JP2020021783A - レーザ照射装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光を集光する集光光学系で反射された反射光が不具合の原因となるのを抑えることができるレーザ照射装置を提供する。【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、基板上にレーザ光を照射してアニール処理し、基板上に多結晶化領域を形成するレーザ照射装置であって、前記レーザ光を基板上に集光する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイのうち、複数のマイクロレンズを除く部分にレーザ光が照射されるのを遮る平板状のマスクと、を備え、マスクは、基板に対して傾斜して配置されている。【選択図】図2
Description
本発明は、レーザ照射装置に関する。
従来、光源から照射されたレーザ光を照明光学系により拡張して基板に照射することにより、基板上に多結晶化領域を形成するレーザ照射装置が知られている。
このようなレーザ照射装置として、下記特許文献1には、集光光学系(レンズ)で集光したうえで基板に照射する構成が知られている。
このようなレーザ照射装置として、下記特許文献1には、集光光学系(レンズ)で集光したうえで基板に照射する構成が知られている。
しかしながら、このようなレーザ照射装置では、集光光学系でレーザ光を集光する際に、レーザ光の一部が反射され、このようにして反射されたレーザ光が光源に到達する場合がある。これにより、光源周辺が過熱されたり、基板に照射されるレーザ光を減衰したりするといった不具合の原因となることがあった。
そこで本発明は、レーザ光を集光する集光光学系で反射された反射光が不具合の原因となるのを抑えることができるレーザ照射装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明のレーザ照射装置は、基板上にレーザ光を照射してアニール処理し、基板上に多結晶化領域を形成するレーザ照射装置であって、前記レーザ光を基板上に集光する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイのうち、複数のマイクロレンズを除く部分にレーザ光が照射されるのを遮る平板状のマスクと、を備え、マスクは、基板に対して傾斜して配置されている。
また、マスクは、基板に対するレーザ光の照射方向から見た第1平面視で長方形状を呈するとともに、マスクの長辺に沿う長辺方向から見た第2平面視で、基板に対して傾斜して配置されてもよい。
また、マスクは、レーザ光の一部を反射することで、マイクロレンズアレイのうち、複数のマイクロレンズを除く部分にレーザ光が照射されるのを遮り、マスクに反射された反射光を吸収する戻り光ダンパを備え、基板に対するマスクの傾斜角θは、下記式(1)を満たしてもよい。
W/K<tanθ<D/W…(1)
θ:基板に対するマスクの傾斜角(°)、W:第2平面視におけるレーザ光の幅寸法(mm)、K:戻り光ダンパとマスクとのとの間における前記照射方向の距離(mm)、D:マイクロレンズのマスク側の焦点深度(mm)
W/K<tanθ<D/W…(1)
θ:基板に対するマスクの傾斜角(°)、W:第2平面視におけるレーザ光の幅寸法(mm)、K:戻り光ダンパとマスクとのとの間における前記照射方向の距離(mm)、D:マイクロレンズのマスク側の焦点深度(mm)
本発明によれば、平板状をなすマスクが、基板に対して傾斜して配置されている。このため、レーザの照射光がマスクによりマイクロレンズに照射されるのを遮られ、反射光となった際に、この反射光の延びる方向が、マイクロレンズの光軸と平行に延びる照射光の延びる方向に対して傾くこととなる。これにより、反射光が照射光と重なることが抑制され、照射光の照射元である光源に、反射光が到達するのを抑制し、レーザ光を集光する集光光学系で反射された反射光が不具合の原因となるのを抑えることができる。
以下、本発明の実施形態について、図1から図3を参照して具体的に説明する。
