能層切断ステップＳＴ４において、裏面７側からレーザー光線５１を溝３０１の底の機能層４に照射するので、アブレーション加工時に生じるデブリが基板２の表面３に設けられたデバイス５に付着することを抑制することができる。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４において、レーザーアブレーションするのが機能層４だけなので、デブリも非常に少なくなり、溝３０１の両側に付着するデブリの量を極限まで抑制できる。 Further, in the wafer processing method, in the functional layer cutting step ST4, the functional layer 4 remaining on the bottom of the groove 301 is irradiated with the laser beam 51 to divide the functional layer 4, so that the functional layer 4 for forming the device 5 such as the Low-k film is formed. Is ablated along the groove 301 even if it remains at the bottom of the groove 301 after the plasma etching step ST3. Therefore, the wafer processing method can divide the wafer 1 on which the functional layer 4 such as the Low-k film is stacked into the individual devices 5. In the wafer processing method, the base 200 is attached to the functional layer 4 side in the protective member disposing step ST1 before the functional layer cutting step ST4, and the laser beam 51 is applied from the back surface 7 side in the functional layer cutting step ST4. Since the functional layer 4 on the bottom of the groove 301 is irradiated, it is possible to prevent debris generated during ablation processing from adhering to the device 5 provided on the surface 3 of the substrate 2. Further, in the wafer processing method, since only the functional layer 4 is laser-ablated in the functional layer cutting step ST4, debris is also extremely reduced, and the amount of debris attached to both sides of the groove 301 can be suppressed to the utmost limit.

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス５の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工やレーザー加工による欠け及び改質層３００が個々に分割されたデバイス５の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス５を製造できる、という効果も奏する。 Further, in the wafer processing method, in the plasma etching step ST3, in order to divide the substrate 2 along the dividing line 6, the side surfaces of the individually divided devices 5 are removed by plasma etching. For this reason, the wafer processing method has an effect that the chip 5 due to the cutting process or the laser processing and the modified layer 300 does not remain on the side surface of the individually divided device 5, and the device 5 having high bending strength can be manufactured. Play.

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３後の仕上げ研削ステップＳＴ５において、ウェーハ１の裏面７を研削して、仕上げ厚さ１００にウェーハ１を薄化するので、プラズマエッチングステップＳＴ３でのウェーハ１の除去量が変動しても、所定寸法のデバイス５を得ることができる。 Further, in the wafer processing method, in the finish grinding step ST5 after the plasma etching step ST3, the back surface 7 of the wafer 1 is ground to thin the wafer 1 to the finish thickness 100. Even if the removal amount of 1 varies, the device 5 having a predetermined size can be obtained.

また、ウェーハの加工方法は、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７とを備えるので、基板などに固定可能なデバイス５を得ることができる。 Further, since the wafer processing method includes the die attach film attaching step ST6 and the die attach film dividing step ST7, the device 5 that can be fixed to the substrate or the like can be obtained.

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、リモートプラズマ方式のエッチング装置２０を用いるので、エッチング装置２０ではエッチングガスに混入するイオンが供給管路４６の内面に衝突して真空チャンバー２５内の密閉空間２７に到達することを抑制でき、ラジカルが高濃度なエッチングガス４００を供給できるので、裏面７に表出した改質層３００を通して基板２の内部にプラズマ状態のエッチングガスを引き込むことができ、デバイス５毎に分割することができる。 Further, in the wafer processing method, since the remote plasma type etching apparatus 20 is used in the plasma etching step ST3, in the etching apparatus 20, the ions mixed in the etching gas collide with the inner surface of the supply pipe line 46 and the inside of the vacuum chamber 25. Since it is possible to suppress the reaching of the closed space 27 and to supply the etching gas 400 having a high concentration of radicals, it is possible to draw the etching gas in the plasma state into the substrate 2 through the modified layer 300 exposed on the back surface 7. Yes, it can be divided for each device 5.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１６は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１７は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図１８は、図１６に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１６、図１７及び図１８は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
A wafer processing method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 16 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the second embodiment. FIG. 17 is a side sectional view showing a preliminary grinding step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 18 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the pre-grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 16, 17, and 18, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、図１６に示すように、予備研削ステップＳＴ１０を備えること以外、実施形態１と同じである。予備研削ステップＳＴ１０は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に、研削装置８０のチャックテーブル８１で基台２００側を保持したウェーハ１の裏面７を予め研削するステップである。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、予備研削ステップＳＴ１０を保護部材配設ステップＳＴ１の後でかつ改質層形成ステップＳＴ２の前に実施するが、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３の前であれば、保護部材配設ステップＳＴ１の前又は改質層形成ステップＳＴ２の後に実施しても良い。 The wafer processing method according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that a preliminary grinding step ST10 is provided as shown in FIG. The preliminary grinding step ST10 is a step of previously grinding the back surface 7 of the wafer 1 holding the base 200 side by the chuck table 81 of the grinding device 80 before the plasma etching step ST3. In the second embodiment, in the wafer processing method, the preliminary grinding step ST10 is performed after the protective member disposing step ST1 and before the modified layer forming step ST2, but in the present invention, before the plasma etching step ST3. If so, it may be performed before the protective member disposing step ST1 or after the modified layer forming step ST2.

