JP2020021087A - ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク - Google Patents
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請求項1:
透明基板と、該透明基板上に形成されたハーフトーン位相シフト膜とを有するハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクであって、
上記ハーフトーン位相シフト膜が、その一部又は全部として、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を含み、該層が、{遷移金属/(Si+遷移金属)}で表される遷移金属とケイ素の合計に対する遷移金属の原子比が0.05以下であり、その厚さ方向に、N/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が0.30〜0.57の範囲内で連続的に変化する領域を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項2:
透明基板と、該透明基板上に形成されたハーフトーン位相シフト膜とを有するハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクであって、
上記ハーフトーン位相シフト膜が、その一部又は全部として、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を含み、該層が、{遷移金属/(Si+遷移金属)}で表される遷移金属とケイ素の合計に対する遷移金属の原子比が0.05以下であり、波長193nmの露光光に対する、位相差が170〜190°、透過率が2〜12%であり、位相差の面内分布の最大値と最小値との差が3°以下、透過率の面内分布の最大値と最小値との差が面内平均値の5%以下であり、かつ膜厚が67nm以下であることを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項3:
上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、その厚さ方向に、ケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が連続的に変化する領域を含むことを特徴とする請求項2記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項4:
上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、その厚さ方向に、N/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が0.30〜0.57の範囲内で連続的に変化する領域を含むことを特徴とする請求項3記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項5:
上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、その厚さ方向に、N/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が0.40〜0.54の範囲内で連続的に変化する領域を含むことを特徴とする請求項1又は4記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項6:
上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、Si/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対するケイ素の原子比の、厚さ方向の最大値と最小値との差が0.25以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項7:
上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が遷移金属とケイ素と窒素とからなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項8:
上記遷移金属がモリブテンであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
請求項9:
請求項1乃至8のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクを用いて作製されたことを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスク。
また、本発明は、以下のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法が関連する。
[1] 透明基板上に、ハーフトーン位相シフト膜の一部又は全部として、1又は2以上のケイ素を含有するターゲットと、不活性ガスと、窒素を含有する反応性ガスとを用いる反応性スパッタにより、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を成膜してハーフトーン位相シフト膜を形成するハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法であって、
上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を成膜する工程が、
チャンバー内に導入する反応性ガス流量を、増加させた後減少させることにより掃引したとき、上記反応性ガス流量と、該反応性ガス流量の掃引により上記ケイ素を含有するターゲットのいずれかのターゲットで測定されるスパッタ電圧値又はスパッタ電流値とにより形成されるヒステリシス曲線において、
ヒステリシスを示す反応性ガス流量の下限を超えて上限未満の範囲に相当する領域におけるスパッタ状態でスパッタする遷移モードスパッタ工程を含み、該遷移モードスパッタ工程の一部又は全体において、ターゲットに印加する電力、不活性ガス流量及び反応性ガス流量から選ばれる1又は2以上を連続的又は段階的に増加又は減少させることを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法。