レーザ照射装置10は、薄膜トランジスタ(TFT)のような半導体装置の製造工程において、例えば、チャネル領域形成予定領域にレーザ光Lを照射してアニール処理し、当該チャネル領域形成予定領域を多結晶化するための装置である。図1に示すように、レーザ照射装置10は、レーザ光Lを発生する光源(図示せず)と、照明光学系12と、集光光学系20と、を備えている。図1は、本発明の一実施形態に係るレーザ照射装置10の概略図である。
レーザ照射装置10は、薄膜トランジスタ(TFT)のような半導体装置の製造工程において、例えば、チャネル領域形成予定領域にレーザ光Lを照射してアニール処理し、当該チャネル領域形成予定領域を多結晶化するための装置である。図1に示すように、レーザ照射装置10は、レーザ光Lを発生する光源(図示せず)と、照明光学系12と、集光光学系20と、を備えている。図1は、本発明の一実施形態に係るレーザ照射装置10の概略図である。
レーザ照射装置10は、例えば、液晶表示装置の周辺回路などの画素の薄膜トランジスタを形成する際に用いられる。このような薄膜トランジスタを形成する場合、まず、基板50上にAl等の金属膜からなるゲート電極を、スパッタリングによりパターン形成する。
そして、低温プラズマCVD法により、基板50上の全面にSiN膜からなるゲート絶縁膜を形成する。
そして、低温プラズマCVD法により、基板50上の全面にSiN膜からなるゲート絶縁膜を形成する。
その後、ゲート絶縁膜上に、例えば、プラズマCVD法によりアモルファスシリコン薄膜を形成する。すなわち、基板50の全面にアモルファスシリコン薄膜が形成(被着)される。最後に、アモルファスシリコン薄膜上に二酸化ケイ素(SiO2)膜を形成する。
そして、レーザ照射装置10により、アモルファスシリコン薄膜のゲート電極上の所定の領域(薄膜トランジスタにおいてチャネル領域となる領域)にレーザ光Lを照射してアニール処理し、当該所定の領域を多結晶化してポリシリコン化する。なお、基板50には、例えばガラス基板等を採用することができるが、必ずしもガラス素材である必要はなく、樹脂などの素材で形成された樹脂基板など、どのような素材を採用してもよい。
そして、レーザ照射装置10により、アモルファスシリコン薄膜のゲート電極上の所定の領域(薄膜トランジスタにおいてチャネル領域となる領域)にレーザ光Lを照射してアニール処理し、当該所定の領域を多結晶化してポリシリコン化する。なお、基板50には、例えばガラス基板等を採用することができるが、必ずしもガラス素材である必要はなく、樹脂などの素材で形成された樹脂基板など、どのような素材を採用してもよい。
レーザ照射装置10において、光源から出射されたレーザ光Lは、照明光学系12によりビームが拡張され、輝度分布が均一化される。そして、集光光学系20によりビームが集光されて、基板50上に照射される。
光源は、例えば、波長が308nmや248nmなどのレーザ光Lを、所定の繰り返し周期で放射するエキシマレーザである。なお、波長は、これらの例に限られず、どのような波長であってもよい。
光源は、例えば、波長が308nmや248nmなどのレーザ光Lを、所定の繰り返し周期で放射するエキシマレーザである。なお、波長は、これらの例に限られず、どのような波長であってもよい。
その後、レーザ光Lは、集光光学系20を透過し、基板50に被膜されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に照射される。
基板50に被膜されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域にレーザ光Lが照射されると、当該アモルファスシリコン薄膜が瞬間加熱されて溶融し、ポリシリコン薄膜となる。
以下の説明において、基板50上にレーザ光Lが照射される方向をレーザ光Lの照射方向といい、照射方向からみた平面視を第1平面視という。図示の例では、第1平面視が上面視と一致している。
基板50に被膜されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域にレーザ光Lが照射されると、当該アモルファスシリコン薄膜が瞬間加熱されて溶融し、ポリシリコン薄膜となる。
以下の説明において、基板50上にレーザ光Lが照射される方向をレーザ光Lの照射方向といい、照射方向からみた平面視を第1平面視という。図示の例では、第1平面視が上面視と一致している。
