JP2020043249A - Multilayer wiring structure, component mounting multilayer wiring structure, multilayer wiring board, and component mounting multilayer wiring board - Google Patents

Multilayer wiring structure, component mounting multilayer wiring structure, multilayer wiring board, and component mounting multilayer wiring board Download PDF

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Abstract

To provide high quality multilayer wiring structure and component mounting multilayer wiring structure, capable of mounting electronic components stably.SOLUTION: A multilayer wiring structure includes a multilayer wiring layer where first to N-th (N is an integer of 2 or more) wiring layers are laminated in this order, each isolation layer for electrically separating two wiring layers adjoining in the lamination direction, and an interlayer connection part for electrically connecting at least two wiring layers out of the multilayer wiring layer. When viewing downward in the lamination direction of the multilayer wiring layer from N-th wiring layer side, a conductor pattern constituting any one of the first to N-th wiring layers exists below a part of a conductor pattern constituting the N-th wiring layer, but a conductor pattern constituting any one of the first to (N-1)th wiring layers does not exist below other part of the conductor pattern constituting the N-th wiring layer, and a part of the isolation layer is set thick so that the height positions of the conductor pattern of the N-th wiring layer substantially match in the lamination direction.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、多層配線構造体、部品実装多層配線構造体、多層配線基板、および部品実装多層配線基板に関する。   The present disclosure relates to a multilayer wiring structure, a component mounting multilayer wiring structure, a multilayer wiring board, and a component mounting multilayer wiring board.

従来から、電子機器の高機能化、小型化、薄型化、および軽量化が進む中で、電子機器に組み込まれる電子部品の小型化、多ピン化、および外部端子のファインピッチ化が求められている。また、このような電子部品を多数の外部端子を介してプリント配線基板に搭載するにあたり、多数の外部端子を接続するための多数の電極や配線が必要になる。さらに、小型化により電子部品の搭載領域が狭くなったプリント配線基板上に多数の電極や配線を設けるには、電極や配線自体を微細なサイズで形成することに加え、電極間や配線間の間隙(ピッチ)を狭小化する必要がある。すなわち、高密度配線処理がなされたプリント配線基板が強く要望されている。   In the past, as electronic devices have become more sophisticated, smaller, thinner, and lighter, there has been a demand for smaller, more pins, and finer pitch external terminals to be incorporated into electronic devices. I have. Further, when such an electronic component is mounted on a printed wiring board via a large number of external terminals, a large number of electrodes and wirings for connecting the large number of external terminals are required. Furthermore, in order to provide a large number of electrodes and wirings on a printed wiring board in which the mounting area of electronic components has become smaller due to miniaturization, in addition to forming the electrodes and wirings in a fine size, in addition to forming between the electrodes and wirings, It is necessary to reduce the gap (pitch). That is, there is a strong demand for a printed wiring board on which high-density wiring processing has been performed.

近年、より高密度な配線処理を実現可能なプリント配線基板として多層配線基板が使用されるようになってきている。多層配線基板としては、導体パターンを含む配線層と絶縁層とを下層から交互に積み上げてなる多層構造のプリント基板を例示することができ、絶縁層の厚さ方向に設けられるビア(層間接続体)を介して、絶縁層の積層方向上下に対向して設けられる配線層同士が電気的に接続されている。このような多層配線基板を用いることで、基板の面内方向だけでなく、積層方向に配線経路を確保することができ、より高密度な配線設計を実現することが可能になる。   In recent years, multilayer wiring boards have been used as printed wiring boards capable of realizing higher-density wiring processing. Examples of the multilayer wiring board include a printed board having a multilayer structure in which a wiring layer including a conductor pattern and an insulating layer are alternately stacked from the lower layer, and a via (interlayer connecting body) provided in a thickness direction of the insulating layer. ), The wiring layers provided so as to face each other in the vertical direction in the lamination direction of the insulating layers are electrically connected to each other. By using such a multilayer wiring board, wiring paths can be secured not only in the in-plane direction of the board but also in the stacking direction, and higher-density wiring design can be realized.

このような多層配線基板においては、その表層に、電子機器がその外部端子を介して電気的に接続されるための電極が設けられている。例えば、電子部品としての半導体チップは、その裏面に設けられた半田バンプを介して、基板側の対向電極にフェースダウン実装によりフリップチップ接続される。   In such a multilayer wiring board, an electrode for electrically connecting an electronic device via its external terminal is provided on the surface layer. For example, a semiconductor chip as an electronic component is flip-chip connected by face-down mounting to a counter electrode on the substrate side via a solder bump provided on the back surface.

特開2014−179518号公報JP 2014-179518 A

多層配線基板においては、多数の導体パターンを互いに短絡させることなく積層方向や各層の面内方向に高密度に配置する必要があるため、各配線層を構成する導体パターンの配置態様は各層で異ならざるを得ない。そのため、多層配線基板を積層方向に沿って見た場合に、一の配線層における導体パターンの存在する領域と、他の配線層における導体パターンの存在する領域とが部分的に重なり合わない状態となる。このような多層配線基板の作製方法においては、例えば、配線層としての導体パターンを形成する工程と、当該配線層を被覆する絶縁層を例えばスピンコート法により形成する工程とが繰り返し行われる。このようにして形成された絶縁層においては、配線層の導体パターンの存在する領域上における高さ位置と、導体パターンの存在しない領域上における高さ位置とが異なることになる。そして、互いに高さ位置の異なる絶縁層上に導体パターンが積層形成されることで、多層配線基板の表層に設けられる各電極の高さ位置が異なってしまう。   In a multilayer wiring board, it is necessary to arrange a large number of conductor patterns at a high density in the stacking direction and in the in-plane direction of each layer without short-circuiting each other. I have no choice. Therefore, when the multilayer wiring board is viewed along the stacking direction, a state where the region where the conductor pattern exists in one wiring layer and the region where the conductor pattern exists in the other wiring layer does not partially overlap. Become. In such a method of manufacturing a multilayer wiring board, for example, a step of forming a conductor pattern as a wiring layer and a step of forming an insulating layer covering the wiring layer by, for example, a spin coating method are repeatedly performed. In the insulating layer formed in this manner, the height position of the wiring layer on the region where the conductor pattern exists is different from the height position on the region where the conductor pattern does not exist. Then, since the conductor patterns are stacked on the insulating layers having different height positions, the height positions of the electrodes provided on the surface layer of the multilayer wiring board are different.

一般的に、多層配線基板においては、半導体チップ等の電子部品を安定的に表面実装させるために、表層に設けられる複数の電極同士の高さ位置を略一致させることが望ましい。しかし、上記のように表層に設けられる複数の電極同士の高さ位置が略一致しなくなることで、電子部品を安定的に実装することができなくなってしまう。   Generally, in a multilayer wiring board, in order to stably mount an electronic component such as a semiconductor chip on a surface, it is desirable that the height positions of a plurality of electrodes provided on a surface layer be substantially the same. However, as described above, since the height positions of the plurality of electrodes provided on the surface layer do not substantially match, the electronic component cannot be mounted stably.

上記課題に鑑みて、本開示は、電子部品を安定的に実装することができる高品質な多層配線構造体、部品実装多層配線構造体、多層配線基板、および部品実装多層配線基板を提供することを一目的とする。   In view of the above problems, the present disclosure provides a high-quality multilayer wiring structure, a component mounting multilayer wiring structure, a multilayer wiring board, and a component mounting multilayer wiring board that can stably mount an electronic component. For one purpose.

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第1〜第N(Nは2以上の整数である。)配線層がこの順に積層されてなる多層配線層と、前記多層配線層のうちの積層方向において隣接する2つの配線層の間を電気的に分離するための各絶縁層と、前記多層配線層のうちの少なくとも2つの配線層を電気的に接続するための層間接続部とを備え、前記第N配線層側から前記多層配線層の積層方向下方に向かって見たときに、前記N配線層を構成する導体パターンの一部の下方には、前記第1〜第N−1配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在するが、前記第N配線層を構成する導体パターンの他部の下方には、前記第1〜第N−1配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在せず、前記第N配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている多層配線構造体が提供される。   In order to solve the above problem, as one embodiment of the present disclosure, a multilayer wiring layer in which first to Nth (N is an integer of 2 or more) wiring layers are stacked in this order, and the multilayer wiring layer Insulating layers for electrically separating between two wiring layers adjacent to each other in the stacking direction, and an interlayer connecting portion for electrically connecting at least two wiring layers of the multilayer wiring layers When viewed from the N-th wiring layer side toward the lower side in the stacking direction of the multilayer wiring layer, the first to N-th -1 wiring layer, there is a conductor pattern constituting one of the wiring layers, but below the other part of the conductor pattern constituting the N-th wiring layer, the first to N-1th wiring layers There is no conductor pattern constituting any of the wiring layers, As the height position in the stacking direction of the conductor pattern of the N wiring layers substantially coincide, the multilayer wiring structure in which a part of the insulating layer is formed in thickness is provided.

上記多層配線構造体において、前記第N配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第1〜第N−1配線層のうちのN−M(Mは1以上N−1以下の整数である。)個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、前記第N配線層を構成する他の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第1〜第N−1配線層のうちのN−L(LはMよりも大きく、2以上N以下の整数である。)個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、前記第N配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記第N配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向下方に位置するL−M個の前記絶縁層の一部が肉厚に構成されるものであってもよい。   In the multilayer wiring structure, NM (M is 1 or more and N−M) of the first to N−1th wiring layers is provided below the one of the conductor patterns forming the Nth wiring layer in the stacking direction. The conductor pattern constituting each of the wiring layers is located, and the first to first wiring patterns are provided below the other conductor patterns constituting the Nth wiring layer in the stacking direction. The conductor pattern forming each of NL (L is larger than M and an integer of 2 or more and N or less) wiring layers of the (N-1) th wiring layer is located, In order to make the height positions of the N wiring layers in the stacking direction of the conductor patterns substantially coincide with each other, the L-M insulating layers located below the one of the conductor patterns forming the Nth wiring layer in the stacking direction are arranged. A part may be thick.

上記多層配線構造体において、Nは3であり、第3配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、第1配線層と第2配線層との間に位置する前記絶縁層及び/又は第2配線層と第3配線層との間に位置する前記絶縁層の一部が肉厚に構成されるものであってもよく、前記第N配線層に電気的に接続される複数の電極をさらに備えていてもよい。   In the above multilayer wiring structure, N is 3, and the third wiring layer is located between the first wiring layer and the second wiring layer such that the height position of the third wiring layer in the laminating direction of the conductor patterns substantially coincides with each other. The insulating layer and / or a part of the insulating layer located between the second wiring layer and the third wiring layer may be configured to be thick, and the insulating layer may be electrically connected to the N-th wiring layer. A plurality of electrodes to be connected may be further provided.

本開示の一実施形態として、上記多層配線構造体と、前記電極に電気的に接続されて実装されてなる少なくとも1つの電子部品とを備える部品実装多層配線構造体が提供される。   As one embodiment of the present disclosure, a component-mounted multilayer wiring structure including the multilayer wiring structure and at least one electronic component electrically connected to the electrode and mounted is provided.

本開示の一実施形態として、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基板と、前記基板の前記第1面側に設けられている第1多層配線構造体と、前記基板の前記第2面側に設けられている第2多層配線構造体と、前記基板の厚さ方向に貫通するように設けられている導電体と、を備え、前記第1多層配線構造体は上記多層配線構造体であり、前記第2多層配線構造体は上記多層配線構造体であり、前記第1多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1〜第N配線層がこの順で前記基板の前記第1面上に積層されており、前記第2多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1〜第N配線層がこの順で前記基板の前記第2面上に積層されており、前記第1多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1配線層と、前記第2多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1配線層とが、前記導電体を介して互いに電気的に接続されている多層配線基板が提供される。上記多層配線基板において、前記第1多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第N配線層に電気的に接続される複数の第1電極と、前記第2多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第N配線層に電気的に接続される複数の第2電極と、をさらに備えていてもよい。   As one embodiment of the present disclosure, a substrate having a first surface and a second surface facing the first surface, a first multilayer wiring structure provided on the first surface side of the substrate, and the substrate A second multilayer wiring structure provided on the second surface side, and a conductor provided so as to penetrate in a thickness direction of the substrate. A multilayer wiring structure, wherein the second multilayer wiring structure is the multilayer wiring structure, and the first to Nth wiring layers of the multilayer wiring layers forming the first multilayer wiring structure are arranged in this order. The first to Nth wiring layers of the multilayer wiring layers which are stacked on the first surface of the substrate and constitute the second multilayer wiring structure are arranged in this order on the second surface of the substrate. The first wiring layer of the multilayer wiring layers that are stacked and constitute the first multilayer wiring structure; And the multilayer wiring layer and the first wiring layer that constitutes the serial second multilayer wiring structure, the multilayer wiring board through the conductor are electrically connected to each other is provided. In the multilayer wiring substrate, a plurality of first electrodes electrically connected to the N-th wiring layer of the multilayer wiring layer forming the first multilayer wiring structure, and the second multilayer wiring structure are formed. A plurality of second electrodes electrically connected to the N-th wiring layer of the multilayer wiring layer.

