JP2020021913A - Pickup method of semiconductor chip - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップのピックアップ方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor chip pickup method.
従来、接着シートに貼付した半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ともいう）を個片化して半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう）を形成し、当該接着シートの接着力を低下させてチップを接着シートから取り外す半導体チップのピックアップ方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a semiconductor wafer (hereinafter, also simply referred to as “wafer”) attached to an adhesive sheet is divided into individual pieces to form semiconductor chips (hereinafter, also simply as “chips”), and the adhesive force of the adhesive sheet is reduced. 2. Description of the Related Art A method of picking up a semiconductor chip for removing a chip from an adhesive sheet is known (for example, see Patent Document 1).
しかしながら、特許文献１に記載された従来の電子部品ピックアップ方法（半導体チップのピックアップ方法）では、シート５（接着シート）における接着面の反対側の反接着面側から、当該接着シートの接着力が低下する光（所定のエネルギー）を付与する構成なので、当該半導体チップのピックアップ方法を実施するための装置を具現化する際、接着シートの反接着面側に配置する構成物が制限され、設計の自由度が低下するという不都合を発生する。 However, in the conventional electronic component pickup method (semiconductor chip pickup method) described in Patent Literature 1, the adhesive force of the adhesive sheet from the side opposite to the adhesive surface of the sheet 5 (adhesive sheet) is increased. Since the configuration is such that a decreasing light (predetermined energy) is applied, when implementing an apparatus for performing the semiconductor chip pickup method, components arranged on the side of the adhesive sheet opposite to the adhesive surface are limited, and the design is restricted. The disadvantage that the degree of freedom is reduced occurs.
本発明の目的は、本発明を実施するための装置を具現化する際、設計の自由度が低下することを防止することができる半導体チップのピックアップ方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method of picking up a semiconductor chip, which can prevent the degree of freedom of design from being reduced when realizing an apparatus for implementing the present invention.
本発明は、請求項に記載した構成を採用した。 The present invention has adopted the configuration described in the claims.
本発明によれば、一方の面側が接着シートに貼付された半導体ウエハの他方の面側から、当該接着シートの接着力が低下するエネルギーを付与し、半導体チップが貼付されている接着シートのチップ貼付領域の接着力を低下させるので、接着シートの反接着面側に配置する構成物が制約されることはなく、本発明を実施するための装置を具現化する際、設計の自由度が低下することを防止することができる。 According to the present invention, from the other surface side of the semiconductor wafer having one surface side adhered to the adhesive sheet, energy for reducing the adhesive force of the adhesive sheet is applied, and the chip of the adhesive sheet to which the semiconductor chip is adhered is applied. Since the adhesive strength of the attachment area is reduced, the components arranged on the side opposite to the adhesive surface of the adhesive sheet are not restricted, and the degree of freedom in design is reduced when embodying the apparatus for carrying out the present invention. Can be prevented.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれが直交する関係にあり、Ｘ軸およびＹ軸は、所定平面内の軸とし、Ｚ軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、Ｙ軸と平行な図１（Ａ）中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がＺ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がＸ軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がＹ軸と平行な図１（Ａ）中手前方向で「後」がその逆方向とする。また、図１（Ｂ）〜図３は、図１（Ａ）と同じ方向から観た図なので、図１（Ａ）以外の方向を示す矢印は省略する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In this embodiment, the X axis, the Y axis, and the Z axis are orthogonal to each other. The X axis and the Y axis are axes within a predetermined plane, and the Z axis is an axis orthogonal to the predetermined plane. I do. Furthermore, in the present embodiment, when the direction is shown without designating the figure, “upper” is the direction of the arrow on the Z axis, based on the case where the direction is viewed from the near side in FIG. 1A parallel to the Y axis. "Down" is the opposite direction, "Left" is the direction of the arrow on the X axis, "Right" is the opposite direction, and "Front" is the front direction in FIG. 1 (A) parallel to the Y axis and "Rear" is the opposite. Direction. FIGS. 1B to 3 are views viewed from the same direction as FIG. 1A, and therefore arrows indicating directions other than FIG. 1A are omitted.
本発明の半導体チップのピックアップ方法は、ウエハＷＦの一方の面ＷＦ１に接着シートＡＳの接着面ＡＳ１側を当接させて貼付するシート貼付工程ＰＣ１と、ウエハＷＦに切込ＣＵを形成し、当該ウエハＷＦを個片化してチップＣＰを形成する個片化工程ＰＣ２と、チップＣＰを接着シートＡＳから取り外す取外し工程ＰＣ３と、取外し工程ＰＣ３で接着シートＡＳから取り外したチップＣＰをリードフレームや基板等の支持体ＳＢに接着するチップ接着工程ＰＣ５とを実施する。
なお、接着シートＡＳは、所定のエネルギーとしての熱が付与されることで膨張し、当該接着シートＡＳの接着力を低下させる膨張性粒子ＳＧが添加されたものが使用される。本実施形態では、接着シートＡＳは、基材シートＢＳと接着剤層ＡＬとを備え、当該接着剤層ＡＬのみに膨張性粒子ＳＧが添加されたものが採用されている。
The semiconductor chip pickup method of the present invention includes a sheet attaching step PC1 in which the adhesive surface AS1 side of the adhesive sheet AS is brought into contact with and adhered to one surface WF1 of the wafer WF, and a cut CU formed in the wafer WF. An individualizing step PC2 for singulating the wafer WF to form the chips CP, a removing step PC3 for removing the chips CP from the adhesive sheet AS, and a lead frame or a board for removing the chips CP from the adhesive sheet AS in the removing step PC3 And a chip bonding step PC5 for bonding to the support SB.
Note that the adhesive sheet AS expands when heat as a predetermined energy is applied, and is used to which expandable particles SG that reduce the adhesive force of the adhesive sheet AS are added. In the present embodiment, the adhesive sheet AS includes a base sheet BS and an adhesive layer AL, and employs a material in which the expandable particles SG are added only to the adhesive layer AL.
シート貼付工程ＰＣ１は、図１（Ａ）に示すように、押圧手段としての押圧ローラ１１で接着シートＡＳを押圧し、フレーム部材としてのリングフレームＲＦとウエハＷＦとからなる被着体ＷＫに接着シートＡＳを貼付する。このシート貼付工程ＰＣ１では、押圧ローラ１１と被着体ＷＫとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、押圧ローラ１１と被着体ＷＫとを相対移動させ、当該被着体ＷＫに接着シートＡＳを貼付して一体物ＷＫ１を形成する。ウエハＷＦは、一方の面ＷＦ１および他方の面ＷＦ２の少なくとも一方に所定の回路が形成され、接着シートＡＳは、ウエハＷＦにおける回路が形成された面に貼付されてもよいし、回路が形成されていない面に貼付されてもよい。 In the sheet sticking step PC1, as shown in FIG. 1A, the adhesive sheet AS is pressed by a pressing roller 11 as a pressing means, and is bonded to an adherend WK composed of a ring frame RF as a frame member and a wafer WF. The sheet AS is attached. In the sheet sticking process PC1, by moving one of the pressing roller 11 and the adherend WK while regulating the other, or moving both of them, the pressing roller 11 and the adherend WK Are moved relative to each other, and the adhesive sheet AS is attached to the adherend WK to form an integrated body WK1. The wafer WF has a predetermined circuit formed on at least one of the one surface WF1 and the other surface WF2, and the adhesive sheet AS may be attached to the surface of the wafer WF where the circuit is formed, or the circuit may be formed. It may be affixed to a surface that is not.
個片化工程ＰＣ２は、図１（Ｂ）に示すように、切断手段としてのブレード２１を回転させ、当該回転するブレード２１をウエハＷＦの一方の面ＷＦ１または他方の面ＷＦ２に沿って移動させることで、当該ウエハＷＦに切込ＣＵを形成してチップＣＰを形成する。この個片化工程ＰＣ２では、回転するブレード２１と一体物ＷＫ１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、回転するブレード２１と一体物ＷＫ１とを相対移動させてチップＣＰを形成する。 In the singulation process PC2, as shown in FIG. 1B, the blade 21 as a cutting unit is rotated, and the rotating blade 21 is moved along one surface WF1 or the other surface WF2 of the wafer WF. Thus, the cut CU is formed in the wafer WF to form the chip CP. In the singulation process PC2, the rotating blade 21 and the integrated object WK1 are moved by moving one of the rotating blade 21 and the integrated object WK1 while regulating the other, or by moving both of them. Are relatively moved to form a chip CP.