図2に示すように、集光光学系20は、レーザ光Lを集光するマイクロレンズアレイ30と、レーザ光Lの一部を透過するとともに、残りを反射するマスク40と、を備えている。図2は、図1に示す基板50周辺の模式図である。
マイクロレンズアレイ30は、マイクロレンズ31を複数有している。マイクロレンズ31は、光軸が基板50と直交するように配置されている。マイクロレンズアレイ30はマイクロレンズ31が結合された平板状部材である。
マイクロレンズアレイ30は、マイクロレンズ31を複数有している。マイクロレンズ31は、光軸が基板50と直交するように配置されている。マイクロレンズアレイ30はマイクロレンズ31が結合された平板状部材である。
マイクロレンズ31は、レーザ光Lを基板50上に集光する。マイクロレンズ31は平面視で例えば円形状を呈し、横方向に複数配置されている。このため、マイクロレンズアレイ30のうち、複数のマイクロレンズ31同士の間に位置する部分、すなわち互いに隣り合うマイクロレンズ31それぞれの周縁部同士の間には、レンズとして機能しない接続部が形成されている。
マイクロレンズ31には、焦点深度が設定されている。マイクロレンズ31の焦点深度のうち、マスク40側の焦点深度Dは、基板50側の焦点深度D2よりも大きく設定されている。(図3参照)
マイクロレンズ31には、焦点深度が設定されている。マイクロレンズ31の焦点深度のうち、マスク40側の焦点深度Dは、基板50側の焦点深度D2よりも大きく設定されている。(図3参照)
マスク40は、マイクロレンズアレイ30のうち、複数のマイクロレンズ31を除く部分(前記接続部)に、レーザ光Lが照射されるのを遮る機能を有する平板状部材である。マスク40は、マイクロレンズアレイ30を照射方向に挟む基板50の反対側に配置されている。
マスク40は、第1平面視で長方形状を呈している。以下の説明において、マスク40の長辺に沿う方向を長辺方向といい、長辺方向から見た平面視を第2平面視という。
マスク40は、第1平面視で長方形状を呈している。以下の説明において、マスク40の長辺に沿う方向を長辺方向といい、長辺方向から見た平面視を第2平面視という。
図3に示すように、マスク40は、レーザ光Lを透過する透過層41と、透過層41を被覆する金属膜42と、を備えている。図3は、図2に示す集光光学系20および基板50周辺の拡大側面図である。
透過層41および金属膜42は、照射方向と反対側に向けて、この順に配置されている。
金属膜42は、レーザ光Lが透過する開口を規定するための遮光膜である。この説明では、金属膜42には、アルミニウム薄膜(Al)が採用されている。
透過層41および金属膜42は、照射方向と反対側に向けて、この順に配置されている。
金属膜42は、レーザ光Lが透過する開口を規定するための遮光膜である。この説明では、金属膜42には、アルミニウム薄膜(Al)が採用されている。
金属膜42には、所定の間隔をあけて開口部42Aが形成されている。レーザの照射光Lのうち、開口部42Aを通過した光はマイクロレンズ31に到達し、金属膜42に干渉した光は、反射されて反射光L2となる。
すなわち、マスク40は、レーザ光Lの一部を反射することで、マイクロレンズアレイ30のうち、複数のマイクロレンズ31を除く部分にレーザ光が照射されるのを遮る。
すなわち、マスク40は、レーザ光Lの一部を反射することで、マイクロレンズアレイ30のうち、複数のマイクロレンズ31を除く部分にレーザ光が照射されるのを遮る。
図2に示すように、レーザ照射装置10はまた、マスク40に反射された反射光L2を吸収する戻り光ダンパ60を備えている。戻り光ダンパ60は、照射光Lと反射光L2とが極力重ならないように、照射光Lに対して、横方向にずれた位置に配置されている。
戻り光ダンパ60が反射光L2を吸収することで、反射光L2が照明光学系12やその他の部分を加熱するのを抑えることができる。
戻り光ダンパ60が反射光L2を吸収することで、反射光L2が照明光学系12やその他の部分を加熱するのを抑えることができる。
そして本実施形態では、図2および図3に示すように、マスク40は、基板50に対して傾斜して配置されている。マスク40は、第2平面視で、基板50に対して傾斜して配置されている。