本開示の一実施形態として、上記多層配線基板と、前記第1電極に接続されて実装されてなる少なくとも1つの電子部品と、を備える部品実装多層配線基板が提供される。当該部品実装多層配線基板において、前記第2電極に接続されて実装されてなる少なくとも1つの電子部品をさらに備えていてもよい。   As one embodiment of the present disclosure, there is provided a component-mounted multilayer wiring board including the multilayer wiring board and at least one electronic component connected to and mounted on the first electrode. The component mounting multilayer wiring board may further include at least one electronic component connected and mounted to the second electrode.

本開示によれば、電子部品を安定的に実装することができる高品質な多層配線構造体および部品実装多層配線構造体を提供することができる。   According to the present disclosure, it is possible to provide a high-quality multilayer wiring structure and a component mounting multilayer wiring structure capable of stably mounting an electronic component.

図1は、本開示の第1実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the first embodiment of the present disclosure. 図2は、本開示の第2実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the second embodiment of the present disclosure. 図3は、本開示の第3実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the third embodiment of the present disclosure. 図4は、本開示の第4実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the fourth embodiment of the present disclosure. 図5は、本開示の第5実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view illustrating a multilayer wiring board according to a fifth embodiment of the present disclosure. 図6は、本開示の一実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図である。FIG. 6 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present disclosure. 図7は、本開示の一実施形態の多層配線基板の製造方法を示す工程図であり、図6の工程図に続く工程を示す工程図である。FIG. 7 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an embodiment of the present disclosure, and is a process diagram illustrating a process that follows the process diagram of FIG. 6. 図8は、最表層に位置する2つの導体パターンの積層方向における高さ位置の差となって現れている多層配線基板の構成例を表す参考図である。FIG. 8 is a reference diagram illustrating a configuration example of a multilayer wiring board that appears as a difference in height position in the stacking direction of two conductor patterns located on the outermost layer.

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。   An embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to this specification, the shape, scale, aspect ratio, and the like of each part may be changed or exaggerated from the actual thing in order to facilitate understanding.

本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。   In this specification and the like, a numerical range represented by using “to” means a range including the numerical values described before and after “to” as the lower limit and the upper limit, respectively. In this specification and the like, terms such as “film”, “sheet”, and “plate” are not distinguished from one another based on a difference in name. For example, “plate” is a concept that also includes members that can be generally called “sheets” and “films”.

[第1実施形態]
本開示の第1実施形態における多層配線基板について図面を参照して以下に説明する。図1は、第1実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。第1実施形態における多層配線基板1の概略構成について説明する。多層配線基板1は、基板10の上面10Hに第1配線層WL1及び第2配線層WL2がこの順で積層されてなる多層配線層WLMを含む多層配線構造体1Aを備える。多層配線構造体1Aにおいて、第1配線層WL1と第2配線層WL2との間には絶縁層21が位置し、第2配線層WL2の上に絶縁層22が位置している。多層配線構造体1Aの表層となる絶縁層22に電極41及び電極42が設けられている。
[First Embodiment]
The multilayer wiring board according to the first embodiment of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the first embodiment. A schematic configuration of the multilayer wiring board 1 according to the first embodiment will be described. The multilayer wiring board 1 includes a multilayer wiring structure 1A which comprises a multilayer wiring layer W LM top surface 10 first wiring layer in H W L1 and the second wiring layer W L2 of the substrate 10 are laminated in this order. In the multilayer wiring structure 1A, the insulating layer 21 is located between the first wiring layer WL1 and the second wiring layer WL2, and the insulating layer 22 is located on the second wiring layer WL2 . The electrode 41 and the electrode 42 are provided on the insulating layer 22 serving as the surface layer of the multilayer wiring structure 1A.

第1配線層WL1は、導体パターン11で構成され、第2配線層WL2は、導体パターン12及び導体パターン13で構成されている。導体パターン11は、基板10の上面10Hに位置している。導体パターン12及び導体パターン13は、絶縁層21上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。導体パターン11上に層間接続部としてのビア31が設けられている。また、電極41は導体パターン12の上面に連続して位置し、電極42は導体パターン13の上面に連続して位置している。以下、これらの各構成について以下に詳細に説明する。 The first wiring layer WL1 is composed of a conductor pattern 11, and the second wiring layer WL2 is composed of a conductor pattern 12 and a conductor pattern 13. The conductor pattern 11 is located on the upper surface 10 H of the substrate 10. The conductor pattern 12 and the conductor pattern 13 are located at a predetermined distance from each other in an in-plane direction on the insulating layer 21. Vias 31 are provided on the conductor pattern 11 as interlayer connection portions. Further, the electrode 41 is continuously located on the upper surface of the conductor pattern 12, and the electrode 42 is continuously located on the upper surface of the conductor pattern 13. Hereinafter, each of these components will be described in detail below.

第1実施形態における「基板」は、電子回路基板の略称ではなく、多層配線基板1を作製するための土台(ベース)となる板のことを意味する。すなわち、配線層と絶縁層とが積層されて多層配線構造体1Aとして形成され得る限りにおいて、基板10は必須の構成でなくてもよい。基板10の種類は特に限定されるものではなく、例えばガラスエポキシ基板、ガラス基板、シリコン基板等が挙げられる。なお、基板10の大きさや厚さ等は、所望の多層配線基板1のサイズや、多層配線基板1に搭載される電子部品のサイズや数等に応じて適宜設定され得る。なお、第1実施形態における多層配線基板1に搭載され得る電子部品としては、例えばリレー、トランジスタ、集積回路(Integrated Circuit(IC))などの能動素子の他、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの受動素子等が挙げられる。また、第1実施形態において、上記に例示した電子部品のうちの何れか1以上の電子部品が実装されてなる多層配線構造体を「部品実装多層配線構造体」という。   The “substrate” in the first embodiment is not an abbreviation of an electronic circuit board, but means a plate serving as a base for manufacturing the multilayer wiring board 1. That is, as long as the wiring layer and the insulating layer can be laminated to form the multilayer wiring structure 1A, the substrate 10 may not be an essential component. The type of the substrate 10 is not particularly limited, and examples thereof include a glass epoxy substrate, a glass substrate, and a silicon substrate. The size, thickness, and the like of the substrate 10 can be appropriately set according to the desired size of the multilayer wiring substrate 1, the size and number of electronic components mounted on the multilayer wiring substrate 1, and the like. Electronic components that can be mounted on the multilayer wiring board 1 in the first embodiment include, for example, active elements such as relays, transistors, and integrated circuits (Integrated Circuits (IC)), as well as passive elements such as resistors, capacitors, and inductors. And the like. Further, in the first embodiment, a multilayer wiring structure on which at least one of the electronic components exemplified above is mounted is referred to as a “component-mounted multilayer wiring structure”.

導体パターン11および導体パターン12は、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Ag)等の導電材料で構成されてなる。第1実施形態においては、導体パターン11と導体パターン12とが、導電ビア31を介して接続され、導体パターン13の上面に電極41が連続していることで、導体パターン11、導体パターン12、および電極41が電気的に接続され得る(図1)。   The conductor patterns 11 and 12 are made of a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Ag). In the first embodiment, the conductor pattern 11 and the conductor pattern 12 are connected via the conductive via 31 and the electrode 41 is continuous on the upper surface of the conductor pattern 13. And the electrode 41 can be electrically connected (FIG. 1).

導体パターン13も、導体パターン11および導体パターン12と同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。第1実施形態においては、導体パターン13の上面に電極42が連続していることで、導体パターン12と電極41とが電気的に接続され得る(図1)。なお、導体パターン11、導体パターン12、及び導体パターン13の幅や厚さ等は、多層配線基板1のサイズ、多層配線基板1に実装される電子部品のサイズや数等に応じて適宜設定され得る。   Similarly to the conductor patterns 11 and 12, the conductor pattern 13 is made of a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au). In the first embodiment, since the electrode 42 is continuous on the upper surface of the conductor pattern 13, the conductor pattern 12 and the electrode 41 can be electrically connected (FIG. 1). The width, thickness, and the like of the conductor patterns 11, 12, and 13 are appropriately set according to the size of the multilayer wiring board 1, the size and number of electronic components mounted on the multilayer wiring board 1, and the like. obtain.

絶縁層21および絶縁層22は、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等の感光性樹脂材料で構成されてなる。感光性樹脂材料は、ネガ型の感光性を有していてもよく、ポジ型の感光性を有していてもよい。絶縁層21は、導体パターン11を覆うように基板10の上面10Hに位置しており、絶縁層22は、導体パターン12及び導体パターン13を覆うように絶縁層21の上面に位置している。絶縁層21における、導体パターン11を覆う所定領域21W(以下「肉厚領域」とする。)は、導体パターン11が設けられていない基板10の上面10Hを覆う所定領域21L(以下「肉薄領域」とする。)より肉厚である。さらに、絶縁層21は、肉厚領域21Wから、面内方向における肉薄領域21Lを隔てた部分で、肉薄領域21Lを除く部分が肉厚に構成されてなる肉厚部21Tを有する。本実施形態において、肉厚部21Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域21Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第1実施形態において、導体パターン12は肉厚領域21Wの上面に位置し、導体パターン13は肉厚部21Tの上面に位置している。第1実施形態における上記構成によれば、導体パターン12の積層方向における高さ位置と導体パターン13の積層方向における高さ位置とを略一致させることができる。 The insulating layer 21 and the insulating layer 22 are made of a photosensitive resin material such as a photosensitive polyimide resin, a photosensitive epoxy resin, and a photosensitive acrylic resin. The photosensitive resin material may have a negative type photosensitivity or a positive type photosensitivity. Insulating layer 21 is located on the upper surface 10 H of the substrate 10 to cover the conductor pattern 11, the insulating layer 22 is positioned on the upper surface of the insulating layer 21 to cover the conductive pattern 12 and conductive pattern 13 . A predetermined area 21 W (hereinafter, referred to as a “thick area”) of the insulating layer 21 covering the conductor pattern 11 is a predetermined area 21 L (hereinafter, referred to as “thick area”) covering the upper surface 10 H of the substrate 10 on which the conductor pattern 11 is not provided. It is referred to as a “thin region”.) Furthermore, the insulating layer 21, the thick regions 21 W, at a portion across the thin area 21 L in the plane direction, has a thick portion 21 T a portion except for the thin region 21 L is configured thicker . In the present embodiment, the thick portion 21T is configured such that the height position in the stacking direction thereof substantially matches the height position of the thick region 21W in the stacking direction. In the first embodiment, the conductor pattern 12 is located on the upper surface of the thick region 21 W, the conductor pattern 13 is located on the upper surface of the thick portion 21 T. According to the above configuration in the first embodiment, the height position in the stacking direction of the conductor patterns 12 and the height position in the stacking direction of the conductor patterns 13 can be substantially matched.

ビア31は、各導体パターンと同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。ビア31の寸法や深さ(高さ)は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板1のサイズ、各導体パターン11〜13のサイズおよび数、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア31は、絶縁層21に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、上記貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。   The vias 31 are made of a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au) or the like, similarly to the conductor patterns. The dimensions and depth (height) of the vias 31 are not particularly limited, but include the desired size of the multilayer wiring board 1, the size and number of the conductor patterns 11 to 13, the thickness of each insulating layer, and the like. May be set as appropriate. The via 31 may be formed by plating the wall surface of a through hole formed in the insulating layer 21 with the conductive material, or may be formed by filling the through hole with the conductive material. Is also good.

電極41および電極42は、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、はんだ等の金属材料で構成されてなる。電極41および電極42は、多層配線基板1に実装される半導体チップ等の電子部品の外部端子と電気的に接続され得る。電極41および電極42の寸法および厚さや、最表層である絶縁層22の上面から突出するバンプの形状や突出高さは、多層配線基板1に電子部品が安定的に実装され得る限りにおいて、図1に表される態様に限定されるものではない。なお、図示は省略するが、各電極と各配線との間に、UBM(Under Barrier Metal)が設けられ得る。   The electrode 41 and the electrode 42 are made of a metal material such as copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), silver (Ag), and solder. The electrode 41 and the electrode 42 can be electrically connected to external terminals of an electronic component such as a semiconductor chip mounted on the multilayer wiring board 1. The dimensions and thickness of the electrodes 41 and 42 and the shape and height of the bumps protruding from the upper surface of the insulating layer 22, which is the outermost layer, are determined as long as the electronic components can be stably mounted on the multilayer wiring board 1. However, the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. Although not shown, UBM (Under Barrier Metal) may be provided between each electrode and each wiring.