[2] 上記ヒステリシス曲線が、上記ケイ素を含有するターゲットのうち、ケイ素含有率が最も高いターゲットで測定される上記ヒステリシス曲線であることを特徴とする[1]記載の製造方法。
[3] 上記ケイ素を含有するターゲットが、ケイ素を含有し、遷移金属を含有しないターゲット及び遷移金属とケイ素とを含有するターゲットから選ばれることを特徴とする[1]又は[2]記載の製造方法。
[4] 上記ケイ素を含有するターゲットと共に、遷移金属を含有し、ケイ素を含有しないターゲットを用いることを特徴とする[1]乃至[3]のいずれかに記載の製造方法。
[5] 上記遷移モードスパッタ工程において、上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層の組成が膜厚方向に変化するように、ターゲットに印加する電力、不活性ガス流量及び反応性ガス流量から選ばれる1又は2以上を連続的に増加又は減少させてスパッタすることを特徴とする[1]乃至[4]のいずれかに記載の製造方法。
[6] 上記遷移モードスパッタ工程の全体において、ターゲットに印加する電力、不活性ガス流量及び反応性ガス流量から選ばれる1又は2以上を連続的に増加又は減少させてスパッタすることを特徴とする[1]乃至[5]のいずれかに記載の製造方法。
[7] 上記遷移モードスパッタ工程において、反応性ガス流量を増加又は減少させてスパッタすることを特徴とする[1]乃至[6]のいずれかに記載の製造方法。
[8] 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を成膜する工程が、
上記ヒステリシスを示す反応性ガス流量の上限以上の範囲に相当する領域におけるスパッタ状態でスパッタする反応モードスパッタ工程を含み、
上記遷移モードスパッタ工程に続いて上記反応モードスパッタ工程を、又は上記反応モードスパッタ工程に続いて上記遷移モードスパッタ工程を実施することを特徴とする[1]乃至[7]のいずれかに記載の製造方法。
[9] 上記反応モードスパッタ工程の一部又は全体において、ターゲットに印加する電力、不活性ガス流量及び反応性ガス流量から選ばれる1又は2以上を連続的又は段階的に増加又は減少させてスパッタすることを特徴とする[8]記載の製造方法。
[10] 上記遷移モードスパッタ工程から上記反応モードスパッタ工程、又は上記反応モードスパッタ工程から上記遷移モードスパッタ工程に亘って、ターゲットに印加する電力、不活性ガス流量及び反応性ガス流量から選ばれる1又は2以上を連続的に増加又は減少させてスパッタすることを特徴とする[8]又は[9]記載の製造方法。
[11] 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を成膜する工程が、
上記ヒステリシスを示す反応性ガス流量の下限以下の範囲に相当する領域におけるスパッタ状態でスパッタするメタルモードスパッタ工程を含み、
該メタルモードスパッタ工程に続いて上記遷移モードスパッタ工程を、又は上記遷移モードスパッタ工程に続いて上記メタルモードスパッタ工程を実施することを特徴とする[1]乃至[10]のいずれかに記載の製造方法。
[12] 上記メタルモードスパッタ工程の一部又は全体において、ターゲットに印加する電力、不活性ガス流量及び反応性ガス流量から選ばれる1又は2以上を連続的又は段階的に増加又は減少させてスパッタすることを特徴とする[11]記載の製造方法。
[13] 上記メタルモードスパッタ工程から上記遷移モードスパッタ工程、又は上記遷移モードスパッタ工程から上記メタルモードスパッタ工程に亘って、ターゲットに印加する電力、不活性ガス流量及び反応性ガス流量から選ばれる1又は2以上を連続的に増加又は減少させてスパッタすることを特徴とする[11]又は[12]記載の製造方法。
[14] 上記不活性ガスがアルゴンガスであることを特徴とする[1]乃至[13]のいずれかに記載の製造方法。
[15] 上記反応性ガスが窒素ガスであることを特徴とする[1]乃至[14]のいずれかに記載の製造方法。
[16] 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、遷移金属とケイ素と窒素とからなることを特徴とする[1]乃至[15]のいずれかに記載の製造方法。
[17] 上記遷移金属がモリブテンであることを特徴とする[1]乃至[16]のいずれかに記載の製造方法。
本発明のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法においては、透明基板上に、ハーフトーン位相シフト膜の一部又は全部として、1又は2以上のケイ素を含有するターゲットと、不活性ガスと、窒素を含有する反応性ガスとを用いる反応性スパッタにより、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を成膜してハーフトーン位相シフト膜を形成する。本発明では、この遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を成膜する工程において、チャンバー内に導入する反応性ガス流量を、増加させた後減少させることにより掃引したとき、反応性ガス流量と、反応性ガス流量の掃引によりケイ素を含有するターゲットのいずれかのターゲット、好ましくはケイ素含有率が最も高いターゲットで測定されるスパッタ電圧値(ターゲット電圧値)又はスパッタ電流値(ターゲット電流値)とにより形成されるヒステリシス曲線により、成膜条件(スパッタ条件)を設定する。なお、ケイ素含有率が最も高いターゲットが2以上存在する場合は、より導電性の低いターゲットで測定されるスパッタ電圧値(ターゲット電圧値)又はスパッタ電流値(ターゲット電流値)とにより形成されるヒステリシス曲線により、成膜条件(スパッタ条件)を設定することが好適である。
反応性ガス流量増加時のスパッタ電圧値をVA、反応性ガス流量減少時のスパッタ電圧値をVDとしたとき、下記式(1−1)
(VA−VD)/{(VA+VD)/2}×100 (1−1)
で求められる変化率、又は
反応性ガス流量増加時のスパッタ電流値をIA、反応性ガス流量減少時のスパッタ電流値をIDとしたとき、下記式(1−2)