取外し工程ＰＣ３は、図１（Ｃ−１）に示すように、チップＣＰを保持する保持手段としてのコレット３１を使用し、当該コレット３１に設けられた第１のエネルギー付与手段としての第１コイルヒータ４１で接着シートＡＳに熱を付与することで、当該取外し工程ＰＣ３において、チップＣＰが貼付されている接着シートＡＳのチップ貼付領域ＳＡに、ウエハＷＦの他方の面ＷＦ２側から熱を付与する第１のエネルギー付与工程ＰＣ４を実施する。
この取外し工程ＰＣ３では、一体物ＷＫ１とコレット３１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、一体物ＷＫ１とコレット３１とを相対移動させ、接着シートＡＳから取り外したいチップＣＰにコレット３１を当接させ、当該コレット３１でチップＣＰを吸着保持する。この際、コレット３１で吸着保持したチップＣＰが貼付されているチップ貼付領域ＳＡに第１コイルヒータ４１によって熱が付与され、当該熱の付与により接着剤層ＡＬに添加されている膨張性粒子ＳＧが膨張し、図１（Ｃ−１）中ＡＡを付した図に示すように、接着剤層ＡＬに無数の凸部ＣＶが形成される。接着剤層ＡＬに無数の凸部ＣＶが形成されると、当該接着剤層ＡＬのチップＣＰに対する接着面積が減少し、チップ貼付領域ＳＡのチップＣＰに対する接着力が低下し、チップＣＰを接着シートＡＳから容易に取り外すことができるようになる。その後、一体物ＷＫ１とチップＣＰを吸着保持したコレット３１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、図１（Ｃ）中二点鎖線で示すように、チップＣＰを接着シートＡＳから取り外す。
As shown in FIG. 1 (C-1), the removing step PC3 uses a collet 31 as a holding means for holding the chip CP, and a first coil as a first energy applying means provided on the collet 31. By applying heat to the adhesive sheet AS by the heater 41, heat is applied from the other surface WF2 side of the wafer WF to the chip attaching area SA of the adhesive sheet AS to which the chip CP is attached in the removal process PC3. The first energy applying step PC4 is performed.
In this removal process PC3, by moving one of the one-piece WK1 and the collet 31 while regulating the other, or by moving both, the one-piece WK1 and the collet 31 are relatively moved, The collet 31 is brought into contact with the chip CP to be removed from the adhesive sheet AS, and the collet 31 holds the chip CP by suction. At this time, heat is applied by the first coil heater 41 to the chip attachment area SA where the chip CP adsorbed and held by the collet 31 is attached, and the expandable particles SG added to the adhesive layer AL by the application of the heat. Expands, and countless convex portions CV are formed in the adhesive layer AL, as shown in the figure with AA in FIG. 1 (C-1). When the innumerable convex portions CV are formed in the adhesive layer AL, the adhesive area of the adhesive layer AL to the chip CP decreases, the adhesive force of the chip attaching area SA to the chip CP decreases, and the chip CP is bonded to the adhesive sheet. It can be easily removed from the AS. Thereafter, by moving one of the integrated object WK1 and the collet 31 holding the chip CP by suction while regulating the other, or moving both of them, the two-dot chain line in FIG. As shown, the chip CP is removed from the adhesive sheet AS.
チップ接着工程ＰＣ５は、図１（Ｄ）に示すように、コレット３１で吸着保持したチップＣＰを支持体ＳＢに接着する。このチップ接着工程ＰＣ５では、チップＣＰを吸着保持したコレット３１と支持体ＳＢとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、当該支持体ＳＢの所定の位置にチップＣＰを接着する。この際、チップＣＰは、支持体ＳＢに接着する支持体用接着剤層ＡＤを介して当該支持体ＳＢに接着される。このような支持体用接着剤層ＡＤは、コレット３１で吸着保持して搬送する途中でチップＣＰに積層されてもよいし、予め支持体ＳＢに積層されていてもよい。 In the chip bonding step PC5, as shown in FIG. 1D, the chip CP sucked and held by the collet 31 is bonded to the support SB. In the chip bonding step PC5, by moving one of the collet 31 holding the chip CP by suction and the support SB while restricting the other, or moving both of them, the support SB is formed. The chip CP is bonded to a predetermined position. At this time, the chip CP is bonded to the support SB via the support adhesive layer AD that is bonded to the support SB. Such an adhesive layer AD for a support may be stacked on the chip CP while being suctioned and held by the collet 31 and transported, or may be stacked on the support SB in advance.
以上のような実施形態によれば、一方の面ＷＦ１側が接着シートＡＳに貼付されたウエハＷＦの他方の面ＷＦ２側から、当該接着シートＡＳの接着力が低下する熱を付与し、チップＣＰが貼付されている接着シートＡＳのチップ貼付領域ＳＡの接着力を低下させるので、接着シートＡＳの反接着面ＡＳ２側に配置する構成物が制約されることはなく、本発明を実施するための装置を具現化する際、設計の自由度が低下することを防止することができる。 According to the embodiment as described above, one surface WF1 is applied with heat from the other surface WF2 of the wafer WF stuck to the adhesive sheet AS, so that the chip CP is bonded. Since the adhesive strength of the chip bonding area SA of the bonded adhesive sheet AS is reduced, the components disposed on the side of the adhesive sheet AS opposite to the adhesive surface AS2 are not restricted, and the apparatus for carrying out the present invention is not limited. Can be prevented from lowering the degree of freedom in design.
本発明における手段および工程は、それら手段および工程について説明した動作、機能または工程を果たすことができる限りなんら限定されることはなく、まして、前記実施形態で示した単なる一実施形態の構成物や工程に全く限定されることはない。例えば、取外し工程は、半導体チップを接着シートから取り外す工程であれば、出願当初の技術常識に照らし合わせ、その技術範囲内のものであればなんら限定されることはない（その他の手段および工程も同じ）。 The means and steps in the present invention are not limited in any way as long as they can perform the operations, functions or steps described for the means and steps, much less the constituents of only one embodiment shown in the above embodiment and There is no limitation to the process at all. For example, the removal step is not limited insofar as it is a step of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet in light of the common general technical knowledge at the time of filing the application, as long as it is within the technical range (other means and steps are also included). the same).
本発明の半導体チップのピックアップ方法は、図２（Ａ）に示すように、シート貼付工程ＰＣ１において、一方の面ＷＦ１側から他方の面ＷＦ２にまで達する切込ＣＵが予め形成されることで、個片化されてチップＣＰとされたウエハＷＦの一方の面ＷＦ１に、接着シートＡＳの接着面ＡＳ１側を当接させて貼付してもよい。この場合、個片化工程ＰＣ２は実施せずに、前記実施形態と同様の取外し工程ＰＣ３、第１のエネルギー付与工程ＰＣ４およびチップ接着工程ＰＣ５を実施することができる。 In the semiconductor chip pickup method of the present invention, as shown in FIG. 2 (A), a notch CU extending from one surface WF1 side to the other surface WF2 is formed in advance in the sheet sticking process PC1. The adhesive sheet AS may be adhered to one surface WF1 of the wafer WF which has been divided into chips CP so that the adhesive surface AS1 of the adhesive sheet AS abuts. In this case, the removal step PC3, the first energy application step PC4, and the chip bonding step PC5, which are the same as in the above embodiment, can be performed without performing the singulation step PC2.