図8は、絶縁層21”に肉厚部21Tが設けられていないことにより、表層である絶縁層22”において、積層方向における高さ位置の差が現れている多層配線基板1’を表す参考図である。なお、図8においては理解を容易にするために「差D」が誇張されるように描かれているが、実際に生じる差として描かれたものではない。図8を参照して、絶縁層21”に肉厚部21Tが設けられていない多層配線基板との比較に基づき、第1実施形態における肉厚部21Tの作用効果について詳細に説明する。 FIG. 8 shows a multilayer wiring board 1 ′ in which the height difference in the stacking direction appears in the insulating layer 22 ″ as the surface layer because the thick portion 21 T is not provided in the insulating layer 21 ″. FIG. In FIG. 8, “difference D” is exaggerated for easy understanding, but is not drawn as a difference that actually occurs. Referring to FIG. 8, on the basis of a comparison of a multilayer wiring board which is not thick portion 21 T is formed in the insulating layer 21 'is described in detail operational effects of the thick portion 21 T in the first embodiment.

図8に示される多層配線基板1’において、基板10の上面10Hにおける、電極41の積層方向直下に相当する部分に導体パターン11が設けられているが、電極42の積層方向直下に相当する部分には導体パターン11が設けられていない。そのため、多層配線基板1’の形成過程において、導体パターン11を覆うように絶縁層21”を設けた場合、電極41の積層方向直下の導体パターン11を覆っている絶縁層21”部分の高さ位置が、電極42の積層方向直下の絶縁層21”部分の高さ位置に比べて導体パターン11の厚さだけ高くなることになる。 In the multilayer wiring board 1 ′ shown in FIG. 8, the conductor pattern 11 is provided on a portion of the upper surface 10 H of the substrate 10 corresponding to immediately below the electrode 41 in the laminating direction, but corresponds to immediately below the electrode 42 in the laminating direction. The conductor pattern 11 is not provided in the portion. Therefore, when the insulating layer 21 ″ is provided so as to cover the conductor pattern 11 in the process of forming the multilayer wiring board 1 ′, the height of the insulating layer 21 ″ covering the conductor pattern 11 immediately below the electrode 41 in the stacking direction is set. The position is higher by the thickness of the conductor pattern 11 than the height position of the insulating layer 21 ″ immediately below the electrode 42 in the stacking direction.

この状態の絶縁層21”上に、ビア31を介して導体パターン11に接続される導体パターン12を設け、電極42の積層方向直下の絶縁層21”上に導体パターン13を設けた場合、導体パターン12と導体パターン13との間に積層方向における高さ位置の差Dが現れてしまう(図8)。よって、導体パターン12の上面に設けられる電極41と、導体パターン13の上面に設けられる電極42との間にも高さ位置の差が現れてしまう。そうなると、高さ位置の差が現れた両電極を介して、電子部品を安定的に実装することが困難になってしまう。   When the conductor pattern 12 connected to the conductor pattern 11 via the via 31 is provided on the insulating layer 21 ″ in this state, and the conductor pattern 13 is provided on the insulating layer 21 ″ immediately below the electrode 42 in the stacking direction, the conductor A difference D in the height position in the stacking direction appears between the pattern 12 and the conductor pattern 13 (FIG. 8). Therefore, a difference in height position appears between the electrode 41 provided on the upper surface of the conductor pattern 12 and the electrode 42 provided on the upper surface of the conductor pattern 13. In such a case, it is difficult to stably mount the electronic component via the two electrodes having the difference in height position.

一方、第1実施形態の多層配線基板1によれば、上述の通り、電極42の積層方向直下において絶縁層21の一部が肉厚に構成された肉厚部21Tが設けられていることで、絶縁層21上に形成される2つの導体パターン12、13の高さ位置を略一致させることができる(図1)。このため、電子部品が実装され得る電極41及び電極42の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板1を実現することができる。なお、導体パターン12、13の高さ位置の差が、例えば0μm〜3μmの範囲内、好ましくは1.5μm以下となるように、肉厚部21Tが設けられていることが好ましい。上記の範囲内に当該高さ位置の差が調整されることにより、多層配線基板1の表層に対して略平行に電子部品が実装され得る。当該高さ位置の差が3μmを超えると、電子部品を多層配線基板1に実装する際に、電子部品と多層配線基板1との接続不良が生じやすくなるおそれがある。 On the other hand, according to the multilayer wiring board 1 of the first embodiment, as described above, the thick portion 21 T which part of the insulating layer 21 is configured thicker in the stacking direction just below the electrode 42 is provided Thus, the height positions of the two conductor patterns 12 and 13 formed on the insulating layer 21 can be substantially matched (FIG. 1). Therefore, the height positions of the electrodes 41 and the electrodes 42 on which the electronic components can be mounted are also substantially the same, and the high-quality multilayer wiring board 1 on which the electronic components can be stably mounted can be realized. Incidentally, the difference between the height position of the conductor pattern 12 and 13, for example in the range of 0Myuemu~3myuemu, preferably as a 1.5μm or less, it is preferable that the thick portion 21 T is provided. By adjusting the height difference within the above range, the electronic component can be mounted substantially parallel to the surface layer of the multilayer wiring board 1. If the difference between the height positions exceeds 3 μm, when the electronic component is mounted on the multilayer wiring board 1, a connection failure between the electronic component and the multilayer wiring board 1 may easily occur.

[第2実施形態]
図2は、本開示の第2実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第1実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第2実施形態における多層配線基板1は、第1〜第3配線層WL1〜WL3の3層が積層されてなる多層配線層WLMを含む多層配線構造体1Aを備え、第3配線層WL3を構成する導体パターン13(電極42)の積層方向直下に位置する絶縁層23部分が肉厚に構成されてなる肉厚部23Tが設けられている点が第1実施形態と異なっている。第2実施形態における多層配線基板1においては、第1配線層WL1と第3配線層WL3との間に第2配線層WL2が設けられており、第2配線層WL2は、導体パターン14で構成されている。第2配線層WL2と第3配線層WL3との間に絶縁層23が位置している。
[Second embodiment]
FIG. 2 is a schematic sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the second embodiment of the present disclosure. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The multilayer wiring board 1 in the second embodiment, provided with a multilayer wiring structure 1A which comprises a multilayer wiring layer W LM three layers of the first to third wiring layers W L1 to W-L3 are stacked, the third wiring layer conductor patterns 13 constituting the W L3 that the thick portion 23 T of the insulating layer 23 portion is configured to thickness positioned in the stacking direction just under the (electrode 42) is provided is different from the first embodiment I have. In the multilayer wiring board 1 in the second embodiment, the first wiring layer W L1 second wiring layer W L2 is provided between the third wiring layer W L3, the second wiring layer W L2, the conductor It is composed of a pattern 14. The insulating layer 23 is located between the second wiring layer WL2 and the third wiring layer WL3 .

導体パターン14は、絶縁層21の肉厚領域21W上に位置している。導体パターン14上には層間接続部としてのビア32が設けられており、導体パターン14を覆うように、絶縁層21の上面に絶縁層23が位置している。絶縁層23における導体パターン14を覆う肉厚領域は導体パターン14が設けられていない絶縁層21の上面を覆う肉薄領域21Lより肉厚である。さらに、絶縁層23は、肉厚領域23Wから、面内方向における肉薄領域23L(肉薄領域21Lを覆う領域)を隔てた部分で、肉薄領域23Lを除く部分が肉厚に構成されてなる肉厚部23Tを有する。肉厚部23Tは、その積層方向における高さ位置が、導体パターン14上の肉厚領域23Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第2実施形態においては、導体パターン12は肉厚領域23Wの上面に位置し、導体パターン13は肉厚部23Tの上面に位置している。第2実施形態における上記構成によれば、導体パターン12の積層方向における高さ位置と導体パターン13の積層方向における高さ位置とを略一致させることができる。なお、絶縁層23は、絶縁層21及び絶縁層22と同様に、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等の感光性樹脂材料で構成され得る。 Conductor pattern 14 is located on the thick region 21 W of the insulating layer 21. Vias 32 as interlayer connection portions are provided on the conductor pattern 14, and the insulating layer 23 is located on the upper surface of the insulating layer 21 so as to cover the conductor pattern 14. The thick region of the insulating layer 23 covering the conductor pattern 14 is thicker than the thin region 21 L covering the upper surface of the insulating layer 21 where the conductor pattern 14 is not provided. Furthermore, the insulating layer 23, a thickened region 23 W, in the thinner portions 23 L spaced (region covering the thin region 21 L) portion in-plane direction, the portion excluding the thin region 23 L is configured thicker It has a thick portion 23 T consisting of Te. The thick portion 23 T is the height position in the stacking direction, is configured to a height position substantially coincides with the stacking direction of the thickened region 23 W on the conductor pattern 14. In the second embodiment, the conductor pattern 12 is located on the upper surface of the thick region 23 W, the conductor pattern 13 is located on the upper surface of the thick portion 23 T. According to the above configuration in the second embodiment, the height position in the stacking direction of the conductor patterns 12 and the height position in the stacking direction of the conductor patterns 13 can be substantially matched. The insulating layer 23 can be made of a photosensitive resin material such as a photosensitive polyimide resin, a photosensitive epoxy resin, and a photosensitive acrylic resin, like the insulating layers 21 and 22.

導体パターン14は、導体パターン11、導体パターン12及び導体パターン13と同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。第2実施形態においては、導体パターン11と導体パターン14とがビア31を介して接続され、導体パターン14と導体パターン12とがビア32を介して接続され、導体パターン12上に電極41が連続していることで、導体パターン11、導体パターン14、導体パターン12、及び電極41が互いに電気的に接続され得る(図2)。   The conductor pattern 14 is made of a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au), like the conductor patterns 11, 12, and 13. In the second embodiment, the conductor pattern 11 and the conductor pattern 14 are connected via the via 31, the conductor pattern 14 and the conductor pattern 12 are connected via the via 32, and the electrode 41 is continuously formed on the conductor pattern 12. By doing so, the conductor pattern 11, the conductor pattern 14, the conductor pattern 12, and the electrode 41 can be electrically connected to each other (FIG. 2).

ビア32は、ビア31と同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。ビア32のサイズ(例えば幅や深さ)は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板1のサイズ、各導体パターンのサイズやピッチ、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア32は、絶縁層23に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、上記貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。   The via 32 is made of a conductive material such as, for example, copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au), like the via 31. The size (for example, width and depth) of the via 32 is not particularly limited, but depends on the desired size of the multilayer wiring board 1, the size and pitch of each conductor pattern, the thickness of each insulating layer, and the like. It can be set appropriately. The via 32 may be formed by plating the wall surface of a through hole formed in the insulating layer 23 with the conductive material, or may be formed by filling the through hole with the conductive material. Is also good.

第2実施形態の多層配線基板1によれば、電極42の積層方向直下において絶縁層23の一部が肉厚に構成された肉厚部23Tが設けられていることで、絶縁層23上に形成される導体パターン12、13の高さ位置を略一致させることができる(図2)。このため、電子部品が実装され得る電極41及び電極42の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板1を実現することができる。 According to the multilayer wiring board 1 of the second embodiment, since the thick portion 23 T which part of the insulating layer 23 is configured thicker in the stacking direction just below the electrode 42 is provided, the insulating layer 23 above (FIG. 2). Therefore, the height positions of the electrodes 41 and the electrodes 42 on which the electronic components can be mounted are also substantially the same, and the high-quality multilayer wiring board 1 on which the electronic components can be stably mounted can be realized.

第2実施形態における多層配線基板1は、3層の配線層が積層されてなる多層配線層WLMを含む多層配線構造体1Aを備える多層配線基板1を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、4層以上の配線層が積層されてなる多層配線層を含む多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。 Although the multilayer wiring board 1 in the second embodiment has been described as including the multilayer wiring structure 1A including the multilayer wiring layer WLM formed by laminating three wiring layers, the present invention is not limited to this. Instead, a multilayer wiring board including a multilayer wiring structure including a multilayer wiring layer in which four or more wiring layers are stacked may be used.

[第3実施形態]
図3は、本開示の第3実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第1実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第3実施形態における多層配線基板1は、絶縁層22の平面視において電極42に隣接する電極43、第2配線層WL2を構成する導体パターン16、及び第1配線層WL1を構成する導体パターン15を備えている点、並びに導体パターン16が層間接続部としてのビア33を介して導体パターン15に電気的に接続されている点において、第1実施形態における多層配線基板1と異なっている。
[Third embodiment]
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the third embodiment of the present disclosure. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Third multilayer wiring board 1 in the embodiment, the conductor constituting the electrode 43, the conductor patterns 16 constituting the second wiring layer W L2, and the first wiring layer W L1 adjacent to the electrode 42 in a plan view of the insulating layer 22 It is different from the multilayer wiring board 1 in the first embodiment in that the pattern 15 is provided and that the conductor pattern 16 is electrically connected to the conductor pattern 15 via a via 33 as an interlayer connection. .

