JP2020057604A - 複数のリフトアウト針を含むチップ、マイクロマニピュレータ及びマイクロマニピュレータを調製するためのシステム - Google Patents
複数のリフトアウト針を含むチップ、マイクロマニピュレータ及びマイクロマニピュレータを調製するためのシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020057604A JP2020057604A JP2019176863A JP2019176863A JP2020057604A JP 2020057604 A JP2020057604 A JP 2020057604A JP 2019176863 A JP2019176863 A JP 2019176863A JP 2019176863 A JP2019176863 A JP 2019176863A JP 2020057604 A JP2020057604 A JP 2020057604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rod
- micromanipulator
- substrate
- tip
- rods
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 88
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 8
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001888 ion beam-induced deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YLJREFDVOIBQDA-UHFFFAOYSA-N tacrine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=C(CCCC3)C3=NC2=C1 YLJREFDVOIBQDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001685 tacrine Drugs 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/208—Elements or methods for movement independent of sample stage for influencing or moving or contacting or transferring the sample or parts thereof, e.g. prober needles or transfer needles in FIB/SEM systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31732—Depositing thin layers on selected microareas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Manipulator (AREA)
Abstract
Description
ほとんどの場合、各穴は、除去可能な材料102を通って基材104に延在し、このため除去可能な材料102内の穴は、その下の基材104内の穴と整列する。本明細書では、テーパー穴またはいくつかの工程を有する穴など、すべての可能な形状の穴が考えられる。
有利には、これらの穴106は、基材104上の1つまたは複数の列内に位置決めされる。基材104の最終的なチップ部分、特に最終的なチップの第1の端部分の端部付近に少なくともいくつかの穴106が形成されている。好ましくは、穴106は、2つのグループ、すなわち、最終的なチップ200(および除去可能な材料102)上で互いに対向して位置する複数の第1の穴と複数の第2の穴、すなわちチップ200(および除去可能な材料102)の対向する端部分に分割される。複数の第1の穴の数は、複数の第2の穴の数と同じであっても、同じでなくてもよい。一実施形態では、図4に最もよく示されるように、複数の第1の穴および複数の第2の穴は、それぞれ基材104の第1の端部分および第2の端部分の付近に位置する。
複数の第1のチャネル108は、除去可能な材料102のうちの一端部分から他方まで形成される。基材104上および除去可能な材料102内に複数の第1の穴のみがあるとき、複数の第1のチャネル108は、複数の第1の穴と除去可能な材料102の他の端部(すなわち第2の端部分)との間に延在してもよい。複数の第1の穴および複数の第2の穴の両方があるとき、複数の第1のチャネル108は、除去可能な材料102内の複数の第1の穴と複数の第2の穴との間に延在してもよい。
しかしながら、「AはBとCとの間に広がる」という語句は、AとBとの間、またはAとCとの間の直接接続に限定されず、BとCに対するAの相対的な場所を説明するだけである。
代替的に、複数の第1のチャネル108は、複数の第1の穴および/または複数の第2の穴を超えて延在する(ただし、依然として除去可能な材料102の境界内にある)が、第1および/または第2の穴を超える第1のチャネル108の延長は必ずしも必要ないということが有利であり得る。
複数の第2のチャネル110は、隣接する複数の第1の穴または隣接する複数の第2の穴の間に形成されてもよい。換言すると、複数の第2のチャネル110は、第1の穴または第2の穴から複数の第1のチャネル108うちのそれぞれのチャネルまで個別に延在してもよく、そのため複数の第1の穴および複数の第2の穴が接続される。
本開示において、第2の工程および第3の工程は、疑いなく、ロッド120の製造に影響を与えることなく、それらのシーケンスを交換してもよい。
図3に最もよく示されるように、ロッド120は、少なくともその一端部、好ましくはそれらの両方の端部上で互いと接続される。ロッド120は、それらのコネクタ130を越えて延在し、このため、それぞれ1つの側面または両方の側面上に自由端部を個々に有してもよい。
ロッド120およびそれらのコネクタ130は、除去可能な層102においてのみ、例えばタングステンで第1および第2のチャネル108、110を充填することによって形成されるので、それらは、それらの下の基材104から離間される。ロッド120をその一端部または両方の端部において接続するためのコネクタ130はまた、「タブ」とも称され得る。