また、本発明の半導体チップのピックアップ方法は、図２（Ｂ）に示すように、シート貼付工程ＰＣ１において、一方の面ＷＦ１側から他方の面ＷＦ２にまで達することのない切込ＣＵが予め形成されたウエハＷＦの当該一方の面ＷＦ１に、接着シートＡＳの接着面ＡＳ１側を当接させて貼付してもよい。この場合、同図に示すように、個片化工程ＰＣ２において、研削手段としての研削部材２２を回転させ、当該回転する研削部材２２をウエハＷＦの一方の面ＷＦ１または他方の面ＷＦ２に沿って移動させ、ウエハＷＦの他方の面ＷＦ２側から切込ＣＵに達するまで当該ウエハＷＦを薄化し、当該ウエハＷＦを個片化してチップＣＰを形成する。この個片化工程ＰＣ２では、回転する研削部材２２と一体物ＷＫ１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、回転する研削部材２２と一体物ＷＫ１とを相対移動させてチップＣＰを形成する。そして、前記実施形態と同様の取外し工程ＰＣ３、第１のエネルギー付与工程ＰＣ４およびチップ接着工程ＰＣ５を実施することができる。なお、一方の面側ＷＦ１から他方の面ＷＦ２にまで達することのない切込ＣＵが予め形成されたウエハＷＦを用意する際、例えば、前記実施形態で例示したブレード２１により、そのような切込ＣＵを形成する切込形成工程を実施してもよい。 Further, in the semiconductor chip pickup method of the present invention, as shown in FIG. 2B, a cut CU that does not reach from one surface WF1 to the other surface WF2 is previously formed in the sheet attaching process PC1. The adhesive surface AS1 of the adhesive sheet AS may be abutted on the one surface WF1 of the wafer WF that has been bonded. In this case, as shown in the figure, in the singulation process PC2, the grinding member 22 as the grinding means is rotated, and the rotating grinding member 22 is moved along one surface WF1 or the other surface WF2 of the wafer WF. The wafer WF is moved, the wafer WF is thinned from the other surface WF2 side of the wafer WF to the cut CU, and the wafer WF is singulated to form chips CP. In this singulation process PC2, by moving one of the rotating grinding member 22 and the integrated object WK1 while regulating the other, or moving both of them, the rotating grinding member 22 and the integrated object WK1 are integrated with the rotating grinding member 22. The object CP is formed by relatively moving the object WK1. Then, the removal step PC3, the first energy applying step PC4, and the chip bonding step PC5, which are the same as in the above embodiment, can be performed. When preparing a wafer WF in which a cut CU that does not reach from one surface side WF1 to the other surface WF2 is formed in advance, for example, such a cut is performed by the blade 21 illustrated in the above embodiment. A notch forming step for forming a CU may be performed.
さらに、本発明の半導体チップのピックアップ方法は、前記実施形態と同等のシート貼付工程ＰＣ１を実施した後、図２（Ｃ）に示すように、個片化工程ＰＣ２において、外力が付与されることで割断される改質部ＭＴをウエハＷＦに形成し、当該ウエハＷＦに外力を付与して個片化し、チップＣＰを形成してもよい。この個片化工程ＰＣ２では、改質部形成手段としてのレーザ照射装置２３でレーザを発光し、当該レーザを発光するレーザ照射装置２３と一体物ＷＫ１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、レーザを発光するレーザ照射装置２３と一体物ＷＫ１とを相対移動させて改質部ＭＴを形成する。その後、同図に示すように、受け部材としてのテーブル２４と一体物ＷＫ１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、テーブル２４と一体物ＷＫ１とを相対移動させ、接着シートＡＳを引っ張ってウエハＷＦに外力を付与しチップＣＰを形成する。そして、前記実施形態と同様の取外し工程ＰＣ３、第１のエネルギー付与工程ＰＣ４およびチップ接着工程ＰＣ５を実施することができる。 Furthermore, in the semiconductor chip pickup method of the present invention, after performing the same sheet sticking step PC1 as in the above-described embodiment, as shown in FIG. 2C, an external force is applied in the individualizing step PC2. May be formed on the wafer WF, and an external force may be applied to the wafer WF to singulate the wafer WF to form the chip CP. In this singulation process PC2, a laser is emitted by a laser irradiation device 23 as a reforming portion forming means, and one of the laser irradiation device 23 and the integrated object WK1 that emits the laser is regulated while the other is controlled. By moving or moving both of them, the laser irradiation device 23 that emits laser light and the integrated object WK1 are relatively moved to form the reformed portion MT. Thereafter, as shown in the same figure, by moving one of the table 24 as the receiving member and the integrated object WK1 while regulating the other, or moving both of them, the table 24 and the integrated object WK1 are integrated with the table 24. The chip CP is formed by relatively moving the wafer WK1 and pulling the adhesive sheet AS to apply an external force to the wafer WF. Then, the removal step PC3, the first energy applying step PC4, and the chip bonding step PC5, which are the same as in the above embodiment, can be performed.
また、本発明の半導体チップのピックアップ方法は、図２（Ｄ）に示すように、シート貼付工程ＰＣ１において、外力が付与されることで割断される改質部ＭＴが予め形成されたウエハＷＦの一方の面ＷＦ１に、接着シートＡＳの接着面ＡＳ１側を当接させて貼付してもよい。この場合、同図に示すように、個片化工程ＰＣ２において、接着シートＡＳに張力を付与することでウエハＷＦに外力を付与して改質部ＭＴを割断し、当該ウエハＷＦを個片化してチップＣＰを形成する。この個片化工程ＰＣ２では、受け部材２４と一体物ＷＫ１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、テーブル２４と一体物ＷＫ１とを相対移動させてチップＣＰを形成する。そして、前記実施形態と同様の取外し工程ＰＣ３、第１のエネルギー付与工程ＰＣ４およびチップ接着工程ＰＣ５を実施することができる。 Further, as shown in FIG. 2 (D), the semiconductor chip pick-up method of the present invention employs, in the sheet sticking step PC1, a wafer WF in which a reformed portion MT which is cut by applying an external force is formed in advance. The adhesive sheet AS may be attached to one surface WF1 with the adhesive surface AS1 side of the adhesive sheet AS in contact with the surface WF1. In this case, as shown in the drawing, in the singulation process PC2, by applying tension to the adhesive sheet AS, an external force is applied to the wafer WF to cut the reformed portion MT, and the wafer WF is singulated. To form a chip CP. In the singulation process PC2, the table 24 and the integrated object WK1 are moved relative to each other by moving one of the receiving member 24 and the integrated object WK1 while controlling the other, or moving both of them. It is moved to form the chip CP. Then, the removal step PC3, the first energy applying step PC4, and the chip bonding step PC5, which are the same as in the above embodiment, can be performed.
また、本発明の半導体チップのピックアップ方法は、図１（Ｃ−２）に示すように、取外し工程ＰＣ３の前段または取外し工程ＰＣ３において、接着シートＡＳにおける接着面ＡＳ１の反対側の反接着面ＡＳ２側から当該接着シートＡＳに所定のエネルギーとしての熱を付与する第２のエネルギー付与工程ＰＣ６を実施してもよい。第２のエネルギー付与工程ＰＣ６では、反接着面ＡＳ２側からチップＣＰを突き上げる突上手段としての突上シャフト６１を使用し、当該突上シャフト６１に設けられた第２のエネルギー付与手段としての第２コイルヒータ６２で接着シートＡＳに熱を付与する。
この取外し工程ＰＣ３では、一体物ＷＫ１と突上シャフト６１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、一体物ＷＫ１と突上シャフト６１とを相対移動させ、接着シートＡＳから取り外したいチップＣＰを突き上げる。この際、突き上げたチップＣＰが貼付されている接着シートＡＳ部分に第２コイルヒータ６２によって熱が付与され、図１（Ｃ−２）中ＢＢを付した図に示すように、形成された無数の凸部ＣＶによってチップ貼付領域ＳＡのチップＣＰに対する接着力が低下し、当該チップＣＰを接着シートＡＳから容易に取り外すことができるようになる。
なお、第２のエネルギー付与工程ＰＣ６では、突上シャフト６１を使用することなく、例えば、コイルヒータや赤外線ヒータによって、接着シートＡＳの反接着面ＡＳ２側から当該接着シートＡＳに熱を付与し、チップ貼付領域ＳＡのチップＣＰに対する接着力を低下させてもよい。
As shown in FIG. 1 (C-2), the semiconductor chip pickup method of the present invention, in a stage preceding the removal process PC3 or in the removal process PC3, has an anti-adhesion surface AS2 opposite to the adhesion surface AS1 of the adhesive sheet AS. A second energy applying step PC6 for applying heat as predetermined energy to the adhesive sheet AS from the side may be performed. In the second energy applying step PC6, a push-up shaft 61 is used as a push-up means for pushing up the chip CP from the side of the non-adhesive surface AS2, and a second energy-applying means provided on the push-up shaft 61 is used. The two-coil heater 62 applies heat to the adhesive sheet AS.