導体パターン15は、基板10の上面10Hの面内方向において、導体パターン11から所定距離を隔てた部分に位置している。導体パターン12、導体パターン13、及び導体パターン16は、絶縁層21上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。電極43は導体パターン16の上面に連続して位置している。 The conductor pattern 15 is located at a portion at a predetermined distance from the conductor pattern 11 in the in-plane direction of the upper surface 10 H of the substrate 10. The conductor pattern 12, the conductor pattern 13, and the conductor pattern 16 are located at a predetermined distance from each other in an in-plane direction on the insulating layer 21. The electrode 43 is located continuously on the upper surface of the conductor pattern 16.

導体パターン15及び導体パターン16も、導体パターン11、導体パターン12及び導体パターン13と同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。第3実施形態においては、導体パターン15と導体パターン16とがビア33を介して接続され、導体パターン16上に電極43が連続していることで、導体パターン15、導体パターン16、及び電極43が互いに電気的に接続され得る(図3)。   Similarly to the conductor patterns 11, 12, and 13, the conductor patterns 15 and 16 are also made of a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au). In the third embodiment, the conductor pattern 15, the conductor pattern 16, and the electrode 43 are connected by connecting the conductor pattern 15 and the conductor pattern 16 via the via 33 and arranging the electrode 43 on the conductor pattern 16. Can be electrically connected to each other (FIG. 3).

第3実施形態においては、導体パターン11及び導体パターン15を覆う絶縁層21の所定領域をそれぞれ肉厚領域21W1及び21W2とし、肉厚領域21W1と肉厚部21Tとの間、肉厚部21Tと肉厚領域21W2との間の各領域を肉薄領域21L1、21L2としている。肉厚領域21W2は、肉薄領域21L1、21L2より肉厚であり、肉厚領域21W2の積層方向における高さ位置と肉厚領域21W1の積層方向における高さ位置とは略一致している。肉厚部21Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域21W1、21W2の積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第3実施形態においては、導体パターン12が肉厚領域21W1の上面に位置し、導体パターン13が肉厚部21Tの上面に位置し、導体パターン16が肉厚領域21W2の上面に位置している。第3実施形態における上記構成によれば、導体パターン12、13、16のそれぞれの積層方向における高さ位置を略一致させることができる。 In the third embodiment, predetermined regions of the insulating layer 21 that cover the conductor pattern 11 and the conductor pattern 15 are thick regions 21 W1 and 21 W2 , respectively, and the region between the thick region 21 W1 and the thick portion 21 T is thin. each region between the thick portion 21 T and the thick region 21 W2 are the thinner portions 21 L1, 21 L2. The thick region 21 W2 is thicker than the thin regions 21 L1 and 21 L2 , and the height position of the thick region 21 W2 in the laminating direction substantially coincides with the height position of the thick region 21 W1 in the laminating direction. ing. Thick portion 21 T is the height position in the stacking direction, are configured to substantially match the height position in the stacking direction of the thick region 21 W1, 21 W2. In the third embodiment, the conductor pattern 12 is located on the upper surface of the thick region 21 W1, the conductor pattern 13 is located on the upper surface of the thick portion 21 T, the conductor pattern 16 is located on the upper surface of the thick region 21 W2 are doing. According to the above configuration in the third embodiment, the height positions of the conductor patterns 12, 13, 16 in the laminating direction can be substantially matched.

ビア33は、ビア31と同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。ビア33のサイズ(例えば幅や深さ)は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板1のサイズ、各導体パターンのサイズやピッチ、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア33は、ビア31と同様に、絶縁層21に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、上記貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。   The via 33 is made of a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), or gold (Au), like the via 31. The size (for example, width and depth) of the via 33 is not particularly limited, but depends on the desired size of the multilayer wiring board 1, the size and pitch of each conductor pattern, the thickness of each insulating layer, and the like. It can be set appropriately. The via 33 may be formed by plating the conductive material on the wall surface of a through hole formed in the insulating layer 21, similarly to the via 31, or by filling the conductive material into the through hole. It may be made of.

電極43は、電極41及び42と同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、はんだ等の金属材料で構成されてなる。電極41、電極42、および電極43は、多層配線基板1に実装される半導体チップ等の電子部品の外部端子と電気的に接続され得る。電極41、電極42、および電極43の寸法および厚さや、最表層である絶縁層22の上面から突出するバンプの形状や突出高さは、多層配線基板1に電子部品が安定的に実装され得る限りにおいて、図3に表される態様に限定されるものではない。なお、図示は省略するが、各電極と各配線との間に、UBM(Under Barrier Metal)が設けられ得る。   The electrode 43 is made of, for example, a metal material such as copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), silver (Ag), and solder, like the electrodes 41 and 42. The electrodes 41, 42, and 43 can be electrically connected to external terminals of electronic components such as a semiconductor chip mounted on the multilayer wiring board 1. The dimensions and thickness of the electrodes 41, 42, and 43, and the shape and height of the bumps protruding from the upper surface of the insulating layer 22, which is the outermost layer, allow the electronic components to be stably mounted on the multilayer wiring board 1. However, the present invention is not limited to the embodiment shown in FIG. Although not shown, UBM (Under Barrier Metal) may be provided between each electrode and each wiring.

第3実施形態における多層配線基板1によれば、電極42の積層方向直下において絶縁層21の一部が肉厚に構成された肉厚部21Tが設けられていることで、絶縁層21上に形成される3つの導体パターン12、13、16の高さ位置を略一致させることができる(図3)。このため、電子部品が実装され得る電極41、電極42及び電極43の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板1を実現することができる。 According to the multilayer wiring board 1 of the third embodiment, the thick portion 21 T in which a part of the insulating layer 21 is thickened is provided immediately below the electrode 42 in the stacking direction. The height positions of the three conductor patterns 12, 13 and 16 formed in FIG. For this reason, the height positions of the electrodes 41, the electrodes 42, and the electrodes 43 on which the electronic components can be mounted are also substantially the same, and the high-quality multilayer wiring board 1 on which the electronic components can be stably mounted can be realized. it can.

第3実施形態における多層配線基板1は、表層である絶縁層22に電極41、42、43の3つの電極が並列されてなる多層配線構造体1Aを備える多層配線基板1を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表層である絶縁層22に4つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。   The multilayer wiring board 1 according to the third embodiment has been described as including the multilayer wiring structure 1A in which three electrodes 41, 42, and 43 are arranged in parallel on the insulating layer 22 as the surface layer. The present invention is not limited to this, and may be a multilayer wiring board including a multilayer wiring structure in which four or more electrodes are arranged in parallel on the insulating layer 22 as the surface layer.

[第4実施形態]
図4は、本開示の第4実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第1実施形態〜第3実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第4実施形態における多層配線基板1は、第1〜第3配線層WL1〜WL3の3層が積層されてなる多層配線層WLMを含む多層配線構造体1Aを備えている点が第2実施形態における多層配線基板1と共通している。また、第4実施形態における多層配線基板1は、平面視において電極42に隣接する電極43を備え、電極43の積層方向下方に導体パターン16及び導体パターン15が位置している点が、第3実施形態における多層配線基板1と共通している。一方で、第4実施形態における多層配線基板1は、電極43の積層方向下方に位置する絶縁層21の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部21Tが位置しており、電極42の積層方向下方に位置する絶縁層23の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部23Tが位置しており、導体パターン15を覆う肉厚領域23W2を有している点が第1実施形態〜第3実施形態における各多層配線基板1と異なる。第4実施形態における多層配線基板1において、肉厚部21Tは第1配線層WL1と第2配線層WL2との間に位置し、肉厚部23Tは第2配線層WL2と第3配線層WL3との間に位置している。なお、第4実施形態において、導体パターン14を覆う絶縁層23の所定領域を肉厚領域23W1とする。
[Fourth embodiment]
FIG. 4 is a schematic sectional view illustrating a multilayer wiring board according to the fourth embodiment of the present disclosure. The same components as those in the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The multilayer wiring board 1 in the fourth embodiment, that it includes a multilayer wiring structure 1A which comprises a multilayer wiring layer W LM three layers of the first to third wiring layers W L1 to W-L3 are stacked is first It is common to the multilayer wiring board 1 in the two embodiments. The multilayer wiring board 1 according to the fourth embodiment includes an electrode 43 adjacent to the electrode 42 in plan view, and the third point is that the conductor pattern 16 and the conductor pattern 15 are located below the electrode 43 in the stacking direction. It is common to the multilayer wiring board 1 in the embodiment. On the other hand, the multilayer wiring board 1 in the fourth embodiment, a thick portion 21 T which part of the insulating layer 21 is formed of a thick located in the stacking direction under the electrodes 43 are located, the electrodes 42 of which part is located is thick portion 23 T consisting configured to the thickness of the insulating layer 23 located in the stacking direction downward, that it has a thickened region 23 W2 covering the conductor pattern 15 is first This is different from each of the multilayer wiring boards 1 in the first to third embodiments. In the multilayer wiring board 1 according to the fourth embodiment, the thick portion 21T is located between the first wiring layer WL1 and the second wiring layer WL2, and the thick portion 23T is located between the second wiring layer WL2 and the second wiring layer WL2 . It is located between the third wiring layer WL3 . In the fourth embodiment, a predetermined region of the insulating layer 23 covering the conductor pattern 14 is defined as a thick region 23W1 .

第4実施形態において、肉厚部21Tは、絶縁層21の面内方向において、肉厚領域21Wから肉薄領域21Lを隔てて位置している。肉厚部21Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域21Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第4実施形態において、絶縁層23は、導体パターン14及び15を覆うように絶縁層21の上面に位置している。絶縁層23における、導体パターン14を覆う肉厚領域23W1、及び導体パターン15を覆う肉厚領域23W2は、導体パターン14及び15が設けられていない絶縁層21の上面を覆う肉薄領域23L1、23L2より肉厚である。さらに、絶縁層23は、肉薄領域23L1と肉薄領域23L2とに挟まれた部分が肉厚に構成されてなる肉厚部23Tを有する。第4実施形態において、肉厚部23Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域23W1及び肉厚領域23w2のそれぞれの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第4実施形態において、導体パターン14は肉厚領域21Wの上面に位置し、導体パターン15は肉厚部21Tの上面に位置していることで、導体パターン14の積層方向における高さ位置と、導体パターン15の積層方向における高さ位置とを略一致させることができる。また、第4実施形態において、導体パターン12は肉厚領域23W1の上面に位置し、導体パターン13は肉厚部23Tの上面に位置し、導体パターン16は肉厚領域23W2の上面に位置していることで、導体パターン12、13、16のそれぞれの積層方向における高さ位置を略一致させることができる。 In the fourth embodiment, the thick portion 21 T, in-plane direction of the insulating layer 21 is located at a thin region 21 L from thickened region 21 W. The thick portion 21T is configured such that the height position in the stacking direction thereof substantially coincides with the height position of the thick region 21W in the stacking direction. In the fourth embodiment, the insulating layer 23 is located on the upper surface of the insulating layer 21 so as to cover the conductor patterns 14 and 15. The thick region 23 W1 covering the conductor pattern 14 and the thick region 23 W2 covering the conductor pattern 15 in the insulating layer 23 are thin regions 23 L1 covering the upper surface of the insulating layer 21 where the conductor patterns 14 and 15 are not provided. , 23 Thicker than L2 . Furthermore, the insulating layer 23, a portion held between the thinner portions 23 L1 and thinner portions 23 L2 has a thick portion 23 T consisting configured thickened. In the fourth embodiment, the thick portion 23 T, the height position in the stacking direction is configured to substantially coincide with the height position in each of the stacking direction of the thickened region 23 W1 and thickness region 23 w2 ing. In the fourth embodiment, the conductor pattern 14 is located on the upper surface of the thick region 21 W, the conductor pattern 15 that is positioned on the upper surface of the thick portion 21 T, the height in the stacking direction of the conductor pattern 14 located And the height position of the conductor pattern 15 in the stacking direction can be substantially matched. In the fourth embodiment, the conductor pattern 12 is located on the upper surface of the thick region 23 W1, the conductor pattern 13 is located on the upper surface of the thick portion 23 T, the conductor pattern 16 on the upper surface of the thick region 23 W2 By being located, it is possible to make the height positions of the conductor patterns 12, 13, 16 in the lamination direction substantially coincide.

