JP2020035803A - Wafer protecting method - Google Patents
Wafer protecting method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020035803A JP2020035803A JP2018158913A JP2018158913A JP2020035803A JP 2020035803 A JP2020035803 A JP 2020035803A JP 2018158913 A JP2018158913 A JP 2018158913A JP 2018158913 A JP2018158913 A JP 2018158913A JP 2020035803 A JP2020035803 A JP 2020035803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- wafer
- adhesive force
- adhesive
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 121
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 121
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 49
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 126
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 28
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 11
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 10
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Abstract
Description
本発明は、ウエーハの面に、シート状の保護部材を配設してウエーハを保護するウエーハの保護方法に関する。 The present invention relates to a wafer protection method for protecting a wafer by arranging a sheet-like protection member on a surface of the wafer.
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are partitioned by a line to be divided and formed on the front surface is formed into a predetermined thickness by grinding the back surface by a grinding device, and then divided into individual devices by a dicing device to carry the wafer. Used for electrical equipment such as telephones and personal computers.
研削装置は、ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの上面を研削する研削ホイールを回転可能に備えた研削手段と、研削砥石を研削送りする送り手段と、から少なくとも構成されていて、ウエーハを所望の厚みに加工することができる（例えば、特許文献１を参照。）。 The grinding device has a chuck table having a holding surface for holding a wafer, a grinding means rotatably provided with a grinding wheel for grinding the upper surface of the wafer held on the chuck table, and a feed means for grinding and feeding a grinding wheel. , And can process a wafer to a desired thickness (for example, see Patent Document 1).
また、チャックテーブルの保持面と、ウエーハの表面との接触によってウエーハの表面に形成された複数のデバイスに傷が付かないように、ウエーハの表面には、粘着糊を有する保護テープが貼着される。 Further, a protective tape having an adhesive is adhered to the surface of the wafer so that a plurality of devices formed on the surface of the wafer are not damaged by contact between the holding surface of the chuck table and the surface of the wafer. You.
ウエーハの表面に保護部材として貼着される保護テープは、研削加工が施された後、ウエーハの表面から剥離されるが、ウエーハから剥離すると、保護テープの粘着糊の一部がウエーハの表面に付着したまま残り、デバイスの品質を低下させるという問題がある。 The protective tape that is adhered to the surface of the wafer as a protective member is peeled off from the surface of the wafer after being subjected to grinding, but when peeled off from the wafer, part of the adhesive of the protective tape adheres to the surface of the wafer. There is a problem in that it remains as it is and deteriorates the quality of the device.
また、レーザー加工装置やダイシング装置等の加工装置でウエーハを加工する場合、ウエーハを収容する開口を有する環状のフレームにウエーハを収容し、粘着テープでウエーハの裏面と該フレームとを貼着し、粘着テープを介してウエーハをフレームで支持した状態として、各加工装置に保持されて加工が施される。この粘着テープを介してフレームで支持されたウエーハを個々のデバイスチップに分割した後、粘着テープからデバイスチップをピックアップすると、やはり、デバイスチップの裏面に粘着テープの糊剤の一部が付着して残り、デバイスチップの品質を低下させるという問題がある。 Also, when processing a wafer with a processing device such as a laser processing device or a dicing device, the wafer is housed in an annular frame having an opening for housing the wafer, and the back surface of the wafer and the frame are attached with an adhesive tape, With the wafer supported by the frame via the adhesive tape, the wafer is held and processed by each processing device. After dividing the wafer supported by the frame via the adhesive tape into individual device chips, when the device chips are picked up from the adhesive tape, a part of the adhesive of the adhesive tape adheres to the back surface of the device chip. The remaining problem is that the quality of the device chip deteriorates.
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、デバイスの品質を低下させることのないウエーハの保護方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and a main technical problem thereof is to provide a method for protecting a wafer without deteriorating device quality.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハの面に、シート状の保護部材を配設してウエーハを保護するウエーハの保護方法であって、保護部材の基材となるポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、粘着力が生成されたシートの面を、保護すべきウエーハの面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面に該シートを圧着するシート圧着工程と、該ウエーハの面に圧着したシートを加熱して粘着力を強化する粘着力強化工程と、から少なくとも構成されるウエーハの保護方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a wafer protecting method for protecting a wafer by arranging a sheet-like protecting member on a surface of the wafer, the polyolefin being a base material of the protecting member. -Based sheet, or a sheet-preparing step of preparing a polyester-based sheet, an adhesive force generating step of heating the surface of the sheet to generate an adhesive force, and protecting the surface of the sheet in which the adhesive force is generated, Laying on the surface of the wafer, applying a pressing force to press the sheet to the surface of the wafer to press the sheet, the step of heating the sheet press-bonded to the surface of the wafer, the step of strengthening the adhesive force to strengthen the adhesive force, And a method for protecting a wafer is provided.
該粘着力生成工程において、第一の加熱手段から熱風を噴射してシートの面に吹付け、シート自体を溶融させることなく、且つ粘着力が付与される温度に加熱して、該シートに粘着力を生成することが好ましい。また、該粘着力強化工程において、第二の加熱手段から熱風を噴射してシートの面に吹付け、シート自体を溶融させることなく、且つ粘着力が付与される温度に加熱して、粘着力を強化することが好ましい。さらに、該粘着力強化工程においてシートを加熱する際のシートの目標温度を、該粘着力生成工程においてシートを加熱する際のシートの目標温度と同等、又はそれよりも高く設定することが好ましい。 In the adhesive force generating step, hot air is injected from the first heating means and sprayed on the surface of the sheet, and the sheet is heated to a temperature at which the adhesive force is applied without melting the sheet itself, and the sheet is adhered to the sheet. Preferably, a force is generated. Further, in the adhesive strength enhancing step, hot air is jetted from the second heating means and sprayed on the surface of the sheet, and the sheet is heated to a temperature at which the adhesive strength is applied without melting the sheet itself. Is preferably strengthened. Furthermore, it is preferable that the target temperature of the sheet when heating the sheet in the adhesive strength enhancing step is set to be equal to or higher than the target temperature of the sheet when heating the sheet in the adhesive strength generating step.
本発明のウエーハの保護方法は、保護部材の基材となるポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、粘着力が生成されたシートの面を、保護すべきウエーハの面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面に該シートを圧着するシート圧着工程と、該ウエーハの面に圧着したシートを加熱して粘着力を強化する粘着力強化工程と、から少なくとも構成されることから、ウエーハに保護部材を確実に貼着することができると共に、ウエーハから保護部材を剥離しても粘着糊の一部がウエーハの表面に付着することがなく、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。また、該ウエーハの保護方法を、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際に、該保護部材を粘着テープとして使用した場合は、ウエーハを個々のデバイスチップに分割した後、粘着テープからデバイスチップをピックアップしてもデバイスチップの裏面に粘着糊の一部が付着することがなく、デバイスチップの品質を低下させるという問題が解消する。 The method for protecting a wafer according to the present invention includes a sheet preparing step of preparing a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet serving as a base material of a protection member, and an adhesive force generating step of heating a surface of the sheet to generate an adhesive force. A step of laying the surface of the sheet on which the adhesive force is generated on the surface of the wafer to be protected, applying a pressing force to press the sheet against the surface of the wafer, and pressing the sheet against the surface of the wafer. And the adhesive strength enhancing step of heating the heated sheet to enhance the adhesive strength, so that the protective member can be securely adhered to the wafer, and even if the protective member is peeled off from the wafer, The problem that a part of the glue does not adhere to the surface of the wafer and the quality of the device is reduced is solved. Further, in the method of protecting the wafer, when dividing the wafer into individual device chips, when the protective member is used as an adhesive tape, after dividing the wafer into individual device chips, the device chips are separated from the adhesive tape. Even when the pickup is picked up, part of the adhesive does not adhere to the back surface of the device chip, and the problem of deteriorating the quality of the device chip is solved.