In the removal process PC3, the one-piece object WK1 and the push-up shaft 61 are controlled by moving one of the one-piece object WK1 and the push-up shaft 61, or the other. The chips CP to be removed are pushed up from the adhesive sheet AS by relative movement. At this time, heat is applied by the second coil heater 62 to the portion of the adhesive sheet AS to which the protruded chips CP are affixed, and as shown in the figure attached with BB in FIG. The convex portion CV reduces the adhesive strength of the chip attachment area SA to the chip CP, and allows the chip CP to be easily removed from the adhesive sheet AS.
In the second energy applying step PC6, heat is applied to the adhesive sheet AS from the anti-adhesive surface AS2 side of the adhesive sheet AS by using, for example, a coil heater or an infrared heater without using the protrusion shaft 61, The adhesive strength of the chip attachment area SA to the chip CP may be reduced.
シート貼付工程ＰＣ１は、駆動機器であって押圧手段としての直動モータの出力軸に支持され、減圧ポンプや真空エジェクタ等の減圧手段によって接着シートＡＳを保持可能な保持部材で接着シートＡＳを吸着保持し、当該保持部材で保持した接着シートＡＳをウエハＷＦに押圧して貼付してもよいし、公知のシート貼付装置で接着シートＡＳをウエハＷＦに貼付してもよい。 The sheet sticking process PC1 is a driving device, which is supported by an output shaft of a linear motor as a pressing means, and sucks the adhesive sheet AS by a holding member capable of holding the adhesive sheet AS by a decompression means such as a decompression pump or a vacuum ejector. The adhesive sheet AS held and held by the holding member may be pressed and attached to the wafer WF, or the adhesive sheet AS may be attached to the wafer WF by a known sheet attaching apparatus.
個片化工程ＰＣ２で形成される切込ＣＵ、ウエハＷＦに予め形成されている一方の面ＷＦ１から他方の面ＷＦ２にまで達する切込ＣＵ、ウエハＷＦに予め形成されている一方の面ＷＦ１から他方の面ＷＦ２にまで達することのない切込ＣＵ、個片化工程ＰＣ２で形成される改質部ＭＴ、および、ウエハＷＦに予め形成されている改質部ＭＴは、例えば、Ｘ軸と平行な１本でもよいし、Ｙ軸と平行な１本でもよいし、Ｘ軸やＹ軸と平行でない１本または複数でもよいし、相互に不等間隔な複数でもよいし、相互に平行または平行でない複数でもよいし、相互に交差しない複数でもよいし、相互に直交または斜交する複数でもよいし、曲線状または折線状の１本または複数でもよく、そのような切込ＣＵや改質部ＭＴによって形成されるチップＣＰの形状は、円形、楕円形、三角形または四角形以上の多角形等、どのような形状でもよい。
個片化工程ＰＣ２では、研削手段としてサンドペーパや砥石等を用いたグラインダや、刃物で切断するスライサ等を採用したり、薬品を用いたりして薄化を行ってもよいし、改質部形成手段として、例えば、電磁波、振動、熱、薬品、化学物質等を付与するものを採用し、ウエハＷＦの特性、特質、性質、材質、組成、構成、寸法等を変更することで、ウエハＷＦを脆弱化、粉砕化、液化または空洞化して改質部ＭＴを形成してもよいし、ウエハＷＦに付与する外力として、例えば、研削手段による振動としてもよいし、バイブレータや偏心モータ等による振動としてもよいし、受け部材として台やプレート等を採用してもよい。
個片化工程ＰＣ２において、接着シートＡＳを引っ張ってチップＣＰを形成する場合、ウエハＷＦに予め形成されている切込ＣＵや、切断手段で形成される切込ＣＵは、他方の面ＷＦ２にまで達していなくてもよい。
The cut CU formed in the singulation process PC2, the cut CU reaching from one surface WF1 formed in advance on the wafer WF to the other surface WF2, and one surface WF1 formed in advance on the wafer WF The cut CU that does not reach the other surface WF2, the modified portion MT formed in the singulation process PC2, and the modified portion MT formed in advance on the wafer WF are, for example, parallel to the X axis. May be one, may be one parallel to the Y-axis, one or more not parallel to the X-axis or the Y-axis, may be a plurality of unequal intervals, parallel or parallel to each other May not be plural, plural may not cross each other, plural may be orthogonal or oblique to each other, may be one or plural in a curved shape or a broken line shape, and may be such a cut CU or a modified part. Chip C formed by MT The shape of a circular, elliptical, polygonal or the like or triangular or quadrangular, may have any shape.
In the singulation process PC2, as a grinding means, a grinder using sandpaper, a grindstone, or the like, a slicer that cuts with a blade, or the like may be employed, a chemical may be used for thinning, or a modified portion may be formed. As a means, for example, one that imparts electromagnetic waves, vibrations, heat, chemicals, chemical substances, and the like is adopted, and by changing the characteristics, characteristics, properties, materials, compositions, configurations, dimensions, and the like of the wafer WF, the wafer WF can be used. The modified portion MT may be formed by weakening, pulverizing, liquefying, or hollowing, or may be formed as an external force applied to the wafer WF, for example, vibration by a grinding unit, or vibration by a vibrator or an eccentric motor. Alternatively, a stand, a plate, or the like may be employed as the receiving member.
When the chip CP is formed by pulling the adhesive sheet AS in the singulation process PC2, the cut CU formed in advance on the wafer WF and the cut CU formed by the cutting unit reach the other surface WF2. It does not have to be reached.
取外し工程ＰＣ３は、駆動機器としての直動モータの出力軸に支持され、減圧ポンプや真空エジェクタ等の減圧手段によって吸着保持が可能な保持部材でチップＣＰを保持し、当該保持部材で保持したチップＣＰを接着シートＡＳから取外してもよいし、チップＣＰを１個ずつまたは複数個ずつ接着シートＡＳから取り外してもよいし、前記実施形態において、第２コイルヒータ６２が備わっていない図１（Ｃ−２）で示した突上シャフト６１を使用し、接着シートＡＳから取り外したいチップＣＰを当該突上シャフト６１で突き上げ、コレット３１でチップＣＰを吸着保持してもよい。 The removal step PC3 is supported by an output shaft of a linear motor as a driving device, holds the chip CP by a holding member that can be suction-held by a decompression means such as a decompression pump or a vacuum ejector, and holds the chip CP by the holding member. The CP may be removed from the adhesive sheet AS, the chips CP may be removed from the adhesive sheet AS one by one or a plurality of chips, and in the above-described embodiment, the second coil heater 62 is not provided. The chip CP to be removed from the adhesive sheet AS may be pushed up by the stick-up shaft 61 by using the stick-up shaft 61 shown in -2), and the chip CP may be sucked and held by the collet 31.