第4実施形態における上記構成によれば、電極43の積層方向直下において絶縁層21の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部21Tが設けられていることで、絶縁層21上に形成される2つの導体パターン14、15の高さ位置を略一致させることができる(図4)。さらに、第4実施形態における上記構成によれば、電極42の積層方向直下において絶縁層23の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部23Tが設けられていることで、絶縁層23上に形成される3つの導体パターン12、13、16の高さ位置を略一致させることができる(図4)。このため、電子部品が実装され得る電極41、電極42及び電極43の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板1を提供することができる。なお、導体パターン14、15の高さ位置の差が、例えば0μm〜3μmの範囲内、好ましくは1.5μm以下となるように、肉厚部21Tが設けられていることが好ましい。同様に、導体パターン12、13、16の高さ位置の差が、例えば0μm〜3μmの範囲内、好ましくは1.5μm以下となるように、肉厚部23Tが設けられていることが好ましい。上記の各範囲内に高さ位置の差が調整されることにより、多層配線基板1の表層に対して略平行に電子部品が実装され得る。当該高さ位置の差が3μmを超えると、電子部品を多層配線基板1に実装する際に、電子部品と多層配線基板1との接続不良が生じやすくなるおそれがある。 According to the configuration in the fourth embodiment, since the thick portion 21 T which part of the insulating layer 21 is formed of thicker in the stacking direction just below the electrode 43 is provided, on the insulating layer 21 The height positions of the two conductor patterns 14 and 15 to be formed can be substantially matched (FIG. 4). Furthermore, according to the configuration in the fourth embodiment, since the thick portion 23 T which part of the insulating layer 23 is formed of thicker in the stacking direction just below the electrode 42 is provided, the insulating layer 23 The height positions of the three conductor patterns 12, 13, 16 formed thereon can be substantially matched (FIG. 4). For this reason, the height positions of the electrodes 41, the electrodes 42, and the electrodes 43 on which the electronic components can be mounted are also substantially the same, and the high-quality multilayer wiring board 1 on which the electronic components can be stably mounted can be provided. it can. Incidentally, the difference between the height position of the conductor pattern 14 and 15, for example in the range of 0Myuemu~3myuemu, preferably as a 1.5μm or less, it is preferable that the thick portion 21 T is provided. Similarly, the difference between the height position of the conductor pattern 12, 13, 16 is, for example, in the range of 0Myuemu~3myuemu, preferably so that 1.5μm or less, it is preferable that the thick portion 23 T is provided . By adjusting the difference in height position within each of the above ranges, the electronic component can be mounted substantially parallel to the surface layer of the multilayer wiring board 1. If the difference between the height positions exceeds 3 μm, when the electronic component is mounted on the multilayer wiring board 1, a connection failure between the electronic component and the multilayer wiring board 1 may easily occur.

第4実施形態における多層配線基板1は、3層の配線層が積層されてなる多層配線層WLMを含む多層配線構造体1Aを備える多層配線基板1を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、4層以上の配線層が積層されてなる多層配線層を含む多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。また、第4実施形態における多層配線基板1は、表層である絶縁層22に電極41、42、43の3つの電極が並列されてなる多層配線構造体1Aを備える多層配線基板1を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表層である絶縁層22に4つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体を備える多層配線基板であってもよい。 Although the multilayer wiring board 1 according to the fourth embodiment has been described as including the multilayer wiring structure 1A including the multilayer wiring layer WLM formed by laminating three wiring layers, the present invention is not limited to this. Instead, a multilayer wiring board including a multilayer wiring structure including a multilayer wiring layer in which four or more wiring layers are stacked may be used. The multilayer wiring board 1 according to the fourth embodiment has been described as including the multilayer wiring structure 1A in which three electrodes 41, 42, and 43 are arranged in parallel on the insulating layer 22 as the surface layer. However, the present invention is not limited to this, and may be a multilayer wiring board including a multilayer wiring structure in which four or more electrodes are arranged in parallel on an insulating layer 22 as a surface layer.

さらに、第4実施形態においては、第3配線層WL3を構成する導体パターン12の積層方向下方に2個の導体パターン(導体パターン11、14)が位置し、第3配線層WL3を構成する導体パターン16の積層方向下方に1個の導体パターン(導体パターン15)が位置し、第3配線層WL3を構成する導体パターン13の積層方向下方に位置する絶縁層23の一部(肉厚部23T)が肉厚に構成されており、導体パターン16の積層方向下方に位置する絶縁層21の一部(肉厚部21T)が肉厚に構成されているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第4実施形態の構成に替えて、導体パターン12の積層方向下方に1個の導体パターンが位置し、導体パターン13の積層方向下方に2個の導体パターンが位置し、導体パターン12の積層方向下方に位置する絶縁層21の一部が肉厚に構成されており、導体パターン16の積層方向下方に位置する絶縁層23の一部が肉厚に構成されている形態であってもよい。 Further, in the fourth embodiment, two conductor patterns (conductor patterns 11 and 14) are located below the conductor pattern 12 forming the third wiring layer WL3 in the stacking direction, and the third wiring layer WL3 is formed. One conductor pattern (conductor pattern 15) is located below the lamination direction of the conductor pattern 16 to be laminated, and a part (the meat) of the insulating layer 23 located below the lamination direction of the conductor pattern 13 forming the third wiring layer WL3. The thick portion 23 T ) is formed to be thick, and a part (thick portion 21 T ) of the insulating layer 21 located below the conductor pattern 16 in the stacking direction is formed to be thick. It is not limited to this. For example, instead of the configuration of the fourth embodiment, one conductor pattern is located below the conductor pattern 12 in the stacking direction, and two conductor patterns are located below the conductor pattern 13 in the stacking direction. Even in a mode in which a part of the insulating layer 21 located below the lamination direction is configured to be thick and a part of the insulating layer 23 located below the conductive pattern 16 in the lamination direction is configured to be thick. Good.

また、上述した4層以上の配線層、例えば第1〜第4配線層がこの順で積層されてなる多層配線層を備える多層配線基板において、第4配線層を構成する一の導体パターンの積層方向下方に第1〜第3配線層を構成する各導体パターンが位置し、第4配線層を構成する他の導体パターンの積層方向下方に第1〜第3配線層のうちの2つの配線層を構成する各導体パターンが位置し、第4配線層を構成するさらに他の導体パターンの積層方向に第1〜第3配線層のうちのいずれか1つの配線層を構成する導体パターンが位置する形態であってもよい。この場合、第4配線層を構成する各導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、配線層間に位置する絶縁層の一部が肉厚に構成され得る。   In a multilayer wiring board including a multilayer wiring layer in which four or more wiring layers, for example, the first to fourth wiring layers are stacked in this order, the lamination of one conductor pattern forming the fourth wiring layer Each of the conductor patterns constituting the first to third wiring layers is located downward in the direction, and two of the first to third wiring layers are located below the other conductor pattern constituting the fourth wiring layer in the stacking direction. Are arranged, and the conductor pattern constituting any one of the first to third wiring layers is located in the laminating direction of still another conductor pattern constituting the fourth wiring layer. It may be in a form. In this case, a part of the insulating layer located between the wiring layers may be configured to have a large thickness so that the height positions of the respective conductor patterns constituting the fourth wiring layer in the laminating direction substantially coincide with each other.

[第5実施形態]
図5は、第5実施形態における多層配線基板1を表す概略断面図である。なお、上述した各実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第5実施形態における多層配線基板1は、基板10の厚さ方向に貫通するスルーホールビア10THが設けられ、基板10の上面10Hに多層配線層WLM1を含む第1多層配線構造体1Aが設けられ、基板10の下面10Lに多層配線層WLM2を含む第2多層配線構造体1Bが設けられた構造を有する。スルーホールビア10THは、基板10の厚さ方向に貫通する貫通孔の壁面に導電材料をめっきしてなるものであり、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。スルーホールビア10THは、多層配線層WLM1の導体パターン11と多層配線層WLM2の導体パターン61とを電気的に接続する導電体として機能する。なお、多層配線層WLM1としては第1実施形態における多層配線基板1における多層配線層WLMと同様の構成を採用している。第5実施形態における多層配線層WLM2として、基板10を境界として多層配線層WLM1を反転させた積層構造を採用しているが、説明の簡略化のために便宜的に採用したものであり、当該構造に限定されるものではなく、種々の積層構造が適宜設定され得る。また、本開示の多層配線基板1を構成する導電体としては、上記スルーホールビア10THに限定されるものではなく、上記導電材料が上記貫通孔内に充填されてなる充填ビアであってもよい。
[Fifth Embodiment]
FIG. 5 is a schematic sectional view illustrating the multilayer wiring board 1 according to the fifth embodiment. The same components as those of the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The multilayer wiring board 1 in the fifth embodiment, the through-hole via 10 TH is provided to penetrate in the thickness direction of the substrate 10, the first multilayer wiring structure 1A which comprises a multilayer wiring layer W LM1 on the upper surface 10 H of the substrate 10 It is provided, having a structure in which the second multilayer wiring structure 1B provided comprising a multilayer wiring layer W LM2 on the lower surface 10 L of the substrate 10. The through-hole via 10 TH is formed by plating a conductive material on the wall surface of a through-hole penetrating in the thickness direction of the substrate 10. For example, a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au) is used. It is composed of materials. Through-hole via 10 TH serves as a conductor for electrically connecting the conductor pattern 61 of the conductor pattern 11 and the multilayer wiring layer W LM2 of the wiring layer W LM1. As the multi-layer wiring layer W LM1 adopts the same configuration as the multilayer wiring layer W LM in the multi-layer wiring board 1 in the first embodiment. As the multilayer wiring layer WLM2 in the fifth embodiment, a multilayer structure obtained by inverting the multilayer wiring layer WLM1 with the substrate 10 as a boundary is adopted, but is adopted for the sake of simplicity of explanation. However, the present invention is not limited to this structure, and various laminated structures can be appropriately set. The conductor constituting the multilayer wiring board 1 of the present disclosure is not limited to the through-hole via 10TH , and may be a filled via in which the conductive material is filled in the through-hole. Good.

多層配線層WLM2は、第1配線層WL1B及び第2配線層WL2Bが基板10の下面10L側から順に積層されてなり、第1配線層WL1Bと第2配線層WL2Bとの間に絶縁層61が位置し、第2配線層WL2Bを覆うように絶縁層62が位置している。第2多層配線構造体1Bの表層に電極81及び電極82が設けられている。第1配線層WL1Bは、導体パターン51で構成され、第2配線層WL2Bは、導体パターン52及び導体パターン53で構成されている。導体パターン51は、基板10の下面10Lに位置している。導体パターン52及び導体パターン53は、絶縁層61上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。導体パターン51上に層間接続部としてのビア34が設けられている。また、電極81は導体パターン52の上面に連続して位置し、電極82は導体パターン53の上面に連続して位置している。ビア34は、ビア31と同様に、例えば銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等の導電材料で構成されてなる。ビア34のサイズ(例えば幅や深さ)は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板1のサイズ、各導体パターンのサイズやピッチ、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。なお、ビア34は、絶縁層61に形成された貫通孔の壁面に上記導電材料をめっきしてなるものであってもよいし、当該貫通孔に上記導電材料を充填してなるものであってもよい。 The multilayer wiring layer W LM2 includes a first wiring layer W L1B and a second wiring layer W L2B which are sequentially stacked from the lower surface 10 L side of the substrate 10, and a first wiring layer WL 1B and a second wiring layer WL 2B are formed. The insulating layer 61 is located therebetween, and the insulating layer 62 is located so as to cover the second wiring layer WL2B . The electrode 81 and the electrode 82 are provided on the surface layer of the second multilayer wiring structure 1B. The first wiring layer WL1B is composed of a conductor pattern 51, and the second wiring layer WL2B is composed of a conductor pattern 52 and a conductor pattern 53. Conductor pattern 51 is located on the lower surface 10 L of the substrate 10. The conductor pattern 52 and the conductor pattern 53 are located at a predetermined distance from each other in an in-plane direction on the insulating layer 61. Vias 34 are provided on the conductor pattern 51 as interlayer connection portions. The electrode 81 is continuously located on the upper surface of the conductor pattern 52, and the electrode 82 is continuously located on the upper surface of the conductor pattern 53. The via 34 is made of a conductive material such as copper (Cu), nickel (Ni), or gold (Au), like the via 31. The size (for example, width and depth) of the via 34 is not particularly limited, but depends on the desired size of the multilayer wiring board 1, the size and pitch of each conductor pattern, the thickness of each insulating layer, and the like. It can be set appropriately. The via 34 may be formed by plating the wall surface of a through hole formed in the insulating layer 61 with the conductive material, or may be formed by filling the through hole with the conductive material. Is also good.

絶縁層61及び絶縁層62は、例えば感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等の感光性樹脂材料で構成されてなる。絶縁層61は、導体パターン51を覆うように基板10の下面10Lに位置しており、絶縁層62は、導体パターン52及び導体パターン53を覆うように絶縁層61の上面に位置している。絶縁層61における、導体パターン51を覆う肉厚領域61Wは、導体パターン51が設けられていない基板10の下面10Lを覆う肉薄領域61Lより肉厚である。さらに、絶縁層61は、肉厚領域61Wから、面内方向において肉薄領域61Lを隔てた部位が肉厚に構成されてなる肉厚部61Tを有する。第5実施形態において、肉厚部61Tは、その積層方向における高さ位置が、肉厚領域61Wの積層方向における高さ位置と略一致するように構成されている。第5実施形態において、導体パターン52は肉厚領域61Wの上面に位置し、導体パターン53は肉厚部61Tの上面に位置している。 The insulating layers 61 and 62 are made of a photosensitive resin material such as a photosensitive polyimide resin, a photosensitive epoxy resin, and a photosensitive acrylic resin. Insulating layer 61 is located on the lower surface 10 L of the substrate 10 to cover the conductor pattern 51, the insulating layer 62 is located on the upper surface of the insulating layer 61 to cover the conductive pattern 52 and conductive pattern 53 . In the insulating layer 61, the thickness area 61 W covering the conductor pattern 51 is thicker than the thinner portions 61 L covering the lower surface 10 L of the substrate 10 on which the conductor pattern 51 is not provided. Furthermore, the insulating layer 61, the thickened region 61 W, has a thick portion 61 T to sites in the plane direction across the thin region 61 L is configured to thick. In the fifth embodiment, the thick portion 61 T is the height position in the stacking direction, are configured to substantially match the height position in the stacking direction of the thickened region 61 W. In the fifth embodiment, the conductor pattern 52 is located on the upper surface of the thick region 61 W, the conductor pattern 53 is located on the upper surface of the thick portion 61 T.