図示の例では、一対の長辺のうちの一方を回動軸として、他方の長辺がマイクロレンズアレイ30から離間する方向に回動させて配置されている。これにより、マスク40は、基板50に対して傾斜して配置されている。
図示の例では、一対の長辺のうちの一方を回動軸として、他方の長辺がマイクロレンズアレイ30から離間する方向に回動させて配置されている。これにより、マスク40は、基板50に対して傾斜して配置されている。
基板50に対するマスク40の傾斜角θは、下記式(1)を満たしている。
W/K<tanθ<D/W…(1)
ここで、θは基板50に対するマスク40の傾斜角(°)、Wは第2平面視におけるレーザ光Lの幅寸法(mm)を指す。また、Kは戻り光ダンパ60とマスク40とのとの間における照射方向の距離(mm)、Dはマイクロレンズ31のマスク40側の焦点深度(mm)を指す。式(1)の技術的意義について、以下に詳述する。
W/K<tanθ<D/W…(1)
ここで、θは基板50に対するマスク40の傾斜角(°)、Wは第2平面視におけるレーザ光Lの幅寸法(mm)を指す。また、Kは戻り光ダンパ60とマスク40とのとの間における照射方向の距離(mm)、Dはマイクロレンズ31のマスク40側の焦点深度(mm)を指す。式(1)の技術的意義について、以下に詳述する。
まず、式(1)のうち、W/K<tanθの部分について説明する。
戻り光ダンパ60に吸収される反射光L2は、戻り光ダンパ60の位置において、照射光Lと重ならないことが要求される。反射光L2と照射光Lとが重なることで、照射光Lが減衰する等の不具合の原因となる可能性があるためである。このため、下記式(2)が得られる。
Ktanθ>W…(2)
ここで、Kは戻り光ダンパ60とマスク40とのとの間における照射方向の距離(mm)、Wは第2平面視におけるレーザ光Lの幅寸法(mm)を指す。この式(2)を変形すると、式(2’)が得られる。
W/K<tanθ…(2’)
戻り光ダンパ60に吸収される反射光L2は、戻り光ダンパ60の位置において、照射光Lと重ならないことが要求される。反射光L2と照射光Lとが重なることで、照射光Lが減衰する等の不具合の原因となる可能性があるためである。このため、下記式(2)が得られる。
Ktanθ>W…(2)
ここで、Kは戻り光ダンパ60とマスク40とのとの間における照射方向の距離(mm)、Wは第2平面視におけるレーザ光Lの幅寸法(mm)を指す。この式(2)を変形すると、式(2’)が得られる。
W/K<tanθ…(2’)
次に、式(1)のうち、tanθ<D/Wの部分について説明する。
マスク40を傾斜させると、マスク40のうち、照射光Lが照射されている領域は、マスクの短辺方向の位置により、照射方向の位置が異なることとなる。ここで、マイクロレンズ31には焦点深度が設定されているので、マスク40のうち、レーザ光Lが照射される領域については、マイクロレンズ31におけるマスク40側の焦点深度の範囲内に留まるようにする必要がある。このため、下記式(3)が得られる。
Wtanθ<D…(3)
ここで、Dはマイクロレンズ31のマスク40側の焦点深度(mm)を指す。この式(3)を変形すると、式(3’)が得られる。
tanθ<D/W…(3’)
そして、式(2’)および式(3’)により式(1)が導かれる。
マスク40を傾斜させると、マスク40のうち、照射光Lが照射されている領域は、マスクの短辺方向の位置により、照射方向の位置が異なることとなる。ここで、マイクロレンズ31には焦点深度が設定されているので、マスク40のうち、レーザ光Lが照射される領域については、マイクロレンズ31におけるマスク40側の焦点深度の範囲内に留まるようにする必要がある。このため、下記式(3)が得られる。
Wtanθ<D…(3)
ここで、Dはマイクロレンズ31のマスク40側の焦点深度(mm)を指す。この式(3)を変形すると、式(3’)が得られる。
tanθ<D/W…(3’)
そして、式(2’)および式(3’)により式(1)が導かれる。