第１のエネルギー付与工程ＰＣ４は、取外し工程ＰＣ３の前段で実施してもよく、第１のエネルギー付与工程ＰＣ４を取外し工程ＰＣ３の前段で実施する場合は、例えば、図２（Ｅ）に示すように、ウエハＷＦの他方の面ＷＦ２側から接着シートＡＳに熱を付与してもよい。この第１のエネルギー付与工程ＰＣ４では、第１のエネルギー付与手段としての赤外線ヒータ４２によって熱を付与し、当該熱の付与により接着剤層ＡＬに添加されている膨張性粒子ＳＧを膨張させる。その後、取外し工程ＰＣ３を実施し、コレット３１でチップＣＰを吸着保持して当該チップＣＰを接着シートＡＳから取り外す。この場合、コレット３１に第１コイルヒータ４１を設け、当該第１コイルヒータ４１によって接着シートＡＳに熱を付与してもよいし、コレット３１に第１コイルヒータ４１を設けなくてもよい。
第１のエネルギー付与工程ＰＣ４は、接着シートＡＳに部分的に熱を付与してもよいし、接着シートＡＳに一括で熱を付与してもよいし、部分的に熱を付与する第１のエネルギー付与手段と一体物ＷＫ１とを相対移動させて接着シートＡＳ全体に熱を付与してもよいし、接着シートＡＳに熱を付与する時間は、接着シートＡＳや膨張性粒子ＳＧの特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して任意に決定することができるし、第１のエネルギー付与手段や第２のエネルギー付与手段は、所定のエネルギーを接着シートＡＳに集中して付与する集光板や収集板等の集中手段を採用してもよいし、所定のエネルギーを出力する出力源としてＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ等何を採用してもよいし、それらを適宜に組み合わせたものを採用してもよい。
The first energy applying step PC4 may be performed before the removing step PC3. When the first energy applying step PC4 is performed before the removing step PC3, for example, as shown in FIG. Then, heat may be applied to the adhesive sheet AS from the other surface WF2 of the wafer WF. In the first energy application step PC4, heat is applied by the infrared heater 42 as first energy application means, and the application of the heat expands the expandable particles SG added to the adhesive layer AL. Thereafter, a removal process PC3 is performed, and the chip CP is suction-held by the collet 31 to remove the chip CP from the adhesive sheet AS. In this case, the first coil heater 41 may be provided on the collet 31 and heat may be applied to the adhesive sheet AS by the first coil heater 41, or the first coil heater 41 may not be provided on the collet 31.
The first energy applying step PC4 may apply heat partially to the adhesive sheet AS, may apply heat collectively to the adhesive sheet AS, or may apply a first heat applying partial heat to the adhesive sheet AS. Heat may be applied to the entire adhesive sheet AS by relatively moving the energy applying means and the integrated object WK1, and the time for applying heat to the adhesive sheet AS may be determined by the properties and characteristics of the adhesive sheet AS and the expandable particles SG. Can be arbitrarily determined in consideration of properties, materials, compositions, configurations, and the like, and the first energy applying means and the second energy applying means apply predetermined energy to the adhesive sheet AS in a concentrated manner. Concentrating means such as a light collector or a collecting plate may be adopted, and an LED (Light Emitting Diode) lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a metal Idoranpu, xenon lamp, may be employed to do a halogen lamp or the like, may be employed a combination them appropriately.
チップ接着工程ＰＣ５は、チップＣＰを１個ずつまたは複数個ずつ支持体ＳＢに接着してもよいし、超音波振動手段でチップＣＰおよび支持体ＳＢの少なくとも一方を振動させてそれらを接着させる超音波接合でチップＣＰを支持体ＳＢに接着してもよいし、本発明の半導体チップのピックアップ方法において実施しなくてもよい。 In the chip bonding step PC5, the chip CP may be bonded to the support SB one by one or a plurality of pieces, or at least one of the chip CP and the support SB may be vibrated by an ultrasonic vibration unit to bond them. The chip CP may be bonded to the support SB by sonic bonding, or may not be performed in the semiconductor chip pickup method of the present invention.
本発明の半導体チップのピックアップ方法は、図３に示すように、接着シートＡＳとして、ウエハＷＦを他のものに接着可能な転着用接着剤層ＡＤ１を有するものを採用し、シート貼付工程ＰＣ１では、図３（Ａ）に示すように、ウエハＷＦの一方の面ＷＦ１に転着用接着剤層ＡＤ１を当接させて接着シートＡＳを当該ウエハＷＦに貼付し、個片化工程ＰＣ２では、図３（Ｂ）に示すように、ウエハＷＦと共に転着用接着剤層ＡＤ１を個片化してチップＣＰと個片化接着剤層ＡＤ２とを形成し、取外し工程ＰＣ４では、図３（Ｃ−１）に示すように、チップＣＰと共に個片化接着剤層ＡＤ２を接着シートＡＳから取り外し、チップ接着工程ＰＣ５では、個片化接着剤層ＡＤ２を介してチップＣＰを支持体ＳＢに接着してもよい。この場合も、取外し工程ＰＣ３において、ウエハＷＦの他方の面ＷＦ２側から接着シートＡＳに熱が付与され、図３（Ｃ−１）中ＡＡを付した図に示すように、形成された無数の凸部ＣＶによってチップ貼付領域ＳＡの個片化接着剤層ＡＤ２に対する接着力が低下し、当該個片化接着剤層ＡＤ２が接着したチップＣＰを接着シートＡＳから容易に取り外すことができるようになる。この場合においても、第２のエネルギー付与工程ＰＣ２を実施し、図３（Ｃ−２）に示すように、突上シャフト６１に設けられた第２コイルヒータ６２を使用したり、突上シャフト６１を使用することのないコイルヒータや赤外線ヒータ等を使用したりして、接着シートＡＳの反接着面ＡＳ２側から当該接着シートＡＳに熱を付与し、チップ貼付領域ＳＡの個片化接着剤層ＡＤ２に対する接着力を低下させてもよいし、チップ接着工程ＰＣ５を実施しなくてもよい、予め個片化されたチップＣＰに個片化接着剤層ＡＤ２が積層されている場合には、個片化工程ＰＣ２を実施しなくてもよい。 As shown in FIG. 3, the semiconductor chip pickup method of the present invention employs, as the adhesive sheet AS, one having a transfer adhesive layer AD1 capable of adhering the wafer WF to another, and in the sheet attaching step PC1. As shown in FIG. 3A, the adhesive sheet AS is adhered to the wafer WF by bringing the adhesive layer AD1 into contact with one surface WF1 of the wafer WF. As shown in (B), the adhesive layer AD1 to be transferred is singulated together with the wafer WF to form the chip CP and the singulated adhesive layer AD2. In the removal step PC4, as shown in FIG. As shown, the individualized adhesive layer AD2 together with the chip CP may be removed from the adhesive sheet AS, and in the chip bonding step PC5, the chip CP may be bonded to the support SB via the individualized adhesive layer AD2. Also in this case, in the removal process PC3, heat is applied to the adhesive sheet AS from the other surface WF2 side of the wafer WF, and as shown in the figure with AA in FIG. Due to the convex portion CV, the adhesive strength of the chip attachment area SA to the individualized adhesive layer AD2 is reduced, and the chip CP to which the individualized adhesive layer AD2 has adhered can be easily removed from the adhesive sheet AS. . Also in this case, the second energy imparting step PC2 is performed, and as shown in FIG. 3C-2, the second coil heater 62 provided on the push-up shaft 61 is used. By applying a heat to the adhesive sheet AS from the anti-adhesive surface AS2 side of the adhesive sheet AS by using a coil heater, an infrared heater, or the like that does not use the adhesive sheet, the individualized adhesive layer in the chip attaching area SA The adhesive strength to AD2 may be reduced, or the chip bonding step PC5 may not be performed. If the individualized adhesive layer AD2 is stacked on the chips CP that have been previously individualized, The fragmentation step PC2 may not be performed.
また、本発明の半導体チップのピックアップ方法は、図３（Ｅ）に示すように、接着シートＡＳとして、基材シートＢＳと転着用接着剤層ＡＤ１とを備え、当該基材シートＢＳのみに膨張性粒子ＳＧが添加されたものを採用し、シート貼付工程ＰＣ１、個片化工程ＰＣ２を実施した後、取外し工程ＰＣ３において、基材シートＢＳに添加されている膨張性粒子ＳＧを膨張させ、コレット３１によってチップＣＰと共に個片化接着剤層ＡＤ２を基材シートＢＳから取り外し、チップ接着工程ＰＣ５で、個片化接着剤層ＡＤ２を介してチップＣＰを支持体ＳＢに接着してもよい。 Further, as shown in FIG. 3E, the semiconductor chip pickup method of the present invention includes a base sheet BS and a transfer adhesive layer AD1 as an adhesive sheet AS, and expands only into the base sheet BS. After the particles to which the conductive particles SG have been added are used, and the sheet attaching step PC1 and the singulation step PC2 are performed, in the removing step PC3, the expandable particles SG added to the base sheet BS are expanded to form a collet. The singulated adhesive layer AD2 together with the chip CP may be removed from the base sheet BS by using 31, and the chip CP may be bonded to the support SB via the singulated adhesive layer AD2 in the chip bonding step PC5.