第5実施形態における上記構成によれば、電極82の積層方向直下において絶縁層61の一部が肉厚に構成されてなる肉厚部61Tが設けられていることで、絶縁層61上に形成される2つの導体パターン52、53の積層方向における高さ位置を略一致させることができる(図5)。このため、電子部品が実装され得る電極81及び電極82の高さ位置も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板1を実現することができる。なお、導体パターン52、53の高さ位置の差が、例えば0μm〜3μmの範囲内、好ましくは1.5μm以下となるように、肉厚部61Tが設けられていることが好ましい。上記の範囲内に高さ位置の差が調整されることにより、多層配線基板1の表層に対して略平行に電子部品が実装され得る。当該高さ位置の差が3μmを超えると、電子部品を多層配線基板1に実装する際に、電子部品と多層配線基板1との接続不良が生じやすくなるおそれがある。 According to the configuration in the fifth embodiment, since the thick portion 61 T a part of the insulating layer 61 is formed of thicker in the stacking direction just below the electrode 82 is provided, on the insulating layer 61 The height positions of the two conductor patterns 52 and 53 to be formed in the laminating direction can be substantially matched (FIG. 5). Therefore, the height positions of the electrodes 81 and the electrodes 82 on which the electronic components can be mounted are also substantially the same, and the high-quality multilayer wiring board 1 on which the electronic components can be stably mounted can be realized. Incidentally, the difference between the height position of the conductor pattern 52 and 53, for example in the range of 0Myuemu~3myuemu, preferably as a 1.5μm or less, it is preferable that the thick portion 61 T is provided. By adjusting the difference in height position within the above range, the electronic component can be mounted substantially parallel to the surface layer of the multilayer wiring board 1. If the difference between the height positions exceeds 3 μm, when the electronic component is mounted on the multilayer wiring board 1, a connection failure between the electronic component and the multilayer wiring board 1 may easily occur.

なお、第5実施形態における多層配線基板1に搭載され得る電子部品としては、例えばリレー、トランジスタ、集積回路(Integrated Circuit(IC))などの能動素子の他、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの受動素子等が挙げられる。また、第5実施形態において、上記に例示した電子部品のうちの何れか1以上の電子部品が各電極に電気的に接続されて実装されてなる多層配線基板を「部品実装多層配線基板」という。第5実施形態における多層配線基板1を用いる場合、電極41及び電極42(第1電極)に1の上記電子部品が電気的に接続されて実装されているとともに、電極81及び電極82(第2電極)に1の上記電子部品が電気的に接続されて実装されている部品実装多層配線基板とすることができる。また、例えば、電極41及び電極42(第1電極)に1の上記電子部品が電気的に接続されて実装されており、電極81及び電極82(第2電極)に上記電子部品が実装されていない部品実装多層配線基板とすることもできる。   The electronic components that can be mounted on the multilayer wiring board 1 in the fifth embodiment include, for example, active elements such as relays, transistors, and integrated circuits (Integrated Circuits (IC)), as well as passive elements such as resistors, capacitors, and inductors. And the like. In the fifth embodiment, a multilayer wiring board in which at least one of the electronic components exemplified above is electrically connected to each electrode and mounted is referred to as a “component mounted multilayer wiring board”. . When the multilayer wiring board 1 according to the fifth embodiment is used, one of the electronic components is electrically connected to and mounted on the electrode 41 and the electrode 42 (first electrode), and the electrode 81 and the electrode 82 (second electrode) are used. A component-mounted multilayer wiring board in which one of the electronic components is electrically connected to and mounted on the electrode). Also, for example, one of the electronic components is electrically connected and mounted on the electrodes 41 and 42 (first electrode), and the electronic component is mounted on the electrodes 81 and 82 (second electrode). A component mounting multilayer wiring board may be used.

第5実施形態における多層配線基板1は、2層の配線層からなる多層配線層WLM1を基板10の上面10Hに備え、2層の配線層からなる多層配線層WLM2を基板10の下面10Lに備える多層配線基板1を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、3層以上の配線層が積層されてなる多層配線層を基板10の両面に備える多層配線基板であってもよい。また、第5実施形態における多層配線基板1は、表層である絶縁層22に電極41、42の2つの電極が並列されてなる多層配線構造体1Aと、表層である絶縁層62に電極81、82の2つの電極が並列されてなる多層配線構造体1Bとを備える多層配線基板1を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表層である絶縁層22に3つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体と、表層である絶縁層62に3つ以上の電極が並列されてなる多層配線構造体とを備える多層配線基板であってもよい。 The multilayer wiring board 1 in the fifth embodiment, includes a multilayer wiring layer W LM1 consisting two wiring layers on the upper surface 10 H of the substrate 10, a multilayer wiring layer W LM2 consisting two wiring layers lower surface of the substrate 10 Although the multi-layer wiring board 1 provided for 10 L has been described, the present invention is not limited to this, and a multi-layer wiring board including three or more wiring layers laminated on both sides of the board 10 may be used. There may be. The multilayer wiring board 1 according to the fifth embodiment includes a multilayer wiring structure 1A in which two electrodes 41 and 42 are arranged in parallel on an insulating layer 22 as a surface layer, and an electrode 81 on an insulating layer 62 as a surface layer. 82, the multilayer wiring board 1 including the multilayer wiring structure 1B in which two electrodes are arranged in parallel has been described. However, the present invention is not limited to this. A multilayer wiring board including a multilayer wiring structure in which electrodes are arranged in parallel and a multilayer wiring structure in which three or more electrodes are arranged in parallel on an insulating layer 62 as a surface layer may be used.

[多層配線基板の製造方法]
図6は、本開示の一実施形態の多層配線基板(多層配線構造体)の製造方法を表す工程図であり、図7は図6の製造工程に続く工程図である。以下では、第1実施形態における多層配線基板1の製造方法を例として説明する。
[Manufacturing method of multilayer wiring board]
6 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a multilayer wiring board (multilayer wiring structure) according to an embodiment of the present disclosure, and FIG. 7 is a process diagram following the manufacturing process in FIG. Hereinafter, a method for manufacturing the multilayer wiring board 1 in the first embodiment will be described as an example.

まず、基板10として、所望の厚さと大きさのガラスエポキシを主材とする基板を準備し、基板10の上面10Hに、導体パターン11を形成する(図6(A))。導体パターン11の形成には、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等、これらを含む合金が好適に用いられる。導体パターン11を形成する方法としては、例えば基板10の上面10Hに形成した導電性シード層上に電気めっき用のレジストパターンを形成し、当該パターンのレジスト開口部に所望の厚さで電気めっきを施した後、レジストパターン及び不要な導電性シード層を除去する方法等が挙げられる。基板10の上面10Hに導電性シード層を形成する方法としては、例えばスパッタリング法や無電解めっき法等が挙げられる。また、基板10の上面10Hに導電層を形成し、この導電層上にレジストパターンを形成し、その後、このレジストパターンをマスクしてエッチングすることにより、導体パターン11を形成してもよい。レジストパターンは、ドライフィルムレジストや液レジストに対する露光・現像処理により形成され得る。なお、基板10としては、上述したガラスエポキシを主材とする基板に限定されるものではなく、ガラス、シリコン等を主材とする基板が好適に用いられ得る。 First, as the substrate 10, providing a substrate for the main material of glass epoxy having a desired thickness and size, the upper surface 10 H of the substrate 10 to form a conductive pattern 11 (FIG. 6 (A)). For forming the conductive pattern 11, an alloy containing these, such as copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au), is preferably used. As a method for forming the conductive pattern 11, for example, a resist pattern for electroplating is formed on the upper surface 10 formed by the conductive seed layer on a H of the substrate 10, electroplated with a desired thickness on the resist opening portion of the pattern And then removing the resist pattern and the unnecessary conductive seed layer. As a method for forming a conductive seed layer on the upper surface 10 H of the substrate 10, for example, a sputtering method or an electroless plating method and the like. Alternatively, the conductive pattern may be formed by forming a conductive layer on the upper surface 10 H of the substrate 10, forming a resist pattern on the conductive layer, and then etching using the resist pattern as a mask. The resist pattern can be formed by exposing and developing a dry film resist or a liquid resist. Note that the substrate 10 is not limited to the above-described substrate mainly composed of glass epoxy, and a substrate mainly composed of glass, silicon, or the like can be suitably used.

次に、導体パターン11を覆うように、基板10の上面10Hに、例えばスピンコート、ディップコート、スプレーコート、バーコート等の方法でネガ型の感光性樹脂溶液を塗布し、感光性樹脂塗膜21’を形成する(図6(B))。感光性樹脂溶液としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、及び感光性アクリル樹脂等を感光性樹脂材料として含む感光性樹脂溶液が挙げられる。本実施形態においては、導体パターン11の上面を覆う感光性樹脂塗膜21’の領域(以下、「肉厚領域」という。)21’Wの積層方向における高さ位置が、導体パターン11が形成されていない基板10の上面10Hを覆う感光性樹脂塗膜21’の所定領域(以下、「肉薄領域」という。)21’Lの積層方向における高さ位置より高くなっている。 Then, so as to cover the conductive pattern 11, the upper surface 10 H of the substrate 10, for example, spin coating, dip coating, spray coating, a negative type photosensitive resin solution was applied by a method such as bar coating, a photosensitive resin coating A film 21 'is formed (FIG. 6B). Examples of the photosensitive resin solution include a photosensitive resin solution containing a photosensitive polyimide resin, a photosensitive epoxy resin, a photosensitive acrylic resin, or the like as a photosensitive resin material. In this embodiment, the height of the region of the photosensitive resin coating film 21 ′ (hereinafter, referred to as “thick region”) 21 ′ W covering the upper surface of the conductor pattern 11 in the stacking direction is determined by the conductor pattern 11. The predetermined area (hereinafter, referred to as “thin area”) 21 ′ L of the photosensitive resin coating film 21 ′ covering the upper surface 10 H of the substrate 10 which is not formed is higher than the height position in the stacking direction.

次に、透過部100t、半透過部100h、及び遮光部100sを有する多階調マスク100を用いて、硬化部21’d、半硬化部21’h、及び未硬化部21’nを有する感光性樹脂層21’ Yを形成する(図6(C))。多階調マスク100として、例えばハーフトーンマスクあるいはグレイトーンマスク等が用いられ得る。本実施形態においては、遮光部100sが肉厚領域21’Wの一部に対応するように、多階調マスク100を感光性樹脂塗膜21’の上方に位置させる。その後、感光性樹脂塗膜21’に対して多階調マスク100を介した露光を行う。透過部100tを透過した露光光により、透過部100tに対応する感光性樹脂塗膜21’部分が硬化され硬化部21’dとなる。また、半透過部100hを透過した露光光の一部により、半透過部100hに対応する感光性樹脂塗膜21’を構成する一部の樹脂が硬化され、硬化される一部を除くその他の樹脂が未硬化な状態で残り、半硬化部21’hとなる。一方で、遮光部100sにより露光光が遮光されることにより、遮光部100sに対応する感光性樹脂塗膜21’部分は未硬化部21’nとなる。 Next, using a multi-tone mask 100 having a transmissive portion 100t, a semi-transmissive portion 100h, and a light-shielding portion 100s, a photosensitive member having a cured portion 21'd, a semi-cured portion 21'h, and an uncured portion 21'n is used. The conductive resin layer 21′Y is formed (FIG. 6C). As the multi-tone mask 100, for example, a half-tone mask or a gray-tone mask can be used. In the present embodiment, the light shielding portion 100s is "to correspond to a portion of is W, the multi-tone mask 100 photosensitive resin film 21 'thickened region 21 is positioned above the. After that, the photosensitive resin coating film 21 'is exposed through the multi-tone mask 100. The photosensitive resin coating 21 ′ corresponding to the transmission part 100t is cured by the exposure light transmitted through the transmission part 100t to form a cured part 21′d. In addition, a part of the resin constituting the photosensitive resin coating film 21 ′ corresponding to the semi-transmissive portion 100h is cured by a part of the exposure light transmitted through the semi-transmissive portion 100h, and other resins except the cured portion are used. The resin remains in an uncured state and becomes a semi-cured portion 21'h. On the other hand, when the exposure light is shielded by the light shielding portion 100s, the portion of the photosensitive resin coating film 21 'corresponding to the light shielding portion 100s becomes an uncured portion 21'n.

