JP2020020554A - Melting device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、溶解装置に関し、特に、溶解原料が挿入される加熱コイル部を備える溶解装置に関する。 The present invention relates to a melting device, and more particularly, to a melting device having a heating coil unit into which a raw material for melting is inserted.
従来、溶解原料が挿入される加熱コイル部を備える溶解装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art Conventionally, a melting device including a heating coil unit into which a melting raw material is inserted is known (for example, see Patent Literature 1).
上記特許文献1には、アルミニウムのインゴットが挿入されるとともに溶解される溶解炉を備える溶解装置が開示されている。具体的には、溶解炉は、耐火材料製で筒形状の炉体と、炉体の上方側に配置される冷材投入ガイドとを含む。炉体の外周側には、炉体に挿入されたアルミニウムのインゴットを加熱して溶解するための誘導コイルが設けられている。また、冷材投入ガイドは、アルミニウムのインゴットを溶解炉(炉体)の内部に案内するために設けられている。また、筒形状の溶解炉の底部には、溶解したアルミニウムを流出させる流出口が設けられている。 Patent Document 1 discloses a melting apparatus including a melting furnace in which an aluminum ingot is inserted and melted. Specifically, the melting furnace includes a tubular furnace body made of a refractory material, and a cold material charging guide disposed above the furnace body. An induction coil for heating and melting the aluminum ingot inserted into the furnace body is provided on the outer peripheral side of the furnace body. Further, the cold material charging guide is provided to guide the aluminum ingot into the melting furnace (furnace body). In addition, an outlet for discharging the molten aluminum is provided at the bottom of the cylindrical melting furnace.
また、上記溶解装置では、炉体の内部のインゴットが溶解することにより、インゴットの上端部が、溶解炉に設けられる誘導コイルの中心軸線方向の中央の位置に到達した際に、現在溶解されているインゴットの後に溶解するアルミニウムのインゴット(以下、次回溶解するインゴット)を冷材投入ガイドを介して炉体内に挿入するように構成されている。すなわち、次回溶解するインゴットは、現在溶解されているインゴットが溶解して所定の大きさまで小さくなってから挿入される。これにより、次回溶解するアルミニウムのインゴットは、冷材投入ガイドを介して炉体内に挿入されてすぐに、最も溶解効率の高い位置(誘導コイルの中心軸線方向の中央の位置)まで挿入されるので、冷たい状態で冷材投入ガイド内に配置(保持)されることがない。その結果、流出口がつまって溶解したインゴットが流出口から流出されず、溶解したインゴットが炉体内で飛散した場合でも、次回溶解するインゴットは冷たくないので(加熱されているので)、次回溶解するインゴットに飛散したインゴットが付着しても、付着したインゴットはすぐに溶解される。 Further, in the melting device, the ingot inside the furnace body is melted, so that when the upper end of the ingot reaches the center position in the center axis direction of the induction coil provided in the melting furnace, it is melted at present. An ingot of aluminum to be melted after the ingot is melted (hereinafter, the ingot to be melted next time) is inserted into the furnace through a cold material introduction guide. That is, the ingot to be melted next time is inserted after the currently melted ingot is melted and reduced to a predetermined size. As a result, the aluminum ingot to be melted next time is inserted into the furnace via the cold material charging guide and immediately inserted into the position where the melting efficiency is highest (the center position in the center axis direction of the induction coil). It is not disposed (held) in the cold material introduction guide in a cold state. As a result, even if the melted ingot does not flow out from the outlet due to the clogged outlet, and the melted ingot scatters in the furnace, the ingot to be melted next time is not cold (because it is heated), so it is melted next time. Even if the scattered ingot adheres to the ingot, the attached ingot is immediately dissolved.
しかしながら、上記特許文献1に記載される溶解装置では、現在溶解されているインゴットが溶解して所定の大きさまで小さくなってから、次回溶解するインゴットが投入されるので、次回溶解するインゴットが投入された瞬間に、誘導コイルによる誘導加熱の負荷(加熱対象のインゴットの大きさ)が急激に大きくなるように変化するという不都合がある。このため、誘導コイルによる誘導加熱の制御が不安定になり、インゴットを連続して安定的に溶解することが困難になるという問題点がある。 However, in the melting apparatus described in Patent Document 1, since the ingot that is currently melted is melted and reduced to a predetermined size, the ingot to be melted next time is charged, so that the ingot to be melted next time is charged. At the moment, there is a disadvantage that the load of the induction heating by the induction coil (the size of the ingot to be heated) suddenly increases. For this reason, there is a problem that the control of the induction heating by the induction coil becomes unstable, and it becomes difficult to continuously and stably melt the ingot.
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、現在溶解されている溶解原料と現在溶解されている溶解原料の後に溶解する溶解原料とを、安定的に連続して溶解することが可能な溶解装置を提供することである。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a currently dissolved material and a dissolved material that is dissolved after the currently dissolved material. Is to provide a dissolving apparatus capable of stably and continuously dissolving the
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による溶解装置は、第1溶解原料が挿入される加熱コイル部と、溶解された第1溶解原料が流通して落下する貫通孔を含み、加熱コイル部の下端よりも上方の位置において第1溶解原料の下端を下方から支持する支持部と、第1溶解原料が溶解された後に溶解される第2溶解原料が第1溶解原料に接触するように積層された状態で、第2溶解原料が加熱コイル部に挿入されるようにガイドするガイド部と、を備える。 In order to achieve the above object, a melting apparatus according to one aspect of the present invention includes a heating coil unit into which a first melting raw material is inserted, and a through hole through which the melted first melting raw material flows and falls, A support portion that supports the lower end of the first molten material from below at a position above the lower end of the heating coil portion, and the second molten material that is melted after the first molten material is melted contacts the first molten material. And a guide section for guiding the second melted raw material to be inserted into the heating coil section in the state of being stacked as described above.