(ID−IA)/{(IA+ID)/2}×100 (1−2)
で求められる変化率
が、ヒステリシス領域の中央部から下限側又は上限側に向かって徐々に減少して、例えば1%以下となった点、特に、実質的にほとんどゼロになった点を、ヒステリシス領域(遷移領域)の反応性ガスの流量の下限又は上限とすることができる。
ヒステリシス領域の反応性ガス流量の下限におけるスパッタ電圧値VLと、ヒステリシス領域の反応性ガス流量の上限におけるスパッタ電圧値VHとから、下記式(2−1)
(VL−VH)/{(VL+VH)/2}×100 (2−1)
で求められる変化率、又は
ヒステリシス領域の反応性ガス流量の下限におけるスパッタ電流値ILと、ヒステリシス領域の反応性ガス流量の上限におけるスパッタ電流値IHとから、下記式(2−2)
(IH−IL)/{(IL+IH)/2}×100 (2−2)
から求められる変化率
が5%以上、特に15%以上であるヒステリシス曲線が形成される場合において、特に効果的である。
ヒステリシス領域の反応性ガス流量の下限におけるスパッタ電圧値VLと、ヒステリシス領域の反応性ガス流量の上限におけるスパッタ電圧値VHとの差に対し、ヒステリシス領域の反応性ガス流量の下限と上限との平均値における、反応性ガス流量の増加時に示されるスパッタ電圧値VAと、反応性ガス流量の減少時に示されるスパッタ電圧値VDとの差の絶対値、又は
ヒステリシス領域の反応性ガス流量の下限におけるスパッタ電流値ILと、ヒステリシス領域の反応性ガス流量の上限におけるスパッタ電流値IHとの差に対し、ヒステリシス領域の反応性ガス流量の下限と上限との平均値における、反応性ガス流量の増加時に示されるスパッタ電流値IAと、反応性ガス流量の減少時に示されるスパッタ電流値IDとの差の絶対値
が5%以上、特に10%以上であるヒステリシス曲線が形成される場合において、特に効果的である。
DCスパッタ装置のチャンバー内に、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板を設置し、スパッタターゲットとしてケイ素ターゲット(Siターゲット)及びモリブデンケイ素ターゲット(MoSiターゲット)、スパッタガスとしてアルゴンガス及び窒素ガスを用い、ターゲットに印加する電力及びアルゴンガスの流量を一定にし、窒素ガスの流量を変化させたときにターゲットに流れる電流を測定することにより、ヒステリシス曲線を得た。具体的には、Siターゲットに印加する電力を1.9kW、MoSiターゲットに印加する電力を35Wとし、アルゴンガスを21sccm、窒素ガスを10sccmチャンバー内に流した状態でスパッタを開始し、窒素ガス流量を毎秒0.17sccmずつ、最終的に窒素ガス流量を60sccmまで増加させ、今度は、逆に60sccmから毎秒0.17sccmずつ窒素流量を10sccmまで減少させた。Siターゲットで得られたヒステリシス曲線を図3に示す。図3において、実線は、窒素ガス流量を増加させたときのスパッタ電流、破線は窒素ガス流量を減少させたときのスパッタ電流を示す。
DCスパッタ装置のチャンバー内に、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板を設置し、スパッタターゲットとしてケイ素ターゲット(Siターゲット)、スパッタガスとしてアルゴンガス及び窒素ガスを用い、ターゲットに印加する電力及びアルゴンガスの流量を一定にし、窒素ガスの流量を変化させたときにターゲットに流れる電流を測定することにより、ヒステリシス曲線を得た。具体的には、Siターゲットに印加する電力を1.9kWとし、アルゴンガスを17sccm、窒素ガスを10sccmチャンバー内に流した状態でスパッタを開始し、窒素ガス流量を毎秒0.17sccmずつ、最終的に窒素ガス流量を60sccmまで増加させ、今度は、逆に60sccmから毎秒0.17sccmずつ窒素流量を10sccmまで減少させた。Siターゲットで得られたヒステリシス曲線を図4に示す。図4において、実線は、窒素ガス流量を増加させたときのスパッタ電流、破線は窒素ガス流量を減少させたときのスパッタ電流を示す。
実施例1と同じDCスパッタ装置を用い、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に、スパッタターゲットとしてケイ素ターゲット(Siターゲット)及びモリブデンケイ素ターゲット(MoSiターゲット)を用い、スパッタガスとして窒素ガスとアルゴンガスを用い、実施例1で得られたヒステリシス曲線に基づき、Siターゲットに印加する電力を1.9kW、MoSiターゲットに印加する電力を35Wとし、アルゴン流量を21sccmとし、窒素流量を31.5sccmで一定として、膜厚63nmのハーフトーン位相シフト膜を成膜した。得られたハーフトーン位相シフト膜は、波長193nmの光に対して、位相差は179.6±0.5°、透過率は4.7±0.3%であり、透過率の面内分布が広く、面内均一性に劣っていた。得られたハーフトーン位相シフト膜のXPSによる組成は、厚さ方向で均一であった。
2 第2の層
3 第3の層
4 第4の層
10 透明基板
11 ハーフトーン位相シフト膜パターン
100 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク
101 ハーフトーン位相シフト型フォトマスク
Claims (9)
- 透明基板と、該透明基板上に形成されたハーフトーン位相シフト膜とを有するハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクであって、
上記ハーフトーン位相シフト膜が、その一部又は全部として、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を含み、該層が、{遷移金属/(Si+遷移金属)}で表される遷移金属とケイ素の合計に対する遷移金属の原子比が0.05以下であり、その厚さ方向に、N/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が0.30〜0.57の範囲内で連続的に変化する領域を含むことを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。 - 透明基板と、該透明基板上に形成されたハーフトーン位相シフト膜とを有するハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクであって、