以上説明したように、本実施形態に係るレーザ照射装置10によれば、平板状をなすマスク40が、基板50に対して傾斜して配置されている。このため、レーザの照射光Lがマスク40によりマイクロレンズ31に照射されるのを遮られ、反射光L2となった際に、この反射光L2の延びる方向が、マイクロレンズ31の光軸と平行に延びる照射光Lの延びる方向に対して傾くこととなる。これにより、反射光L2が照射光Lと重なることが抑制され、照射光Lの照射元である光源に、反射光L2が到達するのを抑制し、レーザ光Lを集光する集光光学系20で反射された反射光L2が不具合の原因となるのを抑えることができる。
また、マスク40が、第2平面視で基板50に対して傾斜して配置されている。このため、マスク40の4辺のうち、距離の短い短辺側が傾斜することとなり、マスク40を基板50に傾斜させたことによるマスク40の照射方向のかさばりを抑えることができる。これにより、マスク40を基板50に傾斜させながら、マイクロレンズ31の焦点深度の範囲を超えることなく配置することができる。
また、基板50に対するマスク40の傾斜角θが式(1)を満たしている。このため、戻り光ダンパ60において、反射光L2と照射光Lとが重なるのを抑えることができるとともに、傾斜したマスク40のうち、レーザの照射光Lが照射される領域を、マイクロレンズ31の焦点深度の範囲内に留めることができる。これにより、基板50に対してマスク40を傾斜させてよい範囲を、定量的に算出することができる。
なお、上記実施形態は、本発明の代表的な実施形態を単に例示したものにすぎない。従って、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施形態に対して種々の変形を行ってもよい。
例えば、上記実施形態においては、マスク40が第1平面視で長方形状を呈し、マスク40の短辺が、基板50に対して傾斜して配置されている構成を示したが、このような態様に限られない。すなわち、マスク40の長辺が基板50に対して傾斜して配置されてもよいし、マスク40は第1平面面視で円形状等の他の形状を呈してもよい。
また、上記実施形態においては、基板50に対するマスク40の傾斜角θが、式(1)を満たしている構成を示したが、このような態様に限られない。基板50に対するマスク40の傾斜角θは、式(1)を満たしていなくてもよい。
また、前述した変形例に限られず、これらの変形例を選択して適宜組み合わせてもよいし、その他の変形を施してもよい。
10 レーザ照射装置
12 照明光学系
30 マイクロレンズアレイ
40 マスク
50 基板
60 戻り光ダンパ
12 照明光学系
30 マイクロレンズアレイ
40 マスク
50 基板
60 戻り光ダンパ
Claims (3)
- 基板上にレーザ光を照射してアニール処理し、前記基板上に多結晶化領域を形成するレーザ照射装置であって、
前記レーザ光を前記基板上に集光する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズアレイのうち、前記複数のマイクロレンズを除く部分に前記レーザ光が照射されるのを遮る平板状のマスクと、を備え、
前記マスクは、前記基板に対して傾斜して配置されているレーザ照射装置。 - 前記マスクは、前記基板に対する前記レーザ光の照射方向から見た第1平面視で長方形状を呈するとともに、前記マスクの長辺に沿う長辺方向から見た第2平面視で、前記基板に対して傾斜して配置されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ照射装置。
- 前記マスクは、前記レーザ光の一部を反射することで、前記マイクロレンズアレイのうち、前記複数のマイクロレンズを除く部分に前記レーザ光が照射されるのを遮り、
前記マスクに反射された反射光を吸収する戻り光ダンパを備え、
前記基板に対する前記マスクの傾斜角θは、下記式(1)を満たしていることを特徴とする請求項2に記載のレーザ照射装置。
W/K<tanθ<D/W…(1)
θ:基板に対するマスクの傾斜角(°)、W:第2平面視におけるレーザ光の幅寸法(mm)、K:戻り光ダンパとマスクとの間における前記照射方向の距離(mm)、D:マイクロレンズのマスク側の焦点深度(mm)
Priority Applications (1)
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