接着シートＡＳとして、熱湯や熱風等の熱、冷却された気体や液体等の冷却媒体、紫外線、可視光線、音波、Ｘ線またはガンマ線等のあらゆる波長の電磁波、振動、薬品、化学物質等を所定のエネルギーとし、当該所定のエネルギーが付与されることで膨張し、当該接着シートＡＳの接着力を低下させる膨張性粒子ＳＧが添加されているものが採用されてもよく、第１のエネルギー付与工程ＰＣ４は、膨張性粒子ＳＧの特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮し、熱、冷却媒体、あらゆる波長の電磁波、振動、薬品、化学物質等を付与して当該膨張性粒子ＳＧを膨張させ、接着シートＡＳの接着力を低下できればどのような工程でもよいし、第１のエネルギー付与手段や第２のエネルギー付与手段も、膨張性粒子ＳＧの特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮し、熱、冷却媒体、あらゆる波長の電磁波、振動、薬品、化学物質等を付与して当該膨張性粒子ＳＧを膨張させ、接着シートＡＳの接着力を低下できればどのようなものでもよい。
接着シートＡＳは、当該接着シートＡＳを構成する基材シートＢＳのみに膨張性粒子ＳＧが添加されているものが採用されてもよいし、接着剤層ＡＬと基材シートＢＳとの両方に膨張性粒子ＳＧが添加されているものが採用されてもよいし、接着剤層ＡＬと基材シートＢＳとの中間に１または複数の中間層が存在し、当該中間層、接着剤層ＡＬおよび基材シートＢＳのうち少なくとも１つまたは少なくとも２つに膨張性粒子ＳＧが添加されているものが採用されてもよいし、ウエハＷＦにおける回路が形成された面に貼付されていてもよいし、回路が形成されていない面に貼付されていてもよいし、接着剤層ＡＬと基材シートＢＳとの両方に膨張性粒子ＳＧが添加されている場合や、中間層、接着剤層ＡＬおよび基材シートＢＳのうち少なくとも２つに膨張性粒子ＳＧが添加されている場合、それら膨張性粒子ＳＧは、同一のものでもよいし、同一でないものでもよい。
ウエハＷＦは、一方の面ＷＦ１および他方の面ＷＦ２の両方に回路が形成されていなくてもよいし、他方の面ＷＦ２に予め他の接着シートが貼付されていてもよく、このような他の接着シートを適宜剥離する公知のシート剥離工程を実施してもよい。
フレーム部材は、環状でもよいし、環状でなくてもよいし、本発明の半導体チップのピックアップ方法において用いられなくてもよく、フレーム部材が用いられない場合、シート貼付工程ＰＣ１では、接着シートＡＳをウエハＷＦのみに貼付すればよい。
As the adhesive sheet AS, heat such as hot water or hot air, a cooling medium such as a cooled gas or liquid, electromagnetic waves of any wavelength such as ultraviolet rays, visible rays, sound waves, X-rays or gamma rays, vibrations, chemicals, and chemical substances are prescribed. The energy to which the predetermined energy is applied may expand, and expandable particles SG that reduce the adhesive force of the adhesive sheet AS may be used. The PC 4 considers the characteristics, characteristics, properties, materials, compositions, configurations, and the like of the expandable particles SG, and applies heat, a cooling medium, electromagnetic waves of all wavelengths, vibrations, chemicals, chemical substances, and the like to the expandable particles SG. Any process may be used as long as the adhesive force of the adhesive sheet AS can be reduced, and the first energy applying means and the second energy applying means also use the characteristics and characteristics of the expandable particles SG. In consideration of properties, materials, compositions, configurations, etc., heat, a cooling medium, electromagnetic waves of all wavelengths, vibrations, chemicals, chemical substances, etc. are applied to expand the expandable particles SG, thereby reducing the adhesive strength of the adhesive sheet AS. Anything is possible if possible.
The adhesive sheet AS may be one in which the expandable particles SG are added only to the base sheet BS constituting the adhesive sheet AS, or may be expanded to both the adhesive layer AL and the base sheet BS. The particles to which the conductive particles SG are added may be employed, or one or more intermediate layers may be present between the adhesive layer AL and the base sheet BS, and the intermediate layer, the adhesive layer AL and the base layer may be used. At least one or at least two of the material sheets BS to which the expandable particles SG are added may be adopted, or the material sheet BS may be attached to a surface of the wafer WF on which a circuit is formed, or may be a circuit. May be affixed to the surface on which is not formed, or when the expandable particles SG are added to both the adhesive layer AL and the base sheet BS, or when the intermediate layer, the adhesive layer AL and the base material are added. Less of seat BS If it is added also is expandable particles SG into two, they expandable particles SG may be identical ones or may be ones not identical.
The wafer WF may not have a circuit formed on both one surface WF1 and the other surface WF2, or may have another adhesive sheet adhered to the other surface WF2 in advance. A known sheet peeling step of appropriately peeling the adhesive sheet may be performed.
The frame member may or may not be annular, and may not be used in the semiconductor chip pickup method of the present invention. When the frame member is not used, in the sheet attaching step PC1, the adhesive sheet AS is used. May be attached only to the wafer WF.
膨張性粒子ＳＧは、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱によって容易にガス化して膨張する物質が弾性を有する殻内に内包された微粒子等が例示でき、特願２０１７−７３２３６、特開２０１３−１５９７４３、特開２０１２−１６７１５１、特開２００１−１２３００２等で開示されている熱発泡性微粒子や、特開２０１３−４７３２１、特開２００７−２５４５８０、特開２０１１−２１２５２８、特開２００３−２６１８４２等で開示されている膨張性粒子等、何ら限定されるものではなく、例えば、熱分解して、水、炭酸ガス、窒素を発生させて膨張性粒子と類似の効果を奏する発泡剤を採用してもよいし、特開２０１６−５３１１５、特開平７−２７８３３３で開示されている紫外線により気体を発生するアゾ化合物等の気体発生剤で殻を膨張させるものでもよいし、例えば、加熱によって膨張するゴムや樹脂等でもよいし、その他、重曹、炭酸水素ナトリウム、ベーキングパウダ等でもよい。 Examples of the expandable particles SG include, for example, fine particles in which a substance that easily gasifies and expands by heating, such as isobutane, propane, and pentane, is contained in an elastic shell. Japanese Patent Application No. 2017-73236, -159743, JP-A-2012-167151, JP-A-2001-123002 and the like, and heat-expandable fine particles disclosed in JP-A-2013-47321, JP-A-2007-254580, JP-A-2011-212528, JP-A-2003-261842 and the like. It is not limited at all, such as the expandable particles disclosed in, for example, by pyrolysis, water, carbon dioxide, adopting a foaming agent that produces a similar effect to the expandable particles by generating nitrogen Or azotization which generates gas by ultraviolet rays disclosed in JP-A-2006-53115 and JP-A-7-278333. May be one that expands the shell in a gas generator such as an object, for example, it may be a rubber or resin that expands by heating, other, baking soda, sodium bicarbonate, or a baking powder or the like.