この発明の一の局面による溶解装置では、上記のように、支持部は、加熱コイル部の下端よりも上方の位置において、第1溶解原料の下端を下方から支持する。これにより、第1溶解原料の下端が加熱コイル部の下端よりも上方の位置に配置されるので、第1溶解原料の下端および下端の近傍の部分に加熱コイル部からの磁束が十分に到達する。その結果、第1溶解原料の下端および下端の近傍の部分を迅速に溶解することができるので、第1溶解原料の下端の溶け残りによって貫通孔が詰まるのを抑制することができる。これにより、第1溶解原料を貫通孔からスムーズに流出させることができるとともに、第1溶解原料が飛散するのを抑制することができる。その結果、飛散した第1溶解原料が第2溶解原料に付着するのを抑制することができる。ここで、第2溶解原料が第1溶解原料に接触するように積層された状態で第2溶解原料を加熱コイル部に挿入した場合、第2溶解原料に加熱コイル部からの磁束が届かず、第2溶解原料が冷えた状態になっている場合がある。しかし、この場合でも、第1溶解原料の飛散が抑制されることにより、飛散した第1溶解原料が第2溶解原料に付着するのが抑制されるので、第2溶解原料の移動が飛散した第1溶解原料により妨げられるのを抑制することができる。これにより、第2溶解原料が挿入された時点で第2溶解原料を加熱された状態にするために、第1溶解原料が溶解して所定の大きさまで小さくなってから第2溶解原料を挿入するようにタイミングを制御する必要がない。すなわち、第1溶解原料が溶解されて所定の大きさまで小さくなる前に、ガイド部を用いて第2溶解原料を第1溶解原料に積層させるとともに加熱コイル部に挿入する場合でも、第2溶解原料をスムーズに加熱コイル部に挿入することができる。その結果、加熱コイル部によって加熱される加熱対象の大きさを略一定にすることができる。これにより、加熱コイル部にかかる負荷を略一定にすることができる。これらの結果、第1溶解原料と第2溶解原料とを、安定的に連続して溶解することができる。 In the melting device according to one aspect of the present invention, as described above, the supporter supports the lower end of the first melted raw material from below at a position above the lower end of the heating coil unit. Thereby, since the lower end of the first melting raw material is arranged at a position higher than the lower end of the heating coil portion, the magnetic flux from the heating coil portion reaches the lower end of the first melting raw material and the portion near the lower end sufficiently. . As a result, the lower end of the first melted raw material and the portion near the lower end can be rapidly melted, so that clogging of the through hole due to the undissolved lower end of the first melted raw material can be suppressed. This allows the first dissolved raw material to flow out of the through-hole smoothly and suppresses the first dissolved raw material from scattering. As a result, it is possible to suppress the scattered first dissolved material from adhering to the second dissolved material. Here, when the second molten material is inserted into the heating coil portion in a state where the second molten material is stacked so as to contact the first molten material, the magnetic flux from the heating coil portion does not reach the second molten material, The second molten material may be in a cold state. However, even in this case, since the scattering of the first dissolved material is suppressed, the scattering of the first dissolved material is prevented from adhering to the second dissolved material, so that the movement of the second dissolved material is dispersed. (1) It can be prevented from being hindered by the dissolved raw material. Thereby, in order to make the second molten material heated when the second molten material is inserted, the second molten material is inserted after the first molten material is melted and reduced to a predetermined size. There is no need to control the timing like this. In other words, before the first molten material is melted and reduced to a predetermined size, the second molten material is stacked on the first molten material using the guide portion and inserted into the heating coil portion. Can be smoothly inserted into the heating coil section. As a result, the size of the object to be heated by the heating coil unit can be made substantially constant. Thereby, the load applied to the heating coil unit can be made substantially constant. As a result, the first dissolved raw material and the second dissolved raw material can be stably and continuously dissolved.
上記一の局面による溶解装置において、好ましくは、加熱コイル部が巻回され、第1溶解原料が挿入されるとともにガイド部が取り付けられる溶解炉をさらに備え、溶解炉および支持部は、互いに別個に設けられている。このように構成すれば、溶解炉および支持部の各々を個別に交換することができるので、溶解炉および支持部の各々の交換作業を容易化することができる。また、支持部を交換することによって、支持部の大きさ(高さ)を変更することができるので、第1溶解原料の溶解の特性(溶解速度など)を容易に調整することができる。 In the melting device according to the one aspect, preferably, the heating coil portion is wound, and a melting furnace in which the first melting raw material is inserted and a guide portion is attached is further provided. The melting furnace and the support portion are separately provided from each other. Is provided. According to this structure, since the melting furnace and the support can be individually replaced, the replacement of the melting furnace and the support can be facilitated. In addition, since the size (height) of the support portion can be changed by replacing the support portion, the dissolution characteristics (dissolution rate and the like) of the first melting raw material can be easily adjusted.
この場合、好ましくは、支持部は、溶解炉の内周面に取り囲まれるように設けられている。このように構成すれば、溶解炉の内周面によって支持部の移動が規制されるので、支持部の位置がずれるのを抑制することができる。 In this case, preferably, the support portion is provided so as to be surrounded by the inner peripheral surface of the melting furnace. With such a configuration, the movement of the support portion is restricted by the inner peripheral surface of the melting furnace, so that the position of the support portion can be suppressed from being shifted.
上記一の局面による溶解装置において、好ましくは、支持部およびガイド部の各々は、非磁性体により構成されている。このように構成すれば、加熱コイル部からの磁束が、支持部およびガイド部により影響を受けるのを抑制することができるので、第1溶解原料を加熱コイル部により安定的に溶解することができる。 In the dissolving apparatus according to the one aspect, preferably, each of the support portion and the guide portion is made of a non-magnetic material. According to this structure, the magnetic flux from the heating coil portion can be suppressed from being affected by the support portion and the guide portion, so that the first molten material can be stably melted by the heating coil portion. .
上記一の局面による溶解装置において、好ましくは、加熱コイル部に対して電力を供給する高周波電源をさらに備え、高周波電源から加熱コイル部に供給される電力が略一定に設定された状態で、予め設定された第1溶解原料の溶解量と高周波電源からの電力の供給量との関係に基づいて、加熱コイル部による第1溶解原料の溶解時間を決定するように構成されている。このように構成すれば、重量センサ等により溶解量を検出することなく、第1溶解原料を必要な量だけ溶解することができる。その結果、第1溶解原料を溶解するための部品点数を低減することができる。また、溶解量に基づいて高周波電源の電力を制御(フィードバック制御)する場合に比べて、第1溶解原料を溶解するための制御を簡易化することができる。 In the melting apparatus according to the one aspect, preferably, further includes a high-frequency power supply that supplies power to the heating coil unit, and in a state where the power supplied to the heating coil unit from the high-frequency power supply is set to be substantially constant, It is configured to determine the melting time of the first melting raw material by the heating coil unit based on the relationship between the set melting amount of the first melting raw material and the supplied amount of power from the high frequency power supply. According to this structure, the required amount of the first dissolved raw material can be dissolved without detecting the dissolved amount by a weight sensor or the like. As a result, the number of parts for dissolving the first dissolving raw material can be reduced. Further, control for melting the first melting raw material can be simplified as compared with the case where the power of the high-frequency power supply is controlled (feedback control) based on the melting amount.
また、高周波電源からの電力の供給量が略一定であるので、電力の供給量が変動する場合に比べて、第1溶解原料の溶解時間を決定する制御の負荷を軽減することができる。また、ユーザが手動で溶解時間を算出(決定)する場合に比べて、正確かつ速やかに溶解時間を算出することができる。 Further, since the power supply amount from the high frequency power supply is substantially constant, the load of control for determining the melting time of the first melting raw material can be reduced as compared with the case where the power supply amount fluctuates. Further, the dissolution time can be calculated more accurately and promptly than when the user manually calculates (determines) the dissolution time.
上記一の局面による溶解装置において、好ましくは、支持部は、加熱コイル部の下端よりも上方の位置において第1溶解原料の下端を支持する原料支持面部を含み、平面視において、原料支持面部は、第1溶解原料の下端の中央部を支持するように構成されている。ここで、第1溶解原料を加熱コイル部の磁束によって加熱する場合、表皮効果によって第1溶解原料の表面が主に加熱される。その結果、第1溶解原料の外表面から溶解が始まり、溶解原料の中央部は、比較的遅い段階で溶解される。つまり、第1溶解原料の外表面から徐々に中心に向かって溶解が進む。さらに、第1溶解原料の下端(角部)に磁束が集中するので、下端側の溶解の進行の度合いが速い。その結果、第1溶解原料は下方に向かって先細る形状となる。そこで、原料支持面部を第1溶解原料の下端の中央部を支持するように構成することによって、第1溶解原料の先細った先端(下端)側を安定した状態で支持することができる。 In the melting apparatus according to the one aspect, preferably, the support unit includes a raw material support surface that supports the lower end of the first molten raw material at a position above the lower end of the heating coil unit. , And is configured to support the central portion of the lower end of the first molten material. Here, when the first molten material is heated by the magnetic flux of the heating coil portion, the surface of the first molten material is mainly heated by the skin effect. As a result, melting starts from the outer surface of the first melting raw material, and the central portion of the melting raw material is melted at a relatively late stage. That is, the melting proceeds from the outer surface of the first melting raw material gradually toward the center. Further, since the magnetic flux is concentrated on the lower end (corner) of the first melting raw material, the progress of the melting on the lower end side is fast. As a result, the first molten material has a shape that tapers downward. Therefore, by configuring the raw material support surface portion to support the center of the lower end of the first molten raw material, the tapered tip (lower end) side of the first molten raw material can be supported in a stable state.
この場合、好ましくは、貫通孔は、複数設けられており、原料支持面部は、支持部における複数の貫通孔の間の部分により構成されている。このように構成すれば、原料支持面部に隣り合うように複数の貫通孔が設けられる。そして、第1溶解原料から溶解した第1溶解原料は、先細った形状の第1溶解原料の先端側(原料支持面部に接触する部分)に向かって流れるので、溶解された第1溶解原料を、原料支持面部に隣り合う複数の貫通孔からよりスムーズに落下させることができる。 In this case, preferably, a plurality of through holes are provided, and the raw material support surface portion is formed by a portion between the plurality of through holes in the support portion. With this configuration, a plurality of through holes are provided so as to be adjacent to the raw material support surface portion. Then, the first molten raw material dissolved from the first molten raw material flows toward the distal end side of the tapered first molten raw material (portion in contact with the raw material support surface portion). Further, it can be more smoothly dropped from the plurality of through holes adjacent to the raw material support surface portion.
本発明によれば、上記のように、現在溶解されている溶解原料と現在溶解されている溶解原料の後に溶解する溶解原料とを、安定的に連続して溶解することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the dissolved raw material currently melt | dissolved and the dissolved raw material melt | dissolved after the currently melt | dissolved raw material can be stably continuously melt | dissolved as mentioned above.
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[第1実施形態]
図1〜図9を参照して、第1実施形態による溶解装置100の構成について説明する。
[First Embodiment]
The configuration of the
(溶解装置の構成)
図1に示すように、溶解装置100は、高周波電源盤1を備えている。高周波電源盤1は、後述する加熱コイル部11に、高周波(たとえば、10kHz)の交流電力を供給するように構成されている。なお、高周波電源盤1は、特許請求の範囲の「高周波電源」の一例である。また、図1は、概略図であり、説明に不要な部材は図示を省略している。
(Configuration of melting device)
As shown in FIG. 1, the
高周波電源盤1には、交流電源101から交流電力が供給されている。また、高周波電源盤1は、交流電源101からの交流電力を直流電力に変換する整流部1aを含む。また、高周波電源盤1は、整流部1aによって変換された直流電力を平滑する平滑部1bを含む。また、高周波電源盤1は、平滑部1bによって平滑された直流電力を交流電力に変換するインバータ部1cを含む。
The high-frequency power panel 1 is supplied with AC power from an
また、溶解装置100は、後述する加熱コイル部11が設けられる加熱部10が設けられている。加熱部10は、高周波電源盤1に隣接するように設けられている。
Further, the
溶解装置100の加熱部10には、溶解原料200が挿入される加熱コイル部11が設けられている。なお、溶解原料200は、非磁性材料からなる。たとえば、溶解原料200は、アルミニウム、亜鉛、銅などからなる。また、溶解原料200は、インゴット(精製された金属が一塊にされたもの)として構成されている。また、溶解原料200は、略角柱形状(略直方体形状)を有する。また、溶解原料200は、溶解原料200が延びる方向(Z方向)から見て、略直方形状を有する。なお、溶解原料200は、特許請求の範囲の「第1溶解原料」の一例である。
The
加熱コイル部11は、誘導加熱式の加熱コイル部11である。つまり、高周波電源盤1から供給される交流電力により、加熱コイル部11から磁束(磁界)が発生する。そして、この磁束により、加熱コイル部11の内部に挿入された溶解原料200の表面近傍に高密度の渦電流が発生(表皮効果)する。そして、この渦電流のジュール熱によって、溶解原料200の表面が加熱される。
The
また、溶解装置100は、加熱部10に設けられる溶解炉11aを備える。溶解炉11aには、加熱コイル部11が巻回されているとともに、溶解原料200が挿入されている。
Further, the
また、後述する貫通孔22を流通して落下した溶解された溶解原料200は、保持炉102に保持される。高周波電源盤1をオンすることにより、溶解原料200の溶解が開始されるとともに保持炉102に溶解された溶解原料200が貯められる。そして、必要な量の溶解原料200が得られた瞬間に高周波電源盤1をオフすることにより、溶解原料200の溶解が停止される。
The melted
溶解装置100は、加熱コイル部11の下方側に配置され、溶解原料200の下端200aを下方から支持する支持部20を備えている。支持部20は、加熱コイル部11の下端11bよりも上方の位置において、溶解原料200の下端200aを下方から支持する。具体的には、支持部20は、加熱コイル部11の下端11bよりも上方(Z1方向側)の位置において、溶解原料200の下端200aを支持する原料支持面部21を含む。
The
詳細には、原料支持面部21は、加熱コイル部11の下端11bから、鉛直方向における加熱コイル部11の長さL11の18%以上の長さL12分、上方に配置されている。より好ましくは、原料支持面部21は、加熱コイル部11の下端11bから、加熱コイル部11の長さL11の25%以上の長さL12分、上方に配置されている。これにより、溶解原料200の下端200aが原料支持面部21により位置決めされるので、溶解原料200の下端200aは、加熱コイル部11の下端11bから、距離L12分、上方の位置に配置される。
Specifically, the raw material supporting
ここで、第1実施形態では、溶解炉11aおよび支持部20は、互いに別個に設けられている。具体的には、支持部20は、溶解炉11aの内部に挿入されている。すなわち、支持部20は、溶解炉11aの内周面11cに取り囲まれるように設けられている。詳細には、支持部20の全体は、溶解炉11aの下端部11dの近傍の内周面11cに取り囲まれている。
Here, in the first embodiment, the
溶解装置100は、ガイド部30を備える。ガイド部30は、溶解炉11aに取り付けられている。ガイド部30は、溶解原料200が溶解された後に溶解される溶解原料201が溶解原料200に接触するように積層された状態で、溶解原料201が加熱コイル部11(溶解炉11a)に挿入されるようにガイドする。具体的には、ガイド部30は、筒形状を有している。ガイド部30に挿入された溶解原料201は、ガイド部30の内周面31によって、斜めに傾かないように動き(傾斜)が規制されている。そして、溶解原料200の溶解が進むにつれて、ガイド部30によって垂直に保持された溶解原料201は、垂直に保持されたまま、ガイド部30によって溶解炉11aの内部に挿入されるようにガイドされる。なお、溶解原料201は、溶解原料200の上端面200bに載置されながら、ガイド部30によって溶解炉11aの内部に挿入される。また、溶解原料201は、特許請求の範囲の「第2溶解原料」の一例である。
The
なお、溶解原料201を溶解原料200の上端面200bに載置するタイミングは、溶解原料201の載置にともなって加熱コイル部11にかかる負荷が急激に変動しなければ、溶解原料200の溶解が開始する前であっても、開始した後であってもよい。これにより、加熱コイル部11にかかる負荷の変動を抑制しながら、溶解原料200および溶解原料201を連続的に溶解することが可能である。また、複雑な制御によって、溶解原料201を投入するタイミングを調整する場合に比べて、制御負荷を軽減することが可能である。
The timing at which the melted
また、支持部20およびガイド部30の各々は、非磁性体により構成されている。具体的には、支持部20およびガイド部30は、非磁性体で、かつ、加熱コイル部11により誘導加熱されない材質により形成されている。たとえば、支持部20およびガイド部30は、耐火レンガ、耐熱樹脂、および、セラミックなどにより構成されている。なお、ガイド部30は、溶解原料200(201)に比べて、機械的強度が高く、耐熱性が高い素材により形成されていることが望ましい。
Further, each of the
図2〜図4に示すように、支持部20は、溶解原料200の形状に沿った形状(略直方体形状)を有する。
As shown in FIGS. 2 to 4, the
また、第1実施形態では、図2に示すように、平面視において、原料支持面部21は、溶解原料200の下端200aの中央部C(図8参照)を支持するように構成されている。具体的には、支持部20の原料支持面部21の近傍には、溶解された溶解原料200が流通して落下する貫通孔22が設けられている。貫通孔22は、鉛直方向(Z方向)に延びている。また、貫通孔22は、複数(第1実施形態では、2個)設けられている。そして、原料支持面部21は、支持部20における複数(2つ)の貫通孔22の間の部分(貫通孔22aと貫通孔22bとの間の部分)により構成されている。詳細には、溶解される前の溶解原料200は、支持部20の上面の貫通孔22以外の部分に支持される。また、溶解原料200の溶解が進むにつれて、溶解原料200は下方に先細る形状(図8参照)になる。そして、この先細った状態の溶解原料200の先端側が、複数(2つ)の貫通孔22の間の部分により構成されている原料支持面部21により支持される。
In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the raw
また、図3に示すように、平面視において、貫通孔22は、略円形状を有している。そして、貫通孔22の直径rは、複数の貫通孔22が隣り合う方向(X方向)における原料支持面部21の幅Wよりも大きい。なお、2つの貫通孔22は、互いに同じ形状(同じ直径)を有する。そして、たとえば、直径rは、幅Wの2倍以上である。なお、貫通孔22の直径rは、溶解した溶解原料200が貫通孔22を介してスムーズに下方に落下するように調整される。また、幅Wは、先細った状態の溶解原料200(図7参照)が安定的に支持されるように調整される。
Further, as shown in FIG. 3, the through
また、図4に示すように、支持部20のうち、加熱コイル部11の内部に配置される部分の長さL21は、加熱コイル部11の外部に配置される部分の長さL22よりも大きい。なお、長さL21は、原料支持面部21を加熱コイル部11の内部のいずれの位置に配置するかによって調整される。したがって、長さL21が長さL22よりも小さい場合もある。また、加熱コイル部11の内部に配置される部分の長さL21は、溶解原料200の種類に応じて、最適な長さに調整される。
In addition, as shown in FIG. 4, the length L <b> 21 of a portion of the
(磁束密度およびジュール熱密度の解析)
次に、加熱コイル部11から発生する磁束密度およびジュール熱密度の解析(シミュレーション)について説明する。
(Analysis of magnetic flux density and Joule heat density)
Next, analysis (simulation) of the magnetic flux density and Joule heat density generated from the
まず、図5に示すように、溶解原料200の下端200aの高さ位置と、加熱コイル部11の下端11bの高さ位置とを同じ(略面一)にした場合について説明する。この場合、溶解原料200の下端200a近傍における磁束密度(磁界)は比較的低く、溶解原料200を十分に溶解することができないことが確認された。理由として、溶解原料200の側面200cによって磁気が遮断され、溶解原料200の下端200aの角部200dまで十分に磁束が到達しないと考えられる。すなわち、角部200dにおいて、エッジ効果が生じないため、磁束が集中しない。このため、溶解原料200が十分に溶解されずに固体として残存すると考えられる。
First, as shown in FIG. 5, a case where the height position of the
一方、図6に示すように、溶解原料200の下端200aを、加熱コイル部11の下端11bから、加熱コイル部11の長さの18%〜25%程度の長さ分、上方に配置した場合、溶解原料200の下端200aにおける磁束密度が比較的高くなることが確認された。その結果、溶解原料200の下端200aの角部200dまで十分に磁束が到達するので、角部200dにおいて、エッジ効果が生じる。その結果、角部200dに磁束が集中するので、溶解原料200の全てを溶解できることが確認された。
On the other hand, as shown in FIG. 6, when the
また、図7に示すように、角部200dに磁束が集中するので、角部200dにおけるジュール熱密度(温度)が比較的高くなることが確認された。なお、図7は、溶解原料200が1/4に分割された状態で、かつ、溶解原料200が先細る形状の場合のシミュレーションの結果が示されている。この図7から、溶解原料200において、加熱コイル部11との間の距離が小さい部分ほど、ジュール熱密度(温度)が高くなることが確認された。なお、先細る形状の溶解原料200において、先端部(角部200d)は加熱コイル部11との間の距離が大きい一方、エッジ効果によりジュール熱密度(温度)が高くなることが確認された。これにより、溶解原料200の角部200dから、溶解原料200が溶解することが確認された。
Further, as shown in FIG. 7, since the magnetic flux is concentrated on the
(原料支持面部の配置位置についての実験)
次に、加熱コイル部11の内部における原料支持面部21の配置位置に対する、溶解原料200の溶解の状態を確認するために行った実験について説明する。
(Experiment on the location of the raw material support surface)
Next, a description will be given of an experiment performed to confirm the melting state of the melted
原料支持面部21を、鉛直方向における加熱コイル部11の長さL11(図1参照)の18%未満(0%、5%、10%、15%など)の分、加熱コイル部11の下端11bよりも上方の位置に配置した場合、溶解原料200を十分に溶解できずに、固体の溶解原料200が残留することが確認された。一方、原料支持面部21を、鉛直方向における加熱コイル部11の長さL11の18%以上、加熱コイル部11の下端11bよりも上方の位置に配置した場合、溶解原料200を十分に溶解できることが確認された。
The
(溶解原料の連続溶解についての実験)
図9に、7本の溶解原料200を連続的に溶解した場合の電力の変動を確認するために行った実験について説明する。
(Experiment on continuous dissolution of dissolved raw materials)
FIG. 9 illustrates an experiment performed to confirm a fluctuation in electric power when seven melting
図9に示すように、溶解する溶解原料200が切り替わった際に、多少の電力変動がみられるが、その後は安定的に電力が制御されていることが確認された。特に、3本目以降の溶解原料200において、より安定的に電力が制御されていることが確認された。理由として、3本目の溶解原料200の溶解が開始される時間あたりから、溶解装置100に含まれる電気素子等が熱的に安定し始めることが考えられる。
As shown in FIG. 9, when the melting
また、1本当たりの溶解原料200の溶解に要する溶解時間が、7本の溶解原料200の全てにおいて略同等であることが確認された。また、高周波電源盤1を運転してから比較的速やかに電力が上昇するとともに、1本目の溶解原料200の溶解が比較的速やかに開始されているのが確認された。また、高周波電源盤1を停止してから比較的速やかに電力が下降するとともに、7本目の溶解原料200の溶解が比較的速やかに終了しているのが確認された。
In addition, it was confirmed that the dissolving time required for dissolving one of the dissolving
これらにより、任意のタイミングで高周波電源盤1を運転して溶解原料200の溶解を開始するとともに、必要な量の溶解原料200が取得された際に瞬時に高周波電源盤1を停止することにより、必要な時に必要な量だけ溶解原料200を溶解するとともに溶解装置100から取り出すことが容易になる。その結果、保持炉102において大量の溶解原料200を保持および保温しておく必要がない。これにより、保持炉102の大きさを比較的小さくすることが可能である。また、保持炉102を設けず、直接的に溶解装置100からダイカスト機(図示せず)に溶解された溶解原料200を供給することが可能である。
By operating the high-frequency power supply panel 1 at an arbitrary timing to start dissolution of the melted
(溶解装置の動作)
次に、溶解装置100の動作について説明する。
(Operation of melting device)
Next, the operation of the
まず、高周波電源盤1(図1参照)のブレーカ(図示せず)がオンされる。これにより、運転の準備が行われる。そして、高周波電源盤1に設けられる操作部(図示せず)を操作することにより、加熱コイル部11による加熱が開始される。
First, a breaker (not shown) of the high-frequency power panel 1 (see FIG. 1) is turned on. Thereby, preparation for operation is performed. Then, by operating an operation unit (not shown) provided on the high-frequency power supply panel 1, heating by the
そして、図8(a)に示すように、表皮効果によって、溶解原料200の外表面から溶解が始まる。溶解された溶解原料200は、支持部20の貫通孔22を介して下方(加熱コイル部11の外部)に落下する。また、表皮効果のために、溶解原料200の外表面よりも溶解原料200の中央部Cの方が溶解されるのが遅い。これにより、溶解原料200の溶解が進行すると、溶解原料200は、溶解原料200の下方側が先細る形状になる。そして、先細った溶解原料200の先端部は、原料支持面部21に支持された状態となる。
Then, as shown in FIG. 8A, the dissolution starts from the outer surface of the dissolving
さらに溶解が進行すると、エッジ効果(図7参照)により、先細った溶解原料200の先端部に磁束が集中する。これにより、溶解原料200の先端部が溶解する。その結果、図8(b)に示すように、溶解原料200の自重によって、溶解原料200が下方に降下する。なお、降下した溶解原料200は、支持部20の原料支持面部21に支持されるので、溶解原料200の降下は停止する。そして、加熱コイル部11への高周波電流の供給が継続されることにより、図8(a)に示す状態と図8(b)に示す状態とが交互に繰り返される。これにより、溶解原料200が連続的に溶解する。
As the melting further proceeds, the magnetic flux concentrates on the tip of the tapered melting
ここで、加熱コイル部11への高周波電流の供給を停止すると、溶解原料200の加熱は即座(数秒以内)に停止される。これにより、溶解された溶解原料200の降下は瞬時に停止される。また、溶解原料200が比較的高温の状態において、加熱コイル部11への高周波電流の供給を再開すると、即座に溶解が始まり、溶解された溶解原料200の落下が再開される。このように、加熱コイル部11への高周波電流の供給時間をコントロールすることにより、溶解される溶解原料200の量をコントロールすることが可能になる。
Here, when the supply of the high-frequency current to the
また、第1実施形態と異なり、溶解原料200にバーナーの火炎を直接当てることにより溶解原料200を溶解させた場合には、火炎内に含まれるガス(酸素、水素)によって、溶解原料200が酸化してしまう(酸化ロス)場合がある。このため、溶解の歩留まりが悪くなる。さらに、溶解した溶解原料200(溶湯)を液体の状態に保持するためのエネルギが別途必要になるとともに、溶湯の状態を監視するための人員も必要になる。そこで、第1実施形態では、高周波電流が供給された加熱コイル部11により溶解原料200を溶解させることによって、溶解原料200が酸化することはないので、溶解の歩留まりを改善する(品質を保持する)ことが可能になる。また、溶湯を液体の状態に保持するためのエネルギを低減することが可能になる。
Also, unlike the first embodiment, when the melted
また、第1実施形態と異なり、溶解原料200が収容されたルツボにバーナーの火炎を直接当てることにより溶解原料200を溶解させた場合では、バーナーの火炎をルツボの表面に均一に加熱することが困難である。これにより、ルツボの温度分布に偏りが生じる。その結果、ルツボが部分的に摩耗するため、ルツボのメンテナンスが必要になる。また、溶解原料200がルツボを介して間接的に加熱されるので、バーナーの火炎の原料となるガスや石油などの消費量が増えてしまう。そこで、第1実施形態では、高周波電流が供給された加熱コイル部11により溶解原料200を溶解させることによって、溶解原料200を直接加熱することができるので、エネルギの消費量が増大するのを抑制することが可能になる。
Also, unlike the first embodiment, when the melting
[第1実施形態の効果]
第1実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
[Effects of First Embodiment]
In the first embodiment, the following effects can be obtained.
第1実施形態では、上記のように、溶解された溶解原料200が流通して落下する貫通孔22を含み、加熱コイル部11の下端11bよりも上方の位置において溶解原料200の下端200aを下方から支持する支持部20と、溶解原料201が溶解原料200に接触するように積層された状態で、溶解原料201が加熱コイル部11に挿入されるようにガイドするガイド部30と、を備えるように、溶解装置100を構成する。これにより、溶解原料200の下端200aが加熱コイル部11の下端11bよりも上方の位置に配置されるので、溶解原料200の下端200aおよび下端200aの近傍の部分に加熱コイル部11からの磁束が十分に到達する。その結果、溶解原料200の下端200aおよび下端200aの近傍の部分を迅速に溶解することができるので、溶解原料200の下端200aの溶け残りによって貫通孔22が詰まるのを抑制することができる。これにより、溶解原料200を貫通孔22からスムーズに流出させることができるとともに、溶解原料200が飛散するのを抑制することができる。その結果、飛散した溶解原料200が溶解原料201に付着するのを抑制することができる。ここで、溶解原料201が溶解原料200に接触するように積層された状態で溶解原料201を加熱コイル部11に挿入した場合、溶解原料201に加熱コイル部11からの磁束が届かず、溶解原料201が冷えた状態になっている場合がある。しかし、この場合でも、溶解原料200の飛散が抑制されることにより、飛散した溶解原料200が溶解原料201に付着するのが抑制されているので、溶解原料201の移動が飛散した溶解原料200により妨げられるのを抑制することができる。これにより、溶解原料201が挿入された時点で溶解原料201を加熱された状態にするために、溶解原料200が溶解して所定の大きさまで小さくなってから溶解原料201を挿入するようにタイミングを制御する必要がない。すなわち、溶解原料200が溶解されて所定の大きさまで小さくなる前に、ガイド部30を用いて溶解原料201を溶解原料200に積層させるとともに加熱コイル部11に挿入する場合でも、溶解原料201をスムーズに加熱コイル部11に挿入することができる。その結果、加熱コイル部11によって加熱される加熱対象の大きさを略一定にすることができる。これにより、加熱コイル部11にかかる負荷を略一定にすることができる。これらの結果、溶解原料200と溶解原料201とを、安定的に連続して溶解することができる。
In the first embodiment, as described above, the through
また、第1実施形態では、上記のように、溶解炉11aおよび支持部20が、互いに別個に設けられるように、溶解装置100を構成する。これにより、溶解炉11aおよび支持部20の各々を個別に交換することができるので、溶解炉11aおよび支持部20の各々のメンテナンスを容易化することができる。また、支持部20を交換することによって、支持部20の大きさ(高さ)を変更することができるので、溶解原料200の溶解の特性(溶解速度など)を容易に調整することができる。
Further, in the first embodiment, as described above, the
また、第1実施形態では、上記のように、支持部20が、溶解炉11aの内周面11cに取り囲まれて設けられるように、溶解装置100を構成する。これにより、溶解炉11aの内周面11cによって支持部20の移動が規制されるので、支持部20の位置がずれるのを抑制することができる。
In the first embodiment, as described above, the
また、第1実施形態では、上記のように、支持部20およびガイド部30の各々が、非磁性体で、かつ、加熱コイル部11により誘導加熱されない材質により構成されるように、溶解装置100を構成する。これにより、加熱コイル部11からの磁束が、支持部20およびガイド部30により影響を受けるのを抑制することができるので、溶解原料200を加熱コイル部11により安定的に溶解することができる。
Further, in the first embodiment, as described above, the
また、第1実施形態では、上記のように、平面視において、原料支持面部21が、溶解原料200の下端200aの中央部Cを支持するように、溶解装置100を構成する。ここで、溶解原料200を加熱コイル部11の磁束によって加熱する場合、表皮効果によって溶解原料200の表面が主に加熱される。その結果、溶解原料200の外表面から溶解が始まり、溶解原料200の中央部Cは、比較的遅い段階で溶解される。つまり、溶解原料200の外表面から徐々に中心に向かって溶解が進む。さらに、溶解原料200の下端200a(角部200d)に磁束が集中するので、下端200a側の溶解の進行の度合いが速い。その結果、溶解原料200は下方に向かって先細る形状となる。そこで、原料支持面部21を溶解原料200の下端200aの中央部Cを支持するように構成することによって、溶解原料200の先細った先端(下端200a)側を安定した状態で支持することができる。
Further, in the first embodiment, as described above, the
また、第1実施形態では、上記のように、原料支持面部21が、支持部20における複数の貫通孔22の間の部分により構成されるように、溶解装置100を構成する。これにより、原料支持面部21に隣り合うように複数の貫通孔22が設けられる。そして、溶解原料200から溶解した溶解原料200は、先細った形状の溶解原料200の先端側(原料支持面部21に接触する部分)に向かって流れるので、溶解された溶解原料200を、原料支持面部21に隣り合う複数の貫通孔22からよりスムーズに落下させることができる。
Further, in the first embodiment, as described above, the
[第2実施形態]
次に、図10を参照して、第2実施形態による溶解装置300の構成について説明する。第2実施形態の溶解装置300は、手動で高周波電源盤1をオンオフする上記第1実施形態と異なり、高周波電源盤1のオンオフが自動化されている。なお、上記第1実施形態と同様の構成は、第1実施形態と同じ符号を付して図示するとともに説明を省略する。
[Second embodiment]
Next, a configuration of a melting apparatus 300 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. The melting apparatus 300 of the second embodiment is different from the first embodiment in which the high-frequency power panel 1 is manually turned on and off, and the on-off of the high-frequency power panel 1 is automated. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and are not described.
図10に示すように、溶解装置300は、高周波電源盤1の動作を制御する制御装置40を備える。
As shown in FIG. 10, the melting device 300 includes a
(溶解原料の溶解時間の決定)
次に、溶解原料200の溶解時間Tを決定する際の制御について説明する。
(Determination of dissolution time of dissolving raw material)
Next, control when determining the melting time T of the melting
第2実施形態では、溶解装置100(制御装置40)は、高周波電源盤1から加熱コイル部11に供給される電力が略一定に設定された状態で、予め設定された溶解原料200の溶解量と高周波電源盤1からの電力の供給量との関係に基づいて、加熱コイル部11による溶解原料200の溶解時間Tを決定するように構成されている。
In the second embodiment, the melting device 100 (the control device 40) sets a predetermined amount of the melting
具体的には、溶解時間T(s)は、予め設定された溶解原料200の溶解量をA(kg)、高周波電源盤1からの電力の供給量によって決定される溶解速度をB(kg/s)とした場合、下記の式(1)により算出される。
そして、算出された溶解時間Tだけ、溶解原料200の溶解が自動的に実行(フィードフォワード制御)される。具体的には、溶解の開始時間t1が予めプログラムされており、溶解の開始時間t1から溶解時間T後の時間t2(t1+T)において溶解が自動的に停止される。
Then, the dissolution of the dissolving
なお、第2実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。 The other configuration of the second embodiment is the same as that of the first embodiment.
(第2実施形態の効果)
第2実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
(Effect of Second Embodiment)
In the second embodiment, the following effects can be obtained.
第2実施形態では、上記のように、高周波電源盤1から加熱コイル部11に供給される電力が略一定に設定された状態で、予め設定された溶解原料200の溶解量と高周波電源盤1からの電力の供給量との関係に基づいて、加熱コイル部11による溶解原料200の溶解時間Tを決定するように、溶解装置100を構成する。これにより、重量センサ等により溶解量を検出することなく、溶解原料200を必要な量だけ溶解することができる。その結果、溶解原料200を溶解するための部品点数を低減することができる。また、溶解量に基づいて高周波電源盤1の電力を制御(フィードバック制御)する場合に比べて、溶解原料200を溶解するための制御を簡易化することができる。
In the second embodiment, as described above, with the electric power supplied from the high-frequency power supply panel 1 to the
また、高周波電源盤1からの電力の供給量が略一定であるので、電力の供給量が変動する場合に比べて、溶解原料200の溶解時間Tを決定する制御の負荷を軽減することができる。また、ユーザが手動で溶解時間Tを算出(決定)する場合に比べて、正確かつ速やかに溶解時間Tを算出することができる。
Further, since the power supply amount from the high frequency power supply panel 1 is substantially constant, the control load for determining the melting time T of the melting
なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。 The other effects of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.
[変形例]
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更(変形例)が含まれる。
[Modification]
It should be understood that the embodiments disclosed this time are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description of the embodiments, and includes all equivalents (modifications) within the scope and meaning equivalent to the claims.
また、上記第1および第2実施形態では、支持部20は、2つの貫通孔22を有する例を示したが、本発明はこれに限られない。支持部20は、貫通孔22が1つ、または、3つ以上設けられていてもよい。
Further, in the first and second embodiments, the example in which the
たとえば、図11および図12に示すように、溶解装置400は、1つの貫通孔122を有する支持部120を備えている。この場合、溶解原料200は、貫通孔122の近傍の原料支持面部121(図12参照)により支持される。
For example, as shown in FIGS. 11 and 12, the
また、1つの貫通孔の中心近傍に柱状部が設けられていてもよい。具体的には、図13に示すように、支持部220は、貫通孔222と、柱状部223とを含む。柱状部223は、貫通孔222の中心近傍に設けられている。柱状部223は、溶解原料200の下端200a(図1参照)を支持する原料支持面部221を有する。また、柱状部223は、一対の梁部224により貫通孔222の内周面222aと接続されている。
Further, a columnar portion may be provided near the center of one through hole. More specifically, as shown in FIG. 13, the
また、上記第1および第2実施形態では、ガイド部30が筒形状を有する例を示したが、本発明はこれに限られない。溶解原料201(第2溶解原料)が溶解原料200(第1溶解原料)に接触するように積層されていれば、ガイド部30は筒形状以外の形状であってもよい。
Further, in the first and second embodiments, the example in which the
また、上記第1および第2実施形態では、支持部20が、耐火レンガにより構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、支持部20が、セラミックスにより構成されていてもよい。
Further, in the first and second embodiments, the example in which the
また、上記第2実施形態では、算出された溶解時間Tだけ、溶解原料200(第1溶解原料)の溶解が自動的に実行(フィードフォワード制御)される例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、溶解時間Tは、手動で設定可能に構成されていてもよい。 Further, in the second embodiment, the example in which the melting of the melting raw material 200 (first melting raw material) is automatically executed (feed forward control) for the calculated melting time T has been described. Not limited to For example, the dissolution time T may be configured to be set manually.
また、上記第1および第2実施形態では、本発明の溶解装置を、溶解原料200(第1溶解原料)を溶解するために用いる例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、高周波電流の供給量を比較的少なくすることにより、溶解原料200(第1溶解原料)の表面に付着する水分や油分を除去する予備加熱装置やアルミニウム等原料の加熱装置として本発明の溶解装置を用いることが可能である。 Further, in the first and second embodiments, an example is shown in which the melting apparatus of the present invention is used for melting the melting raw material 200 (first melting raw material), but the present invention is not limited to this. For example, by making the supply amount of the high-frequency current relatively small, the melting device of the present invention can be used as a preheating device for removing water and oil adhering to the surface of the melting material 200 (first melting material) or a heating device for a material such as aluminum. It is possible to use the device.
また、上記第1および第2実施形態では、溶解原料200(第1溶解原料)が略直方体形状(角柱形状)を有する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、溶解原料200(第1溶解原料)が略円柱形状を有していてもよい。この場合、加熱コイル部11および溶解原料201(第2溶解原料)も略円柱形状を有する溶解原料200(第1溶解原料)に沿うように、平面視において、略円形状を有するように形成される。
Further, in the first and second embodiments, the example in which the melting raw material 200 (the first melting raw material) has a substantially rectangular parallelepiped shape (a prismatic shape) has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the melting raw material 200 (first melting raw material) may have a substantially cylindrical shape. In this case, the
また、上記第1および第2実施形態では、支持部20に設けられる貫通孔22が略円形状を有する例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、支持部に設けられる貫通孔が四角形状を有していてもよい。
Further, in the first and second embodiments, the example in which the through
1 高周波電源盤(高周波電源)
11 加熱コイル部
11a 溶解炉
11b 下端
11c 内周面
20 支持部
21、221 原料支持面部
22、122、222 貫通孔
30 ガイド部
100 溶解装置
200 溶解原料(第1溶解原料)
200a 下端
201 溶解原料(第2溶解原料)
C 中央部
T 溶解時間
1 High frequency power panel (high frequency power supply)
DESCRIPTION OF
200a Lower end 201 Dissolving raw material (second dissolving raw material)
C Central part T Dissolution time
Claims (7)
溶解された前記第1溶解原料が流通して落下する貫通孔を含み、前記加熱コイル部の下端よりも上方の位置において前記第1溶解原料の下端を下方から支持する支持部と、
前記第1溶解原料が溶解された後に溶解される第2溶解原料が前記第1溶解原料に接触するように積層された状態で、前記第2溶解原料が前記加熱コイル部に挿入されるようにガイドするガイド部と、を備える、溶解装置。 A heating coil part into which the first melting raw material is inserted;
A supporting portion that includes a through hole through which the first molten material that has been melted flows and falls, and that supports the lower end of the first molten material from below at a position above the lower end of the heating coil portion;
The second molten material is inserted into the heating coil unit in a state where the second molten material that is dissolved after the first molten material is melted is stacked so as to contact the first molten material. A dissolving device, comprising: a guide portion for guiding.
前記溶解炉および前記支持部は、互いに別個に設けられている、請求項1に記載の溶解装置。 The heating coil unit is wound, and further includes a melting furnace to which the first melting raw material is inserted and the guide unit is attached.
The melting apparatus according to claim 1, wherein the melting furnace and the support are provided separately from each other.
前記高周波電源から前記加熱コイル部に供給される電力が略一定に設定された状態で、予め設定された前記第1溶解原料の溶解量と前記高周波電源からの電力の供給量との関係に基づいて、前記加熱コイル部による前記第1溶解原料の溶解時間を決定するように構成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の溶解装置。 Further comprising a high-frequency power supply for supplying power to the heating coil unit,
In a state where the power supplied from the high-frequency power supply to the heating coil unit is set to be substantially constant, based on a relationship between a predetermined amount of the first melting raw material dissolved and a supply amount of the power from the high-frequency power supply. The melting apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the melting time of the first melting raw material by the heating coil unit is determined.
平面視において、前記原料支持面部は、前記第1溶解原料の下端の中央部を支持するように構成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の溶解装置。 The support unit includes a raw material support surface that supports a lower end of the first molten raw material at a position above a lower end of the heating coil unit,
The melting device according to any one of claims 1 to 5, wherein the raw material supporting surface portion is configured to support a central portion of a lower end of the first molten raw material in a plan view.
前記原料支持面部は、前記支持部における前記複数の貫通孔の間の部分により構成されている、請求項6に記載の溶解装置。 The through-hole is provided in plurality,
The dissolving apparatus according to claim 6, wherein the raw material support surface portion is configured by a portion between the plurality of through holes in the support portion.
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