その後、感光性樹脂層21’Yに対して現像処理を行うことにより、貫通孔21H及び肉厚部21Tを有する絶縁層21を形成する(図6(D))。本実施形態においては、現像処理によって、感光性樹脂層21’Yの未硬化部21’nが除去されて貫通孔21Hとなり、感光性樹脂層21’Yの硬化部21’dが肉厚部21Tとなる。一方で、感光性樹脂層21’Yの半硬化部21’hのうち、上記の未硬化な状態で残る樹脂部分は現像処理により除去される。その結果、現像処理により未硬化な状態で残る樹脂部分が除去された後の、半硬化部21’hに対応する絶縁層21部分の厚さは、現像処理を行う前の感光性樹脂層21’Yの厚さよりも薄くなる。具体的には、半硬化部21’hに対応する絶縁層21部分で、導体パターン11が形成されない基板10の上面10Hを覆う部分が、肉厚部21Tに対して薄膜に形成され得る。また、半硬化部21’hに対応する絶縁層21部分で、導体パターン11を覆う(貫通孔21Hを除く)領域(以下「肉厚領域」という。)21Wが、現像処理を行う前の感光性樹脂層21’Yの厚さよりも薄くなる。その結果、肉厚領域21Wの積層方向における高さ位置と、肉厚部21Tの積層方向における高さ位置とが略一致することになる(図6(D))。 Thereafter, by performing development processing of the photosensitive resin layer 21 'Y, an insulating layer 21 having a through-hole 21 H and thick portion 21 T (FIG. 6 (D)). In this embodiment, the developing process, 'the through-hole 21 H next is removed uncured portion 21'n of Y, the photosensitive resin layer 21' photosensitive resin layer 21 cured portion 21'd wall thickness of Y This is the part 21T . On the other hand, among the semi-curing section 21'h of the photosensitive resin layer 21 'Y, the resin portion which remains in the uncured state described above is removed by development processing. As a result, the thickness of the portion of the insulating layer 21 corresponding to the semi-cured portion 21′h after the resin portion remaining in an uncured state is removed by the development process is changed to the photosensitive resin layer 21 before the development process. 'It becomes thinner than the thickness of Y. Specifically, an insulating layer 21 portions corresponding to the semi-curing section 21'h, the portion covering the upper surface 10 H of the substrate 10 on which the conductor pattern 11 is not formed, may be formed into a thin film with respect to the thick portion 21 T . Further, an insulating layer 21 portions corresponding to the semi-curing section 21'h, (excluding the through hole 21 H) of the conductor pattern 11 to cover a region (hereinafter referred to as "thickened region".) 21 W is, before carrying out the development process thinner than the photosensitive resin layer 21 'thickness of Y. As a result, the height position of the thick region 21W in the stacking direction substantially coincides with the height position of the thick portion 21T in the stacking direction (FIG. 6D).

なお、本実施形態においては、ネガ型の感光性樹脂溶液で構成された感光性樹脂塗膜21’に対して多階調マスク100を介した露光及び現像を行い、貫通孔21H及び肉厚部21Tを有する絶縁層21が形成されるものであるが、これに限定されるものではなく、感光性樹脂塗膜21’として、ポジ型の感光性樹脂溶液で構成されたものを使用してもよい。 Note that, in the present embodiment, the photosensitive resin coating film 21 ′ made of a negative photosensitive resin solution is exposed and developed through the multi-tone mask 100 to form the through-hole 21 H and the thickness. but in which the insulating layer 21 having a part 21 T is formed, this is not limited, as the photosensitive resin film 21 ', using those composed of the photosensitive resin solution of a positive You may.

次に、貫通孔21Hに導電材料を充填してビア31を形成しつつ、絶縁層21の肉厚領域21Wの上面に導体パターン12を形成し、肉厚部21Tの上面に導体パターン13を形成する(図7(A))。ビア31、導体パターン12および導体パターン13は、上述した導体パターン11と同様にして形成され得る。ビア31、導体パターン12および導体パターン13の形成には、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)等、これらを含む合金が好適に用いられる。 Next, the conductive pattern 12 is formed on the upper surface of the thick region 21 W of the insulating layer 21 while filling the conductive material into the through hole 21 H to form the via 31, and the conductive pattern is formed on the upper surface of the thick portion 21 T. 13 (FIG. 7A). The via 31, the conductor pattern 12, and the conductor pattern 13 can be formed in the same manner as the conductor pattern 11 described above. For forming the via 31, the conductor pattern 12, and the conductor pattern 13, an alloy containing these, such as copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au), is preferably used.

その後、導体パターン12および導体パターン13を覆うように絶縁層22を形成する(図7(B))。絶縁層22は、エポキシ樹脂溶液等を、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、バーコートなどの方法で塗布し、乾燥後、加熱硬化させる、いわゆる塗布法により形成され得る。   Thereafter, an insulating layer 22 is formed so as to cover the conductor patterns 12 and 13 (FIG. 7B). The insulating layer 22 can be formed by a so-called coating method in which an epoxy resin solution or the like is applied by a method such as spin coating, dip coating, spray coating, or bar coating, dried, and then heat-cured.

次に、導体パターン12の上面の一部が露出するように、絶縁層22を厚さ方向に貫通する貫通孔22H1を形成するとともに、導体パターン13の上面の一部が露出するように、絶縁層22の厚さ方向に貫通する貫通孔22H2を形成する(図7(C))。貫通孔22H1および貫通孔22H2は、例えば絶縁層22上に所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして所望のエッチング液でエッチングする等の方法により形成され得る。 Next, a through hole 22 H1 penetrating the insulating layer 22 in the thickness direction is formed so that a part of the upper surface of the conductor pattern 12 is exposed, and a part of the upper surface of the conductor pattern 13 is exposed such that A through hole 22 H2 penetrating in the thickness direction of the insulating layer 22 is formed (FIG. 7C). The through-hole 22 H1 and the through-hole 22 H2 can be formed by, for example, forming a desired resist pattern on the insulating layer 22 and etching with a desired etchant using the resist pattern as a mask.

次に、貫通孔22H1に導電材料を充填して電極41を形成し、貫通孔22H2に導電材料を充填して電極42を形成する(図7(D))。電極41および電極42は、電極41、42を構成する材料(例えば、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、鉛錫合金等)を用い、例えば電気めっき、無電解めっき等により形成され得る。以上の工程により、導体パターン12(電極41)及び導体パターン13(電極42)の高さ位置が略一致した多層配線基板1が形成され得る。 Next, the electrode 41 is formed by filling the through hole 22 H1 with a conductive material, and the electrode 42 is formed by filling the through hole 22 H2 with a conductive material (FIG. 7D). The electrodes 41 and 42 are made of a material (eg, copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), lead-tin alloy, or the like) that forms the electrodes 41 and 42, for example, by electroplating, electroless plating, or the like. Can be formed. Through the above steps, the multilayer wiring board 1 in which the height positions of the conductor pattern 12 (electrode 41) and the conductor pattern 13 (electrode 42) are substantially the same can be formed.

以上説明した実施形態は、本開示の理解を容易にするために記載されたものであって、本開示を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本開示の技術的範囲に属するすべての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present disclosure, and are not described for limiting the present disclosure. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present disclosure.

上記各実施形態における多層配線基板1においては、図1〜図5に示される通り、表層に位置する導体パターンの積層方向の略直下に位置する絶縁層が肉厚に構成されている態様が描かれているが、この態様に限定されるものではない。例えば、表層に位置する導体パターンの高さ位置を略一致させ得る限り、表層に位置する導体パターンの少なくとも一部の積層方向下方に位置する絶縁層が肉厚に構成されているものであればよい。すなわち、表層に位置する導体パターンの積層方向の直下でなくても、当該積層方向の直下の位置から所定の層の面内方向(図示においては左右方向)にずれた位置における絶縁層が肉厚に構成されているものであってもよい。   In the multilayer wiring board 1 in each of the above embodiments, as shown in FIGS. 1 to 5, an aspect is depicted in which the insulating layer located substantially immediately below the lamination direction of the conductor pattern located on the surface layer is configured to be thick. However, the present invention is not limited to this mode. For example, as long as the height of the conductor pattern located on the surface layer can be substantially matched, at least a part of the conductor pattern located on the surface layer is formed so that the insulating layer located below the lamination direction is thick. Good. That is, even if the insulating layer is not located immediately below the laminating direction of the conductor pattern located on the surface layer, the thickness of the insulating layer at the position displaced in the in-plane direction (left and right direction in the drawing) of the predetermined layer from the position immediately below the laminating direction May be configured.

以下、実施例、試験例等を挙げて本開示をさらに詳細に説明するが、本開示は、下記の実施例等によって何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present disclosure will be described in more detail with reference to Examples and Test Examples, but the present disclosure is not limited to the following Examples and the like.

[実施例1]
基板10として、厚さ500μmのガラス基板を準備し、このガラス基板一方の面に、導電性材料としてのCuを含む導電性シード層(膜厚0.25μm)をスパッタリングにより形成した後、めっき用の液状レジストをスピナー塗布し、第1配線層WL1の導体パターン11用のフォトマスクを用いて、露光し、現像して厚さ3μmレジストパターンを形成した。続いて、電気銅めっきによりレジスト開口部に厚さ3μmのCuめっきを施した後、ソフトエッチングにより不要な導電性シード層を除去し、導体パターン11を有する第1配線層WL1を形成した。
[Example 1]
A glass substrate having a thickness of 500 μm is prepared as the substrate 10, and a conductive seed layer (film thickness 0.25 μm) containing Cu as a conductive material is formed on one surface of the glass substrate by sputtering, and then used for plating. Was spinner-coated, exposed using a photomask for the conductor pattern 11 of the first wiring layer WL1 , and developed to form a 3 μm-thick resist pattern. Subsequently, a 3 μm-thick Cu plating was applied to the resist opening by electrolytic copper plating, and then the unnecessary conductive seed layer was removed by soft etching to form a first wiring layer WL 1 having the conductor pattern 11.

次に、導体パターン11を覆うように、基板10の上面10Hに、ネガ型感光性ポリイミド樹脂溶液をスピナー塗布し、感光性樹脂塗膜21’を形成した。続いて、多階調マスク100としてハーフトーンマスクを介して、感光性樹脂塗膜21’の表面のうち、貫通孔21H形成予定領域を遮光し、肉厚部21T形成予定領域を露光し、肉薄領域21L形成予定領域を半露光し、感光性樹脂層21’Yとした。その後、現像して、貫通孔21H及び肉厚部21Tを有する絶縁層21を形成した。 Then, so as to cover the conductive pattern 11, the upper surface 10 H of the substrate 10, a negative photosensitive polyimide resin solution was spinner coated to form a photosensitive resin film 21 '. Subsequently, through a half-tone mask as a multi-tone mask 100, of the surface of the photosensitive resin film 21 ', and shield the through hole 21 H formation region, exposing the thick portions 21 T forming area the thinner portions 21 L-formed region half exposure and a photosensitive resin layer 21 'Y. Then developed to form an insulating layer 21 having a through-hole 21 H and thick portion 21 T.

次に、絶縁層21の上面に、導電性材料としてのCuを含む導電性シード層(膜厚0.25μm)をスパッタリングにより形成した。続いて、絶縁層21の上面に形成されたシード層上に、めっき用の液状レジストを塗布し、第2配線層WL2の導体パターン12及び導体パターン13用のフォトマスクを介して、露光し、現像して厚さ3μmのレジストパターンを形成した。続いて、電気銅めっきにより、絶縁層21の貫通孔21H、レジスト開口部に厚さ3μmのCuめっきを施した。 Next, a conductive seed layer (0.25 μm in thickness) containing Cu as a conductive material was formed on the upper surface of the insulating layer 21 by sputtering. Subsequently, a liquid resist for plating is applied on the seed layer formed on the upper surface of the insulating layer 21 and is exposed through a photomask for the conductor patterns 12 and 13 of the second wiring layer WL2. The resist was developed to form a resist pattern having a thickness of 3 μm. Subsequently, Cu plating with a thickness of 3 μm was applied to the through-hole 21 H of the insulating layer 21 and the opening of the resist by electrolytic copper plating.

次に、絶縁層21の上面に形成された導電性シード層上からレジストパターンを剥離し、Cuめっきが施された部分以外の露出している不要な導電性シード層をソフトエッチングにより除去し、ビア31、並びに導体パターン12及び導体パターン13を有する第2配線層WL2を形成し、その上にパターン化した絶縁層22を形成して多層配線構造体とした。 Next, the resist pattern is peeled off from the conductive seed layer formed on the upper surface of the insulating layer 21, and unnecessary unnecessary conductive seed layers other than the Cu-plated portion are removed by soft etching. vias 31, and forming a second wiring layer W L2 having a conductor pattern 12 and the conductor pattern 13, and a multilayer wiring structure by forming an insulating layer 22 patterned thereon.