本発明における接着シートＡＳおよびウエハＷＦの材質、種別、形状等は、特に限定されることはない。例えば、接着シートＡＳおよびウエハＷＦは、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、その他の形状であってもよいし、接着シートＡＳは、感圧接着性、感熱接着性等の接着形態のものであってもよく、感熱接着性の接着シートＡＳが採用された場合は、当該接着シートＡＳを加熱する適宜なコイルヒータやヒートパイプの加熱側等の加熱手段を設ける、適宜な方法で接着されればよい。また、このような接着シートＡＳは、例えば、接着剤層ＡＬだけの単層のもの、基材シートＢＳと接着剤層ＡＬとの間に中間層を有するもの、基材シートＢＳの上面にカバー層を有する等３層以上のもの、更には、基材シートＢＳを接着剤層ＡＬから剥離することのできる所謂両面接着シートのようなものであってもよく、両面接着シートは、単層又は複層の中間層を有するものや、中間層のない単層又は複層のものであってよい。また、半導体ウエハとしては、例えば、シリコン半導体ウエハや化合物半導体ウエハ等でもよい。なお、接着シートＡＳは、機能的、用途的な読み方に換え、例えば、情報記載用ラベル、装飾用ラベル、保護シート、ダイシングテープ、ダイアタッチフィルム、ダイボンディングテープ、記録層形成樹脂シート等の任意のシート、フィルム、テープ等でもよい。 The material, type, shape, and the like of the adhesive sheet AS and the wafer WF in the present invention are not particularly limited. For example, the adhesive sheet AS and the wafer WF may have a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape such as a triangle or a quadrangle, or other shapes. If a heat-sensitive adhesive sheet AS is employed, a suitable coil heater for heating the adhesive sheet AS or a heating means such as a heating side of a heat pipe may be provided by an appropriate method. What is necessary is just to be adhered. Further, such an adhesive sheet AS is, for example, a single layer having only the adhesive layer AL, a sheet having an intermediate layer between the base sheet BS and the adhesive layer AL, and a cover on the upper surface of the base sheet BS. Three or more layers, such as having a layer, further may be a so-called double-sided adhesive sheet capable of peeling the base sheet BS from the adhesive layer AL, the double-sided adhesive sheet may be a single layer or It may have a multi-layered intermediate layer, or may have a single-layered or multi-layered structure without an intermediate layer. The semiconductor wafer may be, for example, a silicon semiconductor wafer, a compound semiconductor wafer, or the like. In addition, the adhesive sheet AS may be replaced with a functional or application-specific reading method. For example, any information label, decorative label, protective sheet, dicing tape, die attach film, die bonding tape, recording layer forming resin sheet, etc. Sheet, film, tape or the like.
前記実施形態における駆動機器は、回動モータ、直動モータ、リニアモータ、単軸ロボット、２軸または３軸以上の関節を備えた多関節ロボット等の電動機器、エアシリンダ、油圧シリンダ、ロッドレスシリンダ及びロータリシリンダ等のアクチュエータ等を採用することができる上、それらを直接的又は間接的に組み合せたものを採用することもできる。
前記実施形態において、ローラ等の回転部材が採用されている場合、当該回転部材を回転駆動させる駆動機器を備えてもよいし、回転部材の表面や回転部材自体をゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、回転部材の表面や回転部材自体を変形しない部材で構成してもよいし、ローラの代わりに回転するまたは回転しないシャフトやブレード等の他の部材を採用してもよいし、押圧ローラや押圧ヘッド等の押圧手段や押圧部材といった被押圧物を押圧するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、ローラ、丸棒、ブレード材、ゴム、樹脂、スポンジ等の部材を採用したり、大気やガス等の気体の吹き付けにより押圧する構成を採用したりしてもよいし、押圧するものをゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、変形しない部材で構成してもよいし、支持（保持）手段や支持（保持）部材等の被支持部材を支持または保持するものが採用されている場合、メカチャックやチャックシリンダ等の把持手段、クーロン力、接着剤（接着シート、接着テープ）、粘着剤（粘着シート、粘着テープ）、磁力、ベルヌーイ吸着、吸引吸着、駆動機器等で被支持部材を支持（保持）する構成を採用してもよいし、切断手段や切断部材等の被切断部材を切断または、被切断部材に切込や切断線を形成するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、カッター刃、レーザカッタ、イオンビーム、火力、熱、水圧、電熱線、気体や液体等の吹付け等で切断するものを採用したり、適宜な駆動機器を組み合わせたもので切断するものを移動させて切断するようにしたりしてもよい。
Driving devices in the embodiment include electric devices such as a rotary motor, a linear motion motor, a linear motor, a single-axis robot, a multi-joint robot having two or three or more joints, an air cylinder, a hydraulic cylinder, and a rodless. Actuators, such as cylinders and rotary cylinders, can be employed, and those obtained by directly or indirectly combining them can be employed.
In the embodiment, when a rotating member such as a roller is employed, a driving device for rotating the rotating member may be provided, or the surface of the rotating member or the rotating member itself may be deformable such as rubber or resin. It may be constituted by a member, may be constituted by a member that does not deform the surface of the rotating member or the rotating member itself, or adopts another member such as a shaft or a blade that rotates or does not rotate instead of a roller Alternatively, when a member that presses a pressed object such as a pressing member or a pressing member such as a pressing roller or a pressing head is used, instead of or in combination with the above-described examples, a roller, a round bar, or a blade A member such as a material, rubber, resin, sponge, or the like may be employed, or a configuration in which the member is pressed by blowing a gas such as air or gas may be employed, or a deformable portion such as rubber or resin may be used as the member to be pressed. Or a member that supports or holds a supported member such as a supporting (holding) means or a supporting (holding) member. (Supporting / supporting) the supported member with gripping means such as a cylinder or chuck cylinder, Coulomb force, adhesive (adhesive sheet, adhesive tape), adhesive (adhesive sheet, adhesive tape), magnetic force, Bernoulli suction, suction suction, drive equipment, etc. ) May be adopted, or when a member that cuts a member to be cut such as a cutting means or a cutting member, or a member that forms a cut or a cutting line in the member to be cut is adopted, the above-described example is used. Instead or in combination, a cutter blade, a laser cutter, an ion beam, thermal power, heat, water pressure, heating wire, a device that cuts by spraying gas, liquid, etc., is adopted, or an appropriate driving device is combined. In things May be or so as to cut by moving the one that disconnection.
３１…コレット（保持手段）
４１…第１コイルヒータ（第１のエネルギー付与手段）
４２…赤外線ヒータ（第１のエネルギー付与手段）
６１…突上シャフト（突上手段）
６２…第２コイルヒータ（第２のエネルギー付与手段）
ＡＤ１…転着用接着剤層
ＡＤ２…個片化接着剤層
ＡＳ…接着シート
ＡＳ１…接着面
ＡＳ２…反接着面
ＣＰ…半導体チップ
ＣＵ…切込
ＭＴ…改質部
ＰＣ１…シート貼付工程
ＰＣ２…個片化工程
ＰＣ３…取外し工程
ＰＣ４…第１のエネルギー付与工程
ＰＣ５…チップ接着工程
ＰＣ６…第２のエネルギー付与工程
ＳＡ…チップ貼付領域
ＳＢ…支持体
ＳＧ…膨張性粒子
ＷＦ…半導体ウエハ
ＷＦ１…一方の面
ＷＦ２…他方の面
31 ... Collet (holding means)
41: first coil heater (first energy applying means)
42 ... Infrared heater (first energy applying means)
61 ... Upward shaft (upward means)
62: second coil heater (second energy applying means)
AD1: Transfer adhesive layer AD2: Individualized adhesive layer AS: Adhesive sheet AS1: Adhesive surface AS2: Anti-adhesive surface CP: Semiconductor chip CU: Notch MT: Modified part PC1: Sheet bonding process PC2: Individual piece PC3 ... Removal process PC4 ... First energy application process PC5 ... Chip bonding process PC6 ... Second energy application process SA ... Chip attaching area SB ... Support SG ... Expandable particles WF ... Semiconductor wafer WF1 ... One surface WF2: the other side
Claims (10)
前記半導体ウエハに切込を形成し、当該半導体ウエハを個片化して半導体チップを形成する個片化工程と、
前記半導体チップを前記接着シートから取り外す取外し工程とを実施し、
前記接着シートとして、所定のエネルギーが付与されることで膨張し、当該接着シートの接着力を低下させる膨張性粒子が添加されたものを使用し、
前記取外し工程または前記取外し工程の前段において、前記半導体チップが貼付されている前記接着シートのチップ貼付領域に、前記半導体ウエハの他方の面側から前記エネルギーを付与する第１のエネルギー付与工程を実施することを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。 A sheet attaching step of attaching and attaching the adhesive surface side of the adhesive sheet to one surface of the semiconductor wafer,
Forming a cut in the semiconductor wafer, singulating the semiconductor wafer to form a semiconductor chip,
Carrying out a removing step of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet,
As the adhesive sheet, a sheet to which predetermined energy is applied to expand and expandable particles that reduce the adhesive force of the adhesive sheet are used,
A first energy applying step of applying the energy from the other surface side of the semiconductor wafer to a chip attachment region of the adhesive sheet to which the semiconductor chip is attached is performed in the removing step or in a stage preceding the removing step. A semiconductor chip pickup method.