予備研削ステップＳＴ１０では、研削装置８０が、チャックテーブル８１の保持面８２に基台２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。予備研削ステップＳＴ１０では、図１７に示すように、スピンドル８３により予備研削用の研削ホイール８４を回転しかつチャックテーブル８１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、予備研削用砥石８５をチャックテーブル８１に所定の送り速度で近づけることによって、予備研削用砥石８５でウェーハ１の裏面７を粗研削する。 In the preliminary grinding step ST10, the grinding device 80 sucks and holds the functional layer 4 side of the wafer 1 on the holding surface 82 of the chuck table 81 via the base 200. In the pre-grinding step ST10, as shown in FIG. 17, while the spindle 83 rotates the grinding wheel 84 for pre-grinding and the chuck table 81 is rotated around the axis, the grinding water is supplied and the grindstone 85 for pre-grinding is used. Is brought closer to the chuck table 81 at a predetermined feed speed, so that the back surface 7 of the wafer 1 is roughly ground by the pregrinding grindstone 85.

予備研削ステップＳＴ１０では、図１６に示すように、仕上げ厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削する。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、仕上げ厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削すると改質層形成ステップＳＴ２に進む。なお、本発明は、予備研削ステップＳＴ１０では、仕上げ厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１と仕上げ研削ステップＳＴ５で除去される厚さとを合わせた厚さと略等しくなる厚さにウェーハ１を薄化してもいい。 In the preliminary grinding step ST10, as shown in FIG. 16, the wafer 1 is ground until the finished thickness 100 and the thickness 101 removed in the plasma etching step ST3 are equal to or more than the total thickness. In the second embodiment, the wafer processing method is such that if the wafer 1 is ground until the total thickness of the finished thickness 100 and the thickness 101 removed in the plasma etching step ST3 becomes equal to or more than that, the process proceeds to the modified layer forming step ST2. . In the present invention, in the preliminary grinding step ST10, the finished thickness 100, the thickness 101 removed in the plasma etching step ST3, and the thickness removed in the final grinding step ST5 are set to be approximately equal to the total thickness. The wafer 1 may be thinned.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って裏面７に表出する改質層３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。 In the method for processing a wafer according to the second embodiment, in the modified layer forming step ST2, after the modified layer 300 exposed from the rear surface 7 along the planned dividing line 6 to the rear surface 7 is formed, the rear surface 7 is formed in the plasma etching step ST3. Since plasma etching is performed from the side, plasma dicing can be realized without a mask. As a result, the wafer processing method can divide the wafer 1 into individual devices 5 by performing plasma etching on the wafer 1 while suppressing the cost, as in the first embodiment.

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１を薄化するので、プラズマエッチングステップＳＴ３時のウェーハ１の基板２の除去量を削減することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において生じる所謂アウトガスの量と加工時間とを削減することができる。 Further, in the wafer processing method according to the second embodiment, since the wafer 1 is thinned by performing the preliminary grinding step ST10 before the plasma etching step ST3, the removal amount of the substrate 2 of the wafer 1 at the plasma etching step ST3. Can be reduced. As a result, the wafer processing method according to the second embodiment can reduce the amount of so-called outgas generated in the plasma etching step ST3 and the processing time.

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１の裏面７を研削するので、予備研削ステップＳＴ１０の前においてウェーハ１の裏面７が梨地面（細かい凹凸を有する面）であっても、改質層形成ステップＳＴ２の前に裏面７を平坦化することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２において、赤外線カメラによる撮影が可能となり、撮像したウェーハ１表面の画像に基づいてアライメントを遂行した際のレーザー光線照射ユニット１２と分割予定ライン６との位置合わせを可能とする。 Further, in the wafer processing method according to the second embodiment, since the backside 7 of the wafer 1 is ground by performing the preliminary grinding step ST10 before the modified layer forming step ST2, the wafer 1 is processed before the preliminary grinding step ST10. Even if the back surface 7 is a satin surface (a surface having fine irregularities), the back surface 7 can be planarized before the modified layer forming step ST2. As a result, in the wafer processing method according to the second embodiment, in the modified layer forming step ST2, it is possible to capture an image with an infrared camera, and the laser beam irradiation unit 12 when performing alignment based on the captured image of the surface of the wafer 1. And the planned dividing line 6 can be aligned with each other.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１９は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の改質層形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
A wafer processing method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 19 is a cross-sectional view of the main part of the wafer after the modified layer forming step of the wafer processing method according to the third embodiment. In addition, in FIG. 19, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２とプラズマエッチングステップＳＴ３とが異なること以外、実施形態１に係るウェーハの加工方法と同じである。実施形態３に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２において、分割予定ライン６に沿って基板２の内部に改質層３００を形成し、図１７に示すように、基板２の内部の改質層３００から裏面７まで延びて、裏面７に表出したクラック３０２をウェーハ１の各分割予定ライン６に形成する。即ち、実施形態３では、レーザー光線１１の集光点１１−１を設定する位置（高さまたは深さ）は、基板２の内部に形成された改質層３００から延びたクラック３０２が裏面７に表出する位置（高さまたは深さ）である。実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２の内部の改質層３００から延びたクラック３０２を含む分割予定ライン６に沿った基板２の領域をエッチングして除去する。実施形態３に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２の内部の改質層３００とクラック３０２から入り込んだプラズマ状態のエッチングガス４００が基板２内に内部に侵入し、溝３０１を形成して、基板２を個々のデバイス５毎に分割する。 The wafer processing method according to the third embodiment is the same as the wafer processing method according to the first embodiment, except that the modified layer forming step ST2 and the plasma etching step ST3 are different. In the method of processing a wafer according to the third embodiment, in the modified layer forming step ST2, the modified layer 300 is formed inside the substrate 2 along the planned dividing line 6, and as shown in FIG. The cracks 302 extending from the modified layer 300 to the back surface 7 and exposed on the back surface 7 are formed in each planned dividing line 6 of the wafer 1. That is, in the third embodiment, at the position (height or depth) at which the condensing point 11-1 of the laser beam 11 is set, the crack 302 extending from the modified layer 300 formed inside the substrate 2 is formed on the back surface 7. It is the exposed position (height or depth). In the wafer processing method according to the third embodiment, in the plasma etching step ST3, a region of the substrate 2 along the planned dividing line 6 including the crack 302 extending from the modified layer 300 inside the substrate 2 is etched and removed. . In the wafer processing method according to the third embodiment, in the plasma etching step ST3, the etching gas 400 in the plasma state that has entered through the modified layer 300 and the crack 302 inside the substrate 2 enters the inside of the substrate 2 to form the groove 301. Are formed, and the substrate 2 is divided into individual devices 5.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、改質層形成ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿って基板２の内部の改質層から延びかつ裏面７に表出するクラック３０２をエッチングして溝３０１を形成するので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。 In the method for processing a wafer according to the third embodiment, in the modified layer forming step ST2, a crack 302 extending from the modified layer inside the substrate 2 along the planned dividing line 6 from the rear surface 7 and exposed on the rear surface 7 is etched. Since the groove 301 is formed by using the groove 301, plasma dicing can be realized without using a mask. As a result, the wafer processing method can divide the wafer 1 into individual devices 5 by performing plasma etching on the wafer 1 while suppressing the cost, as in the first embodiment.