続いて、絶縁層22の開口部に、無電解めっきにより、絶縁層22の上面から突出するバンプの突出高さが3μmである電極41及び電極42を形成した。上記により、所望の多層配線基板1を作製した。   Subsequently, an electrode 41 and an electrode 42 having a bump height of 3 μm protruding from the upper surface of the insulating layer 22 were formed in the opening of the insulating layer 22 by electroless plating. As described above, a desired multilayer wiring board 1 was manufactured.

[比較例1]
導体パターン11を覆うように、基板10の上面10Hに、ネガ型感光性ポリイミド樹脂溶液をスピナー塗布して感光性樹脂塗膜を形成し、貫通孔21H用のフォトマスクを介して、感光性樹脂塗膜の表面のうち、貫通孔21H形成予定領域を遮光し、それ以外の領域を露光して感光性樹脂層とし、現像して、貫通孔21Hを有する絶縁層21とした他は、実施例1と同様にして、多層配線基板1’を作製した。
[Comparative Example 1]
A negative photosensitive polyimide resin solution is spin-coated on the upper surface 10 H of the substrate 10 so as to cover the conductor pattern 11 to form a photosensitive resin coating film, and the photosensitive resin film is exposed through a photomask for the through hole 21 H. of the surface of sexual resin film, shields the through-hole 21 H formation region, the other region by exposing a photosensitive resin layer, and developed, other that an insulating layer 21 having a through hole 21 H In the same manner as in Example 1, a multilayer wiring board 1 ′ was manufactured.

[試験例]
実施例1にかかる多層配線基板1を、電極41、電極42の形成部分において積層方向に切断した。そして、当該2箇所の切断面を、SEM(日本電子(株)製JWS−7855S)を用いて観察し、各電極が位置する各導体パターン(導体パターン12、13)の積層方向における高さ位置を測定したところ、両電極の積層方向における高さ位置の差は1.0μmであった。
[Test example]
The multilayer wiring board 1 according to Example 1 was cut in the laminating direction at a portion where the electrodes 41 and 42 were formed. Then, the two cut surfaces are observed using an SEM (JWS-7855S manufactured by JEOL Ltd.), and the height position in the stacking direction of each conductor pattern (conductor patterns 12 and 13) where each electrode is located is located. Was measured, the difference between the height positions of the two electrodes in the stacking direction was 1.0 μm.

同様に、比較例1にかかる多層配線基板1’を、電極41、電極42の形成部分において積層方向に切断した。そして、当該2箇所の切断面を、SEM(日本電子(株)製JWS−7855S)を用いて観察し、各電極が位置する各導体パターン(導体パターン12、13)の積層方向における高さ位置を測定したところ、両電極の積層方向における高さ位置の差は3.2μmであった。   Similarly, the multilayer wiring board 1 ′ according to Comparative Example 1 was cut in the laminating direction at the portions where the electrodes 41 and 42 were formed. Then, the two cut surfaces are observed using an SEM (JWS-7855S manufactured by JEOL Ltd.), and the height position in the stacking direction of each conductor pattern (conductor patterns 12 and 13) where each electrode is located is located. Was measured, the difference in height between the two electrodes in the stacking direction was 3.2 μm.

上記の試験結果から、実施例1の多層配線基板1においては、電極41及び電極42の高さ位置の差が0μm〜3μmの範囲内に抑制されていることが確認された。このことから、実施例1の多層配線基板1のように、感光性樹脂塗膜21’を形成した後に、多階調マスク100(ハーフトーンマスク)を介して、感光性樹脂塗膜21’の表面のうち、貫通孔21H形成予定領域を遮光し、肉厚部21T形成予定領域を露光し、肉薄領域21L形成予定領域を半露光して感光性樹脂層21”とし、現像して、貫通孔21H及び肉厚部21Tを有する絶縁層21を形成することで、貫通孔21Hに導電材料が充填されてなるビア31に連続するように形成されてなる導体パターン12の積層方向における高さ位置と、肉厚部21T上に形成されてなる導体パターン13の積層方向における高さ位置と、が略一致し、その結果、導体パターン12に連続して形成される電極41の積層方向における高さ位置と、導体パターン13に連続して形成される電極42の積層方向における高さ位置と、が略一致する。よって、電極41及び電極42を介して多層配線基板1上に電子部品を安定的に実装することができると考えられる。 From the above test results, it was confirmed that in the multilayer wiring board 1 of Example 1, the difference between the height positions of the electrodes 41 and 42 was suppressed to a range of 0 μm to 3 μm. For this reason, like the multilayer wiring board 1 of the first embodiment, after forming the photosensitive resin coating film 21 ′, the photosensitive resin coating film 21 ′ is formed via the multi-tone mask 100 (halftone mask). On the surface, the through-hole 21 H formation planned area is shielded from light, the thick portion 21 T formation planned region is exposed, and the thin region 21 L planned formation region is semi-exposed to form the photosensitive resin layer 21 ″ and developed. a through hole 21 by forming the insulating layer 21 having a H and a thick portion 21 T, lamination of the conductor pattern 12 that electrically conductive material in the through-hole 21 H is formed so as to be continuous to the via 31 formed by filling a height position in the direction, and the height position in the stacking direction of the conductor pattern 13 formed is formed on the thick portion 21 T, but substantially coincide, as a result, electrode 41 is continuously formed in the conductor pattern 12 Height in the stacking direction of The height position in the stacking direction of the electrodes 42 formed continuously with the electrode 13 is substantially the same, so that the electronic component is stably mounted on the multilayer wiring board 1 via the electrodes 41 and 42. It is thought that it is possible.

1…多層配線基板
1A…多層配線構造体
LM、WLM1、WLM2…多層配線層
L1、WL2、WL3、WL1B、WL2B…配線層
11、12、13、14、15、16、51、52、53…導体パターン
21、22、23…絶縁層
31、32、33…ビア(層間接続部)
41、42、43…電極
1 ... multilayer wiring board 1A ... multilayer wiring structure W LM, W LM1, W LM2 ... wiring layer W L1, W L2, W L3 , W L1B, W L2B ... wiring layer 11,12,13,14,15, 16, 51, 52, 53 ... conductor patterns 21, 22, 23 ... insulating layers 31, 32, 33 ... vias (interlayer connection parts)
41, 42, 43 ... electrodes

Claims (9)

第1〜第N(Nは2以上の整数である。)配線層がこの順に積層されてなる多層配線層と、
前記多層配線層のうちの積層方向において隣接する2つの配線層の間を電気的に分離するための各絶縁層と、
前記多層配線層のうちの少なくとも2つの配線層を電気的に接続するための層間接続部と
を備え、
前記第N配線層側から前記多層配線層の積層方向下方に向かって見たときに、前記N配線層を構成する導体パターンの一部の下方には、前記第1〜第N−1配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在するが、前記第N配線層を構成する導体パターンの他部の下方には、前記第1〜第N−1配線層のうちのいずれかの配線層を構成する導体パターンが存在せず、
前記第N配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている
多層配線構造体。
A multilayer wiring layer in which first to Nth (N is an integer of 2 or more) wiring layers are stacked in this order;
An insulating layer for electrically separating between two wiring layers adjacent to each other in the stacking direction of the multilayer wiring layers;
An interlayer connection portion for electrically connecting at least two wiring layers of the multilayer wiring layer,
When viewed from the Nth wiring layer side downward in the stacking direction of the multilayer wiring layer, the first to (N-1) th wiring layers are located below a part of the conductor pattern forming the N wiring layer. Of the first to (N-1) th wiring layers below the other portion of the conductor pattern forming the N-th wiring layer. There is no conductor pattern that constitutes one of the wiring layers,
A multilayer wiring structure in which a part of the insulating layer is thick so that the height position of the N-th wiring layer in the laminating direction of the conductor pattern is substantially the same.
前記第N配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第1〜第N−1配線層のうちのN−M(Mは1以上N−1以下の整数である。)個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、
前記第N配線層を構成する他の前記導体パターンの積層方向における下方には前記第1〜第N−1配線層のうちのN−L(LはMよりも大きく、2以上N以下の整数である。)個の配線層のそれぞれを構成する前記導体パターンが位置しており、
前記第N配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、前記第N配線層を構成する一の前記導体パターンの積層方向下方に位置するL−M個の前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている
請求項1に記載の多層配線構造体。
Below the one of the first to (N-1) th wiring layers, NM (M is an integer of 1 or more and N-1 or less) below the one conductor pattern forming the Nth wiring layer in the laminating direction. The conductor pattern forming each of the wiring layers is located;
N-L (L is larger than M and is an integer of 2 or more and N or less) of the first to (N-1) -th wiring layers below the other conductor pattern forming the N-th wiring layer in the stacking direction. The conductor pattern forming each of the wiring layers is located,
The LM insulation layers located below the one conductor pattern forming the N-th wiring layer in the stacking direction such that the height positions of the N-th wiring layer in the stacking direction of the conductor patterns are substantially the same. The multilayer wiring structure according to claim 1, wherein a part of the layer is configured to be thick.
Nは3であり、
第3配線層の前記導体パターンの積層方向における高さ位置が略一致するように、第1配線層と第2配線層との間に位置する前記絶縁層及び/又は第2配線層と第3配線層との間に位置する前記絶縁層の一部が肉厚に構成されている
請求項1または2に記載の多層配線構造体。
N is 3,
The insulating layer and / or the second wiring layer and the third wiring layer located between the first and second wiring layers are arranged such that the height position of the third wiring layer in the stacking direction of the conductor pattern is substantially the same. The multilayer wiring structure according to claim 1, wherein a part of the insulating layer located between the wiring layer and the wiring layer is configured to be thick.
前記第N配線層に電気的に接続される複数の電極をさらに備える
請求項1〜3のいずれかに記載の多層配線構造体。
The multilayer wiring structure according to claim 1, further comprising a plurality of electrodes electrically connected to the N-th wiring layer.
請求項4に記載の多層配線構造体と、
前記電極に電気的に接続されて実装されてなる少なくとも1つの電子部品と
を備える部品実装多層配線構造体。
A multilayer wiring structure according to claim 4,
A component-mounted multilayer wiring structure, comprising: at least one electronic component electrically connected to the electrode and mounted.
第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基板と、
前記基板の前記第1面側に設けられている第1多層配線構造体と、
前記基板の前記第2面側に設けられている第2多層配線構造体と、
前記基板の厚さ方向に貫通するように設けられている導電体と、を備え、
前記第1多層配線構造体は、請求項1〜3のいずれかに記載の多層配線構造体であり、
前記第2多層配線構造体は、請求項1〜3のいずれかに記載の多層配線構造体であり、
前記第1多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1〜第N配線層がこの順で前記基板の前記第1面上に積層されており、
前記第2多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1〜第N配線層がこの順で前記基板の前記第2面上に積層されており、
前記第1多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1配線層と、前記第2多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第1配線層とが、前記導電体を介して互いに電気的に接続されている
多層配線基板。
A substrate having a first surface and a second surface facing the first surface;
A first multilayer wiring structure provided on the first surface side of the substrate;
A second multilayer wiring structure provided on the second surface side of the substrate;
A conductor provided so as to penetrate in the thickness direction of the substrate,
The first multilayer wiring structure is the multilayer wiring structure according to any one of claims 1 to 3,
The second multilayer wiring structure is the multilayer wiring structure according to any one of claims 1 to 3,
The first to N-th wiring layers of the multilayer wiring layers constituting the first multilayer wiring structure are stacked on the first surface of the substrate in this order;
The first to N-th wiring layers of the multilayer wiring layers forming the second multilayer wiring structure are stacked in this order on the second surface of the substrate,
The first wiring layer of the multilayer wiring layer forming the first multilayer wiring structure and the first wiring layer of the multilayer wiring layer forming the second multilayer wiring structure are connected via the conductor. Multilayer wiring boards electrically connected to each other.
前記第1多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第N配線層に電気的に接続される複数の第1電極と、
前記第2多層配線構造体を構成する前記多層配線層の前記第N配線層に電気的に接続される複数の第2電極と、をさらに備える
請求項6に記載の多層配線基板。
A plurality of first electrodes electrically connected to the N-th wiring layer of the multilayer wiring layer forming the first multilayer wiring structure;
7. The multilayer wiring board according to claim 6, further comprising: a plurality of second electrodes electrically connected to the N-th wiring layer of the multilayer wiring layer forming the second multilayer wiring structure.
請求項7に記載の多層配線基板と、
前記第1電極に接続されて実装されてなる少なくとも1つの電子部品と、を備える
部品実装多層配線基板。
A multilayer wiring board according to claim 7,
At least one electronic component connected to the first electrode and mounted.
前記第2電極に接続されて実装されてなる少なくとも1つの電子部品をさらに備える
請求項8に記載の部品実装多層配線基板。
The component-mounted multilayer wiring board according to claim 8, further comprising at least one electronic component connected to the second electrode and mounted.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2022237119A1 (en) * 2021-05-13 2022-11-17 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and preparation method therefor, and display device

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