前記半導体チップを前記接着シートから取り外す取外し工程とを実施し、
前記接着シートとして、所定のエネルギーが付与されることで膨張し、当該接着シートの接着力を低下させる膨張性粒子が添加されたものを使用し、
前記取外し工程または前記取外し工程の前段において、前記半導体チップが貼付されている前記接着シートのチップ貼付領域に、前記半導体ウエハの他方の面側から前記エネルギーを付与する第１のエネルギー付与工程を実施することを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。 A notch extending from one surface side to the other surface is formed in advance, so that the adhesive surface side of the adhesive sheet is brought into contact with one surface of the semiconductor wafer which has been diced and made into semiconductor chips. A sheet sticking process for sticking,
Carrying out a removing step of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet,
As the adhesive sheet, a sheet to which predetermined energy is applied to expand and expandable particles that reduce the adhesive force of the adhesive sheet are used,
A first energy applying step of applying the energy from the other surface side of the semiconductor wafer to a chip attachment region of the adhesive sheet to which the semiconductor chip is attached is performed in the removing step or in a stage preceding the removing step. A semiconductor chip pickup method.
前記半導体ウエハの他方の面側から前記切込に達するまで当該半導体ウエハを薄化し、当該半導体ウエハを個片化して半導体チップを形成する個片化工程と、
前記半導体チップを前記接着シートから取り外す取外し工程とを実施し、
前記接着シートとして、所定のエネルギーが付与されることで膨張し、当該接着シートの接着力を低下させる膨張性粒子が添加されたものを使用し、
前記取外し工程の前段または前記取外し工程において、前記半導体チップが貼付されている前記接着シートのチップ貼付領域に、前記半導体ウエハの他方の面側から前記エネルギーを付与する第１のエネルギー付与工程を実施することを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。 A sheet attaching step of attaching the adhesive surface of the adhesive sheet to the one surface of the semiconductor wafer in which a cut that does not reach from the one surface to the other surface is formed in advance,
A singulation step of thinning the semiconductor wafer from the other surface side of the semiconductor wafer until reaching the cut, singulating the semiconductor wafer to form semiconductor chips,
Carrying out a removing step of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet,
As the adhesive sheet, a sheet to which predetermined energy is applied to expand and expandable particles that reduce the adhesive force of the adhesive sheet are used,
In a preceding stage of the removing step or in the removing step, a first energy applying step of applying the energy from the other surface side of the semiconductor wafer to a chip attaching area of the adhesive sheet to which the semiconductor chip is attached is performed. A semiconductor chip pickup method.
外力が付与されることで割断される改質部を前記半導体ウエハに形成し、当該半導体ウエハに外力を付与して個片化し、半導体チップを形成する個片化工程と、
前記半導体チップを前記接着シートから取り外す取外し工程とを実施し、
前記接着シートとして、所定のエネルギーが付与されることで膨張し、当該接着シートの接着力を低下させる膨張性粒子が添加されたものを使用し、
前記取外し工程または前記取外し工程の前段において、前記半導体チップが貼付されている前記接着シートのチップ貼付領域に、前記半導体ウエハの他方の面側から前記エネルギーを付与する第１のエネルギー付与工程を実施することを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。 A sheet attaching step of attaching and attaching the adhesive surface side of the adhesive sheet to one surface of the semiconductor wafer,
Forming a modified portion on the semiconductor wafer, which is cut by the application of an external force, and applying an external force to the semiconductor wafer to singulate the semiconductor wafer;
Carrying out a removing step of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet,
As the adhesive sheet, a sheet to which predetermined energy is applied to expand and expandable particles that reduce the adhesive force of the adhesive sheet are used,
A first energy applying step of applying the energy from the other surface side of the semiconductor wafer to a chip attachment region of the adhesive sheet to which the semiconductor chip is attached is performed in the removing step or in a stage preceding the removing step. A semiconductor chip pickup method.
前記半導体ウエハに外力を付与して前記改質部を割断し、当該半導体ウエハを個片化して半導体チップを形成する個片化工程と、
前記半導体チップを前記接着シートから取り外す取外し工程とを実施し、
前記接着シートとして、所定のエネルギーが付与されることで膨張し、当該接着シートの接着力を低下させる膨張性粒子が添加されたものを使用し、
前記取外し工程または前記取外し工程の前段において、前記半導体チップが貼付されている前記接着シートのチップ貼付領域に、前記半導体ウエハの他方の面側から前記エネルギーを付与する第１のエネルギー付与工程を実施することを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。 A sheet sticking step of sticking the adhesive surface side of the adhesive sheet to one surface of the preformed semiconductor wafer in which the modified portion to be cut by the application of the external force is applied;
Applying an external force to the semiconductor wafer to cleave the modified portion, and singulating the semiconductor wafer to form semiconductor chips;
Carrying out a removing step of removing the semiconductor chip from the adhesive sheet,
As the adhesive sheet, a sheet to which predetermined energy is applied to expand and expandable particles that reduce the adhesive force of the adhesive sheet are used,
A first energy applying step of applying the energy from the other surface side of the semiconductor wafer to a chip attachment region of the adhesive sheet to which the semiconductor chip is attached is performed in the removing step or in a stage preceding the removing step. A semiconductor chip pickup method.
前記シート貼付工程では、前記半導体ウエハの一方の面に前記転着用接着剤層を当接させて前記接着シートを当該半導体ウエハに貼付し、
前記個片化工程では、前記半導体ウエハと共に前記転着用接着剤層を個片化して前記半導体チップと個片化接着剤層とを形成し、
前記取外し工程では、前記半導体チップと共に個片化接着剤層を前記接着シートから取り外すことを特徴とする請求項１または請求項３乃至請求項５の何れかに記載の半導体チップのピックアップ方法。 As the adhesive sheet, one having a transfer adhesive layer capable of adhering the semiconductor wafer to another is adopted,
In the sheet attaching step, the adhesive sheet is attached to the semiconductor wafer by bringing the adhesive layer for transfer into contact with one surface of the semiconductor wafer,
In the singulation step, the semiconductor chip and the singulation adhesive layer are formed by singulating the transfer adhesive layer together with the semiconductor wafer,
6. The semiconductor chip pickup method according to claim 1, wherein in the removing step, the individualized adhesive layer is detached from the adhesive sheet together with the semiconductor chip.
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2003264203A (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Hitachi Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2005285824A (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Sharp Corp | Process for manufacturing semiconductor chip, and process for manufacturing semiconductor device |
| JP2005302982A (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Nitto Denko Corp | Process for producing semiconductor chip |
| JP2009040930A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Nitto Denko Corp | Method for peeling adherend, and heat-peeling-type adhesive sheet to be used in the method |
| JP2018060850A (en) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 日東電工株式会社 | Dicing tape-integration type adhesive sheet |
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2018
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003264203A (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Hitachi Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2005285824A (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Sharp Corp | Process for manufacturing semiconductor chip, and process for manufacturing semiconductor device |
| JP2005302982A (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Nitto Denko Corp | Process for producing semiconductor chip |
| JP2009040930A (en) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Nitto Denko Corp | Method for peeling adherend, and heat-peeling-type adhesive sheet to be used in the method |
| JP2018060850A (en) * | 2016-10-03 | 2018-04-12 | 日東電工株式会社 | Dicing tape-integration type adhesive sheet |
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