以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの保護方法に係る実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of a wafer protection method configured based on the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
本実施形態に係るウエーハの保護方法を実施するに際し、まず、本実施形態に用いられる保護部材の基材となるシートを準備するシート準備工程を実施する。 In carrying out the wafer protection method according to the present embodiment, first, a sheet preparing step of preparing a sheet serving as a base material of the protective member used in the present embodiment is performed.
図１には、保護部材の基材となるシート２０の斜視図が示されている。シート２０は、保護対象となるウエーハの直径よりも大きい幅寸法に設定されている。シート２０は、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから選択することが可能であり、本実施形態では、ポリオレフィン系のシートからポリエチレンシートが選択されている。図１は、粘着性が生成されていない状態でシート２０が芯Ａ１に巻き取られたシートロール２０Ａから、その一部が矢印Ｘで示す方向に引き出され、その始端を芯Ａ２に巻き取らせた状態を示している。シートロール２０Ａの芯Ａ１、及び芯Ａ２は、共に、保護部材生成装置（図示は省略している。）の図示しない支持部材に回転自在に支持されており、巻き取り側の芯Ａ２には、図示しない回転駆動手段が配設され、作業者の図示しないスイッチ操作によりシート２０を巻き取ることができる。シート２０には、表面２０ａ、裏面２０ｂがあり、表面２０ａには、微小な凹凸、いわゆるシボ加工が付与されているのに対し、裏面２０ｂ側は平坦面である。 FIG. 1 is a perspective view of a sheet 20 serving as a base material of the protection member. The width of the sheet 20 is set to be larger than the diameter of the wafer to be protected. The sheet 20 can be selected from a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet. In the present embodiment, a polyethylene sheet is selected from the polyolefin-based sheets. FIG. 1 shows that a part of the sheet 20 is pulled out in the direction indicated by an arrow X from the sheet roll 20A wound around the core A1 in a state where the adhesiveness is not generated, and the starting end thereof is wound around the core A2. It shows a state in which Both the core A1 and the core A2 of the sheet roll 20A are rotatably supported by a support member (not shown) of the protection member generation device (not shown), and the core A2 on the winding side includes: A rotation driving unit (not shown) is provided, and the sheet 20 can be wound by an operator operating a switch (not shown). The sheet 20 has a front surface 20a and a back surface 20b, and the surface 20a is provided with fine irregularities, so-called grain processing, whereas the back surface 20b is a flat surface.
上記したように、保護部材の基材となるシート２０を準備したならば、シート２０に粘着力を生成して保護部材として機能する状態とする粘着力生成工程を実施する。以下に、図２を参照しながら、粘着力生成工程についてより具体的に説明する。 As described above, when the sheet 20 serving as the base material of the protective member is prepared, an adhesive force generating step of generating an adhesive force on the sheet 20 so as to function as a protective member is performed. Hereinafter, the adhesive force generation step will be described more specifically with reference to FIG.
粘着力生成工程を実施するに際し、図２に示すように、シートロール２０Ａから所定の長さだけ引き出されたシート２０の裏面２０ｂの下方に、第一の加熱手段３０Ａを位置付ける。第一の加熱手段３０Ａは、第一のヒータ本体部３２Ａと、第一の噴射部３４Ａとを備える。第一のヒータ本体部３２Ａには、図示しない加熱ヒータ、温度センサ、送風機構等が内蔵されている。第一の噴射部３４Ａは、第一のヒータ本体部３２Ａから送られる熱風を噴射すべく円筒形状をなしており、第一のヒータ本体部３２Ａで生成された熱風Ｗ１は、第一の噴射部３４Ａの噴射口３４ａから上方に向けて噴射される。この第一の加熱手段３０Ａは、図示しない電源、及び制御装置に接続され、該温度センサを備えることにより、噴射口３４ａから噴射する熱風Ｗ１を所望の温度（本実施形態では３００℃）に調整する。 In performing the adhesive force generation step, as shown in FIG. 2, the first heating means 30A is positioned below the back surface 20b of the sheet 20 pulled out by a predetermined length from the sheet roll 20A. The first heating unit 30A includes a first heater main body 32A and a first injection unit 34A. The first heater main body 32A has a built-in heater (not shown), a temperature sensor, a blowing mechanism, and the like (not shown). The first jetting unit 34A has a cylindrical shape to jet hot air sent from the first heater main unit 32A, and the hot air W1 generated by the first heater main unit 32A is supplied to the first jetting unit. It is injected upward from the injection port 34a of 34A. The first heating means 30A is connected to a power supply and a control device (not shown) and is provided with the temperature sensor to adjust the hot air W1 injected from the injection port 34a to a desired temperature (300 ° C. in the present embodiment). I do.
第一の加熱手段３０Ａを作動して、シート２０の下面２０ｂに向けて熱風Ｗ１を噴射すると、熱風Ｗ１が噴射口３４ａからシート２０までの距離で冷やされる等して、シート２０の所定の保護部材領域２２が９０〜１１０℃に加熱される。この９０〜１１０℃の温度は、シート２０として選択されたポリエチレンシートの溶融温度（１２０〜１４０℃）に至らず、溶解（流動化）しない温度であり、且つ、シート２０に粘着力が生成される温度（粘着力生成温度）である。なお、粘着力生成工程を実施する作業現場の気温や、噴射口３４ａからシート２０の裏面２０ｂまでの距離等に応じて、シート２０の温度が上記した粘着力生成温度になるように、第一の加熱手段３０Ａから噴射される熱風Ｗ１の温度は適宜調整される。 When the first heating means 30A is operated to inject the hot air W1 toward the lower surface 20b of the sheet 20, the hot air W1 is cooled at a distance from the ejection port 34a to the sheet 20, and the predetermined protection of the sheet 20 is achieved. The member region 22 is heated to 90 to 110C. The temperature of 90 to 110 ° C. does not reach the melting temperature (120 to 140 ° C.) of the polyethylene sheet selected as the sheet 20 and does not melt (fluidize). Temperature (adhesion force generation temperature). In addition, according to the temperature at the work site where the adhesive force generation step is performed, the distance from the injection port 34a to the back surface 20b of the sheet 20, and the like, the first temperature is adjusted so that the temperature of the sheet 20 becomes the above-described adhesive force generation temperature. The temperature of the hot air W1 injected from the heating means 30A is appropriately adjusted.
シート２０において粘着力生成温度に加熱される保護部材領域２２は、少なくとも、保護すべきウエーハよりも大きな領域となるように設定されるが、シートロール２０Ａから引き出されて露出するシート２０全体を保護部材領域２２として加熱しても良い。第一の噴射部３４Ａから熱風Ｗ１を噴きつけることができる面積が狭い場合は、シート２０、第一の加熱手段３０Ａのいずれかを水平方向で適宜移動させることにより、所望の保護部材領域２２全体を加熱することができる。なお、図２、及び図４乃至６においては、説明の都合上、粘着力が生成された保護部材領域２２を、粘着力が生成されない領域と区別できるように強調して示しているが、実際は粘着力が生成される保護部材領域２２と、粘着力が生成されないその他の領域とで、明確に視認できるほどの相違はない。以上により、粘着力生成工程が完了し、シート２０に粘着力が付与され、保護部材領域２２が保護部材として機能する状態となる。 The protection member region 22 of the sheet 20 that is heated to the adhesive force generation temperature is set to be at least a region larger than the wafer to be protected, but protects the entire sheet 20 that is drawn out from the sheet roll 20A and exposed. The member region 22 may be heated. When the area from which the hot air W1 can be blown from the first spraying portion 34A is small, the entire protective member region 22 can be entirely moved by appropriately moving the sheet 20 or the first heating means 30A in the horizontal direction. Can be heated. In FIG. 2 and FIGS. 4 to 6, the protective member region 22 in which the adhesive force is generated is emphasized so as to be distinguishable from the region in which the adhesive force is not generated for convenience of description. There is no significant difference between the protection member region 22 where the adhesive force is generated and the other region where the adhesive force is not generated. As described above, the adhesive force generation step is completed, the adhesive force is applied to the sheet 20, and the protective member region 22 functions as a protective member.