ロッド120およびそれらのタブ130は、除去可能な層および基材104の両方において、第1および第2の穴を充填材料、例えばタングステンで充填することによって形成される、いわゆるポストまたはアンカー140によって基材104に接続される。そのため、タングステンロッド120は、これらのポスト140によってSi基材のエッチングされていない領域に接続された、いくつかのタングステンタブ130を除いて自立していることになる。
Claims (14)
- チップであって、
基材と、
複数のロッドであって、自立しており、前記基材から離間しており、互いから離間しており、各ロッドが、長手方向に、第1の端部分および第2の端部分を有する、複数のロッドと、
前記複数のロッドの各々を、その両方の長手方向の端部分においてそれぞれ接続し、それらを前記基材に保持するためのコネクタと、を備え、
各ロッドが、その第1および第2の端部分の両方において、前記コネクタからロッドを切断することによって、マイクロマニピュレータによる使用のために前記チップから離して個々に持ち上げられ得る、チップ。 - 前記ロッドおよび前記コネクタが、一体的に形成され得る、請求項1に記載のチップ。
- 前記コネクタが、前記基材から直接延在するアンカーを含み、前記ロッドをそれぞれその第1および第2の端部分の両方において前記コネクタに接続するための、前記基材から離間したタブをさらに含む、請求項2に記載のチップ。
- 前記タブが、その第1および第2の端部分の両方において前記コネクタから各ロッドを解放するために、前記タブが切断され得るように構成されている、請求項3に記載のチップ。
- 各ロッドが、その第1および第2の端部分にそれぞれ、原位置で前記マイクロマニピュレータに取り付けるための自由先端部を有する、請求項3に記載のチップ。
- 自由端部を備えたマイクロマニピュレータであって、前記マイクロマニピュレータの前記自由端部が、それに取り付けられた針を有し、これが請求項1〜5のいずれか一項に記載のチップから切断された前記ロッドとして構成されている、マイクロマニピュレータ。
- マイクロマニピュレータを調製するためのシステムであって、
請求項1〜5のいずれか一項に記載のチップと、
請求項6に記載のマイクロマニピュレータと、
ロッドを前記マイクロマニピュレータの前記自由端部に固定的に取り付けるための手段と、を備える、システム。 - 前記システムが、固定具をさらに含み、その上で前記チップは、前記ロッドが、前記マイクロマニピュレータの前記自由端部と一致する角度で配向され、前記ロッドの前記第1の端部分が、前記マイクロマニピュレータの前記自由端部に当接するように装着されている、請求項7に記載のシステム。
- 前記システムが、前記チップから前記ロッドをダイシングのための切断手段をさらに含み、前記第1の端部分が最初に、かつ前記第2の端部分が2番目に切断される、請求項8に記載のシステム。
- 前記システムが、前記チップを切断手段に面するように回転させるための手段、および/または前記ロッドを前記マイクロマニピュレータに取り付けるために前記ロッドを回転させるための手段をさらに含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記マイクロマニピュレータの前記自由端部が、各ロッドの自由先端部の形状に適合するように成形され得る、請求項10に記載のシステム。
- チップであって、
基材と、
複数のロッドであって、前記基材から離間しており、互いから離間しており、各ロッドが、長手方向に、第1の端部分および第2の端部分を有する、複数のロッドと、
前記複数のロッドの各々をその前記第1の端部分および前記第2の端部分のうちの少なくとも1つに接続するためのタブと、
前記ロッドおよび前記タブを前記基材に保持するための支持要素と、を備え、
各ロッドが、ロッドをそのタブから切断することにより、マイクロマニピュレータによる使用のために前記チップから離れるように個々に持ち上げられ得る、チップ。 - 前記ロッドが、前記基材の少なくとも1つの一端部において、前記基材によって前記支持要素を介して支持されている、請求項12に記載のチップ。
- 前記チップが、前記支持要素を前記基材に接続するために、前記支持要素の下および前記基材上にピアをさらに含む、請求項12または13に記載のチップ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821605469.8 | 2018-09-29 | ||
CN201821605469.8U CN208969129U (zh) | 2018-09-29 | 2018-09-29 | 晶片、微操纵器、用于制备微操纵器的系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020057604A true JP2020057604A (ja) | 2020-04-09 |
JP7299812B2 JP7299812B2 (ja) | 2023-06-28 |
Family
ID=66757399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019176863A Active JP7299812B2 (ja) | 2018-09-29 | 2019-09-27 | 複数のリフトアウト針を含むチップ、マイクロマニピュレータ及びマイクロマニピュレータを調製するためのシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3637453A1 (ja) |
JP (1) | JP7299812B2 (ja) |
CN (1) | CN208969129U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230215683A1 (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | Fei Company | Systems and methods for performing sample lift-out for highly reactive materials |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005308400A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料加工方法、試料加工装置及び試料観察方法 |
JP2007108042A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料解析方法及び試料加工装置 |