なお、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。 The wafer processing method according to the third embodiment may perform the preliminary grinding step ST10 as in the second embodiment.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、分割予定ライン６に形成される機能層４、金属膜及びＴＥＧを改質層形成ステップＳＴ２の前に、表面からレーザー光線を照射して、アブレーションで除去しても良い。また、本発明は、ウェーハ１の裏面７に予め酸化被膜が形成されている場合、プラズマエッチングステップＳＴ３において、この酸化被膜をマスクとしてプラズマエッチングを行っても良い。また、本発明は、仕上げ研削ステップＳＴ５及び予備研削ステップＳＴ１０の双方において、予備研削用砥石８５を用いてウェーハ１の裏面７を粗研削した後に、予備研削用砥石８５より砥粒の小さい仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１の裏面７を仕上げ研削しても良いし、ウェーハ１の裏面７を粗研削のみしても良いし、ウェーハ１の裏面７を仕上げ研削のみしても良い。また、本発明は、デバイス５のサイズが上記実施形態に記載されたものに限定されない。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the present invention, the functional layer 4, the metal film and the TEG formed on the planned dividing line 6 may be irradiated with a laser beam from the surface and removed by ablation before the modified layer forming step ST2. Further, in the present invention, when an oxide film is formed on the back surface 7 of the wafer 1 in advance, plasma etching may be performed using the oxide film as a mask in the plasma etching step ST3. Further, according to the present invention, in both of the finish grinding step ST5 and the preliminary grinding step ST10, after the back surface 7 of the wafer 1 is roughly ground by using the preliminary grinding wheel 85, the finishing grinding having smaller abrasive grains than the preliminary grinding wheel 85 is performed. The back surface 7 of the wafer 1 may be finish ground by the grinding wheel 65, the back surface 7 of the wafer 1 may be only rough ground, or the back surface 7 of the wafer 1 may be only finish ground. Further, the present invention is not limited to the size of the device 5 described in the above embodiment.

１ウェーハ
２基板
３表面
４機能層
５デバイス
６分割予定ライン
７裏面
１１レーザー光線
１１−１集光点
２１チャックテーブル
２５真空チャンバー
４６供給管路
５１レーザー光線
１００仕上げ厚さ
２００基台（保護部材）
３００改質層
３０２クラック
４００エッチングガス
ＳＴ１保護部材配設ステップ
ＳＴ２改質層形成ステップ
ＳＴ３プラズマエッチングステップ
ＳＴ４機能層切断ステップ
ＳＴ５仕上げ研削ステップ
ＳＴ１０予備研削ステップ 1 Wafer 2 Substrate 3 Surface 4 Functional Layer 5 Device 6 Divided Line 7 Backside 11 Laser Beam 11-1 Focusing Point 21 Chuck Table 25 Vacuum Chamber 46 Supply Pipeline 51 Laser Beam 100 Finishing Thickness 200 Base (Protective Member)
300 modified layer 302 crack 400 etching gas ST1 protective member disposing step ST2 modified layer forming step ST3 plasma etching step ST4 functional layer cutting step ST5 finish grinding step ST10 pre-grinding step

Claims

A wafer processing method of dividing a wafer having a plurality of devices formed by laminating a functional layer on a surface of a substrate, along a division line that divides the plurality of devices,
A protective member disposing step of disposing a protective member on the functional layer side of the surface of the wafer;
A modified layer exposed on the back surface of the substrate by arranging a condensing point of a laser beam having a wavelength that is transparent to the substrate near the back surface of the substrate and irradiating the laser beam from the back surface of the wafer along the dividing line. Or, a modified layer forming step of forming a crack extending from the modified layer inside the substrate on the wafer,
A substrate along the planned dividing line including a crack extending from the reformed layer or the reformed layer inside the substrate by supplying an etching gas in a plasma state to the back surface side of the wafer holding the protective member side by a chuck table. A plasma etching step of etching and removing the region of
After performing the plasma etching step, a function of irradiating the functional layer exposed from the back surface side of the wafer with a laser beam having a wavelength having an absorptivity for the functional layer, and dividing the functional layer along a dividing line. A method for processing a wafer, comprising: a layer dividing step.

2. The method of processing a wafer according to claim 1, wherein in the plasma etching step, an etching gas that is in a plasma state outside a vacuum chamber accommodating the wafer is supplied to the vacuum chamber via a supply pipe line.

3. The wafer processing method according to claim 1, further comprising a pre-grinding step of previously grinding the back surface of the wafer before the plasma etching step.

4. The wafer processing method according to claim 1, further comprising a finish grinding step of grinding the back surface of the wafer to a finish thickness after the plasma etching step.