上記したように、シート２０の面を加熱して、シート２０に粘着力を生成したならば、粘着力が生成されたシート２０の面（保護部材領域２２）を、保護すべきウエーハ面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面にシートを圧着するシート圧着工程を実施する。以下に、図３乃至５を参照しながら、シート圧着工程について、より具体的に説明する。 As described above, if the surface of the sheet 20 is heated to generate an adhesive force on the sheet 20, the surface of the sheet 20 where the adhesive force is generated (the protective member region 22) is laid on the surface of the wafer to be protected. Then, a sheet pressing step of applying a pressing force and pressing the sheet to the surface of the wafer is performed. Hereinafter, the sheet pressing step will be described more specifically with reference to FIGS.
シート圧着工程を実施するに際し、図３に示すように、研削加工に備えて保護部材を貼着する必要があるウエーハ１０を用意する。ウエーハ１０は、半導体基板からなり、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されている。本実施形態では、このウエーハ１０の表面１０ａが保護すべき面であることから、裏面１０ｂ側を下方に向け、シート圧着工程を実施するための保持テーブル４０上に形成された通気性を有する吸着チャック４２上にウエーハ１０を載置する。保持テーブル４０には、図示しない吸引手段が接続されており、該吸引手段を作動させることにより、保持テーブル４０にウエーハ１０を吸引保持する（ウエーハ準備工程）。なお、このウエーハ準備工程は、シート圧着工程の前に完了していればよく、粘着力形成工程の実施前、実施後いずれであってもよい。 In carrying out the sheet pressure bonding step, as shown in FIG. 3, a wafer 10 to which a protective member needs to be attached in preparation for grinding is prepared. The wafer 10 is formed of a semiconductor substrate, and a plurality of devices 12 are formed on the front surface 10a by being divided by the planned dividing lines 14. In the present embodiment, since the front surface 10a of the wafer 10 is a surface to be protected, the back surface 10b side is directed downward, and the air-permeable suction formed on the holding table 40 for performing the sheet pressing step. The wafer 10 is placed on the chuck 42. A suction unit (not shown) is connected to the holding table 40, and the wafer 10 is suction-held on the holding table 40 by operating the suction unit (wafer preparation step). The wafer preparation step only needs to be completed before the sheet pressing step, and may be performed before or after the execution of the adhesive force forming step.
保持テーブル４０上にウエーハ１０を保持したならば、図４に示すように、保護部材領域２２の下方に位置付けられていた第一の加熱手段３０Ａに替えて、ウエーハ準備工程によって準備された保持テーブル４０を保護部材領域２２の下方に位置付ける。保護部材領域２２の下方に保持テーブル４０を位置付けたならば、保持テーブル４０に保持されたウエーハ１０が、保護部材領域２２の下面と接するようにシート２０、又は保持テーブル４０の高さを調整する。 When the wafer 10 is held on the holding table 40, as shown in FIG. 4, the holding table prepared in the wafer preparation step is replaced with the first heating means 30A positioned below the protection member region 22. Position 40 below protective member area 22. When the holding table 40 is positioned below the protection member region 22, the height of the sheet 20 or the holding table 40 is adjusted so that the wafer 10 held by the holding table 40 contacts the lower surface of the protection member region 22. .
保護部材領域２２の下面にウエーハ１０を位置付けたならば、図５に示す押圧ローラ５０を保護部材領域２２の上方に位置付ける。押圧ローラ５０は、弾性を有する硬質ウレタンゴム等から構成されている。押圧ローラ５０を保護部材領域２２の上方に位置付けたならば、矢印Ｚで示す方向に下降させて保護部材領域２２に押し当てて、押圧ローラ５０を矢印Ｒ１で示す方向に回転させつつ、手前側端部から矢印Ｄで示す方向に移動させ、保護部材領域２２をウエーハ１０の表面１０ａ全体に押圧して圧着して、シート圧着工程が完了する。なお、上記したように、シート２０の保護部材領域２２は、予め加熱されて粘着力が生成されており、温度が低下しても粘着力が維持されていることから、保護部材領域２２はウエーハ１０の表面１０ａに貼着される。また、シート２０の表面２０ａ側には、微小な凹凸が形成されていることから、上記した粘着力生成工程が施され保護部材領域２２に粘着力が付与されていても、押圧ローラ５０にシート２０が貼り付いてしまうことが防止される。 When the wafer 10 is positioned on the lower surface of the protection member area 22, the pressing roller 50 shown in FIG. The pressing roller 50 is made of, for example, hard urethane rubber having elasticity. When the pressing roller 50 is positioned above the protection member area 22, the pressing roller 50 is lowered in the direction indicated by the arrow Z and pressed against the protection member area 22, while rotating the pressing roller 50 in the direction indicated by the arrow R <b> 1. The protective member region 22 is moved from the end in the direction shown by the arrow D, and the protective member region 22 is pressed and pressed on the entire surface 10a of the wafer 10, thereby completing the sheet pressing step. As described above, the protective member region 22 of the sheet 20 is heated in advance to generate an adhesive force, and the adhesive force is maintained even when the temperature is lowered. 10 is attached to the surface 10a. Further, since fine irregularities are formed on the surface 20a side of the sheet 20, even if the above-described adhesive force generation step is performed and the adhesive force is applied to the protective member region 22, the sheet is applied to the pressing roller 50. 20 is prevented from sticking.
上記したシート圧着工程が完了したならば、後述する研削加工を考慮して、ウエーハ１０の形状に合わせてシート２０を切断するシート切断工程を実施する。以下に、図６を参照しながら、シート切断工程について説明する。 When the above-described sheet pressing step is completed, a sheet cutting step of cutting the sheet 20 in accordance with the shape of the wafer 10 is performed in consideration of a grinding process described later. Hereinafter, the sheet cutting step will be described with reference to FIG.
シート切断工程を実施するに際し、図６に示すように、シート圧着工程で使用した押圧ローラ５０に替えて、円盤状のローラカッター５２を保護部材領域２２の上方であって、ウエーハ１０の外周縁の上方に位置付ける。ローラカッター５２をウエーハ１０の外周縁上に位置付けたならば、次いで、ローラカッター５２を矢印Ｒ２の方向に回転させながら、ウエーハ１０の外縁に沿って移動させてシート２０を円形状にカットする。以上により、シート切断工程が完了する。 In carrying out the sheet cutting step, as shown in FIG. 6, instead of the pressing roller 50 used in the sheet pressing step, a disk-shaped roller cutter 52 is provided above the protection member region 22 and the outer peripheral edge of the wafer 10. Above. After the roller cutter 52 is positioned on the outer peripheral edge of the wafer 10, the sheet 20 is cut into a circular shape by moving the roller cutter 52 along the outer edge of the wafer 10 while rotating the roller cutter 52 in the direction of arrow R2. Thus, the sheet cutting step is completed.
上記したシート切断工程が完了したならば、保持テーブル４０を下降させ、又は、シート２０全体を上昇させて、シート２０とウエーハ１０を離反する。これにより、保護部材領域２２のうち、ウエーハ１０の外周縁に沿ってカットされた保護部材２２ａがウエーハ１０に貼着された状態となる。なお、シート２０から保護部材２２ａがカットされて切り離された後に、巻き取り側の芯Ａ２を回転させて保護部材２２ａが切り出された領域を巻き取ることにより、シートローラ２０Ａから、まだ粘着力生成工程が施されていない領域が引き出され、再び粘着力生成工程を実施できる状態とすることができる。そして、上記した粘着力生成工程、シート圧着工程、及びシート切断工程を適宜繰り返すことにより、複数のウエーハ１０に対して保護部材２２ａを配設することができる。 When the above-described sheet cutting step is completed, the holding table 40 is lowered, or the entire sheet 20 is raised, so that the sheet 20 and the wafer 10 are separated from each other. Thereby, the protection member 22 a cut along the outer peripheral edge of the wafer 10 in the protection member region 22 is in a state of being adhered to the wafer 10. After the protective member 22a is cut and separated from the sheet 20, the core A2 on the winding side is rotated to wind the area where the protective member 22a has been cut out, so that the sheet roller 20A still generates adhesive force. The area where the step has not been performed is drawn out, and the state in which the adhesive force generation step can be performed again can be set. Then, by appropriately repeating the above-described adhesive force generation step, sheet pressing step, and sheet cutting step, the protection member 22a can be provided for the plurality of wafers 10.
上記した実施形態では、粘着力生成工程、シート圧着工程、及びシート切断工程を適宜繰り返すことにより、複数のウエーハ１０に対して保護部材２２ａを配設する旨を説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、例えば、図２に基づいて説明した粘着力生成工程を、シートロール２０Ａに巻き取られているシート２０を引き出し芯Ａ２に巻き取りながら、シート２０の始端から終端まで、連続して施しておくことも可能である。シート２０を加熱することにより付与される粘着力は、温度が低下しても維持されるが、シート２０の上面２０ａには、凹凸加工（シボ加工）が施されているため、粘着力が付与された後にシート２０を巻き取った後もシート２０の重なった部分が固着することがない。このように、予めシート２０全体に対して粘着力を付与しておくことで、ウエーハ１０に対して保護部材２２ａを圧着するシート圧着工程及びシート切断工程を、粘着力生成工程を挟むことなく、連続して実施することができる。 In the above-described embodiment, it has been described that the protective member 22a is disposed on the plurality of wafers 10 by appropriately repeating the adhesive force generation step, the sheet pressing step, and the sheet cutting step. However, the present invention is not limited to this. For example, the adhesive force generation step described with reference to FIG. 2 may be performed while the sheet 20 wound on the sheet roll 20A is wound on the drawer core A2. It is also possible to apply continuously from to the end. The adhesive force provided by heating the sheet 20 is maintained even when the temperature is lowered, but the upper surface 20a of the sheet 20 is provided with an unevenness (texture), so that the adhesive force is applied. Even after the sheet 20 is wound up after the sheet is wound, the overlapping portion of the sheet 20 does not stick. As described above, by applying the adhesive force to the entire sheet 20 in advance, the sheet pressing step and the sheet cutting step of pressing the protective member 22a to the wafer 10 can be performed without interposing the adhesive force generating step. It can be performed continuously.
上記したように、粘着力生成工程によって粘着力が生成される際の温度は、溶融温度に対して低い値に設定されることから、シート２０が溶融せず軟化し過ぎない状態で粘着力が生成され圧着される。したがって、シート圧着工程においてシート２０をウエーハ１０に圧着する際の取り扱い性に優れ作業性がよく、また、仮にシート圧着工程時にシート２０に皺等が発生しても、剥離して作業をやり直すことも容易に実行し得る。他方、シート２０から切り出された保護部材２２ａをウエーハ１０に対して確実に貼着して一体化するという観点でみると、上記粘着力生成工程、及びシート圧着工程を経ても、一体化をより高める余地が残っている。そこで、本実施形態では、さらに、粘着力強化工程を実施する。以下に、図７を参照しながら、粘着力強化工程について具体的に説明する。 As described above, since the temperature at which the adhesive force is generated in the adhesive force generation step is set to a value lower than the melting temperature, the adhesive force is set in a state where the sheet 20 does not melt and is not excessively softened. Generated and crimped. Therefore, the sheet 20 is excellent in handleability and workability when the sheet 20 is crimped to the wafer 10 in the sheet crimping step, and even if wrinkles or the like occur in the sheet 20 in the sheet crimping step, the sheet 20 is peeled off and the work is performed again. Can also be easily implemented. On the other hand, from the viewpoint of securely attaching the protective member 22a cut out from the sheet 20 to the wafer 10 and integrating the same, the integration is improved even after the adhesive force generation step and the sheet pressing step. There is room for enhancement. Therefore, in the present embodiment, an adhesion strengthening step is further performed. Hereinafter, the adhesive strength enhancing step will be specifically described with reference to FIG.
粘着力強化工程を実施するに際し、まず、図７に示すように、保持テーブル４０に保持されたウエーハ１０の上方に、第二の加熱手段３０Ｂを位置付ける。第二の加熱手段３０Ｂは、第二のヒータ本体部３２Ｂと、第二の噴射部３４Ｂとを備えている。第二のヒータ本体部３２Ｂには、図示しない加熱ヒータ、温度センサ、送風機構等が内蔵されている。第二の噴射部３４Ｂは、第二のヒータ本体部３２Ｂから送られる熱風を噴射すべく円筒形状をなしており、第二のヒータ本体部３２Ｂで生成された熱風Ｗ２は、第二の噴射部３４Ｂから下方に向けて噴射される。この第二の加熱手段３０Ｂは、図示しない電源、及び制御装置に接続され、該温度センサを使用して、第二の噴射部３４Ｂから噴射する熱風Ｗ２を所望の温度（例えば、３００℃）に調整する。 In performing the adhesive strength enhancing step, first, as shown in FIG. 7, the second heating means 30B is positioned above the wafer 10 held on the holding table 40. The second heating unit 30B includes a second heater main body 32B and a second injection unit 34B. The second heater main body 32B includes a heater (not shown), a temperature sensor, a blowing mechanism, and the like (not shown). The second jetting unit 34B has a cylindrical shape to jet hot air sent from the second heater main unit 32B, and the hot air W2 generated by the second heater main unit 32B is supplied to the second jetting unit. Injected downward from 34B. The second heating means 30B is connected to a power supply (not shown) and a control device, and uses the temperature sensor to bring hot air W2 injected from the second injection unit 34B to a desired temperature (for example, 300 ° C.). adjust.
第二の加熱手段３０Ｂを作動して、シート２０から形成された保護部材２２ａに向けて熱風Ｗ２を噴射すると、熱風Ｗ２が第二の噴射部３４Ｂから保護部材２２ａまでの距離で冷やされる等して、保護部材２２ａが１００〜１２０℃に加熱される。この１００〜１２０℃の温度は、シート２０として選択されたポリエチレンシートの溶融温度（１２０〜１４０℃）に至らず、溶解（流動化）しない温度であり、且つ、保護部材２２ａの粘着力が生成される、すなわち、粘着力が強化される温度（粘着力強化温度）である。なお、粘着力強化工程を実施する作業現場の気温や、第二の噴射部３４Ｂの噴射口から保護部材２２ａまでの距離等に応じて、保護部材２２ａの温度が上記した粘着力強化温度になるように、第二の加熱手段３０Ｂから噴射される熱風Ｗ２の温度が適宜調整されるが、好ましくは、保護部材２２ａが加熱される際の目標温度は、粘着力生成工程においてシート２０を加熱した際の温度と同等か、又は、それよりも高い温度に設定されることが好ましい。このように粘着力強化工程を実施することで、保護部材２２ａが軟化してウエーハ１０の表面１０ａの凹凸に保護部材２２ａが馴染み一体化度合いが高められ、後述する裏面研削加工を施す際に意図しない剥離等を生じることが防止される。以上のようにして、粘着力強化工程が完了する。 When the second heating means 30B is operated to inject the hot air W2 toward the protection member 22a formed from the sheet 20, the hot air W2 is cooled at a distance from the second injection portion 34B to the protection member 22a. Thus, the protection member 22a is heated to 100 to 120C. The temperature of 100 to 120 ° C. does not reach the melting temperature (120 to 140 ° C.) of the polyethylene sheet selected as the sheet 20 and does not melt (fluidize), and the adhesive strength of the protective member 22 a is generated. That is, the temperature at which the adhesive strength is strengthened (adhesive strength enhancing temperature). In addition, the temperature of the protective member 22a becomes the above-mentioned adhesive strength enhancing temperature in accordance with the temperature at the work site where the adhesive strength enhancing step is performed, the distance from the injection port of the second injection portion 34B to the protective member 22a, and the like. As described above, the temperature of the hot air W2 injected from the second heating unit 30B is appropriately adjusted. However, preferably, the target temperature when the protection member 22a is heated is that the sheet 20 is heated in the adhesive force generation step. It is preferable that the temperature is set equal to or higher than the temperature at that time. By performing the adhesion strengthening step in this manner, the protection member 22a is softened, and the protection member 22a is adapted to the unevenness of the surface 10a of the wafer 10 to increase the degree of integration. Undesired peeling is prevented. As described above, the adhesion strengthening step is completed.
粘着力強化工程が実施されたことにより、保護部材２２ａがウエーハ１０の表面１０ａに確実に貼着され、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削する裏面研削加工を実施することができる。以下に、図８、及び図９を参照しながら、裏面研削加工について説明する。 By performing the adhesion strengthening step, the protection member 22a is securely adhered to the front surface 10a of the wafer 10, and the back surface grinding process of grinding the back surface 10b of the wafer 10 can be performed. Hereinafter, the back surface grinding processing will be described with reference to FIGS. 8 and 9.
ウエーハ１０に対して裏面研削工程を実施するに際し、図８に示すように、粘着力が強化されて保護部材２２ａが圧着されたウエーハ１０の保護部材２２ａ側を下方に向け、裏面１０ｂが上方に露出した状態で研削装置６０（一部のみ示している。）のチャックテーブル６２に載置する。チャックテーブル６２の上面には、通気性を有する吸着チャック６２ａが形成されており、図示しない吸引手段に接続されている。該吸引手段を作動させることにより、チャックテーブル６２に載置されたウエーハ１０を、保護部材２２ａを介して吸引保持する。 When performing the back surface grinding step on the wafer 10, as shown in FIG. 8, the protective member 22 a side of the wafer 10 with the adhesive force strengthened and the protective member 22 a crimped is directed downward, and the back surface 10 b is directed upward. In a state of being exposed, it is placed on a chuck table 62 of a grinding device 60 (only a part is shown). A suction chuck 62a having air permeability is formed on the upper surface of the chuck table 62, and is connected to suction means (not shown). By activating the suction means, the wafer 10 placed on the chuck table 62 is suction-held via the protection member 22a.
図９に示すように、研削装置６０は、チャックテーブル６２上に吸引保持されたウエーハ１０の裏面１０ｂを研削して薄化するための研削手段７０を備えている。研削手段７０は、図示しない回転駆動機構により回転させられる回転スピンドル７２と、回転スピンドル７２の下端に装着されたマウンター７４と、マウンター７４の下面に取り付けられる研削ホイール７６とを備え、研削ホイール７６の下面には複数の研削砥石７８が環状に配設されている。 As shown in FIG. 9, the grinding device 60 includes a grinding unit 70 for grinding and thinning the back surface 10 b of the wafer 10 sucked and held on the chuck table 62. The grinding means 70 includes a rotary spindle 72 rotated by a rotary drive mechanism (not shown), a mounter 74 mounted on a lower end of the rotary spindle 72, and a grinding wheel 76 attached to a lower surface of the mounter 74. A plurality of grinding wheels 78 are annularly disposed on the lower surface.
ウエーハ１０をチャックテーブル６２上に吸引保持したならば、研削手段７０の回転スピンドル７２を図９において矢印Ｒ３で示す方向に、例えば３０００ｒｐｍで回転させつつ、チャックテーブル６２を矢印Ｒ４で示す方向に、例えば３００ｒｐｍで回転させる。そして、図示しない研削水供給手段により、研削水をウエーハ１０の裏面１０ｂ上に供給しつつ、研削砥石７８をウエーハ１０の裏面１０ｂに接触させ、研削ホイール７６を、例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方に向けて研削送りする。この際、図示しない接触式の測定ゲージによりウエーハ１０の厚みを測定しながら研削を進めることができ、ウエーハ１０の裏面１０ｂを所定量研削し、ウエーハ１０を所定の厚さとしたならば、研削手段７０を停止し、洗浄、乾燥工程等を経て、ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削する裏面研削加工が完了する。 When the wafer 10 is suction-held on the chuck table 62, the chuck table 62 is rotated in the direction indicated by an arrow R4 in FIG. 9 while rotating the rotary spindle 72 of the grinding means 70 at, for example, 3000 rpm. For example, it is rotated at 300 rpm. Then, the grinding wheel 78 is brought into contact with the back surface 10b of the wafer 10 while the grinding water is supplied onto the back surface 10b of the wafer 10 by a grinding water supply means (not shown), and the grinding wheel 76 is moved at a grinding feed speed of, for example, 1 μm / sec. And feed it downward by grinding. At this time, the grinding can be performed while measuring the thickness of the wafer 10 using a contact-type measuring gauge (not shown). If the back surface 10b of the wafer 10 is ground by a predetermined amount and the wafer 10 has a predetermined thickness, the grinding means 70 is stopped, and a back surface grinding process for grinding the back surface 10b of the wafer 10 is completed through a washing and drying process.
上記した裏面研削加工が完了したならば、保護部材２２ａを、ウエーハ１０の表面１０ａから剥離する（保護部材剥離工程）。該保護部材剥離工程が完了したならば、適宜、次工程に搬送する。本実施形態では、上記したように、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートの中から選択されたポリエチレンシートを加熱することにより粘着力が付与された保護部材２２ａがウエーハ１０に圧着され、さらに粘着力強化工程を経て貼着されており、保護部材２２ａとウエーハ１０の表面１０ａとは、粘着糊等を介することなく貼着される。これにより、ウエーハ１０の表面１０ａから保護部材２２ａを剥離しても、粘着糊等の一部がウエーハに付着して残存することなく、デバイスの品質を低下させる等の問題が解消する。 When the above-mentioned back grinding is completed, the protection member 22a is peeled off from the front surface 10a of the wafer 10 (protection member peeling step). When the protective member peeling step is completed, the sheet is appropriately conveyed to the next step. In the present embodiment, as described above, the protective member 22a to which the adhesive force is imparted by heating the polyethylene sheet selected from the polyolefin-based sheet or the polyester-based sheet is pressed against the wafer 10, and further, The protective member 22a and the surface 10a of the wafer 10 are adhered without going through an adhesive or the like. As a result, even if the protective member 22a is peeled off from the surface 10a of the wafer 10, a part of the adhesive or the like does not adhere to the wafer and remains, thereby solving the problem of deteriorating the quality of the device.
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例が提供される。上記した実施形態では、ポリエチレンシートの面を加熱して粘着力が生成された保護部材２２ａを、裏面研削加工が施されるウエーハ１０の表面１０ａを保護する保護部材２２ａとして貼着する例を示したが、本発明はこれに限定されない。他の実施形態としては、ウエーハを収容する開口を有する環状のフレームにウエーハを収容し、粘着テープでウエーハの裏面と該フレームとを貼着し、該粘着テープを介してウエーハをフレームで支持した状態とする場合の粘着テープに、本発明により提供される保護部材を適用することができる。以下に、図１０、及び図１１を参照しながら、この他の実施形態について説明する。 According to the present invention, various modifications are provided without being limited to the above-described embodiments. In the above-described embodiment, an example is shown in which the protective member 22a in which the surface of the polyethylene sheet is heated to generate an adhesive force is adhered as the protective member 22a that protects the front surface 10a of the wafer 10 on which the back surface grinding is performed. However, the present invention is not limited to this. As another embodiment, the wafer was housed in an annular frame having an opening for housing the wafer, the back surface of the wafer was attached to the frame with an adhesive tape, and the wafer was supported by the frame via the adhesive tape. The protective member provided by the present invention can be applied to the adhesive tape in the state. Hereinafter, another embodiment will be described with reference to FIGS. 10 and 11.
図１０（ａ）には、ウエーハ１０の裏面１０ｂ上に粘着テープとして機能する保護部材を圧着するシート圧着工程の実施態様を示す斜視図が示されている。図１０（ａ）に示されたシート２０’は、ポリエチレンシートであり、予め上記した粘着力生成工程が施されて、全体に粘着力が付与されており、シート圧着工程を実施する保持テーブル８０全体を覆うことができる大きさにカットされて、保護部材２４を形成している。保持テーブル８０の上面８２は平坦面で形成されており、ウエーハ１０を収容可能な開口を有する環状フレームＦ全体が載置可能な寸法で設定されている。 FIG. 10A is a perspective view showing an embodiment of a sheet crimping step of crimping a protective member functioning as an adhesive tape on the back surface 10 b of the wafer 10. The sheet 20 ′ shown in FIG. 10A is a polyethylene sheet, which has been subjected to the above-described adhesive force generating step in advance, has been given an overall adhesive force, and has a holding table 80 for performing the sheet pressing step. The protective member 24 is formed by being cut into a size that can cover the entirety. The upper surface 82 of the holding table 80 is formed as a flat surface, and is set to have such a size that the entire annular frame F having an opening for accommodating the wafer 10 can be placed.
シート圧着工程を実施するに際し、図１０（ａ）に示すように、保持テーブル８０の上面８２には、開口Ｆａを有する環状のフレームＦと、該開口Ｆａに収容され、裏面１０ｂが上方に向けられたウエーハ１０と、が載置される。そして、保持テーブル８０上には、ウエーハ１０とフレームＦとを覆うように、上記保護部材２４が敷設され、図５に基づき説明したシート圧着工程と同様に、押圧ローラ５０’を回転させて矢印Ｄに示す方向に移動させることにより、保護部材２４を挟んでウエーハ１０及びフレームＦの全体に押圧力が付与されて、フレームＦ、及びウエーハ１０に保護部材２４が圧着される。以上により、シート圧着工程が完了する。 In performing the sheet crimping step, as shown in FIG. 10A, an upper surface 82 of the holding table 80 has an annular frame F having an opening Fa, and is accommodated in the opening Fa, and the back surface 10b faces upward. The placed wafer 10 is placed thereon. The protective member 24 is laid on the holding table 80 so as to cover the wafer 10 and the frame F, and the pressing roller 50 'is rotated by rotating the pressing roller 50' in the same manner as in the sheet pressing step described with reference to FIG. By moving the protection member 24 in the direction indicated by D, a pressing force is applied to the entire wafer 10 and the frame F with the protection member 24 interposed therebetween, and the protection member 24 is pressed against the frame F and the wafer 10. Thus, the sheet pressing step is completed.
シート圧着工程が完了したならば、図１０（ｂ）に示すように、ローラカッター５２を使用して、フレームＦに沿って、保護部材２４を円形（ラインＬで示す。）にカットし、円形に整えられた保護部材２４ａを残し、余分な外周部を除去する（シート切断工程）。 When the sheet crimping step is completed, the protection member 24 is cut into a circle (indicated by a line L) along the frame F using a roller cutter 52 as shown in FIG. The extra outer peripheral portion is removed while leaving the protective member 24a arranged in the above condition (sheet cutting step).
上記したように、シート切断工程を実施したならば、粘着力強化工程を実施する。以下に、図１１を参照しながら、粘着力強化工程について説明する。 As described above, after the sheet cutting step is performed, the adhesive strength enhancing step is performed. Hereinafter, the adhesive strength enhancing step will be described with reference to FIG.
粘着力強化工程を実施するに際し、まず、図１１（ａ）に示すように、保持テーブル８０に載置されたウエーハ１０、及びフレームＦの上方に、第二の加熱手段３０Ｂを位置付ける。第二の加熱手段３０Ｂは、図７に基づいて説明した第二の加熱手段３０Ｂと同様の機能を有する加熱手段であり、第二のヒータ本体部３２Ｂと、第二の噴射部３４Ｂとを備えている。この第二の加熱手段３０Ｂも、図示しない電源、及び制御装置に接続され、該温度センサを使用して、第二の噴射部３４Ｂから噴射する熱風Ｗ２を所望の温度（例えば、３００℃）に調整する。なお、第二の噴射部３４Ｂから熱風Ｗ２を噴射する際の噴射領域は、適宜調整されてよい。 In performing the adhesive strength enhancing step, first, as shown in FIG. 11A, the second heating means 30B is positioned above the wafer 10 placed on the holding table 80 and the frame F. The second heating unit 30B is a heating unit having a function similar to that of the second heating unit 30B described with reference to FIG. 7, and includes a second heater main body 32B and a second ejection unit 34B. ing. The second heating unit 30B is also connected to a power supply and a control device (not shown), and uses the temperature sensor to bring the hot air W2 injected from the second injection unit 34B to a desired temperature (for example, 300 ° C.). adjust. Note that the injection area when the hot air W2 is injected from the second injection unit 34B may be appropriately adjusted.
第二の加熱手段３０Ｂを作動して、ウエーハ１０、及びフレームＦに貼着された保護部材２４ａに向けて熱風Ｗ２を噴射すると、熱風Ｗ２が第二の噴射部３４Ｂから保護部材２４ａまでの距離で冷やされる等して、保護部材２４ａが１００〜１２０℃に加熱される。この１００〜１２０℃の温度は、シート２０として選択されたポリエチレンシートの溶融温度（１２０〜１４０℃）に至らず、溶解（流動化）しない温度であり、且つ、保護部材２４ａの粘着力が生成される温度であり、結果として粘着力が強化される温度（粘着力強化温度）である。なお、粘着力生成工程を実施する作業現場の気温や、第二の噴射部３４Ｂの噴射口から保護部材２４ａまでの距離等に応じて、保護部材２４ａの温度が上記した粘着力強化温度になるように、第二の加熱手段３０Ｂから噴射される熱風Ｗ２の温度が適宜調整される。保護部材２４ａが加熱される際の目標温度は、溶融温度よりも低い温度であり、粘着力生成工程においてシート２０を加熱した際の温度と同等か、又は、それよりも高い温度に設定されることが好ましい。このようにして、粘着力強化工程を実施することで、ウエーハ１０、及びフレームＦに保護部材２４ａが確実に貼着され、後述する分割加工を施す際に、意図しない剥離等を生じることが防止される。以上のようにして、粘着力強化工程が完了する。 When the second heating means 30B is operated to inject the hot air W2 toward the wafer 10 and the protection member 24a attached to the frame F, the hot air W2 moves from the second injection portion 34B to the protection member 24a. The protection member 24a is heated to 100 to 120 ° C. by cooling. The temperature of 100 to 120 ° C. does not reach the melting temperature (120 to 140 ° C.) of the polyethylene sheet selected as the sheet 20 and does not melt (fluidize), and the adhesive strength of the protection member 24 a is generated. Is the temperature at which the adhesive strength is increased as a result (adhesive strength enhancing temperature). In addition, the temperature of the protection member 24a becomes the above-mentioned adhesive strength enhancement temperature in accordance with the temperature at the work site where the adhesive force generation step is performed, the distance from the injection port of the second injection unit 34B to the protection member 24a, and the like. Thus, the temperature of hot air W2 injected from second heating means 30B is appropriately adjusted. The target temperature when the protection member 24a is heated is lower than the melting temperature, and is set to a temperature equal to or higher than the temperature when the sheet 20 is heated in the adhesive force generation step. Is preferred. In this manner, by performing the adhesive strength strengthening step, the protection member 24a is securely attached to the wafer 10 and the frame F, and unintended peeling or the like is prevented from occurring when performing a dividing process described later. Is done. As described above, the adhesion strengthening step is completed.
図１１（ｂ）は、シート切断工程を終え、フレームＦに支持されたウエーハ１０をフレームＦと共に裏返し、ウエーハ１０の表面１０ａを上方に露出した状態を示しており、図から理解されるように、粘着テープとして機能する保護部材２４ａで、ウエーハ１０の裏面１０ｂとフレームＦとを貼着し、保護部材２４ａを介してウエーハ１０がフレームＦで保持された状態となる。このようにして、保護部材２４ａを介してウエーハ１０がフレームＦで保持された状態としたならば、例えば、図１２に示すダイシング装置９０に搬送してダイシング加工を施すことができる。以下に、図１２を参照しながら、ダイシング加工について説明する。 FIG. 11B shows a state where the wafer 10 supported by the frame F is turned over together with the frame F after the sheet cutting step is completed, and the surface 10a of the wafer 10 is exposed upward, as can be understood from the drawing. Then, the back surface 10b of the wafer 10 is adhered to the frame F with the protection member 24a functioning as an adhesive tape, and the wafer 10 is held by the frame F via the protection member 24a. In this manner, when the wafer 10 is held by the frame F via the protection member 24a, the wafer 10 can be transferred to, for example, a dicing apparatus 90 shown in FIG. 12 and subjected to dicing. Hereinafter, the dicing process will be described with reference to FIG.
図１２に示すように、ダイシング装置９０は、スピンドルユニット９１を備えている。スピンドルユニット９１は、回転スピンドル９２の先端部に固定された切削ブレード９３を保持するブレードカバー９４を備えている。ブレードカバー９４には、切削ブレード９３に隣接する位置に切削水供給手段９５が配設されており、切削水を切削ブレード９３によるウエーハ１０の切削位置に向けて供給する。切削ブレード９３によって切削を実施する前に、図示しないアライメント手段を用いて、切削ブレード９３と、ウエーハ１０の表面１０ａ側に形成された分割予定ライン１４との位置合わせ（アライメント）を行う。該アライメント手段には、少なくとも図示しない照明手段、及び撮像手段が備えられ、表面１０ａの分割予定ライン１４を撮像、検出することが可能に構成されている。 As shown in FIG. 12, the dicing apparatus 90 includes a spindle unit 91. The spindle unit 91 includes a blade cover 94 that holds a cutting blade 93 fixed to the tip of a rotating spindle 92. The blade cover 94 is provided with cutting water supply means 95 at a position adjacent to the cutting blade 93, and supplies cutting water toward the cutting position of the wafer 10 by the cutting blade 93. Before cutting is performed by the cutting blade 93, alignment (alignment) between the cutting blade 93 and the planned dividing line 14 formed on the surface 10a side of the wafer 10 is performed by using an alignment means (not shown). The alignment unit is provided with at least an illuminating unit and an imaging unit (not shown), and is configured to be able to image and detect the dividing line 14 on the surface 10a.
該アライメント手段によるアライメントを実施したならば、高速回転させられる切削ブレード９３を、図示しないチャックテーブルに保持したウエーハ１０の表面１０ａから分割予定ライン１４に位置付けて下降させて切り込ませ、ウエーハ１０を切削ブレード９３に対して矢印Ｘで示すＸ方向（加工送り方向）に移動させる。これにより、ウエーハ１０を切削して分割する分割溝１００を形成する。この分割溝１００は、ウエーハ１０を完全に分割する溝である。分割溝１００は、ウエーハ１０を保持するチャックテーブル４０を、図示しない移動手段を作動させることで、Ｘ方向に加え、矢印Ｘと直交するＹ方向、及び回転方向にも適宜移動させながら、上記した切削ブレード９３による切削加工を実施し、ウエーハ１０の全ての分割予定ライン１４に沿って、分割溝１００を形成する。以上により、ダイシング工程が完了する。このような実施形態によっても、粘着糊等を使用せず、粘着テープとして機能する保護部材２４ａによってウエーハ１０の裏面１０ｂが保護され、且つダイシング加工が良好に実施できる。そして、ウエーハ１０が、ダイシング加工によって個々のデバイスチップに分割された後、デバイスチップ毎にピックアップしても、デバイスチップの裏面に粘着糊等の一部が付着して残存することがなく、デバイスチップの品質が低下する等の問題が解消する。 After the alignment by the alignment means, the cutting blade 93, which is rotated at a high speed, is positioned at the dividing line 14 from the surface 10a of the wafer 10 held on a chuck table (not shown), and is lowered to cut the wafer 10. The cutting blade 93 is moved in the X direction (processing feed direction) indicated by an arrow X. As a result, a division groove 100 for cutting and dividing the wafer 10 is formed. The dividing groove 100 is a groove for completely dividing the wafer 10. The dividing groove 100 is moved while the chuck table 40 holding the wafer 10 is appropriately moved not only in the X direction but also in the Y direction perpendicular to the arrow X and the rotation direction by operating a moving unit (not shown). The cutting process is performed by the cutting blade 93 to form the dividing grooves 100 along all the planned dividing lines 14 of the wafer 10. Thus, the dicing step is completed. Also in such an embodiment, the back surface 10b of the wafer 10 is protected by the protective member 24a functioning as an adhesive tape without using an adhesive or the like, and dicing can be performed well. Then, even after the wafer 10 is divided into individual device chips by dicing, even if the device chip is picked up, a part of the adhesive or the like does not adhere to the back surface of the device chip and remains. Problems such as deterioration of chip quality are solved.
上記した実施形態では、保護部材の基材となるシート２０、シート２０’として、ポリエチレンシートを選択したが、これに限定されず、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから適宜選択することができる。ポリオレフィン系のシートから選択する場合は、上記したポリエチレンシートの他に、例えば、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートを選択することができる。また、ポリエステル系のシートから選択する場合は、例えば、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートから選択することができる。 In the above-described embodiment, a polyethylene sheet is selected as the sheet 20 and the sheet 20 ′ serving as the base material of the protection member. However, the present invention is not limited thereto, and may be appropriately selected from a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet. it can. When selecting from a polyolefin-based sheet, for example, a polypropylene sheet or a polystyrene sheet can be selected in addition to the above-described polyethylene sheet. When selecting from a polyester-based sheet, for example, it can be selected from a polyethylene terephthalate sheet and a polyethylene naphthalate sheet.
上記した保護部材の基材となるシートとして、ポリエチレンシート以外のシートを選択する場合は、シート自体を溶融させることなく、且つ粘着力が付与される粘着力生成温度、及び粘着力強化温度がシートの材質に応じて異なることから、粘着力生成工程、及び粘着力強化工程においてシートを加熱する際の目標温度を、選択するシートの材質に応じて調整する。例えば、溶融温度が１６０〜１８０℃であるポリプロピレンシートを選択した場合は、粘着力生成工程における目標温度を１３０〜１５０℃程度、粘着力強化工程における目標温度を１４０〜１６０℃程度になるように加熱する。また、溶融温度が２２０〜２４０℃であるポリスチレンシートを選択した場合は、粘着力生成工程における目標温度を１９０〜２１０℃程度に、粘着力強化工程における目標温度を２００〜２２０℃程度になるように加熱する。同様に、溶融温度が２５０〜２７０℃であるポリエチレンテレフタレートシートを選択した場合は、粘着力生成工程における目標温度を２２０〜２４０℃程度に、粘着力強化工程における目標温度を２３０〜２５０℃程度に、溶融温度が１６０〜１８０℃のポリエチレンナフタレートシートを選択した場合は、粘着力生成工程における目標温度を１３０〜１５０℃程度に、粘着力強化工程における目標温度を１４０〜１６０℃程度になるようにシートを加熱するとよい。上記したように、保護部材の基材となるシートは、製品によって適切な粘着力が生成される温度が異なるため、粘着力生成工程、及び粘着力強化工程においてシートを加熱する際の目標温度は、実際に選択するシートの溶融温度を考慮しながら、粘着力が適切に生成される温度を実験により決定することが好ましい。 When a sheet other than a polyethylene sheet is selected as the sheet serving as the base material of the above-described protective member, the sheet itself is not melted, and the adhesive force generation temperature at which the adhesive force is imparted, and the adhesive force strengthening temperature are the sheets. Therefore, the target temperature at the time of heating the sheet in the adhesive force generating step and the adhesive strength enhancing step is adjusted according to the material of the sheet to be selected. For example, when a polypropylene sheet having a melting temperature of 160 to 180 ° C is selected, the target temperature in the adhesive force generation step is about 130 to 150 ° C, and the target temperature in the adhesive strength strengthening step is about 140 to 160 ° C. Heat. When a polystyrene sheet having a melting temperature of 220 to 240 ° C. is selected, the target temperature in the adhesive force generation step is set to about 190 to 210 ° C., and the target temperature in the adhesive strength strengthening step is set to about 200 to 220 ° C. Heat to Similarly, when a polyethylene terephthalate sheet having a melting temperature of 250 to 270 ° C. is selected, the target temperature in the adhesive force generation step is set to about 220 to 240 ° C., and the target temperature in the adhesive strength strengthening step is set to about 230 to 250 ° C. When a polyethylene naphthalate sheet having a melting temperature of 160 to 180 ° C. is selected, the target temperature in the adhesive force generating step is set to about 130 to 150 ° C., and the target temperature in the adhesive strength reinforcing step is set to about 140 to 160 ° C. It is advisable to heat the sheet. As described above, the sheet serving as the base material of the protective member has a different temperature at which an appropriate adhesive strength is generated depending on the product.Therefore, the target temperature at which the sheet is heated in the adhesive strength generation step and the adhesive strength enhancement step is It is preferable that the temperature at which the adhesive strength is appropriately generated is determined experimentally while considering the melting temperature of the sheet to be actually selected.
上記した実施形態では、第一の加熱手段３０Ａ、第二の加熱手段３０Ｂ、第三の加熱手段３０Ｃを、図示しない加熱ヒータ、温度センサ、送風機構等により構成し、熱風を噴射してシート（保護部材）を加熱するように構成したが、本発明は、熱風を噴射して加熱する手段に限定されず、平板状に形成された発熱プレートを、シート（保護部材）に直接接触させて加熱するように構成してもよい。 In the above-described embodiment, the first heating unit 30A, the second heating unit 30B, and the third heating unit 30C are configured by a heater (not shown), a temperature sensor, a blowing mechanism, and the like, and inject hot air to the sheet ( Although the protection member is configured to be heated, the present invention is not limited to the means of injecting and heating hot air, and the heating plate formed in a flat shape is directly contacted with the sheet (protection member) for heating. May be configured.
１０：ウエーハ
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
２０：シート
２０Ａ：シートロール
２２：保護部材領域
２２ａ：保護部材
２４：保護部材
３０Ａ：第一の加熱手段
３０Ｂ：第二の加熱手段
３２Ａ：第一のヒータ本体部
３２Ｂ：第二のヒータ本体部
３４Ａ：第一の噴射部
３４Ｂ：第二の噴射部
４０：保持テーブル
５２：ローラカッター
６０：研削装置
６２：チャックテーブル
７０：研削手段
８０：保持テーブル
９０：ダイシング装置
Ｆ：フレーム
10: Wafer 12: Device 14: Division line 20: Sheet 20A: Sheet roll 22: Protective member area 22a: Protective member 24: Protective member 30A: First heating means 30B: Second heating means 32A: First Heater main body 32B: second heater main body 34A: first jetting part 34B: second jetting part 40: holding table 52: roller cutter 60: grinding device 62: chuck table 70: grinding means 80: holding table 90 : Dicing device F: Frame
Claims (4)
保護部材の基材となるポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、
該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、
粘着力が生成されたシートの面を、保護すべきウエーハの面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面に該シートを圧着するシート圧着工程と、
該ウエーハの面に圧着したシートを加熱して粘着力を強化する粘着力強化工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの保護方法。 A wafer protection method for protecting a wafer by arranging a sheet-like protection member on a surface of a wafer,
A sheet preparation step of preparing a polyolefin-based sheet or a polyester-based sheet serving as a base material of the protective member,
An adhesive force generating step of generating an adhesive force by heating the surface of the sheet;
A sheet crimping step of laying the surface of the sheet where the adhesive force has been generated on the surface of the wafer to be protected, applying a pressing force and crimping the sheet on the surface of the wafer,
An adhesive strength enhancing step of heating the sheet pressed to the surface of the wafer to enhance the adhesive strength,
A wafer protection method comprising at least:
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018158913A JP7173792B2 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | Wafer protection method |
| KR1020190088278A KR20200024709A (en) | 2018-08-28 | 2019-07-22 | Method for protecting a wafer |
| CN201910710463.XA CN110867396B (en) | 2018-08-28 | 2019-08-02 | Wafer protection method |
| TW108130335A TWI811436B (en) | 2018-08-28 | 2019-08-23 | Wafer Protection Methods |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018158913A JP7173792B2 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | Wafer protection method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020035803A true JP2020035803A (en) | 2020-03-05 |
| JP7173792B2 JP7173792B2 (en) | 2022-11-16 |
Family
ID=69652153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018158913A Active JP7173792B2 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | Wafer protection method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7173792B2 (en) |
| KR (1) | KR20200024709A (en) |
| CN (1) | CN110867396B (en) |
| TW (1) | TWI811436B (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165636A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor element |
| JP2008166459A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tateyama Machine Kk | Protective tape applying method and apparatus |
| JP2013219175A (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2015126183A (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日東精機株式会社 | Adhesive tape sticking method and adhesive tape sticking device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191297A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | Dicing film and cutting method of semiconductor wafer |
| JP2005246491A (en) | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Grinding apparatus and method for grinding wafer |
| JP2018074082A (en) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | Processing method of wafer |
-
2018
- 2018-08-28 JP JP2018158913A patent/JP7173792B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-22 KR KR1020190088278A patent/KR20200024709A/en not_active Application Discontinuation
- 2019-08-02 CN CN201910710463.XA patent/CN110867396B/en active Active
- 2019-08-23 TW TW108130335A patent/TWI811436B/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165636A (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor element |
| JP2008166459A (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tateyama Machine Kk | Protective tape applying method and apparatus |
| JP2013219175A (en) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2015126183A (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日東精機株式会社 | Adhesive tape sticking method and adhesive tape sticking device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202010009A (en) | 2020-03-01 |
| KR20200024709A (en) | 2020-03-09 |
| JP7173792B2 (en) | 2022-11-16 |
| TWI811436B (en) | 2023-08-11 |
| CN110867396A (en) | 2020-03-06 |
| CN110867396B (en) | 2024-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10916466B2 (en) | Wafer uniting method | |
| KR20210054986A (en) | Wafer processing method | |
| JP7173792B2 (en) | Wafer protection method | |
| JP2020031183A (en) | Wafer protection method, protective member, and protective member production method | |
| TWI813674B (en) | Wafer processing method | |
| JP2005260154A (en) | Method of manufacturing chip | |
| JP7317483B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2022027441A (en) | Processing method of wafer, protective sheet, and protective sheet laying method | |
| JP2018006618A (en) | Expansion device and expansion method | |
| JP7317482B2 (en) | Wafer processing method | |
| KR20210023682A (en) | Wafer processing method | |
| JP7461118B2 (en) | Wafer processing method | |
| CN114068381A (en) | Wafer processing method, protective sheet, and protective sheet application method | |
| JP7404109B2 (en) | Integration method | |
| JP2020077812A (en) | Method for fabricating plate-like object | |
| JP2023080511A (en) | Wafer processing method | |
| JP2021185591A (en) | Wafer processing method | |
| JP2022141003A (en) | Processing method for plate material | |
| JP2024014233A (en) | Protective sheet placement method and protective sheet placement device | |
| TW202410229A (en) | How to set up protection components | |
| KR20240002696A (en) | Method of forming mask | |
| JP2023122799A (en) | Thermocompression bonding sheet | |
| JP2022089324A (en) | Method for separating protective tape | |
| JP2024020825A (en) | How to process chips | |
| JP2021068742A (en) | Ring frame |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210616 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220616 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220808 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221011 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221104 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7173792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |