JP2020020762A - センサ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】集磁部における磁束密度の分布の偏りを抑制することができるセンサ装置を提供する。【解決手段】第1段差部53は、磁気センサ70に対して対向する部位である第1センサ対向部54と、第1センサ対向部54よりも第1集磁部52の第1リング部側に位置する第1基端側折曲部55と、第1センサ対向部54よりも第1集磁部52の先端側に位置する第1先端側折曲部56とを有している。第2段差部63は、磁気センサ70に対して対向する部位である第2センサ対向部64と、第2センサ対向部64よりも第2集磁部62の第2リング部側に位置する第2基端側折曲部65と、第2センサ対向部64よりも第2集磁部62の先端側に位置する第2先端側折曲部66とを有している。磁気センサ70は、第1センサ対向部54と第2センサ対向部64との間に挟み込まれている。【選択図】図3
Description
本発明は、センサ装置に関する。
特許文献1に示すように、ステアリングシャフトに加わるトルクを検出するトルクセンサが知られている。ステアリングシャフトは、入力軸と出力軸とを有している。入力軸と出力軸とは、トーションバーにより接続されている。
トルクセンサは、入力軸に固定されている永久磁石と、出力軸に固定されているとともに永久磁石が形成する磁界内に配置された一対の磁気ヨークと、磁気ヨークからの磁束を誘導する一対の集磁リングと、集磁リングに誘導された磁束に基づいて検出信号を生成する磁気センサとを有している。特許文献1では、集磁リングには、磁気ヨークを取り囲むリング部が一対設けられている。各リング部には、径方向外側に延びる集磁部が設けられている。これら集磁部は、上記径方向外側の先端部が互いに対向する集磁部側に近付くように段差形状を有するものである。これら互いに対向する各集磁部には、磁気センサに対して対向する部分であるセンサ対向部がそれぞれ設けられている。これらセンサ対向部の間に磁気センサは挟みこまれている。
特許文献1に記載のトルクセンサの場合、集磁部のセンサ対向部よりもリング部側の基端部のみに段差があるため、段差の角の部分は基端部のみに位置している。この段差の角の部分には磁束が集中するため、基端部とリング部側と反対側となる先端部との間で磁束密度の分布が異なることになる。互いに対向する集磁部の間を通る磁束は、基端部に近付くほど多くなる一方、先端部に近づくほど少なくなる。このため、センサ素子が先端部側へ配置されることになるほど、互いに対向する集磁部の間を通る磁束のうちのセンサ素子を通る有効な磁束の割合が減少することになるため、有効な磁束に基づいてセンサ素子により生成される検出信号のS/N比が低下することになりかねない。
上記課題を解決するセンサ装置は、第1軸に取り付けられるとともに、周方向に着磁された永久磁石と、連結軸を介して前記第1軸と連結された第2軸に固定されるとともに、前記永久磁石が形成する磁界内に配置された磁気ヨークと、前記磁気ヨークを取り囲むように配置されるとともに、前記磁気ヨークの磁束を集める集磁リングと、前記永久磁石、前記磁気ヨーク、及び前記集磁リングにより形成される磁気回路の磁束を検出する磁気センサと、を備え、前記集磁リングは、前記第2軸の軸方向に並んで配置されている第1集磁リング及び第2集磁リングを有し、前記第1集磁リングは、前記磁気ヨークを取り囲む環状の第1リング部と、前記第1リング部の径方向外側に向かって延びる部位を含む第1集磁部とを有し、前記第2集磁リングは、前記磁気ヨークを取り囲む環状の第2リング部と、前記第2リング部の径方向外側に向かって延びる部位を含む第2集磁部とを有し、前記第1集磁部は、前記第1集磁部の先端よりも前記第1リング部側の途中部位において段差形状をなしている第1段差部を有し、前記第2集磁部は、軸方向において前記第1段差部と対向するとともに、前記第2集磁部の先端よりも前記第2リング部側の途中部位において段差形状をなしている第2段差部を有し、前記第1段差部は、前記磁気センサに対して対向する部位である第1センサ対向部と、前記第1センサ対向部よりも前記第1集磁部の前記第1リング部側に位置する第1基端側折曲部と、前記第1センサ対向部よりも前記第1集磁部の先端側に位置する第1先端側折曲部とを有し、前記第2段差部は、前記磁気センサに対して対向する部位である第2センサ対向部と、前記第2センサ対向部よりも前記第2集磁部の前記第2リング部側に位置する第2基端側折曲部と、前記第2センサ対向部よりも前記第2集磁部の先端側に位置する第2先端側折曲部とを有し、前記磁気センサは、前記第1センサ対向部と前記第2センサ対向部との間に挟み込まれており、前記第1センサ対向部と前記第2センサ対向部との間を軸方向において二等分する仮想平面を基準として、前記第1センサ対向部及び前記第2センサ対向部の少なくとも対向面は面対称をなしている。
上記構成によれば、第1集磁部の先端よりも第1リング部側の途中部位に段差形状をなしている第1段差部を設け、第2集磁部の先端よりも第2リング部側の途中部位に段差形状をなしている第2段差部を設けている。このため、第1集磁部にしても、第2集磁部にしても、各センサ対向部よりも基端側のみならず先端側にも折曲部が位置することになる。このように、第1集磁部及び第2集磁部について、仮想平面を基準として各センサ対向部の少なくとも対向面を面対称とするとともに、リング部側及び先端側の両方に折曲部を設ける場合は、第1集磁部及び第2集磁部のリング部側のみに折曲部を設ける場合と比べると、折曲部を増やすことができることから、磁束が1箇所に集中することを抑制することができる。これにより、第1集磁部及び第2集磁部における磁束密度の分布の偏りを抑制することができる。この結果、磁気センサの配置によって互いに対向する集磁部の間を通る磁束のうちの磁気センサを通る有効な磁束の割合が減少することを抑制できるため、磁気センサにより生成される検出信号のS/N比が低下することを抑えることができる。
上記のセンサ装置は、前記第1段差部は、前記第1センサ対向部が対向する前記第2集磁部側に近付くように折曲形状を呈するものであり、前記第2段差部は、前記第2センサ対向部が対向する前記第1集磁部側に近付くように折曲形状を呈するものであることが好ましい。
第1センサ対向部と第2センサ対向部との間を通る磁束は、第1センサ対向部と第2センサ対向部との間に配置されている磁気センサによって検出することのできる有効な磁束である。一方、第1センサ対向部と第2センサ対向部との間を通らない磁束は、磁気センサによって検出することのできない漏れ磁束である。この漏れ磁束が多いほど、磁気センサを通る有効な磁束が減少するため、互いに対向する第1集磁部と第2集磁部との間を通る磁束のうち、磁気センサを通る有効な磁束の割合は減少することになる。この点、第1集磁部と第2集磁部との間が近接している部分は、第1集磁部と第2集磁部との間が離間している部分よりも磁束が通りやすい。そこで、上記構成によれば、第1段差部及び第2段差部は、第1センサ対向部及び第2センサ対向部が互いに対向する集磁部側に近づくように折曲形状を呈している。このことから、第1集磁部と第2集磁部との間における折曲形状を設けていない部分を、第1集磁部と第2集磁部との間における第1センサ対向部と第2センサ対向部との間の部分よりも磁束を通り難くすることができる。この結果、漏れ磁束を抑えることにより磁気センサを通る有効な磁束を確保することができるため、磁気センサにより生成される検出信号のS/N比を高くすることができる。
上記のセンサ装置によれば、前記第1段差部は、全体として有底円筒状に形成されていて、前記第1センサ対向部は、円板状をなしており、前記第1基端側折曲部及び前記第1先端側折曲部は、それぞれ半円筒形状をなしており、前記第2段差部は、全体として有底円筒状に形成されていて、前記第2センサ対向部は、円板状をなしており、前記第2基端側折曲部及び前記第2先端側折曲部は、それぞれ半円筒形状をなしていることが好ましい。
上記構成によれば、第1集磁部及び第2集磁部のリング部側のみに折曲部を設ける場合と比べると、第1集磁部及び第2集磁部の周方向全域における磁束密度の分布の偏りを抑制することができる。第1集磁部及び第2集磁部の周方向全域における磁束密度の分布の偏りを抑制し易いため、磁気センサにより生成される検出信号のS/N比のばらつきを抑えることができる。
上記のセンサ装置において、前記第1センサ対向部及び前記第2センサ対向部は、軸方向から見たとき、前記磁気センサを覆う大きさをなしていることが好ましい。
上記構成によれば、軸方向から見たときにおいて、第1センサ対向部及び第2センサ対向部と重なる領域内に磁気センサを収容しているため、磁気センサよりも外側の全周域において磁束が集中する折曲部が位置することになる。これにより、軸方向から見たときにおいて、第1センサ対向部及び第2センサ対向部と重なる領域内の周方向における磁束密度の分布の偏りをさらに抑制することができる。
上記構成によれば、軸方向から見たときにおいて、第1センサ対向部及び第2センサ対向部と重なる領域内に磁気センサを収容しているため、磁気センサよりも外側の全周域において磁束が集中する折曲部が位置することになる。これにより、軸方向から見たときにおいて、第1センサ対向部及び第2センサ対向部と重なる領域内の周方向における磁束密度の分布の偏りをさらに抑制することができる。
本発明のセンサ装置によれば、集磁部における磁束密度の分布の偏りを抑制することができる。
トルクセンサの一実施形態について説明する。
図1に示すように、センサ装置としてのトルクセンサ1は、例えばステアリングシャフト等の回転軸10に付与されたトルクを検出するものであり、トーションバー13と、円筒状の永久磁石20と、円筒状の磁気ヨーク30と、磁気ヨーク30を取り囲むように配置されている円筒状の集磁リング40と、磁気センサ70とを備えている。
図1に示すように、センサ装置としてのトルクセンサ1は、例えばステアリングシャフト等の回転軸10に付与されたトルクを検出するものであり、トーションバー13と、円筒状の永久磁石20と、円筒状の磁気ヨーク30と、磁気ヨーク30を取り囲むように配置されている円筒状の集磁リング40と、磁気センサ70とを備えている。
回転軸10は、第1軸としての入力軸11、第2軸としての出力軸12、及び連結軸としてのトーションバー13により構成されている。トーションバー13は、入力軸11と、出力軸12との間に配置されている。入力軸11及び出力軸12は、トーションバー13を介して同一軸線m上に連結されている。
永久磁石20は、入力軸11に連結されている。永久磁石20は、円筒状の保持部21と、多極磁石22とを有している。保持部21は、入力軸11における出力軸12側の端部に外嵌されている。保持部21は、入力軸11と一体回転可能に取り付けられている。保持部21の外周面には、多極磁石22が取り付けられている。多極磁石22は、保持部21の周方向にN極及びS極の各磁極を交互に配置した構造からなる。
磁気ヨーク30は、出力軸12に連結されている。磁気ヨーク30は、円環状の第1磁気ヨーク31と、円環状の第2磁気ヨーク32とを有している。第1磁気ヨーク31及び第2磁気ヨーク32は出力軸12と同軸に配置された状態で、出力軸12と一体回転可能に固定されている。第1磁気ヨーク31及び第2磁気ヨーク32は、多極磁石22を取り囲むように多極磁石22の外周に所定の隙間を空けて配置されている。第1磁気ヨーク31及び第2磁気ヨーク32は、多極磁石22が形成する磁界内に配置されている。第1磁気ヨーク31と第2磁気ヨーク32とは、軸方向Xに所定の隙間を空けて互いに対向配置されている。この軸方向Xは、軸線mと平行な方向である。第1磁気ヨーク31は、円環状の第1環状部31aと、第1環状部31aの内周面から第2磁気ヨーク32に向かって延びる複数の第1爪部31bとを有している。第1爪部31bは、第1環状部31aの内周面において、周方向に等間隔を空けて配置されている。第2磁気ヨーク32は、円環状の第2環状部32aと、第2環状部32aの内周面から第1磁気ヨーク31に向かって延びる複数の第2爪部32bとを有している。第2爪部32bは、第2環状部32aの内周面において、周方向に等間隔を空けて配置されている。第1磁気ヨーク31と第2磁気ヨーク32とは、第1爪部31bと第2爪部32bとが互いに周方向に一定の間隔でずれた状態で組み付けられている。第1磁気ヨーク31及び第2磁気ヨーク32は、磁性材料により構成されている。
図2は、永久磁石20、第1磁気ヨーク31、及び第2磁気ヨーク32を平面上に展開した図である。図2に示すように、第1磁気ヨーク31の第1爪部31bと第2磁気ヨーク32の第2爪部32bとは、周方向に交互に配置されている。入力軸11と出力軸12との間のトーションバー13が捩られていない中立状態においては、第1磁気ヨーク31の第1爪部31bの先端と第2磁気ヨーク32の第2爪部32bの先端とは、永久磁石20の多極磁石22のN極とS極との間の境界を指している。
図1に示すように、集磁リング40は、第1磁気ヨーク31の磁束を誘導して集める円環状の第1集磁リング50と、第2磁気ヨーク32の磁束を誘導して集める円環状の第2集磁リング60とを有している。第1集磁リング50と第2集磁リング60とは、軸方向Xに並んで配置されている。第1集磁リング50及び第2集磁リング60は、磁性材料により構成されている。
第1集磁リング50は、第1磁気ヨーク31を取り囲むように第1磁気ヨーク31の外周に所定の隙間を空けて配置されている円環状の第1リング部51、及び第1集磁部52を有している。第1リング部51における第2集磁リング60側の端面には、その周方向における一部において第1集磁部52が形成されている。第1集磁部52は、第1リング部51の第2集磁リング60側の端面から第2集磁リング60側へ延びているとともに、第1リング部51の径方向外側に折り曲げ形成されている第1接続部57を有している。第1集磁部52は、第1接続部57に接続されているとともに、第1リング部51の径方向外側に向かって延びている第1基部58を有している。第1基部58には、第1集磁部52の先端よりも第1リング部51側の途中部位において段差形状をなしている第1段差部53が形成されている。
第2集磁リング60は、第2磁気ヨーク32を取り囲むように第2磁気ヨーク32の外周に所定の隙間を空けて配置されている第2リング部61、及び第2集磁部62を有している。第2リング部61における第1集磁リング50側の端面には、その周方向における一部において第2集磁部62が形成されている。第2集磁部62は、第2リング部61の第1集磁リング50側の端面から第1集磁リング50側へ延びているとともに、第2リング部61の径方向外側に折り曲げ形成されている第2接続部67を有している。第2集磁部62は、第2接続部67に接続されているとともに、第2リング部61の径方向外側へ向かって延びている第2基部68を有している。第2基部68には、第2集磁部62の先端よりも第2リング部61側の途中部位において段差形状をなしている第2段差部63が形成されている。第2集磁部62と第1集磁部52とは同一形状をなしている。
第1集磁リング50が第1磁気ヨーク31の外周に配置され、第2集磁リング60が第2磁気ヨーク32の外周に配置された状態において、第1集磁部52と第2集磁部62とは、軸方向Xに所定の隙間を空けて互いに対向配置されている。
磁気センサ70は、第1集磁部52の第1段差部53と第2集磁部62の第2段差部63との間に挟み込まれている。磁気センサ70は、永久磁石20、第1磁気ヨーク31、第2磁気ヨーク32、第1集磁リング50、及び第2集磁リング60によって構成される磁気回路の磁束を検出する。磁気センサ70は、直方体状をなしている。磁気センサ70には、ホール素子等の磁気検出素子71が内蔵されている。磁気検出素子71は、付与される磁気の強さに応じた電圧値を検出信号Sとして出力する。磁気センサ70は、信号配線72と接続されている。磁気センサ70は、信号配線72を通じて検出信号Sを出力する。
トルクセンサ1では、例えば回転軸10が回転操作されることにより、入力軸11と出力軸12との間に相対的な回転変位が生じると、永久磁石20と第1磁気ヨーク31及び第2磁気ヨーク32との位置関係が変化するため、第1磁気ヨーク31及び第2磁気ヨーク32に集磁される磁気が変化する。これにより、第1集磁部52と第2集磁部62との間を通る磁束が変化するため、磁気センサ70に付与される磁気の強さが変化する。磁気センサ70に付与される磁気の強さは、トーションバー13の捩れ角に応じて変化する。したがって、磁気センサ70により出力される検出信号Sに基づいてトーションバー13の捩れ角を演算することができるため、トーションバー13の捩れ角に基づいて回転軸10に付与されたトルクを演算することができる。
第1集磁部52及び第2集磁部62について説明する。
図3(a),(b)に示すように、第1集磁部52と第2集磁部62とは軸方向Xにおいて並んで配置されるとともに、第1集磁部52の第1段差部53と第2集磁部62の第2段差部63とが軸方向Xにおいて対向している。第1段差部53と第2段差部63との間を軸方向Xにおいて二等分する仮想平面Pを想定したとき、第1段差部53と第2段差部63とは当該平面を基準として面対称に同一形状をなしている。
図3(a),(b)に示すように、第1集磁部52と第2集磁部62とは軸方向Xにおいて並んで配置されるとともに、第1集磁部52の第1段差部53と第2集磁部62の第2段差部63とが軸方向Xにおいて対向している。第1段差部53と第2段差部63との間を軸方向Xにおいて二等分する仮想平面Pを想定したとき、第1段差部53と第2段差部63とは当該平面を基準として面対称に同一形状をなしている。
第1段差部53は、第1集磁部52において第2集磁部62側に向けて突出するように凹み形成されている。第1段差部53は、全体として有底円筒状に形成されている。第1段差部53は、磁気センサ70に対して対向する部位である第1センサ対向部54と、第1センサ対向部54よりも第1集磁部52の第1リング部51側に位置する第1基端側折曲部55と、第1センサ対向部54よりも第1集磁部52の先端側に位置する第1先端側折曲部56とを有している。第1基端側折曲部55は、半円筒形状をなしている。第1基端側折曲部55は、第1基部58における第1リング部51側の基端部から第2段差部63側に向けて軸方向Xに延びている。第1先端側折曲部56は、半円筒形状をなしている。第1先端側折曲部56は、第1基部58における第1リング部51と反対側の先端部から第2段差部63側に向けて軸方向Xに延びている。第1基端側折曲部55の周方向における端面は、第1先端側折曲部56の周方向における端面にそれぞれ接続されている。これにより、第1基端側折曲部55及び第1先端側折曲部56は、全体として円筒状をなしている。第1センサ対向部54は、円板状をなしている。第1センサ対向部54は、軸方向Xから見たとき、磁気センサ70を覆う大きさをなしている。第1センサ対向部54の外周面は、第1基端側折曲部55の内周面における第2集磁部62側の部分及び第1先端側折曲部56の内周面における第2集磁部62側の部分に接続されている。第1センサ対向部54、第1基端側折曲部55、第1先端側折曲部56、及び第1基部58は、一体物として形成されている。第1段差部53は、ハーフパンチ加工が行われることにより形成されたダボである。第1段差部53は、全体として第1センサ対向部54を第2集磁部62側に近付けるように折曲形状をなしている。第1基部58における第2集磁部62と反対側の面を延長した仮想面と、第1センサ対向部54における第2集磁部62側と反対側の面との間の軸方向Xにおける距離、換言すれば第1段差部53の凹み量は、第1基部58の軸方向Xにおける厚みよりも短く設定されている。磁気センサ70は、軸方向Xから見たとき、第1センサ対向部54の中心軸上に磁気センサ70の中心が位置するように配置されている。
第2段差部63は、第2集磁部62において第1集磁部52側に向けて突出するように凹み形成されている。第2段差部63は、全体として有底円筒状に形成されている。第2段差部63は、磁気センサ70に対して対向する部位である第2センサ対向部64と、第2センサ対向部64よりも第2集磁部62の第2リング部61側に位置する第2基端側折曲部65と、第2センサ対向部64よりも第2集磁部62の先端側に位置する第2先端側折曲部66とを有している。第2基端側折曲部65は、半円筒形状をなしている。第2基端側折曲部65は、第2基部68における第2リング部61側の基端部から第1段差部53側に向けて軸方向Xに延びている。第2先端側折曲部66は、半円筒形状をなしている。第2先端側折曲部66は、第2基部68における第2リング部61と反対側の先端部から第1段差部53側に向けて軸方向Xに延びている。第2基端側折曲部65の周方向における端面は、第2先端側折曲部66の周方向における端面にそれぞれ接続されている。これにより、第2基端側折曲部65及び第2先端側折曲部66は、全体として円筒状をなしている。第2センサ対向部64は、円板状をなしている。第2センサ対向部64は、軸方向から見たとき、磁気センサ70を覆う大きさをなしている。第2センサ対向部64の外周面は、第2基端側折曲部65の内周面における第1集磁部52側の部分及び第2先端側折曲部66の内周面における第1集磁部52側の部分に接続されている。第2センサ対向部64は、第1段差部53と第2段差部63との間を軸方向Xにおいて二等分する仮想平面Pを基準として、第1センサ対向部54と面対称をなしている。すなわち、第1センサ対向部54と第2センサ対向部64とは、同一形状かつ同じ大きさをなしている。また、仮想平面Pを基準として、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64の少なくとも対向面は面対称をなしている。第2センサ対向部64、第2基端側折曲部65、第2先端側折曲部66、及び第2基部68は、一体物として形成されている。第2段差部63は、ハーフパンチ加工によって形成されたダボである。第2段差部63は、全体として第2センサ対向部64を第1集磁部52側に近付けるように折曲形状をなしている。第2基部68における第1集磁部52と反対側の面を延長した仮想面と、第2センサ対向部64における第1集磁部52側と反対側の面との間の軸方向Xにおける距離、換言すれば第2段差部63の凹み量は、第2基部68の軸方向Xにおける厚みよりも短く設定されている。磁気センサ70は、軸方向Xから見たとき、第2センサ対向部64の中心軸上に磁気センサ70の中心が位置するように配置されている。
第1基部58における第2集磁部62側の端面と第2基部68における第1集磁部52側の端面との間の軸方向Xにおける長さである第1長さHは、第1センサ対向部54における第2集磁部62側の端面と第2センサ対向部64における第1集磁部52側の端面との間の軸方向Xにおける長さである第2長さhよりも長く設定されている。第1長さHと第2長さhとの偏差は、第1段差部53及び第2段差部63の突出量と関係している。第1段差部53における第2集磁部62側への突出量、及び第2段差部63における第1集磁部52側への突出量は、例えば次の要因(ア)〜(オ)を含む各種の要因に基づいて設定されている。
要因(ア):第1集磁部52と第2集磁部62との間の軸方向Xにおける距離である。
要因(イ):第1集磁リング50と第1磁気ヨーク31との径方向における隙間、及び第2集磁リング60と第2磁気ヨーク32との径方向における隙間である。
要因(イ):第1集磁リング50と第1磁気ヨーク31との径方向における隙間、及び第2集磁リング60と第2磁気ヨーク32との径方向における隙間である。
要因(ウ):第1磁気ヨーク31の第1爪部31bと第2磁気ヨーク32の第2爪部32bとの間の周方向における隙間である。
要因(エ):永久磁石20と第1磁気ヨーク31との径方向における隙間、及び永久磁石20と第2磁気ヨーク32との径方向における隙間である。
要因(エ):永久磁石20と第1磁気ヨーク31との径方向における隙間、及び永久磁石20と第2磁気ヨーク32との径方向における隙間である。
要因(オ):第1集磁部52の軸方向Xにおける厚み、及び第2集磁部62の軸方向Xにおける厚みである。
本実施形態の作用及び効果を説明する。
本実施形態の作用及び効果を説明する。
(1)本実施形態では、第1集磁部52の先端よりも第1リング部51側の途中部位に段差形状をなしている第1段差部53を設け、第2集磁部62の先端よりも第2リング部61側の途中部位に段差形状をなしている第2段差部63を設けている。このため、第1センサ対向部54と第2センサ対向部64とを二等分する仮想平面Pを基準として第1センサ対向部54と第2センサ対向部64とを面対称とするとともに、第1集磁部52にしても、第2集磁部62にしても、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64よりも基端側のみならず先端側にも折曲部が位置することになる。これにより、第1集磁部52の第1リング部51側及び先端側の両方に第1基端側折曲部55及び第1先端側折曲部56を設ける場合は、第1集磁部52の第1リング部51側のみに折曲部を設ける場合と比べると、折曲部を増やすことができる。また、第2集磁部62の第2リング部61側及び先端側の両方に第2基端側折曲部65及び第2先端側折曲部66を設ける場合は、第2集磁部62の第2リング部61側のみに折曲部を設ける場合と比べると、折曲部を増やすことができる。このように、折曲部を増やすことができることから、磁束が1箇所に集中することを抑制することができる。これにより、第1集磁部52及び第2集磁部62における磁束密度の分布の偏りを抑制することができる。この結果、磁気センサ70の配置によって互いに対向する第1集磁部52と第2集磁部62との間を通る磁束のうちの磁気センサ70を通る有効な磁束の割合が減少することを抑制できるため、磁気センサ70により生成される検出信号SのS/N比が低下することを抑えることができる。
(2)第1センサ対向部54と第2センサ対向部64との間を通る磁束は、第1センサ対向部54と第2センサ対向部64との間に配置されている磁気センサ70によって検出することのできる有効な磁束である。一方、第1センサ対向部54と第2センサ対向部64との間を通らない磁束は、磁気センサ70によって検出することのできない漏れ磁束である。この漏れ磁束が多いほど、磁気センサ70を通る有効な磁束が減少するため、互いに対向する第1集磁部52と第2集磁部62との間を通る磁束のうち、磁気センサ70を通る有効な磁束の割合は減少することになる。
第1集磁部52と第2集磁部62との間では、第1集磁部52と第2集磁部62との間の距離が短い部分ほど、当該部分の間で磁束が通りやすい。そこで、本実施形態によれば、第1段差部53及び第2段差部63は、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64が互いに対向する集磁部側に近づくように折曲形状を呈している。すなわち、第1集磁部52における第1段差部53よりも第1リング部51側の部分、及び第1集磁部52における第1段差部53よりも先端側の部分を、第1センサ対向部54の位置よりも対向する第2集磁部62から遠ざかるように形成している。また、第2集磁部62における第2段差部63よりも第2リング部61側の部分、及び第2集磁部62における第2段差部63よりも先端側の部分を、第2センサ対向部64の位置よりも対向する第1集磁部52から遠ざかるように形成している。これらにより、第1基部58における第2集磁部62側の端面と第2基部68における第1集磁部52側の端面との間の軸方向Xにおける長さである第1長さHを、第1センサ対向部54における第2集磁部62側の端面と第2センサ対向部64における第1集磁部52側の端面との間の軸方向Xにおける長さである第2長さhよりも長くしている。このことから、第1集磁部52の第1基部58と第2集磁部62の第2基部68との間の部分を、第1集磁部52の第1センサ対向部54と第2集磁部62の第2センサ対向部64との間の部分よりも磁束が通り難くすることができる。この結果、漏れ磁束を抑えることにより磁気センサ70を通る有効な磁束を確保することができるため、磁気センサ70により生成される検出信号SのS/N比を高くすることができる。
(3)第1基端側折曲部55、第1先端側折曲部56、第2基端側折曲部65、及び第2先端側折曲部66をそれぞれ半円筒形状に形成していることにより、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64を円板状としている場合、第1集磁部52及び第2集磁部62のリング部側のみに折曲部を設ける場合と比べると、磁束が1箇所に集中することを抑制することができる。これにより、第1集磁部52及び第2集磁部62の周方向全域における磁束密度の分布の偏りを抑制することができる。第1集磁部52及び第2集磁部62の周方向全域における磁束密度の分布の偏りを抑制し易いため、磁気センサ70により生成される検出信号SのS/N比のばらつきを抑えることができる。また、これによって、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64に対する磁気センサ70の配置におけるロバスト性を向上させることができる。
(4)軸方向Xから見たときにおいて、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64と重なる領域内に磁気センサ70を収容しているため、磁気センサ70よりも外側の全領域において磁束が集中する第1基端側折曲部55、第1先端側折曲部56、第2基端側折曲部65、及び第2先端側折曲部66が位置することになる。これにより、軸方向Xから見たときにおいて、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64と重なる領域内における磁束密度の分布の偏りをさらに抑制することができる。
本実施形態は次のように変更してもよい。また、以下の他の実施形態は、技術的に矛盾しない範囲において、互いに組み合わせることができる。
・第1接続部57における第1集磁部52の延びる方向と直交する幅方向の長さは、第1基部58における幅方向の長さよりも短く設定されていてもよい。また、第2接続部67における幅方向の長さは、第2基部68における幅方向の長さよりも短く設定されていてもよい。
・第1接続部57における第1集磁部52の延びる方向と直交する幅方向の長さは、第1基部58における幅方向の長さよりも短く設定されていてもよい。また、第2接続部67における幅方向の長さは、第2基部68における幅方向の長さよりも短く設定されていてもよい。
・第1基部58における第1集磁部52の延びる方向と直交する幅方向の長さは、第1基部58における第1段差部53よりも第1リング部51側の部分において幅狭に設定されていてもよい。また、第2基部68における幅方向の長さは、第2基部68における第2段差部63よりも第2リング部61側の部分において幅狭に設定されていてもよい。
・第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64は、軸方向Xから見たとき、磁気センサ70と同程度の大きさであってもよいし、磁気センサ70よりも小さくてもよい。
・仮想平面Pを基準として、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64の少なくとも対向面が面対称をなしていればよく、例えば第1センサ対向部54の軸方向Xの厚みと第2センサ対向部64の軸方向Xの厚みとは異なっていてもよい。また、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64の対向していない面の形状は異なっていてもよい。
・仮想平面Pを基準として、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64の少なくとも対向面が面対称をなしていればよく、例えば第1センサ対向部54の軸方向Xの厚みと第2センサ対向部64の軸方向Xの厚みとは異なっていてもよい。また、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64の対向していない面の形状は異なっていてもよい。
・第1段差部53及び第2段差部63は、全体として有底円筒状に形成されていたが、これに限らない。
例えば、図4に示すように、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64は、軸方向Xから見たとき、六角形状をなしていてもよい。この場合、第1集磁部52の第1リング部51側のみ及び第2集磁部62の第2リング部61側のみに折曲部を設ける場合と比べると、また第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64が軸方向Xから見たときに四角形状をなしている場合と比べると、磁束が1箇所に集中することを抑制することができる。このように、第1段差部53及び第2段差部63は、軸方向Xから見たときに五角形以上の多角形状をなした、全体として有底多角筒状に形成されていてもよい。
例えば、図4に示すように、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64は、軸方向Xから見たとき、六角形状をなしていてもよい。この場合、第1集磁部52の第1リング部51側のみ及び第2集磁部62の第2リング部61側のみに折曲部を設ける場合と比べると、また第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64が軸方向Xから見たときに四角形状をなしている場合と比べると、磁束が1箇所に集中することを抑制することができる。このように、第1段差部53及び第2段差部63は、軸方向Xから見たときに五角形以上の多角形状をなした、全体として有底多角筒状に形成されていてもよい。
例えば、図5に示すように、第1センサ対向部54及び第2センサ対向部64は、軸方向Xから見たとき、十字形状をなしていてもよい。十字形状の第1センサ対向部54は、四角形状の中央部80と、中央部80の4辺から延びる4つの四角形状の延出部81とを有している。4つの延出部81のうち2つの延出部81の延びる方向は、第1集磁部52の延びる方向と一致している。また、4つの延出部81のうち残る2つの延出部81の延びる方向は、第1集磁部52の延びる方向と直交する幅方向と一致している。十字形状の第2センサ対向部64は、四角形状の中央部90と、中央部90の4辺から延びる4つの四角形状の延出部91とを有している。これら第1センサ対向部54の中央部80と第2センサ対向部64の中央部90との間に磁気センサ70が配置されている。第1センサ対向部54の中央部80及び第2センサ対向部64の中央部90は、軸方向Xから見たとき、磁気センサ70を覆う大きさをなしている。この場合においても、第1集磁部52の第1リング部51側のみ及び第2集磁部62の第2リング部61側のみに折曲部を設ける場合と比べると、磁束が1箇所に集中することを抑制することができる。
・第1基端側折曲部55の周方向における端面と第1先端側折曲部56の周方向における端面とはそれぞれ接続されていなくてもよい。また、第2基端側折曲部65の周方向における端面と第2先端側折曲部66の周方向における端面とは接続されていなくてもよい。この場合、例えば第1センサ対向部54の第1集磁部52の延びる方向と直交する方向における一部は、第1基端側折曲部55及び第1先端側折曲部56と接続されてなく、当該部分の幅は第1基部58の幅と同一になる。
・第1基端側折曲部55及び第1先端側折曲部56は、第1基部58から第2段差部63と反対側に向けて軸方向Xに延びていてもよい。また、第2基端側折曲部65及び第2先端側折曲部66は、第2基部68から第1段差部53と反対側に向けて軸方向Xに延びていてもよい。
・第1集磁部52は、第1接続部57を有していたが、第1接続部57は設けなくてもよい。この場合、第1基部58は、第1リング部51の外周面における第2集磁リング60側の部分から径方向外側に向かって延びている。また、第2集磁部62は、第2接続部67を有していたが、第2接続部67は設けなくてもよい。この場合、第2基部68は、第2リング部61の外周面における第1集磁リング50側の部分から径方向外側に向かって延びている。
・第1集磁リング50に複数の集磁部を設けるとともに、第2集磁リング60に複数の集磁部を設け、これらの集磁部の間にそれぞれ磁気センサ70を配置、すなわち磁気センサ70の冗長化を実現するようにしてもよい。
・磁気検出素子71として、ホール素子が採用されたが、磁気抵抗素子が採用されてもよい。
・センサ装置として、トルクを検出するためのトルクセンサ1に具体化したが、例えば回転軸10の回転角度を検出するための回転角度検出装置に具体化してもよい。
・センサ装置として、トルクを検出するためのトルクセンサ1に具体化したが、例えば回転軸10の回転角度を検出するための回転角度検出装置に具体化してもよい。
1…トルクセンサ、10…回転軸、11…入力軸、12…出力軸、13…トーションバー、20…永久磁石、21…保持部、22…多極磁石、30…磁気ヨーク、31…第1磁気ヨーク、31a…第1環状部、31b…第1爪部、32…第2磁気ヨーク、32a…第2環状部、32b…第2爪部、40…集磁リング、50…第1集磁リング、51…第1リング部、52…第1集磁部、53…第1段差部、54…第1センサ対向部、55…第1基端側折曲部、56…第1先端側折曲部、57…第1接続部、58…第1基部、60…第2集磁リング、61…第2リング部、62…第2集磁部、63…第2段差部、64…第2センサ対向部、65…第2基端側折曲部、66…第2先端側折曲部、67…第2接続部、68…第2基部、70…磁気センサ、71…磁気検出素子、72…信号配線、H…第1長さ、h…第2長さ、m…軸線、P…仮想平面、S…検出信号、X…軸方向。
Claims (4)
- 第1軸に取り付けられるとともに、周方向に着磁された永久磁石と、
連結軸を介して前記第1軸と連結された第2軸に固定されるとともに、前記永久磁石が形成する磁界内に配置された磁気ヨークと、
前記磁気ヨークを取り囲むように配置されるとともに、前記磁気ヨークの磁束を集める集磁リングと、
前記永久磁石、前記磁気ヨーク、及び前記集磁リングにより形成される磁気回路の磁束を検出する磁気センサと、を備え、
前記集磁リングは、前記第2軸の軸方向に並んで配置されている第1集磁リング及び第2集磁リングを有し、
前記第1集磁リングは、前記磁気ヨークを取り囲む環状の第1リング部と、前記第1リング部の径方向外側に向かって延びる部位を含む第1集磁部とを有し、
前記第2集磁リングは、前記磁気ヨークを取り囲む環状の第2リング部と、前記第2リング部の径方向外側に向かって延びる部位を含む第2集磁部とを有し、
前記第1集磁部は、前記第1集磁部の先端よりも前記第1リング部側の途中部位において段差形状をなしている第1段差部を有し、
前記第2集磁部は、軸方向において前記第1段差部と対向するとともに、前記第2集磁部の先端よりも前記第2リング部側の途中部位において段差形状をなしている第2段差部を有し、
前記第1段差部は、前記磁気センサに対して対向する部位である第1センサ対向部と、前記第1センサ対向部よりも前記第1集磁部の前記第1リング部側に位置する第1基端側折曲部と、前記第1センサ対向部よりも前記第1集磁部の先端側に位置する第1先端側折曲部とを有し、
前記第2段差部は、前記磁気センサに対して対向する部位である第2センサ対向部と、前記第2センサ対向部よりも前記第2集磁部の前記第2リング部側に位置する第2基端側折曲部と、前記第2センサ対向部よりも前記第2集磁部の先端側に位置する第2先端側折曲部とを有し、
前記磁気センサは、前記第1センサ対向部と前記第2センサ対向部との間に挟み込まれており、
前記第1センサ対向部と前記第2センサ対向部との間を軸方向において二等分する仮想平面を基準として、前記第1センサ対向部及び前記第2センサ対向部の少なくとも対向面は面対称をなしているセンサ装置。 - 前記第1段差部は、前記第1センサ対向部が対向する前記第2集磁部側に近付くように折曲形状を呈するものであり、
前記第2段差部は、前記第2センサ対向部が対向する前記第1集磁部側に近付くように折曲形状を呈するものである請求項1に記載のセンサ装置。 - 前記第1段差部は、全体として有底円筒状に形成されていて、
前記第1センサ対向部は、円板状をなしており、
前記第1基端側折曲部及び前記第1先端側折曲部は、それぞれ半円筒形状をなしており、
前記第2段差部は、全体として有底円筒状に形成されていて、
前記第2センサ対向部は、円板状をなしており、
前記第2基端側折曲部及び前記第2先端側折曲部は、それぞれ半円筒形状をなしている請求項1または2に記載のセンサ装置。 - 前記第1センサ対向部及び前記第2センサ対向部は、軸方向から見たとき、前記磁気センサを覆う大きさをなしている請求項1〜3のいずれか一項に記載のセンサ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018147051A JP2020020762A (ja) | 2018-08-03 | 2018-08-03 | センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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JP2018147051A Pending JP2020020762A (ja) | 2018-08-03 | 2018-08-03 | センサ装置 |
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Country | Link |
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2018
- 2018-08-03 JP JP2018147051A patent/JP2020020762A/ja active Pending
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