上記ハーフトーン位相シフト膜が、その一部又は全部として、遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層を含み、該層が、{遷移金属/(Si+遷移金属)}で表される遷移金属とケイ素の合計に対する遷移金属の原子比が0.05以下であり、波長193nmの露光光に対する、位相差が170〜190°、透過率が2〜12%であり、位相差の面内分布の最大値と最小値との差が3°以下、透過率の面内分布の最大値と最小値との差が面内平均値の5%以下であり、かつ膜厚が67nm以下であることを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。 - 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、その厚さ方向に、ケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が連続的に変化する領域を含むことを特徴とする請求項2記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
- 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、その厚さ方向に、N/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が0.30〜0.57の範囲内で連続的に変化する領域を含むことを特徴とする請求項3記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
- 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、その厚さ方向に、N/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対する窒素の原子比が0.40〜0.54の範囲内で連続的に変化する領域を含むことを特徴とする請求項1又は4記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
- 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が、Si/(Si+N)で表わされるケイ素と窒素の合計に対するケイ素の原子比の、厚さ方向の最大値と最小値との差が0.25以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
- 上記遷移金属とケイ素と窒素とを含有する層が遷移金属とケイ素と窒素とからなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
- 上記遷移金属がモリブテンであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク。
- 請求項1乃至8のいずれか1項記載のハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクを用いて作製されたことを特徴とするハーフトーン位相シフト型フォトマスク。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08262688A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。 |
JP2006317665A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法 |
WO2009157506A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
JP2011164566A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | S&S Tech Corp | ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法 |
WO2011125337A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク |
JP2013257544A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-12-26 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 |
-
2019
- 2019-10-01 JP JP2019181451A patent/JP6947207B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08262688A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。 |
JP2006317665A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法 |
WO2009157506A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
JP2011164566A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | S&S Tech Corp | ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法 |
WO2011125337A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク |
JP2013257544A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-12-26 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 |
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