US20140338076A1 (en) * | 2012-02-04 | 2014-11-13 | NaugaNeedles, LLC | Methods and Apparatuses for Specimen Lift-Out and Circuit Edit Using Needle Arrays |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5435850A (en) | 1993-09-17 | 1995-07-25 | Fei Company | Gas injection system |
US5851413A (en) | 1996-06-19 | 1998-12-22 | Micrion Corporation | Gas delivery systems for particle beam processing |
JP3996856B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2007-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料作製装置と試料作製方法 |
JP4537827B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2010-09-08 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | マニピュレータのニードル部欠陥修正方法とニードル部材セット |
JP2010181339A (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Sii Nanotechnology Inc | 微小マニピュレータ装置 |
US8027433B2 (en) * | 2009-07-29 | 2011-09-27 | General Electric Company | Method of fast current modulation in an X-ray tube and apparatus for implementing same |
KR20140101529A (ko) * | 2013-02-12 | 2014-08-20 | (주) 미코에스앤피 | 니들 조립체 및 이를 제조하는 방법 |
-
2018
- 2018-09-29 CN CN201821605469.8U patent/CN208969129U/zh active Active
-
2019
- 2019-09-25 EP EP19199480.5A patent/EP3637453A1/en active Pending
- 2019-09-27 JP JP2019176863A patent/JP7299812B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005308400A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料加工方法、試料加工装置及び試料観察方法 |
JP2007108042A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料解析方法及び試料加工装置 |
US20140338076A1 (en) * | 2012-02-04 | 2014-11-13 | NaugaNeedles, LLC | Methods and Apparatuses for Specimen Lift-Out and Circuit Edit Using Needle Arrays |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7299812B2 (ja) | 2023-06-28 |
EP3637453A1 (en) | 2020-04-15 |
CN208969129U (zh) | 2019-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10283317B2 (en) | High throughput TEM preparation processes and hardware for backside thinning of cross-sectional view lamella | |
JP5090255B2 (ja) | 原位置でのstemサンプル作製方法 | |
US10529538B2 (en) | Endpointing for focused ion beam processing | |
EP2933821B1 (en) | High capacity tem grid | |
JP5350605B2 (ja) | サンプルの作製 | |
JP5086706B2 (ja) | 平面ビュー・サンプル作製 | |
US11726050B2 (en) | Method for cross-section sample preparation | |
US9837246B1 (en) | Reinforced sample for transmission electron microscope | |
US10053768B2 (en) | Detaching probe from TEM sample during sample preparation | |
US10539489B2 (en) | Methods for acquiring planar view STEM images of device structures | |
US10410829B1 (en) | Methods for acquiring planar view stem images of device structures | |
JP7299812B2 (ja) | 複数のリフトアウト針を含むチップ、マイクロマニピュレータ及びマイクロマニピュレータを調製するためのシステム | |
CN110970281A (zh) | 生产带有棒的晶片的方法、将棒附连到微操纵器的方法、微操纵器及系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191017 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7299812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |