JP2020034295A - 光学特性測定装置および光学特性測定方法 - Google Patents

光学特性測定装置および光学特性測定方法 Download PDF

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Abstract

【課題】試料の膜厚および形状に依らず、該試料の光学的特性を容易に測定することができる光学特性測定装置および光学特性測定方法を提供する。【解決手段】本実施形態による光学特性測定装置は、試料へ光を照射可能な第１光源を備える。第２光源は、試料へマイクロ波を照射可能である。検出器は、試料で反射したマイクロ波の反射波のマイクロ波電力を検出する。演算部は、検出器で検出された反射波のマイクロ波電力を用いて試料の電気伝導率に関するパラメータを演算する。制御部は、パラメータがほぼ所定値になるように第１光源の光の強度を制御する。演算部は、光の第１〜第ｎ波長（ｎは２以上の整数）のそれぞれについて、パラメータがほぼ所定値となったときの光の第１〜第ｎ強度を特定し、第１〜第ｎ波長と該第１〜第ｎ波長のそれぞれに対応する第１〜第ｎ強度との関係を得る。【選択図】図１

Description

本実施形態は、光学特性測定装置および光学特性測定方法に関する。
半導体等の材料の光学特性は、その材料の電気的特性や物理特性と密接に関連しており、先端材料開発、デバイス開発、量産ライン等の様々な分野で活用されている。しかしながら、半導体メモリ等のように微細化の進んだ半導体装置では、試料に含まれる材料膜の膜厚が急激に薄くなっている。このため、反射光を用いて光学的特性を測定する分光エリプソメータ等の測定器では、材料膜の光学的特性を正確に測定することが困難となってきている。
膜厚に依らず材料の光学特性を測定する手法として、ＣＰＭ(Constant Photocurrent Method)がある。しかし、ＣＰＭは、材料膜に流れる電流を測定するために、その材料膜に複数の電極を設ける必要がある。従って、試料の大きさが大きくなり、試料の形状にも制限が生じる。また、試料に電極を形成する工程が必要となる。
壹岐俊洋等、"高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築"、宮崎大学工学部紀要第３８号 Marthin Schofthaler et. al. "Sensitivity and transient response of microwave reflection measurements", pp. 3162-3173, J. Appi. Phys. 77 (7), 1 April 1995
試料の膜厚および形状に依らず、該試料の光学的特性を容易に測定することができる光学特性測定装置および光学特性測定方法を提供する。
本実施形態による光学特性測定装置は、試料へ光を照射可能な第１光源を備える。第２光源は、試料へマイクロ波を照射可能である。検出器は、試料で反射したマイクロ波の反射波のマイクロ波電力を検出する。演算部は、検出器で検出された反射波のマイクロ波電力を用いて試料の電気伝導率に関するパラメータを演算する。制御部は、パラメータがほぼ所定値になるように第１光源の光の強度を制御する。演算部は、光の第１〜第ｎ波長（ｎは２以上の整数）のそれぞれについて、パラメータがほぼ所定値となったときの光の第１〜第ｎ強度を特定し、第１〜第ｎ波長と該第１〜第ｎ波長のそれぞれに対応する第１〜第ｎ強度との関係を得る。
第１実施形態による光学特性測定装置の構成例を示すブロック図。 パラメータΔＰ／Ｐを示すグラフ。 表示部８０に表示されるグラフの一例。 第１実施形態による光学特性測定方法の一例を示すフロー図。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による光学特性測定装置の構成例を示すブロック図である。光学特性測定装置１は、ステージ５と、光源１０と、モノクロメータ２０と、マイクロ波光源３０と、マイクロ波検出器４０と、演算部５０と、制御部６０と、記憶部７０と、表示部８０とを備えている。
ステージ５は、測定対象となる試料Ｓを載置可能に構成されている。第１光源としての光源１０は、試料Ｓへ照射する光Ｌを発生する。光源１０からの光Ｌは、様々な波長を含む光であり、例えば、１９０ｎｍ〜２５００ｎｍの範囲の波長の白色光である。光源１０は、制御部６０からの制御を受けて光Ｌの強度（出力）を変更することができる。
波長調整部としてのモノクロメータ２０は、光源１０からの光Ｌのうち特定の波長の光（Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれか）を通過させて試料Ｓへ照射する。光Ｌλ１〜Ｌλｎは、それぞれ異なる波長あるいは波長帯域を有する光である。尚、ｎは、２以上の整数である。モノクロメータ２０は、制御部６０からの制御を受けて、試料Ｓへ通過させる光をＬλ１〜Ｌλｎの範囲で調整することができる。例えば、モノクロメータ２０は、光Ｌλｋ（１≦ｋ≦ｎ）を通過させる場合、光Ｌλｋ以外の光を遮断する。
光源１０は、互いに異なる波長の光を生成する複数の単一波長光源を有してもよい。例えば、光源１０は、異なる波長の光を生成する複数のレーザ光源であってもよい。この場合、モノクロメータ２０は設けてもよく、あるいは、省略してもよい。制御部６０は、光源１０の中からいずれかの単一波長光源を選択して駆動すればよい。
第２光源としてのマイクロ波光源３０は、試料Ｓへマイクロ波μｉを照射する。本実施形態で用いるマイクロ波μｉは、例えば、０．３ＧＨｚ〜３００ＧＨｚの範囲の波長を有する。マイクロ波μｉは試料Ｓで反射し、反射波μｒとしてマイクロ波検出器４０へ入射する。検出器としてのマイクロ波検出器４０は、反射波μｒのマイクロ波電力を検出する。反射波μｒのマイクロ波電力とは、試料Ｓの自由電子によって反射されたマイクロ波電力である。
演算部５０は、マイクロ波検出器４０で検出された反射波μｒのマイクロ波電力に基づいて試料Ｓの電気伝導率に関するパラメータを算出する。このパラメータは、光を照射していないときの反射波μｒのマイクロ波電力をＰとし、光（Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれか）を照射することによる反射波μｒのマイクロ波電力をＰＬすると、ＰとΔＰ（ΔＰ＝ＰＬ−Ｐ）との比率（ΔＰ／Ｐ）で表される。即ち、パラメータは、光を照射していないときの反射波μｒのマイクロ波電力Ｐと光（Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれか）を照射することによる反射波μｒのマイクロ波電力の増加量ΔＰとの比率（ΔＰ／Ｐ）である。尚、マイクロ波電力Ｐは不変値であり、マイクロ波電力ＰＬは光（Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれか）を照射することによって増大する値である。以下、ΔＰ／Ｐは、パラメータとも呼ぶ。
パラメータΔＰ／Ｐは、マイクロ波の反射率Ｒの変化および試料Ｓの電気伝導率σ0の変化を用いて式１で表される。
Figure 2020034295
 ここで、Δσ0は、試料Ｓの電気伝導率（コンダクタンス）の変化量である。δＲ（σ0）／δσ0は、コンダクタンスに対する反射率の変化を表す。尚、式１では、ΔＰは、コンダクタンスの変化量Δσ0の関数Ｐ（Δσ0）として表現されている。
式１によれば、右辺のパラメータΔＰ／Ｐは、試料Ｓの電気伝導率（コンダクタンス）の変化量Δσ0の関数であることが分かる。従って、パラメータΔＰ／Ｐは、試料Ｓの電気伝導率自体を示すわけではないが、試料Ｓの電気伝導率に関連する指標として用いることができる。即ち、演算部５０は、マイクロ波検出器４０の出力から試料Ｓの電気伝導率を算出することはできないものの、パラメータΔＰ／Ｐを算出することができ、パラメータΔＰ／Ｐが変化することによって、試料Ｓの電気伝導率が変化していることを認識できる。例えば、パラメータΔＰ／Ｐが低下した場合、試料Ｓの電気伝導率の変化量が小さくなっていることを示す。逆に、パラメータΔＰ／Ｐが上昇した場合、試料Ｓの電気伝導率の変化量が大きくなっていることを示す。さらに、パラメータΔＰ／Ｐが一定である場合、試料Ｓの電気伝導率に変化がないことを示す。このように、パラメータΔＰ／Ｐは、試料Ｓの電気伝導率の変化量に関連する指標として用いることができる。演算部５０は、パラメータΔＰ／Ｐを用いて、試料Ｓの電気伝導率の変化を間接的に認識することができる。
制御部６０は、パラメータΔＰ／Ｐがほぼ所定値になるように光源１０の光Ｌの強度を制御する。例えば、図２は、パラメータΔＰ／Ｐを示すグラフである。このグラフの縦軸は、パラメータΔＰ／Ｐであり、横軸は時間である。光Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれかはパルス状に断続的に照射され、各パルスの直後にマイクロ波μｉも照射される。制御部６０は、図２に示すパラメータΔＰ／ＰのピークＰＫおよび／またはカーブＣＶが所定値にほぼ一致するように光源１０の光Ｌの強度を制御する。
図２のパラメータΔＰ／Ｐについて説明する。例えば、ｔ０において、光Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれかのパルスが照射されると、マイクロ波電力ＰＬが大きくなり、マイクロ波電力Ｐに対するマイクロ波電力ＰＬの増加量ΔＰも大きくなる。マイクロ波電力Ｐは、試料Ｓの材料や膜厚等によって異なるが、試料Ｓが同一の場合、不変値である。よって、パラメータΔＰ／Ｐは、ｔ０において光Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれかのパルスが照射されると、急激に増大する。これは、光Ｌλ１〜Ｌλｎのいずれかの照射によって、試料Ｓの電気伝導率が上昇したことを意味する。光Ｌλ１〜Ｌλｎは、ｔ０においてパルス状に照射され、その後、次のパルスまで照射されない。従って、ｔ０の後、パラメータΔＰ／Ｐは次第に低下する。これは、試料Ｓの電気伝導率が次第に平常値に戻って行っていることを意味する。このように、パラメータΔＰ／Ｐの変化は、試料Ｓの電気伝導率の変化に関連しており、パラメータΔＰ／Ｐの変化を参照することによって試料Ｓの電気伝導率の変化を把握することができる。従って、パラメータΔＰ／Ｐがほぼ所定値になるように光源１０の光Ｌの強度を制御すれば、試料Ｓの電気伝導率も或る値に制御されている。例えば、図２のｔ０におけるピークＰＫの高さおよびｔ０以降のカーブＣＶの形状が等しい場合、試料Ｓの電気伝導率もほぼ等しいと判断してよい。
演算部５０は、このようなパラメータΔＰ／Ｐと試料Ｓの電気伝導率との関係を利用して、試料Ｓの電気伝導率をほぼ一定にしたときの光Ｌλ１〜Ｌλｎのそれぞれの強度を求める。光Ｌλ１〜Ｌλｎのそれぞれの強度は、試料Ｓの光学的特性として物理特性の解析や理解、シミュレーションの結果の確認等に用いられる。
記憶部７０は、光Ｌλ１〜Ｌλｎの波長、強度、演算部５０で算出されたパラメータΔＰ／Ｐ等を格納する。また、記憶部７０は、試料Ｓの電気伝導率がほぼ一定のときの光Ｌλ１〜Ｌλｎの強度（以下、調整強度ともいう）を、光Ｌλ１〜Ｌλｎの波長とそれぞれ関連付けて格納する。関連付けは、特に限定しないが、データにおいて、ファイル名、フォルダ名等に同一名称を含めればよい。
表示部８０は、光Ｌλ１〜Ｌλｎの波長に対するそれぞれの調整強度をグラフで表示させる。調整強度は、試料Ｓにおける光Ｌλ１〜Ｌλｎの吸収率に変換することができる。吸収率とは、試料に照射された光が資料内部に進むにつれて吸収され、その強度が１／ｅ（ｅ は、ネイピア数）になる照射面からの深さの逆数である。試料Ｓの電気伝導率がほぼ一定のときの光Ｌλ１〜Ｌλｎの吸収率を、以下、調整吸収率ともいう。従って、光Ｌλ１〜Ｌλｎの調整強度が高いことは、試料Ｓの光吸収率が比較的低いことを意味する。試料Ｓが所定の電気伝導率を得るために、光Ｌλ１〜Ｌλｎの調整強度を高くする必要があるからである。一方、光Ｌλ１〜Ｌλｎの調整強度が低いことは、試料Ｓの光吸収率が比較的高いことを意味する。試料Ｓの光吸収率が高いと、光Ｌλ１〜Ｌλｎの強度が低くても、試料Ｓが所定の電気伝導率を得ることができるからである。従って、表示部８０は、調整強度に代えて、調整強度に対応する調整吸収率をグラフで表示してもよい。
図３は、表示部８０に表示されるグラフの一例である。このグラフにおいて、縦軸は、試料Ｓの調整吸収率を示している。横軸は、光Ｌλ１〜Ｌλｎのエネルギーを示している。光Ｌλ１〜Ｌλｎのエネルギーは、ｈ・ｃ／λと示すことができる。ここで、ｈはプランク定数、ｃは光速、λは光Ｌλ１〜Ｌλｎの波長である。尚、光Ｌλ１〜Ｌλｎのエネルギーは、それらの波長の逆数に比例するので、光Ｌλ１〜Ｌλｎの波長が長くなると、エネルギーが小さくなる。
このように、本実施形態による光学特性測定装置１は、マイクロ波μｉを用いて、試料Ｓの電気伝導率に関連するパラメータΔＰ／Ｐを算出し、パラメータΔＰ／Ｐを用いて試料Ｓの光学的特性（例えば、調整強度、調整吸収率）を測定することができる。マイクロ波μｉは、試料Ｓに電極を設けることなく、照射し検出可能である。また、マイクロ波μｉは、試料Ｓの膜厚や形状に依らず照射し検出可能である。従って、本実施形態は、試料Ｓの大きさおよび形状に制限されることなく、試料Ｓの光学的特性を非接触で測定することができる。従って、本実施形態は、例えば、大きな面積を有する半導体基板上に成膜された薄膜の光学特性をマッピングすることもできる。
尚、マイクロＰＣＤ（Photo Conductivity Decay）は、マイクロ波の反射波を用いて試料の電気伝導率（コンダクタンス、自由キャリア濃度）自体を解析しようとしている。しかし、現状、マイクロＰＣＤで試料の電気伝導率を直接得ることは困難である。これに対し、本実施形態は、試料Ｓの電気伝導率自体を求めるのではなく、試料Ｓの電気伝導率の変化をパラメータΔＰ／Ｐの変化で間接的に把握できることをＰＣＭに利用し、パラメータΔＰ／Ｐを参照して試料Ｓの電気伝導率を略一定にするように光Ｌλ１〜Ｌλｎの強度を制御する。従って、本実施形態は、試料の電気伝導率自体を解析しようとするマイクロＰＣＤとは異なる技術である。
次に、本実施形態による光学特性測定方法を説明する。
図４は、第１実施形態による光学特性測定方法の一例を示すフロー図である。
まず、試料Ｓをステージ上に載置する（Ｓ１０）。試料Ｓに光を照射していないときの反射波μｒのマイクロ波電力Ｐは、予め測定しておく。
次に、試料Ｓに或る波長および或る強度を有する光をリファレンス光として照射し、マイクロ波μｉを照射する。これにより、演算部５０は、リファレンス光のパラメータΔＰ／Ｐを算出する（Ｓ２０）。リファレンス光のパラメータΔＰ／Ｐは、記憶部７０に格納される。リファレンス光のパラメータΔＰ／Ｐは、図２に示すようなグラフとして表示部８０に表示させてもよい。以下、リファレンス光のパラメータΔＰ／Ｐは、リファレンスパラメータΔＰ／Ｐｒｅｆと呼ぶ。
次に、第１波長としての光Ｌλ１を試料Ｓへ照射する（Ｓ３０）。光Ｌλ１のパルスの照射と同時またはその直後に、マイクロ波μｉを試料Ｓへ照射する（Ｓ４０）。マイクロ波μｉは、光Ｌλ１の照射位置に照射され、その一部が反射波μｒとしてマイクロ波検出器４０で検出される（Ｓ５０）。
次に、演算部５０は、マイクロ波検出器４０で検出された反射波μｒのマイクロ波電力を用いてパラメータΔＰ／Ｐを算出する（Ｓ６０）。
次に、演算部５０は、ステップＳ５０で得られたパラメータΔＰ／ＰをリファレンスパラメータΔＰ／Ｐｒｅｆと比較する（Ｓ７０）。パラメータΔＰ／ＰがリファレンスパラメータΔＰ／Ｐｒｅｆと異なる場合（Ｓ７０のＮＯ）、制御部６０は光Ｌλ１の強度を変更して（Ｓ８０）、ステップＳ３０〜Ｓ６０を再度実行する（Ｓ８０）。例えば、パラメータΔＰ／ＰがリファレンスパラメータΔＰ／Ｐｒｅｆよりも小さい場合、制御部６０は、光Ｌλ１の強度を上昇させる。パラメータΔＰ／ＰがリファレンスパラメータΔＰ／Ｐｒｅｆより大きい場合、制御部６０は、光Ｌλ１の強度を低下させる。
一方、パラメータΔＰ／ＰがリファレンスパラメータΔＰ／Ｐｒｅｆとほぼ一致する場合（Ｓ７０のＹＥＳ）、演算部５０は、そのときの光Ｌλ１の強度（第１調整強度）を光Ｌλ１の波長（第１波長）と関連付けて記憶部７０に格納する（Ｓ９０）。尚、パラメータΔＰ／ＰがリファレンスパラメータΔＰ／Ｐｒｅｆにほぼ一致するとは、図２のピークＰＫおよび／またはカーブＣＶにおいてほぼ一致することであり、完全一致だけでなく、或る程度のずれを許容する。その許容値は、メーカまたはユーザによって設定すればよい。
次に、制御部６０は、モノクロメータ２０を制御して、光の波長を変更し（Ｓ１００のＮＯ、Ｓ１１０）、ステップＳ３０〜Ｓ９０を実行する。例えば、モノクロメータ２０が光Ｌλ１から光Ｌλ２に変更する。その後、ステップＳ３０〜Ｓ９０を実行する。これにより、光Ｌλ２についても、調整強度が得られる。演算部５０は、光Ｌλ２の調整強度（第２調整強度）を光Ｌλ２の波長（第２波長）と関連付けて記憶部７０へ格納する。
光Ｌλ３〜Ｌλｎについても、同様に、ステップＳ３０〜Ｓ９０を実行する（Ｓ１００のＮＯ）。これにより、演算部５０は、光Ｌλ３〜Ｌλｎのそれぞれ調整強度を得ることができる。光Ｌλ３〜Ｌλｎのそれぞれ調整強度（第３〜第ｎ調整強度）も、光Ｌλ３〜Ｌλｎの波長（第３〜第ｎ波長）と関連付けられて記憶部７０へ格納される。
光Ｌλ１〜Ｌλｎの全てについて、調整強度が得られると（Ｓ１００のＹＥＳ）、演算部５０は、光Ｌλ１〜Ｌλｎの第１〜第ｎ波長およびそれぞれに対応する第１〜第ｎ調整強度を表示部８０に表示する（Ｓ１２０）。このとき、図３に示すように、波長はエネルギーに変換されてもよい。調整強度は調整吸収率に変換されてもよい。この場合、第１〜第ｎ調整強度は、第１〜第ｎ調整吸収率にそれぞれ変換される。
尚、光Ｌλ１〜Ｌλｎの照射の順番は任意である。また、或る光Ｌλｋ（１≦ｋ≦ｎ）の照射回数（ステップＳ３０〜Ｓ８０のループ回数）も特に限定しない。ｎの数値も２以上であればよく特に限定しない。
このように、本実施形態によれば、第１〜第ｎ波長を有する光Ｌλ１〜Ｌλｎのそれぞれについて、マイクロ波μｉの反射波μｒのマイクロ波電力で示されるパラメータΔＰ／Ｐがほぼ所定値となったときの第１〜第ｎ調整強度を特定する。そして、第１〜第ｎ波長とそれぞれに対応する第１〜第ｎ調整強度あるいは第１〜第ｎ調整吸収率との関係を得る。マイクロ波μｉは、試料Ｓに電極を設けることなく、かつ、試料Ｓの膜厚や形状に依らず、照射し検出可能である。従って、本実施形態は、試料Ｓの大きさおよび形状に制限されることなく、試料Ｓの光学的特性を非接触で測定することができる。例えば、本実施形態による光学特性測定装置１は、光吸収率と膜厚との積が１に満たない非常に薄い材料膜であっても光学吸収率の波長分散測定をすることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１ 光学特性測定装置、５ ステージ、１０ 光源、２０ モノクロメータ、３０マイクロ波光源、４０ マイクロ波検出器、５０ 演算部、６０ 制御部、７０ 記憶部、８０ 表示部

Claims (9)

  1. 試料へ光を照射可能な第１光源と、
    前記試料へマイクロ波を照射可能な第２光源と、
    前記試料で反射した前記マイクロ波の反射波のマイクロ波電力を検出する検出器と、
    前記検出器で検出された前記反射波のマイクロ波電力を用いて前記試料の電気伝導率に関するパラメータを演算する演算部と、
    前記パラメータがほぼ所定値になるように前記第１光源の光の強度を制御する制御部とを備え、
    前記演算部は、前記光の第１〜第ｎ波長（ｎは２以上の整数）のそれぞれについて、前記パラメータがほぼ所定値となったときの前記光の第１〜第ｎ強度を特定し、前記第１〜第ｎ波長と該第１〜第ｎ波長のそれぞれに対応する前記第１〜第ｎ強度との関係を得る、光学特性測定装置。
  2. 前記演算部は、前記光を照射していないときの前記反射波のマイクロ波電力と前記光を照射することによる前記反射波のマイクロ波電力の増加量との比率を前記パラメータとして算出する、請求項１に記載の光学特性測定装置。
  3. 前記演算部は、前記第１〜第ｎ波長と前記第１〜第ｎ強度との関係から、前記第１〜第ｎ波長に対する前記試料の前記光の第１〜第ｎ吸収率を得る、請求項１または請求項２に記載の光学特性測定装置。
  4. 前記第１〜第ｎ波長および前記第１〜第ｎ強度をそれぞれ関連付けて格納する記憶部をさらに備えた請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の光学特性測定装置。
  5. 試料へ光を照射可能な第１光源と、前記試料へマイクロ波を照射可能な第２光源と、前記試料で反射した前記マイクロ波の反射波のマイクロ波電力を検出する検出器と、前記反射波のマイクロ波電力を用いて演算を行う演算部と、前記第１光源を制御する制御部とを備えた光学特性測定装置を用いた光学特性測定方法であって、
    第１波長の光を前記試料へ照射し、
    前記試料へマイクロ波を照射し、
    前記検出器で検出された前記反射波のマイクロ波電力を用いて前記試料の電気伝導率に関するパラメータを前記演算部において算出し、
    前記パラメータがほぼ所定値になるように前記光の強度を前記制御部において調節し、
    前記パラメータがほぼ所定値となったときの前記光の第１強度を前記演算部において特定し、
    前記第１波長と該第１波長に対応する前記第１強度との関係を得ることを具備する光学特性測定方法。
  6. 前記演算部は、前記試料へ照射する前記光の波長を前記第２〜第ｎ波長（ｎは２以上の整数）へと変更しながら、前記パラメータがほぼ所定値となったときの前記光の第２〜第ｎ強度を特定し、前記第２〜第ｎ波長と該第２〜第ｎ波長に対応する前記第２〜第ｎ強度との関係を得る、請求項５に記載の方法。
  7. 前記パラメータの算出において、前記演算部は、前記光を照射していないときの前記反射波のマイクロ波電力と前記光を照射することによる前記反射波のマイクロ波電力の増加量との比率から前記試料の前記パラメータを算出する、請求項５または請求項６に記載の方法。
  8. 前記第１波長と前記第１強度との関係から前記第１波長に対する前記試料の前記光の第１吸収率を得ることをさらに具備する、請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記第２〜第ｎ波長と前記第２〜第ｎ強度との関係から前記第２〜第ｎ波長に対する前記試料の前記光の第２〜第ｎ吸収率を得ることをさらに具備する、請求項６または請求項７に記載の方法。
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